CN111788667A - 具有工厂接口腔室过滤器净化的基板处理设备及方法 - Google Patents
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Abstract
电子器件处理设备,包括具有环境控制的工厂接口腔室和允许净化腔室过滤器的净化控制设备。过滤器净化设备包括腔室过滤器和冲洗气体供应器,冲洗气体供应器经构造以在通向该工厂接口腔室的通道门被打开时将冲洗气体供应至该腔室过滤器,以允许通向该工厂接口腔室的人员安全维修通道。对该腔室过滤器的冲洗气体的供应最小化在该通道门打开时由工厂周围空气引起的对该腔室过滤器的湿气污染,从而允许在工厂接口维修之后迅速恢复基板处理。描述了净化控制方法及设备,以及诸多其他方面。
Description
相关申请
本申请主张于2018年2月27日提交的题为“SUBSTRATE PROCESSING APPARATUSAND METHODS WITH FACTORY INTERFACE CHAMBER FILTER PURGE(具有工厂接口腔室过滤器净化的基板处理设备及方法)”(代理人案号44014871US01)的第15/905,959号美国非临时申请的优先权,该案出于所有目的以引用方式将其全部内容并入本文中。
技术领域
实施方式涉及电子器件制造,且更特定而言,涉及包括环境控制的工厂接口设备及方法。
背景技术
在半导体部件制造中对基板的处理是在处理工具中执行。基板在基板载体(例如,前开式标准仓或FOUP)中而在处理工具之间行进,基板载体可对接至工具的工厂接口(另外称作“设备前端模块(EFEM)”)。工厂接口包括工厂接口腔室,该工厂接口腔室可含有装载/卸载机器人,该装载/卸载机器人可操作以在对接至工厂接口的相应FOUP与一个或多个处理腔室之间传送基板。在一些真空工具中,基板从基板载体穿过工厂接口腔室到达装载锁定装置,并接着进入处理腔室中以用于处理。
近来,半导体处理工业中已出现了控制工厂接口内的环境的举动,诸如,通过将净化气体(例如,惰性气体)供应至工厂接口腔室中或晶片FOUP中。然而,这些***可能遇到效能问题。
因此,需要具有改良能力的工厂接口设备及工厂接口操作方法。
发明内容
在一个方面中,提供一种工厂接口设备。该工厂接口设备包括第一壁,该第一壁具有经构造以对接一个或多个基板载体的一个或多个装载端口;形成工厂接口腔室的额外壁,其中这些壁中的至少一个包括通道门(access door),该通道门经构造以便于人员进入该工厂接口腔室中;环境控制***,该环境控制***耦接至该工厂接口腔室且经构造以供应净化气体,以在基板传送通过该工厂接口腔室期间控制该工厂接口腔室内的一个或多个环境条件;腔室过滤器,该腔室过滤器经构造以过滤提供至工厂接口腔室的该净化气体;以及过滤器净化设备,该过滤器净化设备经构造以在该通道门被打开时将冲洗气体供应至该腔室过滤器,以便最小化由周围空气引起的对该腔室过滤器的湿气污染。
在另一方面中,提供一种腔室过滤器净化设备。该腔室过滤器净化设备包括工厂接口腔室,该工厂接口腔室包括通道门;腔室过滤器,该腔室过滤器经构造以过滤提供至工厂接口腔室的净化气体;以及过滤器净化设备,该过滤器净化设备经构造以在该通道门被打开时将冲洗气体供应至该腔室过滤器,以便最小化由周围空气引起的对该腔室过滤器的湿气污染。
在方法方面中,提供一种净化控制方法。该净化控制方法包括提供具有通道门的工厂接口腔室,该通道门经构造以提供通向该工厂接口腔室中的人员维修通道;提供腔室过滤器,该腔室过滤器经构造以过滤供应至该工厂接口腔室的净化气体的流动;以及当该通道门被打开时将冲洗气体供应至该腔室过滤器,以最小化由周围空气引起的对该腔室过滤器的湿气污染。
根据本公开内容的这些及其他实施方式提供了诸多其他方面。本公开内容的实施方式的其他特征和方面将通过以下详细描述、附图及权利要求书而变得更加显而易见。
附图说明
以下描述的附图仅出于说明性目的,且未必按比例绘制。这些附图并不意欲以任何方式限制本公开内容的范围。
图1图示了根据一个或多个实施方式的电子器件处理设备的示意性俯视图,该电子器件处理设备包括工厂接口腔室的环境控制并包括工厂接口腔室过滤器净化能力。
图2图示了根据一个或多个实施方式的包括工厂接口腔室过滤器净化能力的电子器件处理设备的第一局部横截面图。
图3图示了根据一个或多个实施方式的包括工厂接口腔室过滤器净化能力的电子器件处理设备另一局部横截面图。
图4图示了根据一个或多个实施方式的描述净化控制方法的流程图。
具体实施方式
现将详细参考实例实施方式,这些实例实施方式在附图中示出。在可能的情况下,将在所有附图中使用相同附图标记来指示所有若干视图的相同或类似部件。除非另有特定说明,否则本文中所述的各种实施方式的特征可彼此组合。
当观察到高的相对湿度水平、高的氧气(O2)水平、高水平的其他化学污染物、过高温度或其他环境因素时,现有电子器件制造***可能遇到问题。具体而言,基板暴露于高湿度水平、相对高的O2水平或其他化学污染物及微粒可能不利地影响基板性质。
因此,某些电子器件处理设备通过控制在基板通过工厂接口腔室时所暴露的环境条件而提供了基板处理的效率和/或处理改良。工厂接口从对接至工厂接口的壁(例如,对接至其前壁)的一个或多个基板载体接收基板,并且装载/卸载机器人可传递基板用于处理,诸如,将基板传递至工厂接口的另一壁(例如,其后壁)中的另一开口(例如,一个或多个装载锁定装置)。在具有环境控制的这种工厂接口中,可使用净化气体(诸如,氩气(Ar)、氮气(N2)或氦气(He))来净化来自工厂接口腔室的空气、湿气和/或污染物。
一个或多个环境参数(例如,相对湿度、温度、O2量、惰性气体的量或化学污染物的量)可被监控并通过供应净化气体来进行控制,且对接至工厂接口壁的相应FOUP的开启可被延迟,直至满足了与工厂接口中的环境有关的某些预先条件为止。
然而,有时,维修人员可进入工厂接口腔室,用于维修工厂接口腔室内的各种器件,诸如,装载端口开门器、装载/卸载机器人、狭缝阀,及类似者。在这些情形下,通向工厂接口腔室的通道门被打开,以使得维修人员可执行维修。在这些维修时间间隔期间停止净化气体的流动。
因此,本发明人已发现,经构造以过滤来自净化气体的微粒的腔室过滤器可能在这些维修时间间隔期间被湿气污染,因为来自工厂环境的含有湿气(有时在室温(RT)下相对湿度高达40%)的周围空气由于通道门打开而存在于工厂接口腔室中。
为了改善以上所列出的问题中的一个或多个,特别是腔室过滤器的湿气污染,本公开内容提供了工厂接口设备、工厂接口净化设备以及净化控制方法。
