KR19980040884A - Partition wall formation method of plasma display device - Google Patents
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Abstract
본 발명은 PDP의 격벽을 형성하는 신규한 방법을 개시한다.The present invention discloses a novel method of forming partition walls of a PDP.
종래 격벽을 형성하는 인쇄방법이나 사진식각법 또는 샌드블래스팅법은 각각 문제가 있었던 바, 본 발명에서는 기판상에 절연층을 적층하여 이를 성형금형으로 가압성형함으로써 격벽을 형성하도록 하여 PDP의 생산성을 현저히 향상시켰다.Conventional printing method, photolithography method or sand blasting method for forming a partition wall has been a problem. In the present invention, by stacking an insulating layer on a substrate and pressing it with a molding die to form a partition wall to increase the productivity of the PDP Significantly improved.
Description
제 1 도는 DC형 PDP의 구성을 보이는 단면도,1 is a cross-sectional view showing the configuration of a DC-type PDP,
제 2 도는 (가) 내지 (다)는 각각 종래의 격벽형성방법들을 보이는 단면도들,2 (a) to (c) are cross-sectional views showing conventional barrier rib forming methods, respectively.
제 3 도는 (가) 내지 (라)는 본 발명 방법을 설명하는 순차적 단면도들,3 (a) to (d) are sequential cross-sectional views illustrating the method of the present invention,
제 4 도는 본 발명의 다른 방법의 구현을 위한 성형금형의 저면요부 사시도,4 is a perspective view of a bottom recess of a molding mold for implementing another method of the present invention;
제 5 도는 (가) 내지 (바)는 제 4도의 성형금형에 의한 성형방법을 보이는 순차적 단면도들,Figure 5 (a) to (bar) is a sequential cross-sectional view showing a molding method of the molding mold of Figure 4,
제 6 도는 본 발명의 또다른 실시예의 구현을 위한 성형금형의 요부단면도이다.6 is a cross-sectional view of main parts of a molding mold for implementing another embodiment of the present invention.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings
P1, P2 : 기판P1, P2: Substrate
B : 격벽B: bulkhead
B' : (격벽을 형성할) 절연층B ': insulating layer (to form a partition)
1 : 성형금형1: Mold
1a, 1b : 상측 및 하측지지판1a, 1b: upper and lower support plates
1c : 지지판1c: support plate
1d : 가압판1d: pressure plate
2 : 돌출판2: protrusion plate
2a, 2b : 분할체2a, 2b: split
2c : 절개홈2c: incision groove
3 : 캐비티(cavity)3: cavity
4 : 히이터(heater)4: heater
5 : 돌기5: protrusion
6 : 인입홈6: Inlet Home
본 발명은 플라즈마 표시소자(PDP ; Plasma Display Panel)의 제조에 관한 것으로, 특히 그 격벽(barrier rib)을 형성하는 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to the manufacture of plasma display panels (PDPs), and more particularly to a method of forming barrier ribs thereof.
PDP는 기체방전을 화상표시에 이용하는 평판표시소자로서 그 기본적인 구성은 제 1도에 도시된 직류(DC)형 PDP를 통해 쉽게 알 수 있다.The PDP is a flat panel display element that uses gas discharge for image display, and its basic configuration can be easily seen through a direct current (DC) type PDP shown in FIG.
전면 및 배면기판(P1, P2)에는 전극(E1, E2)이 교차대향 배열되고 그 사이에는 방전기체가 충전된다.The front and back substrates P1 and P2 are arranged so that the electrodes E1 and E2 are opposed to each other, and a discharge gas is charged therebetween.
이러한 PDP에서 각 화소는 두 전극(E1, E2)의 교점에 형성되는 바, 이때 양 전극(E1, E2)간의 방전은 하전입자가 충반된 상태에서 일어나게 되므로, 인접화소와의 크로스토오크(cross-talk) 등의 간섭을 피하기 위해 적어도 어느 한 기판(일반적으로 배면기판(P2))상에 격벽(B)을 형성하여 화소간을 격벽(B)으로 구획해주게 된다.In the PDP, each pixel is formed at the intersection of two electrodes E1 and E2. In this case, the discharge between the two electrodes E1 and E2 occurs in a state in which the charged particles are filled, and thus crosstalk with adjacent pixels. In order to avoid interference such as talk, the partition B is formed on at least one substrate (generally, the back substrate P2) to partition the pixels into the partition B.
여기서 격벽(B)의 높이는 두 전극(E1, E2)간의 방전갭(discharge)을 결정하게 되므로, 방전조건에 따라 일정하게 되어 큰 변화를 줄 수 없지만 격벽(B)의 폭은 PDP의 해상도 증가에 따라 점차 좁아질 수 밖에 없다.Since the height of the partition B determines the discharge gap between the two electrodes E1 and E2, the height of the partition B is constant according to the discharge condition and thus cannot be largely changed. However, the width of the partition B is increased depending on the resolution of the PDP. Inevitably, it becomes narrower.
예를 들어 SVGA급의 PDP에 있어서 방전갭, 즉 격벽(B)의 높이는 100~200㎛ 정도인 바, 그 폭은 수십 ㎛에 불과하게 되어 격벽(B)은 폭에 비해 높이가 매우 큰 구조가 된다.For example, in the SVGA class PDP, the discharge gap, that is, the height of the partition wall B is about 100 to 200 μm, and the width thereof is only a few tens of μm, so that the structure of the bulkhead B is very large compared to the width. do.
일반적으로 PDP등 평판표시소자의 기능측은 인쇄방법으로 구성되는 바, 이와 같이 폭에 비해 높이가 큰 격벽(B)은 제 2도 (가)에 도시된 바와 같이 다수의 인쇄층(B1, B2, …, Bn)의 적층인쇄로 구성할 수 밖에 없다.In general, the functional side of a flat panel display device such as a PDP is configured by a printing method. As shown in FIG. It is inevitable that it will consist of laminated printing of…, Bn).
그러나 적층인쇄는 하부인쇄층(B1~Bn)과 정합(align)시켜 반복인쇄하는 어려움이 있을 뿐 아니라 인쇄층(B1~Bn)이 무너져 내림을 방지하기 위해 건조와 소성(燒成)을 반복해야 하므로 제조공수가 매우 커지는 어려움이 있다. 특히 소성은 기판(일반적으로 배면기판 P2)에 열충격을 주지 않게 위해 서열(徐熱) 및 서냉으로 이루어지므로 1회의 소성 수행에는 통상 수시간이 소요되고, 반복적인 소성에 따라 기판(P2)이나 기능층이 변형되거나 열화(劣化)되는 문제가 수반된다.However, laminated printing has difficulty of repeating printing by matching with lower printing layer (B1 ~ Bn), and drying and firing should be repeated to prevent falling of printing layer (B1 ~ Bn). Therefore, the manufacturing labor is very difficult. In particular, since the firing is composed of a sequence and slow cooling so as not to give a thermal shock to the substrate (generally the back substrate P2), a single firing usually takes several hours. The problem is that the layer is deformed or deteriorated.
이러한 문제의 해결을 위해 제 2도 (나)에 도시된 바와 같은 사진식각법(photo lithography)이 제안된 바 있는데, 이는 기판(P2)상에 감광층(L)을 적층한 뒤, 그 상부에 마스크(mask; M)를 위치시켜 선별적 노광후 세척 등으로 현상하여 격벽(B')을 형성하는 방법이다.In order to solve this problem, photo lithography, as shown in FIG. 2 (b), has been proposed. The photosensitive layer L is laminated on the substrate P2, and then, It is a method of forming a partition B 'by placing a mask M and developing by selective post-exposure cleaning.
이는 이론적으로는 그럴듯하지만 격벽(B')이 컨트라스트(contrast) 향상을 위해 흑색안료 등을 혼합하여 흑색의 체색(body color)으로 형성되는 것이 일반적이므로, 이의 감광을 위해서는 고가의 특수 감광물질이 사용되어야 할 뿐 아니라 역시 한번에 격벽(B')을 형성할 수 없어 복수의 감광층을 순차적으로 노광적층하는 과정을 반복해야 하므로 실용상 큰 이점이 없다.In theory, this may be reasonable, but since the bulkhead B 'is generally formed in a black body color by mixing black pigments to improve contrast, an expensive special photosensitive material is used for the photosensitive. In addition, since the barrier rib B 'cannot be formed at a time, the process of sequentially stacking a plurality of photosensitive layers does not have practical advantages.
이에 따라 최근 일부 PDP 제조업체에서 실용화되고 있는 방법이 제 2도 (다)에 도시된 바와 같은 샌드블래스팅(sand blasting)방법인 바, 이는 기판(P2)상에 절연층(B')을 형성한 뒤 그 상부에 마스크(M')를 위치시켜 플라스틱이나 A1등 금속의 그리트(grit)를 분사함으로써 선별적으로 식각해내는 방법이다.Accordingly, a method recently used by some PDP manufacturers is a sand blasting method as shown in FIG. 2 (C), which forms an insulating layer B 'on the substrate P2. It is a method of selectively etching by placing a mask (M ') on the upper part and spraying a grit of metal such as plastic or A1.
그런데 이 샌드블래스팅방법 역시 많은 문제점이 있는 바, 그리트의 충돌 및 식각에 의해 많은 파편이 발생되어 고청정 환경을 요구하는 PDP의 제조에 치명적인 영향을 초래할 뿐 아니라, PDP 패널이 커지면 전체적으로 균일한 식각이 어렵게 된다.However, this sandblasting method also has a lot of problems, such as a lot of debris generated by the collision and etching of the grit not only causes a fatal effect on the production of PDP requiring a high clean environment, but also the overall uniform etching as the PDP panel grows This becomes difficult.
특히 샌드블래스팅은 정규분포에 가까운 확률식각이므로 그 식각 형태가 움푹한 웰(well)형태가 되어 아무리 식각조건을 잘 맞추어 주더라도 그 하부에 위치하는 전극(E2; 제 2도 (다)에는 도시 않됨)이 부분적으로 노출되지 못하거나 식각되어 버리는 문제도 유발하게 된다.In particular, since sand blasting is a probability etching close to a normal distribution, the etching form becomes a well-shaped well, so that even if the etching conditions are well matched, the electrode E2 (Fig. Can not be partially exposed or etched.
이와 같은 종래의 여러가지 방법들의 문제점을 감안하여 본 발명의 목적은 간단하고 저렴하며 주변공정에 영향이 없는 격벽형성방법을 제공하는 것이다.It is an object of the present invention to provide a method for forming a partition wall, which is simple, inexpensive, and does not affect a peripheral process in view of the problems of various conventional methods.
상술한 목적의 달성을 위해 본 발명에 의한 방법은 격벽이 형성될 기판상에 소정 두께의 절연층을 적층한 뒤, 이 절연층을 격벽의 소요형상에 대응하는 캐비티(cavity)가 형성된 성형금형으로 가압하여 격벽을 형성하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the method according to the present invention stacks an insulating layer having a predetermined thickness on a substrate on which a partition is to be formed, and then converts the insulating layer into a mold having a cavity corresponding to a required shape of the partition. Pressing to form a partition wall.
이러한 구성에 의하면 간단한 기계가공에 의해 임의 높이의 격벽을 단번에 형성할 수 있게 된다.According to such a structure, the partition of arbitrary height can be formed at once by simple machining.
본 발명의 한 특징에 의하면 성형금형은 히이터 등의 내장으로 고온상태를 유지하여 가압성형시 절연층을 건조시키게 된다.According to one aspect of the present invention, the molding die is built in a heater to maintain a high temperature so as to dry the insulating layer during press molding.
본 발명의 다른 특징에 의하면 성형금형의 캐비티에 형성된 돌출부의 폭이 횡방향으로 변경가능하도록 구성되어 성형금형의 원활한 이형(離型)을 촉진하게 된다.According to another feature of the present invention, the width of the protruding portion formed in the cavity of the molding die is configured to be changed in the transverse direction to facilitate smooth release of the molding mold.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 한 바람직한 실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
제 3도 (가)에서, 기판(일반적으로 배면기판 P2)상에는 먼저 격벽(B)을 형성할 절연층(B')이 소정두께로 적층된다. 여기서 절연층(B')의 두께는 점선으로 표시된 격벽(B)의 높이 레벨(L)보다 낮으며, 적층된 절연층(B')의 전체부피(면적×두께)는 격벽(B)의 전체부피에 대응하게 된다.In FIG. 3A, an insulating layer B 'for forming the partition B first is laminated on the substrate (generally the back substrate P2) to a predetermined thickness. Here, the thickness of the insulating layer B 'is lower than the height level L of the partition wall B indicated by the dotted line, and the total volume (area × thickness) of the stacked insulating layer B' is the total of the partition wall B. Corresponds to volume.
절연층(B')은 그 페이스트(paste)를 인쇄나 롤코딩(roll coating) 등의 방법으로 기판(P2)상에 적층하게 되는데, 용제가 적절히 건조되어 성형에 적합한 상태가 되면 제 3도 (나)와 같이 절연층(B')의 상부로부터 성형금형(1)을 가압하게 된다.The insulating layer B 'is laminated on the substrate P2 by printing, roll coating, or the like. When the solvent is appropriately dried and suitable for forming, As shown in b), the molding die 1 is pressed from the top of the insulating layer B '.
이 성형금형(1)은 격벽(B)의 형성위치에 캐비티(3)가, 격벽(B)간의 방전공간 위치에 돌출부(2)가 형성되어 있어서, 성형금형(1)을 가압하면 제 3도 (다)와 같이 절연층(B')이 캐비티(3)내로 밀려들어가 격벽(B)을 형성하게 된다.In the molding die 1, the cavity 3 is formed at the position where the partition wall B is formed, and the protrusion 2 is formed at the position of the discharge space between the partition walls B. When the molding mold 1 is pressed, FIG. As shown in (c), the insulating layer B 'is pushed into the cavity 3 to form the partition B. As shown in FIG.
바람직하기로 성형금형(1)은 히이터(4) 등의 가열수단을 내장하여 고온상태를 유지함으로써 성형시 절연층(B')으로 성형된 격벽(B)을 가열하여 건조시키게 된다.Preferably, the molding die 1 has a heating means such as a heater 4 to maintain a high temperature state, thereby heating and drying the partition B formed of the insulating layer B 'during molding.
이에 따라 제 3도 (라)와 같이 성형금형(1)을 기판(P2)으로부터 이형시켜도 격벽(B)은 성형된 상태를 유지하게 된다.As a result, even when the molding mold 1 is released from the substrate P2 as shown in FIG. 3 (D), the partition wall B is maintained in the molded state.
이와 같이 성형된 격벽(B)은 소성로 투입 등으로 가열하면 소결(燒結)되어 일체형의 격벽을 형성하게 된다.The partition wall B thus formed is sintered when heated by a firing furnace or the like to form an integral partition wall.
여기서 성형금형(1)의 돌출부(2) 또는 캐비티(3)의 피치(pitch)와 높이 등은 100㎛ 내외의 매우 정밀한 형상을 가지게 되지만, 이는 레이저 가공으로 쉽게 가공할 수 있는 정도이므로 실용상 전혀 문제가 없으며 특히 PDP의 양산시 종래의 방법에 비해 엄청난 생산성과 제조원가의 차이를 가져오게 된다.Here, the pitch and height of the protruding portion 2 or the cavity 3 of the molding die 1 have a very precise shape of about 100 μm, but this can be easily processed by laser processing. There is no problem and in particular, mass production of PDP brings enormous productivity and manufacturing cost difference compared to the conventional method.
여기서 히이터(4)등 가열수단에 의한 성형금형(1)의 유지온도는 절연층(B')의 건조에 적절한 100~200℃ 정도의 온도로 설정될 수 있는데, 격벽(B)을 형성하는 절연층(B')의 페이스트에는 격벽(B)의 재질, 주로 SiO2가 분말상태로 포함되어 있다.Here, the holding temperature of the mold 1 by the heating means such as the heater 4 may be set to a temperature of about 100 ~ 200 ℃ suitable for drying the insulating layer (B '), the insulation forming the partition (B) The paste of the layer B 'contains the material of the partition B, mainly SiO 2 , in powder form.
SiO2는 그 용융온도가 400~600℃ 정도이지만 분말상태에서는 그 용융온도가 현저히 낮아지므로 건조온도에서 부분적으로 용융되어 절연층(B')이 성형금형(1)에 달라 붙음으로써 격벽(B)의 표면상태가 불량해질 가능성이 있다.SiO 2 has a melting temperature of about 400 to 600 ° C., but in a powder state, since the melting temperature is considerably lowered, it is partially melted at a drying temperature, so that the insulating layer B 'adheres to the molding die 1 so that the partition wall B is formed. There is a possibility that the surface condition of the film becomes poor.
