KR20030081919A - 화소 회로 및 이를 이용한 유기 발광 다이오드 표시장치 - Google Patents
화소 회로 및 이를 이용한 유기 발광 다이오드 표시장치 Download PDFInfo
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Abstract
유기 발광 다이오드를 사용하는 화소 회로 및 그를 이용하는 표시장치에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 유기 발광 다이오드 표시장치의 화소 회로는, 유기발광 다이오드에 구동 전류를 출력하는 제 1트랜지스터와, 온되면 데이터선에 인가되는 전압을 인가 받아 제 1트랜지스터의 게이트 단자로 출력하는 제 2트랜지스터와, 제 1트랜지스터의 게이트 단자와 소스 단자간의 전압차를 저장하기 위한 제 1커패시터와, 온되면 제 1커패시터와 제 1트랜지스터의 소스 단자 사이를 연결하는 제 3트랜지스터, 온되면 데이터선으로부터 전압을 인가 받아 출력하는 제 4트랜지스터와, 제 4트랜지스터로부터 출력되는 전압을 저장하는 제 2커패시터를 구비한다. 본 발명의 화소 회로에 의하면, 능동 소자인 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 불균일한 문턱 전압을 포함하여 구동 전류를 발생시키기 때문에 발광 소자의 휘도를 균일하게 할 수 있을 뿐 아니라 구동 전류가 전계 효과 이동도에도 영향을 받지 않는 효과가 있다. 또한, 본 발명의 유기 발광 다이오드 표시장치에 의하면, 각 화소마다의 유기 발광 다이오드에 원하는 전류가 흐르도록 제어하기 때문에 디스플레이 산업의 고정세화에도 고품질의 화상을 제공할 수 있다.
Description
본 발명은 유기 발광 다이오드(Organic Light Eitting Dod; OLED)에 사용하는 화소 회로 및 그를 이용하는 표시장치에 관한 것으로서, 특히, 능동 소자로서박막 트랜지스터(TFT)를 사용하는 화소 회로 및 그를 이용하는 유기 발광 다이오드 표시장치에 관한 것이다.
현재, 박막형 표시장치로서 유기 발광 다이오드 표시장치는 상업적으로 널리 쓰이는 액정 표시기와 마찬가지로 화소들의 배열이 단순 매트릭스(Passive matrix)방식에서 나아가 액티브 매트릭스(Active matrix) 방식을 적용할 수 있다. 여기서, 단순 매트릭스 방식은 구조가 간단하여 각 화소마다 정확한 데이터를 인가할 수 있지만, 대형화와 고정세(高精細)화에 적용하기가 어려운 단점을 갖고 있어서 액티브 매트릭스 방식의 개발이 활발히 진행되고 있는 것이다.
이하에서는 종래의 액티브 매트릭스 방식에 따른 유기 발광 다이오드 표시장치의 화소 회로에 관하여 도면을 참조하여 설명한다.
도 1은 종래의 액티브 매트릭스 방식에 따라 화소 회로를 구비하고 있는 표시장치를 나타내기 위한 개략도이다.
도 1을 참조하면, 종래의 표시장치는 소정의 주사 사이클(예를 들면, NTSC 규격에 따른 프레임 주기)로 화소를 선택하기 위한 복수의 주사선(X1, X2, X3,...)과, 화소(30)를 구동하기 위한 휘도 정보를 공급하는 복수의 데이터선(Y1, Y2, Y3,...)을 매트릭스형으로 배치하고 있다. 이러한 매트릭스 교차 지점에는 각각 화소(30)들이 형성되고, 각 화소(30)는 화소 회로로 이루어진다.
여기서, 주사선(X1, X2, X3,...)은 주사선 구동회로(20)에 접속되는 한편, 데이터선(Y1, Y2, Y3,...)은 데이터선 구동회로(10)에 접속된다. 주사선 구동회로(20)에 의해 주사선(X1, X2, X3,...)을 차례로 선택해서 데이터선 구동회로(10)에 의해 데이터선(Y1, Y2, Y3,...)으로부터 휘도정보에 대한 전압을 공급받아서 주입을 반복함으로써, 원하는 화상을 표시할 수 있다. 이때, 단순 매트릭스형의 표시 장치에서는 각 화소(30)에 포함되는 발광 소자는 선택된 순간에만 발광하는 반면에, 액티브 매트릭스형의 표시 장치에서는 휘도정보 주입 종료 후에도 각 화소(30)의 발광 소자가 발광을 계속하기 때문에, 단순 매트릭스형과 비교하여 발광 소자의 구동 전류 레벨이 낮아져서 대형 고정세화의 디스플레이에서는 유리하게 된다.
여기서, 복수 개의 화소(30)로 이루어진 표시 장치의 구동을 자세히 살펴보면, 먼저, 주사선 구동회로(20)에서 주사선(X1, X2, X3,...)을 선택한 후 온(on) 펄스 신호를 전송시키고, 데이터선 구동회로(10)에서 휘도 정보의 데이터들이 데이터선들(Y1, Y2, Y3,...)을 통해 행 방향으로 배열된 화소에 전달되는 방식으로 이루어진다. 그리고 나서, 주사선 구동 회로(20)에서 상기 선택된 주사선에 오프(off) 펄스 신호를 전송시키고 다음 주사선을 선택하여 온(on) 펄스 신호를 전송시킨다. 이렇게 주사선에 순차적으로 온-오프 펄스신호를 전송시키면 데이터 전달이 반복적으로 전달되어 표시 장치에 원하는 표시를 할 수 있게 되는 것이다.
도 2는 액티브 매트릭스 방식에 따른 종래의 화소 회로에 관하여 나타낸 회로도이다.
도 2을 참조하면, 화소(30)를 구동하기 위한 화소 회로는 N-채널 박막 트랜지스터들(TFT1, TFT2)과 유기 발광 다이오드로 이루어진다. 화소 회로는 유기 발광 다이오드와, 전류를 제어하기 위한 제 1박막 트랜지스터(TFT1)와, 제 2박막 트랜지스터(TFT2), 그리고 커패시터(Cs)로 되어 있다. 이때, 제 1박막 트랜지스터(TFT1)는 소스(source)단자가 유기 발광 다이오드의 양극(애노드)에 연결되고 드레인(drain)단자가 양의 전원(Vdd)에 연결되어 있다. 제 2박막 트랜지스터(TFT2)는 게이트(gate) 단자가 주사선(XN)에 연결되고, 드레인 단자가 데이터선(YM)에 연결되며 소스 단자가 제 1박막 트랜지스터(TFT1)의 게이트 단자와 커패시터(Cs)에 연결되어 있다. 그리고, 유기 발광 다이오드의 음극(캐소드)은 접지 전위에 연결되어 있다. 따라서, 데이터선(YM)의 전압을 제 2박막 트랜지스터(TFT2)를 통해 제 1박막 트랜지스터(TFT1)의 게이트 단자로 인가하여 유기 발광 다이오드의 전류를 제어하게 되는 것이다.
