JP2016070670A - センサ装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 高い精度を維持することが可能なセンサ装置を提供する。
【解決手段】 センサ装置1は、開口部11を有し、内部に収容空間12を備えるパッケージ10と、収容空間12の底面上に載置された中間基板50と、中間基板10上に載置されたセンサ素子20とを備え、中間基板50はその下面の外周部が複数のバンプ52を介して収容空間12の底面に載置されており、複数のバンプ52は第1バンプ52aと第2バンプ52bとを有し、第1バンプ52aは収容空間12の底面と中間基板50とを接着固定しており、第2バンプ52bは収容空間12の底面あるいは中間基板50と分離可能な状態で接触している。
【選択図】 図1
【解決手段】 センサ装置1は、開口部11を有し、内部に収容空間12を備えるパッケージ10と、収容空間12の底面上に載置された中間基板50と、中間基板10上に載置されたセンサ素子20とを備え、中間基板50はその下面の外周部が複数のバンプ52を介して収容空間12の底面に載置されており、複数のバンプ52は第1バンプ52aと第2バンプ52bとを有し、第1バンプ52aは収容空間12の底面と中間基板50とを接着固定しており、第2バンプ52bは収容空間12の底面あるいは中間基板50と分離可能な状態で接触している。
【選択図】 図1
Description
本発明は、圧力や加速度、角速度等の応力を検出するセンサ装置に関する。
従来、圧力や加速度等の応力を検出するセンサ装置が知られている。特許文献1には、半導体基板にピエゾ抵抗素子を形成してなる加速度センサが記載されている。
このようなセンサ装置は、通常、センサ本体がパッケージに収容され、このセンサ本体がパッケージに接着固定されて利用される。
しかしながら、センサ本体を構成する材質とパッケージを構成する材質とは異なっているため、温度変化等によってこれらの部材間に熱膨張差に起因する応力が生じやすくなる。そのため、センサ本体に歪みが生じ、センサの精度が低下しやすくなるという場合があった。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、高い精度を維持することが可能なセンサ装置を提供することを目的とする。
本発明の一態様に係るセンサ装置は、開口部を有し、内部に収容空間を備えるパッケージと、前記収容空間の底面上に載置された中間基板と、該中間基板上に載置されたセンサ素子とを備え、前記中間基板はその下面の外周部が複数のバンプを介して前記底面に載置されており、前記複数のバンプは第1バンプと第2バンプとを有し、前記第1バンプは前記底面と前記中間基板とを接着固定しており、前記第2バンプは前記底面あるいは前記中間基板と分離可能な状態で接触している。
本発明によれば、高い精度を維持することが可能なセンサ装置となる。
以下、本発明のセンサ装置の実施形態の例について、図面を参照しつつ説明する。なお、以下の例は本発明の実施形態の一例を例示するものであって、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではない。
図1に示すセンサ装置1は、パッケージ10と中間基板50とセンサ素子20とを備える。パッケージ10は、内部にセンサ素子20を保持する強度と、センサ素子20を外部環境から保護する耐食性・気密性を有するものであれば特に限定はされない。例えば、積層セラミックを用いたセラミックパッケージや有機樹脂材料を用いたパッケージとすればよい。この例では、セラミックパッケージを用いる。
パッケージ10は、開口部11を有し、内部に収容空間12を有する。この例では、基板部131の上面に外周を合わせるように枠体部132が形成されてなる。このような構成により、中央に基板部131を底面とする凹部を有するものとなる。この凹部で収容空間12の外郭が形成される。枠体部132は基板部131側から順に第1幅広部132aと第1幅広部132aよりも幅の狭い第2幅広部132bとを有する。
第1幅広部132aの上面のうち、第2幅広部132bから露出する領域には電極パッドが多数設けられており、後述するセンサ素子20と電気的に接続される。そして、この電極パッドは、第1幅広部132aの上面と第2幅広部132bの下面との間に延び、枠体部132の外周壁面から基板部131の下面まで連続した導電層に接続される。このような導電層および電極パッドにより、センサ素子20とパッケージ10の外側に位置する外部電源とを電気的に接続することができる。このように、パッケージ10は、センサ素子20と、外部電源や外部回路とを電気的に接続する機能を有する。
このようなパッケージ10の収容空間12にセンサ素子20および中間基板50が収容されている。センサ素子20は、詳細な構成は後述するが、枠部21と、枠部21の内側に配置された錘部22と、一方端が枠部21に他方端が錘部22にそれぞれ接続された可撓性を有する梁部23と、梁部23に配置された検出部24とを含む。検出部24は、梁部23の変形に応じた信号を検出する。このようなセンサ素子20に加速度や角速度等に起因する力が加わると、錘部22が変位し、これに伴い、両端が枠部21と錘部22に固定された梁部23が変形し、この変形に応じた信号を検出部24で検出することで、センサとして機能する。
センサ素子20の枠部21の上面には、検出部24からの信号を外部に取り出すための電極パッド26が形成されている。そして、この電極パッド26は、パッケージ10の第1幅広部132aの上面のうち、第2幅広部132bから露出する領域に形成された電極パッドと電気的に接続されている。互いの電極パッドを電気的に接続するためには、例えばボンディングワイヤを用いればよい。
センサ素子20は、図1および図3に示すように、その枠部21の下面が接合樹脂あるいは半田等の接合材25によって中間基板50の上面に固定されている。一方、中間基板50は、図1および図2に示すように、その下面の外周部が複数のバンプ52を介してパッケージ10の収容空間12の底面に載置されている。これら複数のバンプ52は、第1バンプ52aと第2バンプ52bとを有している。そして、第1バンプ52aは、収容空間12の底面と中間基板50とを接着材53によって接着固定している。また、第2バンプ52bは、収容空間12の底面あるいは中間基板50と分離可能な状態で接触している。つまり、第2バンプ52bは収容空間12の底面に接着固定されている場合は、第2バンプ52bと中間基板50とは接着固定されずに接触しているだけである。そのため、中間基板50を収容空間12の底面から引き離すような外力を加えた場合に第2バンプ52bと中間基板50とは容易に分離される状態である。あるいは、第2バンプ52bが中間基板50下面に接着固定されている場合は、第2バンプ52bとパッケージ10の収容空間12の底面とは接着固定されずに接触しているだけである。そのため、中間基板50を収容空間12の底面から引き離すような外力を加えた場合に第2バンプ52bと収容空間12の底面とは容易に分離される状態である。
このような構成によって、センサ装置1に温度変化が生じた場合でも、センサ素子20に歪みが生じるのを有効に低減でき、センサの精度を高く維持することが可能となる。つまり、センサ素子20が中間基板50に接着固定されていることによって、センサ素子20が中間基板50によって補強され、センサ素子20に歪みが生じるのを有効に低減できる。さらに、中間基板50は、一部がパッケージ10に接着固定され、一部が分離可能な状態となっていることによって、応力が生じたとしてもこの分離可能な部位によって応力を緩和することが可能となる。その結果、センサ素子20に対する補強と応力緩和とを良好に行なうことができ、センサの精度を高く維持できる。
中間基板50およびセンサ素子20の応力を有効に緩和するという観点からは、第1バンプ52aは中間基板50の一方端よりに存在し、第2バンプ52bは中間基板50の一
方端とは反対側の端部よりに存在していてもよい。より中間基板50を動きやすくして応力をより有効に緩和するという観点からは、中間基板50の平面形状が矩形状の場合に、第1バンプ52aは中間基板50の1辺に沿って設けても良い。
方端とは反対側の端部よりに存在していてもよい。より中間基板50を動きやすくして応力をより有効に緩和するという観点からは、中間基板50の平面形状が矩形状の場合に、第1バンプ52aは中間基板50の1辺に沿って設けても良い。
中間基板50を主として構成する材料の線膨張係数は、パッケージ10の収容空間20の底面を構成する部位(基板部131)の線膨張係数よりも小さく、センサ素子20を主として構成する材料の線膨張係数と同じか、あるいはセンサ素子20を主として構成する材料の線膨張係数よりも大きい材料が用いられ得る。このような中間基板50の材料としては半導体基板やセラミック基板等が用いられる。
センサ素子20は主として半導体材料から成る場合、中間基板50は主としてセンサ素子20と同じ半導体材料から成るものであってもよい。その場合、同じ材料のセンサ素子20と中間基板50とで互いに接合材25によってしっかり固定することで、センサ素子20の歪みをより低減することができ、センサの精度をより高めることができる。
中間基板50は、センサ素子20の制御を行なう電気回路が形成されていてもよい。つまり中間基板50はICであってもよい。この場合、センサ素子20と制御回路とを小さい面積で構成でき、センサ装置1を小型化することができる。
バンプ52は、中間基板50をパッケージ10の収容空間12の底面上に隙間をあけて載置するためのものである。中間基板50がパッケージ10と隙間をあけて設けられることによって、中間基板50およびセンサ素子20にパッケージ10から応力が加わるのを有効に低減できる。バンプ52の材料は特に限定されず、金属や無機材料、有機材料が用いられる。
中間基板50とパッケージ10とを第1バンプ52aを介して接着固定するための接着剤53としては、特に限定されず、有機接着剤や半田等が用いられ得る。第2バンプ52bにおいて中間基板50がある程度動くことによって応力を緩和させる際、第1バンプ52aを介した中間基板50とパッケージ10との接続を良好に維持するという観点からは、図1および図2に示すように、接着剤53は第1バンプ52aの側面を取り囲むように配置されていてもよい。なお、接着剤53を用いず、接合材として機能する第1バンプ52aで直接中間基板50中間基板50とパッケージ10とを接着固定してもよい。
特に、中間基板50と接続しているセンサ素子20の第1バンプ52a近傍部に応力が集中するのを低減するという観点からは、第1バンプ52aとセンサ素子20とは接着することなく接触した状態となっており、図1および図2に示すように、第1バンプ52aを取り囲むように配置された接着剤53がセンサ素子20と接着されていてもよい。このような構成によって、接着剤53とセンサ素子20との接着部が環状となるため、応力が
一カ所に集中せずに良好に分散され、センサ素子20のセンサの精度の低下をより低減できる。
一カ所に集中せずに良好に分散され、センサ素子20のセンサの精度の低下をより低減できる。
このようなセンサ素子20および中間基板50が収容された収容空間12は、必要に応じて蓋部30が設けられる。センサ素子20が加速度センサや角速度センサ等のように気密封止が望ましいものである場合、蓋部30によって収容空間12が気密封止されてもよい。また、センサ素子20が圧力センサ等のように外気の圧力を取り入れる必要がある場合、外気を取り入れるための穴が設けられた蓋部30が設けられたり、あるいは、蓋部30が隙間をあけた状態で部分的にパッケージ10に接合されてもよい。また、蓋部30が設けられない場合もあり得る。
蓋部30は、特に材料は限定されない。この例では、蓋部30として、Siウエハを用い、収容空間12を気密封止する例を示す。蓋部30は開口部11を塞ぐように配置され、蓋部30とパッケージ10とを接着材や半田等の封止部材40で接合することにより、収容空間12を封止することができる。また、収容空間12の雰囲気は不活性ガス、大気、乾燥空気等用いることができる。収容空間12の雰囲気の圧力は、大気圧と同程度としてもよいし、真空、減圧状態としてもよいし、加圧状態としてもよい。
次に、センサ素子20について詳述する。図4(a)は、本発明の一実施形態に係るセンサ装置1に用いられたセンサ素子20の平面図であり、図4(b)は、図4(a)のI−I線における断面図である。センサ素子20は、枠部21と、枠部21の内側に位置する錘部22と、枠部21と錘部22とを接続する梁部23と、加速度を検出する検出部24とを有する。検出部24は、加速度を検出する抵抗素子Raを含む。以下、各部位について詳述する。
錘部22は、梁部23により枠部21に対して変位可能に保持されている。その重量が大きい程センシング感度を高めることができるので、梁部23に比べ厚み方向に延在することで体積を大きくしている。
センサ素子20に加速度が加わると、加速度に応じた力が錘部22に作用し、錘部22が動くことで梁部23が撓むようになっている。そして、梁部23の撓み量に応じた電気信号を検出部24を構成する抵抗素子Raにより検出し、不図示の電気配線によりその電気信号を取出し演算することにより加速度を検出することができる。
錘部22は、梁部23に接続される平面形状および梁部23と厚み方向に離れて平面における平面形状とが略正方形をなし、互いの中心が重なるように配置されている。なお、図4(a)において、下方に位置する部分の平面形状を破線で示している。錘部22のうち梁部23に接続される部分の大きさは、略正方形の一辺の長さが例えば0.05mm〜0.5mmに設定される。錘部22のうち梁部23と厚み方向に間隔をあけて配置される部分の大きさは、略正方形の一辺の長さが例えば0.2mm〜0.65mmに設定される。また、錘部22の厚みは、例えば0.1mm〜0.625mmに設定される。
なお、錘部22の各部位の平面形状は正方形に限られず、円や長方形、クローバーなど任意の形状が可能である。
そして、このような錘部22を囲繞するように枠状の枠部21が設けられている。枠部21は、平面形状が略正方形をなし、中央部に錘部22より若干大きい略正方形の開口部を有している。枠部21は、その一辺の長さが例えば0.5mm〜3.0mmに設定され、枠部21を構成するアームの幅(アームの長手方向と直交する方向の幅)は例えば0.1mm〜1.8mmに設定される。また枠部21の厚みは、例えば0.1mm〜0.62
5mmに設定される
このような枠部21と錘部22との間には図4に示すように梁部23が設けられている。梁部23は、一方端が枠部21の内周における各辺の上面側中央部に連結され、他方端が錘部22の各辺の上面側中央部に連結されている。本実施形態におけるセンサ素子20では、4本の梁部23が設けられており、4本の梁部23のうち2本はX軸方向に伸びて錘部22を間に挟んだ状態で同一直線状に配され、他の2本はY軸方向に伸びて錘部22を間に挟んだ状態で同一直線状に配されている。
5mmに設定される
このような枠部21と錘部22との間には図4に示すように梁部23が設けられている。梁部23は、一方端が枠部21の内周における各辺の上面側中央部に連結され、他方端が錘部22の各辺の上面側中央部に連結されている。本実施形態におけるセンサ素子20では、4本の梁部23が設けられており、4本の梁部23のうち2本はX軸方向に伸びて錘部22を間に挟んだ状態で同一直線状に配され、他の2本はY軸方向に伸びて錘部22を間に挟んだ状態で同一直線状に配されている。
梁部23は可撓性を有し、センサ素子20に加速度が加わると錘部22が動き、錘部22の動きに伴って梁部23が撓むようになっている。梁部23は、例えば長手方向の長さが0.1mm〜0.8mmに設定され、幅(長手方向と直交する方向の長さ)が0.04mm〜0.2mmに設定され、厚みが3μm〜20μmに設定されている。このように梁部23を細長く且つ薄く形成することによって可撓性が発現される。このような枠部21,錘部22,梁部23は、例えばSOI(Silicon on Insulator)基板を加工することにより一体的に形成されている。
梁部23の上面には図4に示すように抵抗素子Rax1〜Rax4,Ray1〜Ray4,Raz1〜Raz4が形成されている(以下、これらの抵抗素子をまとめて称するときは適宜、符号Raで表す)。これらにより検出部24が構成される。抵抗素子Rax1〜Rax4,Ray1〜Ray4,Raz1〜Raz4は、3軸方向(図4に示した3次元直交座標系におけるX軸方向、Y軸方向、Z軸方向)の加速度を検出できるように梁部23の所定の位置に形成された上、ブリッジ回路を構成するように結線されている。
このような抵抗素子Rax1〜Rax4,Ray1〜Ray4,Raz1〜Raz4は、例えば、SOI基板の最上層の抵抗体となる部分にボロンを打ち込むことにより形成する事ができる。または、SOI基板の最上層にボロンを打ち込むことにより抵抗体膜を形成した後、抵抗体膜をエッチングなどにより所定の形状にパターニングすることにより形成することができる。これによりピエゾ抵抗素子からなる抵抗素子Raを形成することができる。
ピエゾ抵抗素子からなる抵抗素子Raを用いた場合には、梁部23の撓みに起因する変形に応じて抵抗値が変化し、この抵抗値の変化に基づく出力電圧の変化を電気信号として取り出し、これを外部のICで演算処理することによって印加された加速度の方向並びに大きさを検知することができる。
なお、抵抗素子Raから電気的に接続された配線および外部のIC等へ取り出すためのパッド電極26等が、枠部21の上面に設けられており、これらを介して電気信号の外部への取り出しなどを行っている。
これらの配線は、例えば、アルミニウム、アルミニウム合金などからなり、これらの材料をスパッタリングなどにより成膜した後、所定の形状にパターニングすることにより枠部21の上面に形成される。
なお、上述の例では、センサ素子20として、加速度を検出するセンサを用いて説明したが、錘部22をXY平面内で回旋運動させることで角速度を検出することも可能となる。錘部22を回旋運動させるためには、例えば、4本の梁部23に圧電体を形成して時分割して変形させることにより実現してもよいし、互いに向き合う錘部22の外壁と枠部21の内壁とに電極を設けて静電引力により実現してもよいし、センサ素子20の外側に磁力を発生させて実現してもよい。
このような構成とすることにより、1つのセンサ素子20により、加速度と角速度との2項目を検出でき、センサ装置1として3項目を、装置を大型化することなく検出可能となる。
また、収容空間12に収容するセンサ素子20は、角速度・加速度センサに限定されない。例えば、半導体センサ等、外部環境から隔離して実装することが好ましい種々のセンサ素子を用いることができる。
さらに、上述の実施例では、パッケージ10は収容空間12を1つ備えるものであったが、1つのパッケージ10に複数個の収容空間12を設けてもよい。同様に、1つの収容空間12に複数個のセンサ素子20を設けてもよい。
本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で多くの修正及び
変更を加えることができる。
変更を加えることができる。
1:センサ装置
10:パッケージ
11:開口部
12:収容空間
20:センサ素子
21:枠部
22:錘部
23:梁部
24:検出部
50:中間基板
52:バンプ
53:接着剤
10:パッケージ
11:開口部
12:収容空間
20:センサ素子
21:枠部
22:錘部
23:梁部
24:検出部
50:中間基板
52:バンプ
53:接着剤
Claims (6)
- 開口部を有し、内部に収容空間を備えるパッケージと、
前記収容空間の底面上に載置された中間基板と、
該中間基板上に載置されたセンサ素子とを備え、
前記中間基板はその下面の外周部が複数のバンプを介して前記底面に載置されており、前記複数のバンプは第1バンプと第2バンプとを有し、前記第1バンプは前記底面と前記中間基板とを接着固定しており、前記第2バンプは前記底面あるいは前記中間基板と分離可能な状態で接触しているセンサ装置。 - 前記第1バンプは前記中間基板の一方端よりに存在し、前記第2バンプは前記中間基板の前記一方端とは反対側の端部よりに存在している、請求項1に記載のセンサ装置。
- 前記中間基板の線膨張係数は前記パッケージの線膨張係数よりも小さく、前記センサ素子の線膨張係数は前記中間基板の線膨張係数と同じかあるいは前記中間基板の線膨張係数よりも小さい、請求項1または2に記載のセンサ装置。
- 前記センサ素子は主として半導体材料から成り、前記中間基板は主として前記センサ素子と同じ半導体材料から成る、請求項1乃至3のいずれかに記載のセンサ装置。
- 前記センサ素子は、枠部と、錘部と、両端が前記枠部と前記錘部とにそれぞれ接続された可撓性を有する梁部と、前記梁部に配置された前記梁部の変形に応じた信号を検出する検出部とを備える、請求項1乃至4のいずれかに記載のセンサ装置。
- 前記中間基板は、前記センサ素子に電気的に接続されたICである、請求項1乃至5のいずれかに記載のセンサ装置。
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