KR20010110735A - 다층 프린트 배선판 - Google Patents

Abstract

내층에 도체회로를 갖는 다층코어기판 위에 층간수지절연층과 도체층이 번갈아 적층되고, 각 도체층 사이가 관통구멍으로 접속된 빌트업 배선층이 형성되어 이루어지는 다층 프린트 배선판에 있어서, 상기 다층코어기판은 코어재 위에 형성된 내층도체회로를 덮는 수지절연층을 가짐과 동시에, 그 수지절연층에는 이 층을 관통하여 상기 내층도체회로에 도달하는 관통구멍이 형성되고, 그리고 이 수지절연층 및 상기 코어재에는 이들을 관통하는 스루홀이 형성되고, 또한 그 스루홀에는 충전재가 충전되어 있다. 빌트업배선층의 관통구멍의 일부가 스루홀의 바로 위에 위치하여 그 스루홀에 접속되어 있다. 코어기판을 다층화하더라도, 코어기판내의 내층회로와의 전기적 접속을 스루홀을 통하여 충분히 확보할 수 있는 스루홀의 고밀도화에 유리한 다층 프린트 배선판을 제공할 수가 있다.

Description

다층 프린트 배선판{MULTILAYER PRINTED WIRING BOARD}

근년, IC칩을 실장하는 패키지기판은, 전자공업의 진보에 동반하는 전자기기의 소형화 혹은 고속화에 대응하여 파인패턴에 의한 고밀도화 및 신뢰성이 높은 것이 요구되고 있다.

이와 같은 패키지기판으로서, 1997년 1월호의 「표면실장기술」에는, 다층코어기판의 양면에 빌트업 다층배선층이 형성된 것이 개시되어 있다.

그런데, 상기의 종래기술에 관한 패키지기판에서는, 다층코어기판내의 도체층과 빌트업 배선층과의 접속은 다층코어기판의 표면에 스루홀로부터 배선된 내층패드를 설치하고, 이 내층패드에 관통구멍을 접속시켜 행하고 있었다. 이 때문에, 스루홀의 랜드형상이 오뚝이형상 혹은 철제 아령형상으로 되고, 그 내층패드의 영역이 스루홀의 배치밀도의 향상을 저해하고, 스루홀의 형성수에는 일정한 한계가 있었다. 그러므로, 배선의 고밀도화를 도모하기 위하여 코어기판을 다층화하면, 외층의 빌트업 배선층은 다층코어기판내의 도체층과 충분한 전기적 접속을 확보할 수없다라는 문제가 있었다.

본 발명의 목적은, 코어기판을 다층화하더라도 코어기판내의 내층도체회로와의 전기적 접속을 스루홀을 통하여 충분히 확보할 수 있는 스루홀의 고밀도화에 유리한 다층 프린트 배선판을 제공하는 것에 있다.

본 발명은 다층 프린트 배선판에 관한 것이고, 특히 코어기판을 다층화하더라도 내층회로와의 전기적 접속을 스루홀을 통하여 충분히 확보할 수 있는, 스루홀의 고밀도화에 유리한 다층 프린트 배선판의 구성에 대하여 제안한다.

도 1(a) 내지 (f)는 본 발명에 관한 다층 프린트 배선판의 제조공정의 일부를 도시하는 도면,

도 2(a) 내지 (e)는 본 발명에 관한 다층 프린트 배선판의 제조공정의 일부를 도시하는 도면,

도 3(a) 내지 (d)는 본 발명에 관한 다층 프린트 배선판의 제조공정의 일부를 도시하는 도면, 및

도 4(a) 내지 (b)는 본 발명에 관한 다층 프린트 배선판의 제조공정의 일부를 도시하는 도면.

발명의 개시

발명자등은 상기 목적의 실현을 향해 예의연구한 결과, 빌트업 배선층의 관통구멍을 패드를 통하여 스루홀에 접속하는 것이 아니고, 그들의 관통구멍을 스루홀 바로 위에 위치하여 형성하고, 또한 스루홀에 직접 접속하도록 하든가 혹은 스루홀을 덮도록 형성한 도체층을 통하여 접속되도록 구성함으로써, 스루홀의 배치밀도가 향상하고, 이리하여 고밀도화한 스루홀을 통하여 다층화한 코어기판의 내층도체회로까지도 충분한 접속이 확보될 수 있음을 식견하고, 이하에 나타내는 내용을 요지구성으로 하는 발명에 상도하였다.

즉, 본 발명의 다층 프린트 배선판은, 내층에 도체층을 갖는 다층코어기판 위에 층간 수지절연층과 도체층이 번갈아 적층되고 각 도체층 사이가 관통구멍으로 접속된 빌트업 배선층이 형성되어 이루어지는 다층 프린트 배선판에 있어서,

상기 다층코어기판은, 코어재 위에 형성된 내층도체회로를 덮는 수지절연층을 가짐과 동시에, 그 수지절연층에는 이 층을 관통하여 상기 내층도체회로에 도달하는 관통구멍이 형성되고, 그리고, 이 수지절연층 및 상기 코어재에는 이들을 관통하는 스루홀이 형성되고, 또한 그 스루홀에는 충전재가 충전되고,

상기 빌트업 배선층의 관통구멍의 일부가 상기 스루홀의 바로 위에 위치하여 그 스루홀에 직접 접속되어 있는 것을 특징으로 한다.

또 본 발명에 관한 상기 다층 프린트 배선판에 있어서, 상기 충전제의 스루홀 개구단으로부터 외측으로 노출하는 표면을 덮어 도체층이 형성되고, 상기 빌트업 배선층의 관통구멍의 일부는, 상기 도체층을 통하여 스루홀에 접속되는 것이 바람직하다.

더욱더, 본 발명에 관한 상기 다층 프린트 배선판에 있어서, 스루홀에 충전되는 충전재는 금속입자와, 열경화성 또는 열가소성의 수지로 이루어지는 것이 바람직하다.

발명을 실시하기 위한 최량의 형태

본 발명의 다층 프린트 배선판은 , 다층코어기판내에 설치한 관통구멍을 통하여 내층도체회로와 빌트업 배선층을 접속하고, 더욱더 다층코어기판에 설치한 스루홀에 충전재를 충전하고, 또한 이 스루홀의 바로 위에 빌트업 배선층의 관통구멍의 일부를 위치시킴과 동시에, 스루홀 혹은 스루홀로부터의 노출면을 덮고 형성된 도체층에 접속시키는 것으로 빌트업 배선층과 스루홀의 접속을 행하는 구조로 한 점에 특징이 있다.

이와 같은 본 발명의 구성에 의하면, 스루홀 바로 위의 영역을 내층패드로서 기능하게 함으로써 데드 스페이스가 없어지고, 게다가 스루홀로부터 관통구멍에 접속하기 위한 내층패드를 배선할 필요로 없으므로, 스루홀의 랜드형상을 완전한 원으로 할 수가 있다. 그 결과, 다층코어기판중에 설치되는 스루홀의 배치밀도가 향상하고, 이리하여 고밀도화된 스루홀을 통하여 외층의 빌트업 배선층은 다층코어기판내의 내층도체회로와 충분한 접속을 확보하는 것이 가능하게 된다.

이와 같은 본 발명의 다층 프린트 배선판에 있어서, 다층코어기판의 양면에 빌트업 배선층이 형성되어서 이루어지는 구조를 채용한 것은 배선밀도를 높게 하기 위함이다.

이 다층코어기판은, 코어기판 위에 내층도체회로와 층간절연층을 번갈아 적층하고, 각 내층도체회로를 관통구멍으로 접속한 구조로 형성되지만, 후술하는 바와 같이 외층의 빌트업 배선층과 동일한 방법으로 형성된다.

본 발명의 다층 프린트 배선판에서는, 다층코어기판에 설치된 스루홀에 충전재가 충전되어 있다. 이 충전재는 금속입자, 열경화성의 수지 및 경화제로 이루어지든가, 혹은 금속입자 및 열가소성의 수지로 이루어지는 것이 바람직하고, 필요에 따라 용제를 첨가하여도 좋다. 이와 같은 충전재는 금속입자가 포함되어 있으면, 그 표면을 연마함으로써 금속입자가 노출하고, 이 노출한 금속입자를 통하여 그 위에 형성되는 도체층의 도금막과 일체화하기 위하여 PCT(pressure cooker test)와 같은 과혹한 고온다습조건하에서도 도체층과의 계면에서 박리가 발생하기 어렵게 된다. 또, 이 충전재는 벽면에 금속막이 형성된 스루홀에 충전되게 되므로, 금속이온의 마이그래이션이 발생하지 않는다.

금속입자로서는 구리, 금, 은, 알루미늄, 니켈, 티탄, 크롬, 주석/납, 팔라듐, 플라티나 등이 사용될 수 있다.

더욱이, 이 금속입자의 직경은 0.1 내지 50㎛가 좋다. 그 이유는 0.1㎛ 미만이면, 구리표면이 산화하여 수지에 대한 습윤성이 나빠지고, 한편, 50㎛를 초과하면, 인쇄성이 나빠지기 때문이다.

또, 이 금속입자의 배합량은 전체량에 대하여 30 내지 90wt%가 좋다. 그 이유는, 30wt%보다 적으면, 뚜껑도금(스루홀로부터의 노출면을 덮고 형성되는 도체층)와의 밀착성이 나빠지고, 한편, 90wt%을 초과하면 인쇄성이 악화하기 때문이다.

사용되는 수지로서는, 비스페놀 A형, 비스페놀 F형 등의 에폭시수지, 페놀수지, 폴리이미드수지, 폴리테트라플루오르에틸렌(PTFE) 등의 플루오르수지, 비스말레이미드트리아진(BT)수지, FEP, PFA, PPS, PEN, PES, 나일론, 아라미드, PEEK, PEKK, PET 등이 사용된다.

경화제로서는, 이미다졸계, 페놀계, 아민계 등의 경화제가 사용될 수 있다.

용제로서는, NMP(노오멀메틸피롤리딘), PMDG(디에틸렌글리콜디메틸에테르), 글리세린, 물, 1- 또는 2- 또는 3-의 시클로헥산올, 시클로헥사논, 메틸셀로솔브, 메틸셀로솔브아세테이트, 메탄올, 에탄올, 부탄올, 프로판올 등을 사용할 수 있다.

특히, 이 충전재의 최적조성으로서는, 중량비로 6:4 내지 9:1의 Cu 가루와 비스페놀 F형의 무용제 에폭시(유카셸제, 상품명: E-807)의 혼합물과 경화제의 조합, 혹은 중량비로 8:2:3의 Cu 가루와 PPS와 NMP의 조합이 바람직하다.

이 충전재는, 비도전성인 것이 바람직하다. 비도전성의 편이 경화수축이 작고, 도체층이나 관통구멍과의 박리가 일어나기 어렵기 때문이다.

본 발명의 다층 프린트 배선판에서는, 충전재가 충전된 스루홀의 내벽도체표면에 조화층이 형성되어 있는 것이 바람직하다. 스루홀내벽의 도체표면에 조화층이형성되는 것은 충전재와 스루홀이 조화층을 통하여 밀착하고 간극이 발생하지 않기 때문이다. 만일, 충전재와 스루홀과의 사이에 공극이 존재하면, 그 바로 위에 전해도금으로 형성되는 도체층은 평탄한 것으로 되지 않거나, 공극중의 공기가 열팽창하여 크랙이나 박리를 일으키거나 하여, 또 한편, 공극에 물이 괴여 마이그레이션이나 크랙의 원인으로 되거나 한다. 이 점, 조화층이 형성되어 있으면 이와 같은 불량발생을 방지할 수가 있다.

또, 본 발명에 있어서, 충전재의 스루홀로부터의 노출면을 덮는 도체층의 표면에는 스루홀내벽의 도체표면에 형성한 조화층과 동일한 조화층이 형성되어 있는 것이 유리하다. 그 이유는, 조화층에 의하여 층간수지절연층이나 관통구멍과의 밀착성을 개선할 수 있기 때문이다. 특히, 도체층의 측면에 조화층이 형성되어 있으면, 도체층측면과 층간수지절연층과의 밀착부족에 의하여 이들의 계면을 기점으로서 층간수지절연층을 향하여 발생하는 크랙을 억제할 수가 있다.

이와 같은 스루홀내벽이나 도체층의 표면에 형성되는 조화층의 두께는 0.1 내지 10㎛이 좋다. 그 이유는, 지나치게 두꺼우면, 층간쇼트의 원인으로 되고, 지나치게 얇으면 피착체와의 밀착력이 낮아지기 때문이다.

이 조화층으로서는, 스루홀내벽의 도체 혹은 도체층의 표면을, 산화(흑화)-환원처리하여 형성한 것. 유기산과 제2구리착체의 혼합수용액으로 처리하여 형성한 것. 혹은 구리-니켈-인 칩상합금의 도금처리로 형성한 것이 좋다.

이들 처리중, 산화(흑화)-환원처리에 의한 방법에서는, NaOH(10g/l),NaClO₂(40g/l), Na₃PO₄(6g/l)를 산화욕(흑화욕), NaOH(10g/l), NaBH₄(6g/l)을 환원욕으로 한다.

또, 유기산-제2구리착체의 혼합수용액을 사용한 처리에서는, 스프레이나 버블링 등의 산소공존조건하에 다음과 같이 작용하여 도체회로인 구리 등의 금속박을 용해시킨다.

Cu＋Cu(Ⅱ)An →2Cu(Ⅰ)A_n/2

2Cu(Ⅰ)A_n/2＋n/4O₂＋nAH(에어레이션)

→2Cu(Ⅱ)An＋n/2H₂O

A는 착화제(킬레이트제로서 작용), n은 배위수이다.

이 처리에 사용되는 제2구리착체는 아졸류의 제2구리착체가 좋다. 이 아졸류의 제2구리착체는 금속구리 등을 산화하기 위한 산화제로서 작용한다. 아졸류로서는, 디아졸, 트리아졸, 테트라졸이 좋다. 그 중에서도 이미다졸, 2-메틸이미다졸, 2-에틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-운데실이미다졸 등이 좋다.

이 아졸류의 제2구리착체의 함유량은 1 내지 15중량%가 좋다. 이 범위내에 있으면, 용해성 및 안정성에 우수하기 때문이다.

또, 유기산은 산화구리를 용해시키기 위하여 배합시키는 것이다.

구체예로서는 포름산, 아세트산, 프로피온산, 브티르산, 발레르산, 카프로산, 아크릴산, 크로톤산, 옥살산, 말론산, 숙신산, 글루타르산, 말레산, 벤조산,글리콜산, 락트산, 말산, 술퍼민산에서 선택되는 적어도 일종을 사용하는 것이 좋다.

이 유기산의 함유량은 0.1 내지 30중량%가 좋다. 산화된 구리의 용해성을 유지하고, 또한 용해안정성을 확보하기 위함이다.

더욱이 발생한 제1구리착체는 산의 작용으로 용해하고, 산소와 결합하여 제2구리착체로 되어 다시 구리의 산화에 기여한다.

또 유기산에 더하여 붕불산, 염산, 황산 등의 무기산을 첨가하여도 좋다.

이 유기산-제2구리착체로 이루어지는 에칭액에는, 구리의 용해나 아졸류의 산화작용을 보조하기 위하여, 할로겐이온, 예를 들면, 플루오르이온, 염소이온, 브로미온 등을 가하여도 좋다. 이 할로겐이온은 염산, 염화나트륨 등을 첨가하여 공급할 수 있다.

할로겐이온량은, 0.01 내지 20중량%가 좋다. 이 범위내에 있으면, 형성된 조화층은 층간수지절연층과의 밀착성에 우수하기 때문이다.

이 유기산-제2구리착체로 이루어지는 에칭액은, 아졸류의 제2구리착체 및 유기산(필요에 따라 할로겐이온)을 물에 용해하여 조제한다.

또, 구리-니켈-인으로 이루어지는 칩상합금의 도금처리에서는, 황산구리 1 내지 40g/l, 황산니켈 0.1 내지 6.0g/l, 시트르산 10 내지 20g/l, 차아인산염 10 내지 100g/l, 붕산 10 내지 40g/l, 계면활성제 0.01 내지 10g/l로 이루어지는 액조성의 도금욕을 사용하는 것이 바람직하다.

본 발명에 있어서, 빌트업 배선층으로 사용되는 층간수지절연층으로서는, 열경화성수지, 열가소성수지 혹은 열경화성수지와 열가소성수지의 복합체를 사용할 수가 있다.

열경화성수지로서는 에폭시수지, 폴리이미드수지, 페놀수지, 열경화성 폴리페닐렌에테르(PPE) 등이 사용된다.

열가소성수지로서는, 폴리테트라플루오르에틸렌(PTFE) 등의 플루오르수지, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리술폰(PSF), 폴리페닐렌술피드(PPS), 열가소성폴리페닐렌에테르(PPE), 폴리에테르술폰(PES), 폴리에테르이미드(PEI), 폴리페닐렌술폰(PPES), 4플루오르화 에틸렌6플루오르화프로필렌 공중합체(FEP), 4플루오르화 에틸렌퍼플로로알콕시 공중합체(PFA), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리에테르에테르케톤(PEEK), 폴리올레핀계 수지 등이 사용될 수 있다.

열경화성수지와 열가소성수지의 복합체로서는, 에폭시수지-PES, 에폭시수지-PSF, 에폭시수지-PPS, 에폭시수지-PPES 등을 사용할 수 있다.

또 본 발명에 있어서는, 층간수지절연층으로서는 무전해도금용 접착제를 사용할 수가 있다.

이 무전해도금용 접착제로서는, 경화처리된 산 혹은 산화제에 가용성의 내열성수지입자가 경화처리에 의하여 산 혹은 산화제에 난용성으로 되는 미경화의 내열성수지중에 분산되어 이루어지는 것이 최적이다. 그 이유는, 산이나 산화제로 처리함으로써, 내열성수지입자가 용해제거되어 표면에 낙지를 잡은 항아리형상의 앵커로 이루어지는 조화면이 형성할 수 있기 때문이다.

조화면의 깊이는 0.01 내지 20㎛이 좋다. 밀착성을 확보하기 위해서이다. 또세미어디티브 프로세스에 있어서는, 0.1 내지 5㎛이 좋다. 밀착성을 확보하면서, 무전해도금막을 제거할 수 있는 범위이기 때문이다.

상기 무전해도금용 접착제에 있어서, 특히 경화처리된 상기 내열성수지입자로서는, ① 평균입경이 10㎛ 이하의 내열성수지분말, ② 평균입경이 2㎛ 이하의 내열성수지분말을 응집시킨 응집입자, ③ 평균입경이 2 내지 10㎛의 내열성수지분말과 평균입경이 2㎛ 이하의 내열성수지분말과의 혼합물, ④ 평균입경이 2 내지 10㎛의 내열성수지분말의 표면에 평균입경이 2㎛ 이하의 내열성수지분말 또는 무기분말중의 적어도 일종을 부착시켜서 이루어지는 의사입자, ⑤ 평균입경이 0.1 내지 0.8㎛의 내열성수지분말과 평균입경이 0.8㎛를 초과 2㎛ 미만의 내열성수지분말과의 혼합물, ⑥ 평균입경이 0.1 내지 1.0㎛의 내열성수지분말로부터 선택되는 적어도 일종을 사용하는 것이 바람직하다. 이들은 보다 복잡한 앵커를 형성할 수 있기 때문이다.

이 무전해도금용 접착제로 사용되는 내열성수지는 상술의 열경화성수지, 열가소성수지, 열경화성수지와 열가소성수지의 복합체를 사용할 수 있다.

본 발명에 있어서, 다층코어기판 위에 형성된 도체층(스루홀에 충전된 충전재를 덮는 것을 포함)과 층간수지절연층 위에 형성된 외층도체회로는, 관통구멍으로 접속할 수가 있다. 이 경우, 관통구멍은 도금막이나 충전재로 충전하여도 좋다.

이하, 본 발명의 다층 프린트 배선판을 제조하는 방법에 대하여 일예를 들어 구체적으로 설명한다. 더욱이, 이하에 설명하는 방법은 세미어디티브법에 의한 다층 프린트배선판의 제조방법에 관한 것이지만, 본 발명에 있어서 다층 프린트 배선판의 제조방법에서는 플어디티브법이나 멀티래미네이션법, 핀래미네이션법을 채용할 수가 있다.

(1) 기판, 내층도체패턴 및 수지절연층의 형성.

①. 다층코어기판은 상술한 바와 같이, 내층도체회로, 절연수지층 및 관통구멍을 포함한 내층빌트업 배선층을 포함하여 형성되지만, 우선, 수지기판의 표면에 내층도체패턴 및 수지절연층을 형성한 기판을 제작한다.

수지기판으로서는, 무기섬유를 포함하는 수지기판을 사용하는 것이 바람직하고, 예를 들면, 글라스포 에폭시기판, 글라스포 폴리이미드기판, 글라스포 비스말레이드 트리아진수지기판 혹은 글라스포 플루오르수지기판 등중에서 선택되는 것이 바람직하다.

②. 상기 내층회로패턴의 형성은 수지기판의 양면에 구리박을 덮은 동장(銅張) 적층판을 에칭함으로써 행한다.

③. 다음에, 내층회로패턴을 형성한 배선기판의 양면에 수지절연층을 형성한다. 이 수지절연층은 코어기판내의 층간수지절연층으로서 기능한다. 이 수지절연층은 이 경화액을 도포하거나, 필름상의 수지를 열압하여 라미네이트함으로서 형성된다.

(2) 스루홀 및 관통구멍의 형성

①. 다음에 수지기판, 내층회로패턴의 일부 및 수지절연층을 관통하는 관통구멍(스루홀용 관통구멍)을 설치함과 동시에, 상기 수지절연층을 관통하여 내층회로패턴에 도달하는 관통구멍형성용 개구를 설치한다. 스루홀개구의 천설(穿設)은,드릴가공 또는 레이저가공에 의하여 또, 관통구멍 형성용 개구의 천설은 레이저가공이나 노광현상처리로 행한다. 이때, 사용되는 레이저광은 탄산가스레이저, 자외선레이저, 엑시머레이저 등이 있다.

②. 이와 같은 개구형성후, 데스미어처리를 행한다. 데스미어처리는 크롬산, 과망간산염 등의 수용액으로 이루어지는 산화제를 사용하여 행할 수가 있고, 또, 산소플라스마, CF₄와 산소의 혼합플라스마나 코로나방전 등으로 처리하여도 좋다. 또, 저압수은램프를 사용하여 자외선을 조사하므로써, 표면개질할 수도 있다.

③. 다음에 스루홀개구의 내벽면, 수지절연층표면 및 관통구멍형성용 개구의 내벽면에 무전해도금을 실시하여 각각 스루홀 및 관통구멍을 형성한다.

무전해도금으로서는 구리도금이 좋다. 더욱이, 기판표면이 플루오르수지와 같이 도금의 닿는 주위가 나쁜 수지인 경우는, 유기금속나트륨으로 이루어지는 전처리제(상품명: 쥰코사 제: 테트라에지), 플라스마처리 등의 표면개질을 행한다.

④. 다음에 스루홀개구의 내벽면 및 수지절연층표면에 실시한 무전해도금에 대한 두껍게 붙이기 위한 전해도금처리를 행함과 동시에, 관통구멍형성용 개구의 내벽면에 실시한 무전해도금 위에 전해도금처리를 실시하여 개구내를 전해도금으로 충전하기 위한 처리를 행한다. 전해도금을 구리도금이 좋다.

그리고 더욱더, 스루홀내벽면의 전해도금막, 기판표면의 전해도금막 및 관통구멍표면의 전해도금막을 조화처리하여 조화층을 설치한다. 이 조화층에는, 흑화(산화)-환원처리에 의한 것, 유기산과 제2구리착체의 혼합수용액을 스프레이처리하여 형성한 것, 혹은 구리-니켈-인 칩상합금도금에 의한 것이 있다.

(3) 스루홀에의 충전재의 충전

①. 상기 ②에서 형성한 스루홀에 상술한 구성의 충전재를 충전한다. 구체적으로는 충전재는 스루홀부분에 개구를 설치한 마스크를 재치한 기판 위에 인쇄법으로 도포함으로써 스루홀에 충전되고, 충전후 건조, 경화시킨다.

이 충전재에는 금속입자와 수지의 밀착력을 증가시키기 위해서, 실란커플링제 등의 금속표면개질제를 첨가하여도 좋다. 또 그 이외의 첨가제로서, 아크릴계 소포제나 실리콘계 소포제 등의 소포제, 실리카나 알루미나, 활석 등의 무기충전제를 첨가하여도 좋다. 또 금속입자의 표면에는 실란커플링제를 부착시켜도 좋다.

이와 같은 충전재는 예를 들면, 이하의 조건으로 인쇄된다. 즉 테토론제 메시판의 인쇄마스크판과 45도의 각스퀴즈를 사용하여 Cu 페이스트 점도: 120Pa·s, 스퀴즈 속도: 13mm/sec, 스퀴즈압입량: 1mm의 조건으로 인쇄한다.

②. 스루홀로부터 비어져나온 충전재 및 기판의 전해도금막표면의 조화층을 연마에 의하여 제거하여, 기판표면을 평탄화한다. 연마는 벨트연마기(belt sander)나 버프연마가 좋다.

(4) 도체층(코어기판 위의 도체회로와 충전재를 덮은 도체층)의 형성

①. 상기 (3)에서 평탄화한 기판의 표면에 촉매핵을 부여한 후, 무전해도금을 실시하고, 두께 0.1 내지 5㎛ 정도의 무전해도금막을 형성하고, 더욱더 필요에 따라 전해도금을 실시하고, 두께 5 내지 25㎛의 전해도금막을 설치한다.

다음에 도금막의 표면에 감광성의 드라이필름을 가열프레스에 의하여 라미네이트하고, 패턴이 묘사된 포토마스크필름(글라스제가 좋음)을 재치하고, 노광한 후, 현상액으로 현상하여 에칭레지스트를 설치한다. 그리고, 에칭레지스트 비형성부분의 도체를 에칭액으로 용해제거함으로서 도체회로부분(관통구멍접속용 도체층을 포함함) 및 충전재를 덮는 도체층부분을 형성한다.

그 에칭액으로서는, 황산-과산화수소의 수용액, 과황산암모늄이나 과황산나트륨, 과황산칼륨 등의 과황산염수용액, 염화제2철이나 염화제2구리의 수용액이 좋다.

②. 그리고, 에칭레지스트를 박리하여 독립한 도체회로 및 충전제를 덮는 도체층으로 한 후, 그 도체회로 및 도체층의 표면에 조화층을 형성한다.

상기 도체회로 및 충전재를 덮는 도체층의 표면에 조화층을 형성하면, 그 도체는 층간수지절연층과의 밀착성에 우수하므로, 도체회로 및 충전재를 덮는 도체층의 측면과 수지절연층과의 계면을 기점으로 하는 크랙이 발생하지 않는다. 또 한편으로는, 충전재를 덮는 도체층은 전기적으로 접속되는 관통구멍과의 밀착성이 개선된다.

그 조화층의 형성방법은 상술한 바와 같고, 흑화(산화)-환원처리, 칩상합금도금 혹은 에칭하여 형성하는 방법 등이 있다.

더욱더, 조화후에 기판표면의 도체층에 기인하는 요철을 없이 하기 위하여 도체회로 사이에 수지를 도포하여 충전하고, 이를 경화하여 표면에 도체가 노출할 때까지 연마하여 평활화하여도 좋다.

수지로서는, 비스페놀 A형 에폭시수지, 비스페놀 F형 에폭시수지 등의 비스페놀형 에폭시수지, 이미다졸경화제 및 무기입자로 이루어지는 수지를 사용하는 것이 바람직하다. 비스페놀형 에폭시수지는 점도가 낮고, 도포하기 쉽기 때문이다. 또, 비스페놀 F형 에폭시수지는 용제를 사용하지 않더라도 좋기 때문에, 가열경화시에 용제가 휘발하므로 기인하는 크랙이나 박리를 방지할 수 있고, 유리하다.

그리고, 더욱더 연마후에 도체층표면에 조화층을 설치하는 것이 바람직하다.

더욱이, 외층도체층의 형성방법으로서, 이하의 공정을 채용할 수가 있다.

즉, 상기 (1) 내지 (3)의 공정을 마친 기판에 도금레지스트를 형성하고, 뒤이어 레지스트 비형성부분에 전해도금을 실시하여 도체회로 및 도체층부분을 형성하고, 이들의 도체 위에 붕플루오르화주석, 붕플루오르화납, 붕플루오르화수소산, 펩톤으로 이루어지는 전해땜납도금액을 사용하여 땜납도금막을 형성한 후, 도금레지스트를 제거하고, 그 도금레지스트하의 무전해도금막 및 구리박을 에칭제거하여 독립패턴을 형성하고, 더욱더 땜납도금막을 붕플루오르산 수용액으로 용해제거하여 도체층을 형성한다.

(5) 층간수지절연층 및 외층도체회로의 형성

①. 이와 같이 하여 제작한 배선기판 위에 층간수지절연층을 형성한다.

층간수지절연층으로서는, 열경화성수지, 열가소성수지, 혹은 열경화성수지와 열가소성수지의 복합체를 사용할 수 있다. 또 본 발명에서는 층간수지절연재로서 상술한 무전해도금용 접착제를 사용할 수가 있다.

층간수지절연층은 이들의 수지의 미경화액을 도포하거나, 필름상의 수지를 열압착하여 라미네이트함으로서 형성된다.

②. 다음에 이 층간수지절연층에 피복되는 하층의 도체회로와의 전기적 접속을 확보하기 위하여, 관통구멍형성용의 개구를 층간수지절연층에 설치한다. 그 개구의 천공은 층간수지절연층이 감광성수지로 이루어지는 경우는 노광, 현상처리로 행하고, 열경화성수지나 열가소성수지로 이루어지는 경우는 레이저광으로 행한다. 이때 사용되는 레이저광으로서는 탄산가스레이저, 자외선레이저, 액시머레이저 등이 있다. 레이저광으로 구멍을 뚫었을 경우는, 데스미어처리를 행하여도 좋다. 이 데스미어처리는 크롬산, 과망간산염 등의 수용액으로 이루어지는 산화제를 사용하여 행할 수가 있고, 또 산소플라스마 등으로 처리하여도 좋다.

③. 개구를 갖는 층간수지절연층을 형성한 후, 필요에 따라 그 표면을 조화한다.

상술한 무전해도금용 접착제를 층간수지절연층으로 사용한 경우는, 표면을 산화제로 처리하여 내열성수지입자만을 선택적으로제거하여 조화한다. 또, 열경화성수지나 열가소성수지를 사용한 경우에도 크롬산, 과망간산염 등의 수용액에서 선택되는 산화제에 의한 표면조화처리가 유효하다. 더욱이, 산화제로는 조화되지 않는 플루오르수지(폴리테트라플루오르에틸렌 등) 등의 수지의 경우는, 플라스마처리나 테트라에치 등에 의하여 표면을 조화한다.

④. 다음에 무전해도금용의 촉매핵을 부여한다.

일반으로 촉매핵은 파라듐-주석콜로이드이고, 이 용액에 기판을 침지, 건조, 가열처리하여 수지표면에 촉매핵을 고정한다. 또 금속핵을 CVD, 스패터, 플라스마에 의하여 수지표면에 박아넣어 촉매핵으로 할 수 있다. 이 경우, 수지표면에 금속핵이 매립되기 때문에, 이 금속핵을 중심으로 도금이 석출하여 도체회로가 형성되기 때문에, 조화하기 어려운 수지나 플루오르수지(폴리테트라플루오르에틸렌 등)와 같이 수지와 도체회로와의 밀착이 나쁜 수지일지라도, 밀착성을 확보할 수 있다. 이 금속핵으로서는 팔라듐, 은, 금, 백금, 티탄, 구리 및 니켈로부터 선택되는 적어도 일종 이상이 좋다. 더욱이 금속핵의 양은 20㎍/cm²이하가 좋다. 이 양을 초과하면 금속핵을 제거하여야 하기 때문이다.

⑤. 다음에 층간수지절연층의 표면에 무전해도금을 실시하여 전체면에 무전해도금막을 형성한다. 무전해도금막의 두께는 0.1 내지 5㎛, 보다 바람직하게는 0.5 내지 3㎛이다.

⑥. 그리고, 무전해도금막 위에 도금레지스트를 형성한다. 도금레지스트는 상술한 바와 같이 감광성 드라이필름을 라미네이트하여 노광, 현상처리하여 형성된다.

⑦. 다시, 전해도금을 행하고, 도체회로부분(관통구멍부분을 포함함)을 두껍게 붙인다. 전해도금막은 5 내지 30㎛가 좋다. 또, 관통구멍부분은 전해도금막으로 충전되는 것이 바람직하다.

⑧. 그리고 다시, 도금레지스트를 박리한 후, 그 도금레지스트하의 무전해도금막을 에칭으로 용해제거하여 독립한 도체회로(관통구멍을 포함함)를 형성한다.

에칭액으로서는, 황산-과산화수소의 수용액, 과황산암모늄이나 과황산나트륨, 과황산칼륨 등의 과황산염수용액, 염화제2철이나 염화제2구리의 수용액이 좋다.

이하 실시예를 토대로 설명한다.

(실시예 1)

(1) 두께 0.5mm의 양면구리로 덮은 적층판을 준비하고, 우선 이 양면에 에칭레지스트를 설치하고, 황산-과산화수소수용액으로 에칭처리하고, 내층도체회로(2)를 갖는 수지기판(1)을 얻었다. 뒤이어, 이 기판(1)의 양면에 수지절연층(3)을 형성하기 위하여, 예를 들면 이하와 같은 조성으로 이루어지는 수지를 롤코터로 도포하여 코어기판을 제작하였다(도 1(a) 참조).

①. 크레졸노볼락형 에폭시수지(니혼가야쿠사제, 분자량: 2500)의 25% 아크릴화물 80중량부의 농도로 디에틸렌글리콜디메틸에테르(DMDG)에 용해시킨 수지액400중량부, 감광성 모노머(도아고세이사제, 아로닉스 M325) 60중량부, 소포제(산노프고사제 S-65) 5중량부 및 N-메틸피롤리딘(NMP) 35중량부를 용기에 취하고, 교반혼합함으로서 혼합조성물을 조제하였다.

②. 폴리에테르술폰(PES) 80중량부, 및 에폭시수지입자(산요가세이사제, 폴리머폴)의 평균입경 0.5㎛의 것 145중량부를 별도의 용기에 취하고, 교반혼합한 후, 더욱더 NMP 285중량부를 첨가하고, 비즈밀로 교반혼합하고, 별도의 혼합조성물을 조제하였다.

③. 이미다졸경화제(시고쿠가세이사제, 2E4MZ-CN) 20중량부, 광중합개시제인 벤조페논 20중량부, 광증감제(호도게다니가가쿠제, EAB) 4중량부 및 NMP 16중량부를 다시 별도의 용기에 취하고, 교반혼합함으로서 혼합조성물을 조제하였다.

그리고, ①, ② 및 ③으로 조제한 혼합조성물을 혼합함으로서 수지조성물을 얻었다.

(2) 다음에 코어기판에 스루홀형성용의 직경 300㎛의 관통구멍(4)을 드릴로 삭공함과 동시에, 수지절연층(3)으로부터 내층도체회로(2)에 도달하는 직경 50㎛의 관통구멍형성용 개구(5)를 레이저가공에 의하여 설치하였다(도 1(b) 참조). 다음에 800g/l 크롬산수용액으로 조화처리하고, 중화·세척후에 팔라듐-주석 콜로이드를 부착시켜, 하기 조성으로 무전해도금을 실시하여 관통구멍의 내벽면, 기판전면 및 관통구멍형성용 개구의 내벽면에 0.6㎛의 무전해도금막을 형성하였다.

[무전해도금수용액]

EDTA 150g/l

황산구리 20g/l

HCHO 30ml/l

NaOH 40g/l

α,α'-비필리딜 80mg/l

PET 0.1g/l

[무전해도금조건]

70℃의 액온도로 30분

뒤이어, 이하의 조건으로 두껍게 붙이기 위하여 전해구리도금을 실시하고 관통구멍(4) 및 기판표면에 두께 15㎛의 전해구리도금막(6)을 형성하여 스루홀(10)을 형성함과 동시에 무전해도금막이 형성된 관통구멍용 개구(5)내를 전해구리도금(6)으로 충전하고 관통구멍(12)을 형성하였다(도 1(c) 참조).

[전해도금수용액]

황산 180g/l

황산구리 80g/l

첨가제(애토텍제팬제, 상품명; 카파라시드 GL)

1ml/l

[전해도금조건]

전류밀도 1A/dm²

시간 30분

온도 실온

(3) 상기 (2)에서 전해구리도금막(6)으로 이루어지는 도체(스루홀(10), 관통구멍(12)을 포함)를 형성한 기판을 수세하고, 건조한 후, NaOH(10g/l), NaClO₂(40g/l), Na₃PO₄(6g/l)를 산화욕(흑화욕), NaOH(10g/l), NaBH₄(6g/l)을 환원욕으로 하는 산화환원처리에 제공하고, 그 스루홀(10), 관통구멍(12)을 포함하는 도체의 전표면에 조화층(11)을 설치하였다(도 1(d) 참조).

(4) 다음에, 평균입경 10㎛의 구리입자를 포함하는 충전재(8)(다쓰다덴센제의 비도전성 구멍 메음 구리페이스트, 상품명: DD 페이스트)를 스루홀(10)에 스크린인쇄에 의하여 충전하고, 건조, 경화시켰다. 그리고, 도체상면의 조화층(11) 및 스루홀(10)로부터 비어져나온 충전재(8)를 #600의 벨트연마지(산교오리가가쿠제)를 사용한 벨트샌더연마에 의하여 제거하고, 더욱더, 이 벨트샌더연마에 의하여 상처를 제거하기 위한 버프연마를 행하고, 기판표면을 평탄화하였다(도 1(e) 참조).

(5) 상기 (4)에서 평탄화한 기판표면에 팔라듐촉매(애토텍제)를 부여하고, 상기 (2)의 조건에 따라 무전해구리도금을 실시함으로써, 두께 0.6㎛의 무전해구리도금막(14)을 형성하였다(도 1(f) 참조).

(6) 뒤이어, 상기 (2)의 조건에 따라 전해구리도금을 실시하고, 두께 15㎛의 전해구리도금막(15)을 형성하고, 도체회로(9)로 되는 부분의 두껍게 부침, 및 스루홀(10)에 충전된 충전재(8)를 덮는 도체층(13)(원형의 스루홀랜드로 된다)로 되는 부분을 형성하였다.

(7) 도체회로(9) 및 도체층(13)으로 되는 부분을 형성한 기판의 양면에 시판의 감광성 드라이필름을 붙이고, 마스크재치하여, 100mJ/cm²로 노광, 0.8% 탄산나트륨으로 현장처리하고, 두께 15㎛의 에칭레지스트(16)를 형성하였다(도 2(a) 참조).

(8) 그리고, 에칭레지스트(16)를 형성하고 있지 않는 부분의 도금막을 황산과 과산화수소의 혼합액을 사용하는 에칭으로 용해제거하고, 더욱더 에칭레지스트(16)를 5% KOH로 박리제거하여, 독립한 도체회로(9) 및 충전재(8)를 덮는 도체층(13)을 형성하였다(도 2(b) 참조).

(9) 다음에, 도체회로(9) 및 충전재(8)를 덮는 도체층(13)의 표면에 Cu-Ni-P 합금으로 이루어지는 두께 2.5㎛의 조화층(요철층)(17)을 형성하고, 더욱더 이 조화층(17)의 표면에 두께 0.3㎛의 Sn층을 형성하였다(도 2(c) 참조. 다만, Sn층에 대해서는 도시하지 않음).

그 형성방법은 이하와 같다. 즉, 기판을 산성탈지하여 소프트에칭하고, 뒤이어, 염화팔라듐과 유기산으로 이루어지는 촉매용액으로 처리하여 팔라듐촉매를 부여하고, 이 촉매를 활성화한 후, 황산구리 8g/l, 황산니켈 0.6g/l, 시트르산 15g/l, 차아인산나트륨 29g/l, 붕산 31g/l, 계면활성제 0.1g/l, pH=9로 이루어지는 무전해도금욕으로 도금을 실시하고, 도체회로(9) 및 충전재(8)를 덮는 도체층(13)의 표면에 Cu-Ni-P 합금의 조화층(17)을 설치하였다. 뒤이어 붕플루오르화주석 0.1mol/l, 티오요소 1.0mol/l, 온도 50℃, pH=1.2의 조건으로 Cu-Sn 치환반응시켜, 조화층(17)의 표면에 두께 0.3㎛의 Sn층을 설치하였다(Sn층에 대해서는 도시하지않음).

(10) 무전해도금용 접착제 A, B를 이하의 방법으로 조제하였다.

A. 상층의 무전해도금용 접착제의 조제

①. 크레졸노볼락형 에폭시수지(니혼가야쿠제, 분자량 2500)의 25% 아크릴화물을 35중량부(고형분 80%), 감광성 모노머(도아고세이제, 마로닉스 M315) 3.15중량부, 소포제(산노브코제, S-65) 0.5중량부, NMP를 3.6중량부를 교반혼합하였다.

②. 폴리에스테르술폰(PES) 12중량부, 에폭시수지입자(산요가세이제, 폴리머폴)의 평균입경 1.0㎛의 것을 7.2중량부, 평균입경 0.5㎛의 것을 3.09중량부를 혼합한 후, 더욱더 NMP 30중량부를 첨가하고, 비즈밀로 교반혼합하였다.

③. 이미다졸 경화제(시고쿠가세이제, 2E4MZ-CN) 2중량부, 광개시제(지바가이기제, 이르가큐어 I-907) 2중량부, 광증감제(니혼가야쿠제, DETX-S) 0.2중량부, NMP 1.5중량부를 교반혼합하였다.

B. 하층의 무전해도금용 접착제의 조제

①. 크레졸노볼락형 에폭시수지(니혼가야쿠제, 분자량 2500)의 25% 아크릴화물을 35중량부(고형분 80%), 감광성 모노머(도아고세이제, 아로닉스 M315) 4중량부, 소포제(산노브코제, S-65) 0.5중량부, NMP를 3.6중량부를 교반혼합하였다.

②. 폴리에테르술폰(PES) 12중량부, 에폭시수지입자(산요가세이제, 폴리머폴)의 평균입경 0.5㎛의 것을 14.49중량부를 혼합한 후, 다시 NMP 20중량부를 교반혼합하였다.

③. 이미다졸 경화제(시고쿠가세이제, 2E4MZ-CN) 2중량부, 광개시제(지바가이기제, 이르가큐어 I-907) 2중량부, 광증감제(니혼가야쿠제, DETX-S) 0.2중량부, NMP 1.5중량부를 교반혼합하였다.

이들을 혼합하여 하층의 무전해도금용 접착제 B를 조제하였다.

(11) 기판의 양면에 우선, 상기 (10)에서 조제한 B의 무전해도금용 접착제(점도 1.5Pa·s)를 롤코터를 사용하여 도포하고, 수평상태에서 20분간 방치한 다음 60℃에서 30분의 건조를 행하고, 뒤이어 A의 무전해도금용 접착제(점도 1.0Pa·s)를 롤코터를 사용하여 도포하고, 수평상태에서 20분간 방치한 다음, 60℃에서 30분의 건조를 행하고, 두께 40㎛의 접착제층(18)(2층구조)을 형성하였다(도 2(d) 참조. 다만, 접착제층의 2층구조는 생략하고 있다).

(12) 접착제층(18)을 형성한 기판의 양면에 85㎛φ의 흑원이 인쇄된 포토마스크필름을 밀착시켜 초고압수은등에 의하여 500mJ/cm²로 노광하였다. 이를 DMDG(디에틸렌글리콜디메틸에테르) 용액으로 스프레이 현상함으로서, 접착제층에 85㎛φ의 관통구멍으로 되는 개구(19)를 형성하였다. 더욱더, 이 기판을 초고압수은등에 의하여 300mJ/cm²로 노광하고, 100℃에서 1시간, 그후 150℃에서 5시간의 가열처리를 함으로써 포토마스크필름에 상당하는 치수정밀도에 우수한 개구(관통구멍형성용 개구(13))를 갖는 두께 35㎛의 층간절연재층(접착제층(18))을 형성하였다(도 2(e) 참조). 더욱이 관통구멍으로 되는 개구(19)에는 주석도금층을 부분적으로 노출시켰다.

(13) 관통구멍형성용 개구(19)를 형성한 기판을 크롬산에 20분간 침지하고,접착제층표면에 존재하는 에폭시수지입자를 용해제거하여, 이 접착제층(18)의 표면을 Rmax= 1 내지 5㎛ 정도의 깊이로 조화하고, 그후 중화용액(시프레이사제)에 침지한 후 수세하였다.

(14) 접착제층표면의 조화(조화깊이 3.5㎛)를 행한 기판에 대하여 팔라듐촉매(애토텍제)를 부여함으로서, 접착제층(18) 및 관통구멍형성용 개구(19)의 표면에 촉매핵을 부여하였다.

(15) 상기 (2)와 같은 조성의 무전해구리도금욕중에 기판을 침지하여 조면 전체에 두께 0.6㎛의 무전해구리도금막(20)을 형성하였다(도 3(a) 참조). 이때, 무전해구리도금막(20)은 얇기 때문에, 이 무전해도금막(20)의 표면에는 접착제층(18)의 조화면에 추종한 요철이 관찰되었다.

(16) 시판의 감광성 드라이필름을 무전해구리도금막(20)에 붙이고, 마스크를 재치하여, 100mJ/cm²로 노광, 0.8% 탄산나트륨으로 현상처리하고, 두께 15㎛의 도금레지스트(21)를 설치하였다(도 3(b) 참조).

(17) 뒤이어, 상기 (6)의 조건에 따라 전해구리도금을 실시하고, 두께 15㎛의 전해구리도금막(22)을 형성하고, 도체회로의 두껍게 붙임 및 관통구멍의 두껍게 붙임을 행하였다(도 3(c) 참조).

(18) 도금레지스트(21)를 5% KOH로 박리제거한 후, 그 도금레지스트(21)하의 무전해도금막(20)을 황산과 과산화수소의 혼합액으로 에칭처리하여 용해제거하고, 무전해구리도금막(20)과 전해구리도금막(22)으로 이루어지는 두께 16㎛의도체회로(관통구멍(24)을 포함함)을 형성하였다(도 3(d) 참조).

더욱이, 접착제층(18)의 조화면에 남아있는 Pd를 크롬산(800g/l)에 1 내지 10분 침지하여 제거하였다.

(19) 상기 (17)에서 도체회로(25)(관통구멍(24)을 포함함)를 형성한 기판을, 황산구리 8g/l, 황산니켈 0.6g/l, 시트르산 15g/l, 차아인산나트륨 29g/l, 붕산 31g/l, 계면활성제 0.1g/l로 이루어지는 pH=9의 무전해도금액에 침지하고, 그 도체회로의 표면에 두께 3㎛의 구리-니켈-인으로 이루어지는 조화층(26)을 형성하였다. 이때, 조화층(26)을 EPMA(형광 X선분석)로 분석한 즉, 구리 98mol%, 니켈 1.5mol%, 인 0.5mol%의 조성비를 표시하였다.

그리고, 더욱더 그 기판을 수세하고, 0.1mol/l 붕플루오르화주석-1.0mol/l 티오요소액으로 이루어지는 무전해주석치환도금액에 50℃에서 1시간 침지하고, 상기 조화층(26)의 표면에 두께 0.05㎛의 주석치환도금층을 형성하였다(다만,주석치환도금층에 대해서는 도시하지 않음).

(20) 상기 (11) 내지 (18)의 공정을 반복함으로써, 더욱더 상층의 층간수지절연층(18')과 도체회로(25)(관통구멍(24)을 포함함)을 1층적층하고, 편면3층의 다층배선기판을 얻었다(도 4(a) 참조). 더욱이 여기서는 도체회로의 표면에 구리-니켈-인으로 이루어지는 조화층(26)을 설치하지만, 이 조화층(26) 표면에는 주석치환도금층을 형성하지 않는다.

(21) 한편, DMDG에 용해시킨 60중량%의 크레졸노볼락형 에폭시수지(니혼가야쿠제)의 에폭시기 50%을 아크릴화한 감광성부여의 올리고머(분자량 4000)을 46.67중량부, 메틸에텔케톤에 용해시킨 80중량%의 비스페놀 A형 에폭시수지(유카셀제, 에피코드 1001) 14.121중량부, 이미다졸경화제(시고쿠가세이제, 2E4MZ-CN) 1.6중량부, 감광성 모노머인 다가아크릴모노머(니혼가야쿠제, R604) 1.5중량부, 같은 다가아크릴모노머(쿄에이사가가쿠제, DPE6A) 3.0중량부, 아크릴산에스테르중합물로 이루어지는 레벨링제(쿄에이사제, 폴리플로 No.75) 0.36중량부를 혼합하고, 이 혼합물에 대하여 광개시제로서의 벤조페논(칸토가가쿠제) 2.0중량부, 광증감제로서의 EAB(호도케다니가가쿠제) 0.2중량부를 가하여 더욱더 DMDG(디에틸렌글리콜디메틸에테르) 1.0중량부를 가하여, 점도를 25℃에서 1.4±0.3Pa·s로 조정한 솔더레지스트조성물을 얻었다. 더욱이 점도측정은 B형 점도계(도쿄계이기, DVL-B형)로 60rpm의 경우 로터 No.4, 6rpm의 경우는 로터 No.3에 의하였다.

(22) 상기 (19)에서 얻어진 다층배선기판의 양면에 상기 솔더레지스트조성물을 20㎛의 두께로 도포하였다. 뒤이어, 70℃에서 20분간, 70℃에서 30분간의 건조처리를 행한후, 크롬층에 의하여 솔더레지스트개구부의 원패턴(마스크패턴)이 묘사된 두께 5mm의 소다라임글라스기판을, 크롬층이 형성된 측을 솔더레지스트층에 밀착시켜 1000mJ/cm²의 자외선으로 노광하고, DMTG 현상처리하였다. 더욱더 80℃에서 1시간, 100℃에 1시간, 120℃에서 1시간, 150℃에서 3시간의 조건으로 가열처리하고, 패드부분이 개구한(개구경 200㎛) 솔더레지스트층(27)(두께 20㎛)을 형성하였다.

(23) 다음에 솔더레지스트(27)를 형성한 기판을 염화니켈 30g/l, 차아인산나트륨 10g/l, 시트르산나트륨 10g/l로 이루어지는 pH=5의 무전해니켈도금액에 20분간 침지하여 개구부에 두께 5㎛의 니켈도금층(28)을 형성하였다. 더욱더, 그 기판을 시안화칼륨 2g/l, 염화암모늄 75g/l, 시트르산나트륨 50g/l, 차아인산나트륨 10g/l로 이루어지는 무전해금도금액에 93℃의 조건으로 23초간 침지하여 니켈도금층(28) 위에 두께 0.03㎛의 금도금층(29)을 형성하였다.

(24) 그리고, 솔더레지스트층(27)의 개구부에 땜납페이스트를 인쇄하여 200℃로 리플로함으로써, 땜납범프(땜납체)(30)를 형성하고, 땜납범프를 갖는 편면4층의 다층프린트배선판을 제조하였다(도 4(b) 참조). 더욱이, 땜납으로서는, 주석-은, 주석-인듐, 주석-아연, 주석-비드무트 등이 사용된다.

이와 같이 하여 제조한 다층프린트배선판에서는 다층코어기판의 스루홀의 랜드형상을 완전한 원으로 할 수 있고, 랜드피치를 600㎛ 정도로 할 수 있기 때문에, 스루홀을 밀집하여 형성할 수 있고, 스루홀의 고밀도화가 용이하게 달성할 수 있다. 게다가, 기판중의 스루홀수를 늘릴 수 있기 때문에, 다층코어기판내의 내층도체회로와의 전기적 접속을 스로홀을 통하여 충분히 확보할 수 있다.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 프린트배선판은 코어기판을 다층화하더라도, 코어기판내의 내층도체회로와의 전기적 접속을 스루홀을 통하여 충분히 확보할 수 있는 스루홀의 고밀도화에 유리한 고밀도배선판을 제공할 수가 있다.

Claims (3)

1. 내층에 도체회로를 갖는 다층코어기판 위에 층간수지절연층과 도체층이 번갈아 적층되고, 각 도체층 사이가 관통구멍으로 접속된 빌트업 배선층이 형성되어 이루어지는 다층프린트배선판에 있어서,

   상기 다층코어기판은 코어재 위에 형성된 내층도체회로를 덮는 수지절연층을 가짐과 동시에, 그 수지절연층에는 이 층을 관통하여 상기 내층도체회로에 도달하는 관통구멍이 형성되고, 그리고 이 수지절연층 및 상기 코어재에는 이들을 관통하는 스루홀이 형성되고, 또한 그 스루홀에는 충전재가 충전되고,

   상기 빌트업 배선층의 관통구멍의 일부가 상기 스루홀의 바로 위에 위치하여 그 스루홀에 직접 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 다층 프린트 배선판.
2. 제 1 항에 있어서, 상기 충전재의 스루홀 개구끝으로부터 외측으로 노출하는 표면을 덮어 도체층이 형성되고, 상기 빌트업배선층의 관통구멍의 일부는 상기 도체층을 통하여 스루홀에 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 다층 프린트 배선판.
3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 충전재는 금속입자와, 열경화성 또는 열가소성수지로 이루어지는 것을 특징으로 하는 다층 프린트 배선판.