本文参考图1至图4描述示例工厂接口设备、工厂接口净化设备及净化控制方法的进一步的细节。图1至图3图示了根据本公开内容的一个或多个实施方式的电子器件处理设备100的示例实施方式的示意图。电子器件处理设备100可包括处理部分101,处理部分101经构造以处理基板245。处理部分101可包括主机外壳,该主机外壳具有界定传送腔室102的外壳壁。传送机器人104(在图1中示为虚线圈)可至少部分地被容纳在传送腔室102内。传送机器人104可经构造并适于经由其操作将基板245放置至处理腔室106A至106F,或从处理腔室106A至106F取出基板245。本文中所使用的基板应意味用以制作电子器件或电路部件的物品,诸如,含二氧化硅的盘片或晶片、经图案化或经遮蔽的晶片、玻璃板,或类似者。
在所描述的实施方式中,传送机器人104可为适于维护耦接至传送腔室102并可从传送腔室102接近(access)的各种腔室(诸如,所示出的双腔室)的任何合适类型的机器人,诸如(例如)在第2010/0178147号美国专利公开文本中所公开的机器人。可使用其他机器人类型。
传送机器人104的各种臂部件的运动可根据来自机器人控制器(未示出)的命令而由提供至含有传送机器人104的多个驱动电机的驱动组件(未示出)的合适命令来控制。来自机器人控制器的信号导致传送机器人104的各种部件的运动。可通过各种传感器(诸如,位置编码器或其类似者)向这些部件中的一个或多个提供合适的反馈机制。
所描述的实施方式中的传送腔室102的形状可通常为正方形或略微呈矩形。然而,主机外壳的其他合适形状以及面(facet)和处理腔室的合适数量是可能的,诸如,八边形、六边形、七边形、八边形及类似者。基板的目的地可为处理腔室106A至106F中的一个或多个,这些处理腔室106A至106F可经构造且可操作以在传递至其中的基板上执行一个或多个处理。由处理腔室106A至106F执行的处理可为任何合适处理,诸如,等离子体气相沉积(PVD)或化学气相沉积(CVD)、蚀刻、退火、预清洁、金属或金属氧化物移除,或类似者。可在其中的基板245上执行其他处理。
电子器件处理设备100可进一步包括工厂接口108,工厂接口108包括环境控制。基板245可从工厂接口108被接收至传送腔室102中,且也在基板245处理之后退出传送腔室102至工厂接口108。进入传送腔室102及退出传送腔室102可经由开口,或者,如果是真空工具的情况下,则经由耦接至工厂接口108的壁(例如,后壁108R)的装载锁定装置112。装载锁定装置112可包括一个或多个装载锁定腔室(例如,装载锁定腔室112A、112B)。装载锁定装置112中所包括的装载锁定腔室112A、112B可为单片式装载锁定(SWLL)腔室,或多晶片装载锁定腔室,或甚至是批量装载锁定装置,及类似者。
工厂接口108可为任何合适的外壳,且可具有形成工厂接口腔室108C的侧壁(这些侧壁可包括后壁108R、与后壁108R相对的前壁108F、两个侧壁、顶部及底部)。这些壁中的一个或多个(诸如,侧壁)可包括通道门124,当对工厂接口腔室108C内的部件维修(修复、改变、清洁或类似者)时,通道门124允许维修人员进入工厂接口腔室108C。
可在工厂接口108的壁中的一个或多个(例如,前壁108F)上设置一个或多个装载端口115,且一个或多个装载端口115可经构造并适于在此处接收一个或多个基板载体116(例如,前开式标准仓或FOUP,或类似者)。工厂接口腔室108C可包括已知构造的装载/卸载机器人117(在图1中示为虚线框)。装载/卸载机器人117可经构造且可操作以在基板载体116的载体门216D一旦被打开时从一个或多个基板载体116取出基板245,且馈送基板245通过工厂接口腔室108C并馈送至一个或多个开口(例如,一个或多个装载锁定腔室112A、112B)中。可使用允许在工厂接口腔室108C与处理腔室106A至106F之间传送基板245的任何合适构造的开口。可使用任何数量的处理腔室及其构造。
在一些真空实施方式中,传送腔室102可包括在各个处理腔室106A至106F的入口/出口处的狭缝阀。同样,装载锁定装置112中的装载锁定腔室112A、112B可包括内部装载锁定狭缝阀223i及外部装载锁定狭缝阀223o。狭缝阀223o、223i适于在将基板245放置至各个处理腔室106A至106F及装载锁定腔室112A、112B或从各个处理腔室106A至106F和装载锁定腔室112A、112B取出基板245时打开和关闭。狭缝阀223o、223i可为任何合适的已知构造,诸如,L型活动狭缝阀。
在所描述的实施方式中,提供工厂接口环境控制设备118。工厂接口环境控制设备118可通过在基板245被传送通过工厂接口腔室108C时向工厂接口腔室108C提供环境受控的气氛而提供对工厂接口腔室108C内的气态环境的环境控制。具体而言,工厂接口环境控制设备118耦接至工厂接口108,且可操作以监控和/或控制工厂接口腔室108C内的一个或多个环境条件。
在一些实施方式中,且在某些时候,工厂接口腔室108C可在其中接收净化气体。举例而言,该净化气体可为惰性气体,诸如,氩气(Ar)、氮气(N2)或氦气(He)。可从净化气体供应器119供应净化气体。净化气体供应器119可通过诸如一个或多个导管的任何合适构件耦接至工厂接口腔室108C,该一个或多个导管包括阀122,诸如,在一个或多个导管中的开关阀或质量流量控制器。然而,在一些实施方式中,在基板245暴露于O2并非主要考虑因素的情况下,净化气体可为清洁干燥空气,诸如,从清洁干燥空气供应器120提供。如本文中所使用的清洁干燥空气定义为干燥且含有稀少微粒的空气。清洁干燥空气可包括不大于2微米的微粒,且可具有与工厂接口腔室108C外部的工厂环境中的周围空气相比相对更低的相对湿度水平。具体而言,通过合适的测量,清洁干燥空气可具有在室温下10%或更小的相对湿度水平。另外,清洁干燥空气可具有在室温下5%或更小的相对湿度水平。在一些实施方式中,清洁干燥空气可为超清洁的干燥空气,该超清洁的干燥空气在其中具有小于50010ppmV的H2O,或甚至小于100ppmV的H2O,或甚至小于10ppmV的H2O。在一些实施方式中,清洁干燥空气可具有不大于0.05微米的微粒。
更详细而言,工厂接口环境控制设备118可控制工厂接口腔室108C内的环境内的以下各项中的至少一项:
1)相对湿度水平(%RH,室温下),
2)温度(T),
3)O2的量,
4)惰性气体的量,
5)清洁干燥空气的量,或
6)化学污染物的量(例如,胺、碱、一定量的一种或多种挥发性有机化合物(VOC),或类似者)。
可监控和/或控制工厂接口腔室108C的其他环境条件,诸如,至工厂接口腔室108C或来自工厂接口腔室108C的气体流动速率、工厂接口腔室108C内的腔室压力,或上述两者。
工厂接口环境控制设备118包括控制器125,控制器125包括合适的处理器、存储器,和电子周边部件,这些电子周边器件经构造并适于接收来自一个或多个传感器130(例如,相对湿度传感器、氧气传感器、化学成分传感器、压力传感器、流量传感器、温度传感器和/或类似者)的一个或多个信号输入,且经由来自控制器125的合适控制信号来控制流过一个或多个阀122的流动。
控制器125可执行闭环或其他合适的控制方案。在一些实施方式中,该控制方案可响应于来自一个或多个传感器130的已测量条件来改变被引入工厂接口腔室108C中的净化气体的流动速率。在另一实施方式中,该控制方案可基于工厂接口腔室108C内存在的一个或多个已测量的环境条件来确定何时将基板245传送通过工厂接口腔室108C。
在一个或多个实施方式中,工厂接口环境控制设备118可通过感测工厂接口腔室108C中的任何合适的相对湿度(RH)的测量值来监控RH。相对湿度传感器130可经构造并适于感测工厂接口腔室108C中的相对湿度(RH)。可使用任何合适类型的相对湿度传感器,诸如,电容型或其他传感器。举例而言,RH传感器130可位于工厂接口腔室108C内或位于连接至工厂接口腔室108C的导管内。控制器125可监控RH,且当提供至控制器125的已测量的RH信号值高于预定的低RH阈值时,耦接至工厂接口108的装载端口的一个或多个基板载体116的载体门216D将保持关闭。同样,装载锁定装置112的狭缝阀223o可保持关闭,直至实现低于预定的低RH阈值的已测量的RH信号水平为止。可测量湿度控制的其他测量值,并将其用作预定的低RH阈值,诸如,H2O的ppmV。
在一个或多个实施方式中,取决于在基板245上执行的特定处理可容许的湿气水平,预定的低临限RH值可为小于1,000ppmV H2O、小于500ppmV H2O、小于100ppmV H2O或甚至小于10ppmV H2O的湿气水平。
可通过将合适量的净化气体从净化气体供应器119流动至工厂接口腔室108C中来降低RH水平。如本文中所述,净化气体可为来自净化气体供应器119的惰性气体,其可为氩气、氮气(N2)、氦气,或其混合物。供应干燥氮气(N2)可在控制工厂接口腔室108C内的环境条件方面非常有效。可使用具有低H2O水平(如本文中所述)的压缩体积惰性气体用作净化气体供应器119。当基板245被传送通过工厂接口腔室108C时,从净化气体供应器119供应的惰性气体可在基板处理期间填充工厂接口腔室108C。
在一些情形下,可通过输送线路上的合适的流量传感器(未示出)和/或位于工厂接口腔室108C内的压力传感器或上述两者来监控提供至工厂接口腔室108C中的净化气体的流动速率。通过响应于来自控制器125的控制信号调整耦接至净化气体供应器119的阀122,可提供400SLM或更大的流动速率。举例而言,可在工厂接口腔室108C内维持大于约500Pa的压力。净化气体(例如,N2或其他惰性气体)流动至工厂接口腔室108C中可有效降低工厂接口腔室108C内的相对湿度(RH)水平。当满足低RH阈值时,载体门216D和/或一个或多个装载锁定腔室112A、112B的装载锁定狭缝阀223o可被打开。此举有助于确保退出基板载体116、退出装载闸腔室112A、112B的基板245,以及经过工厂接口腔室108C的任何基板245仅暴露于合适的低湿度环境。
在另一示例中,例如,当工厂接口腔室108C中的测量的氧气(O2)水平降至预定水平以下时,可满足环境先决条件。氧气(O2)水平可由一个或多个传感器130感测,诸如,通过氧气传感器。若测量的氧气(O2)水平降至预定的氧气阈值水平以下(例如,小于50ppm O2、小于10ppm O2、小于5ppm O2、或甚至小于3ppm O2、或甚至更低),则可通过工厂接口腔室108C进行基板交换。取决于进行的处理,可使用其他合适的氧气水平阈值。若不满足工厂接口腔室108C中的预定氧气临限水平,则控制器125将向耦接至净化气体供应器119的阀122发出控制信号,并使净化气体流动至工厂接口腔室108C中,直至满足预定的低氧气阈值水平为止,例如通过控制器125接收来自O2传感器130的信号进行确定。
当满足预定的低氧气阈值水平时,可打开载体门216D和/或一个或多个装载锁定腔室112A、112B的装载锁定狭缝阀223o。此举有助于确保退出基板载体116、退出装载锁定腔室112A、112B的基板245,以及通过工厂接口腔室108C的任何基板245暴露于相对低的氧气水平。
在另一示例中,例如,当工厂接口腔室108C中的测量的温度水平(诸如,工厂接口腔室108C中的基板245的温度)降至预定的温度阈值水平以下(例如,低于摄氏100度或甚至更低)时,可满足环境先决条件。在一个或多个实施方式中,一个或多个传感器130包括温度传感器,该温度传感器经构造并适于感测工厂接口腔室108C内的温度。在一些实施方式中,可紧靠当基板245通过装载/卸载机器人117上的工厂接口腔室108C时的基板245的路径放置温度传感器130。在一些实施方式中,温度传感器130可为定向温度传感器,诸如,可用于确定基板245已被冷却的程度的激光传感器。一旦满足预定的低温阈值水平,则可将被适度冷却的基板245装载至基板载体116中以用于运输。
在另一实例中,例如,当工厂接口腔室108C中的测量的化学污染物水平降至预定的低阈值水平以下时,可满足环境先决条件。在一个或多个实施方式中,一个或多个传感器130可包括一个或多个化学传感器,该一个或多个化学传感器经构造并适于感测工厂接口腔室108C内所含有的一种或多种化学污染物(例如,胺、碱、一定量的一种或多种挥发性有机化合物(VOC),或类似者)的量。在一些实施方式中,一旦满足预定的化学阈值水平,则可从基板载体116卸载基板245或以其他方式运输基板245通过工厂接口腔室108C。
在本文中的所描述实施方式中,除了工厂接口环境控制设备118以外,电子器件处理设备100可进一步包括过滤器净化设备103。过滤器净化设备103包括耦接至工厂接口腔室108C的一部分的清洁干燥空气(CDA)供应器120。具体而言,CDA供应器120可包括导管和一个或多个阀121,该导管和一个或多个阀121经构造并适于控制冲洗气体(诸如,来自CDA供应器120的清洁干燥空气)至工厂接口腔室108C中所容纳的腔室过滤器132的流动。可将包括清洁干燥空气流的冲洗气体耦合并提供至气室腔室235,气室腔室235是工厂接口腔室108C的一部分且位于腔室过滤器132上游的位点处。腔室过滤器132将气室腔室235与工厂接口腔室108C的使基板245通过其中的部分分离开。
腔室过滤器132经构造以过滤从净化气体供应器119提供至工厂接口腔室108的处理区域的净化气体。具体而言,腔室过滤器132是如下的过滤器:其包括从净化气体流中过滤极小微粒的能力,使得净化气体供应器119、供应器导管和/或阀122中所含有的任何微粒不暴露于通过工厂接口腔室108C的基板245。腔室过滤器132可为任何合适的构造,并例如可以是高效过滤空气(HEPA)型的过滤器。HEPA过滤器可移除99.97%以上的大小为0.3微米或更大的微粒。然而,存在具有腔室过滤器132的微粒过滤能力高达99.9%或更高的各种不同类型的HEPA过滤器。
CDA供应器120可为冲洗气体,且为其中含有相对低水平的湿气(H2O)的空气的供应器。CDA供应器120可通过合适的导管及一个或多个阀121(诸如,质量流量控制器或开关阀)耦接至工厂接口腔室108C,且具体而言是耦接至气室腔室235。基于一种测量方法,清洁干燥空气为具有室温下小于10%、或甚至室温下小于5%的相对湿度水平的空气。基于另一测量方法,在一些实施方式中,清洁干燥空气为具有其中含有小于1000ppmV H2O、或甚至小于100ppmV H2O、或甚至小于10ppmV H2O的相对湿度水平的空气。在实施方式中,清洁干燥空气(CDA)具有相对低水平的湿气(H2O),其将不会明显影响传送通过工厂接口腔室108C的基板245。
更具体而言,过滤器净化设备103经构造以在通道门124被打开时将冲洗气体供应至腔室过滤器132。在一些实施方式中,冲洗气体可为与净化气体不同的气体。然而,在其他实施方式中,净化气体和冲洗气体两者可为相同的清洁干燥空气。可在打开通道门124之前并在停止来自净化气体供应器119的净化气体流之后启动冲洗气体的流动。来自清洁干燥空气供应器120的冲洗气体流可在通道门124被打开的整个时间内持续流动。
当通道门124被打开时使冲洗气体流过腔室过滤器132可最小化由湿度(湿气)引起的对腔室过滤器132的污染,该湿度(湿气)包含在从工厂接口108外部的工厂环境经由通道门124进入工厂接口腔室108C中的周围空气中。在所描述实施方式中,冲洗气体可为来自CDA供应器120的清洁干燥空气。在一个或多个实施方式中,净化气体可为来自净化气体供应器119的惰性气体,且冲洗气体可为来自CDA供应器120的清洁干燥空气。在一个特别有效的实施方式中,净化气体可为来自净化气体供应器119的N2气体,且冲洗气体可为来自CDA供应器120的清洁干燥空气。在其他实施方式中,净化气体可为清洁干燥空气,且冲洗气体可为清洁干燥空气。
在一些实施方式中,通道门124可包括联锁装置,该联锁装置允许通道门124仅在工厂接口腔室108C中含有合适环境时才打开。举例而言,可在以下情况下打开联锁装置以允许通道门124打开:在来自净化气体供应器119的惰性气体的净化气体流停止且启动来自CDA供应器120的冲洗气体流(例如,清洁且可呼吸的气体)以后,以及当经构造并适于感测工厂接口腔室108C内或离开工厂接口腔室108C的氧气(O2)水平的氧气传感器130测量到高于对于将暴露于其中的人员而言是安全的安全打开阈值(例如,高于约20%O2的值)时。
在一个实施方式中,当人员试图进入工厂接口腔室108C并启动进入请求时,工厂接口环境控制设备118的控制器125可经由关闭阀122的控制信号停止净化气体的流动,并经由打开阀121启动来自CDA供应器120的清洁干燥空气的流动。在此过渡期间,经由排气装置250对惰性气体环境进行排气,并以清洁干燥空气有效地替换惰性气体环境。另外,在此过渡期间,返回通道324C中的阀340关闭。当经由传感器130检测到工厂接口腔室108C内的氧气水平达到已确定安全的预定氧气水平值时,可解锁保持通道门124关闭的门联锁装置(例如,机电锁),以允许将通道门124打开(如图1中以虚线所示),并因此允许维修人员进入工厂接口腔室108C以维修其中的一个或多个部件。在维修期间的整个时间持续清洁干燥空气的流动。
如最佳地在图3C中所见,有时,气体循环路径的部分可经过通道门124。举例而言,在打开通道门124之前的初始阶段中,净化气体可经由形成于通道门124中的返回通道324C(例如,管道)而从工厂接口腔室108C进至入口236中,且接着经由出口238进至气室腔室235中。举例而言,来自工厂接口腔室108C的入口236可位于通道门124的底部处或靠近通道门124的底部。
当通道门124在维修之后关闭时,返回路径中(诸如,返回通道324C中)的阀340保持关闭,且CDA空气的流动持续但经由排气装置250自接口腔室108C排出,因此最终通过CDA空气的流动置换掉湿气。此清洁干燥空气的流动一直持续,直至工厂接口腔室108C中的气氛再次为可接受的干燥为止。举例而言,仅在再次达到相对湿度(%RH,在RT下)的低阈值水平之后,可停止CDA流动并在通道门124关闭之后启动净化气体流动。可选地,一旦通道门124关闭便可启动来自净化气体供应器119的净化气体,并且净化气体可将湿气置换至排气装置250。在此情形下,阀340一直关闭,直至达到RT下的%RH的所需的低阈值为止。在达到了先前建立的RT下的%RH的低阈值之后,阀340可打开,且可发生净化气体经由返回通道324C的再循环。
在所描绘实施方式中,工厂接口环境控制设备118也可包括载体净化设备218。载体净化设备218将净化气体的流动提供至基板载体116的载体腔室241。载体净化设备218包括净化气体供应器(例如,净化气体供应器119)以及与其耦接的多个供应导管246、248和阀。多个供应导管246、248和阀响应于来自控制器125的控制信号而在某些时间将净化气体供应至载体腔室241。举例而言,可在刚好打开基板载体116的载体门216D之前,将净化气体的供应从净化气体供应器119提供至载体腔室241,以便净化基板载体116内的环境以满足某些环境先决条件。可在打开基板载体门216G之前满足这些环境先决条件,从而允许将基板245从基板载体116传送至工厂接口腔室108C中。载体净化设备218可包括用于每一基板载体116的一组供应导管246、248。可以合适的流动速率(例如,1slm)提供净化气体(例如,惰性气体),以净化基板载体116。在适当的净化将环境条件控制至所需的预定的低水平(例如,%RH,在RT下)之后,可将载体门216D打开。可进行载体腔室241的净化,以使得载体环境(其可含有不期望水平的O2、湿气、微粒或其他挥发性气体及材料)不会进入工厂接口腔室108C中并污染工厂接口腔室108C。
在一些实施方式中,可包括表面夹具233(通过箭头表示),以接合基板载体116的凸缘,诸如,在两个或两个以上位置处(例如,围绕周边)。表面夹具233用于将凸缘密封至前壁108F,诸如,密封至前壁108F的装载端口后板。可使用任何合适的表面夹持机构。