화소 회로의 구동을 살펴보면, 제 2박막 트랜지스터(TFT2)의 게이트 단자는 주사선(XN)에서 온(on) 펄스 신호를 전송 받아 제 2박막 트랜지스터(TFT2)가 켜지게 된다. 이때, 상기 데이터선 구동회로에서 데이터선(YM)에 인가한 휘도 정보에 해당하는 전압이, 제 2박막 트랜지스터(TFT2)를 통해서 제 1박막 트랜지스터(TFT1)의 게이트 단자에 전달되는 것과 더불어, 휘도 정보 전압은 커패시터(Cs)에 저장된다. 그리하면, 주사선(XN)에 인가되는 오프(off) 펄스 신호를 전송 받아 제 2박막트랜지스터(TFT2)가 꺼진 상태로 있는 1프레임 시간 동안에도, 제 1박막 트랜지스터(TFT1)의 게이트 단자 전압은 커패시터(Cs)에 의해 안정적으로 일정하게 유지하게 됨으로써, 제 1박막 트랜지스터(TFT1)를 통해 유기 발광 다이오드에 흐르는 전류가 일정하게 유지된다.
이와 같이, 종래에서의 화소 회로에서는 유기 발광 다이오드에 흐르는 전류가 제 1박막 트랜지스터(TFT1)의 드레인 단자에서 소스 단자로 흐르는 전류와 같으므로, 이 전류는 제 1박막 트랜지스터(TFT1)의 게이트 단자 전압에 제어되지만, 제 1박막 트랜지스터(TFT1)의 특성 불균일에 의해서 원하는 전류의 크기와 다르게 된다.
이때, 표시 장치에 사용되는 박막 트랜지스터는 대형 고정세화의 추세에 용이한 능동 소자이지만, 동일 기판 상에 형성된 것이라도 그 문턱 전압이 화소에 따라 수백 mV, 경우에 따라서는 1V 이상의 편차를 가지는 것도 드물지 않아서 문제가 되고 있다. 이 경우, 예를 들면 상이한 화소에 대하여 동일 신호 전위(Vw)를 박막 트랜지스터의 게이트에 입력해도, 화소마다 구비된 박막트랜지스터의 문턱전압이 다르면 유기 발광 다이오드로 흐르는 전류는 각각의 화소에서 아주 원하는 값으로부터 벗어나는 결과로 나타나서 디스플레이로서의 높은 화질을 기대할 수는 없다. 또한, 문턱 전압뿐 아니라, 캐리어 이동도 등 각 파라미터의 편차에 대해서도 동일한 것을 말할 수 있는 데, 이는 제조 루트마다, 또는 제품마다에 따라서도 어느 정도 변동되는 것을 피할 수는 없다. 그러므로, 유기 발광 다이오드로 흐르게 해야 할 원하는 구동 전류에 대하여 데이터선 전위를 어떻게 설정해야 하는가를 제품마다 각 파라미터의 완성에 따라 결정할 필요가 있지만, 이것은 디스플레이의 양상 공정에서는 비현실적일 뿐만 아니라, 환경 온도에 의한 박막 트랜지스터의 특성 변동, 또한 장기간의 사용에 따라 발생하는 특성 변화에 대해서는 대책을 강구하는 것이 매우 어렵다.
상술한 문제점을 해결하고자 하여 본 발명의 과제는 능동 소자의 특성 불균일성에 영향을 받지 않고 유기 발광 다이오드에 구동 전류를 인가하는 화소 회로 및 그로 인해 고품위의 화상을 표시할 수 있는 표시장치를 제공하는 데 있다.
도 1은 종래의 액티브 매트릭스 방식에 따라 화소 회로를 구비하고 있는 표시장치를 나타내기 위한 개략도;
도 2는 액티브 매트릭스 방식에 따른 종래의 화소 회로에 관하여 나타낸 회로도;
도 3a 및 도 3b는 본 발명에 있어서의 유기 발광 다이오드 표시장치에 이용되는 화소 회로를 설명하기 위한 개략도들;
도 4a는 도 3a에 따른 화소 회로의 구동을 설명하기 위한 파형도; 및
도 4b는 도 3b에 따른 화소 회로의 구동을 설명하기 위한 파형도이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 화소회로는: 주사선 구동회로에서 온-오프되는 선택 펄스를 인가 받는 제 1주사선 및 제 2주사선과, 데이터선 구동회로에서 출력되는 전압을 인가 받아 전송하는 데이터선의 교차부에 배치되고, 구동 전류에 의해 발광하는 유기 발광 다이오드를 구동하는 화소 회로에 있어서, 상기 데이터선을 통해서 전송된 전압을 인가 받고 상기 유기 발광 다이오드에 구동 전류를 출력하는 제 1트랜지스터와; 상기 제 1주사선을 통해 상기 선택 펄스를 인가 받아 온-오프되고, 온되면 상기 데이터선으로부터 전송된 전압을 인가 받아 상기 제 1트랜지스터의 게이트 단자로 출력하는 제 2트랜지스터와; 상기 제 2트랜지스터로부터 출력되는 전압을 인가 받은 상기 제 1트랜지스터의 게이트 단자와소스 단자간의 전압차를 저장하기 위한 제 1커패시터와; 상기 제 1주사선을 통해 상기 선택 펄스를 인가 받아 온-오프되고, 온되면 상기 제 1커패시터와 상기 제 1트랜지스터의 소스 단자 사이를 연결하는 제 3트랜지스터와; 상기 제 2주사선을 통해 상기 선택 펄스를 인가 받아 온-오프되고, 온되면 상기 데이터선으로부터 전송된 전압을 인가 받아 외부로 출력하는 제 4트랜지스터와; 상기 제 4트랜지스터로부터 출력되는 전압을 저장하는 제 2커패시터를 구비하는 것을 특징으로 한다.
이때, 상기 각각의 트랜지스터들은, 게이트, 소스, 및 드레인 단자로 이루어지며, 상기 제 1트랜지스터는 게이트 단자가 상기 제 2트랜지스터의 단자와 연결되어 있고 소스 단자가 상기 유기 발광 다이오드의 일단과 연결되고 드레인 단자는 일정 전원에 연결되며, 상기 제 2트랜지스터는 게이트 단자가 상기 제 1주사선에 연결되고, 소스 단자 및 드레인 단자가 상기 제 1트랜지스터의 게이트 단자와 상기 데이터선을 연결하고, 상기 제 3트랜지스터는 게이트 단자가 상기 제 1주사선에 연결되고, 소스 단자 및 드레인 단자는 상기 제 4트랜지스터와 상기 1트랜지스터를 연결하며, 상기 제 4트랜지스터는 게이트 단자가 상기 제 2주사선에 연결되고, 소스 단자 및 드레인 단자가 상기 데이터선과 상기 제 3트랜지스터를 연결하고, 상기 제 1커패시터는 일단이 상기 제 1트랜지스터의 게이트 단자에 접속되고 타단이 상기 제 3트랜지스터와 연결되고, 상기 제 2커패시터는 일단이 상기 제 4트랜지스터와 연결되며 타단은 일정 전위를 갖는 단자에 접속되는 것이 바람직하다.
나아가, 상기 제 1주사선 및 상기 제 2주사선을 통하여 선택 펄스를 인가 받아 상기 제 1주사선 및 상기 제 2주사선에 각각 연결된 상기 제 2트랜지스터, 상기제 3트랜지스터 및 상기 제 4트랜지스터를 온으로 하고 상기 데이터선으로부터 기준 전압을 인가 받아 상기 제 1트랜지스터를 상기 기준 전압으로 초기화하는 초기화 단계, 상기 제 1주사선을 통하여 선택 펄스를 인가 받아 상기 제 2트랜지스터 및 상기 제 3트랜지스터를 온으로 하고 상기 제 2주사선을 통하여 선택 펄스를 인가 받아 상기 제 4트랜지스터는 오프로 하고 상기 데이터선으로부터 보정 전압을 인가 받아 상기 보정 전압으로 상기 제 1트랜지스터의 게이트 단자와 소스 단자간의 전압차를 상기 제 1커패시터에 저장하는 보정 단계, 상기 제 1주사선을 통하여 선택 펄스를 인가 받아 상기 제 2트랜지스터 및 상기 제 3트랜지스터를 오프로 하고 상기 제 2주사선을 통하여 선택 펄스를 인가 받아 상기 제 4트랜지스터는 온으로 하고 상기 데이터선으로부터 휘도 정보에 해당되는 입력 전압을 인가 받아 상기 제 2커패시터에 저장하고 상기 제 1커패시터에 저장된 상기 전압차와 상기 입력 전압을 합하여 상기 제 1트랜지스터의 게이트 단자에 입력하는 휘도 전압 입력 단계, 및 상기 제 1주사선 및 상기 제 2주사선을 통하여 선택 펄스를 인가 받아 상기 제 1주사선 및 상기 제 2주사선에 각각 연결된 상기 제 2트랜지스터, 상기 제 3트랜지스터 및 상기 제 4트랜지스터를 오프로 하고 상기 제 1커패시터 및 상기 제 2커패시터에 저장된 각각의 전압이 합해진 전압으로 1프레임 동안 상기 유기 발광 다이오드에 일정한 구동 전류가 흐르도록 하는 휘도 유지 단계로 구동되는 것이 더욱 바람직하다.
이때, 보정 전압은 상기 기준 전압과 상기 입력 전압 사이의 전압이거나, 상기 입력 전압과 같은 전압이어도 좋다.
또한, 제 1트랜지스터는 N-채널 다결정 실리콘 박막 트랜지스터이고, 상기 제 1트랜지스터의 소스 단자를 상기 유기 발광 다이오드의 애노드에 접속한다.
또한, 상기 제 1트랜지스터는 P-채널 다결정 실리콘 박막 트랜지스터이고, 상기 제 1트랜지스터의 소스 단자를 상기 유기 발광 다이오드의 캐소드에 접속한다.
또한, 상기 제 2트랜지스터, 상기 제 3트랜지스터 및 상기 제 4트랜지스터는, P-채널 다결정 실리콘 박막 트랜지스터, 또는 N-채널 다결정 실리콘 박막 트랜지스터인 것이다.
이때, 유기 발광 다이오드를 구동하는 상기 구동 전류값은 상기 제 1트랜지스터의 하부 임계(Subthreshold) 전류값으로 한다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 OELD표시장치에 있어서는 복수의 제 1 및 제 2주사선에 순차적으로 선택 펄스를 인가하는 주사선 구동회로, 복수의 데이터선에 출력되는 정보에 해당하는 전압을 전송하는 데이터선 구동 회로와, 제 1 및 제 2주사선들과 데이터선들이 교차하는 지점에 배치되는 각각의 화소들과, 각각의 상기 화소를 구동시키는 화소 회로를 포함하는 데, 이때, 화소 회로는 상술한 화소 회로를 이용하는 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명에 따라 바람직한 실시예를 설명한다.
[실시예]
본 발명에 따른 유기 발광 다이오드 표시장치는 액티브 매트릭스 방식에 따라 화소 회로들을 구비하고 있는 표시장치로서, 복수의 제 1 및 제 2주사선에 순차적으로 선택 펄스를 인가하는 주사선 구동회로, 복수의 데이터선에 출력되는 정보에 해당하는 전압을 전송하는 데이터선 구동 회로와, 제 1 및 제 2주사선들과 데이터선들이 교차하는 지점에 배치되는 각각의 화소들과, 각각의 상기 화소를 구동시키는 화소 회로를 포함하는 것을 특징으로 한다.
다음에서는 본 발명에 따른 화로 회로를 도면들을 참조하여 상세히 설명한다.
도 3a 및 도 3b는 본 발명에 있어서의 유기 발광 다이오드 표시장치에 이용되는 화소 회로를 설명하기 위한 개략도들이다. 도 3a는 본 발명에 따라 제 1 트랜지스터를 N-채널 트랜지스터로 구성하였을 경우의 화소 회로의 회로도이고, 도 3b는 본 발명에 따라 제 1 트랜지스터를 P-채널 트랜지스터로 구성하였을 경우의 화소 회로의 회로도이다.
도 3a 및 도 3b를 참조하면, 본 발명에 있어서의 화소 회로는 유기 발광 다이오드, 제 1트랜지스터(TFT1), 제 2트랜지스터(TFT2), 제 3트랜지스터(TFT3), 제 4트랜지스터(TFT4), 제 1커패시터(C1), 및 제 2커패시터(C2)로 구성되어 제 1주사선(Xan)과 제 2주사선(Xbn) 및 데이터선(Ym)에 연결된다. 이때, 이러한 화소 회로는 유기 발광 다이오드 표시장치의 주사선 구동회로에서 온-오프되는 선택 펄스를 인가 받는 제 1주사선(Xan)및 제 2주사선(Xbn)과, 데이터선 구동회로에서 출력되는 정보에 해당하는 전압을 인가 받아 전송하는 데이터선(Ym)의 교차부에 배치되고, 구동 전류에 의해 발광하는 유기 발광 다이오드를 구동하게 되는 것이다.
여기서, 화소 회로의 구성을 자세히 살펴보면, 제 1트랜지스터(TFT1), 제 2트랜지스터(TFT2), 제 3트랜지스터(TFT3), 제 4트랜지스터(TFT4)의 각각의 트랜지스터들은, 게이트, 소스, 및 드레인 단자로 이루어지는 데, 제 1트랜지스터(TFT1)는 게이트 단자가 제 2트랜지스터(TFT2)의 단자와 연결되어 있고 소스 단자가 유기 발광 다이오드의 일단과 연결되고 드레인 단자는 일정 전원에 접속된다. 이때, 도 3a에서와 같이 제 1트랜지스터(TFT1)로서 N-채널 트랜지스터를 사용하면 제 1트랜지스터(TFT1)의 소스 단자는 유기 발광 다이오드의 애노드 단자에 접속하게 되고 드레인 단자는 제 1전원(Vdd)에 접속되고, 유기 발광 다이오드의 캐소드 단자는 제 2전원(Vc)에 접속되어 있다. 또한, 도 3b에서와 같이 제 1트랜지스터(TFT1)로서 P-채널 트랜지스터를 사용하면 제 1트랜지스터(TFT1)의 소스 단자는 유기 발광 다이오드의 캐소드 단자에 접속하게 되고 드레인 단자는 제 2전원(Vc)에 접속되고, 유기 발광 다이오드의 애노드 단자는 제 1전원(Vdd)에 접속되어 있다. 제 1전원(Vdd)은 제 2전원(Vc)보다 높은 전위를 가진다.
또한, 제 2트랜지스터(TFT2)는 게이트 단자가 제 1주사선(Xan)에 연결되고, 소스 단자 및 드레인 단자가 제 1트랜지스터(TFT1)의 게이트 단자와 데이터선(Ym)을 연결한다. 또, 제 3트랜지스터(TFT3)는 게이트 단자가 제 1주사선(Xan)에 연결되고, 소스 단자 및 드레인 단자는 제 4트랜지스터(TFT4)와 제 1트랜지스터(TFT1)를 연결한다. 또한, 제 4트랜지스터(TFT4)는 게이트 단자가 제 2주사선(Xbn)에 연결되고, 소스 단자 및 드레인 단자가 데이터선(Ym)과 제 3트랜지스터(TFT3)를 연결하며, 제 1커패시터(C1)는 일단이 제 1트랜지스터(TFT1)의 게이트 단자에 접속되고 타단이 제 3트랜지스터(TFT3)와 연결된다. 그리고, 제 2커패시터(C2)는 일단이 제 4트랜지스터(TFT4)와 연결되며 타단은 도 3a에서와 같이 제 1전원(Vdd), 또는 도 3c에서와 같이 제 2전원(Vc)과 연결되지만 일정 전위를 갖는 단자에 접속하면 된다.
그러므로, 제 1트랜지스터(TFT1)는 데이터선(Ym)을 통해서 전송된 일정 정보에 해당하는 전압을 인가 받고 유기 발광 다이오드에 구동 전류를 출력하게 되며, 제 2트랜지스터(TFT2)는 제 1주사선(Xan)을 통해 상기 선택 펄스를 인가 받아 온-오프되고, 온되면 데이터선(Ym)에 인가되는 일정 정보에 해당하는 전압을 인가 받아 제 1트랜지스터(TFT1)의 게이트 단자로 출력하는 것이다. 또한, 제 1커패시터(C1)는 제 2트랜지스터(TFT2)로부터 출력되는 전압을 인가 받은 제 1트랜지스터(TFT1)의 게이트 단자와 소스 단자간의 전압차를 저장하며, 또 제 3트랜지스터(TFT3)는 제 1주사선(Xan)을 통해 선택 펄스를 인가 받아 온-오프되고, 온되면 제 1커패시터(C1)와 제 1트랜지스터(TFT1)의 소스 단자 사이를 연결하게 된다. 또한, 제 4트랜지스터(TFT4)는 제 2주사선(Xbn)을 통해 상기 선택 펄스를 인가 받아 온-오프되고, 온되면 데이터선(Ym)으로부터 일정 정보에 해당하는 전압을 인가 받아 외부로 출력하게 된다. 제 2커패시터(C2)는 제 4트랜지스터(TFT4)로부터 출력되는 전압을 저장하고, 제 2트랜지스터(TFT2), 제 3트랜지스터(TFT3), 및 제 4트랜지스터(TFT4)가 오프된 1 프레임 동안에, 저장된 전압을 출력하게 된다.
본 실시예에서는 제 2트랜지스터(TFT2), 제 3트랜지스터(TFT3), 및 제 4트랜지스터(TFT4)는 N-채널 트랜지스터를 사용하고 있으나 이에 한정하는 것은 아니어서 P-채널 트랜지스터를 사용해도 좋다.
이러한 구성으로 이루어진 본 발명에 따른 화소 회로의 구동에 관하여 자세히 설명하면, 먼저, 유기 발광 다이오드 표시장치의 주사선 구동회로로부터 제 1주사선(Xan) 및 제 2주사선(Xbn)을 통하여 전송된 선택 펄스를 인가 받아 제 1주사선(Xan) 및 상기 제 2주사선(Xbn)에 각각 연결된 제 2트랜지스터(TFT2), 제 3트랜지스터(TFT3) 및 제 4트랜지스터(TFT4)를 온(on)으로 하면, 유기 발광 다이오드 표시장치의 데이터선 구동회로로부터 데이터선(Ym)을 통하여 전송된 기준 전압을 제 2트랜지스터(TFT2) 및 제 4트랜지스터(TFT4)에서 인가 받게 된다. 이렇게, 제 2트랜지스터(TFT2) 및 제 4트랜지스터(TFT4)에서 인가 받은 기준 전압을 제 1트랜지스터(TFT1)의 게이트 단자와 소스 단자로 출력하여 제 1트랜지스터(TFT1)를 기준 전압으로 초기화한다
이어서, 유기 발광 다이오드 표시장치의 주사선 구동회로로부터 제 1주사선(Xan)을 통하여 선택 펄스를 인가 받아 제 2트랜지스터(TFT2) 및 제 3트랜지스터(TFT3)를 온으로 하고 제 2주사선(Xbn)을 통하여 선택 펄스를 인가 받아 제 4트랜지스터(TFT4)는 오프로 되면, 유기 발광 다이오드 표시장치의 데이터선 구동회로로부터 상기 데이터선(Ym)을 통하여 전송된 보정 전압을 제 2트랜지스터(TFT2)에서 인가 받아서 제 1트랜지스터(TFT1)의 게이트 단자로 출력한다. 여기서, 제 1트랜지스터(TFT1)의 게이트 단자로 입력되는 보정전압에 의해 제 1트랜지스터(TFT1)에 전류가 흐르게 되고, 이것은 유기 발광 다이오드에 흐르는 구동 전류와 같아질 때까지 제 1트랜지스터(TFT1)의 소스 단자 노드에서 도 3a에서는 충전, 도 3b에서는 방전하게 되는 데, 이때 구동전류는 제 1트랜지스터(TFT1)의 하부 임계 전류가 되도록 설정되기 때문에, 제 1트랜지스터(TFT1)의 게이트와 소스간의 전압차는 제 1트랜지스터(TFT1)의 문턱 전압과 같은 것이다.
