KR20020003292A

KR20020003292A - 방사원, 리소그래피 장치, 디바이스 제조방법 및 이것에의해 제조된 디바이스

Info

Publication number: KR20020003292A
Application number: KR1020010038232A
Authority: KR
Inventors: 코셀레프콘스탄틴니콜라에비치; 비요케르크프레드릭; 주카플쉬빌리기비게오르기비치; 코로브에프게니드미트리비치; 이바노프블라디미르비탈레비치
Original assignee: 에이에스엠 리소그라피 비.브이.
Priority date: 2000-07-03
Filing date: 2001-06-29
Publication date: 2002-01-12
Also published as: USRE41362E1; US6667484B2; JP4073647B2; TW518913B; JP2002124397A; EP1170982B1; US6818912B2; US20020021430A1; KR100566755B1; US20040089819A1; EP1170982A1; DE60139532D1

Abstract

방사원은 전자기적 방사선을 생성하기 위해 양극과 음극 사이의 공간속에 개스와 증기내의 방전을 일으키고 작동 개스나 증기의 플라즈마를 형성하기위한 양극과 음극를 포함한다. 상기 음극은 방전을 유발하기 위해 상기 방사원의 중심축 주위에 실질적으로 고리모양의 어퍼처(aperture)를 가지는 중공 공동(cavity)을 포함한다. 구동 개스 또는 증기는 음극 공동에 공급되고 작동 개스나 증기는 양극과 음극 사이의 중심축 주위 영역내에 공급된다. 작동 개스나 증기는 크세논, 리튬 증기 및 주석 증기를 포함할 수 있다.

Description

방사원, 리소그래피 장치, 디바이스 제조방법 및 이것에 의해 제조된 디바이스{RADIATION SOURCE, LITHOGRAPHIC APPARATUS, DEVICE MANUFACTURING METHOD, AND DEVICE MANUFACTURED THEREBY}

본 발명은 양극과 음극을 포함한 방사원에 관한 것이고, 상기 양극과 음극은양극과 음극 사이의 공간에 개스나 증기내에 방전을 일으키고 전자기 방사선을 생성하기 위해서 작동 개스나 증기의 플라즈마를 형성하도록 구성 및 배치된다. 또한 상기의 발명은 이러한 방사원을 구비하고

방사 투영 빔을 공급하는 방사 시스템;

투영 빔을 소정 패턴에 따라 패터닝하는 역할을 하는 패터닝 수단을 지지하는 지지 구조체;

기판을 고정하는 기판 테이블; 및

패터닝된 빔을 기판의 목표영역상에 투영하는 투영 시스템을 포함하는 리소그래피 투영장치에 관한 것이다.

여기서 "패터닝 수단(patterning means)"이라는 용어는 입사하는 방사선 빔에 기판의 목표영역에 생성될 패턴에 대응하는 패터닝된 단면을 가진 입사 방사선을 부여하는 데 사용될 수 있는 수단을 의미하는 것으로서 광범위하게 해석되어야 한다. 또한, 본 명세서에서는 "광 밸브(light valve)"라는 용어로도 될 수 있다. 일반적으로, 상기 패턴은 집적회로 또는 기타 디바이스와 같이 상기 목표영역에 형성될 디바이스내의 특정 기능층에 해당할 것이다(이하 참조). 그러한 패터닝 수단의 예로는 다음과 같은 것들이 포함된다.

- 마스크. 마스크의 개념은 리소그래피 분야에서 이미 잘 알려져 있고, 바이너리(binary)형, 교번 위상-쉬프트(alternating phase-shift)형 및 감쇠 위상-쉬프트형 마스크와 다양한 하이브리드 마스크 유형도 포함된다. 방사 빔 영역내에 이러한 마스크가 놓이면, 마스크의 패턴에 따라 마스크에 입사되는 방사선의 선택적인투과(투과형 마스크의 경우) 또는 반사(반사형 마스크의 경우)가 이루어진다. 마스크의 경우에 있어서, 지지 구조체는 입사하는 투영 빔 영역내의 소정 위치에 마스크를 고정시키면서 필요한 경우에는 마스크를 상기 빔에 대하여 상대적으로 이동시킬 수 있게 해 주는 마스크 테이블이 될 것이다.

- 프로그래밍 가능한 거울 배열. 이러한 장치의 예로는, 점탄성 제어층(viscoelastic control layer)과 반사면을 구비한 매트릭스-어드레서블 표면이 있다. 이러한 장치의 기본 원리는, (예를 들어) 반사면의 어드레스된 영역에서는 입사광이 회절광으로서 반사되는 한편, 어드레스되지 않은 영역에서는 입사광이 비회절광으로서 반사되는 것이다. 적절한 필터를 사용하면, 반사된 빔 중에서 상기 비회절광을 필터링하여 회절광만 남게 할 수 있다. 이러한 방식으로, 상기 빔은 상기 매트릭스-어드레서블 표면의 어드레싱 패턴에 따라 패터닝된다. 이때 요구되는 매트릭스 어스레싱은 적절한 전자적 수단을 사용하여 수행될 수 있다. 이러한 거울 배열에 관한 더 많은 정보는, 예를 들어 본 명세서에서 참고자료로 활용되고 있는 미국 특허 US 5,296,891호 및 US 5,523,193호로부터 얻을 수 있다. 프로그래밍 가능한 거울 배열의 경우에 있어서, 상기 지지 구조체는 예컨대 필요에 따라 고정되거나 이동될 수 있는 프레임 또는 테이블로서 구현될 수 있다.

- 프로그래밍 가능한 LCD 배열. 이러한 구조의 일례는 본 명세서에서 참고자료로 활용되고 있는 미국 특허 US 5,229,872호에 있다. 이 경우에도 상술한 바와 마찬가지로 지지 구조체는 예컨대 필요에 따라 고정되거나 이동될 수 있는 프레임 또는 테이블로서 구현될 수 있다.

설명을 간단히 하려는 목적에서, 본 명세서의 나머지 부분 중 어느 곳에서는 그 자체가 마스크 및 마스크 테이블을 포함하는 예시적인 용어로서 지칭될 수도 있다. 하지만, 그러한 예시에서 논의된 일반적인 원리는 상술한 바와 같은 패터닝 수단의 광의의 개념으로 이해되어야 한다.

예컨대, 리소그래피 투영장치는 집적회로(IC)의 제조에 사용될 수 있다. 이 경우에, 패터닝 수단은 집적회로의 개별층에 대응되는 회로패턴을 만들어낼 수 있고, 이 패턴은 방사선 감지물질(레지스트)층으로 도포된 기판(실리콘 웨이퍼)상의 (1이상의 다이로 이루어진) 목표영역에 결상될 수 있을 것이다. 일반적으로 한 장의 웨이퍼에는 목표영역들이 인접해 있는 전체적인 네트워크가 형성되며, 이들 목표영역은 마스크를 통해 한번에 하나씩 연속적으로 조사된다. 마스크 테이블상의 마스크에 의한 패터닝을 채용하는 근래의 장치는 두 가지 형태의 장치로 구분할 수 있다. 일 형태의 리소그래피 투영장치의 한 형태에서는 한 번에 목표영역상에 전체 마스크 패턴을 노광함으로써 각 목표영역이 조사되는데, 이러한 장치를 통상 웨이퍼 스테퍼(wafer stepper)라고 한다. 통상 스텝-앤드-스캔 장치(step-and-scan apparatus)로 불리워지는 대체장치에서는 투영 빔 하에서 소정의 기준방향("스캐닝" 방향)으로 레티클 패턴을 점진적으로 스캐닝하는 한편, 상기 스캐닝 방향과 같은 방향 또는 반대 방향으로 기판 테이블을 동기화시켜 스캐닝함으로써 각 목표영역이 조사된다. 일반적으로 투영 시스템은 배율인자(magnification factor:Ｍ)(일반적으로 <1)를 가지므로 기판 테이블이 스캐닝되는 속도(V)는 마스크 테이블이 스캐닝되는 속도의 인자 Ｍ배가 된다. 여기에 서술된 리소그래피 장치와 관련된 보다상세한 정보는 본 명세서에서 참조하고 있는 US 6,046,792호에서 찾을 수 있다.

리소그래피 투영장치를 사용하는 제조 공정에서, 패턴(예를 들어, 마스크 패턴)은 방사선 감지재료(레지스트)층이 최소한의 부분에라도 도포된 기판상에 결상된다. 이 결상단계에 앞서, 기판은 전처리(priming), 레지스트 도포 및 소프트 베이크와 같은 다양한 절차를 거칠 수 있다. 노광후에는, 노광후 베이크(PEB), 현상, 하드 베이크 및 결상된 형상의 측정/검사와 같은 또 다른 절차를 거칠 것이다. 이러한 일련의 절차는, 예를 들어 IC 디바이스의 개별 층을 패터닝하는 기초로서 사용된다. 그런 다음, 이렇게 패터닝된 층은 에칭, 이온주입(도핑), 금속화, 산화, 화학-기계적 연마 등과 같은 개별층을 마무리하기 위한 다양한 모든 공정을 거친다. 여러 층이 요구된다면, 새로운 층마다 전체 공정 또는 그 변형 공정이 반복되어져야만 할 것이다. 종국에는, 디바이스의 배열이 기판(웨이퍼)상에 존재하게 될 것이다. 이들 디바이스는 다이싱 또는 소잉 등의 기술에 의해 서로 분리된 후에, 각각의 디바이스가 운반 장치에 탑재되고 핀에 접속될 수 있다. 이와 같은 공정에 관한 추가 정보는 예를 들어, "Microchip Fabrication: A Practical Guide to Semiconductor Processing (3판, Peter van Zant 저, McGraw Hill 출판사, 1997, ISBN 0-07-067250-4)" 으로부터 얻을 수 있으며, 본 명세서에서도 참조된다.

설명을 간단히 하기 위해, 상기 투영 시스템은 이후에 "렌즈"라고 언급될 것이다. 하지만 이 용어는 예를 들어, 굴절 광학, 반사 광학 및 카타디옵트릭 시스템을 포함한 다양한 형태의 투영 시스템을 내포하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. 또한 상기 방사 시스템은 방사 투영 빔의 지향, 성형 또는 제어하는 원리들 중의 어느 하나에 따라 동작하는 구성요소를 포함할 수 있고, 이후의 설명에서는 이들 구성요소에 대하여도 집합적으로 또는 개별적으로 "렌즈"라고 언급할 것이다. 또한, 상기 리소그래피 장치는 두 개이상의 기판 테이블(및/또는 두 개이상의 마스크 테이블)을 구비하는 형태가 될 수도 있다. 이러한 "다중 스테이지" 장치에서는, 하나이상의 다른 테이블이 노광을 위하여 사용되고 있는 동안에 하나이상의 부가적인 테이블을 사용하여 병행 또는 그 예비단계를 수행할 것이다. 예를 들어, US 5,969,441호 및 WO 98/40791호에는 트윈 스테이지 리소그래피 장치가 개시되어 있으며 본 명세서에서 참조된다.

리소그래피 장치에서 상기의 웨이퍼 상에 결상될 수 있는 형상(feature)의 크기는 투영 방사선의 파장에 의해 한정지워진다. 고 밀도 디바이스, 이리하여 더 높은 동작 속도를 갖는 집적 회로를 생산하기 위해 가능하면 더 작은 형상을 결상시키는 것이 바람직하다. 현재 쓰이고 있는 대부분의 리소그래피 투영 장치는 수은 램프나 엑시머 레이져에 의해 생성된 자외선 광을 이용하는 반면, 13nm 근방의 더 짧은 파장의 방사선을 사용하는것이 제안된다. 이러한 방사선은 XUV나 EUV로도 언급되는 극 자외 방사선이라 명명된다. 일반적으로 약어 'XUV'는 소프트한 x-ray와 진공 UV영역을 합친 십분의 수 nm에서 수 십 nm까지의 파장 영역을 칭하는 반면, 'EUV'란 용어는 통상 리소그래피(EUVL)와 결합하여 사용되며 이는 상기 XUV 영역인 대략 5 내지 20nm의 방사선 영역을 칭한다.

XUV 방사선의 방사선은 플라즈마가 양극과 음극 사이의 개스 또는 증기 내의 방전에 의해 생성되고, 고온 방전 플라즈마가 플라즈마를 통해 유동하는 (펄스를갖는) 전류에 의한 Ohmic 가열에 의해 생성될 수 있는 방전 플라즈마 방사원일 수 있다. 또한, 플라즈마를 통해 흐르는 전류에 의해 생성된 자기장으로인해 다소의 체적을 갖는 플라즈마의 압축은 방전축상의 고온, 고 밀도 플라즈마를 생성하기위해 이용될 수 있다(동적 핀치 효과,dynamical pinch effect). 핀칭(pinching) 플라즈마의 운동 에너지는 직접 플라즈마 온도로 바뀌고 따라서 단파장의 방사선으로 전환된다. 동적 핀치는 방전축 상의 상당한 고온, 고밀도를 가지는 방전 플라즈마를 허용하고 열적 플라즈마 에너지, 따라서 XUV 방사선으로의 축적된 전기적 에너지의 극도로 큰 변환 효율을 제공한다.

Sematech Workshop Monterey(1999)에서 R. Lebert, K. Bergmann, G. Schriever 및 W.Neff에 의해 'EUVL을 위한 가스 방전에 기초한 방사원'이라 명명된 발표에서 플라즈마 생성을 트리거링하기 위해 중공 음극을 이용하는 것이 제안 되었다. 방전의 자기 개시(self-initiaion)의 매우 효과적인 방법은 중공 음극 내의 소위 전이 중공 음극 방전(THCD)에 의해 획득될 수 있다. Lebert 등에 의해 제안된 방사원은 작은 축상의 어퍼처를 가지는 특별이 구성된 음극을 갖춘 축-대칭 시스템이고 이것 뒤의 커다란 공동이 중공 음극 영역을 형성한다. 하지만, 중공 음극은 방전 파괴(discharge breakdown)를 일으키고, 따라서 방전축 주위의 작은 체적상이나 체적내에만 플라즈마를 생성하고, 이는 상술한 동적 핀치 효과의 (완전한) 이용을 허용하지 않는다. 또한 방전축이나 중심축 주위의 플라즈마가 차지한 체적은 일반적으로 제어하기가 용이치 않고, 압축후의 상기 방전축상의 정체는 생성된 XUV 방사선의 정확하게 타이밍된 펄스를 갖도록 하기에는 충분히 예견할 수 없다.

종래의 중심 중공 음극을 갖는 플라즈마 방전 방사원의 또다른 단점은 상기 어퍼처가 상당한 밀도를 갖는 고온 플라즈마가 생성된 플라즈마는 축 상에 존재하기 때문에 중공 음극 어퍼처의 형태를 부식시키고 변화시킬 수 있다는 점이다. 따라서 상기 어퍼처는 불가피한 축방향으로의 플라즈마 기류에 의해 손상받게 될것이며, 이것은 음극의 수명을 제한하고 방사원의 유지 보수 간격을 단축시킨다. 또한, 플라즈마를 트리거링하는 중공 음극의 적절한 기능은 어퍼처의 크기와 공동의 깊이사이의 선정된 관계에 의존적이다. 따라서, 어퍼처의 부식은 플라즈마의 트리거링 순간과 생성된 XUV 방사선 펄스의 타이밍에 바람직하지 않은 영향을 미칠 것이다.

본 발명의 목적은 전기적 에너지에서 방사선으로의 강화된 변환 효율을 위해 고온, 고밀도의 플라즈마을 생성하기위한 동적 핀치 효과의 사용을 허용하는 효과적인 자기-개시(self--initiation)을 가지는 방사원을 제공하는 것이다.

본 발명의 다른 목적은 장기 유지 기간을 가지는 방사원을 제공하는 것이다.

본 발명의 또 다른 목적은 XUV 방사선의 생성된 펄스나 샷(shot)의 잘 정의된 타이밍을 갖는 방사원을 제공하는 것이다.

도 1은 본 발명에 따른 방사원을 포함하는 리소그래피 투영 장치를 도시하고 있다;

도 2a 내지 2e는 본 발명에 따른 제1 실시예에 따른 방사원과 방전 개시, 플라즈마 생성 및 플라즈마 압축의 다양한 단계들을 도시하고 있다;

도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 방사원을 도시하고 있다;

도 4는 본 발명의 제3 실시예에 따른 방사원을 도시하고 있다;

도 5는 본 발명의 제4 실시예에 따라 캐패시터 뱅크를 충전하고 방사원의 트리거 전극에 트리거 펄스를 공급하는 회로도를 도시하고 있다;

도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 방사원을 도시하고 있다;

도 7은 도 6의 방사원 일부의 대안적인 실시예의 상세를 도시하고 있다.

본 발명에 따르면, 전자기의 방사선을 생성하기위해서 상기의 양극과 음극 사이의 공간의 개스나 증기안에서 방전을 일으키고 작동 개스나 증기의 플라즈마를 형성하도록 구성 및 배치되는 양극과 음극을 포함하고, 여기서 상기 음극은 상기 방전을 개시하기 위해서 상기방사원의 중심축 주위에 실질적으로 고리모양의 어퍼처를 가지는 중공 공동을 포함하는 방사원이 제공 된다. 작동 개스나 증기는 크세논, 리튬 증기나 주석 증기를 포함수 있다.

본 발명은 상기 방전이 방사원의 중심축으로부터 소정 거리의 고리모양 중공 음극에 의해 개시된 것이고, 동적 핀치 효과의 장점을 이용하는 것을 제공한다. 상기 방전은 초기 플라즈마를 생성하기 위해서 고리모양의 어퍼처에 상응하는 중심축으로부터의 적어도 소정 거리에서 생성된다. 양극과 음극 사이의 플라즈마를 통해 흐르는 전류는 고밀도이면서 고온의 플라즈마를 생성하기위해서 중심축을 향해 고리모양의 어퍼처에 상응하는 거리(또는 반지름)로 부터 플라즈마를 압축하는 자기장을 생성한다.

고리모양의 어퍼처 위에서 생성된 방전 플라즈마는 어퍼처의 부식을 유발하지 않는 저밀도를 갖도록 선택될 수 있다. 플라즈마의 밀도와 고리모양 어퍼처까지의 거리 모두는 중심축을 향한 압축시 증가할 것이다. 고리모양 어퍼처의 거리는 중심축상의 플라즈마의 최종 정체나 붕괴시 어퍼처의 부식을 야기하지 않기 위해서 충분히 크게 선택될 수 있다.

또한, 고리모양의 중공 음극 사이의 소정의 거리는 플라즈마 압축이 시작하는 제어반경을 제공하고, 이것은 XUV 방사선 펄스의 붕괴와 생성의 최선으로 제어가능한 타이밍을 얻는다.

바람직한 실시예로서 구동 개스나 증기는 상기의 공동에 제공된다. 또한, 작동 개스나 증기는 상기의 양극과 음극 사이의 상기 공간의 상기 중심축 주위의 구역내에 편리하게 공급된다. 이러한 실시예에서 XUV 방사선 펄스의 생성에 대한 제어가 개선된다.

중공 음극은 실제적 특징을 갖는 자체-정리된(self-organised) 효과적 방전 개시를 위해 높은 재현성과 함께 높은 반복률이 달성될 수 있는 것을 제공한다. 상기의 동작은 기본적으로 자동적으로 트리거링될 수 있다. 방전과 XUV 방사선 펄스 생성의 정확한 타이밍을 더욱 증진시키기 위해서, 본 발명에 따른 방사원의 바람직한 실시예는 공동내에 삽입된 트리거 전극을 포함한다. 방사원이 거의 자동 트리거링(auto-triggering)이 되려는 상태에 있을때, 트리거 전극에 공급된 전압 펄스는 처리가 트리거할 공동 내부의 전기장 교란을 야기할 것이다. 자동 트리거링 타이밍의 불확실성은 이런 방식으로 트리거 전극에 인가되는 트리거 펄스를 정확히 시간조절함으로써 제거될 것이다. 적절한 전기 회로가 상기의 트리거 전극에 전압 펄스를 인가하기 위해 채용된다.

안정적인 쇼트 대 쇼트(shot to shot) 전기 저장 에너지와 양극과 음극에의 급속한 전기 에너지 공급을 제공하기 위해서, 방사원은 상기 양극과 음극에 연결된 캐패시터를 포함할 수 있고 또한 상기 캐패시터에 연결되고, 추가 캐패시터와 상기 캐패시터와 상기 추가 캐패시터를 전기적으로 연결하는 변압기를 포함하는 충전회로를 포함할 수 있다. 스위치는 상기 추가 캐패시터에 의해 상기 캐패시터의 충전을 제어할 수 있고 전력원에 의해 상기 추가 캐패시터의 충전을 제어할 수 있다.

전기 절연체는 양극과 음극을 분리하기 위해 제공될 것이다. 리튬 증기나 주석 증기에 의한 절연체의 등급저하를 방지하기 위하여, 상기 증기가 제공된 상기 양극과 음극 사이의 상기 공간의 영역과 상기 전기적 절연체 사이의 경로는 상기경로를 따라서 응축하도록 상기 증기를 위한 공간을 형성하기 위해서 구성 및 배치된다.

본 발명의 다른 형태에 따르면

- 방사 투영 빔을 제공하기위한 방사 시스템;

- 소정 패턴에 따라 투영빔을 패터닝 하도록 작용하는 패터닝 수단을 지지하기 위한 지지 구조체;

- 기판을 고정하기 위한 지지 테이블; 및

- 기판의 목표 영역상에 패터닝된 빔을 투영하기 위한 투영시스템을 포함하고,

상기 방사 시스템은 상술한 바와 같은 방사원을 포함하는 리소그래피 투영 장치가 제공된다.

또한 본 발명은

- 적어도 부분적으로는 방사선 감지 물질층에 의해 도포된 기판을 제공하는 단계;

- 상술된 방사원을 포함하는 방사 시스템을 사용하여 방사 투영 빔을 제공하는 단계;

- 단면내에 일정 패턴을 가진 투영 빔을 부여하는 패터닝 수단을 이용하는 단계; 및

- 방사선 감지 물질층의 목표영역상에 방사선의 패터닝된 빔을 투영하는 단계를 포함하는 디바이스 제조 방법을 제공한다.

비록 본 명세서에서는 본 발명에 따른 장치를 사용함에 있어 집적회로의 제조에 대해서만 특정하여 언급하였으나, 이러한 장치가 여러 다른 응용례를 가지고 있음은 명백히 이해될 것이다. 예를 들어, 상기 장치는 집적 광학 시스템, 자기영역 메모리용 유도 및 검출 패턴, 액정표시패널, 박막 자기헤드 등의 제조에도 이용될 수 있다. 당업자라면, 전술한 기타 응용분야들을 고려할 때, 본 명세서에서 사용된 "레티클", "웨이퍼" 또는 "다이"와 같은 용어가 "마스크", "기판" 및 "목표영역" 등과 같은 좀 더 일반적인 용어로 각각 대체되어 있음을 이해할 것이다.

본 명세서에서, "방사선" 및 "빔"은 자외선(예를 들어 365㎚, 248㎚, 193㎚, 157㎚ 또는 126㎚의 파장을 갖는) 및 EUV(예를 들어, 5 내지 20nm 범위의 파장을 갖는 극자외선)를 포함하는 모든 형태의 전자기 방사를 내포하는 것으로 사용된다.

제 1 실시예

개략적으로 도 1은 상기 발명의 특정한 실시예에 따른 리소그래픽 투영 장치를 묘사하고 있다. 상기 장치는

- XUV 방사선의 투영 빔 PB를 공급하기위한 방사 시스템 (Ex, IL) (이러한 특정의 경우에, 상기 방사 시스템은 방사원(LA)을 포함함);

- 마스크(MA)(예를 들어, 레티클)를 고정하는 마스크 홀더가 장착되고, 아이템(PL)에 대하여 마스크를 정확히 위치시키는 제1위치설정수단에 연결된 제1대물테이블(마스크 테이블)(MT);

- 기판(W)의 목표영역(C)(예를들어, 레지스트가 코팅된 실리콘 웨이퍼)를 잡아주는 마스크 홀더가 장착되고, 아이템(PL)에 대하여 기판을 정확히 위치시키는제2위치설정수단에 연결된 제2대물테이블(기판 테이블)(WT): 및,

- 기판(W)의 목표영역(C)(예를 들어, 한개 이상의 다이를 포함함)상에 마스크(MA)의 조사된 부분을 결상하는 투영 시스템("렌즈")(PL)을 포함한다.

도시된 바처럼, 상기 장치는 반사형이다(즉 반사형 마스크를 구비gka). 하지만, 일반적으로는 예를 들어(투과형 마스크를 구비한) 투과형일 수도 있다. 대안적으로는, 상기 장치는 상술한 바와 같은 형의 프로그래밍 가능한 거울 배열과 같은 패터닝 수단의 다른 종류를 이용할 수 있다. EUV(XUV) 방사선을 전달할 물질이 알려진바 없기 때문에, 일반적으로 렌즈 또한 반사 요소들로 구성된다.

방사원(LA)(예컨데, Hg 램프, 엑시머 레이저, 레이저나 방전 플라즈마 소스 또는 방사선의 빔을 생성하는 싱크로트론이나 스토리지 링내의 전자 빔의 경로 주위에 제공된 언듈레이터)은 방사선의 빔을 만든다. 상기 빔은 곧바로 조명 시스템(일루미네이터)(IL)에 들어 가거나, 예를 들어 빔 확장기(Ex)와 같은 컨디셔닝 수단을 거친 다음에 조명 시스템으로 들어간다. 상기 일루미네이터(IL)는 빔 강도 분포의 외측 및/또는 내측 반지름 크기(통상 각각 σ-외측 및 σ-내측이라고 함)를 설정하는 조절 수단(AM)을 포함하여 이루어진다. σ-외측 및 σ-내측의 설정("시그마 설정")은 예를 들어, 기판에서 상기 투영 빔에 의해 전달되는 방사선 에너지의 각도 분포에 영향을 미친다. 또한 그것은 일반적으로 집적기(IN) 및 집광기(CO)와 같은 그 밖의 다른 다양한 기기들을 포함하고 있다. 이러한 방식으로, 마스크(MA)에 입사되는 빔(PB)은 그 단면이 소정의 균일성과 세기 분포를 갖게 된다.

도 1과 관련하여, 상기 방사원(LA)은 리소그패픽 투영장치의 하우징내에 놓이지만(예컨대, 간혹 방사원(LA)이 수은 램프인 경우에서 처럼), 그것이 리소그래피 투영장치와 멀리 떨어져서 그것이 만들어 낸 방사 빔이 (가령, 적당한 지향 거울에 의해) 장치 내부로 들어오게 할 수도 있다. 본 발명과 청구 범위는 이러한 두 경우를 모두 포함하고 있다.

상기 빔(PB)은 마스크테이블(MT)상에 고정된 마스크(MA)를 통과한다. 마스크(MA)를 가로 지른 빔(PB)은 렌즈(PL)를 통과하여 기판(W)의 목표영역(C)위에 빔(PB)의 초점을 맞춘다. 제2위치설정수단(및 간섭계 측정수단(IF))에 의해, 기판테이블(WT)은, 예를 들어 빔(PB)의 경로내에 상이한 목표영역(C)을 위치시키도록 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제1위치설정수단은 예를 들어, 마스크 라이브러리로부터 마스크(MA)를 기계적으로 회수한 후에, 또는 스캐닝하는 동안에 빔(PB)의 경로에 대하여 마스크(MA)를 정확히 위치시킬 수 있도록 사용될 수 있다. 일반적으로 대물테이블(MT, WT)의 이동은, 도 1에 명확히 도시되지는 않았지만, 긴 행정 모듈(long stroke module)(개략 위치설정) 및 짧은 행정 모듈(미세 위치설정)의 도움을 받아 행해질 것이다. 하지만, (스텝-앤드-스캔 장치와는 대조적으로) 웨이퍼 스테퍼의 경우에는 마스크 테이블(MT)은 단행정 액추에이터에 연결되어 있거나 고정되어 있을 수도 있다.

상술한 장치는 다음의 두가지 상이한 모드로 사용될 수 있다.

1. 스텝 모드에서는, 마스크테이블(MT)은 기본적으로 정지상태로 유지되며, 전체 마스크 이미지는 한 번에(즉, 단일 "섬광"으로) 목표영역(C)으로 투영된다. 이후 기판테이블(WT)이 x 및/또는 y 방향으로 쉬프트되어 상이한 목표영역(C)이빔(PB)에 의해 조사될 수 있다.

2. 스캔 모드에서는, 소정 목표영역(C)이 단일 "섬광"으로 노광되지 않은 것을 제외하고는 동일한 시나리오가 적용된다. 그 대신에, 마스크테이블(MT)이ν의 속도로 소정 방향(소위 "스캐닝 방향", 예를 들어 y 방향)으로 이동 가능해서, 투영 빔(PB)이 마스크 이미지의 모든 부분을 스캐닝하도록 되고, 동시에 기판테이블(WT)은 속도 V=Mv로, 동일한 방향 또는 그 반대 방향으로 동시에 이동하며,이 때 M은 렌즈(PL)의 배율(통상 M=1/4 또는 M=1/5)이다. 이러한 방식으로, 해상도를 떨어 뜨리지 않고도 비교적 넓은 목표영역(C)이 노광될 수 있다.

도 2a 내지 2e는 본 발명에 따른 방전 플라즈마 방사원을 도시하고 있다. 방사원은 원주형 대칭이고 전기적으로 절연한 원주형 벽(30)에 의해 연결된 양극 (10)과 음극(20)을 포함한다. 어퍼처(11)는 방사원으로부터 전자기 방사선을 통과시키기위해 중심축(A)상의 양극(10)의 영역내에 만들어진다. 음극(20)에는 중심축(A)주위의 고리모양의 어퍼처(21)이 제공되고, 추가로 어퍼처(21) 뒤의 큰 공동(22)이 제공된다. 또한 공동(22)은 또한 중심축(A) 주위에 고리모양의 형상을 가지며 공동의 벽은 음극(20)의 일부이다. 적절한 전기적 회로는 (도 2a-e에 도시되지는 않은) 방사원 내부의 양극-음극 갭을 지나 펄스를 갖는 전압(V)를 제공하기위해 양극(10)과 음극(20)에 연결된다. 또한, 소정 압력 (p)에서의 크세논이나 리튬 증기와 같은 적합한 작동 개스와 증기는 양극과 음극 사이에 제공된다.

방전은 타운젠드 이온화가 효과가 없도록 전자 평균 자유 경로가 양극과 음극의 갭의 크기에 비하여 큰, 낮은 초기압(p < 0.5 Torr)과 높은 전압(V < 10kV)상태에서 발생할 수 있다. 이상의 상태는 개스나 증기의 밀도비(E/N)에 비해 큰 전기장 세기에 의해 특성화 될 것이다. 이 단계는 도2a에 도시된 고정된 전위차를 갖는 비교적 동일한 간격을 갖는 등전위선(EP)를 도시하고있다.

상기 이온화 성장은 초기에 상당히 낮은 밀도비(E/N)에서 작동하는 중공 음극 내부의 경과(event)에 의해 지배되고 전자들에 대한 더 작은 평균 자유 경로를 초래한다. 중공 음극(20)으로부터의, 공동(22) 내의 구동 개스 또는 증기로부터 유도된 전자(e)는 양극-음극 갭속으로 주입되고 계속되는 이온화로 가상의 양극이 생성되며 이 가상의 양극은 중공 캐서드(20)을 향해 양극(10)으로 부터 전파되어 불균일하게 분포된 등전위선(EP)에 의해 도 2b에 도시된 것처럼 상기 음극에 가까운 최고의 양극 전위를 일으킨다. 그때 상기 음극(20)의 중공 공동(20) 내부 전기장은 이제 상당히 강화된다.

중공 음극 내부의 고 밀도 플라즈마 영역의 빠른 성장으로 이어지는 다음 단계에서, 상기 이온화는 음극 어퍼처(21) 바로 뒤에서 계속된다. 결국, 상기 구역으로부터 상기 양극-음극 갭 으로의 강한 전자빔의 주입은 최종 절연 파괴 채널을 형성한다. 상기 형상은 방전 체적 내부의 브레이크다운(breakdown) 및 균일한 예비-이온화를 제공한다.

도 2c는 방전이 개시되었고 작동 개스와 증기의 플라즈마가 양극 음극 갭에서 생성된 것을 도시하고 있다. 전류가 음극(20)에서 양극(10)까지의 플라즈마 내로 계속 흐를것이며, 이 전류는 방사원 내에서 자계 강도(H)를 갖는 방위각의 자기장을 유도할 것이다. 상기 방위각의 자기장은 도 2c에서 도시한 것 처럼 플라즈마로 하여금 원주형 벽(30)으로부터 이격시키고 압축하게끔 할 것이다.

방위각의 자기장의 압력이 열적 플라즈마의 압력보다 훨씬 크기때문에( H²/8π>> nkT ) 플라즈마의 동적 압축은 도 3d에 도시한 것 처럼 발생할 것이고 여기서 n은 플라즈마 입자 밀도를, k는 볼츠만 상수 및 T는 플라즈마의 절대온도를 나타낸다. 도 2상에 도시되지는 않았지만, 양극(10)과 음극(20)에 연결된 캐패시터 뱅크 내에 저장된 대부분의 전기적 에너지는 플라즈마 압축의 전 기간동안 동적 내파(kinetic implosion)의 에너지로 효과적으로 전환될 것이다. 높은 공간적인 안정성을 지니는 균질하게 채워진 핀치가 생성된다.

플라즈마 압축의 최종단계 즉 중심축(A) 또는 방전축상의 플라즈마 정체에서, 플라즈마의 운동(kinetic) 에너지는 완전히 플라즈마의 열 에너지로 전환되고 마지막에는 XUV 및 EUV 범위내에 매우 큰 분포를 갖는 전자기 방사선으로 전환된다.

본 발명에 따른 방사원은 진공 환경과 방사원의 용이한 인터페이스를 제공하고 방출 체적내의 보다 나은 예비-이온화를 제공하기 위해서 양극-음극 갭내의 작동 개스의 낮은 초기압력에서 작동될 수 있다. 또한, 낮은 초기압과 중공 음극 개념은 양극-음극 갭을 가진 캐패시터 뱅크의 직접적인 전기적 결합을 허용한다. 낮은 초기압력은 방전축(A)상의 고밀도로 된 핀칭된 플라즈마를 생성하도록 고리모양 중공 음극의 합리적인 반경에 의해 보상된다. 상기의 결과로 인한 밀도는 총 방사된 전력이 제곱된 밀도에 비례하기 때문에 중요하다. 고리모양의 중공 음극과 방전축 사이에서 더 큰 거리를 선택하는 것에 의해 더 높은 밀도를 가진 핀칭된 플라즈마가 획득된다.

또한 도 2a에서 도 2e과 근거해 설명된 과정들은 이하에 설명된 본 발명의 실시예에 적용될 것이다.

제 2실시예

도 3은 본 발명에 따른 방사원의 제 2 실시예를 도시하고 있다. 도 3은 전기 절연체(30)에 의해 분리되어 있고 캐패시터 뱅크(40)에 연결된 양극(40) 및 음극(20)의 구성을 도시하고 있다. 방사원의 중심부는 중심축(A)을 주위로 원주형 대칭형태이다. 또한 도 3은 중심축(A) 주위에 고리모양의 음극 어퍼처(21)과 고리모양의 캐서트 공동(22)을 도시하고 있다.

구동 개스와 증기는 공동 내부에 저압을 제공하기 위해서 입구(25)를 거쳐 공동(22)에 공급된다. 본 실시예에서는 아르곤(Ar)을 구동 개스로 취하지만, 기본적으로는 예를들어 헬륨(He), 네온(Ne) 및 수소(H₂)와 같은 개스도 적합하다. 특히 수소는 EUV 영역내에서 방사선을 적게 흡수하기때문에 선호될 것이다. 공동(22) 내부의 구동개스는 양극과 음극 사이에 방전을 시작하는 전자원으로서 사용된다. 작동 개스 또는 증기의 배압, 혹은 기타의 개스 또는 증기가 존재하는 몇가지 적용례에서는, 별도의 구동 개스 또는 증기가 분배 되는 것이 음극 공동(22) 내에서 충분하다는 것을 알게 될 것이다.

음극 공동(22)은 중심축(A) 주위 영역내의 양극-음극 갭속에 작동 개스 또는증기를 분출하는 작동 개스 또는 증기원(60)을 둘러싼다. 상기의 작동 개스나 증기는 플라즈마로서 그것의 스펙트럼 방출을 위해 선택된다. 본 실시예는 대략 13.5nm에서 매우 강력한 방출선을 위해 리튬(Li)을 사용한다. 또한 전자기 방사선 스펙트럼의 XUV(및 EUV)의 영역내에 광범위한 방출 스펙트럼을 갖는 크세논(Xe)이 사용될 수 있다. 또다른 선택은 리튬 대신에 주석(Sn)을 사용하는 것이다. 도시된 리튬원(60)은 가열기(61)에 의해 액체나 증기로 전환되는 고체 리튬을 함유한 컨테이너(62) 아래에 가열기(61)를 포함한다. 기화된 리튬은 레이발(Laval) 노즐(63)을 통해 양극-음극 갭에 도달한다.

트리거 전극(50)이 음극 공동(22) 내로 삽입된다. 전극(50)은 도 2b 및 도 2c에 관련하여 설명된 방전을 시작하기 위해서 전극에 전압 펄스를 인가하기 위한 적절한 전기회로(도3에 도시되지는 않은)에 연결된다. 도 2b에 도시된 상태에서, 방사원은 자동-트리거링에 가깝다. 트리거 전극(50)에 인가된 전압 펄스는 음극 공동(22) 이내의 전기장의 교란을 야기하고, 이것을 중공 음극의 트리거링, 절연 파괴 채널의 형성 및 이어서 음극(20)과 양극(10) 사이의 방전을 일으킬 것이다. 트리거 전극(50)은 음극 공동(22)내의 축(A)를 둘러싼 링을 포함하고 외부 전자회로에 연결된다.

붕괴된 플라즈마로부터 방전된 방사선은 진공 챔버벽내의 개구부(71)를 통해 배출되는 진공 챔버(70)내로 양극(10)의 개구부(11)을 통과할 것이다. 플라즈마와 부스러기 입자들도 역시 개구부(11)를 지나 나갈 수 있다. 플라이휠 셔터(80)는 이들 입자들이 투영 시스템(PL)으로의 XUV 방사선의 방사선 경로내의 어떤 광학적 요소들에 도달하는 것을 방지하기 위해 방출되는 XUV 방사선 펄스가 없을때 이들 입자들을 차단하기위해 존재한다.

제 3 실시예

도 4는 제2 실시예의 변형예이며 중심축(A)에서의 플라즈마 붕괴로부터 캐서드(20)의 영역을 차폐하는 본 발명의 제3 실시예를 도시하고 있다. 양극(10)과 음극(20) 모두는 "모자형" 구조를 갖는다. 고리모양의 음극 공동(22)과 어퍼처(21)는 모자형 구조의 바닥면에 위치하고 있다. 어퍼처(21)에서의 방전에 의해 생성된 플라즈마는 위쪽으로 그리고 중심축(A)를 향하여 "코너 주위로" 압축할 것이다. 또한, 양극(10)과 음극(20)의 위치는 상호 교환된다. 음극(20)은 구성의 외측에 위치하고 진공 챔퍼(70)로 XUV 방사선을 보내기위해 어퍼처(23)를 포함한다. 이 실시예에서 트리거 전극(50)은 음극 공동(22)내에 삽입된 바늘형태의 전극을 갖는다.

하지만, 본 실시예에서 작동 개스나 증기 또는 리튬 증기의 밀도는 방전과 플라즈마를 생성하는 음극(20)의 고리모양의 어퍼처(21)에서 너무 낮을 수 있다. 실시예 3에서, 방사원은 구동 개스내에 방전을 생성하기 위해 고리모양의 어퍼처(21)의 영역내의 양극-음극 캡내에 충분히 고압의 구동 개스나 증기(본 실시예에서는 Ar)를 생성하도록 구성된다. 생성되는 구동 개스의 플라즈마는 중심축(A)를 향해 압축하기 시작할 것이며, 소정의 지점에서 작동 개스나 증기의 플라즈마를 생성하기위해 충분히 높은 압력의 작동 개스나 증기를 만나게 되고, 그 후 중심축(A)상에 정체할 때까지 더욱 압축할 것이다. 구동 개스나 증기의 플라즈마는 충분히 높은 압력의 작동 개스나 증기중에 도달하기 위하여 우선 "코너 주위"로 가야한다.

제 4 실시예

도 5는 본 발명의 제4 실시예에 따른 방사원의 전자회로(100)를 도시하고 있으며, 상술된 실시예와 함께 사용 될 것이다. 또한, 전기회로(100)와 트리거 전극(50)이 중심 중공 음극을 구비한 방전 플라즈마 방사원과 함께 사용될 것이지만, 유리하게는 고리모양의 중공 음극 형태로 사용된다.

회로(100)에서 AC전압은 정류기(101)에 의해 정류되고, 전기적으로 제어가능한 스위치(110)의 폐쇄된 상태로 제1 캐패시터 뱅크(C1)에 인가될 것이다. 스위치(110)은 적절한 펄스를 인가시킴으로써 폐쇄된 상태로 된다. 제1 캐패시터(C1)는 후속하는 XUV 방사선 펄스들 사이의 시간 간격보다 (약간) 짧은 시간 간격동안 공칭 전압이 충전된다.

첫번째 캐패시터(C1)가 충전되면, 제2 전기적 제어가능 스위치(120)가 5-10J 범위의 저장된 에너지를 가진 3-5kV범위의 작동 전압으로 수 마이크로초 이내에 변압기(TV1)을 통해 두번째 캐패시터 뱅크(C2)를 충전하기 위해서 폐쇄된다. 두번째 캐패시터 뱅크(C2)는 방사원의 양극과 음극에 연결된다. 두번째 캐패시터 뱅크(C2)는 도 3과 4에 도시된 캐패시터 뱅크 (40)에 해당한다.

캐패시터 뱅크(C2)는 양극(10)과 음극(20)사이에서 방전이 일어날때 방전할 것이다. 상기 방전은 캐서트 공동(22)내에 삽입된 트리거 전극(50)을 사용하는 상기 발명의 두번째 실시예에 따라 설명된 것처럼 트리거링될 수 있다. 전압 펄스는 두번째 변압기(TV2)를 거쳐서 트리거 전극(50)에 공급될 것이다.

도 6은 모세관 작용에 의해 리튬이나, 주석(Sn)등의 또 다른 적절한 물질이 양극-음극의 갭으로 보내지는 구조를 포함하는 본 발명의 또 다른 실시예를 도시하고 있다. 실시예 5는 아래에 설명된 것을 제외하곤 이전의 실시예와 같다. 상기 구조는 일례로 3mm의 내경을 가지는 튜브(90)의 형태를 취할 수 있으며, 튜브(90)의 일단은 액상 리튬을 만들기위해 (300℃ 이상의) 온도로 가열기(61)에 의해 가열되는 리튬 배스(bath)(62)속에 삽입된다. 액상 리튬은 모세관 작용에 의해 튜브의 내부 통로로 빨아들여지고 다른 끝으로 이동된다. 이 끝에서 리튬은 (대략 700℃로) 또다른 가열기(91)에 의해 가열되어 튜브로부터 양극-음극 갭으로 보내진다. 리튬은 일반적으로 축(A)을따라 정점에 이르는 소정 각의 프로파일을 따른 튜브로 떠날 것이다. 튜브 개구부의 크기에 따라 리튬은 열의 각도(코사인) 분포보다 날카롭게 정점에 이르는 각도의 프로파일을 갖고 분출하면서 튜브를 떠날 수도 있다.

도 7은 양극-음극 갭에서 모세관 현상에 의해 리튬을 이송하기위한 도 6상의 튜브(90)을 대체할 수도 있는 다공성 로드(95)를 도시하고 있다. 챔버(96)는 리튬 배스(62)를 벗어나서 다공성 로드를 통해 이송된 리튬을 모으기위해 양극-음극 갭 근처의 로드(95)의 끝에 제공된다. 개구부(97)는 양극-음극 갭으로 달아나는 리튬을 위해 챔버내에 제공된다. 개구부의 크기, 챔버내 리튬의 온도(700℃정도의 온도로 가열기(91)에 의해 가열됨) 및 챔버내에 작용하는 리튬의 압력에 따라 리튬은 축(A)을 따라 날카롭게 정점에 이를 수도 있는 소정 각도의 프로파일을 갖고 분출하면서 개구부(97)를 떠날 것이다.

또한 도 6은 양극 및 음극 사이의 전기 절연물(30)이 리튬이 양극 및 음극갭내에 도입되는 영역으로부터 소정 거리에 위치되는 것을 나타낸다. 리튬은 양극과 음극 사이에 제공된 세라믹 절연체(ceramic isolator)와 화학적으로 반응할수도 있어 절연체를 부식시키고 및/또는 전기적으로 전도성이 되도록 하며 이들 모두는 회피되어야 한다. 결국 양극 음극 갭내의 리튬 증기가 절연물(30)에 도달하는 것을 막기위해 대비책이 강구된다. 리튬 증기가 절연물(30)에 도달하기 전에 리튬 증기를 응축하도록 방책이 강구되고 응축된 리튬이 모아져 리튬 배스(62)로 옮겨질 수 있다.

도 6은 플라즈마가 형성되는 양극 음극 갭의 뜨거운 영역과 절연물(30)사이의 거리가 충분히 길고 좁은 경로를 따르는 소정의 지점에서 기화된 리튬의 '빙점'이 제공되는 온도를 가지는 상기 경로(150)를 제공함을 도시하고 있다. 상기 경로는 상기 경로의 벽과 충돌시 리튬 증기를 냉각시키기위해 충분히 길고 좁다. 또한, 상기 경로는 도 6의 오른쪽에 도시된 것처럼 상기 벽과 리튬 증기 사이에 충돌 횟수를 증가시키기 위해 구부러진 확장 경로(stretch)(151)를 가질 수도 있다. 또한, 냉각 요소(152)는 왼쪽에 도시된 경로를 따라 제공될 수 있다. 경로(150)은 축(A)을 에워싸는, 양극(10)에 전기적으로 연결된 상부벽(155) 및 음극(20)에 전기적으로 연결된 하부벽(156)이 도시된 실시예가 나타나 있다.

리튬을 응축하기 위해서, 상기 경로를 따르는 빙점의 온도는 대략 300℃이거나 이하의 온도여야 한다. 리튬 배스에 용이하게 모아지고 돌려 보내지도록 하기위해 리튬 액체를 대략 300℃의 온도로 유지할 것이다. 도 6으로 부터 중력에 의한 액체 유동이 리튬 배스(62)를 향해 상기 경로의 아래쪽으로의 액체 유동을 행함으로써 어떻게 상술한 바가 달성될 수 있는지는 분명하다.]

본 발명의 특정한 실시예가 상술되었지만, 상기 발명은 상술한 것과 달리 실행될 수 있다. 상기 설명은 상기 발명을 제한하려고 의도되지는 않는다.

본 발명에 따르면 통해 전기적 에너지에서 방사선으로의 강화된 변환 효율을 위해 고온, 고밀도의 플라즈마을 생성하기위한 동적 핀치 효과의 사용을 허용하는 효과적인 자기-개시(self--initiation)를 가지고, 장기 유지 기간을 가지며, XUV 방사선의 생성된 펄스나 샷의 잘 형성된 타이밍을 갖는 방사원을 제공할 수 있다.

Claims

전자기 방사선을 생성하기 위하여 양극과 음극 사이의 공간의 개스나 증기내의 방전을 일으키고 작동 개스나 증기의 플라즈마를 형성하도록 구성 및 배치되는 양극 및 음극을 포함하고, 상기 음극은 상기 방전을 개시하기 위해서 방사원의 중심축 주위에 실질적으로 고리모양의 어퍼처를 가진 중공 공동을 포함하는 것을 특징으로 하는 방사원.
제1항에 있어서,

상기 공동은 방사원의 중심축 주위에 실질적으로 고리모양의 형태를 갖는것을 특징으로 하는 방사원.
제1항 또는 제2항에 있어서,

구동 개스나 증기는 상기 공동에 공급되는 것을 특징으로 하는 방사원.
제3항에 있어서,

상기 구동 개스는 헬륨(He), 네온(Ne), 아르곤(Ar) 및 수소(H₂)를 포함하는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 방사원.
제1항 내지 제4항중 어느 한 항에 있어서,

상기 작동 개스나 증기는 상기 양극과 음극 사이의 상기 공간의 상기 중심축 주위의 영역내에 공급되는 것을 특징으로 하는 방사원.
제5항에 있어서,

상기 작동 개스나 증기는 상기 중심축을 따라 공급되는 것을 특징으로 하는 방사원.
제1항 내지 제6항중 어느 한 항에 있어서,

상기 작동 개스나 증기는 크세논(Xe)을 포함하는 것을 특징으로 하는 방사원.
제1항 내지 제7항중 어느 한 항에 있어서,

상기 작동 개스나 증기는 리튬 증기 및 주석(Sn) 증기를 포함하는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 방사원.
제8항에 있어서,

상기 방사원은 리튬 및 주석중의 적어도 하나를 포함하는 물질을 고정하기 위한 홀더, 상기 물질의 증기를 생성하기 위해서 상기 홀더를 가열하기 위한 히터 및 상기 양극과 음극 사이의 상기 공간에 상기 증기를 안내하기 위한 구조체를 포함하는 것을 특징으로 하는 방사원.
제8항에 있어서,

상기 방사원은 리튬 및 주석중의 적어도 하나를 포함하는 물질을 고정하기 위한 홀더, 상기 물질의 액체를 생성하기 위해서 상기 홀더를 가열하기 위한 히터 및 모세관 작용에 의해 상기 양극과 음극 사이의 상기 공간으로 상기 액체를 안내하기 위한 구조체를 포함하는 것을 특징으로 하는 방사원.
제8항 내지 제10항중 어느 한 항에 있어서,

전기 절연체가 상기 양극과 음극 사이에 제공되고, 상기 증기가 제공되는 상기 양극과 음극 사이의 상기 공간 영역과 상기 전기 절연체 사이의 경로는 상기 경로를 따라 응축하는 상기 증기를 위한 공간을 형성하도록 구성 및 배치되는 것을 특징으로 하는 방사원.
제1항 내지 제11항중 어느 한 항에 있어서,

트리거 전극은 상기 공동내에 삽입되는 것을 특징으로 하는 방사원.
제12항에 있어서,

상기 방사원은 상기 트리거 전극에 전압 펄스를 인가하도록 구성 및 배치된 전기 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 방사원.
제13항에 있어서,

상기 전기 회로는 1차측 및 2차측 권선을 가지는 변압기를 포함하고, 상기 1차측 권선은 상기 전압 펄스의 전원에 연결되고 상기 2차측 권선은 상기 음극 및 상기 트리거 전극에 연결되는 것을 특징으로 하는 방사원.
제1항 내지 제14항중 어느 한 항에 있어서,

상기 방사원은 예를들어 5 내지 20nm의 영역, 특히 9 내지 16nm의 파장을 가지는 극 자외 방사선의 투영 빔을 생성하도록 채택되는 것을 특징으로 하는 방사원.
방사 투영 빔을 제공하기 위한 방사 시스템;

투영 빔을 소정 패턴에 따라 패터닝하는 역할을 하는 패터닝 수단을 지지하는 지지 구조체;

기판을 고정하는 기판 테이블; 및

기판의 목표 영역상에 패터닝된 빔을 투영하기위한 투영 시스템을 포함하며,

상기 방사 시스템은 제 1항 내지 제15항 중 어느 한 항에 따른 방사원을 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영 장치.
제16항에 있어서,

상기 지지 구조체는 마스크를 고정하기 위한 마스크 테이블을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
적어도 부분적으로 방사선 감지 물질의 층으로 덮여 있는 기판을 제공하는 단계;

제1항 내지 제15항 중 어느 한 항에 따른 방사원을 포함하는 방사 시스템을 이용하는 방사 투영 빔을 제공하는 단계;

투영 빔에 단면 패턴을 부여하는 패터닝 수단을 이용하는 단계; 및

방사선 감지 물질층의 목표 영역상에 방사선의 패터닝된 빔을 투영하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법.
제18항의 방법에 따라 제조된 디바이스.