KR20030022734A - 비접촉 온도측정용 센서 - Google Patents
비접촉 온도측정용 센서 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20030022734A KR20030022734A KR1020020054747A KR20020054747A KR20030022734A KR 20030022734 A KR20030022734 A KR 20030022734A KR 1020020054747 A KR1020020054747 A KR 1020020054747A KR 20020054747 A KR20020054747 A KR 20020054747A KR 20030022734 A KR20030022734 A KR 20030022734A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- sensor
- polysilicon
- layer
- membrane
- type silicon
- Prior art date
Links
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims abstract description 60
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 51
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims abstract description 15
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 54
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 53
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 53
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 22
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 12
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 7
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims 22
- 230000004913 activation Effects 0.000 claims 5
- 230000009849 deactivation Effects 0.000 claims 5
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 11
- 238000000708 deep reactive-ion etching Methods 0.000 description 5
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- DVUVKWLUHXXIHK-UHFFFAOYSA-N tetraazanium;tetrahydroxide Chemical compound [NH4+].[NH4+].[NH4+].[NH4+].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-] DVUVKWLUHXXIHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/02—Constructional details
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/02—Constructional details
- G01J5/0225—Shape of the cavity itself or of elements contained in or suspended over the cavity
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/02—Constructional details
- G01J5/0225—Shape of the cavity itself or of elements contained in or suspended over the cavity
- G01J5/024—Special manufacturing steps or sacrificial layers or layer structures
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/02—Constructional details
- G01J5/04—Casings
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/02—Constructional details
- G01J5/04—Casings
- G01J5/046—Materials; Selection of thermal materials
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
- G01J5/12—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using thermoelectric elements, e.g. thermocouples
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
- G01J5/20—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using resistors, thermistors or semiconductors sensitive to radiation, e.g. photoconductive devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
- H01L2924/1025—Semiconducting materials
- H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
- H01L2924/10253—Silicon [Si]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/30107—Inductance
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Radiation Pyrometers (AREA)
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
- Thermally Actuated Switches (AREA)
Abstract
Description
Claims (31)
- 측벽들(15)에 의해 측면이 완전히 규정된 리세스(18) 상부에 배치된 멤브레인(13)의 상부 및/또는 하부에 형성된 열감지 영역(14)을 이용하여 온도를 측정하는 센서(10,20)에 있어서,적어도 하나의 측벽(15)이 상기 멤브레인에 대해 80°~ 100°의 각도β로 배치된 것을 특징으로 하는 온도측정용 센서.
- 리세스 상부에 배치된 멤브레인의 상부 및/또는 하부에 형성된 열감지 영역을 이용하여 온도를 측정하는 센서(10,20)에 있어서,상기 리세스가 반응성 이온 식각방법에 의해 식각되는 것을 특징으로 하는 온도측정용 센서.
- 제2항에 있어서,서로에 대해 적어도 40°의 각도α로 배치된 인접한 측벽들에 의해 상기 리세스의 측면이 완전히 정의되는 것을 특징으로 하는 온도측정용 센서.
- 제3항에 있어서,적어도 하나의 측벽(15)이 상기 멤브레인에 대해 80°~ 100°의 각도β로 배치된 것을 특징으로 하는 온도측정용 센서.
- 제2항에 있어서,상기 리세스가 제한을 위해서 측면에 적어도 하나의 측벽을 가지며, 이 적어도 하나의 측벽이 상기 멤브레인에 대해 80°~ 100°의 각도β로 배치된 것을 특징으로 하는 온도측정용 센서.
- 상기 청구항들 중 한 항에 있어서,인접하는 측벽들이 서로에 대해 적어도 80°의 각도α로 배치된 것을 특징으로 하는 온도측정용 센서.
- 제6항에 있어서,인접하는 측벽들이 서로에 대해 90°의 각도α로 배치된 것을 특징으로 하는 온도측정용 센서.
- 상기 청구항들 중 한 항에 있어서,적어도 하나의 측벽이 상기 멤브레인에 대해 80°~ 100°의 각도β로 설치된 것을 특징으로 하는 온도측정용 센서.
- 상기 청구항들 중 한 항에 있어서,모든 측벽들이 실리콘으로 이루어진 것을 특징으로 하는 온도측정용 센서.
- 상기 청구항들 중 한 항에 있어서,상기 열감지 영역(14)이 적어도 두 가지의 열전기 물질들을 포함하는 직렬 연결부를 갖는 것을 특징으로 하는 온도측정용 센서.
- 제10항에 있어서,상기 두 가지의 열전기 물질들이 p형 실리콘과 알루미늄 또는 n형 실리콘과 알루미늄 또는 p형 실리콘과 n형 실리콘인 것을 특징으로 하는 온도측정용 센서.
- 제10항 Ehh는 제11항에 에 있어서,상기 직렬 연결부가 나란히 배열된 p형 실리콘과 n형 실리콘을 포함하는 것을 특징으로 하는 온도측정용 센서.
- 제10항 또는 제11항에 있어서,상기 직렬 연결부가, 중첩되고 절연층에 의해 분리된 적어도 하나의 p형 실리콘층과 적어도 하나의 n형 실리콘층을 갖는 것을 특징으로 하는 온도측정용 센서.
- 제1항 내지 제9항 중의 한 항에 있어서,상기 열감지 영역이 두 개의 전극층들과 이 두 전극층들 사이에 배치된 초전기층의 적층구조를 갖는 것을 특징으로 하는 온도측정용 센서.
- 제1항 내지 제9항 중의 한 항에 있어서,상기 열감지 영역이 금속산화물 또는 반도체로 이루어진 굴곡층인 것을 특징으로 하는 온도측정용 센서.
- 상기 청구항들 중의 한 항에 있어서,상기 멤브레인은 사각형인 것을 특징으로 하는 온도측정용 센서.
- 제16항에 있어서,상기 리세스(18)가 십자형태의 베이스를 갖는 것을 특징으로 하는 온도측정용 센서.
- 상기 청구항들 중의 한 항에 의한 센서를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 칩, 특히 실리콘 칩.
- 청구항 11-13, 16, 17항 중의 한 항에 의하여, 멤브레인(13)의 상부 및/또는 하부에 형성되고 적어도 두 가지 열전기 물질들로 이루어진 직렬 연결부를 포함하는 열감지 영역(14)을 이용하여 온도를 측정하는 센서(10,20)에 있어서,상기 두 가지 열전기 물질들이 각각 p형 실리콘, 폴리실리콘 또는 폴리실리콘-게르마늄과 n형 실리콘, 폴리실리콘 또는 폴리실리콘-게르마늄인 것을 특징으로 하는 온도측정용 센서.
- 제19항에 있어서,상기 직렬 연결부가 나란히 배열된 p형 실리콘, 폴리실리콘 또는 폴리실리콘-게르마늄과 n형 실리콘, 폴리실리콘 또는 폴리실리콘-게르미늄을 포함하는 것을 특징으로 하는 온도측정용 센서.
- 제19항 또는 제20항에 있어서,상기 직렬 연결부가 20 내지 200, 바람직하게는 60 내지 120개의 나란히 배열된 층들, 특히 p형 실리콘, 폴리실리콘층 또는 폴리실리콘-게르마늄과 n형 실리콘, 폴리실리콘 또는 폴리실리콘-게르마늄의 쌍들로 이루어진 층들을 갖는 것을 특징으로 하는 온도측정용 센서.
- 제20항 또는 제21항에 있어서,상기 직렬 연결부가, 중첩되고 절연층에 의해 분리되는 적어도 하나의 p형 실리콘층, 폴리실리콘층 또는 폴리실리콘-게르마늄층과 적어도 하나의 n형 실리콘층, 폴리실리콘층 또는 폴리실리콘-게르마늄층을 갖는 것을 특징으로 하는 온도측정용 센서.
- 제22항에 있어서,상기 직렬 연결부가, 중첩되고 절연층에 의해 분리되는 p형 실리콘, 폴리실리콘 또는 폴리실리콘-게르마늄과 n형 실리콘, 폴리실리콘 또는 폴리실리콘-게르마늄으로 이루어진 두 개 또는 세 개의 층 쌍들을 갖는 것을 특징으로 하는 온도측정용 센서.
- 제1항 내지 제17항 및 제19항 내지 제23항 중의 한 항에 의한 센서(10,20)와 제18항에 의한 반도체 칩에 있어서,포토리소그래피에 의해 패터닝할 수 있는 적외선 흡수층이 온도 감지영역(14)상에 형성된 것을 특징으로 하는 센서 및 반도체 칩.
- 온도 측정을 위한 센서, 특히 상기 청구항들 중의 한 항에 의한 센서를 제조하기 위한 방법에 있어서,멤브레인을 지지부 상에 형성하고, 반응성 이온 식각 방법에 의해 상기 멤브레인 하부의 지지부내로 리세스를 식각하는 것을 특징으로 하는 온도측정용 센서 제조방법.
- 제25항에 있어서,상기 리세스를 식각하기 전에 반응성 이온 식각 방법에 대해 작은 식각률을 가진 층을 상기 멤브레인을 향하고 있지 않은 지지부 측면에 형성하는 것을 특징으로 하는 온도 측정용 센서제조방법.
- 제25항 또는 제26항에 있어서,열감지 영역을 상기 멤브레인상에 형성하는 것을 특징으로 하는 온도측정용 센서 제조방법.
- 온도측정용 센서, 특히 제1항 내지 제17항 및 제24항 중의 한 항에 의한 센서를 제조하며, 활성화 단계에서 측벽들을 가진 리세스를 반응성 이온 식각방법에 의해 지지부내로 식각하고, 비활성화 단계에서 보호층, 특히 폴리머층을 상기 측벽들상에 증착하여 측벽들로부터 물질이 제거되는 것을 방지하거나 감소시키며, 상기 센서를 제조하기 위한 공정이 다수의 번갈아 일어나는 활성화 단계들과 비활성화 단계들을 포함하는 센서 제조방법에 있어서, 상기 비활성화 단계들이 완화되고/되거나 감소되고/되거나 상기 활성화 단계들이 강화되고/되거나 확장되는 것을 특징으로 하는 온도 측정용 센서 제조방법.
- 제28항에 있어서,상기 비활성화 단계들이 완화되고/되거나 감소되고/되거나 상기 활성화 단계들이 강화되고/되거나 확장됨으로써 상기 측벽들이 상기 지지부의 표면에 대해 80°~ 90°의 각도(β)를 이루는 것을 특징으로 하는.온도 측정용 센서 제조방법.
- 제29항에 있어서,상기 비활성화 단계들이 완화되고/되거나 감소되고/되거나 상기 활성화 단계들이 강화되고/되거나 확장됨으로써 상기 측벽들이 상기 지지부의 표면에 대해 85°~ 90°의 각도(β)를 이루는 것을 특징으로 하는 온도 측정용 센서 제조방법.
- 제25항 내지 제30항 중의 한 항에 있어서,상기 지지부가 실리콘 바디인 것을 특징으로 하는 온도 측정용 센서 제조방법.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10144343A DE10144343A1 (de) | 2001-09-10 | 2001-09-10 | Sensor zum berührugslosen Messen einer Temperatur |
DE10144343.9 | 2001-09-10 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20030022734A true KR20030022734A (ko) | 2003-03-17 |
KR100870039B1 KR100870039B1 (ko) | 2008-11-21 |
Family
ID=7698366
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020020054747A KR100870039B1 (ko) | 2001-09-10 | 2002-09-10 | 비접촉 온도측정용 센서 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20030118076A1 (ko) |
EP (2) | EP1296122B1 (ko) |
JP (1) | JP4377118B2 (ko) |
KR (1) | KR100870039B1 (ko) |
CN (1) | CN100408990C (ko) |
AT (1) | ATE352771T1 (ko) |
DE (2) | DE10144343A1 (ko) |
HK (1) | HK1066275A1 (ko) |
TW (1) | TWI225303B (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20150052809A (ko) * | 2012-05-08 | 2015-05-14 | 캠브리지 씨모스 센서스 리미티드 | 적외선 에미터 및 비분산 적외선 센서 |
Families Citing this family (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004045330A (ja) * | 2002-07-15 | 2004-02-12 | Ricoh Co Ltd | 非接触温度検知装置 |
TW555965B (en) * | 2002-10-07 | 2003-10-01 | Opto Tech Corp | Temperature measurement device |
DE10318501A1 (de) * | 2003-04-24 | 2005-01-05 | Robert Bosch Gmbh | Chipaufbau in einem Premold-Gehäuse |
DE10320357B4 (de) * | 2003-05-07 | 2010-05-12 | Perkinelmer Optoelectronics Gmbh & Co.Kg | Strahlungssensor, Wafer, Sensorarray und Sensormodul |
DE10321639A1 (de) * | 2003-05-13 | 2004-12-02 | Heimann Sensor Gmbh | Infrarotsensor mit optimierter Flächennutzung |
JP4673647B2 (ja) * | 2005-03-22 | 2011-04-20 | 出光興産株式会社 | 金属の表面温度測定装置 |
DE102008041131B4 (de) * | 2008-08-08 | 2020-07-30 | Robert Bosch Gmbh | Thermopile-Sensor zur Detektion von Infrarot-Strahlung |
DE102008041750A1 (de) * | 2008-09-02 | 2010-03-18 | Robert Bosch Gmbh | Thermisch entkoppeltes mikrostrukturiertes Referenzelement für Sensoren |
JP5644121B2 (ja) * | 2010-01-26 | 2014-12-24 | セイコーエプソン株式会社 | 熱型光検出器、熱型光検出装置、電子機器および熱型光検出器の製造方法 |
EP2558830A4 (en) * | 2010-04-14 | 2015-03-11 | Excelitas Technologies Singapore Pte Ltd | VERTICALLY STACKED HEATING COLUMN |
DE102011103818A1 (de) * | 2011-06-01 | 2012-12-06 | Meas Deutschland Gmbh | Infrarot-Sensoranordnung und deren Verwendung |
WO2013006701A1 (en) | 2011-07-05 | 2013-01-10 | Excelitas Technologies Led Solutions, Inc | Graphene-based thermopile |
WO2013125734A1 (en) * | 2012-02-24 | 2013-08-29 | Nec Corporation | Bolometer and manufacturing method thereof |
CN102798474B (zh) * | 2012-08-23 | 2014-02-19 | 江苏物联网研究发展中心 | 一种高性能mems热电堆红外探测器结构及其制备方法 |
GB2521474A (en) * | 2013-12-22 | 2015-06-24 | Melexis Technologies Nv | Infrared thermal sensor with beams having different widths |
ES2487590B1 (es) * | 2014-05-22 | 2015-06-02 | Universidad Politécnica De Valencia | Micro-generador termoeléctrico basado en contactos eléctricos pasantes |
CN104176699A (zh) * | 2014-07-18 | 2014-12-03 | 苏州能斯达电子科技有限公司 | 一种具有绝热沟槽的mems硅基微热板及其加工方法 |
JP6701553B2 (ja) * | 2016-01-06 | 2020-05-27 | ローム株式会社 | 孔を有する基板およびその製造方法ならびに赤外線センサおよびその製造方法 |
CN109313079A (zh) | 2016-06-21 | 2019-02-05 | 海曼传感器有限责任公司 | 用于测量温度和检测气体的热电堆红外单个传感器 |
TWI613429B (zh) * | 2016-08-16 | 2018-02-01 | 菱光科技股份有限公司 | 紅外線感測器高真空封裝結構及其方法 |
