KR20020064465A - 반도체 소자용 저 유전 절연재료의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 고밀도, 고성능의 차세대 반도체 소자에 필수적인 저 유전 물질에 관한 것으로, 특히 수 나노미터 크기 이하의 기공을 함유한 다공성 저 유전 층간 절연막의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명은 이를 위하여, 반도체 소자의 다공성 초저유전 배선 층간 절연막의 제조방법에 있어서, a) ⅰ) 말단에 하이드록시, 카르복실산 및 그의 유도체, 아민, 니트로옥사이드, 이소시아네이트 및 아마이드기로 이루어진 군으로부터 1 종 이상 선택되는 관능기를 적어도 1 개 이상 가지는 유기분자; 및 ⅱ) 매트릭스 수지의 혼성 복합체를 제조하는 단계; b) 상기 혼성 복합체를 피착체에 코팅하고 경화하는 단계; 및 c) 상기 혼성 복합체에 열, 빛, 또는 열과 빛을 함께 가하여 유기 분자를 제거하여 복합체 내에 기공을 형성시키는 단계를 포함하는 다공성 초저유전 배선 층간 절연막의 제조방법, 이 제조방법에 의해 제조되는 반도체 소자의 금속 배선 층간 절연막 및 이 금속 배선 층간 절연막을 포함하는 반도체 소자를 제공한다.
본 발명의 방법으로 제조되는 다공성 초저유전 배선 층간 절연막은 상분리 현상이 억제되어 공정성과 기계적 물성이 우수하고, 이소트로픽 구조를 가지며, 분자 크기의 매우 작은 기공을 갖는 초저유전성 절연막이다.
Description
본 발명은 고밀도, 고성능의 차세대 반도체 소자에 필수적인 저 유전 물질에 관한 것으로, 특히 수 나노미터 크기 이하의 기공을 함유한 다공성 저 유전 층간 절연막의 제조방법에 관한 것이다.
최근 반도체 소자의 집적도가 증가하면서 소자 내부를 연결하는 도선의 선폭이 급속하게 줄어들고 있으며, 2003년경에는 0.1 ㎛의 회로선폭을 이용한 고밀도의 소자가 개발될 것으로 예상된다. 일반적으로 반도체 소자의 속도는 트랜지스터의 스위칭 속도와 시그널(signal)의 전달 속도에 비례하고, 시그널의 전달 속도는 배선물질의 저항과 층간 절연막의 정전용량의 곱으로 표시되는 RC 지연(delay)에 의하여 결정된다. 반도체 소자의 집적도가 높아지면 소자내부를 연결하는 금속선의 길이가 기하급수적으로 증가하여, 고밀도 칩상의 속도는 스위칭 속도보다는 고 밀도 칩상의, RC 지연에 의하여 결정된다. 따라서 고속의 칩을 제조하기 위해서는 저항이 작은 도체와 유전율이 낮은 절연물질을 사용하여야 한다. 또한 저 유전 물질의 사용은 반도체 소자의 속도 증가뿐만 아니라, 소비전력을 낮출 수 있고, 금속배선간의 상호 간섭(cross-talk) 현상을 현저히 감소시킬 수 있다.
최근 IBM에서 종래의 알루미늄 배선을 사용하지 않고, 전기 전도도가 높은 구리 배선을 사용하여 30 % 이상의 성능 향상을 보인 시제품을 출시한 바 있다. 반면에 저 유전 물질을 적용한 반도체 소자는 적절한 소재 개발의 미비로 아직 시제품이 출시되어 있지 않은 상태이다.
현재 반도체 소자 제작에 사용되는 절연재료는 유전상수가 4.0 인 SiO2가 대부분이며, 저 유전 물질로 F-SiO2가 일부 소자에 적용되고 있다. F-SiO2의 경우 F의 함량이 6 중량% 이상일 경우 열적으로 불안정한 상태가 되어 3.5 이하의 유전상수를 얻을 수 없는 단점이 있다. 유전 상수가 3.0 에서 2.5인 절연재로는 극성이 낮고 고온에서 열적으로 안정한 유기 고분자와 유기 실리케이트 고분자들이 있으며, 이를 이용한 소자 제작이 진행중이다. 차세대 고성능 고밀도의 소자 개발을 위하여 유전 상수 2.5 이하의 낮은 유전율을 갖는 층간 절연 재료의 개발이 필수적이며, 이를 위해 유전상수가 3.0 에서 2.5 인 물질에 유전 상수가 1 인 공기를 도입하는 것이 요구된다.
공기를 도입하여 절연성을 낮추는 종래의 기술은 IBM이 유기실리케이트와 하이퍼 브랜치드 고분자를 사용하는 것이다. 이 경우 먼저 경화 과정을 통하여 유기 무기 하이브리드를 제조하고 고온에서 유기 고분자를 제거함으로서 유전 상수 2.2 이하의 다공성 초유전체를 제조하는데 성공하였다. 하지만 기공 형성을 위하여 사용된 고분자가 매트릭스 수지와의 상용성이 떨어져 상분리 입자가 커지기 쉽고, 고분자 함량이 많아지면 쉽게 불투명 막이 형성된다. 또한 고분자를 사용함으로써 매우 작은 기공을 형성하기 어렵고, 균일한 분자량을 가지는 고분자를 얻기가 쉽지 않다.
다우 코닝에서는 기공형성을 위하여 유기고분자 대신 고 비점의 용매를 사용하였다. 이 경우 경화 반응을 거치는 동안에 고 비점의 용매가 나노 크기로 상분리 되고 이차 경화 반응을 거치는 동안에 고 비점의 용매가 증발하여 기공을 형성하는 방법이다. 하지만 이 방법은 겔화 과정 중 고 비점 용매를 상분리하기 위한 공정의 제어가 어렵고, 형성된 기공이 연결된 구조(interconnect pore)를 갖는다.
본 발명은 상기 종래 기술의 문제점을 고려하여, 반도체 소자의 고속화와 소비 전력량 감소가 가능하며, 금속 배선의 상호 간섭 현상을 현저히 줄일 수 있는 초저유전 배선 층간 절연막의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 다른 목적은 수 나노미터 크기 이하의 균일한 기공을 함유한 초저유전 배선 층간 절연막의 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명은 상기 목적을 달성하기 위하여, 반도체 소자의 다공성 초저유전 배선 층간 절연막의 제조방법에 있어서,
a) ⅰ) 말단에 하이드록시, 카르복실산 및 그의 유도체, 아민, 니트로옥사
이드, 이소시아네이트 및 아마이드기로 이루어진 군으로부터 1 종
이상 선택되는 관능기를 적어도 1 개 이상 가지는 유기분자; 및
ⅱ) 매트릭스 수지
의 혼성 복합체를 제조하는 단계;
b) 상기 혼성 복합체를 피착체에 코팅하고 경화하는 단계; 및
c) 상기 혼성 복합체에 열, 빛, 또는 열과 빛을 함께 가하여 유기 분자를
제거하여 복합체 내에 기공을 형성시키는 단계
를 포함하는 다공성 초저유전 배선 층간 절연막의 제조방법을 제공한다.
또한 본 발명은 상기 제조방법에 의해 제조되는 반도체 소자의 금속 배선 층간 절연막을 제공한다.
또한 본 발명은 상기 제조방법에 의해 제조되는 반도체 소자의 금속 배선 층간 절연막을 포함하는 반도체 소자를 제공한다.
이하에서 본 발명을 상세하게 설명한다.
본 발명에서 제조하고자 하는 저 유전 물질은 고분자 물질이 아닌 관능기를 가지는 유기 분자를 템플레이트(template)로 사용하여 매트릭스 수지와 함께 혼성 복합체를 만들고, 유기 분자를 열 또는 빛으로 분해시켜 제거함으로써 기공을 형성시키는 방법이다. 이 방법은 종래의 방법보다 수 나노 이하의 매우 작은 유기분자를 사용하여 매우 작은 기공을 가지는 절연막을 형성할 수 있고, 균일한 분자량의 기공형성 물질(유기분자) 제조가 용이하고, 상분리 현상이 억제되어 공정성이 매우 우수하며, 이소트로픽 구조를 갖는다.
금속 배선 층간 저 유전 절연막은 매트릭스 수지인 유기 실리케이트와 기공 형성 유기 분자를 사용하여 일반 코팅 방법으로 제조하고 경화 공정과 유기 분자분해 공정 두 단계를 거처 제조한다. 그 일반적인 방법으로는 상온에서 층을 만들고자 하는 물질 위에 원하는 두께로 스핀 코팅한다. 이때 코팅의 두께는 유기 실리케이트와 기공 형성 유기 분자의 양과 스핀 속도로 조절할 수 있다. 코팅 후에는 상온에서 150∼350 ℃ 까지 일정 속도로 승온시킨 다음 0.5∼2 시간 동안 유지시켜 기공 형성 유기분자를 함유한 복합체 절연막을 제조한다. 이를 다시 400∼500 ℃까지 일정 속도로 승온시킨 다음, 그 온도에서 0.5∼2 시간 유지시킨다. 이때 유기분자가 열분해 또는 광분해되어 밖으로 나오고 유기 분자가 차지하는 부분이 기공으로 형성된다. 또한 경화 공정에서 일정 시간 유지하지 않고 상온에서 분해 공정온도까지 일정 속도로 승온시킨 다음 일정 시간 유지시켜 다공성 절연막을 제작할 수 있다. 기공의 크기는 열분해 또는 광분해되는 유기분자의 종류 및 크기와 사용한 매트릭스 수지인 유기 실리케이트로 조절이 가능하며 일반적으로 수 나노미터 이하 크기의 매우 작은 기공을 형성할 수 있고, 작은 유기분자를 사용하지만 상분리 현상이 적어 공정성이 매우 우수하다.
본 발명에서 사용 가능한 매트릭스 수지는 실리콘, 탄소, 산소, 수소로 구성되는 실란 모노머 또는 이로부터 제조되는 유기 폴리 실리케이트 고분자이다. 바람직하게는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물, 또는 이로부터 제조되는 폴리 실록산 유기 실리케이트 고분자; 또는
하기 화학식 1로 표시되는 화합물, 하기 화학식 2로 표시되는 화합물, 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물, 하기 화학식 4로 표시되는 화합물, 하기 화학식 5로 표기되는 화합물 및 하기 화학식 6으로 표시되는 화합물로 이루어진 군으로부터단독 또는 두 성분 이상을 일정한 비율로 혼합하여 제조한 실란 화합물, 또는 이로부터 제조되는 공중합체의 유기 실리케이트 고분자이다.
[화학식 1]
RSiX3
[화학식 2]
R2SiX2
[화학식 3]
SiX4
[화학식 4]
Z3Si-M-SiZ3
[화학식 5]
[화학식 6]
상기 화학식 1, 2, 3, 4, 5 및 6의 식에서,
R, L1, M1은 각각 가수분해가 일어나지 않는 그룹으로, 알킬, 플루오로알킬 또는 페닐이거나 수소이고,
X는 각각 가수분해가 가능한 그룹으로 염소, 알콕시, 또는 아실록시 등이며,
Z는 각각 R 또는 X이고, 최소한 X가 각 실리콘에 1개 이상이고,
M은 탄소수 1∼6의 알킬렌, 또는 페닐과 같은 알릴렌이다.
또한 상기 화학식 5 및 6의 식에서,
L2와 M2는 각각 비닐 또는 알릴과 같은 알켄일이고, 알켄일 그룹은 Si-H 그룹을 갖는 실리콘 모노머와 하이드로실릴레이션(hydrosilylation) 반응을 시킨 후에 다른 화합물과 혼용하여 사용하는 것이 바람직하다.
본 발명에서 사용된 기공 형성 물질인 유기분자는 200∼450 ℃에서 분해가 가능한 유기분자로, 분자 말단에 매트릭스 수지와 상호작용이 가능한 관능기를 최소한 1 개 이상 갖는 것이다. 이 유기 분자의 말단 관능기는 하이드록시, 카르복실산 및 그의 유도체, 아민, 니트로 옥사이드, 이소시아네이트 및 아마이드 등이 사용 가능하고, 바람직하게는 아민, 니트로 옥사이드와 아마이드기이다. 이 유기분자는 선형 유기분자 또는 다분지 유기분자가 가능하고, 다분지 유기분자의 경우는 3분지부터 16분지까지의 유기분자가 바람직하다. 유기분자의 종류에는 제한이 없으며, 에스테르, 키톤, 에테르, 티오에테르, 설폭사이드, 설폰, 아민, 아마이드, 카보네이트, 알리파틱 하이드로카본, 아로마틱 하이드로카본 등으로 구성된 유기분자를 사용할 수 있다.
이 유기분자는 유기 폴리 실리케이트와 혼합하여 사용하거나, 유기 폴리 실리케이트 제조시 첨가된다.
이하의 실시 예를 통하여 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다. 단, 실시 예는 본 발명을 예시하기 위한 것이지 이들만으로 한정하는 것이 아니다.
[실시예]
실시예 1
20 ㎖의 테트라하이드로 퓨란 용매에 메틸트리메톡시 실란 8.6 ㎖와 물 0.66 ㎖를 섞은 후, 질소 하에서 하이드로클로린산 1.5 ㎖를 천천히 첨가해 준다. 30 분간 실온에서 반응시키고 다시 온도를 80 ℃로 올린 후 가열 환류시키면서 5 시간 동안 반응시켰다. 반응 후 용액은 뿌옇게 변하고 이 용액을 다시 실온으로 내린 후 톨루엔 용매로 희석하고 물로 pH가 중성이 될 때까지 씻어 주었다. 얻어진 유기 층은 진공 오븐에서 유기용매를 완전히 제거하였다.
상기 방법으로 합성한 흰색의 메틸실세스퀴옥산 폴리머 파우더를 메틸이소 부틸 키톤 용매에 완전히 녹인 후, 이 용액에 1,2,3,4-부탄테트라카복실릭산 (1,2,3,4-Butanetetracarboxylic acid), 테트라키스(2,2,6,6,-테트라메틸-4-피페리디닐)에스테르(tetrakis(2,2,6,6-tetramethyl-4-piperidinyl)ester)를 각각 0 중량%, 10 중량%, 30 중량%을 녹였다. 전체 용액의 농도는 20 내지 24 중량%로 맞추어 주었다.
이 용액을 충분히 섞은 후 전 처리한 실리콘 웨이퍼 위에 1000 rpm에서 10 초, 3000 rpm에서 20 초로 스핀 코팅한 후, 100 ℃에서 120 초간 프리베이크(prebake)하였다. 이렇게 용매를 제거한 스핀-온(spin-on) 필름을 질소분위기 하의 로(furnace)에서 분당 3 ℃씩 200 ℃와 450 ℃까지 올리고 각 온도에서 120 분간 유지하여 경화 공정 및 유기 분자 분해 공정을 거쳐 절연막을 얻었다.
FT-IR로 유기분자의 소멸을 확인하여 기공(pore) 생성여부를 간접적으로 확인한 후, 경화된 필름의 굴절률 및 기공의 크기를 엘립소미터와 TEM으로 각각 관찰 하고 상 분리 여부는 200 ℃에서 경화한 필름의 상태를 광학 현미경으로 관찰하였다.
실시예 2
15 ㎖의 테트라하이드로 퓨란 용매에 5.73 g의 메틸트리메톡시실란(MTMS)과 1.14 g의 비스트리메톡시실릴에텐(BTMSE)을 섞은 후, 질소 하에서 온도를 0 ℃로 낮춘 후 충분히 섞어 주었다. 이 혼합용액에 50.7 mg의 하이드로클로린산을 1.82g의 증류수에 묽힌 수용액을 천천히 첨가해 주었다. 약 30 분 후 온도를 70 ℃ 정도로 올린 후 가열 환류시키면서 36 시간 동안 반응시켰다. 12 시간 정도 반응시키면 용액은 뿌연 상태가 되며 이후로는 뿌연 상태의 정도가 달라지지 않았다. 이 용액을 다시 실온으로 내린 후 톨루엔 용액으로 희석하고 물로 pH가 중성이 될 때까지 씻어주었다. 얻어진 유기층은 진공 오븐에서 유기용매를 완전히 제거하였다.
상기 방법으로 합성한 흰색의 메틸트리메톡시실란/비스트리메톡시실릴에텐 코폴리머 파우더를 메틸 이소부틸키톤 용매에 완전히 녹인 후, 이 용액에 1,2,3,4-부탄테트라카복실릭산(1,2,3,4-Butanetetracarboxylic acid), 테트라키스(2,2,6,6-테트라메틸-4-피페리디닐)에스테르(tetrakis(2,2,6,6-tetramethyl-4-piperidinyl)ester)를 각각 0 중량%, 10 중량%, 30 중량%을 녹였다. 전체 용액의 농도는 20 내지 24 중량%로 맞추어 주었다.
이 용액을 충분히 섞은 후 전 처리한 실리콘 웨이퍼위에 1000 rpm에서 10 초, 3000 rpm에서 20 초로 스핀 코팅한 후, 100 ℃에서 120 초간 프리베이크 (prebake)한다. 이렇게 용매를 제거한 스핀-온(spin-on) 필름을 질소분위기 하의 로(furnace)에서 분당 3 ℃씩 200 ℃와 450 ℃까지 올리고 각 온도에서 120 분간 유지하여 경화 공정 및 유기 분자 분해 공정을 거쳐 절연막을 얻었다.
FT-IR로 유기분자의 소멸을 확인하여 기공(pore) 생성여부를 간접적으로 확인한 후, 경화된 필름의 굴절률 및 기공의 크기를 엘립소미터와 TEM으로 각각 관찰 하고 상 분리 여부는 200 ℃에서 경화한 필름의 상태를 광학 현미경으로 관찰하였다.
실시예 3
15 ㎖의 테트라하이드로 퓨란 용매에 5.73 g의 메틸트리메톡시실란(MTMS)과 1.14 g의 비스트리메톡시실릴에텐(BTMSE)을 섞은 후, 질소하에서 온도를 0 ℃로 낮춘 후 충분히 섞어 주었다. 이 혼합용액에 50.7 mg의 하이드로클로린산을 1.82g의 증류수에 묽힌 수용액을 천천히 첨가해 주었다. 약 30 분 후 온도를 70 ℃ 정도로 올린 후 가열 환류시키면서 36 시간 동안 반응시켰다. 12 시간 정도 반응시키면 용액은 뿌연 상태가 되며 이후로는 뿌연 상태의 정도가 달라지지 않았다. 이 용액을 다시 실온으로 내린 후 톨루엔 용액으로 희석하고 물로 pH가 중성이 될 때까지 씻어 주었다. 얻어진 유기층은 진공 오븐에서 유기용매를 완전히 제거하였다.
상기 방법으로 합성한 흰색의 메틸트리메톡시실란/비스트리메톡시실릴에텐 코폴리머 파우더를 메틸 이소부틸키톤 용매에 완전히 녹인 후 이 용액에 데칸네디오익산(Decanedioic acid), 비스(2,2,6,6-테트라메틸-4-피페리디닐)에스테르 (bis(2,2,6,6-tetramethyl-4-piperidinyl)ester)를 각각 0 중량%, 10 중량%, 30 중량% 녹였다. 전체 용액의 농도는 20 내지 24 중량%로 맞추어 주었다.
이 용액을 충분히 섞은 후 전 처리한 실리콘 웨이퍼 위에 1000 rpm에서 10 초, 3000 rpm에서 20 초로 스핀 코팅한 후, 100 ℃에서 120 초간 프리베이크 (prebake)하였다. 이렇게 용매를 제거한 스핀-온(spin-on) 필름을 질소분위기 하의 로(furnace)에서 분당 3 ℃씩 200 ℃와 450 ℃까지 올리고 각 온도에서 120 분간 유지하여 경화 공정 및 유기 분자 분해 공정을 거쳐 절연막을 얻었다.
FT-IR로 유기분자의 소멸을 확인하여 기공(pore) 생성여부를 간접적으로 확인한 후, 경화된 필름의 굴절률 및 기공의 크기를 엘립소미터와 TEM으로 각각 관찰 하고 상 분리 여부는 200 ℃에서 경화한 필름의 상태를 광학 현미경으로 관찰하였다.
상기 각각의 실험 결과들은 하기 표 1에 나타내었다.
[표 1]
| 구 분 | 실시 예 1 | 실시 예 2 | 실시 예 3 | ||||||
| 유기분자 함량 | 0 중량% | 10중량% | 30중량% | 0 중량% | 10중량% | 30중량% | 0 중량% | 10중량% | 30중량% |
| 굴절률 | 1.368 | 1.35 | 1.29 | 1.374 | 1.346 | 1.287 | 1.367 | 1.353 | 1.305 |
| 광학현미경 관찰 | 투명 | 투명 | 투명 | 투명 | 투명 | 투명 | 투명 | 투명 | 투명 |
| TEM 관찰 | 5 ㎚이상의 입자관찰 안됨 | 5 ㎚이상의 입자관찰 안됨 | 5 ㎚이상의 입자관찰 안됨 |
상기 표 1에서 보듯이 특수한 관능기를 함유한 유기 분자를 템플레이트(template)로 사용하여 유기실리케이트 하이브리드 고분자 복합체 박막을 제조할 경우 경화 공정 중 상 분리 현상이 없고 열분해로 형성된 기공의 크기가 전자 현미경으로 관찰이 안 되는 수 나노 이하의 매우 작은 기공을 갖는 저 유전 물질을 형성할 수 있음을 알 수 있다.
본 발명의 방법으로 제조되는 다공성 초저유전 배선 층간 절연막은 상분리 현상이 억제되어 공정성과 기계적 물성이 우수하고, 이소트로픽 구조를 가지며, 분자 크기의 매우 작은 기공을 갖는 초저유전성 절연막이다.
Claims (12)
- 반도체 소자의 다공성 초저유전 배선 층간 절연막의 제조방법에 있어서,a) ⅰ) 말단에 하이드록시, 카르복실산 및 그의 유도체, 아민, 니트로옥사이드, 이소시아네이트 및 아마이드기로 이루어진 군으로부터 1 종이상 선택되는 관능기를 적어도 1 개 이상 가지는 유기분자; 및ⅱ) 매트릭스 수지의 혼성 복합체를 제조하는 단계;b) 상기 혼성 복합체를 피착체에 코팅하고 경화하는 단계; 및c) 상기 혼성 복합체에 열, 빛, 또는 열과 빛을 함께 가하여 유기 분자를제거하여 복합체 내에 기공을 형성시키는 단계를 포함하는 다공성 초저유전 배선 층간 절연막의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 a)단계의 혼성 복합체는 유기 분자와 매트릭스 수지의 혼합물인 다공성 초저유전 배선 층간 절연막의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 a)단계 ⅰ)의 유기분자는 분해온도가 200∼450 ℃이고, 분자 말단에 하이드록시, 카르복실산 및 그의 유도체, 아민, 니트로 옥사이드, 이소시아네이트,및 아마이드기로 이루어진 군으로부터 1 종 이상 선택되는 관능기를 적어도 1 개 이상 가지는 에스테르, 케톤, 에테르, 티오에테르, 설폭사이드, 설폰, 아민, 아마이드, 카보네이트, 알리파틱 하이드로카본, 또는 아로마틱 하이드로카본인 다공성 초저유전 배선 층간 절연막의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 유기분자가 선형 유기 분자인 다공성 초저유전 배선 층간 절연막의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 유기 분자가 3분지 이상 16분지 이하의 다분지 유기 분자인 다공성 초저유전 배선 중간 절연막의 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 a)단계의 매트릭스 수지가 실리콘, 탄소, 산소, 수소를 포함하는 실란 모노머 또는 이로부터 제조되는 유기 폴리 실리케이트 고분자인 다공성 초저유전 배선 층간 절연막의 제조방법.
- 제 6 항에 있어서,상기 매트릭스 수지가하기 화학식 1로 표시되는 화합물, 또는 이로부터 제조되는 폴리 실록산 유기 실리케이트 고분자; 또는하기 화학식 1로 표시되는 화합물, 하기 화학식 2로 표시되는 화합물, 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물, 하기 화학식 4로 표시되는 화합물, 하기 화학식 5로 표기되는 화합물 및 하기 화학식 6으로 표시되는 화합물로 이루어진 군으로부터 단독 또는 두 성분 이상을 일정한 비율로 혼합하여 제조한 실란 화합물, 또는 이로부터 제조되는 공중합체의 유기 실리케이트 고분자인 다공성 초 저유전 배선 층간 절연막의 제조방법:[화학식 1]RSiX3[화학식 2]R2SiX2[화학식 3]SiX4[화학식 4]Z3Si-M-SiZ3[화학식 5][화학식 6]상기 화학식 1, 2, 3, 4, 5 및 6의 식에서,R, L1, M1은 각각 가수분해가 일어나지 않는 그룹으로, 알킬, 플루오로 알킬 또는 페닐이거나 수소이고,X는 각각 가수분해가 가능한 그룹으로, 염소, 알콕시, 또는 아실록시이며,Z는 각각 R 또는 X이고, 최소한 X가 각 실리콘에 1 개 이상이고,L2 및 M2는 각각 비닐 또는 알릴과 같은 알켄일이고,M은 탄소수 1 내지 6의 알킬렌, 또는 페닐과 같은 알릴렌이다.
- 제 7 항에 있어서,상기 L2 및 M2의 각각의 알켄일 그룹은 Si-H 그룹을 갖는 실리콘 모노머와 하이드로실릴레이션 반응시킨 후 다른 화합물과 혼용하여 제조되는 유기 폴리 실리케이트 고분자인 다공성 초저유전 배선 층간 절연막의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 b)단계의 경화온도가 150∼350 ℃인 다공성 초저유전 배선 층간 절연막의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 c)단계의 가열온도가 400∼500 ℃인 다공성 초저유전 배선 층간 절연막의 제조방법.
- 제 1 항 기재의 제조방법으로 제조되는 다공성 초저유전 배선 층간 절연막.
- 제 1 항 기재의 제조방법으로 제조되는 다공성 초저유전 배선 층간 절연막을 포함하는 반도체 소자.
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