如将从下文显而易见的,使用过滤器净化设备103结合工厂接口环境控制设备118可用于控制工厂接口腔室108C内的环境以便满足某些环境条件,但也可允许通过确保在工厂接口108的维修期间最小化腔室过滤器132的湿气污染而更迅速地恢复对基板的处理。因此,在维修了工厂接口腔室108C中的部件之后,用于恢复对基板245的处理的时间可明显缩短,诸如,缩短至大约在通道门124关闭之后不到约4小时,或甚至不到约1小时。
现参考图4,将描述一种净化控制方法。净化控制方法400包括,在402处,提供具有通道门(例如,通道门124)的工厂接口腔室(例如,工厂接口腔室108C),该通道门经构造以提供通向工厂接口腔室中的人员维修通道。
方法400包括,在404处,提供腔室过滤器(例如,腔室过滤器132),该腔室过滤器经构造以过滤供应至工厂接口腔室的净化气体的流动。
方法400进一步包括,在406处,当通道门打开时将冲洗气体供应至腔室过滤器,以最小化由周围空气(例如,高湿度的工厂空气)引起的对腔室过滤器的湿气污染。如上所述,冲洗气体流经腔室过滤器132可在通道门124打开的整个时间内发生。此外,可在供应冲洗气体之前停止供应至工厂接口腔室的净化气体的流动。在一些实施方式中,一旦在冲洗气体(例如,清洁干燥空气)被提供至气室腔室235之后,在达到了工厂接口腔室108C中的氧气的阈值高水平之后可打开通道门124。在通道门124关闭之后,仅在达到了工厂接口腔室108C中的相对湿度(%RH,在室温下)的预定的低水平之后才恢复基板245传送。
前述描述仅公开了本公开内容的示例实施方式。落入公开内容的范围内的上文所公开的设备及方法的修改对于本领域一般技术人员而言将是显而易见的。因此,应理解,其他实施方式可落入由权利要求书所限定的本公开内容的范围内。
Claims (15)
1.一种工厂接口设备,包括:
第一壁,所述第一壁具有经构造以对接一个或多个基板载体的一个或多个装载端口;
形成工厂接口腔室的额外壁,其中所述壁中的至少一个包括通道门,所述通道门经构造以便于人员进入所述工厂接口腔室中;
环境控制***,所述环境控制***耦接至所述工厂接口腔室且经构造以供应净化气体,以在基板传送通过所述工厂接口腔室期间控制所述工厂接口腔室内的一个或多个环境条件;
腔室过滤器,所述腔室过滤器经构造以过滤提供至工厂接口腔室的所述净化气体;以及
过滤器净化设备,所述过滤器净化设备经构造以在所述通道门打开时将冲洗气体供应至所述腔室过滤器,以便最小化由周围空气引起的对所述腔室过滤器的湿气污染。
2.如权利要求1所述的工厂接口设备,其中所述冲洗气体为清洁干燥空气。
3.如权利要求1所述的工厂接口设备,其中所述净化气体为惰性气体,且所述冲洗气体为清洁干燥空气。
4.如权利要求1所述的工厂接口设备,其中所述过滤器净化设备包括提供所述冲洗气体的清洁干燥空气供应器,所述清洁干燥空气供应器耦接至所述工厂接口腔室的气室腔室,所述气室腔室位于所述腔室过滤器的上游。
5.如权利要求1所述的工厂接口设备,其中所述冲洗气体包括具有在20℃下相对湿度水平小于10%的清洁干燥空气。
6.如权利要求1所述的工厂接口设备,其中所述过滤器净化设备包括清洁干燥空气供应器和阀,所述阀耦接在所述清洁干燥空气供应器与气室腔室之间,其中所述阀经构造以控制所述冲洗气体至所述腔室过滤器的流动。
7.如权利要求1所述的工厂接口设备,包括控制器,所述控制器经构造以提供控制信号,以在所述通道门被打开之前开启所述冲洗气体进入位于所述腔室过滤器的上游的气室腔室的流动。
8.如权利要求1所述的工厂接口设备,其中所述环境控制***经构造以控制所述工厂接口腔室内的一个或多个环境条件,包括所述工厂接口腔室内的:
相对湿度水平,
O2的量,
温度,
惰性气体的量,
清洁干燥空气的量,或
化学污染物的量。
9.如权利要求1所述的工厂接口设备,其中所述净化气体包括从氩气、N2气体和氦气的群组中选择的惰性气体。
10.如权利要求1所述的工厂接口设备,其中所述净化气体包括清洁干燥空气。
11.一种腔室过滤器净化设备,包括:
工厂接口腔室,所述工厂接口腔室包括通道门;
腔室过滤器,所述腔室过滤器经构造以过滤提供至工厂接口腔室的净化气体;以及
过滤器净化设备,所述过滤器净化设备经构造以在所述通道门被打开时将冲洗气体供应至所述腔室过滤器,以便最小化由周围空气引起的对所述腔室过滤器的湿气污染。
12.如权利要求11所述的腔室过滤器净化设备,其中所述冲洗气体包括具有在室温下相对湿度水平小于10%的清洁干燥空气。
13.如权利要求11所述的腔室过滤器净化设备,其中所述过滤器净化设备包括:
清洁干燥空气供应器,所述清洁干燥空气供应器提供所述冲洗气体的源;以及
气室腔室,所述气室腔室位于所述腔室过滤器的上游并经构造以接收所述冲洗气体。
14.一种净化控制方法,包括以下步骤:
提供具有通道门的工厂接口腔室,所述通道门经构造以提供通向所述工厂接口腔室中的人员维修通道;
提供腔室过滤器,所述腔室过滤器经构造以过滤供应至所述工厂接口腔室的净化气体的流动;
当所述通道门被打开时将冲洗气体供应至所述腔室过滤器,以最小化由周围空气引起的对所述腔室过滤器的湿气污染。
15.如权利要求14所述的净化控制方法,包括以下步骤:在所述通道门被打开时,在整个时间内使所述冲洗气体流动通过所述腔室过滤器。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102297447B1 (ko) | 2013-08-12 | 2021-09-01 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 팩토리 인터페이스 환경 제어들을 갖는 기판 프로세싱 시스템들, 장치, 및 방법들 |
JP6822953B2 (ja) | 2014-11-25 | 2021-01-27 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 基板キャリア及びパージチャンバの環境制御を伴う基板処理のシステム、装置、及び方法 |
WO2018236544A1 (en) | 2017-06-23 | 2018-12-27 | Applied Materials, Inc. | DETACHABLE SIDE STORAGE NACELLE APPARATUS, HEATED SIDE STORAGE NACELLE APPARATUS, SYSTEMS AND METHODS |
US10763134B2 (en) * | 2018-02-27 | 2020-09-01 | Applied Materials, Inc. | Substrate processing apparatus and methods with factory interface chamber filter purge |
JP6963179B2 (ja) * | 2018-03-15 | 2021-11-05 | シンフォニアテクノロジー株式会社 | Efem |
JP6876020B2 (ja) * | 2018-07-27 | 2021-05-26 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置および半導体装置の製造方法並びにプログラム |
JP7206678B2 (ja) * | 2018-07-30 | 2023-01-18 | Tdk株式会社 | ロードポート装置、半導体製造装置及びポッド内雰囲気の制御方法 |
US11244844B2 (en) * | 2018-10-26 | 2022-02-08 | Applied Materials, Inc. | High flow velocity, gas-purged, side storage pod apparatus, assemblies, and methods |
US11189511B2 (en) * | 2018-10-26 | 2021-11-30 | Applied Materials, Inc. | Side storage pods, equipment front end modules, and methods for operating EFEMs |
US11373891B2 (en) | 2018-10-26 | 2022-06-28 | Applied Materials, Inc. | Front-ducted equipment front end modules, side storage pods, and methods of operating the same |
CN113838767B (zh) * | 2020-06-08 | 2023-12-12 | 长鑫存储技术有限公司 | 显影装置及显影方法 |
US11810805B2 (en) * | 2020-07-09 | 2023-11-07 | Applied Materials, Inc. | Prevention of contamination of substrates during gas purging |
WO2022239538A1 (ja) * | 2021-05-13 | 2022-11-17 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム |
US20240096671A1 (en) * | 2022-09-19 | 2024-03-21 | Entegris, Inc. | Substrate container systems and methods of purging a substrate container |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1230289A (zh) * | 1996-09-13 | 1999-09-29 | 塞米法布公司 | 分子污染控制*** |
WO2002047152A1 (fr) * | 2000-12-04 | 2002-06-13 | Ebara Corporation | Dispositif, conteneur et procede pour transferer un substrat |
US20040105738A1 (en) * | 2002-11-29 | 2004-06-03 | Ahn Yo-Han | Substrate processing apparatus and method of processing substrate while controlling for contamination in substrate transfer module |
KR20040064326A (ko) * | 2003-01-10 | 2004-07-19 | 삼성전자주식회사 | 기판 이송 모듈의 오염을 제어할 수 있는 기판 처리 장치 |
TW200947596A (en) * | 2008-01-08 | 2009-11-16 | Tdk Corp | Contained object transfer system |
KR20160133171A (ko) * | 2015-05-12 | 2016-11-22 | 주식회사 스피드터치 | 저노점 저온 제습 기능을 구비하는 efem |
CN107004624A (zh) * | 2014-11-25 | 2017-08-01 | 应用材料公司 | 具有基板载体和净化腔室环境控制的基板处理***、设备和方法 |
Family Cites Families (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100505061B1 (ko) * | 2003-02-12 | 2005-08-01 | 삼성전자주식회사 | 기판 이송 모듈 |
JP4468021B2 (ja) * | 2003-03-25 | 2010-05-26 | キヤノン株式会社 | ロードロックシステム及び露光処理システム並びにデバイスの製造方法 |
FR2865314B1 (fr) * | 2004-01-20 | 2006-04-28 | Cit Alcatel | Station de controle et de purge de mini-environnement |
US20060156979A1 (en) | 2004-11-22 | 2006-07-20 | Applied Materials, Inc. | Substrate processing apparatus using a batch processing chamber |
US20070144118A1 (en) * | 2005-12-22 | 2007-06-28 | Alvarez Daniel Jr | Purging of a wafer conveyance container |
US9105673B2 (en) | 2007-05-09 | 2015-08-11 | Brooks Automation, Inc. | Side opening unified pod |
KR102110585B1 (ko) | 2007-05-17 | 2020-05-13 | 브룩스 오토메이션 인코퍼레이티드 | 측면 개방형 기판 캐리어 및 로드 포트 |
JP5581338B2 (ja) | 2009-01-11 | 2014-08-27 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 電子デバイス製造において基板を搬送するためのロボットシステム、装置、および方法 |
WO2011072260A2 (en) * | 2009-12-10 | 2011-06-16 | Entegris, Inc. | Porous barrier for evenly distributed purge gas in a microenvironment |
JP5547576B2 (ja) | 2010-07-30 | 2014-07-16 | 近藤工業株式会社 | N2ガスパージ用ブリージングフィルターユニットおよび該フィルターユニットを搭載した半導体ウエハ収納容器をn2ガスパージするパージ装置 |
JP2012204645A (ja) * | 2011-03-25 | 2012-10-22 | Tokyo Electron Ltd | 蓋体開閉装置 |
JP6099945B2 (ja) | 2012-11-22 | 2017-03-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 蓋開閉機構、遮蔽機構及び容器の内部パージ方法 |
US10269603B2 (en) | 2013-07-09 | 2019-04-23 | Kokusai Electric Corporation | Substrate processing apparatus, gas-purging method, method for manufacturing semiconductor device, and recording medium containing abnormality-processing program |
KR102297447B1 (ko) | 2013-08-12 | 2021-09-01 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 팩토리 인터페이스 환경 제어들을 갖는 기판 프로세싱 시스템들, 장치, 및 방법들 |
US9272315B2 (en) * | 2013-10-11 | 2016-03-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Mechanisms for controlling gas flow in enclosure |
TWI635552B (zh) | 2013-12-13 | 2018-09-11 | 昕芙旎雅股份有限公司 | 設備前端模組(efem) |
JP2015115517A (ja) * | 2013-12-13 | 2015-06-22 | シンフォニアテクノロジー株式会社 | 基板搬送装置及びefem |
US10510570B2 (en) | 2014-10-24 | 2019-12-17 | Applied Materials, Inc. | Systems, apparatus, and methods for purging a substrate carrier at a factory interface |
JP6500498B2 (ja) * | 2015-02-27 | 2019-04-17 | シンフォニアテクノロジー株式会社 | 搬送室及び搬送室のケミカルフィルタの湿度管理方法 |
JP6455239B2 (ja) * | 2015-03-06 | 2019-01-23 | シンフォニアテクノロジー株式会社 | ドア開閉装置 |
TWI780030B (zh) | 2015-10-05 | 2022-10-11 | 德商布魯克斯Ccs有限公司 | 形成用於一半導體基板並具有低溼度值的一乾淨的環境的方法及系統 |
KR102413271B1 (ko) | 2015-11-02 | 2022-06-28 | 삼성전자주식회사 | 기판 이송 장치 |
US10159169B2 (en) | 2016-10-27 | 2018-12-18 | Applied Materials, Inc. | Flexible equipment front end module interfaces, environmentally-controlled equipment front end modules, and assembly methods |
US10262884B2 (en) | 2016-11-10 | 2019-04-16 | Applied Materials, Inc. | Systems, apparatus, and methods for an improved load port |
US10453727B2 (en) | 2016-11-10 | 2019-10-22 | Applied Materials, Inc. | Electronic device manufacturing load port apparatus, systems, and methods |
US10453726B2 (en) | 2016-11-10 | 2019-10-22 | Applied Materials, Inc. | Electronic device manufacturing load port apparatus, systems, and methods |
US10541165B2 (en) | 2016-11-10 | 2020-01-21 | Applied Materials, Inc. | Systems, apparatus, and methods for an improved load port backplane |
US10741432B2 (en) | 2017-02-06 | 2020-08-11 | Applied Materials, Inc. | Systems, apparatus, and methods for a load port door opener |
US10446428B2 (en) | 2017-03-14 | 2019-10-15 | Applied Materials, Inc. | Load port operation in electronic device manufacturing apparatus, systems, and methods |
WO2018236544A1 (en) * | 2017-06-23 | 2018-12-27 | Applied Materials, Inc. | DETACHABLE SIDE STORAGE NACELLE APPARATUS, HEATED SIDE STORAGE NACELLE APPARATUS, SYSTEMS AND METHODS |
US10763134B2 (en) * | 2018-02-27 | 2020-09-01 | Applied Materials, Inc. | Substrate processing apparatus and methods with factory interface chamber filter purge |
CN110534455A (zh) * | 2018-05-24 | 2019-12-03 | 昕芙旎雅有限公司 | 基板收纳容器管理***、装载端口、基板收纳容器管理方法 |
US20190362989A1 (en) * | 2018-05-25 | 2019-11-28 | Applied Materials, Inc. | Substrate manufacturing apparatus and methods with factory interface chamber heating |
-
2018
- 2018-02-27 US US15/905,959 patent/US10763134B2/en active Active
-
2019
- 2019-02-12 JP JP2020544466A patent/JP7008834B2/ja active Active
- 2019-02-12 CN CN201980014953.4A patent/CN111788667A/zh active Pending
- 2019-02-12 KR KR1020207027192A patent/KR102269564B1/ko active IP Right Grant
- 2019-02-12 WO PCT/US2019/017637 patent/WO2019168662A1/en active Application Filing
- 2019-02-12 KR KR1020217019160A patent/KR102430903B1/ko active IP Right Grant
- 2019-02-19 TW TW110110526A patent/TWI778553B/zh active
- 2019-02-19 TW TW108105388A patent/TWI726283B/zh active
-
2020
- 2020-08-31 US US17/008,075 patent/US11328938B2/en active Active
-
2021
- 2021-11-08 JP JP2021181769A patent/JP7206356B2/ja active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1230289A (zh) * | 1996-09-13 | 1999-09-29 | 塞米法布公司 | 分子污染控制*** |
WO2002047152A1 (fr) * | 2000-12-04 | 2002-06-13 | Ebara Corporation | Dispositif, conteneur et procede pour transferer un substrat |
US20040105738A1 (en) * | 2002-11-29 | 2004-06-03 | Ahn Yo-Han | Substrate processing apparatus and method of processing substrate while controlling for contamination in substrate transfer module |
KR20040064326A (ko) * | 2003-01-10 | 2004-07-19 | 삼성전자주식회사 | 기판 이송 모듈의 오염을 제어할 수 있는 기판 처리 장치 |
TW200947596A (en) * | 2008-01-08 | 2009-11-16 | Tdk Corp | Contained object transfer system |
CN107004624A (zh) * | 2014-11-25 | 2017-08-01 | 应用材料公司 | 具有基板载体和净化腔室环境控制的基板处理***、设备和方法 |
JP2017538291A (ja) * | 2014-11-25 | 2017-12-21 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 基板キャリア及びパージチャンバの環境制御を伴う基板処理のシステム、装置、及び方法 |
KR20160133171A (ko) * | 2015-05-12 | 2016-11-22 | 주식회사 스피드터치 | 저노점 저온 제습 기능을 구비하는 efem |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102430903B1 (ko) | 2022-08-08 |
JP7206356B2 (ja) | 2023-01-17 |
WO2019168662A1 (en) | 2019-09-06 |
KR20210079416A (ko) | 2021-06-29 |
JP7008834B2 (ja) | 2022-01-25 |
TWI778553B (zh) | 2022-09-21 |
US20200402819A1 (en) | 2020-12-24 |
US11328938B2 (en) | 2022-05-10 |
JP2022043024A (ja) | 2022-03-15 |
JP2021508956A (ja) | 2021-03-11 |
KR20200111294A (ko) | 2020-09-28 |
TW201940216A (zh) | 2019-10-16 |
KR102269564B1 (ko) | 2021-06-24 |
US10763134B2 (en) | 2020-09-01 |
TWI726283B (zh) | 2021-05-01 |
US20190267258A1 (en) | 2019-08-29 |
TW202130400A (zh) | 2021-08-16 |
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