KR20020062661A - 탄성 표면파 필터 - Google Patents
탄성 표면파 필터 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20020062661A KR20020062661A KR1020027008060A KR20027008060A KR20020062661A KR 20020062661 A KR20020062661 A KR 20020062661A KR 1020027008060 A KR1020027008060 A KR 1020027008060A KR 20027008060 A KR20027008060 A KR 20027008060A KR 20020062661 A KR20020062661 A KR 20020062661A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- electrode
- substrate
- saw filter
- filter
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02637—Details concerning reflective or coupling arrays
- H03H9/02653—Grooves or arrays buried in the substrate
- H03H9/02661—Grooves or arrays buried in the substrate being located inside the interdigital transducers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/02897—Means for compensation or elimination of undesirable effects of strain or mechanical damage, e.g. strain due to bending influence
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/02929—Means for compensation or elimination of undesirable effects of ageing changes of characteristics, e.g. electro-acousto-migration
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
- H03H9/14538—Formation
- H03H9/14541—Multilayer finger or busbar electrode
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/42—Piezoelectric device making
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
Description
Claims (32)
- 기판과,상기 기판 상에 마련되어, 상기 기판에 대하여 일정한 방향으로 배향한 배향막으로 막 두께가 200㎚ 이하인 제 1 층을 갖는 전극을 구비한 탄성 표면파(SAW) 필터.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 층은 Al을 포함하는 금속으로 이루어지는 SAW 필터.
- 제 2 항에 있어서,Al을 포함하는 상기 금속은 Al 단체 또는 Al에 Mg와 Zr과 Cu와 Sc와 Ti와 Ta 중의 적어도 하나를 포함하는 합금인 SAW 필터.
- 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,상기 전극은 상기 제 1 층상에 마련된, 상기 제 1 층의 입계 확산을 방지하는 제 2 층을 더 가진 SAW 필터.
- 제 4 항에 있어서,상기 전극은 상기 제 2 층상에 마련된, 상기 전극의 막 두께를 조정하기 위한 제 3 층을 더 가진 SAW 필터.
- 제 2 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 전극 상에 마련된 입계 확산 방지층을 더 구비한 SAW 필터.
- 제 6 항에 있어서,상기 입계 확산 방지층은, Al의 자기 확산 계수보다도 Al에 대한 확산 계수가 작은 금속을 포함하는 재료로 이루어지는 SAW 필터.
- 제 7 항에 있어서,Al의 자기 확산 계수보다도 Al에 대한 확산 계수가 작은 상기 금속은 Ti와 Ta와 W와 Cr 중 하나인 SAW 필터.
- 제 6 항에 있어서,상기 입계 확산 방지층은, Al의 자기 확산 계수보다도 Al에 대한 확산 계수가 큰 금속을 포함하는 재료로 이루어지는 SAW 필터.
- 제 9 항에 있어서,Al의 자기 확산 계수보다도 Al에 대한 확산 계수가 큰 상기 금속은 Cr과 Pd와 Mg 중의 하나인 SAW 필터.
- 제 2 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 전극의 측벽에 마련된, Al 원자 확산 방지층을 더 구비한 SAW 필터.
- 제 11 항에 있어서,상기 Al 원자 확산 방지층은 상기 제 1 층의 측벽을 덮는 SAW 필터.
- 제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 전극의 일부를 적어도 덮는 보호막을 더 구비한 SAW 필터.
- 제 13 항에 있어서,상기 보호막이 질화규소로 이루어진 SAW 필터.
- 제 13 항에 있어서,상기 보호막이 질화규소와 산화규소의 적층막으로 이루어진 SAW 필터.
- 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 기판은 단부(段部)를 갖고,상기 전극은 상기 단부의 최상부(頂部)에 마련된 SAW 필터.
- 제 16 항에 있어서,상기 전극의 측벽에 마련된, Al 원자 확산 방지층을 더 구비한 SAW 필터.
- 제 17 항에 있어서,상기 Al 원자 확산 방지층은 상기 제 1 층의 측벽을 덮는 SAW 필터.
- 제 18 항에 있어서,상기 Al 원자 확산 방지층은 상기 단부의 측벽의 일부를 적어도 덮는 SAW 필터.
- 제 16 항 내지 제 19 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 전극의 일부를 적어도 덮는 보호막을 더 구비한 SAW 필터.
- 제 20 항에 있어서,상기 보호막은 상기 단부의 측벽의 일부를 적어도 덮는 SAW 필터.
- 제 20 항 또는 제 21 항에 있어서,상기 보호막이 질화규소로 이루어지는 SAW 필터.
- 제 20 항 또는 제 21 항에 있어서,상기 보호막이 질화규소와 산화규소의 적층막으로 이루어지는 SAW 필터.
- 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 전극은 상기 기판과 상기 제 1 층 사이에 마련된 하지층을 더 갖는 SAW 필터.
- 제 24 항에 있어서,상기 전극의 측벽에 마련된, Al 원자 확산 방지층을 더 구비한 SAW 필터.
- 제 25 항에 있어서,상기 Al 원자 확산 방지층은 상기 제 1 층의 측벽을 덮는 SAW 필터.
- 제 26 항에 있어서,상기 Al 원자 확산 방지층은 상기 하지층의 측벽의 일부를 적어도 덮는 SAW필터.
- 제 24 항 내지 제 27 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 전극의 일부를 적어도 덮는 보호막을 더 구비한 SAW 필터.
- 제 28 항에 있어서,상기 보호막은 상기 하지층의 측벽의 일부를 적어도 덮는 SAW 필터.
- 제 28 항 또는 제 29 항에 있어서,상기 보호막이 질화규소로 이루어지는 SAW 필터.
- 제 28 항 또는 제 29 항에 있어서,상기 보호막이 질화규소와 산화규소의 적층막으로 이루어지는 SAW 필터.
- Al을 포함하는 금속층을 갖는 전극을 기판 상에 형성하는 공정과,상기 전극과 동시에 Al 확산 방지층의 적어도 일부를 스퍼터 에칭에 의해 상기 전극의 측벽에 형성하는 공정을 포함하는 탄성 표면파 필터의 제조 방법.
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000322321 | 2000-10-23 | ||
JPJP-P-2000-00322322 | 2000-10-23 | ||
JP2000322322 | 2000-10-23 | ||
JPJP-P-2000-00322321 | 2000-10-23 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20020062661A true KR20020062661A (ko) | 2002-07-26 |
KR100791708B1 KR100791708B1 (ko) | 2008-01-03 |
Family
ID=26602573
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020027008060A KR100791708B1 (ko) | 2000-10-23 | 2001-10-23 | 탄성 표면파 필터 및 그 제조 방법 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6909341B2 (ko) |
EP (2) | EP1330026A4 (ko) |
JP (1) | JP4059080B2 (ko) |
KR (1) | KR100791708B1 (ko) |
CN (2) | CN1551496A (ko) |
WO (1) | WO2002035702A1 (ko) |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7148610B2 (en) * | 2002-02-01 | 2006-12-12 | Oc Oerlikon Balzers Ag | Surface acoustic wave device having improved performance and method of making the device |
JP3646116B2 (ja) * | 2003-07-17 | 2005-05-11 | Tdk株式会社 | 表面弾性波素子、表面弾性波装置、表面弾性波デュプレクサ、及び表面弾性波素子の製造方法 |
JP2005117151A (ja) * | 2003-10-03 | 2005-04-28 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波装置の製造方法及び弾性表面波装置 |
CN100563100C (zh) * | 2004-03-02 | 2009-11-25 | 株式会社村田制作所 | 表面声波装置 |
JP4359551B2 (ja) | 2004-10-08 | 2009-11-04 | アルプス電気株式会社 | 弾性表面波素子の製造方法 |
WO2006046545A1 (ja) * | 2004-10-26 | 2006-05-04 | Kyocera Corporation | 弾性表面波素子及び通信装置 |
DE102004058016B4 (de) | 2004-12-01 | 2014-10-09 | Epcos Ag | Mit akustischen Oberflächenwellen arbeitendes Bauelement mit hoher Bandbreite |
GB0512836D0 (en) * | 2005-06-21 | 2005-08-03 | Jha Animesh | Inert alloy anodes for aluminium electrolysis cell using molten salt bath confidential |
DE102009021508B4 (de) * | 2009-05-15 | 2014-05-22 | Epcos Ag | Elektrode mit verbesserter Leistungsfestigkeit |
DE102012202727B4 (de) * | 2012-02-22 | 2015-07-02 | Vectron International Gmbh | Verfahren zur Verbindung eines ersten elektronischen Bauelements mit einem zweiten Bauelement |
US9331667B2 (en) * | 2014-07-21 | 2016-05-03 | Triquint Semiconductor, Inc. | Methods, systems, and apparatuses for temperature compensated surface acoustic wave device |
JP2017522822A (ja) * | 2014-07-28 | 2017-08-10 | スカイワークスフィルターソリューションズジャパン株式会社 | 弾性波素子、アンテナデュプレクサ、モジュール及びこれらを使用する電子機器 |
US9634644B2 (en) | 2014-07-28 | 2017-04-25 | Skyworks Filter Solutions Japan Co., Ltd. | Acoustic wave elements and antenna duplexers, and modules and electronic devices using same |
US9973169B2 (en) * | 2015-10-01 | 2018-05-15 | Qorvo Us, Inc. | Surface acoustic wave filter with a cap layer for improved reliability |
CN113348625B (zh) | 2019-01-31 | 2024-02-23 | 株式会社村田制作所 | 弹性波装置及多工器 |
CN111641399A (zh) * | 2020-06-01 | 2020-09-08 | 中国电子科技集团公司第二十六研究所 | 一种设置有SiO2钝化层的RF滤波器 |
WO2023136293A1 (ja) * | 2022-01-13 | 2023-07-20 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
CN114592172A (zh) * | 2022-03-10 | 2022-06-07 | 广东广纳芯科技有限公司 | 声表面波滤波器的叉指电极及其制备方法、以及声表面波滤波器 |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62272610A (ja) * | 1986-05-21 | 1987-11-26 | Hitachi Ltd | 弾性表面波素子 |
JP2936228B2 (ja) | 1989-06-13 | 1999-08-23 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波フィルタ |
US5162690A (en) * | 1989-04-14 | 1992-11-10 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave device |
JP3379049B2 (ja) * | 1993-10-27 | 2003-02-17 | 富士通株式会社 | 表面弾性波素子とその製造方法 |
WO1996004713A1 (fr) * | 1994-08-05 | 1996-02-15 | Japan Energy Corporation | Dispositif a ondes acoustiques de surface et procede de production |
US5494854A (en) * | 1994-08-17 | 1996-02-27 | Texas Instruments Incorporated | Enhancement in throughput and planarity during CMP using a dielectric stack containing HDP-SiO2 films |
JPH0897671A (ja) * | 1994-09-27 | 1996-04-12 | Oki Electric Ind Co Ltd | 弾性表面波装置 |
JPH0969748A (ja) * | 1995-09-01 | 1997-03-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Sawデバイスおよびその製造方法 |
JPH09172351A (ja) * | 1995-10-16 | 1997-06-30 | Japan Energy Corp | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
JPH09223944A (ja) * | 1995-12-13 | 1997-08-26 | Fujitsu Ltd | 弾性表面波素子及びその製造方法 |
JPH09199976A (ja) * | 1996-01-18 | 1997-07-31 | Hitachi Ltd | 弾性表面波素子電極 |
JPH10247835A (ja) * | 1997-03-03 | 1998-09-14 | Kokusai Electric Co Ltd | ラブ波型弾性表面波デバイス |
JPH10256862A (ja) | 1997-03-14 | 1998-09-25 | Tdk Corp | 弾性表面波装置 |
WO1999005788A1 (fr) | 1997-07-28 | 1999-02-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Dispositif de traitement d'ondes acoustiques de surface et son procede de fabrication |
WO1999016168A1 (fr) * | 1997-09-22 | 1999-04-01 | Tdk Corporation | Appareil a ondes acoustiques de surface et procede de fabrication de cet appareil |
JP3659455B2 (ja) * | 1997-12-01 | 2005-06-15 | 京セラ株式会社 | 弾性表面波装置 |
DE19758195C2 (de) * | 1997-12-30 | 2000-05-18 | Siemens Ag | Oberflächenwellen- (SAW-)Bauelement auf insbesondere Lithiumtantalat- oder -niobat-Substrat |
KR100507784B1 (ko) * | 1998-04-21 | 2005-08-17 | 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 | 탄성표면파 디바이스와 그 제조방법 및 이것을 사용한이동통신기기 |
US6259185B1 (en) * | 1998-12-02 | 2001-07-10 | Cts Corporation | Metallization for high power handling in a surface acoustic wave device and method for providing same |
JP3846221B2 (ja) * | 2000-07-14 | 2006-11-15 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波素子 |
JP3521864B2 (ja) * | 2000-10-26 | 2004-04-26 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波素子 |
JP3445971B2 (ja) * | 2000-12-14 | 2003-09-16 | 富士通株式会社 | 弾性表面波素子 |
-
2001
- 2001-10-23 CN CNA2004100633509A patent/CN1551496A/zh active Pending
- 2001-10-23 EP EP01976828A patent/EP1330026A4/en not_active Withdrawn
- 2001-10-23 JP JP2002538564A patent/JP4059080B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2001-10-23 KR KR1020027008060A patent/KR100791708B1/ko active IP Right Grant
- 2001-10-23 WO PCT/JP2001/009303 patent/WO2002035702A1/ja active Application Filing
- 2001-10-23 EP EP12000435A patent/EP2458735A3/en not_active Withdrawn
- 2001-10-23 CN CNB018031978A patent/CN1190007C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2001-10-23 US US10/168,284 patent/US6909341B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1394388A (zh) | 2003-01-29 |
KR100791708B1 (ko) | 2008-01-03 |
JP4059080B2 (ja) | 2008-03-12 |
CN1551496A (zh) | 2004-12-01 |
CN1190007C (zh) | 2005-02-16 |
EP2458735A2 (en) | 2012-05-30 |
JPWO2002035702A1 (ja) | 2004-03-04 |
EP1330026A1 (en) | 2003-07-23 |
WO2002035702A1 (fr) | 2002-05-02 |
US6909341B2 (en) | 2005-06-21 |
US20030174028A1 (en) | 2003-09-18 |
EP1330026A4 (en) | 2009-02-25 |
EP2458735A3 (en) | 2012-08-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100791708B1 (ko) | 탄성 표면파 필터 및 그 제조 방법 | |
US6297580B1 (en) | Surface acoustic wave device and production method thereof and mobile communication equipment using it | |
CN100563100C (zh) | 表面声波装置 | |
KR100489828B1 (ko) | Fbar 소자 및 그 제조방법 | |
US7602099B2 (en) | Surface acoustic wave device and method of manufacturing the same | |
US7467447B2 (en) | Method of manufacturing a SAW device | |
US6407486B1 (en) | Surface acoustic wave device | |
KR102097322B1 (ko) | 체적 음향 공진기 | |
KR20060044921A (ko) | 공진자, 필터 및 공진자의 제조 방법 | |
US9105846B2 (en) | Method of manufacturing a boundary acoustic wave device | |
CN111010134B (zh) | 体声波谐振器及其频率调整方法、滤波器、电子设备 | |
KR100560073B1 (ko) | 탄성 표면파 소자의 제조 방법 | |
KR102198535B1 (ko) | 체적 음향 공진기 | |
US8940359B2 (en) | Method of producing a microacoustic component | |
WO2024157430A1 (ja) | 圧電層作製方法及び該方法を用いたバルク音響波フィルタの製造方法 | |
TWI846876B (zh) | 體聲波共振器 | |
KR20200094995A (ko) | 체적 음향 공진기 | |
JPH08130435A (ja) | 弾性表面波装置およびその製造方法 | |
CN118100841A (zh) | 谐振器的制备方法和谐振器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
G170 | Publication of correction | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20121203 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20131202 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141210 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20151208 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20171212 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181211 Year of fee payment: 12 |