JPH01296596A - プラズマx線発生装置 - Google Patents

プラズマx線発生装置

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JPH01296596A
JPH01296596A JP63125720A JP12572088A JPH01296596A JP H01296596 A JPH01296596 A JP H01296596A JP 63125720 A JP63125720 A JP 63125720A JP 12572088 A JP12572088 A JP 12572088A JP H01296596 A JPH01296596 A JP H01296596A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
conductor
plasma
creeping discharge
insulator
insulating body
Prior art date
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Pending
Application number
JP63125720A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshihiko Sato
俊彦 佐藤
Isao Ochiai
落合 勲
Yasuo Kato
加藤 靖夫
Yukio Okamoto
幸雄 岡本
Seiichi Murayama
村山 精一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
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Publication of JPH01296596A publication Critical patent/JPH01296596A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Landscapes

  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • X-Ray Techniques (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、プラズマX線発生装置に係わり、特に超L 
S I製造に用いられるX線リソグラフィーやX線顕微
鏡などに好適なX線発生装置に関する。
〔従来の技術〕
従来の装置は、特願昭61−114448号に記載のよ
うに、第2図の如き構成となっていた。すなわち、真空
容器4の中に設けた内導体1と外感体2の間にコンデン
サ5からスイッチ6通じて大電流を供給し、絶縁体3の
表面に沿面放電を発生させこれを初期プラズマとし、こ
のプラズマを進展させ、放電空間8に2ピンチ効果によ
り高温高密度のプラズマを発生させ、この高温高密度プ
ラズマからX線を発生させた。ここで、4′は気体の導
入孔、4”は気体の排出孔、2′は前記外導体2に設け
たX線取り出し開孔、7はX線取り出しのためのベリリ
ウム膜を示す。
〔発明が解決しようとする課題〕
上記従来技術は、初期プラズマが絶縁体表面に均一に、
再現性良く生成するための配慮がされておらず、X線強
度の値がばらつくという問題があった。同時に、このよ
うなばらつきによって、X線強度の平均値も低く抑えら
れていた。
本発明の目的は、上記の問題点を解決し、強度が安定し
た高出力のプラズマX線発生装置を提供することにある
〔課題を解決するための手段〕
本発明は前記絶縁体表面または前記絶縁体内に、前記内
外導体と直流的には絶縁され、交流的には結合さ才して
いる導体を、付着あるいは埋め込んだ構造を用いること
によって前記従来の問題点を解決したものである。
〔作用〕
絶縁体内に埋め込まれた導体を、1−リガ導体と呼ぶこ
とにする。第1図aにトリガ導体11の配置を示した。
同図すには1へリガ導体1コの周辺の拡大説明図も示し
である。I・リガ尋体]]は、交流的には、外導体2と
容量CIで、内導体]と容量C2で結合されている。内
外瀦体]、2間にパルス電圧が印加されると、電圧は、
C1とC2の容量の逆比で分圧されるが、図からもわか
るように、絶縁体3の誘@率が高く、内厚体]と十分接
近しているとすれば、C2とCsに比べて十分大きい。
従って、印加電圧は大部分外導体2と1−リガ導体11
の間の沿面部分にかかり、この部分には、容易に放電破
壊を生起する。放電破壊が生起した後には、トリガ感体
は外導体2に心通しておす、しかも前記放電破壊によっ
て得られた荷電粒子が種と成るので、残りの絶縁体表面
には、均一に、再現性良く沿面放電を生起せしめること
ができる。〔実施例〕 本発明の実施例を第1図および第3図乃至第5図に示す
第1図は、本発明の第1の実施例を示す。内外導体1及
び2と真空容器4は、W −Cu合金等からなる円筒状
導体電極である。内外導体1,2の間には、高誘電率で
、しかも誘電損失が少なく、高耐圧特性を有する、アル
ミナ等のファインセラミックス等からなる円筒状絶縁体
3が配置されている。絶縁体3には、リング状、または
、直流的には、内外導体1,2の双JJから絶縁された
扇状のトリガ電極1]が同軸状に埋め込まれている。
ところで、1〜リガ8体は交流的Fこは、内外導体に容
量を介して結合されている。トリガ電極1]の材質は、
LaBe等の、低仕事関数の金属を用いるとよい。4は
、ステンレス等からなる真空容器であり、容器中には、
Ne等の、プラズマ源となる気体がOi〜1.0Tor
r程度入れられている。
7は、Be箔等からなる軟X線のと取り出し窓である。
5は、大容量で高速のコンテンサ電源(1〜100μド
)であり、]〜50 k、 V程度に充電される。6は
、エアギャップスイッチなとの大電流スイッチである。
スイッチ6が閉しられると、正極性のパルス電圧が内導
体1に加わる。このことによって、トリガ電極11と、
外導体2の間の絶縁体表面で沿面放電が発生し、これが
予備電離の効果を発揮して、絶縁体3全体を包み込むよ
うな均一な沿面放電が発生し、内導体1と外導体2間に
大電流が流れる。
この大電流によって発生する磁気圧によってプラズマは
、均一性を保ったまま絶縁体3の表面から離れ、ディス
ク状のプラズマシートを形成し、さらに内導体1の先端
に達すると自己圧縮加熱され。
軟X線を発生する。自己圧縮加熱を正常に起こすには、
均一な沿面放電を発生させることが重要で、このために
、トリガ電極11が有効に作用する。
第3図に、第2の実施例を示す。
この実施例は、トリガ感体の形状を円筒系にし、内厚体
との対抗面積を広くして、容量的な結合を増加させたも
のである。その他の部分は、第1図の実施例と同じであ
る。
第4図に、第3の実施例を示す。ここでは、コンデンサ
ハングの極性が逆になっており、また、同軸状絶縁体3
は、外導体2に接触した配置になっている。沿面放電開
始の時点で、電子源は1〜リガ湛体11であるので、ト
リガ導体11は、外心体との間の容量的結合が強くなる
ように配置されている。他の部分は、第1の実施例と同
じである。
第5図(a)に、第4の実施例を示す。この実施例では
、金属の薄い帯や、薄板等の導体片を適当な間隔で絶縁
体表面に付着させたものをI〜リガ導体14としたもの
である。この時、絶縁体3の第1導体1の周囲での内径
と外径の差を十分小さくして、各導体片の内海体との容
量的結合が、十分取れるようにしである。同図(b)に
は、同図(a)の破線部の拡大図を示した。拡大図で、
CI□+ c、2. Cps、  ・・・・・等は、各
導体片と内導体の聞の容量である。Cs 1g C,i
 S 2 + Cs s 、   等は、導体片間の容
量である。ただし、Cs1は、外導体に一番近い導体片
と、外心体との間の容量である。
ここでは、C工+ > Cs 1. CI 2 > C
S 21   等となっている。この構成で、内外導体
間にパルス電圧か加わると、外導体2に最も近い導体片
と外導体の間の絶縁体3表面で沿面放電が生ずるととも
に、外導体2とこの導体片]4が速やかに同電位となり
、隣接した導体片との間に沿面放電が起こることになる
。この過程が次々に伝搬して行き、均一な沿面放電が発
生する。
〔発明の効果〕
本発明によれば、均一な沿面放電を再現性良く発生でき
るのできるので、X線強度のばらつきの少ない(1,0
%以下に抑えられる)X線発生装置が得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の第1の実施例のX線発生装置の縦断面
図およびトリガ湛体部の拡大断面図、第2図は従来のプ
ラズマ軟X線発生装置の縦断面図、第3乃至第5図は、
本発明の他の実施例のX線発生装置の縦断面図である。 ■・内心体、2・・外導体、3 ・絶縁体、4・・放電
容器、5・コンデンサ、6 放電スイッチ、7ベリリウ
ム窓、8・放電空間、1. i、 、  1 /1.−
1〜リガ導体片。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、少なくとも正負二つの電極を持ち、前記電極の両方
    に接触して配置された絶縁体を持ち、前記電極間にパル
    ス電圧を印加する手段を具えたプラズマX線発生装置に
    おいて、前記絶縁体表面または前記絶縁体内に、前記内
    外導体と直流的には絶縁され、交流的には結合されてい
    る導体を、付着あるいは埋め込んだことを特徴とするプ
    ラズマX線発生装置。
JP63125720A 1988-05-25 1988-05-25 プラズマx線発生装置 Pending JPH01296596A (ja)

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002007484A3 (en) * 2000-07-04 2002-04-25 Lambda Physik Ag Method of producing short-wave radiation from a gas-discharge plasma and device for implementing it
JP2004504706A (ja) * 2000-07-04 2004-02-12 ランブダ フィジク アクチェンゲゼルシャフト 気体放電プラズマから短波長放射線を生成する方法及びそのための装置
JP2006260948A (ja) * 2005-03-17 2006-09-28 Kyoto Univ X線発生装置を備えたイオナイザ
JP2008084656A (ja) * 2006-09-27 2008-04-10 Kyoto Univ X線照射型イオナイザ
USRE41362E1 (en) 2000-07-03 2010-06-01 Asml Netherlands B.V. Radiation source, lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby

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JP4880179B2 (ja) * 2000-07-04 2012-02-22 エクストリーム テクノロジーズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 気体放電プラズマから短波長放射線を生成する方法及びそのための装置
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