KR20010098805A - 막형성방법 및 막형성장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 막형성방법 및 막형성장치에 관한 것으로, 기판상에 도포액의 막을 형성하는 막형성방법에서, 기판상의 중심에 공급된 도포액을, 기판을 회전시키는 것에 의해서 확산시키는 공정과, 기판을 회전시킨 상태에서, 기판상에 확산된 상기 도포액에 대해서 도포액의 용제증기를 공급하여, 기판상에 형성되는 도포액의 막을 박막화하는 공정을 가진다.
따라서, 도포액이 기판상에 확산되어 형성된 도포액의 막을 저점도로 유지하여 더 한층 박막화할 수 있다. 도포액의 필요량을 억제할 수도 있다. 또 도포막상에 용제증기를 공급하기 때문에, 그 용제증기의 공급량 및 공급위치를 제어하는 것에 의해, 도포액의 막의 균일성을 꾀하거나, 도포액의 막두께를 제어할 수도 있다.
Description
본 발명은 기판의 막형성방법 및 막형성장치에 관한 것이다.
예를 들면, 반도체디바이스의 제조프로세스에 있어서의 포토리소그래피공정에서는, 기판인 예를 들면 반도체웨이퍼(이하 '웨이퍼' 라 한다) 표면에 레지스트액을 도포하고, 레지스트막을 형성하는 레지스트도포처리, 웨이퍼에 패턴을 노광하는 노광처리, 노광후의 웨이퍼에 대해서 현상을 실시하는 현상처리 등이 이루어지고, 웨이퍼에 소정의 회로패턴이 형성된다.
상술한 레지스트도포처리에서는, 통상, 회전가능한 스핀척 위에 웨이퍼가 재치되고, 그 스핀척의 회전에 의해서 웨이퍼가 회전되고, 웨이퍼의 중심에 레지스트액이 공급되면, 상기 회전에 의해서 그 레지스트액이 확산되어, 이른바 스핀척코팅방식에 의해, 웨이퍼 위에 레지스트액의 막이 형성되도록 되어 있다.
그러나, 상기 방법에서는, 웨이퍼의 회전에 의해 다량의 레지스트액이 비산하고, 약액의 소비량이 많았기 때문에, 약액의 절약화가 요구되게 되었다. 그러나 단순하게 웨이퍼 위로 공급하는 약액의 양을 적게하는 것만으로는, 레지스트액이 웨이퍼 위를 확산하고 있는 도중에 레지스트액 중의 용제가 휘발하여, 그 점성이 높아지는 점에서, 웨이퍼의 외주부로 감에 따라서 형성되는 레지스트막의 막두께가 불균일하게 되는 경우가 있었다.
여기서, 일본특허공보 2 - 133916호에 있어서는, 약액의 절약화를 꾀하면서, 웨이퍼주변부에서도 레지스트막이 균일하게 형성되도록, 레지스트액의 도포전에 미리 웨이퍼주변부에 레지스트액의 용제를 공급해 두고, 웨이퍼(W) 외주부에서의 레지스트액의 점성의 상승을 억제하여, 순조롭게 확산시키는 것이 제안되고 있다.
그렇지만, 근년 웨이퍼(W) 위에 형성되는 막을 보다 얇게 형성할 필요가 높아짐에 따라, 상술한 막형성방법으로는, 그 요청에 충분하게 대응할 수 없게 되었다.
본 발명은 이러한 상기 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 약액의 절약화도 고려하면서, 웨이퍼 등의 기판상에 형성되는 막의 박막화를 실현하는 것을 그 목적으로 한다.
이 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 막형성방법은, 기판상의 중심에 공급된 도포액을, 상기 기판을 회전시키는 것에 의해서 확산시키는 공정과, 상기 기판을 회전시킨 상태에서, 상기 기판상의 확산된 상기 도포액에 해당 도포액의 용제증기를 공급하여, 상기 기판상에 형성되는 도포액의 막을 박막화하는 공정을 가진다.
또, 본 발명의 다른 관점에 의하면, 본 발명의 막형성방법은, 기판상의 중심에 공급된 도포액을, 상기 기판을 회전시키는 것에 의해서 확산시키는 공정과, 상기 도포액의 공급전에 상기 기판상에 상기 도포액의 용제증기를 공급하는 공정과, 그 후, 상기 기판에 도포액을 공급하여, 이 공급된 도포액을 상기 기판의 제 1 회전속도의 회전에 의해서 확산시키는 공정과, 그 후, 상기 제 1 회전속도보다도 빠른 제 2 회전속도로 상기 기판을 회전시켜서 상기 도포액을 기판전면으로 확산시키는 공정과, 그 후, 상기 기판의 전면에 상기 도포액의 용제증기를 공급한 상태에서, 상기 기판을 제 2 회전속도보다 늦은 제 3 회전속도로 회전시켜서, 상기 기판상에 확산된 도포액의 막을 박막화하는 공정을 가진다.
이밖에, 제 1 ∼ 제 3 회전속도는, 도포액의 종류, 용제증기의 종류 또는 최종적으로 형성되는 도포막의 두께 등에 의해 결정되는 것이다. 또, 상기 기판전면에 대한 용제증기의 공급은, 한번에 기판전면으로 용제증기를 공급하는 경우 뿐만 아니라, 예를 들면, 용제증기를 공급하는 수단을 이동시켜서, 기판의 일부에서 용제증기를 공급해 나가, 최종적으로 기판전면에 용제증기를 공급하는 것과 같은 경우를 포함한다. 또, 상기 용제의 공급은, 상기 확산공정이 개시되는 동시에 이루어저도 좋고, 상기 확산공정의 도중부터 이루어지도록 해도 좋다.
또, 본 발명의 다른 관점에 의하면, 본 발명의 막형성방법은, 기판상의 중심에 공급된 도포액을, 상기 기판을 회전시키는 것에 의해서 확산시키는 공정과, 상기 도포액의 공급전에 상기 기판상에 상기 도포액의 용제증기를 공급하는 공정과, 그 후, 상기 기판에 도포액을 공급하여, 이 공급된 도포액을 상기 기판의 제 1 회전속도의 회전에 의해서 확산시키는 공정과, 그 후, 상기 제 1 회전속도보다도 빠른 제 2 회전속도로 상기 기판을 회전시켜서 상기 도포액을 기판전면으로 확산시키는 공정과, 그 후, 적어도 상기 기판부근의 분위기를 소정농도의 용제분위기로 유지한 상태에서, 상기 기판을 제 2 회전속도보다 늦은 제 3 회전속도로 회전시켜서, 상기 기판상에 확산된 도포액을 박막화하는 공정을 가진다. 그리고, 상기 기판부근의 분위기란, 적어도 기판상에 도포된 도포액과 접하는 분위기를 의미한다.
본 발명의 또 다른 관점에 의하면, 본 발명의 막형성방법은, 기판상의 중심에 공급된 도포액을, 상기 기판을 회전시키는 것에 의해서 확산시키는 공정과, 상기 도포액의 공급전에, 상기 도포액의 용제를 상기 기판전면으로 공급하는 공정과, 상기 기판을 소정회전속도로 회전시켜서, 기판상에 공급된 상기 용제를 증발시키는 공정과, 그후, 상기 기판의 적어도 주변부에 재차 상기 도포액의 용제를 공급하는 공정과, 상기 기판에 공급된 도포액을, 상기 제 1 회전속도의 회전에 의해서 확산시키는 공정과, 그후, 상기 제 1 회전속도보다도 빠른 제 2 회전속도로 상기 기판을 회전시켜서 상기 도포액을 기판전면으로 확산시키는 공정을 가진다.
그리고, 기판상에 공급된 상기 용제를 증발시킨다고 하는 것은, 상기 용제를 기판상에서 완전하게 증발하여 건조시키는 것이 아니라, 기판표면에 얇은 용제의 막이 형성되는 정도로 증발시키는 것을 말한다. 또, 상기 용제는, 액체상의 것만 아니라, 증기의 것도 포함한다.
본 발명의 막형성장치는, 기판상의 중심에 공급된 도포액을, 상기 기판을 회전시키는 것에 의해서 확산시켜서 기판상에 도포액의 막을 형성하는 막형성장치에서, 상기 기판표면의 전면에 대해서 용제증기를 공급하는 용제증기토출판을 가진다.
종래에는, 기판전면에 확산된 도포액을 더 회전시켜서 도포액의 막을 박막화하려고 하면, 장시간에 걸친 회전에 의해 도포액 내의 용제 등이 증발하여, 도포액의 점성이 상승하여, 적절하게 박막화가 실현되지 않는 경우가 있었지만, 본 발명에 의하면, 기판을 회전시킬 시에 기판상에 용제증기를 공급시키는 것에 의해, 도포액의 점성이 유지되고, 보다 얇은 도포액의 막을 적절하게 형성할 수 있다.
또, 우선 도포액 공급전에, 상기 용제증기를 기판상에 공급하고, 이어서 비교적 저회전으로 회전된 기판중심으로 도포액을 공급하고, 그후 기판을 보다 고속도로 회전시켜서, 먼저 공급된 도포액을 기판전면으로 확산시키는 것에 의해, 설령 상기 도포액의 공급량을 감소시켰다고 하더라도, 상기 도포액이 확산할 때에, 상술한 도포전의 용제증기에 의해서 상기 도포액의 점성이 상승하는 것이 방지된다.
기판부근의 분위기를 소정농도의 용제분위기로 하는 것에 의해, 도포액에서 용제의 휘발을 억제하고, 도포액의 점성상승을 억제할 수 있다.
또, 도포액 공급전에, 기판상에 용제를 공급하고, 그후 기판을 회전시켜서 상기 용제를 증발시키는 것에 의해, 기판전면에 있어서 습윤성이 향상하여, 이른바, 도포액의 미끄러짐이 좋아져서, 그후에 공급되는 도포액이 기판전면으로 순조롭게, 또한 균일하게 확산된다. 따라서 종래와 같이, 기판주변부 뿐만 아니라 기판전면에 있어서도 도포액이 순조롭게 확산되기 때문에, 보다 얇은 막을 형성할 수 있다. 또, 전술한 바와 같이 도포액을 일단 증발시킨 후, 기판의 외주부에 용제를 공급하는 것에 의해, 도포액 공급시의 기판의 회전속도를 비교적 저속으로 하여, 도포액의 비산을 최소한으로 억제한 것으로 해도, 순조롭게 도포액이 확산하여, 도포액의 소량화도 꾀할 수 있다.
도 1 은 본 실시예에서 사용되는 레지스트도포장치가 편입된 도포현상처리시스템의 구성의 개략을 나타내는 평면도이다.
도 2 는 도 1의 도포현상처리시스템의 정면도이다.
도 3 은 도 1의 도포현상처리시스템의 배면도이다.
도 4 는 제 1 실시예에서 사용되는 레지스트도포장치의 종단면의 설명도이다.
도 5 는 도 4에서 나타내는 레지스트도포장치의 횡단면 설명도이다.
도 6 은 용제증기공급노즐에서 웨이퍼주변부로 용제증기를 공급하는 공정을 나타내는 설명도이다.
도 7 은 토출노즐에서 웨이퍼중심부로 레지스트액을 공급하는 공정을 나타내는 설명도이다.
도 8 은 도 7에서 공급된 레지스트액을 웨이퍼전면으로 확산시키는 공정을 나타내는 설명도이다.
도 9 는 도 8에서 웨이퍼전면에 확산된 레지스트액 위로 용제증기를 공급하는 공정을 나타내는 설명도이다.
도 10 은 제 2 실시예에서 사용되는 레지스트도포장치의 종단면 설명도이다.
도 11 은 제 3 실시예에서 사용되는 레지스트도포장치의 종단면 설명도이다.
도 12 는 도 11에서 나타내는 레지스트도포장치의 횡단면 설명도이다.
도 13 은 용제토출노즐에서 웨이퍼로 용제를 토출하는 공정을 나타내는 설명도이다.
도 14 는 도 13에서 공급된 용제를 증발시키는 공정을 나타내는 설명도이다.
도 15 는 용제토출노즐에서 웨이퍼주변부로 용제를 토출하는 공정을 나타내는 설명도이다.
도 16 은 토출노즐에서 웨이퍼중심부로 레지스트액을 공급하는 공정을 나타내는 설명도이다.
도 17 은 도 16에서 웨이퍼상에 공급된 레지스트액을 확산시키는 공정을 나타내는 설명도이다.
도 18 은 용제증기토출노즐에서 웨이퍼전면에 용제를 토출하는 공정을 나타내는 설명도이다.
도 19 는 용제증기토출판의 사용상태를 나타내는 설명도이다.
도 20 은 용제증기토출판의 저면도이다.
＜도면의 주요부분에 대한 상세한 설명＞
1 : 도포현상처리 시스템 17 : 레지스트도포장치
60 : 스핀척 70, 110 : 토출노즐
71, 114 : 용제증기토출노즐 113 : 용제토출노즐
S : 처리실 W : 웨이퍼
이하, 본 발명의 바람직한 실시예에 대해서 설명하는 것으로, 본 발명을 상세하게 설명한다. 본 실시예에 있어서는, 본 발명의 막형성방법을 레지스트도포방법으로 구체화하고 있다. 도 1은, 상기 레지스트도포방법이 실시되는 도포장치를 가지는 도포현상처리시스템(1)의 평면도이고, 도 2는 도포현상처리시스템(1)의 정면도이고, 도 3은 도포현상처리시스템(1)의 배면도이다.
도포현상처리시스템(1)은, 도 1과 같이, 예를 들면, 25매의 웨이퍼(W)를 카세트단위로 외부에서 도포현상처리시스템(1)에 대해서 반입출하거나, 카세트(C)에 대해서 웨이퍼(W)를 반입출하거나 하는 카세트스테이션(2)과, 도포현상처리공정 중에서 매엽식(single wafer)으로 소정의 처리를 가하는 각종 처리장치를 다단배치하여 이루어지는 처리스테이션(3)과, 이 처리스테이션(3)에 인접하여 설치되어 있는 도시하지 않은 노광장치와의 사이에서 웨이퍼(W)를 수수(授受)하는 인터페이스부 (4)를 일체로 접속한 구성을 가지고 있다.
카세트스테이션(2)에서는, 재치부가 되는 카세트재치대(5) 위의 소정위치에, 복수의 카세트(C)를 X방향(도1의 상하방향)으로 일렬로 재치가 자유롭게 되어 있다. 그리고, 이 카세트배열방향(X방향)과 카세트(C)에 수용된 웨이퍼(W)의 웨이퍼배열방향(Z방향; 연직방항)에 대해서 이송가능한 웨이퍼반송체(7)가 반송로(8)를 따라서 이동이 자유롭게 되어 있어서, 각 카세트(C)에 대해서 선택적으로 액세스할 수 있도록 되어 있다.
웨이퍼반송체(7)는, 웨이퍼(W)의 위치맞춤을 실행하는 얼라인먼트기능을 구비하고 있다. 이 웨이퍼반송체(7)는 후술하는 바와 같이 처리스테이션(3) 측의 제 3 처리장치군(G3)에 속하는 익스텐션장치(32)에 대해서도 액세스할 수 있도록 구성되어 있다.
처리스테이션(3)에서는, 그 중심부에 주반송장치(13)이 설치되어 있고, 이 주반송장치(13)의 주변에는 각종 처리장치가 단단으로 배치되어 처리장치군을 구성하고 있다. 이 도포현상처리시스템(1)에서는, 4개의 처리장치군(G1,G2,G3,G4)이 배치되어 있고, 제 1 및 제 2 처리장치군(G1,G2)은 도포현상처리시스템(1)의 정면측에 배치되고, 제 3 처리장치군(G3)은 카세트스테이션(2)에 인접하여 배치되고, 제 4 처리장치군은(G4)는, 인터페이스부(4)에 인접하여 배치되어 있다. 더욱이 옵션으로서 파선으로 나타낸 제 5 처리장치군(G5)을 배면측에 별도배치가능하게 되어 있다. 상기 주반송장치(13)는, 이들 처리장치군(G1 ∼ G5)에 배치되어 있는 후술하는 각종 처리장치에 대해서, 웨이퍼(W)를 반입출 가능하다.
제 1 처리장치군(G1)에서는, 예를 들면 도 2와 같이, 웨이퍼(W)에 레지스트액을 도포하고, 레지스트막을 형성하는 레지스트도포장치(17)와, 웨이퍼(W)에 현상액을 공급하여 처리하는 현상처리장치(18)가 아래에서 차례로 2단으로 배치되어 있다. 제 2 처리장치군(G2)의 경우도 동일하게, 레지스트도포장치(19)와, 현상처리장치(20)이 아래에서 차례로 2단으로 겹쳐 쌓여져 있다.
제 3 처리장치군(G3)에서는, 예를 들면 도 3과 같이, 웨이퍼(W)를 냉각처리하는 냉각장치(30), 레지스트액과 웨이퍼(W)의 정착성을 높이기 위한 애드히젼장치 (31), 웨이퍼(W)를 대기시키는 익스텐션장치(32), 레지스트액중의 용제를 건조시키는 프리베이킹장치(33,34) 및 현상처리후의 가열처리를 가하는 포스트베이킹장치 (35,36) 등이 아래에서 차례로 예를들면 7단으로 쌓아 올려져 있다.
제 4 처리장치군(G4)에서는, 예를 들면, 냉각장치(40), 재치한 웨이퍼(W)를 자연냉각시키는 익스텐션 ·냉각장치(41), 익스텐션장치(42), 냉각장치(43), 노광처리후의 가열처리는 하는 포스트익스포우져베이킹장치(44,45), 포스트베이킹장치 (46,47) 등이 아래에서 차례로 예를 들면 8단으로 쌓아 올려져 있다.
인터페이스부(4)의 중앙부에는 웨이퍼반송체(50)가 설치되어 있다. 이 웨이퍼반송체(50)는 X방향(도 1의 상항방향), Z방향(수직방향)의 이동과 θ방향(Z축을 중심으로 하는 회전방향)의 회전이 자유롭게 될 수 있도록 구성되어 있고, 제 4 처리장치군(G4)에 속하는 익스텐션 ·냉각장치(41), 익스텐션장치(42), 주변노광장치 (51) 및 도시하지 않은 노광장치에 대해서 액세스할 수 있도록 구성되어 있다.
상술한 레지스트도포장치(17)의 구성에 대해서 설명한다. 도 4, 도 5 에 나타내듯이, 이 레지스트도포장치(17)의 케이싱(17a) 내에는 상면이 평탄하게 형성되고, 그 중앙부에 도시하지 않은 흡인구를 가지는 스핀척(60)이 설치되어 있고, 레지스트도포장치(17) 내로 반입된 웨이퍼(W)가 스핀척(60) 위에 수평으로 흡착지지되도록 구성되어 있다. 이 스핀척(60)의 아래쪽에는, 이 스핀척(60)을 회전시키고, 그 회전속도를 변경가능하게 하는 회전구동기구(62)가 설치되어 있고, 스핀척(60)에 지지된 웨이퍼(W)를 각 공정에 합치한 적절한 속도로 회전시킬 수 있다.
또, 스핀척(60)의 회전구동기구(62)에는, 스핀척(60)을 상하로 이동을 자유롭게 하는 기능이 구비되어 있고, 웨이퍼(W)의 반입출시에 스핀척(60)을 상하로 이동시켜서, 주반송장치(13)과의 사이에서 웨이퍼(W)를 수수할 수 있도록 되어 있다.
또, 스핀척(60)의 외주 바깥쪽에는, 이 외주를 둘러 쌓도록 하여, 상면이 개구한 환상의 컵(65)이 설치되어 있고, 상기 스핀척(60) 위에 흡착지지되어, 회전된 웨이퍼(W)에서 원심력에 의해 흘러 떨어진 레지스트액을 받아 내어, 주변장치가 오염되지 않도록 하고 있다. 컵(65)의 바닥부에는, 상기 웨이퍼(W)에서 흘러 떨어진 레지스트액을 배액하는 드레인관(66)이 설치되어 있다.
스핀척(60)의 위쪽에는, 웨이퍼(W)에 레지스트액을 토출하는 토출노즐(70)과, 웨이퍼(W)에 레지스트액의 용제증기를 토출하는 용제증기토출노즐(71)이 이동가능하게 설치되어 있다. 토출노즐(70)은, 제 1 배관(73)에 의해서 버퍼탱크(74)와 연통되어 있고, 이 제 1 배관(73)에는, 제 1 펌프(75)가 설치되어 있다. 이것에 의해서 버퍼탱크(74) 내의 레지스트액이 토출노즐(70)로 보내지고, 소정 타이밍 및 압력으로 토출노즐(70)에서 토출되도록 되어 있다.
용제증기토출노즐(71)은, 레지스트액에 대한 용제, 예를 들면, 유산에틸 등의 시너를 넣은 용제탱크(76)와 제 2 배관(77)에 의해 연통되어 있고, 이 제 2 배관(77)에는, 제 2 펌프(78)가 설치되어 있다. 이것에 의해서, 용제탱크(76) 내에서 증발된 용제증기가 용제증기토출노즐(71)로 보내지고, 소정 타이밍으로 용제증기토출노즐(71)에서 토출되도록 되어 있다. 따라서, 상술한 회전구동기구(62)에 의해서 회전된 웨이퍼(W) 위에 레지스트액 및 용제증기가 공급되어, 이른바 스핀코팅방식에 의해, 웨이퍼(W) 위에 소정 레지스트막을 형성하는 것이 가능해진다.
토출노즐(70)과 용제증기토출노즐(71)은, 예를 들면 노즐홀더(80)에 지지되어 있고, 이 노즐홀더(80)는, 도 5에 나타내듯이 암(81)에 지지되고 있다. 암(81)은 웨이퍼(W) 위의 한방향(도 5의 X방향)으로 연장되는 레일(83) 위를 이동이 자유롭게 구성되어 있고, 그 이동 타이밍과 속도 등은, 이동제어장치(84)에 의해 제어된다. 따라서, 상기 토출노즐(70)과 용제증기토출노즐(71)은, 암(81)의 이동에 따라서, 웨이퍼(W) 위를 자유롭게 이동할 수 있도록 구성되어 있다.
케이싱(17a) 상면에는, 처리실(S)에 소정 기체, 예를 들면, 청정공기를 공급하는 기체공급구(87)가 설치되어 있고, 케이싱(17a) 측면에는, 처리실(S) 내의 분위기를 배기하는 배기구(88)가 설치되어 있다. 이것들에 의해서, 처리실(S) 내의 분위기를 소정 분위기로 유지하는 동시에, 처리실(S) 내에 일정 기류를 발생시켜 처리실(S) 내를 퍼지할 수 있도록 되어 있다.
다음으로, 이상과 같이 구성되어 있는 레지스트도포장치(17)에서 실시되는 레지스트도포방법에 대해서, 도포현상처리시스템(1)에서 이루어지는 포토리소그래피공정의 프로세스와 함께 설명한다.
우선, 미처리 웨이퍼(W)가 웨이퍼반송체(7)에 의해서 카세트(C)에서 1매 꺼내지고, 거기서 제 3 처리장치군(G3)에 속하는 애드히젼장치(31)로 반입되어, 레지스트액의 밀착성을 향상시키는 예를 들면 HMDS가 표면에 도포된다. 이어서, 웨이퍼(W)는, 주반송장치(13)에 의해서, 냉각장치(30)에 반송되고, 소정 온도로 냉각된다. 그후 웨이퍼(W)는, 레지스트막이 형성되는 레지스트도포장치(17) 또는 (19)로 반송된다.
이 레지스트도포장치(17) 또는 (19)에서 레지스트막이 형성된 웨이퍼(W)는, 그후 주반송장치(13)에 의해, 프리베이킹장치(33) 혹은 (34), 냉각장치(40)에 순차반송된다. 그 후 웨이퍼(W)는, 각 처리장치에서 노광처리, 현상처리 등의 소정처리가 이루어지고, 일련의 도포현상처리가 종료한다.
상술한 레지스트도포방법의 프로세스에 대해서 상세하게 설명하면, 우선 전처리가 종료한 웨이퍼(W)가, 주반송장치(13)에 의해서 레지스트도포장치(17) 내로 반입되고, 스핀척(60) 위쪽의 소정위치에서 정지된다. 그리고 주반송장치(13)가, 웨이퍼(W)를 지지한 상태로 하강하여, 미리 상승하여 대기하고 있던 스핀척(60)의 상면에 웨이퍼(W)가 재치되어, 흡착지지된다. 그리고, 스핀척(60)이 하강하는 것에 의해서, 웨이퍼(W)가 하강되고, 컵(65) 내의 소정위치에 배치된다.
이어서, 컵(65) 바깥에서 대기하고 있던 용제증기토출노즐(71)이 웨이퍼(W)의 주변부 위쪽으로 이동되고, 이것과 동시에 회전구동기구(62)에 의해서 웨이퍼 (W)가 소정속도, 예를 들면 100 rpm 으로 회전된다. 그리고 도 6에 나타내듯이 용제증기토출노즐(71)에서 웨이퍼(W) 주변부로 소정시간, 예를 들면 3초 정도 용제증기가 공급되어, 웨이퍼(W) 주변부의 습윤성이 향상된다.
이 경우, 용제증기의 온도는, 통상 레지스트액중에 포함되어 상온(예를 들면 23℃)으로 설정되어 있는 용제의 온도보다도 낮은 온도로 해도 좋다. 이것에 의해서, 웨이퍼(W)의 주변부의 용제온도가 낮아지고, 웨이퍼(W)를 회전시켰을 때에, 웨이퍼(W)의 주변부에서의 증발을 억제하여, 보다 바람직한 습윤성을 실현할 수 있다. 또 용제의 사용량도 적게 해도 된다.
그 후, 용제증기의 공급을 정지하고, 이어서 토출노즐(70)이 웨이퍼(W)의 중심부 위쪽으로 이동된다. 이때, 웨이퍼(W)의 회전속도는, 제 1 회전속도, 예를 들면 80 rpm 으로 감속된다. 그리고 도 7에 나타내듯이 토출노즐(70)에서 레지스트액이 예를 들면 1초간 토출되어, 웨이퍼(W) 위로 레지스트액이 공급된다.
그 후, 레지스트액 공급이 정지되면, 웨이퍼(W)의 회전속도가 제 2 회전속도, 예를 들면 4500 rpm 으로 가속되어, 그후 예를 들면 2초간 4500 rpm의 상태를 유지하여, 도 8과 같이 웨이퍼(W)의 중심에 공급된 레지스트액이 웨이퍼(W)의 전면으로 확산된다.
계속하여, 도 9와 같이, 용제증기토출노즐(71)이 웨이퍼(W) 위를 좌우(도4, 도 5의 X방향의 정방향과 부방향)로 이동하면서, 용제증기를 토출하고, 웨이퍼(W) 위에 용제증기를 공급한다. 이때 웨이퍼(W)의 회전속도는, 제 2 회전속도보다도 늦은, 제 3 회전속도, 예를 들면 2500 rpm 으로 감속된다. 그리고, 웨이퍼(W) 위에 용제증기를 공급하면서, 소정시간 웨이퍼(W)를 회전시키면, 전공정에서 확산된 레지스트액이 적절한 점성을 유지한 상태에서, 더 한층 확산이나 비산되고, 소정 두께가 되기까지 레지스트액의 막이 박막화된다. 그리고, 이때에, 웨이퍼(W) 위의 각 부분에 공급되는 용제증기의 총량을 상기 각부분별로 조절하는 것에 의해, 형성되는 레지스트막의 막두께를 웨이퍼(W) 면내에서 균일하게 할 수 있다. 또, 그 방법으로서, 예를 들면 상기 제 3 회전속도, 용제증기공급노즐(71)의 이동속도 혹은 용제증기의 공급량, 공급위치를 제어하는 것을 제안할 수 있다.
그리고, 웨이퍼(W) 위에 형성된 레지스트액의 막이 소정의 두께까지 박막회되면, 용제증기의 공급이 정지되고, 웨이퍼(W)를 예를 들면 20초간 회전시키는 것에 의해, 웨이퍼(W) 위에 형성된 레지스트막이 건조된다.
그후, 웨이퍼(W)의 회전이 정지되고, 레지스트막의 형성공정이 종료한다. 그리고, 재차, 스핀척(60)에 의해, 웨이퍼(W)가 상승되고, 주반송장치(13)에 수수되어, 레지스트도포장치(17)에서 반출된다.
이상의 실시예에서는, 레지스트액의 공급전에 용제증기를 웨이퍼(W)의 주변부에 공급했기 때문에, 그후 레지스트액을 저회전으로 회전된 웨이퍼(W) 위로 공급하여도, 레지스트액 중의 용제가 휘발하여, 레지스트액의 점성이 상승하여 웨이퍼(W) 주변부에서 레지스트액이 적절하게 확산되지 않는 것과 같은 일이 억제된다. 또, 레지스트액이 일단 확산된 후, 재차 웨이퍼(W) 위에 용제증기를 공급하고, 제 3 회전속도로 웨이퍼(W)를 회전시키기 때문에, 레지스트액을 저점도로 유지하여, 레지스트액의 막을 한층 얇게 할 수 있다.
이상의 실시예에서는, 웨이퍼(W)를 제 2 회전속도로 회전시켜, 레지스트액을 웨이퍼(W) 전면으로 확산시킨 후에, 용제증기를 공급하여, 레지스트막의 박막화를 꾀하고 있지만, 상기 확산공정(도 8)에서도 상기 용제증기를 공급하도록 해도 좋다. 이 경우, 예를 들면 웨이퍼(W)의 회전속도가 제 2 회전속도로 가속되는 동시에, 용제증기토출노즐(71)에서 용제증기를 분출하고, 상술한 바와 같이 웨이퍼(W) 위를 이동시킨다. 이것에 의해서, 보다 빠른 단계에서 레지스트액중의 용제가 휘발하는 것이 억제되기 때문에, 보다 순조롭게 레지스트액이 비산하여, 보다 불균일성이 없는 레지스트막이 형성된다.
그리고, 상술한 용제증기를 공급하면서 웨이퍼(W)를 회전시키고, 웨이퍼(W) 위에 형성되는 막을 박막화한다는 공정은, 그것 이전의 공정여하를 묻지 않고, 다른 공정을 거친 레지스트액의 막형성방법에 대해서도 적용할 수 있다. 또, 레지스트액의 막 이외의 막, 예를 들면, 현상처리에서의 현상액의 액막을 형성하는 경우에 있어서도 적용할 수 있다.
또, 이상의 실시예에서는, 레지스트액을 박막화할 때에, 레지스트액의 점성이 상승하지 않도록, 용제증기를 공급하고 있지만, 레지스트액 중의 용제가 휘발하지 않도록, 웨이퍼(W)의 분위기를 소정농도의 용제분위기로 유지하도록 해도 좋다. 이하에, 이 경우에 대해서 제 2 실시예로서 설명한다.
제 2 실시예에서 이용되는 레지스트도포장치(17)는, 도 10과 같이, 레지스트액의 용제를 포함하는 기체, 예를 들면 불활성가스인 질소가스를 처리실(S) 내로 공급하는 기체공급유닛(101)이 기체공급구(100)에 연통되어 설치되어 있고, 기체공급구(100)에서 상기 용제를 포함하는 질소가스를 공급하고, 처리실(S) 내의 분위기를 소정농도의 용제분위기로 할 수 있도록 구성되어 있다. 그리고, 제 1 실시예와 동일하게 하여 웨이퍼(W) 전면으로 레지스트액이 확산되어, 레지스트액의 막을 더 박막화시키는 동시에, 기체공급유닛(101)에서 용제기체를 함유하는 질소가스를 처리실(S) 내로 공급하고, 웨이퍼(W) 부근의 분위기를 소정농도의 용제분위기로 유지한다. 이렇게 하는 것에 의해, 웨이퍼(W) 위의 레지스트막 중에 존재하는 용제가 휘발하는 것이 억제되고, 레지스트액의 점성이 유지되어, 레지스트막의 박막화가 적절하게 실시된다. 이밖에, 상기 레지스트액의 용제를 포함하는 기체는, 질소가스 대신에 청정공기를 사용해도 좋다.
그리고, 상기 질소가스의 공급은, 레지스트막을 박막화시킬 때 뿐만 아니라, 웨이퍼(W)위에 도포된 레지스트액을 확산시킬 때에도 실시하도록 해도 좋다. 이렇게 하는 것에 의해, 상술한 용제증기를 직접공급할 때와 마찬가지로, 보다 빠른 단계에서 레지스트액 중의 용제가 휘발하는 것이 억제되기 때문에, 보다 순조롭게 레지스트액이 확산하여, 보다 불균일이 없는 레지스트막이 형성된다.
다음에 제 3 실시예를 실시하는데 있어서 이용되는 레지스트도포장치(17)에는, 도 11, 도 12에서 나타내듯이, 레지스트액을 토출하는 토출노즐(110) 및 용제증기를 토출하는 용제증기토출노즐(114)과 같은 노즐홀더(111)에 지지된, 레지스트액의 액체상태의 용제를 토출하는 용제토출노즐(113)이 설치되어 있다.
이 용제토출노즐(113)은, 상기 용제가 저장되어 있는 용제탱크(115)를 제 3 배관(116)에 의해 연통되어 있고, 용제탱크(115)로부터의 용제를 용제토출노즐(113)에서 웨이퍼 (W) 위로 토출할수 있도록 구성되어 있다. 이밖에, 토출노즐(110), 용제증기토출노즐 및 용제토출노즐(113)을 이동가능하게 하는 기구는, 제 1 실시예와 동일하며, 도 12에 나타내듯이 암(81)이 레일(83) 위를 이동하는 것에 의해 이동된다. 또, 토출노즐(110)과 용제증기토출노즐(114)의 레지스트액 또는 용제증기의 각 공급기구도 제 1 실시예와 동일하게 구성되어 있다.
다음에, 제 3 실시예에 따른 막형성방법에 대해서 설명한다. 우선,제 1 실시예와 동일하게 하고, 웨이퍼(W)가 레지스트도포장치(17) 내로 반입되고, 스핀척 (60) 위에 재치된다.
이어서, 용제토출노즐(113)이 웨이퍼(W) 중심의 위쪽으로 위치하도록 이동되고, 웨이퍼(W)가 스핀척(60)에 의해, 예를 들면 1000 rpm 으로 회전된다. 그리고, 도 13과 같이, 용제토출노즐(113)에서 액체의 용제가 웨이퍼(W) 위로 토출되어, 웨이퍼(W) 전면으로 용제가 공급된다.
그리고, 용제의 토출이 예를 들면 3초간 이루어진 후, 토출이 정지되고, 도 14에 나타내듯이, 웨이퍼(W)를 계속해서 회전시키는 것에 의해, 웨이퍼(W) 위에 공급된 용제가 적당량이 되도록 필요없는 용제를 증발시킨다. 이렇게 하는 것에 의해, 웨이퍼(W) 전면에 걸쳐, 얇은 용제의 막이 형성되고, 웨이퍼(W) 전면의 습윤성이 향상한다.
그 후, 용제토출노즐(113)이 웨이퍼(W) 주변부 위쪽, 예를 들면 웨이퍼(W)의 외연에서 20 mm 정도 중심측의 위치로 이동하고, 그때, 웨이퍼(W)의 회전속도가 예를 들면 300 rpm 으로 저감된다. 그리고, 도 15와 같이, 재차 용제토출노즐(113)에서 웨이퍼(W) 주변부로 용제가 토출되어, 웨이퍼(W) 주변부의 습윤성을 다른 부분보다도 향상시킨다.
그후, 웨이퍼(W)가 제 1 회전속도, 예를 들면 80 rpm 으로 저감되는 동시에, 토출노즐(110)이 웨이퍼(W) 중심방향으로 이동되고, 도 16과 같이, 토출노즐(110)에서 소정량의 레지스트액이 웨이퍼(W) 중심으로 공급된다.
이어서, 레지스트액의 공급이 정지되는 동시에, 웨이퍼(W)의 회전속도가 제 2 회전속도, 예를 들면 4500 rpm 으로 가속되고, 웨이퍼(W) 위의 레지스트액이, 도 17에 나타낸 바와 같이 웨이퍼(W) 전면으로 확산된다.
그리고, 소정시간, 예를 들면 3초경과후, 용제증기토출노즐(114)이, 도 18과같이, 웨이퍼(W) 위를 이동하면서, 용제증기를 웨이퍼(W) 위에 분출하기 시작하고, 이것과 동시에 웨이퍼(W)의 회전속도가 제 3 회전속도, 예를 들면 2500 rpm 으로감속된다. 이것에 의해서, 웨이퍼(W) 전면으로 확산된 레지스트액의 막이 박막화된다.
그후, 레지스트막이 소정 두께로 박막화되면, 용제증기의 공급을 정지시키고, 그후 예를 들면 20초간 웨이퍼(W)를 회전시켜서, 웨이퍼(W)를 건조시킨다. 그리고, 웨이퍼(W)의 회전이 정지되고, 레지스트막의 형성공정이 종료된다.
이렇게 해서 소정의 레지스트막이 형성된 웨이퍼(W)는, 제 1 실시예와 마찬가지로, 재차 주반송장치(13)에 수수되어, 레지스트도포장치(17)에서 반출된다.
이상의 실시예에 의하면, 레지스트액을 웨이퍼(W)에 공급하기 전에, 웨이퍼(W) 전면으로 용제를 공급하여, 증발시켰기 때문에, 웨이퍼(W) 전면에 있어서, 그후 공급되는 레지스트액의 미끄러짐이 향상하여, 종래에 비해서 레지스트액의 막두께를 박막화할 수 있다. 또, 소량의 레지스트액으로 막이 형성되기 때문에, 사용되는 레지스트액의 양을 삭감할 수 있다. 더욱이, 웨이퍼(W) 전면에 확산된 레지스트액 위에 용제증기를 공급하도록 했기 때문에, 제 1 실시예와 마찬가지로 박막화를 더 한층 꾀할 수 있다.
그리고, 용제증기의 공급시기에 대해서는, 제 1 실시예에서도 기재했듯이, 레지스트액이 웨이퍼(W) 전면으로 확산될 때에도 용제증기를 공급하도록 해도 좋다.
또, 용제증기를 공급하는 대신에 제 2 실시예에서 기재했듯이, 용제를 포함하는 기체를 공급하여, 웨이퍼(W) 주변을 소정농도의 용제분위기로 하도록 하여도 좋다.
상기 실시예에서는, 레지스트액 도포후에 웨이퍼(W)에 대해서 용제증기를 공급한 노즐은, 도 9에 나타내는 것과 같은 특정 에리어에 대해서 용제증기를 토출시키는 용제증기토출노즐(71)이었지만, 도 19에 나타낸 용제증기토출판(121)을 사용해도 좋다.
이 용제증기토출판(121)은, 헤더부(122)와 헤더부(122)에 대해서 용제증기를 공급하는 공급부(123)을 가지고 있다. 용제증기토출판(121)의 이면, 즉 웨이퍼(W)에 대해서 대향하는 면은, 도 20에 나타냈듯이, 복수의 토출구(124)가 동심원상으로 형성되어 있다. 토출구(124)는, 중심부보다도 주변부의 것일 수록, 그 지름이 크다. 따라서, 토출구(124)에 대해서 용제증기가 공급되면, 토출구(124)에서 웨이퍼 (W)의 표면전면에 대해서 용제증기가 공급된다. 더구나 웨이퍼(W)의 주변부일수록, 중심부보다 다량의 용제증기가 공급된다.
또, 용제증기토출판(121)에는, 토출구(124)를 가열하기 위한 히터(125)가 설치되어 있다. 이 히터(125)를 작동시키면, 토출구(124)의 온도가 상승하여, 용제증기가 토출구(124) 주변이나 용제증기토출판(121)에서 응축하여 결로하는 것이 방지된다.
이러한 구성의 용제증기토출판(121)을 사용하면, 웨이퍼(W) 표면에 대해서 동시에 또한 전면에 용제증기를 공급할 수 있다. 더구나 웨이퍼(W)의 주변부일수록, 중심부보다 다량의 용제증기가 공급되기 때문에, 웨이퍼(W)의 주위에서 분위기가 배기되어 웨이퍼(W)의 주변부 쪽이 휘발이 활발하더라도, 이것에 대응하여 용제증기를 공급할 수 있어서, 웨이퍼(W) 표면의 레지스트막의 박막화에 있어서, 이것을 균일하게 박막화시키는 것이 가능하다.
이상의 실시예에서는, 웨이퍼(W)에 레지스트액을 도포하고, 레지스트막을 형성하는 막형성장치였지만, 본 발명은, 절연막 등의 다른 막형성장치, 예를 들면 SOD, SOG 막형성장치에 있어서도 적용할 수 있다. 또, 웨이퍼(W) 이외의 기판 예를 들면 LCD기판의 막형성장치에도 적용된다.
본 발명에 의하면, 도포액이 기판상에 확산되어 형성된 도포액의 막을 저점도로 유지하여 더 한층 박막화할 수 있다. 따라서 도포액의 필요량의 저감을 꾀할 수 있다. 또, 도포액의 막을 저점도로 유지하기 위해서, 도포막상에 용제증기를 공급하기 때문에, 그 용제증기의 공급량 및 그 공급위치를 제어하는 것에 의해 도포액막의 균일성을 도모하고 또한 도포액 막의 두께를 제어할 수 있다.
종래에는, 도포액 도포전의 기판주변부에만 용제를 공급하고 있었지만, 청구항 8에 의하면, 기판전면에 용제를 공급하고, 기판전면에 있어서, 그후 도포되는 도포액의 미끄러짐을 향상시키는 것에 의해, 종래에 비해 한층 얇은 도포액 막을 형성할 수 있다. 따라서, 보다 정밀한 제품을 만드는 것이 가능해지고, 제품의 소형화 및 정밀화를 촉진할 수 있다. 또, 보다 적은 도포액을 공급하여도, 적절하게 막이 형성되기 때문에 사용되는 도포액이 소량화되어, 코스트다운을 꾀할 수 있다.
도포액의 공급전에 있어서의 용제증기의 공급은, 적어도 상기 기판의 주변부에 공급되도록 해도 좋다. 기판상에 도포된 도포액은, 적어도 상기 기판의 주변부를 향해서 확산되어 가기 때문에, 기판의 주변부로 감에 따라서 서서히 점성이 상승하고 있다. 따라서, 도포액의 점도가 현저하게 상승하는 것은, 기판의 주변부이다. 적어도 기판의 주변부에 상기 용제증기를 공급하는 것에 의해, 기판주변부상의 도포액의 점성을 담보한다. 이밖에, 적어도 주변부에 공급하면 좋기 때문에, 기판전면에 도포액을 공급하여도 좋다. 이경우, 기판전면에 걸쳐서, 도포액의 도포조건이 같아지기 때문에, 도포액의 도포불균일 등을 방지할 수 있다.
Claims (23)
- 기판상에 도포액의 막을 형성하는 막형성방법에서,기판상의 중심에 공급된 도포액을, 상기 기판을 회전시키는 것에 의해서 확산시키는 공정과,상기 기판을 회전시킨 상태에서, 상기 기판상의 확산된 상기 도포액에 해당 도포액의 용제증기를 공급하여,상기 기판상에 형성되는 도포액의 막을 박막화하는 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 막형성방법.
- 청구항 1 에 있어서,상기 용제증기의 공급은,기판전면에 대해서 동시에 용제증기를 공급하도록 하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 막형성방법.
- 청구항 1 에 있어서,상기 도포액은 레지스트액인 것을 특징으로 하는 막형성방법.
- 기판상에 도포액의 막을 형성하는 막형성방법에서,기판상의 중심에 공급된 도포액을, 상기 기판을 회전시키는 것에 의해서 확산시키는 공정과,상기 도포액의 공급전에 상기 기판상에 상기 도포액의 용제증기를 공급하는 공정과,그 후, 상기 기판에 도포액을 공급하여, 이 공급된 도포액을 상기 기판의 제 1 회전속도에 의해서 확산시키는 공정과,그 후, 상기 제 1 회전속도보다도 빠른 제 2 회전속도로 상기 기판을 회전시켜서 상기 도포액을 기판전면으로 확산시키는 공정과,그 후, 상기 기판의 전면에 상기 도포액의 용제증기를 공급한 상태에서, 상기 기판을 제 2 회전속도보다 늦은 제 3 회전속도로 회전시켜서, 상기 기판상에 확산된 도포액의 막을 박막화하는 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 막형성방법.
- 청구항 4 에 있어서,기판전면에 대해서 용제증기를 공급할 때에는, 기판전면에 대해서 동시에 용제증기를 공급하도록 하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 막형성방법.
- 청구항 4 에 있어서,상기 기판전면에 대한 상기 용제증기의 공급은,상기 기판을 제 2 회전속도로 회전시켜서 상기 도포액을 기판전면으로 확산시키는 공정에 있어서도 이루어지는 것을 특징으로 하는 막형성방법.
- 청구항 4 에 있어서,상기 기판전면에 대한 상기 용제증기의 공급은,상기 기판 위를 이동 가능한 용제증기토출노즐에 의해서 이루어지는 것을 특징으로 하는 막형성방법.
- 청구항 4 에 있어서,상기 도포액의 공급전에 있어서의 용제증기의 공급은,적어도 상기 기판의 주변부로 공급되는 것을 특징으로 하는 막형성방법.
- 청구항 4 에 있어서,상기 도포액은 레지스트액인 것을 특징으로 하는 막형성방법.
- 기판상에 도포액의 막을 형성하는 막형성방법에서,기판상의 중심에 공급된 도포액을, 상기 기판을 회전시키는 것에 의해서 확산시키는 공정과,상기 도포액의 도포전에 상기 기판상에 상기 도포액의 용제증기를 공급하는 공정과,그 후, 상기 기판에 도포액을 공급하여, 이 공급된 도포액을 상기 기판의 제 1 회전속도의 회전에 의해서 확산시키는 공정과,그 후, 상기 제 1 회전속도보다도 빠른 제 2 회전속도로 상기 기판을 회전시켜서 상기 도포액을 기판전면으로 확산시키는 공정과,그 후, 적어도 상기 기판부근의 분위기를 소정농도의 용제분위기로 유지한 상태에서, 상기 기판을 제 2 회전속도보다 늦은 제 3 회전속도로 회전시켜서, 상기 기판상에 확산된 도포액을 박막화하는 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 막형성방법.
- 청구항 10 에 있어서,상기 기판을 제 2 회전속도로 회전시켜서 상기 도포액을 기판전면으로 확산시키는 공정에 있어서도, 상기 기판부근의 분위기는 소정농도의 용제분위기로 유지되는 것을 특징으로 하는 막형성방법.
- 청구항 10 에 있어서,상기 도포액의 공급전에 있어서의 용제증기의 공급은,적어도 상기 기판의 주변부로 공급되는 것을 특징으로 하는 막형성방법.
- 청구항 10 에 있어서,상기 도포액은 레지스트액인 것을 특징으로 하는 막형성방법.
- 기판상에 도포액의 막을 형성하는 막형성방법에서,기판상의 중심에 공급된 도포액을, 상기 기판을 회전시키는 것에 의해서 확산시키는 공정과,상기 도포액의 공급전에, 상기 도포액의 용제를 상기 기판전면으로 공급하는 공정과,상기 기판을 소정회전속도로 회전시켜서, 기판상에 공급된 상기 용제를 증발시키는 공정과,그 후, 상기 기판의 적어도 주변부에 재차 상기 도포액의 용제를 공급하는 공정과,상기 기판에 공급된 도포액을, 상기 기판의 제 1 회전속도의 회전에 의해서 확산시키는 공정과,그 후, 상기 제 1 회전속도보다도 빠른 제 2 회전속도로 상기 기판을 회전시켜서 상기 도포액을 기판전면으로 확산시키는 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 막형성방법.
- 청구항 14 에 있어서,상기 기판을 제 2 회전속도로 회전시키는 공정후에, 상기 기판의 전면에 상기 도포액의 용제증기를 공급한 상태에서,상기 기판을 제 2 회전속도보다 늦은 제 3 회전속도로 회전시켜서 상기 기판상에 확산된 도포액을 박막화하는 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 막형성방법.
- 청구항 14 에 있어서,상기 기판의 전면에 대한 상기 용제증기의 공급은,상기 기판을 제 2 회전속도로 회전시켜서 상기 도포액을 기판전면으로 확산시키는 공정에 있어서도 이루어지는 것을 특징으로 하는 막형성방법.
- 청구항 14 에 있어서,상기 기판을 제 2 회전속도로 회전시키는 공정후에, 적어도 상기 기판부근의 분위기를 소정농도의 용제분위기로 유지한 상태에서,상기 기판을 제 2 회전속도보다 늦은 제 3 회전속도로 회전시켜서, 상기 기판상에 확산된 도포액을 박막화하는 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 막형성방법.
- 청구항 14 에 있어서,상기 도포액은 레지스트액인 것을 특징으로 하는 막형성방법.
- 청구항 17 에 있어서,상기 기판을 제 2 회전속도로 회전시켜서 상기 도포액을 기판전면으로 확산시키는 공정에 있어서도,상기 기판부근의 분위기는 소정농도의 용제분위기로 유지되는 것을 특징으로 하는 막형성방법.
- 기판상의 중심에 공급된 도포액을, 상기 기판을 회전시키는 것에 의해서 확산시켜서 기판상에 도포액의 막을 형성하는 막형성장치에서,상기 기판표면의 전면에 대해서 용제증기를 공급하는 용제증기토출판을 가지는 것을 특징으로 하는 막형성장치.
- 청구항 20 에 있어서,상기 용제증기토출판에는,복수의 공급구가 형성되고, 주변부의 공급구의 지름은,중심부의 공급구의 지름보다도 큰 것을 특징으로 하는 막형성장치.
- 청구항 20 에 있어서,상기 용제증기토출판은,공급구를 가열하는 가열장치를 가지는 것을 특징으로 하는 막형성장치.
- 청구항 20 에 있어서,상기 도포액은 레지스트액인 것을 특징으로 하는 막형성장치.
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