KR102487796B1 - 검출 장치, 리소그래피 장치 및 물품의 제조 방법 - Google Patents

검출 장치, 리소그래피 장치 및 물품의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은, 기판에 제공된 복수의 마크를 검출하는 검출 장치를 제공하며, 광학계; 복수의 마크 각각이 적어도 하나의 광속에 의해 조명되도록 광학계를 통해 복수의 광속으로 복수의 마크를 선택적으로 조명하도록 구성되는 조명 유닛; 및 광학계를 통해 복수의 마크를 촬상하도록 구성되는 촬상 디바이스를 포함하며, 상기 조명 유닛은 광학계의 동공면에 대한 복수의 광속 각각의 입사각을 개별적으로 변경하여, 기판에 대한 복수의 광속 각각의 조사 위치를 변경하도록 구성되는 변경 유닛을 포함한다.

Description

검출 장치, 리소그래피 장치 및 물품의 제조 방법{DETECTION APPARATUS, LITHOGRAPHY APPARATUS, AND METHOD OF MANUFACTURING ARTICLE}
본 발명은, 기판에 제공된 복수의 마크를 검출하는 검출 장치, 리소그래피 장치 및 물품의 제조 방법에 관한 것이다.
요철 패턴을 갖는 몰드를 사용하여, 기판 상에 임프린트재의 패턴을 형성하는 임프린트 장치가, 반도체 디바이스 등의 양산용 리소그래피 장치의 하나의 종류로서 주목받고 있다. 몰드의 패턴을 기판 상의 임프린트재에 정밀하게 전사하기 위해서, 임프린트 장치는 몰드와 기판 사이의 얼라인먼트를 정밀하게 행하는 것이 요구된다.
임프린트 장치는, 일반적으로, 몰드와 기판 사이의 얼라인먼트 방식으로서, 다이바이다이 얼라인먼트 방식을 채용하고 있다. 다이바이다이 얼라인먼트 방식은, 기판의 샷 영역마다, 몰드측 마크와 기판측 마크의 상대 위치를 광학적으로 검출하고, 몰드와 기판 사이의 위치 관계의 어긋남을 보정하는 얼라인먼트 방식이다(일본 특허 제4185941호 및 일본 특허 공개 공보 제2014-203935호 참조).
임프린트 장치는, 기판의 샷 영역의 전체를 몰드를 통해서 촬상하고, 당해 샷 영역에 제공된 복수의 기판측 마크의 각각에 대해서, 기판측 마크와 몰드측 마크의 상대 위치를 검출하는 방법을 사용한다. 이러한 검출 방법에서, 기판측 마크와 몰드측 마크의 상대 위치를 정밀하게 검출하기 위해서는, 전체 샷 영역을 조명하는 것이 아니고, 각 기판측 마크(각 몰드측 마크)를 선택적으로 조명해서 조도를 증가시키는 것이 바람직하다.
본 발명은, 예를 들어 기판 상의 복수의 마크의 각각을 단순한 구성에 의해 선택적으로 조명하는데 유리한 기술을 제공한다.
본 발명의 일 양태에 따르면, 기판에 제공된 복수의 마크를 검출하는 검출 장치로서, 광학계; 상기 복수의 마크의 각각이 적어도 하나의 광속으로 조명되도록, 상기 광학계를 통해서 복수의 광속으로 상기 복수의 마크를 선택적으로 조명하도록 구성되는 조명 유닛; 및 상기 광학계를 통해서 상기 복수의 마크를 촬상하도록 구성되는 촬상 디바이스를 포함하며, 상기 조명 유닛은, 상기 광학계의 동공면에 대한 상기 복수의 광속의 각각의 입사각을 개별적으로 변경함으로써, 상기 기판에 대한 상기 복수의 광속 각각의 조사 위치를 변경하도록 구성되는 변경 유닛을 포함하는 검출 장치가 제공된다.
본 발명의 추가적인 특징은 첨부된 도면을 참조한 예시적인 실시형태에 대한 이하의 설명으로부터 명확해질 것이다.
도 1은 임프린트 장치의 구성예를 도시하는 개략도이다.
도 2는 몰드 보정 유닛의 구성예를 도시하는 도면이다.
도 3은 기판측 마크 및 몰드측 마크의 구성예를 도시하는 도면이다.
도 4는 간섭 무늬를 도시하는 도면이다.
도 5는 검출 유닛의 구성예를 도시하는 개략도이다.
도 6은 조명 유닛의 구성예를 도시하는 개략도이다.
도 7은 조명 유닛의 다른 구성예를 도시하는 개략도이다.
도 8은 조명 유닛의 또 다른 구성예를 도시하는 개략도이다.
도 9는 복수의 기판측 마크를 선택적으로 조명하는 예를 도시하는 도면이다.
도 10은 본 발명의 효과를 설명하기 위한 도면이다.
도 11은 제2 실시형태에 따른 촬상 디바이스의 구성예를 도시하는 개략도이다.
도 12a 내지 도 12f는 물품의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
이하에서 첨부의 도면을 참조하여 본 발명의 예시적인 실시형태에 대해서 설명한다. 도면 전체에 걸쳐 동일한 참조 번호는 동일한 요소를 나타내며, 그에 대한 반복적인 설명을 주어지지 않는다는 것에 유의한다.
이하의 실시형태에서는, 본 발명에 따른 검출 장치가 몰드(원판)를 사용하여 기판 상에 임프린트재의 패턴을 형성하도록 구성되는 임프린트 장치에 적용되는 예를 설명한다. 그러나, 본 발명은 이것으로 한정되지 않는다. 예를 들어, 본 발명에 따른 검출 장치는 기판을 노광해서 마스크(원판)의 패턴을 기판 상에 전사하도록 구성되는 노광 장치나, 하전 입자 빔을 기판에 조사해서 기판 상에 패턴을 형성하도록 구성되는 묘화 장치(전자 빔 노광 장치) 등의 리소그래피 장치에 적용될 수 있다.
<제1 실시형태>
본 발명의 제1 실시형태에 따른 임프린트 장치(10)에 대해서 설명한다. 임프린트 장치는, 기판 상에 공급된 임프린트재를 몰드와 접촉시키고, 임프린트재에 경화용의 에너지를 부여함으로써, 몰드의 요철 패턴이 전사된 경화물의 패턴을 형성하는 장치이다. 예를 들어, 본 실시형태에 따른 임프린트 장치(10)는, 기판 상에 임프린트재(R)를 공급하고, 요철 패턴을 갖는 몰드(M)(원판)를 기판 상의 임프린트재(R)에 접촉시킨 상태에서 당해 임프린트재(R)를 경화시킨다. 그리고, 몰드(M)과 기판(W) 사이의 간격을 증가시켜서, 경화된 임프린트재(R)로부터 몰드(M)를 박리함으로써, 임프린트재(R)의 패턴을 기판 상에 형성한다. 일부 경우에, 임프린트 장치(10)에 의해 행해지는 일련의 처리는 일반적으로 "임프린트 처리"라고 불린다.
임프린트재로서는, 경화용의 에너지에 의해 경화되는 경화성 조성물(미경화 상태의 수지라고도 칭함)이 사용된다. 경화용의 에너지로서는, 전자기파, 열 등이 사용된다. 전자기파는, 예를 들어 그 파장이 10 nm 내지 1 mm의 범위로부터 선택되는, 적외선, 가시광선, 또는 UV 선 등의 광이다.
경화성 조성물은, 광의 조사 혹은 가열에 의해 경화되는 조성물이다. 광에 의해 경화되는 광경화성 조성물은, 적어도 중합성 화합물과 광중합 개시제를 함유하고, 필요에 따라 비중합성 화합물 또는 용제를 함유해도 된다. 비중합성 화합물은, 증감제, 수소 공여체, 내부 이형제, 계면활성제, 산화방지제, 및 폴리머 성분을 포함하는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 재료이다.
임프린트재는, 스핀 코터나 슬릿 코터에 의해 기판 상에 막 형상으로 부여된다. 혹은, 임프린트재는 액체 분사 헤드를 사용하여, 액적 형상, 혹은 복수의 액적이 연결되어 형성되는 섬 형상 또는 막 형상으로 기판 상에 부여되어도 된다. 임프린트재의 점도(25℃에서의 점도)는, 예를 들어 1 mPa·s 내지 100 mPa·s이다.
[임프린트 장치의 구성]
도 1은, 임프린트 장치(10)의 구성예를 도시하는 개략도이다. 임프린트 장치(10)는, 예를 들어 경화 유닛(20), 몰드 보유지지 유닛(30), 몰드 보정 유닛(40), 기판 보유지지 유닛(50), 공급 유닛(60), 검출 유닛(100), 및 제어 유닛(CNT)을 포함할 수 있다. 제어 유닛(CNT)은, 예를 들어 CPU, 메모리 등을 포함하는 컴퓨터에 의해 형성되고, 임프린트 처리를 제어한다(임프린트 장치(10)의 각 유닛을 제어한다). 또한, 임프린트 장치(10)는, 몰드 보유지지 유닛(30)을 지지하도록 구성되는 브리지 정반(70), 기판 보유지지 유닛(50)을 이동 가능하게 지지하도록 구성되는 베이스 정반(도시하지 않음) 등도 포함한다. 여기서, 도 1에서는, 기판(W)의 표면에 평행한 면 내에서 서로 상이한 2개의 축(예를 들어, 서로 직교하는 2개의 축)을 각각 X축 및 Y축으로서 규정하고, X축 및 Y축에 수직한 축을 Z축으로서 규정한다.