그래서, 제 4트랜지스터(TFT4)는 오프상태 제1 트랜지스터의 소스 단자와 데이터선(Ym)과의 연결은 끊어지게 되고, 제 3트랜지스터(TFT3)는 온 상태이므로 제 1트랜지스터(TFT1)의 게이트 단자와 제 1트랜지스터(TFT1)의 소스 단자를 잇는 제 1커패시터(C1)에 제 1트랜지스터(TFT1)의 게이트 단자와 소스단자 사이의 전압차, 즉 제 1트랜지스터(TFT1)의 문턱 전압이 저장된다.
다음에, 유기 발광 다이오드 표시장치의 주사선 구동회로로부터 제 1주사선(Xan)을 통하여 선택 펄스를 인가 받아 제 2트랜지스터(TFT2) 및 제 3트랜지스터(TFT3)를 오프로 하고 제 2주사선(Xbn)을 통하여 선택 펄스를 인가 받아 제 4트랜지스터(TFT4)를 온으로 하면, 유기 발광 다이오드 표시장치의 데이터선 구동회로로부터 데이터선(Ym)을 통하여 전송된 입력전압을 제 4트랜지스터(TFT4)에서 인가 받는다. 이때, 제 2트랜지스터(TFT2)의 오프로 데이터선(Ym)과 제 1트랜지스터(TFT1)의 게이트 단자와의 연결은 끊어지고, 제 3트랜지스터(TFT3)의 오프로 제1커패시터(C1)의 일단과 제 1트랜지스터(TFT1)의 소스 단자와의 연결도 끊어지게 되며, 제 2커패시터(C2)의 양단은 각각 제 4트랜지스터(TFT4) 및 제 1커패시터(C1)의 일단과 연결되어 있으므로 제 4트랜지스터(TFT4)로부터 출력되는 입력전압을 저장함과 더불어 제 1커패시터(C1)로 입력전압을 전송하게 된다. 여기서, 제 1트랜지스터(TFT1)의 게이트 단자와 연결된 제 1커패시터(C1)의 타단에서는 제 1커패시터(C1)에 저장된 문턱전압과 제 4트랜지스터(TFT4)로부터 출력되는 입력전압이 합해진 전압을 제 1트랜지스터(TFT1)의 게이트 단자로 출력하게 된다.
그 다음에, 유기 발광 다이오드 표시장치의 주사선 구동회로로부터 제 1주사선(Xan) 및 제 2주사선(Xbn)을 통하여 선택 펄스를 인가 받아 상기 제 1주사선(Xan) 및 상기 제 2주사선(Xbn)에 각각 연결된 제 2트랜지스터(TFT2), 제 3트랜지스터(TFT3) 및 제 4트랜지스터(TFT4)가 모두 오프로 되면, 데이터선(Ym), 제 1커패시터(C1), 및 제 2커패시터(C2)와 제 1트랜지스터(TFT1)의 게이트 단자와의 연결이 끊어지고, 제 1커패시터(C1) 및 제 2커패시터(C2)의 각각의 일단이 제 1트랜지스터(TFT1)의 소스 단자와의 연결도 끊어지게 되므로, 제 1커패시터(C1) 및 제 2 커패시터(C2)의 각각에 저장된 전압으로 1프레임 동안 제 1트랜지스터의 전압이 일정하게 유지된다. 이것으로 인해 제 1트랜지스터의 문턱전압과 휘도 정보에 대한 입력 전압이 합해진 전압으로 1프레임 동안 유기 발광 다이오드에 일정한 구동 전류가 흐르게 되는 것이다.
도 4a는 도 3a에 따른 화소 회로의 구동을 설명하기 위한 파형도이고, 도 4b는 도 3b에 따른 화소 회로의 구동을 설명하기 위한 파형도이다.
도 4a를 참조하면, 도 3a와 같이 제 1 트랜지스터를 N-채널 트랜지스터로 구성하였을 경우의 화소 회로의 구동에서 변화되는 전압의 변화에 있어서, 기준 전압으로 초기화하는 구간(A)에서는, 제 1주사선(Xan) 및 제 2주사선(Xbn)으로부터는 온-선택 펄스가 전송되며, 데이터선(Ym)으로부터는 기준 전압이 전송되지만 접지로 하여도 좋으며, 이러한 기준 전압으로 각 프레임 시간 동안 유지됐던 각 노드의 전압을 초기화할 수 있다.
또한, 보정전압을 인가하는 구간(B)에서는, 제 1주사선(Xan)으로부터 온-선택 펄스 및 제 2주사선(Xbn)으로부터 오프-선택 펄스가 전송되며, 데이터선(Ym)으로부터는 보정전압(V1)이 전송된다. 이때, 보정전압(V1)은 초기화 구간(A)의 기준전압보다는 높은 전위를 가져야 하고, 후술되는 휘도 전압 입력 구간(C)에서 휘도 정보에 따라 인가되는 입력전압(V2)의 최대 전위보다는 같거나 낮아야 한다. 또한, 보정전압(V1)의 전위는 입력전압(V2)에 따라 달라지거나 일정한 전위로 고정시켜도 좋다. 또한, 이 구간(B)에서 제 1트랜지스터(TFT1)의 문턱전압이 제 1커패시터(C1)에 저장되게 된다.
또한, 휘도 전입 입력 구간(C)에서는, 제 1주사선(Xan)으로부터 오프-선택 펄스 및 제 2주사선(Xbn)으로부터 온-선택 펄스가 전송되며, 데이터선(Ym)으로부터는 휘도 정보에 해당하는 입력전압(V2)이 전송된다. 이때, 제 2커패시터(C2)의 일단에 입력전압(V2)이 저장되며, 제 1커패시터(C1)에 저장된 문턱전압과 입력전압(V2)이 합해진 전압에 의해 전환된 구동 전류에 의해 유기 발광 다이오드가 구동되는 것이다.
그리고, 휘도 유지 구간(D)에서는, 제 1주사선(Xan) 및 제 2주사선(Xbn)으로부터 오프-선택 펄스가 전송되어 데이터선(Ym)으로부터 어떤 전압도 인가 받을 수 없지만, 제 1커패시터(C1) 및 제 2커패시터(C2) 에 저장된 각각의 전압으로 인해 한 프레임 시간 동안 휘도가 유지되는 것이다.
도 4b를 참조하면, 도 3b와 같이 제 1 트랜지스터를 P-채널 트랜지스터로 구성하였을 경우의 화소 회로의 구동에서 변화되는 전압의 변화에 있어서, 기준 전압으로 초기화하는 구간(A)에서는, 제 1주사선(Xan) 및 제 2주사선(Xbn)으로부터는 온-선택 펄스가 전송되며, 데이터선(Ym)으로부터는 기준 전압이 기준 전원(Vdd)으로 하여도 좋으며, 이러한 기준 전압으로 각 프레임 시간 동안 유지됐던 각 노드의 전압을 초기화할 수 있다.
또한, 보정전압(V1)을 인가하는 구간(B)에서는, 제 1주사선(Xan)으로부터 온-선택 펄스 및 제 2주사선(Xbn)으로부터 오프-선택 펄스가 전송되며, 데이터선(Ym)으로부터는 보정전압(V1)이 전송된다. 이때, 보정전압(V1)은 초기화 구간(A)의 기준 전압보다는 낮은 전위를 가져야 하고, 후술되는 휘도 전압 입력구간(C)에서 휘도 정보에 따라 인가되는 입력전압(V2)의 최소 전위보다는 같거나 높아야 한다. 여기서, 보정전압(V1)의 전위는 입력전압(V2)에 따라 달라지거나 일정한 전위로 고정시켜도 좋다. 이때, 이 구간(B)에서 제 1트랜지스터(TFT1)의 문턱전압이 제 1커패시터(C1)에 저장되게 된다.
또한, 휘도 전압 입력 구간(C)에서는, 제 1주사선(Xan)으로부터 오프-선택 펄스 및 제 2주사선(Xbn)으로부터 온-선택 펄스가 전송되며, 데이터선(Ym)으로부터는 휘도 정보에 해당하는 입력전압(V2)이 전송된다. 이때, 제 2커패시터(C2)의 일단에 입력전압(V2)이 저장되며, 제 1커패시터(C1)에 저장된 문턱전압과 데이터선으로부터 전송된 입력전압(V2)이 합해진 전압에 의해 전환된 구동 전류에 의해 유기 발광 다이오드가 구동되는 것이다.
그리고, 휘도 유지 구간(D)에서는, 제 1주사선(Xan) 및 제 2주사선(Xbn)으로부터 오프-선택 펄스가 전송되어 데이터선(Ym)으로부터 어떤 전압도 인가 받을 수 없지만, 제 1커패시터 및 제 2커패시터(C2) 각각에 저장된 전압으로 인해 한 프레임 시간 동안 휘도가 유지되는 것이다.
이와 같이, 본 발명에 따르면, 구동 전류의 최대값이 유기 발광 다이오드를 구동하는 제 1트랜지스터(TFT1)의 하부 임계값 내에서 이루어지도록 설정하고, 항상 제 1트랜지스터(TFT1)의 문턱 전압을 포함하여 구동 전류를 출력하기 때문에, 화소의 휘도를 균일하게 유지하는 것이 가능하고, 또한 복수의 화소들을 구비한 유기 발광 다이오드의 표시장치에 있어서는 화소들 각각의 제 1트랜지스터(TFT1)의 불균일한 문턱 전압들에 의해 전체 화상이 영향을 받지 않게 되는 것이다. 또한, 구동 전류가 박막 트랜지스터의 선형 또는 포화 영역의 전류가 아닌 하부 임계 전류이므로, 전계 효과 이동도(Field effect mobility)의 편차에 의해서도 전체 화상이 영향을 받지 않게 되는 것이다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 화소 회로에 의하면: 능동 소자인 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 불균일한 문턱 전압을 포함하여 구동전류를 발생시키기 때문에 발광 소자의 휘도를 균일하게 할 수 있다.
또한, 유기 발광 다이오드의 구동전류가 박막 트랜지스터의 하부 임계 전류이므로 불균일한 전계 효과 이동도에 영향을 받지 않는 효과도 있다.
또한, 이러한 화소 회로를 이용하는 본 발명에 따른 유기 발광 다이오드 표시장치에 의하면: 각 화소마다의 유기 발광 다이오드에 원하는 전류가 흐르도록 제어하기 때문에 디스플레이 산업의 고정세화에도 고품질의 화상을 제공할 수 있다.
본 발명은 상기 실시 예에만 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 많은 변형이 가능함은 명백하다.
Claims (20)
- 주사선 구동회로에서 온-오프되는 선택 펄스를 인가 받는 제 1주사선 및 제 2주사선과, 데이터선 구동회로에서 출력되는 전압을 인가 받아 전송하는 데이터선의 교차부에 배치되고, 구동 전류에 의해 발광하는 유기 발광 다이오드를 구동하는 화소 회로에 있어서,상기 데이터선을 통해서 전송된 전압을 인가받고 상기 유기 발광 다이오드에 구동 전류를 출력하는 제 1트랜지스터와;상기 제 1주사선을 통해 상기 선택 펄스를 인가 받아 온-오프되고, 온되면 상기 데이터선으로부터 전송된 전압을 인가 받아 상기 제 1트랜지스터의 게이트 단자로 출력하는 제 2트랜지스터와;상기 제 2트랜지스터로부터 출력되는 전압을 인가 받은 상기 제 1트랜지스터의 게이트 단자와 소스 단자간의 전압차를 저장하기 위한 제 1커패시터와;상기 제 1주사선을 통해 상기 선택 펄스를 인가 받아 온-오프되고, 온되면 상기 제 1커패시터와 상기 제 1트랜지스터의 소스 단자 사이를 연결하는 제 3트랜지스터와;상기 제 2주사선을 통해 상기 선택 펄스를 인가 받아 온-오프되고, 온되면 상기 데이터선으로부터 전송된 전압을 인가 받아 외부로 출력하는 제 4트랜지스터와;상기 제 4트랜지스터로부터 출력되는 전압을 저장하는 제 2커패시터를 구비하는 것을 특징으로 하는 화소 회로.
- 제 1항에 있어서, 상기 각각의 트랜지스터들은, 게이트, 소스, 및 드레인 단자로 이루어지며,상기 제 1트랜지스터는 게이트 단자가 상기 제 2트랜지스터의 단자와 연결되어 있고 소스 단자가 상기 유기 발광 다이오드의 일단과 연결되고 드레인 단자는 일정 전원에 연결되며, 상기 제 2트랜지스터는 게이트 단자가 상기 제 1주사선에 연결되고, 소스 단자 및 드레인 단자가 상기 제 1트랜지스터의 게이트 단자와 상기 데이터선을 연결하고, 상기 제 3트랜지스터는 게이트 단자가 상기 제 1주사선에 연결되고, 소스 단자 및 드레인 단자는 상기 제 4트랜지스터와 상기 1트랜지스터를 연결하며, 상기 제 4트랜지스터는 게이트 단자가 상기 제 2주사선에 연결되고, 소스 단자 및 드레인 단자가 상기 데이터선과 상기 제 3트랜지스터를 연결하고, 상기 제 1커패시터는 일단이 상기 제 1트랜지스터의 게이트 단자에 접속되고 타단이 상기 제 3트랜지스터와 연결되고, 상기 제 2커패시터는 일단이 상기 제 4트랜지스터와 연결되며 타단은 일정 전위를 갖는 단자에 접속되는 것을 특징으로 하는 화소 회로.
- 제 2항에 있어서, 상기 제 1주사선 및 상기 제 2주사선을 통하여 선택 펄스를 인가 받아 상기 제 1주사선 및 상기 제 2주사선에 각각 연결된 상기 제 2트랜지스터, 상기 제 3트랜지스터 및 상기 제 4트랜지스터를 온으로 하고 상기 데이터선으로부터 기준 전압을 인가 받아 상기 제 1트랜지스터를 상기 기준 전압으로 초기화하는 초기화 단계, 상기 제 1주사선을 통하여 선택 펄스를 인가 받아 상기 제 2트랜지스터 및 상기 제 3트랜지스터를 온으로 하고 상기 제 2주사선을 통하여 선택 펄스를 인가 받아 상기 제 4트랜지스터는 오프로 하고 상기 데이터선으로부터 보정 전압을 인가 받아 상기 보정 전압으로 상기 제 1트랜지스터의 게이트 단자와 소스 단자간의 전압차를 상기 제 1커패시터에 저장하는 보정 단계, 상기 제 1주사선을 통하여 선택 펄스를 인가 받아 상기 제 2트랜지스터 및 상기 제 3트랜지스터를 오프로 하고 상기 제 2주사선을 통하여 선택 펄스를 인가 받아 상기 제 4트랜지스터는 온으로 하고 상기 데이터선으로부터 휘도 정보에 해당되는 입력 전압을 인가 받아 상기 제 2커패시터에 저장하고 상기 제 1커패시터에 저장된 상기 전압차와 상기 입력 전압을 합하여 상기 제 1트랜지스터의 게이트 단자에 입력하는 휘도 전압 입력 단계, 및 상기 제 1주사선 및 상기 제 2주사선을 통하여 선택 펄스를 인가 받아 상기 제 1주사선 및 상기 제 2주사선에 각각 연결된 상기 제 2트랜지스터, 상기 제 3트랜지스터 및 상기 제 4트랜지스터를 오프로 하고 상기 제 1커패시터 및 상기 제 2커패시터에 저장된 각각의 전압이 합해진 전압으로 1프레임 동안 상기 유기 발광 다이오드에 일정한 구동 전류가 흐르도록 하는 휘도 유지 단계로 구동되는 것을 특징으로 하는 화소 회로.
- 제 3항에 있어서, 상기 보정 전압은 상기 기준 전압과 상기 입력 전압 사이의 전위를 갖는 것을 특징으로 하는 화소 회로.
- 제 3항에 있어서, 상기 보정 전압은 상기 입력 전압과 같은 전위를 갖는 것을 특징으로 하는 화소 회로.
- 제 1항에 있어서, 상기 제 1트랜지스터는 N-채널 다결정 실리콘 박막 트랜지스터이고, 상기 제 1트랜지스터의 소스 단자를 상기 유기 발광 다이오드의 애노드에 접속하는 것을 특징으로 하는 화소 회로.
- 제 1항에 있어서, 상기 제 1트랜지스터는 P-채널 다결정 실리콘 박막 트랜지스터이고, 상기 제 1트랜지스터의 소스 단자를 상기 유기 발광 다이오드의 캐소드에 접속하는 것을 특징으로 하는 화소 회로.
- 제 1항에 있어서, 상기 제 2트랜지스터, 상기 제 3트랜지스터 및 상기 제 4트랜지스터는, P-채널 다결정 실리콘 박막 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 화소 회로.
- 제 1항에 있어서, 상기 제 2트랜지스터, 상기 제 3트랜지스터 및 상기 제 4트랜지스터는, N-채널 다결정 실리콘 박막 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 화소 회로.
- 제 1항에 있어서, 상기 유기 발광 다이오드를 구동하는 상기 구동 전류값은 상기 제 1트랜지스터의 하부 임계 전류값인 것을 특징으로 하는 화소 회로.
- 복수의 제 1 및 제 2주사선에 순차적으로 선택 펄스를 인가하는 주사선 구동회로, 복수의 데이터선에 출력되는 정보에 해당하는 전압을 전송하는 데이터선 구동 회로와, 제 1 및 제 2주사선들과 데이터선들이 교차하는 지점에 배치되는 각각의 화소들과, 각각의 상기 화소의 유기 발광 다이오드들을 구동시키는 화소 회로를 포함하는 유기 발광 다이오드 표시장치에 있어서,상기 화소 회로는: 상기 데이터선을 통해서 전송된 전압을 인가 받고 상기 유기 발광 다이오드에 구동 전류를 출력하는 제 1트랜지스터와;상기 제 1주사선을 통해 상기 선택 펄스를 인가 받아 온-오프되고, 온되면 상기 데이터선으로부터 전송된 전압을 인가 받아 상기 제 1트랜지스터의 게이트 단자로 출력하는 제 2트랜지스터와;상기 제 2트랜지스터로부터 출력되는 전압을 인가 받은 상기 제 1트랜지스터의 게이트 단자와 소스 단자간의 전압차를 저장하기 위한 제 1커패시터와;상기 제 1주사선을 통해 상기 선택 펄스를 인가 받아 온-오프되고, 온되면 상기 제 1커패시터와 상기 제 1트랜지스터의 소스 단자 사이를 연결하는 제 3트랜지스터와;상기 제 2주사선을 통해 상기 선택 펄스를 인가 받아 온-오프되고, 온되면상기 데이터선으로부터 전송된 전압을 인가 받아 외부로 출력하는 제 4트랜지스터와;상기 제 4트랜지스터로부터 출력되는 전압을 저장하는 제 2커패시터를 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 표시장치.
- 제 11항에 있어서, 상기 화소 회로는; 상기 각각의 트랜지스터들이 게이트, 소스, 및 드레인 단자로 이루어지며,상기 제 1트랜지스터는 게이트 단자가 상기 제 2트랜지스터의 단자와 연결되어 있고 소스 단자가 상기 유기 발광 다이오드의 일단과 연결되고 드레인 단자는 일정 전원과 연결되며, 상기 제 2트랜지스터는 게이트 단자가 상기 제 1주사선에 연결되고, 소스 단자 및 드레인 단자가 상기 제 1트랜지스터의 게이트 단자와 상기 데이터선을 연결하고, 상기 제 3트랜지스터는 게이트 단자가 상기 제 1주사선에 연결되고, 소스 단자 및 드레인 단자는 상기 제 4트랜지스터와 상기 1트랜지스터를 연결하며, 상기 제 4트랜지스터는 게이트 단자가 상기 제 2주사선에 연결되고, 소스 단자 및 드레인 단자가 상기 데이터선과 상기 제 3트랜지스터를 연결하고, 상기 제 1커패시터는 일단이 상기 제 1트랜지스터의 게이트 단자에 접속되고 타단이 상기 제 3트랜지스터와 연결되고, 상기 제 2커패시터는 일단이 상기 제 4트랜지스터와 연결되며 타단은 일정 전위를 갖는 단자에 접속되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 표시장치.
- 제 12항에 있어서, 상기 화소 회로는; 상기 제 1주사선 및 상기 제 2주사선을 통하여 선택 펄스를 인가 받아 상기 제 1주사선 및 상기 제 2주사선에 각각 연결된 상기 제 2트랜지스터, 상기 제 3트랜지스터 및 상기 제 4트랜지스터를 온으로 하고 상기 데이터선으로부터 기준 전압을 인가 받아 상기 제 1트랜지스터를 상기 기준 전압으로 초기화하는 초기화 단계, 상기 제 1주사선을 통하여 선택 펄스를 인가 받아 상기 제 2트랜지스터 및 상기 제 3트랜지스터를 온으로 하고 상기 제 2주사선을 통하여 선택 펄스를 인가 받아 상기 제 4트랜지스터는 오프로 하고 상기 데이터선으로부터 보정 전압을 인가 받아 상기 보정 전압으로 상기 제 1트랜지스터의 게이트 단자와 소스 단자간의 전압차를 상기 제 1커패시터에 저장하는 보정 단계, 상기 제 1주사선을 통하여 선택 펄스를 인가 받아 상기 제 2트랜지스터 및 상기 제 3트랜지스터를 오프로 하고 상기 제 2주사선을 통하여 선택 펄스를 인가 받아 상기 제 4트랜지스터는 온으로 하고 상기 데이터선으로부터 휘도 정보에 해당되는 입력 전압을 인가 받아 상기 제 2커패시터에 저장하고 상기 제 1커패시터에 저장된 상기 전압차와 상기 입력 전압을 합하여 상기 제 1트랜지스터의 게이트 단자에 입력하는 휘도 전압 입력 단계, 및 상기 제 1주사선 및 상기 제 2주사선을 통하여 선택 펄스를 인가 받아 상기 제 1주사선 및 상기 제 2주사선에 각각 연결된 상기 제 2트랜지스터, 상기 제 3트랜지스터 및 상기 제 4트랜지스터를 오프로 하고 상기 제 1커패시터 및 상기 제 2커패시터에 저장된 각각의 전압이 합해진 전압으로 1프레임 동안 상기 유기 발광 다이오드에 일정한 구동 전류가 흐르도록 하는 휘도유지 단계로 구동되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 표시장치.
- 제 13항에 있어서, 상기 보정 전압은 상기 기준 전압과 상기 입력 전압 사이의 전위를 갖는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 표시장치.
- 제 13항에 있어서, 상기 보정 전압은 상기 입력 전압과 같은 전위를 갖는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 표시장치.
- 제 11항에 있어서, 상기 제 1트랜지스터는 N-채널 다결정 실리콘 박막 트랜지스터이고, 상기 제 1트랜지스터의 소스 단자를 상기 유기 발광 다이오드의 애노드에 접속하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 표시장치.
- 제 11항에 있어서, 상기 제 1트랜지스터는 P-채널 다결정 실리콘 박막 트랜지스터이고, 상기 제 1트랜지스터의 소스 단자를 상기 유기 발광 다이오드의 캐소드에 접속하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 표시장치.
- 제 11항에 있어서, 상기 제 2트랜지스터, 상기 제 3트랜지스터 및 상기 제 4트랜지스터는, P-채널 다결정 실리콘 박막 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 표시장치.
- 제 11항에 있어서, 상기 제 2트랜지스터, 상기 제 3트랜지스터 및 상기 제 4트랜지스터는, N-채널 다결정 실리콘 박막 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 표시장치.
- 제 11항에 있어서, 상기 유기 발광 다이오드를 구동하는 상기 구동 전류값은 상기 제 1트랜지스터의 하부 임계 전류값인 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 표시장치.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2002-0020378A KR100452114B1 (ko) | 2002-04-15 | 2002-04-15 | 화소 회로 및 이를 이용한 유기 발광 다이오드 표시장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2002-0020378A KR100452114B1 (ko) | 2002-04-15 | 2002-04-15 | 화소 회로 및 이를 이용한 유기 발광 다이오드 표시장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20030081919A true KR20030081919A (ko) | 2003-10-22 |
KR100452114B1 KR100452114B1 (ko) | 2004-10-12 |
Family
ID=32378993
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR10-2002-0020378A KR100452114B1 (ko) | 2002-04-15 | 2002-04-15 | 화소 회로 및 이를 이용한 유기 발광 다이오드 표시장치 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100452114B1 (ko) |
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A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
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