KR102581325B1 - 배치 타입 원자층 증착 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 가스 유동 흐름의 균일도를 유지하여, 복수의 기판에 고르게 원자층을 증착시키기 위한 배치 타입 원자층 증착 장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 배치 타입 원자층 증착 장치는 챔버, 챔버의 상부에 배치되며, 소스 가스를 상기 챔버 내부에 공급하는 샤워 헤드, 챔버의 하부에 배치되어, 챔버 내부를 진공 상태로 형성하며 반응이 완료된 소스 가스를 흡입하는 펌프, 챔버 내부에 배치되어 원자층 증착 대상물인 적어도 하나의 기판이 적재되며, 샤워 헤드를 기준으로 챔버 내부에서 일정 간격 좌우로 이동하는 거치대를 포함한다.

Description

배치 타입 원자층 증착 장치{Batch type atomic layer deposition apparatus}
본 발명은 배치 타입 원자층 증착 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 가스 유동 흐름의 균일도를 유지하여, 복수의 기판에 고르게 원자층을 증착시키기 위한 배치 타입 원자층 증착 장치에 관한 것이다.
원자층 증착법 기술은 반도체, 디스플레이, 에너지 디바이스 등의 다양한 산업에 얇은 박막을 증착하여 성능을 향상하기 위한 화학적 기상 증착법의 한 종류로서 물질의 얇은 박막의 사용에도 열적, 기계적, 광학적 등의 성능의 향상을 기대할 수 있어 활용도가 높은 공정이다.
또한 원자층 증착법 기술은 화학적 기상 증착법의 한 종류로서 CVD 공정에 비해 저온 공정이 가능하며, 자기 제한적 반응을 통해 사이클 별 두께 조절이 용이하고, 박막을 균일하고, 형상 적합성이 좋은 박막을 증착할 수 있다.
다만 원자층 증착법 기술은 파우더 형태와 같은 기판이 움직이는 경우에 박막 증착에 어려움이 있다.
한편 원자층 증착 기술을 활용한 양산을 위해서 배치 타입을 이용한 원자층 증착 스테이션들이 연구 개발되었다.
한편 한국공개특허 제10-2008-0061948호에는 "배치식 원자층 증착 장비"에 대한 내용을 개시하고 있다.
개시된 배치식 원자층 증착 장비는 원자층 증착이 수행되는 공정 챔버, 공정 챔버 내에 설치되어 다수의 웨이퍼들이 장착되는 웨이퍼 플레이트(plate), 웨이퍼 플레이트의 중심 상측에 배치되어 반응 가스를 제공하는 가스 공급부를 포함한다.
여기서 개시된 배치식 원자층 증착 장비는 다량의 기판을 수용하여 증착이 가능하나, 샤워 헤드의 위치에 따라 가스 유동 흐름이 균일하지 않아, 기판에 원자층이 고르게 증착할 수 없는 문제점이 발생되었다.
한국공개특허 제10-2008-0061948호(2008.07.03.)
따라서 본 발명의 목적은 가스 유동 흐름의 균일도를 유지하여, 복수의 기판에 고르게 원자층을 증착시키기 위한 배치 타입 원자층 증착 장치를 제공하는 데 있다.
또한 본 발명의 다른 목적은 챔버, 샤워헤드 및 펌프가 단위 구조로 분리 가능하도록 구성하여 기판의 개수에 따라 확장이 가능한 배치 타입 원자층 증착 장치를 제공하는 데 있다.
본 발명에 따른 배치 타입 원자층 증착 장치는 챔버, 상기 챔버의 상부에 배치되며, 소스 가스를 상기 챔버 내부에 공급하는 샤워 헤드, 상기 챔버의 하부에 배치되어, 상기 챔버 내부를 진공 상태로 형성하며 반응이 완료된 가스를 흡입하는 펌프, 상기 챔버 내부에 배치되어 원자층 증착 대상물인 적어도 하나의 기판이 적재되며, 상기 샤워 헤드를 기준으로 상기 챔버 내부에서 일정 간격 좌우로 이동하는 거치대를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 배치 타입 원자층 증착 장치에 있어서, 상기 챔버는 외측면과 내측면 사이에 배치되는 발열부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 배치 타입 원자층 증착 장치에 있어서, 상기 샤워 헤드는 소스 가스를 공급하는 복수의 소스 공급 라인, 상기 복수의 소스 공급 라인 각각으로부터 복수로 분기되어, 상기 챔버에 소스를 공급하는 복수의 가스 라인을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 배치 타입 원자층 증착 장치에 있어서, 상기 복수의 가스 라인은 서로 연통되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 배치 타입 원자층 증착 장치에 있어서, 상기 복수의 가스 라인은 서로 중첩되어 배치되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 배치 타입 원자층 증착 장치는 챔버, 상기 챔버의 상부에 배치되며, 소스 가스를 상기 챔버 내부에 공급하는 샤워 헤드, 상기 챔버의 하부에 배치되어, 상기 챔버 내부를 진공 상태로 형성하며 반응이 완료된 가스를 흡입하는 펌프, 상기 챔버 내부에 배치되어 원자층 증착 대상물인 적어도 하나의 기판이 적재되는 거치대를 포함하고, 상기 샤워 헤드는 상기 거치대를 기준으로 일정 간격 좌우로 이동하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 배치 타입 원자층 증착 장치는 탈부착 가능하게 결합되어 서로 연통되는 복수의 단위 챔버, 상기 복수의 단위 챔버의 상부에 각각 배치되어 소스 가스를 상기 단위 챔버 각각에 공급하는 복수의 단위 샤워 헤드, 상기 복수의 단위 챔버의 하부에 각각 배치되어, 상기 복수의 단위 챔버 내부를 진공 상태로 형성하며 반응이 완료된 가스를 흡입하는 펌프, 상기 복수의 단위 챔버 내부에 배치되어 원자층 증착 대상물인 적어도 하나의 기판이 적재되며, 상기 복수의 단위 샤워 헤드를 기준으로 상기 복수의 단위 챔버 내부에서 일정 간격 좌우로 이동하는 거치대를 포함하는 것을 특징으로 하는 배치 타입 원자층 증착 장치.
본 발명에 따른 배치 타입 원자층 증착 장치는 탈부착 가능하게 결합되어 서로 연통되는 복수의 단위 챔버, 상기 복수의 단위 챔버의 상부에 각각 배치되어 소스 가스를 상기 단위 챔버 각각에 공급하는 복수의 단위 샤워 헤드, 상기 복수의 단위 챔버의 하부에 각각 배치되어, 상기 복수의 단위 챔버 내부를 진공 상태로 형성하며 반응이 완료된 가스를 흡입하는 펌프, 상기 복수의 단위 챔버 내부에 배치되어 원자층 증착 대상물인 적어도 하나의 기판이 적재되는 거치대; 를 포함하고, 상기 복수의 단위 샤워 헤드는 상기 거치대를 기준으로 일정 간격 좌우로 이동하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 배치 타입 원자층 증착 장치는 샤워 헤드 또는 기판을 수용하는 거치대를 일정 간격으로 좌우로 이동하도록 구성하여, 가스 유동 흐름의 균일도를 유지하여, 복수의 기판에 고르게 원자층을 증착시킬 수 있다.
또한 본 발명에 따른 배치 타입 원자층 증착 장치는 챔버, 샤워헤드 및 펌프가 단위 구조로 분리 가능하도록 구성하여 기판의 개수에 따라 확장이 가능할 수 있다.
이를 통해 본 발명에 따른 배치 타입 원자층 증착 장치는 챔버, 샤워헤드 및 펌프의 최소 단위를 설정할 수 있으며, 필요에 따라 단위 개수를 늘려 챔버의 확장성을 가지도록 할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 배치 타입 원자층 증착 장치를 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 챔버의 단면을 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 샤워 헤드의 구조를 설명하기 위한 도면이다.
도 4 및 도 5는 본 발명의 실시예에 따른 배치 타입 원자층 증착 장치의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 배치 타입 원자층 증착 장치의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
하기의 설명에서는 본 발명의 실시예를 이해하는데 필요한 부분만이 설명되며, 그 이외 부분의 설명은 본 발명의 요지를 벗어나지 않는 범위에서 생략될 것이라는 것을 유의하여야 한다.
이하에서 설명되는 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니 되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념으로 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다. 따라서 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 바람직한 실시예에 불과할 뿐이고, 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 배치 타입 원자층 증착 장치를 나타낸 도면이고, 도 2는 본 발명의 실시예에 따른 챔버의 단면을 나타낸 도면이고, 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 샤워 헤드의 구조를 설명하기 위한 도면이고, 도 4 및 도 5는 본 발명의 실시예에 따른 배치 타입 원자층 증착 장치의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 1 내지 도 5를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 배치 타입 원자층 증착 장치(100)는 챔버(10) 내부에 복수의 기판이 적재된 거치대(40)를 배치한 상태에서 펌프(30)를 통해 챔버(10) 내부를 일정 수준의 진공도를 유지하도록 한다. 그리고 배치 타입 원자층 증착 장치(100)는 챔버(10)를 통해 적정의 반응온도로 기판을 가열한 상태에서, 샤워 헤드(20)를 통해 소스 가스를 공급하여 복수의 기판 상에 박막을 증착할 수 있다. 그리고 배치 타입 원자층 증착 장치(100)는 펌프(30)를 통해 챔버(10) 내부로 제공된 소스가스 중 여분의 가스나 기판에 박막을 형성하지 않고 잔류된 잔류 가스 및 증착가스 사이의 반응 부산물 등을 흡입하여 배출할 수 있다.
특히 본 발명의 실시예에 따른 배치 타입 원자층 증착 장치(100)는 기판 상에 극자외선(EUV)용 펠리클(Pellicle)을 형성하기 위한 장치가 될 수 있다.
이러한 배치 타입 원자층 증착 장치(100)는 복수의 단위 원자층 증착 장치(100a)로 구성될 수 있다. 이러한 복수의 단위 원자층 증착 장치(100a)는 서로 탈부착 가능하게 구성되어, 기판의 개수에 따라 확장이 가능할 수 있다.
이러한 배치 타입 원자층 증착 장치(100)는 챔버(10), 샤워 헤드(20), 펌프(30) 및 거치대(40)를 포함하여 구성된다.
챔버(10)는 내부에 복수의 기판이 거치된 거치대(40)를 수용할 공간이 형성한다. 여기서 챔버(10)는 펌프(30)에 의해 내부가 적정 수준의 진공도를 유지한다.
또한 챔버(10)는 거치대(40)에 거치된 기판을 적정의 반응온도로 가열하기 위한 히터 유닛(13)을 포함한다.
여기서 히터 유닛(13)은 도 2에 도시된 바와 같이, 챔버(10)의 외측면(11)과 내측면(12) 사이에 구비될 수 있다. 이때 챔버(10)의 외측면(11)과 내측면(12)은 스테인리스 스틸(stainless steel)이 될 수 있다. 히터 유닛(13)의 종류로는 제논 램프, 할로겐 램프, 열 봉 등 다양한 종류의 열원을 사용할 수 있다. 이와 같이 히터 유닛(13)은 챔버(10)의 외측면(11)과 내측면(12) 사이에 배치됨으로써, 복수의 기판을 골고루 가열시킬 수 있다.
또한 챔버(10)는 상부면에 일정 간격으로 단위 샤워 헤드(20a)가 장착되는 홀이 형성되며, 하부면에 단위 샤워 헤드(20a)를 장착하기 위한 홀과 마주보도록 단위 펌프(30a)가 장착되는 홀이 형성될 수 있다.
여기서 챔버(10)는 단위 샤워 헤드(20a) 및 단위 펌프(30a)가 각각 장착되는 복수의 단위 챔버(10a)를 포함할 수 있다. 이러한 복수의 단위 챔버(10a)는 탈부착 가능하게 결합되어 서로 연통될 수 있다. 이를 통해 거치대(40)의 크기 또는 거치대(40)에 거치된 기판의 개수에 따라 확장 가능하도록 구성할 수 있다.
샤워 헤드(20)는 챔버(10)의 상부에 배치되며, 소스 가스를 챔버 내부에 공급할 수 있다. 여기서 소스 가스는 기판 상에 펠리클을 형성하기 위한 재료가 될 수 있다. 예를 들어, 펠리클을 형성하기 위한 재료는 폴리 실리콘, 단결정 실리콘, 그래파이트, 그래핀, 탄소나노튜브(CNT) 또는 실리콘 카바이드 등이 될 수 있다. 하지만 이에 한정된 것은 아니고, 펠리클을 형성하기 위한 다양한 재료가 사용될 수 있다.
이러한 샤워 헤드(20)는 복수의 단위 헤드(20a)로 구성될 수 있다. 여기서 복수의 단위 헤드(20a) 각각은 복수의 단위 챔버(10a)에 각각 결합될 수 있다.
여기서 복수의 단위 챔버(10a)는 소스 가스를 공급하는 복수의 소스 공급 라인(21) 및 복수의 소스 공급 라인(21)으로부터 복수로 분기되어, 챔버(10)에 소스 가스를 공급하는 복수의 가스 라인(22)을 포함하여 구성될 수 있다.
이때 복수의 가스 라인(22)은 도 3의 (a)에 도시된 바와 같이, 서로 연통되도록 구성될 수 있다. 즉 복수의 소스 공급 라인(21)으로부터 복수의 가스 라인(22)이 분기되어 형성됨으로써, 가스 유동이 닿지 않는 취약부분에 고른 증착이 가능하도록 할 수 있다. 즉 소스 공급 라인(21)가 상대 적으로 멀리 있는 가스 라인(22)에서 가스 유동이 적어지는 문제점을 해결할 수 있다.
또한 복수의 가스 라인(22)은 도 3의 (b)에 도시된 바와 같이, 서로 중첩되도록 배치될 수 있다. 즉 하나의 소스 공급 라인(21)으로부터 복수의 가스 라인(22)이 분기되는 라인이 복수개로 구비되되, 가스 라인(22)의 일부가 서로 중첩되게 배치됨으로써, 복수의 소스 공급 라인 (21)에 의한 유동 방해를 억제하며 기판에 고른 증착이 가능하도록 할 수 있다.
또한 복수의 단위 샤워 헤드(20a)는 거치대(40)를 기준으로 일정 간격 좌우로 이동하도록 구성될 수 있다. 즉 샤워 헤드(20)를 복수의 단위 샤워 헤드(20a)로 구성함에 따라, 복수의 단위 샤워 헤드(20a) 사이의 공간에 위치한 기판 또는 챔버(10)의 양 끝단에 위치한 기판은 상대적으로 가스 유동이 닿지 않아 증착이 제대로 수행되지 않는 문제가 발생될 수 있다. 이에 따라 본 발명의 실시예에 따른 배치 타입 원자층 증착 장치(100)는 복수의 단위 샤워 헤드(20a)를 일정 간격으로, 일정 속도로 좌우로 이동하도록 구성함으로써, 상대적으로 가스 유동이 닿지 않는 기판에 고르게 증착시킬 수 있다.
펌프(30)는 챔버(10) 내부의 공기를 흡입하여 챔버(10) 내부가 일정 수준의 진공도를 유지하도록 할 수 있다.
또한 펌프(30)는 챔버(10) 내부로 제공된 소스가스 중 여분의 가스나 기판에 박막을 형성하지 않고 잔류된 잔류 가스 및 증착가스 사이의 반응 부산물 등을 흡입하여 배출할 수 있다.
이러한 펌프(30)는 복수의 단위 챔버(10a)의 하부에 각각 배치되는 복수의 단위 펌프(30a)를 포함할 수 있다. 여기서 복수의 단위 펌프(30a) 각각은 단위 챔버(10a)를 사이에 두고 단위 샤워 헤드(20a)와 마주보도록 설치될 수 있다.
거치대(40)는 챔버(10) 내부에 배치되어 원자층 증착 대상물인 적어도 하나의 기판이 적재될 수 있다. 이러한 거치대(40)는 챔버(10) 내부에서 샤워 헤드(20)를 기준으로 일정 간격 좌우로 이동할 수 있다. 바람직하게 거치대(40)는 도 5에 도시된 바와 같이, 챔버(10)의 하부면에 형성된 레일(14) 상에 배치되어, 레일(14)을 따라 일정 간격으로, 일정 시간 동안 이동 가능하도록 구성될 수 있다. 하지만 이에 한정된 것은 아니고, 챔버(10)의 내부에 이동 선로를 형성하여, 선로를 따라 거치대(40)를 이동하도록 구성할 수도 있다.
이에 따라 거치대(40)는 샤워 헤드(20)를 복수의 단위 샤워 헤드(20a)로 구성함에 따라, 복수의 단위 샤워 헤드(20a) 사이의 공간에 위치한 기판 또는 챔버(10)의 양 끝단에 위치한 기판은 상대적으로 가스 유동이 닿지 않아 증착이 제대로 수행되지 않는 문제가 발생될 수 있다. 이에 따라 본 발명의 실시예에 따른 배치 타입 원자층 증착 장치(100)는 복수의 거치대(40)를 일정 간격으로, 일정 속도로 좌우로 이동하도록 구성함으로써, 상대적으로 가스 유동이 닿지 않는 기판에 고르게 증착시킬 수 있다.
즉 도 4의 (a)에 도시된 바와 같이, 거치대(40)가 우측으로 이동하는 경우, 단위 샤워 헤드(20a)와 인접한 단위 샤워 헤드(20a) 사이 및 거치대(40)의 좌측 끝단에 위치한 기판에 골고루 박막이 증착되도록 할 수 있다.
또한 도 4의 (b)에 도시된 바와 같이, 거치대(40)가 좌측으로 이동하는 경우, 단위 샤워 헤드(20a)와 인접한 단위 샤워 헤드(20a) 사이 및 거치대(40)의 우측 끝단에 위치한 기판에 골고루 박막이 증착되도록 할 수 있다.
이와 같이 본 발명의 실시예에 따른 배치 타입 원자층 증착 장치(100)는 샤워 헤드(20) 또는 기판을 수용하는 거치대(40)를 일정 간격으로 좌우로 이동하도록 구성하여, 가스 유동 흐름의 균일도를 유지하여, 복수의 기판에 고르게 원자층을 증착시킬 수 있다.
또한 본 발명의 실시예에 따른 배치 타입 원자층 증착 장치(100)는 챔버(10), 샤워헤드(20) 및 펌프(30)가 단위 구조로 분리 가능하도록 구성하여 기판의 개수에 따라 확장이 가능할 수 있다.
이를 통해 본 발명의 실시예에 따른 배치 타입 원자층 증착 장치(100)는 챔버(10), 샤워헤드(20) 및 펌프(30)의 최소 단위를 설정할 수 있으며, 필요에 따라 단위 개수를 늘려 챔버의 확장성을 가지도록 할 수 있다.
또한 본 발명의 실시예에 따른 배치 타입 원자층 증착 장치(100)는 챔버(10) 내부에 구비되어, 챔버(10) 내에 in-situ로 실시간 화학적인 조성을 분석하는 분석 장치를 더 포함할 수 있다. 여기서 분석 장치는 PM-TOF 및 PPMS를 포함할 수 있다. 이를 통해 또한 본 발명의 실시예에 따른 배치 타입 원자층 증착 장치(100)는 분석의 질적 향상을 이룰 수 있다.
한편 도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 배치 타입 원자층 증착 장치의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
한편 도 5를 참조하면, 샤워 헤드(120)는 거치대(140)를 기준으로 일정 간격 좌우로 이동하도록 구성될 수 있다. 즉 챔버(110)의 양 끝단에 위치한 기판은 상대적으로 가스 유동이 닿지 않아 증착이 제대로 수행되지 않는 문제가 발생될 수 있다. 이에 따라 본 발명의 다른 실시예에 따른 배치 타입 원자층 증착 장치는 샤워 헤드(120)를 일정 간격으로, 일정 속도로 좌우로 이동하도록 구성함으로써, 상대적으로 가스 유동이 닿지 않는 기판에 고르게 증착시킬 수 있다.
한편, 본 명세서와 도면에 개시된 실시예들은 이해를 돕기 위해 특정 예를 제시한 것에 지나지 않으며, 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다. 여기에 개시된 실시예들 이외에도 본 발명의 기술적 사상에 바탕을 둔 다른 변형예들이 실시 가능하다는 것은, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게는 자명한 것이다.
10 : 챔버 10a : 단위 챔버
20 : 샤워 헤드 20a : 단위 샤워 헤드
21 : 소스 공급 라인 22 : 가스 라인
30 : 펌프 30a : 단위 펌프
40 : 거치대 100 : 원자층 증착 장치
100a : 단위 원자층 증착 장치

Claims (11)

  1. 탈부착 가능하게 결합되어 일렬로 서로 연통되는 복수의 단위 챔버;
    상기 복수의 단위 챔버의 상부에 각각 배치되어 소스 가스를 상기 단위 챔버 각각에 공급하는 복수의 단위 샤워 헤드;
    상기 복수의 단위 챔버의 하부에 각각 배치되어, 상기 복수의 단위 챔버 내부를 진공 상태로 형성하며 반응이 완료된 가스를 흡입하는 복수의 단위 펌프; 및
    상기 복수의 단위 챔버 내부에 배치되어 원자층 증착 대상물인 적어도 하나의 기판이 적재되는 거치대;를 포함하며,
    상기 단위 챔버, 상기 단위 샤워 헤드 및 상기 단위 펌프가 단위 원자층 증착 장치를 구성하되, 상기 복수의 단위 챔버가 탈부착 가능하게 결합되어 일렬로 서로 연통되는 구조를 기반으로 복수의 상기 단위 원자층 증착 장치가 서로 탈부착 가능하게 구성되어, 상기 기판의 개수에 따라서 확장이 가능한 것을 특징으로 하는 배치 타입 원자층 증착 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 단위 챔버는,
    외측면과 내측면 사이에 배치되는 히터 유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 배치 타입 원자층 증착 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 단위 샤워 헤드는,
    소스 가스를 공급하는 복수의 소스 공급 라인;
    상기 복수의 소스 공급 라인 각각으로부터 복수로 분기되어, 상기 단위 챔버에 소스를 공급하는 복수의 가스 라인;
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 배치 타입 원자층 증착 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 복수의 가스 라인은 서로 연통되는 것을 특징으로 하는 배치 타입 원자층 증착 장치.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 복수의 가스 라인은 서로 중첩되어 배치되는 것을 특징으로 하는 배치 타입 원자층 증착 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 단위 챔버로 구성된 챔버의 내부에 구비되어, 상기 챔버 내에 in-situ로 실시간 화학적인 조성을 분석하는 분석 장치;
    를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 배치 타입 원자층 증착 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 분석 장치는 PM-TOF 및 PPMS를 포함하는 것을 특징으로 하는 배치 타입 원자층 증착 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 단위 챔버로 구성된 챔버의 내부에 상기 거치대를 이동시키기 위한 선로 또는 레일이 형성된 것을 특징으로 하는 배치 타입 원자층 증착 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 단위 샤워 헤드는 상기 거치대를 기준으로 일정 간격 좌우로 이동하는 것을 특징으로 하는 배치 타입 원자층 증착 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 거치대는 상기 복수의 단위 샤워 헤드를 기준으로 상기 복수의 단위 챔버 내부에서 일정 간격 좌우로 이동하는 것을 특징으로 하는 배치 타입 원자층 증착 장치.
  11. 삭제
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