KR19980063482A - 평면화를 위한 폴리싱 공정과 슬러리 - Google Patents

평면화를 위한 폴리싱 공정과 슬러리 Download PDF

Info

Publication number
KR19980063482A
KR19980063482A KR1019970048178A KR19970048178A KR19980063482A KR 19980063482 A KR19980063482 A KR 19980063482A KR 1019970048178 A KR1019970048178 A KR 1019970048178A KR 19970048178 A KR19970048178 A KR 19970048178A KR 19980063482 A KR19980063482 A KR 19980063482A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
slurry
abrasive particles
polishing
polymer electrolyte
abrasive
Prior art date
Application number
KR1019970048178A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100303672B1 (ko
Inventor
로네이마리아
Original Assignee
포만제프리엘
인터내셔널비지네스머신즈코포레이션
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=26709494&utm_source=***_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=KR19980063482(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by 포만제프리엘, 인터내셔널비지네스머신즈코포레이션 filed Critical 포만제프리엘
Publication of KR19980063482A publication Critical patent/KR19980063482A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100303672B1 publication Critical patent/KR100303672B1/ko

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
    • C09G1/00—Polishing compositions
    • C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/70—Nanostructure
    • Y10S977/773—Nanoparticle, i.e. structure having three dimensions of 100 nm or less

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Pigments, Carbon Blacks, Or Wood Stains (AREA)

Abstract

본 발명은 연마 입자를 포함하고, 법선 변형력 효과(normal stress effect)를 나타내는 슬러리에 관한 것이다. 슬러리는 추가로 비-폴리싱 입자를 함유하여 저도부(recess)에서 감소된 폴리싱 속도를 나타내는 반면, 연마 입자는 고도부(elevation)에서 높은 폴리싱 속도를 유지한다. 이로써 개선된 평면화가 이루어 진다.

Description

평면화를 위한 폴리싱 공정과 슬러리
본 발명은 슬러리 조성물에 관한 것이다. 슬러리 조성물은 폴리싱에 유용하고, 특히 극속 전자 공학 산업에서 표면을 평면화하기 위해 유용하다. 또한 본 발명은 거울과 렌즈의 볼록표면, 오목표면 등과 같이 구조물의 크기에 대한 곡률 반경이 크거나 또는 폴리싱될 표면 변동을 갖는 비평면화된 표면을 폴리싱하기에 꽤 유용하다. 본 발명은 이전에 가능한 것 보다 상당히 큰 정도의 평면화를 달성할 수 있게 한다. 본 발명은 스크래치를 일으키지 않으면서 경도가 증가된 폴리싱 패드를 사용가능하게 한다.
역사적으로, 폴리싱의 목표는 평면성 표면으로부터 스크래치를 없애는 것이다. 날카로운 정점에서의 폴리싱 속도는 정점에서의 변형력 집속에 의해 홈에서의 속도에 비해 크다. 자동적으로 정점은 제거된다.
이와 대조적으로, 극속 전자 공학 산업에서 폴리싱의 목표는 스크래치가 없는 표면을 평면화시키는 것이다. 매우 종종 큰 규모를 고려할 경우 표면 형태는 대부분의 용착 공정의 정형적인(conformal) 성질로부터 생성되는 넓은 골(valley)에 인접한 넓은 고원(plateau)을 포함한다. 넓은 고원은 상당한 변형력 집속을 나타내지 않으므로, 이들은 넓은 골짜기에 비해 더 신속히 폴리싱되지 않는다. 결과적으로, 폴리싱은 평면화를 달성하기에 불충분하고, 출발 표면 형태(계단)는 제한된 정도로만 평면화된다.
구조물이 넓을 수록, 보다 평면화가 어려워진다. 연성 패드가 경성 패드에 비해 보다 정형적이므로, 이의 사용은 실제적으로 평면화의 가능성을 배제한다. 경성(강성) 패드의 사용은, 평면화의 관점에서 보다 선호되지만, 부합성이 감소는 하지만 이는 사라지지는 않으므로 아직까지 문제점들을 해결하지 못하고 있다. 또한, 경성 패드는 연마에 의한 표면상의 스크래치 또는 폴리싱 파편을 초래하고, 상기 스크래치는 단점을 유발할 수 있으므로 허용될 수 없다.
평면화의 요건은 SiO2의 얕은 트렌치 단리(shallow trench isolation: STI) 적용시 가장 엄격한데, 이는 상기 구조물이 기선이고, 모든 후속층이 표면 지세의 비-평면성을 복제하기 때문이다. 진정한 평면화 폴리싱 공정의 부족으로 인해, 현재 이 문제점은 골 영역을 고원 영역의 높이로 상승시키는 의사 구조(dummy structure) 또는 폴리싱-중단의 용착에 의해 착수된다. 이는 가외의 디자인 노력, 가외의 패턴화, 가외의 용착, 반응성 이온 식각, 폴리싱 단계를 필요로한다. 이러한 고가의 부속 단계의 총 수는 종종 6 단계에 달하지만, 본래의 폴리싱 공정의 평면화가 효능적일 경우, 1단계로 충분하다.
산화물 평면화에 관하여서, 산화물 폴리싱은 금속 폴리싱에 비해 보다 적은 정도로 평면화된다는 사실을 이해하는 것이 중요하다. 이 문제점은 중간수준의 유전체에서 산화물의 초기 두께를 증가시킴으로써 감소되는데, 이는 증가량이 제거될 경우 평면화가 개선되기 때문이다. 이러한 시도는 평면화의 비용을 증가시키면서, 평면화의 정도는 매우 큰 규모의 통합 설계에 충분히 양호하지 않다.
본 발명의 목적은 저도부(골)에 비해 고도부(고원)에서 상당히 빠른 폴리싱 속도를 갖고, 이에 따라 이전에 가능한 것에 비해 상당히 큰 평면화도를 달성하는 평면화 공정을 제공하는 것이다. 본 발명은 또한 스크래치를 일으키는 폴리싱 파편을 피복시키는 방법에 의해 스크래치를 일으키지 않으면서 보다 경성인 패드를 사용할 수 있도록 허용한다.
도 1은 폴리싱의 조건을 나타내는 실린더형 좌표계를 예시한다.
도 2는 회전 디스크 간에 전단을 받는 중합체성 유체에서 상승하는 제 1 법선 변형력 차이, σ1(X)의 예시이다.
도 3은 본 발명에 따른 전단에 기인한 피복된 입자와 미피복된 입자의 상대 위치를 예시하고, 여기서 웨이퍼는 폴리싱 동안 윗면이 아래로 놓인다.
도 4는 본 발명에 따라 성취된 평면화를 예시한다.
도 5는 본 발명에 따르지 않고 수득된 표면 프로필을 나타낸다.
도 6은 본 발명에 따라 수득된 표면 프로필을 나타낸다.
보다 상세하게, 본 발명은 연마 입자를 함유하고 법선 변형력 효과를 나타내는 폴리싱 슬러리에 관한 것이다. 본 발명의 슬러리 조성물은 현탁된 입자의 일부분을 함유하고, 이 입자는 감소되거나 삭감된 폴리싱 작용과 법선 변형력 효과를 나타내고, 즉 이들은 패턴상의 저도부내로 상승하고, 이곳에서 폴리싱 속도는 감소한다. 이는 바람직하게 연마 입자와 고분자전해질을 함유하는 슬러리에 의해 달성된다. 고분자전해질은 일부의 연마 입자들에 흡착되고, 저도부에서 폴리싱 속도를 감소시키는 법선 변형력 효과를 나타낸다. 고분자전해질의 농도는 연마 입자의 약 5 내지 50중량%이다.
대안의 특이적 실시태양에 따라, 폴리싱 슬러리는 연마 입자와 수불용성 중합체 입자를 함유할 수 있다. 추가의 특이적 실시태양은 연마 입자와 계면활성제 미셀(micelle)을 함유하는 폴리싱 슬러리에 관한 것이다.
본 발명은 또한 표면의 평면화에 관련된다. 공정은 상술된 슬러리를 평면화될 표면에 제공하는 것을 포함한다. 이어서 표면을 폴리싱 패드, 바람직하게는 강성 폴리싱 패드와 접촉시킴으로써 평면화하여 인자판과 캐리어의 고 회전 속도에 의해 슬러리에 고속의 전단을 제공한다.
또한 본 발명은 거울과 렌즈의 볼록표면, 오목표면 등과 같이 구조물의 크기에 대한 곡률 반경이 크거나 또는 폴리싱될 표면 변동을 갖는 비평면화된 표면을 폴리싱하기 위해 사용될 수 있다. 저도부내로 중합체 입자를 상승시키는 법선 변형력 효과의 성분을 사용(이는 폴리싱 속도를 감소시키고 미시적 규모의 평면화를 이룩한다)하는 것 이외에, 중합체가 폴리싱될 표면의 중심을 향해 측방향으로 이동하는 경향을 갖는 법선 변형력 효과의 또다른 관점은 표면의 미시적 성형, 예로써 곡률 생성을 위해 사용될 수도 있다.
본 발명을 수행하기 위한 최적 모드와 그의 변형
본 발명에 따라, 연마 입자를 함유하고 법선 변형력 효과를 나타내는 폴리싱 슬러리가 제공된다. 일부 비-뉴우튼 중합체 용액과 중합체성 유체의 비선형성 탄성은 전단 방향에 수직으로 일어나는 법선 변형력 차이가 발전되는 것이 자명하다. 이 효과를 설명하기 위해, 견고한 두개의 평행 디스크 사이에서 비틀림 유동에 의한 폴리싱 조건을 추정할 수 있고, 실린더형 좌표계, z, θ, r를 사용한다(도 1). z=0에서 하나의 디스크는 Ω0의 각속도를 갖고, z=d에서 다른 디스크는 Ωd의 각속도를 갖고,△Ω = Ωd- Ω0= 0이다.
전단 속도는 X=r△Ω/d이고, 이때 r은 디스크의 중심으로부터 반경 거리이다. 전단 변형력 Tzr= Tθr= 0이고, T2θ= ι(X)이다. 제 1 법선 변형력 차이, Tzz- Trr= σ1(X)가 특히 중요하다.
제 1 법선 변형력 차이는 유체가 두 회전판 사이에서 방사상 내부로 유동하도록 하고, 판을 분리시키는 경향이 있다. 상부 디스크내에 구멍을 천공시키고, 이 구멍을 통해 모세관을 넣음으로써 모세관내에서 유체가 상승하게 된다. 이는 도 2에 예시되어 있다. 전단 속도가 높아질 수록 σ1(X)는 더욱 증가한다. 중합체 용액의 경우 σ(X)는 τ(X)에 비해 크고, 뉴우튼 유체의 경우 σ1≡ 0이다.
선행 분야에서 사용된 폴리싱 슬러리는 연마 입자의 수성 형탁액이고, 이는 뉴우튼 행태를 나타내는데, 즉 제 1 법선 변형력 차이는 0이다. 그러나, 자체로서 용액중 법선 변형력 효과를 나타내고 연마 입자상에 흡착되는 본 발명에 따른 상기 고분자전해질을 첨가함으로써 비-뉴우튼 행태가 부여될 수 있다. 고분자전해질은 동일한 행태를 연마 입자에 부여한다. 고분자전해질은 중합체 쇄와 작용기를 함유하고, 전자 전달에 의해 상이하게 하전된 표면상에 화학적으로 흡착될 수 있다. 연마 입자의 표면으로 매우 유인되는 고분자이온은 랑그뮈어(Langmuir)형의 흡착 행태를 달성하고, 중합체는 단층 차폐가 이루어질 때까지 연마 입자의 표면상에 편평하게 놓인다. 고분자이온은 물론 단층의 형성 뿐만 아니라 작동판(웨이퍼)의 표면상에 흡착할 것이다.
본 발명자에 의해 인식되는 관점중 중합체-피복된 연마 입자에 관한 것은 하기와 같다:
1. 폴리싱 작용이 크게 감소되고, 이에 따라 폴리싱 속도가 감소된다.
2. 중합체-피복된 연마 입자는 중합체성 거대분자로서 작용하고, 이는 전단 방향에 수직으로 저도부 공간내로 상승한다(도 2).
한편, 본 발명자들에 의해 인식되는 관점중 미피복된 연마 입자에 관한 것은 다음과 같다:
1. 폴리싱 속도는 미피복된 연마 입자의 용적-농도에 따라 좌우된다.
2. 미피복된 입자는 전단의 방향에 수직으로 저도부 공간내로 상승하지 않는다.
평면화를 달성하는 이들의 관찰사항을 이용하기 위해, 연마 현탁액중 고분자전해질의 양은 일부의 입자들이 고분자전해질로 피복되고, 다른 일부의 연마 입자들이 미피복된 채로 남도록 한다. 또한, 본 발명에 의해 인식된 관점중 피복되고 미피복된 연마 입자 모두를 함유한 슬러리에 관한 것은 하기와 같다:
1. 법선 변형력 효과는 미피복된 입자로부터 피복된 입자를 분리시킨다. 피복된 입자는 패턴(골)의 저도부에서 상승되고 축적되는 반면, 미피복된 연마 입자는 슬러리의 보다 낮은 부분, 즉 패턴의 고도부(필드)에 남게된다(도 3에 예시된 바와 같다). 도 3에서, ⊙은 피복된 입자를 나타내고 ·는 미피복된 입자를 나타낸다. 평면화될 표면은 폴리싱 패드상에서 윗면이 아래로 향하게 위치시킨다.
2. 중합체-피복된 입자는 패턴의 저도부에서 축적되고, 이들이 거의 폴리싱 작용을 하지 않기 때문에 저도부에서의 폴리싱 속도는 매우 느리다.
3. 미피복된 연마 입자는 패턴의 고도부 또는 필드에서 축적되고, 이들은 폴리싱 작용이 감소되지 않으므로, 여기서 폴리싱의 속도는 빠르다.
4. 고도부에서의 빠른 폴리싱 속도와 저도부(골)에서의 느린 폴리싱 속도에 의해 도 4에 도시된 바와 같이 평면화가 유도되고, 이때 점선은 폴리싱 전의 프로필을 나타내고 실선은 폴리싱 후의 프로필을 나타낸다.
또한 본 발명의 바람직한 관점에 따라, 폴리싱 패드는 하기 특징을 소유해야 한다:
1. 폴리싱 패드는 바람직하게 강성이고, 패턴의 침몰된 영역내로 완전히 변형되지 않는데, 이는 완전 변형될 경우 피복되고 미피복된 연마 입자의 분리를 위한 공간이 없기 때문이다. 강성에 대한 이러한 선호도에 의해 보다 경성인 패드의 사용을 필요로한다. 보다 경성인 패드는 폴리싱 파편에 의한 스크래치를 초래하는 경향이 있다. 이러한 문제점은 일부의 연마 입자들을 피복하기 위해 상기 고분자전해질을 사용함으로써 해결되고, 이는 폴리싱 파편을 위한 분산제로서 작용하기도 한다. 폴리싱 파편을 분산시키는 것은 스크래치를 방지하고, 보다 경성인 패드의 사용을 허용한다. 본 발명에 따른 보다 경성인 패드는 통상의 슬러리에 비해 3배 이상의 평면화 비를 달성하는 것으로 정의되고, 이때 평면화 비는 최종단계(폴리싱 후) 높이로 나눠진 초기 단계 높이를 지칭한다. 따라서, 본 발명에 사용하기에 적합한 보다 경성인 패드는 무리한 실험없이 상기 기재사항을 이해하면 당해분야의 숙련가에 의해 쉽게 측정될 수 있다.
2. 바람직하게 폴리싱 패드는 천공이 없는 평면이어야 한다. 천공이 존재할 경우, 피복된 입자는 여기서 축적되고, 평면화될 웨이퍼상 패턴의 저도부에서 이의 수는 감소한다.
바람직하게, 슬러리는 연마 입자와 고분자전해질을 포함한다. 고분자전해질은 연마 입자에 관한 이온 전하와 상이한 전하의 이온 잔기를 갖는다. 예를 들면, 연마 입자에 관한 이온 전하가 음이온성(즉, 네가티브)일 경우 고분자전해질은 양이온성이고, 연마 입자에 관한 이온 전하가 양이온성일 경우 고분자전해질은 음이온성이다. 연마 입자에 관한 전하가 중성일 경우, 고분자전해질은 양이온성 및/또는 음이온성일 수 있다.
고분자전해질이란 용어는 고분자이온을 함유하는 기재를 지칭하고, 이는 다수의 이온화 기를 갖는 거대 분자이다. 고분자전해질 기재의 전자중성화를 방지하기 위해, 고분자이온 전하는 반대이온, 전형적으로 H+또는 Na+등과 같은 저분자량의 이온에 의해 보충되어야 한다. 대부분의 미하전된 중합체와는 달리, 고분자전해질은 일반적으로 물 등의 극성 용매에 가용성이다. 수성 용액중 양성자화 평형에 관하여, 이들은 폴리산, 폴리염기, 그리고 산성과 염기성 기가 모두 존재할 경우 양성고분자전해질로 분류될 수 있다.
고분자전해질은 슬러리에 법선 변형력 효과를 부여한다. 용액에서, 고분자전해질은 법선 변형력 효과를 나타내고, 연마 입자상에 이들이 흡착하면 입자에 동일한 행태를 부여한다. 이는 법선 변형력 효과를 나타내지 않는 선행 분야의 폴리싱 슬러리와 상이하다.
평면화를 달성하기 위한 본 발명에 따라서, 연마 현탁액중 고분자전해질의 양은 일부의 입자들이 고분자전해질에 의해 피복되는 반면 또다른 일부의 연마 입자들이 미피복된채로 남도록 하는 양이다. 이를 달성하기 위해, 고분자전해질은 슬러리중 연마 입자의 약 5 내지 약 50중량%, 바람직하게는약 15 내지 약 30중량%, 가장 바람직하게는 약 20중량%이다. 이들 비는 연마 입자와 고분자전해질의 상대 크기에 따라 어느정도 좌우된다.
고분자이온이 폴리싱 연마 입자에 결합할 수 있는 이온화 기 또는 정착 기(anchoring group)로는:
1. 예를 들면 폴리(아크릴산), 폴리(메타크릴산), 폴리(메틸 메타크릴산), 폴리(말레산) 또는 포화되거나 불포화된 폴리(카복실산)에서 카복실 기와 같은 산성 기. 또한 중합체내로 혼입된 인산 및/또는 설폰산 기도 산성 작용기로서 작용할 수 있다.
2. 아미노, 아미드, 이미드, 비닐 피리딘, 피페리딘, 피페라진 유도체에 의한 중합체 등의 질소 함유 기를 포함하는 염기성 기가 포함된다.
연마 입자의 표면에 대해 높은 결합 에너지를 갖는 고분자이온의 경우, 이는 높은 전하 밀도를 갖는 것이 바람직하다. 전해질의 첨가는, 예를 들면 폴리아크릴산 등의 약한 폴리산의 강도를 증가시키고, 이에 따라 연마 입자상에 이의 흡착성을 증가시킨다. 예로써 실시예 2를 참조한다.
연마제의 표면에 대해 강한 결합 에너지를 갖는 고분자전해질의 경우, 폴리산은 염기성 특성을 갖는 연마제를 피복하기 위해 사용되어야 하고, 알루미나 연마제용의 폴리(아크릴산) 등이 있다. 한편, 폴리염기는 산성 특성을 갖는 연마제를 피복하기 위해 사용되어야 하고, 예로써 실리카 연마제를 피복시키는 폴리(에틸렌이민)이 있다. 산화지르콘 또는 산화세륨 등과 같이 거의 중성 특성을 갖는 폴리싱 연마제는 산성 또는 염기성 고분자이온 또는 양성고분자전해질로 피복될 수 있다.
하기 표 1은 본 발명에 적합한 일부 이온화 쇄 분자를 예시한다.
특히, 고분자전해질 첨가제에서, 단량체 단위의 반복수인 n은 바람직하게 5 내지 200의 범위내이어야 하고, 이는 약 500 내지 10,000의 고분자전해질의 바람직한 분자량을 이끌어 낸다.
극소 전자 공학 산업에서 거의 모든 산화물 폴리싱은 알칼리 pH 범위에서 콜로이드성 실리카 슬러리를 적용한다. 본 발명에 따라, 바람직하게 평면화 고분자이온 첨가제는 질소 함유 기, 예로써 아미노, 아미드, 이미드, 비닐 피리딘, 피페리딘 또는 피페라진 유도체를 갖는다. 가장 바람직한 첨가제는 분자량이 약 2,000인 폴리에틸렌이민이다. 평면화 슬러리의 pH는 9 내지 11이어야 한다. 콜로이드성 실리카 폴리싱 슬러리는 실리카 입자와 탈이온화수로 구성되므로, 평면화 슬러리를 제조하는 것은 수성 실리카 슬러리를 원하는 고형 농도로 희석시키고, 원하는 양의 폴리에틸렌이민 수용액을 첨가하고, 사용전 1시간 이상 동안 교반하여 흡착 평형에 도달하도록 하는 것을 포함한다. 천공을 함유하지 않거나 엠보싱된 패턴이 아닌 모든 경성 폴리싱 패드는 바람직하게 상기 평면화 슬러리와 함께 사용될 수 있다.
ZrO2와 CeO2연마제는 SiO2를 폴리싱하기 위해 사용될 수도 있다. 등전점은 거의 중성이므로, 산성과 염기성 고분자이온은 이들상에 흡착하고, 이에 따라 폴리(아크릴산)과 폴리에틸렌이민은 산화지르콘과 산화세륨 슬러리를 위한 평면화 첨가제로서 작용할 수 있다. 구조상에 질소-함유 기와 카복실 기 둘다를 갖는 고분자전해질, 예로써 폴리(아미노산)과 암모늄 폴리아크릴레이트는 마찬가지로 유용하다. 첨가제의 분자량은 바람직하게 50 내지 10,000 범위이다. 천공을 함유하지 않거나 엠보싱된 패턴이 아닌 모든 경성 폴리싱 패드는 바람직하게 상기 평면화 슬러리와 함께 사용될 수 있다.
금속 평면화 영역에서, 본 발명의 가장 중요한 적용은 알루미늄과 알루미늄 합금 평면화이다. 한 예시적 공정에 대한 상세한 설명을 실시예에 기술하고 있다.
텅스텐 평면화의 경우, 전형적인 슬러리는 알루미나 연마제와 질산제2철 산화제를 함유한다. 본 발명에 따라, 바람직하게는 카복실-함유 고분자전해질(예: 폴리(아크릴산)이 사용된다. 고분자이온 첨가제는 평면화를 개선하고, 상기 폴리싱 공정에서 관찰되는 바와 같이 산화물의 스크래치를 방지한다.
구리 폴리싱의 경우, 전형적으로 알루미나 슬러리와 산성 산화제가 사용된다. 본 발명에 따라, 바람직하게는 카복실-함유 고분자전해질, 예로써 폴리(아크릴산), 폴리(메타크릴산), 폴리말레산이 사용된다. 고분자이온 첨가제는 평면화를 개선시키고, 경성 패드에 의해 발생되는 스크래치를 방지한다.
연마 입자의 일부분을 피복하는 고분자전해질 뿐만 아니라, 슬러리는 바람직하게 폴리싱 파편을 분산하기 위한 분산제를 포함하고, 이로써 스크래치 발생을 방지하고 보다 경성인 폴리싱 패드의 사용을 허용한다. 높은 전하 밀도를 갖는 저분자량의 고분자이온은 폴리싱 파편 분산제로서 작용할 수 있으므로, 고분자전해질이 적절하게 선택될 경우 두가지 모두의 기능을 수행할 수 있다. 특히, 고분자전해질 첨가제에서, 단량체 단위의 반복수인 n은 바람직하게 5 내지 200의 범위내이어야 하고, 이는 약 500 내지 10,000, 바람직하게는 약 1,000 내지 약 5,000, 가장 바람직하게는 약 2,000의 고분자전해질의 바람직한 분자량 범위를 이끌어 낸다. 고분자전해질이 분산제로서 작용하지 않는 경우, 슬러리는 부정형의 폴리인산염, 아크릴아미드 중합체, 폴리말리에이트, 타닌산, 리그닌, 알긴산 등의 통상의 분산제를 포함할 수 있다.
사용된 연마 입자는 통상적으로 사용되는 것 뿐만 아니라 통상의 연마 입자를 함유한 폴리싱 슬러리와 2가 희토류 이온 또는 이의 콜로이드성 수산화물의 현탁액－이의 적용시 실시예에 제시된 바와 같이 희토류 이온은 이의 보다 높은 원자가 형태이다－을 포함한다. 일부 적합한 희토류의 예는 Ce4+, Pr4+, Tb4+또는 콜리이드성 수산화물의 현탁액(예: Ce(OH)4)이다. 2가 희토류 또는 희토류 수산화물 콜로이드는 슬러리에서 산화 촉매와 OH 이온의 원료로서 작용한다.
공계류중인 미국 특허원 제 ＿ 호(FI-996-106)(이의 전체 개시는 본원에 참고로 인용되어 있다)에 개시된 바와 같은 2가 희토류 첨가제는 폴리싱 슬러리의 일부분일 수 있다.
적합한 연마 입자의 예로는 알루미나, 산화세륨, 실리카, 산화지르콘이 있다. 적절한 연마 입자는 전형적으로 약 30 내지 약 200㎚, 바람직하게는 약 75 내지 약 100㎚의 입자 크기를 갖는다.
고분자전해질을 함유하는 슬러리 조성물은 바람직하게 이미 연마 입자가 함유되어 있는 슬러리에 고분자전해질을 첨가함으로써 제조되고, 이로써 일부의 연마 입자들은 동일 반응계에서 피복된다. 대안의 절차에서, 일부의 연마 입자들을 예비피복하고, 미피복될 나머지 연마 입자를 함유하는 슬러리와 혼합할 수 있다. 또한, 연마 입자 일부분을 예비처리하여 이들이 슬러리에 비해 고분자전해질의 흡차에 더욱 감수성이도록 하는 것이 바람직할 수 있다. 예를 들면, 2가 희토류 원소의 보다 높은 원자가 형태의 염 또는 질산제2철 등의 다른 산화물은 상기 목적에 적합하다.
대안의 양태에 따라, 비수용성 중합체는 고분자전해질로 피복된 연마 입자에 대신 또는 이에 부가하여 비폴리싱된 입자로서 사용될 수 있다. 적합한 합성 유기 중합체로는 폴리스티렌, 부타디엔 고무, 수-분산성 폴리우레탄 분말이 있다. 중합체는 서브미크론 분말 입자의 형태이다. 경우에 따라, 중합체 입자는 소듐 라우릴 설페이트 등의 계면활성제로 처리하여 이들을 친수성화 시킬 수 있다.
사용될 경우, 중합체 입자는 전형적으로 슬러리중 연마 입자의 약 5 내지 약 50중량%, 보다 전형적으로는 약 15 내지 약 30중량%, 바람직하게는 약 20중량%이다.
추가의 양태에서, 계면활성제 미셀은 고분자전해질로 피복된 연마 입자 대신 또는 이에 부가하여 비폴리싱 입자로서 사용될 수 있다. 응집물로 결속하는 임계 미셀 농도(CMC) 이상의 농도인 계면활성제 분자 또는 이온을 미셀이라 지칭한다. 수용액에서 미셀중 계면활성제 이온의 배향은 친수성 잔기가 물에 노출되도록 하는 배향이다. 매우 종종 미셀은 20 내지 100개의 응집수를 나타내는 구형이다. 예를 들면 알루미나 슬러리에 사용되는 상기 실행을 위해, 소듐 라우릴 설페이트 계면활성제는 CMC 이상의 농도, 전형적으로는 약 0.1 내지 약 2중량%, 바람직하게는 약 0.25중량% 이상으로 사용될 수 있다. 물론, 계면활성제는 경우에 따라 양이온성, 음이온성, 비이온성일 수 있다. 계면활성제 농도는 연마 농도에 의존하지 않는다.
경우에 따라, 비폴리싱 입자의 상기 둘 이상의 유형의 혼합물이 사용될 수 있다.
슬러리는 수성 슬러리가 바람직하지만, 슬러리의 적어도 일부가 법선 변형력 효과를 나타낸다면 비수계 슬러리, 예로써 폴리실록산 유체와 세탄중 폴리이소부틸렌 또는 수계와 비수계 슬러리의 혼합물이 본 발명에 포함된다.
폴리싱 또는 평면화의 파라미터는 과도한 실험을 행하지 않고도 상기 개시를 이해한다면 당해분야의 숙련가에 의해 측정될 수 있다. 예를 들면, 폴리싱 패드와 웨이퍼의 회전 속도는 약 10 내지 약 150rpm이고, 압력은 약 2 내지 약 10psi이다. 웨이퍼는 직경이 100 내지 300㎜ 범위일 수 있다. 거울 또는 렌즈를 폴리싱할 경우, 낮은편 속도가 전형적으로 사용된다. 이는 보다 많은 양의 비폴리싱 입자 및/또는 보다 낮은 압력을 사용함으로써 달성된다.
하기 비-제한적인 실시예는 추가로 본 발명을 예시하기 위해 제시되어 있다.
비교 실시예 1
자기적으로 교반되는 용기내로 약 4ℓ의 탈이온화수를 첨가하고, 이어서 정점 입자 크기가 75㎚이고 고형분 함량이 6중량%인 약 1ℓ의 콜로이드성 수성 알루미나 슬러리를 첨가한다. 약 21g의 (NH4)2Ce(NO3)6를 약 1ℓ의 탈이온화수에 용해시키고 상기에 첨가한다. 슬러리를 20분 이상 동안 교반한 결과 알루미나 함량이 1중량%인 약 6ℓ의 슬러리를 수득하였다. 산화세륨 염은 산화제로서 작용한다.
폴리싱될 웨이퍼는 100㎛×100㎛ 치수의 선-결합 패드를 갖고, 식각 깊이는 0.8㎛이다. 폴리싱 전의 표면 프로필은 표면상에 0.8㎛ 계단을 나타내고, 바람직한 정형적인 용착을 나타낸다. 이들은 평면화하가 요구되는 계단이다.
로델 코포레이션(Rodel Corporation)으로부터 제작된 연성 폴리우레탄 패드인 폴리텍스(Polytex)TM가 사용되는데, 보다 경성 패드를 사용하면 알루미늄 필름을 스크래치하는 흑색 파편(black debris)을 생성하기 때문이다. 다른 금속화 레벨상의 스크래치는 단기 수율을 감소시킨다.
1.1㎛ 두께의 Al-0.5중량% Cu 합금 필름의 폴리싱은 웨스텍 372 폴리싱기상에서 폴리싱 패드 위에 놓인 폴리싱된 웨이퍼와 함께 6psi의 하력(downforce)과 2psi의 배압에 의해 수행되었다. 인자판의 회전은 75rpm이었고, 캐리어의 경우 50rpm이었다. 슬러리 유속은 200㎖/분이었다.
도 5는 알루미늄 합금의 제거후 패드의 표면 프로필을 나타낸다. 패턴은 둥글어지지만 계단 높이는 동일하게 0.8㎛로 유지되어 평면화는 발생하지 않았다.
실시예 2
자기적으로 교반되는 용기내로 약 3ℓ의 탈이온화수를 첨가하고 이어서 정점 입자 크기가 75㎚이고 고형분 함량이 6중량%인 약 1ℓ의 콜로이드성 수성 알루미나 슬러리를 첨가한다. 약 21g의 (NH4)2Ce(NO3)6를 약 1ℓ의 탈이온화수에 용해시키고 상기 슬러리에 첨가하고 20분 이상 동안 교반한다. 그 다음으로 약 20㎖의 65중량% 폴리(아크릴산)용액－폴리(아크릴산)의 분자량은 2,000이다－ 을 슬러리에 첨가하고, 폴리(아크릴산)을 측정한 계량 실리더를 1ℓ의 탈이온화수로 세척하여 슬러리에 넣는다. 슬러리를 1시간 이상 동안 교반하여 흡착 평형에 도달시킨다.
제조된 슬러리는 6ℓ이고, 이는 1중량%의 알루미나와 약 0.2중량%의 폴리(아크릴산)을 함유한다. 산화제로서 작용하는 것 이외에, 산화세륨 염은 또한 알루미나 연마제상의 폴리(아크릴산)의 흡착을 촉진시킨다.
평면화를 위해, 비교실시예 1에 사용된 것 보다 경성인 패드를 사용한다. 패드는 프루덴버그 캄파니(Freudenberg Company)로부터 제조된 페드로 패드(Pedro pad)를 이용할 수 있다. 이는 부직 패드로서 1.5 내지 3인치 길이로 절단된 레이온 섬유를 배치함으로써 제조된다. 후속적으로, 아크릴계-부타디엔 고무 결합제를 섬유상에 놓고, 결합제를 경화시켜 원하는 점탄성을 수득한다. 비교 실시예 1에서 상술된 바와 동일한 폴리싱 조건과 웨이퍼를 사용한다. 흑색 파편 형성이 폴리싱동안 관찰되지 않는다. 폴리싱에 의한 선 결합 패드를 둘러싸는 필드로부터 알루미늄 합금을 제거한 후의 패드 표면 프로필은 도 6에 도시되어 있다. 이 도면은 단지 0.06㎛의 계단 높이를 나타내고, 이는 평면화시 선행 분야의 0.8㎛ 단계 높이로부터 본 발명의 공정에 의한 0.06㎛ 계단 높이로의 1차 이상의 양적 개선을 나타낸다.
비교 실시예 3
보다 경성인 페드로 패드를 사용함을 제외하고 비교 실시예 1을 반복한다. 폴리싱 동안 상당량의 흑색 파편 형성이 관찰되고, 알루미늄 필름은 극도로 스크래치되고, 극소 전자 공학 적용에 이를 사용할 수 없도록 한다 폴리싱후 계단 높이는 0.2㎛이지만, 대부분의 적용분야에 있어서 너무 크다.
비교 실시예 3과 실시예 2를 비교하면 본 발명의 중요성이 입증된다. 예를 들면, 고분자전해질 첨가제는 평면화를 개선시킬 뿐만 아니라 흑색 파편을 분산시킴으로써 보다 경성인 패드를 사용할 수 있도록 한다. 흑색 파편은 폴리싱에 의해 제거된 알루미늄 입자로 구성된다. 이는 표면상에 경성의 원(native) 산화물을 발전시키고, 웨이퍼를 스크래치한다. 고분자전해질은 본 발명에 따라 이들 입자에 결합하고, 이들을 피복시켜 스크래치 작용을 방지한다. 사실, 금속화의 제 1 레벨상에서 실시예 2의 절차를 사용할 경우, 본 발명을 추구하는 실시예 2에 따른 단기 수율은 95% 이상이었고, 반면 금속화의 제 1 레벨상에서 비교 실시예 3을 사용할 경우 비교 실시예 3으로부터의 단기수율은 심각한 스크래치에 의하여 0%였다.

Claims (39)

  1. 폴리싱 슬러리(polish slurry)에 있어서,
    연마 입자를 포함하고, 법선 변형력 효과를 나타내는 폴리싱 슬러리.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 연마 입자에 연관된 전하와 상이한 전하의 이온 잔기를 갖는 고분자전해질을 추가로 포함하고, 상기 고분자전해질의 농도가 상기 연마 입자의 약 5 내지 50중량%인 슬러리.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 고분자전해질이 산성 기를 포함하는 슬러리.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 고분자전해질이 염기성 기를 포함하는 슬러리.
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 고분자전해질이 양성고분자전해질인 슬러리.
  6. 제 2 항에 있어서,
    상기 고분자전해질의 분자량이 약 500 내지 약 10,000인 슬러리.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 고분자전해질이 폴리에틸렌이민인 슬러리.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 고분자전해질이 폴리(아크릴산), 폴리(메타크릴산), 폴리말레산으로 구성된 그룹으로부터 선택되는 슬러리.
  9. 제 2 항에 있어서,
    상기 고분자전해질을 흡착하는 능력을 향상시키기 위해 상기 일부의 연마 입자들을 예비처리한 슬러리.
  10. 제 2 항에 있어서,
    상기 고분자전해질을 흡수하는 연마 입자의 능력을 향상시키기에 충분한 양의 산화제로 상기 일부의 연마 입자들을 예비처리한 슬러리.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 산화제가 질산제2철인 슬러리.
  12. 제 1 항에 있어서,
    수불용성 중합체 입자를 추가로 포함하는 슬러리.
  13. 제 1 항에 있어서,
    계면활성제 미셀을 추가로 포함하는 슬러리.
  14. 제 2 항에 있어서,
    상기 연마 입자의 입자크기가 약 30 내지 약 200㎚인 슬러리.
  15. 제 2 항에 있어서,
    상기 연마 입자의 입자크기가 약 75 내지 약 100㎚인 슬러리.
  16. 제 1 항에 있어서,
    상기 연마 입자가 알루미나, 산화세륨, 실리카, 산화지르콘으로 구성된 그룹에서 선택되는 슬러리.
  17. 제 1 항에 있어서,
    수성 슬러리인 슬러리.
  18. 제 1 항에 있어서,
    2가 희토류 이온 또는 이의 콜로이드성 수산화물의 현탁액을 추가로 포함하는 슬러리.
  19. 제 2 항에 있어서,
    상기 연마 입자가 알루미나, 산화세륨, 실리카, 산화지르콘으로 구성된 그룹에서 선택되는 슬러리.
  20. 제 2 항에 있어서,
    수성 슬러리인 슬러리.
  21. 제 2 항에 있어서,
    비-수성 슬러리인 슬러리.
  22. 제 2 항에 있어서,
    상기 고분자전해질이 폴리싱 파편을 분산시킬 수 있는 슬러리.
  23. 제 2 항에 있어서,
    상기 고분자전해질의 분자량이 약 500 내지 10,000인 슬러리.
  24. 제 2 항에 있어서,
    상기 고분자전해질이 음이온성이고, 이의 분자량이 약 1,000 내지 약 5,000인 슬러리.
  25. 제 2 항에 있어서,
    상기 고분자전해질이 음이온성이고, 이의 분자량이 약 2,000인 슬러리.
  26. 제 2 항에 있어서,
    2가 희토류 이온 또는 이의 콜로이드성 수산화물의 현탁액을 추가로 포함하는 슬러리.
  27. 제 2 항에 있어서,
    상기 고분자전해질의 분자량이 약 1,000 내지 약 5,000이고, 양이온성인 슬러리.
  28. 제 2 항에 있어서,
    상기 농도가 15 내지 약 25%인 슬러리.
  29. 연마 조성물에 있어서,
    연마 입자와 상기 연마 입자에 관한 전하와 상이한 전하의 이온 잔기를 갖는 고분자전해질을 포함하고, 상기 고분자전해질의 농도가 상기 연마 입자의 약 5 내지 약 50중량%인 연마 조성물.
  30. 슬러리의 제조 공정에 있어서,
    고분자전해질을 연마 입자를 함유하는 슬러리에 첨가함으로써 상기 일부의 연마 입자들을 동일반응계에서 피복함을 포함하는 제 2 항의 슬러리를 제조하는 공정.
  31. 슬러리의 제조 공정에 있어서,
    연마 입자의 일부를 예비피복하고, 이어서 예비피복된 연마 입자를 상기 연마 입자의 나머지 부분의 슬러리와 혼합함으로써 상기 슬러리를 생산하는 제 2 항의 슬러리의 제조 공정.
  32. 슬러리의 제조 공정에 있어서,
    연마 입자의 일부를 예비처리하여 이들이 슬러리로부터의 고분자전해질의 흡착에 보다 감수성이 되도록 하는 것을 포함하는 제 2 항의 슬러리의 제조 공정.
  33. 표면을 폴리싱하는 방법에 있어서,
    연마 입자를 포함하고 법선 변형력 효과를 나타내는 슬러리를 표면에 제공하고, 이를 폴리싱 패드와 접촉시켜 상기 표면을 평면화 하는 것을 포함하는, 표면을 폴리싱하는 방법.
  34. 제 33 항에 있어서,
    상기 폴리싱 패드가 강성 폴리싱 패드인 방법.
  35. 표면을 폴리싱하는 방법에 있어서,
    연마 입자와 상기 연마 입자에 관한 전하와 상이한 전하의 이온 잔기를 갖는 고분자전해질－ 상기 고분자전해질의 농도는 상기 연마 입자의 약 5 내지 약 50중량%이다－을 포함하는 슬러리를 표면에 제공하고, 이를 폴리싱 패드와 점촉시킴으로써 상기 표면을 평면화함을 포함하는, 표면을 폴리싱하는 방법.
  36. 제 35 항에 있어서,
    상기 폴리싱 패드가 강성 폴리싱 패드인 방법.
  37. 제 35 항에 있어서,
    상기 고분자전해질이 추가로 폴리싱 파편을 분산시킴으로써 상기 파편에 의해 초래되는 스크래치를 감소시키는 방법.
  38. 제 35 항에 있어서,
    상기 표면이 극소 전자 공학 웨이퍼인 방법.
  39. 제 35 항에 있어서,
    상기 표면이 거울 또는 렌즈인 방법.
KR1019970048178A 1996-12-09 1997-09-23 평면화를위한폴리싱공정과슬러리 KR100303672B1 (ko)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US3327896P 1996-12-09 1996-12-09
US60/033,278 1996-12-09
US08/789,229 US5876490A (en) 1996-12-09 1997-01-24 Polish process and slurry for planarization
US8/789,229 1997-01-24
US08/789,229 1997-01-24

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR19980063482A true KR19980063482A (ko) 1998-10-07
KR100303672B1 KR100303672B1 (ko) 2001-11-02

Family

ID=26709494

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019970048178A KR100303672B1 (ko) 1996-12-09 1997-09-23 평면화를위한폴리싱공정과슬러리

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5876490A (ko)
EP (1) EP0846740A1 (ko)
JP (1) JP3130279B2 (ko)
KR (1) KR100303672B1 (ko)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100412996B1 (ko) * 1999-12-22 2003-12-31 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션 무-슬러리 화학-기계적 폴리싱
KR100416587B1 (ko) * 2000-12-22 2004-02-05 삼성전자주식회사 씨엠피 연마액
KR100450984B1 (ko) * 2000-11-24 2004-10-02 도꾜 지끼 인사쯔 가부시키가이샤 화학적 기계적 연마용 슬러리
KR100767927B1 (ko) * 2000-05-18 2007-10-17 제이에스알 가부시끼가이샤 화학 기계 연마용 수계 분산체
KR100905680B1 (ko) * 2001-05-25 2009-07-03 이케이씨 테크놀로지 가부시키가이샤 산화세륨 슬러리, 및 기판의 제조 방법

Families Citing this family (148)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5916819A (en) 1996-07-17 1999-06-29 Micron Technology, Inc. Planarization fluid composition chelating agents and planarization method using same
US5827781A (en) * 1996-07-17 1998-10-27 Micron Technology, Inc. Planarization slurry including a dispersant and method of using same
EP0939431B1 (en) * 1996-09-30 2009-05-20 Hitachi Chemical Co., Ltd. Cerium oxide abrasive and method of abrading substrates
US6110396A (en) * 1996-11-27 2000-08-29 International Business Machines Corporation Dual-valent rare earth additives to polishing slurries
JPH10321570A (ja) * 1997-05-15 1998-12-04 Tokuyama Corp 半導体ウェーハポリッシング用研磨剤及びその製造方法、ポリッシング方法
US6726990B1 (en) * 1998-05-27 2004-04-27 Nanogram Corporation Silicon oxide particles
US20060147369A1 (en) * 1997-07-21 2006-07-06 Neophotonics Corporation Nanoparticle production and corresponding structures
US20090075083A1 (en) * 1997-07-21 2009-03-19 Nanogram Corporation Nanoparticle production and corresponding structures
JPH11181403A (ja) * 1997-12-18 1999-07-06 Hitachi Chem Co Ltd 酸化セリウム研磨剤及び基板の研磨法
US6294105B1 (en) 1997-12-23 2001-09-25 International Business Machines Corporation Chemical mechanical polishing slurry and method for polishing metal/oxide layers
JPH11349925A (ja) 1998-06-05 1999-12-21 Fujimi Inc エッジポリッシング用組成物
EP1102821A4 (en) * 1998-06-10 2004-05-19 Rodel Inc COMPOSITION AND METHOD FOR CMP POLISHING METAL
EP0969057A1 (en) * 1998-07-03 2000-01-05 International Business Machines Corporation Dual-valent rare earth additives to polishing slurries
KR100298519B1 (ko) * 1998-07-03 2001-09-06 포만 제프리 엘 알루미나연마입자및희토류이온을포함하는슬러리,표면의연마방법및희토류수산화물의현탁액
KR100491465B1 (ko) 1998-08-31 2005-05-25 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 금속용 연마액 및 연마 방법
US6468909B1 (en) 1998-09-03 2002-10-22 Micron Technology, Inc. Isolation and/or removal of ionic contaminants from planarization fluid compositions using macrocyclic polyethers and methods of using such compositions
US6739947B1 (en) 1998-11-06 2004-05-25 Beaver Creek Concepts Inc In situ friction detector method and apparatus
US6541381B2 (en) 1998-11-06 2003-04-01 Beaver Creek Concepts Inc Finishing method for semiconductor wafers using a lubricating boundary layer
US6634927B1 (en) 1998-11-06 2003-10-21 Charles J Molnar Finishing element using finishing aids
US7131890B1 (en) 1998-11-06 2006-11-07 Beaver Creek Concepts, Inc. In situ finishing control
US6428388B2 (en) 1998-11-06 2002-08-06 Beaver Creek Concepts Inc. Finishing element with finishing aids
US6656023B1 (en) 1998-11-06 2003-12-02 Beaver Creek Concepts Inc In situ control with lubricant and tracking
KR100475976B1 (ko) * 1998-12-25 2005-03-15 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 Ｃｍｐ 연마제, ｃｍｐ 연마제용 첨가액 및 기판의 연마방법
AU1804300A (en) * 1998-12-28 2000-07-31 Hitachi Chemical Company, Ltd. Materials for polishing liquid for metal, polishing liquid for metal, method forpreparation thereof and polishing method using the same
KR100447551B1 (ko) 1999-01-18 2004-09-08 가부시끼가이샤 도시바 복합 입자 및 그의 제조 방법, 수계 분산체, 화학 기계연마용 수계 분산체 조성물 및 반도체 장치의 제조 방법
KR100472882B1 (ko) * 1999-01-18 2005-03-07 가부시끼가이샤 도시바 수계 분산체, 이를 이용한 화학 기계 연마용 수계 분산체조성물, 웨이퍼 표면의 연마 방법 및 반도체 장치의 제조방법
US6740590B1 (en) * 1999-03-18 2004-05-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Aqueous dispersion, aqueous dispersion for chemical mechanical polishing used for manufacture of semiconductor devices, method for manufacture of semiconductor devices, and method for formation of embedded writing
US6551933B1 (en) 1999-03-25 2003-04-22 Beaver Creek Concepts Inc Abrasive finishing with lubricant and tracking
US6375693B1 (en) 1999-05-07 2002-04-23 International Business Machines Corporation Chemical-mechanical planarization of barriers or liners for copper metallurgy
JP4491857B2 (ja) * 1999-06-18 2010-06-30 日立化成工業株式会社 Ｃｍｐ研磨剤及び基板の研磨方法
US7410409B1 (en) 1999-06-18 2008-08-12 Hitachi Chemical Co., Ltd. Abrasive compound for CMP, method for polishing substrate and method for manufacturing semiconductor device using the same, and additive for CMP abrasive compound
US6221119B1 (en) * 1999-07-14 2001-04-24 Komag, Inc. Slurry composition for polishing a glass ceramic substrate
TW501197B (en) * 1999-08-17 2002-09-01 Hitachi Chemical Co Ltd Polishing compound for chemical mechanical polishing and method for polishing substrate
US6443812B1 (en) 1999-08-24 2002-09-03 Rodel Holdings Inc. Compositions for insulator and metal CMP and methods relating thereto
KR100512453B1 (ko) * 1999-08-26 2005-09-07 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 화학기계연마용 연마제 및 연마방법
US6974367B1 (en) 1999-09-02 2005-12-13 Micron Technology, Inc. Chemical mechanical polishing process
US6348076B1 (en) * 1999-10-08 2002-02-19 International Business Machines Corporation Slurry for mechanical polishing (CMP) of metals and use thereof
US20040055993A1 (en) * 1999-10-12 2004-03-25 Moudgil Brij M. Materials and methods for control of stability and rheological behavior of particulate suspensions
US6503418B2 (en) * 1999-11-04 2003-01-07 Advanced Micro Devices, Inc. Ta barrier slurry containing an organic additive
US6491843B1 (en) * 1999-12-08 2002-12-10 Eastman Kodak Company Slurry for chemical mechanical polishing silicon dioxide
US6468910B1 (en) * 1999-12-08 2002-10-22 Ramanathan Srinivasan Slurry for chemical mechanical polishing silicon dioxide
JP2001269859A (ja) * 2000-03-27 2001-10-02 Jsr Corp 化学機械研磨用水系分散体
JP3975047B2 (ja) * 2000-04-21 2007-09-12 泰弘 谷 研磨方法
KR100378180B1 (ko) * 2000-05-22 2003-03-29 삼성전자주식회사 화학기계적 연마 공정용 슬러리 및 이를 이용한 반도체소자의 제조방법
US6964923B1 (en) * 2000-05-24 2005-11-15 International Business Machines Corporation Selective polishing with slurries containing polyelectrolytes
US6348395B1 (en) 2000-06-07 2002-02-19 International Business Machines Corporation Diamond as a polish-stop layer for chemical-mechanical planarization in a damascene process flow
US6443811B1 (en) * 2000-06-20 2002-09-03 Infineon Technologies Ag Ceria slurry solution for improved defect control of silicon dioxide chemical-mechanical polishing
US6383066B1 (en) 2000-06-23 2002-05-07 International Business Machines Corporation Multilayered polishing pad, method for fabricating, and use thereof
US6964604B2 (en) * 2000-06-23 2005-11-15 International Business Machines Corporation Fiber embedded polishing pad
US6593240B1 (en) * 2000-06-28 2003-07-15 Infineon Technologies, North America Corp Two step chemical mechanical polishing process
US6646348B1 (en) 2000-07-05 2003-11-11 Cabot Microelectronics Corporation Silane containing polishing composition for CMP
CN1197930C (zh) * 2000-07-19 2005-04-20 花王株式会社 抛光液组合物
US6702954B1 (en) 2000-10-19 2004-03-09 Ferro Corporation Chemical-mechanical polishing slurry and method
JP2002164307A (ja) 2000-11-24 2002-06-07 Fujimi Inc 研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法
US6676718B2 (en) 2001-01-12 2004-01-13 Rodel Holdings, Inc. Polishing of semiconductor substrates
US6786945B2 (en) * 2001-02-20 2004-09-07 Hitachi Chemical Co., Ltd. Polishing compound and method for polishing substrate
JP2002241739A (ja) * 2001-02-20 2002-08-28 Hitachi Chem Co Ltd 研磨剤及び基板の研磨方法
US6796883B1 (en) 2001-03-15 2004-09-28 Beaver Creek Concepts Inc Controlled lubricated finishing
US6568997B2 (en) 2001-04-05 2003-05-27 Rodel Holdings, Inc. CMP polishing composition for semiconductor devices containing organic polymer particles
KR100425261B1 (ko) * 2001-06-13 2004-03-30 제일모직주식회사 반도체 소자의 금속층 연마용 고순도 슬러리
US20040192172A1 (en) * 2001-06-14 2004-09-30 Dan Towery Oxidizing polishing slurries for low dielectric constant materials
US6656241B1 (en) * 2001-06-14 2003-12-02 Ppg Industries Ohio, Inc. Silica-based slurry
US6485355B1 (en) 2001-06-22 2002-11-26 International Business Machines Corporation Method to increase removal rate of oxide using fixed-abrasive
US7156717B2 (en) 2001-09-20 2007-01-02 Molnar Charles J situ finishing aid control
US6589100B2 (en) * 2001-09-24 2003-07-08 Cabot Microelectronics Corporation Rare earth salt/oxidizer-based CMP method
US7416680B2 (en) * 2001-10-12 2008-08-26 International Business Machines Corporation Self-cleaning colloidal slurry composition and process for finishing a surface of a substrate
US6821897B2 (en) * 2001-12-05 2004-11-23 Cabot Microelectronics Corporation Method for copper CMP using polymeric complexing agents
KR100449614B1 (ko) * 2001-12-28 2004-09-22 제일모직주식회사 침식현상이 개선된 금속배선 연마용 슬러리 조성물
KR100445757B1 (ko) * 2001-12-28 2004-08-25 제일모직주식회사 금속배선 연마용 슬러리 조성물
US7004819B2 (en) * 2002-01-18 2006-02-28 Cabot Microelectronics Corporation CMP systems and methods utilizing amine-containing polymers
US6841480B2 (en) * 2002-02-04 2005-01-11 Infineon Technologies Ag Polyelectrolyte dispensing polishing pad, production thereof and method of polishing a substrate
US6776810B1 (en) * 2002-02-11 2004-08-17 Cabot Microelectronics Corporation Anionic abrasive particles treated with positively charged polyelectrolytes for CMP
US6582279B1 (en) 2002-03-07 2003-06-24 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Apparatus and method for reclaiming a disk substrate for use in a data storage device
US7677956B2 (en) * 2002-05-10 2010-03-16 Cabot Microelectronics Corporation Compositions and methods for dielectric CMP
KR100457743B1 (ko) * 2002-05-17 2004-11-18 주식회사 하이닉스반도체 산화막용 ｃｍｐ 슬러리 및 이를 이용한 반도체 소자의형성 방법
US6616514B1 (en) 2002-06-03 2003-09-09 Ferro Corporation High selectivity CMP slurry
US6974777B2 (en) * 2002-06-07 2005-12-13 Cabot Microelectronics Corporation CMP compositions for low-k dielectric materials
US6936543B2 (en) * 2002-06-07 2005-08-30 Cabot Microelectronics Corporation CMP method utilizing amphiphilic nonionic surfactants
JP4190219B2 (ja) * 2002-06-27 2008-12-03 泰弘 谷 化学的機械的研磨パッド及びその製造方法
US20040127045A1 (en) * 2002-09-12 2004-07-01 Gorantla Venkata R. K. Chemical mechanical planarization of wafers or films using fixed polishing pads and a nanoparticle composition
US6641632B1 (en) 2002-11-18 2003-11-04 International Business Machines Corporation Polishing compositions and use thereof
US7229484B2 (en) * 2002-11-27 2007-06-12 Intel Corporation Pre-coated particles for chemical mechanical polishing
US6916742B2 (en) 2003-02-27 2005-07-12 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Modular barrier removal polishing slurry
US7407601B2 (en) * 2003-04-24 2008-08-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Polymeric particle slurry system and method to reduce feature sidewall erosion
KR100539983B1 (ko) * 2003-05-15 2006-01-10 학교법인 한양학원 Ｃｍｐ용 세리아 연마제 및 그 제조 방법
US7300478B2 (en) * 2003-05-22 2007-11-27 Ferro Corporation Slurry composition and method of use
JP2005093785A (ja) * 2003-09-18 2005-04-07 Toshiba Corp Ｃｍｐ用スラリー、研磨方法、および半導体装置の製造方法
US7022255B2 (en) * 2003-10-10 2006-04-04 Dupont Air Products Nanomaterials Llc Chemical-mechanical planarization composition with nitrogen containing polymer and method for use
US7427361B2 (en) * 2003-10-10 2008-09-23 Dupont Air Products Nanomaterials Llc Particulate or particle-bound chelating agents
US6964600B2 (en) 2003-11-21 2005-11-15 Praxair Technology, Inc. High selectivity colloidal silica slurry
JP4532149B2 (ja) * 2004-03-30 2010-08-25 ニッタ・ハース株式会社 シリコンウエハ研磨用組成物およびシリコンウエハの研磨方法
US7247567B2 (en) * 2004-06-16 2007-07-24 Cabot Microelectronics Corporation Method of polishing a tungsten-containing substrate
US7582127B2 (en) * 2004-06-16 2009-09-01 Cabot Microelectronics Corporation Polishing composition for a tungsten-containing substrate
JP4292117B2 (ja) * 2004-07-15 2009-07-08 Ｊｓｒ株式会社 化学機械研磨用水系分散体及び化学機械研磨方法
US20060021972A1 (en) * 2004-07-28 2006-02-02 Lane Sarah J Compositions and methods for chemical mechanical polishing silicon dioxide and silicon nitride
KR100641951B1 (ko) 2004-07-28 2006-11-02 주식회사 하이닉스반도체 고평탄성 슬러리 조성물 및 이를 이용한 층간 절연막의ｃｍｐ 방법
US7182798B2 (en) * 2004-07-29 2007-02-27 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Polymer-coated particles for chemical mechanical polishing
US7709053B2 (en) * 2004-07-29 2010-05-04 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Method of manufacturing of polymer-coated particles for chemical mechanical polishing
JP2006049912A (ja) * 2004-08-03 2006-02-16 Samsung Electronics Co Ltd Ｃｍｐスラリー、前記ｃｍｐスラリーを使用する化学機械的研磨方法、及び前記ｃｍｐスラリーを使用する金属配線の形成方法
US20070037892A1 (en) * 2004-09-08 2007-02-15 Irina Belov Aqueous slurry containing metallate-modified silica particles
US7531105B2 (en) * 2004-11-05 2009-05-12 Cabot Microelectronics Corporation Polishing composition and method for high silicon nitride to silicon oxide removal rate ratios
US7504044B2 (en) 2004-11-05 2009-03-17 Cabot Microelectronics Corporation Polishing composition and method for high silicon nitride to silicon oxide removal rate ratios
EP1844122B1 (en) * 2004-12-29 2013-02-20 LG Chem, Ltd. Adjuvant for chemical mechanical polishing slurry
US7297632B2 (en) * 2005-03-17 2007-11-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Scratch reduction for chemical mechanical polishing
WO2006112519A1 (ja) * 2005-04-14 2006-10-26 Showa Denko K.K. 研磨組成物
KR101332302B1 (ko) * 2005-06-06 2013-11-25 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드 단일 플래튼 처리를 위한 방법 및 일체형 화학적 기계적연마 조성물
US7393461B2 (en) * 2005-08-23 2008-07-01 Kesheng Feng Microetching solution
US20070075042A1 (en) * 2005-10-05 2007-04-05 Siddiqui Junaid A Stabilizer-Fenton's reaction metal-vinyl pyridine polymer-surface-modified chemical mechanical planarization composition and associated method
KR100813100B1 (ko) * 2006-06-29 2008-03-17 성균관대학교산학협력단 실시간 확장 가능한 스테레오 매칭 시스템 및 방법
US7691287B2 (en) * 2007-01-31 2010-04-06 Dupont Air Products Nanomaterials Llc Method for immobilizing ligands and organometallic compounds on silica surface, and their application in chemical mechanical planarization
US7696095B2 (en) * 2007-02-23 2010-04-13 Ferro Corporation Auto-stopping slurries for chemical-mechanical polishing of topographic dielectric silicon dioxide
US20080203059A1 (en) * 2007-02-27 2008-08-28 Cabot Microelectronics Corporation Dilutable cmp composition containing a surfactant
JP2009187984A (ja) 2008-02-01 2009-08-20 Fujimi Inc 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法
US8858819B2 (en) 2010-02-15 2014-10-14 Air Products And Chemicals, Inc. Method for chemical mechanical planarization of a tungsten-containing substrate
US10407594B2 (en) 2011-03-22 2019-09-10 Basf Se Chemical mechanical polishing (CMP) composition comprising a polymeric polyamine
EP2518120A1 (en) 2011-04-28 2012-10-31 Basf Se A chemical mechanical polishing (cmp) composition comprising a polymeric polyamine
CN102504705B (zh) * 2011-10-17 2014-07-09 河南省化工研究所有限责任公司 光通讯Zr02陶瓷插芯精密加工用抛光液及其制备方法
US8859428B2 (en) 2012-10-19 2014-10-14 Air Products And Chemicals, Inc. Chemical mechanical polishing (CMP) composition for shallow trench isolation (STI) applications and methods of making thereof
US9358659B2 (en) 2013-03-04 2016-06-07 Cabot Microelectronics Corporation Composition and method for polishing glass
US9421666B2 (en) 2013-11-04 2016-08-23 Applied Materials, Inc. Printed chemical mechanical polishing pad having abrasives therein
US9993907B2 (en) 2013-12-20 2018-06-12 Applied Materials, Inc. Printed chemical mechanical polishing pad having printed window
US9873180B2 (en) 2014-10-17 2018-01-23 Applied Materials, Inc. CMP pad construction with composite material properties using additive manufacturing processes
KR20240015167A (ko) 2014-10-17 2024-02-02 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 애디티브 제조 프로세스들을 이용한 복합 재료 특성들을 갖는 ｃｍｐ 패드 구성
US11745302B2 (en) 2014-10-17 2023-09-05 Applied Materials, Inc. Methods and precursor formulations for forming advanced polishing pads by use of an additive manufacturing process
US10875153B2 (en) 2014-10-17 2020-12-29 Applied Materials, Inc. Advanced polishing pad materials and formulations
US10618141B2 (en) 2015-10-30 2020-04-14 Applied Materials, Inc. Apparatus for forming a polishing article that has a desired zeta potential
US10593574B2 (en) 2015-11-06 2020-03-17 Applied Materials, Inc. Techniques for combining CMP process tracking data with 3D printed CMP consumables
US10391605B2 (en) 2016-01-19 2019-08-27 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for forming porous advanced polishing pads using an additive manufacturing process
KR101823083B1 (ko) * 2016-09-07 2018-01-30 주식회사 케이씨텍 표면개질된 콜로이달 세리아 연마입자, 그의 제조방법 및 그를 포함하는 연마 슬러리 조성물
US10294399B2 (en) 2017-01-05 2019-05-21 Cabot Microelectronics Corporation Composition and method for polishing silicon carbide
US11471999B2 (en) 2017-07-26 2022-10-18 Applied Materials, Inc. Integrated abrasive polishing pads and manufacturing methods
US11072050B2 (en) 2017-08-04 2021-07-27 Applied Materials, Inc. Polishing pad with window and manufacturing methods thereof
WO2019032286A1 (en) 2017-08-07 2019-02-14 Applied Materials, Inc. ABRASIVE DISTRIBUTION POLISHING PADS AND METHODS OF MAKING SAME
KR101991823B1 (ko) 2017-11-10 2019-06-21 가천대학교 산학협력단 하수관로 연결부 가지관 절단용 로봇 장치
KR102005047B1 (ko) * 2017-11-13 2019-07-30 김덕주 소리 조절이 가능한 목탁
US20200002607A1 (en) 2018-06-29 2020-01-02 Versum Materials Us, Llc Low Oxide Trench Dishing Chemical Mechanical Polishing
US11072726B2 (en) 2018-06-29 2021-07-27 Versum Materials Us, Llc Low oxide trench dishing chemical mechanical polishing
US11078417B2 (en) 2018-06-29 2021-08-03 Versum Materials Us, Llc Low oxide trench dishing chemical mechanical polishing
EP3819353A4 (en) * 2018-07-04 2022-03-30 Sumitomo Seika Chemicals Co., Ltd. POLISHING COMPOSITION
US11549034B2 (en) 2018-08-09 2023-01-10 Versum Materials Us, Llc Oxide chemical mechanical planarization (CMP) polishing compositions
WO2020050932A1 (en) 2018-09-04 2020-03-12 Applied Materials, Inc. Formulations for advanced polishing pads
US20200095502A1 (en) 2018-09-26 2020-03-26 Versum Materials Us, Llc High Oxide VS Nitride Selectivity, Low And Uniform Oxide Trench Dishing In Shallow Trench Isolation(STI) Chemical Mechanical Planarization Polishing(CMP)
US11180678B2 (en) 2018-10-31 2021-11-23 Versum Materials Us, Llc Suppressing SiN removal rates and reducing oxide trench dishing for Shallow Trench Isolation (STI) process
US11326076B2 (en) 2019-01-25 2022-05-10 Versum Materials Us, Llc Shallow trench isolation (STI) chemical mechanical planarization (CMP) polishing with low abrasive concentration and a combination of chemical additives
US11608451B2 (en) * 2019-01-30 2023-03-21 Versum Materials Us, Llc Shallow trench isolation (STI) chemical mechanical planarization (CMP) polishing with tunable silicon oxide and silicon nitride removal rates
US20200270479A1 (en) 2019-02-26 2020-08-27 Versum Materials Us, Llc Shallow Trench Isolation Chemical And Mechanical Polishing Slurry
US11254839B2 (en) 2019-12-12 2022-02-22 Versum Materials Us, Llc Low oxide trench dishing shallow trench isolation chemical mechanical planarization polishing
US11878389B2 (en) 2021-02-10 2024-01-23 Applied Materials, Inc. Structures formed using an additive manufacturing process for regenerating surface texture in situ

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2556615A (en) * 1947-03-10 1951-06-12 Vaughn Charles C De Lamp supporting clamp for vehicles and the like
US4478883A (en) * 1982-07-14 1984-10-23 International Business Machines Corporation Conditioning of a substrate for electroless direct bond plating in holes and on surfaces of a substrate
US4554182A (en) * 1983-10-11 1985-11-19 International Business Machines Corporation Method for conditioning a surface of a dielectric substrate for electroless plating
US4752628A (en) * 1987-05-15 1988-06-21 Nalco Chemical Company Concentrated lapping slurries
JP2714411B2 (ja) * 1988-12-12 1998-02-16 イー・アイ・デュポン・ドゥ・ヌムール・アンド・カンパニー ウェハーのファイン研摩用組成物
US5304284A (en) * 1991-10-18 1994-04-19 International Business Machines Corporation Methods for etching a less reactive material in the presence of a more reactive material
US5262354A (en) * 1992-02-26 1993-11-16 International Business Machines Corporation Refractory metal capped low resistivity metal conductor lines and vias
JP2757668B2 (ja) * 1992-03-11 1998-05-25 国際電信電話株式会社 画像解析装置
US5445996A (en) * 1992-05-26 1995-08-29 Kabushiki Kaisha Toshiba Method for planarizing a semiconductor device having a amorphous layer
US5225034A (en) * 1992-06-04 1993-07-06 Micron Technology, Inc. Method of chemical mechanical polishing predominantly copper containing metal layers in semiconductor processing
US5382272A (en) * 1993-09-03 1995-01-17 Rodel, Inc. Activated polishing compositions
WO1996038262A1 (en) * 1995-06-01 1996-12-05 Rodel, Inc. Compositions for polishing silicon wafers and methods
US5603739A (en) * 1995-06-09 1997-02-18 Diamond Scientific, Inc. Abrasive suspension system

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100412996B1 (ko) * 1999-12-22 2003-12-31 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션 무-슬러리 화학-기계적 폴리싱
KR100767927B1 (ko) * 2000-05-18 2007-10-17 제이에스알 가부시끼가이샤 화학 기계 연마용 수계 분산체
KR100450984B1 (ko) * 2000-11-24 2004-10-02 도꾜 지끼 인사쯔 가부시키가이샤 화학적 기계적 연마용 슬러리
KR100416587B1 (ko) * 2000-12-22 2004-02-05 삼성전자주식회사 씨엠피 연마액
US6855267B2 (en) 2000-12-22 2005-02-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Chemical mechanical polishing slurry
US7144815B2 (en) 2000-12-22 2006-12-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Chemical mechanical polishing slurry
KR100905680B1 (ko) * 2001-05-25 2009-07-03 이케이씨 테크놀로지 가부시키가이샤 산화세륨 슬러리, 및 기판의 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
EP0846740A1 (en) 1998-06-10
US5876490A (en) 1999-03-02
KR100303672B1 (ko) 2001-11-02
JP3130279B2 (ja) 2001-01-31
JPH10168431A (ja) 1998-06-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100303672B1 (ko) 평면화를위한폴리싱공정과슬러리
EP2329519B1 (en) Abrasive compositions for chemical mechanical polishing and methods for using same
JP4750362B2 (ja) Ｃｍｐのための正電荷高分子電解質で処理したアニオン性研磨粒子
JP4629337B2 (ja) ポリマー性錯体形成剤を使用する銅ｃｍｐのための方法
KR101276026B1 (ko) 화학 기계 연마용 수계 분산체 및 화학 기계 연마 방법, 및 화학 기계 연마용 수계 분산체를 제조하기 위한 키트
KR100456208B1 (ko) 반도체웨이퍼의노출면을개질시키는방법
EP1189729B1 (en) Method of modifying a surface of a structured wafer
CN103189457B (zh) 用于化学机械抛光电子、机械和光学器件用基底材料的含水抛光组合物和方法
JP4451347B2 (ja) 研磨液組成物
CN102127370A (zh) 用于cmp的涂覆金属氧化物颗粒
WO1993022103A1 (en) Compositions and methods for polishing and planarizing surfaces
KR102039319B1 (ko) 중합체성 폴리아민을 포함하는 화학적 기계적 폴리싱 (cmp) 조성물
EP0792515A1 (en) Method of making a chemical-mechanical polishing slurry and the polishing slurry
CN101796160A (zh) 包含离子型聚电解质的铜化学机械抛光组合物及方法
JP2013511144A (ja) 無機粒子及びポリマー粒子を含む化学的機械研磨（ｃｍｐ）組成物
TWI499664B (zh) 水性研磨劑和接枝共聚物及其於研磨圖案化且未結構化金屬表面之方法之用途
US7037350B2 (en) Composition for chemical-mechanical polishing and method of using same
TW420716B (en) Polish process and slurry for planarization
JP2005353681A (ja) 半導体絶縁膜用ｃｍｐ研磨剤、その製造方法及び基板の研磨方法
Amanapu et al. Abrasive-Free Polishing for Extreme Ultraviolet Lithography Mask Substrates
JP2022529113A (ja) タングステンバフ用途のための表面被覆された研削粒子

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130429

Year of fee payment: 13

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140627

Year of fee payment: 14

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160629

Year of fee payment: 16

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170629

Year of fee payment: 17

EXPY Expiration of term