KR102520038B1 - 가스 센서 패키지 및 이를 포함하는 센싱 장치 - Google Patents
가스 센서 패키지 및 이를 포함하는 센싱 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR102520038B1 KR102520038B1 KR1020180003171A KR20180003171A KR102520038B1 KR 102520038 B1 KR102520038 B1 KR 102520038B1 KR 1020180003171 A KR1020180003171 A KR 1020180003171A KR 20180003171 A KR20180003171 A KR 20180003171A KR 102520038 B1 KR102520038 B1 KR 102520038B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- package substrate
- hole
- gas sensor
- ground
- package
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 117
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 52
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims abstract description 5
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 12
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 12
- 229920001600 hydrophobic polymer Polymers 0.000 claims description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 71
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 56
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 230000006355 external stress Effects 0.000 description 2
- 239000012811 non-conductive material Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- -1 poly(tetrafluoroethylene) Polymers 0.000 description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003915 air pollution Methods 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000004566 building material Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000007784 solid electrolyte Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/12—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
- G01N27/125—Composition of the body, e.g. the composition of its sensitive layer
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N33/00—Investigating or analysing materials by specific methods not covered by groups G01N1/00 - G01N31/00
- G01N33/0004—Gaseous mixtures, e.g. polluted air
- G01N33/0009—General constructional details of gas analysers, e.g. portable test equipment
- G01N33/0027—General constructional details of gas analysers, e.g. portable test equipment concerning the detector
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/048—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance for determining moisture content of the material
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/12—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/12—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
- G01N27/122—Circuits particularly adapted therefor, e.g. linearising circuits
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/12—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
- G01N27/122—Circuits particularly adapted therefor, e.g. linearising circuits
- G01N27/123—Circuits particularly adapted therefor, e.g. linearising circuits for controlling the temperature
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/12—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
- G01N27/128—Microapparatus
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/12—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
- G01N27/129—Diode type sensors, e.g. gas sensitive Schottky diodes
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/26—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
- G01N27/403—Cells and electrode assemblies
- G01N27/406—Cells and probes with solid electrolytes
- G01N27/407—Cells and probes with solid electrolytes for investigating or analysing gases
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49805—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers the leads being also applied on the sidewalls or the bottom of the substrate, e.g. leadless packages for surface mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
- H01L27/0248—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48145—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10007—Types of components
- H05K2201/10151—Sensor
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Immunology (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Pathology (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Food Science & Technology (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
Abstract
본 발명의 실시예들에 따른 가스 센서 패키지 및 이를 포함하는 센싱 장치가 제공된다. 가스 센서 패키지는 홀을 갖는 패키지 기판, 상기 홀은 상기 패키지 기판의 제1 면 상에 형성되고; 상기 패키지 기판의 상기 홀 내에 배치된 센싱 소자; 상기 패키지 기판의 상기 제1 면 상에 배치되고, 그 내부를 관통하는 벤트 홀을 갖는 고정 플레이트, 상기 고정 플레이트는 상기 홀과 평면적 관점에서 중첩되고; 및 상기 고정 플레이트 상에 부착된 보호 필름을 포함하고, 상기 보호 필름은 상기 벤트 홀과 평면적 관점에서 중첩될 수 있다.
Description
본 발명은 가스 센서 패키지, 보다 구체적으로 가스 센서 패키지의 패키지 기판에 관한 것이다.
일반적으로, 가스 센서는 가스 분자의 흡착에 따라 전기 전도도 또는 전기 저항이 변화하는 특성을 이용하여 분석 대상 가스의 양을 측정한다. 금속 산화물 반도체, 고체 전해질 물질, 또는 기타 유기 물질 등을 이용하여 가스 센서가 제작될 수 있다.
공기가 인체의 건강에 미치는 영향은 매우 크다. 실내 공간의 밀폐화기 더욱 심화되고 화학물질로 구성된 건축자재의 사용이 증가함에 따라, 공기의 오염이 사회 문제로 제기되고 있다. 가스 센서는 보다 높은 정밀도 및 기능을 구현할 것이 요구되고 있다. 휴대폰이나 웨어러블(Wearable) 기기에 가스 센서를 적용시키는 연구가 진행되고 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 센싱 정확도가 향상된 가스 센서 패키지 및 이를 포함하는 센싱 장치를 제공하는 것에 있다.
본 발명은 가스 센서 패키지 및 이를 포함하는 센싱 장치에 관한 것이다. 본 발명의 실시예들에 따른 가스 센서 패키지는 홀을 갖는 패키지 기판, 상기 홀은 상기 패키지 기판의 제1 면 상에 형성되고; 상기 패키지 기판의 상기 홀 내에 배치된 센싱 소자; 상기 패키지 기판의 상기 제1 면 상에 배치되고, 그 내부를 관통하는 벤트 홀을 갖는 고정 플레이트, 상기 고정 플레이트는 상기 홀과 평면적 관점에서 중첩되고; 및 상기 고정 플레이트 상에 부착된 보호 필름을 포함하고, 상기 보호 필름은 상기 벤트 홀과 평면적 관점에서 중첩될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 센싱 장치는 에어 홀 갖는 모듈 보드, 상기 에어 홀은 상기 모듈 보드를 관통하고; 및 상기 모듈 보드 상에 실장되고, 평면적 관점에서 상기 에어 홀과 중첩되는 가스 센서 패키지를 포함하되, 상기 가스 센서 패키지는: 홀을 갖는 패키지 기판, 상기 홀은 상기 패키지 기판의 제1 면을 향해 개방되고; 상기 패키지 기판의 상기 홀 내에 배치된 센싱 소자; 상기 패키지 기판의 상기 제1 면 상에 배치되고, 벤트 홀을 갖는 고정 플레이트, 상기 고정 플레이트는 상기 홀과 평면적 관점에서 중첩되고; 및 상기 고정 플레이트 상에 부착된 보호 필름을 포함하되, 상기 패키지 기판의 제1 면은 상기 모듈 보드를 향할 수 있다.
본 발명에 따르면, 센싱 소자들이 패키지 기판의 홀 내에 배치되어, 가스들이 센싱 소자들에 보다 많이 전달될 수 있다. 이에 따라, 센싱 소자들은 높은 센싱 정확도를 나타낼 수 있다.
실시예들에 따르면, 보호 필름은 불순물들이 홀 내에 유입되는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라, 불순물들에 의한 센싱 노이즈의 발생 및 센싱 소자의 손상이 방지/감소될 수 있다. 보호 필름은 고정 플레이트에 견고하게 고정될 수 있다.
도 1a는 실시예에 따른 가스 센서 패키지를 도시한 평면도이다.
도 1b는 도 1a의 Ⅰ-Ⅱ선을 따라 자른 단면이다.
도 1c는 실시예들에 따른 가스 센서 패키지를 도시한 단면도이다.
도 2a는 실시예에 따른 가스 센서 패키지를 도시한 평면도이다.
도 2b는 도 2a의 Ⅰ-Ⅱ선을 따라 자른 단면이다.
도 3은 실시예들에 따른 가스 센서 패키지를 도시한 단면도이다.
도 4는 실시예들에 따른 가스 센서 패키지를 도시한 단면도이다.
도 5는 실시예들에 따른 가스 센서 패키지를 도시한 단면도이다.
도 6은 실시예들에 따른 센싱 장치를 도시한 단면도이다.
도 1b는 도 1a의 Ⅰ-Ⅱ선을 따라 자른 단면이다.
도 1c는 실시예들에 따른 가스 센서 패키지를 도시한 단면도이다.
도 2a는 실시예에 따른 가스 센서 패키지를 도시한 평면도이다.
도 2b는 도 2a의 Ⅰ-Ⅱ선을 따라 자른 단면이다.
도 3은 실시예들에 따른 가스 센서 패키지를 도시한 단면도이다.
도 4는 실시예들에 따른 가스 센서 패키지를 도시한 단면도이다.
도 5는 실시예들에 따른 가스 센서 패키지를 도시한 단면도이다.
도 6은 실시예들에 따른 센싱 장치를 도시한 단면도이다.
첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 대하여 설명한다. 명세서 전문에 걸쳐 동일한 참조 부호는 동일한 구성 요소를 지칭할 수 있다.
본 발명의 개념에 따른 가스 센서 패키지 및 이를 포함하는 센싱 장치를 설명한다.
도 1a는 실시예에 따른 가스 센서 패키지를 도시한 평면도이다. 도 1b는 도 1a의 Ⅰ-Ⅱ선을 따라 자른 단면이다.
도 1a 및 도 1b를 참조하면, 가스 센서 패키지(10)는 패키지 기판(100), 제어 소자(210), 센싱 소자(220), 고정 플레이트(300), 및 보호 필름(400)을 포함할 수 있다.
패키지 기판(100)은 홀(190)을 가질 수 있다. 패키지 기판(100)은 서로 대향하는 제1 면(100a) 및 제2 면(100b)을 가질 수 있다. 홀(190)은 패키지 기판(100)의 제1 면(100a)을 향해 개방될 수 있다. 홀(190)은 패키지 기판(100)의 제1 면(100a) 상에 형성될 수 있다. 일 예로, 홀(190)은 패키지 기판(100)의 일부가 제거되어 형성될 수 있다. 홀(190)은 패키지 기판(100)의 일부를 관통할 수 있다. 홀(190)의 바닥면(190b)은 패키지 기판(100) 내에 제공될 수 있다. 홀(190)의 바닥면(190b)은 패키지 기판(100)의 제2 면(100b)과 이격될 수 있다. 도 1a와 같이, 평면적 관점에서, 홀(190)은 패키지 기판(100)의 센터 부분에 형성될 수 있다. 패키지 기판(100)이 홀(190)을 가져, 캐비티(195)가 제공될 수 있다. 캐비티(195)는 패키지 기판(100) 및 보호 필름(400)에 의해 정의될 수 있다. 예를 들어, 캐비티(195)는 패키지 기판(100) 및 보호 필름(400)에 의해 둘러싸인 공간일 수 있다. 캐비티(195)는 가스에 의해 점유될 수 있다. 상기 가스는 분석 대상 물질을 포함할 수 있다.
패키지 기판(100)은 베이스층(110) 및 도전 구조체(120)를 포함할 수 있다. 일 예로, 인쇄회로기판(PCB)이 패키지 기판(100)으로 사용될 수 있다. 베이스층(110)은 비전도성 물질을 포함할 수 있다. 베이스층(110)은 세라믹, 탄소함유물질(예를 들어, 그라파이트 또는 그래핀), 또는 폴리머를 포함할 수 있다. 베이스층(110)은 복수의 베이스층들(110)을 포함할 수 있다. 다른 예로, 기판(100)에 포함된 베이스층(110)은 단수 개일 수 있다. 도전 구조체(120)는 도전 패턴(121) 및 도전 비아(123)를 포함할 수 있다. 도전 패턴(121)은 베이스층들(110) 사이 또는 베이스층들(110) 중 최상부층 상에 제공될 수 있다. 도전 비아(123)는 베이스층들(110) 중 적어도 하나를 관통하며, 도전 패턴(121)과 전기적으로 연결될 수 있다. 본 명세서에서 전기적으로 연결된다/접속한다는 것은 직접적인 연결/접속 또는 다른 도전 구성요소를 통한 간접적인 연결/접속을 포함한다. 도전 패턴(121) 및 도전 비아(123)는 구리 또는 알루미늄과 같은 금속을 포함할 수 있다. 실시예들에 따르면, 도전 구조체(120)는 패키지 기판(100)의 제2 면(100b) 및 홀(190)의 바닥면(190b) 사이에 더 제공될 수 있다. 이에 따라, 패키지 기판(100) 내의 전기적 신호의 통로가 다양해질 수 있다. 보호층(150)이 패키지 기판(100)의 제1 면(100a) 상에 제공될 수 있다. 보호층(150)은 솔더 레지스트 물질을 포함할 수 있다.
외부 연결 패드(130)가 패키지 기판(100)의 제1 면(100a) 상에 배치될 수 있다. 외부 연결 패드(130)는 보호층(150)에 의해 노출될 수 있다. 외부 연결 패드(130)는 도전 구조체(120)와 전기적으로 연결될 수 있다. 도전 구조체(120)는 외부 연결 패드(130)를 통해 외부 장치와 전기적으로 연결될 수 있다. 외부 연결 패드(130)는 구리 또는 알루미늄과 같은 금속을 포함할 수 있다. 도시되지 않았으나, 솔더가 외부 연결 패드(130) 상에 더 제공될 수 있다.
본딩 패드들(140)이 홀(190)의 바닥면(190b) 상에 제공될 수 있다. 본딩 패드들(140)은 도전 구조체(120)와 전기적으로 연결될 수 있다. 본딩 패드들(140)의 평면적 배치는 도 1a에 도시된 바에 제한되지 않고 다양하게 변형될 수 있다.
소자들(210, 220)이 홀(190)의 바닥면(190b) 상에 배치될 수 있다. 소자들(210, 220)은 홀(190)의 측벽들과 이격될 수 있다. 소자들(210, 220)은 제어 소자(210) 및 센싱 소자(220)를 포함할 수 있다. 제어 소자(210)는 반도체칩을 포함할 수 있다. 제어 소자(210)는 그 내부에 CMOS 트랜지스터들과 같은 집적 회로들을 포함할 수 있다. 제어 소자(210)는 센싱 소자들(220)을 제어할 수 있다. 센싱 소자(220)는 제어 소자(210)의 상면 상에 적층될 수 있다. 센싱 소자들(220)은 가스 센서칩을 포함하여, 가스를 센싱할 수 있다. 센싱 소자(220)는 복수의 센싱 소자들(220)을 포함할 수 있다. 센싱 소자들(220)의 상면들(220a)은 센싱면들로 기능할 수 있다. 예를 들어, 센싱 소자들(220)은 센싱 전극들(미도시)을 포함하고, 상기 센싱 전극들은 센싱 소자들(220)의 상면들(220a) 상에 또는 상면들(220a)과 인접하여 제공될 수 있다. 센싱 소자들(220) 각각은 그 상면(220a) 상에 배치된 센싱부(225) 및 칩 패드들을 포함할 수 있다. 센싱부(230)에 흡착되는 가스는 센싱부(225)의 물질에 따라 결정될 수 있다. 센싱 소자들(220) 중 어느 하나의 센싱부(225)의 물질은 센싱 소자들(220) 중 다른 하나의 센싱부(225)의 물질과 다를 수 있다. 여기에서, 센싱부(225)의 물질은 센싱부(225)에 포함된 센싱 패드의 물질을 의미할 수 있다. 상기 어느 하나의 센싱부(225)에 흡착되는 가스는 상기 다른 하나의 센싱부(225) 흡착되는 가스와 다를 수 있다. 이에 따라, 센싱 소자들(220)은 서로 다른 가스들을 센싱할 수 있다. 가스 센서 패키지(10)는 다양한 종류의 가스를 정량 또는 정성 분석할 수 있다. 센싱 소자들(220)은 제1 본딩 와이어들(251)에 의해 제어 소자(210)와 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 제1 본딩 와이어들(251)은 센싱 소자들(200)의 칩 패드들 및 제어 소자들(210)의 칩 패드들과 각각 접속할 수 있다. 제어 소자(210)는 제2 본딩 와이어들(252)에 의해 본딩 패드들(140)과 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 제2 본딩 와이어들(252)은 제어 소자(210)의 칩 패드들 및 본딩 패드들(140)과 각각 접속할 수 있다. 이에 따라, 제어 소자(210)는 패키지 기판(100)의 도전 구조체(120)와 전기적으로 연결될 수 있다. 센싱 소자들(220)은 제어 소자(210)를 통해 패키지 기판(100)과 전기적으로 연결될 수 있다. 다른 예로, 제어 소자(210) 및 센싱 소자들(220) 중 적어도 하나는 플립칩 방식에 의해 패키지 기판(100)과 전기적으로 연결될 수 있다. 본 명세서에서 패키지 기판(100)과 전기적으로 연결된다는 것은 패키지 기판(100)의 도전 구조체(120)와 전기적으로 연결되는 것을 의미할 수 있다. 제어 소자(210)/센싱 소자들(220)과 전기적으로 연결된다는 것은 제어 소자(210)/센싱 소자들(220)의 집적 회로들과 전기적으로 연결된다는 것을 의미할 수 있다. 도시된 바와 달리, 센싱 소자들(220) 중 적어도 하나는 홀(190)의 바닥면(190b) 상에서 제어 소자(210)와 옆으로 이격 배치될 수 있다.
고정 플레이트(300)가 패키지 기판(100)의 제1 면(100a) 상에 배치될 수 있다. 고정 플레이트(300)의 너비(W1)는 도 1a와 같이 홀(190)의 너비(W2)보다 클 수 있다. 고정 플레이트(300)의 길이(L1)는 홀(190)의 길이(L2)보다 클 수 있다. 고정 플레이트(300)는 금속과 같은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 다른 예로, 고정 플레이트(300)는 폴리머 또는 실리콘과 같은 비전도성 물질을 포함할 수 있다. 고정 플레이트(300)는 적어도 하나의 벤트 홀(390)을 가질 수 있다. 고정 플레이트(300)의 벤트 홀(390)은 도 1a와 같이 평면적 관점에서 패키지 기판(100)의 홀(190)과 중첩될 수 있다. 벤트 홀(390)은 고정 플레이트(300)의 상면 및 하면(300b)을 관통할 수 있다. 고정 플레이트(300)의 홀(190)은 외부와 연결될 수 있다. 외부의 물질들은 고정 플레이트(300)의 홀(190) 내로 유입될 수 있다. 상기 외부의 물질들은 가스 및 불순물들을 포함할 수 있다. 상기 불순물들은 수분 또는 먼지를 포함할 수 있다.
보호 필름(400)이 고정 플레이트(300) 상에 제공될 수 있다. 예를 들어, 보호 필름(400)은 고정 플레이트(300)의 하면(300b) 상에 부착될 수 있다. 보호 필름(400)은 고정 플레이트(300)의 벤트 홀(390)과 평면적 관점에서 중첩될 수 있다. 외부의 가스는 보호 필름(400)을 통과하여, 패키지 기판(100)의 홀(190) 내로 유입될 수 있다. 외부의 가스는 분석 대상 물질을 포함할 수 있다. 보호 필름(400)을 통과한다는 것은 보호 필름(400)의 포어들(미도시)을 통과한다는 것을 의미할 수 있다. 센싱 소자들(220)은 캐비티(195) 내의 가스를 측정할 수 있다. 외부의 불순물들은 보호 필름(400)의 포어들을 통과하기 어려울 수 있다. 보호 필름(400)의 물질이 조절되어, 보호 필름(400)을 통과하는 물질들이 제어될 수 있다. 예를 들어, 보호 필름(400)이 소수성 물질을 포함하여, 수분과 같은 친수성 불순물들이 홀(190) 내에 유입되는 것을 방지할 수 있다. 상기 소수성 폴리머는 예를 들어, Poly(tetrafluoroethylene)(PTFE)를 포함할 수 있다. 보호 필름(400)은 방수 필름으로 기능할 수 있다. 센싱 소자들(220)의 상면들(220a)은 보호 필름(400)을 향할 수 있다. 본 발명에 따르면, 불순물들에 의한 센싱 노이즈가 발생하는 것이 방지되어, 센싱 소자(220)의 센싱 정확도가 향상될 수 있다. 더하여, 불순물들에 의한 센싱 소자(220)의 손상이 방지/감소될 수 있다. 고정 플레이트(300)는 외부의 스트레스로부터 보호 필름(400)이 손상되는 것을 방지할 수 있다. 외부 스트레스는 예를 들어, 물리적 충격일 수 있다.
보호 필름(400)은 플렉서블하거나, 비교적 부드러울 수 있다. 보호 필름(400)은 고정 플레이트(300)에 견고하게 고정될 수 있다. 접착 필름(510)이 고정 플레이트(300) 및 보호 필름(400) 사이에 개재될 수 있다. 접착 필름(510)은 폴리머를 포함할 수 있다. 보호 필름(400)은 접착 필름(510)을 통해 고정 플레이트(300)에 부착될 수 있다. 접착 필름(510)은 보호 필름(400) 및 고정 플레이트(300) 사이를 밀봉할 수 있다. 접착 필름(510)에 의해 외부의 불순물이 홀(190) 내로 유입되기 더 어려울 수 있다. 접착 필름(510)은 벤트 홀(390) 내로 연장되지 않을 수 있다.
접착부(520)가 패키지 기판(100) 및 고정 플레이트(300) 사이에 제공될 수 있다. 고정 플레이트(300)는 접착부(520)를 통해 패키지 기판(100)에 부착될 수 있다. 접착부(520)는 수지를 포함할 수 있다. 접착부(520)는 패키지 기판(100)과 고정 플레이트(300) 사이를 밀봉할 수 있다. 외부의 불순물은 홀(190) 내로 유입되기 더욱 어려울 수 있다.
도 1c는 실시예들에 따른 가스 센서 패키지를 도시한 단면도로, 도 1a의 Ⅰ-Ⅱ선을 따라 자른 단면에 대응된다.
도 1c를 참조하면, 가스 센서 패키지(11)는 패키지 기판(100), 제어 소자(210), 센싱 소자(220), 고정 플레이트(300), 및 보호 필름(400)을 포함할 수 있다. 패키지 기판(100), 제어 소자(210), 센싱 소자(220), 고정 플레이트(300), 및 보호 필름(400)은 앞서 도 1a 및 도 1b에서 설명한 바와 동일할 수 있다. 다만, 보호 필름(400)은 고정 플레이트(300)의 상면(300a) 상에 부착될 수 있다. 접착 필름(510)은 고정 플레이트(300)의 상면(300a) 및 보호 필름(400) 사이에 개재될 수 있다.
도 2a는 실시예에 따른 가스 센서 패키지를 도시한 평면도이다. 도 2b는 도 2a의 Ⅰ-Ⅱ선을 따라 자른 단면이다.
도 2a 및 도 2b를 참조하면, 가스 센서 패키지(12)는 패키지 기판(100), 제어 소자(210), 센싱 소자(220), 고정 플레이트(300), 및 보호 필름(400)을 포함할 수 있다. 제어 소자(210), 센싱 소자(220), 고정 플레이트(300), 및 보호 필름(400)은 앞서 도 1a 및 도 1b에서 설명한 바와 실질적으로 동일할 수 있다. 패키지 기판(100)은 베이스층들(110) 및 복수의 도전 구조체들(120G, 120S)을 포함할 수 있다. 도전 구조체들(120G, 120S)은 신호 구조체(120S) 및 접지 구조체(120G)를 포함할 수 있다. 신호 구조체(120S)는 신호 패턴(121S) 및 신호 비아(123S)를 포함할 수 있다. 접지 구조체(120G)는 신호 구조체(120S)와 절연될 수 있다. 신호 패턴(121S) 및 신호 비아(1233)의 배치들은 도 1a 및 도 1b의 도전 패턴(121) 및 도전 비아(123)의 예들에서 설명한 바와 각각 실질적으로 동일할 수 있다. 예를 들어, 신호 패턴(121S)은 베이스층들(110) 사이에 제공될 수 있다. 신호 비아(123S)는 베이스층들(110) 중 적어도 하나를 관통하며, 신호 패턴(121S)과 전기적으로 연결될 수 있다. 접지 구조체(120G)는 접지 패턴(121G) 및 접지 비아(123G)를 포함할 수 있다. 접지 패턴(121G) 및 접지 비아(123G)의 배치들은 도 1a 및 도 1b의 도전 패턴(121) 및 도전 비아(123)의 예들에서 설명한 바와 각각 유사할 수 있다. 접지 패턴(121G)은 베이스층들(110) 사이 또는 베이스층들(110) 중 최상부층 상에 제공될 수 있다. 상기 최상부 베이스층(110) 상의 접지 패턴(121G)은 고정 플레이트(300)와 수직적으로 중첩될 수 있다. 접지 구조체(120G)의 일부(예를 들어, 최상부 베이스층(110) 상의 접지 패턴(121G))은 패키지 기판(100)의 제1 면(100a)상에 노출될 수 있다. 접지 비아(123G)는 베이스층들(110) 중 적어도 하나를 관통하며, 접지 패턴(121G)과 전기적으로 연결될 수 있다. 신호 패턴(121S), 신호 비아(123S), 접지 패턴(121G), 및 접지 비아(123G)는 구리 또는 알루미늄과 같은 금속을 포함할 수 있다.
