JP5546276B2 - カーボンナノチューブ形成用cvd装置 - Google Patents
カーボンナノチューブ形成用cvd装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5546276B2 JP5546276B2 JP2010031897A JP2010031897A JP5546276B2 JP 5546276 B2 JP5546276 B2 JP 5546276B2 JP 2010031897 A JP2010031897 A JP 2010031897A JP 2010031897 A JP2010031897 A JP 2010031897A JP 5546276 B2 JP5546276 B2 JP 5546276B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- chamber
- carbon nanotubes
- reaction chamber
- atomization
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Description
上記反応室における基板の下方を区画壁により複数の空間部に区画するとともに、これら各空間部の底壁部にカーボンを含む原料ガスを供給し得るガス供給口をそれぞれ設け、且つこれらガス供給口から供給する原料ガスの供給量をカーボンナノチューブの成長に応じて上記各空間部毎に段階的に増加させるようになし、
さらに上記反応室内の空気を上方から排出して減圧下にする排気管を設けたものである。
本実施例においては、カーボンナノチューブ形成用CVD装置として、熱CVD装置を用いたものについて説明する。
図1に示すように、このCVD装置には、炉本体2内にカーボンナノチューブを形成するための細長い処理用空間部として真空容器3が設けられてなる加熱炉1が具備されている。そして、真空容器3内は、所定間隔おきに配置された仕切壁4により、複数の、例えば5つの部屋に仕切られており、また炉本体2内における真空容器3の前後にも、基板および保護シート等を巻き取るためのロールを配置するための空間室が設けられている。
すなわち、真空容器3の上壁部3aと炉本体2の上壁部2aとの間に設けられた空間部には、各室12,13,15に応じて、それぞれ複数本の円柱形状(棒状ともいえる)の電気抵抗により発熱して赤外線を放射する発熱体41a,42a,43aと、これら発熱体41a,42a,43aに電気を供給する電源と、その温度制御部などからなる加熱装置41,42,43がそれぞれ配置され、またこれら各室12,13,15の上壁部には、発熱体41a,42a,43aから放射される赤外線を通過させ得る石英窓44,45,46がそれぞれ配置されている。
この反応室15においては、下方からカーボンを含む原料ガス(反応ガスともいい、例えばアセチレンガス、エタンガス、エチレンガスが用いられる)Gが供給されることになるが、本実施例においては、その供給量が場所によって変化されている。例えば、3段階でもってその供給量が、上手側から下手側に向かって順次増加するようにされている。
まず、巻出しロール21から基板Kを引き出し、予熱室12、触媒微粒化室13、排気室14、反応室15および後処理室16における各仕切壁4の連通用開口部4aを挿通させ、つまり基板移動経路M1に沿ってその先端を巻取りロール22に巻き取らせる。このとき、基板Kには張力が付与されて真っ直ぐな水平面となるようにされる。
この状態で、各ロールを回転させて、基板等K′をゆっくりと下手側から上手側に移動させる。
冷却が済むと、基板Kは導出用ローラ26aにて、下方から移動されるスペーサSおよび保護シートPが重ねられて、製品回収室17内に移動される。勿論、スペーサSに形成された穴部Saに、基板Kの表面に形成されたカーボンナノチューブが挿入されるとともに、その表面が保護シートPにより覆われて完全に保護される。そして、保護シート等P′により保護された基板Kは巻取りロール22に巻き取られて、製品として回収されることになる。なお、カーボンナノチューブが形成された基板Kが全て巻取りロール17に巻き取られると、外部に取り出されることになる。
また、上記実施例においては、各発熱体を各室の外側に、つまり真空容器の外側に配置したが、それぞれ内側に配置してもよい。
S スペーサ
P 保護シート
1 加熱炉
2 炉本体
3 真空容器
4 仕切壁
11 基板供給室
12 予熱室
13 触媒微粒化室
14 排気室
15 反応室
15a 第1反応空間部
15b 第2反応空間部
15c 第3反応空間部
16 後処理室
17 基板回収室
21 巻出しロール
22 巻取りロール
23 スペーサロール
24 シートロール
41〜43加熱装置
41a〜43a発熱体
52〜54原料ガス供給管
55 排気管
61 区画材
Claims (1)
- カーボンナノチューブ生成用の金属触媒粒子が付着された基板を導くとともにカーボンを含む原料ガスを供給し加熱する熱CVD法によりカーボンナノチューブを形成し得る反応室と、この反応室に基板を移動させる移動経路の上手側に、当該導かれた基板を上方に配置された発熱体により加熱して予熱させるための予熱室と、基板に付着された金属触媒粒子を所定温度に加熱して微粒化させるための触媒微粒化室と、この触媒微粒化室と上記反応室との間に設けられる排気室とを具備するCVD装置であって、
上記反応室における基板の下方を区画壁により複数の空間部に区画するとともに、これら各空間部の底壁部にカーボンを含む原料ガスを供給し得るガス供給口をそれぞれ設け、且つこれらガス供給口から供給する原料ガスの供給量をカーボンナノチューブの成長に応じて上記各空間部毎に段階的に増加させるようになし、
さらに上記反応室内の空気を上方から排出して減圧下にする排気管を設けたことを特徴とするカーボンナノチューブ形成用CVD装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010031897A JP5546276B2 (ja) | 2010-02-17 | 2010-02-17 | カーボンナノチューブ形成用cvd装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010031897A JP5546276B2 (ja) | 2010-02-17 | 2010-02-17 | カーボンナノチューブ形成用cvd装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011168418A JP2011168418A (ja) | 2011-09-01 |
JP5546276B2 true JP5546276B2 (ja) | 2014-07-09 |
Family
ID=44682941
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010031897A Expired - Fee Related JP5546276B2 (ja) | 2010-02-17 | 2010-02-17 | カーボンナノチューブ形成用cvd装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5546276B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012166991A (ja) * | 2011-02-15 | 2012-09-06 | Taiyo Nippon Sanso Corp | 原料ガス拡散抑制型カーボンナノ構造物製造装置 |
JP6168911B2 (ja) * | 2013-08-20 | 2017-07-26 | 日立造船株式会社 | カーボンナノチューブの製造装置 |
CN114988388B (zh) * | 2022-06-08 | 2023-09-15 | 电子科技大学 | 电火花合成催化剂的声悬浮cvd制备碳材料一体化装置 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2792886B2 (ja) * | 1989-02-23 | 1998-09-03 | 三菱電機株式会社 | 化学気相成長装置 |
JPH03207865A (ja) * | 1990-01-09 | 1991-09-11 | Mitsubishi Electric Corp | 常圧cvd装置 |
EP1630134A4 (en) * | 2003-03-24 | 2009-08-26 | Japan Science & Tech Agency | HIGHLY EFFICIENT SYNTHESIS PROCESS FOR CARBON NANOSTRUCTURE, DEVICE AND CARBON NANOSTRUCTURE |
JP2004332093A (ja) * | 2003-05-08 | 2004-11-25 | Hiroshi Ashida | 連続cvd製造装置 |
JP3985029B2 (ja) * | 2003-08-04 | 2007-10-03 | 日立造船株式会社 | カーボンナノチューブの製造方法およびその装置 |
JP4550040B2 (ja) * | 2005-12-16 | 2010-09-22 | セメス株式会社 | カーボンナノチューブの合成装置及び方法 |
US9181639B2 (en) * | 2006-05-19 | 2015-11-10 | Massachusetts Institute Of Technology | Continuous process for the production of nanostructures including nanotubes |
JP5309317B2 (ja) * | 2006-09-08 | 2013-10-09 | 古河電気工業株式会社 | カーボンナノ構造体の製造方法及び製造装置 |
JP2009174092A (ja) * | 2008-01-25 | 2009-08-06 | Sonac Kk | カーボンファイバ製造方法 |
JP4857308B2 (ja) * | 2008-06-12 | 2012-01-18 | 日立造船株式会社 | カーボンナノチューブの生成方法およびそれに用いる三層構造体 |
-
2010
- 2010-02-17 JP JP2010031897A patent/JP5546276B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011168418A (ja) | 2011-09-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102003106B1 (ko) | 토로이달 플라즈마 처리 장치 | |
KR101924850B1 (ko) | 카본 나노튜브 배향 집합체의 제조장치 및 제조방법 | |
KR100870450B1 (ko) | 제막방법 및 패터닝 방법, 및 이들을 이용한 전자장치의제조방법 | |
US20120295033A1 (en) | Plasma nano-powder synthesizing and coating device and method of the same | |
JP5546276B2 (ja) | カーボンナノチューブ形成用cvd装置 | |
US20070012249A1 (en) | Film forming apparatus | |
KR101252333B1 (ko) | 열플라즈마 화학기상증착법을 이용한 제어 가능한 그래핀 시트 제조방법 | |
US20120213929A1 (en) | Method of operating filament assisted chemical vapor deposition system | |
US20090229523A1 (en) | Film depositing apparatus | |
JP5732636B2 (ja) | 配向カーボンナノチューブの製造方法 | |
JP5863318B2 (ja) | カーボンナノチューブ形成用cvd装置 | |
CN107641796B (zh) | 制程设备及化学气相沉积制程 | |
US10290519B2 (en) | Hot jet assisted systems and methods | |
JP2007314844A (ja) | 真空蒸着装置 | |
JP5586492B2 (ja) | 熱cvd装置および蒸着膜の形成方法 | |
JP2011184709A (ja) | Cvd装置 | |
JP5574857B2 (ja) | 熱cvd装置 | |
JP2011195397A (ja) | カーボンナノチューブ形成用のcvd装置 | |
JP5546258B2 (ja) | カーボンナノチューブ形成用cvd装置 | |
JP2011195371A (ja) | 熱cvd装置における断熱体 | |
EP3899085A1 (en) | Vapor deposition apparatus and method for coating a substrate in a vacuum chamber | |
CN114746574B (zh) | 用于沉积含碳结构的设备和方法 | |
JP6234298B2 (ja) | カーボンナノチューブの製造装置 | |
KR101694750B1 (ko) | 스프레이 열 분해용 노즐 및 이를 포함하는 박막 형성 장치 | |
TWI609988B (zh) | 製程設備及化學氣相沉積製程 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20121220 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131113 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131126 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140127 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140415 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140513 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5546276 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |