KR102508154B1 - Inspeciton system of semiconductor wafer and method of driving the same - Google Patents

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Abstract

반도체 웨이퍼 검사 시스템은, 챔버의 내부에 배치되고, 상부에 웨이퍼가 배치된 웨이퍼 척과, 상기 웨이퍼의 패턴 검사를 위한 광을 상기 웨이퍼에 조사하는 광원과, 상기 광원을 구동을 제어하는 검사 제어부와, 상기 광원과 인접하게 배치되어 상기 웨이퍼의 표면에 냉각 가스를 분사하는 냉각 가스 건과, 상기 웨이퍼에 광이 조사되기 전에 상기 웨이퍼 척에 냉각 공기를 공급하고, 상기 냉각 가스 건에 냉각 가스를 공급하는 냉각 제어부를 포함한다.A semiconductor wafer inspection system includes a wafer chuck disposed inside a chamber and having a wafer disposed thereon, a light source for irradiating light to the wafer for pattern inspection of the wafer, and an inspection control unit for controlling driving of the light source; A cooling gas gun disposed adjacent to the light source and spraying cooling gas to the surface of the wafer, supplying cooling air to the wafer chuck before light is irradiated to the wafer, and supplying cooling gas to the cooling gas gun It includes a cooling control unit.

Description

반도체 웨이퍼 검사 시스템 및 이의 구동 방법{INSPECITON SYSTEM OF SEMICONDUCTOR WAFER AND METHOD OF DRIVING THE SAME}Semiconductor wafer inspection system and its driving method

본 발명은 반도체 제조 시 공정 중 현상 후 검사(ADI: After Develop Inspection) 공정에서 불량 검출 성능을 향상시킬 수 있는 반도체 웨이퍼 검사 시스템 및 이의 구동 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor wafer inspection system capable of improving defect detection performance in an after develop inspection (ADI) process during a semiconductor manufacturing process and a method of driving the same.

반도체 제조 공정 중 리웍(rework)이 가능한 현상 후 검사(ADI: After Develop Inspection)를 통한 불량 검출에 대한 요구가 증가하고 있다. 현상 후 검사(ADI) 시 웨이퍼 상에 패턴이 정상적으로 형성되었는지를 검사하기 위해서 웨이퍼의 표면에 광을 조사하게 된다. 웨이퍼에 조사된 광에 의해서 웨이퍼의 변형 및 웨이퍼에 표면에 남아있는 포토레지스트(PR: Photo Resister)가 변형되어 불량 검출 성능이 저하되는 문제가 있다.Demand for defect detection through ADI (After Develop Inspection) capable of rework during a semiconductor manufacturing process is increasing. In the post-development inspection (ADI), light is irradiated to the surface of the wafer to inspect whether a pattern is normally formed on the wafer. Deformation of the wafer and photoresist (PR) remaining on the surface of the wafer due to light irradiated onto the wafer degrade defect detection performance.

본 개시에 따른 실시 예들의 과제는 현상 후 검사(ADI) 시 웨이퍼에 조사된 광에 의한 웨이퍼의 변형 및 포토레지스트(PR)의 변형을 방지하여 불량 검출 성능을 향상시킬 수 있는 반도체 웨이퍼 검사 시스템 및 이의 구동 방법을 제공하는데 있다.Objects of embodiments according to the present disclosure are a semiconductor wafer inspection system capable of improving defect detection performance by preventing deformation of a wafer and deformation of a photoresist (PR) by light irradiated to the wafer during post-development inspection (ADI), and It is to provide a driving method thereof.

본 개시에 따른 실시 예들의 반도체 웨이퍼 검사 시스템은, 챔버의 내부에 배치되고, 상부에 웨이퍼가 배치된 웨이퍼 척과, 상기 웨이퍼의 패턴 검사를 위한 광을 상기 웨이퍼에 조사하는 광원과, 상기 광원을 구동을 제어하는 검사 제어부와, 상기 광원과 인접하게 배치되어 상기 웨이퍼의 표면에 냉각 가스를 분사하는 냉각 가스 건과, 상기 웨이퍼에 광이 조사되기 전에 상기 웨이퍼 척에 냉각 공기를 공급하고, 상기 냉각 가스 건에 냉각 가스를 공급하는 냉각 제어부를 포함한다.A semiconductor wafer inspection system of embodiments according to the present disclosure includes a wafer chuck disposed inside a chamber and having a wafer disposed thereon, a light source for radiating light to the wafer to inspect a pattern of the wafer, and driving the light source. An inspection control unit for controlling the light source, a cooling gas gun disposed adjacent to the light source and spraying a cooling gas to the surface of the wafer, supplying cooling air to the wafer chuck before light is irradiated onto the wafer, and the cooling gas and a cooling control unit supplying a cooling gas to the gun.

본 개시에 따른 실시 예들의 반도체 웨이퍼 검사 시스템은, 챔버의 내부에 배치되고, 상부에 웨이퍼가 배치된 웨이퍼 척과, 상기 웨이퍼의 패턴 검사를 위한 광을 상기 웨이퍼에 조사하는 광원과, 상기 광원을 구동을 제어하는 검사 제어부와, 상기 광원과 인접하게 배치되어 상기 웨이퍼의 표면에 냉각 가스를 분사하는 냉각 가스 건과, 상기 웨이퍼에 광이 조사되기 전에 상기 챔버의 내부에 냉각 공기를 공급하고, 상기 냉각 가스 건에 냉각 가스를 공급하는 냉각 제어부를 포함한다.A semiconductor wafer inspection system of embodiments according to the present disclosure includes a wafer chuck disposed inside a chamber and having a wafer disposed thereon, a light source for radiating light to the wafer to inspect a pattern of the wafer, and driving the light source. An inspection control unit for controlling the light source, a cooling gas gun disposed adjacent to the light source and spraying a cooling gas to the surface of the wafer, and supplying cooling air to the inside of the chamber before light is irradiated to the wafer, and the cooling and a cooling controller supplying a cooling gas to the gas gun.

본 개시에 따른 실시 예들의 반도체 웨이퍼 검사 시스템은, 챔버의 내부에 배치되고, 상부에 웨이퍼가 배치된 웨이퍼 척과, 상기 웨이퍼의 패턴 검사를 위한 광을 상기 웨이퍼에 조사하는 광원과, 상기 광원을 구동을 제어하는 검사 제어부와, 상기 광원과 인접하게 배치되어 상기 웨이퍼의 표면에 냉각 가스를 분사하는 냉각 가스 건과, 상기 웨이퍼에 광이 조사되기 전에 상기 웨이퍼 척 및 상기 챔버 내부에 냉각 공기를 공급하고, 상기 냉각 가스 건에 냉각 가스를 공급하는 냉각 제어부와, 상기 웨이퍼 척의 온도를 측정하여 제1 온도값을 생성하고, 상기 제1 온도값을 상기 냉각 제어부로 공급하는 제1 온도센서와, 상기 챔버 내부의 온도를 측정하여 제2 온도값을 생성하고, 상기 제2 온도값을 상기 냉각 제어부로 공급하는 제2 온도센서를 포함한다.A semiconductor wafer inspection system of embodiments according to the present disclosure includes a wafer chuck disposed inside a chamber and having a wafer disposed thereon, a light source for radiating light to the wafer to inspect a pattern of the wafer, and driving the light source. An inspection control unit for controlling an inspection controller, a cooling gas gun disposed adjacent to the light source and spraying a cooling gas to the surface of the wafer, and supplying cooling air to the inside of the wafer chuck and the chamber before light is irradiated to the wafer, a cooling control unit supplying a cooling gas to the cooling gas gun, a first temperature sensor configured to measure the temperature of the wafer chuck, generate a first temperature value, and supply the first temperature value to the cooling control unit; and a second temperature sensor for generating a second temperature value by measuring an internal temperature and supplying the second temperature value to the cooling controller.

본 개시에 따른 실시 예들에 따르면, 현상 후 검사(ADI) 시 웨이퍼에 조사된 광에 의한 웨이퍼의 변형 및 포토레지스트(PR)의 변형을 방지하여 불량 검출 성능을 향상시킬 수 있는 반도체 웨이퍼 냉각 시스템 및 이의 구동 방법을 제공할 수 있다.According to embodiments of the present disclosure, a semiconductor wafer cooling system capable of improving defect detection performance by preventing deformation of a wafer and deformation of a photoresist (PR) due to light irradiated onto the wafer during post-development inspection (ADI), and Its driving method can be provided.

도 1은 본 개시에 따른 실시 예들의 반도체 웨이퍼 검사 시스템을 나타내는 도면이다.
도 2는 도 1에 도시된 냉각 제어부를 나타내는 도면이다.
도 3은 반도체 웨이퍼 검사 시스템의 구동 방법을 나타내는 도면이다.
도 4는 설정 온도에 따른 웨이퍼 척, 챔버 내부 및 웨이퍼 표면의 냉각 방법을 나타내는 도면이다.
도 5는 웨이퍼 척의 냉각 방법을 나타내는 도면이다.
도 6은 챔버 내부의 냉각 방법을 나타내는 도면이다.
도 7은 냉각 가스 건을 이용한 웨이퍼 표면의 냉각 방법을 나태는 도면이다.1 is a diagram illustrating a semiconductor wafer inspection system according to example embodiments according to the present disclosure.
FIG. 2 is a diagram illustrating a cooling control unit shown in FIG. 1 .
3 is a diagram illustrating a driving method of a semiconductor wafer inspection system.
4 is a diagram illustrating a method of cooling a wafer chuck, an inside of a chamber, and a surface of a wafer according to set temperatures.
5 is a diagram illustrating a method of cooling a wafer chuck.
6 is a view showing a cooling method inside the chamber.
7 is a view showing a cooling method of a wafer surface using a cooling gas gun.

이하, 첨부된 도면을 참고로 하여 본 개시에 따른 실시 예들의 반도체 웨이퍼 검사 시스템 및 이의 구동 방법을 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a semiconductor wafer inspection system and a driving method thereof according to embodiments according to the present disclosure will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 개시에 따른 실시 예들의 반도체 웨이퍼 검사 시스템을 나타내는 도면이다.1 is a diagram illustrating a semiconductor wafer inspection system according to example embodiments according to the present disclosure.

도 1을 참조하면, 본 개시에 따른 실시 예들의 반도체 웨이퍼 검사 시스템(100)은 챔버(110), 웨이퍼 척(120), 광원(130), 냉각 가스 건(140, Cooling Gas Gun), 비전 카메라(150), 이송수단(160), 제1 온도센서(170), 제2 온도센서(175), 검사 제어부(180) 및 냉각 제어부(190)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1 , a semiconductor wafer inspection system 100 of embodiments according to the present disclosure includes a chamber 110, a wafer chuck 120, a light source 130, a cooling gas gun 140, and a vision camera. 150, a transfer means 160, a first temperature sensor 170, a second temperature sensor 175, an inspection control unit 180 and a cooling control unit 190 may be included.

본 개시에 따른 실시 예들의 반도체 웨이퍼 검사 시스템(100)은 웨이퍼(101)의 표면에 패턴이 정상적으로 형성되었는지를 검사할 수 있다. 반도체 웨이퍼 검사 시스템(100)을 이용한 웨이퍼(101)의 패턴 검사는 현상 후 검사(ADI: After Develop Inspection) 단계에 이루어질 수 있다.The semiconductor wafer inspection system 100 of embodiments according to the present disclosure may inspect whether a pattern is normally formed on the surface of the wafer 101 . Pattern inspection of the wafer 101 using the semiconductor wafer inspection system 100 may be performed in an after develop inspection (ADI) step.

챔버(110)는 내부에 소정 공간이 마련되며, 웨이퍼 척(120), 광원(130), 냉각 가스 건(140), 비전 카메라(150) 및 이송수단(160)이 배치될 수 있다.A predetermined space is provided inside the chamber 110, and a wafer chuck 120, a light source 130, a cooling gas gun 140, a vision camera 150, and a transfer unit 160 may be disposed.

챔버(110)의 내부에는 제조 공정 중 일정 압력이 가해지며, 각 제조 공정에 따른 화학 물질 및 가스가 주입될 수 있다. 챔버(110)의 내부를 일정 온도로 가열시키기 위한 가열 수단이 배치될 수 있다.A certain pressure is applied to the inside of the chamber 110 during the manufacturing process, and chemicals and gases according to each manufacturing process may be injected. A heating means for heating the inside of the chamber 110 to a certain temperature may be disposed.

웨이퍼 척(120)의 하면에는 냉각 공기가 흐르는 순환 라인이 균일하게 배치되어 있다. 순환 라인에 냉각 공기가 주입되어 웨이퍼 척(120)을 냉각시킬 수 있다. 웨이퍼 척(120)의 상면에는 웨이퍼(101)가 배치될 수 있다.Circulation lines through which cooling air flows are uniformly disposed on the lower surface of the wafer chuck 120 . Cooling air may be injected into the circulation line to cool the wafer chuck 120 . A wafer 101 may be disposed on the upper surface of the wafer chuck 120 .

광원(130), 냉각 가스 건(140) 및 비전 카메라(150)는 이송수단(160)에 체결되어 있다. 냉각 가스 건(140)은 웨이퍼(101)에 광이 조사되기 전에 국부적으로 냉각 가스를 분사하여 광이 조사될 영역을 냉각시킬 수 있다. 광원(130)과 냉각 가스 건(140)은 광 조사 시 간섭을 받지 않는 범위 내에서 서로 인접하게 배치될 수 있다.The light source 130 , the cooling gas gun 140 and the vision camera 150 are fastened to the transport means 160 . The cooling gas gun 140 may locally spray a cooling gas before light is irradiated onto the wafer 101 to cool an area to be irradiated with light. The light source 130 and the cooling gas gun 140 may be disposed adjacent to each other within a range not interfering with light irradiation.

검사 제어부(180)는 이송 제어신호를 생성하여 이송수단(160)에 공급할 수 있다. 이송 수단은 검사 제어부(180)로부터 입력된 이송 제어신호에 따라 이송될 수 있다. 이송수단(160)에 의해서 광원(130), 냉각 가스 건(140) 및 비전 카메라(150)가 웨이퍼(101)의 전 영역과 대응되도록 이송될 수 있다. 즉, 웨이퍼(101)의 표면에 형성된 전체 패턴을 검사하기 위해서, 이송수단(160)에 의해서 광원(130), 냉각 가스 건(140) 및 비전 카메라(150)가 웨이퍼(101)의 전 영역에 대응되도록 이송될 수 있다. The inspection controller 180 may generate a transfer control signal and supply it to the transfer unit 160 . The transfer unit may be transferred according to a transfer control signal input from the inspection controller 180 . The light source 130 , the cooling gas gun 140 , and the vision camera 150 may be transferred to correspond to the entire area of the wafer 101 by the transfer means 160 . That is, in order to inspect the entire pattern formed on the surface of the wafer 101, the light source 130, the cooling gas gun 140, and the vision camera 150 are spread over the entire area of the wafer 101 by the transfer means 160. It can be transferred to correspond.

검사 제어부(180)와 냉각 제어부(190)는 웨이퍼의 패턴 검사를 위해 상호 동기될 수 있다. 검사 제어부(180)와 냉각 제어부(190)는 동기화를 위한 제어신호들을 상호 송수신할 수 있다. 일 예로서, 검사 제어부(180)는 웨이퍼의 패턴 검사를 위한 검사 제어신호를 생성하고, 생성된 검사 제어신호를 냉각 제어부(190)로 전송할 수 있다. 일 예로서, 냉각 제어부(190)는 웨이퍼의 패턴 검사 전 웨이퍼 척(120) 및 챔버(110)의 내부의 온도를 기 설정된 온도로 냉각시키고, 냉각 조건이 만족되었는지를 나타내는 냉각 제어신호를 생성할 수 있다. 냉각 제어부(190)는 생성된 냉각 제어신호를 검사 제어부(180)로 전송할 수 있다.The inspection control unit 180 and the cooling control unit 190 may be synchronized with each other for pattern inspection of the wafer. The inspection controller 180 and the cooling controller 190 may mutually transmit and receive control signals for synchronization. As an example, the inspection control unit 180 may generate an inspection control signal for pattern inspection of a wafer and transmit the generated inspection control signal to the cooling control unit 190 . As an example, the cooling control unit 190 cools the inside temperature of the wafer chuck 120 and the chamber 110 to a predetermined temperature before the pattern inspection of the wafer and generates a cooling control signal indicating whether the cooling condition is satisfied. can The cooling controller 190 may transmit the generated cooling control signal to the inspection controller 180 .

냉각 제어부(190)는 웨이퍼(101)의 패턴 검사가 시작되기 전에 웨이퍼 척(120)의 온도, 챔버(110)의 내부를 기 설정된 온도를 냉각시킬 수 있다. 챔버(110)의 내부 온도를 기 설정된 온도도 낮추어, 웨이퍼 척(120)에 배치된 웨이퍼(101)의 표면의 온도를 낮출 수 있다. 검사 제어부(180)는 웨이퍼 척(120)의 온도, 챔버(110)의 내부가 기 설정된 온도로 냉각된 이후에 웨이퍼(101)의 패턴 검사를 시작할 수 있다. 냉각 제어부(190)는 웨이퍼 척(120)과 챔버(110)의 내부 온도를 동일하게 기 설정된 온도로 냉각시킬 수 있다.The cooling control unit 190 may cool the temperature of the wafer chuck 120 and the inside of the chamber 110 to a preset temperature before pattern inspection of the wafer 101 starts. The temperature of the surface of the wafer 101 disposed on the wafer chuck 120 may be lowered by lowering the internal temperature of the chamber 110 to a predetermined temperature. The inspection controller 180 may start pattern inspection of the wafer 101 after the temperature of the wafer chuck 120 and the inside of the chamber 110 are cooled to a preset temperature. The cooling control unit 190 may cool the inside temperature of the wafer chuck 120 and the chamber 110 to the same preset temperature.

검사 제어부(180)는 웨이퍼의 패턴 검사 시, 광원(130)의 구동을 위한 광원 제어신호를 생성할 수 있다. 검사 제어부(180)는 생성된 광원 제어신호를 광원(130)으로 전송할 수 있다. 웨이퍼 검사 시, 광원(130)은 검사 제어부(180)로부터 입력된 광원 제어신호에 기초하여 구동될 수 있다. 광원(130)의 구동에 의해서 웨이퍼의 표면에 광이 조사될 수 있다. 이송수단(160)에 의해서 광원(130)이 이동하게 되고, 웨이퍼의 전 영역에 걸쳐 광을 조사하게 된다. 비전 카메라(150)는 웨이퍼의 표면에 조사된 광에 따른 검사 영상을 생성할 수 있다. 비전 카메라(150)는 생성된 검사 영상을 검사 제어부(180)로 전송할 수 있다.The inspection controller 180 may generate a light source control signal for driving the light source 130 when inspecting a pattern of a wafer. The inspection controller 180 may transmit the generated light source control signal to the light source 130 . During wafer inspection, the light source 130 may be driven based on a light source control signal input from the inspection controller 180 . Light may be irradiated onto the surface of the wafer by driving the light source 130 . The light source 130 is moved by the transfer means 160 and irradiates light over the entire area of the wafer. The vision camera 150 may generate inspection images according to light irradiated on the surface of the wafer. The vision camera 150 may transmit the generated inspection image to the inspection controller 180 .

검사 제어부(180)는 비전 카메라(150)에서 수신된 검사 영상을 디스플레이 장치를 통해 표시할 수 있다. 검사 제어부(180)는 수신된 검사 영상에 기초하여 웨이퍼(101)의 표면에 패턴이 정상적으로 형성되었는지를 판별하고, 판별 결과를 표시할 수 있다.The inspection controller 180 may display the inspection image received from the vision camera 150 through a display device. The inspection controller 180 may determine whether a pattern is normally formed on the surface of the wafer 101 based on the received inspection image, and display the determination result.

웨이퍼(101)의 표면에 형성된 패턴의 검사가 정확하게 이루어지기 위해서는 웨이퍼(101) 및 포토레지스트(PR)의 변형을 방지해야 한다. 검사 제어부(180)는 웨이퍼 척(120)의 온도, 챔버(110)의 내부 온도가 기 설정된 온도로 냉각된 이후, 이송수단(160) 및 광원(130)을 구동시킬 수 있다.In order to accurately inspect the pattern formed on the surface of the wafer 101, deformation of the wafer 101 and the photoresist PR should be prevented. After the temperature of the wafer chuck 120 and the internal temperature of the chamber 110 are cooled to preset temperatures, the inspection controller 180 may drive the transfer unit 160 and the light source 130 .

제1 온도센서(170)는 웨이퍼 척(120)의 온도를 측정하여 제1 온도값(예로서, 웨이퍼 척의 온도값)을 생성할 수 있다. 제1 온도센서(170)는 생성된 제1 온도값을 냉각 제어부(190)로 전송할 수 있다. 이에 한정되지 않고, 웨이퍼 척(120)의 전체 영역의 온도를 정밀하게 측정하기 위해서, 복수의 제1 온도센서(170)가 웨이퍼 척(120)의 전체 영역에 균일하게 배치될 수 있다. 복수의 제1 온도센서(170) 각각은 제1 온도값을 생성할 수 있다. 복수의 제1 온도센서(170) 각각은 생성된 제1 온도값을 냉각 제어부(190)로 전송할 수 있다.The first temperature sensor 170 may measure the temperature of the wafer chuck 120 and generate a first temperature value (eg, a temperature value of the wafer chuck). The first temperature sensor 170 may transmit the generated first temperature value to the cooling controller 190 . Without being limited thereto, in order to accurately measure the temperature of the entire region of the wafer chuck 120 , the plurality of first temperature sensors 170 may be uniformly disposed over the entire region of the wafer chuck 120 . Each of the plurality of first temperature sensors 170 may generate a first temperature value. Each of the plurality of first temperature sensors 170 may transmit the generated first temperature value to the cooling controller 190 .

제2 온도센서(175)는 챔버(110) 내부의 온도를 측정하여 제2 온도값(예로서, 챔버 내부의 온도값)을 생성할 수 있다. 제2 온도센서(175)는 생성된 제2 온도값을 냉각 제어부(190)로 전송할 수 있다. 이에 한정되지 않고, 챔버(110) 내부의 전체 영역의 온도를 정밀하게 측정하기 위해서, 복수의 제2 온도센서(175)가 챔버(110)의 전체 영역에 균일하게 배치될 수 있다. 복수의 제2 온도센서(175) 각각은 제2 온도 값을 생성할 수 있다. 복수의 제2 온도센서(175) 각각은 생성된 제2 온도값을 냉각 제어부(190)로 전송할 수 있다.The second temperature sensor 175 may measure the temperature inside the chamber 110 and generate a second temperature value (eg, a temperature value inside the chamber). The second temperature sensor 175 may transmit the generated second temperature value to the cooling controller 190 . Without being limited thereto, in order to precisely measure the temperature of the entire region inside the chamber 110 , a plurality of second temperature sensors 175 may be uniformly disposed throughout the entire region of the chamber 110 . Each of the plurality of second temperature sensors 175 may generate a second temperature value. Each of the plurality of second temperature sensors 175 may transmit the generated second temperature value to the cooling controller 190 .

도 2는 도 1에 도시된 냉각 제어부를 나타내는 도면이다.FIG. 2 is a diagram illustrating a cooling control unit shown in FIG. 1 .

도 2를 참조하면, 냉각 제어부(190)는 구동 제어부(192), 제1 냉각기(194), 제2 냉각기(196) 및 제3 냉각기(198)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 2 , the cooling controller 190 may include a driving controller 192 , a first cooler 194 , a second cooler 196 , and a third cooler 198 .

제1 냉각기(194)는 냉각 공기가 주입되는 제1 공급라인에 의해서 웨이퍼 척(120)과 연결될 수 있다. 제1 냉각기(194)는 구동 제어부(192)의 제어에 의해서 구동될 수 있으며, 냉각 공기를 생성할 수 있다. 제1 냉각기(194)에서 생성된 냉각 공기는 제1 공급라인을 통해 웨이퍼 척(120)의 순환 라인에 공급될 수 있다. 제1 냉각기(194)는 청정기체인 씨디에이(CDA: Clean Dry Air)의 온도를 낮추어 냉각 공기를 생성할 수 있다. 제1 냉각기(194)와 웨이퍼 척(120)은 제1 배출라인과 연결될 수 있다. 웨이퍼 척(120)에 주입된 냉각 공기가 순환 라인에 의해서 순환된 이후, 제1 배출라인에 의해서 제1 냉각기(194)로 배출될 수 있다.The first cooler 194 may be connected to the wafer chuck 120 by a first supply line into which cooling air is injected. The first cooler 194 may be driven under the control of the driving controller 192 and may generate cooling air. The cooling air generated by the first cooler 194 may be supplied to the circulation line of the wafer chuck 120 through the first supply line. The first cooler 194 may generate cooling air by lowering the temperature of clean dry air (CDA). The first cooler 194 and the wafer chuck 120 may be connected to the first discharge line. After the cooling air injected into the wafer chuck 120 is circulated through the circulation line, it may be discharged to the first cooler 194 through the first discharge line.

제2 냉각기(196)는 냉각 공기가 주입되는 제2 공급라인에 의해서 챔버(110)와 연결될 수 있다. 제2 냉각기(196)는 구동 제어부(192)의 제어에 의해서 구동될 수 있으며, 냉각 공기를 생성할 수 있다. 제2 냉각기(196)에서 생성된 냉각 공기는 제2 공급라인을 통해 챔버(110)의 내부에 공급될 수 있다. 제2 냉각기(196)는 청정기체인 씨디에이(CDA)의 온도를 낮추어 냉각 공기를 생성할 수 있다. 제2 냉각기(194)와 챔버(110)는 제2 배출라인과 연결될 수 있다. 챔버(110)의 내부에 주입된 냉각 공기가 순환된 이후, 제2 배출라인에 의해서 제2 냉각기(196)로 배출될 수 있다.The second cooler 196 may be connected to the chamber 110 by a second supply line into which cooling air is injected. The second cooler 196 may be driven under the control of the driving controller 192 and may generate cooling air. Cooling air generated by the second cooler 196 may be supplied to the inside of the chamber 110 through the second supply line. The second cooler 196 may generate cooling air by lowering the temperature of CDA, which is a purifying gas. The second cooler 194 and the chamber 110 may be connected to the second discharge line. After the cooling air injected into the chamber 110 is circulated, it may be discharged to the second cooler 196 through the second discharge line.

제3 냉각기(198)는 냉각 공기가 주입되는 제3 공급라인에 의해서 냉각 가스 건(140)과 연결될 수 있다. 제3 냉각기(198)는 구동 제어부(192)의 제어에 의해서 구동될 수 있으며, 냉각 가스를 생성할 수 있다. 제3 냉각기(198)에서 생성된 냉각 가스는 제3 공급라인을 통해 냉각 가스 건(140)에 공급될 수 있다.The third cooler 198 may be connected to the cooling gas gun 140 by a third supply line into which cooling air is injected. The third cooler 198 may be driven under the control of the drive control unit 192 and may generate cooling gas. The cooling gas generated in the third cooler 198 may be supplied to the cooling gas gun 140 through the third supply line.

냉각 가스 건(140)은 제3 냉각기(198)에서 공급된 냉각 가스를 압축하고, 압축된 냉각 가스를 웨이퍼 표면에 국부적으로 분사할 수 있다. 이에 한정되지 않고, 제3 냉각기(198)에서 냉각 가스를 압축하여 냉각 가스 건(140)으로 공급하고, 냉각 가스 건(140)은 압축된 냉각 가스를 웨이퍼 표면에 국부적으로 분사할 수 있다.The cooling gas gun 140 may compress the cooling gas supplied from the third cooler 198 and locally spray the compressed cooling gas to the wafer surface. The cooling gas is not limited thereto, and the cooling gas is compressed in the third cooler 198 and supplied to the cooling gas gun 140 , and the cooling gas gun 140 may locally spray the compressed cooling gas onto the wafer surface.

냉각 제어부(190)는 검사 제어부(180)와의 동기를 맞추기 위해서, 냉각 제어부(190)는 검사 제어부(180)로부터 검사 제어신호를 입력 받고, 냉각 제어부(190)는 검사 제어부(180)로 냉각 제어신호를 전송할 수 있다. 구동 제어부(192)는 검사 제어부(180)에서 입력된 검사 제어신호에 기초하여 웨이퍼(101)의 패턴 검사의 개시를 인지할 수 있다.In order for the cooling control unit 190 to synchronize with the inspection control unit 180, the cooling control unit 190 receives an inspection control signal from the inspection control unit 180, and the cooling control unit 190 controls cooling with the inspection control unit 180. signal can be transmitted. The drive control unit 192 may recognize the start of pattern inspection of the wafer 101 based on the inspection control signal input from the inspection control unit 180 .

구동 제어부(192)는 웨이퍼(101)의 패턴 검사가 시작되기 전에 제1 냉각기(194) 및 제2 냉각기(196)를 구동시킬 수 있다. 구동 제어부(192)는 웨이퍼(101)의 패턴 검사 시 광원(130)에서 광이 조사되지 전에 제3 냉각기(198)를 구동시킬 수 있다.The driving control unit 192 may drive the first cooler 194 and the second cooler 196 before pattern inspection of the wafer 101 starts. The driving control unit 192 may drive the third cooler 198 before light is irradiated from the light source 130 during pattern inspection of the wafer 101 .

일 예로서, 구동 제어부(192)는 제1 온도센서(170)에서 입력된 제1 온도값에 기초하여 제1 냉각기(194)의 구동을 제어할 수 있다. 구동 제어부(192)는 기 설정된 온도까지 웨이퍼 척(120)이 냉각되도록 제1 냉각기(194)를 구동시킬 수 있다. 제1 냉각기(194)에서 생성된 냉각 공기가 웨이퍼 척(120)에 공급되고, 냉각 공기에 의해서 웨이퍼 척(120)이 기 설정된 온도까지 냉각될 수 있다. 제1 냉각기(194)는 웨이퍼(101)의 패턴 검사가 시작되기 전 10분 이내에 구동되어 웨이퍼 척(120)을 기 설정된 온도로 냉각시킬 수 있다.As an example, the driving controller 192 may control driving of the first cooler 194 based on the first temperature value input from the first temperature sensor 170 . The drive controller 192 may drive the first cooler 194 to cool the wafer chuck 120 to a preset temperature. Cooling air generated by the first cooler 194 is supplied to the wafer chuck 120 , and the wafer chuck 120 may be cooled to a preset temperature by the cooling air. The first cooler 194 may be driven within 10 minutes before pattern inspection of the wafer 101 starts to cool the wafer chuck 120 to a preset temperature.

구동 제어부(192)는 제1 온도센서(170)에 입력된 제1 온도값과 기 설정된 웨이퍼 척(120)의 온도를 지속적으로 비교할 수 있다. 구동 제어부(192)는 웨이퍼 척(120)의 온도가 기 설정된 온도(일 예로서, -10℃ ~ +10℃)까지 내려가면, 기 설정된 온도를 유지하도록 제1 냉각기(194)의 구동을 제어할 수 있다. 구동 제어부(192)는 웨이퍼(101)의 패턴 검사가 완료될 때가지 제1 냉각기(194)를 구동시키고, 웨이퍼(101)의 패턴 검사가 완료되면 제1 냉각기(194)의 구동을 중지시킬 수 있다.The driving control unit 192 may continuously compare the first temperature value input to the first temperature sensor 170 with a preset temperature of the wafer chuck 120 . When the temperature of the wafer chuck 120 goes down to a preset temperature (eg -10°C to +10°C), the driving controller 192 controls driving of the first cooler 194 to maintain the preset temperature. can do. The drive control unit 192 may drive the first cooler 194 until the pattern inspection of the wafer 101 is completed, and stop driving the first cooler 194 when the pattern inspection of the wafer 101 is completed. there is.

일 예로서, 구동 제어부(192)는 제2 온도센서(175)에서 입력된 제2 온도값에 기초하여 제2 냉각기(196)의 구동을 제어할 수 있다. 구동 제어부(192)는 기 설정된 온도(일 예로서, -10℃ ~ +10℃)까지 챔버(110)의 내부가 냉각되도록 제2 냉각기(196)를 구동시킬 수 있다. 제2 냉각기(196)에서 생성된 냉각 공기가 챔버(110)의 내부에 공급되고, 냉각 공기에 의해서 챔버(110)의 내부가 기 설정된 온도까지 냉각될 수 있다. 제2 냉각기(196)는 웨이퍼(101)의 패턴 검사가 시작되기 전 10분 이내에 구동되어 챔버(110)의 내부를 기 설정된 온도로 냉각시킬 수 있다.As an example, the driving control unit 192 may control driving of the second cooler 196 based on the second temperature value input from the second temperature sensor 175 . The drive control unit 192 may drive the second cooler 196 to cool the inside of the chamber 110 to a preset temperature (eg, -10°C to +10°C). Cooling air generated by the second cooler 196 is supplied to the inside of the chamber 110 , and the inside of the chamber 110 may be cooled to a predetermined temperature by the cooling air. The second cooler 196 may be operated within 10 minutes before pattern inspection of the wafer 101 starts to cool the inside of the chamber 110 to a preset temperature.

구동 제어부(192)는 제2 온도센서(175)에 입력된 제2 온도값과 기 설정된 챔버(110)의 내부 온도를 지속적으로 비교할 수 있다. 구동 제어부(192)는 챔버(110)의 내부 온도가 기 설정된 온도까지 내려가면 기 설정된 온도를 유지하도록 제2 냉각기(196)의 구동을 제어할 수 있다. 구동 제어부(192)는 웨이퍼(101)의 패턴 검사가 완료될 때가지 제2 냉각기(196)를 구동시키고, 웨이퍼(101)의 패턴 검사가 완료되면 제2 냉각기(196)의 구동을 중지시킬 수 있다.The driving control unit 192 may continuously compare the second temperature value input to the second temperature sensor 175 with the preset internal temperature of the chamber 110 . The drive control unit 192 may control driving of the second cooler 196 to maintain the preset temperature when the internal temperature of the chamber 110 decreases to the preset temperature. The driving control unit 192 may drive the second cooler 196 until the pattern inspection of the wafer 101 is completed, and stop driving the second cooler 196 when the pattern inspection of the wafer 101 is completed. there is.

일 예로서, 구동 제어부(192)는 검사 제어부(180)에는 입력되는 검사 제어신호에 기초하여 제3 냉각기(198)의 구동을 제어할 수 있다. 제3 냉각기(198)에서 생성된 냉각 가스가 냉각 가스 건(140)에 공급될 수 있다. 냉각 가스 건(140)에서 분사되는 냉각 가스에 의해서 웨이퍼(101)의 표면의 온도를 기 설정된 온도(일 예로서, -10℃ 이하)로 낮출 수 있다.As an example, the drive control unit 192 may control driving of the third cooler 198 based on an inspection control signal input to the inspection control unit 180 . Cooling gas generated in the third cooler 198 may be supplied to the cooling gas gun 140 . The temperature of the surface of the wafer 101 may be lowered to a predetermined temperature (eg, -10°C or less) by the cooling gas sprayed from the cooling gas gun 140 .

일 예로서, 광원(130)에 의해서 웨이퍼(101)에 광이 조사되기 전에 냉각 가스 건(140)을 통해서 웨이퍼(101)의 표면에 냉각 가스를 분사할 수 있다. 광원(130)에서 웨이퍼(101)에 광이 조사될 때, 냉각 가스 건(140)에서 냉각 가스가 분사되면 냉각 가스에 의해서 광의 간섭이 발생할 수 있다. 광의 간섭을 방지하기 위해서, 웨이퍼(101)에 광이 조사되기 10초 ~ 5초 전에 냉각 가스 건(140)을 통해서 웨이퍼(101)의 표면에 국부적으로 냉각 가스를 분사할 수 있다. 즉, 웨이퍼(101)의 표면에 광이 조사되기 10초 ~ 5초 전에 냉각 가스 건(140)을 통해서 웨이퍼(101)의 표면에 냉각 가스를 분사한 후, 온도가 낮아진 웨이퍼(101)의 표면에 광을 조사할 수 있다. 이를 통해, 광이 조사되는 영역을 사전에 -10℃ 이하로 냉각시켜 열에 의한 웨이퍼(101) 및 포토레지스트(PR)의 변형을 방지할 수 있다.For example, a cooling gas may be sprayed onto the surface of the wafer 101 through the cooling gas gun 140 before light is irradiated onto the wafer 101 by the light source 130 . When light is irradiated from the light source 130 to the wafer 101 , when cooling gas is sprayed from the cooling gas gun 140 , light interference may occur due to the cooling gas. In order to prevent light interference, a cooling gas may be sprayed locally on the surface of the wafer 101 through the cooling gas gun 140 10 seconds to 5 seconds before the light is irradiated to the wafer 101 . That is, after 10 to 5 seconds before light is irradiated on the surface of the wafer 101, a cooling gas is sprayed on the surface of the wafer 101 through the cooling gas gun 140, and then the surface of the wafer 101 whose temperature is lowered. light can be irradiated. Through this, it is possible to prevent the wafer 101 and the photoresist PR from being deformed by heat by cooling the region to which the light is irradiated in advance to -10°C or less.

구동 제어부(192)는 웨이퍼(101)의 패턴 검사가 완료될 때가지 제3 냉각기(198)를 구동시키고, 웨이퍼(101)의 패턴 검사가 완료되면 제3 냉각기(198)의 구동을 중지시킬 수 있다.The driving control unit 192 may drive the third cooler 198 until the pattern inspection of the wafer 101 is completed, and stop driving the third cooler 198 when the pattern inspection of the wafer 101 is completed. there is.

도 3은 반도체 웨이퍼 검사 시스템의 구동 방법을 나타내는 도면이다. 도 4는 설정 온도에 따른 웨이퍼 척, 챔버 내부 및 웨이퍼 표면의 냉각 방법을 나타내는 도면이다.3 is a diagram illustrating a driving method of a semiconductor wafer inspection system. 4 is a diagram illustrating a method of cooling a wafer chuck, an inside of a chamber, and a surface of a wafer according to set temperatures.

도 1 내지 도 4를 참조하면, 검사 제어부(180)와 냉각 제어부(190)는 웨이퍼의 패턴 검사를 위해 상호 동기될 수 있다. 검사 제어부(180)와 냉각 제어부(190)는 동기화를 위한 제어신호들을 상호 송수신하여 동기를 맞출 수 있다(S10).Referring to FIGS. 1 to 4 , the inspection controller 180 and the cooling controller 190 may be synchronized with each other to inspect a wafer pattern. The inspection control unit 180 and the cooling control unit 190 may synchronize by mutually transmitting and receiving control signals for synchronization (S10).

일 예로서, 검사 제어부(180)는 웨이퍼의 패턴 검사를 위한 검사 제어신호를 생성하고, 생성된 검사 제어신호를 냉각 제어부(190)로 전송할 수 있다. 냉각 제어부(190)는 웨이퍼의 패턴 검사 전 웨이퍼 척(120) 및 챔버(110)의 내부의 온도를 기 설정된 온도로 맞추고, 냉각 조건이 만족되었는지를 나타내는 냉각 제어신호를 생성할 수 있다. 냉각 제어부(190)는 생성된 냉각 제어신호를 검사 제어부(180)로 전송할 수 있다.As an example, the inspection control unit 180 may generate an inspection control signal for pattern inspection of a wafer and transmit the generated inspection control signal to the cooling control unit 190 . The cooling control unit 190 may adjust internal temperatures of the wafer chuck 120 and the chamber 110 to preset temperatures before pattern inspection of the wafer, and may generate a cooling control signal indicating whether cooling conditions are satisfied. The cooling controller 190 may transmit the generated cooling control signal to the inspection controller 180 .

검사 제어부(180)는 웨이퍼 척(120)의 온도(예로서, -10℃ ~ +10℃), 챔버(110)의 내부 온도가 기 설정된 온도(예로서, -10℃ ~ +10℃)로 냉각된 이후에 웨이퍼(101)의 패턴 검사를 시작할 수 있다. 냉각 제어부(190)는 웨이퍼 척(120) 및 챔버(110)의 내부 온도를 기 설정된 온도로 냉각되도록 제1 냉각기(194) 및 제2 냉각기(196)를 구동시킬 수 있다.The inspection controller 180 adjusts the temperature of the wafer chuck 120 (eg -10 °C to +10 °C) and the internal temperature of the chamber 110 to a predetermined temperature (eg -10 °C to +10 °C). After cooling, pattern inspection of the wafer 101 can be started. The cooling control unit 190 may drive the first cooler 194 and the second cooler 196 to cool the internal temperatures of the wafer chuck 120 and the chamber 110 to a preset temperature.

이어서, 구동 제어부(192)는 제1 냉각기(194)를 구동시켜 제1 냉각기(194)에서 냉각 공기를 생성할 수 있다. 제1 냉각기(194)는 청정기체인 씨디에이(CDA: Clean Dry Air)의 온도를 낮추어 냉각 공기를 생성할 수 있다. 제1 냉각기(194)에서 생성된 냉각 공기는 제1 공급라인을 통해 웨이퍼 척(120)의 순환 라인에 공급될 수 있다. 제1 냉각기(194)에서 생성된 냉각 공기가 웨이퍼 척(120)에 공급되어 웨이퍼 척(120)을 기 설정된 온도(예로서, -10℃ ~ +10℃)로 냉각시킬 수 있다(S20).Subsequently, the driving control unit 192 may generate cooling air in the first cooler 194 by driving the first cooler 194 . The first cooler 194 may generate cooling air by lowering the temperature of clean dry air (CDA). The cooling air generated by the first cooler 194 may be supplied to the circulation line of the wafer chuck 120 through the first supply line. Cooling air generated by the first cooler 194 may be supplied to the wafer chuck 120 to cool the wafer chuck 120 to a preset temperature (eg, -10°C to +10°C) (S20).

웨이퍼 척(120)에 주입된 냉각 공기가 순환 라인에 의해서 순환된 이후, 제1 배출라인에 의해서 제1 냉각기(194)로 배출될 수 있다.After the cooling air injected into the wafer chuck 120 is circulated through the circulation line, it may be discharged to the first cooler 194 through the first discharge line.

이어서, 구동 제어부(192)는 제2 냉각기(196)를 구동시켜 제2 냉각기(196)에서 냉각 공기를 생성할 수 있다. 제2 냉각기(196)는 청정기체인 씨디에이(CDA)의 온도를 낮추어 냉각 공기를 생성할 수 있다. 제2 냉각기(196)에서 생성된 냉각 공기는 제2 공급라인을 통해 챔버(110)의 내부에 공급될 수 있다. 제2 냉각기(196)에서 생성된 냉각 공기가 챔버(110)의 내부에 공급되어 챔버(110)의 내부를 기 설정된 온도(예로서, -10℃ ~ +10℃)로 냉각시킬 수 있다(S30).Subsequently, the driving control unit 192 may generate cooling air in the second cooler 196 by driving the second cooler 196 . The second cooler 196 may generate cooling air by lowering the temperature of CDA, which is a purifying gas. Cooling air generated by the second cooler 196 may be supplied to the inside of the chamber 110 through the second supply line. Cooling air generated by the second cooler 196 may be supplied to the inside of the chamber 110 to cool the inside of the chamber 110 to a preset temperature (eg, -10°C to +10°C) (S30 ).

챔버(110) 내부에 주입된 냉각 공기가 순환된 이후, 제2 배출라인에 의해서 제2 냉각기(196)로 배출될 수 있다.After the cooling air injected into the chamber 110 is circulated, it may be discharged to the second cooler 196 through the second discharge line.

이어서, 냉각 제어부(190)는 제1 온도센서(170)에서 입력된 제1 온도값에 기초하여 웨이퍼 척(120)의 온도가 기 설정된 온도(예로서, -10℃ ~ +10℃)로 냉각되었는지 판단할 수 있다. 냉각 제어부(190)는 제2 온도센서(175)에서 입력된 제2 온도값에 기초하여 챔버(110)의 내부가 기 설정된 온도(예로서, -10℃ ~ +10℃)로 냉각되었는지 판단할 수 있다. 냉각 제어부(190)는 웨이퍼 척(120) 및 챔버(110)의 내부 온도가 기 설정된 온도로 냉각되면, 이를 지시하는 온도 신호를 검사 제어부(180)로 전송할 수 있다(S40).Subsequently, the cooling controller 190 cools the temperature of the wafer chuck 120 to a preset temperature (eg, -10°C to +10°C) based on the first temperature value input from the first temperature sensor 170. can determine if it has been The cooling control unit 190 determines whether the inside of the chamber 110 is cooled to a preset temperature (eg, -10°C to +10°C) based on the second temperature value input from the second temperature sensor 175. can When the internal temperatures of the wafer chuck 120 and the chamber 110 are cooled to a predetermined temperature, the cooling controller 190 may transmit a temperature signal indicating this to the inspection controller 180 (S40).

이어서, 구동 제어부(192)는 웨이퍼(101)의 패턴 검사 시 광원(130)에서 광이 조사되지 전에 제3 냉각기(198)를 구동시킬 수 있다. 구동 제어부(192)는 제3 냉각기(198)를 구동시켜 제3 냉각기(198)에서 냉각 가스를 생성할 수 있다. 제3 냉각기(198)에서 생성된 냉각 가스는 제3 공급라인을 통해 냉각 가스 건(140)에 공급될 수 있다. 냉각 가스 건(140)은 제3 냉각기(198)에서 공급된 냉각 가스를 압축하고, 압축된 냉각 가스를 웨이퍼 표면에 국부적으로 분사할 수 있다.Subsequently, the driving control unit 192 may drive the third cooler 198 before light is irradiated from the light source 130 when the pattern of the wafer 101 is inspected. The driving control unit 192 may generate cooling gas in the third cooler 198 by driving the third cooler 198 . The cooling gas generated in the third cooler 198 may be supplied to the cooling gas gun 140 through the third supply line. The cooling gas gun 140 may compress the cooling gas supplied from the third cooler 198 and locally spray the compressed cooling gas to the wafer surface.

냉각 가스 건(140)에서 분사되는 냉각 가스에 의해서 웨이퍼(101)의 표면의 온도를 기 설정된 온도(일 예로서, -10℃ 이하)로 낮출 수 있다. 광원(130)에서 웨이퍼(101)에 광이 조사될 때, 냉각 가스 건(140)에서 냉각 가스가 분사되면 냉각 가스에 의해서 광의 간섭이 발생할 수 있다. 광의 간섭을 방지하기 위해서, 웨이퍼(101)에 광이 조사되기 10초 ~ 5초 전에 냉각 가스 건(140)을 통해서 웨이퍼(101)의 표면에 국부적으로 냉각 가스를 분사할 수 있다(S50).The temperature of the surface of the wafer 101 may be lowered to a predetermined temperature (eg, -10°C or less) by the cooling gas sprayed from the cooling gas gun 140 . When light is irradiated from the light source 130 to the wafer 101 , when cooling gas is sprayed from the cooling gas gun 140 , light interference may occur due to the cooling gas. In order to prevent light interference, a cooling gas may be sprayed locally on the surface of the wafer 101 through the cooling gas gun 140 10 to 5 seconds before the light is irradiated onto the wafer 101 (S50).

이어서, 검사 제어부(180)는 웨이퍼 척(120)의 온도, 챔버(110)의 내부 온도가 기 설정된 온도로 냉각된 이후, 이송수단(160) 및 광원(130)을 구동시킬 수 있다. 검사 제어부(180)는 생성된 광원 제어신호를 광원(130)으로 전송할 수 있다. 웨이퍼 검사 시, 광원(130)은 검사 제어부(180)로부터 입력된 광원 제어신호에 기초하여 구동될 수 있다. 광원(130)의 구동에 의해서 웨이퍼의 표면에 광이 조사될 수 있다. 이송수단(160)에 의해서 광원(130)이 이동하게 되고, 웨이퍼의 전 영역에 걸쳐 광을 조사할 수 있다(S60).Subsequently, the inspection controller 180 may drive the transfer means 160 and the light source 130 after the temperature of the wafer chuck 120 and the internal temperature of the chamber 110 are cooled to preset temperatures. The inspection controller 180 may transmit the generated light source control signal to the light source 130 . During wafer inspection, the light source 130 may be driven based on a light source control signal input from the inspection controller 180 . Light may be irradiated onto the surface of the wafer by driving the light source 130 . The light source 130 is moved by the transfer means 160, and light can be irradiated over the entire area of the wafer (S60).

이어서, 비전 카메라(150)는 웨이퍼의 표면에 조사된 광에 따른 검사 영상을 생성할 수 있다. 비전 카메라(150)는 생성된 검사 영상을 검사 제어부(180)로 전송할 수 있다. 검사 제어부(180)는 비전 카메라(150)에서 수신된 검사 영상을 디스플레이 장치를 통해 표시할 수 있다. 검사 제어부(180)는 수신된 검사 영상에 기초하여 웨이퍼(101)의 표면에 패턴이 정상적으로 형성되었는지를 판별하고, 판별 결과를 표시할 수 있다. 이를 통해, 웨이퍼(101)에 패턴이 정상적으로 형성되었는지 검사할 수 있다(S70).Next, the vision camera 150 may generate an inspection image according to the light irradiated on the surface of the wafer. The vision camera 150 may transmit the generated inspection image to the inspection controller 180 . The inspection controller 180 may display the inspection image received from the vision camera 150 through a display device. The inspection controller 180 may determine whether a pattern is normally formed on the surface of the wafer 101 based on the received inspection image, and display the determination result. Through this, it can be inspected whether the pattern is normally formed on the wafer 101 (S70).

반도체 제조 공정에 극자외선(EUV: extreme ultraviolet) 패터닝의 적용이 증가함에 따라 마스크 결함(Mask Defect)에 의한 불량이 중요한 이슈가 되고 있다. 본 개시의 실시 예의 반도체 웨이퍼 검사 시스템 및 이의 구동 방법은 웨이퍼(101)의 패턴 검사를 시작하기 전에 웨이퍼 척(120) 및 챔버(110) 내부를 기 설정된 온도(예로서, -10℃ ~ +10℃)로 낮추고, 웨이퍼(101)에 광을 조사하기 전에 국부적으로 냉각 가스를 분사할 수 있다. 이를 통해, 현상 후 검사(ADI) 시, 웨이퍼(101)에 조사된 광에 의해서 웨이퍼 및 포토레지스트(PR)가 변형되는 것을 방지하여 불량 검출 성능을 향상시킬 수 있다.As the application of extreme ultraviolet (EUV) patterning increases in semiconductor manufacturing processes, defects due to mask defects have become an important issue. The semiconductor wafer inspection system and method of driving the same according to an embodiment of the present disclosure set the inside of the wafer chuck 120 and the chamber 110 at a predetermined temperature (eg, -10° C. to +10° C.) before starting pattern inspection of the wafer 101. °C), and before irradiating light to the wafer 101, a cooling gas may be locally sprayed. Through this, during post-development inspection (ADI), defect detection performance may be improved by preventing the wafer and the photoresist PR from being deformed by the light irradiated onto the wafer 101 .

도 5는 웨이퍼 척의 냉각 방법을 나타내는 도면이다.5 is a diagram illustrating a method of cooling a wafer chuck.

도 1, 도 2 및 도 5를 참조하면, 냉각 제어부(190)는 웨이퍼 척(120)을 냉각시킬 설정온도를 확인한다(S21).Referring to FIGS. 1, 2, and 5 , the cooling control unit 190 checks a set temperature to cool the wafer chuck 120 (S21).

이어서, 구동 제어부(192)는 제1 냉각기(194)를 구동시켜 냉각 공기를 생성할 수 있다. 웨이퍼 척(120)을 빠르게 냉각시키기 위해서, 구동 제어부(192)는 제1 냉각기(194)를 급속 냉각 모드로 구동시킬 수 있다. 구동 제어부(192)는 제1 온도센서(170)에서 입력되는 제1 온도값을 실시간으로 확인하고, 웨이퍼 척(120)이 타겟 온도(예로서, 기 설정된 온도 +2℃)까지 냉각될 때까지 제1 냉각기(194)를 급속 냉각 모드로 구동시킬 수 있다(S22). 타겟 온도는 기 설정된 온도보다 일정 온도(예로서, 기 설정된 온도 +2℃) 만큼 높게 설정될 수 있다.Subsequently, the driving control unit 192 may generate cooling air by driving the first cooler 194 . In order to rapidly cool the wafer chuck 120 , the driving controller 192 may drive the first cooler 194 in a rapid cooling mode. The drive control unit 192 checks the first temperature value input from the first temperature sensor 170 in real time, until the wafer chuck 120 is cooled to a target temperature (eg, a preset temperature +2° C.). The first cooler 194 may be driven in a rapid cooling mode (S22). The target temperature may be set higher than the preset temperature by a predetermined temperature (eg, the preset temperature +2°C).

제1 냉각기(194)는 급속 냉각 모드에서 최대 출력으로 동작하여 공기를 급속 냉각시킴과 아울러 냉각 공기를 최대치로 생성할 수 있다. 제1 냉각기(194)에서 생성된 냉각 공기가 웨이퍼 척(120)에 공급될 수 있다.The first cooler 194 operates at maximum output in the rapid cooling mode to rapidly cool the air and generate the maximum amount of cooling air. Cooling air generated by the first cooler 194 may be supplied to the wafer chuck 120 .

이어서, 구동 제어부(192)는 웨이퍼 척(120)이 타겟 온도(예로서, 기 설정된 온도 +2℃)까지 냉각되면 제1 냉각기(194)를 정밀 냉각 모드로 구동시킬 수 있다. 제1 냉각기(194)는 정밀 냉각 모드에서 노멀 출력으로 동작하여 공기를 냉각시킴과 아울러 냉각 공기를 생성할 수 있다. 구동 제어부(192)는 제1 온도센서(170)에서 입력되는 제1 온도값을 실시간으로 확인할 수 있다.Then, when the wafer chuck 120 is cooled to a target temperature (eg, a predetermined temperature +2° C.), the driving controller 192 may drive the first cooler 194 in the precision cooling mode. The first cooler 194 may operate in a precision cooling mode with a normal output to cool the air and generate cooling air. The drive controller 192 may check the first temperature value input from the first temperature sensor 170 in real time.

구동 제어부(192)는 웨이퍼 척(120)이 기 설정된 온도로 냉각될 때까지 제1 냉각기(194)를 정밀 냉각 모드로 구동시킬 수 있다. 제1 냉각기(194)는 정밀 냉각 모드에서 노멀 출력으로 동작하여 냉각 공기를 생성하고, 제1 냉각기(194)에서 생성된 냉각 공기가 웨이퍼 척(120)에 공급될 수 있다. 제1 냉각기(194)에서 생성된 냉각 공기가 웨이퍼 척(120)에 공급되어 웨이퍼 척(120)을 기 설정된 온도로 냉각시킬 수 있다(S23).The drive control unit 192 may drive the first cooler 194 in the precision cooling mode until the wafer chuck 120 is cooled to a preset temperature. The first cooler 194 may operate in a precision cooling mode with a normal output to generate cooling air, and the cooling air generated by the first cooler 194 may be supplied to the wafer chuck 120 . Cooling air generated by the first cooler 194 may be supplied to the wafer chuck 120 to cool the wafer chuck 120 to a preset temperature (S23).

이어서, 구동 제어부(192)는 웨이퍼(101)의 패턴 검사가 종료될 때까지 웨이퍼 척(120)의 온도가 기 설정된 온도를 유지하도록 제1 냉각기(194)의 구동을 제어할 수 있다(S24).Next, the driving control unit 192 may control the driving of the first cooler 194 so that the temperature of the wafer chuck 120 is maintained at a predetermined temperature until the pattern inspection of the wafer 101 is completed (S24). .

도 6은 챔버 내부의 냉각 방법을 나타내는 도면이다.6 is a view showing a cooling method inside the chamber.

도 1, 도 2 및 도 6을 참조하면, 냉각 제어부(190)는 챔버(110)의 내부를 냉각시킬 설정온도를 확인한다(S31).Referring to FIGS. 1, 2 and 6 , the cooling controller 190 checks a set temperature to cool the inside of the chamber 110 (S31).

이어서, 구동 제어부(192)는 제2 냉각기(196)를 구동시켜 냉각 공기를 생성할 수 있다. 챔버(110)의 내부를 빠르게 냉각시키기 위해서, 구동 제어부(192)는 제2 냉각기(196)를 급속 냉각 모드로 구동시킬 수 있다. 구동 제어부(192)는 제2 온도센서(175)에서 입력되는 제2 온도값을 실시간으로 확인할 수 있다. 구동 제어부(192)는 챔버(110)의 내부가 타겟 온도(예로서, 기 설정된 온도 +2℃)까지 냉각될 때까지 제2 냉각기(196)를 급속 냉각 모드로 구동시킬 수 있다(S32).Subsequently, the driving control unit 192 may generate cooling air by driving the second cooler 196 . In order to rapidly cool the inside of the chamber 110 , the driving controller 192 may drive the second cooler 196 in a rapid cooling mode. The drive control unit 192 may check the second temperature value input from the second temperature sensor 175 in real time. The driving control unit 192 may drive the second cooler 196 in a rapid cooling mode until the inside of the chamber 110 is cooled to a target temperature (eg, a predetermined temperature +2° C.) (S32).

제2 냉각기(196)는 급속 냉각 모드에서 최대 출력으로 동작하여 공기를 급속 냉각시킴과 아울러 냉각 공기를 최대치로 생성할 수 있다. 제2 냉각기(196)에서 생성된 냉각 공기가 챔버(110)의 내부로 공급될 수 있다.The second cooler 196 operates at maximum output in the rapid cooling mode to rapidly cool the air and generate the maximum amount of cooling air. Cooling air generated by the second cooler 196 may be supplied into the chamber 110 .

이어서, 구동 제어부(192)는 챔버(110)의 내부가 타겟 온도(예로서, 기 설정된 온도 +2℃)까지 냉각되면 제2 냉각기(196)를 정밀 냉각 모드로 구동시킬 수 있다. 타겟 온도는 기 설정된 온도보다 일정 온도(예로서, 기 설정된 온도 +2℃) 만큼 높게 설정될 수 있다. 정밀 냉각 모드에서는 냉각 공기의 온도 및 양을 미세하게 조절할 수 있다. 제2 냉각기(196)는 정밀 냉각 모드에서 노멀 출력으로 동작하여 냉각 공기를 생성하고, 제2 냉각기(196)에서 생성된 냉각 공기가 챔버(110)의 내부에 공급될 수 있다.Subsequently, the drive control unit 192 may drive the second cooler 196 in the precision cooling mode when the inside of the chamber 110 is cooled to a target temperature (eg, a predetermined temperature +2° C.). The target temperature may be set higher than the preset temperature by a predetermined temperature (eg, the preset temperature +2°C). In precision cooling mode, the temperature and amount of cooling air can be finely controlled. The second cooler 196 operates in a precision cooling mode with normal output to generate cooling air, and the cooling air generated by the second cooler 196 may be supplied to the inside of the chamber 110 .

구동 제어부(192)는 제2 온도센서(175)에서 입력되는 제2 온도값을 실시간으로 확인하고, 챔버(110)의 내부가 기 설정된 온도로 냉각될 때까지 제2 냉각기(196)를 정밀 냉각 모드로 구동시킬 수 있다. 정밀 냉각 모드에서는 냉각 공기의 온도 및 양을 미세하게 조절할 수 있다. 제2 냉각기(196)는 정밀 냉각 모드에서 노멀 출력으로 동작하여 냉각 공기를 생성하고, 제2 냉각기(196)에서 생성된 냉각 공기가 웨이퍼 척(120)에 공급될 수 있다. 제2 냉각기(196)에서 생성된 냉각 공기가 챔버(110)의 내부에 공급되어 챔버(110)의 내부를 기 설정된 온도로 냉각시킬 수 있다(S33).The driving control unit 192 checks the second temperature value input from the second temperature sensor 175 in real time, and precisely cools the second cooler 196 until the inside of the chamber 110 is cooled to a preset temperature. mode can be run. In precision cooling mode, the temperature and amount of cooling air can be finely controlled. The second cooler 196 may operate in a precision cooling mode with a normal output to generate cooling air, and the cooling air generated by the second cooler 196 may be supplied to the wafer chuck 120 . Cooling air generated by the second cooler 196 may be supplied to the inside of the chamber 110 to cool the inside of the chamber 110 to a predetermined temperature (S33).

이어서, 구동 제어부(192)는 웨이퍼(101)의 패턴 검사가 종료될 때까지 챔버(110)의 내부 온도가 기 설정된 온도를 유지하도록 제2 냉각기(196)의 구동을 제어할 수 있다(S34).Next, the driving control unit 192 may control driving of the second cooler 196 so that the internal temperature of the chamber 110 is maintained at a predetermined temperature until the pattern inspection of the wafer 101 is completed (S34). .

도 7은 냉각 가스 건을 이용한 웨이퍼 표면의 냉각 방법을 나태는 도면이다.7 is a diagram illustrating a method of cooling a wafer surface using a cooling gas gun.

도 1, 도 2 및 도 7을 참조하면, 냉각 제어부(170)는 검사 제어부(180)에서 수신된 검사 제어신호에 기초하여 웨이퍼 검사 시점을 확인할 수 있다(S51).Referring to FIGS. 1, 2, and 7 , the cooling control unit 170 may check the wafer inspection time point based on the inspection control signal received from the inspection control unit 180 (S51).

이어서, 구동 제어부(192)는 패턴 검사 시 웨이퍼(101)에 광이 조사되기 전에 제3 냉각기(198)를 구동시켜 냉각 가스를 생성할 수 있다. 제3 냉각기(198)는 생성된 냉각 가스를 냉각 가스 건(140)에 공급할 수 있다. 냉각 가스 건(140)은 제3 냉각기(198)에서 공급된 냉각 가스를 압축하고, 압축된 냉각 가스를 웨이퍼 표면에 국부적으로 분사할 수 있다. 냉각 가스 건(140)에서 분사되는 냉각 가스에 의해서 웨이퍼(101)의 표면의 온도를 기 설정된 온도(일 예로서, -10℃ 이하)로 낮출 수 있다. Subsequently, the driving control unit 192 may generate a cooling gas by driving the third cooler 198 before light is irradiated to the wafer 101 during pattern inspection. The third cooler 198 may supply the generated cooling gas to the cooling gas gun 140 . The cooling gas gun 140 may compress the cooling gas supplied from the third cooler 198 and locally spray the compressed cooling gas to the wafer surface. The temperature of the surface of the wafer 101 may be lowered to a predetermined temperature (eg, -10°C or less) by the cooling gas sprayed from the cooling gas gun 140 .

구체적으로, 광원(130)에서 웨이퍼(101)에 광이 조사될 때, 냉각 가스 건(140)에서 냉각 가스가 분사되면 냉각 가스에 의해서 광의 간섭이 발생할 수 있다. 광의 간섭을 방지하기 위해서, 웨이퍼(101)에 광이 조사되기 전 제1 시점(예로서, 웨이퍼에 광이 조사되기 10초 전)에 냉각 가스 건(140)을 통해서 웨이퍼(101)의 표면에 국부적으로 냉각 가스를 다량 분사할 수 있다(S52).Specifically, when light is irradiated onto the wafer 101 from the light source 130 and cooling gas is sprayed from the cooling gas gun 140 , interference of light may occur by the cooling gas. In order to prevent interference of light, at a first time point before light is irradiated onto the wafer 101 (eg, 10 seconds before light is irradiated onto the wafer), the cooling gas gun 140 is applied to the surface of the wafer 101. A large amount of cooling gas may be locally injected (S52).

웨이퍼(101)의 표면에 다량의 냉각 가스가 분사되어 웨이퍼(10)의 표면을 기 설정된 온도(일 예로서, -10℃ 이하)로 빠르게 낮출 수 있다.A large amount of cooling gas may be sprayed onto the surface of the wafer 101 to quickly lower the surface of the wafer 10 to a predetermined temperature (eg, -10°C or less).

이어서, 광의 간섭을 방지하기 위해서, 웨이퍼(101)에 광이 조사되기 전 제2 시점(예로서, 웨이퍼에 광이 조사되기 5초 전)에 냉각 가스 건(140)을 통해서 웨이퍼(101)의 표면에 국부적으로 냉각 가스를 소량 분사할 수 있다(S53).Next, in order to prevent light interference, the wafer 101 is removed through the cooling gas gun 140 at a second time point before the light is irradiated to the wafer 101 (eg, 5 seconds before the light is irradiated to the wafer). A small amount of cooling gas may be sprayed locally on the surface (S53).

S52 단계에서 웨이퍼(101)의 표면에 냉각 가스를 다량 분사하여 빠르게 웨이퍼(101)의 표면의 온도를 냉각시킨 후, S53 단계에서 웨이퍼(101)의 표면에 냉각 가스를 소량 분사하여 웨이퍼(101)의 표면 온도를 유지시킬 수 있다.In step S52, a large amount of cooling gas is sprayed on the surface of the wafer 101 to rapidly cool the surface of the wafer 101, and then in step S53, a small amount of cooling gas is sprayed on the surface of the wafer 101 to cool the wafer 101. of surface temperature can be maintained.

이어서, 웨이퍼(101)의 표면에 검사 광이 조사되기 전에 구동 제어부(192)는 제3 냉각기(198)의 구동을 중지시켜 냉각 가스의 분사를 중지할 수 있다(S54).Subsequently, before the inspection light is irradiated onto the surface of the wafer 101, the driving controller 192 may stop the cooling gas spraying by stopping the driving of the third cooler 198 (S54).

이와 같이, 웨이퍼(101)의 표면에 광이 조사되기 10초 ~ 5초 전에 냉각 가스 건(140)을 통해서 웨이퍼(101)의 표면에 냉각 가스를 분사한 후, 온도가 낮아진 웨이퍼(101)의 표면에 광을 조사할 수 있다. 이를 통해, 광이 조사되는 영역을 사전에 -10℃ 이하로 냉각시켜 열에 의한 웨이퍼(101) 및 포토레지스트(PR)의 변형을 방지할 수 있다.In this way, after spraying a cooling gas on the surface of the wafer 101 through the cooling gas gun 140 10 seconds to 5 seconds before light is irradiated on the surface of the wafer 101, the temperature of the wafer 101 is lowered. Light can be irradiated onto the surface. Through this, it is possible to prevent the wafer 101 and the photoresist PR from being deformed by heat by cooling the region to which the light is irradiated in advance to -10°C or less.

구동 제어부(192)는 웨이퍼(101)의 패턴 검사가 완료될 때가지 제3 냉각기(198)를 구동시키고, 웨이퍼(101)의 패턴 검사가 완료되면 제3 냉각기(198)의 구동을 중지시킬 수 있다. 즉, 냉각 가스 건(140)에서 냉각 가스의 분사가 중지된 이후에 광원(130)이 구동되어 웨이퍼(101)의 표면에 광이 조사될 수 있다.The driving control unit 192 may drive the third cooler 198 until the pattern inspection of the wafer 101 is completed, and stop driving the third cooler 198 when the pattern inspection of the wafer 101 is completed. there is. That is, after the cooling gas gun 140 stops spraying the cooling gas, the light source 130 may be driven to irradiate the surface of the wafer 101 with light.

본 개시의 실시 예의 반도체 웨이퍼 검사 시스템 및 이의 구동 방법은 웨이퍼(101)의 패턴 검사를 시작하기 전에 웨이퍼 척(120) 및 챔버(110) 내부를 기 설정된 온도(예로서, -10℃ ~ +10℃)로 낮추고, 웨이퍼(101)에 광을 조사하기 전에 국부적으로 냉각 가스를 분사할 수 있다. 이를 통해, 현상 후 검사(ADI) 시, 웨이퍼(101)에 조사된 광에 의해서 웨이퍼 및 포토레지스트(PR)가 변형되는 것을 방지하여 불량 검출 성능을 향상시킬 수 있다.The semiconductor wafer inspection system and method of driving the same according to an embodiment of the present disclosure set the inside of the wafer chuck 120 and the chamber 110 at a predetermined temperature (eg, -10° C. to +10° C.) before starting pattern inspection of the wafer 101. °C), and before irradiating light to the wafer 101, a cooling gas may be locally sprayed. Through this, during post-development inspection (ADI), defect detection performance may be improved by preventing the wafer and the photoresist PR from being deformed by the light irradiated onto the wafer 101 .

이상, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 기술적 사상에 따른 실시 예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해하여야 한다.In the above, embodiments according to the technical idea of the present invention have been described with reference to the accompanying drawings, but those skilled in the art to which the present invention pertains may find that the present invention is in another specific form without changing the technical idea or essential features. It will be understood that it can be implemented as. It should be understood that the embodiments described above are illustrative in all respects and not restrictive.

100: 반도체 웨이퍼 검사 시스템 110: 챔버
120: 웨이퍼 척 130: 광원
140: 냉각 가스 건 150: 비전 카메라
160: 이송수단 170: 제1 온도센서
175: 제2 온도센서 180; 검사 제어부
190: 냉각 제어부100: semiconductor wafer inspection system 110: chamber
120: wafer chuck 130: light source
140: cooling gas gun 150: vision camera
160: transfer means 170: first temperature sensor
175: second temperature sensor 180; Inspection control unit
190: cooling control unit

Claims (10)

챔버의 내부에 배치되고, 상부에 웨이퍼가 배치된 웨이퍼 척;
상기 웨이퍼의 패턴 검사를 위한 광을 상기 웨이퍼에 조사하는 광원;
상기 광원을 구동을 제어하는 검사 제어부;
상기 광원과 인접하게 배치되어 상기 웨이퍼의 표면에 냉각 가스를 분사하는 냉각 가스 건; 및
상기 웨이퍼에 광이 조사되기 전에 상기 웨이퍼 척에 냉각 공기를 공급하고, 상기 냉각 가스 건에 냉각 가스를 공급하는 냉각 제어부;를 포함하는, 반도체 웨이퍼 검사 시스템.a wafer chuck disposed inside the chamber and having a wafer disposed thereon;
a light source for irradiating the wafer with light for inspecting a pattern of the wafer;
an inspection control unit controlling driving of the light source;
a cooling gas gun disposed adjacent to the light source and spraying a cooling gas to the surface of the wafer; and
and a cooling control unit supplying cooling air to the wafer chuck and supplying cooling gas to the cooling gas gun before light is irradiated onto the wafer. 제1 항에 있어서,
상기 웨이퍼 척의 온도를 측정하여 온도값을 생성하고, 상기 온도값을 상기 냉각 제어부로 공급하는 온도센서를 더 포함하는, 반도체 웨이퍼 검사 시스템.According to claim 1,
The semiconductor wafer inspection system further comprises a temperature sensor for measuring the temperature of the wafer chuck to generate a temperature value and supplying the temperature value to the cooling controller. 제2 항에 있어서,
상기 냉각 제어부는,
상기 웨이퍼 척에 공급되는 냉각 공기를 생성하는 제1 냉각기;
상기 냉각 가스 건에 공급되는 냉각 가스를 생성하는 제2 냉각기; 및
상기 온도값에 기초하여 상기 제1 냉각기의 구동을 제어하고, 상기 웨이퍼에 광이 조사되는 시점에 기초하여 상기 제2 냉각기의 구동을 제어하는 구동 제어부;를 포함하는, 반도체 웨이퍼 검사 시스템.According to claim 2,
The cooling control unit,
a first cooler generating cooling air supplied to the wafer chuck;
a second cooler generating a cooling gas supplied to the cooling gas gun; and
A semiconductor wafer inspection system comprising: a driving control unit that controls driving of the first cooler based on the temperature value and controls driving of the second cooler based on a time point at which light is irradiated onto the wafer. 제3 항에 있어서,
상기 구동 제어부는,
상기 웨이퍼 척이 기 설정된 온도로 냉각되도록 상기 제1 냉각기를 구동시키는, 반도체 웨이퍼 검사 시스템.According to claim 3,
The driving control unit,
A semiconductor wafer inspection system for driving the first cooler so that the wafer chuck is cooled to a preset temperature. 제4 항에 있어서,
상기 냉각 제어부는,
상기 웨이퍼 척의 상기 온도값을 실시간으로 확인하여 상기 웨이퍼의 패턴 검사의 종료때까지 상기 웨이퍼 척의 온도를 상기 기 설정된 온도로 유지시키는, 반도체 웨이퍼 검사 시스템.According to claim 4,
The cooling control unit,
The semiconductor wafer inspection system of claim 1 , wherein the temperature value of the wafer chuck is checked in real time and the temperature of the wafer chuck is maintained at the predetermined temperature until the pattern inspection of the wafer is completed. 제3 항에 있어서,
상기 냉각 가스 건은,
상기 웨이퍼에 광이 조사되기 전에 상기 광이 조사될 웨이퍼의 표면에 국부적으로 상기 냉각 가스를 분사하는, 반도체 웨이퍼 검사 시스템.According to claim 3,
The cooling gas gun,
The semiconductor wafer inspection system of claim 1 , wherein the cooling gas is locally sprayed onto a surface of a wafer to be irradiated with light before light is irradiated onto the wafer. 제6 항에 있어서,
상기 광원은,
상기 웨이퍼의 표면에 냉각 가스가 분사된 이후 상기 웨이퍼에 표면에 패턴 검사를 위한 광을 조사하는, 반도체 웨이퍼 검사 시스템.According to claim 6,
The light source,
After the cooling gas is sprayed onto the surface of the wafer, light for pattern inspection is irradiated to the surface of the wafer. 챔버의 내부에 배치되고, 상부에 웨이퍼가 배치된 웨이퍼 척;
상기 웨이퍼의 패턴 검사를 위한 광을 상기 웨이퍼에 조사하는 광원;
상기 광원을 구동을 제어하는 검사 제어부;
상기 광원과 인접하게 배치되어 상기 웨이퍼의 표면에 냉각 가스를 분사하는 냉각 가스 건; 및
상기 웨이퍼에 광이 조사되기 전에 상기 챔버의 내부에 냉각 공기를 공급하고, 상기 냉각 가스 건에 냉각 가스를 공급하는 냉각 제어부;를 포함하는, 반도체 웨이퍼 검사 시스템.a wafer chuck disposed inside the chamber and having a wafer disposed thereon;
a light source for irradiating the wafer with light for inspecting a pattern of the wafer;
an inspection control unit controlling driving of the light source;
a cooling gas gun disposed adjacent to the light source and spraying a cooling gas to the surface of the wafer; and
and a cooling controller supplying cooling air to the inside of the chamber before light is irradiated onto the wafer and supplying cooling gas to the cooling gas gun. 제8 항에 있어서,
상기 챔버 내부의 온도를 측정하여 온도값을 생성하고, 상기 온도값을 상기 냉각 제어부로 공급하는 온도센서를 더 포함하는, 반도체 웨이퍼 검사 시스템.According to claim 8,
The semiconductor wafer inspection system further comprises a temperature sensor for measuring the temperature inside the chamber to generate a temperature value and supplying the temperature value to the cooling controller. 챔버의 내부에 배치되고, 상부에 웨이퍼가 배치된 웨이퍼 척;
상기 웨이퍼의 패턴 검사를 위한 광을 상기 웨이퍼에 조사하는 광원;
상기 광원을 구동을 제어하는 검사 제어부;
상기 광원과 인접하게 배치되어 상기 웨이퍼의 표면에 냉각 가스를 분사하는 냉각 가스 건;
상기 웨이퍼에 광이 조사되기 전에 상기 웨이퍼 척 및 상기 챔버 내부에 냉각 공기를 공급하고, 상기 냉각 가스 건에 냉각 가스를 공급하는 냉각 제어부;
상기 웨이퍼 척의 온도를 측정하여 제1 온도값을 생성하고, 상기 제1 온도값을 상기 냉각 제어부로 공급하는 제1 온도센서; 및
상기 챔버 내부의 온도를 측정하여 제2 온도값을 생성하고, 상기 제2 온도값을 상기 냉각 제어부로 공급하는 제2 온도센서;를 포함하는, 반도체 웨이퍼 검사 시스템.a wafer chuck disposed inside the chamber and having a wafer disposed thereon;
a light source for irradiating the wafer with light for inspecting a pattern of the wafer;
an inspection control unit controlling driving of the light source;
a cooling gas gun disposed adjacent to the light source and spraying a cooling gas to the surface of the wafer;
a cooling controller supplying cooling air to the inside of the wafer chuck and the chamber before light is irradiated onto the wafer, and supplying cooling gas to the cooling gas gun;
a first temperature sensor that measures the temperature of the wafer chuck to generate a first temperature value and supplies the first temperature value to the cooling controller; and
A second temperature sensor for generating a second temperature value by measuring the temperature inside the chamber and supplying the second temperature value to the cooling control unit; including a semiconductor wafer inspection system.
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101626475B1 (en) 2015-06-08 2016-06-01 주식회사 고영테크놀러지 Board inspection apparatus

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040026861A (en) * 2002-09-26 2004-04-01 삼성전자주식회사 Wafer pattern defect detection method and apparatus therefor
US10460998B2 (en) * 2010-11-09 2019-10-29 Nikon Corporation Method for inspecting substrate, substrate inspection apparatus, exposure system, and method for producing semiconductor device
KR101330677B1 (en) * 2011-12-22 2013-11-18 (주)우리에어텍코리아 Device for maintaining temperature of chamber
JP2018006509A (en) * 2016-06-30 2018-01-11 三星ダイヤモンド工業株式会社 Processing method of substrate and processing device

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101626475B1 (en) 2015-06-08 2016-06-01 주식회사 고영테크놀러지 Board inspection apparatus

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