KR19980018599A - 기판상에 형성된 마이크로 장치들을 분리시키는 방법 - Google Patents

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Abstract

단일 기판상에 소정 패턴으로 형성된 복수의 마이크로 장치를 서로 분리시키는 방법이 여기에 개시된다. 각각의 마이크로 장치는 분리 프로세스동안 프로세스 파편으로부터 보호되는 하나이상의 소정 영역을 포함한다. 이 방법은 하나이상의 소정 영역이 덮히도록 수용성 재료로 마이크로 장치를 먼저 코팅하는 단계를 포함한다. 코팅에 이어서, 수용성 재료가 소정 영역을 계속 덮도록 마이크로 장치는 서로 분리된다. 다음, 마이크로 장치와 수용성 재료는 분리 단계동안 프로세스 파편에 의한 소정 영역의 오염이 방지되도록 마이크로 장치를 손상시키지 않고 소정 영역으로부터 수용성 재료를 충분히 제거하는 물에 노출된다.

Description

기판상에 형성된 마이크로 장치들을 분리시키는 방법
본 발명은 일반적으로 장치가 하나의 기판상에 형성될 때 복수의 마이크로 장치 또는 유사한 이러한 장치들을 서로 분리시키는 기술에 관한 것으로, 특히, 각각의 마이크로 장치가 분리 과정동안 프로세스 파편으로부터 보호되는 하나이상의 소정 영역을 포함하는 경우에 복수의 마이크로 장치를 서로 분리시키는 방법에 관한 것이다.
집적 회로의 기술에서, 마이크로 장치의 사용은 점차로 보급되고 있다. 이러한 장치의 우수성은 적어도 부분적으로는, 종래의 접근법과 비교하여, 이러한 장치들은 고도의 기능이 결합된 전체적인 전자 조립물내에 비교적 작은 면적을 차지하고 있다는 것에 기인한다. 그러므로, 마이크로 장치의 사용은 전자 조립물의 소형화에 대한 계속적인 요구를 현저하게 진보시켜왔다.
전체적으로 사용가능한 다양한 마이크로 장치에는 제한이 없으며, 현재 보급된 마이크로 장치의 하나의 형태는 변압기이다. 마이크로 장치로서 현재 사용가능한 변압기의 잘 알려진 형태는 예를 들면, 마이크로폰과 압력 센서를 포함한다. 이러한 장치는 일반적으로 변압기의 주위 외부 환경에 압력 감지막을 노출하는 것을 필요로 한다. 압력 감지막은 비교적 망가지기 쉽기 때문에, 예를 들면 이 압력 감지막은 막이 충격을 떠받치는 것에 의해 초래될 수 있는 손상으로부터 막을 보호하도록 변압기내에 흔히 위치된다. 그러나, 출력 신호를 발생시키기 위해, 이 막은 주위 환경에서 음파 및/또는 압력 변화와 통신해야 한다. 그의 외부 환경과 막의 통신을 유지하는 동시에 막을 보호하는 이러한 두가지 역할은 브리지 구조 또는 다른 이러한 보호소자에 의해 통상적으로 충족된다. 브리지 구조는 흔히 막에 인접한 주변 영역상에서 지지되며 그로부터 간격을 두고 있는 막의 폭에 뻗쳐있다. 막의 반대쪽의 브리지 구조의 구멍뚫린 영역은 외부 음파 또는 압력 변화에 막을 노출시키는데에 사용하는 다수의 개구를 형성하여 소망 출력 신호를 발생시킨다. 이후에 알수 있겠지만, 이러한 개구들은 전형적인 집적 회로 분리 기술에서 문제가 된다.
집적 회로의 제조시 통상적으로 사용되는 것처럼, 마이크로 장치는 실리콘 기판 또는 웨이퍼상의 어레이내에 형성된다. 장치가 형성되면, 이 장치들은 서로 분리되어야 한다. 장치들의 분리는 흔히 기술상 잘 알려진 다이아몬드 코팅된 톱날을 사용하여 성취된다. 톱으로 자르는 과정은 일반적으로 상당한 양의 먼지 및/또는 파편을 만든다. 과거에는, 제조된 집적회로 다이는 이러한 파편에 의해 손상되지 않았으며, 톱으로 자르는 과정의 완료후에 파편은 다이를 단순히 세척함으로써 제거되었다. 그러나, 마이크로 장치의 진보와 함께, 이러한 분리 과정은 특별한 문제를 초래했다. 특히, 톱날 또는 톱날들에 의해 발생된 먼지와 파편은 마이크로 장치의 적합한 기능을 방해하도록 마이크로 장치에 의해 형성된 개구내에 달라붙거나 들어가는 경향이 있다. 본 발명은 프로세스 파편 감지 마이크로 장치 또는 유사한 이러한 장치를 프로세스 파편으로부터 보호하기 위한 복잡하지 않고 신뢰성있는 기술을 제공한다.
도 1 은 본 발명의 분리 프로세스를 사용하여 처리되는 복수의 마이크로 장치가 위에 형성된 기판을 일반적으로 도시한 도식적 부분 평면도.
도 2 는 본 발명의 분리 프로세스의 또다른 세부를 도시한 도 1 의 기판의 도식적 단면 입면도.
도 3 은 마지막 세척 단계에서의 도 2 의 기판으로부터 분리된 마이크로 장치의 도식적 단면 입면도.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
10 : 기판 12 : 마이크로폰
16 : 본딩패드 18 : 전기전도선
20 : 브리지 구조 22 : 실리콘막
23 : 공동 26 : 개구
27 : 마스킹층 28 : 밀폐부
30 : 날 34, 44 : 고속 물 분사구
40 : 홈 42 : 채널
이하에 더 상세히 설명될 것이지만, 하나의 기판상에 소정의 패턴으로 형성되어 있으며, 분리 프로세스동안 프로세스 파편으로부터 보호되는 하나이상의 소정 영역을 각각 포함한 복수의 마이크로 장치를 서로 분리시키는 방법이 여기 설명된다. 이 방법은 하나이상의 소정 영역이 덮히도록 수용성 재료로 마이크로 장치를 먼저 코팅하는 단계를 포함한다. 코팅에 이어서, 마이크로 장치는 수용성 재료가 하나이상의 소정 영역을 계속해서 덮도록 서로 분리된다. 다음으로, 마이크로 장치와 그위의 수용성 재료는 프로세스 파편에 의한 소정 영역의 오염이 분리 단계동안 방지되도록 마이크로 장치를 손상시키지 않고 소정 영역으로부터 수용성 재료를 실제로 제거하는 물에 노출된다.
본 발명의 방법에 따라서, 분리 프로세스를 거치는 기판 (10)을 도시한 도 1 에 주목한다. 기판 (10) 은 콘덴서형 마이크로폰 (12)를 각각 포함한 복수의 마이크로 장치가 위에 형성되어 있다. 마이크로폰 (12) 의 예시적인 사용은 제한하려는 의도가 아니며, 이러한 마이크로폰은 장치가 하기에 설명되는 전체적인 분리 프로세스동안 보호를 필요로 하는 하나이상의 영역을 포함한다면, 본 발명의 기술의 구성내에서 사용하는 넓은 영역의 마이크로 장치를 나타내는 것으로 이해되어야 한다.
도 1 과 관련된 도 2를 참조로, 기판 (10) 은 기판의 하부 표면 (14)을 밀폐시키기 위해 사용하는 안벽 (13) 상에 설치된다. 안벽 (13) 은 예를 들면, 기술상 잘 알려진 마일라와 같은 적당한 재료로부터 형성될 수 있다. 각각의 마이크로폰 (12) 은 도 1 에 도시된 바와 같이, 각각의 개별적인 본딩 패드상에 형성된 전도 범프 (17)를 가진 본딩 패드 (16) 의 배열을 포함한다. 전기 전도선 (18) 의 배열은 본딩 패드 (16)를 간략화를 위해 도시되지 않은 마이크로폰의 다른 내부 소자에 상호접속한다. 각각의 마이크로폰은 또한 얇은 실리콘 막 (22)을 덮는 브리지 구조 (20)을 더 포함한다. 기판 (10) 의 하부 표면 (14)에서, 마이크로 가공된 구멍 (21) 은 각각의 개별적인 막 (22)의 형성시 사용된다. 하부 표면 (14)의 밀폐시, 안벽 (13) 은 구멍 (21)을 또한 밀폐시킨다. 막 (22) 은 특성상 망가지기 쉽다. 그러므로, 브리지 구조는 손상 충격을 받지 않도록 막을 보호한다. 그러나, 막 (22) 은 다른 형태의 손상을 받기 쉽다. 예를 들면, 온도와 같은 환경 조건의 변화는 막을 손상시킬 수 있다. 이러한 손상은 막을 감싸거나 압박하는 것을 포함한다. 브리지 구조 (20) 는 접착제 또는 땜납 (모두 도시되지 않음)을 포함하는 잘 알려진 방식으로 기판 (10) 에 부착되는 주변 에지부 (24) 를 포함한다. 브리지 구조 (20) 와 함께 막 (22) 은 공동 (23)을 형성한다. 막의 정반대에 있는 브리지 구조 (20) 의 부분 (25) 은 개구 (26) 의 어레이를 형성한다. 동작시에, 개구 (26) 는 마이크로폰의 주위 환경에서 음파 및/또는 압력 변화가 막 (22) 상에 부딪히도록 하여 관련된 출력 신호를 발생시킨다. 개구 (26) 는 여러 형태와 크기를 포함하지만, 개구는 통상적으로 원형 개구의 경우 직경이 예를 들면 10 μm 정도로 매우 작다. 그러므로, 이러한 개구는 작은 입자 또는 파편에 의해 쉽게 막힌다. 상기 설명된 바와 같이, 마이크로폰 (12) 의 기능은 막히는 개구의 수에 정비례하여 손상되기 때문에 막히는 것은 피할 수 있다.
도 1 과 도 2 에 이어서, 본 발명의 방법에 따라서, 마이크로폰 (12) 을 포함한 기판 (10) 은 마이크로폰이 층내에 끼워넣어지고 개구 (26) 가 마스킹층 (27) 의 밀폐부 (28) 에 의해 주위 환경으로부터 밀폐되도록 수용성 마스킹 재료의 전체 마스킹층 (27) (도 2 에 가장 잘 나타나 있음) 으로 코팅된다. 형성층 (27) 에서 사용되는 것으로 알려져 있는 하나의 재료는 상표번호 WS-2210 의 Tech Spray, Amarillo, Texas 로부터 사용가능하고, 물에 용해가능하고 자외선 (UV) 광을 사용하여 경화되는 코팅 재료를 기본으로 한 비교적 투명한 아크릴을 포함한다.
층 (27) 의 투명도는 마이크로폰이 층을 통해 보이기 때문에, 분리 프로세스의 이후의 단계들동안 기판의 적당한 색인을 용이하게 하는데에 사용된다. 밀폐부 (28) 의 일부 (29) 는 도 2 에 도시된 바와 같이 재료의 점도와 개구 (26) 의 크기에 따라 마이크로폰 브리지 구조의 개구 (26)를 실제로 지나는 것으로 예상된다. 그러나, 부분 (29) 은 어떤 식으로 막 (22)을 포함하는 마이크로폰에 손상을 입히지 않는다. 사실, 공동 (23) 은 마이크로폰을 손상시키지 않고 마스킹 재료로 완전히 채워질 수 있다. (미도시) 마스킹 층 (27) 은 기판 (10) 상의 다른 영역에도 또한 구멍을 뚫을 수 있다. 그러나, 이러한 층은 방법의 실제 단계에서 쉽게 제거되고, 어떤 경우에는, 이 재료는 이들이 프로세스 오염으로부터 증착되는 영역을 유리하게 보호할 수 있다. 공동이 완전히 채워진 경우에, 모든 부분 (29) 이 제거되는 것을 보장하기 위한 예방책이 강구되어 이후에 바로 설명될 절단 프로세스가 이어진다.
층 (27) 의 적층에 이어서, 층은 저온에서 잘 알려진 방식의 UV 광을 사용하여 경화된다. 이전에 주지된 바와 같이, 막 (22) 은 고온에 의해 초래된 스트레스에 의해 손상될 수 있다. 그러므로, 재료 (27) 는 저온 UV 경화가 사용되는 점이 유리하다. 그후에, 절단 프로세스가 시작되는데, 통상적으로 다이어몬드 코팅되어 있는 날이 마이크로폰들사이의 적합한 지점에서 기판을 절단하는 데에 사용된다. 웨이퍼를 절단하기 위한 종래기술의 다수의 톱이 하기에 적당한 부분에서 더 상세히 설명되는 본 발명에서 사용하기에 적합하다. 간략화를 위해, 본 예는 단지 하나의 날만을 보여준다. 그러나, 이러한 톱은 다수의 날을 사용할 수도 있는 것으로 이해해야 한다. 날 (30) 은 이러한 예시적인 날이 다이어몬드 코팅된 전선을 포함하기 때문에 도 1 의 평면도에서 원형으로 도시되어 있다는 것에 주목해야 한다.
절단 단계가 수행될 때, 기판 (10) 과 날 (30) 은 기판을 통해 진보적으로 절단하기 위해 화살표 (32) 방향으로 날을 사용하도록 서로 적절하게 움직인다. 통상적으로, 기판은 날이 고정된 위치로 유지되는 동안 이동되지만, 기판은 고정되고 날이 이동하거나, 날과 기판이 동시에 이동하는 것이 선택적으로 실행가능하다. 이러한 이동동안, 한쌍의 고속 물 분사구 (34) 가 수용성 층 (27) 이 기판의 절단에 앞서 영역 (38) 내의 기판 (10) 의 표면으로부터 충분히 세척되어 없어지도록 날 (30) 의 바로 앞의 영역 (38)으로 향하는 물을 방출한다. 이러한 방식에 의해, 마스킹 층 (27) 은 절단동안 날을 방해하거나 날에 달라붙지 않는다. 두 개의 물 분사구 (34) 가 본 예에서 도시되었지만, 본 발명에 따라 이러한 분사구는 다수가 사용되는 것으로 이해되어야 한다. 영역 (38) 내에 남아있는 작은 양의 재료 (27) 는 물의 냉각 효과면에서 절단 프로세스에 불리한 영향을 주지 않는 것으로 언급된다. 냉각 과정을 제공하는 것에 더하여, 물 (36) 은 날 (30) 과 기판사이의 윤활제로서 작용한다. 절단 과정동안, 홈 (40) 은 마스킹 층 (27) 이 물의 작용에 의해 진보적으로 제거된 채널 (42) 내의 마이크로장치 12a 와 12b 사이의 기판에 형성된다. 채널 (42) 과 다른 영역내에서 제거되는 수용성 재료층 (27) 의 양은 각각의 마이크로폰의 개구 (26)를 밀폐시키는 층 (27) 의 부분 (28) 이 개구 (26) 의 밀폐를 방해하는 범위까지 제거되지 않아야 하므로 중요한 것으로 언급된다. 또한, 밀폐부 (28) 의 부분적 제거는 이러한 영역이 채널 (42) 에 의해 포함되지 않는 물에 노출될 수 있기 때문에 불가피하다. 기판의 절단은 모든 마이크로폰이 서로 분리될때까지 상기 설명된 방식으로 진행된다.
이제 도 3 으로 돌아가서, 절단 단계에 이어서, 마이크로폰 (12) 은 최종적인 물세척에 노출되어 부분 (28) 과 부분 (29)를 밀폐하는 것을 포함한 층 (27) 의 나머지 부분이 존재하면 제거된다. 이러한 노출은 예를 들면, 기판위에 물 (46)을 분사하는 부가적인 물 분사구 (44)를 사용하여 수행된다. 그후에, 개구 (26) 는 뚫려지고, 본 발명에 따라서, 이러한 개구가 형성되는 영역과 개구들 자체는 분리 프로세스를 통해 프로세스 파편으로부터 보호되었다. 이러한 최종적인 세척 단계는 어떤 종래 기술의 장비가 수행을 위해 현재 구성되어 있는 최종 세척 단계의 확대를 단순히 포함하는 것으로 언급된다. 도 3 에 도시된 분사구 세척 대신에, 최종 세척 단계는 수용성 마스킹층의 완전한 용해가 얻어진다면, 기판의 어떤 다른 임계 영역과 함께 개구 (26) 에 마스킹 재료가 없어지도록, 가열되거나 뜨거운 물의 사용을 포함한 여러 방법으로 수행된다.
수용성 마스킹 재료가 여기서 바람직하지만, 본 발명의 방법은 수용성이 아닌 층 (27) 과 같은 재료의 사용을 고려하는 것으로 이해되어야 한다. 바로 이전에 언급된, 확실히 바람직하지 않으며 덜 유리한 이러한 재료는 제거시 사용된 용제가 장치의 형성시 사용되는 기판상에 존재하는 재료에 적합하다면, 사용가능하다. 대체적인 재료/용제 합성물의 일 예는 예를 들면, 고형의 자당/과당 막과 물을 각각 포함한다. 자당막 또는 과당막은 예를 들면, 자당, 물 및, 고속 웨이퍼 스킨 트랙상의 이소프로필 알콜과 같은 적당한 증발성 캐리어의 포화상태의 아지오트로픽 혼합물 (azeotropic mixture) 을 조제함으로서 생성될 수 있다.
수용성 마스킹층을 사용하는 것의 부수적인 이점은 상기 설명된 최종 세척 단계에 더하여, 다른 프로세스 단계와 일반적으로 비교하여, 이전에 언급된 바와 같이, 특정 폐기물 처리 과정 및/또는 장비의 필요성을 없애는 것을 포함한다. 예를 들면, 최종 세척에 이어서, 건조 단계가 흔히 수행된다. 재료 (27) 가 수용성이기 때문에, 분리된 마이크로 장치로부터 물을 건조시키는 것은 문제성있는 증기를 일반적으로 방출시키지 않기 때문에 기존의 과정과 장비를 거의 수정하지 않고 먼저 수행된다. 대조적으로, 예를 들면, 포토레지스트를 기준으로 한 PGMEA (프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트) 로부터 형성된 마스킹층으로 대용적으로 사용될 수 있는 아세톤과 같은 어떤 용제는 건조 단계동안 증기 방출의 강한 제어를 필요로 한다.
본 발명은 본 발명의 이론과 범위에서 벗어나지 않은 많은 다른 특정 형태로 구현되는 것으로 이해되어야 한다. 예를 들면, 수용성이 아닌 마스킹 재료가 사용되거나, 마스킹 재료는 그의 보호가 요구되는 영역에 단독으로 적용될 수 있다. 그러므로, 본 예와 방법은 예시적인 것으로서, 제한적인 것은 아니며, 본 발명은 여기 주어진 세부사향에 제한되는 것이 아니며, 첨부된 청구항의 범위내에서 변경될 수 있다.
상기 설명된 바와 같이, 수용성 마스킹층을 사용하는 것의 이점은 최종 세척 단계시 톱날에 의해 발생된 먼지와 파편이 마이크로 장치의 적합한 기능을 방해하도록 마이크로 장치에 의해 형성된 개구내에 달라붙거나 들어가는 것을 방지하며,이에 더하여, 다른 프로세스 단계와 일반적으로 비교하여, 이전에 언급된 바와 같이, 특정 폐기물 처리 과정 및/또는 장비의 필요성을 없앤다.

Claims (15)

  1. 분리 프로세스동안 프로세스 파편으로부터 보호되는 하나이상의 소정 영역을 각각 포함하며 단일 기판상에 소정 패턴으로 형성된 복수의 마이크로 장치를 분리하는 방법에 있어서,
    (a) 적어도 상기 소정 영역이 덮히도록 수용성 재료로 상기 마이크로 장치를 코팅하는 단계와,
    (b) 상기 수용성 재료가 상기 분리 단계동안 상기 영역을 계속해서 덮도록 마이크로 장치들을 서로 분리시키는 단계와,
    (c) 상기 분리 단계동안 상기 프로세스 파편에 의한 소정 영역의 오염이 방지되도록 마이크로 장치를 손상시키지 않고 수용성 재료를 소정 영역으로부터 충분히 제거하는 물에 마이크로 장치와 그위의 수용성 재료를 노출시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 마이크로 장치는 상기 수용성 재료로된 층으로 상기 층내에 마이크로 장치를 충분히 끼우는 깊이만큼 코팅되는 것을 특징으로 하는 방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 수용성 재료가 마이크로 장치에 코팅되고 나서, 장치들을 서로 분리시키기 전에, 상기 수용성 재료를 경화하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 수용성 재료는 자외선 광을 사용하여 경화되는 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 제 3 항에 있어서, 상기 수용성 재료는 상기 마이크로 장치를 손상시키지 않는 온도로 경화되는 것을 특징으로 하는 방법.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 수용성 재료는 상기 하부 마이크로 장치가 코팅 단계후에 보이게 남아있도록 충분히 투명한 것을 특징으로 하는 방법.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 분리 단계는 상기 프로세스 파편을 생성하는 하나이상의 날을 가진 톱을 사용하여 상기 기판을 절단하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 절단 단계는 수용성 재료가 날을 막거나 날에 달라붙지 못하도록 상기 영역내의 기판의 절단전과 절단중에 상기 날과 상기 날의 바로 앞의 상기 수용성 재료의 영역을 물에 노출시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 날과 상기 영역은 상기 날이 상기 영역을 통과하는 것에 앞서 상기 영역으로부터 수용성 재료를 충분히 제거하도록 물에 노출되는 것을 특징으로 하는 방법.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 영역은 하나이상의 고속 물 분사구에 노출되는 것을 특징으로 하는 방법.
  11. 제 1 항에 있어서, 상기 마이크로 장치는 상기 소정 영역내에 하나이상의 개구를 형성하고, 이 개구가 상기 프로세스 파편에 의해 오염되지 않도록 상기 분리 단계동안 상기 코팅은 상기 개구를 막는 것을 특징으로 하는 방법.
  12. 분리 프로세스동안 프로세스 파편으로부터 보호되는 하나이상의 개구를 각각 형성하며 단일 기판상에 소정 패턴으로 형성된 복수의 마이크로 장치를 분리하는 방법에 있어서,
    (a) 하나이상의 상기 개구가 밀폐되고 하부의 마이크로 장치는 상기 층을 통해 충분히 보이게 남아있도록 수용성 재료로 된 층내에 상기 마이크로 장치를 끼우는 단계와,
    (b) 상기 수용성 재료층을 마이크로 장치를 손상시키지 않는 온도로 경화하는 단계와,
    (c) 수용성 재료가 톱날에 달라붙지 않고 상기 수용성 재료층이 상기 프로세스 파편에 대응하여 상기 개구를 계속해서 밀폐하도록, 상기 프로세스 파편을 생성하는 하나이상의 톱날을 사용하여 상기 기판을 절단함으로써 마이크로 장치를 서로 분리시키는 단계 및,
    (d) 상기 분리 단계동안 상기 프로세스 파편에 의해 개구가 오염되지 않도록, 마이크로 장치를 손상시키지 않고 상기 개구로부터 수용성 재료를 충분히 제거하기 위해 마이크로 장치와 그위의 마스킹 재료를 물에 노출시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  13. 제 12 항에 있어서, 상기 날과 상기 날의 바로 앞의 상기 수용성 재료의 영역은 수용성 재료가 날을 막거나 날에 달라붙는 것을 방지하기 위해 상기 영역내의 기판을 절단하기 전과 절단중에 물에 노출되는 것을 특징으로 하는 방법.
  14. 제 13 항에 있어서, 상기 날과 상기 영역은 상기 날이 상기 영역을 관통하기 전에 상기 영역으로부터 수용성 재료를 충분히 제거하도록 물에 노출되는 것을 특징으로 하는 방법.
  15. 제 9 항에 있어서, 상기 영역은 하나이상의 고속 물 분사구에 노출되는 것을 특징으로 하는 방법.
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Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6935002B1 (en) * 1997-10-13 2005-08-30 Murata Manufacturing Co., Ltd. Method of manufacturing a nonreciprocal circuit device
JP3783404B2 (ja) 1998-04-24 2006-06-07 ミツミ電機株式会社 プリント基板の製造方法
JPH11316928A (ja) * 1998-05-06 1999-11-16 Tdk Corp スライダの製造方法および装置
KR100382065B1 (ko) * 1998-07-29 2003-07-18 삼성에스디아이 주식회사 리튬2차전지
DE19849586C1 (de) * 1998-10-27 2000-05-11 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zum Herstellen dreidimensionaler Schaltungen
JP3485816B2 (ja) * 1998-12-09 2004-01-13 太陽誘電株式会社 ダイシング装置
US6182342B1 (en) 1999-04-02 2001-02-06 Andersen Laboratories, Inc. Method of encapsulating a saw device
US6288411B1 (en) * 1999-09-15 2001-09-11 Advanced Micro Devices, Inc. Defect collecting structures for photolithography
DE69933380T2 (de) 1999-12-15 2007-08-02 Asulab S.A. Verfahren zum hermetischen Einkapseln von Mikrosystemen vor Ort
US6420206B1 (en) 2001-01-30 2002-07-16 Axsun Technologies, Inc. Optical membrane singulation process utilizing backside and frontside protective coating during die saw
US6580153B1 (en) 2001-03-14 2003-06-17 Amkor Technology, Inc. Structure for protecting a micromachine with a cavity in a UV tape
US6745449B2 (en) * 2001-11-06 2004-06-08 Raytheon Company Method and apparatus for making a lid with an optically transmissive window
KR100439511B1 (ko) * 2002-07-05 2004-07-09 삼성전기주식회사 마이크로 전기 기계 구조 칩의 다이싱 방법
US6582983B1 (en) * 2002-07-12 2003-06-24 Keteca Singapore Singapore Method and wafer for maintaining ultra clean bonding pads on a wafer
DE60323758D1 (de) * 2002-08-05 2008-11-06 Nxp Bv Verfahren zur herstellung einer verpackten halbleitervorrichtung, mit solch einem verfahren erhaltene verpackte halbleitervorrichtung und zur verwendung in solch einem verfahren geeigneter metallträger
TWI228245B (en) * 2003-10-17 2005-02-21 Au Optronics Corp System for integrating a circuit on an isolation layer and method thereof
NL1030004C2 (nl) * 2005-09-21 2007-03-22 Fico Singulation B V Inrichting en werkwijze voor het separeren van elektronische componenten.
US7572168B1 (en) * 2006-04-13 2009-08-11 Utac Thai Limited Method and apparatus for high speed singulation
US8875537B1 (en) 2007-02-14 2014-11-04 Utac Thai Limited Method of and system for cooling a singulation process
US8449356B1 (en) 2007-11-14 2013-05-28 Utac Thai Limited High pressure cooling nozzle for semiconductor package
CN101758420B (zh) * 2008-12-08 2016-04-20 香港科技大学 一种提供冷却的***、装置及方法
US9349679B2 (en) 2010-08-31 2016-05-24 Utac Thai Limited Singulation method for semiconductor package with plating on side of connectors
CN111298853B (zh) * 2020-02-27 2021-08-10 西人马联合测控（泉州）科技有限公司 芯片的切割成型方法以及晶圆

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2851764A (en) * 1952-10-24 1958-09-16 Standard Oil Co Method for cooling and lubricating cutting tools
US2818696A (en) * 1953-09-16 1958-01-07 Gulf Research Development Co Application of cutting fluids in grinding operations
US3699644A (en) * 1971-01-04 1972-10-24 Sylvania Electric Prod Method of dividing wafers
JPS6112373B2 (ko) * 1974-09-04 1986-04-08 Hitachi Ltd
US4612211A (en) * 1983-12-20 1986-09-16 Rca Corporation Selective semiconductor coating and protective mask therefor
JPH0548059A (ja) * 1991-08-09 1993-02-26 Nec Corp 固体撮像装置の製造方法
US5362681A (en) * 1992-07-22 1994-11-08 Anaglog Devices, Inc. Method for separating circuit dies from a wafer
US5306370A (en) * 1992-11-02 1994-04-26 Xerox Corporation Method of reducing chipping and contamination of reservoirs and channels in thermal ink printheads during dicing by vacuum impregnation with protective filler material
US5393706A (en) * 1993-01-07 1995-02-28 Texas Instruments Incorporated Integrated partial sawing process
CA2115947A1 (en) * 1993-03-03 1994-09-04 Gregory C. Smith Wafer-like processing after sawing dmds
JPH06302690A (ja) * 1993-04-13 1994-10-28 Yamatake Honeywell Co Ltd 基板の分割方法
JPH07111254A (ja) * 1993-10-12 1995-04-25 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体装置の製造方法
US5516728A (en) * 1994-03-31 1996-05-14 At&T Corp. Process for fabircating an integrated circuit
US5461008A (en) * 1994-05-26 1995-10-24 Delco Electronics Corporatinon Method of preventing aluminum bond pad corrosion during dicing of integrated circuit wafers

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DE19735041C2 (de) 1999-12-30

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