DE10052762A1 - Verfahren und Vorrichtung zum Reinigen einer Halbleiterscheibe - Google Patents
Verfahren und Vorrichtung zum Reinigen einer HalbleiterscheibeInfo
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Abstract
Zum Reinigen einer Oberfläche einer Halbleiterscheibe nach einem chemisch-mechanischen Polierprozess wird unter ständiger Drehung der Halbleiterscheibe mit Hilfe eines integrierten Verfahrensdurchlaufs zuerst die Oberfläche geätzt, dann gespült und dann anschließend getrocknet.
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Reinigen einer Ober
fläche einer Halbleiterscheibe nach einem chemisch-mecha
nischen Polierschritt und eine Vorrichtung zum Ausführen ei
nes solchen Verfahrens.
Im Rahmen der Herstellung von Halbleiterbauelementen, insbe
sondere der Sub-0,5 µm-Technologie wird zur Planarisierung
der bei den Herstellungsprozessen auftretenden Topographie
auf der Halbleiterscheibe zunehmend das chemisch-mechanische
Polieren eingesetzt. Das chemisch-mechanische Polieren dient
dabei vorwiegend zum Einebnen von Grabenfüllungen, von Me
tall-Plugs, z. B. aus Wolfram in Kontaktlöchern und Vias und
von Zwischenoxiden und Intermetalldielektrika.
Zum chemisch-mechanische Polieren wird die zu bearbeitende
Halbleiterscheibe von einem Scheibenträger gegen einen dreh
bar angeordneten Poliertisch gedrückt wird, auf dem sich eine
elastische perforierte Auflage, ein sog. Pad befindet, die
ein Poliermittel, ein sog. Slurry, enthält. Dabei rotieren
die Halbleiterscheibe und der Poliertisch in entgegengesetzte
Richtungen, wodurch die Oberfläche der Halbleiterscheibe an
den herausragenden Stellen abpoliert wird, bis ein völlig
plane Scheibenoberfläche erreicht ist. Die Poliermittel ent
halten dabei neben Polierkörnern im allgemeinen weitere ak
tive chemische Zusätze, die ein selektives Abtragen der
Schichten auf der Halbleiterscheibe ermöglichen. Man unter
scheidet dabei zwischen einem sog. Blind-Polishing-Process,
d. h. einem Polierprozess der innerhalb der zu polierenden
Schicht angehalten wird, und einen sog. Stop-Layer-Polishing-
Process, bei dem der Poliervorgang selektiv zu einer unter
halb der polierenden Schicht liegenden weiteren Schicht ist.
Beim chemisch-mechanischen Poliervorgang bleiben jedoch im
allgemeinen auf der Oberfläche der Halbleiterscheibe Slurry-
Verunreinigungen zurück, die in einem anschließenden Reini
gungsprozess entfernt werden müssen. Für diesen Reinigungs
vorgang werden die Halbleiterscheiben nach dem Poliervorgang
zunächst in einem Wasserbad gelagert und anschließend mit ei
ner Bürstenapparatur, einem sog. Brush-Cleaner von den Ober
flächenverunreinigungen befreit. Während der Büstenreinigung
wird die Halbleiterscheibe dabei fortlaufend mit destillier
tem Wasser und/oder Ammoniak gespült. Nach dem Bürstenreini
gungsprozess wird die Halbleiterscheibe dann in einer
Trockenstation durch schnelles Rotieren getrocknet. Bei dem
dargestellten Bürstenreinigungsprozess handelt es sich um ei
nen Einzelscheibenprozess, so dass der Scheibendurchsatz
stark eingeschränkt bleibt. Darüber hinaus macht das erfor
derliche Be- und Entladen des Brush-Cleaner sowie der
Trockenschleuder den Reinigungsprozess zusätzlich sehr zeit
aufwendig. Weiterhin tritt ein hoher Verbrauch an destillier
tem Wasser bzw. Ammoniak während des Bürstenreinigungsprozes
ses auf.
Statt einer Reinigung der Scheibenoberfläche mit Hilfe eines
Brush-Cleaners wird auch ein Nassreinigungsprozess mit Hilfe
von chemischen Bädern eingesetzt, bei dem die Halbleiter
scheibe durch mehrere aufeinanderfolgende Reinigungsbäder ge
zogen wird, wobei insbesondere die chemisch gebundenen
Slurry-Reste auf der Halbleiteroberfläche entfernt werden.
Nach dieser chemischen Reinigung erfolgt eine Spülung mit
destilliertem Wasser und anschließend eine Scheibentrocknung,
wobei hierbei vorzugsweise das sog. Marangoni-Trocknungsver
fahren eingesetzt wird, bei dem die Halbleiterscheiben durch
eine Isopropanol-Lösung gezogen und anschließend in heißem
Stickstoff getrocknet werden. Bei dem dargestellten nass
chemischen Reinigungsverfahren besteht die Möglichkeit
gleichzeitig mehrere Halbleiterscheiben zu reinigen, womit
sich ein hoher Schreibendurchsatz erreichen lässt. Ein
Problem bleibt jedoch auch hier der hohe Verbrauch an Chemie
beim Reinigungsvorgang, sowie der hohe apparative Aufwand.
Aufgabe der Erfindung ist es deshalb, ein Verfahren und eine
Vorrichtung zu schaffen, mit dem sich beim chemisch-mecha
nischen Polieren auf einer Halbleiterscheibe zurückbleibende
Verunreinigungen schnell und effektiv mit geringem apparati
ven Aufwand entfernen lassen.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch ein Verfahren nach
Anspruch 1 und eine Vorrichtung nach Anspruch 6 gelöst. Be
vorzugte Weiterbildungen sind in den abhängigen Ansprüchen
angegeben.
Gemäß der Erfindung wird zum Reinigen einer Oberfläche einer
Halbleiterscheibe nach einem chemisch-mechanischen Polier
schritt unter ständiger Scheibenrotation der Halbleiter
scheibe die Halbleiterscheibe nacheinander zuerst mit einer
Ätzflüssigkeit gespült, anschließend vorzugsweise mit destil
liertem Wasser nachgespült und dann vorzugsweise mit einem
Isopropanol-Stickstoff-Gemisch getrocknet.
Durch diese erfindungsgemäße integrierte Prozessführung ist
es möglich, die bisher separat bei der Reinigung ausgeführten
Prozessschritte zusammenzufassen, wodurch Prozesszeit einge
spart und zugleich der Scheibendurchsatz wesentlich erhöht
werden kann. Darüber hinaus kann insbesondere durch das Aus
führen des Reinigungsvorgangs unter ständiger Scheibenrota
tion in hohem Maße Ätzchemie und destilliertes Wasser einge
spart werden.
Gemäß einer bevorzugten Weiterbildung wird als Ätzflüssigkeit
eine HF-Lösung, ein gepufferte HF-Lösung oder eine Lösung aus
H2SO4, H2O2 und HF eingesetzt. Durch solche Ätzlösungen lassen
sich zuverlässig Slurry-Verunreinigungen beseitigen, wie sie
insbesondere bei einer Oxid- bzw. Metallplanarisierung mit
Hilfe eines chemisch-mechanischen Poliervorgangs auftreten.
Die erfindungsgemäße Reinigungsvorrichtung weist eine Pro
zesskammer auf, die eine Be- und Entladestation für die Halb
leiterscheiben, einen Drehteller zum Halten und Drehen der
Halbleiterscheibe und Zu- und Rückführungen für die Prozess
medien zum Reinigen der Halbleiterscheiben aufweist. Durch
eine solche Ausgestaltung ist für den gesamten Reinigungsvor
gang einschließlich des Trocknens nur eine einzelne Prozess
kammer notwendig, wodurch eine wesentliche Einsparung an ap
parativen Aufwand erreicht wird. Darüber hinaus bleibt die
Halbleiterscheibe während des gesamten Reinigungs- und Trock
nungsvorgangs in einer einzigen Kammer, wodurch insbesondere
die Gefahr von Oberflächendefekten wesentlich reduziert wird.
Gemäß einer weiteren bevorzugten Ausführungsform ist die Pro
zesskammer für die Reinigungs- und Trocknungsvorgang über ei
nen Nass-Handler direkt mit der Vorrichtung zum chemisch-me
chanischen Polieren verbunden. Hierdurch wird ein integrier
ter Polier- und Reinigungsprozess möglich, mit dem eine mini
male Defektdichte auf der Halbleiterscheibe gewährleistet
wird.
Die Erfindung wird anhand der beigefügten Zeichnungen näher
erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 schematisch eine Kombi-Anlage, bestehend aus einer
chemisch-mechanischen Polieranlage und einer erfindungsgemä
ßen Reinigungsstation;
Fig. 2A einen Blind-Polishing-Process;
Fig. 2B einen Stop-Layer-Polishing-Process;
Fig. 3 schematisch eine chemisch-mechanische Polieranlage im
Querschnitt; und
Fig. 4 eine erfindungsgemäße Reinigungsstation in Schnittdar
stellung.
Die in Fig. 1 dargestellte Kombianlage setzt sich einer Po
lieranlage 1, einem Nass-Handler 2 und einer Reinigungsstation
3 zusammen. Die Polieranlage 1 ist schematisch im Quer
schnitt in Fig. 3 dargestellt. Auf einem drehbar angeordneten
Poliertisch 11 befindet sich eine elastische perforierte Auf
lage 12, das sog. Pad, das über eine Zuführung 13 mit Polier
mittel, dem sog. Slurry, getränkt wird. Die zu bearbeitende
Halbleiterscheibe 4 wird von einem drehbar ausgelegten Schei
benträger 14 auf das Pad 12 gedrückt, wobei der Scheibenträ
ger 14 mit der darauf befestigten Halbleiterscheibe 4 und der
Poliertisch 11 sich in entgegengesetzte Richtung drehen.
Das Poliermittel enthält Polierkörner, sog. abrasive Parti
kel, sowie aktive chemische Zusätze, die ein selektives Ab
tragen von Schichten auf der Halbleiterscheibe 4 ermöglichen.
Die Polierkörner besitzen im allgemeinen einen Durchschnitt
von 20 bis 500 nm und bestehen meist aus Quarz, Aluminiumoxid
oder Ceriumoxid. Die chemischen Zusätze werden auf das abzu
tragende Schichtmaterial abgestimmt. So wird z. B. um Wolfram
zu planarisieren ein Gemisch aus Al2O3 und Fe(NO3)2 als
Slurry verwendet. Zum Polieren einer Oxidschicht wird dagegen
als Slurry insbesondere ein Gemisch mit SiO2 als abrasive
Partikel, destilliertem Wasser und NH3 eingesetzt.
Das chemisch-mechanische Polieren dient vor allem zum Plan
arisieren von Grabenfüllungen, von Metall-Plugs in Kontakt
löcher und Vias und von Zwischenoxiden und Intermetall
dielektrika. Dabei werden zwei Polierprozesse unterschieden,
die in Fig. 2A und 2B dargestellt sind. Beim sog. Blind-
Polishing-Process, wie er in Fig. 2A anhand eines Schichtauf
baus bestehend aus einem Si-Substrat 41, einer dünnen Si2N3-
Schicht 42 und darauf angeordneten Metalleiterbahnen 43, die
mit einer dicken SiO2-Schicht 44 aufgefüllt sind, dargestellt
ist, wird die Planarisierung der SiO2-Schicht 44 so gesteu
ert, dass der Polierprozess noch innerhalb der zu polierenden
SiO2-Schicht angehalten wird. Zur Endpunkterkennung eignen
sich dabei z. B. die Erfassung der Dicke der isolierenden
SiO2-Schicht mit Hilfe einer Kapazitätsmessung. Bei dem in
Fig. 2B gezeigt Stop-Layer- Polishing-Process, der anhand eines
Schichtenaufbaus bestehend aus einer Siliziumschicht 41
mit Gräben, einer dünnen darauf angeordneten Si2N3-Schicht 43
und einer dicken SiO2-Schicht 44 dargestellt ist, wird der
Polierprozess angehalten, wenn die unter der SiO2-Schicht 44
liegende Si2N3-Schicht 42 freigelegt wird. Die Endpunkterken
nung kann dabei z. B. durch die Messung der Stromaufnahme des
rotierenden Scheibenträger erfolgen, da sich der Strom beim
Übergang der Schichtmaterialien ändert.
Beim chemisch-mechanischen Polieren besteht grundsätzlich das
Problem, dass nach dem Poliervorgang auf der Halbleiterober
fläche anhaftende Slurry-Reste entfernt werden müssen. Diese
Reinigung erfolgt erfindungsgemäß in der Reinigungsanlage 3,
deren wesentliche Elemente in Fig. 4 in einer Schnittdarstel
lung genauer gezeigt sind. Die zu reinigende Halbleiter
scheibe 4 wird von der Polieranlage 1 dabei mit Hilfe des
Nass-Handlers 2 direkt in die Reinigungsstation 3 überge
führt. Der Nass-Handler 3 umfasst dabei ein Wasserbad 21 in
dem die zu reinigende Halbleiterscheibe zwischengelagert
wird, um sie dann zur Reinigungsstation 3 zu verfahren. Durch
diesen zusammenhängenden Aufbau von Polieranlage 1 und Reini
gungsstation 3 wird die Prozessdurchführung wesentlich ver
einfacht und die Gefahr einer Defektbildung auf der Halblei
teroberfläche beim Übergang aus der Polieranlage in die Rei
nigungsstation wesentlich reduziert.
Die erfindungsgemäße Reinigungsstation 3 verfügt über eine
Be- und Entladestation 31, die an den Nass-Handler 2 ange
schlossen ist, und an die sich eine Reinigungskammer 32 an
schließt. Diese Reinigungskammer 32 ist im wesentlichen zy
lindrisch ausgelegt und in mehrere vertikal angeordnete Un
terkammern, in der gezeigten Ausführungsform vier Stationen
unterteilt, zwischen denen vertikal ein drehbar gelagerter
Tisch 33 verfahren werden kann. Auf diesen Drehtisch 33 ist
die zu reinigende Halbleiterscheibe 4 angeordnet, wobei die
Halbleiterscheibe nur am Rand gehalten wird, so dass gleich
zeitig eine Vorder- und Rückseitenreinigung möglich ist.
Oberhalb des Drehtisches 33 ist weiterhin eine Zuführung 34
mit hier fünf Versorgungsleitungen vorgesehen, um die Pro
zessmedium für die einzelnen Reinigungsschritte der Halblei
teroberfläche in die Reinigungskammer 32 einzuspeisen. An je
der Unterkammer der Reinigungskammer 32 ist weiterhin eine
Rückführung 35 angeordnet, um die abfließenden Prozessmedien
aufzusammeln und wiedergewinnen zu können. Durch das Vorsehen
mehrerer übereinander angeordneter Prozessebenen in Form von
Unterkammer, zwischen denen der Drehtisch 33 verfahren werden
kann, ist es möglich, für die aufeinanderfolgenden Reini
gungsschritte jeweils eine separate Prozessstation vorzuse
hen, wodurch eine saubere Trennung der eingesetzten Prozess
medien in der Reinigungskammer möglich ist. Die Reinigungs
station kann weiterhin so ausgelegt sein, dass mehrere paral
lel angeordnete Reinigungskammern vorgesehen sind, so dass
gleichzeitig ein größeres Los an Halbleiterscheiben gereinigt
werden kann und somit ein hoher Durchsatz erreicht wird.
Um nach einem chemisch-mechanischen Polieren einer Oxid
schicht auf der Halbleiterscheibe die verbleibenden Slurry-
Reste zu entfernen, wird gemäß der Erfindung folgende Pro
zessfolge durchgeführt. Die Halbleiterscheibe rotiert während
des gesamten Reinigungsvorgangs auf dem Drehteller 33 in der
Reinigungskammer 32. Dabei wird in der ersten Unterkammer die
Halbleiterscheibe mit ozonisiertem destillierten Wasser ge
spült. Anschließend werden in der zweiten Unterkammer mit ei
ner HF-Lösung die Slurry-Reste von der Halbleiteroberfläche
entfernt. Dann wird in der dritten Unterkammer die Halblei
terscheibe nochmals mit ozonisiertem destillierten Wasser ge
spült. Abschließend wird dann in der vierten Unterkammer die
Halbleiterscheibe mit einem Isopropanol-Stickstoff-Gemisch
unter erhöhter Rotationsgeschwindigkeit des Drehtisches 33
getrocknet. Durch diese Reinigungsprozessfolge können effek
tiv und schnell Slurry-Reste, die bei der Oxidplanarisierung
mittels chemisch-mechanischem Polieren entstehen, entfernt
werden. Es sind dabei nur wenige integrierte Prozessschritte
notwendig, wobei nur geringe Menge an destilliertem Wasser
und Ätzlösung zum Reinigung benötigt werden.
Wenn gemäß der Erfindung Slurry-Reste, die beim Planarisieren
von Wolfram mit Hilfe des chemisch-mechanischen Polierens
auftreten, entfernt werden sollen, erfolgt dies vorzugsweise
mit folgender Prozessfolge. Unter ständigen Drehen der Halb
leiterscheibe 4 auf dem Drehtisch 33 wird nacheinander in den
einzelnen Unterkammern zuerst ein Spülen mit destilliertem
Wasser und dann ein Abätzen der Slurry-Reste mit HF oder ver
dünnter Schwefelsäure mit geringen Mengen an HF und H2O2
durchgeführt. Anschließend wird die Halbleiterscheibe noch
mals mit destilliertem Wasser gespült und in der vierten Un
terkammer dann mit einem Isopropanol-Stickstoff-Gasgemisch
unter hoher Drehgeschwindigkeit getrocknet. Auch diese Pro
zessfolge sorgt für ein effektives und schnelles Entfernen
von Slurry-Reste, die bei einer Wolfram-Planarisierung mit
tels mechanisch-chemischen Polieren zurückbleiben.
Die erfindungsgemäße Prozessfolge lässt sich bei geeigneter
Auswahl der Ätz- und Spülflüssigkeit grundsätzlich an alle
Verunreinigungen anpassen, die beim mechanisch-chemischen Po
lieren auftreten können. Es liegt deshalb im Rahmen der Er
findung über die dargestellten Ausführungsbeispiele hinaus
insbesondere die angegebenen Materialien und Prozesse in ge
eigneter Weise zu modifizieren, um Rückstände, die beim me
chanisch-chemischen Polieren auf einer Halbleiterscheibe
verbleiben, zu entfernen. Die in der vorstehenden Beschrei
bung, den Zeichnungen und den Ansprüchen offenbarten Merkmale
der Erfindung können dabei sowohl einzeln als auch in belie
biger Kombination für die Verwirklichung der Erfindung in ih
ren verschiedenen Ausgestaltungen von Bedeutung sein.
Claims (8)
1. Verfahren zum Reinigen einer Oberfläche einer Halbleiter
scheibe nach einem chemisch-mechanischen Polierschritt, wobei
unter ständiger Drehung der Halbleiterscheibe folgende Ver
fahrensschritte durchgeführt werden:
Ätzen der Scheibenoberfläche;
Spülen der Scheibenoberfläche; und
Trocknen der Scheibenoberfläche.
Ätzen der Scheibenoberfläche;
Spülen der Scheibenoberfläche; und
Trocknen der Scheibenoberfläche.
2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei mit dem chemisch-mechani
schen Polierschritt ein Oxid planarisiert wird und nachfol
gende Verfahrensschritte unter ständiger Drehung der Halblei
terscheibe durchgeführt werden:
Spülen mit ozonisiertem destillierten Wasser;
Ätzen mit einer HF-Lösung;
Spülen mit ozonisierten destillierten Wasser; und
Trocknen mit einer Gasmischung aus Isopropanol und Stick stoff.
Spülen mit ozonisiertem destillierten Wasser;
Ätzen mit einer HF-Lösung;
Spülen mit ozonisierten destillierten Wasser; und
Trocknen mit einer Gasmischung aus Isopropanol und Stick stoff.
3. Verfahren nach Anspruch 1, wobei mit dem chemisch-mechani
schen Polierschritt eine Metallschicht auf der Halbleiter
scheibe planarisiert wird und nachfolgende Verfahrensschritte
unter ständiger Drehung der Halbleiterscheibe durchgeführt
werden:
Ätzen mit einer HF-Lösung oder einer H2SO4-Lösung mit HF und H2O2-Zusätzen;
Spülen mit ozonisiertem destillierten Wasser; und
Trocknen mit einer Gasmischung aus Isopropanol und Stick stoff.
Ätzen mit einer HF-Lösung oder einer H2SO4-Lösung mit HF und H2O2-Zusätzen;
Spülen mit ozonisiertem destillierten Wasser; und
Trocknen mit einer Gasmischung aus Isopropanol und Stick stoff.
4. Verfahren nach Anspruch 2 oder 3, wobei während des Trock
nens die Halbleiterscheibe mit erhöhter Geschwindigkeit ge
dreht wird.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei die
Halbleiterscheibe zwischen dem chemisch-mechanischen Polierschritt
und dem Reinigungsprozess in einem Wasserbad gelagert
wird.
6. Vorrichtung zum Reinigen einer Oberfläche einer Halblei
terscheibe nach einem chemisch-mechanischen Polierprozess mit
einem Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5, die mit
einer Prozesskammer ausgestattet ist, die eine Be- und Entla
destation für Halbleiterscheiben, einen. Drehteller zum Halten
und Drehen der Halbleiterscheiben, eine Zuführung für Pro
zessmedien zum Reinigen der Halbleiterscheiben und eine Rück
führung für die Prozessmedien zum Reinigen der Halbleiter
scheiben aufweist.
7. Vorrichtung nach Anspruch 6, wobei die Prozesskammer für
jeden Reinigungsschritt eine eigenständige Prozessstation
aufweist, zwischen denen der Drehteller verfahrbar ausgelegt
ist.
8. Vorrichtung nach Anspruch 6 oder 7, wobei ein Nass-Handler
vorgesehen ist, der die Be- und Entladestation der Prozess
kammer mit einer Anlage zum chemisch-mechanischen Polieren
verbindet.
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