WO2018122148A1 (de) | 2016-12-30 | 2018-07-05 | Heimann Sensor Gmbh | Smd-fähiger thermopile infrarot sensor |
IT201700070601A1 (it) * | 2017-06-23 | 2018-12-23 | Laser Point S R L | Rilevatore veloce di radiazione elettromagnetica. |
IT201700070606A1 (it) * | 2017-06-23 | 2018-12-23 | Laser Point S R L | Rilevatore di radiazione elettromagnetica. |
CN110862063A (zh) * | 2018-08-28 | 2020-03-06 | 无锡华润上华科技有限公司 | 温度传感器制备方法及温度传感器 |
DE102020209534A1 (de) | 2020-07-29 | 2022-02-03 | Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Temperatursensor für ein chirurgisches Instrument und Verfahren zu seiner Herstellung |
JP2022165185A (ja) * | 2021-04-19 | 2022-10-31 | 国立大学法人 東京大学 | センサ素子及びセンサ装置 |
WO2023013148A1 (ja) * | 2021-08-03 | 2023-02-09 | 住友電気工業株式会社 | 光センサ |
Family Cites Families (45)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4032363A (en) * | 1975-01-27 | 1977-06-28 | Syncal Corporation | Low power high voltage thermopile |
JPS61184843A (ja) * | 1985-02-13 | 1986-08-18 | Toshiba Corp | 複合半導体装置とその製造方法 |
US4928513A (en) * | 1986-07-29 | 1990-05-29 | Sharp Kabushiki Kaisha | Sensor |
US4765865A (en) * | 1987-05-04 | 1988-08-23 | Ford Motor Company | Silicon etch rate enhancement |
DE3925391A1 (de) * | 1989-08-01 | 1991-02-07 | Braun Ag | Thermosaeule |
AU631734B2 (en) * | 1990-04-18 | 1992-12-03 | Terumo Kabushiki Kaisha | Infrared ray sensor and method of manufacturing the same |
US5100479A (en) * | 1990-09-21 | 1992-03-31 | The Board Of Regents Acting For And On Behalf Of The University Of Michigan | Thermopile infrared detector with semiconductor supporting rim |
KR940006681B1 (ko) * | 1991-10-12 | 1994-07-25 | 금성일렉트론 주식회사 | 스택트렌치 셀 및 그 제조방법 |
EP0566156B1 (en) * | 1992-04-17 | 1997-08-27 | Terumo Kabushiki Kaisha | Infrared sensor and method for production thereof |
DE4221037C2 (de) * | 1992-06-26 | 1998-07-02 | Heimann Optoelectronics Gmbh | Thermischer Strahlungssensor |
US5275974A (en) * | 1992-07-30 | 1994-01-04 | Northern Telecom Limited | Method of forming electrodes for trench capacitors |
DE4241045C1 (de) * | 1992-12-05 | 1994-05-26 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zum anisotropen Ätzen von Silicium |
JP3114139B2 (ja) * | 1995-01-24 | 2000-12-04 | 株式会社山武 | 熱伝導率計 |
KR19980072768A (ko) * | 1997-03-07 | 1998-11-05 | 조규향 | 경유매연여과장치의 온도센서에 연결되는 온도센서보상도선 구조 |
DE19710946A1 (de) * | 1997-03-15 | 1998-09-24 | Braun Ag | Thermopile-Sensor und Strahlungsthermometer mit einem Thermopile-Sensor |
US6287988B1 (en) * | 1997-03-18 | 2001-09-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device manufacturing method, semiconductor device manufacturing apparatus and semiconductor device |
JP3529596B2 (ja) * | 1997-08-06 | 2004-05-24 | 株式会社東芝 | 赤外線固体撮像装置及びその製造方法 |
DE19735379B4 (de) * | 1997-08-14 | 2008-06-05 | Perkinelmer Optoelectronics Gmbh | Sensorsystem und Herstellungsverfahren |
US6232233B1 (en) * | 1997-09-30 | 2001-05-15 | Siemens Aktiengesellschaft | Methods for performing planarization and recess etches and apparatus therefor |
JPH11132857A (ja) * | 1997-10-28 | 1999-05-21 | Matsushita Electric Works Ltd | 赤外線検出器 |
US6290388B1 (en) * | 1998-03-06 | 2001-09-18 | The Trustees Of The University Of Pennsylvania | Multi-purpose integrated intensive variable sensor |
US6133572A (en) * | 1998-06-05 | 2000-10-17 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Infrared detector system with controlled thermal conductance |
DE19843984B4 (de) * | 1998-09-25 | 2013-10-24 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Strahlungssensoren |
DE69940029D1 (de) * | 1998-12-15 | 2009-01-15 | Asahi Kasei Emd Corp | Halbleiterbauelement |
US6379989B1 (en) * | 1998-12-23 | 2002-04-30 | Xerox Corporation | Process for manufacture of microoptomechanical structures |
SE513575C2 (sv) * | 1999-02-19 | 2000-10-02 | Ericsson Telefon Ab L M | Metod och anordning för passiv upplinjering av minst en optofiber till minst en optisk anordning |
EP1039280B1 (en) * | 1999-03-24 | 2010-05-12 | Ishizuka Electronics Corp. | Thermopile-type infrared sensor and process for producing the same |
JP3513048B2 (ja) * | 1999-04-13 | 2004-03-31 | 三菱電機株式会社 | 感熱式流量センサおよびその製造方法 |
US6444138B1 (en) * | 1999-06-16 | 2002-09-03 | James E. Moon | Method of fabricating microelectromechanical and microfluidic devices |
US6096656A (en) * | 1999-06-24 | 2000-08-01 | Sandia Corporation | Formation of microchannels from low-temperature plasma-deposited silicon oxynitride |
GB9919877D0 (en) * | 1999-08-24 | 1999-10-27 | Secr Defence | Micro-bridge structure |
KR20010037655A (ko) * | 1999-10-19 | 2001-05-15 | 이진경 | 마이크로머시닝 기술에 의해 제조되는 저전력형 세라믹 가스센서 및 그 제조방법 |
JP4161493B2 (ja) * | 1999-12-10 | 2008-10-08 | ソニー株式会社 | エッチング方法およびマイクロミラーの製造方法 |
DE10009593A1 (de) * | 2000-02-29 | 2001-09-13 | Bosch Gmbh Robert | Strukturkörper, insbesondere Infrarot-Sensor und Verfahren zur Erzeugung einer Mikrostruktur aus einem Funktionswerkstoff |
US6392144B1 (en) * | 2000-03-01 | 2002-05-21 | Sandia Corporation | Micromechanical die attachment surcharge |
US6787052B1 (en) * | 2000-06-19 | 2004-09-07 | Vladimir Vaganov | Method for fabricating microstructures with deep anisotropic etching of thick silicon wafers |
JP3974338B2 (ja) * | 2001-03-15 | 2007-09-12 | 株式会社東芝 | 赤外線検出素子及び赤外線検出装置 |
JP4009046B2 (ja) * | 2001-04-10 | 2007-11-14 | 浜松ホトニクス株式会社 | 赤外線センサ |
US6895667B2 (en) * | 2001-04-13 | 2005-05-24 | The Trustees Of Princeton University | Transfer of patterned metal by cold-welding |
JP2002340668A (ja) * | 2001-05-18 | 2002-11-27 | Denso Corp | サーモパイル式赤外線センサおよびその検査方法 |
US6686642B2 (en) * | 2001-06-11 | 2004-02-03 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Multi-level integrated circuit for wide-gap substrate bonding |
US20030038033A1 (en) * | 2001-08-27 | 2003-02-27 | Harker Alan B. | Process for fabricating high aspect ratio embossing tool and microstructures |
JP4147784B2 (ja) * | 2001-10-09 | 2008-09-10 | 富士通株式会社 | 角速度センサ |
US6902701B1 (en) * | 2001-10-09 | 2005-06-07 | Sandia Corporation | Apparatus for sensing volatile organic chemicals in fluids |
US20070045756A1 (en) * | 2002-09-04 | 2007-03-01 | Ying-Lan Chang | Nanoelectronic sensor with integral suspended micro-heater |
-
2001
- 2001-09-10 DE DE10144343A patent/DE10144343A1/de not_active Ceased
-
2002
- 2002-08-28 TW TW091119608A patent/TWI225303B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-09-02 DE DE50209329T patent/DE50209329D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2002-09-02 EP EP02019184A patent/EP1296122B1/de not_active Revoked
- 2002-09-02 AT AT02019184T patent/ATE352771T1/de not_active IP Right Cessation
- 2002-09-02 EP EP07001421.2A patent/EP1801554B1/de not_active Expired - Fee Related
- 2002-09-10 CN CNB021316007A patent/CN100408990C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2002-09-10 KR KR1020020054747A patent/KR100870039B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2002-09-10 US US10/238,546 patent/US20030118076A1/en not_active Abandoned
- 2002-09-10 JP JP2002264813A patent/JP4377118B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-11-19 HK HK04109159.4A patent/HK1066275A1/xx not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20150052809A (ko) * | 2012-05-08 | 2015-05-14 | 캠브리지 씨모스 센서스 리미티드 | 적외선 에미터 및 비분산 적외선 센서 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4377118B2 (ja) | 2009-12-02 |
DE50209329D1 (de) | 2007-03-15 |
EP1296122B1 (de) | 2007-01-24 |
EP1801554A2 (de) | 2007-06-27 |
HK1066275A1 (en) | 2005-03-18 |
CN100408990C (zh) | 2008-08-06 |
KR100870039B1 (ko) | 2008-11-21 |
CN1514215A (zh) | 2004-07-21 |
JP2003177064A (ja) | 2003-06-27 |
US20030118076A1 (en) | 2003-06-26 |
EP1296122A2 (de) | 2003-03-26 |
EP1296122A3 (de) | 2003-06-11 |
EP1801554B1 (de) | 2014-07-23 |
ATE352771T1 (de) | 2007-02-15 |
DE10144343A1 (de) | 2003-03-27 |
EP1801554A3 (de) | 2007-08-01 |
TWI225303B (en) | 2004-12-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR20030022734A (ko) | 비접촉 온도측정용 센서 | |
KR101869066B1 (ko) | 모놀리식 Si-마이크로 기계 써모파일 적외선 센서 | |
KR0133481B1 (ko) | 평면마이크로 가공기술을 이용한 적외선어레이센서 제조방법 | |
US8115272B2 (en) | Silicon dioxide cantilever support and method for silicon etched structures | |
JP2019504298A (ja) | ウェハレベルパッケージ内の熱赤外線センサアレイ | |
US20140048922A1 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
EP1378733A1 (en) | Infrared sensor | |
EP2822892B1 (en) | Atomic layer deposition strengthening members and method of manufacture | |
US10551246B2 (en) | IR detector array device | |
JP2001519915A (ja) | 半導体部材を製造する方法 | |
EP4354102A2 (en) | An infra-red device | |
KR100538996B1 (ko) | 적외선 흡수층으로 실리콘 산화막을 사용한 적외선 센서및 그 제조 방법 | |
US20180340901A1 (en) | Gas sensor platform and the method of making the same | |
JP2003166876A (ja) | 熱型赤外線検出素子およびその製造方法ならびに熱型赤外線検出素子アレイ | |
CN110627014B (zh) | 一种在衬底上制作悬浮红外热堆的方法 | |
JP5975457B2 (ja) | 三次元構造体及びセンサ | |
US20020043672A1 (en) | Semiconductor device with a thin-film sensing area and device fabrication method | |
CN108885136B (zh) | 微测辐射热计结构 | |
KR100769587B1 (ko) | 비접촉식 적외선 온도 센서 | |
CN113428833A (zh) | Mems热电堆红外传感器及制备方法 | |
JPH06137943A (ja) | 熱型赤外線センサ | |
CN215439669U (zh) | Mems热电堆红外传感器 | |
KR100497333B1 (ko) | 박막트랜지스터 구조를 갖는 감지기용 픽셀 어레이 및 그 제조방법 | |
KR100495802B1 (ko) | 적외선 감지용 픽셀 및 그 제조 방법 | |
CN214121427U (zh) | 一种集成cmos电路的热电堆传感器*** |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20121105 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20131106 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141105 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20151105 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20161103 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20171107 Year of fee payment: 10 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |