KR102499451B1 - Sheet for forming resin film and composite sheet for forming resin film - Google Patents
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Abstract
본 발명은, 실리콘 웨이퍼에 부착되어, 당해 실리콘 웨이퍼 상에 수지막을 형성하기 위한 시트이며, 실리콘 웨이퍼와 부착되는 측의 당해 시트의 표면 (α)의 표면 조도 (Ra)가 40㎚ 이상인, 수지막 형성용 시트이고, 리워크성이 우수한 수지막 형성용 시트, 및 당해 수지막 형성용 시트와 지지체가 직접 적층된 구성을 갖는 수지막 형성용 복합 시트를 제공한다.The present invention is a sheet applied to a silicon wafer to form a resin film on the silicon wafer, wherein the surface roughness (Ra) of the surface (α) of the sheet on the side to be adhered to the silicon wafer is 40 nm or more. A sheet for forming a resin film that is a sheet for forming a resin film having excellent reworkability, and a composite sheet for forming a resin film having a structure in which the sheet for forming a resin film and a support are directly laminated are provided.
Description
본 발명은 수지막 형성용 시트 및 수지막 형성용 복합 시트에 관한 것이다.The present invention relates to a sheet for forming a resin film and a composite sheet for forming a resin film.
근년, 소위 페이스 다운(face down) 방식이라 칭해지는 실장법을 이용한 반도체 장치의 제조가 행해지고 있다. 페이스 다운 방식에 있어서는, 회로면 상에 범프 등의 전극을 갖는 반도체 칩(이하, 간단히 「칩」이라고도 함)이 사용되며, 해당 전극이 기판과 접합된다. 이 때문에 칩의 회로면과는 반대측의 표면(이하, 「칩의 이면」이라고도 함)은 노출되는 경우가 있다.In recent years, manufacturing of semiconductor devices using a mounting method called a so-called face down method has been performed. In the face-down method, a semiconductor chip having electrodes such as bumps on a circuit surface (hereinafter, simply referred to as "chip") is used, and the electrode is bonded to the substrate. For this reason, the surface on the opposite side to the circuit surface of the chip (hereinafter also referred to as "rear surface of the chip") may be exposed.
이 노출된 칩의 이면은, 유기 재료를 포함하는 수지막이 형성되어, 수지막을 갖는 칩으로서 반도체 장치에 도입되는 경우가 있다. 수지막은 다이싱 공정이나 패키징 후에 크랙의 발생을 방지하기 위한 보호막으로서, 또는 얻어진 칩을 다이 패드부나 별도의 반도체 칩 등의 다른 부재 상에 접착하기 위한 접착막으로서 형성된다.A resin film containing an organic material is formed on the exposed rear surface of the chip, and it may be incorporated into a semiconductor device as a chip having the resin film. The resin film is formed as a protective film for preventing cracks after a dicing process or packaging, or as an adhesive film for bonding the obtained chip onto another member such as a die pad portion or another semiconductor chip.
일반적으로 이 수지막을 갖는 칩은, 수지를 포함하는 조성물의 용액을 스핀 코트법 등에 의하여 웨이퍼의 이면에 도포하여 도막을 형성한 후, 당해 도막을 건조 및 경화시켜 수지막을 형성하여, 얻어진 수지막을 갖는 웨이퍼를 다이싱함으로써 제조된다.In general, a chip having a resin film is obtained by coating a solution of a composition containing a resin on the back surface of a wafer by a spin coating method or the like to form a coating film, and then drying and curing the coating film to form a resin film. It is manufactured by dicing a wafer.
이러한 칩의 이면이나 웨이퍼의 이면 상에 형성되는 보호막이나 접착막의 형성 재료로서 다양한 수지막 형성용 시트가 제안되어 있다.Various resin film formation sheets have been proposed as materials for forming a protective film or an adhesive film formed on the back surface of a chip or wafer.
예를 들어 특허문헌 1에는, 아크릴계 공중합체를 포함하는 중합체 성분, 에너지선 경화성 성분, 염료 또는 안료, 무기 충전재, 및 광중합 개시제를 포함하는 에너지선 경화형 보호막 형성층이 2매의 박리 시트에 협지된 구성을 갖는 칩 보호용 필름이 개시되어 있다.For example, in Patent Document 1, an energy ray curable protective film forming layer containing a polymer component containing an acrylic copolymer, an energy ray curable component, a dye or pigment, an inorganic filler, and a photopolymerization initiator is sandwiched between two release sheets. A chip protection film having a is disclosed.
특허문헌 1의 기재에 의하면, 당해 칩 보호용 필름은 에너지선의 조사에 의하여 레이저 마킹 인식성, 경도, 및 웨이퍼와의 밀착성을 향상시킨 보호막을 형성하는 것이 가능하며, 종래의 칩 보호용 필름에 비하여 공정의 간략화가 가능하다고 되어 있다.According to the description of Patent Document 1, the chip protection film can form a protective film with improved laser marking recognition, hardness, and adhesion to a wafer by irradiation with energy rays, and compared to conventional chip protection films, the process is Simplification is possible.
또한 특허문헌 2에는, 기재 및 점착제층을 갖는 다이싱 테이프와, 당해 다이싱 테이프의 점착제층 상에, 착색되고 또한 소정의 탄성률을 갖는 웨이퍼 이면 보호 필름을 갖는, 다이싱 테이프 일체형 웨이퍼 이면 보호 필름이 개시되어 있다.Further, in Patent Literature 2, a dicing tape-integrated wafer back surface protective film having a dicing tape having a base material and an adhesive layer, and a wafer back surface protective film that is colored and has a predetermined elastic modulus on the pressure-sensitive adhesive layer of the dicing tape. This is disclosed.
특허문헌 2의 기재에 의하면, 당해 웨이퍼 이면 보호 필름은 반도체 웨이퍼의 다이싱 공정에 있어서, 반도체 웨이퍼와의 우수한 보유 지지력을 발휘하는 것이 가능하다고 되어 있다.According to the description of Patent Literature 2, it is said that the wafer back surface protective film can exert excellent holding power with a semiconductor wafer in the dicing process of a semiconductor wafer.
그런데 특허문헌 1 및 2에 개시된 보호 필름을 웨이퍼 상에 부착하는 공정에 있어서, 보호 필름의 부착 위치의 어긋남이 발생하거나, 웨이퍼 상의 이물을 알아채지 못한 채 이물도 포함되도록 보호 필름을 부착해 버렸을 경우, 보호 필름을 박리하여 웨이퍼를 리워크하는 것이 어렵다.However, in the process of attaching the protective film disclosed in Patent Literatures 1 and 2 on the wafer, when the protective film is adhered to, the position of the protective film is shifted, or the protective film is attached so that the foreign matter is included without noticing the foreign matter on the wafer. , It is difficult to rework the wafer by peeling off the protective film.
특허문헌 1 및 2에 개시된 보호 필름은, 부착 시의 웨이퍼와의 밀착성이나 부착 후의 웨이퍼와의 보유 지지력의 향상을 목적으로 한 것이기 때문에, 웨이퍼 상에 일단 부착하면 웨이퍼와의 밀착성이 높기 때문에 리워크성에 문제가 있다. 웨이퍼 상에 한번 부착한 보호 필름을 강제로 박리하고자 하면, 박리하는 힘에 의하여 웨이퍼가 파손되거나 웨이퍼 상에 보호 필름의 일부가 잔존해 버리는 경우가 있다. 그 때문에 한번 보호 필름과 부착한 웨이퍼를 재이용하는 것은 어렵다.Since the protective films disclosed in Patent Literatures 1 and 2 are aimed at improving adhesion to the wafer at the time of attachment and holding power with the wafer after attachment, once attached on the wafer, adhesion to the wafer is high, so rework There is a problem with sex. When trying to forcibly peel off the protective film once attached on a wafer, the peeling force may damage the wafer or leave a part of the protective film on the wafer. Therefore, it is difficult to reuse the protective film and the attached wafer once.
즉, 특허문헌 1 및 2에서는, 기재된 보호 필름에 대하여, 부착 시의 웨이퍼와의 밀착성이나 부착 후의 웨이퍼와의 보유 지지력의 관점에서 검토는 되어 있지만, 보호 필름의 리워크성에 관한 검토는 일절 이루어져 있지 않다.That is, in Patent Literatures 1 and 2, the described protective films are examined from the viewpoint of adhesion to the wafer at the time of attachment and holding power with the wafer after attachment, but no examination regarding the reworkability of the protective film has been made. not.
본 발명은 상기 문제점을 감안하여 이루어진 것이며, 리워크성이 우수한 수지막 형성용 시트, 및 당해 수지막 형성용 시트와 지지체를 갖는 수지막 형성용 복합 시트를 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to provide a sheet for forming a resin film having excellent reworkability, and a composite sheet for forming a resin film having the sheet for forming a resin film and a support.
본 발명자들은, 실리콘 웨이퍼가 부착되는 측의 표면의 표면 조도를 소정값 이상으로 조정한 수지막 형성용 시트가 상기 과제를 해결할 수 있음을 알아내어 본 발명을 완성시켰다.The inventors of the present invention have found that a sheet for forming a resin film in which the surface roughness of the surface to which a silicon wafer is attached is adjusted to a predetermined value or more can solve the above problems, and completed the present invention.
즉, 본 발명은 하기 〔1〕 내지 〔15〕를 제공하는 것이다.That is, the present invention provides the following [1] to [15].
〔1〕 실리콘 웨이퍼에 부착되어, 당해 실리콘 웨이퍼 상에 수지막을 형성하기 위한 시트이며,[1] A sheet attached to a silicon wafer to form a resin film on the silicon wafer,
실리콘 웨이퍼와 부착되는 측의 당해 시트의 표면 (α)의 표면 조도 (Ra)가 40㎚ 이상인, 수지막 형성용 시트.A sheet for forming a resin film, wherein a surface roughness (Ra) of the surface (α) of the sheet on the side to be adhered to the silicon wafer is 40 nm or more.
〔2〕 중합체 성분 (A) 및 경화성 성분 (B)를 포함하는, 상기 〔1〕에 기재된 수지막 형성용 시트.[2] The sheet for forming a resin film according to [1], comprising a polymer component (A) and a curable component (B).
〔3〕 중합체 성분 (A)가 아크릴계 중합체 (A1)을 포함하는, 상기 〔2〕에 기재된 수지막 형성용 시트.[3] The sheet for forming a resin film according to [2], wherein the polymer component (A) contains an acrylic polymer (A1).
〔4〕 열경화성 성분 (B1)을 포함하는, 상기 〔1〕 내지 〔3〕 중 어느 하나에 기재된 수지막 형성용 시트.[4] The sheet for forming a resin film according to any one of [1] to [3], containing a thermosetting component (B1).
〔5〕 충전재 (C)를 포함하는, 상기 〔1〕 내지 〔4〕 중 어느 하나에 기재된 수지막 형성용 시트.[5] The sheet for forming a resin film according to any one of [1] to [4], including a filler (C).
〔6〕 충전재 (C)의 함유량이 상기 수지막 형성용 시트의 전량에 대하여 10 내지 80질량%인, 상기 〔5〕에 기재된 수지막 형성용 시트.[6] The sheet for forming a resin film according to [5], wherein the content of the filler (C) is 10 to 80% by mass with respect to the total amount of the sheet for forming a resin film.
〔7〕 충전재 (C)의 평균 입자 직경이 100 내지 1000㎚인, 상기 〔5〕 또는 〔6〕에 기재된 수지막 형성용 시트.[7] The sheet for forming a resin film according to [5] or [6], wherein the filler (C) has an average particle diameter of 100 to 1000 nm.
〔8〕 실리콘 웨이퍼 상에 보호막을 형성하기 위한 보호막 형성용 시트인, 상기 〔1〕 내지 〔7〕 중 어느 하나에 기재된 수지막 형성용 시트.[8] The sheet for forming a resin film according to any one of [1] to [7], which is a sheet for forming a protective film for forming a protective film on a silicon wafer.
〔9〕 상기 수지막 형성용 시트의 표면 (α)를 실리콘 웨이퍼에 부착 후, 당해 수지막 형성용 시트로부터 형성된 수지막의 당해 실리콘 웨이퍼와는 반대측의 표면 (β')으로부터 측정한 글로스값이 25 이상이 되는, 상기 〔1〕 내지 〔8〕 중 어느 하나에 기재된 수지막 형성용 시트.[9] After attaching the surface (α) of the sheet for forming a resin film to a silicon wafer, the gloss value of the resin film formed from the sheet for forming a resin film measured from the surface (β') on the opposite side to the silicon wafer is 25 The sheet for forming a resin film according to any one of the above [1] to [8].
〔10〕 상기 〔1〕 내지 〔9〕 중 어느 하나에 기재된 수지막 형성용 시트와, 지지체를 갖는, 수지막 형성용 복합 시트.[10] A composite sheet for forming a resin film, comprising the sheet for forming a resin film according to any one of [1] to [9] above, and a support.
〔11〕 실리콘 웨이퍼에 부착되어, 당해 실리콘 웨이퍼 상에 수지막을 형성하기 위한 수지막 형성용 시트와, 지지체 (Ⅰ)을 갖고,[11] A sheet for forming a resin film attached to a silicon wafer to form a resin film on the silicon wafer, and a support (I),
실리콘 웨이퍼와 부착되는 측의 상기 수지막 형성용 시트의 표면 (α)와, 표면 조도가 40㎚ 이상인 지지체 (Ⅰ)의 표면 (ⅰ)이 직접 적층된 구성을 갖는, 수지막 형성용 복합 시트.A composite sheet for forming a resin film having a configuration in which a surface (α) of the sheet for forming a resin film on a side to be attached to a silicon wafer and a surface (i) of a support (I) having a surface roughness of 40 nm or more are directly laminated.
〔12〕 상기 수지막 형성용 복합 시트가 갖는 지지체 (Ⅰ)을 제거했을 때 표출되는 상기 수지막 형성용 시트의 표면 (α)의 표면 조도 (Ra)가 40㎚ 이상인, 상기 〔11〕에 기재된 수지막 형성용 복합 시트.[12] The surface roughness (Ra) of the surface (α) of the sheet for forming a resin film exposed when the support (I) of the composite sheet for forming a resin film is removed is 40 nm or more, according to [11] above. Composite sheet for forming resin film.
〔13〕 상기 수지막 형성용 시트가 열경화성 성분 (B1)을 포함하는, 상기 〔11〕 또는 〔12〕에 기재된 수지막 형성용 복합 시트.[13] The composite sheet for forming a resin film according to [11] or [12], wherein the sheet for forming a resin film contains a thermosetting component (B1).
〔14〕 상기 수지막 형성용 시트의 표면 (α)와는 반대측의 표면 (β) 상에 추가로 제2 지지체 (Ⅱ)가 직접 적층된 구성을 갖고,[14] has a configuration in which a second support (II) is further directly laminated on the surface (β) on the opposite side to the surface (α) of the sheet for forming a resin film,
상기 수지막 형성용 시트가 열경화성 성분 (B1)을 함유하는, 상기 〔11〕 또는 〔12〕에 기재된 수지막 형성용 복합 시트.The composite sheet for forming a resin film according to [11] or [12], wherein the sheet for forming a resin film contains a thermosetting component (B1).
〔15〕 지지체 (Ⅱ)가, 점착제층을 갖는 점착 시트이고, 당해 점착제층과 상기 수지막 형성용 시트의 표면 (β)가 직접 적층된 구성을 갖는, 상기 〔14〕에 기재된 수지막 형성용 복합 시트.[15] The resin film formation according to [14] above, wherein the support (II) is a pressure-sensitive adhesive sheet having a pressure-sensitive adhesive layer, and the pressure-sensitive adhesive layer and the surface (β) of the sheet for forming a resin film are directly laminated. composite sheet.
본 발명의 수지막 형성용 시트는 리워크성이 우수하다. 그로 인하여, 본 발명의 수지막 형성용 시트를 한번 실리콘 웨이퍼에 부착한 후에 재부착이 필요하다고 판단했을 때는, 실리콘 웨이퍼를 파손하지 않고, 또한 잔사의 발생을 억제하면서 당해 수지막 형성용 시트를 박리할 수 있어, 수지막 형성용 시트를 박리 후의 실리콘 웨이퍼에 대해서는 재이용할 수 있다.The sheet for forming a resin film of the present invention has excellent reworkability. Therefore, when it is determined that re-attachment is necessary after the sheet for forming a resin film of the present invention has been once attached to a silicon wafer, the sheet for forming a resin film is peeled off while suppressing generation of residues without damaging the silicon wafer. Therefore, the sheet for forming a resin film can be reused for the silicon wafer after separation.
또한 본 명세서에 있어서 「수지막 형성용 시트의 리워크성」이란, 실리콘 웨이퍼에 부착한 후 다시 박리할 때, 실리콘 웨이퍼를 파손하지 않고, 또한 실리콘 웨이퍼 상에 수지막 형성용 시트의 일부를 잔존시키지 않으면서 박리할 수 있는 성질을 가리킨다.In the present specification, "reworkability of the sheet for forming a resin film" means that the sheet for forming a resin film remains on the silicon wafer without damaging the silicon wafer when peeling again after attaching to the silicon wafer. It refers to the property that can be peeled off without causing it.
도 1은 본 발명의 일 형태의 수지막 형성용 복합 시트의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a composite sheet for forming a resin film of one embodiment of the present invention.
본 명세서의 기재에 있어서, 각 성분의 질량 평균 분자량(Mw) 및 수 평균 분자량(Mn)의 값은 겔 침투 크로마토그래피(GPC)법으로 측정되는 표준 폴리스티렌 환산의 값이며, 구체적으로는 실시예에 기재된 방법에 기초하여 측정한 값이다.In the description of this specification, the values of the mass average molecular weight (Mw) and number average molecular weight (Mn) of each component are values in terms of standard polystyrene measured by gel permeation chromatography (GPC). It is a value measured based on the described method.
또한 본 명세서에 있어서, 예를 들어 「(메트)아크릴레이트」란, 「아크릴레이트」 및 「메타크릴레이트」의 양쪽을 나타내는 용어로서 사용하고 있으며, 다른 유사 용어에 대해서도 마찬가지이다.In this specification, for example, "(meth)acrylate" is used as a term representing both "acrylate" and "methacrylate", and the same applies to other similar terms.
또한 본 명세서에 있어서 「에너지선」이란, 예를 들어 자외선이나 전자선 등을 가리킨다.In addition, in this specification, an "energy ray" refers to an ultraviolet ray, an electron beam, etc., for example.
〔수지막 형성용 시트〕[Sheet for Forming Resin Film]
본 발명의 수지막 형성용 시트는, 실리콘 웨이퍼에 부착되어, 당해 실리콘 웨이퍼 상에 수지막을 형성하기 위한 시트이며, 실리콘 웨이퍼와 부착되는 측의 당해 시트의 표면 (α)의 표면 조도 (Ra)(이하, 간단히 「표면 (α)의 표면 조도 (Ra)」라고도 함)가 40㎚ 이상이다.The sheet for forming a resin film of the present invention is a sheet for forming a resin film on a silicon wafer by being adhered to a silicon wafer, and the surface roughness (Ra) of the surface (α) of the sheet on the side to be adhered to the silicon wafer is Hereinafter, simply referred to as “surface roughness (Ra) of the surface (α)”) is 40 nm or more.
본 발명의 수지막 형성용 시트는 표면 (α)의 표면 조도 (Ra)가 40㎚ 이상이기 때문에, 당해 수지막 형성용 시트를 한번 실리콘 웨이퍼에 부착한 후에도 실리콘 웨이퍼를 파손하지 않고, 또한 잔사의 발생을 억제하면서 당해 수지막 형성용 시트를 박리할 수 있어 리워크성이 우수하다.Since the surface roughness (Ra) of the surface (α) of the sheet for forming a resin film of the present invention is 40 nm or more, even after the sheet for forming a resin film is once attached to a silicon wafer, the silicon wafer is not damaged, and the residue is not damaged. The sheet for resin film formation can be peeled off while suppressing generation, and the reworkability is excellent.
한편, 표면 (α)의 표면 조도 (Ra)가 40㎚ 미만인 수지막 형성용 시트를 실리콘 웨이퍼에 부착 후에 박리하고자 하면, 실리콘 웨이퍼 상에 당해 수지막 형성용 시트의 잔사가 발생해 버리는 경우가 있다. 또한 강제로 박리하고자 하면 실리콘 웨이퍼가 파손되어 버리는 경우도 있다.On the other hand, if the sheet for forming a resin film having a surface roughness (Ra) of the surface α of less than 40 nm is attached to a silicon wafer and then peeled off, residues of the sheet for forming a resin film may be generated on the silicon wafer. . In addition, there are cases in which the silicon wafer is damaged when it is forcibly peeled off.
상기 관점에서, 본 발명의 수지막 형성용 시트의 표면 (α)의 표면 조도 (Ra)는 바람직하게는 45㎚ 이상, 보다 바람직하게는 50㎚ 이상, 더욱 바람직하게는 53㎚ 이상, 보다 더욱 바람직하게는 55㎚ 이상이다.From the above viewpoint, the surface roughness (Ra) of the surface (α) of the sheet for forming a resin film of the present invention is preferably 45 nm or more, more preferably 50 nm or more, even more preferably 53 nm or more, still more preferably It is preferably 55 nm or more.
또한 표면 (α)의 표면 조도 (Ra)의 상한값으로서는, 리워크성을 양호하게 하는 관점에서는 특별히 제한은 없다.In addition, the upper limit of the surface roughness (Ra) of the surface (α) is not particularly limited from the viewpoint of improving the reworkability.
단, 실리콘 웨이퍼와의 밀착성이 양호해지는 수지막 형성용 시트로 하는 관점에서, 본 발명의 수지막 형성용 시트의 표면 (α)의 표면 조도 (Ra)는 바람직하게는 150㎚ 이하, 보다 바람직하게는 100㎚ 이하, 더욱 바람직하게는 80㎚ 이하이다.However, from the viewpoint of obtaining a sheet for forming a resin film having good adhesion to a silicon wafer, the surface roughness (Ra) of the surface (α) of the sheet for forming a resin film of the present invention is preferably 150 nm or less, more preferably is 100 nm or less, more preferably 80 nm or less.
본 명세서에 있어서, 표면 (α)의 표면 조도 (Ra)는 실시예에 기재된 방법에 의하여 측정된 값을 의미한다.In this specification, the surface roughness (Ra) of the surface (α) means a value measured by the method described in Examples.
또한 표면 (α)의 표면 조도 (Ra)는, 예를 들어 수지막 형성용 시트 중에 포함될 수 있는 충전재나 착색제 등의 미립자 성분의 종류, 평균 입경 및 함유량 등을 적절히 설정함으로써 조정 가능하다. 또한 표면이 거친 지지체를 접합하는 것으로도 조정할 수 있다.The surface roughness (Ra) of the surface (α) can be adjusted, for example, by appropriately setting the type, average particle diameter, and content of particulate components such as fillers and colorants that can be contained in the sheet for forming a resin film. Moreover, it can be adjusted also by bonding a support body with a rough surface.
또한 본 발명의 일 형태에 있어서, 수지막 형성용 시트의 표면 (α)와는 반대측의 표면 (β)의 표면 조도 (Ra)에 대해서는 특별히 제한은 없지만, 바람직하게는 5 내지 80㎚, 보다 바람직하게는 8 내지 60㎚, 더욱 바람직하게는 10 내지 45㎚)이다.In one embodiment of the present invention, the surface roughness (Ra) of the surface (β) on the opposite side to the surface (α) of the sheet for forming a resin film is not particularly limited, but is preferably 5 to 80 nm, more preferably is 8 to 60 nm, more preferably 10 to 45 nm).
당해 범위 내이면, 수지막 형성용 시트로부터 형성한 후술하는 수지막의 표면 (β')의 글로스값을 높게 조정하는 것이 용이해진다. 또한 수지막 형성용 시트로부터 형성된 수지막을 갖는 실리콘 웨이퍼나, 실리콘 웨이퍼로부터 얻어지는 칩 등에 대하여 적외선 등의 전자파에 의한 검사를 행하는 경우에 전자파의 투과성을 높게 할 수 있다.If it is within the said range, it becomes easy to adjust the gloss value of the surface ((beta)') of the later-mentioned resin film formed from the sheet|seat for resin film formation high. Further, when inspecting a silicon wafer having a resin film formed from a sheet for forming a resin film or a chip obtained from the silicon wafer by electromagnetic waves such as infrared rays, the electromagnetic wave permeability can be increased.
본 발명의 일 형태의 수지막 형성용 시트의 표면 (α)를 실리콘 웨이퍼에 부착 후, 당해 수지막 형성용 시트로부터 형성된 수지막의 당해 실리콘 웨이퍼와는 반대측의 표면 (β')으로부터 측정한 글로스값은 바람직하게는 25 이상, 보다 바람직하게는 30 이상, 더욱 바람직하게는 35 이상, 보다 더욱 바람직하게는 40 이상이다.After attaching the surface (α) of the sheet for forming a resin film of one embodiment of the present invention to a silicon wafer, the gloss value measured from the surface (β') of the resin film formed from the sheet for forming a resin film on the opposite side to the silicon wafer is preferably 25 or more, more preferably 30 or more, still more preferably 35 or more, still more preferably 40 or more.
수지막의 표면 (β')의 글로스값이 25 이상이면, 레이저 인자의 시인성이 우수한 수지막으로 할 수 있다.If the gloss value of the surface (β') of the resin film is 25 or more, it can be set as a resin film excellent in the visibility of laser printing.
본 발명의 일 형태에 있어서, 수지막 형성용 시트, 및 당해 수지막 형성용 시트로부터 형성된 수지막의 파장 1250㎚의 광선 투과율로서는 바람직하게는 25% 이상, 보다 바람직하게는 30% 이상, 더욱 바람직하게는 35% 이상, 보다 더욱 바람직하게는 40% 이상이다.In one embodiment of the present invention, the light transmittance of the sheet for forming a resin film and the resin film formed from the sheet for forming a resin film at a wavelength of 1250 nm is preferably 25% or more, more preferably 30% or more, still more preferably is 35% or more, and even more preferably 40% or more.
당해 광선 투과율이 25% 이상이면 적외선의 투과성이 양호해져, 수지막 형성용 시트 또는 당해 수지막 형성용 시트로부터 형성된 수지막을 구비하는 실리콘 웨이퍼 또는 칩에 대하여 적외선 검사를 행할 수 있다. 즉, 수지막 형성용 시트 또는 수지막을 통하여, 실리콘 웨이퍼 또는 칩에 발생한 크랙 등을 용이하게 발견할 수 있기 때문에, 제품 수율을 향상시킬 수 있다.When the light transmittance is 25% or more, infrared transmittance becomes good, and infrared inspection can be performed on the sheet for forming a resin film or a silicon wafer or chip provided with a resin film formed from the sheet for forming a resin film. That is, since cracks and the like generated in silicon wafers or chips can be easily found through the sheet for forming a resin film or the resin film, the product yield can be improved.
또한 수지막 형성용 시트의 파장 1250㎚의 광선 투과율은 실시예에 기재된 방법에 의하여 측정된 값을 의미한다.In addition, the light transmittance of the sheet for forming a resin film at a wavelength of 1250 nm means a value measured by the method described in Examples.
본 발명의 수지막 형성용 시트의 형태는 특별히 제한은 없으며, 예를 들어 긴 테이프 형상, 단엽의 라벨 등의 형태여도 된다.The shape of the sheet for forming a resin film of the present invention is not particularly limited, and may be, for example, in the form of a long tape or a single leaf label.
또한 본 발명의 수지막 형성용 시트는 1종의 조성물로부터 형성된 단층체여도 되고, 2종 이상의 조성물로부터 형성된 복층체여도 된다.Moreover, the sheet|seat for resin film formation of this invention may be a single layer body formed from 1 type of composition, or the multilayer body formed from 2 or more types of compositions may be sufficient as it.
또한 본 발명의 일 형태의 수지막 형성용 시트가 복층체인 경우, 표면 (α)측의 형성 재료인 조성물 (α')은, 표면 (α)의 표면 조도 (Ra)가 상기 범위가 되도록 성분의 종류나 배합량을 조정하는 것이 바람직하다.In addition, when the sheet for forming a resin film of one embodiment of the present invention is a multilayer body, the composition (α'), which is a forming material on the surface (α) side, contains components so that the surface roughness (Ra) of the surface (α) falls within the above range. It is preferable to adjust the type or compounding amount.
본 발명의 일 형태에 있어서, 수지막 형성용 시트의 두께는 용도에 따라 적절히 설정되는데, 바람직하게는 1 내지 300㎛, 보다 바람직하게는 3 내지 250㎛, 더욱 바람직하게는 5 내지 200㎛, 보다 더욱 바람직하게는 7 내지 150㎛이다.In one embodiment of the present invention, the thickness of the sheet for forming a resin film is appropriately set depending on the application, preferably 1 to 300 μm, more preferably 3 to 250 μm, still more preferably 5 to 200 μm, More preferably, it is 7-150 micrometers.
또한 특히 수지막 형성용 시트가 부착되는 실리콘 웨이퍼의 두께가 얇은 경우에는, 수지막 형성용 시트의 두께로서는 바람직하게는 1 내지 20㎛, 보다 바람직하게는 3 내지 15㎛이다.In addition, especially when the thickness of the silicon wafer to which the sheet for forming a resin film is attached is thin, the thickness of the sheet for forming a resin film is preferably 1 to 20 µm, more preferably 3 to 15 µm.
또한 수지막 형성용 시트가 2층 이상으로 구성된 복층체인 경우에도 당해 복층체의 총 두께가 상기 범위인 것이 바람직하다.Further, even when the sheet for forming a resin film is a multilayer body composed of two or more layers, it is preferable that the total thickness of the multilayer body is within the above range.
<수지막 형성용 시트의 구성 성분><Components of Sheet for Forming Resin Film>
본 발명의 일 형태의 수지막 형성용 시트는, 표면 (α)의 표면 조도 (Ra)가 상기 범위가 되는 것이면 구성 성분은 특별히 제한되지는 않는다.The constituent components of the sheet for forming a resin film of one embodiment of the present invention are not particularly limited as long as the surface roughness (Ra) of the surface (α) falls within the above range.
단, 시트상의 형상 유지성이 양호한 수지막 형성용 시트로 하는 관점에서, 본 발명의 일 형태의 수지막 형성용 시트는 중합체 성분 (A) 및 경화성 성분 (B)를 포함하는 것인 것이 바람직하다.However, from the viewpoint of providing a sheet for forming a resin film having good sheet-like shape retention, the sheet for forming a resin film of one embodiment of the present invention preferably contains a polymer component (A) and a curable component (B).
또한 표면 (α)의 표면 조도 (Ra)를 상기 범위로 조정하는 관점, 및 수지막 형성용 시트로부터 형성되는 수지막의 열팽창 계수를 적당한 범위로 조정하는 관점에서, 본 발명의 일 형태의 수지막 형성용 시트는 충전재 (C)를 포함하는 것이 바람직하다.Furthermore, from the viewpoint of adjusting the surface roughness (Ra) of the surface (α) to the above range and the viewpoint of adjusting the thermal expansion coefficient of the resin film formed from the sheet for forming a resin film to an appropriate range, the resin film formation of one embodiment of the present invention It is preferable that the dragon sheet contains the filler (C).
또한 본 발명의 일 형태의 수지막 형성용 시트는, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서 착색제 (D), 커플링제 (E) 및 범용 첨가제 (F)로부터 선택되는 1종 이상을 더 포함하고 있어도 된다.In addition, the sheet for forming a resin film of one embodiment of the present invention further contains at least one selected from a colorant (D), a coupling agent (E), and a general-purpose additive (F) within a range that does not impair the effects of the present invention. There may be.
이하, 본 발명의 일 형태의 수지막 형성용 시트의 구성 성분이 될 수 있는 상기 성분 (A) 내지 (F)에 대하여 설명한다.Hereinafter, the components (A) to (F) which may be constituent components of the sheet for forming a resin film of one embodiment of the present invention will be described.
[중합체 성분 (A)][Polymer component (A)]
본 명세서에 있어서 「중합체 성분」이란, 중합 반응에 의하여 얻어지는 고분자량체이며, 적어도 1종의 반복 단위를 갖는 화합물을 의미한다.In this specification, a "polymer component" is a high molecular weight body obtained by a polymerization reaction and means a compound having at least one type of repeating unit.
본 발명의 일 형태에서 사용하는 수지막 형성용 시트는 중합체 성분 (A)를 함유함으로써 가요성이 용이하게 부여되어, 시트상의 형상 유지성을 양호하게 할 수 있다. 그 결과, 수지막 형성용 시트의 저장 탄성률을 상술한 범위로 조정할 수 있다.By containing the polymer component (A), the sheet for forming a resin film used in one embodiment of the present invention is easily imparted with flexibility, and the sheet-like shape retention can be improved. As a result, the storage elastic modulus of the sheet for forming a resin film can be adjusted within the above range.
중합체 성분 (A)의 질량 평균 분자량(Mw)으로서는, 얻어지는 수지막 형성용 시트의 저장 탄성률을 상술한 범위로 조정하는 관점에서 바람직하게는 2만 이상, 보다 바람직하게는 2만 내지 300만, 더욱 바람직하게는 10만 내지 200만, 보다 더욱 바람직하게는 15만 내지 150만이다.The mass average molecular weight (Mw) of the polymer component (A) is preferably 20,000 or more, more preferably 20,000 to 3,000,000 from the viewpoint of adjusting the storage modulus of the obtained sheet for forming a resin film to the range described above. Preferably it is 100,000 to 2 million, and still more preferably 150,000 to 1.5 million.
아크릴계 중합체 (A1)의 유리 전이 온도(Tg)로서는 바람직하게는 -40℃ 이상, 보다 바람직하게는 -30 내지 50℃, 더욱 바람직하게는 -20 내지 20℃, 보다 더욱 바람직하게는 -15 내지 0℃이다.The glass transition temperature (Tg) of the acrylic polymer (A1) is preferably -40°C or higher, more preferably -30 to 50°C, still more preferably -20 to 20°C, even more preferably -15 to 0. is °C.
또한 본 명세서에 있어서, 아크릴계 중합체 등의 유리 전이 온도(Tg)의 값은, 하기 식 (1)에서 계산한 절대 온도(단위: K)로 표시되는 유리 전이 온도(TgK)를 섭씨 온도(단위: ℃)로 환산한 값이다.In the present specification, the value of the glass transition temperature (Tg) of an acrylic polymer or the like is the glass transition temperature (TgK) represented by the absolute temperature (unit: K) calculated by the following formula (1) in degrees Celsius (unit: It is a value converted to °C).
〔상기 식 (1) 중, W1, W2, W3, W4 … 는 중합체 성분을 구성하는 단량체 성분의 질량 분율(질량%)을 나타내고, Tg1, Tg2, Tg3, Tg4 … 는 중합체 성분을 구성하는 각 단량체 성분의 단독 중합체의 유리 전이 온도(단위: K)를 나타냄〕[In Formula (1), W 1 , W 2 , W 3 , W 4 . . . Represents the mass fraction (mass %) of the monomer component constituting the polymer component, Tg 1 , Tg 2 , Tg 3 , Tg 4 . . . Represents the glass transition temperature (unit: K) of a homopolymer of each monomer component constituting the polymer component]
본 발명의 일 형태에 있어서, 수지막 형성용 시트 중의 중합체 성분 (A)의 함유량은, 수지막 형성용 시트의 전량(100질량%)에 대하여 바람직하게는 5 내지 60질량%, 보다 바람직하게는 8 내지 50질량%, 더욱 바람직하게는 10 내지 45질량%, 보다 더욱 바람직하게는 15 내지 40질량%이다.In one embodiment of the present invention, the content of the polymer component (A) in the sheet for forming a resin film is preferably 5 to 60% by mass, more preferably 5 to 60% by mass, based on the total amount (100% by mass) of the sheet for forming a resin film. 8 to 50% by mass, more preferably 10 to 45% by mass, still more preferably 15 to 40% by mass.
또한 본 명세서에 있어서, 「수지막 형성용 시트의 전량에 대한 성분 (A)의 함유량」은, 「수지막 형성용 시트의 형성 재료인 조성물의 유효 성분의 전량에 대한 성분 (A)의 함유량」과 동일하다. 이하에 설명하는 다른 성분의 함유량에 대해서도 마찬가지이다.In the present specification, "the content of component (A) relative to the total amount of the sheet for forming a resin film" means "the content of the component (A) relative to the total amount of active ingredients of the composition as a forming material for the sheet for forming a resin film" is the same as The same applies to the content of other components described below.
또한 상기 「유효 성분」이란, 조성물 중의 용매 등의 직접적 및 간접적으로 반응이나 형성되는 시트의 물성에 영향을 주지 않는 물질을 제외한 성분을 의미하며, 구체적으로는 물 및 유기 용매 등의 용매 이외의 성분을 의미한다.In addition, the above-mentioned "active ingredient" refers to components other than substances that do not directly or indirectly react with the solvent in the composition or affect the physical properties of the formed sheet, specifically, components other than solvents such as water and organic solvents. means
중합체 성분 (A)는 아크릴계 중합체 (A1)을 포함하는 것이 바람직하다.The polymer component (A) preferably contains an acrylic polymer (A1).
또한 중합체 성분 (A)는, 아크릴계 중합체 (A1)과 함께, 비아크릴계 중합체 (A2)가 포함되어 있어도 된다.In addition, the polymer component (A) may contain a non-acrylic polymer (A2) together with the acrylic polymer (A1).
이들 중합체 성분은 단독으로, 또는 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.You may use these polymer components individually or in combination of 2 or more types.
본 발명의 일 형태에 있어서, 수지막 형성용 시트 중에 포함되는 중합체 성분 (A)의 전량(100질량%)에 대한 아크릴계 중합체 (A1)의 함유량으로서는 바람직하게는 50 내지 100질량%, 보다 바람직하게는 60 내지 100질량%, 더욱 바람직하게는 70 내지 100질량%, 보다 더욱 바람직하게는 80 내지 100질량%이다.In one embodiment of the present invention, the content of the acrylic polymer (A1) relative to the total amount (100% by mass) of the polymer component (A) contained in the sheet for forming a resin film is preferably 50 to 100% by mass, more preferably is 60 to 100% by mass, more preferably 70 to 100% by mass, still more preferably 80 to 100% by mass.
(아크릴계 중합체 (A1))(Acrylic Polymer (A1))
아크릴계 중합체 (A1)의 질량 평균 분자량(Mw)은 수지막 형성용 시트에 가요성 및 조막성을 부여하고, 수지막 형성용 시트의 저장 탄성률을 상술한 범위로 조정하는 관점에서 바람직하게는 2만 내지 300만, 보다 바람직하게는 10만 내지 150만, 더욱 바람직하게는 15만 내지 120만, 보다 더욱 바람직하게는 25만 내지 100만이다.The mass average molecular weight (Mw) of the acrylic polymer (A1) is preferably 20,000 from the viewpoint of imparting flexibility and film-forming properties to the sheet for forming a resin film and adjusting the storage modulus of the sheet for forming a resin film to the range described above. to 3 million, more preferably 100,000 to 1.5 million, even more preferably 150,000 to 1.2 million, still more preferably 250,000 to 1 million.
아크릴계 중합체 (A1)로서는, 알킬(메트)아크릴레이트를 주성분으로 하는 중합체를 들 수 있으며, 구체적으로는 탄소수 1 내지 18의 알킬기를 갖는 알킬(메트)아크릴레이트에서 유래하는 구성 단위 (a1)을 포함하는 아크릴계 중합체가 바람직하고, 추가로 구성 단위 (a1) 이외의 다른 구성 단위 (a2)를 포함하는 아크릴계 공중합체로 해도 된다.Examples of the acrylic polymer (A1) include polymers containing alkyl (meth)acrylate as a main component, and specifically include a structural unit (a1) derived from an alkyl (meth)acrylate having an alkyl group of 1 to 18 carbon atoms. An acrylic polymer to do is preferable, and it is good also as an acrylic copolymer containing other structural units (a2) other than a structural unit (a1).
또한 아크릴계 중합체 (A1)은 단독으로, 또는 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.In addition, you may use an acrylic polymer (A1) individually or in combination of 2 or more types.
또한 아크릴계 중합체 (A1)이 공중합체인 경우, 당해 공중합체의 형태는 블록 공중합체, 랜덤 공중합체, 교호 공중합체, 그래프트 공중합체 중 어느 것이어도 된다.In addition, when the acrylic polymer (A1) is a copolymer, any of a block copolymer, a random copolymer, an alternating copolymer, and a graft copolymer may be used as the form of the copolymer.
(구성 단위 (a1))(Constructive unit (a1))
구성 단위 (a1)을 구성하는 알킬(메트)아크릴레이트의 알킬기의 탄소수로서는, 수지막 형성용 시트에 가요성 및 조막성을 부여하는 관점에서 바람직하게는 1 내지 18이고, 보다 바람직하게는 1 내지 12, 더욱 바람직하게는 1 내지 8이다.The number of carbon atoms in the alkyl group of the alkyl (meth)acrylate constituting the structural unit (a1) is preferably 1 to 18, more preferably 1 to 18, from the viewpoint of imparting flexibility and film-forming properties to the sheet for forming a resin film. 12, more preferably 1 to 8.
알킬(메트)아크릴레이트로서는, 예를 들어 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, 프로필(메트)아크릴레이트, 부틸(메트)아크릴레이트, 펜틸(메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트, 이소옥틸(메트)아크릴레이트, n-옥틸(메트)아크릴레이트, n-노닐(메트)아크릴레이트, 이소노닐(메트)아크릴레이트, 데실(메트)아크릴레이트, 라우릴(메트)아크릴레이트, 스테아릴(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.Examples of the alkyl (meth)acrylate include methyl (meth)acrylate, ethyl (meth)acrylate, propyl (meth)acrylate, butyl (meth)acrylate, pentyl (meth)acrylate, and 2-ethylhexyl (meth)acrylate, isooctyl (meth)acrylate, n-octyl (meth)acrylate, n-nonyl (meth)acrylate, isononyl (meth)acrylate, decyl (meth)acrylate, lauryl ( Meth) acrylate, stearyl (meth) acrylate, etc. are mentioned.
또한 이들 알킬(메트)아크릴레이트는 단독으로, 또는 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.Moreover, you may use these alkyl (meth)acrylates individually or in combination of 2 or more types.
이들 중에서도 탄소수 1 내지 3의 알킬기를 갖는 알킬(메트)아크릴레이트가 바람직하고, 메틸(메트)아크릴레이트가 보다 바람직하다.Among these, alkyl (meth)acrylates having an alkyl group of 1 to 3 carbon atoms are preferred, and methyl (meth)acrylates are more preferred.
아크릴계 중합체 (A1) 중의 탄소수 1 내지 3의 알킬기를 갖는 알킬(메트)아크릴레이트에서 유래하는 구성 단위 (a11)의 함유량은, 아크릴계 중합체 (A1)의 전체 구조 단위(100질량%)에 대하여 바람직하게는 5 내지 80질량%, 보다 바람직하게는 15 내지 70질량%, 더욱 바람직하게는 25 내지 60질량%이다.The content of the structural unit (a11) derived from an alkyl (meth)acrylate having an alkyl group of 1 to 3 carbon atoms in the acrylic polymer (A1) is preferably based on all structural units (100% by mass) of the acrylic polymer (A1). is 5 to 80% by mass, more preferably 15 to 70% by mass, still more preferably 25 to 60% by mass.
또한 탄소수 4 내지 12의 알킬기를 갖는 알킬(메트)아크릴레이트가 바람직하고, 부틸(메트)아크릴레이트가 보다 바람직하다.Moreover, alkyl (meth)acrylates having an alkyl group of 4 to 12 carbon atoms are preferred, and butyl (meth)acrylates are more preferred.
아크릴계 중합체 (A1) 중의 탄소수 4 내지 12의 알킬기를 갖는 알킬(메트)아크릴레이트에서 유래하는 구성 단위 (a12)의 함유량은, 아크릴계 중합체 (A1)의 전체 구조 단위(100질량%)에 대하여 바람직하게는 5 내지 80질량%, 보다 바람직하게는 15 내지 70질량%, 더욱 바람직하게는 20 내지 60질량%이다.The content of the structural unit (a12) derived from an alkyl (meth)acrylate having an alkyl group of 4 to 12 carbon atoms in the acrylic polymer (A1) is preferably based on all structural units (100% by mass) of the acrylic polymer (A1). is 5 to 80% by mass, more preferably 15 to 70% by mass, still more preferably 20 to 60% by mass.
또한 본 발명의 일 형태에서 사용하는 아크릴계 중합체 (A1)로서는, 상기 구성 단위 (a11) 및 구성 단위 (a12)를 같이 포함하는 아크릴계 공중합체가 바람직하다.As the acrylic polymer (A1) used in one embodiment of the present invention, an acrylic copolymer containing both the structural unit (a11) and the structural unit (a12) is preferable.
당해 아크릴계 공중합체의 구성 단위 (a11)과 구성 단위 (a12)의 함유비〔(a11)/(a12)〕(질량비)로서는 바람직하게는 20/80 내지 95/5, 보다 바람직하게는 30/70 내지 90/10, 더욱 바람직하게는 40/60 내지 85/15, 보다 더욱 바람직하게는 52/48 내지 75/25이다.The content ratio [(a11)/(a12)] (mass ratio) of the structural units (a11) and (a12) of the acrylic copolymer is preferably 20/80 to 95/5, more preferably 30/70. to 90/10, more preferably from 40/60 to 85/15, even more preferably from 52/48 to 75/25.
아크릴계 중합체 (A1) 중의 구성 단위 (a1)의 함유량은, 아크릴계 중합체 (A1)의 전체 구조 단위(100질량%)에 대하여 바람직하게는 50질량% 이상, 보다 바람직하게는 50 내지 99질량%, 더욱 바람직하게는 55 내지 98질량%, 보다 더욱 바람직하게는 60 내지 97질량%이다.The content of the structural unit (a1) in the acrylic polymer (A1) is preferably 50% by mass or more, more preferably 50 to 99% by mass, and more preferably 50 to 99% by mass relative to the total structural units (100% by mass) of the acrylic polymer (A1). It is preferably 55 to 98% by mass, and even more preferably 60 to 97% by mass.
(구성 단위 (a2))(Constructive unit (a2))
본 발명의 일 형태에서 사용하는 아크릴계 중합체 (A1)은, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서 상기 구성 단위 (a1) 이외의 다른 구성 단위 (a2)를 갖고 있어도 된다.The acrylic polymer (A1) used in one embodiment of the present invention may have structural units (a2) other than the aforementioned structural units (a1) within a range not impairing the effects of the present invention.
구성 단위 (a2)를 구성하는 단량체로서는, 예를 들어 히드록시기 함유 단량체, 카르복시기 함유 단량체, 에폭시기 함유 단량체 등의 관능기 함유 단량체; 아세트산비닐, 프로피온산비닐 등의 비닐에스테르류 단량체; 에틸렌, 프로필렌, 이소부틸렌 등의 올레핀류 단량체; 스티렌, 메틸스티렌, 비닐톨루엔 등의 방향족 비닐 단량체: 부타디엔, 이소프렌 등의 디엔계 단량체; (메트)아크릴로니트릴 등의 니트릴계 단량체 등을 들 수 있다.As a monomer which comprises structural unit (a2), For example, functional group containing monomers, such as a hydroxyl group containing monomer, a carboxy group containing monomer, an epoxy group containing monomer; vinyl ester monomers such as vinyl acetate and vinyl propionate; olefin monomers such as ethylene, propylene, and isobutylene; aromatic vinyl monomers such as styrene, methylstyrene, and vinyltoluene; diene monomers such as butadiene and isoprene; Nitrile type monomers, such as (meth)acrylonitrile, etc. are mentioned.
이들 중에서도 관능기 함유 단량체가 바람직하고, 히드록시기 함유 단량체 및 에폭시기 함유 단량체로부터 선택되는 1종 이상이 바람직하다.Among these, functional group-containing monomers are preferable, and at least one selected from hydroxyl group-containing monomers and epoxy group-containing monomers is preferable.
히드록시 함유 단량체로서는, 예를 들어 2-히드록시에틸(메트)아크릴레이트, 2-히드록시프로필(메트)아크릴레이트, 3-히드록시프로필(메트)아크릴레이트, 2-히드록시부틸(메트)아크릴레이트, 3-히드록시부틸(메트)아크릴레이트, 4-히드록시부틸(메트)아크릴레이트 등의 히드록시알킬(메트)아크릴레이트류; 비닐알코올, 알릴알코올 등의 불포화 알코올류 등을 들 수 있다.Examples of the hydroxy-containing monomer include 2-hydroxyethyl (meth)acrylate, 2-hydroxypropyl (meth)acrylate, 3-hydroxypropyl (meth)acrylate, and 2-hydroxybutyl (meth)acrylate. Hydroxyalkyl (meth)acrylates, such as an acrylate, 3-hydroxybutyl (meth)acrylate, and 4-hydroxybutyl (meth)acrylate; Unsaturated alcohols, such as vinyl alcohol and allyl alcohol, etc. are mentioned.
이들 중에서도 2-히드록시에틸(메트)아크릴레이트가 바람직하다.Among these, 2-hydroxyethyl (meth)acrylate is preferable.
카르복시기 함유 단량체로서는 (메트)아크릴산, 말레산, 푸마르산, 이타콘산 등을 들 수 있다.Examples of the carboxy group-containing monomer include (meth)acrylic acid, maleic acid, fumaric acid, and itaconic acid.
에폭시기 함유 단량체로서는, 예를 들어 글리시딜(메트)아크릴레이트, β-메틸글리시딜(메트)아크릴레이트, (3,4-에폭시시클로헥실)메틸(메트)아크릴레이트, 3-에폭시시클로-2-히드록시프로필(메트)아크릴레이트 등 에폭시기 함유(메트)아크릴산에스테르; 글리시딜크로토네이트, 알릴글리시딜에테르 등의 비아크릴계 에폭시기 함유 단량체; 등을 들 수 있다.Examples of the epoxy group-containing monomer include glycidyl (meth)acrylate, β-methylglycidyl (meth)acrylate, (3,4-epoxycyclohexyl)methyl (meth)acrylate, and 3-epoxycyclo- epoxy group-containing (meth)acrylic acid esters such as 2-hydroxypropyl (meth)acrylate; non-acrylic epoxy group-containing monomers such as glycidyl crotonate and allyl glycidyl ether; etc. can be mentioned.
또한 에폭시기 함유 단량체에서 유래하는 구성 단위를 갖는 Mw가 2만 이상인 아크릴계 중합체는 열경화성을 갖고 있지만, 경화성 성분 (B)가 아니라 중합체 성분 (A)의 개념에 포함되는 것으로 한다.In addition, an acrylic polymer having a Mw of 20,000 or more having structural units derived from an epoxy group-containing monomer has thermosetting properties, but is included in the concept of the polymer component (A) rather than the curable component (B).
본 발명의 일 형태에서 사용하는 아크릴계 중합체 (A1)은 히드록시기 함유 단량체에서 유래하는 구성 단위 (a21)을 포함하는 것이 바람직하다.The acrylic polymer (A1) used in one embodiment of the present invention preferably contains a structural unit (a21) derived from a hydroxy group-containing monomer.
아크릴계 중합체 (A1) 중의 히드록시기 함유 단량체에서 유래하는 구성 단위 (a21)의 함유량은, 아크릴계 중합체 (A1)의 전체 구조 단위(100질량%)에 대하여 바람직하게는 1 내지 40질량%, 보다 바람직하게는 5 내지 30질량%, 더욱 바람직하게는 8 내지 25질량%, 보다 더욱 바람직하게는 10 내지 20질량%이다.The content of the structural unit (a21) derived from the hydroxy group-containing monomer in the acrylic polymer (A1) is preferably 1 to 40% by mass, more preferably 1 to 40% by mass, based on the total structural units (100% by mass) of the acrylic polymer (A1). 5 to 30% by mass, more preferably 8 to 25% by mass, still more preferably 10 to 20% by mass.
또한 본 발명의 일 형태에서 사용하는 아크릴계 중합체 (A1)은 에폭시기 함유 단량체에서 유래하는 구성 단위 (a22)를 포함하는 것이 바람직하다.In addition, it is preferable that the acrylic polymer (A1) used in one embodiment of the present invention contains a structural unit (a22) derived from an epoxy group-containing monomer.
아크릴계 중합체 (A1) 중의 에폭시기 함유 단량체에서 유래하는 구성 단위 (a22)의 함유량은, 아크릴계 중합체 (A1)의 전체 구조 단위(100질량%)에 대하여 바람직하게는 1 내지 40질량%, 보다 바람직하게는 5 내지 30질량%, 더욱 바람직하게는 8 내지 25질량%이다.The content of the structural unit (a22) derived from the epoxy group-containing monomer in the acrylic polymer (A1) is preferably 1 to 40% by mass, more preferably 1 to 40% by mass, based on the total structural units (100% by mass) of the acrylic polymer (A1). 5 to 30% by mass, more preferably 8 to 25% by mass.
또한 후술하는 경화성 성분 (B)로서, 에폭시계 열경화성 성분을 사용하는 경우에는, 카르복실기와 에폭시계 열경화성 성분 중의 에폭시기가 반응해 버리기 때문에, 아크릴계 중합체 (A1) 중에는, 카르복실기 함유 단량체에서 유래하는 구조 단위의 함유량은 적은 편이 바람직하다.In the case of using an epoxy-based thermosetting component as the curable component (B) described later, since a carboxyl group reacts with an epoxy group in the epoxy-based thermosetting component, in the acrylic polymer (A1), a structural unit derived from a carboxyl group-containing monomer The one where content is small is preferable.
경화성 성분 (B)로서 에폭시계 열경화성 성분을 사용하는 경우, 카르복시기 함유 단량체에서 유래하는 구조 단위의 함유량은, 아크릴계 중합체 (A1)의 전 구성 단위(100질량%)에 대하여 바람직하게는 0 내지 10질량%, 보다 바람직하게는 0 내지 5질량%, 더욱 바람직하게는 0 내지 2질량%, 보다 더욱 바람직하게는 0질량%이다.When using an epoxy-based thermosetting component as the curable component (B), the content of the structural unit derived from the carboxyl group-containing monomer is preferably 0 to 10 mass% with respect to all structural units (100% by mass) of the acrylic polymer (A1). %, more preferably 0 to 5% by mass, even more preferably 0 to 2% by mass, still more preferably 0% by mass.
아크릴계 중합체 (A1) 중의 구성 단위 (a2)의 함유량은, 아크릴계 중합체 (A1)의 전체 구조 단위(100질량%)에 대하여 바람직하게는 1 내지 50질량%, 보다 바람직하게는 2 내지 45질량%, 더욱 바람직하게는 3 내지 40질량%이다.The content of the structural unit (a2) in the acrylic polymer (A1) is preferably 1 to 50% by mass, more preferably 2 to 45% by mass, based on the total structural units (100% by mass) of the acrylic polymer (A1). More preferably, it is 3-40 mass %.
(비아크릴계 수지(A2))(Non-acrylic resin (A2))
본 발명의 일 형태의 수지막 형성용 시트는, 필요에 따라 상술한 아크릴계 중합체 (A1) 이외의 중합체 성분으로서 비아크릴계 중합체 (A2)를 함유해도 된다.The sheet for forming a resin film of one embodiment of the present invention may contain a non-acrylic polymer (A2) as a polymer component other than the above-mentioned acrylic polymer (A1), if necessary.
비아크릴계 중합체 (A2)로서는, 예를 들어 폴리에스테르, 페녹시 수지, 폴리카르보네이트, 폴리에테르, 폴리우레탄, 폴리실록산, 고무계 중합체 등을 들 수 있다.Examples of the non-acrylic polymer (A2) include polyester, phenoxy resin, polycarbonate, polyether, polyurethane, polysiloxane, and rubber polymer.
이들 비아크릴계 중합체 (A2)는 단독으로, 또는 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.These non-acrylic polymers (A2) may be used alone or in combination of two or more.
비아크릴계 중합체 (A2)의 질량 평균 분자량(Mw)으로서는 바람직하게는 2만 이상, 보다 바람직하게는 2만 내지 10만, 더욱 바람직하게는 2만 내지 8만이다.The mass average molecular weight (Mw) of the non-acrylic polymer (A2) is preferably 20,000 or more, more preferably 20,000 to 100,000, still more preferably 20,000 to 80,000.
[경화성 성분 (B)][curable component (B)]
경화성 성분 (B)는, 수지막 형성용 시트를 경화시켜 경질의 수지막을 형성하는 역할을 담당하는 것이며, 질량 평균 분자량(Mw)이 2만 미만인 화합물이다.The curable component (B) plays a role of curing the sheet for forming a resin film to form a hard resin film, and is a compound having a mass average molecular weight (Mw) of less than 20,000.
본 발명에서 사용하는 수지막 형성용 시트는, 경화성 성분 (B)로서, 열경화성 성분 (B1) 및 에너지선 경화성 성분 (B2) 중 적어도 한쪽을 포함하는 것이 바람직하고, 경화 반응을 충분히 진행시키는 관점 및 비용 저감의 관점에서 적어도 열경화성 성분 (B1)을 포함하는 것이 보다 바람직하다.The sheet for forming a resin film used in the present invention preferably contains at least one of a thermosetting component (B1) and an energy ray curable component (B2) as the curable component (B), and from the viewpoint of sufficiently advancing the curing reaction; and It is more preferable to contain at least a thermosetting component (B1) from a viewpoint of cost reduction.
열경화성 성분 (B1)로서는, 적어도 가열에 의하여 반응하는 관능기를 갖는 화합물을 함유하는 것이 바람직하다.As the thermosetting component (B1), it is preferable to contain at least a compound having a functional group that reacts by heating.
또한 에너지선 경화성 성분 (B2)는, 에너지선 조사에 의하여 반응하는 관능기를 갖는 화합물 (B21)을 함유하여, 에너지선의 조사를 받으면 중합 경화된다.The energy ray-curable component (B2) contains a compound (B21) having a functional group that reacts with energy ray irradiation, and is polymerized and cured when energy ray irradiation is applied.
이들 경화성 성분이 갖는 관능기끼리가 반응하여 3차원 그물눈 구조가 형성됨으로써 경화가 실현된다.Curing is realized when the functional groups of these curable components react with each other to form a three-dimensional network structure.
경화성 성분 (B)의 질량 평균 분자량(Mw)은, 성분 (A)와 조합하여 사용함으로써 수지막 형성용 시트를 형성하는 조성물의 점도를 억제하여 취급성을 향상시키는 등의 관점에서 바람직하게는 20,000 미만, 보다 바람직하게는 10,000 이하, 더욱 바람직하게는 100 내지 10,000이다.The mass average molecular weight (Mw) of the curable component (B) is preferably 20,000 from the viewpoint of suppressing the viscosity of the composition for forming the sheet for forming a resin film by using it in combination with the component (A) to improve handleability. less than, more preferably 10,000 or less, still more preferably 100 to 10,000.
(열경화성 성분 (B1))(thermosetting component (B1))
열경화성 성분 (B1)로서는 에폭시계 열경화성 성분이 바람직하다.As the thermosetting component (B1), an epoxy-based thermosetting component is preferable.
에폭시계 열경화성 성분은, 에폭시기를 갖는 화합물 (B11)과 함께, 열경화제 (B12)를 조합한 것을 사용하는 것이 바람직하다.It is preferable to use what combined the thermosetting agent (B12) with the compound (B11) which has an epoxy group as an epoxy-type thermosetting component.
에폭시기를 갖는 화합물 (B11)(이하, 「에폭시 화합물 (B11)」이라고도 함)로서는, 예를 들어 다관능계 에폭시 수지, 비스페놀 A 디글리시딜에테르 및 그의 수소 첨가물, 크레졸 노볼락 에폭시 수지 등의 노볼락형 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 페닐렌 골격형 에폭시 수지 등의 분자 중에 2관능 이상 갖는 에폭시 화합물 등을 들 수 있다.Examples of the compound (B11) having an epoxy group (hereinafter also referred to as "epoxy compound (B11)") include polyfunctional epoxy resins, bisphenol A diglycidyl ether and hydrogenated products thereof, cresol novolak epoxy resins, and the like. Epoxy compounds having at least two functionalities in molecules such as novolak-type epoxy resins, dicyclopentadiene-type epoxy resins, biphenyl-type epoxy resins, bisphenol A-type epoxy resins, bisphenol F-type epoxy resins, phenylene skeleton type epoxy resins, etc. can be heard
이들 에폭시 화합물 (B11)은 단독으로, 또는 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.You may use these epoxy compounds (B11) individually or in combination of 2 or more types.
이들 중에서도 노볼락형 에폭시 수지 및 비페닐형 에폭시 수지로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것이 바람직하다.Among these, it is preferable to include at least one type selected from novolak-type epoxy resins and biphenyl-type epoxy resins.
또한 본 발명의 일 형태에 있어서, 에폭시 화합물 (B11)이, 25℃에서 액상인 에폭시 화합물(이하, 「액상 에폭시 화합물」이라고도 함)을 포함하는 것이 바람직하다.In one embodiment of the present invention, the epoxy compound (B11) preferably contains an epoxy compound that is liquid at 25°C (hereinafter, also referred to as "liquid epoxy compound").
에폭시 화합물 (B11)이 액상 에폭시 화합물을 포함함으로써, 수지막 형성용 시트의 파단 신도의 값을 상승시킬 수 있고, 리워크성이 우수한 수지막 형성용 시트로 할 수 있다.When the epoxy compound (B11) contains a liquid epoxy compound, the elongation at break of the sheet for forming a resin film can be increased, and a sheet for forming a resin film with excellent reworkability can be obtained.
본 발명의 일 형태에 있어서, 상기 관점에서, 액상 에폭시 화합물의 함유량은, 수지막 형성용 시트 중의 에폭시 화합물 (B11)의 전량(100질량%)에 대하여 바람직하게는 10질량% 이상, 보다 바람직하게는 15질량% 이상, 더욱 바람직하게는 30질량% 이상, 보다 더욱 바람직하게는 40질량% 이상이다.In one aspect of the present invention, from the above viewpoint, the content of the liquid epoxy compound is preferably 10% by mass or more, more preferably 10% by mass or more, based on the total amount (100% by mass) of the epoxy compound (B11) in the sheet for forming a resin film. is 15% by mass or more, more preferably 30% by mass or more, and still more preferably 40% by mass or more.
한편, 수지막 형성용 시트를 사용하여 제조한, 수지막을 갖는 칩의 신뢰성 향상의 관점에서, 액상 에폭시 화합물의 함유량은, 수지막 형성용 시트 중의 에폭시 화합물 (B11)의 전량(100질량%)에 대하여 바람직하게는 90질량% 이하, 보다 바람직하게는 80질량% 이하, 더욱 바람직하게는 75질량% 이하, 보다 더욱 바람직하게는 70질량% 이하이다.On the other hand, from the viewpoint of improving the reliability of a chip having a resin film manufactured using the sheet for forming a resin film, the content of the liquid epoxy compound is based on the total amount (100% by mass) of the epoxy compound (B11) in the sheet for forming a resin film. It is preferably 90% by mass or less, more preferably 80% by mass or less, still more preferably 75% by mass or less, and still more preferably 70% by mass or less.
또한 본 명세서에 있어서 「액상 에폭시 화합물」이란, 25℃에서의 점도가 40㎩·s 이하인 에폭시 화합물을 의미한다. 또한 본 명세서에 있어서, 에폭시 화합물의 25℃에서의 점도는, JIS Z 8803에 준하여 E형 점도계를 사용하여 25℃에서 측정한 값이다.In addition, in this specification, a "liquid epoxy compound" means an epoxy compound whose viscosity in 25 degreeC is 40 Pa.s or less. In addition, in this specification, the viscosity at 25 degreeC of an epoxy compound is the value measured at 25 degreeC using the E-type viscometer according to JISZ8803.
에폭시 화합물 (B11)의 함유량은, 성분 (A) 100질량부에 대하여 바람직하게는 1 내지 500질량부, 보다 바람직하게는 3 내지 300질량부, 더욱 바람직하게는 5 내지 150질량부, 보다 더욱 바람직하게는 10 내지 100질량부이다.The content of the epoxy compound (B11) is preferably 1 to 500 parts by mass, more preferably 3 to 300 parts by mass, still more preferably 5 to 150 parts by mass, and even more preferably, based on 100 parts by mass of the component (A). Preferably it is 10 to 100 parts by mass.
(열경화제 (B12))(Heat Curing Agent (B12))
열경화제 (B12)는, 에폭시 화합물 (B11)에 대한 경화제로서 기능한다.The heat curing agent (B12) functions as a curing agent for the epoxy compound (B11).
열경화제로서는, 1분자 중에 에폭시기와 반응할 수 있는 관능기를 2개 이상 갖는 화합물이 바람직하다.As the thermosetting agent, a compound having two or more functional groups capable of reacting with an epoxy group in one molecule is preferable.
당해 관능기로서는 페놀성 수산기, 알코올성 수산기, 아미노기, 카르복실기 및 산 무수물 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 페놀성 수산기, 아미노기 또는 산 무수물이 바람직하고, 페놀성 수산기 또는 아미노기가 보다 바람직하고, 아미노기가 더욱 바람직하다.As the said functional group, a phenolic hydroxyl group, an alcoholic hydroxyl group, an amino group, a carboxyl group, an acid anhydride, etc. are mentioned. Among these, a phenolic hydroxyl group, an amino group, or an acid anhydride is preferable, a phenolic hydroxyl group or an amino group is more preferable, and an amino group is still more preferable.
페놀성 수산기를 갖는 페놀계 열경화제로서는, 예를 들어 다관능계 페놀 수지, 비페놀, 노볼락형 페놀 수지, 디시클로펜타디엔형 페놀 수지, 자일록형 페놀 수지, 아르알킬형 페놀 수지 등을 들 수 있다.Examples of the phenolic thermosetting agent having a phenolic hydroxyl group include polyfunctional phenolic resins, biphenols, novolak-type phenolic resins, dicyclopentadiene-type phenolic resins, xylock-type phenolic resins, and aralkyl-type phenolic resins. can
아미노기를 갖는 아민계 열경화제로서는, 예를 들어 디시안디아미드(DICY) 등을 들 수 있다.As an amine-type thermosetting agent which has an amino group, dicyandiamide (DICY) etc. are mentioned, for example.
이들 열경화제 (B12)는 단독으로, 또는 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.These thermosetting agents (B12) may be used alone or in combination of two or more.
이들 중에서도 아민계 열경화제를 포함하는 것이 바람직하다.Among these, it is preferable to include an amine-based heat curing agent.
열경화제 (B12)의 함유량은, 에폭시 화합물 (B11) 100질량부에 대하여 바람직하게는 0.1 내지 500질량부, 보다 바람직하게는 0.5 내지 300질량부, 더욱 바람직하게는 1 내지 200질량부이다.The content of the thermal curing agent (B12) is preferably 0.1 to 500 parts by mass, more preferably 0.5 to 300 parts by mass, still more preferably 1 to 200 parts by mass, based on 100 parts by mass of the epoxy compound (B11).
(경화 촉진제 (B13))(curing accelerator (B13))
본 발명의 일 형태의 수지막 형성용 시트는, 당해 시트의 가열에 의한 경화 속도를 조정하는 관점에서 경화 촉진제 (B13)을 함유해도 된다.The sheet for forming a resin film of one embodiment of the present invention may contain a curing accelerator (B13) from the viewpoint of adjusting the curing speed of the sheet by heating.
경화 촉진제 (B13)은, 열경화성 성분 (B1)로서 에폭시 화합물 (B11)과 병용하는 것이 바람직하다.The curing accelerator (B13) is preferably used in combination with the epoxy compound (B11) as the thermosetting component (B1).
경화 촉진제 (B13)으로서는, 예를 들어 트리에틸렌디아민, 벤질디메틸아민, 트리에탄올아민, 디메틸아미노에탄올, 트리스(디메틸아미노메틸)페놀 등의 3급 아민류; 2-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 2-페닐-4,5-디히드록시메틸이미다졸, 2-페닐-4-메틸-5-히드록시메틸이미다졸 등의 이미다졸류; 트리부틸포스핀, 디페닐포스핀, 트리페닐포스핀 등의 유기 포스핀류; 테트라페닐포스포늄 테트라페닐보레이트, 트리페닐포스핀 테트라페닐보레이트 등의 테트라페닐붕소염 등을 들 수 있다.Examples of the curing accelerator (B13) include tertiary amines such as triethylenediamine, benzyldimethylamine, triethanolamine, dimethylaminoethanol, and tris(dimethylaminomethyl)phenol; 2-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole, 2-phenyl-4-methyl-5 -Imidazoles such as hydroxymethylimidazole; organic phosphines such as tributylphosphine, diphenylphosphine, and triphenylphosphine; tetraphenyl boron salts such as tetraphenylphosphonium tetraphenylborate and triphenylphosphine tetraphenylborate; and the like.
이들 경화 촉진제 (B13)은 단독으로, 또는 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.These curing accelerators (B13) may be used alone or in combination of two or more.
경화 촉진제 (B13)의 함유량은, 수지막 형성용 시트로부터 형성되는 수지막의 접착성 향상의 관점에서, 에폭시 화합물 (B11) 및 열경화제 (B12)의 합계량 100질량부에 대하여 바람직하게는 0.01 내지 10질량부, 보다 바람직하게는 0.1 내지 6질량부, 더욱 바람직하게는 0.3 내지 4질량부이다.The content of the curing accelerator (B13) is preferably from 0.01 to 10 with respect to 100 parts by mass of the total amount of the epoxy compound (B11) and the thermosetting agent (B12) from the viewpoint of improving the adhesion of the resin film formed from the sheet for forming a resin film. Part by mass, more preferably 0.1 to 6 parts by mass, still more preferably 0.3 to 4 parts by mass.
(에너지선 경화성 성분 (B2))(Energy ray curable component (B2))
에너지선 경화성 성분 (B2)로서는, 에너지선 조사에 의하여 반응하는 관능기를 갖는 화합물 (B21)을 단독으로 사용해도 되지만, 화합물 (B21)과 함께, 광중합 개시제 (B22)를 조합하여 사용하는 것이 바람직하다. 또한 에너지선 경화성 성분 (B2)는 자외선으로 경화시키는 것이 바람직하다.As the energy ray-curable component (B2), a compound (B21) having a functional group that reacts with energy ray irradiation may be used alone, but it is preferable to use a photopolymerization initiator (B22) in combination with the compound (B21). . In addition, it is preferable to cure the energy ray-curable component (B2) with ultraviolet rays.
(에너지선 조사에 의하여 반응하는 관능기를 갖는 화합물 (B21))(Compound (B21) having a functional group that reacts with energy ray irradiation)
에너지선 조사에 의하여 반응하는 관능기를 갖는 화합물 (B21)(이하, 「에너지선 반응성 화합물 (B21)」이라고도 함)로서는, 예를 들어 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨모노히드록시펜타(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 1,4-부틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 1,6-헥산디올디(메트)아크릴레이트, 올리고에스테르(메트)아크릴레이트, 우레탄(메트)아크릴레이트계 올리고머, 에폭시(메트)아크릴레이트, 폴리에테르(메트)아크릴레이트, 이타콘산 올리고머 등을 들 수 있다.Examples of the compound (B21) having a functional group that reacts with energy ray irradiation (hereinafter also referred to as “energy ray reactive compound (B21)”) include trimethylolpropane tri(meth)acrylate, pentaerythritol tri(meth) )Acrylate, pentaerythritol tetra(meth)acrylate, dipentaerythritol monohydroxypenta(meth)acrylate, dipentaerythritol hexa(meth)acrylate, 1,4-butylene glycoldi(meth) Acrylate, 1,6-hexanedioldi(meth)acrylate, oligoester(meth)acrylate, urethane(meth)acrylate oligomer, epoxy(meth)acrylate, polyether(meth)acrylate, itaconic acid Oligomer etc. are mentioned.
이들 에너지선 반응성 화합물 (B21)은 단독으로, 또는 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.You may use these energy ray reactive compounds (B21) individually or in combination of 2 or more types.
또한 에너지선 반응성 화합물 (B21)의 질량 평균 분자량(Mw)은 바람직하게는 100 내지 30,000, 보다 바람직하게는 200 내지 20,000, 더욱 바람직하게는 300 내지 10,000이다.The mass average molecular weight (Mw) of the energy ray-reactive compound (B21) is preferably 100 to 30,000, more preferably 200 to 20,000, still more preferably 300 to 10,000.
에너지선 반응성 화합물 (B21)의 함유량은, 성분 (A) 100질량부에 대하여 바람직하게는 1 내지 1500질량부, 보다 바람직하게는 3 내지 1200질량부, 더욱 바람직하게는 5 내지 1000질량부이다.The content of the energy ray-reactive compound (B21) is preferably 1 to 1500 parts by mass, more preferably 3 to 1200 parts by mass, still more preferably 5 to 1000 parts by mass, based on 100 parts by mass of the component (A).
(광중합 개시제 (B22))(Photoinitiator (B22))
상술한 에너지선 반응성 화합물 (B21)과 함께, 광중합 개시제 (B22)를 병용함으로써, 중합 경화 시간을 짧게 하고, 광선 조사량이 적더라도, 수지막 형성용 시트의 경화를 진행시킬 수 있다.By using the photopolymerization initiator (B22) together with the energy ray-reactive compound (B21) described above, the polymerization and curing time can be shortened and the resin film forming sheet can be cured even if the light irradiation amount is small.
광중합 개시제 (B22)로서는, 예를 들어 벤조인 화합물, 아세토페논 화합물, 아실포스핀옥사이드 화합물, 티타노센 화합물, 티오크산톤 화합물, 퍼옥사이드 화합물 등을 들 수 있다.As a photoinitiator (B22), a benzoin compound, an acetophenone compound, an acylphosphine oxide compound, a titanocene compound, a thioxanthone compound, a peroxide compound etc. are mentioned, for example.
보다 구체적인 광중합 개시제로서는, 예를 들어 1-히드록시시클로헥실페닐케톤, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤질페닐술파이드, 테트라메틸티우람모노술파이드, 아조비스이소부티로니트릴, 디벤질, 디아세틸, β-클로로안트라퀴논, 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀옥사이드 등을 들 수 있다.As a more specific photopolymerization initiator, for example, 1-hydroxycyclohexylphenyl ketone, benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzylphenyl sulfide, tetramethylthiuram monosulfide, azobisisobutyronitrile, dibenzyl, diacetyl, β-chloroanthraquinone, 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide, and the like.
이들 광중합 개시제는 단독으로, 또는 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.You may use these photoinitiators individually or in combination of 2 or more types.
광중합 개시제 (B22)의 함유량은, 수지막 형성용 시트의 경화 반응을 충분히 진행시킴과 함께, 잔류물의 생성을 억제하는 관점에서, 에너지선 반응성 화합물 (B21) 100질량부에 대하여 바람직하게는 0.1 내지 10질량부, 보다 바람직하게는 0.5 내지 8질량부, 더욱 바람직하게는 1 내지 5질량부이다.The content of the photopolymerization initiator (B22) is preferably 0.1 to 100 parts by mass of the energy ray-reactive compound (B21) from the viewpoint of sufficiently advancing the curing reaction of the sheet for forming a resin film and suppressing the formation of residues. 10 parts by mass, more preferably 0.5 to 8 parts by mass, still more preferably 1 to 5 parts by mass.
본 발명의 일 형태에 있어서, 수지막 형성용 시트 중의 경화성 성분 (B)의 함유량은, 수지막 형성용 시트의 전량(100질량%)에 대하여 바람직하게는 5 내지 50질량%, 보다 바람직하게는 8 내지 40질량%, 더욱 바람직하게는 10 내지 30질량%, 보다 더욱 바람직하게는 12 내지 25질량%이다.In one embodiment of the present invention, the content of the curable component (B) in the sheet for forming a resin film is preferably 5 to 50% by mass, more preferably 5 to 50% by mass, based on the total amount (100% by mass) of the sheet for forming a resin film. 8 to 40% by mass, more preferably 10 to 30% by mass, still more preferably 12 to 25% by mass.
또한 상기 「경화성 성분 (B)의 함유량」은, 상술한 에폭시 화합물 (B11), 열경화제 (B12) 및 경화 촉진제 (B13)을 포함하는 열경화성 성분 (B1), 그리고 에너지선 반응성 화합물 (B21) 및 광중합 개시제 (B22)를 포함하는 에너지선 경화성 성분 (B2)의 합계 함유량을 가리킨다.In addition, the "content of the curable component (B)" refers to the above-described epoxy compound (B11), the thermosetting component (B1) containing the thermosetting agent (B12) and the curing accelerator (B13), and the energy ray reactive compound (B21) and It refers to the total content of the energy ray-curable component (B2) containing the photopolymerization initiator (B22).
[충전재 (C)][Filling material (C)]
본 발명의 일 형태의 수지막 형성용 시트는 충전재 (C)를 포함하는 것이 바람직하다.The sheet for forming a resin film of one embodiment of the present invention preferably contains a filler (C).
충전재 (C)를 포함함으로써, 수지막 형성용 시트의 표면 (α)의 표면 조도 (Ra)를 상술한 범위로 조정하기 쉬워진다.By including the filler (C), it becomes easy to adjust the surface roughness (Ra) of the surface (α) of the sheet for forming a resin film within the above-mentioned range.
또한 충전재 (C)를 포함하는 수지막 형성용 시트는, 형성되는 수지막의 열팽창 계수를 적당한 범위로 조정하는 것이 가능해지고, 수지막을 갖는 칩의 열팽창 계수를 최적화함으로써, 당해 칩이 조립된 반도체 장치의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 또한 당해 수지막 형성용 시트로부터 형성되는 수지막의 흡습률을 저감시키는 것도 가능해진다.Further, in the sheet for forming a resin film containing the filler (C), the thermal expansion coefficient of the resin film to be formed can be adjusted within an appropriate range, and by optimizing the thermal expansion coefficient of a chip having the resin film, the semiconductor device in which the chip is assembled can be formed. Reliability can be improved. Furthermore, it becomes possible to reduce the moisture absorptivity of the resin film formed from the sheet for forming a resin film.
충전재 (C)로서는, 폴리메틸메타크릴레이트 필러, 고무계 입자 등의 유기 충전재, 그리고 실리카, 알루미나, 탈크, 탄산칼슘, 산화티타늄, 산화철, 탄화규소, 질화붕소 등의 분말, 이들을 구형화한 비즈, 단결정 섬유 및 유리 섬유 등의 무기 충전재를 들 수 있다.As the filler (C), organic fillers such as polymethyl methacrylate fillers and rubber particles, and powders such as silica, alumina, talc, calcium carbonate, titanium oxide, iron oxide, silicon carbide, boron nitride, and spherical beads, and inorganic fillers such as single crystal fibers and glass fibers.
이들 충전재 (C)는 단독으로, 또는 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.You may use these fillers (C) individually or in combination of 2 or more types.
이들 중에서도 수지막 형성용 시트가 열경화성인 경우에, 내열성이 우수하다는 등의 관점에서 무기 충전재가 바람직하고, 실리카 또는 알루미나가 보다 바람직하다.Among these, when the sheet for forming a resin film is thermosetting, inorganic fillers are preferred, and silica or alumina is more preferred, from the viewpoint of excellent heat resistance and the like.
본 발명의 일 형태에 있어서, 형성되는 수지막 형성용 시트의 표면 (α)의 표면 조도 (Ra)를 상기 범위로 용이하게 조정하는 관점에서, 충전재 (C)의 평균 입경은 바람직하게는 3 내지 20㎛, 보다 바람직하게는 5 내지 15㎛이다.In one aspect of the present invention, from the viewpoint of easily adjusting the surface roughness (Ra) of the surface (α) of the sheet for forming a resin film to be formed within the above range, the average particle diameter of the filler (C) is preferably 3 to 3. 20 μm, more preferably 5 to 15 μm.
평균 입경이 상기 범위인 충전재이면, 충전재 (C)의 함유량이 비교적 적은 경우에도, 형성되는 수지막 형성용 시트의 표면 (α)의 표면 조도 (Ra)를 상기 범위로 용이하게 조정할 수 있다.If the filler has an average particle diameter within the above range, the surface roughness (Ra) of the surface (α) of the sheet for forming a resin film formed can be easily adjusted within the above range even when the content of the filler (C) is relatively small.
그러나 충전재 (C)의 함유량을 비교적 많이 첨가하는 것이나, 후술하는 수지막 형성용 복합 시트의 구성으로 함으로써, 비교적 작은 평균 입경을 갖는 충전재 (C)를 사용하는 경우에 있어서도, 형성되는 수지막 형성용 시트의 표면 (α)의 표면 조도 (Ra)를 상기 범위로 조정할 수는 있다.However, even in the case of using a filler (C) having a relatively small average particle diameter, by adding a relatively large amount of the filler (C) or by configuring a composite sheet for forming a resin film described later, for forming a resin film formed The surface roughness (Ra) of the surface (α) of the sheet can be adjusted within the above range.
상기 경우에 있어서의, 충전재 (C)의 평균 입경으로서는 바람직하게는 100 내지 1000㎚, 보다 바람직하게는 200 내지 900㎚, 더욱 바람직하게는 200 내지 800㎚, 보다 더욱 바람직하게는 300 내지 750㎚, 보다 더욱 바람직하게는 400 내지 700㎚)이다.The average particle diameter of the filler (C) in the above case is preferably 100 to 1000 nm, more preferably 200 to 900 nm, even more preferably 200 to 800 nm, still more preferably 300 to 750 nm, more preferably 400 to 700 nm).
충전재 (C)의 평균 입경이 100㎚ 이상이면, 충전재 (C)의 함유량을 조정함으로써, 수지막 형성용 시트의 표면 (α)의 표면 조도 (Ra)를 상기 범위로 조정하기 쉽다.When the average particle diameter of the filler (C) is 100 nm or more, the surface roughness (Ra) of the surface (α) of the sheet for forming a resin film can be easily adjusted within the above range by adjusting the content of the filler (C).
또한 충전재 (C)의 평균 입경이 1000㎚ 이하이면 이하의 (1) 내지 (4)의 이점이 있다.Moreover, if the average particle diameter of a filler (C) is 1000 nm or less, there exist the following advantages (1)-(4).
(1) 수지막 형성용 시트의 표면 (α)를 실리콘 웨이퍼에 부착 후, 당해 수지막 형성용 시트로부터 형성된 수지막의 당해 실리콘 웨이퍼와는 반대측의 표면 (β')으로부터 측정한 글로스값을 높게 할 수 있다.(1) After attaching the surface α of the sheet for forming a resin film to a silicon wafer, the gloss value measured from the surface β′ on the opposite side to the silicon wafer of the resin film formed from the sheet for forming a resin film is to be increased. can
(2) 수지막 형성용 시트 및 상기 수지층의 적외선 등의 전자파의 투과성을 향상시키는 것이 용이해진다. 그 결과, 수지막 형성용 시트 및 수지층을 갖는 실리콘 웨이퍼나 칩 등에 대하여 전자파에 의한 검사를 행하는 경우에, 전자파의 투과성이 높기 때문에 검사 작업의 효율이 좋아진다.(2) It becomes easy to improve the permeability of the sheet for forming a resin film and the resin layer to electromagnetic waves such as infrared rays. As a result, in the case of performing an inspection by electromagnetic waves on a silicon wafer or chip having a sheet for forming a resin film and a resin layer, the efficiency of the inspection work is improved because of the high electromagnetic wave permeability.
(3) 수지막 형성용 시트 및 상기 수지막을 갖는 실리콘 웨이퍼에 레이저를 조사하는 프로세스에 있어서, 수지막 형성용 시트 및 수지막의 존재에 기인하여 레이저가 확산된다는 문제를 회피하기 쉬워진다.(3) In the process of irradiating the silicon wafer having the sheet for forming a resin film and the resin film with a laser, it is easy to avoid the problem that the laser diffuses due to the existence of the sheet for forming a resin film and the resin film.
(4) 예를 들어 20㎛ 이하의 두께가 얇은 수지막 형성용 시트를 제조할 때, 수지막 형성용 시트의 형성 재료인 조성물의 도포 공정에 있어서, 입경이 큰 충전재에 기인한 도막의 형성 불량 등의 폐해를 회피하기 쉽다.(4) When manufacturing a sheet for forming a resin film having a thin thickness of, for example, 20 μm or less, in the step of applying a composition that is a forming material for the sheet for forming a resin film, poor coating film formation due to a filler having a large particle size It is easy to avoid such harmful effects.
본 발명의 일 형태의 수지막 형성용 시트를 2종 이상의 조성물로부터 형성된 복층체로 하는 경우, 당해 수지막 형성용 시트의 표면 (α)측의 형성 재료인 조성물은, 상기 범위의 평균 입경의 충전재 (C)를 배합하여, 표면 (α)의 표면 조도 (Ra)를 조정하는 것이 바람직하다.When the sheet for forming a resin film of one embodiment of the present invention is a multilayer body formed from two or more types of compositions, the composition as a forming material on the surface (α) side of the sheet for forming a resin film is a filler having an average particle diameter within the above range ( C) is preferably blended to adjust the surface roughness (Ra) of the surface (α).
한편, 표면 (β)측의 형성 재료인 조성물은, 수지막 형성용 시트로부터 형성된 수지막의 당해 실리콘 웨이퍼와는 반대측의 표면 (β')으로부터 측정한 글로스값을 향상시키는 관점에서, 상술한 범위와는 상이한 작은 평균 입경을 갖는 충전재 (C')을 배합하는 것이 바람직하다.On the other hand, the composition as a forming material on the surface (β) side is within the above range from the viewpoint of improving the gloss value measured from the surface (β′) on the opposite side to the silicon wafer of the resin film formed from the sheet for forming a resin film. It is preferable to blend a filler (C') having a different small average particle diameter.
충전재 (C')의 평균 입경으로서는 통상 1 내지 400㎚, 바람직하게는 1 내지 250㎚, 보다 바람직하게는 1 내지 100㎚이다.The average particle diameter of the filler (C') is usually 1 to 400 nm, preferably 1 to 250 nm, and more preferably 1 to 100 nm.
또한 본 명세서에 있어서, 충전재 (C) 및 (C')의 평균 입경은, 동적 광 산란식 입도 분포계(Nanotrack Wave-UT151, 닛키소 가부시키가이샤 제조)를 사용하여 측정한 값을 의미한다.In addition, in this specification, the average particle diameter of filler (C) and (C') means the value measured using the dynamic light scattering type particle size distribution analyzer (Nanotrack Wave-UT151, manufactured by Nikkiso Co., Ltd.).
본 발명의 일 형태에 있어서, 수지막 형성용 시트 중의 충전재 (C)의 함유량은, 수지막 형성용 시트의 표면 (α)의 표면 조도 (Ra)를 상기 범위로 조정하는 관점, 및 당해 수지막 형성용 시트를 사용하여 제조되는 수지막을 갖는 칩의 신뢰성을 양호하게 하는 관점에서, 수지막 형성용 시트의 전량(100질량%)에 대하여 바람직하게는 10 내지 80질량%, 보다 바람직하게는 20 내지 70질량%, 더욱 바람직하게는 30 내지 65질량%, 보다 더욱 바람직하게는 40 내지 60질량%이다.In one embodiment of the present invention, the content of the filler (C) in the sheet for forming a resin film is adjusted from the viewpoint of adjusting the surface roughness (Ra) of the surface (α) of the sheet for forming a resin film to the above range, and the resin film It is preferably 10 to 80% by mass, more preferably 20 to 80% by mass, relative to the total amount (100% by mass) of the sheet for forming a resin film, from the viewpoint of improving the reliability of chips having a resin film produced using the forming sheet. 70% by mass, more preferably 30 to 65% by mass, still more preferably 40 to 60% by mass.
본 발명의 일 형태에 있어서, 수지막 형성용 시트 중의 중합체 성분 (A), 경화성 성분 (B) 및 충전재 (C)의 합계 함유량으로서는, 수지막 형성용 시트의 전량(100질량%)에 대하여 바람직하게는 60질량% 이상, 보다 바람직하게는 70질량% 이상, 더욱 바람직하게는 80질량% 이상, 보다 더욱 바람직하게는 90질량% 이상이다.In one embodiment of the present invention, the total content of the polymer component (A), the curable component (B), and the filler (C) in the sheet for forming a resin film is preferable relative to the total amount (100% by mass) of the sheet for forming a resin film. It is preferably 60% by mass or more, more preferably 70% by mass or more, even more preferably 80% by mass or more, and still more preferably 90% by mass or more.
[착색제 (D)][Colorant (D)]
본 발명의 일 형태의 수지막 형성용 시트는 착색제 (D)를 더 포함하고 있어도 된다.The sheet for forming a resin film of one embodiment of the present invention may further contain a colorant (D).
수지막 형성용 시트에 착색제 (D)를 함유함으로써, 수지막 형성용 시트로부터 형성되는 수지막을 갖는 반도체 칩을 기기에 조립했을 때, 반도체 웨이퍼의 연삭 시에 발생한 연삭흔이 시인되기 어렵게 하거나, 반도체 칩의 외관을 정돈하거나 할 수 있다.By including the coloring agent (D) in the sheet for forming a resin film, when a semiconductor chip having a resin film formed from the sheet for forming a resin film is assembled in a device, grinding marks generated during grinding of a semiconductor wafer are difficult to be visually recognized, and semiconductor chips The appearance of the chip can be tidied up.
착색제 (D)로서는 유기 또는 무기의 안료 및 염료를 사용할 수 있다.As the coloring agent (D), organic or inorganic pigments and dyes can be used.
염료로서는, 예를 들어 산성 염료, 반응 염료, 직접 염료, 분산 염료, 양이온 염료 등의 어느 염료도 사용하는 것이 가능하다.As a dye, it is possible to use any dye, such as an acid dye, a reactive dye, a direct dye, a disperse dye, and a cationic dye, for example.
또한 안료로서는 특별히 제한되지 않으며, 공지된 안료로부터 적절히 선택하여 사용할 수 있는데, 예를 들어 프탈로시아닌계 청색 안료, 이소인돌리논계 황색 안료 및 디케토피롤로피롤계 적색 안료나, 카본 블랙, 산화철, 이산화망간, 아닐린 블랙, 활성탄 등의 흑색 안료 등을 들 수 있다.In addition, the pigment is not particularly limited, and may be appropriately selected and used from known pigments. For example, phthalocyanine-based blue pigments, isoindolinone-based yellow pigments, and diketopyrrolopyrrole-based red pigments, carbon black, iron oxide, manganese dioxide, Black pigments, such as aniline black and activated carbon, etc. are mentioned.
이들 착색제 (D)는 단독으로, 또는 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.You may use these coloring agents (D) individually or in combination of 2 or more types.
또한 프탈로시아닌계 청색 안료, 이소인돌리논계 황색 안료 및 디케토피롤로피롤계 적색 안료를 혼합하여 사용함으로써, 적외 영역의 광선 투과성을 향상시키면서 가시광의 투과성이 낮은 수지막을 얻는 것이 용이하다.In addition, by mixing and using a phthalocyanine-based blue pigment, an isoindolinone-based yellow pigment, and a diketopyrrolopyrrole-based red pigment, it is easy to obtain a resin film having low visible light transmittance while improving light transmittance in the infrared region.
착색제 (D)의 평균 입경으로서는 바람직하게는 400㎚ 이하, 보다 바람직하게는 300㎚ 이하, 더욱 바람직하게는 200㎚ 이하, 보다 더욱 바람직하게는 100㎚ 이하고 또한 바람직하게는 10㎚ 이상, 보다 바람직하게는 20㎚ 이상이다.The average particle size of the colorant (D) is preferably 400 nm or less, more preferably 300 nm or less, even more preferably 200 nm or less, still more preferably 100 nm or less, and more preferably 10 nm or more, more preferably It is at least 20 nm.
본 발명의 일 형태에 있어서, 수지막 형성용 시트 중의 착색제 (D)의 함유량은, 수지막 형성용 시트의 전량(100질량%)에 대하여 바람직하게는 0.01 내지 20질량%, 보다 바람직하게는 0.05 내지 15질량%, 더욱 바람직하게는 0.1 내지 10질량%, 보다 더욱 바람직하게는 0.15 내지 5질량%이다.In one embodiment of the present invention, the content of the colorant (D) in the sheet for forming a resin film is preferably 0.01 to 20% by mass, more preferably 0.05% by mass, based on the total amount (100% by mass) of the sheet for forming a resin film. to 15% by mass, more preferably 0.1 to 10% by mass, still more preferably 0.15 to 5% by mass.
[커플링제 (E)][Coupling agent (E)]
본 발명의 일 형태의 수지막 형성용 시트는 커플링제 (E)를 더 포함하고 있어도 된다.The sheet for forming a resin film of one embodiment of the present invention may further contain a coupling agent (E).
커플링제 (E)를 포함함으로써, 얻어지는 수지막 형성용 시트로부터 형성되는 수지막의 내열성을 손상시키지 않으면서 내수성을 향상시킬 수도 있다. 또한 실리콘 웨이퍼와의 부착 후의 단부 밀착성의 향상에도 기여한다.Water resistance can also be improved by including a coupling agent (E), without impairing the heat resistance of the resin film formed from the obtained sheet|seat for resin film formation. It also contributes to the improvement of edge adhesion after attachment to a silicon wafer.
커플링제 (E)로서는, 성분 (A)나 성분 (B)가 갖는 관능기와 반응하는 화합물이 바람직하고, 실란 커플링제가 보다 바람직하다.As a coupling agent (E), the compound which reacts with the functional group which component (A) or component (B) has is preferable, and a silane coupling agent is more preferable.
실란 커플링제로서는, 예를 들어 γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필메틸디에톡시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, γ-(메타크릴옥시프로필)트리메톡시실란, γ-아미노프로필트리메톡시실란, N-6- (아미노에틸)-γ-아미노프로필트리메톡시실란, N-6-(아미노에틸)-γ-아미노프로필메틸디에톡시실란, N-페닐-γ-아미노프로필트리메톡시실란, γ-우레이도프로필트리에톡시실란, γ-머캅토프로필트리메톡시실란, γ-머캅토프로필메틸디메톡시실란, 비스(3-트리에톡시실릴프로필)테트라술판, 메틸트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리아세톡시실란, 이미다졸실란 등을 들 수 있다.Examples of the silane coupling agent include γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, β-(3,4-epoxycyclohexyl)ethyltrimethoxysilane, and γ-( Methacryloxypropyl)trimethoxysilane, γ-aminopropyltrimethoxysilane, N-6-(aminoethyl)-γ-aminopropyltrimethoxysilane, N-6-(aminoethyl)-γ-aminopropyl Methyldiethoxysilane, N-phenyl-γ-aminopropyltrimethoxysilane, γ-ureidopropyltriethoxysilane, γ-mercaptopropyltrimethoxysilane, γ-mercaptopropylmethyldimethoxysilane, bis( 3-triethoxysilylpropyl) tetrasulfane, methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, vinyltrimethoxysilane, vinyltriacetoxysilane, imidazolesilane and the like.
이들 커플링제 (E)는 단독으로, 또는 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.You may use these coupling agents (E) individually or in combination of 2 or more types.
커플링제 (E)로서는 올리고머 타입의 커플링제가 바람직하다.As the coupling agent (E), an oligomer type coupling agent is preferable.
올리고머 타입의 커플링제도 포함한 커플링제 (E)의 분자량으로서는 바람직하게는 100 내지 15000, 보다 바람직하게는 150 내지 10000, 더욱 바람직하게는 200 내지 5000, 보다 더욱 바람직하게는 250 내지 3000, 보다 더욱 바람직하게는 350 내지 2000이다.The molecular weight of the coupling agent (E) including the oligomer type coupling agent is preferably 100 to 15000, more preferably 150 to 10000, still more preferably 200 to 5000, still more preferably 250 to 3000, still more preferably Preferably it is 350 to 2000.
본 발명의 일 형태에 있어서, 수지막 형성용 시트 중의 커플링제 (E)의 함유량은, 수지막 형성용 시트의 전량(100질량%)에 대하여 바람직하게는 0.01 내지 3.0질량%, 보다 바람직하게는 0.03 내지 1.5질량%, 더욱 바람직하게는 0.05 내지 0.8질량%, 보다 더욱 바람직하게는 0.1 내지 0.3질량%이다.In one embodiment of the present invention, the content of the coupling agent (E) in the sheet for forming a resin film is preferably 0.01 to 3.0% by mass, more preferably 0.01 to 3.0% by mass relative to the total amount (100% by mass) of the sheet for forming a resin film. 0.03 to 1.5% by mass, more preferably 0.05 to 0.8% by mass, still more preferably 0.1 to 0.3% by mass.
[범용 첨가제 (F)][Universal additive (F)]
본 발명의 일 형태에서 사용하는 수지막 형성용 시트는, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서, 상기 성분 외에, 필요에 따라 범용 첨가제 (F)를 함유해도 된다.The sheet for forming a resin film used in one embodiment of the present invention may contain a general-purpose additive (F) as needed in addition to the above components within a range not impairing the effects of the present invention.
범용 첨가제 (F)로서는, 예를 들어 가교제, 가소제, 레벨링제, 대전 방지제, 산화 방지제, 이온 포착제, 게터링제, 연쇄 이동제 등을 들 수 있다.As a general purpose additive (F), a crosslinking agent, a plasticizer, a leveling agent, an antistatic agent, antioxidant, an ion trapping agent, a gettering agent, a chain transfer agent etc. are mentioned, for example.
본 발명의 일 형태의 수지막 형성용 시트 중의 이들 범용 첨가제 (F)의 각각의 함유량은, 수지막 형성용 시트의 전량(100질량%)에 대하여 바람직하게는 0 내지 10질량%, 보다 바람직하게는 0 내지 5질량%, 더욱 바람직하게는 0 내지 2질량%이다.The content of each of these general-purpose additives (F) in the sheet for forming a resin film of one embodiment of the present invention is preferably 0 to 10% by mass, more preferably 0 to 10% by mass, based on the total amount (100% by mass) of the sheet for forming a resin film. is 0 to 5% by mass, more preferably 0 to 2% by mass.
<수지막 형성용 시트의 제조 방법><Method for producing sheet for forming resin film>
본 발명의 수지막 형성용 시트의 제조 방법으로서는 특별히 제한은 없으며, 공지된 방법에 의하여 제조할 수 있다.There is no particular restriction on the manufacturing method of the sheet for forming a resin film of the present invention, and it can be manufactured by a known method.
예를 들어 수지막 형성용 시트의 형성 재료가 되는, 상술한 각 성분을 포함하는 수지막 형성용 조성물을 조제한 후, 적절히 유기 용매를 첨가하여 희석하여 수지막 형성용 조성물의 용액을 얻는다. 그리고 당해 수지막 형성용 조성물의 용액을 후술하는 지지체 상에 공지된 도포 방법에 의하여 도포하여 도막을 형성하고, 해당 도막을 건조시킴으로써, 수지막 형성용 시트를 제조할 수 있다.For example, after preparing a composition for forming a resin film containing each of the components described above, which is a material for forming a sheet for forming a resin film, it is appropriately added and diluted with an organic solvent to obtain a solution of the composition for forming a resin film. Then, a sheet for forming a resin film can be manufactured by applying a solution of the composition for forming a resin film to a support described later by a known coating method to form a coating film, and drying the coating film.
또한 얻어지는 수지막 형성용 시트의 표면 (α)의 표면 조도 (Ra)를 상술한 범위로 조정하는 관점에서, 수지막 형성용 시트의 제조 방법으로서는, 수지막 형성용 시트의 형성 재료인 수지막 형성용 조성물을, 표면 조도 (Ra)가 40㎚ 이상인 표면을 갖는 지지체의 당해 표면 상에 도포하여 도막을 형성하고, 당해 도막을 건조하는 공정을 갖는 것이 바람직하다.Further, from the viewpoint of adjusting the surface roughness (Ra) of the surface (α) of the obtained sheet for forming a resin film to the range described above, as a method for producing a sheet for forming a resin film, a resin film forming material for forming a sheet for forming a resin film is formed. It is preferable to include a step of applying the composition for use on the surface of a support having a surface having a surface roughness (Ra) of 40 nm or more to form a coating film, and drying the coating film.
상기 수지막 형성용 조성물은, 적절히 용매를 첨가하여 희석하여, 수지막 형성용 조성물의 용액 형태로 해도 된다.The composition for forming a resin film may be appropriately diluted by adding a solvent to form a solution form of the composition for forming a resin film.
또한 상기 지지체가 갖는 당해 표면의 표면 조도 (Ra)로서는 바람직하게는 40㎚ 이상, 보다 바람직하게는 70㎚ 이상, 더욱 바람직하게는 100㎚ 이상, 보다 더욱 바람직하게는 200㎚ 이상, 보다 더욱 바람직하게는 300㎚ 이상이고, 또한, 바람직하게는 1000㎚ 이하, 보다 바람직하게는 800㎚ 이하, 더욱 바람직하게는 500㎚ 이하이다.The surface roughness (Ra) of the surface of the support is preferably 40 nm or more, more preferably 70 nm or more, even more preferably 100 nm or more, even more preferably 200 nm or more, still more preferably is 300 nm or more, and is preferably 1000 nm or less, more preferably 800 nm or less, still more preferably 500 nm or less.
또한 본 발명의 일 형태의 수지막 형성용 시트가 복층체인 경우, 당해 수지막 형성용 시트의 제조 방법으로서는, 예를 들어 2개 이상의 지지체 상에, 각각 수지막 형성용 조성물의 용액을 도포하여 도막을 형성하고, 당해 도막을 접합하여 도막을 적층하고 나서, 건조시키는 공정을 갖는 제조 방법이어도 된다.In the case where the sheet for forming a resin film of one embodiment of the present invention is a multilayer body, as a method for manufacturing the sheet for forming a resin film, for example, a solution of a composition for forming a resin film is applied onto two or more supports, respectively, to form a coating film. It may be a manufacturing method including a step of forming, laminating the coating films by bonding the coating films, and then drying them.
수지막 형성용 조성물의 용액 조제에 사용하는 유기 용매로서는, 예를 들어 톨루엔, 아세트산에틸, 메틸에틸케톤 등을 들 수 있다.As an organic solvent used for solution preparation of the composition for resin film formation, toluene, ethyl acetate, methyl ethyl ketone etc. are mentioned, for example.
유기 용매를 배합한 경우의 수지막 형성용 조성물의 용액의 고형분 농도는 바람직하게는 10 내지 80질량%, 보다 바람직하게는 20 내지 70질량%, 더욱 바람직하게는 30 내지 65질량%이다.The solid content concentration of the solution of the composition for forming a resin film when an organic solvent is blended is preferably 10 to 80% by mass, more preferably 20 to 70% by mass, still more preferably 30 to 65% by mass.
도포 방법으로서는, 예를 들어 스핀 코트법, 스프레이 코트법, 바 코트법, 나이프 코트법, 롤 코트법, 롤 나이프 코트법, 블레이드 코트법, 다이 코트법, 그라비아 코트법 등을 들 수 있다.Examples of the coating method include spin coating, spray coating, bar coating, knife coating, roll coating, roll knife coating, blade coating, die coating, and gravure coating.
<수지막 형성용 시트의 용도><Use of Sheet for Forming Resin Film>
본 발명의 일 형태의 수지막 형성용 시트는, 페이스 다운 방식의 칩용 반도체 웨이퍼나 반도체 칩 등의 실리콘 웨이퍼 등의 워크의 이면에 부착되어, 워크 상에 수지막을 형성할 수 있다. 이 수지막은, 반도체 웨이퍼나 반도체 칩 등의 워크의 이면을 보호하는 보호막으로서의 기능을 갖는다. 예를 들어 반도체 웨이퍼에 부착했을 경우에는, 수지막이 웨이퍼를 보강하는 기능을 갖기 때문에 웨이퍼의 파손 등을 방지할 수 있다.The sheet for forming a resin film of one embodiment of the present invention can be applied to the back surface of a work such as a face-down type semiconductor wafer for chips or a silicon wafer such as a semiconductor chip to form a resin film on the work. This resin film has a function as a protective film that protects the back surface of a work such as a semiconductor wafer or semiconductor chip. For example, when attached to a semiconductor wafer, since the resin film has a function of reinforcing the wafer, damage or the like of the wafer can be prevented.
즉, 본 발명의 일 형태의 수지막 형성용 시트는, 실리콘 웨이퍼 상에 보호막을 형성하기 위한 보호막 형성용 시트인 것이 바람직하다.That is, it is preferable that the sheet for forming a resin film of one embodiment of the present invention is a sheet for forming a protective film for forming a protective film on a silicon wafer.
또한 본 발명의 일 형태의 수지막 형성용 시트로부터 형성되는 수지막은 접착 시트로서의 기능도 부여할 수 있다. 즉, 본 발명의 일 형태의 수지막 형성용 시트를 사용하여 형성된 수지막이 접착막으로서의 기능을 갖는 경우, 당해 수지막을 갖는 칩은, 다이 패드부 또는 다른 반도체 칩 등의 다른 부재 상(칩 탑재부 상)에 접착할 수 있어, 반도체 장치를 제조하기 위한 생산성의 향상에 기여할 수 있다.In addition, the resin film formed from the sheet for forming a resin film of one embodiment of the present invention can also function as an adhesive sheet. That is, when the resin film formed using the sheet for forming a resin film of one embodiment of the present invention has a function as an adhesive film, the chip having the resin film is placed on another member such as a die pad portion or another semiconductor chip (on a chip mounting portion). ), and can contribute to improving productivity for manufacturing semiconductor devices.
즉, 본 발명의 일 형태의 수지막 형성용 시트는, 실리콘 웨이퍼 상에 접착막을 형성하기 위한 접착막 형성용 시트로 할 수도 있다.That is, the sheet for forming a resin film of one embodiment of the present invention can also be used as a sheet for forming an adhesive film for forming an adhesive film on a silicon wafer.
〔수지막 형성용 복합 시트의 구성〕[Configuration of Composite Sheet for Forming Resin Film]
본 발명의 수지막 형성용 복합 시트(이하, 간단히 「복합 시트」라고도 함)는 본 발명의 수지막 형성용 시트와, 지지체를 갖는다.The composite sheet for forming a resin film of the present invention (hereinafter, simply referred to as "composite sheet") includes the sheet for forming a resin film of the present invention and a support.
또한 본 발명의 일 형태의 복합 시트의 형태에 대해서는 특별히 제한은 없으며, 예를 들어 긴 테이프 형상, 단엽의 라벨 등의 형태여도 된다.The shape of the composite sheet of one embodiment of the present invention is not particularly limited, and may be, for example, a long tape shape or a single sheet label.
도 1은, 본 발명의 일 형태의 수지막 형성용 복합 시트의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a composite sheet for forming a resin film of one embodiment of the present invention.
본 발명의 일 형태의 복합 시트로서는, 도 1의 (a)에 도시한 바와 같은, 지지체(11) 상에 수지막 형성용 시트(10)가 직접 적층된 구성을 갖는 복합 시트(1a)를 들 수 있다.As a composite sheet of one embodiment of the present invention, as shown in Fig. 1 (a), a
본 발명의 일 형태의 복합 시트의 수지막 형성용 시트(10)의 형상으로서는, 피착체인 실리콘 웨이퍼와 대략 동일한 형상 또는 실리콘 웨이퍼의 형상을 포함할 수 있는 형상이면 된다.The shape of the
또한 도 1 (a)의 복합 시트(1a)는, 지지체(11)와 수지막 형성용 시트(10)가 대략 동일한 형상이지만, 도 1의 (b)에 도시한 바와 같이, 수지막 형성용 시트(10)의 형상이, 지지체(11)의 형상보다도 작은 복합 시트(1b)여도 된다.In the
또한 본 발명의 일 형태의 복합 시트로서는, 도 1의 (c)에 도시한 바와 같이, 링 형상의 지그 접착층(12)을 갖는 복합 시트(1c)를 들 수 있다.As a composite sheet of one embodiment of the present invention, as shown in Fig. 1(c), a
링 형상의 지그 접착층(12)은, 링 프레임 등의 지그와 접착할 때 당해 지그에 대한 접착력을 향상시킬 목적으로 설치되는 것이며, 기재(코어재)를 갖는 양면 점착 시트나, 점착제로부터 형성할 수 있다.The ring-shaped jig
또한 도 1의 (c)에 도시된 복합 시트(1c)에서는, 도 1 (a)의 복합 시트(1a)에 대하여 지그 접착층(12)을 더 설치한 구성을 나타내고 있는데, 본 발명의 일 형태의 복합 시트로서는, 도 1의 (b)의 복합 시트(1b)의 지지체(11)의 면 상에, 지그 접착층(12)을 설치한 구성의 복합 시트도 들 수 있다.Further, in the
본 발명의 일 형태의 복합 시트로서는, 도 1의 (d)에 도시한 바와 같이, 수지막 형성용 시트(10)가 2개의 지지체(11, 11')에 협지된 구성을 갖는 복합 시트(1d)로 해도 된다.As a composite sheet of one embodiment of the present invention, as shown in FIG. ) can be done.
또한 복합 시트(1d)의 구성과 마찬가지로, 도 1의 (b)의 복합 시트(1b)의 표출하고 있는 수지막 형성용 시트(10)의 면 상에, 지지체(11)와는 다른 지지체를 설치해도 된다.Similarly to the configuration of the
또한 마찬가지로, 도 1의 (c)에 도시하는 복합 시트(1c)의 수지막 형성용 시트(10)의 면 상 및 지그 접착층(12)의 면 상에, 지지체(11)와는 다른 지지체를 설치해도 된다.Similarly, even if a support body different from the
<지지체><support>
본 발명의 일 형태의 복합 시트가 갖는 지지체는, 수지막 형성용 시트의 표면에 먼지 등의 부착을 방지하는 박리 시트, 또는 다이싱 공정 등에서 수지막 형성용 시트의 표면을 보호하기 위한 다이싱 시트 등의 역할을 하는 것이다.The support of the composite sheet of one embodiment of the present invention is a release sheet for preventing adhesion of dust or the like to the surface of the sheet for forming a resin film, or a dicing sheet for protecting the surface of the sheet for forming a resin film in a dicing step or the like. etc. will play a role.
본 발명에서 사용하는 지지체는, 수지 필름을 갖는 구성인 것이 바람직하다.It is preferable that the support body used by this invention has a structure which has a resin film.
당해 수지 필름으로서는, 예를 들어 저밀도 폴리에틸렌(LDPE) 필름이나 직쇄 저밀도 폴리에틸렌(LLDPE) 필름 등의 폴리에틸렌 필름, 에틸렌·프로필렌 공중합체 필름, 폴리프로필렌 필름, 폴리부텐 필름, 폴리부타디엔 필름, 폴리메틸펜텐 필름, 폴리염화비닐 필름, 염화비닐 공중합체 필름, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리에틸렌나프탈레이트 필름, 폴리부틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리우레탄 필름, 에틸렌·아세트산비닐 공중합체 필름, 아이오노머 수지 필름, 에틸렌·(메트)아크릴산 공중합체 필름, 에틸렌·(메트)아크릴산에스테르 공중합체 필름, 폴리스티렌 필름, 폴리카르보네이트 필름, 폴리이미드 필름, 불소 수지 필름 등을 들 수 있다.Examples of the resin film include polyethylene films such as low-density polyethylene (LDPE) films and linear low-density polyethylene (LLDPE) films, ethylene-propylene copolymer films, polypropylene films, polybutene films, polybutadiene films, and polymethylpentene films. , polyvinyl chloride film, vinyl chloride copolymer film, polyethylene terephthalate film, polyethylene naphthalate film, polybutylene terephthalate film, polyurethane film, ethylene/vinyl acetate copolymer film, ionomer resin film, ethylene/(meth) ) An acrylic acid copolymer film, an ethylene/(meth)acrylic acid ester copolymer film, a polystyrene film, a polycarbonate film, a polyimide film, a fluororesin film, and the like.
본 발명의 일 형태에서 사용하는 기재는, 1종의 수지 필름을 포함하는 단층 필름이어도 되고, 2종 이상의 수지 필름을 적층한 적층 필름이어도 된다.The substrate used in one embodiment of the present invention may be a single-layer film made of one type of resin film or a laminated film obtained by laminating two or more types of resin films.
또한 상기 수지 필름은 가교 필름이어도 된다.Moreover, the said resin film may be a crosslinked film.
또한 이들 수지 필름을 착색한 것, 또는 인쇄를 실시한 것 등도 사용할 수 있다.Moreover, those to which these resin films were colored or printed can also be used.
또한 수지 필름은, 열가소성 수지를 압출 성형에 의하여 시트화한 것이어도 되고, 연신된 것이어도 되며, 경화성 수지를 소정 수단에 의하여 박막화 및 경화시켜 시트화한 것이 사용되어도 된다.In addition, the resin film may be a sheet formed by extrusion molding of a thermoplastic resin, or may be stretched, or a sheet formed by thinning and curing a curable resin by a predetermined means may be used.
이들 수지 필름 중에서도, 내열성이 우수하고, 또한 적당한 유연성을 갖기 때문에 익스팬드 적성을 갖고, 픽업 적성도 유지되기 쉽다는 관점에서, 폴리프로필렌 필름을 포함하는 기재가 바람직하다.Among these resin films, a base material made of a polypropylene film is preferable from the viewpoint of being excellent in heat resistance, having appropriate flexibility, having expandability, and being easy to maintain pick-up properties.
또한 폴리프로필렌 필름을 포함하는 기재의 구성으로서는, 폴리프로필렌 필름만을 포함하는 단층 구조여도 되고, 폴리프로필렌 필름과 다른 수지 필름을 포함하는 복층 구조여도 된다.Moreover, as a structure of the base material containing a polypropylene film, a single-layer structure containing only a polypropylene film may be sufficient, and a multi-layer structure containing a polypropylene film and another resin film may be sufficient.
수지막 형성용 시트가 열경화성인 경우, 기재를 구성하는 수지 필름이 내열성을 가짐으로써, 기재의 열에 의한 손상을 억제하여, 반도체 장치의 제조 프로세스에 있어서의 문제의 발생을 억제할 수 있다.When the sheet for forming a resin film is thermosetting, the resin film constituting the base material has heat resistance, so that the base material is prevented from being damaged by heat, and problems in the manufacturing process of the semiconductor device can be suppressed.
지지체를, 수지막 형성용 시트의 표면에 먼지 등의 부착을 방지하는 박리 시트로서 사용하는 경우, 당해 지지체로서는, 실리콘 웨이퍼와의 부착 시나 다이싱 공정 시에 용이하게 수지막 형성용 시트로부터 박리할 수 있는 수지 필름이 바람직하다.When the support is used as a release sheet for preventing adhesion of dust or the like to the surface of the sheet for forming a resin film, the support can be easily peeled off from the sheet for forming a resin film when attached to a silicon wafer or during a dicing step. A resin film that can be used is preferred.
또한 당해 지지체로서는, 상술한 수지 필름의 표면에 박리 처리를 실시한 수지 필름을 사용해도 된다.Moreover, as the said support body, you may use the resin film which performed the peeling process on the surface of the above-mentioned resin film.
당해 박리 처리의 방법으로서는, 상술한 수지 필름의 표면 상에, 박리제로부터 형성한 박리막을 설치하는 방법이 바람직하다.As a method of the said peeling treatment, the method of providing the peeling film formed from the peeling agent on the surface of the above-mentioned resin film is preferable.
당해 박리제로서는, 예를 들어 아크릴계 수지, 알키드계 수지, 실리콘계 수지, 불소계 수지, 불포화 폴리에스테르계 수지, 폴리올레핀계 수지, 왁스계 수지 등으로부터 선택되는 수지를 포함하는 박리제 등을 들 수 있다.Examples of the release agent include release agents containing resins selected from acrylic resins, alkyd resins, silicone resins, fluorine resins, unsaturated polyester resins, polyolefin resins, and wax resins.
지지체를, 다이싱 공정 등에서 수지막 형성용 시트를 고정하기 위한 다이싱 시트로서 사용하는 경우, 당해 지지체로서는, 상술한 수지 필름 상에, 점착제로부터 형성된 점착제층을 갖는 점착 시트가 바람직하다.When the support is used as a dicing sheet for fixing the sheet for forming a resin film in a dicing step or the like, the support is preferably an adhesive sheet having an adhesive layer formed of an adhesive on the resin film described above.
당해 점착제에 포함되는 점착성 수지로서는, 점착성 수지의 구조에 착안했을 경우, 예를 들어 아크릴계 수지, 우레탄계 수지, 고무계 수지, 실리콘계 수지, 비닐에테르계 수지 등을 들 수 있고, 기능에 착안했을 경우, 예를 들어 에너지선 경화형 수지 등을 들 수 있다.Examples of the adhesive resin included in the adhesive include acrylic resins, urethane resins, rubber resins, silicone resins, and vinyl ether resins when focusing on the structure of the adhesive resin, and when focusing on the function, examples For example, an energy ray curing type resin etc. are mentioned.
본 발명의 일 형태에 있어서, 픽업성을 양호하게 하는 관점에서, 에너지선 경화형 수지를 포함하는 점착제가 바람직하다.In one aspect of the present invention, a pressure-sensitive adhesive containing an energy ray curable resin is preferable from the viewpoint of improving pickup properties.
지지체의 두께로서는, 용도에 따라 적절히 선택되지만, 바람직하게는 10 내지 500㎛, 보다 바람직하게는 20 내지 350㎛, 더욱 바람직하게는 30 내지 200㎛이다.The thickness of the support is appropriately selected depending on the intended use, but is preferably 10 to 500 μm, more preferably 20 to 350 μm, still more preferably 30 to 200 μm.
또한 상기 지지체의 두께에는, 지지체를 구성하는 수지 필름의 두께뿐만 아니라, 점착제층 또는 박리막을 갖는 경우에는, 당해 점착제층 또는 박리막의 두께도 포함한다.In addition, the thickness of the said support body includes not only the thickness of the resin film which comprises a support body, but also the thickness of the said adhesive layer or release film, when it has an adhesive layer or a release film.
<지그 접착층><Jig adhesive layer>
지그 접착층은, 기재(코어재)를 갖는 양면 점착 시트나, 점착제를 포함하는 점착제 조성물로부터 형성할 수 있다.The jig adhesive layer can be formed from a double-sided pressure-sensitive adhesive sheet having a substrate (core material) or an adhesive composition containing an adhesive.
당해 기재(코어재)로서는, 상술한 기재로서 사용할 수 있는 수지 필름을 들 수 있으며, 폴리프로필렌 필름이 바람직하다.Examples of the base material (core material) include resin films that can be used as the base material described above, and a polypropylene film is preferable.
또한 상기 점착제로서는, 예를 들어 아크릴계 수지, 우레탄계 수지, 고무계 수지, 실리콘계 수지, 비닐에테르계 수지 등을 들 수 있다.Moreover, as said adhesive, acrylic resin, urethane type resin, rubber type resin, silicone type resin, vinyl ether type resin etc. are mentioned, for example.
지그 접착층의 두께는 바람직하게는 1 내지 80㎛, 보다 바람직하게는 5 내지 60㎛, 더욱 바람직하게는 10 내지 40㎛이다.The thickness of the jig adhesive layer is preferably 1 to 80 μm, more preferably 5 to 60 μm, still more preferably 10 to 40 μm.
〔본 발명의 다른 형태의 수지막 형성용 복합 시트〕[Composite sheet for forming a resin film of another embodiment of the present invention]
본 발명의 다른 형태로서, 이하의 수지막 형성용 복합 시트(이하, 「복합 시트 (1)」이라고도 함)를 들 수 있다.As another embodiment of the present invention, the following composite sheet for forming a resin film (hereinafter also referred to as "composite sheet 1") is exemplified.
본 발명의 일 형태인 복합 시트 (1)은 실리콘 웨이퍼에 부착되어, 당해 실리콘 웨이퍼 상에 수지막을 형성하기 위한 수지막 형성용 시트와, 지지체 (Ⅰ)을 갖는 것이며, 상술한 도 1에 도시하는 복합 시트(1a 내지 1d)와 동일한 구성이다.A composite sheet 1, which is one embodiment of the present invention, has a sheet for forming a resin film for forming a resin film on a silicon wafer by being attached to a silicon wafer, and a support body (I), as shown in FIG. 1 described above. It is the same structure as the
단, 복합 시트 (1)은, 실리콘 웨이퍼와 부착되는 측의 상기 수지막 형성용 시트의 표면 (α)와, 표면 조도가 40㎚ 이상인 지지체 (Ⅰ)의 표면 (ⅰ)이 직접 적층된 구성을 갖는다.However, the composite sheet 1 has a configuration in which the surface (α) of the sheet for forming a resin film on the side to be adhered to the silicon wafer and the surface (i) of the support body (I) having a surface roughness of 40 nm or more are directly laminated. have
복합 시트 (1)로부터 지지체 (Ⅰ)을 제거했을 때 표출되는 상기 수지막 형성용 시트의 표면 (α)에는, 지지체 (Ⅰ)의 표면 (ⅰ) 상에 형성된 표면 조도 (Ra)가 40㎚ 이상인 요철이 동일한 정도로, 또는 지지체 (Ⅰ)의 표면 (ⅰ) 상에 형성된 표면 조도 (Ra)보다도 작은 표면 조도 (Ra)를 나타내도록, 이행되는 것으로 생각된다.On the surface (α) of the sheet for forming a resin film exposed when the support (I) is removed from the composite sheet (1), the surface roughness (Ra) formed on the surface (i) of the support (I) is 40 nm or more. It is considered that the unevenness is transferred to the same degree or to show a surface roughness (Ra) smaller than the surface roughness (Ra) formed on the surface (i) of the support (I).
그 때문에, 복합 시트 (1)로부터 지지체 (Ⅰ)을 제거한 후의 수지막 형성용 시트의 표면 (α)의 표면 조도 (Ra)는 리워크성의 개선 효과가 발휘될 정도의 소정값 이상이라고 생각되며, 상술한 본 발명의 수지막 형성용 시트와 마찬가지로 리워크성의 개선 효과를 갖는다.Therefore, it is considered that the surface roughness (Ra) of the surface (α) of the sheet for forming a resin film after removing the support (I) from the composite sheet (1) is a predetermined value or more to the extent that the effect of improving the reworkability is exhibited, It has the effect of improving reworkability similarly to the sheet for forming a resin film of the present invention described above.
본 발명의 일 형태인 복합 시트 (1)이 갖는 수지막 형성용 시트는 열경화성을 갖고 있는 것이 바람직하다.It is preferable that the sheet for forming a resin film included in the composite sheet 1 of one embodiment of the present invention has thermosetting properties.
열경화성을 갖는 수지막 형성용 시트이면, 당해 수지막 형성용 시트를 실리콘 웨이퍼에 부착한 후의 가열 공정에 있어서, 수지막 형성용 시트의 표면 (α)의 요철 형상이 변형되기 쉽고, 실리콘 웨이퍼와의 계면에, 수지막 형성용 시트의 표면 (α)의 요철 형상에 기인한 공극이 발생하기 어렵다. 그 결과, 실리콘 웨이퍼 상에 형성된 수지막에 있어서, 당해 공극에 기인한 광선의 산란을 억제할 수 있어, 육안이나 적외선 등의 전자파에 의하여, 수지막을 갖는 실리콘 웨이퍼나 칩의 검사 등의 관찰이 용이해진다.In the case of a sheet for forming a resin film having thermosetting properties, in the heating step after attaching the sheet for forming a resin film to a silicon wafer, the concavo-convex shape of the surface α of the sheet for forming a resin film is easily deformed, and At the interface, voids due to the uneven shape of the surface α of the sheet for forming a resin film are less likely to occur. As a result, in the resin film formed on the silicon wafer, scattering of light due to the void can be suppressed, and observation, such as inspection, of the silicon wafer or chip having the resin film can be easily performed with the naked eye or electromagnetic waves such as infrared rays. It happens.
본 발명의 일 형태인 복합 시트 (1)이 갖는 수지막 형성용 시트는, 열경화성을 부여하는 관점에서, 상술한 열경화성 성분 (B1)을 함유하는 것이 바람직하다.The sheet for forming a resin film included in the composite sheet 1 of one embodiment of the present invention preferably contains the thermosetting component (B1) described above from the viewpoint of imparting thermosetting properties.
복합 시트 (1)이 갖는 지지체 (Ⅰ)을 제거한 후의 수지막 형성용 시트의 표면 조도 (Ra)로서는 바람직하게는 40㎚ 이상, 보다 바람직하게는 45㎚ 이상, 더욱 바람직하게는 50㎚ 이상, 보다 더욱 바람직하게는 53㎚ 이상, 보다 더욱 바람직하게는 55㎚ 이상이고, 또한, 바람직하게는 200㎚ 이하, 보다 바람직하게는 150㎚ 이하, 더욱 바람직하게는 100㎚ 이하이다.The surface roughness (Ra) of the sheet for forming a resin film after removing the support (I) of the composite sheet (1) is preferably 40 nm or more, more preferably 45 nm or more, still more preferably 50 nm or more It is more preferably 53 nm or more, still more preferably 55 nm or more, and is also preferably 200 nm or less, more preferably 150 nm or less, still more preferably 100 nm or less.
또한 지지체 (Ⅰ)의 표면 (ⅰ)의 표면 조도 (Ra)로서는 바람직하게는 40㎚ 이상, 보다 바람직하게는 70㎚ 이상, 더욱 바람직하게는 100㎚ 이상, 보다 더욱 바람직하게는 200㎚ 이상, 보다 더욱 바람직하게는 300㎚ 이상이고, 또한, 바람직하게는 1000㎚ 이하, 보다 바람직하게는 800㎚ 이하, 더욱 바람직하게는 500㎚ 이하이다.The surface roughness (Ra) of the surface (i) of the support (I) is preferably 40 nm or more, more preferably 70 nm or more, even more preferably 100 nm or more, still more preferably 200 nm or more More preferably, it is 300 nm or more, and is also preferably 1000 nm or less, more preferably 800 nm or less, and still more preferably 500 nm or less.
복합 시트 (1)이 갖는 지지체 (Ⅰ)로서는, 표면 조도 (Ra)가 상기 범위가 되도록 표면 처리되고, 박리 가능한 지지체이면 특별히 제한은 없지만, 종이 또는 수지 필름으로 구성되어 있는 것이 바람직하고, 진애의 발생 가능성을 저감시키는 관점에서 수지 필름으로 구성되어 있는 것이 보다 바람직하다.The support (I) of the composite sheet 1 is not particularly limited as long as it has been surface-treated so that the surface roughness (Ra) falls within the above range and can be peeled off. It is more preferable to be comprised of a resin film from a viewpoint of reducing the possibility of occurrence.
지지체 (Ⅰ)의 표면 (ⅰ)의 표면 조도 (Ra)를 조정하는 방법으로서는, 예를 들어 지지체 (Ⅰ)을 구성하는 수지 필름 중에 충전재를 함유하는 방법이나, 충전재를 포함하는 박리제로부터 형성된 박리막을 형성하는 방법 등을 들 수 있다.As a method of adjusting the surface roughness (Ra) of the surface (i) of the support (I), for example, a method of containing a filler in the resin film constituting the support (I), or a release film formed from a release agent containing a filler The method of formation etc. are mentioned.
또한 지지체 (Ⅰ)이, 용융 압출에 의하여 제조되는 수지 필름으로 구성되어 있는 경우, 용융된 수지를 거친 표면 형상의 롤 상에 사출하여, 표면 조도 (Ra)를 상기 범위로 조정한 수지 필름으로 해도 된다.In addition, when the support body (I) is composed of a resin film produced by melt extrusion, it is also possible to obtain a resin film having a surface roughness (Ra) adjusted to the above range by injecting molten resin onto a roll having a rough surface shape. do.
그 외에, 지지체 (Ⅰ)의 형성 재료로서, 종이나 부직포 등의 그의 성질상 표면이 거칠어지는 재료를 사용하여, 지지체 (Ⅰ)의 표면 (ⅰ)의 표면 조도 (Ra)를 조정해도 된다.Alternatively, the surface roughness (Ra) of the surface (i) of the support (I) may be adjusted by using a material having a rough surface due to its nature, such as paper or nonwoven fabric, as a material for forming the support (I).
또한 복합 시트 (1)은 도 1의 (d)에 도시하는 복합 시트(1d)와 같이, 수지막 형성용 시트의 표면 (α)와는 반대측의 표면 (β) 상에, 추가로 제2 지지체 (Ⅱ)가 직접 적층된 구성을 갖는 복합 시트로 해도 된다.In the composite sheet 1, like the
이 복합 시트가 갖는 수지막 형성용 시트는 열경화성을 갖는 것이 바람직하다. 그 때문에, 당해 수지막 형성용 시트는, 상술한 열경화성 성분 (B1)을 함유하는 것이 바람직하다.The sheet for forming a resin film of this composite sheet preferably has thermosetting properties. Therefore, it is preferable that the sheet for forming a resin film contains the thermosetting component (B1) described above.
또한 도 1의 (d)에 도시한 바와 같이, 수지막 형성용 시트가 지지체 (Ⅰ) 및 지지체 (Ⅱ)로 협지된 구성을 갖는 복합 시트 (1)에 있어서, 수지막 형성용 시트의 표면 (α)를 실리콘 웨이퍼에 부착 후, 지지체 (Ⅱ)를 박리하지 않고, 당해 지지체 (Ⅱ)와 수지막 형성용 시트가 적층된 상태에서, 당해 수지막 형성용 시트를 열경화시켜, 형성된 수지막의 당해 실리콘 웨이퍼와는 반대측의 표면 (β')으로부터 측정한 글로스값은, 높아지는 경향이 있다. 당해 글로스값은, 지지체 (Ⅱ)를 갖지 않는 복합 시트를 사용하여 형성한 수지막의 표면 (β')의 글로스값이나, 지지체 (Ⅱ)를 박리하여, 수지막 형성용 시트의 표면 (β)를 표출시킨 상태에서 열경화시켜 형성한 수지막의 표면 (β')의 글로스값보다도 높아진다.Further, as shown in FIG. 1(d), in the composite sheet 1 having a structure in which the sheet for forming a resin film is sandwiched by a support body (I) and a support body (II), the surface of the sheet for forming a resin film ( After attaching α) to a silicon wafer, the resin film forming sheet is thermally cured in a state in which the support body (II) and the sheet for forming a resin film are laminated without peeling the support body (II), and the formed resin film The gloss value measured from the surface (β') on the opposite side to the silicon wafer tends to be high. The gloss value is the gloss value of the surface (β') of the resin film formed using the composite sheet having no support (II), and the surface (β) of the sheet for forming a resin film by peeling the support (II). It is higher than the gloss value of the surface (β') of the resin film formed by thermosetting in the exposed state.
즉, 예를 들어 충전재 (C)로서 평균 입경이 큰 충전재를 사용한 것 등에 기인하여 수지막의 표면 (β')의 글로스값이 낮아지는 경우에도, 복합 시트 (1)을 실리콘 웨이퍼에 부착 후, 지지체 (Ⅱ)를 박리하지 않고, 당해 지지체 (Ⅱ)와 수지막 형성용 시트가 적층된 상태에서, 당해 수지막 형성용 시트를 열경화시킴으로써, 레이저 인자의 시인성이 높은 수지막을 형성할 수 있다.That is, even when the gloss value of the surface (β') of the resin film is low due to, for example, the use of a filler having a large average particle diameter as the filler (C), after the composite sheet 1 is attached to the silicon wafer, the support A resin film with high visibility of laser printing can be formed by thermally curing the sheet for forming a resin film in a state in which the support (II) and the sheet for forming a resin film are laminated without peeling off (II).
수지막 형성용 시트를, 열경화성을 갖는 것으로 하기 위해서는, 수지막 형성용 시트에 상술한 열경화성 성분 (B1)을 함유시키면 된다.In order to make the sheet for forming a resin film thermosetting, the sheet for forming a resin film may contain the thermosetting component (B1) described above.
지지체 (Ⅱ)로서는, 상술한 본 발명의 복합 시트가 갖는 지지체와 동일한 것을 들 수 있으며, 구체적으로는 상술한 수지 필름, 박리막을 갖는 수지 필름, 점착제층을 갖는 점착 시트 등을 들 수 있다.Examples of the support (II) include the same support as the support of the above-described composite sheet of the present invention, and specifically include the above-described resin film, resin film with a release film, and pressure-sensitive adhesive sheet with a pressure-sensitive adhesive layer.
또한 지지체 (Ⅱ)가, 점착제층을 갖는 점착 시트인 경우, 복합 시트 (1)은 당해 점착제층과 상기 수지막 형성용 시트의 표면 (β)가 직접 적층된 구성을 갖는 것이 바람직하다. 당해 구성에 있어서, 점착제층을, 에너지선 경화형 수지를 포함하는 점착제로부터 형성하고, 미리 에너지선 조사를 행하여 경화시켜 점착제층으로 하고, 당해 지지체 (Ⅱ)와 수지막 형성용 시트가 적층된 상태에서, 당해 수지막 형성용 시트를 열경화시킴으로써, 형성되는 수지막의 표면 (β')의 글로스값을 향상시킬 수 있다.In the case where the support (II) is a pressure-sensitive adhesive sheet having a pressure-sensitive adhesive layer, the composite sheet 1 preferably has a configuration in which the pressure-sensitive adhesive layer and the surface (β) of the sheet for forming a resin film are directly laminated. In this configuration, the pressure-sensitive adhesive layer is formed from a pressure-sensitive adhesive containing an energy ray-curable resin, cured by irradiation with energy rays in advance to form a pressure-sensitive adhesive layer, and the support body (II) and the sheet for forming a resin film are laminated. , By thermally curing the sheet for forming a resin film, the gloss value of the surface (β') of the formed resin film can be improved.
〔실리콘 웨이퍼의 재생 방법〕[Method of Recycling Silicon Wafer]
실리콘 웨이퍼와 본 발명의 수지막 형성용 시트의 표면 (α)가 부착된 적층체로부터 당해 수지막 형성용 시트를 박리하여 실리콘 웨이퍼를 재생하는 방법으로서는, 예를 들어 하기 공정 (1) 내지 (2)를 갖는 실리콘 웨이퍼의 재생 방법을 들 수 있다.As a method of regenerating a silicon wafer by peeling the sheet for forming a resin film from a laminate in which a silicon wafer and the surface (α) of the sheet for forming a resin film of the present invention are adhered, for example, the following steps (1) to (2) ).
공정 (1): 기재 및 점착제층을 갖는 점착 시트의 당해 점착제층을, 상기 적층체의 수지막 형성용 시트의 실리콘 웨이퍼와 부착된 표면 (α)와는 반대측의 표면 (β) 상에 부착하는 공정Step (1): A step of attaching the pressure-sensitive adhesive layer of the pressure-sensitive adhesive sheet having the base material and the pressure-sensitive adhesive layer on the surface (β) opposite to the surface (α) attached to the silicon wafer of the sheet for forming a resin film of the laminate.
공정 (2): 공정 (1)에서 부착한 상기 점착 시트를 잡아당겨, 상기 실리콘 웨이퍼에 부착된 상기 수지막 형성용 시트를 박리하는 공정Step (2): Step of peeling off the sheet for forming a resin film attached to the silicon wafer by pulling the adhesive sheet attached in step (1)
상기 실리콘 웨이퍼의 재생 방법은, 실리콘 웨이퍼에 부착한 후에 박리하려고 할 때 실리콘 웨이퍼를 파손시키지 않고, 또한 잔사를 발생시키지 않고 박리할 수 있다는, 우수한 리워크성을 갖는 본 발명의 수지막 형성용 시트의 성질을 이용한 것이다.The silicon wafer regeneration method is a sheet for forming a resin film of the present invention having excellent reworkability in that the silicon wafer can be peeled off without damaging the silicon wafer and without generating residue when trying to peel it off after being attached to the silicon wafer. It uses the properties of
또한 이 실리콘 웨이퍼의 재생 방법은, 실리콘 웨이퍼와 본 발명의 수지막 형성용 시트의 표면 (α)를 부착한 직후의 적층체뿐만 아니라, 부착하고 나서 24시간 정도 경과하여, 실리콘 웨이퍼와 수지막 형성용 시트의 밀착성이 향상된 상태의 적층체에 대해서도 적용할 수 있다.In addition, this method of regenerating a silicon wafer is not only a laminate immediately after attaching the silicon wafer and the surface (α) of the sheet for forming a resin film of the present invention, but also a silicon wafer and a resin film formed after about 24 hours have elapsed since the attachment. It is applicable also to the laminated body of the state which the adhesiveness of the sheet|seat improved.
<공정 (1)><Process (1)>
공정 (1)에서는, 기재 및 점착제층을 갖는 점착 시트의 당해 점착제층을, 상기 적층체의 수지막 형성용 시트의 실리콘 웨이퍼와 부착된 표면 (α)와는 반대측의 표면 (β) 상에 부착하는 공정이다.In step (1), the pressure-sensitive adhesive layer of the pressure-sensitive adhesive sheet having the base material and the pressure-sensitive adhesive layer is applied on the surface (β) opposite to the surface (α) attached to the silicon wafer of the sheet for forming a resin film of the laminate. It is fair.
실리콘 웨이퍼는, 개편화(個片化)하기 전의 웨이퍼에 한정되지 않으며, 예를 들어 선(先) 다이싱법, 즉, 실리콘 웨이퍼가 연삭되는 면과는 반대측의 면으로부터 홈을 형성하고, 홈에 도달하기까지 연삭을 행함으로써 실리콘 웨이퍼를 칩으로 개편화하는 방법에 의하여, 이미 개편화되어 있는 것이어도 된다.A silicon wafer is not limited to a wafer before being diced into pieces. For example, a pre-dicing method is used, that is, a groove is formed from the surface opposite to the surface on which the silicon wafer is ground, and the groove is formed. It may have already been singulated by a method of singling a silicon wafer into chips by performing grinding until reaching the wafer.
본 공정에서 사용하는 점착 시트로서는, 기재 및 점착제층을 갖는 것이다. 또한 점착 시트를 포함하는 지지체 (Ⅱ)를 갖는 복합 시트 (1)을 실리콘 웨이퍼에 부착했을 경우에는, 지지체 (Ⅱ)를, 본 공정에서 말하는 「점착 시트」로서 사용해도 된다.As the adhesive sheet used in this process, it has a base material and an adhesive layer. In addition, when the composite sheet 1 having the support body (II) containing the adhesive sheet is affixed to the silicon wafer, the support body (II) may be used as the "adhesive sheet" referred to in this step.
당해 기재로서는 수지 필름이 바람직하며, 상술한 지지체의 항목에서 예시한 수지 필름을 들 수 있다.As the base material, a resin film is preferable, and the resin film exemplified in the above-mentioned item of the support body is exemplified.
당해 점착제층을 형성하는 점착제로서는, 공정 (2)에 있어서 수지막 형성용 시트를 실리콘 웨이퍼로부터 박리할 수 있을 정도의 점착력을 갖는 것이면 특별히 제한은 없다.The pressure-sensitive adhesive forming the pressure-sensitive adhesive layer is not particularly limited as long as it has an adhesive force capable of peeling the sheet for forming a resin film from the silicon wafer in step (2).
구체적인 점착제로서는, 예를 들어 아크릴계 점착제, 우레탄계 점착제, 실리콘계 점착제 등을 들 수 있다.As a specific adhesive, an acrylic adhesive, a urethane type adhesive, a silicone type adhesive etc. are mentioned, for example.
당해 점착 시트의 형상으로서는 특별히 한정은 없지만, 다음의 공정 (2)에서의 조작성의 관점에서, 수지막 형성용 시트와 동일한 형상, 또는 수지막 형성용 시트보다도 큰 형상의 점착 시트가 바람직하다.The shape of the PSA sheet is not particularly limited, but from the viewpoint of operability in the next step (2), a PSA sheet having the same shape as the sheet for forming a resin film or a larger shape than the sheet for forming a resin film is preferable.
본 공정에서의, 표면 (β)와 점착 시트의 점착제층과의 부착 방법으로서는, 기계를 사용하여 부착해도 되고, 수작업으로 행해도 된다.As a method of attaching the surface β to the pressure-sensitive adhesive layer of the pressure-sensitive adhesive sheet in this step, a machine may be used for adhesion, or it may be carried out manually.
또한 상술한 본 발명의 일 형태의 복합 시트가 갖는 수지막 형성용 시트의 표면 (α)를 실리콘 웨이퍼에 부착하고, 표면 (β)측에, 지지체로서 다이싱 시트 등의 점착 시트가 이미 적층되어 있는 경우에는, 당해 점착 시트를 본 공정의 점착 시트로서 이용할 수도 있다.In addition, the surface (α) of the sheet for forming a resin film of the composite sheet of one embodiment of the present invention described above is adhered to a silicon wafer, and an adhesive sheet such as a dicing sheet is already laminated on the surface (β) side as a support. If there is, the said adhesive sheet can also be used as an adhesive sheet in this process.
<공정 (2)><Process (2)>
공정 (2)에서는, 공정 (1)에서 부착한 상기 점착 시트를 잡아당겨, 상기 실리콘 웨이퍼에 부착된 상기 수지막 형성용 시트를 박리하는 공정이다.Step (2) is a step of peeling off the sheet for forming a resin film attached to the silicon wafer by pulling the adhesive sheet attached in step (1).
본 공정에 있어서는, 본 발명의 수지막 형성용 시트의 실리콘 웨이퍼에 부착된 표면 (α)의 표면 조도 (Ra)가 상기 범위로 조정되어 있기 때문에, 공정 (1)에서 표면 (β)에 부착한 점착 시트를 잡아당김으로써 수지막 형성용 시트도 함께 끌려가, 당해 수지막 형성용 시트를 실리콘 웨이퍼로부터 박리할 수 있다.In this step, since the surface roughness (Ra) of the surface (α) adhered to the silicon wafer of the sheet for forming a resin film of the present invention is adjusted within the above range, the By pulling the adhesive sheet, the sheet for forming a resin film is also pulled together, and the sheet for forming a resin film can be separated from the silicon wafer.
점착 시트의 박리 속도 및 박리 각도로서는 특별히 제한은 없으며, 적절히 설정할 수 있다.The peeling speed and peeling angle of the pressure-sensitive adhesive sheet are not particularly limited and can be set appropriately.
또한 본 공정에 있어서, 기계를 사용하여 점착 시트를 잡아당겨도 되지만, 조작성의 관점에서 수작업으로 점착 시트를 잡아당겨 상기 수지막 형성용 시트를 실리콘 웨이퍼로부터 박리하는 것이 바람직하다.In this step, although the adhesive sheet may be pulled using a machine, it is preferable to peel the sheet for forming a resin film from the silicon wafer by manually pulling the adhesive sheet from the viewpoint of operability.
또한 본 공정에 있어서, 수지막 형성용 시트의 박리 후, 필요에 따라, 에탄올 등의 유기 용매로 실리콘 웨이퍼의 표면을 세정해도 된다.In this step, the surface of the silicon wafer may be washed with an organic solvent such as ethanol, if necessary, after peeling the sheet for forming a resin film.
이상의 공정을 거침으로써, 한번 수지막 형성용 시트가 부착된 실리콘 웨이퍼를 재생할 수 있다.By passing through the above steps, it is possible to regenerate the silicon wafer to which the sheet for forming a resin film has been adhered once.
실시예Example
<질량 평균 분자량(Mw), 수 평균 분자량(Mn)의 측정><Measurement of mass average molecular weight (Mw) and number average molecular weight (Mn)>
겔 침투 크로마토그래프 장치(도소 가부시키가이샤 제조, 제품명 「HLC-8220GPC」)를 사용하여, 하기 조건 하에서 측정하여, 표준 폴리스티렌 환산으로 측정한 값을 사용하였다.Using a gel permeation chromatograph (manufactured by Tosoh Corporation, product name "HLC-8220GPC"), it was measured under the following conditions, and the value measured in terms of standard polystyrene was used.
(측정 조건)(Measuring conditions)
·칼럼: 「TSK guard column HXL-L」, 「TSK gel GMHXL(×2)」, 「TSK gel G2000HXL」(모두 도소 가부시키가이샤 제조)을 순차 연결한 것・Column: "TSK guard column HXL-L", "TSK gel GMHXL (x 2)", "TSK gel G2000HXL" (all manufactured by Tosoh Corporation) are sequentially connected
·칼럼 온도: 40℃Column temperature: 40℃
·전개 용매: 테트라히드로푸란Developing solvent: tetrahydrofuran
·유속: 1.0mL/min・Flow rate: 1.0mL/min
<수지막 형성용 조성물 중의 성분의 평균 입경><Average Particle Diameter of Components in Composition for Forming Resin Film>
동적 광 산란식 입도 분포계(닛키소 가부시키가이샤 제조, 제품명 「Nanotrack Wave-UT151」)를 사용하여 측정하였다.It was measured using a dynamic light scattering type particle size distribution analyzer (manufactured by Nikkiso Co., Ltd., product name "Nanotrack Wave-UT151").
<표면 조도 (Ra)의 측정><Measurement of surface roughness (Ra)>
광 간섭식 표면 형상 측정 장치(Veeco Metrology Group사 제조, 제품명 「WYKOWT1100」)를 사용하여, PSI 모드에서 배율 10배로, 측정 대상의 표면의 표면 조도 (Ra)를 측정하였다.The surface roughness (Ra) of the surface of the measurement target was measured at a magnification of 10 times in the PSI mode using an optical interference type surface shape measuring device (manufactured by Veeco Metrology Group, product name "WYKOWT1100").
<수지막 형성용 시트의 리워크성의 평가><Evaluation of reworkability of sheet for forming resin film>
실시예 및 비교예에서 제작한 수지막 형성용 복합 시트가 갖는 지지체 (Ⅰ)을 제거하여, 표출된 수지막 형성용 시트의 표면 (α)를, #2000 연마한 실리콘 웨이퍼(직경: 200㎜, 두께: 280㎛)의 연마면 상에 적층하고, 테이프 마운터(린텍 가부시키가이샤 제조, 제품명 「Adwill RAD-3600 F/12」)를 사용하여, 70℃로 가열하면서 부착하였다.A silicon wafer (diameter: 200 mm, diameter: 200 mm, Thickness: 280 μm) was laminated on the polished surface, and it was attached while heating at 70° C. using a tape mounter (manufactured by Lintec Co., Ltd., product name “Adwill RAD-3600 F/12”).
부착 후, 실온(25℃)에서, 수지막 형성용 복합 시트의 지지체 (Ⅱ)도 제거하여, 표출된 수지막 형성용 시트의 표면 상에, 시판 중인 범용 다이싱 테이프(린텍 가부시키가이샤 제조, 상품명 「AdwillD-510T」)의 점착제층면을 부착하였다.After attaching, at room temperature (25°C), the support (II) of the composite sheet for forming a resin film is also removed, and a commercially available general-purpose dicing tape (manufactured by Lintec Co., Ltd.) is placed on the surface of the exposed sheet for forming a resin film. A pressure-sensitive adhesive layer surface (trade name "Adwill D-510T") was attached.
그리고 수작업으로 당해 범용 다이싱 테이프를 잡아당김으로써, 함께 수지막 형성용 시트를 실리콘 웨이퍼로부터 박리할 수 있었는지 여부, 및 박리 후의 실리콘 웨이퍼의 표면 잔존물 유무를 관찰하여, 이하의 기준에 의하여 수지막 형성용 시트의 리워크성을 평가하였다.Then, by manually pulling the general-purpose dicing tape, whether or not the sheet for forming a resin film could be peeled from the silicon wafer together and whether or not the surface of the silicon wafer after peeling was observed was observed, and the resin film was filmed according to the following criteria. The reworkability of the forming sheet was evaluated.
A: 수지막 형성용 시트를 실리콘 웨이퍼로부터 완전히 박리할 수 있었다. 박리 후의 실리콘 웨이퍼에는 육안으로 확인할 수 있는 수지막 형성용 시트의 잔존물은 보이지 않았다.A: The sheet for forming a resin film could be completely separated from the silicon wafer. In the silicon wafer after peeling, no visible remnant of the sheet for forming a resin film was found.
B: 수지막 형성용 시트를 실리콘 웨이퍼로부터 박리할 수 있었다. 박리 후의 실리콘 웨이퍼에는 약간의 수지막 형성용 시트의 잔존물이 보였지만, 에탄올로 닦아내면 완전히 제거할 수 있는 정도였다.B: The sheet for forming a resin film could be peeled from the silicon wafer. A slight residue of the sheet for forming a resin film was observed on the silicon wafer after separation, but it was to the extent that it could be completely removed by wiping with ethanol.
C: 박리 중에 실리콘 웨이퍼가 파손되어 버리거나, 또는 실리콘 웨이퍼를 파손시키지 않고 박리했다고 하더라도, 박리 후의 실리콘 웨이퍼에는 에탄올로 닦아내는 것이 어려울 정도의 수지막 형성용 시트의 잔존물이 확인되었다.C: The silicon wafer was damaged during peeling, or even if peeled off without damaging the silicon wafer, residues of the sheet for forming a resin film that were difficult to wipe off with ethanol were confirmed on the peeled silicon wafer.
<수지막의 글로스값의 측정><Measurement of gloss value of resin film>
실시예 및 비교예에서 제작한 수지막 형성용 복합 시트가 갖는 지지체 (Ⅰ)을 제거하여, 표출된 수지막 형성용 시트의 표면 (α)를, #2000 연마한 실리콘 웨이퍼(직경 200㎜, 두께 280㎛)의 연마면 상에 적층하고, 테이프 마운터(린텍 가부시키가이샤 제조, 제품명 「Adwill RAD-3600 F/12」)를 사용하여, 70℃로 가열하면서 부착하였다.A silicon wafer (diameter: 200 mm, thickness: 200 mm, thickness 280 μm) on the polished surface, and using a tape mounter (manufactured by Lintec Co., Ltd., product name “Adwill RAD-3600 F/12”), it was attached while heating at 70°C.
부착 후, 수지막 형성용 복합 시트의 지지체 (Ⅱ)도 제거하고, 130℃의 가열 오븐에 2시간 투입하여 수지막 형성용 시트를 경화시켜, 실리콘 웨이퍼 상에 수지막을 형성하였다.After attachment, the support (II) of the composite sheet for forming a resin film was also removed, and the sheet for forming a resin film was cured by putting it in a heating oven at 130° C. for 2 hours to form a resin film on the silicon wafer.
그리고 광택계(닛폰 덴쇼쿠 고교 가부시키가이샤 제조, 제품명 「VG2000」)를 사용하여, JIS Z 8741에 준하여, 실리콘 웨이퍼가 있는 측과는 반대측으로부터 형성한 수지막의 표면 60도의 경면 광택도를 측정하였다. 당해 경면 광택도의 값을 수지막의 글로스값으로 하였다.Then, using a gloss meter (manufactured by Nippon Denshoku Kogyo Co., Ltd., product name "VG2000"), in accordance with JIS Z 8741, the surface of the resin film formed from the side opposite to the silicon wafer was measured for 60 degrees of specular gloss. . The value of the specular gloss was made into the gloss value of the resin film.
<수지막의 파장 1250㎚의 광선 투과율의 측정><Measurement of light transmittance of the resin film at a wavelength of 1250 nm>
실시예 및 비교예에서 제작한 수지막 형성용 복합 시트가 갖는 지지체 (Ⅰ)을 제거하여, 표출된 수지막 형성용 시트의 표면 (α)를 두께 2㎜의 유리판의 평탄면 상에 적층하고, 라미네이터를 사용하여, 70℃로 가열하면서 부착하였다.The support (I) of the composite sheet for forming a resin film prepared in Examples and Comparative Examples was removed, and the exposed surface (α) of the sheet for forming a resin film was laminated on a flat surface of a glass plate having a thickness of 2 mm, Using a laminator, it was attached while heating at 70°C.
부착 후, 수지막 형성용 복합 시트의 지지체 (Ⅱ)도 제거하고, 130℃의 가열 오븐에 2시간 투입하여 수지막 형성용 시트를 경화시켜, 유리판 상에 수지막을 형성하였다.After the attachment, the support (II) of the composite sheet for forming a resin film was also removed, and the sheet for forming a resin film was cured by putting it in a heating oven at 130° C. for 2 hours to form a resin film on the glass plate.
그리고 분광 광도계(가부시키가이샤 시마즈 세이사쿠쇼 제조, 제품명 「UV-VIS-NIR SPECTROPHOTOMETER UV-3600」)를 사용하여, 상기 유리판 상의 수지막의 투과율을 측정하여, 파장 1250㎚의 광선 투과율(%)을 추출하였다.Then, the transmittance of the resin film on the glass plate was measured using a spectrophotometer (manufactured by Shimadzu Corporation, product name "UV-VIS-NIR SPECTROPHOTOMETER UV-3600"), and the light transmittance (%) at a wavelength of 1250 nm was determined. extracted.
측정에는, 상기 분광 광도계에 부속된 대형 시료실 「MPC-3100」(제품명)을 사용하되, 내장된 적분구를 사용하지 않고 측정을 행하였다. 미리 측정한 유리판만의 파장 1250㎚의 광선 투과율과의 차분을 취하여, 수지막의 파장 1250㎚의 광선 투과율을 산출하였다.For the measurement, a large sample chamber "MPC-3100" (product name) attached to the spectrophotometer was used, but the measurement was performed without using a built-in integrating sphere. The light transmittance of the resin film at a wavelength of 1250 nm was calculated by taking the difference from the light transmittance at a wavelength of 1250 nm only for the glass plate measured beforehand.
실시예 1Example 1
표 1에 나타내는 종류 및 배합량의 각 성분을 첨가하고 메틸에틸케톤으로 희석하여, 유효 성분 농도 51질량%의 수지막 형성용 조성물의 용액을 조제하였다.Each component of the type and compounding quantity shown in Table 1 was added and diluted with methyl ethyl ketone to prepare a solution of a composition for forming a resin film having an active ingredient concentration of 51% by mass.
그리고 지지체 (Ⅱ)로서, 박리 처리가 실시된 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름(린텍 가부시키가이샤 제조, 상품명 「SP-PET381031」, 두께:38㎛)의 박리 처리면 상에 상기 수지막 형성용 조성물의 용액을 도포하고 건조하여, 두께 25㎛의 수지막 형성용 시트를 형성하였다.And, as the support (II), the composition for forming a resin film on the peeling treated surface of a polyethylene terephthalate (PET) film (manufactured by Lintec Co., Ltd., trade name "SP-PET381031", thickness: 38 μm) subjected to peeling treatment The solution was applied and dried to form a sheet for forming a resin film having a thickness of 25 μm.
또한, 형성한 수지막 형성용 시트의 표출되어 있는 표면 상에, 지지체 (Ⅰ)로서, 박리지(린텍 가부시키가이샤 제조, 상품명 「SP-8LK 아오」, 두께: 88㎛, 글라신지를 폴리올레핀 피복하고 실리콘 박리 처리를 실시한 것, 박리 처리면의 표면 조도 (Ra)=370㎚)의 박리 처리면을 접합하고, 라미네이터(다이세이 라미네이터 가부시키가이샤 제조, 제품명 「VA-400」)를 사용하여, 실온(25℃)에서 라미네이트하여, 지지체 (Ⅰ)/수지막 형성용 시트/지지체 (Ⅱ)로 구성된 수지막 형성용 복합 시트를 제작하였다.Further, on the exposed surface of the formed sheet for forming a resin film, as a support (I), release paper (manufactured by Lintec Co., Ltd., trade name "SP-8LK Ao", thickness: 88 μm, glassine paper coated with polyolefin and subjected to silicone peeling treatment, bonding the peeling treated surface of the surface roughness (Ra) = 370 nm) of the peeling treated surface, using a laminator (manufactured by Daisei Laminator Co., Ltd., product name "VA-400"), By laminating at room temperature (25°C), a composite sheet for forming a resin film composed of support (I)/sheet for resin film formation/support (II) was produced.
비교예 1Comparative Example 1
실시예 1과 마찬가지로서 형성한 수지막 형성용 시트의 표출되어 있는 표면 상에, 지지체 (Ⅰ)로서, 박리 처리가 실시된 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름(린텍 가부시키가이샤 제조, 상품명 「SP-PET251130」, 두께: 25㎛)의 박리 처리면을 접합한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 지지체 (Ⅰ)/수지막 형성용 시트/지지체 (Ⅱ)로 구성된 수지막 형성용 복합 시트를 제작하였다.A polyethylene terephthalate (PET) film (manufactured by Lintec Co., Ltd., trade name "SP- PET251130”, thickness: 25 μm), in the same manner as in Example 1 except that the peeling treated surface was bonded, a composite sheet for forming a resin film composed of support (I) / sheet for forming a resin film / support (II) was produced. .
수지막 형성용 조성물의 조제에 사용한, 표 1에 기재된 각 성분의 상세는 이하와 같다.The detail of each component of Table 1 used for preparation of the composition for resin film formation is as follows.
<중합체 성분 (A)><Polymer component (A)>
·(A-1): 메틸아크릴레이트(MA), n-부틸아크릴레이트(BA), 글리시딜메타크릴레이트(GMA) 및 2-히드록시에틸아크릴레이트(HEA)를 공중합하여 얻어지는 아크릴 공중합체(BA/MA/GMA/HEA=37/28/20/15(질량%), Mw=80만, Tg=-10.1℃).(A-1): Acrylic copolymer obtained by copolymerizing methyl acrylate (MA), n-butyl acrylate (BA), glycidyl methacrylate (GMA) and 2-hydroxyethyl acrylate (HEA) (BA/MA/GMA/HEA=37/28/20/15 (% by mass), Mw=800,000, Tg=-10.1° C.).
<경화성 성분 (B)><Curable component (B)>
·(B-1): 비스페놀 A형 에폭시 수지(미쓰비시 가가쿠 가부시키가이샤 제조, 상품명 「jER828」, 에폭시 당량=184 내지 194g/eq, Mn=370, 25℃에서의 점도=120 내지 150P(12 내지 15㎩·s), 액상 에폭시 수지, 상기 성분 (B11)에 해당하는 화합물).- (B-1): Bisphenol A type epoxy resin (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, trade name "jER828", epoxy equivalent = 184 to 194 g / eq, Mn = 370, viscosity at 25 ° C = 120 to 150 P (12 to 15 Pa·s), liquid epoxy resin, compound corresponding to the above component (B11)).
·(B-2): 비스페놀 A형 에폭시 수지(미쓰비시 가가쿠 가부시키가이샤 제조, 상품명 「jER1055」, 에폭시 당량=800 내지 900g/eq, Mn=1600, 고체 에폭시 수지, 상기 성분 (B11)에 해당하는 화합물).- (B-2): bisphenol A type epoxy resin (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, trade name "jER1055", epoxy equivalent = 800 to 900 g / eq, Mn = 1600, solid epoxy resin, corresponding to the above component (B11) compound that does).
·(B-3) 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지(DIC 가부시키가이샤 제조, 상품명 「에피클론 HP-7200HH」, 에폭시 당량=255 내지 260g/eq, Mw가 2만 미만인 화합물, 고체 에폭시 수지, 상기 성분 (B11)에 해당하는 화합물).- (B-3) dicyclopentadiene type epoxy resin (manufactured by DIC Co., Ltd., trade name "Epiclon HP-7200HH", epoxy equivalent = 255 to 260 g / eq, Mw is less than 20,000 compounds, solid epoxy resin, above Compounds corresponding to component (B11)).
·(B-4): 디시안디아미드(가부시키가이샤 아데카(ADEKA) 제조, 상품명 「아데카 하드너 EH-3636AS」, 아민계 경화제, 활성 수소량=21g/eq, 상기 성분 (B12)에 해당하는 화합물).- (B-4): Dicyandiamide (manufactured by Adeka Co., Ltd., trade name "Adeka Hardener EH-3636AS", amine-based curing agent, amount of active hydrogen = 21 g / eq, corresponding to the above component (B12) compound that does).
·(B-5): 2-페닐-4,5-디히드록시메틸이미다졸(시코쿠 가세이 고교 가부시키가이샤 제조, 상품명 「큐어졸 2PHZ」, 경화 촉진제, 상기 성분 (B13)에 해당하는 화합물).(B-5): 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole (manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd., trade name "Curesol 2PHZ", curing accelerator, compound corresponding to the above component (B13) ).
<충전재 (C)><Filling material (C)>
·(C-1): 실리카 필러(가부시키가이샤 애드마텍스 제조, 상품명 「SC2050MA」, 평균 입경=500㎚).(C-1): Silica filler (manufactured by Admatex Co., Ltd., trade name "SC2050MA", average particle diameter = 500 nm).
<착색제 (D)><Colorant (D)>
·(D-1): 카본 블랙(미쓰비시 가가쿠 가부시키가이샤 제조, 상품명 「#MA650」, 평균 입경=28㎚).(D-1): Carbon black (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, trade name "#MA650", average particle diameter = 28 nm).
<실란 커플링제 (E)><Silane coupling agent (E)>
·(E-1): 실란 커플링제(3-글리시독시프로필메틸디메톡시실란, 신에쓰 가가쿠 고교 가부시키가이샤 제조, 상품명 「KBM-402」, Mn=220.3).(E-1): A silane coupling agent (3-glycidoxypropylmethyldimethoxysilane, manufactured by Shin-Etsu Chemical Industry Co., Ltd., trade name "KBM-402", Mn = 220.3).
상술한 방법에 기초하여, 실시예 및 비교예에서 제작한 수지막 형성용 시트의 물성 측정 및 평가를 행한 결과를 표 1에 나타낸다.Table 1 shows the results of measuring and evaluating the physical properties of the sheets for forming a resin film produced in Examples and Comparative Examples based on the above-described method.
표 1에 의하여, 본 발명의 일 형태인 실시예 1에서 제작한 수지막 형성용 복합 시트가 갖는 수지막 형성용 시트는, 리워크성이 우수한 결과가 되었다. 또한 당해 수지막 형성용 시트로부터 형성된 수지막은, 글로스값 및 파장 1250㎚의 광선 투과율도 높은 값이 되었다.According to Table 1, the sheet for forming a resin film of the composite sheet for forming a resin film produced in Example 1, which is one embodiment of the present invention, has excellent reworkability. In addition, the resin film formed from the sheet for forming a resin film had a high gloss value and high light transmittance at a wavelength of 1250 nm.
한편, 비교예 1에서 제작한 수지막 형성용 복합 시트가 갖는 수지막 형성용 시트는, 표면 (α)의 표면 조도 (Ra)의 값이 작기 때문에, 실리콘 웨이퍼에 부착 후에 박리하는 것이 어려워, 리워크성이 떨어지는 결과가 되었다.On the other hand, since the sheet for forming a resin film possessed by the composite sheet for forming a resin film produced in Comparative Example 1 has a small surface roughness (Ra) value of the surface (α), it is difficult to peel off after being attached to a silicon wafer. This resulted in poor workability.
본 발명의 일 형태의 수지막 형성용 시트는, 반도체 칩의 이면을 보호하는 보호막의 형성 재료로서, 혹은 다이 패드부 또는 다른 부위 상에 접착 가능한 접착막의 형성 재료로서 적합하다.The sheet for forming a resin film of one embodiment of the present invention is suitable as a material for forming a protective film that protects the back surface of a semiconductor chip or as a material for forming an adhesive film that can be adhered onto a die pad portion or other site.
1a, 1b, 1c, 1d: 수지막 형성용 복합 시트
10: 수지막 형성용 시트
11, 11': 지지체
12: 지그 접착층1a, 1b, 1c, 1d: composite sheet for forming resin film
10: sheet for forming resin film
11, 11': support
12: jig adhesive layer
Claims (18)
-40 내지 0℃의 유리 전이 온도(Tg)를 갖는 아크릴계 중합체 (A1)을 포함하는 중합체 성분 (A)를 포함하고,
실리콘 웨이퍼와 부착되는 측의 당해 시트의 표면 (α)의 표면 조도 (Ra)가 40㎚ 이상인, 수지막 형성용 시트.A sheet for forming a resin film attached to a silicon wafer to form a resin film on the silicon wafer,
A polymer component (A) comprising an acrylic polymer (A1) having a glass transition temperature (Tg) of -40 to 0 ° C,
A sheet for forming a resin film, wherein a surface roughness (Ra) of the surface (α) of the sheet on the side to be adhered to the silicon wafer is 40 nm or more.
시트의 전량에 대하여 10 내지 51.1 질량%의 충전재 (C)를 포함하고,
실리콘 웨이퍼와 부착되는 측의 당해 시트의 표면 (α)의 표면 조도 (Ra)가 40㎚ 이상인, 수지막 형성용 시트.A sheet for forming a resin film attached to a silicon wafer to form a resin film on the silicon wafer,
10 to 51.1% by mass of a filler (C) with respect to the total amount of the sheet,
A sheet for forming a resin film, wherein a surface roughness (Ra) of the surface (α) of the sheet on the side to be adhered to the silicon wafer is 40 nm or more.
실리콘 웨이퍼와 부착되는 측의 상기 수지막 형성용 시트의 표면 (α)와, 표면 조도가 40㎚ 이상인 지지체 (Ⅰ)의 표면 (ⅰ)이 직접 적층된 구성을 갖는, 수지막 형성용 복합 시트로서,
상기 수지막 형성용 시트가, -40 내지 0℃의 유리 전이 온도(Tg)를 갖는 아크릴계 중합체 (A1)을 포함하는 중합체 성분 (A)를 포함하는, 수지막 형성용 복합 시트.A sheet for forming a resin film attached to a silicon wafer to form a resin film on the silicon wafer, and a support (I),
A composite sheet for forming a resin film having a structure in which a surface (α) of the sheet for forming a resin film on a side to be attached to a silicon wafer and a surface (i) of a support (I) having a surface roughness of 40 nm or more are directly laminated. ,
The composite sheet for forming a resin film, wherein the sheet for forming a resin film contains a polymer component (A) containing an acrylic polymer (A1) having a glass transition temperature (Tg) of -40 to 0°C.
실리콘 웨이퍼와 부착되는 측의 상기 수지막 형성용 시트의 표면 (α)와, 표면 조도가 40㎚ 이상인 지지체 (Ⅰ)의 표면 (ⅰ)이 직접 적층된 구성을 갖는, 수지막 형성용 복합 시트로서,
상기 수지막 형성용 시트가, 시트의 전량에 대하여 10 내지 51.1 질량%의 충전재 (C)를 포함하는, 수지막 형성용 복합 시트.A sheet for forming a resin film attached to a silicon wafer to form a resin film on the silicon wafer, and a support (I),
A composite sheet for forming a resin film having a structure in which a surface (α) of the sheet for forming a resin film on a side to be attached to a silicon wafer and a surface (i) of a support (I) having a surface roughness of 40 nm or more are directly laminated. ,
The composite sheet for forming a resin film, wherein the sheet for forming a resin film contains 10 to 51.1% by mass of the filler (C) with respect to the total amount of the sheet.
상기 수지막 형성용 시트가 열경화성 성분 (B1)을 함유하는, 수지막 형성용 복합 시트.The method according to claim 13 or 14, wherein a second support (II) is further directly laminated on the surface (β) of the sheet for forming a resin film opposite to the surface (α),
The composite sheet for forming a resin film, wherein the sheet for forming a resin film contains a thermosetting component (B1).
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