외부 연결 패드(130S, 130G)는 신호 패드(130S) 및 접지 패드(130G)를 포함할 수 있다. 신호 패드(130S) 및 접지 패드(130G)는 패키지 기판(100)의 제1 면(100a) 상에 배치될 수 있다. 신호 패드(130S) 및 접지 패드(130G)는 신호 구조체(120S) 및 접지 구조체(120G)와 각각 전기적으로 연결될 수 있다. 접지 패드(130G)는 신호 패드(130S)와 전기적으로 연결되지 않을 수 있다. 접지 패드(130G)의 개수는 신호 패드(130S)의 개수보다 적을 수 있다. 신호 솔더(미도시)가 신호 패드(130S) 상에 더 제공되고, 접지 솔더(미도시)가 접지 패드(130G) 상에 더 제공될 수 있다.
본딩 패드들(140S, 140G)이 홀(190)의 바닥면(190b) 상에 배치될 수 있다. 본딩 패드들(140S, 140G)은 신호 본딩 패드들(140S) 및 접지 본딩 패드(140G)를 포함할 수 있다. 신호 본딩 패드들(140S) 및 접지 본딩 패드(140G)는 신호 구조체(120S) 및 접지 구조체(120G)와 각각 전기적으로 연결될 수 있다. 접지 본딩 패드(140G)는 신호 본딩 패드들(140S)과 전기적으로 절연될 수 있다. 접지 본딩 패드(140G)의 개수는 신호 본딩 패드들(140S)의 개수보다 적을 수 있다. 제어 소자(210)는 제2 본딩 와이어들(252)에 의해 신호 본딩 패드들(140S) 및 접지 본딩 패드(140G)와 연결될 수 있다. 예를 들어, 제2 본딩 와이어들(252) 중 적어도 하나는 접지 본딩 패드(140G)와 접속할 수 있다. 제2 본딩 와이어들(252) 중 일부는 신호 본딩 패드들(140S)에 각각 접속할 수 있다. 이에 따라, 제어 소자(210)가 신호 패드(130S) 및 접지 패드(130G)와 접속할 수 있다. 센싱 소자들(200)의 칩 패드들 및 제어 소자들(210)의 칩 패드들과 각각 접속할 수 있다. 센싱 소자들(220)은 제어 소자(210)를 통해 접지 본딩 패드(140G)들 및 접지 본딩 패드(140G)와 연결될 수 있다. 이에 따라, 센싱 소자들(220)이 신호 패드(130S) 및 접지 패드(130G)와 접속할 수 있다.
고정 플레이트(300)가 패키지 기판(100)의 제1 면(100a) 상에 배치될 수 있다. 고정 플레이트(300)는 금속과 같은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 금속은 스테인레스 스틸을 포함할 수 있다. 고정 플레이트(300)는 도전성을 가져, 가스 센서 패키지(12)의 전자기 간섭(EMI; Electromagnetic Interference)을 차폐시킬 수 있다. 전자기 간섭이란 전기적 요소로부터 방사 또는 전도되는 전자기파가 다른 전기적 요소의 수신/송신 기능에 장애를 유발시키는 것을 의미한다. 고정 플레이트(300)에 의해, 제어 소자(210) 및 센싱 소자들(220)의 동작이 다른 패키지의 동작을 방해하거나 또는 다른 패키지에 의해 방해 받지 않을 수 있다.
고정 플레이트(300)는 접착부(520)에 의해 패키지 기판(100)에 부착될 수 있다. 접착부(520)는 전도성 접착제를 포함할 수 있다. 예를 들어, 접착부(520)는 절연 수지 및 및 상기 절연 수지 내에 분산된 도전 입자들을 포함할 수 있다. 절연 수지는 에폭시계 수지를 포함하고, 도전 입자들은 금속을 포함할 수 있다. 접착부(520)는 접지 패턴(121G) 및 고정 플레이트(300) 사이로 연장될 수 있고, 상기 접지 패턴(121G)은 패키지 기판(100)의 제1 면(100a) 상에 노출된 접지 패턴(121G)일 수 있다. 고정 플레이트(300)는 접착부(520)를 통해 접지 구조체(120G)와 전기적으로 연결될 수 있다. 이에 따라, 고정 플레이트(300)가 접지될 수 있다. 접착부(520)는 신호 패드(130S)와 이격 배치될 수 있다. 고정 플레이트(300)는 신호 구조체(120S) 및 신호 패드(130S)와 절연될 수 있다. 고정 플레이트(300)가 도전성 물질을 포함하는 경우, 고정 플레이트(300)가 접지되지 않으면, 전하가 고정 플레이트(300) 내에 충전될 수 있다. 고정 플레이트(300) 내에 일정량 이상의 전하가 축적되면, 상기 전하는 고정 플레이트(300)로부터 다른 도전성 구성요소들로 흘러가 상기 도전성 구성요소들을 손상시킬 수 있다. 이 때, 도전성 구성요소들은 제어 소자(210) 내의 집적 회로들, 센싱 소자들(220) 내의 집적 회로들, 신호 구조체(120S), 접지 구조체(120G), 제1 본딩 와이어들(251), 및 제2 본딩 와이어들(252) 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 실시예들에 따르면, 고정 플레이트(300)는 접지 구조체(120G)를 통해 접지 패드(130G)에 전기적으로 연결될 수 있다. 이에 따라, 가스 센서 패키지(12)의 신뢰성이 향상될 수 있다. 보호층(150)은 패키지 기판(100)의 제1 면(100a) 상에 노출된 접지 패턴(121G) 및 고정 플레이트(300) 사이로 연장되지 않을 수 있다.
다른 예로, 보호 필름(400)은 도 1c에서 설명한 바와 같이 고정 플레이트(300)의 상면 상에 배치될 수 있다.
도 3은 실시예들에 따른 가스 센서 패키지를 도시한 단면도로, 도 1a의 Ⅰ-Ⅱ선을 따라 자른 단면에 대응된다. 이하, 앞서 설명한 바와 중복되는 내용은 생략한다. 이하, 단수의 신호 본딩 패드(140S)에 대해 기술한다.
도 3을 참조하면, 가스 센서 패키지(13)는 패키지 기판(100), 제어 소자(210), 센싱 소자(220), 고정 플레이트(300), 및 보호 필름(400)에 더하여, 지지 기판(600)을 포함할 수 있다. 패키지 기판(100), 제어 소자(210), 센싱 소자(220), 고정 플레이트(300), 및 보호 필름(400)은 앞서 도 1a 내지 도 2b에서 설명한 바와 실질적으로 동일할 수 있다. 다만, 홀(190)은 패키지 기판(100)의 제1 면(100a) 및 제2 면(100b)을 관통할 수 있다.
지지 기판(600)이 패키지 기판(100)의 제2 면(100b) 상에 배치될 수 있다. 지지 기판(600)은 평면적 관점에서 홀(190)과 중첩될 수 있다. 일 예로, 인쇄회로기판, 금속 플레이트, 또는 비도전성 플레이트가 지지 기판(600)으로 사용될 수 있다. 지지 기판(600), 패키지 기판(100), 및 보호 필름(400)에 의해 캐비티(195)가 정의될 수 있다. 예를 들어, 캐비티(195)는 지지 기판(600), 패키지 기판(100), 및 보호 필름(400)에 의해 둘러싸인 공간일 수 있다.
신호 구조체(120S) 및 접지 구조체(120G)는 지지 기판(600)과 전기적으로 연결되지 않을 수 있다. 이와 달리, 신호 구조체(120S) 또는 접지 구조체(120G)는 지지 기판(600) 내의 도전성 구성요소들과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 도전성 구성 요소들은 배선 또는 비아를 포함할 수 있다. 이 경우, 지지 기판(600) 내 도전성 구성 요소들은 신호 구조체(120S) 또는 접지 구조체(120G)의 전기적 통로의 역할을 더 수행할 수 있다.
