KR102642425B1 - 적색 형광체 및 발광 장치 - Google Patents

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Abstract

주 결정상이 CaAlSiN3과 동일한 결정 구조를 갖고, Ca 원소의 일부가 Eu 원소로 치환되어 있는 형광체이며, 레이저 회절 산란법으로 측정한 메디안 직경 d50이 12.0㎛ 이상 22.0㎛ 이하, BET법으로 측정한 비표면적이 1.50㎡/g 이상 10.00㎡/g 이하인 형광체.

Description

적색 형광체 및 발광 장치
본 발명은 LED(Light Emitting Diode) 또는 LD(Laser Diode)용의 적색 형광체, 및 이 적색 형광체를 사용한 발광 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는 휘도가 높은 적색 형광체, 그리고 당해 적색 형광체를 사용하는 것에 의한 휘도가 우수한 발광 장치에 관한 것이다.
백색 LED는 반도체 발광 소자와 형광체의 조합에 의해 의사(疑似) 백색광을 발광하는 디바이스이고, 그의 대표적인 예로서 청색 LED와 YAG 황색 형광체의 조합이 알려져 있다. 그러나, 이 방식의 백색 LED는 그의 색도 좌표값으로서는 백색 영역에 들어가지만, 적색 발광 성분이 부족하기 때문에 조명 용도에서는 연색성이 낮고, 액정 백라이트와 같은 화상 표시 장치에서는 색 재현성이 나쁘다는 문제가 있다. 그래서 부족한 적색 발광 성분을 보충하기 위해서, YAG 형광체와 함께 적색을 발광하는 질화물 또는 산질화물 형광체를 병용하는 것이 제안되어 있다(특허문헌 1).
적색을 발광하는 질화물 형광체로서, CaAlSiN3(일반적으로 CASN이라고도 기재된다)과 동일한 결정 구조를 갖는 무기 화합물을 모체 결정으로 하고, 이것에 예를 들어 Eu2+ 등의 광학 활성인 원소로 활성화한 것이 알려져 있다. 특허문헌 2에는, CASN의 모체 결정에 Eu2+를 활성화하여 형광체로 한 것(즉 Eu 활성화 CASN 형광체)이 고휘도로 발광한다고 기재되어 있다. CASN 형광체의 발광색은, 적색 영역에서도 보다 긴 파장측의 스펙트럼 성분을 많이 포함하기 때문에 높고 깊이가 있는 연색성을 실현할 수 있는 반면, 시감도가 낮은 스펙트럼 성분도 많아지기 때문에, 백색 LED용으로서는 보다 한층의 휘도 향상이 요구되고 있다.
또한 특허문헌 2에는, 상기 CaAlSiN3의 Ca의 일부를 Sr로 더 치환한 (Sr, Ca)AlSiN3이라고도 기재되는 모체 결정(일반적으로 SCASN이라고도 기재된다)에, Eu2+를 활성화한 형광체(즉 Eu 활성화 SCASN 형광체)가 얻어지는 것이 기재되어 있다.
특허문헌 3에는, SCASN 형광체, CASN 형광체에 있어서 비표면적을 규정하여 내습성을 향상시켜 고온 고습 상태에서의 발광 불량을 억제시키고 있지만, 고휘도의 적색 형광체를 얻기 위해서는 불충분하였다.
특허문헌 4에는, 원료를 특정한 구성으로 함으로써, 특정한 범위의 입자 직경으로 제어하여 고휘도의 CASN 형광체가 얻어지는 것이 기재되어 있다.
일본 특허 공개 제2004-071726호 공보 국제 공개 제2005/052087호 일본 특허 공개 제2015-203096호 공보 일본 특허 공개 제2017-043761호 공보
반도체 발광 소자와 형광체의 조합으로 백색광을 발광하는 백색 LED에 있어서 고연색성화, 고휘도화가 요구되고 있다. 이 때문에, 적색 형광체의 CASN 형광체에 있어서도 종래보다 고휘도의 형광체가 요구되고 있지만, 상술한 특허문헌 1 내지 4에 기재된 형광체에서는 실제로는 불충분하였다.
본 발명자들은 상기 과제를 해결하도록 예의 검토한 결과, CASN 형광체의 레이저 회절 산란법으로 측정한 메디안 직경 d50과 BET법으로 측정한 비표면적을 특정한 범위로 제어하면, 종래 기술에 관한 형광체보다 고휘도가 얻어지는 것을 발견하고 본 발명에 이른 것이다.
즉, 본 발명은 이하를 제공할 수 있다.
(1) 주 결정상이 CaAlSiN3과 동일한 결정 구조를 갖고, Ca 원소의 일부가 Eu 원소로 치환되어 있는 형광체이며, 레이저 회절 산란법으로 측정한 메디안 직경 d50이 12.0㎛ 이상 22.0㎛ 이하, BET법으로 측정한 비표면적이 1.50㎡/g 이상 10.00㎡/g 이하인 형광체.
(2) 산소 함유량이 1.00질량％ 이상 3.50질량％ 이하인 (1)에 기재된 형광체.
(3) 455nm의 파장의 광으로 여기했을 때의 발광 피크 파장이 645nm 이상 680nm 이하이고, 발광색의 CIE 색도 좌표의 x값이 0.662 이상 0.710 이하, y값이 0.290 이상 0.328 이하인 (1) 내지 (2)에 기재된 형광체.
(4) (1) 내지 (3)에 기재된 형광체와, 발광 소자를 갖는 발광 장치.
본 발명에 따르면 휘도가 우수한 적색 형광체를 제공할 수 있고, 또한 고휘도의 발광 장치와, 발광 장치를 수납하는 기구를 갖는 발광 기기를 제공할 수 있다. 본 발명을 적용할 수 있는 발광 기기의 예로서는, 조명 장치, 백라이트 장치, 화상 표시 장치 및 신호 장치 등을 들 수 있다.
도 1은, 본 발명의 실시 형태에 관한 실시예 1에서 얻어진 형광체의 현미경 사진이다.
도 2는, 비교예 1에서 얻어진 형광체의 현미경 사진이다.
이하, 본 발명을 실시하기 위한 형태에 대해서 상세하게 설명한다.
본 발명의 형광체는 주 결정상이 CaAlSiN3 결정상과 동일한 구조를 갖는다. 형광체의 주 결정상이 CaAlSiN3 결정과 동일한 구조인지 아닌지는 분말 X선 회절에 의해 확인할 수 있다. 결정 구조가 CaAlSiN3과 다른 경우, 발광색이 적색이 아니게 되거나, 형광 강도가 크게 저하되거나 하므로 바람직하지 않다. 결정상은 상기 결정의 단상(單相)이 바람직하지만, 형광체 특성에 큰 영향이 없는 한 이상(異相)을 포함하고 있어도 상관없다.
CaAlSiN3 결정의 골격 구조는 (Si, Al)-N4 정사면체가 결합함으로써 구성되고, 그의 간극에 Ca 원자가 위치한 것이다. Ca2+의 일부가 발광 중심으로서 작용하는 Eu2+로 치환됨으로써 적색 형광체가 된다.
본 발명의 형광체의 활성화 원소인 Eu 함유율은 너무 적으면 발광에 대한 기여가 작아지는 경향이 있고, 너무 많으면 Eu2+ 사이의 에너지 전달에 의한 형광체의 농도 소광이 일어나는 경향에 있기 때문에, 바람직하게는 0.01at％ 이상 1.0at％ 이하, 특히 바람직하게는 0.03at％ 이상 0.5at％ 이하이다.
또한, 본 발명의 형광체에는 불가피 성분으로서 미량의 산소(O)가 포함된다. 그리고 M 원소의 점유율, Si/Al비, N/O 등이 결정 구조를 유지하면서 전체로서 전기적 중성이 유지되도록 조정된다.
본 발명의 형광체에 있어서의 평균 입자 직경은 너무 작으면 형광 강도가 낮아지는 경향이 있고, 너무 크면 LED의 발광면으로 형광체를 탑재했을 때의 발광색의 색도에 변동이 발생하거나, 발광색의 색 불균일이 발생하거나 하는 경향이 있기 때문에 12.0㎛ 이상 22.0㎛ 이하인 것이 필요하고, 13.0㎛ 이상이나 21.0㎛ 이하인 것이 바람직하다. 또한, 본 명세서에 있어서 평균 입자 직경이란, JIS R1622:1995 및 R1629:1997에 준하여 레이저 회절 산란법으로 측정한 메디안 직경 d50을 가리킨다.
본 발명의 형광체는 주 결정상이 CaAlSiN3 결정상인 것이 바람직하고, 형광체의 표면에 형광체의 모체 결정과는 다른 화학 조성을 포함하는 층(이하, 표면층)을 갖고 있는 것이 바람직하다. 일반적으로, 질화물은 대기 중에 폭로하면 표면에 산화막(자연 산화막)이 생성되는 것이 알려져 있다.
본 발명의 형광체는 자연 산화막과는 다른 성질을 갖는 층, 표면층을 형성함으로써 표면 결함을 저감시키거나, 또는 CaAlSiN3 결정상과 표면층의 굴절률의 차이에 의해 광의 취출 효율을 높게 할 수 있어 발광 효율이 높은 형광체를 얻을 수 있다. 표면층을 형성함으로써 평균 입자 직경에 대하여 비표면적이 커지는데, 비표면적은 1.50㎡/g 이상 10.00㎡/g 이하인 것이 필요하고, 2.00㎡/g 이상이거나, 7.50㎡/g 이상이거나 하는 것이 바람직하다. 본 명세서에 있어서 비표면적은 BET법으로 측정된다. 구체적으로는 비표면적 측정 장치(마운테크사제 Macsorb HM-1201형)를 사용하여, JIS Z8830:2013 가스 흡착에 의한 분체(고체)의 비표면적 측정에 준거하여 형광체의 비표면적을 측정한다.
표면층은 산소를 포함하는 조성인 산화막이나 수산화막이 바람직하고, 표면층을 포함하는 형광체의 산소 함유량이 1.00질량％ 이상 3.50질량％ 이하인 것이 바람직하고, 특히 바람직하게는 1.30질량％ 이상 3.00％ 이하이다. 형광체의 산소 함유량이 너무 적으면 충분한 두께의 표면층을 형성할 수 없고, 너무 많으면 표면층이 두꺼워져 발광 효율이 저하되는 요인이 된다.
본 발명의 형광체는 고연색성이며 고휘도인 적색 형광체이다. 파장 250nm 이상 550nm 이하의 범위에 피크를 갖는 광으로 여기했을 때(특히 455nm의 광으로 여기했을 때)의 발광 피크 파장(λp)이 너무 짧으면 연색성이 낮아지고, 너무 길면 암적색을 띠므로 645nm 이상 680nm 이하가 바람직하다.
형광체의 발광색은 CIE 색도 좌표의 하나인 XYZ 표색계의 x값과 y값으로 표현할 수 있다. 본 발명의 형광체의 CIE 색도 좌표의 x값이 0.662 이상 0.710 이하, y값이 0.290 이상 0.328 이하가 바람직하다. 또한 형광체의 CIE 색도 좌표의 x값과 y값은, 465nm부터 780nm의 범위에 있어서의 발광 스펙트럼으로부터 JIS Z8724:1997에 준하여 계산함으로써 산출할 수 있다.
본 발명의 형광체 제조 방법은 종래의 CaAlSiN3 형광체와 마찬가지의 제조 방법을 사용할 수 있다. 여기에서는, 상기 일반식으로 표시되는 조성물을 구성할 수 있는 원료 혼합 분말을 질소 분위기 중에 있어서 소정의 온도 범위에서 소성하는 방법을 예시한다.
이 제조 방법에서는 원료로서 구성 원소의 질화물, 즉 질화칼슘, 질화규소, 질화알루미늄, 질화유로퓸이 적합하게 사용되지만, 산화물을 사용하는 것도 가능하다. 예를 들어, 발광 중심으로서 작용하는 점에서 첨가량이 매우 적은 유로퓸원으로서, 입수가 용이한 산화유로퓸을 사용해도 상관없다.
상술한 원료를 혼합하는 방법은 특별히 한정되지 않지만, 공기 중의 수분 및 산소와 격렬하게 반응하는 질화칼슘, 질화유로퓸은 불활성 분위기로 치환된 글로브 박스 내에서 취급하는 것이 적절하다.
소성 용기는 고온의 질소 분위기 하에서 안정하며, 원료 혼합 분말 및 그의 반응 생성물과 반응하기 어려운 재질로 구성되는 것이 바람직하고, 질화붕소제, 고융점 금속 용기, 카본제 등을 들 수 있다.
글로브 박스로부터, 원료 혼합 분말을 충전한 소성 용기를 취출하고, 빠르게 소성로에 세팅하고, 질소 분위기 중, 1600℃ 이상 2000℃ 이하에서 소성한다. 소성 온도가 너무 낮으면 미반응 잔존량이 많아지고, 너무 높으면 CaAlSiN3과 동일 결정 구조의 주상(主相)이 분해되므로 바람직하지 않다.
소성 시간은 미반응물이 많이 존재하거나, 입성장 부족이거나, 혹은 생산성의 저하라고 하는 문제가 발생하지 않는 시간 범위가 선택되고, 2시간 이상 24시간 이하인 것이 바람직하다.
소성 분위기의 압력은 소성 온도에 따라서 선택된다. 본 발명의 형광체는 약 1800℃까지의 온도에서는 대기압에서 안정하게 존재할 수 있지만, 이것 이상의 온도에서는 형광체의 분해를 억제하기 위하여 가압 분위기로 할 필요가 있다. 분위기 압력이 높을수록 형광체의 분해 온도는 높아지지만, 공업적 생산성을 고려하면 1MPa 미만으로 하는 것이 바람직하다.
소성물의 상태는 원료 배합이나 소성 조건에 의해, 분체상, 괴상, 소결체로 다양하다. 형광체로서 사용하는 경우에는, 해쇄, 분쇄 및/또는 분급 조작을 조합하여 소성물을 소정 크기의 분말로 한다.
형광체의 제조 방법에 있어서는, 분쇄 공정 후에 산 처리 공정을 마련하는 것이 바람직하다. 산 처리 공정에서 사용하는 수용액은 염산, 포름산, 아세트산, 황산, 질산의 1종 이상의 산의 수용액인 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 염산만의 수용액이다. 산 처리 공정은, 상기 기재된 산 수용액에 분쇄 공정 후의 형광체를 분산시키고, 수분 내지 수시간 교반하여 반응시키고, 그 후 자비 처리로서 비등할 때까지 가온하고, 비등 상태를 수분 내지 수시간 교반하면서 유지하고, 그 후 수세하는 공정이다. 산 처리에 의해 소성 용기 유래의 불순물 원소, 소성 공정에서 발생한 이상, 원료에 포함되는 불순물 원소, 분쇄 공정에서 혼입된 불순물 원소를 용해 제거할 수 있고, 또한 자비시킴으로써 형광체에 표면층을 형성시킬 수 있다. 또한 공정을 간략화하기 위해서, 상기 산 처리 공정과 자비 처리 공정을 동시에 행하여도 된다.
표면층 형성의 제어는, 형광체의 제조 방법에 있어서의 산 자비 처리 공정 시의 산 용액의 농도와 온도를 변경함으로써 대응할 수 있다. 산 자비 처리 공정 시의 산 용액의 농도를 높게 하거나, 또는 산 용액의 온도를 높임으로써 표면층을 두껍게 형성할 수 있다.
본 발명의 형광체의 제조 방법에 있어서, 산 자비 처리 공정 시의 산 용액의 농도는 0.5mol/l 이상 2.5mol/l 이하가 바람직하고, 온도는 45℃ 이상 100℃ 이하가 바람직하다.
본 발명의 형광체는 발광 광원과 형광체로 구성되는 발광 장치에 사용할 수 있다. 특히, 350nm 이상 500nm 이하의 파장을 함유하는 자외광이나 가시광을 여기원으로서 조사함으로써 파장 650nm 근방에 형광 피크가 있는 발광 특성을 갖기 때문에, 자외 LED 또는 청색 LED와 같은 발광 광원과 조합함으로써, 혹은 필요에 따라서 녹색 내지 황색 형광체 및/또는 청색 형광체와 더 조합함으로써, 용이하게 백색광이 얻어진다.
실시예
본 발명의 실시예를 표 1을 참조하면서 상세하게 설명한다. 표 1은 실시예 및 비교예의 형광체의 평균 입자 직경, 비표면적, 산소 함유량 및 발광 특성을 나타낸 것이다.
Figure 112020136027634-pct00001
(실시예 1)
실시예 1의 형광체의 원료로서, α형 질화규소 분말(Si3N4, 우베 고산 가부시키가이샤제 SN-E10 그레이드), 질화칼슘 분말(Ca3N2, Materion사제), 질화알루미늄 분말(AlN, 도꾸야마 가부시키가이샤제 E 그레이드), 산화유로퓸(Eu2O3, 신에쯔 가가꾸 고교 가부시키가이샤제 RU 그레이드)을 Ca:Eu:Al:Si=0.994:0.006:1.00:1.00이 되는 비율로 사용하였다.
먼저 원료 중, Si3N4, AlN, Eu2O3을 V형 혼합기로 10분간 건식 혼합하였다. 혼합 후의 원료의 크기를 고르게 하기 위해서, 혼합 후의 원료를 눈 크기 250㎛의 나일론제 체로 분급하여 원료 혼합물로 하였다.
체를 통과한 원료 혼합물을, 수분 1질량ppm 이하, 산소 1질량ppm 이하의 질소 분위기를 유지할 수 있는 글로브 박스 내로 이동시키고, 거기에서 Ca3N2를 원료 혼합물에 배합하고, 건식 혼합하였다. 건식으로 혼합한 원료의 크기를 고르게 하기 위해서, 다시 눈 크기 250㎛의 나일론제 체로 분급하였다. 분급 후의 원료를 덮개를 갖는 원통형 질화붕소제 용기(덴카 가부시키가이샤제 N-1 그레이드)에 250g 충전하였다.
원료를 충전한 용기를 글로브 박스로부터 취출하고, 카본 히터의 전기로에 빠르게 세팅하고, 로 내를 0.1Pa 이하까지 충분히 진공 배기하였다. 진공 배기한 채 가열을 개시하고, 650℃에서 질소 가스를 도입하고, 로 내 분위기 압력을 0.1MPa로 하였다. 가스 도입 후에도 그대로 1850℃까지 승온하고, 1850℃에서 8시간의 소성을 행하였다.
냉각 후, 로로부터 회수한 시료는 적색의 괴상물이고, 유발 해쇄를 행하고, 최종적으로 눈 크기 75㎛의 체를 모두 통과시켰다.
얻어진 형광체 샘플에 대하여 X선 회절 장치(가부시키가이샤 리가쿠제 UltimaIV)를 사용하여, CuKα선을 사용한 분말 X선 회절을 행하였다. 얻어진 X선 회절 패턴은 CaAlSiN3 결정과 동일한 회절 패턴이 인정되었다.
체를 통과한 것을 1.0mol/l의 농도, 80℃의 염산 용액에 투입하고, 염산 슬러리를 교반하면서 1시간 자비 처리를 행하였다. 자비 처리 후, 실온까지 냉각한 후, 여과를 행하여 형광체와 산 처리액을 분리하였다. 형광체는 100℃ 내지 120℃의 건조기 내에서 12시간 건조하고, 건조 후 눈 크기 75㎛의 체로 분급하고, 체를 통과한 것만으로 하였다.
<평균 입자 직경의 측정 방법>
평균 입자 직경은 입도 분포 측정 장치(마이크로트랙·벨 가부시키가이샤제 마이크로트랙 MT3000II)를 사용하여, 레이저 회절·산란법에 의해 측정을 행하였다.
<비표면적의 측정 방법>
비표면적은 비표면적 측정 장치(마운테크사제 Macsorb HM-1201형)를 사용하여, JIS Z 8830:2013 가스 흡착에 의한 분체(고체)의 비표면적 측정에 준거하여 행하였다. 측정 시료는, 미리 0.30MPa에서의 질소 가스 플로우 중, 300℃, 20분의 탈기 처리 후, 4.0g 샘플링한 것으로 하였다.
<산소 함유량의 측정 방법>
산소 함유량은 산소 질소 분석 장치(호리바 세이사꾸쇼제, EMGA-920)를 사용하여 측정하였다. 측정은, 샘플을 흑연 도가니에 넣고, 280℃(융해 전압 0.5KW)에서 표면 흡착물을 제거하고, 그 후 2400℃(융해 전압 5.5KW)까지 승온하고, 미리 빈 흑연 도가니에서 동일한 조건에서 처리한 백그라운드의 측정값을 차감하여 산소량을 얻었다.
<발광 피크 파장과 색도 좌표와 발광 피크 강도의 측정 방법>
로다민 B와 부 표준 광원에 의해 보정을 행한 분광 형광 광도계(히타치 하이테크놀러지즈사제, F-7000)를 사용하여 형광 측정을 행하였다. 측정에는, 광도계에 부속된 고체 시료 홀더를 사용하여, 여기 파장 455nm에서의 발광 스펙트럼을 구하였다. 얻어진 발광 스펙트럼으로부터 구한 발광 피크 파장은 652nm였다. 또한 발광 스펙트럼에 있어서, 465nm부터 780nm의 범위의 발광 스펙트럼으로부터 JIS Z8724:1997에 준하여, JIS Z8701:1999로 규정되는 XYZ 표색계에 있어서의 CIE 색도 좌표 x값, y값을 산출하였다. x값은 0.671, y값은 0.326이었다. 발광 피크 강도는 측정 장치나 조건에 따라 변화하기 때문에 단위는 임의이고, 동일 조건에서 측정한 실시예 및 비교예에서의 상대로 비교하였다. 표 1에서는 발광 피크 강도를, 기준으로서 실시예 1의 발광 피크 강도를 100％로 한 상대값으로 나타내었다. 99％ 이상을 우수한 휘도로 판정한다.
실시예 1에서 얻어진 형광체의 평가 결과를 표 1에 나타내었다. 또한 실시예 1에서 얻어진 형광체의 현미경 사진을 도 1에 도시한다.
(비교예 1)
염산 용액에 의한 자비 처리를 행하지 않는 것 이외에는, 실시예 1과 동일 조건에서 형광체 분말을 제작하였다. 비교예 1에서 얻어진 형광체의 발광 특성을 실시예 1의 결과와 합하여 표 1에 나타내었다. 또한 비교예 1에서 얻어진 형광체의 현미경 사진을 도 2에 도시한다. 상술한 실시예 1의 형광체와는 구조가 명백하게 다른 것이 이해된다.
(실시예 2 내지 5, 비교예 2 내지 5)
실시예 1과 동일 원료 분말을 사용하고, 표 1에 나타내는 평균 입자 직경이 되도록 분쇄, 분급을 행하고, 또한 표 1에 나타내는 산 농도, 온도를 바꾸어서 자비 처리를 행한 것 이외에는, 실시예 1과 동일 조건에서 실시예 2 내지 5, 비교예 2 내지 5의 형광체 분말을 제작하였다. 실시예 2 내지 5, 비교예 2 내지 5에서 얻어진 형광체의 발광 특성을 실시예 1의 결과와 합하여 표 1에 나타내었다.
(실시예 6)
배합비가 Ca:Eu:Al:Si=0.988:0.012:1.00:1.00이 되도록 원료의 비율을 조정한 것 이외에는, 실시예 1과 동일 조건에서 실시예 6의 형광체 분말을 제작하였다. 얻어진 형광체의 발광 특성을 실시예 1의 결과와 합하여 표 1에 나타내었다.
표 1에 나타낸 바와 같이, 형광체 중의 평균 입자 직경, 비표면적, 산소 함유량을 특정한 범위로 제어함으로써 휘도가 향상하였다.
이상, 본 발명을 실시예에 기초하여 설명하였다. 이 실시예는 어디까지나 예시이고, 여러가지 변형예가 가능한 것, 또한 그러한 변형예도 본 발명의 범위에 있는 것은 당업자에게 이해되는 부분이다.
본 발명의 CaAlSiN3 형광체는 청색광에 의해 여기되어 고휘도의 적색 발광을 나타내는 점에서, 청색광을 광원으로 하는 백색 LED용 형광체로서 적합하게 사용할 수 있는 것이고, 조명 기구, 화상 표시 장치 등의 발광 장치에 적합하게 사용할 수 있다.

Claims (4)

  1. 주 결정상이 CaAlSiN3과 동일한 결정 구조를 갖고, Ca 원소의 일부가 Eu 원소로 치환되어 있는 형광체이며, 레이저 회절 산란법으로 측정한 메디안 직경 d50이 12.0㎛ 이상 22.0㎛ 이하, BET법으로 측정한 비표면적이 1.50㎡/g 이상 10.00㎡/g 이하인 형광체.
  2. 제1항에 있어서, 산소 함유량이 1.00질량％ 이상 3.50질량％ 이하인 형광체.
  3. 제1항에 있어서, 455nm의 파장의 광으로 여기했을 때의 발광 피크 파장이 645nm 이상 680nm 이하인 형광체.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 기재된 형광체와, 발광 소자를 갖는 발광 장치.
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