KR102613412B1 - 일방향성 전자 강판의 제조 방법 - Google Patents

Abstract

이 일방향성 전자 강판의 제조 방법은, 포르스테라이트 피막을 갖지 않는 일방향성 전자 강판의 제조 방법이며, 탈탄 어닐링 공정에 있어서, 0.0010∼0.20인 산소 분압(P1)의 분위기 중, 냉연 강판을, (i-1) 550℃ 이상 720℃ 미만의 온도역에서는, 40∼500℃/초의 평균 가열 속도(HR1)로 가열하고, (i-2) 720℃∼T1℃(770℃≤T1(℃)≤900℃)의 온도역에서는, 5∼50℃/초인 평균 가열 속도(HR2)로 가열하고, (ii) 온도 T1℃에서 50∼1000초 유지하고, C양을 25ppm 이하로 한다.

Description

일방향성 전자 강판의 제조 방법

본 발명은, 변압기의 철심 재료로서 사용하는 일방향성 전자 강판의 제조 방법, 특히, 탈탄성이 우수한 포르스테라이트 피막을 갖지 않는 일방향성 전자 강판의 제조 방법에 관한 것이다.

본원은, 2019년 1월 16일에 일본에 출원된 일본 특허 출원 제2019-005129호에 기초하여 우선권을 주장하고, 그 내용을 여기에 원용한다.

일방향성 전자 강판은, {110} <001> 방위(이하, Goss 방위)에 고배향 집적한 결정립에 의해 구성된, Si를 7％ 이하 함유한 전자 강판이고, 주로 변압기의 철심 재료로서 사용할 수 있다.

일방향성 전자 강판에 있어서의 Goss 방위의 고배향의 집적은, 2차 재결정이라고 불리는 입성장 현상을 이용하여 실현된다. 일방향성 전자 강판은, 자기 특성으로서, 자속 밀도가 높고(자계의 강도 800A/m에 있어서의 자속 밀도 B8값으로 대표됨), 철손이 낮은(W_17/50값으로 대표됨) 것이 요구된다. 특히, 최근에는, 에너지 절약의 견지로부터 전력 손실의 저감에 대한 요구가 한층 높아지고 있다.

일방향성 전자 강판에 있어서, 자구는 교류 자장 하에서는, 자벽의 이동을 수반하여 변화된다. 이 자벽 이동이 원활하게 행해지는 것이, 철손 개선에 효과적이다. 그러나, 자구의 움직임을 관찰하면, 움직이지 않는 자구도 존재하고 있어, 일방향성 전자 강판의 철손값을 더 저감시키기 위해서는, 자구의 움직임을 저해하는 강판 표면의 포르스테라이트(Mg₂SiO₄)계 피막(이하 「글래스 피막」 이라고 하는 경우가 있음.)에 의한 계면 요철로부터의 피닝 효과를 없애는 것이 중요하다.

그러한 피닝 효과를 없애기 위해서는, 자구의 움직임을 저해하는 강판 표면의 글래스 피막을 형성하지 않는 것이 유효하고, 그 수단으로서, 탈탄 어닐링의 노점을 제어하고, 탈탄 어닐링 시에 형성되는 산화층에 있어서, Fe계 산화물(Fe₂SiO₄, FeO 등)을 형성시키지 않는 것 및 어닐링 분리제로서 실리카와 반응하지 않는 알루미나 등의 물질을 사용함으로써, 마무리 어닐링 후에 표면의 평활화를 달성하는 것이 가능한 것이, 특허문헌 1 내지 10에 개시되어 있다.

그러나, 일반적으로, 탈탄 반응은, 분위기 중의 수증기와 강판 중의 고용 탄소의 화학 반응이기 때문에, 저산소 분압화함으로써, 탈탄성은 나빠진다는 문제가 있다. 예를 들어, 특허문헌 10에서는, 1회째의 냉연 후에 산소 분압 0.50∼0.88의 분위기에서 중간 어닐링을 행하고, 탈탄을 촉진시킨 후에, 2회째의 냉연을 행하고, 산소 분압 0.0001∼0.2의 범위에서 탈탄 어닐링을 실시하는 방법이 제안되어 있다.

이 방법에 의해, 양호한 탈탄성을 확보하면서, Fe계 산화물의 생성을 더 강하게 억제하는 것이 가능하게 되지만, 냉연 및 어닐링을 각각 2회 행하기 때문에, 공업적으로는 비용의 문제가 크다.

특허문헌 6에서는, 탈탄 어닐링을 전단과 후단으로 분리하고, 전단 및 후단의 균열 범위를, 770℃≤T1≤860℃로 표현되는 T1(℃)과 T1＋10≤T2≤950℃로 표현되는 T2(℃)의 2단계로 나누어 실시하는 것에 의한, 탈탄성 개선의 기술이 제안되어 있다. 그러나, 특허문헌 6에서 상정되어 있는 산소 분압의 하한값이 0.01 정도이기 때문에, 더한 저산소 분압 하에서는, 탈탄성을 확보할 수 없고, 특히, 최종 판 두께가 0.23㎜ 이상으로 되는 후육재의 난탈탄성은 특히 현저하다는 문제가 있었다.

일본 특허 공개 소64-062417호 공보 일본 특허 공개 평07-118750호 공보 일본 특허 공개 평07-278668호 공보 일본 특허 공개 평07-278669호 공보 일본 특허 공개 2002-173715호 공보 일본 특허 공개 2003-055717호 공보 일본 특허 공개 2003-003213호 공보 일본 특허 공개 2003-041320호 공보 일본 특허 공개 2003-247021호 공보 일본 특허 공표 제2011-518253호 공보

본 발명은, 종래 기술의 과제를 감안하여, 글래스 피막을 산세 등의 수단에 의해 제거하거나, 또는 그 생성을 의도적으로 방지하여 제조한 마무리 어닐링 완료 일방향성 전자 강판, 즉, 포르스테라이트 피막을 갖지 않는 일방향성 전자 강판의 제조에 있어서, 판 두께가 두꺼운 경우라도 적합하게 탄소 잔류량을 낮추고, 또한 저철손을 실현하기 위한 탈탄성이 우수한 일방향성 전자 강판의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명자들은, 상기 과제를 해결하기 위해, 포르스테라이트 피막을 갖지 않는 일방향성 전자 강판에 있어서, 판 두께가 두꺼운 경우라도 적합하게 탄소 잔류량을 낮추고, 또한 저철손을 실현하기 위한 제조 방법에 대하여 예의 검토했다.

그 결과, 탈탄 어닐링 공정을 엄밀하게 제어함으로써, 제조되는 일방향성 전자 강판의 탄소 잔류량을 적합하게 저감시킬 수 있고, 또한 저철손을 실현할 수 있는 것을 알아냈다.

본 발명은, 상기 지견에 기초하여 이루어진 것으로, 그 요지는 이하와 같다.

(1) 질량％로, C: 0.10％ 이하, Si: 0.80∼7.00％, 산 가용성 Al: 0.01∼0.07％, N: 0.012％ 이하, Mn: 1.00％ 이하, S: 0.08％ 이하를 함유하고, 잔부 Fe 및 불순물로 이루어지는 강편을 열간 압연하여 열연 강판으로 하는 열연 공정과, 열연 강판을 어닐링하는 어닐링 공정과, 어닐링 공정 후의 열연 강판을 산세하는 산세 공정과, 산세 공정 후의 열연 강판을 냉간 압연하여 냉연 강판으로 하는 냉연 공정과, 냉연 강판을 탈탄하는 탈탄 어닐링 공정과, 탈탄 어닐링 공정 후의 강판을 마무리 어닐링하는 마무리 어닐링 공정을 구비하고,

탈탄 어닐링 공정은,

(i-1) 550℃ 이상, 720℃ 미만의 온도역을, 40℃/초∼500℃/초인 평균 가열 속도 HR1로 가열하는 제1 가열 처리와;

(i-2) 상기 제1 가열 처리에 이어서, 720℃ 이상, 하기 식(2)를 충족시키는 온도 T1℃ 이하의 온도역을, 5℃/초∼50℃/초인 평균 가열 속도 HR2로 가열하는 제2 가열 처리와;

(ii) 상기 제2 가열 처리에 이어서, 상기 온도 T1℃에서, 50∼1000초 유지하는 제1 어닐링 처리

를 갖고,

상기 제1 가열 처리, 상기 제2 가열 처리 및 상기 제1 어닐링 처리는, 하기 식(1)을 충족시키는 산소 분압 P1의 분위기 하에서 행해지고,

상기 제1 어닐링 처리 후의 상기 강판에서는, C양이 25ppm 이하인

것을 특징으로 하는 일방향성 전자 강판의 제조 방법.

(2) 상기 (1)에 기재된 일방향성 전자 강판의 제조 방법에서는, 상기 탈탄 어닐링 공정이, 상기 제1 어닐링 처리 후에, 하기 식(3)을 충족시키는 산소 분압 P2의 분위기 하에서, 하기 식(4)를 충족시키는 온도 T2℃에서, 3∼500초 유지하는 제2 어닐링 처리를 더 가져도 된다.

(3) 상기 (2)에 기재된 일방향성 전자 강판의 제조 방법에서는, 상기 제1 어닐링 처리와 상기 제2 어닐링 처리 사이에 제3 가열 처리를 더 갖고, 상기 제3 가열 처리는, 상기 T1℃부터 상기 T2℃까지의 온도역을, 5∼50℃/초인 평균 가열 속도 HR3으로 가열해도 된다.

(4) 상기 (1) 내지 (3)의 어느 것에 기재된 일방향성 전자 강판의 제조 방법에서는, 상기 강편이, 질량％로, Cr: 0.01∼0.50％, Cu: 0.01∼0.50％, Sn: 0.01∼0.02％의 1종 또는 2종 이상을 함유해도 된다.

(5) 상기 (1) 내지 (4)의 어느 것에 기재된 일방향성 전자 강판의 제조 방법에서는, 상기 탈탄 어닐링 공정과 상기 마무리 어닐링 공정 사이에, 상기 탈탄 어닐링 공정 후의 상기 강판을 질화 처리하는 질화 처리 공정을 더 구비하고, 상기 마무리 어닐링 공정에서는, 상기 질화 처리 공정 후의 강판을 마무리 어닐링해도 된다.

본 발명에 따르면, 냉연 후의 탈탄 어닐링 공정에서, 저산소 분압의 분위기에서의 어닐링에 의해, 강판 표면의 Fe계 산화물의 생성을 의도적으로 방지하고, 포르스테라이트 피막을 갖지 않는 일방향성 전자 강판을 제조하는 방법에 있어서, Fe계 산화물의 생성이 억제되는 저산소 분압의 분위기에서도, 중간 어닐링을 포함하는 2회 이상의 냉연을 거치는 일 없이, 안정적으로 탈탄 어닐링을 행할 수 있다. 이 결과, 판 두께가 두꺼운 경우라도 적합하게 탄소 잔류량을 낮추고, 또한 저철손을 실현할 수 있다.

본 발명의 일 실시 형태에 관한 탈탄성이 우수한 일방향성 전자 강판의 제조 방법(이하 「본 제조 방법」 이라고 하는 경우가 있음.)은, 질량％로, C: 0.10％ 이하, Si: 0.80∼7.00％, 산 가용성 Al: 0.01∼0.07％, N: 0.012％ 이하, Mn: 1.00％ 이하, S: 0.08％ 이하를 함유하고, 잔부 Fe 및 불순물로 이루어지는 강편을 열간 압연하여 열연 강판으로 하는 열연 공정과, 열연 강판을 어닐링하는 어닐링 공정과, 어닐링 공정 후의 열연 강판을 산세하는 산세 공정과, 산세 공정 후의 열연 강판을 냉간 압연하여 냉연 강판으로 하는 냉연 공정과, 냉연 강판을 탈탄하는 탈탄 어닐링 공정과, 탈탄 어닐링 공정 후의 강판을 마무리 어닐링하는 마무리 어닐링 공정을 구비하고,

상기 탈탄 어닐링 공정은,

(i-1) 550℃ 이상, 720℃ 미만의 온도역을, 40∼500℃/초인 평균 가열 속도 HR1로 가열하는 제1 가열 처리와;

(i-2) 상기 제1 가열 처리에 이어서, 720℃ 이상, 하기 식(2)를 충족시키는 온도 T1℃ 이하의 온도역을, 5∼50℃/초인 평균 가열 속도 HR2로 가열하는 제2 가열 처리와;

(ii) 상기 제2 가열 처리에 이어서, 상기 온도 T1℃에서 50∼1000초 유지하는 제1 어닐링 처리

를 갖고,

상기 제1 가열 처리, 상기 제2 가열 처리 및 상기 제1 어닐링 처리는, 하기 식(1)을 충족시키는 산소 분압 P1의 분위기 하에서 행해지고,

상기 제1 어닐링 처리 후의 상기 강판에서는, C양이 25ppm 이하이다.

이하, 본 제조 방법에 대하여 설명한다. 또한, 본 실시 형태에 있어서, 「∼」를 사용하여 표현되는 수치 한정 범위는, 「∼」의 전후에 기재되는 수치를 하한값 및 상한값으로서 포함하는 범위를 의미한다.

먼저, 본 제조 방법에 있어서 열간 압연에 제공하는, 전자 강판 제조용의 강편(이하 「본 강편」 이라고 하는 경우가 있음.)의 화학 조성의 한정 이유에 대하여 설명한다. 이하, 화학 조성에 관한 ％는 강편(더 엄밀하게는 화학 조성의 분석에 사용한 강편 시료)의 총 질량에 대한 질량％를 의미한다.

<화학 조성>

C: 0.10％ 이하

C의 함유량이 0.10％를 초과하면, 2차 재결정 어닐링에 있어서 강이 상변태되어, 2차 재결정이 충분히 진행되지 않아, 양호한 자속 밀도와 철손 특성이 얻어지지 않으므로, C의 함유량은 0.10％ 이하로 한다. 철손 저감의 관점에서, 바람직하게는 0.08％ 이하, 보다 바람직하게는 0.06％ 이하이다. C의 검출 한계가 0.001％ 정도이므로, 실용 강판상, 0.001％가 실질적인 하한이다.

Si: 0.80∼7.00％

Si의 함유량이 0.80％ 미만이면, 2차 재결정 어닐링에 있어서 강이 상변태되어, 2차 재결정이 충분히 진행되지 않아, 양호한 자속 밀도와 철손 특성이 얻어지지 않으므로, Si의 함유량은 0.80％ 이상으로 한다. 바람직하게는 1.00％ 이상, 보다 바람직하게는 2.50％ 이상, 보다 바람직하게는 3.00％ 이상이다.

한편, Si의 함유량이 7.00％를 초과하면, 강판이 취화되어, 제조 공정에서의 통판성이 현저하게 열화되므로, Si의 함유량은 7.00％ 이하로 한다. 바람직하게는 4.00％ 이하, 보다 바람직하게는 3.75％ 이하이다.

산 가용성 Al: 0.01∼0.07％

본 발명 전자 강판에 있어서, 산 가용성 Al(sol.Al)은, 2차 재결정에 있어서의 인히비터로서 필수의 원소이다. 즉, 산 가용성 Al은, AlN을 형성하여, 안정적으로 2차 재결정을 일으키게 하는 원소이다.

산 가용성 Al의 함유량이 0.01％ 미만이면, 인히비터로서 기능하는 AlN이 충분히 생성되지 않아, 2차 재결정이 불충분해져, 철손 특성이 향상되지 않으므로, 산 가용성 Al의 함유량은 0.01％ 이상으로 한다. 바람직하게는 0.015％ 이상, 보다 바람직하게는 0.020％ 이상이다.

한편, 산 가용성 Al의 함유량이 0.07％를 초과하면, 강판이 취화되고, 특히, Si가 많은 본 발명 전자 강판에서는, 취화가 현저해지므로, 산 가용성 Al의 함유량은 0.07％ 이하로 한다. 바람직하게는 0.05％ 이하, 보다 바람직하게는 0.03％ 이하이다.

N: 0.012％ 이하

N의 함유량이 0.012％를 초과하면, 냉연 시, 강판 중에 블리스터(공공)가 발생하는 데다가, 강판의 강도가 상승하여, 제조 시의 통판성이 악화되므로, N의 함유량은 0.012％ 이하로 한다. 바람직하게는 0.010％ 이하, 보다 바람직하게는 0.009％ 이하이다.

한편, N가 Al과 결합하여, 인히비터로서 기능하는 AlN을 형성하기 위해서는, N의 함유량은 0.004％ 이상이 바람직하다. 보다 바람직하게는 0.006％ 이상이다.

Mn: 1.00％ 이하

Mn의 함유량이 1.00％를 초과하면, 2차 재결정 어닐링에 있어서 강이 상변태되어, 2차 재결정이 충분히 진행되지 않아, 양호한 자속 밀도와 철손 특성이 얻어지지 않으므로, Mn의 함유량은1.00％ 이하로 한다. 바람직하게는 0.50％ 이하, 보다 바람직하게는 0.20％ 이하이다.

MnS을, 2차 재결정 시, 인히비터로서 활용할 수 있지만, AlN을 인히비터로서 활용하는 경우, MnS은 필수는 아니므로, Mn의 함유량의 하한은 0％를 포함한다. MnS을 인히비터로서 활용하는 경우, Mn의 함유량은 0.02％ 이상으로 한다. 바람직하게는 0.05％ 이상, 보다 바람직하게는 0.07％ 이상이다.

S: 0.08％ 이하

S의 함유량이 0.08％를 초과하면, 열간 취성이 원인으로 되어, 열연이 현저하게 곤란해지므로, S의 함유량은 0.08％ 이하로 한다. 바람직하게는 0.04％ 이하, 보다 바람직하게는 0.03％ 이하이다.

AlN을 인히비터로서 활용하는 경우, MnS은 필수는 아니므로, S의 함유량의 하한은 0％를 포함하지만, MnS을, 2차 재결정 시, 인히비터로서 활용하는 경우, S의 함유량은 0.005％ 이상으로 한다. 바람직하게는 0.01％ 이상, 보다 바람직하게는 0.02％ 이상이다.

또한, S의 일부를, Se 또는 Sb로 치환해도 되고, 그 경우는, Seq＝S＋0.406Se, 또는 Seq＝S＋0.406Sb로 환산한 값을 사용한다.

본 발명 전자 강판은, 상기 원소 외에, 본 발명 전자 강판의 특성을 향상시키기 위해, 이하의 원소 1종 또는 2종 이상을 함유해도 된다.

Cr: 0.01∼0.50％

Cr은, 1차 재결정의 집합 조직을 개선하고, 2차 재결정을 안정화시켜, 철손 저감 효과를 가져오는 원소이다. Cr의 함유량이 0.01％ 미만이면, 집합 조직의 개선 효과가 충분히 얻어지지 않으므로, Cr의 함유량은 0.01％ 이상으로 한다. 바람직하게는 0.03％ 이상, 보다 바람직하게는 0.05％ 이상이다.

한편, Cr의 함유량이 0.50％를 초과하면, Cr이 O와 결합하여, Cr₂O₃ 피막을 형성하고, 탈탄성을 열화시키므로, Cr의 함유량은 0.50％ 이하로 한다. 바람직하게는 0.30％ 이하, 보다 바람직하게는 0.20％ 이하이다.

Cu: 0.01∼0.50％

Cu는, Cr과 마찬가지로 1차 재결정의 집합 조직을 개선하고, 2차 재결정을 안정화시켜, 철손 저감 효과를 가져오는 원소이다. Cu의 함유량이 0.01％ 미만이면, 집합 조직의 개선 효과가 충분히 얻어지지 않으므로, Cu의 함유량은 0.01％ 이상으로 한다. 바람직하게는 0.03％ 이상, 보다 바람직하게는 0.05％ 이상이다.

한편, Cu의 함유량이 0.50％를 초과하면, 열간 압연 중, 강판이 취화되므로, Cu의 함유량은 0.50％ 이하로 한다. 바람직하게는 0.20％ 이하, 보다 바람직하게는 0.10％ 이하이다.

Sn: 0.01∼0.20％

Sn은, Cr 및 Cu와 마찬가지로 1차 재결정의 집합 조직을 개선하는 원소이다. Sn의 함유량이 0.01％ 미만이면, 강판 표면의 평활화 효과가 충분히 얻어지지 않으므로, Sn의 함유량은 0.01％ 이상으로 한다. 바람직하게는 0.02％ 이상, 보다 바람직하게는 0.03％ 이상이다.

한편, Sn의 함유량이 0.20％를 초과하면, 2차 재결정이 불안정해져, 자기 특성이 열화되므로, Sn의 함유량은 0.20％ 이하로 한다. 바람직하게는 0.15％ 이하, 보다 바람직하게는 0.10％ 이하이다.

본 강편의 화학 조성의 잔부는 Fe 및 불순물이지만, 자기 특성의 가일층의 향상, 강도, 내식성이나 피로 특성 등의 구조 부재에 요구되는 특성의 향상, 주조성이나 통판성의 향상, 스크랩 사용 등에 의한 생산성 향상을 목적으로 하여, 잔부의 철의 일부 대신에 Mo, W, In, Bi, Sb, Ag, Te, Ce, V, Co, Ni, Se, Re, Os, Nb, Zr, Hf, Ta, Y, La 등의 미량 원소를, 합계 5.0％ 이하, 바람직하게는 2.0％ 이하 함유해도 된다. 불순물은 강편의 제조 과정에서 강편에 불가피하게 혼입되는 불가피적 불순물을 포함한다. 본 실시 형태의 효과를 손상시키지 않는 범위에서, 상기에서 열거한 원소 이외의 원소를 불순물로서 강편에 첨가해도 된다.

상술한 강편(혹은 일방향성 전자 강판 중의 모재 강판)의 화학 성분은, 일반적인 분석 방법에 의해 측정하면 된다. 예를 들어, 강 성분은, ICP-AES(Inductively Coupled Plasma-Atomic Emission Spectrometry)를 사용하여 측정하면 된다. 또한, C 및 S은 연소-적외선 흡수법을 사용하고, N는 불활성 가스 융해-열전도도법을 사용하고, O는 불활성 가스 융해-비분산형 적외선 흡수법을 사용하여 측정하면 된다.

이어서, 본 제조 방법에 대하여 설명한다.

<제조 방법>

본 실시 형태에 관한 탈탄성이 우수한 일방향성 전자 강판의 제조 방법은, 질량％로, C: 0.10％ 이하, Si: 0.80∼7.00％, 산 가용성 Al: 0.01∼0.07％, N: 0.012％ 이하, Mn: 1.00％ 이하, S: 0.08％ 이하를 함유하고, 잔부 Fe 및 불순물로 이루어지는 강편을 열간 압연하여 열연 강판으로 하는 열연 공정과, 열연 강판을 어닐링하는 어닐링 공정과, 어닐링 공정 후의 열연 강판을 산세하는 산세 공정과, 산세 공정 후의 열연 강판을 냉간 압연하여 냉연 강판으로 하는 냉연 공정과, 냉연 강판을 탈탄하는 탈탄 어닐링 공정과, 탈탄 어닐링 공정 후의 강판을 마무리 어닐링하는 마무리 어닐링 공정을 구비한다.

여기서, 탈탄 어닐링 공정은, 냉연 강판을 탈탄함과 함께, 결정 입경을 2차 재결정에 바람직한 크기로 제어하는(2차 재결정 전의 입경을 1차 재결정 입경이라고 함) 공정이다.

본 제조 방법의 탈탄 어닐링 공정은,

(i-1) 550℃ 이상, 720℃ 미만의 온도역을, 40∼500℃/초인 평균 가열 속도 HR1로 가열하는 제1 가열 처리와;

(i-2) 제1 가열 처리에 이어서, 720℃ 이상, 하기 식(2)를 충족시키는 온도 T1℃ 이하의 온도역을, 5∼50℃/초인 평균 가열 속도 HR2로 가열하는 제2 가열 처리와;

(ii) 제2 가열 처리에 이어서, 온도 T1℃에서 50∼1000초 유지하는 제1 어닐링 처리

를 갖는다.

또한, 제1 가열 처리, 제2 가열 처리 및 제1 어닐링 처리는, 하기 식(1)을 충족시키는 산소 분압 P1의 분위기 하에서 행해진다.

또한, 제1 어닐링 처리 후의 상기 강판에서는, C양이 25ppm 이하이다.

이하, 중요한 제어 인자에 대하여 설명한다.

어닐링 분위기의 산소 분압 P1: 0.0010 이상, 0.20 이하

탈탄 어닐링에 있어서, 강판 표면에 산화막(예를 들어, Mn, Si에서 유래하는 산화막)이 생성되면, 탈탄 반응이 저해되므로, 산화막의 생성을 제어하는 것은 중요하다.

산화막의 생성을 제어하는 인자는, 가열 속도(후술), 유지 온도와 유지 시간(후술) 외에, 분위기의 산소 분압이 있다. 산화막은, 금속 원자와 산소의 산화 반응이므로, 산화막의 생성 거동은, 특히, 어닐링 분위기의 산소 분압(산화도)에 민감하다.

산소 분압(산화도)은, 수증기(H₂O) 분압을 수소(H₂) 분압으로 제산한 것으로 하여 정의된다. 즉, 산소 분압이 큰 분위기는, 수증기 분압이 높은 분위기이다. 탈탄은, C＋H₂O→H₂＋CO의 반응에서 진행되므로, 산소 분압은 큰 편이 바람직하다.

본 제조 방법의 탈탄 어닐링 분위기의 산소 분압 P1은, 상기 식(1)을 충족시키는 산소 분압으로 한다.

산소 분압 P1이 0.0010 미만이면, 외부 산화형의 치밀한 SiO₂가 급속하게 형성되어 탈탄 반응이 저해되므로, 산소 분압 P1은 0.0010 이상으로 한다. 바람직하게는 0.010 이상이다.

탈탄 반응을 촉진하는 점에서, 산소 분압의 상한은 특별히 한정되지 않지만, 산소 분압 P1이 0.20을 초과하면, 강판 표면에, 2차 재결정의 진행을 억제하는 작용을 이루는 철계 산화물이 생성되기 쉬워지므로, 산소 분압 P1은 0.20 이하로 한다. 바람직하게는 0.15 이하이다.

(i-1) 1단째 가열(제1 가열 처리라고 호칭하는 경우가 있음)

가열 온도역: 550℃ 이상, 720℃ 미만

평균 가열 속도 HR1: 40℃/초 이상, 500℃/초 이하

탈탄 반응을 저해하는 SiO₂의 생성 거동은, 분위기의 산소 분압뿐만 아니라, 가열 속도에도 의존한다. 그 때문에, 탈탄 어닐링에 있어서의 가열은, SiO₂의 생성을 최대한 회피하는 열 사이클을 거치는 것이 중요하다.

그 때문에, SiO₂의 생성 온도역인 550℃ 이상의 온도역에 있어서의 평균 가열 속도 HR1을 40℃/초 이상으로 한다. 바람직하게는 70℃/초 이상이다. 가열 속도가 빠를수록 탈탄에는 바람직하지만, 가열 속도가 너무 빠르면 강판의 온도가 오버슈트될(T1의 상한값을 초과할) 가능성이 있다. 강판의 온도가 오버슈트된 경우, 1차 재결정립 집합 조직 중의 결정립이 조대화되어, 2차 재결정이 불량으로 된다. 따라서, 가열 속도는 500℃/초 이하로 한다. 바람직하게는 200℃/초 이하이다.

평균 가열 속도 HR1: 40℃/초 이상, 500℃/초 이하의 가열 속도로, 가열 도달 온도가 상기 식(2)를 충족시키는 온도 T1℃를 확실하게 초과하지 않도록, 상기 가열 속도를 적용하는 온도역은 720℃ 미만(<770℃[온도 T1℃의 하한])으로 한다. 즉, 평균 가열 속도 HR1로 가열하는 가열 온도역은, 550℃ 이상, 720℃ 미만으로 한다. 또한, 본 실시 형태에 있어서의 각 단의 「평균 가열 속도」는, 각 단의 온도역의 온도 범위(상한값-하한값)를 각 단의 가열에 필요한 시간으로 제산함으로써 얻어진다. 또한, 1단째 가열의 평균 가열 속도를 측정하는 데 있어서는, 편의적으로 1단째 가열의 상한값을 720℃로 한다.

(i-2) 2단째 가열(제2 가열 처리라고 호칭하는 경우가 있음)

가열 온도역: 720℃ 이상, 상기 식(2)를 충족시키는 온도 T1℃ 이하

평균 가열 속도 HR2: 5℃/초 이상, 50℃/초 이하

720℃ 이상, 온도 T1℃ 이하의 가열 온도역에 있어서의 가열 속도도 중요하다. 가열 도달 온도가 상기 식(2)를 충족시키는 온도 T1℃를 확실하게 초과하지 않는 가열 속도를 채용할 필요가 있다. 그래서, 720℃ 이상, 상기 식(2)를 충족시키는 온도 T1℃ 이하의 온도역에 있어서의 평균 가열 속도 HR2를 5℃/초 이상, 50℃/초 이하로 한다.

평균 가열 속도 HR2가 5℃/초 미만이면, 생산성이 저하되므로, 평균 가열 속도 HR2는 5℃/초 이상으로 한다. 바람직하게는 7℃/초 이상이다. 한편, 평균 가열 속도 HR2가 50℃/초를 초과하면, 가열 도달 온도가 온도 T1℃를 초과하는 경우가 있으므로, 평균 가열 속도 HR2는 50℃/초 이하로 한다. 바람직하게는 20℃/초 이하이다.

(ii) 탈탄 어닐링(제1 어닐링 처리라고 호칭하는 경우가 있음)

어닐링 온도 T1: 상기 식(2)를 충족시키는 온도 T1℃(770℃ 이상, 900℃ 이하)

유지 시간: 50초 이상, 1000초 이하

강판 C양: 25ppm 이하

탈탄 반응은, 강 중 탄소의 확산 속도, 즉, 온도와 시간에 크게 의존한다. 어닐링 온도 T1이 770℃ 이하이면, 탈탄 반응의 진행이 곤란해지므로, 어닐링 온도 T1은 770℃ 이상으로 한다. 바람직하게는 800℃ 이상, 보다 바람직하게는 810℃ 이상이다.

한편, 어닐링 온도 T1이 900℃를 초과하면, 강판 표면에, Mn, Si에서 유래하는 산화막이 생성되고, 탈탄 반응이 확산 율속으로부터 계면 율속으로 이행하여, 탈탄 반응의 진행이 저해되므로, 어닐링 온도 T1은 900℃ 이하로 한다. 바람직하게는 870℃ 이하, 보다 바람직하게는 850℃ 이하이다.

또한, 탈탄 어닐링에 있어서, 어닐링 온도 외에, 유지 시간도 중요하다. 그래서, T1℃에 있어서의 유지 시간을 50초 이상 1000초 이하로 한다. 유지 시간이 50초 미만이면, 탈탄 반응이 충분히 진행되지 않아, 잔류한 C가 자기 시효를 일으키므로, 유지 시간은 50초 이상으로 한다. 바람직하게는 70초 이상, 보다 바람직하게는 100초 이상이다.

한편, 유지 시간이 1000초를 초과하면, 1차 재결정립이 조대화되어, 2차 재결정 불량의 원인이 되므로, 유지 시간은 1000초 이하로 한다. 바람직하게는 500초 이하, 보다 바람직하게는 200초 이하이다.

본 제조 방법에 있어서, 탈탄 반응을 더 촉진하기 위해, 상기 어닐링(제1 어닐링 처리)에 이어서, 하기 식(3)을 충족시키는 산소 분압 P2의 분위기 중, 하기 식(4)를 충족시키는 온도 T2℃에서, 3초 이상, 500초 이하 유지하는 제2 어닐링 처리를 행하는 것이 유효하다.

온도 T1℃에 있어서의 탈탄 속도는, 시간과 함께 감쇠하고, 탈탄 반응은, 최종적으로 열평형 상태에 도달한다. 탈탄 반응이 열평형 상태에 도달한 시점에서, 더 고온으로 가열하면, 다시, 탈탄 반응을 진행시키는 것이 가능하다. 그래서, 제조되는 일방향성 전자 강판의 탄소 잔류량을 더 적합하게 저감시키기 위해, 본 제조 방법에 있어서는, 제1 어닐링 처리에 이어서, 제2 어닐링 처리를 행하는 것이 바람직하다.

제2 어닐링 처리

어닐링 분위기의 산소 분압 P2: P1 미만(상기 식(3))

어닐링 온도 T2: T1＋10℃ 이상, 960℃ 이하(상기 식(4))

유지 시간: 3초 이상, 500초 이하

제2 어닐링 처리의 어닐링 분위기인 산소 분압 P2를, 제1 어닐링 처리의 어닐링 분위기의 산소 분압 P1(0.0010 이상, 0.20 이하)과 동일하게 하면, 강판 표면에 산화막이 생성되므로, 제2 어닐링 처리의 어닐링 분위기의 산소 분압 P2는, 상기 산소 분압 P1 미만으로 한다. 바람직하게는, P1×0.1 이하이다.

제2 어닐링 처리의 어닐링 분위기의 산소 분압 P2는, 상기 산소 분압 P1 미만에 있어서, 강판 표면에 있어서의 산화막의 생성을 억제하면서 탈탄 반응을 촉진하는 범위에서, 적절히 설정하면 되므로, 하한은, 특별히 한정하지 않지만, 산화막의 생성을 확실하게 억제하는 점에서, 상기 산소 분압은 P1×0.01 이상이 바람직하다.

제2 어닐링 처리의 어닐링 온도 T2℃가, T1(770℃ 이상, 900℃ 이하)＋10℃ 미만이면, 탈탄 반응이 다시 진행되지 않으므로, 제2 어닐링 처리의 어닐링 온도 T2℃는, T1℃(770℃ 이상, 900℃ 이하)＋10℃ 이상으로 한다. 바람직하게는, T1℃(770℃ 이상, 900℃ 이하)＋20℃ 이상이다.

탈탄 반응 촉진의 점에서, 어닐링 온도 T2℃에 상한은 없지만, 결정 입경 제어의 점으로부터, 어닐링 온도 T2℃는 960℃ 이하로 한다. 바람직하게는, 950℃ 이하이고, 보다 바람직하게는 T1℃＋60℃ 이하이다.

제2 어닐링 처리는, 1단째 어닐링 처리에 이어지는 부가적 어닐링 처리이므로, 생산성의 점에서, 유지 시간은 단시간인 것이 바람직하다. 유지 시간이 3초 미만이면, 탈탄 반응이 거의 진행되지 않아, 제2 어닐링 처리의 효과를 얻지 못하므로, 유지 시간은 3초 이상으로 한다. 바람직하게는 10초 이상이다.

한편, 유지 시간이 500초를 초과하면, 제2 어닐링 처리의 효과가 포화되어, 생산성이 저하되므로, 유지 시간은 500초 이하로 한다. 바람직하게는 100초 이하이다.

제1 어닐링 처리로부터 제2 어닐링 처리로 이행할 때, 탈탄 반응이 저해되지 않도록, 강판 표면에 있어서의 산화막의 생성을 억제할 필요가 있다. 그 때문에, 제1 어닐링 처리의 온도 T1℃부터 제2 어닐링 처리의 온도 T2℃에 이르기까지의 가열(제3 가열 처리라고 호칭하는 경우가 있음)에서의 평균 가열 속도 HR3은, 5℃/초 이상, 50℃/초 이하로 한다.

평균 가열 속도 HR3이 5℃/초 미만이면, 제2 어닐링 처리의 온도 T2℃에 도달하지 않으므로, 평균 가열 속도 HR3은 5℃/초 이상으로 한다. 바람직하게는 10℃/초 이상이다. 한편, 평균 가열 속도 HR3이 50℃/초를 초과하면, 가열 도달 온도가 온도 T2℃를 초과하고, 1차 재결정 입경이 조대화되어, 2차 재결정 불량의 원인으로 되어, 자속 밀도가 저하되므로, 평균 가열 속도 HR3은 50℃/초 이하로 한다. 바람직하게는 20℃/초 이하이다.

질화 처리

탈탄 어닐링 공정 후의 강판에 질화 처리를 행해도 된다. 이 질화 처리의 방법은 특별히 한정되지 않고, 암모니아 등의 질화능이 있는 분위기 가스 중에서 행하는 방법 등을 예로서 들 수 있다. 질화 처리의 처리 시간이나 처리 조건은 특별히 한정되지 않고, 강판 중의 N양이 0.005％ 이상, 바람직하게는 강판 중의 (N양)/(산 가용성 Al양)의 비율이 2/3 이상으로 되도록 질화 처리를 행하면 된다.

이 질화 처리 공정은, 강편을 1300℃ 미만의 온도에서 가열한 후에 열간 압연 공정을 행하는 경우(저온 슬래브 가열 또는 중온 슬래브 가열이라고 불리는 경우가 있음)에, 특히 유효하다. 한편, 강편을 1300℃ 이상의 온도에서 가열하여 인히비터라고 불리는 미세 석출물을 거의 완전히 고용시킨 후에 열간 압연 공정을 행하는 경우(고온 슬래브 가열이라고 불리는 경우가 있음)에는, 질화 처리 공정을 행하지 않아도 된다.

이상 설명한 바와 같이, 본 실시 형태에서는, 냉연 후의 탈탄 어닐링 공정에서, 저산소 분압의 분위기에서의 어닐링에 의해, 강판 표면의 Fe계 산화물의 생성을 의도적으로 방지하여, 포르스테라이트 피막을 갖지 않는 일방향성 전자 강판을 제조한다. 또한, 본 실시 형태에서는, 탈탄 어닐링 공정을 엄밀하게 제어함으로써, Fe계 산화물의 생성이 억제되는 저산소 분압의 분위기에서도, 중간 어닐링을 포함하는 2회 이상의 냉연을 거치는 일 없이, 안정적으로 탈탄 어닐링을 행할 수 있다. 이 결과, 판 두께가 두꺼운 경우(예를 들어, 판 두께가 0.23㎜ 이상으로 되는 경우)라도 적합하게 탄소 잔류량을 낮추고, 또한 저철손을 실현할 수 있다. 또한, 자속 밀도(예를 들어, 자계의 강도 800A/m에 있어서의 자속 밀도 B8)를 높일 수 있다.

실시예

이하, 본 제조 방법의 실시예에 기초하여, 본 제조 방법의 기술적 내용을 더 설명한다. 또한, 이하에 나타내는 실시예에서의 조건은, 본 발명의 실시 가능성 및 효과를 확인하기 위해 채용한 일 조건예이고, 본 발명은, 이 일 조건예에 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명은, 본 발명의 요지를 일탈하지 않고, 본 발명의 목적을 달성하는 한에 있어서, 다양한 조건을 채용할 수 있는 것이다.

<실시예 1>

표 1에 나타내는 화학 조성의 잉곳을 진공 용해하여 주조하여, 강편으로 했다. 이 강편을 1150℃로 가열하여, 열간 압연에 제공하여, 판 두께 2.3㎜의 열연 강판으로 했다. 이 열연 강판을, 1000∼1100℃에서 2분간 어닐링한 후, 산세하고, 산세 후, 냉간 압연에 제공하여, 최종 판 두께 0.23∼0.30㎜의 냉연 강판으로 했다.

냉연 강판을, 수소와 질소를 함유하는 습윤 가스 중(P1＝P_H2O/P_H2＝0.10)에 있어서, 820℃에서, 140초 탈탄 어닐링했다. 550℃ 이상, 720℃ 미만의 온도역에 있어서의 평균 가열 속도 HR1을 80℃/초로 하고, 720℃ 이상, 820℃ 이하(즉, T1: 820℃)의 온도역에 있어서의 평균 가열 속도 HR2를 10℃/초로 했다.

탈탄 어닐링 후의 강판에, 알루미나를 주성분으로 하는 어닐링 분리제를, 물 슬러리상으로 도포하고, 마무리 어닐링을 실시했다. 마무리 어닐링은, 1200℃까지는, 질소를 함유하는 분위기 중에서 15℃/시간의 승온 속도로 행하고, 1200℃에서 수소 100％로 전환하여 20시간 어닐링을 행하였다.

이상의 공정을 거친 2차 재결정 완료의 강판으로부터 평가용의 시료를 채취하고, 해당 시료에, 질소와 수소 함유의 건조 가스 분위기 하에서, 800℃×2시간의 응력 제거 어닐링을 실시한 후, 질소 분위기 하에서 150℃×300시간의 시효 처리를 실시하고, SST(Single Sheet Tester)로 자속 밀도 및 철손을 측정하고, 또한, 잔류 탄소량을 분석했다.

표 2에, 시효 처리 후의 자속 밀도 B8(T), 철손(W_17/50) 및 잔류 탄소량(ppm)을 나타낸다.

잔류 탄소량의 분석은, JIS G 1211-4:2011에 준하여 행하였다. 자기 시효의 관점에서, 잔류 탄소량은 25ppm 이하를 목표로 했다. SST는, JIS C 2553에 준하여 행하였다. 철손은, 주파수 50㎐, 최대 자속 밀도 1.7T일 때의 철손 W_17/50(W/㎏)으로 평가했다. W_17/50(W/㎏)은 0.85 이하를 목표로 했다.

자속 밀도는, 자계의 강도 800A/m에 있어서의 자속 밀도 B8로 평가했다. B8은 1.88T 이상을 목표로 하고, B8이 1.88T 미만인 시료에 대해서는, 철손을 평가하지 않았다. 또한, 냉간 압연이 불가인 강판에 대해서는, 잔류 탄소량을 분석하지 않고, 자속 밀도와 철손을 평가하지 않았다. 발명예에서는, 23ppm 이하의 잔류 탄소량, 1.89T 이상의 자속 밀도 B8, 0.84 이하의 철손 W_17/50(W/㎏)이 얻어져 있는 것을 알 수 있다.

<실시예 2>

표 1에 나타내는 화학 조성의 잉곳을 진공 용해하여 주조하여, 강편으로 했다. 이 강편을 1150℃로 가열하여, 열간 압연에 제공하여, 판 두께 2.3㎜의 열연 강판으로 했다. 이 열연 강판을, 1000∼1100℃에서 2분간 어닐링한 후, 산세하고, 산세 후, 냉간 압연에 제공하여, 최종 판 두께 0.23∼0.30㎜의 냉연 강판으로 했다.

이 냉연 강판에, 표 3에 나타내는 조건에서 탈탄 어닐링을 실시했다. HR1은, 550℃ 이상, 720℃ 미만의 온도역에서의 평균 가열 속도이고, HR2는 720℃ 이상, 어닐링 온도 T1℃ 이하의 온도역에서의 평균 가열 속도이다. 또한, 표 3의 「유지 시간」은, 탈탄 어닐링 중, T1℃에서의 유지 시간을 나타낸다.

탈탄 어닐링 후의 강판에, 알루미나를 주성분으로 하는 어닐링 분리제를, 물 슬러리상으로 도포하여, 마무리 어닐링을 실시했다. 마무리 어닐링은, 1200℃까지는, 질소 함유의 분위기 중에서 15℃/시간의 승온 속도로 행하고, 1200℃에서 수소 100％로 전환하여 20시간 행하였다.

이상의 공정을 거친 2차 재결정 완료의 강판으로부터 평가표의 시료를 채취하고, 해당 시료에, 질소와 수소 함유의 건조 가스 분위기 하에서, 800℃, 2시간의 응력 제거 어닐링을 실시한 후, 질소 분위기 하에서 150℃×300시간의 시효 처리를 실시하고, SST로 자속 밀도 및 철손을 측정하고, 또한, 잔류 탄소량을 분석했다. 자성의 평가 방법 및 잔류 탄소량의 분석 방법은, 실시예 1과 마찬가지이다.

표 3에, 시효 처리 후의 자속 밀도 B8(T), 철손(W_17/50) 및 잔류 탄소량(ppm)을 함께 나타낸다. 발명예에서는, 22ppm 이하의 잔류 탄소량, 1.90T 이상의 자속 밀도 B8, 0.78 이하의 철손 W_17/50(W/㎏)이 얻어져 있는 것을 알 수 있다. 또한, 비교예 c9에서는 평균 가열 속도 HR1이 500℃/초를 초과하고 있고, 평균 가열 속도 HR1에서의 가열 시에 강판의 온도가 T1의 상한값을 초과했다. 이 때문에, 평균 가열 속도 HR2를 측정할 수 없었다.

<실시예 3>

표 1에 나타내는 화학 조성의 잉곳을 진공 용해하여 주조하여, 강편으로 했다. 이 강편을 1150℃로 가열하여, 열간 압연에 제공하여, 판 두께 2.3㎜의 열연 강판으로 했다. 이 열연 강판을, 1000∼1100℃에서 2분간 어닐링한 후, 산세하고, 산세 후, 냉간 압연에 제공하고, 최종 판 두께 0.23∼0.30㎜의 냉연 강판으로 했다.

이 냉연 강판에, P1＝0.10의 어닐링 분위기 중에서, T1＝820℃, 140초의 탈탄 어닐링을 실시했다. 그때, T1까지의 가열은, 550℃ 이상, 720℃ 미만의 온도역에서는 평균 가열 속도 HR1: 80℃/초로 행하고, 720℃ 이상, 820℃ 이하의 온도역에서는 평균 가열 속도 HR2: 10℃/초로 행하였다.

냉연 강판에, 820℃, 140초의 탈탄 어닐링을 실시한 후, 계속해서, 유지 온도를 낮추는 일 없이, 표 4에 나타내는 조건에서 제2 어닐링 처리를 실시했다.

제2 어닐링 처리 후의 강판에, 알루미나를 주성분으로 하는 어닐링 분리제를, 물 슬러리상으로 도포하고, 마무리 어닐링을 실시했다. 마무리 어닐링은, 질소 함유의 분위기 중에서, 1200℃까지, 15℃/시간의 승온 속도로 승온하고, 1200℃에서, 수소 100％로 전환하여 20시간 행하였다.

이상의 공정을 거친 2차 재결정 완료 강판으로부터 평가용의 시료를 채취하고, 이 시료에, 질소와 수소 함유의 건조 가스 분위기 하에서, 800℃, 2시간의 응력 제거 어닐링을 실시한 후, 질소 분위기 하에서 150℃, 300시간의 시효 처리를 실시하고, SST로 자속 밀도와 철손을 측정하고, 또한, 잔류 탄소량을 분석했다. 자성의 평가 방법 및 잔류 탄소의 분석 방법은, 실시예 1과 마찬가지이다.

표 4에, 시효 처리 후의 강판의 자속 밀도 B8(T), 철손(W_17/50) 및 잔류 탄소량(ppm)을 함께 나타낸다. 24ppm 이하의 잔류 탄소량, 1.89T 이상의 자속 밀도 B8, 0.80 이하의 철손 W_17/50(W/㎏)이 얻어져 있는 것을 알 수 있다. 특히, 본 실시 형태에서 설명한 제2 어닐링 처리 및 제3 가열 처리의 바람직한 조건을 충족시키는 발명예 D1 내지 D7, D14 내지 D16에서는, 잔류 탄소량 또는 철손이 더 저하되는 경향이 있었다. 또한, D14, D15에서는 판 두께가 감소하고 있고, 이 점에서도 철손이 양호한 값으로 되었다.

<실시예 4>

실시예 4에서는, 질화 처리를 제2 어닐링 처리와 마무리 어닐링 공정 사이에서 행한 것 외는 실시예 3의 발명예 D1 내지 D16과 동일한 처리를 행하였다. 여기서, 질화 처리는, 강판을 암모니아 가스 분위기 중에서, 700∼800℃에서 30초 유지함으로써 행하였다. 결과를 표 5에 나타낸다. 어느 발명예에서도, 잔류 탄소량은 25ppm 이하, 자속 밀도 B8은 1.88T 이상, 철손 W_17/50(W/㎏)은 0.85 이하로 되었다.

전술한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 냉연 후의 탈탄 어닐링 공정에서, 저산소 분압의 분위기에서의 어닐링에 의해, 강판 표면의 Fe계 산화물의 생성을 의도적으로 방지하여, 포르스테라이트 피막을 갖지 않는 일방향성 전자 강판을 제조하는 방법에 있어서, Fe계 산화물의 생성이 억제되는 저산소 분압의 분위기에서도, 중간 어닐링을 포함하는 2회 이상의 냉연을 거치는 일 없이, 안정적으로 탈탄 어닐링을 행할 수 있다. 따라서, 본 발명은, 전자 강판 제조 산업에 있어서 이용 가능성이 높은 것이다.

Claims (5)

1. 질량％로, C: 0.10％ 이하, Si: 0.80∼7.00％, 산 가용성 Al: 0.01∼0.07％, N: 0.012％ 이하, Mn: 1.00％ 이하, S: 0.08％ 이하를 함유하고, 잔부 Fe 및 불순물로 이루어지는 강편을 열간 압연하여 열연 강판으로 하는 열연 공정과;
   상기 열연 강판을 어닐링하는 어닐링 공정과;
   상기 어닐링 공정 후의 상기 열연 강판을 산세하는 산세 공정과;
   상기 산세 공정 후의 상기 열연 강판을 냉간 압연하여 냉연 강판으로 하는 냉연 공정과;
   상기 냉연 강판을 탈탄하는 탈탄 어닐링 공정과;
   상기 탈탄 어닐링 공정 후의 강판을 마무리 어닐링하는 마무리 어닐링 공정
   을 구비하고,
   상기 탈탄 어닐링 공정은,
   (i-1) 550℃ 이상, 720℃ 미만의 온도역을, 40∼500℃/초인 평균 가열 속도 HR1로 가열하는 제1 가열 처리와;
   (i-2) 상기 제1 가열 처리에 이어서, 720℃ 이상, 하기 식(2)를 충족시키는 온도 T1℃ 이하의 온도역을, 5∼50℃/초인 평균 가열 속도 HR2로 가열하는 제2 가열 처리와;
   (ii-1) 상기 제2 가열 처리에 이어서, 상기 온도 T1℃에서 50∼1000초 유지하는 제1 어닐링 처리와;
   (ii-2) 상기 제1 어닐링 처리에 이어서, 상기 온도 T1℃부터 하기 식(4)를 충족시키는 온도 T2℃까지의 온도역을, 5∼50℃/초인 평균 가열 속도 HR3으로 가열하는 제3 가열 처리와,
   (ii-3) 상기 제3 가열 처리에 이어서, 하기 식(3)을 충족시키는 산소 분압 P2의 분위기 하에서, 상기 온도 T2℃에서 3∼500초 유지하는 제2 어닐링 처리
   를 갖고,
   상기 제1 가열 처리, 상기 제2 가열 처리 및 상기 제1 어닐링 처리는, 하기 식(1)을 충족시키는 산소 분압 P1의 분위기 하에서 행해지고,
   상기 제1 어닐링 처리 후의 상기 강판에서는, C양이 25ppm 이하인
   것을 특징으로 하는 일방향성 전자 강판의 제조 방법.
   
   
   
   
2. 제1항에 있어서, 상기 강편이, 질량％로, Cr: 0.01∼0.50％, Cu: 0.01∼0.50％, Sn: 0.01∼0.02％의 1종 또는 2종 이상을 함유하는
   것을 특징으로 하는 일방향성 전자 강판의 제조 방법.
3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 탈탄 어닐링 공정과 상기 마무리 어닐링 공정 사이에, 상기 탈탄 어닐링 공정 후의 상기 강판을 질화 처리하는 질화 처리 공정을 더 구비하고,
   상기 마무리 어닐링 공정에서는, 상기 질화 처리 공정 후의 강판을 마무리 어닐링하는
   것을 특징으로 하는 일방향성 전자 강판의 제조 방법.
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