제어 소자(210)는 지지 기판(600)의 상면(600a) 상에 배치될 수 있다. 센싱 소자들(220)은 제어 소자(210) 상에 배치될 수 있다. 지지 기판(600)의 상면(600a)의 일부는 홀(190)의 바닥면(190b)에 해당할 수 있다. 제어 소자(210) 및 센싱 소자들(220)은 홀(190) 내에 제공될 수 있다. 신호 본딩 패드(140S) 및 접지 본딩 패드(140G)는 지지 기판(600)의 상면(600a) 상에 배치될 수 있다. 제어 소자(210) 및 센싱 소자들(220) 각각은 신호 본딩 패드(140S) 및 접지 본딩 패드(140G)와 전기적으로 연결될 수 있다. 신호 패턴(121S)이 홀(190)의 바닥면(190b)을 따라 연장되어, 신호 본딩 패드(140S)와 접속할 수 있다. 접지 패턴(121G)이 홀(190)의 바닥면(190b)을 따라 연장되어, 및 접지 본딩 패드(140G)와 접속할 수 있다. 다른 예로, 신호 구조체(120S) 및 접지 구조체(120G)는 지지 기판(600) 내의 도전성 구성 요소들을 통하여, 신호 본딩 패드(140S) 및 접지 본딩 패드(140G)와 각각 접속할 수 있다.
도 4는 실시예들에 따른 가스 센서 패키지를 도시한 단면도로, 도 1a의 Ⅰ-Ⅱ선을 따라 자른 단면에 대응된다. 이하, 앞서 설명한 바와 중복되는 내용은 생략한다.
도 4를 참조하면, 가스 센서 패키지(14)는 패키지 기판(100), 제어 소자(210), 센싱 소자(220), 고정 플레이트(300), 및 보호 필름(400)을 포함할 수 있다. 패키지 기판(100), 제어 소자(210), 센싱 소자(220), 고정 플레이트(300), 및 보호 필름(400)은 앞서 도 1a 내지 도 2b에서 설명한 바와 실질적으로 동일할 수 있다. 베이스층들(110)은 적층된 제1 하부 베이스층(111), 제2 하부 베이스층(112), 제1 상부 베이스층(113), 및 제2 상부 베이스층(114)을 포함할 수 있다. 패키지 기판(100)의 홀(190)은 제1 및 제2 상부 베이스층들(113, 114) 내에 제공될 수 있다. 홀(190)은 제1 및 제2 하부 베이스층들(111, 112) 내에 제공되지 않을 수 있다.
제2 상부 베이스층(114)은 제1 상부 베이스층(113)과 계단형 구조를 이룰 수 있다. 제2 상부 베이스층(114) 내의 홀(190)의 너비는 제1 상부 베이스층(113) 내의 홀(190)의 너비보다 클 수 있다. 제2 상부 베이스층(114)은 제1 상부 베이스층(113)의 상면의 적어도 일부를 노출시킬 수 있다. 상기 제1 상부 베이스층(113)의 상면의 일부는 홀(190)에 노출될 수 있다. 신호 본딩 패드(140S) 및 접지 본딩 패드(140G)는 제1 상부 베이스층(113)의 노출된 상면에 배치될 수 있다. 제1 상부 베이스층(113) 상의 신호 패턴(121S)이 연장되어, 신호 본딩 패드(140S)와 접속할 수 있다. 제1 상부 베이스층(113) 상의 접지 패턴(121G)이 연장되어, 접지 본딩 패드(140G)와 접속할 수 있다. 제어 소자(210)는 제2 본딩 와이어들(252)을 통해 신호 본딩 패드(140S) 및 접지 본딩 패드(140G)와 전기적으로 연결될 수 있다. 센싱 소자들(220)은 제1 본딩 와이어들(251), 제어 소자(210), 및 제2 본딩 와이어들(252)을 통해 신호 본딩 패드(140S) 및 접지 본딩 패드(140G)와 전기적으로 연결될 수 있다.
다른 예로, 제1 상부 베이스층(113)은 복수의 층들을 포함하거나 제2 상부 베이스층(114)은 복수의 층들을 포함할 수 있다. 또 다른 예로, 제1 하부 베이스층(111) 및 제2 하부 베이스층(112) 중에서 적어도 하나는 생략될 수 있다. 또 다른 예로, 고정 플레이트(300)는 접지되지 않을 수 있다. 또 다른 예로, 접지 필름은 고정 플레이트(300)의 상면(300a) 상에 배치될 수 있다.
도 5는 실시예들에 따른 가스 센서 패키지를 도시한 단면도이다. 이하, 앞서 설명한 바와 중복되는 내용은 생략한다.
도 5를 참조하면, 가스 센서 패키지(15)는 패키지 기판(100), 제어 소자(210), 센싱 소자(220), 고정 플레이트(300), 및 보호 필름(400)을 포함할 수 있다. 패키지 기판(100), 제어 소자(210), 센싱 소자(220), 고정 플레이트(300), 및 보호 필름(400)은 앞서 도 1a 내지 도 2b에서 설명한 바와 실질적으로 동일할 수 있다. 제1 하부 베이스층(111), 제2 하부 베이스층(112), 제1 상부 베이스층(113), 및 제2 상부 베이스층(114)은 도 4에서 설명한 바와 실질적으로 동일할 수 있다. 다만, 신호 구조체(120S)는 신호 패턴(121S) 및 신호 비아(123S)에 더하여, 신호 재배선 패턴(125S)을 더 포함할 수 있다. 신호 재배선 패턴(125S)은 신호 패턴(121S) 및 신호 비아(123S)와 전기적으로 연결될 수 있다. 신호 재배선 패턴(125S)은 제1 상부 베이스층(113)의 상면, 홀(190)의 측벽의 일부(예를 들어, 제1 상부 베이스층(113)의 측면) 및 홀(190)의 바닥면(190b)을 따라 연장될 수 있다. 신호 재배선 패턴(125S)은 신호 본딩 패드(140S)와 접속할 수 있다. 접지 구조체(120G)는 접지 패턴(121G) 및 접지 비아(123G)에 더하여, 접지 재배선 패턴(125G)을 더 포함할 수 있다. 접지 재배선 패턴(125G)은 제1 상부 베이스층(113)의 상면 상에 제공되어, 접지 패턴(121G)과 전기적으로 연결될 수 있다. 접지 재배선 패턴들(125G)은 홀(190)의 측벽의 일부(예를 들어, 제1 상부 베이스층(113)의 측면) 및 홀(190)의 바닥면(190b)을 따라 연장될 있다. 접지 재배선 패턴(125G)은 접지 본딩 패드(140G)와 접속할 수 있다. 접지 재배선 패턴(125G)은 신호 재배선 패턴(125S)과 이격 배치될 수 있다. 접지 재배선 패턴(125G)은 신호 재배선 패턴(125S)과 전기적으로 연결되지 않을 수 있다. 재배선 패턴들(125S, 125G)은 구리 또는 알루미늄과 같은 금속을 포함할 수 있다.
도시돤 바와 달리, 신호 재배선 패턴(125S) 및 접지 재배선 패턴(125G)은 제2 상부 베이스층(114)의 상면 상에 배치되고, 제1 및 제2 상부 베이스층들(113, 114)의 측면들 및 홀(190)의 바닥면(190b)을 따라 연장될 수 있다. 이 경우, 신호 재배선 패턴(125S)은 신호 패드(130S) 및 신호 본딩 패드(140S)와 연결될 수 있다. 접지 재배선 패턴(125G)은 접지 패드(130G) 및 접지 본딩 패드(140G)와 연결될 수 있다.
제2 상부 베이스층(114) 상의 접지 패턴(121G)은 접지 패드(130G)와 직접 접속할 수 있다. 다른 예로, 접지 비아(123G)가 도 4에 도시된 바와 제2 상부 베이스층(114) 상의 접지 패턴(121G) 및 제1 상부 베이스층(113) 상의 접지 패턴(121G) 사이에 더 제공되고, 제2 상부 베이스층(114) 상의 접지 패턴(121G)은 같이 상기 접지 비아(123G)를 통해 접지 패드(130G)와 접속할 수 있다.
도 6은 실시예들에 따른 센싱 장치를 도시한 단면도이다. 이하, 앞서 설명한 바와 중복되는 내용은 생략한다.
