KR102541305B1 - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 Download PDF

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다카노리 히라이
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가부시키가이샤 스크린 홀딩스
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Abstract

[과제] 기판의 2종류의 휨을 적절히 교정하면서, 기판을 유지하고, 기판에 처리를 행할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공한다.
[해결 수단] 이 기판 처리 장치(1)는, 휨 계측부(20)와, 반송 기구(30)와, 제1 스테이지(41)와, 제2 스테이지(42)를 구비한다. 제1 스테이지(41)는, 복수의 흡착 홈에 의하여, 기판(9)의 하면을 흡착하여 유지한다. 제2 스테이지(42)는, 탄성 재료로 이루어지는 복수의 흡착 패드에 의하여, 기판의 하면을 흡착하여 유지한다. 휨 계측부(20)는, 기판(9)의 휨의 상태를 계측한다. 반송 기구(30)는, 휨 계측부(20)의 계측 결과에 따라, 기판(9)을 제1 스테이지(41) 또는 제2 스테이지(42)로 반송한다. 이에 의하여, 제1 스테이지(41) 및 제2 스테이지(42) 중, 기판(9)의 휨의 상태에 적합한 스테이지를 선택하여 사용할 수 있다. 따라서, 기판(9)의 휨을 적절히 교정하면서, 기판(9)에 대한 처리를 행할 수 있다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{SUBSTRATE TREATING APPARATUS AND SUBSTRATE TREATING METHOD}
본 발명은, 기판에 대하여 소정의 처리를 행하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.
종래, 반도체 패키지 등의 기판의 제조 공정에서는, 포토리소그래피 처리를 위하여, 기판의 상면에 레지스트액을 도포한다. 당해 공정에서는, 우선, 스테이지의 상면에 기판을 재치(載置)한다. 스테이지의 상면에는, 복수의 흡착 홈이 형성되어 있다. 기판의 하면은, 이 흡착 홈에 흡착됨으로써, 스테이지의 상면에 유지된다. 그리고, 스테이지의 상면에 유지된 기판의 상면에, 레지스트액이 도포된다. 이러한 종류의 처리를 행하는 종래의 장치에 대해서는, 예를 들면, 특허문헌 1에 기재되어 있다.
일본국 특허공개 2017-112197호 공보
그러나, 처리 대상이 되는 기판은, 완전하게 평탄하지는 않고, 약간의 휨(만곡)을 갖는다. 이 때문에, 스테이지의 상면에 기판을 정상적으로 흡착시키기 위해서는, 기판의 휨을 교정할 필요가 있다. 단, 처리 대상이 되는 복수의 기판 중에는, 주연부보다 중앙부가 낮은 오목 형상의 휨을 갖는 것과, 주연부보다 중앙부가 높은 볼록 형상의 휨을 갖는 것이, 혼재하는 경우가 있다. 이 때문에, 단일의 교정 기구를 구비한 1개의 스테이지에서, 이들 2종류의 휨을 적절히 교정하는 것은, 곤란했다.
본 발명은, 이러한 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 기판의 2종류의 휨을 적절히 교정하면서, 기판을 유지하고, 기판에 처리를 행할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위하여, 본원의 제1 발명은, 기판에 대하여 소정의 처리를 행하는 기판 처리 장치이며, 평탄한 상면과, 상기 상면에 형성된 복수의 흡착 홈을 갖고, 상기 복수의 흡착 홈에 의하여, 기판의 하면을 흡착하여 유지하는 제1 스테이지와, 평탄한 상면과, 탄성 재료로 이루어지는 복수의 흡착 패드를 갖고, 상기 복수의 흡착 패드에 의하여, 기판의 하면을 흡착하여 유지하는 제2 스테이지와, 기판의 휨의 상태를 계측하는 휨 계측부와, 상기 휨 계측부의 계측 결과에 따라, 기판을 상기 제1 스테이지 또는 상기 제2 스테이지로 반송하는 반송 기구를 구비한다.
본원의 제2 발명은, 기판에 대하여 소정의 처리를 행하는 기판 처리 장치이며, 평탄한 상면과, 상기 상면에 형성된 복수의 흡착 홈을 갖고, 상기 복수의 흡착 홈에 의하여, 기판의 하면을 흡착하여 유지하는 제1 스테이지와, 평탄한 상면과, 상기 상면에 형성된 복수의 흡착 홈을 갖고, 상기 복수의 흡착 홈에 의하여, 기판의 하면을 흡착하여 유지하는 제2 스테이지와, 상기 제2 스테이지의 상기 상면에 재치된 기판을 덮음과 더불어, 기판과의 사이에 형성되는 공간에 고압의 기체를 공급하는 챔버와, 기판의 휨의 상태를 계측하는 휨 계측부와, 상기 휨 계측부의 계측 결과에 따라, 기판을 상기 제1 스테이지 또는 상기 제2 스테이지로 반송하는 반송 기구를 구비했다.
본원의 제3 발명은, 제1 발명 또는 제2 발명의 기판 처리 장치이며, 상기 휨 계측부는, 기판의 표면과의 거리를 계측하면서 기판의 표면을 따라 이동하는 레이저 변위계를 갖는다.
본원의 제4 발명은, 제3 발명의 기판 처리 장치이며, 상기 휨 계측부는, 기판의 표면을 따라 서로 평행하게 이동하는 복수의 상기 레이저 변위계를 갖는다.
본원의 제5 발명은, 제1 발명 내지 제4 발명 중 어느 한 발명의 기판 처리 장치이며, 상기 휨 계측부는, 계측 스테이지 상에 있어서 기판을 위치 결정하는 위치 결정 기구를 갖는다.
본원의 제6 발명은, 제1 발명 내지 제5 발명 중 어느 한 발명의 기판 처리 장치이며, 상기 휨 계측부의 계측 결과에 따라, 기판이 오목 형상의 휨을 갖는 경우, 상기 반송 기구는, 기판을 상기 제1 스테이지로 반송하고, 상기 휨 계측부의 계측 결과에 따라, 기판이 볼록 형상의 휨을 갖는 경우, 상기 반송 기구는, 기판을 상기 제2 스테이지로 반송한다.
본원의 제7 발명은, 제1 발명 내지 제6 발명 중 어느 한 발명의 기판 처리 장치이며, 상기 제1 스테이지는, 기판의 주연부를 상기 제1 스테이지의 상면에 누르는 클램퍼를 갖는다.
본원의 제8 발명은, 제1 발명 내지 제7 발명 중 어느 한 발명의 기판 처리 장치이며, 상기 제1 스테이지 또는 상기 제2 스테이지에 유지된 기판의 상면을 따라 이동하면서, 슬릿 형상의 토출구로부터 기판의 상면을 향하여 처리액을 토출하는 슬릿 노즐을 추가로 구비한다.
본원의 제9 발명은, 제1 발명 내지 제8 발명 중 어느 한 발명의 기판 처리 장치이며, 상기 제1 스테이지 또는 상기 제2 스테이지에 있어서, 기판의 하면에 대한 흡착이 정상적으로 행해지고 있는지 여부를 검출하는 흡착 검출부를 추가로 구비한다.
본원의 제10 발명은, 제1 발명 내지 제9 발명 중 어느 한 발명의 기판 처리 장치이며, 상기 휨 계측부의 계측 결과에 따라, 상기 반송 기구에 의한 기판의 반송처로, 상기 제1 스테이지 또는 상기 제2 스테이지를 이동시키는 스테이지 이동 기구를 추가로 구비한다.
본원의 제11 발명은, 기판에 대하여 소정의 처리를 행하는 기판 처리 방법이며, a) 기판의 휨의 상태를 계측하는 공정과, b) 상기 공정 a)의 계측 결과에 따라, 기판을 제1 스테이지 또는 제2 스테이지로 반송하는 공정을 갖고, 상기 제1 스테이지는, 평탄한 상면과, 상기 상면에 형성된 복수의 흡착 홈을 갖고, 상기 복수의 흡착 홈에 의하여, 기판의 하면을 흡착하여 유지하는 스테이지이고, 상기 제2 스테이지는, 평탄한 상면과, 탄성 재료로 이루어지는 복수의 흡착 패드를 갖고, 상기 복수의 흡착 패드에 의하여, 기판의 하면을 흡착하여 유지하는 스테이지이다.
본원의 제12 발명은, 기판에 대하여 소정의 처리를 행하는 기판 처리 방법이며, a) 기판의 휨의 상태를 계측하는 공정과, b) 상기 공정 a)의 계측 결과에 따라, 기판을 제1 스테이지 또는 제2 스테이지로 반송하는 공정을 실행하고, 상기 제1 스테이지는, 평탄한 상면과, 상기 상면에 형성된 복수의 흡착 홈을 갖고, 상기 복수의 흡착 홈에 의하여, 기판의 하면을 흡착하여 유지하는 스테이지이고, 상기 제2 스테이지는, 평탄한 상면과, 상기 상면에 형성된 복수의 흡착 홈을 갖고, 상기 복수의 흡착 홈에 의하여, 기판의 하면을 흡착하여 유지하는 스테이지이고, 기판이 상기 제2 스테이지로 반송된 경우, c) 상기 제2 스테이지의 상기 상면에 재치된 기판을 챔버로 덮음과 더불어, 기판과의 사이에 형성되는 공간에 고압의 기체를 공급하는 공정을 추가로 실행한다.
본원의 제13 발명은, 제11 발명 또는 제12 발명의 기판 처리 방법이며, 상기 공정 a)에서는, 레이저 변위계에 의하여 기판의 표면과의 거리를 계측하면서, 상기 레이저 변위계를 기판의 표면을 따라 이동시킨다.
본원의 제14 발명은, 제13 발명의 기판 처리 방법이며, 상기 공정 a)에서는, 복수의 상기 레이저 변위계를, 기판의 표면을 따라 서로 평행하게 이동시킨다.
본원의 제15 발명은, 제11 발명 내지 제14 발명 중 어느 한 발명의 기판 처리 방법이며, 상기 공정 a)에서는, 계측 스테이지 상에 있어서 기판을 위치 결정한다.
본원의 제16 발명은, 제11 발명 내지 제15 발명 중 어느 한 발명의 기판 처리 방법이며, 상기 공정 a)의 계측 결과에 따라, 기판이 오목 형상의 휨을 갖는 경우, 상기 공정 b)에 있어서, 기판을 상기 제1 스테이지로 반송하고, 상기 공정 a)의 계측 결과에 따라, 기판이 볼록 형상의 휨을 갖는 경우, 상기 공정 b)에 있어서, 기판을 상기 제2 스테이지로 반송한다.
본원의 제17 발명은, 제11 발명 내지 제16 발명 중 어느 한 발명의 기판 처리 방법이며, 기판이 상기 제1 스테이지로 반송된 경우, d) 기판의 주연부를 클램퍼에 의하여 상기 제1 스테이지의 상면에 누르는 공정을 추가로 실행한다.
본원의 제18 발명은, 제11 발명 내지 제17 발명 중 어느 한 발명의 기판 처리 방법이며, e) 상기 제1 스테이지 또는 상기 제2 스테이지에 기판이 유지된 후, 기판의 상면을 따라 슬릿 노즐을 이동시키면서, 상기 슬릿 노즐이 갖는 슬릿 형상의 토출구로부터 기판의 상면을 향하여 처리액을 토출하는 공정을 추가로 실행한다.
본원의 제19 발명은, 제11 발명 내지 제18 발명 중 어느 한 발명의 기판 처리 방법이며, f) 상기 제1 스테이지 또는 상기 제2 스테이지에 있어서, 기판의 하면에 대한 흡착이 정상적으로 행해지고 있는지 여부를 검출하는 공정을 추가로 실행한다.
본원의 제20 발명은, 제11 발명 내지 제19 발명 중 어느 한 발명의 기판 처리 방법이며, 상기 공정 b)에서는, 상기 공정 a)의 계측 결과에 따라, 기판의 반송처로, 상기 제1 스테이지 또는 상기 제2 스테이지를 이동시킨다.
본원의 제1 발명~제20 발명에 의하면, 제1 스테이지 및 제2 스테이지 중, 기판의 휨의 상태에 적합한 스테이지를 선택하여 사용할 수 있다. 따라서, 기판의 휨을 적절히 교정하면서, 기판에 대한 처리를 행할 수 있다.
특히, 본원의 제3 발명 및 제13 발명에 의하면, 레이저 변위계로 주사함으로써, 기판의 휨의 상태를 비접촉으로 계측할 수 있다.
특히, 본원의 제4 발명 및 제14 발명에 의하면, 기판의 2방향의 휨의 상태를 계측할 수 있다.
특히, 본원의 제5 발명 및 제15 발명에 의하면, 기판을 위치 결정한 상태로, 기판의 휨의 상태를 높은 정밀도로 계측할 수 있다.
특히, 본원의 제6 발명 및 제16 발명에 의하면, 흡착 홈에 의하여 교정하는 것이 어려운 볼록 형상의 휨을 갖는 기판을, 제2 스테이지로 반송하고, 휨을 교정하면서 유지할 수 있다.
특히, 본원의 제8 발명 및 제18 발명에 의하면, 제1 스테이지 또는 제2 스테이지에 유지됨으로써, 휨이 교정된 기판의 상면에, 처리액을 도포할 수 있다.
특히, 본원의 제9 발명 및 제19 발명에 의하면, 기판의 하면을 정상적으로 흡착하여 유지되어 있는지 여부를 검지할 수 있다.
특히, 본원의 제10 발명 및 제20 발명에 의하면, 기판의 반송처의 위치를 변경하는 일 없이, 기판을 제1 스테이지 또는 제2 스테이지로, 선택적으로 반송할 수 있다.
도 1은, 기판 처리 장치의 개략 평면도이다.
도 2는, 제어부와 기판 처리 장치 내의 각 부와의 전기적 접속을 나타낸 블록도이다.
도 3은, 휨 계측부의 상면도이다.
도 4는, 휨 계측부(20)의 측면도이다.
도 5는, 제1 스테이지 및 제2 스테이지의 상면도이다.
도 6은, 제1 스테이지의 종단면도이다.
도 7은, 제1 스테이지의 종단면도이다.
도 8은, 제2 스테이지의 종단면도이다.
도 9는, 제2 스테이지의 종단면도이다.
도 10은, 기판 처리 장치에 있어서의 처리의 흐름을 나타낸 플로차트이다.
도 11은, 제2 실시 형태의 제2 스테이지의 종단면도이다.
도 12는, 제2 실시 형태의 제2 스테이지의 종단면도이다.
도 13은, 제2 실시 형태의 제2 스테이지의 종단면도이다.
도 14는, 제3 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 일부분을 나타낸 평면도이다.
이하, 본 발명의 실시 형태에 대하여, 도면을 참조하면서 설명한다.
<1. 제1 실시 형태>
<1-1. 기판 처리 장치의 전체 구성>
도 1은, 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(1)의 개략 평면도이다. 이 기판 처리 장치(1)는, 반도체 패키지의 제조 공정에 사용되는 장치이다. 기판 처리 장치(1)는, 반도체 패키지용 직사각형의 기판(9)에 대하여, 레지스트액의 도포, 감압 건조, 및 베이크 처리를 행한다. 도 1에 나타내는 바와 같이, 기판 처리 장치(1)는, 기판 수납부(10), 휨 계측부(20), 반송 기구(30), 도포부(40), 감압 건조부(50), 베이크부(60), 및 제어부(70)를 구비한다.
기판 수납부(10)는, 처리 전 및 처리 후의 기판(9)을 수납하는 유닛이다. 기판 수납부(10)에는, 복수의 기판(9)을 수용하는 캐리어가, 복수 배치된다. 또, 기판 수납부(10)는, 도시를 생략한 반출입 로봇을 갖는다. 반출입 로봇은, 기판 수납부(10) 내의 캐리어로부터 처리 전의 기판(9)을 반출하고, 휨 계측부(20)로 이송한다. 또, 반출입 로봇은, 후술하는 반송 로봇(31)으로부터 처리 후의 기판을 수취하고, 기판 수납부(10) 내의 캐리어로 반입한다.
휨 계측부(20)는, 기판(9)의 휨의 상태를 계측하기 위한 유닛이다. 도 1에 나타내는 바와 같이, 휨 계측부(20)는, 계측 스테이지(21)와, 3개의 레이저 변위계(22)를 갖는다. 기판(9)은, 상술한 반출입 로봇에 의하여, 기판 수납부(10)로부터 반출되고, 계측 스테이지(21) 상에 재치된다. 휨 계측부(20)는, 3개의 레이저 변위계(22)에 의하여, 계측 스테이지(21) 상에 재치된 기판(9)의 휨의 상태를 계측한다. 레이저 변위계(22)의 계측 결과는, 휨 계측부(20)로부터 제어부(70)로 송신된다.
휨 계측부(20)의 보다 상세한 구성에 대해서는, 후술한다.
반송 기구(30)는, 휨 계측부(20), 도포부(40), 감압 건조부(50), 및 베이크부(60)의 사이에서, 기판(9)을 반송하는 기구이다. 반송 기구(30)는, 반송 로봇(31)을 갖는다. 반송 로봇(31)은, 휨 계측부(20), 도포부(40), 감압 건조부(50), 및 베이크부(60)에 둘러싸인 반송 공간에 배치되어 있다. 반송 로봇(31)은, 예를 들면, 기판(9)을 유지하는 핸드와, 핸드를 상하 방향 및 수평 방향으로 이동시키는 아암을 갖는다.
반송 로봇(31)은, 휨 계측부(20)에 있어서 계측이 완료된 기판(9)을, 휨 계측부(20)로부터 도포부(40)로 반송한다. 또, 반송 로봇(31)은, 도포부(40)에 있어서의 처리가 완료된 기판(9)을, 도포부(40)로부터 감압 건조부(50)로 반송한다. 또, 반송 로봇(31)은, 감압 건조부(50)에 있어서의 처리가 완료된 기판(9)을, 감압 건조부(50)로부터 베이크부(60)로 반송한다. 또, 반송 로봇(31)은, 베이크부(60)에 있어서의 처리가 완료된 기판(9)을, 베이크부(60)로부터 다시 휨 계측부(20)로 반송하고, 기판 수납부(10)의 반출입 로봇에 수도(受渡)한다.
도포부(40)는, 기판(9)의 상면에, 처리액인 레지스트액을 도포하는 유닛이다. 도 1에 나타내는 바와 같이, 도포부(40)는, 제1 스테이지(41), 제2 스테이지(42), 및 슬릿 노즐(43)을 갖는다. 제1 스테이지(41) 및 제2 스테이지(42)는, 평탄한 상면을 갖는 일체의 석재에 의하여 구성된다. 반송 로봇(31)은, 휨 계측부(20)에 있어서 계측된 휨의 상태에 따라, 제1 스테이지(41) 및 제2 스테이지(42) 중 어느 하나로, 기판(9)을 반송한다. 기판(9)은, 제1 스테이지(41) 또는 제2 스테이지(42)의 상면에 재치되고, 제1 스테이지(41) 또는 제2 스테이지(42)의 상면에 흡착됨으로써 유지된다.
제1 스테이지(41) 및 제2 스테이지(42)의 보다 상세한 구성에 대해서는, 후술한다.
슬릿 노즐(43)은, 제1 스테이지(41) 또는 제2 스테이지(42)에 유지된 기판(9)의 상면에, 레지스트액을 토출하는 노즐이다. 슬릿 노즐(43)은, 제1 스테이지(41) 및 제2 스테이지(42)를 사이에 끼도록 설치된 한 쌍의 대기부(44)의 사이에서, 제1 스테이지(41) 및 제2 스테이지(42)의 상면을 따라 이동한다. 또, 슬릿 노즐(43)의 하단부에는, 슬릿 노즐(43)의 이동 방향에 대하여 직교하는 방향으로 연장되는, 슬릿 형상의 토출구가 형성되어 있다. 슬릿 노즐(43)은, 제1 스테이지(41) 또는 제2 스테이지(42)에 유지된 기판(9)의 상면을 따라 이동하면서, 토출구로부터 기판(9)의 상면을 향하여 레지스트액을 토출한다. 이에 의하여, 기판(9)의 상면에 레지스트액이 도포된다.
감압 건조부(50)는, 기판(9)의 상면에 도포된 레지스트액을 건조시키기 위한 유닛이다. 감압 건조부(50)는, 밀폐 가능한 감압실(51)과, 감압실(51)에 접속된 감압 기구(도시 생략)를 갖는다. 감압실(51) 내에 기판(9)을 반입하고, 감압 기구를 동작시키면, 감압실(51)의 내부로부터 기체가 빨려나가, 감압실(51) 내의 기압이 저하한다. 이에 의하여, 기판(9)의 상면에 도포된 레지스트액 중의 용매가 기화한다. 그 결과, 레지스트액이 건조되어, 기판(9)의 상면에 레지스트막이 형성된다.
베이크부(60)는, 기판(9)의 상면에 형성된 레지스트막을, 가열에 의하여 고화시키는 유닛이다. 베이크부(60)는, 베이크실(61)과, 베이크실(61) 내에 배치된 가열 플레이트(62)를 갖는다. 가열 플레이트(62)는, 환경 온도보다 높은 소정의 온도로 유지된다. 베이크실(61) 내에 반입된 기판(9)은, 가열 플레이트(62)의 상면에 재치된다. 이에 의하여, 기판(9)이 가열되어, 레지스트막 중에 잔존하는 용매 성분이 제거된다. 또, 기판(9)에 대한 레지스트막의 밀착성이 향상된다.
제어부(70)는, 기판 처리 장치(1) 내의 각 부를 동작 제어하기 위한 유닛이다. 도 2는, 제어부(70)와, 기판 처리 장치(1) 내의 각 부의 전기적 접속을 나타낸 블록도이다. 도 2 중에 개념적으로 나타낸 바와 같이, 제어부(70)는, CPU 등의 프로세서(71), RAM 등의 메모리(72), 및 하드 디스크 드라이브 등의 기억부(73)를 갖는 컴퓨터에 의하여 구성된다.
또, 제어부(70)는, 상술한 기판 수납부(10)(반출입 로봇을 포함한다), 휨 계측부(20)(레이저 변위계(22), 후술하는 주사 기구(24), 및 후술하는 에어 실린더(231~234)를 포함한다), 반송 기구(30)(반송 로봇(31)을 포함한다), 도포부(40)(슬릿 노즐(43), 후술하는 리프트 핀(411, 421), 후술하는 개폐 밸브(414, 426), 및 후술하는 클램퍼(416, 427)를 포함한다), 감압 건조부(50)(감압 기구를 포함한다), 및 베이크부(60)(가열 플레이트(62)를 포함한다)와, 각각 전기적으로 접속되어 있다. 제어부(70)는, 컴퓨터 프로그램 및 각종 데이터에 따라 CPU를 동작시킴으로써, 이들 각 부를 동작 제어한다. 이에 의하여, 기판 처리 장치(1)에 있어서의 기판(9)의 처리가 진행된다.
<1-2. 휨 계측부의 구성>
계속해서, 휨 계측부(20)의 보다 상세한 구성에 대하여, 설명한다. 도 3은, 휨 계측부(20)의 상면도이다. 도 4는, 휨 계측부(20)의 측면도이다. 도 3 및 도 4에 나타내는 바와 같이, 휨 계측부(20)는, 계측 스테이지(21), 3개의 레이저 변위계(22), 및 위치 결정 기구(23)를 갖는다. 또한, 도 3에는, x방향 및 y방향이 화살표로 나타내어져 있다. x방향 및 y방향은, 모두 수평 방향이다. 또, x방향과 y방향은, 서로 직교한다.
계측 스테이지(21)는, 평탄한 상면(211)을 갖는 직사각형 형상의 대(臺)이다. 계측 스테이지(21)는, 상면(211)으로부터 상방을 향하여 돌출하는 복수의 지지 핀(212)을 갖는다. 복수의 지지 핀(212)은, x방향 및 y방향으로 등간격으로 배열되어 있다. 기판(9)은, 이들 지지 핀(212) 위에 재치된다.
위치 결정 기구(23)는, 복수의 지지 핀(212)에 지지된 기판(9)을, 일정한 위치 및 자세로 위치 결정하는 기구이다. 위치 결정 기구(23)는, 4개의 에어 실린더(231~234)를 갖는다. 4개의 에어 실린더(231~234) 중, 2개의 에어 실린더(231, 232)는, 직사각형 형상의 기판(9)의 1개의 정점의 부근에 있어서, 기판(9)을 +x방향 및 +y방향으로 각각 압압한다. 또, 다른 2개의 에어 실린더(233, 234)는, 기판(9)의 상기 정점과는 대각 위치에 있는 다른 정점의 부근에 있어서, 기판(9)을 -x방향 및 -y방향으로 각각 압압한다. 이에 의하여, 기판(9)이, x방향 및 y방향으로 위치 결정된다.
레이저 변위계(22)는, 기판(9)의 상면의 높이를 비접촉으로 계측하는 센서이다. 레이저 변위계(22)는, 기판(9)의 상면을 향하여 레이저광을 출사하고, 기판(9)의 상면으로부터 반사되는 광의 변위량을 검출한다. 이에 의하여, 삼각 측량의 원리로, 레이저 변위계(22)와 기판(9)의 상면 사이의 상하 방향의 거리를 계측한다.
또, 휨 계측부(20)는, 레이저 변위계(22)를 이동시키는 주사 기구(24)를 갖는다. 주사 기구(24)는, 레이저 변위계(22)를, 기판(9)의 표면을 따라 y방향으로 이동시킨다. 기판(9)의 휨의 상태를 계측할 때에는, 레이저 변위계(22)에 의한 계측을 실행하면서, 주사 기구(24)에 의하여, 레이저 변위계(22)를 y방향으로 이동시킨다. 이에 의하여, 기판(9)의 상면의 높이의 y방향에 있어서의 변화가 계측된다. 따라서, y방향에 있어서의 기판(9)의 휨의 상태를 계측할 수 있다.
또, 본 실시 형태의 휨 계측부(20)는, 3개의 레이저 변위계(22)를 갖는다. 3개의 레이저 변위계(22)는, x방향으로 등간격으로 배치되어 있다. 3개의 레이저 변위계(22)는, 기판(9)의 상면과의 거리를 계측하면서, y방향을 따라 서로 평행하게 이동한다. 이 때문에, 3개의 레이저 변위계(22)의 계측값을 비교함으로써, 기판(9)의 상면의 높이의 x방향에 있어서의 변화를 알 수 있다. 즉, x방향에 있어서의 기판(9)의 휨의 상태를 계측할 수 있다. 이와 같이, 본 실시 형태의 휨 계측부(20)는, x방향 및 y방향의 2방향에 있어서, 기판(9)의 휨의 상태를 계측할 수 있다.
<1-3. 제1 스테이지 및 제2 스테이지의 구성>
계속해서, 제1 스테이지(41) 및 제2 스테이지(42)의 보다 상세한 구성에 대하여 설명한다. 도 5는, 제1 스테이지(41) 및 제2 스테이지(42)의 상면도이다. 도 6 및 도 7은, 제1 스테이지(41)의 종단면도이다. 도 8 및 도 9는, 제2 스테이지(42)의 종단면도이다. 또한, 도 5~도 9에는, 도 3~도 4와 동일하게, x방향 및 y방향이 화살표로 나타내어져 있다.
우선, 제1 스테이지(41)의 구성에 대하여 설명한다. 도 6 및 도 7에 나타내는 바와 같이, 제1 스테이지(41)는, 평탄한 상면(410)을 갖는다. 또, 제1 스테이지(41)는, 복수의 리프트 핀(411)(도 5에서는 도시 생략)을 갖는다. 복수의 리프트 핀(411)은, x방향 및 y방향으로 등간격으로 배치되어 있다. 또, 복수의 리프트 핀(411)은, 도 6에 나타내는 상승 위치와, 도 7에 나타내는 하강 위치의 사이에서, 승강 이동한다. 상승 위치에서는, 리프트 핀(411)의 상단부가, 제1 스테이지(41)의 상면(410)보다 상방으로 돌출한다. 하강 위치에서는, 리프트 핀(411)의 상단부가, 제1 스테이지(41)의 상면(410)보다 하방으로 퇴피한다.
제1 스테이지(41) 상에 기판(9)을 배치할 때에는, 우선, 반송 로봇(31)이, 도 6과 같이, 상승 위치의 복수의 리프트 핀(411) 위에 기판(9)을 재치한다. 그 후, 도 7과 같이, 복수의 리프트 핀(411)이, 상승 위치로부터 하강 위치로 이동한다. 이에 의하여, 제1 스테이지(41)의 상면(410)에 기판(9)이 재치된다.
또, 제1 스테이지(41)는, 복수의 흡착 구멍(412)을 갖는다. 복수의 흡착 구멍(412)은, x방향 및 y방향으로 등간격으로 배치되어 있다. 각 흡착 구멍(412)은, 제1 스테이지(41)를 상하 방향으로 관통한다. 도 6 및 도 7에 나타내는 바와 같이, 복수의 흡착 구멍(412)은, 흡인 배관(413)을 통하여 도면 밖의 진공원에 접속되어 있다. 또, 흡인 배관(413)의 경로 상에는, 개폐 밸브(414)가 설치되어 있다. 이 때문에, 개폐 밸브(414)를 개방하면, 복수의 흡착 구멍(412)으로부터 흡인 배관(413)을 통하여 진공원으로, 기체가 흡인된다. 이에 의하여, 각 흡착 구멍(412)에, 대기압보다 낮은 부압이 생긴다.
또, 제1 스테이지(41)는, 상면에 복수의 흡착 홈(415)을 갖는다. 복수의 흡착 홈(415)은, x방향 및 y방향을 따라, 그리드 형상으로 형성되어 있다. 즉, 복수의 흡착 홈(415)은, x방향으로 연장되는 복수의 흡착 홈(415)과, y방향으로 연장되는 복수의 흡착 홈(415)을 포함한다. 상술한 흡착 구멍(412)의 상단부는, x방향으로 연장되는 흡착 홈(415)과, y방향으로 연장되는 흡착 홈(415)이 교차하는 위치에 개구한다. 이 때문에, 개폐 밸브(414)가 개방되면, 복수의 흡착 구멍(412)뿐만 아니라, 복수의 흡착 홈(415)에도, 부압이 생긴다.
제1 스테이지(41)의 상면(410)에 재치된 기판(9)은, 이 부압에 의하여, 흡착 홈(415)에 흡착된다. 그리고, 기판(9)의 하면이, 제1 스테이지(41)의 상면(410)에 밀착한다. 이에 의하여, 제1 스테이지(41)의 상면(410)에 기판(9)이 유지된다.
또, 제1 스테이지(41)는, 4개의 클램퍼(416)를 갖는다. 4개의 클램퍼(416)는, 제1 스테이지(41)의 상면(410)에 기판(9)이 재치된 후, 기판(9)의 주연부에 접근한다. 구체적으로는, 4개의 클램퍼(416)가, 직사각형 형상의 기판(9)의 4개의 변에, 각각 접근한다. 그리고, 각 클램퍼(416)가, 기판(9)의 주연부를, 제1 스테이지(41)의 상면(410)에 누른다. 이에 의하여, 기판(9)의 주연부가, 제1 스테이지(41)로부터 뜨는 것을 억제할 수 있다.
계속해서, 제2 스테이지(42)의 구성에 대하여 설명한다. 도 8 및 도 9에 나타내는 바와 같이, 제2 스테이지(42)는, 평탄한 상면(420)을 갖는다. 또, 제2 스테이지(42)는, 복수의 리프트 핀(421)(도 5에서는 도시 생략)을 갖는다. 복수의 리프트 핀(421)은, x방향 및 y방향으로 등간격으로 배치되어 있다. 또, 복수의 리프트 핀(421)은, 도 8에 나타내는 상승 위치와, 도 9에 나타내는 하강 위치의 사이에서, 승강 이동한다. 상승 위치에서는, 리프트 핀(421)의 상단부가, 제2 스테이지(42)의 상면(420)보다 상방으로 돌출한다. 하강 위치에서는, 리프트 핀(421)의 상단부가, 제2 스테이지(42)의 상면(420)보다 하방으로 퇴피한다.
제2 스테이지(42) 상에 기판(9)을 배치할 때에는, 우선, 반송 로봇(31)이, 도 8과 같이, 상승 위치의 복수의 리프트 핀(421) 위에 기판(9)을 재치한다. 그 후, 도 9와 같이, 복수의 리프트 핀(421)이, 상승 위치로부터 하강 위치로 이동한다. 이에 의하여, 제2 스테이지(42)의 상면(420)에 기판(9)이 재치된다.
또, 제2 스테이지(42)는, 복수의 세로 구멍(422), 복수의 흡인 파이프(423), 및 복수의 흡착 패드(424)를 갖는다. 복수의 세로 구멍(422)은, x방향 및 y방향으로 등간격으로 배치되어 있다. 각 세로 구멍(422)은, 제2 스테이지(42)를 상하 방향으로 관통한다. 흡인 파이프(423)는, 상하 방향으로 연장되는 원통 형상의 파이프이다. 흡인 파이프(423)는, 복수의 세로 구멍(422)에, 각각 삽입되어 있다.
복수의 흡착 패드(424)는, 고무 등의 탄성 재료로 이루어지는 원환 형상의 부재이다. 흡착 패드(424)는, 복수의 흡인 파이프(423)의 상단부에, 각각 장착되어 있다. 흡착 패드(424)는, 자바라 형상의 측면을 갖는다. 이 때문에, 흡착 패드(424)는, 상하 방향으로 신축 가능하게 되어 있다. 기판(9)을 유지하고 있지 않은 상태에서는, 도 7과 같이, 흡착 패드(424)의 상단은, 제2 스테이지(42)의 상면(420)보다 약간 상방으로 돌출하고 있다.
도 8 및 도 9에 나타내는 바와 같이, 복수의 흡인 파이프(423)의 하단부는, 흡인 배관(425)을 통하여 도면 밖의 진공원에 접속되어 있다. 또, 흡인 배관(425)의 경로 상에는, 개폐 밸브(426)가 설치되어 있다. 이 때문에, 개폐 밸브(426)를 개방하면, 흡인 파이프(423)로부터 흡인 배관(425)을 통하여 진공원으로, 기체가 흡인된다. 이에 의하여, 각 흡인 파이프(423) 및 흡착 패드(424)의 내부에, 대기압보다 낮은 부압이 생긴다.
제2 스테이지(42)의 상면(420)에 재치된 기판(9)은, 이 부압에 의하여, 흡착 패드(424)에 흡착된다. 또, 흡착 패드(424)는, 기판(9)에 흡착함으로써, 상하 방향으로 수축한다. 그 결과, 도 9와 같이, 기판(9)의 하면이, 제2 스테이지(42)의 상면(420)에 접촉한다. 이에 의하여, 제2 스테이지(42)의 상면(420)에 기판(9)이 유지된다.
또, 제2 스테이지(42)는, 4개의 클램퍼(427)를 갖는다. 4개의 클램퍼(427)는, 제2 스테이지(42)의 상면(420)에 기판(9)이 재치된 후, 기판(9)의 주연부에 접근한다. 구체적으로는, 4개의 클램퍼(427)가, 직사각형 형상의 기판(9)의 4개의 변에, 각각 접근한다. 그리고, 각 클램퍼(427)가, 기판(9)의 주연부를, 제2 스테이지(42)의 상면(420)에 누른다. 이에 의하여, 기판(9)의 주연부가, 제2 스테이지(42)로부터 뜨는 것을 억제할 수 있다.
<1-4. 기판 처리 장치에 있어서의 처리의 흐름>
계속해서, 상술한 기판 처리 장치(1)에 있어서의 처리의 흐름에 대하여 설명한다. 도 10은, 당해 처리의 흐름을 나타낸 플로차트이다. 또한, 이하에서는, 1장의 기판(9)에 대한 처리의 흐름을 설명한다. 기판 처리 장치(1)는, 이와 같은 처리를, 복수의 기판(9)에 대하여 순차적으로 실행한다.
기판 처리 장치(1)는, 우선, 기판 수납부(10)에 수납된 기판(9)을, 반출입 로봇에 의하여 취출(取出)한다(단계 S1). 취출한 기판(9)은, 휨 계측부(20)에 배치된다. 구체적으로는, 반출입 로봇이, 계측 스테이지(21) 상의 복수의 지지 핀(212) 위에, 기판(9)을 재치한다. 그 후, 위치 결정 기구(23)가, 복수의 지지 핀(212)에 지지된 기판(9)을, 일정한 위치 및 자세로 위치 결정한다.
계속해서, 휨 계측부(20)는, 3개의 레이저 변위계(22)에 의하여, 기판(9)의 휨의 상태를 계측한다(단계 S2). 구체적으로는, 3개의 레이저 변위계(22)를, 기판(9)의 상면을 따라 이동시키면서, 레이저 변위계(22)로부터 기판(9)의 상면까지의 거리를 계측한다. 레이저 변위계(22)의 계측 결과는, 제어부(70)로 송신된다. 제어부(70)는, 3개의 레이저 변위계(22)의 계측 결과에 의거하여, 처리 대상의 기판(9)이, 주연부보다 중앙부가 낮은 오목 형상의 휨을 갖는 기판(이하 「오목 형상 기판」이라고 칭한다)인지, 그렇지 않으면, 주연부보다 중앙부가 높은 볼록 형상의 휨을 갖는 기판(이하 「볼록 형상 기판」이라고 칭한다)인지를, 판별한다.
휨 계측부(20)에 있어서의 계측이 완료되면, 반송 로봇(31)이, 휨 계측부(20)로부터 기판(9)을 취출한다. 그리고, 반송 로봇(31)은, 도포부(40)의 제1 스테이지(41) 또는 제2 스테이지(42)로, 기판(9)을 반송한다(단계 S3). 이때, 제어부(70)는, 단계 S2의 계측 결과에 따라, 제1 스테이지(41) 및 제2 스테이지(42) 중 어느 하나로, 기판(9)을 반송하도록, 반송 로봇(31)을 제어한다. 구체적으로는, 기판(9)이 오목 형상 기판이라고 판별된 경우에는, 당해 기판(9)을, 반송 로봇(31)에 의하여, 제1 스테이지(41)로 반송한다. 또, 기판(9)이 볼록 형상 기판이라고 판별된 경우에는, 당해 기판(9)을, 반송 로봇(31)에 의하여, 제2 스테이지(42)로 반송한다.
제1 스테이지(41)에 반송된 기판(9)은, 우선, 상승 위치에 있는 복수의 리프트 핀(411) 위에 재치된다. 그리고, 복수의 리프트 핀(411)이 상승 위치로부터 하강 위치로 이동함으로써, 제1 스테이지(41)의 상면(410)에 기판(9)이 재치된다. 그리고, 기판(9)의 하면이, 복수의 흡착 홈(415)에 흡착하여 유지된다. 또, 4개의 클램퍼(416)에 의하여, 기판(9)의 주연부가, 제1 스테이지(41)의 상면(410)에 눌린다.
이와 같이, 제1 스테이지(41)에서는, 기판(9)의 주연부가, 클램퍼(416)에 의하여 고정된다. 이 때문에, 기판(9)이 오목 형상 기판인 경우에, 그 기판(9)의 주연부가, 기판(9)의 중앙부와 같은 높이까지 하강한다. 따라서, 기판(9)의 오목 형상의 휨을 교정하면서, 기판(9)을 유지할 수 있다. 또, 복수의 흡착 홈(415) 전체의 면적은, 복수의 흡착 패드(424)의 개구 면적보다, 크다. 이 때문에, 기판(9)의 주연부 이외의 부분은, 복수의 흡착 홈(415)에 생기는 완만한 부압에 의하여, 유지된다. 이 때문에, 기판(9)의 강성이 낮은 경우여도, 기판(9)의 균열을 억제하면서, 기판(9)을 유지할 수 있다.
제2 스테이지(42)에 반송된 기판(9)은, 우선, 상승 위치에 있는 복수의 리프트 핀(421) 위에 재치된다. 그리고, 복수의 리프트 핀(421)이 상승 위치로부터 하강 위치로 이동함으로써, 기판(9)의 하면이, 복수의 흡착 패드(424)에 흡착된다. 그리고, 흡착 패드(424)가 상하 방향으로 수축함으로써, 기판(9)의 하면이, 제2 스테이지(42)의 상면(420)에 접촉한다. 또, 4개의 클램퍼(427)에 의하여, 기판(9)의 주연부가, 제2 스테이지(42)의 상면(420)에 고정된다.
이와 같이, 제2 스테이지(42)에서는, 기판(9)의 주연부 이외의 부분이, 흡착 패드(424)에 흡착되고, 하방으로 끌어들여진다. 이 때문에, 기판(9)이 볼록 형상 기판인 경우에, 그 기판(9)의 중앙부가, 기판(9)의 주연부와 같은 높이까지 하강한다. 따라서, 기판(9)의 볼록 형상의 휨을 교정하면서, 기판(9)을 유지할 수 있다. 특히, 제2 스테이지(42)에 있어서의 흡착 패드(424)의 수는, 제1 스테이지(41)에 있어서의 흡착 구멍(412)의 수보다 적다. 또, 복수의 흡착 패드(424)의 개구 면적은, 복수의 흡착 홈(415)의 면적보다 작다. 이 때문에, 각 흡착 패드(424)에 강한 흡인력이 생긴다. 따라서, 기판(9)의 강성이 높은 경우여도, 기판(9)의 휨을 교정할 수 있다.
제1 스테이지(41) 또는 제2 스테이지(42)에 기판(9)이 유지된 후, 슬릿 노즐(43)이 기판(9)의 상면을 따라 이동하면서, 슬릿 형상의 토출구로부터 기판(9)의 상면을 향하여, 레지스트액을 토출한다. 이에 의하여, 기판(9)의 상면에 레지스트액이 도포된다(단계 S4).
레지스트액의 도포가 종료되면, 반송 로봇(31)은, 도포부(40)로부터 기판(9)을 취출하고, 감압 건조부(50)로 기판(9)을 반송한다(단계 S5). 그리고, 감압 건조부(50)가, 기판(9)의 상면에 도포된 레지스트액을 감압에 의하여 건조시키는, 감압 건조 처리를 행한다(단계 S6). 이에 의하여, 기판(9)의 상면에 레지스트막이 형성된다.
감압 건조 처리가 종료되면, 반송 로봇(31)은, 감압 건조부(50)로부터 기판(9)을 취출하고, 베이크부(60)로 기판(9)을 반송한다(단계 S7). 그리고, 베이크부(60)가, 가열 플레이트(62)에 의하여 기판(9)을 가열하는, 베이크 처리를 행한다(단계 S8). 이에 의하여, 레지스트막 중에 잔존하는 용매 성분이 제거된다. 또, 기판(9)에 대한 레지스트막의 밀착성이 향상된다.
베이크 처리가 종료되면, 반송 로봇(31)은, 베이크부(60)로부터 기판(9)을 취출하고, 다시 휨 계측부(20)로 기판(9)을 반송한다. 그리고, 기판 수납부(10)의 반출입 로봇이, 반송 로봇(31)으로부터 기판(9)을 수취하고, 기판 수납부(10)에 기판(9)을 수납한다(단계 S9).
이상과 같이, 이 기판 처리 장치(1)에서는, 휨 계측부(20)의 계측 결과에 따라, 도포부(40)의 제1 스테이지(41) 및 제2 스테이지(42) 중, 휨의 상태에 적합한 스테이지를 선택하여 사용한다. 이 때문에, 각 스테이지에 있어서, 기판(9)의 휨을 적절히 교정하고, 휨이 교정된 기판(9)의 상면에, 레지스트액을 도포할 수 있다. 특히, 제1 스테이지(41)의 흡착 홈(415)에 의하여 교정하는 것이 어려운 볼록 형상의 휨을, 복수의 흡착 패드(424)를 갖는 제2 스테이지(42)에 있어서, 교정할 수 있다.
또, 본 실시 형태의 기판 처리 장치(1)에서는, 휨 계측부(20)에 있어서, 위치 결정 기구(23)에 의하여 기판(9)을 위치 결정한 후에, 휨의 상태를 계측한다. 이 때문에, 기판(9)의 휨의 상태를, 높은 정밀도로 계측할 수 있다. 또, 레이저 변위계(22)로 주사함으로써, 기판(9)의 휨의 상태를, 비접촉으로 계측할 수 있다. 또, 3개의 레이저 변위계(22)를 사용함으로써, x방향 및 y방향의 2방향에 있어서, 기판(9)의 휨의 상태를 계측할 수 있다. 따라서, 제1 스테이지(41) 및 제2 스테이지(42) 중, 기판(9)에 적절한 스테이지를, 높은 정밀도로 선택할 수 있다.
<2. 제2 실시 형태>
계속해서, 본 발명의 제2 실시 형태에 대하여 설명한다. 제2 실시 형태는, 도포부에 있어서의 제2 스테이지의 구성과, 도포부가 챔버를 갖는 점이, 상술한 제1 실시 형태와 상이하다. 이하에서는, 제1 실시 형태와의 차이점을 중심으로 설명하고, 제1 실시 형태와 동등한 구성 및 처리에 대해서는, 중복 설명을 생략한다.
도 11~도 13은, 제2 실시 형태의 제2 스테이지(45)의 종단면도이다. 도 11~도 13에 나타내는 바와 같이, 제2 실시 형태의 제2 스테이지(45)는, 평탄한 상면(450)을 갖는다. 또, 제2 스테이지(45)는, 복수의 리프트 핀(451)을 갖는다. 복수의 리프트 핀(451)은, x방향 및 y방향으로 등간격으로 배치되어 있다. 또, 복수의 리프트 핀(451)은, 도 11에 나타내는 상승 위치와, 도 12 및 도 13에 나타내는 하강 위치의 사이에서, 승강 이동한다. 상승 위치에서는, 리프트 핀(451)의 상단부가, 제2 스테이지(45)의 상면(450)보다 상방으로 돌출한다. 하강 위치에서는, 리프트 핀(451)의 상단부가, 제2 스테이지(45)의 상면(450)보다 하방으로 퇴피한다.
제2 스테이지(45) 상에 기판(9)을 배치할 때에는, 우선, 반송 로봇(31)이, 도 11과 같이, 상승 위치의 복수의 리프트 핀(451) 위에 기판(9)을 재치한다. 그 후, 도 12와 같이, 복수의 리프트 핀(451)이, 상승 위치로부터 하강 위치로 이동한다. 이에 의하여, 제2 스테이지(45)의 상면(450)에 기판(9)이 재치된다.
또, 제2 스테이지(45)는, 복수의 흡착 구멍(452)을 갖는다. 복수의 흡착 구멍(452)은, x방향 및 y방향으로 등간격으로 배치되어 있다. 각 흡착 구멍(452)은, 제2 스테이지(45)를 상하 방향으로 관통한다. 도 11~도 13에 나타내는 바와 같이, 복수의 흡착 구멍(452)은, 흡인 배관(453)을 통하여 도면 밖의 진공원에 접속되어 있다. 또, 흡인 배관(453)의 경로 상에는, 개폐 밸브(454)가 설치되어 있다. 이 때문에, 개폐 밸브(454)를 개방하면, 복수의 흡착 구멍(452)으로부터 흡인 배관(453)을 통하여 진공원으로, 기체가 흡인된다. 이에 의하여, 각 흡착 구멍(452)에, 대기압보다 낮은 부압이 생긴다.
또, 제2 스테이지(45)는, 상면에 복수의 흡착 홈(455)을 갖는다. 복수의 흡착 홈(455)은, x방향 및 y방향을 따라, 그리드 형상으로 형성되어 있다. 즉, 복수의 흡착 홈(455)은, x방향으로 연장되는 복수의 흡착 홈(455)과, y방향으로 연장되는 복수의 흡착 홈(455)을 포함한다. 상술한 흡착 구멍(452)의 상단부는, x방향으로 연장되는 흡착 홈(455)과, y방향으로 연장되는 흡착 홈(455)이 교차하는 위치에 개구한다. 이 때문에, 개폐 밸브(454)가 개방되면, 복수의 흡착 구멍(452)뿐만 아니라, 복수의 흡착 홈(455)에도, 부압이 생긴다. 제2 스테이지(45)의 상면(450)에 재치된 기판(9)은, 이 부압에 의하여, 흡착 홈(455)에 흡착된다.
이와 같이, 제2 실시 형태의 제2 스테이지(45)는, 4개의 클램퍼(416)를 갖고 있지 않은 점을 제외하고, 제1 실시 형태의 제1 스테이지(41)와 동등한 구성을 갖는다.
또, 제2 실시 형태의 도포부(40)는, 제2 스테이지(45)의 상방에 위치하는 챔버(46)와, 챔버(46)를 승강 이동시키는 승강 기구(47)를 갖는다. 챔버(46)는, 하방을 향하여 열린 컵 형상의 내압 용기이다. 챔버(46)는, 그 하단부에, 직사각형 형상의 개구를 갖는다. 또, 챔버(46)는, 당해 개구의 주위에, 직사각형 형상의 O링(461)을 갖는다. O링(461)은, 고무 등의 탄성을 갖는 재료로 이루어진다.
승강 기구(47)는, 예를 들면, 에어 실린더에 의하여 구성된다. 승강 기구(47)는, 제어부(70)에 의하여 동작 제어된다. 승강 기구(47)를 동작시키면, 챔버(46)는, 도 11~도 12에 나타내는 상측 위치와, 도 13에 나타내는 하측 위치의 사이에서, 승강 이동한다. 상측 위치에서는, 챔버(46)는, 상승 위치의 복수의 리프트 핀(451)에 지지되는 기판(9)보다 상방에 위치한다. 반송 로봇(31)이, 기판(9)을 제2 스테이지(45)로 반송할 때에는, 챔버(46)는, 상측 위치에 있어서 대기한다.
리프트 핀(451)이 하강하고, 제2 스테이지(45)의 상면(450)에 기판(9)이 재치된 후, 승강 기구(47)에 의하여, 챔버(46)가 상측 위치로부터 하측 위치로 이동한다. 그렇다면, 도 13과 같이, 기판(9)의 상면이, 챔버(46)에 덮인다. 그리고, 기판(9)의 주연부의 상면에, 챔버(46)의 O링(461)이 접촉한다. 이에 의하여, 기판(9)과 챔버(46)의 사이에, 밀폐 공간(460)이 형성된다.
또, 도 11~도 13에 나타내는 바와 같이, 챔버(46)는, 급기 배관(462)을 통하여 고압 기체 공급원(463)에 접속되어 있다. 또, 급기 배관(462)의 경로 상에는, 개폐 밸브(464)가 설치되어 있다. 이 때문에, 도 13과 같이 밀폐 공간(460)을 형성한 상태로, 개폐 밸브(464)를 개방하면, 고압 기체 공급원(463)으로부터 급기 배관(462)을 통하여 밀폐 공간(460)으로, 대기압보다 고압인 기체가 공급된다. 따라서, 기판(9)이 볼록 형상 기판인 경우에, 기판(9)의 상면이 고압의 기체에 눌림으로써, 기판(9)의 볼록 형상의 휨이 교정된다. 또한, 고압의 기체는, 클린 드라이 에어여도 되고, 혹은, 질소 가스 등의 불활성 가스여도 된다.
이 제2 실시 형태에서는, 기판(9)의 주연부는, 클램퍼가 아니라, 챔버(46)의 O링(461)에 의하여, 제2 스테이지(45)의 상면에 눌린다. 따라서, 기판(9)의 주연부의 하면은, 흡착 홈(455)에 양호하게 흡착된다. 또, 기판(9)의 중앙부는, 고압의 기체에 의하여, 기판(9)의 상면을 향하여 눌린다. 따라서, 기판(9)의 중앙부의 하면도, 흡착 홈(455)에 양호하게 흡착된다. 그 결과, 기판(9)의 하면의 전체를, 제2 스테이지(45)의 상면에 밀착시킬 수 있다.
도 11~도 13에 나타내는 바와 같이, 흡인 배관(453)의 경로 상에는, 압력계(456)가 설치되어 있다. 압력계(456)의 계측값은, 제어부(70)로 송신된다. 기판(9)의 하면이 흡착 홈(455)에 정상적으로 흡착되면, 압력계(456)의 계측값이, 미리 설정된 역치보다 낮아진다. 이에 의하여, 제어부(70)는, 기판(9)의 하면이 흡착 홈(455)에 정상적으로 흡착된 것을 검출한다. 즉, 압력계(456)는, 제2 스테이지(45)에 있어서, 기판(9)의 하면에 대한 흡착 홈(455)의 흡착이, 정상적으로 행해지고 있는지 여부를 검출하는 「흡착 검출부」로서 기능한다.
제어부(70)는, 기판(9)의 하면이 흡착 홈(455)에 정상적으로 흡착된 것을 검출하면, 다시 개폐 밸브(464)를 폐쇄한다. 그리고, 승강 기구(47)에 의하여, 챔버(46)를 하강 위치로부터 상승 위치로 상승시킨다. 흡착 홈(455)에 일단 정상적으로 흡착된 기판(9)은, 챔버(46)가 상승 위치로 이동해도, 정상적인 흡착 상태로 유지된다. 그 후, 제1 실시 형태와 동일하게, 슬릿 노즐(43)에 의한 레지스트액의 도포 처리를 행한다.
이 제2 실시 형태에서는, 휨 계측부(20)의 계측 결과에 따라, 볼록 형상 기판으로 판별된 기판(9)이, 상술한 제2 스테이지(45)로 반송된다. 그리고, 제2 스테이지(45)에 있어서, 고압의 기체에 의하여, 기판(9)의 볼록 형상의 휨이 교정된다. 따라서, 휨이 교정된 기판(9)의 상면에, 레지스트액을 도포할 수 있다.
<3. 제3 실시 형태>
계속해서, 본 발명의 제3 실시 형태에 대하여 설명한다. 도 14는, 제3 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(1)의 일부분을 나타낸 평면도이다.
상술한 제1 실시 형태에서는, 도포부(40)에 있어서의 제1 스테이지(41) 및 제2 스테이지(42)의 위치가 고정되어 있었다. 그리고, 반송 로봇(31)이, 제1 스테이지(41)의 위치와, 제2 스테이지(42)의 위치로, 기판(9)을 반송 가능했다.
이에 대하여, 제3 실시 형태에서는, 제1 스테이지(41)와 제2 스테이지(42)가, 별체의 석재에 의하여 형성되어 있다. 그리고, 도 14에 나타내는 바와 같이, 도포부(40)가, 제1 스테이지(41) 및 제2 스테이지(42)를 개별적으로 이동시키는 스테이지 이동 기구(48)를 갖는다. 스테이지 이동 기구(48)는, 제어부(70)에 의하여 동작 제어된다. 스테이지 이동 기구(48)는, 기판(9)이 반송되는 처리 위치(P0)와, 제1 대기 위치(P1)의 사이에서, 제1 스테이지(41)를 이동시킬 수 있다. 또, 스테이지 이동 기구(48)는, 상기의 처리 위치(P0)와, 제2 대기 위치(P2)의 사이에서, 제2 스테이지(42)를 이동시킬 수 있다.
이 제3 실시 형태에서는, 휨 계측부(20)의 계측 결과에 따라, 스테이지 이동 기구(48)가, 제1 스테이지(41)와 제2 스테이지(42) 중 어느 한 쪽을, 선택적으로 처리 위치(P0)에 배치한다. 그리고, 반송 로봇(31)은, 처리 위치(P0)에 배치된 스테이지로, 기판(9)을 반송한다. 이와 같이 하면, 반송 로봇(31)에 의한 기판(9)의 반송처의 위치를 변경하는 일 없이, 기판(9)을 제1 스테이지(41) 또는 제2 스테이지(42)로, 선택적으로 반송할 수 있다.
<4. 변형예>
이상, 제1 실시 형태~제3 실시 형태에 대하여 설명했지만, 본 발명은, 상기의 실시 형태에 한정되는 것은 아니다.
상기의 실시 형태에서는, 휨 계측부(20)가, 3개의 레이저 변위계(22)를 갖고 있었다. 그러나, 휨 계측부(20)가 갖는 레이저 변위계(22)의 수는, 3개 이외여도 된다. 또, 휨 계측부(20)는, 레이저 변위계(22) 이외의 수단으로, 기판(9)의 휨의 상태를 계측해도 된다. 또, 상기의 실시 형태에서는, 기판(9)의 상면의 높이를 계측함으로써, 기판(9)의 휨의 상태를 계측하고 있었다. 그러나, 기판(9)의 하면의 높이를 계측함으로써, 기판(9)의 휨의 상태를 계측해도 된다.
또, 상기의 예에서는, 제2 실시 형태의 제2 스테이지(45)에, 흡착 검출부로서의 압력계(456)가 접속되어 있었다. 그러나, 제1 실시 형태의 제1 스테이지(41) 및 제2 스테이지(42)에도, 동일한 압력계(456)가 접속되어 있어도 된다. 그리고, 당해 압력계(456)의 계측값에 의거하여, 제어부(70)가, 기판(9)의 하면에 대한 흡착이 정상적으로 행해지고 있는지 여부를 검출하도록 해도 된다.
또, 상기의 실시 형태에서는, 제1 스테이지(41) 및 제2 스테이지(42, 45)는, 기판(9)에 대하여 레지스트액을 도포하는 공정에, 사용되는 것이었다. 그러나, 제1 스테이지(41) 및 제2 스테이지(42, 45)는, 기판(9)에 대하여 레지스트액 이외의 처리액을 도포하는 공정이나, 도포 이외의 처리를 행하는 공정에, 사용되는 것이어도 된다.
또, 상기의 실시 형태에서는, 반도체 패키지용 기판(9)에 대하여 처리를 행하는 장치에 대하여 설명했다. 그러나, 본 발명의 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법은, 반도체 웨이퍼, 액정 표시 장치용 기판, 포토마스크 등의 다른 기판에 대하여 처리를 행하는 것이어도 된다.
또, 기판 처리 장치의 세부에 대해서는, 본원의 각 도면에 나타내어진 구성과, 상이해도 된다. 또, 상기의 실시 형태나 변형예에 등장한 각 요소를, 모순이 생기지 않는 범위에서, 적절히 조합해도 된다.
1 기판 처리 장치
9 기판
10 기판 수납부
20 계측부
21 계측 스테이지
22 레이저 변위계
23 위치 결정 기구
24 주사 기구
30 반송 기구
31 반송 로봇
40 도포부
41 제1 스테이지
42 제2 스테이지
43 슬릿 노즐
44 대기부
45 제2 스테이지
46 챔버
47 승강 기구
48 스테이지 이동 기구
50 감압 건조부
60 베이크부
70 제어부
212 지지 핀
231 에어 실린더
232 에어 실린더
233 에어 실린더
234 에어 실린더
411 리프트 핀
412 흡착 구멍
415 흡착 홈
416 클램퍼
421 리프트 핀
422 세로 구멍
423 흡인 파이프
424 흡착 패드
427 클램퍼
451 리프트 핀
452 흡착 구멍
455 흡착 홈
456 압력계
461 O링

Claims (20)

  1. 기판에 대하여 소정의 처리를 행하는 기판 처리 장치로서,
    평탄한 상면과, 상기 상면에 형성된 복수의 흡착 홈을 갖고, 상기 복수의 흡착 홈에 의하여, 기판의 하면을 흡착하여 유지하는 제1 스테이지와,
    평탄한 상면과, 탄성 재료로 이루어지는 복수의 흡착 패드를 갖고, 상기 복수의 흡착 패드에 의하여, 기판의 하면을 흡착하여 유지하는 제2 스테이지와,
    기판의 휨의 상태를 계측하는 휨 계측부와,
    상기 휨 계측부의 계측 결과에 따라, 기판을 상기 제1 스테이지 또는 상기 제2 스테이지로 반송하는 반송 기구
    를 구비한, 기판 처리 장치.
  2. 기판에 대하여 소정의 처리를 행하는 기판 처리 장치로서,
    평탄한 상면과, 상기 상면에 형성된 복수의 흡착 홈을 갖고, 상기 복수의 흡착 홈에 의하여, 기판의 하면을 흡착하여 유지하는 제1 스테이지와,
    평탄한 상면과, 상기 상면에 형성된 복수의 흡착 홈을 갖고, 상기 복수의 흡착 홈에 의하여, 기판의 하면을 흡착하여 유지하는 제2 스테이지와,
    상기 제2 스테이지의 상기 상면에 재치(載置)된 기판을 덮음과 더불어, 기판과의 사이에 형성되는 공간에 고압의 기체를 공급하는 챔버와,
    기판의 휨의 상태를 계측하는 휨 계측부와,
    상기 휨 계측부의 계측 결과에 따라, 기판을 상기 제1 스테이지 또는 상기 제2 스테이지로 반송하는 반송 기구
    를 구비한, 기판 처리 장치.
  3. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 휨 계측부는,
    기판의 표면과의 거리를 계측하면서 기판의 표면을 따라 이동하는 레이저 변위계를 갖는, 기판 처리 장치.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 휨 계측부는, 기판의 표면을 따라 서로 평행하게 이동하는 복수의 상기 레이저 변위계를 갖는, 기판 처리 장치.
  5. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 휨 계측부는,
    계측 스테이지 상에 있어서 기판을 위치 결정하는 위치 결정 기구를 갖는, 기판 처리 장치.
  6. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 휨 계측부의 계측 결과에 따라, 기판이 오목 형상의 휨을 갖는 경우, 상기 반송 기구는, 기판을 상기 제1 스테이지로 반송하고,
    상기 휨 계측부의 계측 결과에 따라, 기판이 볼록 형상의 휨을 갖는 경우, 상기 반송 기구는, 기판을 상기 제2 스테이지로 반송하는, 기판 처리 장치.
  7. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 제1 스테이지는,
    기판의 주연부를 상기 제1 스테이지의 상면에 누르는 클램퍼를 갖는, 기판 처리 장치.
  8. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 제1 스테이지 또는 상기 제2 스테이지에 유지된 기판의 상면을 따라 이동하면서, 슬릿 형상의 토출구로부터 기판의 상면을 향하여 처리액을 토출하는 슬릿 노즐을 추가로 구비하는, 기판 처리 장치.
  9. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 제1 스테이지 또는 상기 제2 스테이지에 있어서, 기판의 하면에 대한 흡착이 정상적으로 행해지고 있는지 여부를 검출하는 흡착 검출부를 추가로 구비하는, 기판 처리 장치.
  10. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 휨 계측부의 계측 결과에 따라, 상기 반송 기구에 의한 기판의 반송처로, 상기 제1 스테이지 또는 상기 제2 스테이지를 이동시키는 스테이지 이동 기구를 추가로 구비하는, 기판 처리 장치.
  11. 기판에 대하여 소정의 처리를 행하는 기판 처리 방법으로서,
    a) 기판의 휨의 상태를 계측하는 공정과,
    b) 상기 공정 a)의 계측 결과에 따라, 기판을 제1 스테이지 또는 제2 스테이지로 반송하는 공정
    을 갖고,
    상기 제1 스테이지는, 평탄한 상면과, 상기 상면에 형성된 복수의 흡착 홈을 갖고, 상기 복수의 흡착 홈에 의하여, 기판의 하면을 흡착하여 유지하는 스테이지이고,
    상기 제2 스테이지는, 평탄한 상면과, 탄성 재료로 이루어지는 복수의 흡착 패드를 갖고, 상기 복수의 흡착 패드에 의하여, 기판의 하면을 흡착하여 유지하는 스테이지인, 기판 처리 방법.
  12. 기판에 대하여 소정의 처리를 행하는 기판 처리 방법으로서,
    a) 기판의 휨의 상태를 계측하는 공정과,
    b) 상기 공정 a)의 계측 결과에 따라, 기판을 제1 스테이지 또는 제2 스테이지로 반송하는 공정
    을 실행하고,
    상기 제1 스테이지는, 평탄한 상면과, 상기 상면에 형성된 복수의 흡착 홈을 갖고, 상기 복수의 흡착 홈에 의하여, 기판의 하면을 흡착하여 유지하는 스테이지이고,
    상기 제2 스테이지는, 평탄한 상면과, 상기 상면에 형성된 복수의 흡착 홈을 갖고, 상기 복수의 흡착 홈에 의하여, 기판의 하면을 흡착하여 유지하는 스테이지이고,
    기판이 상기 제2 스테이지로 반송된 경우,
    c) 상기 제2 스테이지의 상기 상면에 재치된 기판을 챔버로 덮음과 더불어, 기판과의 사이에 형성되는 공간에 고압의 기체를 공급하는 공정
    을 추가로 실행하는, 기판 처리 방법.
  13. 청구항 11 또는 청구항 12에 있어서,
    상기 공정 a)에서는, 레이저 변위계에 의하여 기판의 표면과의 거리를 계측하면서, 상기 레이저 변위계를 기판의 표면을 따라 이동시키는, 기판 처리 방법.
  14. 청구항 13에 있어서,
    상기 공정 a)에서는, 복수의 상기 레이저 변위계를, 기판의 표면을 따라 서로 평행하게 이동시키는, 기판 처리 방법.
  15. 청구항 11 또는 청구항 12에 있어서,
    상기 공정 a)에서는, 계측 스테이지 상에 있어서 기판을 위치 결정하는, 기판 처리 방법.
  16. 청구항 11 또는 청구항 12에 있어서,
    상기 공정 a)의 계측 결과에 따라, 기판이 오목 형상의 휨을 갖는 경우, 상기 공정 b)에 있어서, 기판을 상기 제1 스테이지로 반송하고,
    상기 공정 a)의 계측 결과에 따라, 기판이 볼록 형상의 휨을 갖는 경우, 상기 공정 b)에 있어서, 기판을 상기 제2 스테이지로 반송하는, 기판 처리 방법.
  17. 청구항 11 또는 청구항 12에 있어서,
    기판이 상기 제1 스테이지로 반송된 경우,
    d) 기판의 주연부를 클램퍼에 의하여 상기 제1 스테이지의 상면에 누르는 공정을 추가로 실행하는, 기판 처리 방법.
  18. 청구항 11 또는 청구항 12에 있어서,
    e) 상기 제1 스테이지 또는 상기 제2 스테이지에 기판이 유지된 후, 기판의 상면을 따라 슬릿 노즐을 이동시키면서, 상기 슬릿 노즐이 갖는 슬릿 형상의 토출구로부터 기판의 상면을 향하여 처리액을 토출하는 공정을 추가로 실행하는, 기판 처리 방법.
  19. 청구항 11 또는 청구항 12에 있어서,
    f) 상기 제1 스테이지 또는 상기 제2 스테이지에 있어서, 기판의 하면에 대한 흡착이 정상적으로 행해지고 있는지 여부를 검출하는 공정을 추가로 실행하는, 기판 처리 방법.
  20. 청구항 11 또는 청구항 12에 있어서,
    상기 공정 b)에서는, 상기 공정 a)의 계측 결과에 따라, 기판의 반송처로, 상기 제1 스테이지 또는 상기 제2 스테이지를 이동시키는, 기판 처리 방법.
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20240038557A1 (en) * 2022-07-28 2024-02-01 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for processing a substrate

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006116454A (ja) 2004-10-22 2006-05-11 Seiko Epson Corp スリットコート式塗布装置及びスリットコート式塗布方法
JP2014160745A (ja) 2013-02-20 2014-09-04 Sumitomo Heavy Ind Ltd 基板製造装置

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03270048A (ja) * 1990-03-19 1991-12-02 Fujitsu Ltd 真空チャック
CA2115031A1 (en) 1991-10-04 1993-04-15 Javad Hosseini Method and apparatus for controlling differentially driven wheel slip for an articulated vehicle
JPH0758191A (ja) * 1993-08-13 1995-03-03 Toshiba Corp ウェハステージ装置
WO1996013058A2 (en) * 1994-10-17 1996-05-02 Diamond Semiconductor Group, Inc. Apparatus and method for temperature control of workpieces in vacuum
JP3886554B2 (ja) * 1995-08-18 2007-02-28 株式会社半導体エネルギー研究所 レーザーアニール方法
JP2000031253A (ja) * 1998-07-10 2000-01-28 Komatsu Ltd 基板処理装置及び方法
TWI467691B (zh) * 2008-10-15 2015-01-01 Creative Tech Corp Electrostatic chuck and its manufacturing method
KR20140102880A (ko) * 2013-02-15 2014-08-25 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 제조방법 및 화학 기상 증착 장치
JP2015204420A (ja) * 2014-04-15 2015-11-16 株式会社ディスコ 板状物の搬送装置および切削装置
JP5897686B1 (ja) * 2014-10-24 2016-03-30 Ｔｏｗａ株式会社 ワーク吸着板、ワーク切断装置、ワーク切断方法、およびワーク吸着板の製造方法
JP6440587B2 (ja) * 2015-07-16 2018-12-19 三菱電機株式会社 吸着プレート、半導体装置の試験装置および半導体装置の試験方法
JP6516664B2 (ja) 2015-12-16 2019-05-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板保持装置、塗布装置、基板保持方法
JP6988801B2 (ja) * 2016-06-16 2022-01-05 株式会社ニコン 積層装置および積層方法
JP6945367B2 (ja) * 2017-07-05 2021-10-06 東京エレクトロン株式会社 基板反り監視装置及びこれを用いた基板処理装置、並びに基板反り監視方法
KR20190042839A (ko) * 2017-10-17 2019-04-25 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
JP2019191074A (ja) * 2018-04-27 2019-10-31 神津精機株式会社 反り量測定用装置
JP7303635B2 (ja) * 2019-01-07 2023-07-05 株式会社ディスコ ワークの保持方法及びワークの処理方法
CN210575887U (zh) * 2019-09-27 2020-05-19 长鑫存储技术有限公司 晶圆真空载具以及晶圆真空吸附***

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006116454A (ja) 2004-10-22 2006-05-11 Seiko Epson Corp スリットコート式塗布装置及びスリットコート式塗布方法
JP2014160745A (ja) 2013-02-20 2014-09-04 Sumitomo Heavy Ind Ltd 基板製造装置

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