KR200457787Y1 - 전도성 개스킷의 제조장치 - Google Patents

전도성 개스킷의 제조장치 Download PDF

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Abstract

본 고안은 전도성 개스킷의 제조장치에 관한 것이다.
본 고안은 차폐 기능을 하는 전도성 개스킷의 제조장치에 있어서, 공급되는 가공대상물의 표면에 전도성 물질을 도금시키는 도금장치; 도금된 상기 가공대상물에 탄성수단을 도포하여 건조시키는 탄성수단처리장치;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 고안은 순차적인 흐름을 통해 이질적인 물성의 적층 없는 단일의 개스킷을 제조할 수 있다. 또한, 전도성 개스킷 제품의 크기 및 형태에 구애받지 않고 각양각색의 모양 및 크기로 2차 가공이 용이하다.

Description

전도성 개스킷의 제조장치{THE MANUFACTURING EQUIPMENT OF CONDUCTIVE GASKET}
본 고안은 전도성 개스킷의 제조장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 각종 전기, 전자제품에서 발생되는 전자파를 차단하고, 전기적으로 통전(접지 역할)시키는 기능을 수행하는 전도성 개스킷의 제조장치에 관한 것이다.
일반적으로, 전도성 개스킷은 각종 전기, 전자제품에서 발생되는 전자파를 차단하고, 전기적으로 통전(접지 역할)시키는 기능을 수행하는 차폐수단이다.
이러한 전도성 개스킷은 전도성을 갖는 Fabric(패브릭 ; 천, 직물) 및 Mash(매쉬 ; 망체) 원단을 무전해질 구리(Cu) 도금을 하여 직사각형 모양의 Sponge(스펀지)에 감싸서 제조하였다.
이와 같은 종래 전도성 개스킷은 전도성 물질인 구리(Cu)가 도금된 FABRIC원단 및 Mash원단을 스펀지에 감싸게 되므로, 그 접착과 관련된 장치가 요구되며, 이질적인 물성 즉, 개스킷의 주재료가 되는 스펀지 외표면에 전도성 물질인 구리(Cu)가 도금된 FABRIC원단 및 Mash원단을 감싸서 이루어지므로, 주변의 온도 변화 및 잦은 완충 작용에 의해 반복적인 형체 변형 시 그 변형률이 서로 달라 서로 탈리되어 외형이 변하는 문제점이 있다.
특히, 일정한 크기와 형상을 한 스펀지 외부를 FABRIC원단 및 Mash원단이 감싸게 되므로, 그 크기 특히, 형상에 제약(단조로운 형상)을 받는 문제점이 있다.
본 고안은 차폐 기능을 하는 전도성 개스킷의 제조장치에 있어서, 공급되는 가공대상물의 표면에 전도성 물질을 도금시키는 도금장치; 도금된 상기 가공대상물에 탄성수단을 도포하여 건조시키는 탄성수단처리장치;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 고안은 순차적인 흐름을 통해 이질적인 물성의 적층 없는 단일의 개스킷을 제조할 수 있다. 또한, 본 고안은 전도성 개스킷 제품의 크기 및 형태에 구애 받지 않고 각양각색의 모양 및 크기로 2차 가공이 용이하다.
본 고안을 설명하기에 앞서 기술의 이해를 돕도록 제시하는 첨부 도면 도 1은 본 고안의 일실시예에 따른 구성을 간략히 도시한 블럭도이고, 도 2는 본 고안의 일 실시예에 따른 구성을 보다 구체적으로 도시한 블럭도이고, 도 3은 본 고안의 다른 실시예에 따른 구성을 구체적으로 도시한 블럭도이고, 도 4는 본 고안의 일실시예에 다른 실시예를 결합한 종합적인 구성을 도시한 간략 장치도이며, 도 5는 본 고안에 의해 제조된 전도성 개스킷 그 자체를 부분적으로 확대 도시한 구성도를 나타낸 것이다.
이와 같이 제시한 첨부 도면을 참고로 하여 본 고안을 설명하면 다음과 같다.
본 고안은 첨부 도면 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 차폐 기능을 하는 전도성 개스킷의 제조장치에 있어서, 공급되는 가공대상물의 표면에 전도성 물질을 도금시키는 도금장치(10); 도금된 상기 가공대상물에 탄성수단을 도포하여 건조시키는 탄성수단처리장치(20);를 포함하는 것을 특징으로 한다.
여기서, 본 고안 중 상기 공급되는 가공대상물(S)은 전도성 개스킷의 근본을 이루는 PE원단 또는 스펀지일 수 있다. 이때, 상기 스펀지는 개스킷용 스펀지일 수 있다. 또한, 상기 가공대상물(S)은 권취된 롤에서 언코일 장치에 의해 언코일되면서 반대쪽으로 이송되는 과정에서 단계적으로 가공이 이루어질 수 있다.
한편, 본 고안 중 상기 도금장치(10)는 니켈 도금조에 가공대상물(S)을 침지시켜 니켈 도금하고, 물로 수세한 후, 건조하는 1차 도금장치(11); 1차 도금된 상기 가공대상물(S)을 저수된 물에 수세한 후, 황산구리용액 도금조에 침지시켜 전기분해를 통해 가공대상물(S) 표면에 구리를 흡착시키고, 저수된 물에 반복 수세 후 건조하는 2차 도금장치(12);를 포함하여 구성될 수 있다.
이때, 상기 1차 도금장치(11)에서의 니켈 도금은 무전해 도금일 수 있고, 다음 장치인 2차 도금장치(11)에서 구리 이온을 흡착시키며, 상기 2차 도금장치(12)에서 구리 도금은 가공대상물(S)이 전도성을 갖도록 하는 장치이다.
또한, 상기 1차 도금장치(11)는 니켈성분이 액상으로 저장된 저수조 및 물이 저장된 각각의 저수조일 수 있으며, 2차 도금장치(12)는 황산구리용액이 저장된 저수조 및 물이 저장된 각각의 저수조일 수 있다.
또 한편, 본 고안 중 상기 탄성수단처리장치(20)는 2차 도금된 가공대상물(S)에 실리콘 또는 PE(POLYETHYLENE)를 도포 또는 침지시켜 주입하는 탄성수단주입장치(21); 탄성수단이 주입된 가공대상물(S)을 압착시켜 탄성수단이 가공대상물(S)에 일정량만 잔류하게 하는 압착장치(22); 탄성수단의 주입된 상태가 조절된 가공대상물(S)을 건조하는 경화장치(23);를 포함하여 구성될 수 있다.
이때, 상기 탄성수단주입장치(21)는 액상의 실리콘 원료를 분사하는 분사장치일 수 도 있고, 액상의 실리콘이 저수된 저수조일 수 도 있다.
또한, 상기 압착장치(22)는 모터에 의해 연동 회전하되, 가공대상물(1)에 대한 압착 높이가 서로 다른 한 쌍의 압착롤러일 수 있다. 이때, 상기 한 쌍의 압착 롤러는 가공대상물(1)이 투입되는 방향의 압착롤러의 압착 높이가 더 높을 수 있다.(압착력이 낮음) 이와 같이 되면, 가공대상물(1)이 진행하면서 순차적으로 압착력이 높아져 진행을 원활하게 유도하는 한편, 가공대상물(1)에 주입된 실리콘이 급격히 유출되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 상기 경화장치(23)는 실리콘이 주입된 가공대상물(1)에 열을 가해 경화시키는 가열장치일 수 있다. 이때, 상기 가열장치(23)는 이송롤러를 타고 진행하는 가공대상물(1)에 더운 열기를 분사하는 열풍제공장치일 수 도 있고, 빛(예시적으로 자외선)을 조사하는 광제공장치일 수 도 있으며, 챔버일 수 도 있다.
이와 같이 되면, 상기 도금장치(10)에서 경화된 가공대상물(S)에 탄성수단인 실리콘 또는 PE가 탄성력을 제공하여 개스킷의 기능을 수행할 수 있도록 한다.
이러한 본 고안은 권취된 가공대상물(S)을 언코일하여 상기 가공장치들을 경유시켜 회수하는 장치(권취장치; 모터에 의해 회전하는 권취롤러와 이송경로를 제공하는 롤러군)에 의해 공정이 진행된다.
이하, 본 고안에 대해 구체적으로 기술하면 다음과 같다.
먼저, 상기 도금장치(10) 중 1차 도금장치(11)는 니켈 도금조로 상기 가공대상물(S)을 유도(이송롤러가 이송경로를 제공)의 유도하여 침지시켜 니켈 도금하게 되는데, 비전도성 재료인 가공대상물(S)의 표면에 화학환원반응으로 금속을 석출하여 표면처리 하는 공정으로서, 환원제로는 차아린산 이온이나 히드라진이 선택된다.
상기, 니켈은 차아린산 이온 환원계에 적응성이 높아 자기촉매로 석출의 연 쇄반응을 일으키게 되며, 화학환원반응에 의해 가공대상물(S)에 니켈이 도금된다. 이후, 저장된 물로 1차 도금된 가공대상물(S)을 유도하여 수세한다.
한편, 2차도금장치(12)는 상기 1차 도금된 가공대상물(S)을 황산구리용액 도금조로 유도하여 침지시켜 구리 도금하게 된다.
이를 구체적으로 설명하면, 상기 가공대상물(S)이 유도되어 침지되는 항산구리용액 도금조에 전류를 공급한다. 이때, 공급되는 전류는 가감저항기에 의해 조절된다. 전원을 넣으면 가공대상물(S) 표면의 니켈 도금층이 음전하를 띠고, 니켈 도금층에서 방출된 전자가 구리이온(Cu++)으로 전달되어 구리금속을 석출시킨다.
석출된 구리 원자는 니켈도금층 표면에 흡착되어 도금되는데, 상기에서 같은 수의 황산이온(SO-)이 양극인 구리 금속으로 모이고, 이런 과정을 통해 용액 속에 새로운 황산구리를 생성한다. 이와 같은 과정은 전지도금 과정에서 공통으로 일어난다.
즉, 전류가 흐르면 음극에서 석출되는 구리 금속의 양이 같기 때문에 용액은 일정하게 유지된다.
이와 같이 하여, 가공대상물(S)의 표면에 도금층을 형성 후 건조하게 되면 가공대상물(S)은 경질의 상태가 된다.
상기, 탄성수단처리장치(20) 중 탄성수단주입장치(21)는 도금 처리된 후 경질 상태가 된 상기 가공대상물(S)을 탄성수단분사장치 또는 탄성수단저수조로 유도(이송롤러가 제공하는 경로에 의해 유도)하여 실리콘 또는 PE를 도포하거나 침지시켜 가공대상물(S)에 탄성수단을 주입시킨다.
이후, 상기 압착장치(22)는 탄성수단이 주입된 상태로 이송롤러를 따라 유도되는 가공대상물(S)을 압착기를 통해 압착시켜 가공대상물(S)에 탄성수단이 일정량만 잔류하도록 한다. 이와 같이 하면, 가공대상물(S)에 주입된 탄성수단의 양을 조절할 수 있어 전도성 개스킷의 탄성력 및 두께를 조절할 수 있다.
마지막으로, 상기 경화장치(23)는 탄성수단이 주입 상태가 조절된 가공대상물(S)을 건조장치(건조경로)로 유도하여 인위적으로 건조 경화시키거나, 실온에서 건조 경화시킨다.
그리고, 본 고안은 첨부 도면 도 3에 도시된 바와 같이, 도금장치(10) 이전에 가공준비를 위한 전 처리 장치를 더 포함하여 구성될 수 있다.
그 전 처리 장치로는 도시된 바와 같이, 공급되는 가공대상물(S)의 표면을 산화시키는 산화장치(1); 상기 산화장치에서 표면이 산화된 가공대상물(S)을 중화시키는 중화장치(2);를 더 포함하여 구성될 수 있다.
여기서, 본 고안 중 상기 산화장치(1)는 권취된 가공대상물(S)을 언코일하면서 가성소다(NaOH,수산화나트륨)용액 저수조로 유도하여 침지시켜 가공대상물(S)의 표면을 산화시킨 후, 역시 저수된 물에 수세하는 장치일 수 있다.
이때, 상기 가성소다용액(10~30%)의 온도는 섭씨40~45도일 수 있다. 상기, 가성소다는 나트륨(na)에 수산화기(-oh)가 붙어 있는데, 이는 산소(O)와 수소(h)가 결합한 것으로 물(h-oh, h2o)을 이루는 원소이다.
또 한편, 상기 중화장치(2)는 산화된 상기 가공대상물(S)을 염화파라듐과 염화주석의 혼합액이 저수된 중화조1에 침지시켜 중화시킨 후, 역시 저수된 물에 수세하는 1차중화장치(2-1); 상기 1차 중화 후, 황산(10~35%)이 저수된 중화조2에 침지시켜 중화시킨 후, 역시 저수된 물에 수세하는 2차중화장치(2-2); 상기 2차 중화 후, 황산이 저수된 중화조3에 재차 침지시켜 중화시킨 후, 역시 저수된 물에 수세하는 3차중화장치(2-3);를 포함하여 진행될 수 있다.
이와 같이 되는 본 고안은 상기 산화장치(1)에서는 가공대상물(S)인 PE원단 또는 스펀지가 공급되어 저수된 가성소다용액에 침지되면, 가공대상물(S)의 표면이 산화(부식)되어서 도금이 용이한 상태로 변형된다.
즉, 산화장치(1)에서 가공대상물(S)의 표면에 무수한 홀이 형성되어, 그 홀을 포함한 가공대상물(S)의 표면 전체에 탄성수단이 덮이게 된다. 이와 같이하면, 가공대상물(S)의 표면에 도금층의 형성을 용이하게 할 수 있다.
이후, 역시 저수된 물로 이동되는 가공대상물(S)은 세정되어 다음 장치인 중화장치(2)로 이동된다.
상기 중화장치(2)에서는 산화된 상기 가공대상물(S)이 저수된 염화파라듐과 염화주석의 혼합액에 침지되어 중화가 이루어진다. 이때, 상기 중화는 산성화된 가공대상물(S)을 염기성을 띠는 염화파라듐과 염화주석이 중화시키기 때문이다. 상기, 염기성이란 염기가 지나는 기본적 성질로서, 원래 산성의 작용을 중화하고 산과 작용하여 염과 물만을 만드는 성질을 가지고 있다.
상기 중화장치(2)는 전술한 바와 같이, 1차중화장치(2-1)와 2차중화장치(2-2) 및 3차중화장치(2-3)로 진행되는데, 중화 작용은 전술한 바와 같은 원리이므로 보다 구체적인 설명은 생략한다.
이러한, 본 고안을 종합하여 보면, 첨부 도면 도 4에 도시된 바와 같이, 전술한 장치들을 순차적으로 거치게 된다. 물론 이때, 가공대상물(S)의 언코일을 통한 가공위치로의 유도는 연속적으로 이루어질 수 있으나, 도시된 바와 같이, 가공대상물(S)의 보관의 용이함과 공정진행 경로의 길이를 고려하여 가공 공정 중간 중간에 언코일되면서 가공위치로 유도되었던 가공대상물(S)을 재 권취 후 언코일할 수 도 있다. 즉, 본 고안의 압착장치(22)를 제외한 모든 장치는 언코일장치(미도시)에 의해 이송되는 가공대상물(1)에 대응하는 화학물질을 수용한 저수조 또는 분사장치로 이루어진 것이다.
상기와 같이 하여 제조된 전도성 개스킷(G)은 첨부 도면 도 5에 도시된 바와 같이(도 5에서는 가공대상물(S)의 일 실시예를 스펀지로 적용함), 가공대상물(S)에 형성된 홀을 포함한 표면에 구리 도금층과 그 외부에 탄성수단층이 일체로 적층된다.
그러므로, 본 고안은 이러한 가공대상물(S)을 원하는 크기 및 형상으로 2차 가공하기가 용이하게 된다.
이상, 본 고안을 본 고안의 원리를 예시하기 위한 바람직한 실시예와 관련하여 설명하고 도시하였지만, 본 고안은 그와 같이 도시되고 설명된 그대로의 구성 및 작용으로 한정되는 것이 아니다.
오히려, 첨부된 청구범위의 사상 및 범주를 일탈함이 없이 본 고안에 대한 다수의 변경 및 수정이 가능함을 당업자들은 잘 이해할 수 있을 것이다.
따라서, 그러한 모든 적절한 변경 및 수정과 균등물들도 본 고안의 범위에 속하는 것으로 간주되어야 할 것이다.
도 1은 본 고안의 일실시예에 따른 구성을 간략히 도시한 블럭도.
도 2는 본 고안의 일 실시예에 따른 구성을 보다 구체적으로 도시한 블럭도.
도 3은 본 고안의 다른 실시예에 따른 구성을 구체적으로 도시한 블럭도.
도 4는 본 고안의 일실시예에 다른 실시예를 결합한 종합적인 구성을 도시한 간략 장치도.
도 5는 본 고안에 의해 제조된 전도성 개스킷 그 자체를 부분적으로 확대 도시한 구성도.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
10 : 도금장치 11 : 1차 도금장치
12 : 2차 도금장치 20 : 탄성수단처리장치
21 : 탄성수단주입장치 22 : 압착장치
23 : 경화장치 1 : 산화장치
2 : 중화장치 S : 가공대상물
G : 개스킷

Claims (12)

  1. 차폐 기능을 하는 전도성 개스킷의 제조장치에 있어서, 니켈 도금조에 가공대상물(S)을 침지시켜 니켈 도금하고, 물로 수세한 후, 건조하는 1차 도금장치(11)와, 1차 도금된 상기 가공대상물(S)을 저수된 물에 수세한 후, 황산구리용액 도금조에 침지시켜 전기분해를 통해 가공대상물(S) 표면에 구리를 흡착시키고, 저수된 물에 반복 수세 후 건조하는 2차 도금장치(12)를 포함하여, 공급되는 가공대상물의 표면에 전도성 물질을 도금시키는 도금장치(10); 2차 도금된 가공대상물(S)에 탄성수단을 도포 또는 침지시켜 탄성수단을 주입하는 탄성수단 주입장치(21)와, 탄성수단이 주입된 가공대상물(S)을 압착시켜 탄성수단이 가공대상물(S)에 일정량만 잔류하게 하는 압착장치(22)와, 탄성수단의 주입된 상태가 조절된 가공대상물(S)을 건조하는 경화장치(23)를 포함하여, 도금된 상기 가공대상물에 탄성수단을 도포하여 건조시키는 탄성수단처리장치(20);를 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성 개스킷의 제조장치.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 가공대상물(S)은 전도성 개스킷의 근본을 이루는 PE원단인 것을 특징으로 하는 전도성 개스킷의 제조장치.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 가공대상물(S)은 전도성 개스킷의 근본을 이루는 개스킷용 스펀지원단인 것을 특징으로 하는 전도성 개스킷의 제조장치.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 가공대상물(S)은 권취된 롤에서 언코일되면서 반대쪽으로 이송되는 과정에서 장치적으로 가공이 이루어지는 것을 특징으로 하는 전도성 개스킷의 제조장치.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 1차 도금장치(11)에서의 니켈 도금은 무전해 도금일 수 있고, 다음 장치인 구리 도금 과정에서 구리 이온을 흡착시키는 장치인 것을 특징으로 하는 전도성 개스킷의 제조장치.
  6. 제 1항에 있어서, 상기 2차 도금장치(12)에서 구리 도금은 가공대상물(S)이 전도성을 갖도록 하는 장치인 것을 특징으로 하는 전도성 개스킷의 제조장치.
  7. 제 1항에 있어서, 상기 도금장치(10)의 전 처리장치로서, 공급되는 가공대상물(S)의 표면을 산화시키는 산화장치(1)를 더 포함하여 진행되는 것을 특징으로 하 는 전도성 개스킷의 제조장치.
  8. 제 7항에 있어서, 상기 산화장치(1)의 다음 장치로서, 표면이 산화된 가공대상물(S)을 중화시키는 중화장치(2)를 더 포함하여 진행되는 것을 특징으로 하는 전도성 개스킷의 제조장치.
  9. 제 1항에 있어서, 상기 도금장치(10)의 전 처리장치로서, 공급되는 가공대상물(S)의 표면을 산화시키는 산화장치(1); 상기 산화장치(1)에서 표면이 산화된 가공대상물(S)을 중화시키는 중화장치(2);를 더 포함하여 진행되는 것을 특징으로 하는 전도성 개스킷의 제조장치.
  10. 제 7항 또는 9항에 있어서, 상기 산화장치(1)에서 사용되는 산화물질은 가성소다용액임을 특징으로 하는 전도성 개스킷의 제조장치.
  11. 제 8항 또는 9항에 있어서, 상기 중화장치(2)는 산화된 상기 가공대상물(S)을 염화파라듐과 염화주석의 혼합액이 저수된 중화조1에 침지시켜 중화시킨 후, 역시 저수된 물에 수세하는 1차중화장치(2-1); 상기 1차 중화 후, 황산이 저수된 중화조2에 침지시켜 중화시킨 후, 역시 저수된 물에 수세하는 2차중화장치(2-2); 상기 2차 중화 후, 황산이 저수된 중화조3에 재차 침지시켜 중화시킨 후, 역시 저수된 물에 수세하는 3차중화장치(2-3);를 포함하여 진행되는 것을 특징으로 하는 전도성 개스킷의 제조장치.
  12. 제 1항에 있어서, 상기 주입장치(21)는 액상의 실리콘 원료를 분사하는 분사장치 또는 액상의 실리콘이 저수된 저수조 중 어느 하나이고, 상기 압착장치(22)는 모터에 의해 연동 회전하되, 가공대상물(1)에 대한 압착 높이가 서로 다른 한 쌍의 압착롤러이고, 상기 경화장치(23)는 실리콘이 주입된 가공대상물(1)에 열을 가해 경화시키는 가열장치임을 특징으로 하는 전도성 개스킷의 제조장치.
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