도 6을 참조하면, 센싱 장치(1000)는 모듈 보드(20), 가스 센서 패키지(12), 및 프레임(30)을 포함할 수 있다. 센싱 장치(1000)는 가스를 센싱할 수 있다. 실시예에 따르면, 센싱 장치(1000)는 휴대폰과 같은 전자기기일 수 있다. 이 경우, 상기 전자 기기는 가스 센싱 기능을 수행할 수 있다.
프레임(30)은 센싱 장치(1000)의 케이스일 수 있다. 모듈 보드(20)가 프레임(30) 내에 제공될 수 있다. 모듈 보드(20)는 인쇄회로기판을 포함할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 모듈 보드(20)는 서로 대향하는 일면(20b) 및 타면(20a)을 가질 수 있다. 모듈 보드(20)는 에어 홀(air hole)(29)을 가지며, 에어 홀(29)은 모듈 보드(20)의 일면(20b) 및 타면(20a)을 관통할 수 있다. 도전 패드들(21S, 21G)이 모듈 보드(20)의 일면(20b) 상에 배치될 수 있다. 도전 패드들(21S, 21G)은 신호 도전 패드(21S) 및 접지 도전 패드(21G)를 포함할 수 있다.
가스 센서 패키지(12)가 모듈 보드(20) 상에 실장될 수 있다. 가스 센서 패키지(12)는 에어 홀(29)과 평면적 관점에서 중첩될 수 있다. 가스 센서 패키지(12)는 도 2a 및 도 2b에서 설명한 가스 센서 패키지(12)일 수 있다. 도시된 바와 달리, 도 1a 및 도 1b의 가스 센서 패키지(10), 도 1c의 가스 센서 패키지(11), 도 3의 가스 센서 패키지(13), 도 4의 가스 센서 패키지(14), 또는 도 5의 가스 센서 패키지(15)가 모듈 보드(20) 상에 실장될 수 있다.
패키지 기판(100)의 제1 면(100a)이 모듈 보드(20)를 향하도록, 가스 센서 패키지(12)가 모듈 보드(20) 상에 배치될 수 있다. 솔더들(40S, 40G)이 패키지 기판(100)의 제1 면(100a) 상에 제공될 수 있다. 솔더들(40S, 40G)은 패키지 기판(100) 및 모듈 보드(20) 사이에 개재되어, 가스 센서 패키지(12)를 모듈 보드(20)과 전기적으로 연결시킬 수 있다. 솔더들(40S, 40G)은 신호 솔더(40S)와 접지 솔더(40G)를 포함할 수 있다. 신호 솔더(40S)는 신호 패드(130S)와 신호 도전 패드(21S) 사이에 개재될 수 있다. 센싱 소자들(220) 및 제어 소자(210)에서 출력된 전기적 신호는 신호 구조체(120S), 신호 솔더(40S), 및 모듈 보드(20)을 통해 외부 장치(미도시)에 전달될 수 있다. 상기 전기적 신호는 센싱 소자들(220)에서 측정한 가스 센싱 결과에 관한 신호를 포함할 수 있다. 접지 솔더(40G)가 접지 패드(130G)와 접지 도전 패드(21G) 사이에 개재될 수 있다. 접지 솔더(40G)는 접지 패드(130G) 및 접지 도전 패드(21G)와 접속할 수 있다. 센싱 소자들(220), 제어 소자(210), 및 고정 플레이트(300)는 접지 솔더(40G)를 통해 접지 전압을 인가받을 수 있다. 신호 솔더(40S) 및 접지 솔더(40G)는 금속, 예를 들어, 주석(Sn), 납(Pb), 인듐(In), 또는 이들의 합금을 포함할 수 있다.
센싱 소자들(220)의 상면들(220a)은 프레임(30)의 내면(30b)을 향할 수 있다. 센싱 소자들(220)의 상면들(220a)은 앞서 설명한 바와 같이 센싱면들로 기능할 수 있다. 외부 가스는 프레임(30)의 외부 벤트 홀(39)을 통해 센싱 장치(1000) 내에 유입될 수 있다. 센싱 소자들(220)에 전달되는 가스들이 많을수록, 센싱 소자들(220)의 센싱 정확도가 향상될 수 있다. 가스 센서 패키지(12)가 모듈 보드(20)의 타면(20a) 상에 실장되는 경우, 센싱 소자들(220) 및 프레임(30) 사이의 간격은 모듈 모드의 타면(20a) 및 프레임(30) 사이의 간격(A2)보다 작을 수 있다. 실시예들에 따르면, 가스 센서 패키지(12)는 모듈 보드(20)의 일면(20b) 상에 실장될 수 있다. 센싱 소자들(220) 및 프레임(30) 사이의 간격(A1)은 모듈 보드(20)의 타면(20a) 및 프레임(30) 사이의 간격(A2)보다 더 클 수 있다. 본 발명에 따르면, 센싱 소자들(220)이 패키지 기판(100)의 홀(190) 내에 배치되어, 센싱 소자들(220)이 프레임(30)으로부터 더 이격될 수 있다. 실시예들에 따르면, 센싱 소자들(220) 및 프레임(30) 사이의 간격(A1)은 모듈 보드(20)의 타면(20a) 및 프레임(30) 사이의 간격(A2) 및 모듈 보드(20)의 타면(20a) 및 센싱 소자들(220)의 상면들(220a) 사이의 간격(A3)과 실질적으로 동일할 수 있다. 외부 벤트 홀(39)을 통해 유입된 가스는 에어 홀(29), 벤트 홀(390), 보호 필름(400), 및 홀(190)을 통해 센싱 소자들(220)에 전달될 수 있다. 센싱 소자들(220)에 전달되는 가스의 양이 증가되어, 센싱 소자들(220)은 높은 센싱 정확도를 나타낼 수 있다.
반도체 소자들(미도시)이 모듈 보드(20)의 일면(20b) 또는 타면(20a) 상에 더 실장될 수 있다. 상기 반도체 소자들은 메모리 소자들, 및 로직 소자들 중에서 어느 하나를 포함할 수 있다.
이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니며, 본 발명의 요지를 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 할 것이다.
Claims (20)
- 홀을 갖는 패키지 기판, 상기 홀은 상기 패키지 기판의 제1 면에서 상기 패키지 기판의 상기 제1 면과 대향하는 상기 패키지 기판의 제2 면을 향하여 연장되어 형성되고, 상기 홀은 상기 패키지 기판의 상기 제1 면을 향해 개방되고, 상기 홀의 바닥면은 상기 패키지 기판 내에 제공되며 상기 패키지 기판의 상기 제2 면과 이격되고;
상기 패키지 기판의 상기 홀 내에 배치된 센싱 소자;
상기 패키지 기판의 상기 제1 면 상에 배치되고, 그 내부를 관통하는 벤트 홀을 갖는 고정 플레이트, 상기 고정 플레이트는 상기 홀과 평면적 관점에서 중첩되고;
상기 고정 플레이트 상에 부착된 보호 필름; 및
상기 패키지 기판의 상기 제1 면 상에 배치되는 접지 패드를 포함하되,
상기 보호 필름은 상기 벤트 홀과 평면적 관점에서 중첩되고,
상기 고정 플레이트의 바닥면은 상기 센싱 소자의 상면을 향하며 상기 센싱 소자의 상기 상면과 이격되고,
상기 패키지 기판의 상기 제1 면은 상기 센싱 소자의 상기 상면보다 높은 레벨에 위치하는 가스 센서 패키지. - 제 1항에 있어서,
상기 벤트 홀은 상기 홀과 평면적 관점에서 중첩되는 가스 센서 패키지. - 제 1항에 있어서,
상기 패키지 기판은:
상기 센싱 소자와 전기적으로 연결된 신호 구조체; 및
상기 고정 플레이트와 전기적으로 연결된 접지 구조체를 포함하되,
상기 접지 구조체는 상기 신호 구조체와 절연되는 가스 센서 패키지. - 제 3항에 있어서,
상기 패키지 기판의 상기 제1 면 및 상기 고정 플레이트 사이에 개재된 전도성 접착부를 더 포함하고,
상기 접지 구조체의 일부는 상기 패키지 기판의 상기 제1 면 상에 노출되고,
상기 전도성 접착부는 상기 노출된 접지 구조체 및 상기 고정 플레이트 사이로 연장되는 가스 센서 패키지. - 제 3항에 있어서,
상기 접지 패드는 상기 접지 구조체를 통해 상기 고정 플레이트와 전기적으로 연결되는 가스 센서 패키지. - 제 3항에 있어서,
상기 센싱 소자는 상기 접지 구조체와 전기적으로 연결되는 가스 센서 패키지. - 제 1항에 있어서,
상기 보호 필름은 소수성 폴리머를 포함하고,
상기 보호 필름은 가스를 투과시키는 가스 센서 패키지. - 제 1항에 있어서,
상기 패키지 기판의 상기 홀 내에 제공되는 제어 소자를 더 포함하되,
상기 센싱 소자는 상기 제어 소자 상에 적층된 가스 센서 패키지. - 제 8항에 있어서,
상기 제어 소자 및 상기 센싱 소자와 접속하는 제1 본딩 와이어를 더 포함하는 가스 센서 패키지. - 제 8항에 있어서,
상기 센싱 소자는 복수의 센싱 소자들을 포함하는 가스 센서 패키지. - 제 1항에 있어서,
본딩 패드를 더 포함하되,
상기 패키지 기판은 적층된 제1 베이스층 및 제2 베이스층을 포함하고,
상기 제2 베이스층은 상기 제1 베이스층의 상면의 일부를 노출시키고,
상기 본딩 패드가 상기 제1 베이스층의 상기 노출된 상면 상에 배치되고,
상기 센싱 소자는 상기 본딩 패드와 전기적으로 연결되는 가스 센서 패키지. - 에어 홀 갖는 모듈 보드, 상기 에어 홀은 상기 모듈 보드를 관통하고; 및
상기 모듈 보드 상에 실장되고, 평면적 관점에서 상기 에어 홀과 중첩되는 가스 센서 패키지를 포함하되,
상기 가스 센서 패키지는:
홀을 갖는 패키지 기판, 상기 홀은 상기 패키지 기판의 제1 면에서 상기 패키지 기판의 상기 제1 면과 대향하는 상기 패키지 기판의 제2 면을 향하여 연장되어 형성되고, 상기 홀은 상기 패키지 기판의 제1 면을 향해 개방되고, 상기 홀의 바닥면은 상기 패키지 기판 내에 제공되며 상기 패키지 기판의 상기 제2 면과 이격되고;
상기 패키지 기판의 상기 홀 내에 배치된 센싱 소자;
상기 패키지 기판의 상기 제1 면 상에 배치되고, 벤트 홀을 갖는 고정 플레이트, 상기 고정 플레이트는 상기 홀과 평면적 관점에서 중첩되고;
상기 고정 플레이트 상에 부착된 보호 필름; 및
상기 패키지 기판의 상기 제1 면 상에 배치되는 접지 패드를 포함하되,
상기 보호 필름은 상기 벤트 홀과 평면적 관점에서 중첩되고,
상기 고정 플레이트의 바닥면은 상기 센싱 소자의 상면을 향하며 상기 센싱 소자의 상기 상면과 이격되고,
상기 패키지 기판의 상기 제1 면은 상기 센싱 소자의 상기 상면보다 높은 레벨에 위치하고,
상기 패키지 기판의 제1 면은 상기 모듈 보드를 향하는 센싱 장치. - 제 12항에 있어서,
상기 벤트 홀은 상기 보호 필름과 평면적 관점에서 중첩되는 센싱 장치. - 제 12항에 있어서,
상기 패키지 기판의 상기 제1 면 및 상기 모듈 보드 사이에 제공되는 접지 솔더를 더 포함하고,
상기 고정 플레이트는 상기 패키지 기판을 통해 상기 접지 솔더와 전기적으로 연결되는 센싱 장치. - 제 14항에 있어서,
상기 패키지 기판의 상기 제1 면 및 상기 모듈 보드 사이에 제공되는 신호 솔더를 더 포함하되,
상기 신호 솔더는 상기 고정 플레이트와 절연된 센싱 장치. - 제 14항에 있어서,
상기 센싱 소자는 상기 접지 솔더와 전기적으로 연결된 센싱 장치. - 제 12항에 있어서,
상기 벤트 홀은 상기 홀과 평면적 관점에서 중첩되는 센싱 장치. - 제 12항에 있어서,
상기 벤트 홀은 상기 에어 홀과 평면적 관점에서 중첩되는 센싱 장치. - 제 12항에 있어서,
상기 고정 플레이트의 너비는 상기 홀의 너비보다 큰 센싱 장치. - 제 12항에 있어서,
상기 보호 필름은 방수 필름을 포함하는 센싱 장치.
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020180003171A KR102520038B1 (ko) | 2018-01-10 | 2018-01-10 | 가스 센서 패키지 및 이를 포함하는 센싱 장치 |
US16/124,385 US11067554B2 (en) | 2018-01-10 | 2018-09-07 | Gas sensor package and sensing apparatus including the same |
EP18209061.3A EP3511703B1 (en) | 2018-01-10 | 2018-11-29 | Gas sensor package |
CN201811570923.5A CN110018202A (zh) | 2018-01-10 | 2018-12-21 | 气体传感器封装件和包括其的感测设备 |
JP2018244486A JP7210271B2 (ja) | 2018-01-10 | 2018-12-27 | ガスセンサーパッケージ及びこれを含むセンシング装置 |
SG10201900168RA SG10201900168RA (en) | 2018-01-10 | 2019-01-08 | Gas Sensor Package And Sensing Apparatus Including The Same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020180003171A KR102520038B1 (ko) | 2018-01-10 | 2018-01-10 | 가스 센서 패키지 및 이를 포함하는 센싱 장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20190085263A KR20190085263A (ko) | 2019-07-18 |
KR102520038B1 true KR102520038B1 (ko) | 2023-04-12 |
Family
ID=64564571
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020180003171A KR102520038B1 (ko) | 2018-01-10 | 2018-01-10 | 가스 센서 패키지 및 이를 포함하는 센싱 장치 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11067554B2 (ko) |
EP (1) | EP3511703B1 (ko) |
JP (1) | JP7210271B2 (ko) |
KR (1) | KR102520038B1 (ko) |
CN (1) | CN110018202A (ko) |
SG (1) | SG10201900168RA (ko) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102437764B1 (ko) * | 2017-12-20 | 2022-08-30 | 삼성전자주식회사 | 센서 패키지, 센서 패키지의 제조 방법, 및 리드 구조체의 제조 방법 |
KR102466332B1 (ko) * | 2018-01-02 | 2022-11-15 | 삼성전자주식회사 | 가스 센서 패키지 |
CN113330303B (zh) * | 2019-05-21 | 2024-04-19 | 松下知识产权经营株式会社 | 气体传感器 |
JP7471947B2 (ja) | 2020-08-01 | 2024-04-22 | Tdk株式会社 | センサーモジュール |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008241501A (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-09 | Ngk Spark Plug Co Ltd | ガスセンサ |
US20100133629A1 (en) * | 2008-10-22 | 2010-06-03 | Honeywell International Inc. | Integrated sensor including sensing and processing die mounted on opposite sides of package substrate |
US8333874B2 (en) * | 2005-12-09 | 2012-12-18 | Flexible Medical Systems, Llc | Flexible apparatus and method for monitoring and delivery |
Family Cites Families (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59134055U (ja) * | 1983-02-24 | 1984-09-07 | 三菱電機株式会社 | 湿度センサ− |
JPH0532764Y2 (ko) * | 1987-06-17 | 1993-08-20 | ||
JPH087095B2 (ja) | 1987-06-30 | 1996-01-29 | 株式会社東芝 | 検出器 |
JPH01250747A (ja) * | 1988-03-31 | 1989-10-05 | Japan Gore Tex Inc | 水溶液中溶質濃度測定センサ |
JP3888228B2 (ja) | 2002-05-17 | 2007-02-28 | 株式会社デンソー | センサ装置 |
JP4131694B2 (ja) | 2003-10-06 | 2008-08-13 | 三洋電機株式会社 | 積層セラミックス基板及びその製造方法 |
KR100652571B1 (ko) | 2004-11-11 | 2006-12-07 | 엘지전자 주식회사 | 가스센서용 초소형 패키지 |
JP4732804B2 (ja) | 2005-05-31 | 2011-07-27 | 日本特殊陶業株式会社 | ガスセンサ及びその製造方法 |
JP4955349B2 (ja) | 2006-09-07 | 2012-06-20 | 新光電気工業株式会社 | 半導体装置 |
KR100782405B1 (ko) | 2006-10-27 | 2007-12-07 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판 제조방법 |
JP4382863B2 (ja) | 2007-09-28 | 2009-12-16 | 太陽誘電株式会社 | ガスセンサ及びガス検出方法 |
KR20090124011A (ko) | 2008-05-29 | 2009-12-03 | (주)엠투엔 | 패키징 기판과 이를 포함하는 가스 센싱 장치 및 그 제조방법 |
DE102008053909A1 (de) | 2008-10-30 | 2010-05-27 | Novar Gmbh | Gasdetektor |
KR101078187B1 (ko) | 2009-02-26 | 2011-11-10 | 전자부품연구원 | 마이크로 가스 센서 및 그 제조 방법 |
US20110124113A1 (en) * | 2009-11-25 | 2011-05-26 | Abdul-Majeed Azad | Methods and devices for detecting unsaturated compounds |
DE102010018499A1 (de) | 2010-04-22 | 2011-10-27 | Schweizer Electronic Ag | Leiterplatte mit Hohlraum |
US9784708B2 (en) * | 2010-11-24 | 2017-10-10 | Spec Sensors, Llc | Printed gas sensor |
WO2016015029A1 (en) | 2014-07-24 | 2016-01-28 | Spec Sensors, Llc | Electrochemical sensors and packaging and related methods |
EP2857349B1 (en) | 2013-10-01 | 2020-08-05 | LG Innotek Co., Ltd. | Gas sensor package |
KR20150089749A (ko) | 2014-01-28 | 2015-08-05 | 엘지이노텍 주식회사 | 레이더 장치 |
KR102158068B1 (ko) | 2014-02-05 | 2020-09-21 | 엘지이노텍 주식회사 | 임베디드 인쇄회로기판 |
KR102212967B1 (ko) | 2014-02-06 | 2021-02-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 임베디드 인쇄회로기판 |
JP6347618B2 (ja) | 2014-02-07 | 2018-06-27 | 日本特殊陶業株式会社 | ガス検出器 |
TWI546913B (zh) | 2014-04-02 | 2016-08-21 | 精材科技股份有限公司 | 晶片封裝體及其製造方法 |
KR20150116209A (ko) | 2014-04-07 | 2015-10-15 | 주식회사 이노칩테크놀로지 | 센서 소자 |
US9664661B2 (en) | 2014-05-08 | 2017-05-30 | Active-Semi, Inc. | Olfactory application controller integrated circuit |
JP6312205B2 (ja) | 2014-05-19 | 2018-04-18 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | ガスセンサ |
EP3001186B1 (en) | 2014-09-26 | 2018-06-06 | Sensirion AG | Sensor chip |
JP2016070670A (ja) | 2014-09-26 | 2016-05-09 | 京セラ株式会社 | センサ装置 |
US9598280B2 (en) | 2014-11-10 | 2017-03-21 | Nxp Usa, Inc. | Environmental sensor structure |
KR20160088111A (ko) | 2015-01-15 | 2016-07-25 | 삼성전기주식회사 | 복합 센서와 이를 구비하는 패키지 및 그 제조 방법 |
KR20160122439A (ko) | 2015-04-14 | 2016-10-24 | 엘지이노텍 주식회사 | 임베디드 인쇄회로기판 |
KR101709468B1 (ko) | 2015-06-19 | 2017-03-09 | 주식회사 심텍 | Pop 구조용 인쇄회로기판, 그 제조 방법 및 이를 이용하는 소자 패키지 |
JP6622593B2 (ja) | 2016-01-06 | 2019-12-18 | 日本特殊陶業株式会社 | センサの検査方法及びセンサの製造方法 |
KR102522099B1 (ko) | 2016-01-14 | 2023-04-17 | 엘지이노텍 주식회사 | 센서 및 이의 제조 방법 |
JP2017151064A (ja) | 2016-02-26 | 2017-08-31 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス、高度計、電子機器および移動体 |
CN106298704B (zh) | 2016-10-11 | 2018-05-29 | 中国科学院地质与地球物理研究所 | 一种带热沉和磁屏蔽的mems封装及其制备方法 |
-
2018
- 2018-01-10 KR KR1020180003171A patent/KR102520038B1/ko active IP Right Grant
- 2018-09-07 US US16/124,385 patent/US11067554B2/en active Active
- 2018-11-29 EP EP18209061.3A patent/EP3511703B1/en active Active
- 2018-12-21 CN CN201811570923.5A patent/CN110018202A/zh active Pending
- 2018-12-27 JP JP2018244486A patent/JP7210271B2/ja active Active
-
2019
- 2019-01-08 SG SG10201900168RA patent/SG10201900168RA/en unknown
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8333874B2 (en) * | 2005-12-09 | 2012-12-18 | Flexible Medical Systems, Llc | Flexible apparatus and method for monitoring and delivery |
JP2008241501A (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-09 | Ngk Spark Plug Co Ltd | ガスセンサ |
US20100133629A1 (en) * | 2008-10-22 | 2010-06-03 | Honeywell International Inc. | Integrated sensor including sensing and processing die mounted on opposite sides of package substrate |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7210271B2 (ja) | 2023-01-23 |
CN110018202A (zh) | 2019-07-16 |
EP3511703A2 (en) | 2019-07-17 |
KR20190085263A (ko) | 2019-07-18 |
EP3511703B1 (en) | 2024-07-03 |
JP2019120698A (ja) | 2019-07-22 |
US11067554B2 (en) | 2021-07-20 |
EP3511703A3 (en) | 2019-08-28 |
SG10201900168RA (en) | 2019-08-27 |
US20190212312A1 (en) | 2019-07-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102520038B1 (ko) | 가스 센서 패키지 및 이를 포함하는 센싱 장치 | |
US10304890B2 (en) | Electronic device package and fabricating method thereof | |
KR102466332B1 (ko) | 가스 센서 패키지 | |
US7372131B2 (en) | Routing element for use in semiconductor device assemblies | |
CN108701681B (zh) | 屏蔽emi的集成电路封装和及其制造方法 | |
US9613877B2 (en) | Semiconductor packages and methods for forming semiconductor package | |
KR20170113743A (ko) | 반도체 패키지 | |
JP4534927B2 (ja) | 半導体装置 | |
KR100818088B1 (ko) | 반도체 패키지 및 그 제조 방법 | |
CN105845635A (zh) | 电子封装结构 | |
TW201707179A (zh) | 具有電磁干擾屏蔽部的半導體封裝和製造其之方法 | |
KR19980079621A (ko) | 적층 기판, 볼 그리드 어레이 모듈 및 캐비티 다운 볼 그리드 어레이 패키지의 제조방법 | |
KR20090096174A (ko) | 회로 기판 및 이를 이용한 반도체 패키지 | |
KR930004248B1 (ko) | 반도체소자패키지 및 반도체소자패키지 탑재배선회로기판 | |
US20070253148A1 (en) | Printed wiring board, semiconductor package with printed wiring board and electronic device having printed circuit board | |
KR20120101965A (ko) | 반도체 패키지 및 그의 제조 방법 | |
US20090260872A1 (en) | Module for packaging electronic components by using a cap | |
JP5159750B2 (ja) | 半田ボール及び半導体パッケージ | |
KR20120063202A (ko) | 반도체 패키지 및 이를 포함하는 디스플레이 패널 어셈블리 | |
US10923434B2 (en) | Semiconductor packages having EMI shielding layers | |
US20070090356A1 (en) | Semiconductor device | |
US20150048490A1 (en) | Memory module | |
JP2630294B2 (ja) | 混成集積回路装置およびその製造方法 | |
KR101613084B1 (ko) | 지문센서 모듈 및 이를 구비한 휴대용 전자기기 | |
KR20190095015A (ko) | 인쇄회로기판 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |