KR20020000867A - 실시간 유동 측정 및 수정용 광범위 가스 유동 시스템 - Google Patents

실시간 유동 측정 및 수정용 광범위 가스 유동 시스템 Download PDF

Info

Publication number
KR20020000867A
KR20020000867A KR1020017012258A KR20017012258A KR20020000867A KR 20020000867 A KR20020000867 A KR 20020000867A KR 1020017012258 A KR1020017012258 A KR 1020017012258A KR 20017012258 A KR20017012258 A KR 20017012258A KR 20020000867 A KR20020000867 A KR 20020000867A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
pressure
mass flow
flow rate
gas
calibration volume
Prior art date
Application number
KR1020017012258A
Other languages
English (en)
Inventor
브라운티모시알.
쥬드대니얼알.
Original Assignee
사이버 인스트루먼트 테크놀러지 엘엘씨
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=23239950&utm_source=***_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=KR20020000867(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by 사이버 인스트루먼트 테크놀러지 엘엘씨 filed Critical 사이버 인스트루먼트 테크놀러지 엘엘씨
Publication of KR20020000867A publication Critical patent/KR20020000867A/ko

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05DSYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
    • G05D7/00Control of flow
    • G05D7/06Control of flow characterised by the use of electric means
    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05DSYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
    • G05D7/00Control of flow
    • G05D7/06Control of flow characterised by the use of electric means
    • G05D7/0617Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials
    • G05D7/0629Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials characterised by the type of regulator means
    • G05D7/0635Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials characterised by the type of regulator means by action on throttling means
    • G05D7/0641Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials characterised by the type of regulator means by action on throttling means using a plurality of throttling means
    • G05D7/0658Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials characterised by the type of regulator means by action on throttling means using a plurality of throttling means the plurality of throttling means being arranged for the control of a single flow from a plurality of converging flows
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01FMEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
    • G01F1/00Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow
    • G01F1/05Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow by using mechanical effects
    • G01F1/34Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow by using mechanical effects by measuring pressure or differential pressure
    • G01F1/50Correcting or compensating means
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01FMEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
    • G01F1/00Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow
    • G01F1/76Devices for measuring mass flow of a fluid or a fluent solid material
    • G01F1/86Indirect mass flowmeters, e.g. measuring volume flow and density, temperature or pressure
    • G01F1/88Indirect mass flowmeters, e.g. measuring volume flow and density, temperature or pressure with differential-pressure measurement to determine the volume flow
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01FMEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
    • G01F15/00Details of, or accessories for, apparatus of groups G01F1/00 - G01F13/00 insofar as such details or appliances are not adapted to particular types of such apparatus
    • G01F15/02Compensating or correcting for variations in pressure, density or temperature
    • G01F15/04Compensating or correcting for variations in pressure, density or temperature of gases to be measured
    • G01F15/043Compensating or correcting for variations in pressure, density or temperature of gases to be measured using electrical means
    • G01F15/046Compensating or correcting for variations in pressure, density or temperature of gases to be measured using electrical means involving digital counting
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T137/00Fluid handling
    • Y10T137/0318Processes
    • Y10T137/0396Involving pressure control
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T137/00Fluid handling
    • Y10T137/7722Line condition change responsive valves
    • Y10T137/7758Pilot or servo controlled
    • Y10T137/7759Responsive to change in rate of fluid flow
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T137/00Fluid handling
    • Y10T137/7722Line condition change responsive valves
    • Y10T137/7758Pilot or servo controlled
    • Y10T137/7761Electrically actuated valve

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Fluid Mechanics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Measuring Volume Flow (AREA)
  • Flow Control (AREA)
  • Details Of Flowmeters (AREA)

Abstract

본 발명은 질량 유동율을 실시간으로 정확히 측정하고 선택적으로 조절하는 가스 전달 시스템에 대한 것이다. 이 시스템은 흡입구 밸브, 교정 체적, 유동 제한기 및 배출구 밸브를 직렬로 연결하는 유체 도관을 포함한다. 압력 및 온도 센서가 교정 체적에 커플링된다. 차압 센서 또는 한 쌍의 차압, 절대 압력 또는 게이지 압력 센서가 유동 제한기에 걸쳐 부착될 수 있다. 다르게는, 절대 압력 센서가 유동 제한기의 상류측에 부착될 수 있다.

Description

실시간 유동 측정 및 수정용 광범위 가스 유동 시스템{Wide range gas flow system with real time flow measurement and correction}
반도체 제조 공정과 같은 많은 공업용 공정(industrial process)들은 "반응 용기(reaction vessel)"이라고도 불리는 처리실에 가스를 정확히 전달하는 것에 의존한다. 이러한 처리실은 몇몇 경우에서의 매우 고압으로부터 다른 경우의 매우 낮은 압력에 걸친 다양한 압력에서 작동한다. 가스 전달 시스템의 정확도와 안정성은 전체 제조 공정에 있어 매우 중요하다. 이러한 시스템의 주 목적은 규정된 질량의 가스를 정확히 전달하는 것이다. 질량과 체적 간의 관계가 일정하지 않고 다른 인자들에 의존하므로, 순전히 체적 유동 제어만을 하는 장치는 별로 유용하지 않다.
역사적으로, 공학자들은 처리용 가스의 유동을 제어하기 위해 열적 질량 유동 제어기(thermal mass flow controller)를 사용하였다. 전체 가스 전달 시스템에서, 이들 열적 질량 유동 제어기는 다양한 필터, 압력 변환기, 제어 밸브와 연계하여 제공된다. 이들 구성요소들은 일반적으로 강철 튜브(steel tubing) 및 다양한 기계적인 커플링(mechanical coupling)에 연결된다. 일반적인 연결 구성(connection scheme)은 용접, 경납땜(brazing), 다양한 재사용가능한 부착물(fittings)을 포함한다. 이러한 부착물에는 진공 밀폐식 미캐니컬 시일(vacuum-tight mechanical seal)을 형성하기 위해 압축하에 유지되는 탄성체 또는 금속으로 이루어진 시일을 사용한다.
도 1은 예시적인 열적 질량 유동 제어기(100)를 도시한다. 가스는 먼저 가스 흡입구(102)를 들어간 후, 유동(103) 경로를 따라 나아간다. 흡입구(102) 다음에는, 가스는 바이패스 제한기(104; bypass restrictor) 주위로 흐른다. 바이패스 제한기(104)에 걸쳐 형성되는 압력 강하(pressure drop)로 인해, 정해진 분량의 가스가 유동(107) 경로의 모세관(106; capillary tube)으로 전환된다. 다단계 가열기 권선(105; multi-stage heater winding)은 모세관(106) 둘레에 감겨 있다. 권선(105)은 여러 단자(105a 내지 150c)를 포함하며, 본 예에서는 개수가 3개이다. 가스가 모세관(106)을 나감에 따라, 주요 가스 유동(108; main gas stream)과 재결합하여 제어 밸브(112)로 계속 나아가는 결합된 유동(111)을 형성한다. 제어 밸브(112)는 밸브 권선과 자석(114)과 플런져(116; plunger)를 포함한다. 플런져(116)의 위치는 질량 유동 제어기를 지나가는 가스 유동의 량을 조절한다. 보다 넓게 플런져를 설정하면 보다 많이 가스가 유동하게 하는 반면, 플런져를 보다 좁게 설정하면 가스가 보다 적게 유동한다. 제어 전자장치(112)는 후술하는 바와 같이, 원하는 가스 유동을 이루기 위해 플런져 위치를 조절한다. 제어 밸브(112) 다음에는, 가스는 경로(118)로 유동하여 최종적으로 가스 배출구(120)에서 질량 유동 제어기(100)를 나간다. 가스 배출구(120)는 다른 "하류측(downstream)" 배관(plumbing; 도시되지 않음)을 통해 처리실로 통할 수 있다.
질량 유동 제어기(100)는 하기의 원리로 작동한다. 모세관(106; 유동(107))을 지나 흐르는 유체의 질량은 바이패스 제한기(104) 주위의 유동량에 직접적으로 비례한다. 그러므로 장치를 지나는 전체 유동을 나타내는 측정량을 제공한다. 그러므로, 유동(107)의 가스의 질량과 정해진 수를 곱하면 주요 가스 유동(108)의 가스의 질량과 같다. 가스 유동(107, 108)량의 합은 가스 유동(103)량과 같다. 질량 유동 제어기(100)는 모세관, 바이패스 유동 경로 및 제어 밸브의 상대적인 사이즈 및 형상을 고려하여 특정 유동 범위에 대해 제조될 수 있다.
질량 유동 측정 방법의 한 방법에 따르면, 전류가 단자(105a) 내지 단자(105c) 사이의 가열기 권선(105)을 통해 지나간다. 가열기 권선(105)의 저항은 공지된 방식으로 온도와 함께 변화한다. 그러므로, 권선(105)이 휘트스톤 브리지(Wheatstone bridge)로 작동하면, 단자(105b)는 측정점으로서 사용될 수 있다. 가스가 모세관(106)을 통해 유동함에 따라, 가스의 열적 질량(thermal mass)은 권선의 제 1 부분(단자(105a)와 단자(105b) 사이)으로부터 권선의 제 2 부분(단자(105b)와 단자(105c) 사이)으로 열을 전달한다. 질량 유동의 량은 열 전달량을 결정하며, 이는 권선(105a 내지 105b)과 권선(105b 내지 105c) 사이의 전압불균형에 직접적으로 비례한다. 이러한 전압 불균형은 모세관(106)에서 유동하는 질량의 량을 나타낸다. 모세관(106)을 지나는 질량의 량을 안다면, 유동(103)의 질량의 전체 량을 상술한 바와 같이 쉽게 계산될 수 있다.
이러한 측정 원리의 다른 변형이 또한 사용되어 왔다. 예를 들어, 단일 가열기 권선과 두 개의 온도 측정 장치가 유동으로 인한 열전달을 측정하기 위해 사용될 수 있다. 다른 변형으로서, 유동으로 인해 모세관을 따라 정해진 온도 하강을 유지하기 위해 가열기 권선의 하나 또는 모두를 통해 가변량(variable amount)의 전류가 흐를 수 있다.
작동시에, 제어 전자장치(122)가 폐루프 피드백 시스템(closed loop feedback system) 하에서 플런져의 위치조정을 조절한다. 즉, 전자장치(122)는 (모세관(106)에 의해 측정된)검출된 질량 유동과, (입력값으로 제공되는)원하는 질량 유동을 비교한다. 그 다음, 이러한 비교에 근거하여, 전자장치(122)는 이에 응답하여 플런져(116)의 위치를 좁히거나 개방한다.
질량 유동 제어기는 가스 전달 시스템의 가장 중요한 부분 중의 하나이다. 불행히도, 공지된 질량 유동 제어기는 이러한 시스템에서 가장 신뢰성이 낮은 부분 중의 하나일수도 있다. 질량 유동 제어기는 모세관, 권선, 바이패스 제한기 및 제어 밸브의 설정이 매우 상이하게 제조되어 왔다. 그럼에도 불구하고, 몇몇 상이한 인자(factor)들은 질량 유동 교정에 바람직하지 않은 편차를 일으키며 바람직하지 않은 성능을 일으킨다. 어떤 액상 또는 다른 오염물질이 바이패스 제한기 주위의 영역에 형성되면, 유동(107)과 유동(103) 간의 관계가 변하며, 장치의 전체교정(calibration)이 변화된다. 유동 경로 내에서 바이패스 유동 경로 등에서 형성되는 응축 현상은 교정 오차의 또다른 원인이다. 권선의 노화와, 이 권선과 모세관 외측 사이의 열적 접촉 성질은 장기간의 교정 드리프트(calibration drift)를 일으킨다. 권선의 열을 받음으로 인한 처리용 가스의 화학 조성 변화는 공정 상태에 영향을 미칠 수도 있다.
다른 유동율 제한기 시스템이 케네디(Kennedy)의 미국 특허 제 4,285,245호에 있다. 케네디의 특허는 고정된 체적의 측정실에서의 압력 감소를 측정하고, 측정된 압력 손실값(pressure drop)을 압력 강하 시간으로 나누어 압력 감소율을 계산한다. 이러한 계산된 감소율은 체적 유동율에 직접적으로 관련이 있다. 비록 케네디의 시스템은 그 의도한 목적에는 유용할 수 있지만, 질량 유동율을 정밀하게 제어하고자 하는 용도에는 부적절할 수 있다. 특히, 가스의 질량은 체적에 항상 비례하지는 않으며, 그 이유는 이러한 관계가 절대 압력과 온도와 같은 인자들의 영향하에서 변할 수 있기 때문이다. 또한, 케네디의 시스템에서는 질량 유동율이 작게 증가하는 변화를 검출하지 못할 수 있는데, 왜냐하면 본 발명자들이 인식하는 바에 따르면 케네디의 시스템은 어떠한 연속적 또는 실시간 측정 및 유동 제어 수단도 구비하지 않기 때문이다. 그러므로, 케네디의 접근 방법은 질량 유동을 정확하게 제어하고자 하는 용도에는 만족스럽지 않을 수 있다. 반도체 제조 라인에서, 처리용 가스가 잘못 전달되면 매우 많은 비용이 소요될 수 있다. 몇몇 경우에, 처리용 가스가 처리실 내의 실리콘 웨이퍼에 부정확하게 전달되면, 그 웨이퍼는 못쓰게 된다. 그리고, 더 큰 실리콘 잉곳(ingot)을 사용할수록 경제성이 보장되므로,이러한 넓은 실리콘 웨이퍼는 손상되어 폐기처분시, 보다 많은 비용이 소모된다. 또한, 이러한 오류가 발생하는 경우에, 질량 유동 제어기를 수리 또는 교환하고 다시 생산라인을 재개하는 것 또한 많은 비용이 소요된다. 많은 경우에, 가동 휴지시간(manufacturing downtime)은 시간당 125,000달러 이상의 수입을 잃을 수 있다.
이러한 제한을 고려할 때, 공지된 질량 유동 제어기는 특정한 해결되지 않은 문제점으로 인해 몇몇 용도에는 완전하게 적합하지는 않다.
본 발명은 처리실(processing chamber)로 매우 정확한 양의 가스를 전달하는 것을 요구하는 제조 공정에 대한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 처리실에 가스를 전달하는 동안 가스 유동을 정확하게 측정하는 개선된 가스 유동 시스템에 관련한 것이다. 이러한 측정에 따라 가스 유동을 조절하기 위해 부가적인 작업이 수행될 수 있다.
도 1은 공지된 질량 유동 제어기의 블록 선도.
도 2는 본 발명에 따라 부동 기준 차압 변환기를 사용하여 실시간으로 유동을 측정, 조절 및 수정하는 광범위 가스를 전달하는 질량 유동 제어 시스템의 하드웨어 구성요소 및 상호 접속부를 도시하는 블록 선도.
도 3은 본 발명에 따라 부동 기준 차압 변환기가 유동 제한기와 병렬로 장착되는, 다른 실시예의 가스 전달 질량 유동 제어 시스템의 하드웨어 구성요소 및 상호 접속부를 도시하는 블록 선도.
도 4는 본 발명에 따라, 상이한 처리용 가스를 갖는 공유된 기준 체적과 다중 경로(multiple path)를 갖는 가스 유동 제어기의 하드웨어 구성요소 및 상호 접속부를 도시하는 블록 선도.
도 5는 본 발명에 따르는 디지털 데이터 처리 장치의 블록 선도.
도 6은 본 발명에 따르는 예시적인 신호전달매체의 도면
도 7a 및 도 7b는 하류측 질량 유동을 제어하여 가스 전달 질량 유동 제어 시스템을 작동하기 위한 작동 순서의 순서도.
넓게는, 본 발명은 처리실에 가스를 전달하는 동안 가스를 정확하게 측정하는 개선된 가스 유동 시스템에 대한 것이다. 이러한 유동 측정에 따라 가스 유동을 정확하게 조절하는 부가적인 단계가 수행될 수 있다. 질량 유동 시스템은 흡입구 밸브, 교정 체적(calibration volume), 유동 제한기 및 배출구 밸브를 직렬로 연결하는 유체 도관을 포함한다. 압력 및 온도를 감지하는 장치가 교정 체적에 커플링된다. 일 실시예에서, 하류측 질량 유동 센서는 두 개의 압력 변환기를 포함하는 부동 기준 차압 센서(floating reference differential pressure sensor)를 포함한다. 제 1 변환기가 유동 제한기의 도관 상류측에 부착되고, 제 2 변환기가 유동 제한기의 도관 하류측에 부착된다. 각각의 변환기는 기준 압력원(reference source)으로부터 기준 압력을 받고, 이 기준 압력에 대한 압력을 측정한다.
작동에 있어서, 질량 유동 시스템은 표준의 분당 입방 센티미터(sccm)와 같은 적절한 단위로 원하는 질량 유동율을 규정하는 "목표 질량 유동율" 또는 "설정점(set point)"의 고객의 시방서(specification)를 수신한다. 설정점을 수신하기전 또는 수신한 후에, 교정 체적은 방출되고 기준 압력이 부동 기준 차압 변환기(floating reference differential pressure transducer)를 교정하도록 조정된다. 다음에, 가스 유동이 시작된다. 이 가스 유동 중에, 교정 체적에서의 절대 압력 측정과, 유동 제한기에 걸친 차압 측정을 포함하는 측정이 반복적으로 수행된다; 이러한 측정은 "측정된 질량 유동율"을 정하기 위해 사용된다. 가스 유동을 제어할 필요가 있으면, 가스 유동은 측정된 유동율이 목표 질량 유동율에 도달할 때까지 적절한 제어값을 사용하여 무한반복식으로 조정된다. 교정 체적에 온도/압력 감지 장치를 사용하여, 실제 질량 유동율의 반복 계산이 실제 질량 유동율과 측정된 질량 유동율사이의 차이점을 밝히기 위해 이루어진다. 불일치함이 밝혀졌을 때에는, 측정된 유동율을 계산하는 방법이 상기 불일치를 나타내기 위해 "급히(on the fly)" 수정된다. 가스 유동 제어가 필요하면, 그 다음에, (수정된)측정된 질량 유동율이 목표 질량 유동율과 일치할 때까지 가스 유동율이 조정된다.
유동 제한기의 상류측에 장착된 단일 압력 감지 장치 또는 유동 제한기와 병렬로 장착된 단일 다이어프램(diaphragm) 타입 압력 변환기, 열적 질량 유동 센서와 같은, 하류측 질량 유동 센서의 다른 실시예가 또한 공개되어 있다.
따라서, 일 실시예에서, 본 발명은 가스 전달 질량 유동 측정 시스템의 작동 방법을 제공하도록 실시될 수 있다. 다른 실시예에서, 본 발명은 가스 전달 질량 유동 측정 시스템과 같은 장치를 제공하도록 실시될 수 있다. 또 다른 실시예에서, 본 발명은 가스 전달 질량 유동 측정 시스템을 작동시키는 작업을 수행하기 위해 디지털 데이터 처리 장치에 의해 수행가능한 장치가 판독가능한 지령(machine-readable instruction)으로 이루어진 프로그램을 포함하는 신호전달매체(signal-bearing medium)를 제공하도록 실시될 수 있다. 다른 실시예는 가스 전달 질량 유동 시스템을 작동시키는 작업을 수행하도록 설정된 다중 상호접속된 전기전도성 소자를 갖는 논리 회로에 관한 것이다.
본 발명은 사용자에게 다수의 별개의 장점을 제공한다. 주로, 본 발명은 가스 전달 중에 개별적인 질량 유동 측정하고 보다 정확하게 가스 유동을 측정(선택적으로 조절)하기 위해 측정값을 비교하여 정확한 처리용 가스 전달을 보장한다. 본 발명의 질량 유동은, 본 발명이 "실시간"으로 실제 가스 전달 중에 가스 유동을 반복적으로 측정하며 이러한 측정을 보정하므로 보다 정확하다. 본 발명은 일 실시예에서 부동 기준 차압 변환기를 사용하여 가스 유동율을 보다 정확하게 측정할 수 있다. 종래 기술과는 대조적으로, 이러한 부동 기준 차압 변환기는 보다 넓은 측정 범위 및 보다 높은 분해능을 제공한다. 다른 장점으로서, 부동 기준 차압 변환기는 부식성 가스와 함께 사용될 수 있다. 왜냐하면 변환기의 상하기 쉬운 배면측(back side)이 주의깊게 조절되는 압력의 안전한 가스(safe gas)를 포함하고 있는 기준 도관(reference conduit)에 커플링되어 격리되어 있기 때문이다.
또한, 본 발명은 그 용도가 다양하여 유익하다. 또한, 반도체 제조 용도 외에도, 본 발명은 창(window), 금속 등을 코팅하기 위해 가스를 정학히 전달하는데 사용될 수 있다. 본 발명은 하기의 발명의 상세한 설명으로부터 명백해지는 바와 같이 다수의 다른 장점을 제공한다.
본 발명의 목적, 장점 및 특징은 첨부한 도면과 연계하여 하기의 상세한 설명을 읽으면 보다 용이하게 이해될 수 있다.
본 발명의 특질, 목적 및 장점은 첨부한 도면과 연계하여 하기의 상세한 설명을 숙고한 후에는 당업자에게 명확히 이해될 것이다. 상술한 바와 같이, 본 발명은 처리용 가스를 처리실에 전달하는 중에 질량 유동을 정확히 측정하고, 이러한측정을 보정하고, 선택적으로 가스 유동을 조정하는 개선된 가스 전달 질량 유동 시스템에 대한 것이다. 이러한 측정은 교정 체적에서의 상류측 센서와, 하류측의 유동 제한기에서의 하나 이상의 센서를 함께 사용하여 이루어진다.
2단 가스 유동 기술의 해석
상술한 바와 같이 모세관을 사용하는 열적 가스 유동 제어기와는 대조적으로, 1999년, 2월 2일 공개된 윌머(Wilmer)의 미국 특허 제 5,865,205호에는 다른 타입의 전달 시스템이 나타나 있다. 윌머의 시스템은 알려진 체적의 레저버(reservoir)를 사용하며, 이 레저버는 처리(process) "방식(recipe)" 단계가 시작될 때 가스로 채워진다. 레저버 내의 가스의 온도 및 압력이 측정되어 레저버 내에 있는 가스의 초기 질량을 측정한다. 레저버로부터 처리실로의 가스 유동은 자가교정식(self-calibrating) 동적 유동 회로의 제어하에 가변 유동 제어 밸브에 의해 계량된다. 처리실로의 가스 유동이 종료된 후, 레저버에 잔류하는 가스의 온도 및 압력이 다시 측정되어 레저버에 잔류하는 가스의 최종 질량이 측정된다. 가스의 초기 질량값과 최종 질량값이 비교되어 상기 방식(recipe) 단계 중의 레저버로부터 방출된 가스의 실제 질량이 측정된다. 이러한 값은 시스템 교정 상수를 갱신하기 위해 교정 서보 루프(calibration servo loop)로의 입력값으로서 작용한다.
그러므로, 윌머의 시스템은 2단 가스 전달 과정을 사용하며, 이 과정은 (1) 먼저, 가스가 레저버로부터 처리실로 전달되고, (2) 가스 유동이 종료된 후, 레저버 내의 전달 후의 가스 온도 및 압력이 측정되는 것이다. 전달 후의 측정은 시스템을 "오프라인(off-line)" 즉, "실시간"이 아니게 교정하는 것을 돕는데 사용된다.
윌머의 시스템은 모세관 및 이에 연관된 제약을 성공적으로 생략하였지만, 본 발명자들은 윌머의 접근 방법에 대해 다른 개선점이 있지 않을까하는 관점에서 분석하였다. 이러한 노력의 일환으로, 본 발명자들은 유동 측정 자체를 수정하는 것이 아니라 설정점을 수정하는 윌머의 접근 방법이 실제 유동 신호 또는 값을 수신하는 제 2 감시 장치 또는 시스템을 사용할 수 없다는 인식되지 않은 제약이 있음을 주목하게 되었다.
다른 제약으로서, 윌머의 유동 제어 방법은 가스 유동이 음속으로 오리피스를 지나가는 것을 요구하므로, 이러한 노출로부터 용액 변질(solution alteration), 화학적 해리, 또는 재료 특성에 바람직하지 않은 다른 효과로 인해 악영향을 받고 있는 처리 물질(process material)의 전달에 대해 어떤 작용을 가할 가능성이 제거된다.
윌머의 접근 방법의 다른 제약으로서, 가스 유동 제어기 교정이 자주 수행되지 않으며, 이는 윌머의 가스 유동 제어기 교정은 처리가 수행된 후에 오프라인 상태에서만 수행될 수 있기 때문이다. 즉, 윌머의 접근 방법은 공정 수행 중에 얼마나 많은 전체 가스가 실제로 유동하였는가를 측정하기 위해 공정이 수행된 후에 레저버에 잔류하는 가스의 압력 및 온도를 측정한다. 비록 최종 수행 후의 유동 측정의 정밀도를 확인하는데는 유동하지만, 이 기술은 사실상, 처리 수행시마다 한번밖에 재교정(recalibration)하는 것이 제한된다. 보다 자주 교정하는 것이 유익한 응용예에 대해, 윌머의 접근 방법은 부적절하다. 또한, 윌머의 접근 방법은 전달 후의 교정이 사실상 의미가 없는, 일회 수행 가스 전달 공정(single run gas delivery process)에 대해서는 전적으로 부적절하다.
하드웨어 구성요소 및 상호접속부
시스템 구조
서론
본 발명의 한 특징은 가스 유동 시스템에 대한 것이며, 이는 도 2의 시스템(200)에 도시된 바와 같이 다양한 하드웨어 구성요소와 상호접속부에 의해 실시된다. 상기 시스템(200)은 유동 경로(214), 전자장치 모듈(213), 처리실(215) 및 폐기물 배출구(252)를 포함한다. 대체로, 유동 경로(214)는 반도체 제조 공정, 코팅 공정 또는 처리실(215)에서 일어나는 다른 공정에 사용하기 위해 처리 가스를 사용자가 선택한 질량 유동율로 처리실(215)에 정확히 안내한다. 이를 제외한 시간에는, 유동 경로(214)는 이 경로(214)의 구성요소로부터 가스를 제거(purging)하기 위해 폐기물 배출구(252)로 가스를 안내한다.
전자장치 모듈(213)은 유동 경로(214) 내의 다양한 전기적으로 조작되는 구성요소들을 제어하며, 다른 구성요소로부터 전기적으로 표현된 측정값을 수신한다. 하기의 설명에서, 전자장치 모듈(213)은 전기 전도성 와이어 또는 버스(bus)에 의해 이러한 구성요소에 결합(coupling)된다. 그러나, 광, 전파, 음파 등을 이용하는 무선 전송, 광섬유 라인과 같은 다른 적절한 접속 수단이 사용될 수 있다.
처리실 및 폐기물 배출구
공정 진행 중에, 처리실(215)은 유동 경로(214)로부터의 처리용 가스의 목적지이다. 처리실(215)에서, 처리용 가스는 가스와 상호작용하도록 처리실(215)에 위치된 재료와 상호작용한다. 이러한 상호작용은 코팅, 반응, 에칭, 적층(deposition), 화학 결합(chemical bonding) 등을 포함한다. 일례로서, 유동 경로(214)로부터의 처리용 가스는 집적 회로, 플랫 패널 디스플레이 등의 제조 공정 중에 반도체 재료에 적용될 수 있다. 다른 예로서, 유동 경로(214)로부터의 처리용 가스는 윈도우(window), 금속, 플라스틱 또는 다른 완전히 상이한 재료를 코팅하기 위해 사용될 수 있다.
처리실(215)은 처리될 재료를 유지하기 위해 충분한 사이즈의 용기를 포함한다. 반도체 제조에 사용되는 것과 같은, 처리실의 구조는 당업계에 공지되어 있으므로 더 이상 설명하지 않는다.
폐기물 배출구(252)는 유동 경로(214)로부터의 처리용 가스를 안내할 위치를 제공한다. 일례로, 경로(214)는 유틸리티 가스(utility gas)를 경로(214)로 내려보내 최종적으로 폐기물 배출구(252)로 배출하여 제거될 수 있다. 또한, 폐기물 배출구(252)는 다른 용도를 갖는다. 제조 공정이 진행 중에, 유틸리티 가스가 "기준 도관"을 지나, 최종적으로 폐기물 배출구(252)를 나가도록 안내될 수 있다. 이는 교정 중에 유용하며, 특정한 부동 기준 압력 변환기를 사용하는 것은 후술한다.
몇몇 경우에, 유동 경로(214)로부터의 처리용 가스가 유동성이 아니면, 폐기물 배출구(252)는 대기중으로 통하는 배기 포트(vent or exhaust port)일 수 있다. 다른 경우에, 폐기물 배출구(252)는 적절한 저장 시설, 진공 펌프 또는 다른 적절한 진공화(evacuation) 및 방출 수단으로의 배관을 포함할 수 있다. 반도체 제조에 사용되는 것과 같은 폐기물 배출구의 구조는 당업계에 공지되어 있으므로, 더 이상 설명하지 않는다.
비록, 유동 경로(214) 및 전자장치 모듈(213)이 본 발명의 다양한 특징을 실시하지만, 본 발명의 용도를 예시하고자 하는 목적을 위해서만, 처리실(215)과 같은 다른 구성요소가 예시되어 있다.
유동 경로
유동 경로(214)는 처리용 가스 및 유틸리티 가스를 안내하고, 처리용 가스 경로(214a) 및 유틸리티 가스 경로(214b)를 포함한다. 처리용 가스는 처리실(215)로 안내되며, 여기에 위치된 재료에 처리용 가스가 적용된다. 다소의 예를 제공하면, 처리용 가스는 질소, 산소, 오존, 실란(silane), 아르곤, 염화탄화수소(chlorinated hydrocarbon) 등일 수 있다. 유틸리티 가스는 처리실(215)의 재료에 적용하는 것 외의 목적을 위해 사용된다. 예를 들어, 유틸리티 가스는 유동 경로(214a)를 지나 폐기물 배출구(252)로 보내져, 유동 경로(214a)를 세척할 수 있다.
다른 응용예에서, 처리용 가스가 유동 경로(214a)를 지나가는 동안, 유틸리티 가스는 후술하는 바와 같이, 유동 경로(214a) 내의 부동 기준 차압 변환기를 교정하기 위해 유동 경로(214b) 내에서 가압하에 적용될 수 있다. 이러한 목적을 위해 사용될 때, 유틸리티 가스는 양호하게는 질소와 같은 비부식성이고 순수하며 수분을 포함하지 않은 물질을 포함한다. 이러한 특성은 후술하는 바와 같이, 유틸리티 가스가 부동 기준 차압 변환기의 화학적으로 민감한 배면측을 손상하지 않음을 보장하는 것을 돕는다.
유동 경로(214)에 대해 보다 상세하게 설명하면, 경로(214)는 "기준 가스" 유동 경로(214b)로 통하는 유틸리티 가스 입구(258)를 포함한다. 경로(214b)는 조정가능한 유동 제어 밸브(211), 기준 도관(261), 유동 제한기(212)를 포함한다. 선택적으로, 유동 경로(214b)의 구성요소의 순서는 유동 제어 밸브(211)와 유동 제한기(212)의 위치가 바뀌어 제어 밸브(211)가 기준 도관(261)의 하류측에 위치되고 유동 제한기(212)가 상류측에 위치되도록 재배치될 수 있다. 이들 구성요소와 그 작동은 하기에 상술한다.
입구(258)와 유동 경로(214b)에 부가하여, 유동 경로(214)는 "처리용 가스" 유동 경로(214a)에 연결된 처리용 가스 입구(256)를 포함한다. 입구(256, 258)는 유동 경로(214)의 "상류측" 끝을 이루는 반면, 처리실(215)과 폐기물 배출구(252)는 "하류측" 끝을 이룬다. 3방향 밸브(201; three-way valve)는 유틸리티 가스 입구(258) 또는 처리용 가스 입구(256)로부터 가스가 처리용 가스 유동 경로(214a)로 가는 것을 선택적으로 허용한다. 밸브(201)는 전자장치 모듈(213)로부터 라인(201a)을 거쳐 수신된 전기 신호에 응답하여, 입구(256), 입구(258) 또는 이들 입구중 어느 것도 아닌("off") 위치 사이에서 전환(switching)된다. 상업적으로 입수할 수 있는 적절한 3방향 밸브의 예는 파커 코포레이션(Parker Corporation)의 울트라시일 밸브(Ultraseal Valves)와, 베리플로 코포레이션(Veriflo Corporation)의 퀀텀 라인(Quantum line)의 밸브를 포함한다.
유동 경로(214a)에서 밸브(201)로부터 하류측으로 계속가면, 금속 튜브 또는 다른 적절한 배관과 같은 밀봉된 도관에 의해 직렬 방식으로 상호 연결된 게이지, 밸브 등과 같은 다양한 하위-구성요소(subcomponent)가 있다. 보다 상세하게는, 밸브(201)는 습기 또는 분진(particulate)과 같은 타깃에 대한 오염물질(target contaminant)을 여과하기 위한 선택성 필터(202; optional filter)에 연결된다. 상업적으로 입수가능한 필터(202)의 예는 파커 코포레이션이 제조한 소결 스테인리스 강 필터이다. 필터(202)는 교정 체적(203)으로 통하며, 이 체적은 후술하는 바와 같이, 견고한 금속 블록 조립체(solid metal block assembly) 내에 형성된 공동(cavity)을 포함할 수 있다.
선택적으로, 온도 센서(210)가 교정 체적(203) 내의 가스 온도를 측정하기 위해 교정 체적(203)에 커플링될 수 있다. 온도 센서(210)는 라인(210a)을 거쳐 전자장치 모듈(213)에 판독한 온도를 나타내는 전기적 신호(electrical representation)를 전송한다. 교정 체적(203)에 직접적으로 연결된 것으로 도시되었지만, 온도 센서(210)는 그 위치의 온도를 측정하기 위해 체적(203)에 충분히 근접하고 열적으로 관련이 있는 위치 또는 부근의 유체 도관과 같은 위치에 간접적으로 연결될 수 있다. 온도 측정은 교정 중의 가스의 열팽창, 처리용 가스 온도의 편차 및 다른 특성과 같은 다양한 다양한 열적 효과를 측정 및 설명하는 것을 돕는다. 실시가능하고(feasible) 간단한 대안으로서, 온도 센서(210)는 시스템(200)으로부터 생략될 수 있다. 이 경우에는, 온도가 대기 온도와 같은 일정한 값이라는 가정이 성립할 수 있다.
절대 압력 센서(204)는 교정 체적(203) 내측의 가스의 절대 압력을 측정하기 위해 교정 체적(203) 또는 (예시된 바와 같이)교정 체적(203)으로부터 나오는 도관, 또는 다른 적절하게 인접한 위치에 작동가능하게 커플링된다. 센서(204)는 라인(204a)을 거쳐 전자장치 모듈(213)에 그 압력 판독값을 나타내는 전기 신호를 전송한다. 절대 압력 센서(204)는 절대 진공에 대한 압력을 측정하여 작동하므로 "절대" 압력을 측정한다. 따라서, 센서(204)는 다이어프램(diaphragm) 타입의 장치를 포함한다. 이 장치의 다른 목적은 층류 유동을 포함하는 응용예에서 평균 압력을 측정할 수 있도록 유동 제한기(206)에 따라 절대 압력을 측정하는 것이다. 그러므로, 예시된 실시예에서, 절대 압력 센서(204)는 교정 체적(203)과 유동 제한기(206) 모두에 인접하게 위치되어 이 둘 모두에 작동가능하게 커플링되며, 일반적으로 교정 체적(203)과 유동 제한기(206) 사이의 이러한 경로를 비교적 짧은 길이로 유지하고 도관을 높은 유체전도성(fluid conductance)에 대해 최적화되게 유지하여 이루어진다. 상업적으로 입수가능한 절대 압력 센서의 일례로는 세트라 코포레이션(Setra Corporation)의 모델-204가 있다.
교정 체적(203)의 하류측에서, 처리용 가스 유동 경로(214a)는 유동 제한기(206)를 지나간다. 유동 제한기(206)는 층류 유동 소자, 분자 유동 소자, 음속 노즐, 소결된 필터 소자, 하나 이상의 오리피스, 핀치 관(pinched tube), 하나이상의 모세관 또는 본원의 유동 형태(flow regime) 및 측정 기술에 적합하게 유동을 제한하는 다른 메커니즘을 포함한다.
층류 또는 분자 유동 형태의 가스 유동의 응용예의 일례로 도시된 본 실시예에서, 차압 센서가 유동 제한기(206) 주위에 장착된다. 즉, 차압 센서는 유동 제한기(206) 상류측의 제 1 부동 기준 압력 변환기(205; first floating-reference pressure transducer), 유동 제한기(206) 하류측의 제 2 부동 기준 압력 변환기(207)를 포함한다. 절대 압력 센서(204)와는 대조적으로, 부동 기준 압력 변환기(205, 207)는 유동 경로(214b)의 기준 도관(261)에 제공되는 제어된 기준 압력에 대한 압력을 측정한다. 이와 관련하여, 압력 변환기(205, 207)는 도관(205a, 207a)에 의해 기준 도관(261)에 커플링된다. 또한, 압력 변환기(205, 207)는 전자장치 모듈(213)에 그 각각의 압력 판독값을 나타내는 전기신호를 전송하기 위해, 전선(205b, 207b)에 의해 전자장치 모듈(213)에 커플링된다.
각각의 변환기는 용량 액주 압력계(capacitance manometer)와 같은 다이어프램 타입 액주 압력계를 포함한다. 다이어프램 액주 압력계는 하나의 포트(port)가 다이어프램의 각각의 측면에 커플링된 하우징 내에 내장된 두 개의 대향 측면을 갖는 다이어프램을 사용한다. 하우징의 한 반쪽("뒤쪽" 측면)은 기준 도관(216)으로 통기되며(vent), 다른 반쪽("앞쪽" 측면)은 유동 경로(214a)로 통기된다. 그러므로, 각각의 차압 변환기는 기준 도관의 압력과 유동 경로(214a)의 압력 사이의 차압을 측정한다. 변환기의 배면측에서, 전극과 같은 감지 장치가 다이어프램에 커플링되어 다이어프램의 위치(그러므로, 두 측면 상의 압력의 상대적인 차이)를 감지한다. 이 감지 장치는 커패시턴스, 변형율, 광, 자기 입력 또는 다른 특성의 변화를 검출할 수 있다. 전극이 오염물질, 부식성 화학물질, 습기에 민감하기 때문에, 각각의 변환기의 배면측은 (도관(205a, 257a)을 통해) 기준 도관(261)의 깨끗하고 건조한 가스만을 마주한다.
각각의 변환기가 측정하는 차압에 부가하여, 변환기(205, 207)의 판독값 사이의 차이도 다른 차압 판독값을 이룬다; 이는 유동 제한기(206)에 걸친 압력 손실을 나타낸다. 차압 변환기(205, 207)를 제공하는 상업적으로 입수가능한 제품의 예는 세트라 코포레이션의 압력 변환기 모델-228 또는 모델-230, 데이터 인스트루먼트사의 델타메이트 라인(DeltaMate line), 엠케이에스(MKS), 밀리포어(Millipore), 에드워드(Edwards)와 같은 다른 제조업체의 압력 변환기가 있다.
기준 도관(216)은 입구(258)로부터 기준 도관(261)으로 원하는 양의 유틸리티 가스를 허용하기 위해 유동 제어 밸브(211)를 조절하여 선택된 압력으로 설정된다. 유동 제어 밸브(211), 그러므로 기준 도관(261)의 압력은 라인(211a)을 거쳐 전자장치 모듈(213)에 의해 수신된 전기 신호에 의해 제어된다. 기준 도관(261)의 높아진 압력은 유동 제한기(212)가 있음으로 가능하며, 이 제한기는 기준 도관(261; 고압측)과 폐기물 배출구(252) 사이에 압력차가 존재할 수 있게 한다. 다르게는, 유동 제한기(212)는 기준 도관(261)의 상류측에 위치되어 기준 도관(261)과 가스 입구(258) 사이에 압력차가 존재할 수 있게 하며, 기준 도관(261)의 하류측에 위치한 유동 제어 밸브(211)는 라인(211a)을 거쳐 전자장치 모듈(213)에 의해 수신된 전기 신호에 응답하여 기준 도관(261)의 압력을 제어한다.
처리용 가스 유동 경로(214a)는 조정가능한 유동 제어 밸브(208)를 또한 포함하며, 이 밸브의 설정은 경로(214a) 내에 흐르는 가스의 질량을 결정한다. 제어 밸브(208)의 설정은 라인(208a)을 거쳐 밸브(208)와 상호작용(communication)하여 전자장치 모듈(213)에 의해 조절된다. 유동 제어 밸브(211) 및 유동 제어 밸브(208)와 여기서 논의하는 다른 유동 제어 밸브는 솔레노이드 액츄에이터 제어 밸브, 압전 타입 제어 밸브, 열구동(thermally actuated) 제어 밸브 등과 같은 임의의 적절한 타입의 제어 밸브를 포함할 수 있다. 상업적으로 입수가능한 유동 제어 밸브의 일례로는 엠케이에스 인스트루먼트사의 모델-248이 있다.
3방향 밸브(209)는 가스를 처리용 가스 유동 경로(214a)로부터 처리실(215)로 또는 폐기물 배출구(252)로 선택적으로 배출한다. 밸브(209)는 라인(209a)을 거쳐 전자장치 모듈(213)로부터 수신된 전기 신호에 응답하여 처리실(215) 또는 폐기물 배출구(252) 또는 이들 어느 배출 경로도 아닌 위치("off") 사이에서 전환된다.
전자 장치 모듈
전자장치 모듈(213)은 유동 경로(214)의 전기적으로 구동되는 구성요소를 제어하며, 또한 측정 및 상태(status) 정보를 전기적으로 보고할 수 있는 구성요소로부터 데이터를 수신한다. 전자장치 모듈(213)은 인터페이스(260)를 통해 데이터 입력/출력원(도시되지 않음)과 정보를 교환한다. 데이터 입력/출력원은 인간 사용자, 제어 시스템, 호스트 컴퓨터 시스템, 통신 네트워크 등일 수 있다. 비용, 사용자의소양(sophistication), 다른 응용예의 요구사항에 따라, 인터페이스(260)는 다양한 구성요소를 포함할 수 있다. 인간이 사용자인 경우에는, 이러한 구성요소는 키보드, 키패드(keypad), 비디오 스크린, 컴퓨터 모니터, 컴퓨터 마우스, 트랙볼, 디지타이저 패드, 음성인식 및 구동 소프트웨어, 풋 페달(foot pedal), 다이얼, 손잡이(knob), 스위치 등일 수 있다. 전자장치 또는 기계가 사용자인 경우, 인터페이스(260)의 구성요소는 와이어, 버스(bus), 전화 모뎀, 전파 주파수, 초단파 또는 적외선 링크, 컴퓨터 네트워크, 또는 다른 장치를 포함할 수 있다.
전자장치 모듈(213) 자체는 상이한 방식으로 실시될 수 있다. 일 실시예에서, 전자장치 모듈(213)은 디지털 데이터 처리 장치를 사용하여 실시될 수 있다. 이 장치는 다양한 하드웨어 구성요소 및 상호접속부에 의해 실시될 수 있다; 일례는 디지털 데이터 처리 장치(500; 도 5)이다. 장치(500)는 저장 장치(504)에 커플링된 마이크로프로세서 또는 다른 처리 장치와 같은 프로세서(502)를 포함한다. 본 예에서, 저장장치(504)는 고속 액세스 저장장치(506) 및 비휘발성 저장장치(508)를 포함한다. 고속 액세스 저장장치(506)는 임의 액세스 기억장치(RAM)를 포함할 수 있고, 프로세서(502)에 의해 실행되는 프로그램 명령(programming instruction)을 저장하기 위해 사용될 수 있다. 비휘발성 저장장치(508)는 예를 들어, 읽기전용 기억장치(ROM), 재프로그램 가능한 롬(reprogrammable ROM), 컴팩트 디스크, 또는 "하드 드라이브", 플로피 디스크 또는 테이프 드라이브와 같은 하나 이상의 자기 데이터 저장 매체, 또는 임의의 다른 적절한 저장 장치를 포함할 수 있다. 장치(500)는 이 장치(500) 외부의 다른 하드웨어와 데이터를 교환하기 위해, 프로세서(502)를 위한 라인, 버스, 케이블, 전자기 링크(electromagnetic link) 또는 다른 수단과 같은 입력/출력부(510)를 포함한다.
시스템(200)의 아날로그 장치와의 통신을 지원하기 위해, 전자장치 모듈(213)은 하나 이상의 아날로그-대-디지털 변환기 및 디지털-대-아날로그 변환기(도시되지 않음)를 더 포함할 수 있다. 그러나, 이러한 변환기는 시스템(200)의 밸브 및 감지 장치가 디지털 입력/출력부를 가지면 불필요하다.
한정적인 상술한 설명에도 불구하고, (본 발명을 읽은)당업자는 상술한 디지털 데이터 처리 장치가 본 발명의 범위를 벗어나지 않고 상이한 구성의 장치로 실시될 수 있음을 인식할 것이다. 특정한 예로서, 저장장치(506, 508) 중의 하나가 제거될 수 있고, 또한, 저장장치(504)가 프로세서(502)에 탑재되거나, 또는 장치(500) 외부에 구비될 수 있다.
또한, 디지털 데이터 처리 장치(500; 도 5)와는 대조적으로, 전자장치 모듈(213)은 컴퓨터에 의해 수행되는 명령 대신에 논리 회로에 의해 실시될 수 있다. 속도, 비용, 장비 비용 등의 관점에서 그 응용예의 특정한 요구사항에 따라, 이러한 논리 회로는 수천 개의 아주 작은 집적된 트랜지스터를 갖는 응용 주문형 집적회로(ASIC; application specific integrated circuit)를 구성하여 실시될 수 있다. 이러한 ASIC은 CMOS, TTL, VLSI 또는 다른 적절한 구조를 사용하여 실시될 수 있다. 다른 대체물로는 디지털 신호 처리기(DSP; digital signal processor), (저항, 컨덴서, 다이오드, 유도자(inductor) 및 트랜지스터와 같은)별개의 회로, 현장 프로그램가능한 게이트 어레이(Field Programmable Gate Array), 프로그램 가능한 논리 배열(programmable logic array) 등이 포함된다.
예시적인 구성
한 예시적인 구성에서, 유동 경로(214)는 블록으로 기계가공된 내부 공동과 유동 경로를 갖는 단일 블록 조립체(도시되지 않음)를 형성하여 구성될 수 있다. 선택적으로, 하나 이상의 상기 특징이 블록 조립체에 용접된 커버 판(cover plate) 아래에 내장된 공동과 채널을 기계가공하여 형성될 수 있다. 이러한 일체화된 유동 경로는 비용 효율의 관점에서 바람직할 수 있다. 필요하다면, 블록 조립체는 누설(leakage) 및 비용의 감소를 위해 금속 시일(metal seal)의 사용을 회피할 수 있다. 블록 조립체는 부식에 대한 충분한 면역성, 강도, 경도, 표면 특성 등을 갖는 스테인리스 강, 인코넬(Inconel), 하스텔로이(Hasteloy), VIM/VAR, 알루미늄 또는 다른 적절한 재료로 이루어질 수 있다. 구조를 간단히 하기 위해, 유동 경로(214b) 및 관련 구성요소는 블록 조립체로부터 개별적으로 구성되어, 유동 경로(214a) 및 그 구성요소에 나란히(side-by-side) 부착될 수 있다.
이러한 실시예에서, 블록 조립체는 입구(258), 입구(256), 처리실(215)로의 포트, 폐기물 배출구(252)로의 포트를 제공하는 4개의 배관 부품(plumbing fittings)을 포함할 수 있다. 블록 조립체에 일체화된 배관 부품은 예를 들어 산업계에 통상적으로 사용되며 공지된 표준의 금속 시일 밸브 연결장치(metal seal valve connection)와 호환될 수 있다.
블록 조립체는 서비스 및 교환 등을 위해 탈착가능한 임의의 구성요소를 위한 적절한 장착용 하드웨어를 구비할 수 있다. 서비스를 위해 이들 장치를 교환할 수 있도록 예를 들어, 임의의 하나 또는 모든 구성요소(201 내지 212)를 장착하기 위한 설비가 제공될 수 있다. 유동 제한기(206)는 특정 용도에 따라, 제거가능하게 장착되거나, 블록 조립체 내에 영구적으로 장착되도록 기계가공될 수 있다.
다른 실시예
도 3은 두 개의 변환기(205, 207) 대신에 한 개의 센서(316)가 사용되는, 시스템(200)에 대한 한 대안적인 실시예를 도시한다. 그 응용예의 필요에 따라, 이렇게 실시하는 것이 시스템(200)에 바람직할 수 있는데, 왜냐하면 이는 기준 도관(261)을 생략하고 보다 덜 복잡한 압력 변환기를 사용하여 비용을 감소하며 디자인을 단순화하기 때문이다.
시스템(200; 도 2)에 대해, 시스템(300; 도 3)의 센서(316)가 유동 제한기(306)에 걸쳐 연결되어 있다. 그러나, 센서(316)는 어떠한 기준 압력도 사용하지 않는다. 따라서, 도 2의 유틸리티 가스 유동 경로의 대부분이 없다. 일례로서, 변환기(316)는 다이어프램 타입 장치와 같은 단일 차압 변환기를 포함할 수 있다.
이러한 배치에서, 유틸리티 가스 입구(302)는 3방향 밸브(301)로 향해지며, 이 밸브는 선택적으로 (입구(302)로부터의)유틸리티 가스 또는 (입구(304)로부터의)처리용 가스를 처리용 가스 경로(314a)로 보내거나, 또는 두 입구의 가스 모두를 차단한다. 하류측 단부(end)에서, 3방향 밸브(319)는 가스를 선택적으로 처리용가스 유동 경로(314a)로부터 처리실로, 또는 폐기물 배출구로 보내거나, 또는 두 배출구 경로 모두를 차단한다.
또 다른 실시예(도시되지 않음)에서, 유동 제한기(306)와 압력 센서(316)는 상술한 바와 같은 모세관을 사용하는, 열적 질량 유동 센서로 대체될 수 있다. 이러한 실시예에서, 모세관은 유동 제한기를 구성한다. 또 다른 변형예에서는 유닛(306, 308, 316)을 열적 질량 유동 제어기로 대체한다.
개별적인 교정 체적을 갖는 다중 경로 가스 유동 시스템
대안적인 디자인으로서, 각각의 시스템(200, 300; 도 2 및 도 3)은 다중의 가스 유동 경로와 병렬로 구성될 수 있다. 시스템(200)의 경우에, 예를 들어 구성요소(201 내지 210)와 상호연결 도관의 등가물(duplicate)이 등가의 처리용 가스 유동 경로를 형성하기 위해 구성될 수 있다. 이러한 등가의 경로(도시되지 않음)는 유틸리티 가스 입구(258), 처리실 배출구(254) 및 폐기물 배출구(252)를 공유하며, 각각 자신만의 유일한 처리용 가스 입구(256)를 가질 수 있다. 이러한 실시예는 개별적으로 또는 조합하여, 처리실(215)에 한가지 가스 타입 이상의 질량 유동율을 선택적으로 정확히 제어된 양으로 공급하는 수단을 제공한다. 유사한 수정이 시스템(300; 도 3)에 대해 이루어질 수 있다.
공유된 교정 체적을 갖는 다중 경로 가스 유동 시스템
도 2 및 도 3의 시스템에 대한 대안으로서, 도 4는 두 처리용 가스 중에서하나의 교정 체적을 공유하는 시스템(400)을 도시한다. 비록 본 예가 두 처리용 가스를 사용하지만, (본 발명을 읽은)당업자는 본 발명이 시스템(400)이 하나 이상의 처리실과 같은 여러 위치에 공급되는 단일 처리용 가스 또는 보다 다수의 처리용 가스를 포함하도록 적용하는 것을 또한 포함함을 인식할 것이다.
시스템(400)은 제 1 및 제 2 처리용 가스 경로(450, 460)를 포함한다. 교정 체적(403), 온도 센서(470), 절대 압력 센서(420)는 두 경로(450, 460) 사이에서 공유된다. 이러한 구성요소는 상술한 바와 같은 유사한 장치를 포함할 수 있다.
제 1 경로(450)는 제 1 처리용 가스를 받아들이기 위한 입구(402)와, 유틸리티 가스를 받아들이기 위한 입구(402)를 포함한다. 3방향 밸브(408)는 선택적으로 입구(402, 404) 중의 하나 아니면 다른 하나로부터 필터(412)로 가스를 보내거나 또는 이들 중 어느 것으로부터도 보내지 않는다. 필터의 하류측은 다른 3방향 밸브(417)이며, 이는 (1) 가스를 좌측으로(도시된 바와 같이) 안내하여 흡입된 가스(inlet gas)를 교정 체적(403) 및 다른 관련된 하드웨어로 안내하거나, 또는 (2) 가스를 우측으로(도시된 바와 같이) 안내하여 교정 체적(403)을 바이패스할 수 있다.
교정 체적(403) 및 관련 하드웨어의 하류측에는 3방향 밸브(419)가 있다. 밸브(419)는 선택적으로 교정 체적(403)으로부터 경로(450, 460) 중의 하나로 되돌린다. 제 1 경로(450)의 나머지 구성요소는 유동 제한기(424)를 포함하며, 이 제한기는 (1) 병렬로 장착된 차압 센서(422), (2) 유동 제한기(424)의 상류측에 장착된 절대 압력 센서(423), (3) 하류측에 장착된 조정가능한 유동 제어 밸브(430)를 구비한다. 이러한 구성요소는 상술한 다른 실시예와 유사한 구조 및 기능을 갖는다. 경로(450)는 3방향 밸브(434)를 또한 포함하며, 이 밸브는 가스를 처리실(438) 또는 폐기물 배출구(440)로 선택적으로 보낸다.
시스템(400)은 층류 유동 응용예에 적용가능한 일례를 예시하기 위해 구성요소(422, 423, 424, 430)를 예시한다. 그럼에도 불구하고, (1) 절대 압력 센서(423)는 분자 유동 응용예에 적용시에는 생략될 수 있고, (2) 차압 센서(422)는 음속 유동 응용예에 대해 생략가능하거나 또는 (3) 구성요소(422, 423, 424, 430)는 열적 질량 유동 제어기와 대체될 수 있다.
제 2 경로(460)는 유사항 구성요소를 포함하며, 공유된 교정 체적(403)으로 가스를 안내하거나 하지 않을 수 있다. 경로(450)와 같이, 경로(460)는 가스를 처리실 배출구(438) 또는 폐기물 배출구(440)로 선택적으로 보낼 수 있다.
비록 제 1 및 제 2 경로(450, 460)가 유사한 구성요소로 동일한 배치되는 것으로 도시되었지만, 경로(450, 460)는 상이할 수 있다. 응용예를 최적화화기 위해, 한 경로는 상이한 순서로 배치되고, 다른 경로보다 많거나 적은 구성요소를 가질 수 있다.
다른 작업 모드에서, 시스템(400)은 가스가 교정 체적(403)을 바이패스하고 경로(450)의 유동 제한기(424)를 지나 유동하도록 설정될 수 있다. 시스템(400)은 유사하게 가스가 교정 체적(403)을 바이패스하고 경로(460)의 유동 제한기를 지나 유동하도록 설정될 수 있다.
다른 배치
분자 유동
실시예의 시스템(200; 도 2)을 참조하면, 처리용 가스가 유동 제한기(206) 내에서 분자 유동을 나타도록 조정될 수 있을 때, 유동 제어 밸브(208)와 유닛(205, 206, 207)의 위치가 바뀔 수 있다. 이러한 실시예는 유동 제한기(206)가 분자 유동 소자를 포함하는 경우인, 저압에 대해 유용하다.
유사하게, 시스템(300; 도 3)을 참조하면, 유사한 분자 유동 응용예에 대해 유동 제어 밸브(308)와 유닛(306, 316)의 위치가 바뀔 수 있다.
음속 유동
시스템(300; 도 3)을 참조하면, 유동 제어 밸브(308) 및 유닛(306, 316)은 처리용 가스가 점성인 질식 유동(choked viscous flow; "음속 유동")을 나타내도록 조절될 수 있는 경우의 응용예에 대해 위치가 바뀔 수 있으며, 유동 제한기(306)의 상류측의 압력은 하류측의 압력의 두 배 이상이다. 이 실시예에서, 제어 밸브(308)는 유동 제한기(306)의 상류측에 위치되고, 차압 센서(316)는 제어 밸브(308)와 유동 제한기(306) 사이에서 유동 경로(314a)에 연결된 절대 압력 센서(도시되지 않음)와 대체된다. 이 설정에서, 유동 제한기(306)는 음속 노즐로 작용하도록 설계되며, 실시간 유동 측정은 응용예에서 유동 제한기의 상류측의 절대 압력을 측정하는 것에 영향을 받으며, 이 압력은 유동 제한기의 하류측의 압력보다 두 배 이상이다. 질량 유동은 음속 유동에서 유동 제한기(306)의 전도도(conductance)와 상류측 압력에 직접 비례하는 질량 유동율을 나타내는, 적절한 음속 또는 질식 유동 공식을 적용하여 측정된다.
작동
상술한 다양한 하드웨어 실시예에 부가하여, 본 발명의 상이한 특징은 실시간 유동 측정 및 수정 그리고 선택적으로 유동을 조절하는 광범위 질량 유동 제어기를 작동하는 방법에 대한 것이다.
신호전달매체
일례로, 본 방법은 장치-판독가능한(machine-readable) 일련의 명령을 수행하기 위해, 디지털 데이터 처리 장치(500; 도 5)에 의해 실시된 바와 같이, 전자장치 모듈(213; 도 2)을 작동하여 실시될 수 있다. 이러한 명령은 다양한 타입의 신호전달 매체에 존재할 수 있다. 이와 관련하여, 본 발명의 한 특징은 실시간 유동 측정 및 수정을 하는 다용도 질량 유동 제어기 작동 방법을 수행하기 위해, 디지털 데이터 처리기에 의해 수행가능한 장치-판독가능한 명령 프로그램을 포함하는 신호전달 매체로 구성되는, 프로그램된 제품에 대한 것이다.
이러한 신호전달 매체는 예를 들어 도시된 전자장치 모듈(213; 도 2)의 고속 액세스 저장장치(506; 도 5) 내에 내장된 RAM(도시되지 않음)을 포함할 수 있다. 다르게는, 명령은 데이터 프로세서(502)에 의해 직접 또는 간접적으로 액세스할 수 있는, 자기 데이터 저장 디스켓(600; 도 6)과 같은 다른 신호전달 매체에 기록될 수 있다. 장치(500), 전자장치 모듈(213) 등의 어느 곳에 저장되더라도, 명령은
직접 액세스 저장장치(예를 들어, 종래의 "하드 드라이브", 값싼 디스크의 중복 배열(RAID; Redundant Arrays of Inexpensive Disks), 또는 다른 직접 액세스 저장장치(DASD; direct access storage device)), 자기 테이프, 전자식 읽기전용 메모리(예를 들어, ROM, EPROM, 또는 EEPROM), 광학 저장장치(예를 들어, CD-ROM, WORM, DVD, 디지털 광 테이프), 종이 "천공(punch)" 카드, 또는 디지털 및 아날로그와 같은 전송 매체와 같은 다양한 장치-판독가능한 데이터 저장 매체, 통신 링크 및 무선통신을 포함하는 다른 적절한 신호전달 매체에 저장될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서, 장치-판독가능한 명령은 "C" 등과 같은 언어로부터 컴파일(compile)된 소프트웨어 목적 코드(software object code)를 포함할 수 있다.
논리회로
상술한 신호전달 매체와는 대조적으로, 본 발명의 방법의 특징은 명령을 수행하는 프로세서를 사용하지 않고 논리 회로를 사용하여 실시될 수 있다. 이러한 실시예에서, 논리 회로는 전자장치 모듈(213)로 실시되고, 본 발명의 방법을 실시하는 작업을 수행하도록 설정된다. 논리 회로는 상술한 바와 같이, 다양하고 상이한 타입의 회로를 사용하여 실시될 수 있다.
작동순서: 서론
대체로, 본 발명은 질량 유동을 정확히 측정하는 가스 전달 시스템을 작동하는 방법에 대한 것이며, 정확히 조절된 가스 유동을 공급하는 것을 또하 실시할 수 있다. 먼저, 교정 체적이 미리 정해진 레벨로 채워진다. 채워진 교정 체적은 전달할 가스의 초기 공급량을 제공한다. 그 다음, 다양한 밸브가 개방되어 가스를 교정 체적으로부터 유동 라인으로 최종적으로 하류측의 처리실(215)로 방출한다. 초기에, 목표 질량 유동율이 입력, 연산 또는 설정된다.
그 다음, 가스가 시스템을 통해 유동되는 동안, 질량 유동율이 하기와 같이 주의깊게 감시(및 선택적으로 조정)된다. 교정 체적의 하류측에서 다양한 유체 특성값이 빈번히 측정된다. 이러한 특성값은 절대 압력, 가스의 차압, 질량 유동율을 나타내는 이들 또는 다른 측정의 조합일 수 있다. 가스 질량 유동율은 이러한 유체 특성값을 사용하여 측정되고, 그 다음 (선택적으로)목표 질량 유동율을 유지하도록 조정된다.
또한 빈번하게, 교정 체적으로부터 나오는 실제 질량 유동율이 측정된다. 이러한 측정은 예를 들어, 교정 체적에 직접 또는 작동가능하게 연결되도록 근접하게 장착된 온도 및 압력 센서를 사용하여 이루어질 수 있다. 실제 질량 유동율과 측정된 질량 유동율이 미리 정해진 량 이상으로 차이가 나면, 질량 유동율(예를 들어, 관련한 유체 측정값)을 측정하는 방법이 이러한 불일치를 보정하도록 조정된다. 따라서, 다음 번에 하류측의 유체 특성값이 측정되고, (이제 보정된)하류측의 질량 유동율 측정이 목표 질량 유동율을 만족하도록 질량 유동율을 조정하기 위해 사용되어, 앞서의 불일치를 보상하기 위해 사용된다.
가스 유동을 측정 및 조절하는 것에 부가하여, 본 발명은 가스 유동을 조정함 없이, 본원에 예시한 기술을 사용하여 가스 유동을 측정하는 단계를 감축하는 것을 고려한다. 그러나, 보다 완전히 예시하기 위해, 하기의 설명은 가스 유동을 측정 및 조절하는 실시예를 도시하기 위해 도 7a 및 도 7b를 사용한다.
작동순서
도 7a 및 도 7b는 앞서의 방법의 일례를 예시하는 작동 순서(700)를 도시한다. 이러한 기술은 교정 체적 하류측의 "측정된" 질량 유동율을 측정하여 가스 유동을 조절하고, 질량 유동율이 목표 질량 유동율과 일치하도록 유지하기 위해 반복적으로 수정한다. 특정 시간에, 실제 질량 유동을 측정하기 위해 교정 체적에서의 측정이 이루어지고, 이 실제 질량 유동은 "수정된" 측정된 질량 유동율을 도출하기 위해 측정된 질량 유동율의 계산에 대한 "진행중의(on the fly)" 조정을 수행하는데 사용된다.
보다 설명을 용이하게 하기 위한, 그러나 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아닌, 도 7a 및 도 7b의 예가 상술한 도 2의 시스템(200)의 특정한 내용에 설명되어 있다.
도 7a 및 도 7b에 예시된 선형 무한반복 과정(linear iterative process)이 전자장치 모듈(213)에 의해 일어나는 과정의 논리적 구성요소를 예시하기 위해서만 사용되며, 선점형 인터럽트 구동 운영 시스템(preemptive interrupt driven operation system), 다중작업 운영 시스템, 객체 지향형 실시간 커널 응용프로그램(object-oriented real-time kernel application) 또는 본 예에 예시된 바와 같은 유사한 유동 거동을 이루기 위한 작업을 처리하는 작용을 하는 다른 방법과 같은 다른 실시 방법을 제외하고자 하는 것은 아니다.
작동 순서(700)가 단계 702에서 시작된 후, 단계 704는 특정한 유동 수정값을 설정하며, 이 수정값은 유동 제한기(206)에서의 측정된 질량 유동율을 연산하는데 사용된다. 이러한 값 및 이들의 용도는 후술한다. 유익하게는, 이러한 값은 교정 체적에서 측정된 "실제" 질량 유동에 의해 나타난 바와 같은 오차를 수정하기 위해, 하류측의 질량 유동을 다르게 측정하도록 변화될 수 있다. 단계 704 후에, 전자장치 모듈(213)은 원하는 또는 "목표" 질량 유동의 내역(specification)을 수신한다(단계 706). 이러한 값은 조작자, 제어 시스템, 컴퓨터 네트워크 등으로부터 인터페이스(260)를 경유해 수신되거나, 또는 전자장치 모듈(213) 내에 내장된 휘발성 또는 비휘발성 메모리로부터 불러들여질 수 있다. 목표 질량 유동율은 예를 들어, 표준의 분당 입방 센티미터(sccm) 또는 표준의 분당 리터(slm)의 단위일 수 있다.
단계 706 후에, 단계 708은 목표 압력으로 교정 체적(203)을 채운다. 이는 아직 안닫혀 있으면 차단 밸브(209)를 닫고 처리용 가스를 입구(256)로부터 교정 체적(203)으로 보내도록 3방향 밸브(201)를 설정하기 위해, 적절한 지령을 송신하는 전자장치 모듈(213)에 의해 이루어진다. 교정 체적의 목표 압력은 요구되는 처리 압력, 교정 체적 사이즈, 원하는 가스 유동 기간, 원하는 유동율 등에 따라 선택된다. 다르게는, 단계 708은 이러한 공정에 실질적으로 영향을 주지않고 단계 706에 앞서 수행될 수 있다.
예시된 실시예에서, 단계 708은 부동 기준 차압 변환기(205, 207)를 또한 교정한다. 즉, 전자장치 모듈(213)은 적절한 명령을 발생시켜 유동 제어 밸브(211)를 개방하여 전방측 압력에 저항하고 있는 각각의 변환기의 다이어프램 상의 배면측 압력의 균형을 맞추기 위해 충분한 압력의 유틸리티 가스를 허용하여, 변환기(205, 207)를 "조정(zero out)"한다. 각각의 변환기(205, 207)가 기준 도관(261) 내의 가스 압력에 대한 압력의 출력값을 제공하므로, 단계 708은 변환기(205, 207)가 모두 거의 0의 값을 판독할 때까지 기준 도관(261) 내의 압력을 변화시키는 것을 포함한다. 제조시의 결함 등의 이유로 인해 한 변환기가 다른 변환기보다 약간 높거나 또는 낮은 값을 판독하면, 유틸리티 가스 압력은 변환기(205, 207) 중에서 0의 평균압력을 내도록 조정될 수 있다. 이러한 기준 압력이 설명된 바와 같이 설정되거나, 또는 선택적으로, 이러한 기준 압력이 변환기(205, 207) 중에서 0의 평균압력을 내도록 전체 공정에 걸쳐 제어될 수 있다.
단계 708 후에, 단계 710은 가스 유동을 개시한다. 이는 3방향 밸브를 처리실(215)로 개방하고 유동 제어 밸브(208)로 약간 개방하는 전자장치 모듈(213)에 의해 이루어질 수 있다. 단계 712는 처리 루프(processing loop)의 개시점(entry point)을 나타내며, 매번 반복시마다 전자장치 모듈(213)이 가스 유동을 정지하라는 신호에 대해 확인하는 것으로 시작한다. 일례로, 가스 유동을 정지하라는 신호는, 유동이 더 이상 필요없을 때 인터페이스(260)로부터 발생될 수 있다. 이러한 신호가 단계 712에서 검출되면, 단계 714는 3방향 밸브(209)를 닫아 가스 유동을 정지한다. 단계 714 후에, 전자장치 모듈(213)은 단계 706으로 변화되고 가스 유동이 시작하라는 다음 신호를 대기한다.
단계 712가 가스 유동을 종료할 것을 지시하는 신호가 없다고 판정하면, 단계 716에서 변환기(205, 207)는 유동 제한기(206)에 걸친 차압을 측정하고 변환기(204)는 유동 제한기(206) 상류측에서의 절대 압력을 측정한다. 그 다음, 단계 716은 이러한 압력에 근거하여 질량 유동율을 측정한다. 이러한 연산은 하기의 수학식 1에 도시된, 층류 유동에 대한 하겐-포아젤(hagen-poiseuille) 방정식에 따라 수행된다.
여기서, Q는 질량유동율,
K1은 상수,
C는 컨덕턴스,
P1은 평균 압력,
P3은 변환기(205)로부터의 입구 압력,
P2는 변환기(207)로부터의 출구 압력이다.
예시를 위해, 층류 유동 형태에서의 응용이 본 예에 대해 가정되어 있다. 분자 유동 형태에서의 응용에 대해, 수학식 1의 P1이 생략되고 K1은 다른 값을 갖는다. 또한, 음속 유동 형태에서의 응용에 대해, P1, P2, P3이 생략되고, K1은 다른 값을 갖는다. 이 경우에, 음속 조건을 보장하기 위해 절대 압력 센서(204)에 의해 P3이 측정된다.
또한, 단계 716은 교정 체적에서의 임의의 앞서의 "실제" 질량 유동 측정에 따라 수정된 질량 유동의 최종 측정값을 얻기 위해 유동 수정값을 적용한다. 일례로, 이러한 연산은 하기의 수학식 2로 나타낸 공식에 유동 수정값을 대입하여 이루어질 수 있다. 대안적으로, 불연속 선형, 2차, 다항, 보간 참조표 등과 같은 다른 공식, 이들 및 다른 수치 측정 오차를 수정하는 통상적으로 사용되는 방법의 다양한 조합이 사용될 수 있다.
여기서, Q는 수정된 질량 유동율,
Q1은 측정된 질량 유동율,
m은 축척 수정(scale correction),
b는 오프셋 수정이다.
유동 수정값의 조정에 대해서는 하기에 보다 상세히 설명한다. 단계 718에서, 전자장치 모듈(213)은 수정된 측정 질량 유동율이 목표 질량 유동율과 일치하는지를 판정한다. 일치하지 않으면, 단계 720은 가스 유동을 증가 또는 감소시키고, 단계 712로 복귀한다. 일례로, 가스 유동은 제어 밸브(208)에 대한 제어 신호를 작은 예정된 증분만큼 변화시켜 증가 또는 감소될 수 있다. 다르게는, 단계716, 718, 720은 아날로그 서보 루프 또는 디지털 서보 루프를 사용하여 비증분적으로(non-incrementally) 실시될 수 있다.
목표 질량 유동율에 도달하면, 단계 718은 단계 722로 나아가며, 이 단계는 교정 체적(203)이 3방향 밸브(201)를 통해 처리용 가스 입구(256)로부터 격리되었는지 여부를 판정한다. 교정 체적(203)이 처리용 가스 입구(256)로부터 격리되지 않았으면, 이는 재충전된다. 이 경우에, 단계 724는 압력 센서(204)의 값을 판독하여 교정 체적(203)의 압력을 측정한다. 그 다음, 단계 726은 교정 체적(203)이 원하는 압력에 도달하였는지를 판정하기 위해 단계 724에서 측정된 압력과 (단계 708에서 상술한)목표 압력을 비교하며, 이 경우에, 전자장치 모듈(213)은 단계 728에서 3방향 밸브(201)를 닫는다. 어느 경우에도, 처리 루프는 단계 712로 돌아간다.
그러나, 단계 722는 교정 체적(203)이 처리용 가스 입구(256)로부터 격리되어있는지를 판정하고 따라서 가스가 이로부터 흘러나갈 때 압력이 사실상 저하되며, 그 다음에 압력 센서(204)는 단계 730)에서 교정 체적(203) 내의 압력을 측정한다. 그 다음에는 단계 732로 진행하며, 이 단계는 상기 압력이 하류측 유동 측정의 수행 및 제어에 적합하다고 고려되는 값 이하인지 여부를 판정하여 평가한다. 이러한 판정은 유동 경로(214a) 및 관련 구성요소의 디자인과 하류측 압력, 질량 유동율 및 다른 인자(factor)를 다양하게 고려한 것에 근거한다. 단계 732가 교정 체적(203)의 압력이 한계치 이하라고 판정하면, 단계 734는 3방향 밸브(201)를 처리용 가스 입구(256)로 개방하고 교정 체적 압력을 재충전하기 시작한다. 상술한 반복(iterative)에 대한 설명의 대안으로서, 단계 722 내지 734는 아날로그 서보루프 또는 디지털 서보 루프를 사용하여 비증분적으로 실시될 수 있다.
한편, 단계 732가 교정 체적(203) 내의 압력이 허용가능한 한계 내에 있다고 판정하면, 단계 736은 교정 체적(203)으로부터 질량 유동율을 측정한다. "실제 유동율"로 불리는, 교정 체적(203)으로부터의 질량 유동율이 이상기체 법칙에 근거한 하기의 수학식 3에 따라 연산된다.
여기서, Q는 질량 유동율,
K2는 상수(음의 값을 가짐),
V는 교정 체적(203)의 체적,
T는 교정 체적(203)의 온도,
dP/dt= 교정 체적(203)에서의 압력의 시간에 대한 변화율이다.
교정 체적(203)에서의 압력의 시간에 대한 변화율은 변환기(204)의 측정값을 연속적으로 차분하고, 전자장치 모듈(213)에 의해 액세스할 수 있는 클럭(clock) 또는 다른 시간 참조용 구성요소(도시되지 않음)에 의해 정해진 시간에서의 연속적인 측정 시점 사이의 시간 구간으로 나누어 얻어진다. 선택적으로, 몇몇 측정의 평균값이 구해진다. 교정 체적(203) 내의 가스의 온도는 온도 센서(210)로부터의 측정값을 판독하거나, 또는 대기 온도와 같은 예정된 또는 가정된 온도를 사용하여 측정된다.
단계 736 후에, 단계 738은 절대 압력 센서와 차압 센서에 의해 지시된 바에 따라 (1) 교정 체적으로부터의 "실제" 질량 유동율의 측정값과, (2) 유동 제한기(206)를 지나는 "측정된" 질량 유동율 사이에 어떠한 불일치가 있는지 여부를 판정한다. 응용예의 요구사항에 따라, 실제 가스 유동율과 측정된 가스 유동율이 어떠한 양만큼, 예를 들어 실제 유동의 1퍼센트, 0.01sccm과 같은 정해진 수 등만큼 차이가 있을 때 "불일치"가 발생할 수 있다. 불일치가 없을 경우에는, 단계 738은 단계 712로 복귀한다.
불일치가 있는 경우에는, 단계 740은 유동 수정값에 대한 갱신값(update)을 계산한다. 이는 수학식 2를 역으로 사용하여 또는 다르게는 단계 716에서 측정된 질량 유동을 수정하기 위해 사용된 어떠한 방정식이든 역으로 사용하여 이루어진다. 일 실시예에서, 단계 742의 평가는 오염, 변환기 드리프트(transducer drift), 처리용 가스에서 발견되는 불순물, 유지 보수가 요구됨 등으로 인한 임박한 신뢰성 문제를 앞서 검출하기 위해 지난 데이터에 대해 현재의 유동 교정(flow calibration)을 평가한다. 예를 들어, 하류측의 차압이 더 높을 것을 요구하는 것은 유동 제한기(206)가 막혔음을 나타내는 것일 수 있고, 또는 크게 변하는 유동 수정값은 압력 측정에 문제점이 있거나 또는 다른 시스템적인 문제점이 있음을 나타내는 것일 수 있다. 상기 평가는 사용자가 선택한 유지보수 스케쥴 하에 어떠한 조치가 취해질 예정인지를 또한 결정할 수 있다. 단계 742의 평가가 문제점이 있음을 밝혀내면, 예를 들어 일시적으로 시스템(200)을 가동 정지시키거나, 인터페이스(260)를 통해 조작자 또는 제어 시스템에 경고를 보내거나, 예정되거나예정되지 않은 유지보수를 수행하거나, 원하는 질량 유동을 유지하기에 처리용 가스 입구(256)로부터의 가스 공급량이 너무 적으면 작동 순서(700)를 종료하는 등의 적절한 조치를 취한다. 단계 742가 어떠한 문제점도 없음을 밝혀내면, 제어는 상술한 단계 712로 복귀한다.
다른 실시예
상술한 설명은 다수 개의 본 발명의 실시예를 나타내지만, 당업자에게는 첨부된 청구범위에 의해 한정되는 바와 같은 본 발명의 범위를 벗어나지 않고 이에 대한 다양한 변화 및 수정이 이루어질 수 있음을 알 수 있을 것이다. 또한, 본 발명의 구성 요소가 단수로 설명 또는 청구되었을 수 있으나, 단수로 명시적으로 정해지지 않은 한은 복수로도 고려될 수 있다.

Claims (46)

  1. 가스 전달 시스템의 질량 유동을 측정하는 방법에 있어서,
    교정 체적(calibration volume)을 처리용 가스로 채우는 단계와;
    교정 체적으로부터 유동 경로로의 처리용 가스 유동을 개시하는 단계와;
    가스 유동중에,
    압력 측정을 하기 위해 교정 체적의 하류측의 하나 이상의 센서를 사용하고 경로에서 유동 제한기를 지나는 측정된 질량 유동율을 계산하기 위해 압력 측정값을 포함하는 데이터를 사용하여 연산처리를 반복적으로 수행하는 단계와;
    압력을 측정하고, 교정 체적 내의 가스 온도를 측정하고, 교정 체적으로부터 흐르는 가스의 실제 질량 유동율을 계산하기 위해 이 측정된 압력과 측정된 온도의 시간에 대한 변화율을 사용하고, 실제 질량 유동율과 측정된 질량 유동율 사이에 어떠한 불일치가 있는지를 판정하는 것을 포함하는 작업을 반복적으로 수행하는 단계와;
    불일치를 발견할 때마다, 계산 과정을 수정하여 측정된 질량 유동율이 실제 질량 유동율과 일치시킴으로써 이 불일치를 제거하는 측정 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    압력을 측정하기 위해 교정 체적의 하류측의 하나 이상의 센서를 사용하는 작업은, 차압(differential pressure)을 측정하기 위해 유동 제한기 주위에 장착된하나 이상의 압력 센서를 사용하는 것을 포함하는 측정 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    압력을 측정하기 위해 교정 체적의 하류측의 하나 이상의 센서를 사용하는 작업은, 차압을 측정하기 위해 유동 제한기 주위에 장착된 하나 이상의 압력 센서를 사용하는 것과, 유동 제한기에서의 평균 절대 압력을 부가적으로 측정하는 것을 포함하는 측정 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    압력을 측정하기 위해 교정 체적의 하류측의 하나 이상의 센서를 사용하는 작업은, 절대 압력을 측정하기 위해 경로 내의 유동 제한기의 상류측에 장착된 절대 압력 센서를 사용하는 것을 포함하는 측정 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    압력을 측정하기 위해 교정 체적의 하류측의 하나 이상의 센서를 사용하는 작업은, 모세관식 열적 질량 유동 센서(capillary thermal mass flow sensor)를 포함하는 질량 유동 센서로 수행되는 것을 포함하는 측정 방법.
  6. 제 3 항에 있어서,
    압력 센서는 유동 제한기의 상류측의 유동 경로에 부착된 제 1 변환기(firsttransducer)와 유동 제한기의 하류측의 유동 경로에 부착된 제 2 변환기를 포함하는 부동 기준 차압 센서(floating reference differential pressure sensor)를 포함하며, 각각의 변환기는 기준 도관으로부터 배면측의 기준 압력을 부가적으로 받으며, 상기 작업은,
    가스 유동을 개시하기 전에, 기준 도관을 통해 변환기에 충분한 압력을 가하여 각각의 변환기가 거의 0의 압력 출력값을 내도록 차압 센서를 교정하는 것을 더 포함하는 측정 방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    측정된 질량 유동율이 예정된 목표 질량 유동율과 일치할 때까지 가스 유동을 반복적으로 조정하는 단계를 더 포함하는 측정 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    측정된 질량 유동율이 목표 질량 유동율과 일치할 때까지 가스 유동을 조정하는 작업은, 측정된 가스 유동율이 목표 질량 유동율에 도달할 때까지 가스 유동을 조정하는 아날로그 서보 루프(analog servo loop)를 사용하는 것을 포함하는 측정 방법.
  9. 제 7 항에 있어서,
    측정된 질량 유동율이 목표 질량 유동율과 일치할 때까지 가스 유동을 조정하는 작업은, 가스 유동을 점차 증가시켜 조정한 다음에 목표 가스 유동율에 도달할 때까지 측정된 질량 유동율을 재연산하는 것을 포함하는 측정 방법.
  10. 제 1 항에 있어서,
    실제 질량 유동율과 측정된 질량 유동율 사이에 어떤 불일치라도 있는지 판정하는 작업은,
    실제 질량 유동율과 목표 질량 유동율 사이의 차이를 측정하고, 이 차이가 예정된 임계값을 초과하면 불일치가 존재한다고 간주하는 측정 방법.
  11. 제 1 항에 있어서,
    센서는 교정 체적의 하류측에 하나 이상의 압력 센서를 포함하고,
    연산 과정은 측정된 질량 유동율을 계산하기 위해 압력 측정값을 예정된 수학 방정식에 적용하는 것을 포함하는 측정 방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    계산 과정을 수정하는 작업은 수학 방정식을 바꾸어 수행되는 측정 방법.
  13. 가스 전달 시스템을 작동시키기 위해 질량 유동을 측정하는 작업을 수행하기 위해 디지털 처리 장치에 의해 실행가능한 장치-판독가능한 명령으로 이루어지는 프로그램을 포함하는 신호전달매체에 있어서,
    상기 작업은
    교정 체적을 처리용 가스로 채우는 것과;
    교정 체적으로부터 유동 경로로의 처리용 가스 유동을 개시하는 것과;
    가스 유동중에,
    압력 측정을 하기 위해 교정 체적의 하류측의 하나 이상의 센서를 사용하고 경로에서 유동 제한기를 지나는 측정된 질량 유동율을 계산하기 위해 압력 측정값을 포함하는 데이터를 사용하여 연산처리를 반복적으로 수행하는 것과;
    압력을 측정하고, 교정 체적 내의 가스 온도를 측정하고, 교정 체적으로부터 흐르는 가스의 실제 질량 유동율을 계산하기 위해 이 측정된 압력과 측정된 온도의 시간에 대한 변화율을 사용하고, 실제 질량 유동율과 측정된 질량 유동율 사이에 어떠한 불일치가 있는지를 판정하는 것을 포함하는 작업을 반복적으로 수행하는 것과;
    불일치를 발견할 때마다, 계산 과정을 수정하여 측정된 질량 유동율이 실제 질량 유동율과 일치시킴으로써 이 불일치를 제거하는 것을 포함하는 신호전달매체.
  14. 제 13 항에 있어서,
    압력을 측정하기 위해 교정 체적의 하류측에 하나 이상의 센서를 사용하는 작업은, 차압을 측정하기 위해 유동 제한기 주위에 장착된 하나 이상의 압력 센서를 사용하는 것을 포함하는 신호전달매체.
  15. 제 13 항에 있어서,
    압력을 측정하기 위해 교정 체적의 하류측의 하나 이상의 센서를 사용하는 작업은, 차압을 측정하기 위해 유동 제한기 주위에 장착된 하나 이상의 압력 센서를 사용하는 것과, 유동 제한기에서의 평균 절대 압력을 부가적으로 측정하는 것을 포함하는 신호전달매체.
  16. 제 13 항에 있어서,
    압력을 측정하기 위해 교정 체적의 하류측의 하나 이상의 센서를 사용하는 작업은, 절대 압력을 측정하기 위해 경로 내의 유동 제한기의 상류측에 장착된 절대 압력 센서를 사용하는 것과 측정된 절대 압력을 포함하는 데이터를 사용하여 질량 유동율을 계산하는 것을 포함하는 신호전달매체.
  17. 제 13 항에 있어서,
    압력을 측정하기 위해 교정 체적의 하류측의 하나 이상의 센서를 사용하는 작업은, 모세관식 열적 질량 유동 센서를 포함하는 질량 유동 센서로 수행되는 것을 포함하는 신호전달매체.
  18. 제 15 항에 있어서,
    압력 센서는 유동 제한기의 상류측의 유동 경로에 부착된 제 1 변환기와 유동 제한기의 하류측의 유동 경로에 부착된 제 2 변환기를 포함하는 부동 기준 차압센서를 포함하며, 각각의 변환기는 기준 도관으로부터 배면측의 기준 압력을 부가적으로 받으며, 상기 작업은,
    가스 유동을 개시하기 전에, 기준 도관을 통해 변환기에 충분한 압력을 가하여 각각의 변환기가 거의 0의 압력 출력값을 내도록 차압 센서를 교정하는 것을 더 포함하는 신호전달매체.
  19. 제 13 항에 있어서,
    측정된 질량 유동율이 예정된 목표 질량 유동율과 일치할 때까지 가스 유동을 반복적으로 조정하는 것을 더 포함하는 신호전달매체.
  20. 제 13 항에 있어서,
    측정된 질량 유동율이 목표 질량 유동율과 일치할 때까지 가스 유동을 조정하는 작업은, 측정된 가스 유동율이 목표 질량 유동율에 도달할 때까지 가스 유동을 조정하는 아날로그 서보 루프를 사용하는 것을 포함하는 신호전달매체.
  21. 제 13 항에 있어서,
    측정된 질량 유동율이 목표 질량 유동율과 일치할 때까지 가스 유동을 조정하는 작업은, 가스 유동을 점차 증가시켜 조정한 다음에 목표 가스 유동율에 도달할 때까지 측정된 질량 유동율을 재연산하는 것을 포함하는 신호전달매체.
  22. 제 13 항에 있어서,
    실제 질량 유동율과 측정된 질량 유동율 사이에 어떤 불일치라도 있는지 판정하는 작업은,
    실제 질량 유동율과 목표 질량 유동율 사이의 차이를 측정하고, 이 차이가 예정된 임계값을 초과하면 불일치가 존재한다고 간주하는 신호전달매체.
  23. 제 13 항에 있어서,
    센서는 교정 체적의 하류측에 하나 이상의 압력 센서를 포함하고,
    연산 과정은 측정된 질량 유동율을 계산하기 위해 압력 측정값을 예정된 수학 방정식에 적용하는 것을 포함하는 신호전달매체.
  24. 제 13 항에 있어서,
    계산 과정을 수정하는 작업은 수학 방정식을 바꾸어 수행되는 신호전달매체.
  25. 가스 전달 시스템을 제어하는 작업을 수행하도록 설정된 다중 상호접속된 전기전도성 소자로 이루어지는 논리 회로에 있어서,
    상기 작업은
    교정 체적을 처리용 가스로 채우는 것과;
    교정 체적으로부터 유동 경로로의 처리용 가스 유동을 개시하는 것과;
    가스 유동중에,
    압력 측정을 하기 위해 교정 체적의 하류측의 하나 이상의 센서를 사용하고 경로에서 유동 제한기를 지나는 측정된 질량 유동율을 계산하기 위해 압력 측정값을 포함하는 데이터를 사용하여 연산처리를 반복적으로 수행하는 것과;
    압력을 측정하고, 교정 체적 내의 가스 온도를 측정하고, 교정 체적으로부터 흐르는 가스의 실제 질량 유동율을 계산하기 위해 이 측정된 압력과 측정된 온도의 시간에 대한 변화율을 사용하고, 실제 질량 유동율과 측정된 질량 유동율 사이에 어떠한 불일치가 있는지를 판정하는 것을 포함하는 작업을 반복적으로 수행하는 것과;
    불일치를 발견할 때마다, 계산 과정을 수정하여 측정된 질량 유동율이 실제 질량 유동율과 일치시킴으로써 이 불일치를 제거하는 것을 포함하는 논리 회로.
  26. 제 25 항에 있어서,
    압력을 측정하기 위해 교정 체적의 하류측의 하나 이상의 센서를 사용하는 작업은, 차압을 측정하기 위해 유동 제한기 주위에 장착된 하나 이상의 압력 센서를 사용하는 것을 포함하는 논리 회로.
  27. 제 25 항에 있어서,
    압력을 측정하기 위해 교정 체적의 하류측에 하나 이상의 센서를 사용하는 작업은,
    차압을 측정하기 위해 유동 제한기 주위에 장착된 하나 이상의 압력 센서를사용하는 것을 포함하는 논리 회로.
  28. 제 25 항에 있어서,
    압력을 측정하기 위해 교정 체적의 하류측의 하나 이상의 센서를 사용하는 작업은, 절대 압력을 측정하기 위해 경로 내의 유동 제한기의 상류측에 장착된 절대 압력 센서를 사용하는 것과 측정된 절대 압력을 포함하는 데이터를 사용하여 질량 유동율을 계산하는 것을 포함하는 논리 회로.
  29. 제 25 항에 있어서,
    압력을 측정하기 위해 교정 체적의 하류측의 하나 이상의 센서를 사용하는 작업은, 모세관식 열적 질량 유동 센서를 포함하는 질량 유동 센서로 수행되는 것을 포함하는 논리 회로.
  30. 제 26 항에 있어서,
    압력 센서는 유동 제한기의 상류측의 유동 경로에 부착된 제 1 변환기와 유동 제한기의 하류측의 유동 경로에 부착된 제 2 변환기를 포함하는 부동 기준 차압 센서를 포함하며, 각각의 변환기는 기준 도관으로부터 배면측의 기준 압력을 부가적으로 받으며, 상기 작업은,
    가스 유동을 개시하기 전에, 기준 도관을 통해 변환기에 충분한 압력을 가하여 각각의 변환기가 거의 0의 압력 출력값을 내도록 차압 센서를 교정하는 것을 더포함하는 논리 회로.
  31. 제 25 항에 있어서,
    측정된 질량 유동율이 예정된 목표 질량 유동율과 일치할 때까지 가스 유동을 반복적으로 조정하는 것을 더 포함하는 논리 회로.
  32. 제 25 항에 있어서,
    측정된 질량 유동율이 목표 질량 유동율과 일치할 때까지 가스 유동을 조정하는 작업은, 측정된 가스 유동율이 목표 질량 유동율에 도달할 때까지 가스 유동을 조정하는 아날로그 서보 루프를 사용하는 것을 포함하는 논리 회로.
  33. 제 25 항에 있어서,
    측정된 질량 유동율이 목표 질량 유동율과 일치할 때까지 가스 유동을 조정하는 작업은, 가스 유동을 점차 증가시켜 조정한 다음에 목표 가스 유동율에 도달할 때까지 측정된 질량 유동율을 재연산하는 것을 포함하는 논리 회로.
  34. 제 25 항에 있어서,
    실제 질량 유동율과 측정된 질량 유동율 사이에 어떤 불일치라도 있는지 판정하는 작업은,
    실제 질량 유동율과 목표 질량 유동율 사이의 차이를 측정하고, 이 차이가예정된 임계값을 초과하면 불일치가 존재한다고 간주하는 논리 회로.
  35. 제 25 항에 있어서,
    센서는 교정 체적의 하류측에 하나 이상의 압력 센서를 포함하고,
    연산 과정은 측정된 질량 유동율을 계산하기 위해 압력 측정값을 예정된 수학 방정식에 적용하는 것을 포함하는 논리 회로.
  36. 제 35 항에 있어서,
    불일치를 없애기 위해 하류측의 센서에 의한 측정값을 조절하는 작업은 수학 방정식을 바꾸어 수행되는 논리 회로.
  37. 제 25 항에 있어서,
    집적 회로를 포함하는 논리 회로.
  38. 가스 전달 시스템에 있어서,
    상류측 단부와 하류측 단부를 갖는 제 1 도관과,
    제 1 도관과 직렬로 위치된 교정 체적과,
    교정 체적 내의 가스의 압력을 측정하기 위해 적합한 위치에서 교정 체적과 제 1 도관 중의 적어도 하나에 연결된 제 1 압력 센서와,
    교정 체적의 하류측의 제 1 도관과 직렬로 위치된 유동 제한기와,
    제 1 도관으로부터 분리되어 있는 기준 도관과,
    유동 제한기의 상류측의 제 1 도관에 부착된 제 1 변환기와 유동 제한기의 하류측의 제 1 도관에 부착된 제 2 변환기를 포함하며, 이들 각각의 변환기는 기준 도관의 압력에 대한 상대 압력을 측정하는, 부동 기준 차압 센서를 포함하는 가스 전달 시스템.
  39. 제 38 항에 있어서,
    각각의 변환기는 다이어프램의 위치에 따른 압력 출력값을 제공하도록 감지 장치와 함께 다이어프램을 포함하는 하우징을 포함하는 가스 전달 시스템.
  40. 제 39 항에 있어서,
    각각의 변환기는 용량 액주 압력계(capacitance manometer)를 포함하는 가스 전달 시스템.
  41. 제 39 항에 있어서,
    하나 이상의 부가적인 도관과,
    처리실로의 도관 중의 하나를 선택적으로 커플링하는 배출구 밸브(output valve)를 포함하며,
    각각의 부가적인 도관은 개개의 교정 체적, 절대 압력 센서, 온도 센서, 유동 제한기 및 차압 센서를 포함하는 가스 전달 시스템.
  42. 제 39 항에 있어서,
    각각 개개의 유동 제한기 및 차압 센서를 구비하는 하나 이상의 부가적인 도관과,
    교정 체적으로 들어가는 상이한 처리용 가스 중의 하나를 선택하기 위해 각각의 가스 입구와 교정 체적에 커플링되는 다중 포트 밸브(multi-port valve)를 더 포함하는 가스 전달 시스템.
  43. 제 39 항에 있어서,
    하나 이상의 가스 입구와,
    교정 체적으로 들어가는 상이한 처리용 가스 중의 하나를 선택하기 위해 각각의 가스 입구와 교정 체적에 커플링되는 다중 포트 밸브를 더 포함하는 가스 전달 시스템.
  44. 제 39 항에 있어서,
    제 1 도관을 지나는 가스 유동을 안내 및 조절하기 위해 제 1 도관과 직렬로 위치된 여러 개의 밸브를 더 포함하며, 밸브 각각은 가변 조정 유동 제어 밸브 또는 다중-방향(multi-way) 밸브 중의 하나를 포함하는 가스 전달 시스템.
  45. 제 39 항에 있어서,
    교정 체적 내의 가스의 온도를 측정하기 위해 적합한 위치에서 교정 체적과 제 1 도관 중의 적어도 하나에 연결된 온도 센서를 더 포함하는 가스 전달 시스템.
  46. 가스 전달 질량 유동 제어 시스템에 있어서,
    상류측 단부와 하류측 단부를 갖는 도관과,
    상기 도관과 직렬로 위치된 교정 체적과,
    상기 교정 체적 내의 가스의 압력을 측정하는 수단과,
    교정 체적의 하류측의 도관의 가스 유동을 제한하는 수단과,
    기준 도관 및 이 기준 도관의 압력을 선택적으로 조정하는 수단과,
    가스 유동을 제한하는 수단에 걸쳐 압력을 미분적으로(differentially) 측정하는 수단을 포함하며, 상기 압력 측정은 기준 도관의 압력에 대응하여 이루어지는 가스 전달 질량 유동 제어 시스템.
KR1020017012258A 1999-05-26 1999-12-04 실시간 유동 측정 및 수정용 광범위 가스 유동 시스템 KR20020000867A (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/318,880 US6119710A (en) 1999-05-26 1999-05-26 Method for wide range gas flow system with real time flow measurement and correction
US09/318,880 1999-05-26
PCT/US1999/028687 WO2000073868A1 (en) 1999-05-26 1999-12-04 Wide range gas flow system with real time flow measurement and correction

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20020000867A true KR20020000867A (ko) 2002-01-05

Family

ID=23239950

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020017012258A KR20020000867A (ko) 1999-05-26 1999-12-04 실시간 유동 측정 및 수정용 광범위 가스 유동 시스템

Country Status (10)

Country Link
US (2) US6119710A (ko)
JP (1) JP2003501637A (ko)
KR (1) KR20020000867A (ko)
CN (1) CN1350668A (ko)
AU (1) AU2039600A (ko)
CA (1) CA2366580A1 (ko)
GB (2) GB2365980B (ko)
SG (1) SG102683A1 (ko)
TW (1) TW468101B (ko)
WO (1) WO2000073868A1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100715034B1 (ko) * 2002-05-02 2007-05-09 로얄소브린 주식회사 라미네이터의 롤러 구동 장치.
KR100859653B1 (ko) * 2004-05-25 2008-09-23 코비디엔 아게 유동 제어 장치용 유동 감시 시스템

Families Citing this family (473)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6581623B1 (en) * 1999-07-16 2003-06-24 Advanced Technology Materials, Inc. Auto-switching gas delivery system utilizing sub-atmospheric pressure gas supply vessels
TW514720B (en) 2000-02-14 2002-12-21 Unit Instr Inc Method and apparatus for balancing resistance
US6405745B1 (en) * 2000-03-22 2002-06-18 Delphi Technologies, Inc. Ultra accurate gas injection system
US6443174B2 (en) 2000-07-08 2002-09-03 Daniel T. Mudd Fluid mass flow control valve and method of operation
AU2001277984A1 (en) 2000-07-25 2002-02-05 Fugasity Corporation Small internal volume fluid mass flow control apparatus
US7061595B2 (en) * 2000-08-02 2006-06-13 Honeywell International Inc. Miniaturized flow controller with closed loop regulation
US6539968B1 (en) 2000-09-20 2003-04-01 Fugasity Corporation Fluid flow controller and method of operation
SE518058C2 (sv) * 2000-12-22 2002-08-20 Alfa Laval Ab Komponent för att stödja ett filterorgan i en portkanal till en plattvärmeväxlare, anordning innefattande ett rörformigt filterorgan och nämnda komponent samt plattvärmeväxlare innefattande ett rörformigt filterorgan och nämnda komponent
BR0208609A (pt) * 2001-03-22 2004-03-02 Fernando Milanes Garcia Moreno Método e sistema eletrônico para criação instantânea e armazenagem de histogramas de consumo em pontos de entrada de água potável
WO2002084156A1 (en) * 2001-04-11 2002-10-24 Asco Controls, L.P. Double block valve with proving system
AU2002307547A1 (en) 2001-04-24 2002-11-05 Unit Instruments, Inc. System and method for configuring and asapting a mass flow controller
US7010464B2 (en) * 2001-07-25 2006-03-07 Schneider Automation Inc. Mobile HVAC cavity test device, method, and computer product
US6627465B2 (en) * 2001-08-30 2003-09-30 Micron Technology, Inc. System and method for detecting flow in a mass flow controller
CN1606721A (zh) * 2001-10-12 2005-04-13 霍里巴斯特克公司 制造和使用质量流量设备的***和方法
KR100878577B1 (ko) * 2001-10-18 2009-01-15 씨케이디 가부시키 가이샤 펄스 샷 타입 유량 조정 장치 및 펄스 샷 타입 유량 조정방법
US6711956B2 (en) * 2001-10-31 2004-03-30 Macronix International Co., Ltd. Method and apparatus for regulating exhaust pressure in evacuation system of semiconductor process chamber
US6901808B1 (en) * 2002-02-12 2005-06-07 Lam Research Corporation Capacitive manometer having reduced process drift
US7252011B2 (en) * 2002-03-11 2007-08-07 Mks Instruments, Inc. Surface area deposition trap
DE10216143A1 (de) * 2002-04-12 2003-10-23 Bayer Ag Vorrichtung zur Dosierung von Gasen
US7000464B2 (en) 2002-05-28 2006-02-21 Mcmillan Company Measuring and control of low fluid flow rates with heated conduit walls
US6736005B2 (en) 2002-05-28 2004-05-18 Mcmillan Company High accuracy measuring and control of low fluid flow rates
GB2419677A (en) * 2002-06-24 2006-05-03 Mks Instr Inc Pressure fluctuation insensitive mass flow controller
US7136767B2 (en) * 2002-06-24 2006-11-14 Mks Instruments, Inc. Apparatus and method for calibration of mass flow controller
US7809473B2 (en) * 2002-06-24 2010-10-05 Mks Instruments, Inc. Apparatus and method for pressure fluctuation insensitive mass flow control
US20030234047A1 (en) * 2002-06-24 2003-12-25 Ali Shajii Apparatus and method for dual processor mass flow controller
US7004191B2 (en) * 2002-06-24 2006-02-28 Mks Instruments, Inc. Apparatus and method for mass flow controller with embedded web server
US6810308B2 (en) 2002-06-24 2004-10-26 Mks Instruments, Inc. Apparatus and method for mass flow controller with network access to diagnostics
US6712084B2 (en) 2002-06-24 2004-03-30 Mks Instruments, Inc. Apparatus and method for pressure fluctuation insensitive mass flow control
US7552015B2 (en) * 2002-06-24 2009-06-23 Mks Instruments, Inc. Apparatus and method for displaying mass flow controller pressure
KR101006537B1 (ko) * 2002-06-24 2011-01-07 엠케이에스 인스트루먼츠 인코포레이티드 압력변동에 영향을 받지 않는 질량 유량 제어장치
US6868862B2 (en) * 2002-06-24 2005-03-22 Mks Instruments, Inc. Apparatus and method for mass flow controller with a plurality of closed loop control code sets
US20030234045A1 (en) * 2002-06-24 2003-12-25 Ali Shajii Apparatus and method for mass flow controller with on-line diagnostics
US6948508B2 (en) * 2002-06-24 2005-09-27 Mks Instruments, Inc. Apparatus and method for self-calibration of mass flow controller
US6845659B2 (en) 2002-07-19 2005-01-25 Celerity Group, Inc. Variable resistance sensor with common reference leg
WO2004010234A2 (en) * 2002-07-19 2004-01-29 Celerity Group, Inc. Methods and apparatus for pressure compensation in a mass flow controller
US6789558B2 (en) * 2002-09-04 2004-09-14 Hr Textron, Inc. Digitally controlled direct drive valve and system and method for manufacturing the same
US7169231B2 (en) * 2002-12-13 2007-01-30 Lam Research Corporation Gas distribution system with tuning gas
US7534363B2 (en) * 2002-12-13 2009-05-19 Lam Research Corporation Method for providing uniform removal of organic material
US20040112540A1 (en) * 2002-12-13 2004-06-17 Lam Research Corporation Uniform etch system
US20050000570A1 (en) * 2003-01-17 2005-01-06 Mohammed Balarabe Nuhu Combination manual/pneumatic shut-off valve
US6868869B2 (en) * 2003-02-19 2005-03-22 Advanced Technology Materials, Inc. Sub-atmospheric pressure delivery of liquids, solids and low vapor pressure gases
US6843139B2 (en) * 2003-03-12 2005-01-18 Rosemount Inc. Flow instrument with multisensors
US7115520B2 (en) * 2003-04-07 2006-10-03 Unaxis Usa, Inc. Method and apparatus for process control in time division multiplexed (TDM) etch process
US7381650B2 (en) * 2003-04-07 2008-06-03 Unaxis Usa Inc. Method and apparatus for process control in time division multiplexed (TDM) etch processes
WO2004094976A1 (en) * 2003-04-22 2004-11-04 Honeywell International Inc. Apparatus to measure differential pressure with settable pressure reference
US6955072B2 (en) 2003-06-25 2005-10-18 Mks Instruments, Inc. System and method for in-situ flow verification and calibration
JP3872776B2 (ja) * 2003-07-16 2007-01-24 東京エレクトロン株式会社 半導体製造装置及び半導体製造方法
US6909839B2 (en) * 2003-07-23 2005-06-21 Advanced Technology Materials, Inc. Delivery systems for efficient vaporization of precursor source material
JP2005079141A (ja) * 2003-08-28 2005-03-24 Asm Japan Kk プラズマcvd装置
US7137400B2 (en) * 2003-09-30 2006-11-21 Agere Systems Inc. Bypass loop gas flow calibration
JP4399227B2 (ja) * 2003-10-06 2010-01-13 株式会社フジキン チャンバの内圧制御装置及び内圧被制御式チャンバ
US20050095859A1 (en) * 2003-11-03 2005-05-05 Applied Materials, Inc. Precursor delivery system with rate control
NO322167B1 (no) * 2003-11-05 2006-08-21 Abb As Fremgangsmåte og anordning for å detektere vanngjennombrudd ved brønnproduksjon av olje og gass, samt anvendelse av fremgangsmåten i en olje- og gass-produksjonsprosess
US7437944B2 (en) * 2003-12-04 2008-10-21 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for pressure and mix ratio control
US20050120805A1 (en) * 2003-12-04 2005-06-09 John Lane Method and apparatus for substrate temperature control
US6973375B2 (en) * 2004-02-12 2005-12-06 Mykrolis Corporation System and method for flow monitoring and control
US7740024B2 (en) * 2004-02-12 2010-06-22 Entegris, Inc. System and method for flow monitoring and control
US7628860B2 (en) * 2004-04-12 2009-12-08 Mks Instruments, Inc. Pulsed mass flow delivery system and method
US7628861B2 (en) * 2004-12-17 2009-12-08 Mks Instruments, Inc. Pulsed mass flow delivery system and method
US20060000509A1 (en) * 2004-07-01 2006-01-05 Pozniak Peter M Fluid flow control device and system
US7216019B2 (en) * 2004-07-08 2007-05-08 Celerity, Inc. Method and system for a mass flow controller with reduced pressure sensitivity
EP1797489A4 (en) * 2004-07-09 2008-07-30 Celerity Inc METHOD AND SYSTEM FOR FLOW MEASUREMENT AND VALIDATION OF A MASS FLOW CONTROL
US7412986B2 (en) * 2004-07-09 2008-08-19 Celerity, Inc. Method and system for flow measurement and validation of a mass flow controller
US8435351B2 (en) * 2004-11-29 2013-05-07 Tokyo Electron Limited Method and system for measuring a flow rate in a solid precursor delivery system
US7150201B2 (en) * 2004-12-15 2006-12-19 Celerity, Inc. System and method for measuring flow
US7225085B2 (en) * 2005-02-25 2007-05-29 The Regents Of The University Of California Precision gas flow meter
US7376520B2 (en) * 2005-03-16 2008-05-20 Lam Research Corporation System and method for gas flow verification
US7237535B2 (en) * 2005-04-11 2007-07-03 Honeywell International Inc. Enhanced accuracy fuel metering system and method
US20070021935A1 (en) * 2005-07-12 2007-01-25 Larson Dean J Methods for verifying gas flow rates from a gas supply system into a plasma processing chamber
CN100444310C (zh) * 2005-12-07 2008-12-17 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种质量流量控制器在线校验的方法
US7971604B2 (en) 2006-04-20 2011-07-05 Hitachi Metals, Ltd. Flow controller delivery of a specified-quantity of a fluid
KR101501426B1 (ko) * 2006-06-02 2015-03-11 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 차압 측정들에 의한 가스 유동 제어
US7932181B2 (en) * 2006-06-20 2011-04-26 Lam Research Corporation Edge gas injection for critical dimension uniformity improvement
CN101187660B (zh) * 2006-07-18 2012-01-11 中国石油天然气集团公司 双槽式孔板型混输计量装置
JP2008039513A (ja) * 2006-08-03 2008-02-21 Hitachi Metals Ltd 質量流量制御装置の流量制御補正方法
US7743670B2 (en) * 2006-08-14 2010-06-29 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for gas flow measurement
US8074677B2 (en) 2007-02-26 2011-12-13 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for controlling gas flow to a processing chamber
US7846497B2 (en) * 2007-02-26 2010-12-07 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for controlling gas flow to a processing chamber
US7775236B2 (en) * 2007-02-26 2010-08-17 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for controlling gas flow to a processing chamber
US7651263B2 (en) * 2007-03-01 2010-01-26 Advanced Energy Industries, Inc. Method and apparatus for measuring the temperature of a gas in a mass flow controller
US7706995B2 (en) * 2007-04-16 2010-04-27 Mks Instr Inc Capacitance manometers and methods relating to auto-drift correction
DE102008011111A1 (de) * 2007-06-29 2009-01-02 Robert Bosch Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Abgleich einer Regeleinrichtung
US7866345B2 (en) * 2007-09-28 2011-01-11 Circor Instrumentation Technologies, Inc. Non-clogging flow restriction for pressure based flow control devices
US7937987B2 (en) * 2007-09-28 2011-05-10 Circor Instrumentation Technologies, Inc. Filter monitor-flow meter combination sensor
JP5054500B2 (ja) * 2007-12-11 2012-10-24 株式会社フジキン 圧力制御式流量基準器
CN101978132B (zh) * 2008-01-18 2015-04-29 关键***公司 对气体流动控制器进行现场测试的方法和设备
US8050828B2 (en) * 2008-03-31 2011-11-01 GM Global Technology Operations LLC Transmission oil measurement system and method
NL2002365C2 (en) * 2008-05-26 2011-04-05 Avantium Holding B V Flow splitter and reaction assembly.
US7905139B2 (en) * 2008-08-25 2011-03-15 Brooks Instrument, Llc Mass flow controller with improved dynamic
US7826986B2 (en) * 2008-09-26 2010-11-02 Advanced Energy Industries, Inc. Method and system for operating a mass flow controller
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
TWI435196B (zh) 2009-10-15 2014-04-21 Pivotal Systems Corp 氣體流量控制方法及裝置
US8271210B2 (en) * 2009-12-09 2012-09-18 Pivotal Systems Corporation Method and apparatus for enhancing in-situ gas flow measurement performance
US8265888B2 (en) * 2009-12-09 2012-09-11 Pivotal Systems Corporation Method and apparatus for enhancing in-situ gas flow measurement performance
US8271211B2 (en) * 2009-12-09 2012-09-18 Pivotal Systems Corporation Method and apparatus for enhancing in-situ gas flow measurement performance
JP5361847B2 (ja) * 2010-02-26 2013-12-04 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、この基板処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体及び基板処理装置
EP2366448B1 (en) 2010-03-16 2016-07-27 Amminex Emissions Technology A/S Method and device for controlled dosing of a gas with fluctuating supply pressure
US20110232588A1 (en) * 2010-03-26 2011-09-29 Msp Corporation Integrated system for vapor generation and thin film deposition
JP5562712B2 (ja) * 2010-04-30 2014-07-30 東京エレクトロン株式会社 半導体製造装置用のガス供給装置
US8758515B2 (en) 2010-08-09 2014-06-24 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Delivery device and method of use thereof
US9348339B2 (en) 2010-09-29 2016-05-24 Mks Instruments, Inc. Method and apparatus for multiple-channel pulse gas delivery system
US8997686B2 (en) * 2010-09-29 2015-04-07 Mks Instruments, Inc. System for and method of fast pulse gas delivery
US8528427B2 (en) * 2010-10-29 2013-09-10 Becton, Dickinson And Company Dual feedback vacuum fluidics for a flow-type particle analyzer
US9400004B2 (en) 2010-11-29 2016-07-26 Pivotal Systems Corporation Transient measurements of mass flow controllers
US10031531B2 (en) 2011-02-25 2018-07-24 Mks Instruments, Inc. System for and method of multiple channel fast pulse gas delivery
US10126760B2 (en) 2011-02-25 2018-11-13 Mks Instruments, Inc. System for and method of fast pulse gas delivery
US10353408B2 (en) 2011-02-25 2019-07-16 Mks Instruments, Inc. System for and method of fast pulse gas delivery
WO2012153455A1 (ja) 2011-05-10 2012-11-15 株式会社フジキン 流量モニタ付圧力式流量制御装置
US8776821B2 (en) 2011-05-24 2014-07-15 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Vapor delivery device, methods of manufacture and methods of use thereof
US8997775B2 (en) 2011-05-24 2015-04-07 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Vapor delivery device, methods of manufacture and methods of use thereof
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
JP5755958B2 (ja) 2011-07-08 2015-07-29 株式会社フジキン 半導体製造装置の原料ガス供給装置
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
JP5739261B2 (ja) * 2011-07-28 2015-06-24 株式会社堀場エステック ガス供給システム
US9958302B2 (en) 2011-08-20 2018-05-01 Reno Technologies, Inc. Flow control system, method, and apparatus
US20160041564A1 (en) * 2012-08-20 2016-02-11 Daniel T. Mudd Reverse flow mode for regulating pressure of an accumulated volume with fast upstream bleed down
US9188989B1 (en) 2011-08-20 2015-11-17 Daniel T. Mudd Flow node to deliver process gas using a remote pressure measurement device
CN104024469B (zh) 2011-09-02 2017-05-03 第一太阳能有限公司 用于气相传输沉积***的给料器***和给料方法
JP5647083B2 (ja) 2011-09-06 2014-12-24 株式会社フジキン 原料濃度検出機構を備えた原料気化供給装置
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
JP5754853B2 (ja) * 2012-01-30 2015-07-29 株式会社フジキン 半導体製造装置のガス分流供給装置
JP5881467B2 (ja) * 2012-02-29 2016-03-09 株式会社フジキン ガス分流供給装置及びこれを用いたガス分流供給方法
ES2845173T3 (es) * 2012-05-24 2021-07-26 Air Prod & Chem Procedimiento y aparato para regular el caudal másico de un gas
JP5868796B2 (ja) * 2012-07-03 2016-02-24 株式会社堀場エステック 圧力制御装置、流量制御装置、及び、圧力制御装置用プログラム、流量制御装置用プログラム
US9243325B2 (en) 2012-07-18 2016-01-26 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Vapor delivery device, methods of manufacture and methods of use thereof
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
DE102013105993A1 (de) * 2012-12-14 2014-07-03 Endress + Hauser Flowtec Ag Thermische Durchflussmessvorrichtung und Verfahren zur Korrektur eines Durchflusses eines Mediums
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9562820B2 (en) 2013-02-28 2017-02-07 Mks Instruments, Inc. Pressure sensor with real time health monitoring and compensation
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
EP3036510B1 (en) 2013-03-14 2021-06-09 Christopher Max Horwitz Pressure-based gas flow controller with dynamic self-calibration
US9454158B2 (en) 2013-03-15 2016-09-27 Bhushan Somani Real time diagnostics for flow controller systems and methods
DE102013209551A1 (de) * 2013-05-23 2014-11-27 Robert Bosch Gmbh Verfahren und Steuereinheit zur Bestimmung eines Massenstroms in einer Hochdruck-Abgas-Rückführung einer Brennkraftmaschine
US9746359B2 (en) * 2013-06-28 2017-08-29 Vyaire Medical Capital Llc Flow sensor
TWI472722B (zh) * 2013-08-07 2015-02-11 China Steel Corp A method of calculating the flow on a pipe
CN104416256B (zh) * 2013-08-23 2016-09-07 珠海格力电器股份有限公司 钎焊充氮智能监控设备
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
CN206411068U (zh) * 2013-09-27 2017-08-15 魄金莱默保健科学有限公司 歧管、包括第一和第二长丝检测器的歧管及其***和色谱***
CN103697214B (zh) * 2013-12-23 2017-02-08 沃尔达环境技术江苏股份有限公司 一种智慧阀门及其控制方法
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
JP6415889B2 (ja) * 2014-08-01 2018-10-31 株式会社堀場エステック 流量制御装置、流量制御装置用プログラム、及び、流量制御方法
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
JP6938460B2 (ja) 2015-07-10 2021-09-22 ピヴォタル システムズ コーポレーション ガス流制御のための方法および装置
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
CN108139760A (zh) * 2015-10-28 2018-06-08 株式会社富士金 流量信号补正方法以及使用其的流量控制装置
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
CN105424272A (zh) * 2015-12-28 2016-03-23 黄山迈普汽车部件有限公司 一种适用于高原的真空度传感器
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10494200B2 (en) 2016-04-25 2019-12-03 Chevron Phillips Chemical Company Lp Measurement of product pellets flow rate
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10684159B2 (en) * 2016-06-27 2020-06-16 Applied Materials, Inc. Methods, systems, and apparatus for mass flow verification based on choked flow
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US10303189B2 (en) 2016-06-30 2019-05-28 Reno Technologies, Inc. Flow control system, method, and apparatus
US11144075B2 (en) 2016-06-30 2021-10-12 Ichor Systems, Inc. Flow control system, method, and apparatus
US10838437B2 (en) 2018-02-22 2020-11-17 Ichor Systems, Inc. Apparatus for splitting flow of process gas and method of operating same
US10679880B2 (en) 2016-09-27 2020-06-09 Ichor Systems, Inc. Method of achieving improved transient response in apparatus for controlling flow and system for accomplishing same
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
KR102354490B1 (ko) 2016-07-27 2022-01-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102613349B1 (ko) 2016-08-25 2023-12-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 장치 및 이를 이용한 기판 가공 장치와 박막 제조 방법
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
DE102016013959B4 (de) 2016-11-23 2019-08-08 Drägerwerk AG & Co. KGaA Prüfvorrichtung zu einer Überprüfung eines Gasführungselementes
DE102016013958B4 (de) * 2016-11-23 2019-08-08 Drägerwerk AG & Co. KGaA Vorrichtung mit einer Pumpeinrichtung zu einer Überprüfung einer Funktionsbereitschaft eines Gasführungselementes eines Gasmesssystems
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
US10684154B2 (en) * 2016-12-12 2020-06-16 Ventbuster Holdings Inc. Gas meter and associated methods
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10031004B2 (en) 2016-12-15 2018-07-24 Mks Instruments, Inc. Methods and apparatus for wide range mass flow verification
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
JP7245600B2 (ja) * 2016-12-15 2023-03-24 株式会社堀場エステック 流量制御装置、及び、流量制御装置用プログラム
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
GB2557670B (en) * 2016-12-15 2020-04-15 Thermo Fisher Scient Bremen Gmbh Improved gas flow control
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10663337B2 (en) 2016-12-30 2020-05-26 Ichor Systems, Inc. Apparatus for controlling flow and method of calibrating same
US10409295B2 (en) * 2016-12-31 2019-09-10 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for enhanced flow detection repeatability of thermal-based mass flow controllers (MFCS)
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10983537B2 (en) 2017-02-27 2021-04-20 Flow Devices And Systems Inc. Systems and methods for flow sensor back pressure adjustment for mass flow controller
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
USD876504S1 (en) 2017-04-03 2020-02-25 Asm Ip Holding B.V. Exhaust flow control ring for semiconductor deposition apparatus
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
CN110382103B (zh) * 2017-05-11 2022-07-22 株式会社堀场Stec 液体材料汽化供给装置和计算机可读存储介质
DE102017004727A1 (de) * 2017-05-17 2018-11-22 Drägerwerk AG & Co. KGaA Verfahren zur Kalibrierung eines Gassensors
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
US11639811B2 (en) 2017-11-27 2023-05-02 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
TWI779134B (zh) 2017-11-27 2022-10-01 荷蘭商Asm智慧財產控股私人有限公司 用於儲存晶圓匣的儲存裝置及批爐總成
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
JP7008499B2 (ja) * 2017-12-27 2022-01-25 株式会社堀場エステック 校正データ作成装置及び校正データ作成方法、並びに、流量制御装置
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
KR20200108016A (ko) 2018-01-19 2020-09-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법
TW202325889A (zh) 2018-01-19 2023-07-01 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 沈積方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
CN111699278B (zh) 2018-02-14 2023-05-16 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR20190128558A (ko) 2018-05-08 2019-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
TWI816783B (zh) 2018-05-11 2023-10-01 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
CN112292477A (zh) 2018-06-27 2021-01-29 Asm Ip私人控股有限公司 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构
US11492703B2 (en) 2018-06-27 2022-11-08 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
WO2020005149A2 (en) * 2018-06-29 2020-01-02 Provtagaren Ab Method for digital flow measurement in pulsating flows
TWI751420B (zh) 2018-06-29 2022-01-01 荷蘭商Asm知識產權私人控股有限公司 薄膜沉積方法
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
EP3857103A4 (en) 2018-09-28 2022-07-13 Emerson Automation Solutions Final Control US LP PILOT CONTROLLED RELIEF VALVE ASSEMBLY
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的***及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11675374B2 (en) 2018-10-26 2023-06-13 Illinois Tool Works Inc. Mass flow controller with advanced zero trending diagnostics
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TW202405220A (zh) 2019-01-17 2024-02-01 荷蘭商Asm Ip 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
JP7509548B2 (ja) 2019-02-20 2024-07-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
TWI838458B (zh) 2019-02-20 2024-04-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於3d nand應用中之插塞填充沉積之設備及方法
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
JP2020133004A (ja) 2019-02-22 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材を処理するための基材処理装置および方法
JP2020139864A (ja) * 2019-02-28 2020-09-03 株式会社堀場エステック 流量算出システム、流量算出システム用プログラム、流量算出方法、及び、流量算出装置
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11404290B2 (en) * 2019-04-05 2022-08-02 Mks Instruments, Inc. Method and apparatus for pulse gas delivery
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
CN113632038A (zh) * 2019-04-25 2021-11-09 株式会社富士金 流量控制装置
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
CN110081944A (zh) * 2019-06-05 2019-08-02 浙江埃泰克环境科技有限公司 一种基于实时压力变化的气体测量方法及所用装置
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
TW202113936A (zh) 2019-07-29 2021-04-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11073845B2 (en) * 2019-08-26 2021-07-27 Hitachi Metals, Ltd. Parasitic flow correction method and apparatus
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
CN112635282A (zh) 2019-10-08 2021-04-09 Asm Ip私人控股有限公司 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
TW202142733A (zh) 2020-01-06 2021-11-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 反應器系統、抬升銷、及處理方法
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
US11789472B2 (en) * 2020-01-21 2023-10-17 Horiba Stec, Co., Ltd. Gas delivery system with electrical backplane
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146715A (zh) 2020-02-17 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132605A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
TW202140831A (zh) 2020-04-24 2021-11-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成含氮化釩層及包含該層的結構之方法
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202147383A (zh) 2020-05-19 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基材處理設備
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202200837A (zh) 2020-05-22 2022-01-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於在基材上形成薄膜之反應系統
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成含矽層之方法
US11585272B2 (en) 2020-06-25 2023-02-21 Pratt & Whitney Canada Corp. System and method for detection of excessive flow in a fluid system
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
US11725280B2 (en) 2020-08-26 2023-08-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
CN114639631A (zh) 2020-12-16 2022-06-17 Asm Ip私人控股有限公司 跳动和摆动测量固定装置
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
JP2022109675A (ja) * 2021-01-15 2022-07-28 株式会社堀場エステック 圧力制御システム、圧力制御方法、及び、圧力制御プログラム
CN112806341B (zh) * 2021-02-25 2023-05-09 吉林大学 一种基于层流层的果园对靶喷施控制***和方法
KR20230150309A (ko) 2021-03-03 2023-10-30 아이커 시스템즈, 인크. 매니폴드 조립체를 포함하는 유체 유동 제어 시스템
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
WO2023019257A1 (en) * 2021-08-13 2023-02-16 Tsi Incorporated Differential pressure liquid flow controller
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1097834A (en) * 1913-11-05 1914-05-26 Gustavus W Anderson Gas-meter-testing device.
US2015839A (en) * 1928-12-19 1935-10-01 Brown Instr Co Compensated flow meter
US3958443A (en) * 1974-06-17 1976-05-25 Air Products And Chemicals, Inc. Apparatus for proving and calibrating cryogenic flow meters
US4253156A (en) * 1979-06-22 1981-02-24 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Automatic flowmeter calibration system
US4285245A (en) * 1979-12-06 1981-08-25 Precision Machine Products, Inc. Method and apparatus for measuring and controlling volumetric flow rate of gases in a line
US4718443A (en) * 1987-02-06 1988-01-12 Conoco Inc. Mass flowmeter apparatus
GB8720356D0 (en) * 1987-08-28 1987-10-07 Thorn Emi Flow Measurement Ltd Fluid meter
JPH03156509A (ja) * 1989-11-14 1991-07-04 Stec Kk マスフローコントローラ
US5072416A (en) * 1990-01-16 1991-12-10 Calibron Systems, Inc. Method and apparatus for calibrating a flowmeter using a master meter and a prover
US5220517A (en) * 1990-08-31 1993-06-15 Sci Systems, Inc. Process gas distribution system and method with supervisory control
GB2263776B (en) * 1992-01-28 1995-05-17 Endress & Hauser Ltd Fluid mass flowmeter
JP2692770B2 (ja) * 1992-09-30 1997-12-17 シーケーディ株式会社 マスフローコントローラ流量検定システム
US5307668A (en) * 1992-10-05 1994-05-03 Badger Meter, Inc. Gas density meter and method
US5410495A (en) * 1993-07-20 1995-04-25 Texas Instruments Incorporated Apparatus, systems, and methods for diagnosing anomalous mass flow controller operation
DE4441874A1 (de) * 1994-11-24 1996-05-30 Bosch Gmbh Robert Vorrichtung zur Messung der Masse eines strömenden Mediums
US5524084A (en) * 1994-12-30 1996-06-04 Hewlett-Packard Company Method and apparatus for improved flow and pressure measurement and control
US5641915A (en) * 1995-02-03 1997-06-24 Lockheed Idaho Technologies Company Device and method for measuring multi-phase fluid flow in a conduit using an elbow flow meter
TW335448B (en) * 1996-03-11 1998-07-01 Applied Materials Inc Gas flow control method
JP3580645B2 (ja) * 1996-08-12 2004-10-27 忠弘 大見 圧力式流量制御装置
US5744695A (en) * 1997-01-10 1998-04-28 Sony Corporation Apparatus to check calibration of mass flow controllers
US5968588A (en) * 1997-03-17 1999-10-19 Applied Materials, Inc. In-situ liquid flow rate estimation and verification by sonic flow method
US5865205A (en) * 1997-04-17 1999-02-02 Applied Materials, Inc. Dynamic gas flow controller

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100715034B1 (ko) * 2002-05-02 2007-05-09 로얄소브린 주식회사 라미네이터의 롤러 구동 장치.
KR100859653B1 (ko) * 2004-05-25 2008-09-23 코비디엔 아게 유동 제어 장치용 유동 감시 시스템

Also Published As

Publication number Publication date
US6119710A (en) 2000-09-19
SG102683A1 (en) 2004-03-26
WO2000073868A1 (en) 2000-12-07
AU2039600A (en) 2000-12-18
TW468101B (en) 2001-12-11
GB0122961D0 (en) 2001-11-14
GB0123880D0 (en) 2001-11-28
GB2365980A (en) 2002-02-27
CA2366580A1 (en) 2000-12-07
CN1350668A (zh) 2002-05-22
US6216726B1 (en) 2001-04-17
JP2003501637A (ja) 2003-01-14
GB2365980B (en) 2003-03-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20020000867A (ko) 실시간 유동 측정 및 수정용 광범위 가스 유동 시스템
KR101425007B1 (ko) 상이한 체적을 제공할 수 있는 질량 유동 검증기 및 그 방법
US7918238B2 (en) Flow controller and its regulation method
JP4102564B2 (ja) 改良型圧力式流量制御装置
US8104323B2 (en) Flow controller, flow measuring device testing method, flow controller testing system, and semiconductor manufacturing apparatus
US8015995B2 (en) System and method for flow monitoring and control
EP2901227B1 (en) Method and apparatus for self verification of pressure based mass flow controllers
EP1834116B1 (en) Process fluid flow device with variable orifice
KR20030090485A (ko) 비오염 본체를 가진, 화학적 불활성의 흐름 제어장치
KR20010052885A (ko) 병렬분류형 유체공급장치와, 이것에 사용하는 유체가변형압력식 유량제어방법 및 유체가변형 압력식 유량제어장치
JP2005196788A (ja) 流体の流量を制御する装置、方法及びシステム
JPH1145122A (ja) 動的ガス流コントローラ
KR20030074663A (ko) 압력기반형 질량유량제어기 시스템
WO2019107216A1 (ja) 流量制御装置の自己診断方法
JP2008089607A (ja) 質量流量制御装置及びこの調整方法
WO2020218138A1 (ja) 流量制御装置
JP2007248320A (ja) ガス流量計、及びガス流量制御装置
GB2373054A (en) Computer program for performing a method calibrating and correcting mass flow measurement in real time
JP4784338B2 (ja) 質量流量制御装置
JP3311762B2 (ja) マスフローコントローラと半導体装置の製造装置
JP7249030B2 (ja) 流量測定装置内の容積測定方法および流量測定装置
KR102691172B1 (ko) 절대압 및 차압 변환기를 지닌 질량 유량 제어기
JP2023163311A (ja) 流量測定装置、流量測定方法および流量制御装置の校正方法
KR20180050610A (ko) 유량제어시스템
JP2024521576A (ja) 圧力ベースの質量流量比制御のための方法及び装置

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid