KR20010052400A - 에칭후 알칼리 처리방법 - Google Patents

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메띠포고지안파올로
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헨넬리 헬렌 에프
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Abstract

본 발명은 에칭된 반도체 웨이퍼 표면으로부터 알루미늄 오염물질을 제거하는 공정에 관한 것이다. 본 공정은 먼저 반도체 웨이퍼를 알루미늄을 함유한 래핑 슬러리에 래핑시키고, 상기 웨이퍼를 에칭한 후, 마지막으로 상기 웨이퍼를 알칼리 성분과 계면활성제로 이루어지는 수성 배스에 침지시키는 단계로 이루어진다.

Description

에칭후 알칼리 처리방법{POST-ETCHING ALKALINE TREATMENT PROCESS}
집적회로의 제작에 사용되는 반도체 웨이퍼는 단결정 실리콘 잉곳을 박막으로 슬라이싱하여 제작된다. 슬라이싱 후, 래핑 공정으로 진행하여, 웨이퍼가 기본적으로 균일한 두께가 되도록 한다. 다음, 웨이퍼를 에칭하여 손상을 제거하고, 완만한 표면을 만든다. 종래 반도체 웨이퍼 형성공정의 최종단계는 광택공정으로서, 적어도 웨이퍼의 한 면의 표면을 고반사성이면서 손상에 강한 표면으로 만드는 것이다. 이 광택표면 위에 비로소 집적회로 제작이 이루어진다.
래핑 공정에 이어서, 전형적으로 웨이퍼의 세척이 이루어져, 래핑 가루 (예컨데, 알루미나), 유기 잔여물, 금속 불순물, 및 기타 형태의 미립자 불순물을 제거하여야한다. 세척공정이 효과적이지 않으면, 웨이퍼의 표면은 이러한 불순물로 오염되거나, "오손 (stained) 된다". 집적회로가 이러한 불순물로 오손된 웨이퍼 표면상에 제작되는 경우, 이러한 회로의 품질 및 성능은 크게 감소될 것이다. 높은 품질과 성능을 보장하기 위하여, 전형적으로 웨이퍼의 오손에 대한 검사가 밝은 빛 또는 형광 조사하에서의 육안검사로 이루어진다.
반도체 웨이퍼를 오손시키는 오염물질은 전형적으로 웨이퍼 제조공정에서 발생한다. 예를 들어, 래핑 공정중, 래핑 가루는 대량의 산화 알루미늄 (알루미나) 을 포함한다. 알루미나의 딱딱함과 입자상은 특히 래핑 공정에 적합하다. 그러나, 알루미나 사용을 계속함으로써, 알루미늄 오염물질 (이온 또는 입자형태 모두) 이 웨이퍼 표면에 고착할 수 있다. 더욱이, 래핑 공정후에는 웨이퍼가 매우 거칠므로, 알루미늄 오염물질이 웨이퍼 표면의 갈라진 틈에 포획될 수 있다. 이후의 공정, 예컨데 화학에칭 또는 세척공정은, 이러한 오염물질을 충분히 제거 못할 수 있다. 또한, 이러한 후속 공정중 어느 공정에서 열의 사용으로 입자가 웨이퍼 표면에 더욱 더 강력히 고착하게 됨으로써 알루미늄 오염문제를 증폭시킨다. 광택 공정으로 웨이퍼 표면을 수 마이크론 제거함으로써 웨이퍼의 알루미늄 오염을 줄일 수 있지만, 광택 공정 되지 않은 웨이퍼의 배면은 오염된 채로 남아있다. 이러한 배면의 오염을 제거하지 못하면, 오손을 유발하여, 최종 제품에 성능감소를 유발할 수 있다.
종래부터 웨이퍼 래핑후 실리콘 웨이퍼의 표면에 고착한 알루미늄 오염물질을 제거하거나 감소하기 위하여 수많은 공정이 제안되었었다. 그러나, 일반적으로, 이러한 종래 공정들은 비용대효과 뿐 아니라, 집적회로의 성능 및 품질의 저하를 방지할 만큼 충분한 량의 오염물질을 효과적으로 제거하지 못하였기 때문에, 바람직하지 못하다.
예를 들어, 초음파 에너지를 세척용기에 직접 조사함으로써, 웨이퍼 표면상의 미립자의 농도를 효과적으로 줄이는 방안이 개시되어 있다 (Erk 등의 US 특허 제 5,593,505 호 참조).
그러나, 초음파 에너지를 사용하는데 소요되는 비용때문에, 이러한 형태의 공정은 웨이퍼에서 알루미늄 오염을 제거하는 비용을 증가시킨다. 또한, 초음파 에너지에 장시간 노출됨으로써 웨이퍼의 결정격자에 손상을 줄 수도 있다.
또 다른 알루미늄 오염물질을 제거하는 종래 세척방법은 산화 세척제를 채용하는 것이다 (예컨데, 수산화암모늄, 과산화수소, 및 물이 1:1:5 의 비율로 된 SC-1). 일반적으로 이 방법은 웨이퍼 표면을 친수성으로 만들기 때문에 (예컨데, 산소로 종단됨), 바람직하지 않다. 산화알루미늄은 이 상태에서는 웨이퍼 표면과 반응하여, 실리콘-알루미늄 산화물을 형성하는 것으로 알려져있다. 알루미늄 및 실리콘이 이러한 안정한 상태를 형성하면, 웨이퍼 표면에서 알루미늄을 제거하는 것은 매우 어렵게 된다.
따라서, 초음파 에너지의 사용을 요하지 않으면서도, 에칭된 실리콘 웨이퍼의 표면에서 알루미늄 오염물질을 효과적으로 또 저렴하게 제거할 수 있는 공정의 필요성이 계속 존재한다.
본 발명은 반도체 웨이퍼의 세척방법에 관한 것으로, 특히 웨이퍼가 에칭된 후 단결정 반도체 웨이퍼의 표면상에 존재하는 알루미늄 오염물질을 제거하는 방법에 관한 것이다.
발명의 요약
그러므로, 본 발명의 목적은 초음파 에너지의 사용을 요하지 않으면서도 반도체 웨이퍼 표면에서 알루미늄 오염물질을 제거하는 공정을 제공하는 것이며; 웨이퍼가 에칭된 후 반도체 웨이퍼 표면에서 알루미늄 오염물질을 제거하는 공정을 제공하는 것이며 ; 및 싼 비용이면서도 효과적으로 반도체 웨이퍼 표면으로부터 알루미늄 오염물질을 제거하는 공정을 제공하는 것이다.
즉, 본 발명은 에칭된 반도체 웨이퍼의 표면으로부터 알루미늄 오염물질을 제거하는 공정에 관한 것이다. 본 발명의 공정은 먼저 알루미늄을 포함하는 래핑 슬러리에 반도체 기판을 래핑시키고, 웨이퍼를 에칭한 후, 마지막으로 웨이퍼를 수성 배스 (aqueous bath) 에 침지시키는 것으로, 상기 배스는 알칼리 성분과 계면활성제를 포함한다.
본 발명의 다른 목적 및 특징은 몇몇 부분에서 자명할 것이며, 이하, 부분적으로 설명될 것이다.
바람직한 실시예의 상세한 설명
실리콘 웨이퍼가 래핑 공정된 후, 웨이퍼 표면에는 래핑 슬러리가 남는다. 무엇보다도, 이러한 래핑 슬러리는 웨이퍼 표면에 고착될 수 있는 산화 알루미늄 (예컨데, 알루미나) 을 포함한다. 본 발명의 공정에 따르면, 웨이퍼를 에칭한 후, 웨이퍼를 알칼리 성분과 계면활성제를 포함하는 수성 세척제 (aqueous cleaning solution) 에 침지시켜 실리콘 웨이퍼 표면으로부터 알루미늄 오염물질을 제거한다.
특정한 원리 없이도, 알칼리 배스가 반도체 웨이퍼로부터 알루미늄 오염물질을 제거할 수 있는 능력은 웨이퍼 표면에 산화실리콘 (silicon oxide) 이 존재하는데 부분적으로 의존한다고 믿어진다. 실험에 의하면, 산화실리콘이 반도체 웨이퍼 표면상에 존재하지 않으면, (즉, 웨이퍼 표면이 소수성이거나, 수소로 종단되었으면) 알루미늄 오염물질은 더 쉽게 제거된다. pH 값 (예컨데, (Al2O3)(SiO2)x) 에 무관하게, 산화 알루미늄이 산화 실리콘과 접촉할 때 안정한 상태를 형성한다고 믿어진다. 따라서, 웨이퍼 표면상에 산화 실리콘이 존재하지 않으면, 산화 알루미늄은 안정한 상태를 형성할 수 없고, 알루미늄 오염물질의 제거를 원활히 할 수 있다.
다음의 반응식은 산화제 없는 알칼리 배스가 어떻게 웨이퍼를 소수성 표면 (즉, 산소 종단됨 없거나 거의 없는) 이 되게 하는지를 나타낸다.
I (Si3Si-H)surf+ OH----＞ (Si3SiO)surf -+ H2,
II (Si3SiO)surf -+ 3OH----＞ 3(Si-H)surf+ SiO4 4-
반응 I 에서, 하이드록실계는 산화제로 기능하여, 웨이퍼가 친수성 표면상태 (산소 종단됨) 를 갖도록 한다. 반응 II 에서, 하이드록실계는 탈거제 (stripping agent) 로 작용하여, 웨이퍼가 소수성 표면상태 (수소 종단됨) 를 갖도록 한다. 그러므로, 더욱 빠른 단계로서 웨이퍼의 표면상태를 결정한다. 본 발명의 공정에서는, 반응 II 가 반응 I 보다 빠른 속도로 진행하여, 웨이퍼가 소수성 표면상태를 갖도록 한다. 전술한 바와 같이, 이러한 표면상태가 웨이퍼 표면으로부터 알루미늄 오염물질을 제거할 수 있도록 한다. 마찬가지로, 화학 산화제 (즉, SC-1) 가 사용되는 경우, 반응 I 이 더 빠른 공정이 되어, 웨이퍼가 친수성 표면상태를 갖도록 하고, 알루미늄 오염물질의 제거를 어렵게 한다.
본 발명의 바람직한 실시예에서는, 단결정 실리콘 잉곳에서 박막이 슬라이싱 된다. 그 후, 웨이퍼는 래핑 슬러리와 접촉됨으로써 래핑되어, 웨이퍼가 실질적으로 균일한 두께가 되도록 한다. 무엇보다도, 이러한 래핑 슬러리는 웨이퍼 표면에 고착하는 래핑 분말 (산화 알루미늄) 을 함유한다.
그 후, 래핑된 웨이퍼는 종래 기술에 공지된 공정으로 에칭되어, 웨이퍼 표면의 손상을 제거하게 되며, 완만한 웨이퍼 표면을 만든다. 본 에칭공정에서는 산성 에칭액이 사용되는 것이 바람직하다. 전형적인 산성 에칭액으로는 초산, 질산, 및 불산이 있다. 그러나, 알칼리 에칭액을 포함한 다른 유형의 에칭액도 사용될 수 있다. 전형적인 알칼리 에칭액은 수산화칼륨 및 수산화나트륨을 포함한다. 알칼리 에칭액의 온도는 약 90℃ 보다 큰 것이 바람직하며, 알칼리 성분의 농도는 약 40% 보다 큰 것이 바람직하다.
에칭 공정 후, 웨이퍼 표면에는 알루미늄 오염물질이 더 남아 있다. 본 발명의 공정에 따르면, 웨이퍼를 에칭액에서 알칼리 성분과 계면활성제를 함유하는 수성 배스로 이송함으로써 웨이퍼 표면으로부터 알루미늄 오염물질을 제거한다. 웨이퍼는 본 발명의 알칼리 배스에 침지될 때까지는 건조되지 않도록 하는 것이 바람직하다. 특정 이론 없이도, 에칭 공정후 알칼리 배스에 침지되기 전 웨이퍼가 건조되도록 하면, 알루미늄 오염물질이 웨이퍼 표면에 더욱 강하게 고착하는 것으로 믿어진다.
알칼리 배스 속에 웨이퍼의 잔류 시간은 전형적으로 약 2 내지 4 분정도이다. 그러나, 잔류 시간은 처리될 웨이퍼상의 알루미늄 오염물질의 레벨에 강하게 의존한다. 배스의 온도가 50℃ 내지 65℃ 의 범위내로 유지되도록 종래 기술의 저항, 또는 다른 가열 요소가 알칼리 배스에 부착되는 것이 바람직하다. 더욱 더 바람직하게는, 약 55℃ 내지 65℃ 의 온도범위이다. 이러한 온도범위는 알칼리 배스의 온도가 50℃ 내지 65℃ 사이에 있을 때, 웨이퍼 표면의 미소폭 에칭이 발생하므로 중요하다. 웨이퍼 표면을 가늘게 도려냄으로써, 알칼리 배스는 웨이퍼 표면상의 갈라진 틈 및 기타 다른 곳에 있는 알루미늄 오염물질을 제거한다. 그러나, 알칼리 반응이 너무 빠르게 또 너무 강하게 진행되어 선택 에칭되는 영역이 발생할 수 있기 때문에, 알칼리 배스의 온도가 65℃ 를 초과하지 않는 것이 바람직하다.
알칼리 배스의 pH 는 알루미늄이 비교적 높은 pH 값을 갖는 용액에 용해된다고 알려져 있으므로, 매우 중요하다. 따라서, 알칼리 배스의 pH 는 전형적으로 약 10 내지 13 의 범위이다. 바람직하게는, 알칼리 배스의 pH 는 약 11 내지 12 정도이다.
적절한 알칼리 성분을 선택함으로써 소망하는 pH 를 유지시킬 수 있다. 적절한 알칼리 성분이란, 수산화칼륨 (KOH), 수산화나트륨 (NaOH), 및 수산화암모늄 (NH4OH) 을 포함한다. 이러한 알칼리 용해제의 어느 것이라도, 알칼리 조건하에서 웨이퍼 세척제로 사용하기 적당하다고 종래 기술에서 통상적으로 알려진, 계면활성제 (예컨데, 음이온성 계면활성제, 비이온성 계면활성제, 또는 음이온 및 비이온 성분을 갖는 계면활성제) 와 조합하여 사용될 수 있다. 계면활성제는 벡터 HTC (Intersurface Dynamics of Bethel, CT 에서 상업적으로 활용가능) 인 것이 바람직하다.
다른 바람직한 실시예에로서, 알칼리 배스는 약 0.5 내지 5 농도 % 로 수산화칼륨을 포함한다. 바람직하게는, 약 0.5 내지 3 중량 % 이며, 더욱 바람직하게는, 1 중량 % 이다. 알칼리 배스는 또한 계면활성제를 포함할 수 있으며, 벡터 HTC (Intersurface Dynamics of Bethel, CT 에서 상업적으로 활용가능) 인 것이 바람직하다. 배스의 계면활성제의 농도는 약 1 내지 5 부피 % 가 바람직하며, 약 1 내지 2 부피 % 가 더욱 바람직하다.
본 발명의 알칼리 배스에 계면활성제를 첨가하는 목적은 웨이퍼 표면상의 오손을 방지하기 위함이다. 이것은 침윤제 (wetting agent) 로 작용함으로써 이 목적을 달성한다. 반응 I 에서 나타낸 바와 같이, 알칼리 반응중 수소 가스가 발생한다. 웨이퍼의 표면이 소수성 상태에 있다면, 수소 기포는 웨이퍼의 표면에 고착할 것이다. 이것은 그 지역에 선택에칭을 가져와, 웨이퍼가 결함이 되게 한다. 계면활성제 성분은 웨이퍼상의 수용액의 표면장력을 감소시키는 역할을 한다. 따라서, 침윤제로서 역할을 함으로써, 계면활성제는 웨이퍼 표면의 친수성을 유지하여, 수소 기포가 웨이퍼 표면에 고착하는 것을 방지한다.
마찬가지로, 계면활성제가 비이온성 성분을 포함하는 것으로 선택되는 경우, 알칼리 배스의 온도가 65℃ 를 초과하지 않도록 하는 것이 중요하다. 배스의 온도가 65℃ 를 초과하면, 교질입자 (micelles) 및 발포 (foam) 가 발생하여, 선택에칭 및 웨이퍼 표면의 손상을 유발할 수 있다.
웨이퍼 카세트는 한 번에 다수의 웨이퍼를 처리하는데 종종 사용된다. 카세트가 사용되는 경우, 실리콘 웨이퍼의 특정 영역은 카세트와 계속 접촉한다. 알칼리 배스가 계면활성제를 함유할지라도, 카세트와 접촉하는 웨이퍼의 영역은 소수성이 될 수 있다. 웨이퍼와 카세트 사이의 접촉점의 소수성은 특히 고투명성 물질이 처리될 때 중요하다. 반응 I 에서 나타낸 바와 같이, 알칼리 반응중 수소 가스가 발생한다. 이러한 수소기포는 웨이퍼의 소수성 영역에 고착하여, 선택에칭을 일으킴으로서, 웨이퍼 표면상에 오손을 발생시킬 수 있다. 소수성 영역을 제거하여 이에 따른 오손을 방지하기 위하여는, 알칼리 배스에 침지되는 동안 웨이퍼 카세트 내에서 회전하면서 웨이퍼가 처리되는 것이 바람직하다. 웨이퍼를 회전함으로써, 웨이퍼의 어떤 영역도 웨이퍼 카세트와 계속적인 접촉을 하지 않을 것이며, 따라서 웨이퍼의 전체 표면이 수소 기포에 기인한 손상으로부터 자유로울 수 있을 것이다.
U.S. 특허 제 5,593,505 호 (Erk 등) 에 개시된 반침공정 (half-immersion step) 을 채용함으로서 웨이퍼 표면에서 알루미늄 오염물질을 더욱 더 제거할 수 있다. 알칼리 배스 표면에는 기체-액체 계면이 정의된다. 웨이퍼의 적어도 일부분이 액체속에 있고 기체-액체 계면 아래에 있도록 한 채로 대체로 곧추선 방향이 되게 웨이퍼가 알칼리 배스에 위치한다. 웨이퍼는 배스에 대하여 반복동작으로 동시에 회전되어, 웨이퍼 전체 표면이 반복적으로 배스의 기체-액체 계면을 지날수 있게 한다. 배스의 액체의 레벨이 높아졌다가 낮아지면서 웨이퍼가 회전될 수도 있다. 이것 또한 웨이퍼의 표면이 반복적으로 기체-액체 계면을 지날 수 있게 한다. 마지막으로, 또 다른 대체방안으로, 반복적으로 웨이퍼를 배스에 완전히 침지시키고 그 후 배스에서 완전히 빼내어도 된다. 웨이퍼는 연속적으로 잠금 동작이 발생하는 동안 계속적으로 회전한다. 마찬가지로, 이것은 웨이퍼 표면이 반복적으로 기체-액체 계면을 지나는 결과를 가져온다. 전술한 모든 실시예에서, 웨이퍼의 적어도 일부분이 반복적으로 기체-액체 계면을 지난다.
본 발명의 또 다른 실시예에서는, 알칼리 배스가 계속적으로 필터링되어 재순환된다. 이러한 특색은 알루미늄 오염물질을 알칼리 용액으로부터 제거하는데 도움이 되며, 알루미늄 오염물질이 웨이퍼 표면에 재증착되는 것을 막는데 도움이 된다. 재순환 시스템은 약 2 분마다 한 배스를 순환시킬수 있는 용량을 갖는 것이 바람직하다. 필터링 시스템이 충분히 알루미늄 오염물질을 알칼리 용액으로부터 제거할 수 있기 위해서는, 필터망은 약 0.1 내지 0.3 micron 의 범위, 더 바람직하게는 0.2 micron 인 것이 바람직하다.
웨이퍼가 알칼리 배스에서 제거된 후 린스되는 것이 바람직하다. DI 워터, 가열된 DI 워터, 또는 오존화 된 워터 등으로 웨이퍼를 린스함으로써, 웨이퍼 표면의 계면활성제로 인해 잔류하는 유기 잔여물을 용이하게 제거할 수 있다. 이러한 린스중, 오존화된 워터가 그 강력한 산화 특성때문에 바람직하다. 수용액의 오존 농도는 약 2 내지 약 5 ppm 이 바람직하며, 약 3 내지 4 ppm 이 더욱 바람직하다.
린스 공정은 웨이퍼를 알칼리 배스에서 폴리프로필렌으로 된 린스 탱크로 이송하는데 로보트 아암 (robotic arm) 을 사용하여 수행되는 것이 바람직하다. 오버플로 배스가 사용되는 것이 바람직하지만, 퀵-덤프-린스 (quick-dump-rinse) 또는 기타 종래 기술에 공지된 기술로 웨이퍼가 린스될 수도 있다.
본 발명은 다음의 실시예를 통해 상세화 되는데, 이것은 단지 예시를 위한 것일 뿐 본 발명의 범위를 제한하거나 실시될 수 있는 방법을 제한하는 것으로 간주되어서는 안된다.
실 시 예
본 발명에 따른 공정의 효과를 판정하기 위하여, 에칭후 실리콘 웨이퍼 샘플 38 개를 알루미늄 오염에 대하여 분석하었다. 처음의 21 개 에칭후 웨이퍼는 세척공정으로 처리되지 않았다. 이 샘플들의 웨이퍼 표면상의 알루미늄의 농도를 아래 표 1 에 나타내었다.
이어서, 12 개의 샘플들이 본 발명의 공정에 따라 알칼리 세척 배스로 처리되었다. 웨이퍼 카세트가 웨이퍼를 이송하는데 사용되었다. 에칭 공정에서부터 계속 젖어 있으면서, 웨이퍼는 음이온 계면활성제를 포함하는 배스에 약 4 분간 침지시켰다. 계면활성제의 성분은 KOH 를 포함하므로, 추가로 KOH 가 배스로 첨가되지는 않았다. 세척 공정 동안, 종래 기술에 공지된 수단으로 웨이퍼를 회전하였다. 배스의 종결 pH 는 약 10.5 였다. 또한, 약 65℃ 의 온도로 배스가 유지되었다.
이후, 알칼리 배스에서 물을 함유한 오버플로 린스 배스로 웨이퍼가 로보트로 이송되었는데, 여기서 약 3 분간 잔류하였다. 린스 배스의 온도는 약 20℃ 로 하였다. 결과의 웨이퍼 표면의 알루미늄 농도를 아래 표 1 에 도시하였다.
마지막 5 개의 에칭후 웨이퍼가 본 발명에 따라 알칼리 세척 배스로 처리되었다. 마찬가지로, 웨이퍼 카세트가 웨이퍼를 이송하는데 사용되었다. 에칭공정으로부터 계속 습식처리 되면서, 수산화 칼륨 및 벡터 HTC 계면활성제를 포함하는 배스에 4 분간 웨이퍼를 침지시켰다. 세척공정 동안, 종래 기술에 공지된 방법으로 웨이퍼가 회전되었다. 배스의 수산화칼륨의 농도는 약 0.5 % 였으며, 배스의 계면활성제의 농도는 약 1% 이었다. 배스의 종결 pH 는 약 12.5 이었다. 또한, 배스는 약 65℃ 의 온도로 유지되었다.
다음, 알칼리 배스로부터 물을 함유한 오버플로 린스 배스로 웨이퍼가 로보트로 이송되었는데, 여기서 약 3 분간 잔류하였다. 린스 배스의 온도는 약 20℃ 로 하였다. 결과의 웨이퍼 표면의 알루미늄 농도를 아래 도 1 에 도시하였다.
도 1 로부터 자명한 바와 같이, 본 발명의 공정을 구현함으로써 실리콘 웨이퍼 표면의 알루미늄 오염물질의 레벨을 극적으로 저감시킬 수 있다.
전술한 설명에서, 본 발명의 몇몇 목적은 달성된 것으로 보일 것이다.
본 발명의 범주를 벗어나지 않으면서, 전술한 공정에서 다양한 변형예가 이루어질 수 있으므로, 전술한 설명에 포함된 모든 사항은 예시적인 것이며 제한적인 의미는 아닌 것으로 해석되어야 한다.

Claims (18)

  1. 실리콘 웨이퍼 표면으로부터 알루미늄 오염물질을 제거하는 방법으로서,
    알루미늄을 함유한 래핑 슬러리를 사용하여 실리콘 웨이퍼를 래핑하는 단계;
    상기 래핑된 실리콘 웨이퍼를 에칭하는 단계; 및
    상기 에칭된 웨이퍼를, 알칼리 성분과 계면활성제로 이루어지고 적어도 약 10 의 pH 값을 갖는 수성 배스 (aqueous bath) 에 침지시키는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 제거방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 알칼리 성분은 수산화칼륨인 것을 특징으로 하는 제거방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 수성 배스는 약 0.5 내지 3 중량 % 의 수산화칼륨 농도를 갖는 것을 특징으로 하는 제거방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 수성 배스는 약 1 내지 2 중량 % 의 계면활성제 농도를 갖는 것을 특징으로 하는 제거방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 수성 배스는 약 55℃ 내지 65℃ 의 온도로 가열되는 것을 특징으로 하는 제거방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 수성 배스는 약 10.5 내지 12.5 의 pH 값 범위를 갖는 것을 특징으로 하는 제거방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 웨이퍼를 수성 배스에 약 2 분 내지 약 4 분 동안 침지시키는 것을 특징으로 하는 제거방법.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 웨이퍼는 알칼리 배스에 침지시키기 전 계속 젖어 있는 것을 특징으로 하는 제거방법.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 웨이퍼가 알칼리 배스에서 분리된 후, 웨이퍼상에 존재할 수 있는 유기 잔여물을 제거하기 위하여 린스하는 것을 특징으로 제거방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 린스 단계는 오존화된 워터로 이루어지는 수성 배스에 웨이퍼를 침지시키는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 제거방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 린스 배스는 약 2 ppm 내지 약 5ppm 의 오존 농도를 갖는 것을 특징으로 하는 제거방법.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 웨이퍼는 수성 배스에 침지시키는 동안 회전하는 것을 특징으로 하는 제거방법.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 웨이퍼는 적어도 웨이퍼의 일부분이 상기 수성 배스의 기체-액체 계면을 반복적으로 지나도록 회전하는 것을 특징으로 하는 제거방법.
  14. 실리콘 웨이퍼 표면으로부터 알루미늄 오염물질을 제거하는 방법으로서,
    알루미늄을 함유하는 래핑 슬러리를 사용하여 실리콘 웨이퍼를 래핑하는 단계;
    상기 래핑된 웨이퍼를 에칭하는 단계;
    상기 에칭된 웨이퍼를, 알칼리 성분과 계면활성제로 이루어지고 적어도 약 10 이상의 pH 값을 갖는 수성 배스에 침지시켜 알루미늄 오염물질을 제거하는 단계; 및
    상기 웨이퍼에 존재할 수 있는 유기 잔여물을 제거하기 위하여 상기 처리된 웨이퍼를 린스하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 제거방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 린스 단계는 웨이퍼를 오존화된 워터로 이루어지는 수성 배스에 침지시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 제거방법.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 린스 배스는 약 2 내지 5 ppm 의 오존 농도를 갖는 것을 특징으로 하는 제거방법.
  17. 실리콘 웨이퍼 표면으로부터 알루미늄 오염물질을 제거하는 방법으로서,
    알루미늄을 함유하는 래핑 슬러리를 사용하여 실리콘 웨이퍼를 래핑하는 단계;
    상기 래핑된 실리콘 웨이퍼를 에칭하는 단계;
    상기 에칭된 웨이퍼를, 알칼리 성분과 계면활성제로 이루어지고 적어도 약 10 의 pH 값을 갖는 수성 배스에 침지시켜 알루미늄 오염물질을 제거하는 단계; 및
    상기 에칭된 웨이퍼가 수성 배스에 침지되는 동안 회전되는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 제거방법.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 웨이퍼는 적어도 그 일부분이 수성 배스의 기체-액체 계면을 반복적으로 지나도록 회전되는 것을 특징으로 하는 제거방법.
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