KR20040064326A - 기판 이송 모듈의 오염을 제어할 수 있는 기판 처리 장치 - Google Patents

기판 이송 모듈의 오염을 제어할 수 있는 기판 처리 장치 Download PDF

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KR20040064326A
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Abstract

기판 이송 모듈의 오염을 제어할 수 있는 기판 처리 장치가 개시되어 있다. 상기 기판 처리 장치는 복수 개의 기판을 수용하기 위한 용기와, 상기 기판을 이송하기 위한 공간을 제공하는 기판 이송 챔버, 상기 기판 이송 챔버의 내부에 배치되며, 상기 기판 상에 설정된 공정을 수행하기 위한 기판 처리부로 상기 용기 내의 기판들을 이송하기 위한 기판 이송 수단 및 상기 기판 이송 챔버의 외부에 배치되고 상기 용기를 지지하기 위한 로드 포트를 포함하는 기판 이송 모듈 및 상기 기판 이송 챔버의 외측면을 감싸도록 부착되며, 상기 기판 이송 챔버로 공급된 퍼지 가스를 순환시켜 상기 기판 이송 챔버로 재공급하기 위한 가스 순환 통로를 형성하기 위한 커버를 포함한다. 상기 가스 순환 통로에는 쿨링 코일과 필터 유닛이 설치된다. 상기 커버를 부착하여 상기 가스 순환 통로를 형성하므로 시공성이 좋고, 상기 쿨링 코일을 이용하여 온도와 습도를 조절하며 상기 필터 유닛을 통해 오염 물질을 여과한다.

Description

기판 이송 모듈의 오염을 제어할 수 있는 기판 처리 장치{Substrate processing apparatus for controlling contamination in substrate transfer module}
본 발명은 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 용기(container) 내에 수용되어 있는 기판을 공정을 수행하는 기판 처리부(substrate processing part)로 이송하기 위한 기판 이송 모듈(substrate transfer module) 내부의 오염을 제어할 수 있는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 제조 공정 중 건식 식각 공정은 리소그라피 공정을 통해 형성된 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 식각 가스를 이용하여 기판 상에 패턴을 형성하는 공정으로, 통상적으로 고진공 상태에서 진행하게 된다. 그러나, 청정실(cleanroom)의 상압 상태에서 고진공 상태로 공정 챔버의 분위기를 형성하는데는 상당한 시간이 소요되기 때문에, 일반적으로 건식 식각 설비의 입/출력 포트(port) 사이에 버퍼 역할을 하는 저진공 로드락 챔버(loadlock chamber)를 배치하고 이 곳에 기판을 대기시킴으로써 단위 시간당 생산량을 향상시키는 방법을 사용하고 있다. 미합중국 특허 6,315,512호(issued to Tabrizi, et al.)에는 이중 로드락 챔버, 이송 챔버 및 공정 챔버로 이루어진 기판 처리 장치가 개시되어 있다.
300㎜ 직경의 기판은 기판의 무게로 인하여 복수 개의 슬롯(slot)이 구비된 캐리어(carrier)와 상기 캐리어를 적재한 상태로 이송하는 캐리어 박스 등과 같은 이송 도구를 통합한 정면 개구 통합형 포드(Front Opening Unified Pod; 이하 "FOUP"라 한다)와 같은 기판 용기 내에 수용된다.
그러나, 상기 FOUP은 부피가 크기 때문에 저진공 로드락 챔버에 로딩할 경우, 상압에서 저진공으로 형성하고 다시 저진공에서 상압으로 여압(pressurization)되는 시간이 길어져서 단위 시간당 생산량을 저하시키게 된다. 따라서, 300㎜ 기판용 공정 설비는 FOUP과 로드락 챔버 사이에 EFEM(Equipment Front End Module)과 같은 별도의 기판 이송 모듈을 두고, 상기 FOUP을 기판 이송 모듈의 로드 포트(load port) 위에 적재하고 기판을 한 매씩 상기 기판 이송 모듈을 통해 로드락 챔버로 이송하는 방식을 채택하고 있다.
도 1은 종래의 기판 이송 모듈을 설명하기 위한 개략적인 측면도이다.
도 1을 참조하면, 기판 이송 모듈(110)은 기판(124)들이 수용되어 있는 FOUP(112)을 지지하기 위한 로드 포트(118), 외부 공기를 유입하기 위한 필터 유닛(119) 및 그 내부에 기판 이송 로봇(116)이 배치되는 기판 이송 챔버(114)를 포함한다.
한 로트(lot), 즉 25매의 기판(124)이 수용된 FOUP(112)을 기판 이송 모듈(110)의 제1로드 포트(118a) 위에 놓은 후, 기판 이송 챔버(114)와 마주 보고 있는 FOUP(112)의 정면 도어(front door,미도시)를 오픈시킨다.
기판 이송 모듈(110)의 필터 유닛(119)은 팬(fan)과 필터가 일체화된 팬·필터 유닛(fan filter unit; FFU)으로서, 청정실 필터(130)를 통해 여과된 청정 공기(132)를 기판 이송 챔버(114) 내부로 다운 플로우(down flow)시키는 역할을 한다. 따라서, 기판 이송 챔버(114)는 필터 유닛(119)으로부터 다운 플로우된 청정 공기(132) 조건과 동일한 상온, 상압으로 유지된다. 따라서, FOUP(112)은 오픈된 정면 도어를 통해 기판 이송 챔버(114)와 연결된 상태이므로, 기판 이송 챔버(114)의 청정 공기(132)가 FOUP(112) 내부에 유입되어 FOUP(112)의 내부도 기판 이송 챔버(114)와 동일하게 상온, 상압으로 유지된다.
이와 같이 FOUP(112)의 정면 도어를 오픈한 상태에서, 한 로트에서 기판(124)을 기판 이송 챔버(114)의 기판 이송 로봇(116)을 이용하여 로드락 챔버(미도시)에 로딩한다. 기판(124)은 다시 기판 처리부(미도시)로 이동되어 건식 식각 공정이 진행된다. 상기 건식 식각 공정이 완료된 기판(124)은 로드락 챔버로 이송된다. 계속해서, 기판(124)은 기판 이송 챔버(114)의 기판 이송 로봇(116)을 통해제2로드 포트(118b) 위에 놓여 있는 FOUP(112)으로 이송된다.
이러한 단계들을 거쳐 식각 공정이 완료된 모든 기판(124)들이 FOUP(112)내에 들어오면, FOUP(112)의 정면 도어를 닫고 FOUP(112)을 건식 식각 설비로부터 제거한다.
종래의 300㎜ 건식 식각 설비에서는 기판 이송 모듈(110)과 연결되어 상온·상압에서 대기하는 FOUP(112) 내의 기판(124)들이 한 매씩 로드락 챔버로 이송된다. 따라서, 건식 식각 공정이 완료된 기판(124)은 FOUP(112)의 정면 도어가 오픈된 상태에서 FOUP(112) 내에서 대기하게 되며, 공정을 먼저 진행한 기판(124)일수록 FOUP(112) 내에서의 정체 시간이 길어지게 된다.
FOUP(112) 내에서의 정체 시간 동안 기판(124)들은 기판 이송 모듈(110)을 통해 청정화 공기의 온도 및 습도와 동일한 분위기에 노출되어 있으므로, FOUP(112) 내의 기판(124)들은 청정화 공기 중의 습기(H2O) 및 오존(O3)과 같은 각종 공기중 분자상 오염물질(airborne molecular contamination: 이하 AMC)들에 노출된다. 이때, 기판(124)의 표면에 잔류하고 있는 식각 가스가 공기 중의 습기와 반응하여 응축(condensation)되는 현상이 발생하고, 응축된 식각 가스가 미립자로 형상화되어 인접 패턴들 간의 브리지(bridge)를 유발하게 된다.
상기와 같은 문제를 해결하기 위해 파티클(particle) 이외에 온도 및 습도, 산소 농도, 오존 농도 등의 공기중 분자상 오염물질(AMC)을 공정 진행시 제어하고, 또한 공정 진행후 후속 공정을 위해 FOUP(112) 내부 가스를 제어하기 위해FOUP(112) 내부 혹은 기판 이송 챔버(114) 내부에 퍼지된 불활성 가스 또는 건식 공기, 바람직하게는, 질소(N2) 가스의 공급이 필요하다.
도 2는 종래의 기판 이송 모듈의 다른 예를 설명하기 위한 개략적인 측면도이다.
도 2에 도시된 바와 같이 종래에 따른 기판 이송 모듈(210)에 가스 공급부(242)를 구비하여 퍼지된 질소 가스(256)를 기판 이송 챔버(214) 내부로 플로우 시켜 기판 이송 챔버(214) 내부를 질소 분위기로 조성한다. 퍼지된 질소 가스(256)의 효과를 높이기 위해 청정실의 공기(232)를 기판 이송 챔버(214)로 공급시키지 않고 퍼지된 질소 가스(256)로만 플로우시켜 기판 이송 챔버(214) 내부에 산소 농도를 수십 ppm 이하로 일정하게 유지시키는 방법도 사용된다. 그러나, 상기와 같은 방법은 질소 가스와 같은 대량의 불활성 가스가 소모되어 제조 원가가 상승되는 문제점이 있다.
도 3은 종래의 기판 이송 모듈의 또 다른 예를 설명하기 위한 개략적인 측면도이다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위해서 도 3에 도시된 바와 같이 상기 종래의 다른 예에 따른 기판 이송 모듈(310)에 가스 순환관(348)을 기판 이송 챔버(314)의 외부에 설치한다. 따라서 가스 순환관(348)을 통해 질소 가스(356a)를 순환시킴으로써 질소 가스(356)의 소모를 줄일 수 있다. 가스 순환관(348)은 기판 이송 챔버(314)의 일 측면 하부에서 최상부면으로 신장되어 형성된다.
기판 이송 모듈(310)의 외부에는, 기판 이송 챔버(314)에 연결되고, 기판 이송 챔버(314)에 가스를 공급하여 기판 이송 챔버(314) 내부를 퍼지하기 위한 가스 공급부(342)와, 기판 이송 챔버(314) 내부의 온도 및 습도를 검출하기 위한 센서 (350)및 센서(350)에 의해 검출된 기판 이송 챔버(314)의 온도 및 습도에 따라 퍼지 가스(356)의 공급량을 조절하도록 가스 공급부(342)의 동작을 제어하기 위한 제어부(354)를 더 포함한다.
그러나, 가스 순환관(348)은 별도의 구조물을 기판 이송 챔버(314) 외부에 설치를 해야 되는 불편이 있고, 가스 순환시 가스와 접촉하는 물질(Material) 및 기판(334) 등의 고체로부터 기체 분자가 튀어나오는 탈기체(Outgassing) 현상으로 인해 오염 누적이 발생한다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 퍼지 가스가 순환할 수 있는 통로를 간편하고 형성할 수 있고, 오염 누적 현상을 방지할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는데 있다.
도 1은 종래의 기판 이송 모듈을 설명하기 위한 개략적인 측면도이다.
도 2는 종래의 기판 이송 모듈의 다른 예를 설명하기 위한 개략적인 측면도이다.
도 3은 종래의 기판 이송 모듈의 또 다른 예를 설명하기 위한 개략적인 측면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 건식 식각 설비를 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.
도 5는 도 4에 도시된 기판 이송 모듈을 설명하기 위한 개략적인 정면도이다.
도 6은 도 4에 도시된 기판 이송 모듈을 설명하기 위한 개략적인 측면도이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
510 : 기판 이송 모듈 512 : FOUP
514 : 기판 이송 챔버 515 : 기판 이송 수단
516 : 암 구동부 517 : 로봇 암
518a, 518b : 로드 포트 519 : 제1필터 유닛
522a, 522b : 로드락 챔버 528a, 528b : 공정 챔버
534 : 기판 542 : 가스 공급부
544 : 가스 라인 546 : 질량 유량계(MFC)
550 : 센서 552 : 데이터 수신부
554 : 제어부 556 : 퍼지 가스
562a, 562b : 도어
564a,564b,566a,566b,568a,568b,568c : 게이트 밸브
570 : 제2필터 유닛 572 : 쿨링 코일
574, 576a,576b,578a,578b : 밸브 580 : 가스 순환 통로
590 : 커버
상기 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 복수 개의 기판을 수용하기 위한 용기와, 상기 기판을 이송하기 위한 공간을 제공하는 기판 이송 챔버, 상기 기판 이송 챔버의 내부에 배치되며, 상기 기판 상에 설정된 공정을 수행하기 위한 기판 처리부로 상기 용기 내의 기판들을 이송하기 위한 기판 이송 수단 및 상기 기판 이송 챔버의 외부에 배치되고 상기 용기를 지지하기 위한 로드 포트를 포함하는 기판 이송 모듈 및 상기 기판 이송 챔버의 외측면을 감싸도록 부착되며, 상기 기판 이송 챔버로 공급된 퍼지 가스를 순환시켜 상기 기판 이송 챔버로 재공급하기 위한 가스 순환 통로를 형성하기 위한 커버를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치를 제공한다.
상기 기판 처리 장치는 상기 커버에 연결되고, 상기 기판 이송 챔버에 가스를 공급하여 상기 기판 이송 챔버 내부를 퍼지하기 위한 가스 공급부와, 상기 기판 이송 챔버 내부의 온도 및 습도를 검출하기 위한 센서 및 상기 센서에 의해 검출된 기판 이송 챔버의 온도 및 습도가 설정치를 초과하면 상기 퍼지 가스의 공급량을 증가시키고 설정치보다 낮으면 상기 퍼지 가스의 공급량을 감소시키도록 상기 가스 공급부의 동작을 제어하기 위한 제어부를 더 포함한다.
상기 기판 이송 모듈은 상기 기판 이송 챔버 내로 청정실 필터를 통해 여과된 외부 공기 및 상기 퍼지 가스를 유입시키며 상기 가스 순환 통로를 통해 순환되는 상기 퍼지 가스를 여과하여 상기 기판 이송 챔버로 재공급하기 위한 제1필터 유닛을 더 포함하며, 상기 가스 순환 통로에 각각 배치되어, 상기 가스 순환 통로를 통해 순환되는 상기 퍼지 가스를 여과하기 위한 제2필터 유닛 및 상기 가스 순환 통로를 통해 순환되는 상기 퍼지 가스의 온도와 습도를 조절하기 위한 쿨링 코일을 더 포함한다.
또한 상기 커버의 상부면, 측면 하단부 및 상기 기판 이송 챔버의 하단면에 게이트 밸브를 각각 더 구비한다.
본 발명에서 상기 용기는 FOUP이고, 상기 기판 이송 수단은 로봇 암(robotarm) 및 암 구동부(arm driving part)를 갖는 로봇이다. 상기 퍼지 가스는 불활성 가스 또는 건식 공기 중의 어느 하나이며, 바람직하게는, 질소(N2) 가스이다.
본 발명에 의하면, 상기 커버를 이용하여 상기 가스 순환 통로를 형성하므로 용이하게 상기 순환 통로를 형성할 수 있다. 상기 용기 내에 수용되어 있는 기판을 공정을 수행하는 기판 처리부로 이송하기 위한 기판 이송 모듈의 기판 이송 챔버 내부에 질소 가스와 같은 상기 퍼지 가스를 공급 및 순환(circulation)시켜 상기 기판 이송 챔버 내부의 습기 및 오존을 포함한 각종 공기중 분자상 오염물질(AMC)들을 제어한다. 따라서, 공정이 완료된 기판들이 용기 내에서 대기하는 동안 습기 및 오염 물질들과 반응하여 응축 입자를 형성하는 것을 방지할 수 있다.
또한 순환 통로에 쿨링 코일과 필터 유닛이 구비되어 상기 순환 가스의 온도와 습도를 제어하며, 상기 순환 가스를 여과한다. 따라서 가스 순환시 발생하는 오염 누적을 방지하고, 상기 반도체 기판이 습기 및 오염 물질로 인해 응축 입자를 형성하는 것을 방지한다.
또한, 기판 이송 모듈의 로드 포트 위에 지지되어 있는 용기의 내부가 기판 이송 챔버에 공급된 상기 퍼지 가스로 충전되므로, 후속 공정을 진행하기 위해 용기를 다른 설비로 이동하는 동안 용기의 내부로 외부 대기 중의 습기 및 오염 물질들이 유입되는 것을 차단함으로써, 공정과 공정 사이의 정체 시간 동안 오염 흡착 및 응축 현상을 방지할 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하고자 한다.
도 4은 본 발명의 일 실시예에 따른 건식 식각 설비를 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 건식 식각 설비는 기판 이송 모듈(510), 저진공 로드락 챔버(522a, 522b) 및 기판 처리부(520)로 구성된다.
기판 처리부(520)는 반도체 기판, 예컨대 300㎜ 직경의 기판(524) 상에 설정된 공정, 예컨대 건식 식각 공정을 수행하기 위한 복수 개의 고진공 공정 챔버(528a, 528b, 528c) 및 이송 챔버(525)를 포함한다. 이송 챔버(525) 내의 이송 로봇(526)에 의해 기판(524)이 로드락 챔버(522a, 522b)와 공정 챔버(528a, 528b, 528c) 사이에서 이송된다.
도 5는 도 4에 도시된 기판 이송 모듈을 설명하기 위한 개략적인 정면도이다.
도 6은 도 4에 도시된 기판 이송 모듈을 설명하기 위한 개략적인 측면도이다.
도 4, 도 5 및 도 6을 참조하면, 기판 이송 모듈(510)은 그 내부에 기판 송 수단(515)이 배치되는 기판 이송 챔버(514), 기판 이송 챔버(514)의 외부 좌우 측면과 상부면에 걸쳐서 감싸도록 부착되고 가스 순환 통로(580)를 형성하기 위한 커버(590), 기판 이송 챔버(514)의 외부 정면에 배치되고 기판(524)들이 수용되어 있는 용기(512)를 지지하기 위한 적어도 하나의 로드 포트(518a, 518b) 및 청정실 필터를 통해 여과된 외부 공기 및 가스 공급부(542)를 통해 공급되거나 가스 순환 통로(580)을 통해 순환된 퍼지 가스(556)를 기판 이송 챔버(514) 내로 유입시키기 위한 제1필터 유닛(520)을 포함한다.
바람직하게는, 용기(512)는 FOUP(512)이고 기판 이송 수단(515)은 기판(524)을 지지하는 로봇 암(516) 및 로봇 암(516)을 구동시켜 기판(524)을 이동시키기 위한 암 구동부(516)로 이루어진 로봇이다. 제1필터 유닛(520)은 팬과 필터가 일체화된 팬·필터 유닛(FFU)으로서, 상기 외부 공기나 퍼지 가스(556)를 기판 이송 챔버(514)의 내부로 다운 플로우시키는 역할을 한다.
본 발명의 기판 처리 장치(500)는 기판 이송 모듈(510)의 외부에 오염 제어부(540)는 커버(590)에 연결되고, 기판 이송 챔버(514)에 가스를 공급하여 기판 이송 챔버(514) 내부를 퍼지하기 위한 가스 공급부(542)와, 기판 이송 챔버(514) 내부의 온도 및 습도를 검출하기 위한 센서(550)와, 센서(550)에 의해 검출된 기판 이송 챔버(514)의 온도 및 습도가 설정치를 초과하면 퍼지 가스(556)의 공급량을 증가시키고 설정치보다 낮으면 퍼지 가스(556)의 공급량을 감소시키도록 가스 공급부(542)의 동작을 제어하기 위한 제어부(554) 및 센서(550)에 의해 검출된 기판 이송 챔버(514)의 온도 및 습도 데이터를 기록하고 상기 데이터를 제어부(144)에 전달하는 데이터 수신부(552)를 포함한다.
가스 공급부(542)에는 퍼지 가스(556)를 공급하기 위한 가스 라인(544) 및 퍼지 가스(556)의 유량을 제어하기 위한 질량 유량계(mass flow controller; MFC)(546)가 연결된다.
퍼지 가스(556)는 불활성 가스 또는 습기가 제거된 건식 공기(dry air) 중의어느 하나를 사용하며, 바람직하게는, 질소(N2) 가스를 사용한다.
가스 순환 통로(580)를 통해 순환되어 기판 이송 챔버(514)로 재공급되는 퍼지 가스(556)가 기판 이송 챔버(514)의 내부에서 층류(laminar flow)를 형성하도록 가스 순환 통로(580)는 기판 이송 챔버(514)의 양측면 하부에서 상부면까지에 걸쳐 형성된다. 가스 순환 통로(580)를 통해 순환되는 퍼지 가스(556)는 제1필터 유닛(519)을 통해 여과되어 기판 이송 챔버(514)로 재공급된다.
가스 순환 통로(580)에는 제2필터 유닛(570)과 쿨링 코일(572)이 설치된다. 제2필터 유닛(570)은 필터만으로 구성되어 가스 순환 통로(580)를 따라 순환되는 퍼지 가스(556)를 여과한다. 따라서 퍼지 가스(556)가 순환되면서 탈기체(outgassing) 현상에 의한 오염 누적을 막을 수 있다. 상기 탈기체 현상은 진공 속에서 고체로부터 기체 분자가 튀어나오는 현상이다. 쿨링 코일(572)은 냉각을 통하여 퍼지 가스(556)의 온도와 습도를 조절한다. 따라서 퍼지 가스(556)의 상태를 원하는 온도와 습도로 유지할 수 있다. 가스 순환 통로(580)의 내측면에는 슬롯이 형성되고, 제2필터 유닛(570)과 쿨링 코일(572)은 설치와 교체가 용이하도록 상기 슬롯에 삽입되는 형태인 것이 바람직하다. 경우에 따라서 제2필터 유닛(570)과 쿨링 코일(572)은 복수개가 설치될 수도 있다.
또한 커버(590)의 상부면, 커버(590)의 양측면 하단부 및 기판 이송 챔버(514)의 하단면에 밸브(574, 576a, 576b, 578)가 각각 구비된다. 구체적으로는 커버(590)의 상부면에 구비되는 밸브(574)는 개방되는 동안 상기 외부 공기를 공급하기 위한 통로 역할을 하고, 커버(590)의 양측면 하단부에 각각 구비되는 게이트 밸브(576a, 576b)는 개방되는 동안 기판 이송 챔버(514) 및 가스 순환 통로(580) 내의 가스를 배출하기 귀한 배출구 역할을 하며, 기판 이송 챔버(514)의 하부면에 구비되는 게이트 밸브(578)는 개방되는 동안 기판 이송 챔버(514) 내의 가스를 배출하기 위한 배출구 역할을 한다.
밸브(574, 576a, 576b, 578)는 게이트라는 디스크가 시트면과 마찰하면서 열리거나 닫힘으로써 유체 흐름을 제어하는데, 제어의 주목적은 유로의 차단 개방이다. 보통의 경우에 밸브(574, 576a, 576b, 578)는 차단된 상태이다. 따라서 제1필터 유닛(519)의 작용에 의해 가스 순환 통로(580)를 따라 퍼지 가스(556)가 순환되도록 한다. 그러나 경우에 따라서 밸브(574, 576a, 576b, 578)를 모두 개방하거나 일부만 개방할 수도 있다. 밸브(574, 576a, 576b, 578)를 모두 개방하여 상기 외부 공기를 공급하여 파티클만 제어하도록 하거나, 상기 외부 공기와 퍼지 가스(556)를 동시에 공급하여 온도 및 습도, 산소 농도, 오존 농도 등의 공기중 분자상 오염 물질(AMC)을 제어하도록 한다. 이때 상기 가스는 순환되지 않고, 커버(590) 상부면에 구비된 밸브(574)를 통해 유입되며 커버(590)의 양측면 하단부에 각각 구비된 게이트 밸브(576a, 576b) 및 기판 이송 챔버(514)의 하부면에 구비된 게이트 밸브(578)를 통해 배출된다.
또한 일부 즉 커버(590) 양측면 하단부 및 기판 이송 챔버(514)의 하단면에 각각 구비된 게이트 밸브(576a, 576b, 578)를 개방하여 상기 건식 식각 설비의 초기 가동시 가스 공급부(542)를 통해 기판 이송 챔버(514)로 퍼지 가스(556)를 공급하고 개방된 게이트 밸브(576a, 576b, 578)를 통해 기판 이송 챔버(514)에 충전되어 있던 내부 공기를 배출함으로써 기판 이송 챔버(514) 내부의 분위기를 퍼지 가스(556)가 충전된 상태로 빠르게 전환할 수 있어 리커버리(recovery) 시간을 줄일 수 있다. 따라서 상기 건식 식각 설비의 가동 효율을 높일 수 있다.
기판 이송 챔버(514) 내부의 대기(ambient)를 퍼지 가스(556)로 모두 퍼지할 경우, 퍼지 가스(556)의 다량 소모에 의한 원가 상승 문제와 퍼지 가스(556)의 배기 문제가 대두된다. 따라서, 기판 이송 챔버(514)의 전체 부피의 일정량만을 퍼지 가스(556)로 퍼지하고, 내부의 퍼지 가스(556)를 가스 순환 통로(580)를 통해 순환시켜 기판 이송 챔버(514)로 재공급하며, 여압(pressurizing)에 의해 퍼지 가스(556)의 자연 누설을 유발하는 것이 바람직하다. 여기서, 참조부호 556a는 가스 공급부(542)를 통해 기판 이송 챔버(514)로 공급되는 퍼지 가스(556)를 나타낸다. 참조부호 556b는 가스 순환 통로(580)를 통해 순환되어 기판 이송 챔버(514)로 재공급되는 퍼지 가스(556)를 나타낸다. 참조부호 556c는 여압에 의해 누설되는 퍼지 가스(556)를 나타낸다.
이하, 상술한 구조를 기판 처리 장치에서의 공정 흐름을 살펴보도록 한다.
로드 포트(518a, 518b) 및 기판 이송 챔버(514)를 포함하는 기판 이송 모듈(510)은 제1필터 유닛(520)을 통해 상기 외부 공기가 기판 이송 챔버(514)의 내부로 유입되기 때문에, 설정된 공정, 예컨대 건식 식각 공정을 수행하기 전에 기판 이송 챔버(514)의 내부는 상기 외부 공기의 온도 및 습도와 동일한 조건, 예컨대 약 23℃의 온도 및 약 45%의 습도의 상온, 상압으로 유지된다.
기판 이송 모듈(510)에 연결된 가스 공급부(542)를 통해 기판 이송 챔버(514)에 불활성 가스 또는 건식 공기로 이루어진 퍼지 가스(556), 바람직하게는 질소(N2) 가스를 공급함으로써, 기판 이송 챔버(514) 내부의 습기 또는 오염 물질들을 퍼지한다. 이와 동시에, 기판 이송 챔버(514) 내부의 퍼지 가스(556)를 가스 순환 통로(580)를 통해 순환시켜 기판 이송 챔버(514)로 공급한다. 퍼지 가스(556)는 가스 순환 통로(580) 내에 설치된 쿨링 코일(572)과 제2필터 유닛(570)을 지나면서 온도와 습도가 제어되고, 오염 물질이 제거된다. 제어부(554)에 의한 퍼지 공정은 모든 기판(524)들에 대해 설정된 공정, 예컨대 건식 식각 공정이 완료되어 최종 기판(524)이 FOUP(512) 내로 이송될 때까지 지속으로 진행된다. 이 때 커버(590)와 기판 이송 챔버(514)에 구비된 밸브(574, 576a, 576b, 578a, 578b)는 차단된 상태이다.
상기 퍼지 공정을 진행하는 동안, 한 로트, 즉 25매의 기판(524)들이 수용된 FOUP(512)을 기판 이송 모듈(510)의 로드 포트(518a, 518b), 예컨대 제1로드 포트(518a)에 로딩한다. 그런 다음, 기판 이송 모듈(510)의 기판 이송 챔버(514)와 마주 보고 있는 FOUP(512)의 정면 도어(560a)를 오픈시킨다.
이와 같이 FOUP(512)의 정면 도어(560a)를 오픈하고 퍼지 공정을 지속적으로 진행하는 상태에서, 기판 이송 챔버(514)의 기판 이송 수단(515)에 의해 FOUP(512) 내에 수용되어 있는 기판(524)들 중에서 첫 번째 기판(524)을 기판 이송 챔버(514) 내로 이동시킨다. 그런 다음, 기판 이송 챔버(514)와 로드락 챔버(522a, 522b), 예컨대 제1 로드락 챔버(522a) 사이의 게이트 밸브(562a)를 오픈하고, 기판 이송 챔버(514)의 기판 이송 수단(515)을 통해 첫 번째 기판(524)을 약 10-3torr의 저진공 상태로 유지되는 제1로드락 챔버(522a)에 로딩한다.
기판 이송 챔버(514)와 제1 로드락 챔버(522a) 사이의 게이트 밸브(562a)를 차단하고, 기판 처리부(520)의 이송 챔버(525)와 제1로드락 챔버(522a) 사이의 게이트 밸브(564a)를 오픈시킨 후 이송 챔버(525)의 이송 로봇(126)을 통해 첫 번째 기판(524)을 이송 챔버(525)로 이동시킨다.
이송 챔버(525)와 제1로드락 챔버(522a) 사이의 게이트 밸브(564a)를 차단한 후, 이송 챔버(525)와 공정 챔버(528a, 528b, 528c) 사이의 게이트 밸브(566a, 566b, 566c)를 오픈하고 이송 로봇(526)을 통해 첫 번째 기판(524)을 공정 챔버(528a, 528b, 528c)로 이동시킨다. 이때, 공정 챔버(528a, 528b, 528c)는 약 10-6torr의 고진공 상태로 유지된다.
이송 챔버(525)와 공정 챔버(528a, 528b, 528c) 사이의 게이트 밸브(566a, 566b, 566c)를 차단한 후, 공정 챔버(528a, 528b, 528c)에서 첫 번째 기판(524)에 설정된 공정, 예컨대 건식 식각 공정을 수행한다.
상기 공정이 완료되면, 이송 챔버(525)와 공정 챔버(528a, 528b, 528c) 사이의 게이트 밸브(566a, 566b, 566c)를 오픈하고 첫 번째 기판(524)을 이송 로봇(526)을 통해 이송 챔버(525)로 이동시킨다.
이송 챔버(525)와 공정 챔버(528a, 528b, 528c) 사이의 게이트 밸브(566a,566b, 566c)를 차단한 후, 이송 챔버(525)와 로드락 챔버(522a, 522b), 예컨대 제2로드락 챔버(522b) 사이의 게이트 밸브(564b)를 오픈하고 이송 로봇(526)을 통해 첫 번째 기판(524)을 제2로드락 챔버(522b)로 이동시킨다.
이송 챔버(525)와 제2로드락 챔버(522a) 사이의 게이트 밸브(564b)를 차단한 후, 기판 이송 챔버(514)와 제2로드락 챔버(522b) 사이의 게이트 밸브(562b)를 오픈하고 첫 번째 기판(524)을 기판 이송 수단(515)을 통해 기판 이송 챔버(514)로 이동시킨다. 계속해서, 기판 이송 수단(515)을 구동시켜 첫 번째 기판(524)을 기판 이송 챔버(514)로부터 로드 포트(118a, 118b), 예컨대 제2로드 포트(118b)의 FOUP(512) 내부로 이동시킨다. 첫 번째 기판(524)은 나머지 기판(524)들에 대한 공정이 완료될 때까지 FOUP(512) 내에서 50분 정도 대기하게 되지만, FOUP(512)과 연결되어 있는 기판 이송 챔버(514)의 내부가 지속적으로 질소 가스에 의해 퍼지되어 습기 및 오염 물질들이 제거되므로 정체 시간 동안 첫 번째 기판(524)의 표면에 습기 및 오염 물질들이 흡착되는 것을 방지할 수 있다.
이러한 단계들을 거쳐 식각 공정이 완료된 모든 기판(524)들이 FOUP(512) 내에 들어오면, FOUP(512)의 정면 도어를 차단하고 기판 이송 챔버(514)로의 퍼지 가스(556) 공급을 중단한다. 그런 다음, FOUP(512)을 건식 식각 설비로부터 제거한다. FOUP(512)은 모든 기판(524)들에 대한 공정이 진행하는 동안 정면 도어(560a, 560b)가 오픈되어 있는 상태로 로드 포트(518a, 518b) 위에서 대기하고 있기 때문에, 기판 이송 챔버(514)로 공급되는 질소(N2) 퍼지 가스가 FOUP(512)의 내부에 자연스럽게 충전된다. 따라서, FOUP(512)의 정면 도어를 차단한 다음 후속 공정 설비로 FOUP(512)을 이동시킬 때 FOUP(512)의 내부에 충전되어 있는 퍼지 가스(556)가 외부 대기 중의 습기 및 오염 물질(AMC)들의 유입을 차단함으로써 공정과 공정 사이의 정체 시간 동안 기판(524)의 표면에 습기 및 오염 물질들이 흡착되어 응축 입자를 형성하는 것을 방지할 수 있다.
또한 가스 공급부(542)를 통해 기판 이송 챔버(514)에 퍼지 가스(556)를 공급하여 기판 이송 챔버(514) 내부의 습기 또는 오염 물질들을 퍼지한다. 퍼지 가스(556)의 공급이 진행되는 동안, 기판 이송 챔버(514) 내부의 퍼지 가스(556)는 가스 순환 통로(580)를 통해 순환되어 기판 이송 챔버(514)로 재공급된다.
또한, 퍼지 가스(556)의 공급을 진행하는 동안, 센서(550)를 통해 기판 이송 챔버(514) 내부의 온도 및 습도를 실시간으로 측정한다. 측정된 데이터는 데이터 수신부(552)를 통해 제어부(554)로 전달된다. 예를 들어, 사용자가 정한 습도 설정치가 1% 미만이고 습기가 1000ppm∼500ppm 일 때, 기판 이송 챔버(514) 내부의 측정된 습기 농도가 상기 설정치를 초과하면 제어부(554)는 퍼지 가스(556)의 유량을 조절하는 MFC(546)를 제어하여 퍼지 가스(556)의 공급량을 증가시킨다. 또한, 측정된 습기 농도가 상기 설정치보다 낮으면, 제어부(554)는 MFC(546)를 제어하여 퍼지 가스(556)의 공급량을 감소시킨다.
이와 같이 본 발명에 의한 기판 이송 모듈(510)은 가스 순환 통로(580)에 구비된 제2필터 유닛(570)과 쿨링 코일(572)을 이용하여 퍼지 가스(556)의 온도와 습도를 조절하고 오염 물질을 여과함으로써, 적은 양의 퍼지 가스(556)로도 기판 이송 챔버(514)의 내부 공기의 습기 농도를 사용자가 원하는 농도로 제어할 수 있다.
상기와 같은 본 발명에 따르면, 기판 처리 장치는 기판 이송 챔버의 외부에 커버를 부착하여 가스 순환 통로를 형성한다. 상기 순환 통로에는 필터 유닛과 쿨링 코일이 구비된다. 용기 내에 수용되어 있는 기판을 공정을 수행하는 기판 처리부로 이송하기 위한 기판 이송 모듈의 기판 이송 챔버 내부에 질소 가스와 같은 퍼지 가스를 공급하고 상기 가스 순환 통로를 이용하여 상기 가스를 순환시켜 상기 기판 이송 챔버 내부의 습기 및 오존을 포함한 각종 공기중 분자상 오염 물질(AMC)들을 제어한다. 따라서, 공정이 완료된 기판들이 용기 내에서 대기하는 동안 습기 및 오염 물질들과 반응하여 응축 입자를 형성하는 것을 방지할 수 있다.
또한 상기 커버의 상부면, 상기 커버의 상부면, 측면 하단부 및 상기 기판 이송 챔버의 하단면에 게이트 밸브를 구비하여, 경우에 따라서 상기 게이트 밸브를 모두 개방하여 파티클만 제어할 수 있도록 하거나 상기 게이트 밸브를 부분적으로 개방하여 초기 가동시 리커버리(recovery) 시간을 줄이므로써 상기 식각 설비의 이용성과 효율성을 높일 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (7)

  1. 복수개의 기판을 수용하기 위한 용기;
    상기 기판을 이송하기 위한 공간을 제공하는 기판 이송 챔버, 상기 기판 이송 챔버의 내부에 배치되며, 상기 기판 상에 설정된 공정을 수행하기 위한 기판 처리부로 상기 용기 내의 기판들을 이송하기 위한 기판 이송 수단 및 상기 기판 이송 챔버의 외부에 배치되고 상기 용기를 지지하기 위한 로드 포트를 포함하는 기판 이송 모듈; 및
    상기 기판 이송 챔버의 외측면을 감싸도록 부착되며, 상기 기판 이송 챔버로 공급된 퍼지 가스를 순환시켜 상기 기판 이송 챔버로 재공급하기 위한 가스 순환 통로를 형성하기 위한 커버를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 커버에 연결되고, 상기 기판 이송 챔버에 가스를 공급하여 상기 기판 이송 챔버 내부를 퍼지하기 위한 가스 공급부;
    상기 기판 이송 챔버 내부의 온도 및 습도를 검출하기 위한 센서; 및
    상기 센서에 의해 검출된 기판 이송 챔버의 온도 및 습도가 설정치를 초과하면 상기 퍼지 가스의 공급량을 증가시키고 설정치보다 낮으면 상기 퍼지 가스의 공급량을 감소시키도록 상기 가스 공급부의 동작을 제어하기 위한 제어부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 커버에 구비되고, 상기 기판 이송 모듈로 외부 공기를 유입시키기 위한 밸브; 및
    상기 가스 공급부로부터 공급되는 퍼지 가스, 상기 밸브를 통해 유입되는 외부 공기 및 상기 가스 순환 통로를 통해 순환되는 퍼지 가스를 여과하여 상기 기판 이송 챔버로 재공급하기 위한 필터 유닛을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 가스 순환 통로에 각각 배치되고,
    상기 가스 순환 통로를 통해 순환되는 상기 퍼지 가스를 여과하기 위한 필터 유닛; 및
    상기 가스 순환 통로를 통해 순환되는 퍼지 가스의 온도와 습도를 조절하기 위한 쿨링 코일을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 용기는 FOUP(Front Opening Unified Pod)인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 기판 이송 수단은 상기 기판을 지지하는 로봇 암 및 상기 로봇 암을 구동시켜 상기 기판을 이동시키기 위한 암 구동부를 갖는 로봇으로이루어진 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 퍼지 가스는 질소(N2) 가스인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
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Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160005822A (ko) * 2014-07-07 2016-01-18 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR20160133171A (ko) 2015-05-12 2016-11-22 주식회사 스피드터치 저노점 저온 제습 기능을 구비하는 efem
KR101709586B1 (ko) * 2016-02-18 2017-02-24 (주)마스 반도체제조용 이송챔버
WO2019168662A1 (en) * 2018-02-27 2019-09-06 Applied Materials, Inc. Substrate processing apparatus and methods with factory interface chamber filter purge
WO2019227021A1 (en) * 2018-05-25 2019-11-28 Applied Materials, Inc. Substrate manufacturing apparatus and methods with factory interface chamber heating
JP2020014008A (ja) * 2013-08-12 2020-01-23 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ ファクトリインターフェースの環境制御を伴う基板処理のシステム、装置、及び方法
WO2020086490A1 (en) * 2018-10-26 2020-04-30 Applied Materials, Inc. Side storage pods, equipment front end modules, and methods for operating the same
KR102110244B1 (ko) 2019-08-07 2020-05-28 주식회사 싸이맥스 질소공급을 위한 웨이퍼 이송 자동화모듈 개조 방법
KR20200063977A (ko) * 2018-11-28 2020-06-05 (주) 예스티 이에프이엠
KR102159270B1 (ko) 2019-04-10 2020-09-23 이창은 오염 방지 기능이 향상된 efem
KR20200119537A (ko) 2019-04-10 2020-10-20 이창은 오염 방지 기능이 향상된 efem
US11782404B2 (en) 2014-11-25 2023-10-10 Applied Materials, Inc. Substrate processing systems, apparatus, and methods with substrate carrier and purge chamber environmental controls

Cited By (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11282724B2 (en) 2013-08-12 2022-03-22 Applied Materials, Inc. Substrate processing systems, apparatus, and methods with factory interface environmental controls
US11450539B2 (en) 2013-08-12 2022-09-20 Applied Materials, Inc. Substrate processing systems, apparatus, and methods with factory interface environmental controls
JP2020014008A (ja) * 2013-08-12 2020-01-23 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ ファクトリインターフェースの環境制御を伴う基板処理のシステム、装置、及び方法
KR20160005822A (ko) * 2014-07-07 2016-01-18 세메스 주식회사 기판 처리 장치
US11782404B2 (en) 2014-11-25 2023-10-10 Applied Materials, Inc. Substrate processing systems, apparatus, and methods with substrate carrier and purge chamber environmental controls
KR20160133171A (ko) 2015-05-12 2016-11-22 주식회사 스피드터치 저노점 저온 제습 기능을 구비하는 efem
KR101709586B1 (ko) * 2016-02-18 2017-02-24 (주)마스 반도체제조용 이송챔버
TWI778553B (zh) * 2018-02-27 2022-09-21 美商應用材料股份有限公司 具有工廠介面腔室過濾器淨化的基板處理設備及方法
US11328938B2 (en) 2018-02-27 2022-05-10 Applied Materials, Inc. Substrate processing apparatus and methods with factory interface chamber filter purge
US10763134B2 (en) 2018-02-27 2020-09-01 Applied Materials, Inc. Substrate processing apparatus and methods with factory interface chamber filter purge
TWI726283B (zh) * 2018-02-27 2021-05-01 美商應用材料股份有限公司 具有工廠介面腔室過濾器淨化的基板處理設備及方法
KR20200111294A (ko) * 2018-02-27 2020-09-28 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 팩토리 인터페이스 챔버 필터 퍼지를 이용한 기판 프로세싱 장치 및 방법들
WO2019168662A1 (en) * 2018-02-27 2019-09-06 Applied Materials, Inc. Substrate processing apparatus and methods with factory interface chamber filter purge
CN111788667A (zh) * 2018-02-27 2020-10-16 应用材料公司 具有工厂接口腔室过滤器净化的基板处理设备及方法
WO2019227021A1 (en) * 2018-05-25 2019-11-28 Applied Materials, Inc. Substrate manufacturing apparatus and methods with factory interface chamber heating
WO2020086490A1 (en) * 2018-10-26 2020-04-30 Applied Materials, Inc. Side storage pods, equipment front end modules, and methods for operating the same
US11610794B2 (en) 2018-10-26 2023-03-21 Applied Materials, Inc. Side storage pods, equipment front end modules, and methods for operating the same
KR20200063977A (ko) * 2018-11-28 2020-06-05 (주) 예스티 이에프이엠
KR20200119537A (ko) 2019-04-10 2020-10-20 이창은 오염 방지 기능이 향상된 efem
KR102159270B1 (ko) 2019-04-10 2020-09-23 이창은 오염 방지 기능이 향상된 efem
KR102110244B1 (ko) 2019-08-07 2020-05-28 주식회사 싸이맥스 질소공급을 위한 웨이퍼 이송 자동화모듈 개조 방법

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