이에 따라 제 4도에는 돌출부(2)가 횡방향으로 개폐될 수 있는 성형금형(1)을 도시하고 있다. 이것은 주로 스트라이프(stripe)형 격벽의 구성에 적절한 것이다.Accordingly, FIG. 4 shows a molding die 1 in which the protrusions 2 can be opened and closed laterally. This is mainly suitable for the configuration of stripe-type partition walls.
제 4도에서, 성형금형(1)의 각 돌출부(2)는 횡방향으로 상대이동 가능한 두 분할체(2a, 2b)로 구성되어 있으며, 복수의 돌출부(2)가 상하로 적층된 지지판(1a, 1b)에 각각 지지되어 있어서, 지지판(1a, 1b)의 상대이동에 따라 복수의 돌출부92)의 분할체(2a, 2b)간의 간격, 즉 캐비티(3)의 폭이 변화되게 되어 있다.In FIG. 4, each of the protrusions 2 of the molding die 1 is composed of two divided parts 2a and 2b which are relatively movable in the lateral direction, and the support plate 1a in which the plurality of protrusions 2 are stacked up and down. , 1b, respectively, so that the distance between the partitions 2a, 2b of the plurality of protrusions 92, that is, the width of the cavity 3, changes with the relative movement of the support plates 1a, 1b.
편의상 도시하지는 않았지만 상측지지판(1a ; 제 4도는 저면사시도이므로 도면상 하측)에 성형금형(1)의 몸체가 되어 히이터(4)등 가열수단을 내장하고 있으며, 상측지지판(1a)에 지지되는 분할체(2a)가 하측지지판(1b ; 도면상 상측)에 형성된 슬롯(slot ; 1c)을 통해 돌출하여 하측지지판(1b)의 분할체(2b)와 함께 돌출부(2)를 구성하게 된다.Although not shown for convenience, the upper support plate (1a; FIG. 4 is a bottom perspective view) is a body of the molding die (1) in the lower part of the drawing, and includes a heating means such as a heater (4), and is divided by the upper support plate (1a). The sieve 2a protrudes through a slot 1c formed in the lower support plate 1b (upper side in the drawing) to form the protrusion 2 together with the divided body 2b of the lower support plate 1b.
이와 같은 성형금형(1)으로 격벽(B)을 성형하는 과정을 제 5도를 통해 살펴보기로 한다.The process of forming the partition wall B into the molding die 1 will be described with reference to FIG. 5.
제 5도 (가)에서, 기판(P2)상에는 절연층(B')이 소정두께로 적층되는데, 그 두께는 격벽(B)의 높이 레벨(L)보다 낮으며, 그 사이의 레벨(L2)은 성형금형(1)의 완전가압시 절연층(B')의 높이가 된다.In FIG. 5A, an insulating layer B 'is laminated on the substrate P2 to a predetermined thickness, the thickness of which is lower than the height level L of the partition B, and the level L2 therebetween. Silver becomes the height of the insulating layer B 'at the time of fully pressing the molding die 1.
다음 제 5도 (나)에서 돌출부(2)의 두 분할체(2a, 2b)를 접촉시킨 상태로 성형금형(1)으로 절연층(B')을 가압한다.Next, in FIG. 5 (b), the insulating layer B 'is pressed by the molding die 1 in a state where the two divided parts 2a and 2b of the protrusion 2 are in contact with each other.
제 5도 (다)와 같이 성형금형(1)이 기판(P2)에 접촉하게 되면 절연층(B')은 (가)의 중간레벨(L2)까지 밀려 올라가게 된다.As shown in FIG. 5 (c), when the molding mold 1 comes into contact with the substrate P2, the insulating layer B ′ is pushed up to the intermediate level L2 of (a).
그러면 제 5도 (라)와 같이 두 지지판(1a, 1b)을 상대이동, 즉 하측지지판(1b)을 정지시킨 상태로 상측지지판(1a)을 도면의 우측으로 이동시키게 된다. 그러면 캐비티(3)의 간격이 좁아져 격벽(B)은 그 높이레벨(L)이 되도록 두 인접돌출부(2)의 분할체(2a, 2b) 사이에서 성형된다.Then, as shown in FIG. 5 (d), the upper support plate 1a is moved to the right side of the drawing while the two support plates 1a and 1b are relatively moved, that is, the lower support plate 1b is stopped. Then, the space | interval of the cavity 3 becomes narrow, and the partition B is shape | molded between the divisions 2a and 2b of the two adjacent protrusions 2 so that it may become the height level L. FIG.
이 상태에서 격벽(B)의 건조가 이뤄지고 나면 제 5도 (마)와 같이 상측지지판(1a)을 다시 도면의 좌측으로 복귀시켜, 제 5도 (바)와 같이 성형금형(1)을 이형시키게 된다.In this state, after the partition B is dried, the upper support plate 1a is returned to the left side of the drawing as shown in FIG. 5 (e) to release the molding die 1 as shown in FIG. do.
이러한 구성에 의하면 돌출부(2)의 표면중 적어도 일면이 격벽(B)으로부터 완전히 분리된 상태로 성형금형(1)이 이형되므로 형성된 격벽(B)의 표면상태가 매우 양호하게 된다.According to this structure, since the molding die 1 is released in a state in which at least one surface of the surface of the protrusion part 2 is completely separated from the partition B, the surface state of the formed partition wall B becomes very favorable.
전술한 바와 같이 제 4도 및 제 5도로 설명된 실시예는 스트라이프형 격벽의 형성에 적합한 것인바, 제 6도의 구성은 스트라이프형 격벽외에도 매트릭스(matrix)형 격벽에도 적용할 수 있는 구성이다.As described above, the embodiments described with reference to FIGS. 4 and 5 are suitable for the formation of stripe-type barrier ribs. The configuration of FIG. 6 is applicable to matrix-type barrier ribs in addition to stripe-type barrier ribs.
제 6도에서, 성형금형(1)은 돌출부(2)가 형성된 지지판(1c)과, 돌기(5)를 구비하여 이에 대해 상하로 상대이동하는 가압판(1d)를 구비한다.In FIG. 6, the molding die 1 includes a supporting plate 1c on which the protrusions 2 are formed, and a pressing plate 1d having projections 5 and relatively moving up and down relative thereto.
지지판(1c)의 돌출부(2)는 절개홈(2c)에 의해 분할되어 콜렛(collet) 형태로 구성되어 그 상측에 가압판(1d)의 돌기(5)보다 작은 크기의 인입홈(6)이 형성되어 있다.The protruding portion 2 of the support plate 1c is divided by the incision groove 2c and is formed in the form of a collet, and an inlet groove 6 having a smaller size than the protrusion 5 of the pressure plate 1d is formed thereon. It is.
이에 따라 가압판(1d)이 지지판(1c)에 대해 하강하여 그 돌기(5)가 인입홈(6)에 진입하면 분할된 돌출부(2)가 점선과 같이 확대되고, 가압판(1d)이 상승하면 다시 실선상태로 탄성복원된다.Accordingly, when the pressure plate 1d is lowered with respect to the support plate 1c and the protrusion 5 enters the inlet groove 6, the divided protrusion 2 is enlarged like a dotted line, and when the pressure plate 1d is raised again, It is elastically restored to a solid state.
이와 같은 제 6도의 구성은 스트라이프형 격벽의 형성시 돌출부(2)의 길이방향에 따라 한 절개홈(2c)을 형성하고, 매트릭스형 격벽의 형성시는 돌출부(2)의 2축방향으로 절개홈(2c)을 형성함으로써 양 방식의 격벽 모두에 적용할 수 있게 된다.The configuration shown in FIG. 6 forms a cutout groove 2c along the longitudinal direction of the protrusion 2 when the stripe-shaped partition wall is formed, and cut-out grooves in the biaxial direction of the protrusion 2 when the matrix partition is formed. By forming (2c), it is possible to apply to both of the partition walls.
이상과 같이 본 발명에 의하면 간단한 기계적작동으로 임의 두께의 격벽(B)을 용이하게 형성할 수 있게 되어, PDP의 제조공수를 현저히 절감시키고 생산성을 향상시키는 탁월한 효과가 있다.According to the present invention as described above it is possible to easily form the partition wall (B) of any thickness by a simple mechanical operation, there is an excellent effect to significantly reduce the manufacturing labor of the PDP and improve the productivity.
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- 1996-11-30 KR KR1019960060126A patent/KR19980040884A/en not_active Application Discontinuation
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