KR102634630B1 - 광 반사 재료용 경화성 실리콘 조성물, 실리콘 수지 경화물, 리플렉터 및 led 장치 - Google Patents
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Abstract
[과제] 본 발명은, 실온에서 높은 유동성을 가지고, 내열성(열 안정성), 특히 내열 변색성이 우수하며, 또한 높은 광 반사율을 얻을 수 있는 경화물을 부여하는 광 반사 재료용 경화성 실리콘 조성물을 제공한다.
[해결 수단] (A-1) (a) 일반식 (1)로 표시되는 규소 원자에 결합된 수소 원자를 1 분자 중에 2개 갖는 화합물과, (b) 부가 반응성 탄소-탄소 이중 결합을 1 분자 중에 2개 갖는 다환식 탄화수소의 부가 반응 생성물이며, 부가 반응성 탄소-탄소 이중 결합을 1 분자 중에 적어도 2개 갖는 부가 반응 생성물 30 내지 70질량부,
(A-2) 일반식 (3)으로 표시되는 화합물 30 내지 70질량부,
(B) 규소 원자에 결합된 수소 원자를 1 분자 중에 3개 이상 갖는 유기 규소 화합물,
(C) 히드로실릴화 반응 촉매,
(D) 산화티타늄 분말, 및
(E) 연무질 실리카 분말
을 함유하는 것을 특징으로 하는 광 반사 재료용 경화성 실리콘 조성물.
[해결 수단] (A-1) (a) 일반식 (1)로 표시되는 규소 원자에 결합된 수소 원자를 1 분자 중에 2개 갖는 화합물과, (b) 부가 반응성 탄소-탄소 이중 결합을 1 분자 중에 2개 갖는 다환식 탄화수소의 부가 반응 생성물이며, 부가 반응성 탄소-탄소 이중 결합을 1 분자 중에 적어도 2개 갖는 부가 반응 생성물 30 내지 70질량부,
(A-2) 일반식 (3)으로 표시되는 화합물 30 내지 70질량부,
(B) 규소 원자에 결합된 수소 원자를 1 분자 중에 3개 이상 갖는 유기 규소 화합물,
(C) 히드로실릴화 반응 촉매,
(D) 산화티타늄 분말, 및
(E) 연무질 실리카 분말
을 함유하는 것을 특징으로 하는 광 반사 재료용 경화성 실리콘 조성물.
Description
본 발명은, 광 반사 재료, 특히 백색 LED(발광 다이오드)용 리플렉터 재료로서 유용한 실리콘 수지 경화물을 부여하는 광 반사 재료용 경화성 실리콘 조성물(백색 열경화성 실리콘 조성물), 해당 조성물의 경화물, 및 해당 경화물을 사용한 리플렉터 및 LED 장치에 관한 것이다.
근년, LED 등의 광 반도체 소자는, 고효율로 발광함과 함께 구동 특성이나 점등 반복 특성이 우수하기 때문에, 인디케이터나 광원으로서 폭넓게 이용되고 있다. 특히, 백색 LED는 표시 장치의 백라이트나 카메라의 플래시로서 널리 응용되고 있으며, 또한 차세대 조명 장치로서도 기대되고 있다. 이러한 발광 장치에는, 조사 방향의 광의 취출 효율을 높이기 위해서, 발해진 광을 반사하는 부품(이하, 리플렉터)이 탑재되어 있다.
현재, 리플렉터에 사용되는 재료(이하, 리플렉터 재료)로서는, 폴리프탈아미드 수지가 폭넓게 이용되고 있다. 그러나, 폴리프탈아미드 수지는, 장기간 사용에 의한 열화, 특히 변색, 박리, 기계 강도 저하 등이 일어나기 쉬워, 최근 고출력 발광 소자에 적용하는 것은 곤란하다.
이러한 문제점을 해결하기 위해서, 특허문헌 1 내지 4에서는 에폭시 수지 또는 실리콘과 금속 산화물 등을 구성 성분으로 하는 리플렉터 재료가, 또한 특허문헌 5에서는 세라믹 리플렉터 재료가 제안되어 있다. 그러나, 이들 고형 재료는 우수한 내열성, 기계 특성을 갖는 한편, 실온에서는 유동성이 부족하기 때문에, 성형에 고온을 필요로 하는 등 취급성·작업성에 문제가 있다. 또한, 이들 고형 재료는, 고온에서도 유동성이 부족하기 때문에, 미세한 구조체나 대면적의 구조체를 성형하는 것이 곤란한 등 공정상의 문제도 있다.
본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것이며, 실온에서 높은 유동성을 가지고, 내열성(열 안정성), 특히 내열 변색성이 우수하며, 또한 높은 광 반사율을 얻을 수 있는 경화물을 부여하는 광 반사 재료용 경화성 실리콘 조성물을 제공한다. 즉, 본 발명은 광 반사 재료, 특히 백색 LED용 리플렉터 재료로서 유용한 실리콘 수지 경화물을 부여하는 광 반사 재료용 경화성 실리콘 조성물, 및 해당 조성물의 경화물을 포함하는 리플렉터(특히, 백색 발광 다이오드용)를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 달성하기 위해서, 본 발명에서는,
(A-1) (a) 하기 일반식 (1)로 표시되는 규소 원자에 결합된 수소 원자를 1 분자 중에 2개 갖는 화합물과, (b) 부가 반응성 탄소-탄소 이중 결합을 1 분자 중에 2개 갖는 다환식 탄화수소의 부가 반응 생성물이며, 부가 반응성 탄소-탄소 이중 결합을 1 분자 중에 적어도 2개 갖는 부가 반응 생성물 30 내지 70질량부,
(A-2) 하기 일반식 (3)으로 표시되는 화합물 30 내지 70질량부(단, 상기 (A-1) 성분 및 상기 (A-2) 성분의 합계는 100질량부이다.),
(B) 규소 원자에 결합된 수소 원자를 1 분자 중에 3개 이상 갖는 유기 규소 화합물
(조성물 중의 규소 원자에 결합된 수소 원자의 합계량이, 조성물 중의 부가 반응성 탄소-탄소 이중 결합에 대하여 몰비로 0.5 내지 3.0이 되는 양임),
(C) 히드로실릴화 반응 촉매,
(D) 산화티타늄 분말, 및
(E) 연무질 실리카 분말
을 함유하는 광 반사 재료용 경화성 실리콘 조성물을 제공한다.
(식 중 A는 하기 일반식 (2)로 표시되는 기로 이루어지는 군에서 선택되는 2가의 기이고, R1은 독립적으로 비치환 또는 치환된 탄소 원자수 1 내지 12의 1가 탄화수소기 또는 탄소 원자수 1 내지 6의 알콕시기이다.)
(식 중 Ph는 페닐기이고, R2는 독립적으로 비치환 또는 치환된 탄소 원자수 1 내지 12의 1가 탄화수소기이고, R3은 부가 반응성 탄소-탄소 이중 결합 함유기이고, n은 1 내지 20의 정수이다.)
이러한 광 반사 재료용 경화성 실리콘 조성물이면, 실온에서 높은 유동성을 가지고, 내열성(열 안정성), 특히 내열 변색성이 우수하며, 또한 높은 광 반사율을 얻을 수 있는 경화물을 부여할 수 있다.
또한, 상기 (b)가 하기 일반식 (4)로 표시되는 것이 바람직하다.
(식 중, R4는 비치환 또는 치환된 탄소 원자수 2 내지 12의 알케닐기이다.)
또한, 상기 (b)가 5-비닐비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 6-비닐비시클로[2.2.1]헵트-2-엔 및 이들의 조합 중 어느 것인 것이 바람직하다.
이러한 원료 (b)이면, 더 효과적으로 경화물에 강도를 부여하여 고경도로 할 수 있다.
또한, 상기 (B) 성분이, 하기 일반식 (5)로 표시되는 실록산 화합물인 것이 바람직하다.
(식 중, R5는 독립적으로 수소 원자 또는 알케닐기 이외의 비치환 또는 치환된 탄소 원자수 1 내지 12의 1가 탄화수소기이고, R6은 메틸기 또는 수소 원자이고, p는 1 내지 10의 정수, q는 0 내지 7의 정수이다. p가 붙은 실록산 단위와 q가 붙은 실록산 단위는 서로 랜덤하게 배열되어 있다.)
이러한 (B) 성분이면, 리플렉터 재료로서 사용한 경우에 충분한 기계 특성을 갖는 경화물을 얻을 수 있다.
이 때, 25℃에 있어서의 점도가 5 내지 500Pa·s인 것이 바람직하다.
이러한 점도라면, 유동성이 높고, 취급성·작업성이 보다 우수한 것이 된다.
또한, 본 발명에서는, 상기 광 반사 재료용 경화성 실리콘 조성물을 성형, 경화시킴으로써 얻어진 것인 광 반사 재료용 실리콘 수지 경화물을 제공한다.
이러한 광 반사 재료용 실리콘 수지 경화물이면, 리플렉터 재료로서 적합하게 사용할 수 있다.
이 때, 경화 직후에 있어서의, 파장 430 내지 800nm의 광의 반사율이 95% 이상이고, 170℃ 환경 하에 1000시간 폭로 후의 파장 430 내지 800nm의 광의 반사율이 82% 이상인 것이 바람직하다.
이러한 광 반사 재료용 실리콘 수지 경화물이면, 장기간 사용에 의한 열화, 특히 변색, 박리, 기계 강도 저하 등이 일어나기 어려운 리플렉터 재료로서 적합하게 사용할 수 있다.
또한 이 때, 쇼어 D 경도가 65 이상인 것이 바람직하다.
이러한 쇼어 D 경도라면, 리플렉터 재료인 경화물을, 다이싱 소 등을 사용하여 절단하고 개편화함으로써 적합한 경도가 된다.
또한, 본 발명에서는, 상기 광 반사 재료용 실리콘 수지 경화물을 포함하는 것인 리플렉터를 제공한다.
또한, 본 발명에서는, 상기 리플렉터를 탑재한 것인 LED 장치를 제공한다.
이러한 리플렉터나 LED 장치이면, 장기간에 걸쳐 높은 광 취출 효율을 유지할 수 있다.
본 발명의 광 반사 재료용 경화성 실리콘 조성물은, 실온에서 높은 유동성을 갖기 때문에, 작업성·취급성이 우수하다. 또한, 상기 조성물을 경화시켜 얻어지는 광 반사 재료용 실리콘 수지 경화물은, 광 반사 성능과 내열성(열 안정성), 특히 내열 변색성이 우수하다. 따라서, 상기 경화물은 광 반사 재료, 예를 들어 발광 장치용, 특히 백색 LED용 리플렉터 재료로서 유용하다.
상술한 바와 같이, 실온에서 높은 유동성을 가지고, 내열성(열 안정성), 특히 내열 변색성이 우수하며, 또한 높은 광 반사율을 얻을 수 있는 경화물을 부여하는 광 반사 재료용 경화성 실리콘 조성물의 개발이 요구되고 있었다.
본 발명자들은 상기 과제에 대하여 예의 검토를 거듭한 결과, 특정한 구조를 갖는 히드로실릴화 반응에 의한 반응 부가 생성물과, 특정한 구조를 갖는 오르가노폴리실록산을 함유하는 열경화성 실리콘 조성물에 산화티타늄 분말을 배합함으로써, 실온에서 높은 유동성을 가지고, 내열성(열 안정성), 특히 내열 변색성이 우수하며, 또한 높은 광 반사율을 얻을 수 있는 경화물을 부여하는 광 반사 재료용 경화성 실리콘 조성물이 얻어지는 것을 발견하고, 본 발명을 완성시켰다.
즉, 본 발명은
(A-1) (a) 상기 일반식 (1)로 표시되는 규소 원자에 결합된 수소 원자를 1 분자 중에 2개 갖는 화합물과, (b) 부가 반응성 탄소-탄소 이중 결합을 1 분자 중에 2개 갖는 다환식 탄화수소의 부가 반응 생성물이며, 부가 반응성 탄소-탄소 이중 결합을 1 분자 중에 적어도 2개 갖는 부가 반응 생성물 30 내지 70질량부,
(A-2) 상기 일반식 (3)으로 표시되는 화합물 30 내지 70질량부(단, 상기 (A-1) 성분 및 상기 (A-2) 성분의 합계는 100질량부이다.),
(B) 규소 원자에 결합된 수소 원자를 1 분자 중에 3개 이상 갖는 유기 규소 화합물
(조성물 중의 규소 원자에 결합된 수소 원자의 합계량이, 조성물 중의 부가 반응성 탄소-탄소 이중 결합에 대하여 몰비로 0.5 내지 3.0이 되는 양임),
(C) 히드로실릴화 반응 촉매,
(D) 산화티타늄 분말, 및
(E) 연무질 실리카 분말
을 함유하는 광 반사 재료용 경화성 실리콘 조성물이다.
이하, 본 발명에 대하여 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 명세서에 있어서, Me 및 Ph는 각각 메틸기 및 페닐기를 나타내고, 점도는 회전 점도계에 의해 측정한 값이다.
[(A-1) 성분]
본 발명의 광 반사 재료용 경화성 실리콘 조성물의 (A-1) 성분은, 경화시킨 후의 경화물에 강도를 부여하여 고경도로 하는 성분이다.
(A-1) 성분은, (a) 하기 일반식 (1)로 표시되는 규소 원자에 결합된 수소 원자를 1 분자 중에 2개 갖는 화합물과, (b) 부가 반응성 탄소-탄소 이중 결합을 1 분자 중에 2개 갖는 다환식 탄화수소의 부가 반응 생성물이며, 부가 반응성 탄소-탄소 이중 결합을 1 분자 중에 적어도 2개 갖는 부가 반응 생성물이다. 이하, (A-1) 성분의 원료가 되는 원료 (a) 및 원료 (b)에 대하여 설명한다.
(식 중, A는 하기 일반식 (2)로 표시되는 기로 이루어지는 군에서 선택되는 2가의 기이고, R1은 독립적으로 비치환 또는 치환된 탄소 원자수 1 내지 12의 1가 탄화수소기 또는 탄소 원자수 1 내지 6의 알콕시기이다.)
<원료 (a)>
(A-1) 성분의 반응 원료인, (a) 상기 일반식 (1)로 표시되는 규소 원자에 결합된 수소 원자(이하, 「SiH」라 하는 경우가 있음)를 1 분자 중에 2개 갖는 화합물(원료 (a))은 상기 일반식 (1) 중의 A가 상기 일반식 (2)로 표시되는 2가의 기이므로, 하기 일반식 (6)으로 표시되는 화합물이다.
(R1은 독립적으로 비치환 또는 치환된 탄소 원자수 1 내지 12의, 바람직하게는 1 내지 6의, 1가 탄화수소기 또는 탄소 원자수 1 내지 6의 알콕시기임)
상기 일반식 (6) 중, R1이 1가 탄화수소기인 경우로서는, 예를 들어 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 이소펜틸기, 헥실기, sec-헥실기 등의 알킬기; 시클로펜틸기, 시클로헥실기 등의 시클로알킬기; 페닐기, o-, m-, p-톨릴 등의 아릴기; 벤질기, 2-페닐에틸기 등의 아르알킬기; 비닐기, 알릴기, 1-부테닐기, 1-헥세닐기 등의 알케닐기; p-비닐페닐기 등의 알케닐아릴기; 및 이들 기 중의 탄소 원자에 결합된 1개 이상의 수소 원자가, 할로겐 원자, 시아노기, 에폭시환 함유기 등으로 치환된, 예를 들어 클로로메틸기, 3-클로로프로필기, 3,3,3-트리플루오로프로필기 등의 할로겐화알킬기; 2-시아노에틸기; 3-글리시독시프로필기 등을 들 수 있다.
또한, R1이 알콕시기인 경우로서는, 예를 들어 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 이소프로폭시기, 부톡시기, sec-부톡시기, tert-부톡시기 등을 들 수 있다.
상기 중에서도, R1로서는, 알케닐기 및 알케닐아릴기 이외의 것이 바람직하고, 특히 1 분자 중의 모든 R1이 메틸기인 것이, 공업적으로 제조하는 것이 용이하며, 입수하기 쉬운 점에서 바람직하다.
이러한 상기 일반식 (6)으로 표시되는 화합물로서는, 예를 들어
구조식: HMe2Si-p-C6H4-SiMe2H
로 표시되는 1,4-비스(디메틸실릴)벤젠,
구조식: HMe2Si-m-C6H4-SiMe2H
로 표시되는 1,3-비스(디메틸실릴)벤젠,
구조식: HMe2Si-o-C6H4-SiMe2H
로 표시되는 1,2-비스(디메틸실릴)벤젠 등의 실페닐렌 화합물을 들 수 있다.
또한, 이러한 상기 일반식 (6)으로 표시되는 화합물((A-1) 성분의 반응 원료인 상기 원료 (a))은, 1종 단독으로도 2종 이상을 조합해도 사용할 수 있다.
<원료 (b)>
(A-1) 성분의 반응 원료인 (b) 부가 반응성 탄소-탄소 이중 결합을 1 분자 중에 2개 갖는 다환식 탄화수소(원료 (b))에 있어서, 「부가 반응성」이란, 규소 원자에 결합된 수소 원자의 부가(히드로실릴화 반응으로서 주지)를 받을 수 있는 성질을 의미한다.
또한, 원료 (b)는, (i) 다환식 탄화수소의 다환 골격을 형성하고 있는 탄소 원자 중, 인접하는 2개의 탄소 원자간에 부가 반응성 탄소-탄소 이중 결합이 형성되어 있는 것, (ii) 다환식 탄화수소의 다환 골격을 형성하고 있는 탄소 원자에 결합된 수소 원자가, 부가 반응성 탄소-탄소 이중 결합 함유기에 의해 치환되어 있는 것, 또는 (iii) 다환식 탄화수소의 다환 골격을 형성하고 있는 탄소 원자 중, 인접하는 2개의 탄소 원자간에 부가 반응성 탄소-탄소 이중 결합이 형성되어 있고, 또한 다환식 탄화수소의 다환 골격을 형성하고 있는 탄소 원자에 결합된 수소 원자가 부가 반응성 탄소-탄소 이중 결합 함유기에 의해 치환되어 있는 것 중 어느 것이어도 지장없다. 여기서, 부가 반응성 탄소-탄소 이중 결합 함유기로서는, 예를 들어 비닐기, 알릴기, 프로페닐기, 부테닐기, 헥세닐기, 노르보르닐기 등의 알케닐기, 특히 탄소 원자수 2 내지 12의 것 등을 들 수 있다.
이 (b) 성분으로서는, 예를 들어 하기 일반식 (4)로 표시되는 알케닐노르보르넨 화합물을 들 수 있다. 또한, 하기 일반식 (4)로 표시되는 화합물의 구체예로서는, 하기 구조식 (7)로 표시되는 5-비닐비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 하기 구조식 (8)로 표시되는 6-비닐비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 및 이들 양자의 조합을 들 수 있다. (이하, 이들 3가지를 구별할 필요가 없는 경우에는, 「비닐노르보르넨」이라 총칭하는 경우가 있음).
(식 중, R4는 비치환 또는 치환된 탄소 원자수 2 내지 12의 알케닐기이다.)
또한, 상기 비닐노르보르넨의 비닐기의 치환 위치는, 시스 배치(엑소형) 또는 트랜스 배치(엔도형) 중 어느 것이어도 되고, 또한 이러한 배치의 상이에 의해, 원료 (b)의 반응성 등에 특별한 차이가 없는 점에서, 이들 양쪽 배치의 이성체 조합이어도 지장없다.
<(A-1) 성분의 제조>
본 발명의 광 반사 재료용 경화성 실리콘 조성물의 (A-1) 성분은, SiH를 1 분자 중에 2개 갖는 상기 원료 (a)의 1몰에 대하여, 부가 반응성 탄소-탄소 이중 결합을 1 분자 중에 2개 갖는 상기 원료 (b)의 1몰 초과 10몰 이하, 바람직하게는 1몰 초과 5몰 이하의 과잉량을, 히드로실릴화 반응 촉매의 존재 하에서 부가 반응시킴으로써, 부가 반응성 탄소-탄소 이중 결합을 1 분자 중에 적어도 2개 가지며, 또한 SiH를 갖지 않는 부가 반응 생성물로서 얻을 수 있다.
이렇게 하여 얻어지는 (A-1) 성분은, 원료 (b) 유래의 부가 반응성 탄소-탄소 이중 결합 외에도, 원료 (a)에서 유래하는(구체적으로는, 일반식 (1) 중의 R1에서 유래하는) 부가 반응성 탄소-탄소 이중 결합을 포함할 수 있으므로, 부가 반응성 탄소-탄소 이중 결합을 1 분자 중에 적어도 2개 포함하지만, 이 수는 바람직하게는 2 내지 6개, 보다 바람직하게는 2개이다. 부가 반응성 탄소-탄소 이중 결합이 이러한 수이면, 본 발명의 광 반사 재료용 경화성 실리콘 조성물을 경화시켜 얻어지는 경화물이 물러지지 않는다.
상기 히드로실릴화 반응 촉매로서는, 종래부터 공지된 것을 모두 사용할 수 있다. 예를 들어, 백금 금속을 담지한 카본 분말, 백금흑, 염화제2백금, 염화백금산, 염화백금산과 1가 알코올의 반응 생성물, 백금과 디비닐테트라메틸디실록산 등의 비닐실록산의 착체; 염화백금산과 올레핀류의 착체, 백금비스아세토아세테이트 등의 백금계 촉매; 팔라듐계 촉매, 로듐계 촉매 등의 백금족 금속계 촉매를 들 수 있다. 또한, 부가 반응 조건, 용매의 사용 등에 대해서는 특별히 한정되지 않고, 통상과 같이 하면 된다.
상기한 바와 같이, (A-1) 성분의 제조에는 상기 원료 (a)에 대하여 과잉 몰량의 상기 원료 (b)를 사용하는 점에서, (A-1) 성분은 상기 원료 (b)의 구조에서 유래되는 부가 반응성 탄소-탄소 이중 결합을 1 분자 중에 2개 갖는 것이다. 또한, (A-1) 성분은 상기 원료 (a)에서 유래되는 잔기를 가지고, 그 잔기가, 상기 원료 (b)의 구조에서 유래하지만 부가 반응성 탄소-탄소 이중 결합을 갖지 않는 다환식 탄화수소의 2가 잔기에 의해 결합되어 있는 구조를 포함하는 것이어도 된다.
즉, (A-1) 성분으로서는, 예를 들어 하기 일반식 (9)로 표시되는 화합물을 들 수 있다.
Y-X-(Y'-X)m-Y (9)
(식 중, X는 상기 원료 (a)의 화합물의 2가 잔기이고, Y는 상기 원료 (b)의 다환식 탄화수소의 1가 잔기이고, Y'는 상기 원료 (b)의 2가의 잔기이고, m은 0 내지 10, 바람직하게는 0 내지 5의 정수임)
또한, 상기 (Y'-X)로 표시되는 반복 단위의 수인 m의 값에 대해서는, 상기 원료 (a) 1몰에 대하여 반응시키는 상기 원료 (b)의 과잉 몰량을 조정함으로써 설정하는 것이 가능하다.
상기 일반식 (9) 중의 Y로서는, 구체적으로는 예를 들어 하기 구조식으로 표시되는 1가의 잔기(이하, 이들 6가지를 구별할 필요가 없는 경우에는, 이들을 「NB기」라고 총칭하고, 또한 이들 6가지의 구조를 구별하지 않고 「NB」라 약기하는 경우가 있다.)를 들 수 있다.
상기 일반식 (9) 중의 Y'로서는, 구체적으로는 예를 들어 하기 구조식으로 표시되는 2가의 잔기를 들 수 있다.
단, 상기 구조식으로 표시되는 비대칭인 2가의 잔기는, 그의 좌우 방향이 상기 기재된 대로 한정되는 것은 아니며, 상기 구조식은 실질상, 개개의 상기 구조를 지면 상에서 180도 회전시킨 구조도 포함하여 나타내고 있다.
상기 일반식 (9)로 표시되는 (A-1) 성분의 적합한 구체예를, 이하에 나타내지만, 이것으로 한정되는 것은 아니다. (또한, 「NB」가 의미하는 바는, 상기한 바와 같다.)
(식 중, r은 0 내지 10의 정수이다.).
또한, 본 발명의 광 반사 재료용 경화성 실리콘 조성물의 (A-1) 성분은, 1종 단독으로도 2종 이상을 조합해도 사용할 수 있다.
[(A-2) 성분]
(A-2) 성분은, (A-1) 성분과 상용성이 높고, 경화시킨 후의 경화물의 강도를 떨어뜨리지 않으며, 내열성(열 안정성), 특히 내열 변색성을 부여하는 성분이다.
(A-2) 성분은, 주쇄가 디페닐실록산 단위의 반복을 포함하고, 분자쇄 양쪽 말단이 부가 반응성 탄소-탄소 이중 결합 함유기를 갖는 트리오르가노실록시기로 봉쇄된 직쇄상의 디오르가노폴리실록산이다. (A-2) 성분의 오르가노폴리실록산은 1종 단독으로 사용해도 되고, 분자량, 규소 원자에 결합된 유기기의 종류 등이 상이한 2종 이상을 병용해도 된다.
상기 일반식 (3) 중의 R3으로서의 부가 반응성 탄소-탄소 이중 결합 함유기는, 상기 <원료 (b)>의 설명에 기재한 것과 동일하게, 규소 원자에 결합된 수소 원자의 부가(히드로실릴화 반응으로서 주지)를 받을 수 있는 성질을 갖는 탄소-탄소 이중 결합을 함유하는 기이다.
상기 부가 반응성 탄소-탄소 이중 결합 함유기는, 1종 단독으로 사용해도 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
상기 부가 반응성 탄소-탄소 이중 결합 함유기의 구체예로서는, 비닐기, 알릴기, 5-헥세닐기, 프로페닐기, 부테닐기 등의 탄소 원자수 2 내지 20, 바람직하게는 2 내지 10의 알케닐기; 1,3-부타디에닐기 등의 탄소 원자수 4 내지 10의 알카디에닐기; 아크릴로일옥시기(-O(O)CCH=CH2), 메타크릴로일옥시기(-O(O)CC(CH3)=CH2) 등의, 상기 알케닐기와 카르보닐옥시기의 조합; 아크릴아미드기(-NH(O)CCH=CH2) 등의, 상기 알케닐기와 카르보닐아미노기의 조합을 들 수 있다.
그 중에서도, (A-2) 성분의 원료를 얻을 때의 생산성 및 비용 그리고 (A-2) 성분의 반응성 등의 관점에서, 상기 부가 반응성 탄소-탄소 이중 결합 함유기로서는, 비닐기, 알릴기 및 5-헥세닐기가 바람직하고, 특히 비닐기가 바람직하다.
상기 일반식 (3) 중의 R2는 독립적으로 비치환 또는 치환된 탄소 원자수 1 내지 12의 1가 탄화수소기이며, 예를 들어 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 이소펜틸기, 헥실기, sec-헥실기 등의 알킬기; 시클로펜틸기, 시클로헥실기 등의 시클로알킬기; 페닐기, o-, m-, p-톨릴 등의 아릴기; 벤질기, 2-페닐에틸기 등의 아르알킬기; 비닐기, 알릴기, 1-부테닐기, 1-헥세닐기 등의 알케닐기; p-비닐페닐기 등의 알케닐아릴기; 및 이들 기 중의 탄소 원자에 결합된 1개 이상의 수소 원자가, 할로겐 원자, 시아노기, 에폭시환 함유기 등으로 치환된, 예를 들어 클로로메틸기, 3-클로로프로필기, 3,3,3-트리플루오로프로필기 등의 할로겐화알킬기; 2-시아노에틸기; 3-글리시독시프로필기 등을 들 수 있다.
상기 중에서도, R2로서는, 특히 메틸기 또는 페닐기인 것이, 공업적으로 제조하는 것이 용이하며, 입수하기 쉬운 점에서 바람직하다.
(A-2) 성분에 있어서, 디페닐실록산 단위의 중합도 n은 1 내지 20이고, 1 내지 15인 것이 바람직하고, 2 내지 10인 것이 더욱 바람직한다. n이 20보다 크면, 유동성의 저하나 (A-1) 성분과의 상용성의 저하가 일어나, 바람직하지 않다.
(A-2) 성분의 배합량은, (A-1) 성분 및 (A-2) 성분의 합계 100질량부에 대하여 30 내지 70질량부이며, 바람직하게는 35 내지 65질량부, 더욱 바람직하게는 40 내지 60질량부이다. (A-2) 성분의 배합량이 30질량부 미만이 되면, 내열 변색성이 저하되고, 70질량부를 초과하면, 경화물의 강도, 특히 경도가 저하된다.
(A-2) 성분은, 예를 들어 디클로로디페닐실란이나 디알콕시디페닐실란 등의 2관능성 실란을 가수 분해·축합시킨 후 또는 가수 분해·축합과 동시에, 부가 반응성 탄소-탄소 이중 결합 함유기를 갖는 말단 밀봉제로 말단을 밀봉함으로써 얻을 수 있다.
[(B) 성분]
본 발명의 광 반사 재료용 경화성 실리콘 조성물의 (B) 성분은, SiH를 1 분자 중에 3개 이상 갖는 유기 규소 화합물이다. 이 (B) 성분 중의 SiH가, 상기 (A-1) 및 (A-2) 성분이 1 분자 중에 적어도 2개 갖는 부가 반응성 탄소-탄소 이중 결합과 히드로실릴화 반응에 의해 부가되어, 3차원 망상 구조의 경화물을 부여한다.
이러한 (B) 성분으로서는, 예를 들어 하기 일반식 (5)로 표시되는 실록산 화합물을 들 수 있다.
(식 중, R5는 독립적으로 수소 원자 또는 알케닐기 이외의 비치환 또는 치환된 탄소 원자수 1 내지 12의 1가 탄화수소기이며, R6은 메틸기 또는 수소 원자이며, p는 1 내지 10의 정수, q는 0 내지 7의 정수이다. p가 붙은 실록산 단위와 q가 붙은 실록산 단위는 서로 랜덤하게 배열되어 있다.)
상기 일반식 (5) 중의 R5로서는, 예를 들어 메틸기, 에틸, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 이소펜틸기, 헥실기, sec-헥실기 등의 알킬기; 시클로펜틸기, 시클로헥실기 등의 시클로알킬기; 페닐기, o-, m-, p-톨릴 등의 아릴기; 벤질기, 2-페닐에틸기 등의 아르알킬기; p-비닐페닐기 등의 알케닐아릴기; 및 이들 기 중의 탄소 원자에 결합된 1개 이상의 수소 원자가, 할로겐 원자, 시아노기, 에폭시환 함유기 등으로 치환된, 예를 들어 클로로메틸기, 3-클로로프로필기, 3,3,3-트리플루오로프로필기 등의 할로겐화알킬기; 2-시아노에틸기; 3-글리시독시프로필기 등을 들 수 있다.
상기 중에서도, R5로서는, 특히 메틸기 또는 페닐기인 것이, 공업적으로 제조하는 것이 용이하며, 입수하기 쉬운 점에서 바람직하다.
상기 (B) 성분의 적합한 구체예를 이하에 나타내지만, 이것으로 한정되는 것은 아니다.
HMe2SiO(HMeSiO)2(Ph2SiO)2SiMe2H
HMe2SiO(HMeSiO)2(Ph2SiO)2(Me2SiO)2SiMe2H
HMe2SiO(HMeSiO)1(Ph2SiO)1(Me2SiO)4SiMe2H
HMe2SiO(HMeSiO)3(Me2SiO)5SiMe2H
본 발명의 광 반사 재료용 경화성 실리콘 조성물의 (B) 성분은, 1종 단독으로도 2종 이상을 조합해도 사용할 수 있다.
(B) 성분의 배합량은 다음과 같이 설정되는 것이 바람직하다. 본 발명의 광 반사 재료용 경화성 실리콘 조성물은, (B) 성분 이외의 SiH를 갖는 성분(예를 들어, 후술하는 (G) 성분), 및 (A-1) 또는 (A-2) 성분 이외의 규소 원자에 결합된 부가 반응성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 성분(예를 들어, 후술하는 (C) 성분으로서 백금과의 착체를 형성한 상태에서 본 조성물 중에 함유될 수 있는 비닐실록산)의 어느 한쪽 또는 양쪽을 함유할 수 있다. 그래서, 본 조성물 중의 규소 원자에 결합된 부가 반응성 탄소-탄소 이중 결합 1몰에 대하여 본 조성물 중의 규소 원자에 결합된 수소 원자의 양은, 바람직하게는 0.5 내지 3.0몰, 보다 바람직하게는 0.8 내지 2.0몰이다. (B) 성분의 배합량이 이러한 조건을 만족시키는 양이면, 리플렉터 재료로서 사용한 경우에 충분한 기계 특성을 갖는 경화물을 본 발명의 광 반사 재료용 경화성 실리콘 조성물로부터 얻을 수 있다.
(A-1) 및 (A-2) 성분만이 규소 원자에 결합된 부가 반응성 탄소-탄소 이중 결합을 가지며, 또한 (B) 성분만이 SiH를 갖는 경우에는, 본 발명의 광 반사 재료용 경화성 실리콘 조성물에 대한 (B) 성분의 배합량은, 상기 (A) 성분 중의 부가 반응성 탄소-탄소 이중 결합 1몰에 대하여, (B) 성분 중의 SiH가 바람직하게는 0.5 내지 3.0몰, 보다 바람직하게는 0.8 내지 2.0몰이 되는 양으로 하는 것이 좋다.
[(C) 성분]
본 발명의 광 반사 재료용 경화성 실리콘 조성물의 (C) 성분인 히드로실릴화 반응 촉매로서는, 종래부터 공지된 것을 모두 사용할 수 있다. 예를 들어, 백금 금속을 담지한 카본 분말, 백금흑, 염화제2백금, 염화백금산, 염화백금산과 1가 알코올의 반응 생성물, 백금과 디비닐테트라메틸디실록산 등의 비닐실록산의 착체; 염화백금산과 올레핀류의 착체, 백금비스아세토아세테이트 등의 백금계 촉매; 팔라듐계 촉매, 로듐계 촉매 등의 백금족 금속계 촉매를 들 수 있다.
본 발명의 광 반사 재료용 경화성 실리콘 조성물에 대한 (C) 성분의 배합량은, 촉매로서의 유효량이면 되고 특별히 제한되지 않지만, 상기 (A-1), (A-2) 및 (B) 성분의 합계에 대하여, 백금족 금속 원자로서 질량 기준으로, 바람직하게는 1 내지 500ppm, 특히 바람직하게는 2 내지 100ppm 정도가 되는 양의 (C) 성분을 배합하면 된다. 이러한 범위 내의 배합량으로 함으로써, 경화 반응에 소요되는 시간이 적당하게 되고, 경화물이 착색되거나 하는 문제를 일으키는 일이 없다.
(C) 성분은 1종 단독으로도 2종 이상을 조합해도 사용할 수 있다.
[(D) 성분]
본 발명의 광 반사 재료용 경화성 실리콘 조성물의 (D) 성분은 산화티타늄 분말이다. (D) 성분의 산화티타늄 분말(금속 화합물 분말)은 백색이기 때문에, (D) 성분의 배합에 의해, 본 발명의 광 반사 재료용 실리콘 수지 경화물은 양호한 광 반사율을 발현한다.
(D) 성분의 입경은 특별히 한정되지 않지만, (D) 성분으로서는 일반적으로 평균 입경이 0.1 내지 200㎛의 범위인 것이 많이 시판되고 있어 취급하기 쉽고, 0.5 내지 100㎛의 범위인 것이 보다 바람직하다. (D) 성분의 평균 입경이 0.1 내지 200㎛의 범위이면, 본 발명의 광 반사 재료용 경화성 실리콘 조성물은 유동성이 양호해지기 쉽고, 또한 조성물의 경화물은 표면이 거칠어지기 어려워, 광 반사 성능이 효과적으로 향상된다. 또한, 본 명세서에 있어서 평균 입경이란, 레이저광 회절법을 사용한 입도 분포 측정 장치에 의해 구한 누적 분포의 50%에 상당하는 체적 기준의 평균 입경을 말한다.
(D) 성분의 배합량은, 상기 (A-1), (A-2) 및 (B) 성분과의 합계 100질량부에 대하여 바람직하게는 50 내지 1000질량부이며, 보다 바람직하게는 60 내지 900질량부, 보다 더 바람직하게는 100 내지 800질량부이다. 배합량이 50 내지 1000질량부의 범위이면, 본 발명의 광 반사 재료용 경화성 실리콘 조성물은 유동성이 양호해지기 쉽고, 또한 조성물의 경화물은 광 반사 성능이 충분해지기 쉽다.
(D) 성분은 2종 이상을 조합해도 사용할 수 있다.
[(E) 성분]
본 발명의 광 반사 재료용 경화성 실리콘 조성물의 (E) 성분은 연무질 실리카 분말이다. (E) 성분이 조성물 중에 포함됨으로써, (A-1), (A-2) 및 (B) 성분과 비교하여 비중이 큰 (D) 성분의 침강, 응집을 방지하여, 불균일이 없는 경화물을 얻을 수 있다.
(E) 성분의 입경은 특별히 규정되지 않지만, (E) 성분으로서는 일반적으로 평균 입경이 1 내지 100nm의 범위인 것이 많이 시판되고 있어 취급하기 쉽고, 5 내지 50nm의 범위의 것이 보다 바람직하다. (E) 성분의 평균 입경이 1 내지 100nm의 범위이면, 더 효과적으로 (D) 성분의 침강, 응집을 방지하여, 불균일이 없는 경화물을 얻을 수 있다.
(E) 성분의 배합량은, 상기 (A-1), (A-2) 및 (B) 성분과의 합계 100질량부에 대하여 바람직하게는 1 내지 50질량부이며, 보다 바람직하게는 1 내지 20질량부, 보다 더 바람직하게는 1 내지 10질량부이다. 배합량이 50질량부 이하이면, 본 발명의 광 반사 재료용 경화성 실리콘 조성물은 보다 양호한 유동성을 나타내고, 1질량부 이상이면, (D) 성분의 침강이나 응집이 일어나지 않는다.
(E) 성분은 2종 이상을 조합해도 사용할 수 있다.
또한, 본 발명의 광 반사 재료용 경화성 실리콘 조성물에는, 접착성 향상제를 배합하는 것이 바람직하다. 접착성 향상제로서는, 실란 커플링제나 그의 올리고머, 실란 커플링제와 동일한 반응성기를 갖는 실리콘 등이 예시되지만, 이들 중에서 하기 (F) 성분 및 (G) 성분이 바람직하다.
(F) 성분은 하기 일반식 (10)으로 표시되는 화합물이며, (G) 성분은 하기 일반식 (11)로 표시되는 화합물이다.
(식 중, s는 1 내지 3의 정수이고, t는 0 내지 2의 정수이고, 단 s+t는 3이다. s가 붙은 아미드 단위와 t가 붙은 아미드 단위는 서로 랜덤하게 배열되어 있다.)
(식 중, u는 1 내지 2의 정수이고, v는 2 내지 4의 정수이고, 단 u+v는 4 내지 5의 정수이다. u가 붙은 실록산 단위와 v가 붙은 실록산 단위는 서로 랜덤하게 배열되어 있다.)
(F) 성분 및 (G) 성분은, 본 발명의 광 반사 재료용 경화성 실리콘 조성물 및 그의 경화물의 기재에 대한 접착성을 향상시키기 위해 조성물에 배합되는 임의적 성분이다. 여기서, 기재란, 금, 은 구리, 니켈 등의 금속 재료, 산화알루미늄, 질화알루미늄, 산화티타늄 등의 세라믹 재료, 실리콘 수지, 에폭시 수지 등의 고분자 재료를 가리킨다. (F) 성분 및 (G) 성분의 각각은 1종 단독으로도 2종 이상을 조합해도 사용할 수 있다.
(F) 성분 및 (G) 성분 각각의 배합량은, 상기 (A-1), (A-2) 및 (B) 성분의 합계 100질량부에 대하여 바람직하게는 1 내지 30질량부이며, 보다 바람직하게는 5 내지 20질량부이다. 배합량이 1 내지 30질량부이면, 본 발명의 광 반사 재료용 경화성 실리콘 조성물 및 그의 경화물은 기재에 대한 접착성이 효과적으로 향상되고, 또한 착색되기 어렵다.
(F) 성분의 적합한 구체예로서는, 하기 식으로 표시되는 화합물을 들 수 있지만, 이들에 한정되는 것은 아니다.
(G) 성분의 적합한 구체예로서는, 하기 식으로 표시되는 화합물을 들 수 있지만, 이들에 한정되는 것은 아니다.
[다른 배합 성분]
본 발명의 광 반사 재료용 경화성 실리콘 조성물에는, 상기 성분에 더하여, 다른 성분을 배합하는 것은 임의이다. 다른 성분으로서는, 예를 들어 이하에 설명하는 것을 들 수 있다.
<산화 방지제>
본 발명의 광 반사 재료용 경화성 실리콘 조성물의 경화물 중에는, 상기 (A-1) 성분 중의 부가 반응성 탄소-탄소 이중 결합이 미반응인 채로 잔존하고 있는 경우가 있으며, 예를 들어 하기 구조식으로 표시되는 2-(비시클로[2.2.1]헵트-2-엔-5-일)에틸기 및 하기 구조식으로 표시되는 2-(비시클로[2.2.1]헵트-2-엔-6-일)에틸기의 어느 한쪽 또는 양쪽 중에 존재하는 탄소-탄소 이중 결합이 포함되어 있는 경우가 있다. 그리고, 이러한 탄소-탄소 이중 결합이 포함되어 있으면, 대기 중의 산소에 의해 산화되어 경화물이 착색되는 원인이 된다. 그래서, 본 발명의 광 반사 재료용 경화성 실리콘 조성물에, 필요에 따라서 산화 방지제를 배합함으로써 착색을 미연에 방지할 수 있다.
2-(비시클로[2.2.1]헵트-2-엔-5-일)에틸기
2-(비시클로[2.2.1]헵트-2-엔-6-일)에틸기
이 산화 방지제로서는, 종래부터 공지된 것을 모두 사용할 수 있고, 예를 들어 힌더드 아민 화합물이나 힌더드 페놀 화합물이 예시되고, 구체적으로는 2,6-디-t-부틸-4-메틸페놀, 2,5-디-t-아밀히드로퀴논, 2,5-디-t-부틸히드로퀴논, 4,4'-부틸리덴비스(3-메틸-6-t-부틸페놀), 2,2'-메틸렌비스(4-메틸-6-t-부틸페놀), 2,2'-메틸렌비스(4-에틸-6-t-부틸페놀) 등을 들 수 있다. 이들은 1종 단독으로도 2종 이상을 조합해도 사용할 수 있다.
또한, 이 산화 방지제를 사용하는 경우, 그 배합량은 산화 방지제로서의 유효량이면 되고 특별히 제한되지 않지만, 상기 (A-1), (A-2) 및 (B) 성분의 합계에 대하여 질량 기준으로, 바람직하게는 10 내지 10,000ppm, 특히 바람직하게는 100 내지 1,000ppm 정도 배합하는 것이 좋다. 이러한 범위 내의 배합량으로 함으로써, 산화 방지 능력이 충분히 발휘되어, 착색, 산화 열화 등의 발생이 없어 광 반사 성능이 우수한 경화물이 얻어진다.
<기타>
또한, 가용 시간을 확보하기 위해서, 1-에티닐시클로헥산올, 3,5-디메틸-1-헥신-3-올 등의 부가 반응 제어제를 배합할 수 있다.
또한, 발광 소자로부터의 광 및 태양 광선 등의 광 에너지에 의한 광 열화에 대한 저항성을 부여하기 위해 광 안정제를 사용하는 것도 가능하다. 이러한 광 안정제로서는, 광 산화 열화로 생성되는 라디칼을 포착하는 힌더드 아민계 안정제가 적합하며, 산화 방지제와 병용함으로써, 산화 방지 효과는 보다 향상된다. 광 안정제의 구체예로서는, 비스(2,2,6,6-테트라메틸-4-피페리딜)세바케이트, 4-벤조일-2,2,6,6-테트라메틸피페리딘 등을 들 수 있다.
[광 반사 재료용 경화성 실리콘 조성물]
본 발명의 광 반사 재료용 경화성 실리콘 조성물(백색 열경화성 실리콘 조성물)은 경화 전에는 액상이며, 그의 25℃에 있어서의 점도는 바람직하게는 5 내지 500Pa·s이고, 보다 바람직하게는 10 내지 400Pa·s이다. 점도가 5 내지 500Pa·s의 범위이면, 얻어지는 조성물은 작업성·취급성이 양호해지기 쉽고, 성형 경화 시에 기포나 공기의 말려들어감이 발생하기 어렵다.
본 발명의 광 반사 재료용 경화성 실리콘 조성물의 점도는, (A-1) (A-2) 내지 (E) 성분 및 다른 배합 성분의 배합 비율, 이들 성분 중에서 액상인 것의 점도, 그리고 (D) 및 (E) 성분의 평균 입경 등에 의해 조절된다.
[광 반사 재료용 실리콘 수지 경화물]
본 발명의 광 반사 재료용 경화성 실리콘 조성물을 성형, 경화시킴으로써, 광 반사 재료용 실리콘 수지 경화물을 얻을 수 있다. 본 발명의 광 반사 재료용 경화성 실리콘 조성물은, 인젝션 몰드법이나 트랜스퍼 몰드법 등 종래 사용되고 있는 성형 방법에 적용할 수 있다. 또한, 본 발명의 광 반사 재료용 경화성 실리콘 조성물은, 25℃에 있어서 높은 유동성을 갖기 때문에, 지금까지의 고형 리플렉터 재료에는 적용할 수 없던 디스펜스법이나 포팅법에 의해 성형할 수 있다. 또한, 본 발명의 광 반사 재료용 경화성 실리콘 조성물의 경화 조건은, 성형물의 형상이나 경화 방법 등에 따라서 상이하고, 특별히 제한되지 않지만, 통상 80 내지 200℃, 바람직하게는 100 내지 180℃에서 1분 내지 24시간, 바람직하게는 5분 내지 5시간의 조건으로 하는 것이 바람직하다.
일반적으로 리플렉터 재료로서 기능하기 위해서는, 가시광(파장: 430 내지 800nm)의 초기 반사율이 바람직하게는 95% 이상(즉, 95 내지 100%), 보다 바람직하게는 97% 이상(즉, 97 내지 100%)이다. 반사율이 95% 이상이면, 경화물을 조명 기구 등의 발광 장치의 리플렉터 재료로서 사용한 경우에, 광의 취출 효율이 보다 높아져, 충분한 밝기를 용이하게 확보할 수 있다. 반사율은, 경화물의 제조 초기뿐만 아니라 내열 시험(경화물을 170℃에서 1,000시간 방치함으로써 행해지는 것) 후에 있어서도, 82% 이상인 것이 바람직하고, 84% 이상인 것이 보다 바람직하다. 본 발명의 광 반사 재료용 경화성 실리콘 조성물로부터 얻어지는 광 반사 재료용 실리콘 수지 경화물은, 가시광(파장: 430 내지 800nm)의 반사율이 95% 이상이며, 170℃, 1,000시간 방치 후의 광 반사율이 82% 이상인 것으로 할 수 있어, 리플렉터 재료로서 충분한 반사율을 얻을 수 있다. 또한, 본 명세서에 있어서 광의 반사율은, 적분구를 탑재한 스펙트로포토미터 장치에 의해 측정된 수치를 의미한다.
리플렉터 재료는, 다이싱 소 등을 사용한 절단 공정을 거쳐 개편화되는 경우가 있다. 이 공정에서는, 충분한 경도가 없으면, 절단이 곤란해지기 때문에, 리플렉터 재료로서 사용할 수 있는 본 발명의 광 반사 재료용 실리콘 수지 경화물은 쇼어 D 경도 65 이상인 것이 바람직하고, 70 이상이 보다 바람직하다.
[리플렉터 및 LED 장치]
본 발명의 광 반사 재료용 경화성 실리콘 조성물(백색 열경화성 실리콘 수지 조성물)은 광 반사 재료용이며, 이 광 반사 재료의 용도는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 LED 등의 발광 장치용, 특히 백색 LED(백색 발광 다이오드)용 리플렉터 재료로서 적합하게 사용할 수 있다. 본 발명의 광 반사 재료용 실리콘 수지 경화물을 포함하는 것인 리플렉터를 탑재한 발광 장치(특히 LED 장치, 백색 LED 장치 등)는 장기간에 걸쳐 높은 광 취출 효율을 유지할 수 있다. 또한, 본 발명의 조성물은 유동성이 높으므로 성형하기 쉽기 때문에, 백색 LED를 포함하는 이들 발광 장치와 함께, 리플렉터 재료로서 사용하는 본 발명의 광 반사 재료용 실리콘 수지 경화물을 원하는 형상으로 하는 것이 용이하다.
[실시예]
이하, 실시예 및 비교예를 나타내어, 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 하기 실시예에 제한되지 않는다. 또한, 하기 예 중, 점도는 회전 점도계인 스파이럴 점도계(가부시키가이샤 말콤, 형식: PC-1T)를 사용하여 측정한 25℃에 있어서의 값이다.
하기 예에 있어서, 실리콘 오일 또는 실리콘 레진의 조성을 나타내는 기호를 이하에 나타낸다. 또한, 각 실리콘 오일 또는 각 실리콘 레진의 몰수는, 각 성분 중에 함유되는 비닐기 또는 규소 원자 결합 수소 원자의 몰수를 나타내는 것이다.
MH: (CH3)2HSiO1 /2
MVi: (CH2=CH)(CH3)2SiO1 /2
MViΦ: (CH2=CH)(C6H5)(CH3)SiO1 /2
DH: (CH3)HSiO2 /2
DΦ: (C6H5)(CH3)SiO2 /2
D2Φ: (C6H5)2SiO2 /2
[합성예 1] (A-1) 성분의 제조
교반 장치, 냉각관, 적하 깔때기 및 온도계를 구비한 5L의 4구 플라스크에, 비닐노르보르넨(상품명: V0062, 도쿄 가세이사제; 5-비닐비시클로[2.2.1]헵트-2-엔과 6-비닐비시클로[2.2.1]헵트-2-엔의 대략 등몰량의 이성체 혼합물) 1785g(14.88몰) 및 톨루엔 455g을 추가하고, 오일 배스를 사용하여 85℃로 가열하였다. 이것에, 5질량%의 백금을 담지시킨 카본 분말 3.6g을 첨가하고, 교반하면서 1,4-비스(디메틸실릴)벤젠 1698g(8.75몰)을 180분간에 걸쳐 적하하였다. 적하 종료 후, 추가로 110℃에서 가열 교반을 24시간 행한 후, 실온까지 냉각시켰다. 그 후, 백금 담지 카본을 여과하여 제거하고, 톨루엔 및 과잉의 비닐노르보르넨을 감압 증류 제거하여, 무색 투명한 오일상의 반응 생성물(25℃에 있어서의 점도: 12820mPa·s) 3362g을 얻었다.
반응 생성물을, FT-IR, NMR, GPC 등에 의해 분석한 결과, 이것은,
(1) p-페닐렌기를 2개 갖는 화합물(하기에 대표적인 구조식의 일례를 나타냄): 약 41몰%,
(2) p-페닐렌기를 3개 갖는 화합물(하기에 대표적인 구조식의 일례를 나타냄): 약 32몰%
(3) p-페닐렌기를 4개 이상 갖는 화합물: 약 27몰%
의 혼합물인 것이 판명되었다. 또한, 혼합물 전체로서의 부가 반응성 탄소-탄소 이중 결합의 함유 비율은 0.36몰/100g이었다.
[실시예 1 내지 4, 비교예 1 내지 4]
하기 (A-1) 내지 (H) 성분을 표 1에 나타내는 배합량(단위: 질량부)으로 배합하고, 실시예 1 내지 4, 비교예 1 내지 4의 각각의 조성물을 얻었다. 즉, 먼저, 5리터 게토 믹서(이노우에 세이사꾸쇼(주)제, 상품명: 5리터 플래니터리 믹서)에 (A) 성분, (D) 성분, (E) 성분 및 (H) 성분을 표 1에 나타내는 배합량으로 투입하고, 실온에서 1시간 혼합하고, 다음으로 (B) 성분, (F) 성분 및 (G) 성분을 표 1에 나타내는 배합량으로 첨가하여 균일해지게 실온에서 30분 혼합하고, 마지막으로 (C) 성분을 표 1에 나타내는 배합량으로 첨가하여 균일해지게 실온에서 감압 하에 30분 혼합하여 백색의 경화성 실리콘 조성물을 얻었다. 얻어진 조성물의 점도를 측정하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
(A-1) 합성예 1에서 얻어진 반응 생성물,
(A-2-1) 평균 분자식: MViΦ 2D2Φ 3으로 표시되는 오르가노폴리실록산
(A-2-2) 평균 분자식: MVi 2D2Φ 4로 표시되는 오르가노폴리실록산
(A-3) 평균 분자식: MVi 2DΦ 6으로 표시되는 오르가노폴리실록산
(B) 평균 분자식: MH 2DH 2D2Φ 2로 표시되는 오르가노폴리실록산
(C) 백금-디비닐테트라메틸디실록산 착체 톨루엔 용액(백금 원자를 1질량% 함유)
(D) 평균 입경 0.5㎛의 산화티타늄 분말,
(E) 평균 입경 14nm의 연무질 실리카 분말,
(F) 하기 식으로 표시되는 화합물
(G) 하기 식으로 표시되는 화합물
(H) 1-에티닐-1-시클로헥산올의 50질량% 톨루엔 용액(부가 반응 제어제)
이어서, 실시예 1 내지 4, 비교예 1 내지 4의 각각의 조성물을 형(型)에 유입시켜, 150℃, 100MPa에서 15분간 가압 경화시키고, 그 후 150℃, 상압의 오븐에서 3시간 경화시켜, 두께 2mm의 경화물(각각 표 2 중의 H1 내지 H4, H5 내지 H8)을 얻었다. 얻어진 경화물의 특성을 표 2에 나타낸다. 경화물의 특성은 이하와 같이 하여 관찰 또는 측정하였다.
외관: 현미경을 사용하여 각 경화물의 표면을 관찰하였다. 하기 기준에 따라서 결과를 표 2에 나타냈다.
외관 균일(○), 필러의 응집에 의한 불균일(Х)
경도(쇼어 D): ASTM D 2240에 준하여, 각 경화물의 경도(쇼어 D)를 측정하였다.
다이싱성: 0.2mm 두께의 동판 상에 각 조성물을 도포하여 상기 조건에서 경화시켜, 1mm 두께의 경화물을 제작하였다. 실온에 방치 후, 점착 필름을 기판에 부착시키고, (주)디스코제 다이싱 장치(DAD341형)를 사용하여 5mmХ5mm의 크기로 절단하였다. 하기 기준에 따라서 결과를 표 2에 나타냈다.
절단면 양호(○), 버 발생(Х)
광 반사율: 적분구를 탑재한 히타치(주)제 스펙트로포토미터 장치 U-3310 을 사용하여, 430 내지 800nm의 파장 영역에서 25℃에서 측정하였다.
이어서, 경화물 H1 내지 H8을 170℃에서 1,000시간 방치하여 내열 시험을 행하였다. 초기(시험 전)의 광 반사율과 시험 후의 광 반사율의 차를 얻음으로써 내열성을 평가하였다. 평가 결과를 표 3에 나타낸다. 광 반사율의 차가 작을수록 내열성이 높다고 평가된다. 눈으로 관찰한 바, 모든 경화물은 초기 백색이었지만, 내열 시험 후, H5만 명백하게 갈색으로 변화되어 있었다.
표 1 내지 3에 나타내는 바와 같이, 본 발명의 광 반사 재료용 경화성 실리콘 조성물을 사용한 실시예 1 내지 4에 있어서는, 모든 조성물이 점도가 낮으며, 따라서 유동성이 우수하였다. 또한, 초기에 있어서는 높은 광 반사율이 얻어짐과 함께, 내열 시험 후에 있어서도 광 반사율의 저하는 근소하였다. 즉, 내열성(특히, 내열 변색성)도 우수한 것을 알았다.
한편, 비교예 1에서는, 내열 시험 후의 광 반사율의 저하가 현저하고, 내열성(특히, 내열 변색성)이 불량하였다. 비교예 2 및 3에서는, 경화물의 경도가 낮기 때문에, 다이싱성이 불량하였다. 또한, 비교예 4에서는, 경화물의 양호한 외관이 얻어지지 않았다.
이상의 결과는, 본 발명의 광 반사 재료용 경화성 실리콘 조성물이, 실온에서 높은 유동성을 가지고, 그의 경화물은, 고경도이며 다이싱 공정에 적합할 뿐만 아니라, 초기의 광 반사율 및 내열 변색성이 우수한 것을 나타내고 있다. 따라서, 본 발명의 광 반사 재료용 경화성 실리콘 조성물의 경화물은, 광 반사 재료, 특히 백색 LED용 리플렉터 재료로서 유용하다.
또한, 본 발명은 상기 실시 형태에 한정되는 것은 아니다. 상기 실시 형태는 예시이며, 본 발명의 특허 청구 범위에 기재된 기술적 사상과 실질적으로 동일한 구성을 가지고, 동일한 작용 효과를 발휘하는 것은 어떠한 것이라도 본 발명의 기술적 범위에 포함된다.
Claims (10)
- (A-1) (a) 하기 일반식 (1)로 표시되는 규소 원자에 결합된 수소 원자를 1 분자 중에 2개 갖는 화합물과, (b) 하기 일반식 (4)로 표시되는 알케닐노르보르넨 화합물의 부가 반응 생성물이며, 부가 반응성 탄소-탄소 이중 결합을 1 분자 중에 적어도 2개 갖는 부가 반응 생성물 30 내지 70질량부,
(A-2) 하기 일반식 (3)으로 표시되는 화합물 30 내지 70질량부(단, 상기 (A-1) 성분 및 상기 (A-2) 성분의 합계는 100질량부이다.),
(B) 규소 원자에 결합된 수소 원자를 1 분자 중에 3개 이상 갖는 유기 규소 화합물
(조성물 중의 규소 원자에 결합된 수소 원자의 합계량이, 조성물 중의 부가 반응성 탄소-탄소 이중 결합에 대하여 몰비로 0.5 내지 3.0이 되는 양임),
(C) 히드로실릴화 반응 촉매,
(D) 산화티타늄 분말 상기 (A-1), (A-2) 및 (B) 성분의 합계 100질량부에 대하여 50 내지 1000질량부, 및
(E) 연무질 실리카 분말 상기 (A-1), (A-2) 및 (B) 성분의 합계 100질량부에 대하여 1 내지 50질량부
을 함유하는 것을 특징으로 하는 광 반사 재료용 경화성 실리콘 조성물.
(식 중 A는 하기 일반식 (2)로 표시되는 기로 이루어지는 군에서 선택되는 2가의 기이고, R1은 독립적으로 비치환 또는 치환된 탄소 원자수 1 내지 12의 1가 탄화수소기 또는 탄소 원자수 1 내지 6의 알콕시기이다.)
(식 중 Ph는 페닐기이고, R2는 독립적으로 비치환 또는 치환된 탄소 원자수 1 내지 12의 1가 탄화수소기이고, R3은 부가 반응성 탄소-탄소 이중 결합 함유기이고, n은 1 내지 20의 정수이다.)
(식 중, R4는 비치환 또는 치환된 탄소 원자수 2 내지 12의 알케닐기이다.) - 제1항에 있어서, 상기 (b)가 5-비닐비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 6-비닐비시클로[2.2.1]헵트-2-엔 및 이들의 조합 중 어느 것인 것을 특징으로 하는 광 반사 재료용 경화성 실리콘 조성물.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 25℃에 있어서의 점도가 5 내지 500Pa·s인 것을 특징으로 하는 광 반사 재료용 경화성 실리콘 조성물.
- 제1항 또는 제2항에 기재된 경화성 실리콘 조성물을 성형, 경화시킴으로써 얻어진 것을 특징으로 하는 광 반사 재료용 실리콘 수지 경화물.
- 제5항에 있어서, 경화 직후에 있어서의, 파장 430 내지 800nm의 광의 반사율이 95% 이상이며, 170℃ 환경 하에 1000시간 폭로 후의 파장 430 내지 800nm의 광의 반사율이 82% 이상인 것을 특징으로 하는 광 반사 재료용 실리콘 수지 경화물.
- 제5항에 있어서, 쇼어 D 경도가 65 이상인 것을 특징으로 하는 광 반사 재료용 실리콘 수지 경화물.
- 제5항에 기재된 광 반사 재료용 실리콘 수지 경화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 리플렉터.
- 제8항에 기재된 리플렉터를 탑재한 것을 특징으로 하는 LED 장치.
- 삭제
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