몰드(M)는, 예를 들어 디바이스의 회로 패턴 등의 요철 패턴이 3차원적으로 형성된 몰드이며, UV 광을 투과시킬 수 있는 석영 등의 재료를 사용해서 제조된다. 또한, 기판(W)으로서는, 유리, 세라믹, 금속, 반도체, 수지 등이 사용된다. 기판(W)의 표면에는 기판의 재료와 상이한 재료로 이루어지는 부재가 형성되어도 된다. 더 구체적으로는, 기판(W)은 실리콘 웨이퍼, 화합물 반도체 웨이퍼, 석영 유리 등이다. 또한, 임프린트재의 공급 전에, 필요에 따라, 임프린트재와 기판 사이의 접착성을 향상시키기 위해서 접착층을 제공해도 된다.
경화 유닛(20)은, 몰드(M)를 통해서 기판 상의 임프린트재(R)(수지 또는 레지스트)에 광(예를 들어, UV 광)을 조사함으로써, 당해 임프린트재(R)를 경화시킨다. 본 실시형태에서, 임프린트재(R)는, UV 광의 조사에 의해 경화되는 성질을 갖는 UV 경화 수지이다. 경화 유닛(20)은, 예를 들어 광원 유닛(21) 및 광학계(22)를 포함한다. 광원 유닛(21)은, 예를 들어 임프린트재(R)를 경화시키기 위해 사용되는 경화 광(예를 들어, i-선 또는 g-선)을 사출하는 수은 램프 등의 광원과, 해당 광원으로부터 사출된 경화 광을 집광하는 타원 미러를 포함할 수 있다. 광학계(22)는, 광원 유닛(21)에 의해 사출된 경화 광이 샷 영역 상의 임프린트재(R)에 조사되도록, 해당 경화 광을 정형하도록 구성되는 렌즈, 애퍼처(aperture) 등을 포함할 수 있다. 애퍼처는, 임프린트 처리의 대상으로서의 샷 영역(대상 샷 영역(S))에만 경화 광을 조사하기 위한 화각 제어나, 경화 광이 기판(W)의 샷 영역의 외측에 조사되는 것을 제한하기 위한 외주 차광 제어 등에 사용될 수 있다. 광학계(22)는, 몰드(M)를 균일하게 조명하도록 구성되는 옵티컬 인터그레이터를 포함해도 된다. 광학계(22)로부터 사출된 광은, 미러(MR)에 의해 반사되어, 하프 미러(HM) 및 몰드(M)를 통해서 기판 상의 임프린트재(R)에 입사한다.
몰드 보유지지 유닛(30)은, 임프린트 헤드라고도 불리며, 예를 들어 몰드(M)를 보유지지하는 몰드 척(31) 및 몰드 척(31)을 구동함으로써 몰드(M)를 구동하는 몰드 구동 유닛(32)을 포함할 수 있다. 몰드 보유지지 유닛(30)은, 몰드(M)의 위치를 6축에 관해서 제어하는 위치결정 기구 및 몰드(M)를 기판(W) 혹은 그 위의 임프린트재(R)에 가압하거나, 경화된 임프린트재(R)로부터 몰드(M)를 박리하는 기구를 포함한다. 여기서, 6축은, X 축, Y축 및 Z축뿐만 아니라 이들 축 둘레의 회전도 포함할 수 있다.
몰드 보정 유닛(40)은, 예를 들어 몰드 보유지지 유닛(30)에 제공되고, 공기나 오일 등의 유체에 의해 작용하는 실린더 등의 액추에이터를 사용해서 몰드(M)를 외주 방향으로부터 가압함으로써, 몰드(M)의 형상을 보정할 수 있다. 또한, 몰드 보정 유닛(40)은, 예를 들어 몰드(M)의 온도를 제어하는 온도 제어 기구를 포함하고, 몰드(M)의 온도를 제어함으로써 몰드(M)의 형상을 보정해도 된다. 기판(W)은, 열처리 등의 프로세스를 통해 변형(전형적으로는, 팽창 또는 수축)할 수 있다. 몰드 보정 유닛(40)은, 몰드(M)의 패턴과 기판 상의 기존의 패턴 사이의 오버레이 오차가 허용 범위에 들어가도록, 기판(W)의 변형에 따라 몰드(M)의 형상을 보정할 수 있다. 도 2는, -Z 방향으로부터 본, 몰드 보정 유닛(40)의 구성예를 도시하는 도면이다. 도 2에 도시하는 몰드 보정 유닛(40)에서, 몰드(M)의 각 변에 대응하여 5개의 액추에이터(41)가 제공된다. 액추에이터(41)가 몰드(M)의 측면에 힘을 가할 때, 몰드(M)는 원하는 형상으로 보정될 수 있다.
기판 보유지지 유닛(50)은, 기판 스테이지라고도 불리며, 기판(W)을 보유지지하면서 이동 가능하도록 구성될 수 있다. 기판 보유지지 유닛(50)은, 예를 들어 기판(W)을 척킹하는 기판 척(51), 및 기판 척(51)을 구동함으로써 기판(W)을 구동하는 기판 구동 유닛(52)을 포함할 수 있다. 기판 구동 유닛(52)은, 기판(W)의 위치를 전술한 6축에 관해서 제어함으로써 기판(W)의 위치를 제어하는 위치결정 기구를 포함할 수 있다.
공급 유닛(60)은, 기판 상에 임프린트재(R)를 공급(도포)한다. 공급 유닛(60)은, 예를 들어 임프린트재(R)를 수용하는 탱크, 해당 탱크로부터 공급로를 통해서 공급되는 임프린트재(R)를 기판(W) 상에 토출하는 복수의 토출구, 토출구와 연통하는 공급로에 제공된 압전 소자, 및 공급량 제어 유닛을 포함할 수 있다. 공급량 제어 유닛은, 예를 들어 압전 소자에 공급되는 신호값을 조정함으로써, 1개의 토출구로부터 액적으로서 토출되는 임프린트재(R)의 양을 제어한다.
검출 유닛(100)(스코프)은, 예를 들어 기판(W)의 대상 샷 영역(S)의 전체를 수용할 수 있는 시야를 갖고, 당해 대상 샷 영역(S)의 전체를 몰드(M)를 통해서 촬상한다. 그리고, 촬상에 의해 얻어진 화상에 기초하여, 대상 샷 영역(S)에 제공된 복수의 기판측 마크(2)의 각각에 대해서, 검출 유닛(100)은 기판측 마크(2)와 몰드측 마크(3)의 상대 위치를 검출한다. 검출 유닛(100)은, 예를 들어 기판(W)의 면과 푸리에 변환의 관계(공액 관계)에 있는 동공면(111)을 갖는 광학계(110), 광학계(110)를 통해서 기판(W)을 조명하는 조명 유닛(120), 및 광학계(110)를 통해서 대상 샷 영역(S)을 촬상하는 촬상 디바이스(130)를 포함할 수 있다.
본 실시형태에 따른 검출 유닛(100)에서는, 복수의 조명 유닛(120)이 제공된다. 각 조명 유닛(120)으로부터의 조명광은, 초점 거리(F)를 갖는 광학계(110)의 푸리에 변환 렌즈(112)(대물 렌즈)에 의해 푸리에 변환되어 기판(W)을 조명한다. 광학계(110)는, 푸리에 변환 렌즈(112) 이외에, 다른 렌즈, 애퍼처, 및 미러를 포함할 수 있다. 또한, 촬상 디바이스(130)는, 예를 들어 촬상 광학계(131) 및 촬상 소자(132)를 포함한다. 촬상 소자(132)는, 기판(W) 상의 적어도 하나의 샷 영역(S)의 전체 화상을 촬상 광학계(131)를 통해서 촬상할 수 있도록 배치된 복수의 화소를 포함한다. 촬상 소자(132)로서는, 예를 들어 CMOS 센서, CCD 센서, 라인 센서 등이 사용된다.
[검출 유닛의 구성]
이와 같이 구성된 임프린트 장치(10)에서는, 기판(W)의 대상 샷 영역 상의 서로 다른 위치에 제공된 복수의 기판측 마크(2)의 각각에 대해서, 기판측 마크(2)와 몰드측 마크(3)의 상대 위치가 검출 유닛(100)에 의해 검출된다. 그리고, 복수의 기판측 마크(2)의 각각에 관한 상대 위치의 검출 결과(촬상 디바이스(130)에 의해 얻어진 화상)에 기초하여, 몰드(M)와 기판(W)(대상 샷 영역(S)) 사이의 얼라인먼트가 행해진다. 이러한 얼라인먼트에서, 복수의 기판측 마크(2)의 각각에 대해서 상대 위치를 정밀하게 검출하기 위해서는, 조명 유닛(120)으로부터의 조명광을 효율적으로 사용하여, 각 기판측 마크(2)의 조도를 향상시키는 것이 바람직하다. 즉, 대상 샷 영역(S)의 전체를 조명하는 것이 아니고, 각 기판측 마크(2)(각 몰드측 마크(3))만을 선택적으로 조명해서 각 기판측 마크(2)의 조도를 향상시키는 것이 바람직하다. 그 때문에, 본 실시형태에 따른 검출 유닛(100)에서는, 대상 샷 영역 상의 복수의 기판측 마크(2)의 각각을 선택적으로 조명할 수 있도록 조명 유닛(120)이 구성된다. 이하에서, 본 실시형태에 따른 검출 유닛(100)의 구체적인 구성에 대해서 설명한다.
먼저, 기판측 마크(2) 및 몰드측 마크(3)의 구성예에 대해서 설명한다. 도 3은, 검출 유닛(100)의 촬상 디바이스(130)에 의한 촬상에 의해 얻어진 대상 샷 영역(S)의 화상의 일부(4)를 도시하는 도면이다. 당해 화상의 일부(4)에는, 서로 중첩하는 기판측 마크(2)와 몰드측 마크(3)가 나타나 있다. 각 기판측 마크(2)는, 도 3에 도시한 바와 같이, 제1 방향(예를 들어, X 방향)의 위치를 검출하기 위해 사용되는 제1 마크(X 검출 마크(2x)), 및 제1 방향과 다른 제2 방향(예를 들어, Y 방향)의 위치를 검출하기 위해 사용되는 제2 마크(Y 검출 마크(2y))를 포함할 수 있다. 도 3에 도시하는 예에서는, 기판측 마크(2)의 X 검출 마크(2x) 및 Y 검출 마크(2y)의 각각은, X 방향의 격자 피치(P1) 및 Y 방향의 격자 피치(P2)를 갖는 를 갖는 체커보드 형상의 격자 패턴을 포함한다.
한편, 각 몰드측 마크(3) 또한 각 기판측 마크(2)에 대응하도록 X 검출 마크(3x)와 Y 검출 마크(3y)를 포함할 수 있다. 도 3에 도시하는 예에서는, 몰드측 마크(3)의 X 검출 마크(3x)는, X 방향에서, 기판측 마크(2)의 격자 피치(P1)와 상이한 격자 피치(P3)를 갖는 격자 패턴을 포함한다. 또한, 몰드측 마크(3)의 Y 검출 마크(3y)는, Y 방향에서, 기판측 마크(2)의 격자 피치(P2)와 상이한 격자 피치(P4)를 갖는 격자 패턴을 포함한다. 상기와 같이 구성된 기판측 마크(2)와 몰드측 마크(3)가 중첩되면, 이들 마크(격자 패턴)로부터의 회절광 성분이 간섭하여, 도 4에 도시한 바와 같은 간섭 무늬(무아레 무늬)를 생성한다.
이어서, 본 실시형태에 따른 검출 유닛(100)의 구성에 대해서 설명한다. 검출 유닛(100)은, 기판 상의 X 검출 마크(2x)와 몰드 상의 X 검출 마크(3x)가 중첩될 때 생성된 간섭 무늬를 촬상 디바이스(130)에 의해 촬상하고, 그 촬상 화상으로부터, 기판측 마크(2)와 몰드측 마크(3)의 X 방향의 상대 위치를 검출한다. 마찬가지로, 검출 유닛(100)은, 기판 상의 Y 검출 마크(2y)와 몰드 상의 Y 검출 마크(3y)가 중첩할 때생성된 간섭 무늬를 촬상 디바이스(130)에 의해 촬상하고, 그 촬상 화상으로부터, 기판측 마크(2)와 몰드측 마크(3)의 Y 방향의 상대 위치를 검출한다.
도 5는, 본 실시형태에 따른 검출 유닛(100)의 구성예를 도시하는 개략도이다. 촬상 디바이스(130)는, 광학계(110)의 동공면(111)의 검출 개구(D1)를 통해서, 기판(W)의 대상 샷 영역(S)의 전체, 즉 대상 샷 영역(S)에 제공된 복수의 기판측 마크(2)를, 몰드(M)(복수의 몰드측 마크(3))를 통해서 한번에(동시에) 촬상한다. 즉, 촬상 디바이스(130)는, 복수의 조명 유닛(120)에 대하여 공통적으로 제공되고, 복수의 조명 유닛(120)에 의해 선택적으로 조명된 복수의 기판측 마크(2)와 복수의 몰드측 마크(3)의 상(간섭 무늬)을, 1회의 촬상에 의해 취득할 수 있도록 구성된다. 검출 개구(D1)는, 광학계(110)의 동공면(111) 중, 후술하는 바와 같이 조명 유닛(120)에 의해 극(IL)이 형성된 영역과 상이한 영역일 수 있다. 도 5에서는, 도면을 이해하기 쉽게 하기 위해서, 몰드(M) 등은 도시하지 않는다는 것에 유의한다.
복수의 조명 유닛(120)의 각각은, 대상 샷 영역(S)에 제공된 복수의 기판측 마크(2)를 선택적으로 조명한다. 예를 들어, 복수의 조명 유닛(120)은, 대상 샷 영역(S)에서의 복수의 기판측 마크(2)를 복수의 제1 광속으로 선택적으로 조명하도록 구성되는 제1 조명 유닛, 및 대상 샷 영역(S)에서의 복수의 기판측 마크(2)를 복수의 제2 광속으로 선택적으로 조명하도록 구성되는 제2 조명 유닛을 포함할 수 있다. 제1 조명 유닛 및 제2 조명 유닛은, 동일한 기판측 마크(2)를 선택적으로 조명하도록 구성될 수 있다. 이 경우, 예를 들어 제2 조명 유닛은, 제1 조명 유닛에 의해 선택적으로 조명된 복수의 기판측 마크(2)(복수의 X 검출 마크(2x) 또는 복수의 Y 검출 마크(2y))를 조명하도록 구성될 수 있다. 혹은, 제1 조명 유닛 및 제2 조명 유닛은, 서로 다른 기판측 마크(2)를 선택적으로 조명하도록 구성되어도 된다. 이 경우, 예를 들어 제1 조명 유닛은, 복수의 X 검출 마크(2x) 및 복수의 Y 검출 마크(2y) 중 하나의 그룹을 선택적으로 조명하도록 구성될 수 있으며, 제2 조명 유닛은 다른 그룹을 선택적으로 조명하도록 구성될 수 있다. 도 5에 도시하는 예에서는, 4개의 조명 유닛(120a 내지 120d)이 제공된다. 조명 유닛(120a 내지 120d) 중 하나는 제1 조명 유닛에 대응하며, 조명 유닛(120a 내지 120d) 중 다른 하나는 제2 조명 유닛에 대응한다.
이하에서, 도 5에 도시하는 4개의 조명 유닛(120a 내지 120d)의 각 구성에 대해서 설명한다. 조명 유닛(120a 및 120b)은, 대상 샷 영역(S)의 복수의 X 검출 마크(2x)를 선택적으로 조명하도록 구성되며, 조명 유닛(120c 및 120d)은 대상 샷 영역(S)의 복수의 Y 검출 마크(2y)를 선택적으로 조명하도록 구성된다. 여기서, 도 5에 도시하는 예에서는, 4개의 조명 유닛(120)이 제공된다. 그러나, 조명 유닛(120)의 수는 4개로 제한되지 않고, 1개이거나 2개 이상이어도 된다.
조명 유닛(120a)은, 대상 샷 영역(S)의 복수의 X 검출 마크(2x)의 각각이 적어도 하나의 광속에 의해 조명되도록, 복수의 X 검출 마크(2x)를 복수의 광속으로 선택적으로 조명한다. 조명 유닛(120a)은, 복수의 X 검출 마크(2x)를 조명하기 위해 사용되는 복수의 광속에 의해, 광학계(110)의 동공면(111)에 제1 극(IL1)을 형성할 수 있다. 또한, 조명 유닛(120b)은, 대상 샷 영역(S)의 복수의 X 검출 마크(2x)의 각각이 적어도 하나의 광속에 의해 조명되도록, 조명 유닛(120a)의 조명에 중첩시켜서, 복수의 X 검출 마크(2x)를 복수의 광속에 의해 선택적으로 조명한다. 조명 유닛(120b)은, 복수의 X 검출 마크(2x)를 조명하기 위해 사용되는 복수의 광속에 의해, 광학계(110)의 동공면(111)에 제2 극(IL2)을 형성할 수 있다. 여기서, 각각의 X 검출 마크(2x)가, 복수의 패턴 요소를 X 방향으로 배열한 격자 패턴에 의해 형성되는 경우, 조명 유닛(120a 및 120b)은, X 방향과 수직인 방향(방위)으로부터 X 검출 마크(2x)에 광속(조명광)이 조사되도록 형성(배치)되도록 구성된다.
조명 유닛(120c)은, 대상 샷 영역(S)의 복수의 Y 검출 마크(2y)의 각각이 적어도 하나의 광속으로 조명되도록, 복수의 Y 검출 마크(2y)를 복수의 광속으로 선택적으로 조명한다. 조명 유닛(120c)은, 복수의 Y 검출 마크(2y)를 조명하기 위해 사용되는 복수의 광속에 의해, 광학계(110)의 동공면(111)에 제3 극(IL3)을 형성할 수 있다. 또한, 조명 유닛(120d)은, 대상 샷 영역(S)의 복수의 Y 검출 마크(2y)의 각각이 적어도 하나의 광속에 의해 조명되도록, 조명 유닛(120c)의 조명에 중첩시켜서, 복수의 Y 검출 마크(2y)를 복수의 광속으로 선택적으로 조명한다. 조명 유닛(120d)은, 복수의 Y 검출 마크(2y)를 조명하기 위해 사용되는 복수의 광속에 의해, 광학계(110)의 동공면(111)에 제4 극(IL4)을 형성할 수 있다. 여기서, Y 검출 마크(2y)가, 복수의 패턴 요소를 Y 방향으로 배열한 격자 패턴으로 형성되는 경우, 조명 유닛(120c 및 120d)은, Y 방향과 수직인 방향(방위)으로부터 Y 검출 마크(2y)에 광속(조명광)이 조사되도록 형성(배치)되도록 구성된다.
[각 조명 유닛의 구성]
이어서, 복수의 기판측 마크(2)를 선택적으로 조명할 수 있는 각 조명 유닛(120)의 구성에 대해서 설명한다. 각 조명 유닛(120)은, 복수의 광속의 각각에 대해서, 광학계(110)의 동공면(111)(극(IL))에의 입사각(θ)을 개별적으로 변경하도록 구성되는 변경 유닛(121)을 포함한다. 변경 유닛(121)은 각 광속의 동공면에의 입사각(θ)을 변경함으로써, 기판 상에서의 각 광속의 조사 위치를 변경한다. 예를 들어, 조명 유닛(120c)이 입사각(θ)에서 동공면(111)(극(IL3))에 광속을 입사시켰을 경우, F×sinθ로 표현되는 좌표를 갖는 기판 상의 위치에 당해 광속을 조사할 수 있다("F"는 푸리에 변환 렌즈(112)의 초점 거리이다). 따라서, 제어 유닛(CNT)은, 대상 샷 영역(S)에서의 각 기판측 마크(2)의 설계 위치(목표 조사 위치)에 기초하여, 동공면(111)(극(IL3))에의 각 광속의 입사각(θ)을 결정하고, 결정된 입사각(θ)에서 각 광속이 동공면(111)에 입사하도록 변경 유닛(121)을 제어한다. 이에 의해, 대상 샷 영역 상에서의 복수의 기판측 마크(2)의 각각이 조명 유닛(120c)으로부터의 적어도 하나의 광속에 의해 조명되도록, 조명 유닛(120c)은 복수의 기판측 마크(2)를 선택적으로 조명할 수 있다. 여기서, 제어 유닛(CNT)은, 동공면(111)에 대한 광속의 입사각(θ)과 당해 광속이 조사되는 기판 상의 위치(좌표) 사이의 대응 관계를 나타내는 정보를 미리 구해 두고, 당해 정보에 기초하여, 변경 유닛(121)을 제어해도 된다.
도 6은, 조명 유닛(120)의 구성예를 도시하는 개략도이다. 도 6에 나타내는 조명 유닛(120)은, 복수의 광속(6)을 사출하는 광원 유닛(122), 렌즈 등을 포함하는 광학계(123), 및 광학계(123)로부터 사출된 복수의 광속(6)을 동공면(극(IL))을 향해서 반사하는 미러(124)를 포함할 수 있다. 도 6에 나타내는 조명 유닛(120)에서는, 광원 유닛(122)에 의해 사출된 복수의 광속(6)을 각각 반사하여 이들을 광학계에 유도하도록 구성되는 복수의 미러(7)를 포함하는 미러 어레이(121a)가 변경 유닛(121)로서 제공된다. 미러 어레이(121a)는, 예를 들어 2축 구동 가능한 MEMS 미러 어레이(디지털 마이크로 미러 디바이스)이며, 광원 유닛(122)에 의해 사출된 복수의 광속(6)의 반사 방향을 조정할 수 있도록 구성된다. 변경 유닛(121)은, 광원 유닛(122)에 의해 사출된 복수의 광속(6)의 반사 방향을 복수의 미러(7)에 의해 개별적으로 조정함으로써, 광학계(123)로부터 사출되어서 동공면(111)(극(IL))에 입사하는 각 광속(6)의 입사각(θ)을 개별적으로 변경할 수 있다. 도 6에서는, 3개의 광속이 도시되어 있지만, 광속의 수는 3개로 한정되지 않는다는 것에 유의한다.
도 7은, 조명 유닛(120)의 다른 구성예를 도시하는 개략도이다. 도 7에 나타내는 조명 유닛(120)은, 광속(6)을 사출하는 광원 유닛(122), 광원 유닛(122)에 의해 사출된 광속(6)을 굴절시켜 복수의 광속(6)을 생성하는 회절 소자(125), 및 해당 회절 소자(125)에 의해 생성된 복수의 광속(6)을 집광하도록 구성되는 렌즈 등을 포함하는 광학계(123)를 포함할 수 있다. 또한, 조명 유닛(120)은, 광학계(123)로부터 사출된 복수의 광속(6)을 동공면(111)(극(IL))을 향해서 반사하는 미러(124)를 포함할 수 있다. 도 7에 나타내는 조명 유닛(120)에서는, 회절 소자(125)와 광학계(123)(렌즈)의 상대 위치를 변경하도록, 그것들을 상대적으로 구동하는 구동 유닛(121b)이 변경 유닛(121)으로서 제공된다. 구동 유닛(121b)은, 회절 소자(125)와 광학계(123)(렌즈)를 상대적으로 구동하고, 회절 소자(125)에 의해 생성된 각 광속(6)이 광학계(123)에 입사하는 위치를 조정함으로써, 동공면(111)(극(IL))에 대한 각 광속(6)의 입사각(θ)을 개별적으로 변경할 수 있다.
여기서, 기판 상에서의 복수의 기판측 마크(2)의 위치(간격 등)가 변경되는 경우에는, 당해 복수의 기판측 마크(2)의 위치에 대응하도록 회절 소자(125)를 교환해도 된다. 또한, 회절 소자(125)로서는, 회절 격자를 갖는 회절 광학 소자, 음향 광학 소자 및 공간 광 위상 변조기 중 적어도 하나가 사용될 수 있다. 공간 광 위상 변조기는, 전기 신호에 의해 공간적으로 광의 위상을 변조시키고, 회절 분포를 자유롭게 변경할 수 있는 소자이다.
도 8은, 조명 유닛(120)의 또 다른 구성예를 도시하는 개략도이다. 도 8에 나타내는 조명 유닛(120)은, 광속(6)을 각각 사출하도록 구성되는 복수의 광원 유닛(122a 내지 122c), 렌즈 등을 포함하는 광학계(123), 및 광학계(123)로부터 사출된 복수의 광속(6)을 동공면(극(IL))을 향해서 반사하는 미러(124)를 포함할 수 있다. 도 8에 나타내는 조명 유닛(120)에서는, 복수의 광원 유닛(122a 내지 122c)의 각각을 구동하는 구동 유닛(121c)이 변경 유닛(121)로서 제공된다. 구동 유닛(121c)은, 복수의 광원 유닛(122a 내지 122c)의 각각을 구동하고, 각 광원 유닛에 의해 사출된 광속(6)이 광학계(123)에 입사하는 위치를 개별적으로 조정함으로써, 동공면(111)(극(IL))에의 각 광속(6)의 입사각(θ)을 개별적으로 변경할 수 있다.
이어서, 상술한 바와 같이 구성된 복수의 조명 유닛(120)에 의해, 대상 샷 영역에서의 복수의 기판측 마크(2)(Y 검출 마크(2y))를 선택적으로 조명하는 예에 대해서 설명한다. 도 9는, 조명 유닛(120c 및 120d)에 의해 대상 샷 영역(S)의 복수의 기판측 마크(2)(Y 검출 마크(2y))를 선택적으로 조명하는 예를 도시하는 도면이다. 도 9는, 대상 샷 영역(S)의 복수의 Y 검출 마크(2ya 내지 2yf) 중 Y 검출 마크(2ya 내지 2yc)를, 조명 유닛(120c 및 120d)의 각각에 의해 선택적으로 조명하는 예를 나타내고 있다. Y 검출 마크(2yd 내지 2yf)는 예비 마크이다. 도 9에서는, 도를 이해하기 쉽게 하기 위해서, X 검출 마크(2x)를 조명하기 위해 사용되는 조명 유닛(120a 및 120b)은 도시되지 않는다. 조명 유닛(120a 및 120b)에서도, 조명 유닛(120c 및 120d)의 제어와 동일한 제어가 행해질 수 있다.
조명 유닛(120c)에서는, 각 광속(6c)의 동공면(111)(극(IL3))에의 입사각(θ)을 조정하고, 각 광속(6c)이 Y 검출 마크(2ya 내지 2yc)에 입사하도록, 변경 유닛(121)이 제어 유닛(CNT)에 의해 제어된다. 더 구체적으로는, 극(IL3)에의 각 광속(6c)의 입사각(θ)을 X-Z 평면 상에서 변경하면, 해당 광속(6c)이 조사되는 기판 상의 위치를 X 방향에서 변경할 수 있다. 또한, 극(IL3)에의 각 광속(6c)의 입사각(θ)을 Y-Z 평면 상에서 변경하면, 해당 광속(6c)이 조사되는 기판 상의 위치를 Y 방향에서 변경할 수 있다. 마찬가지로, 조명 유닛(120d)에서는, 동공면(111)(극(IL4))에 대한 각 광속(6d)의 입사각(θ)을 조정하고, 광속(6c)이 Y 검출 마크(2ya 내지 2yc)에 입사하도록, 제어 유닛(CNT)이 변경 유닛(121)을 제어한다.
이와 같이, 조명 유닛(120c 및 120d)이 동일한 기판 상의 Y 검출 마크(2ya 내지 2yc)를 선택적으로 조명하면, Y 검출 마크(2ya 내지 2yc)에서는 조도가 증가할 수 있다. 그 때문에, 검출 유닛(100)은, 촬상 디바이스(130)에 의해 얻어진 화상으로부터 Y 검출 마크(2ya 내지 2yc)를 정밀하게 검출할 수 있다.
또한, 광학계(110)의 동공면(111)은 기판(W)의 면(몰드(M)의 면)의 푸리에 변환면이기 때문에, 동공면(111)에 대한 광속의 입사각(θ)을 변경함으로써 기판에 대한 당해 광속의 조사 위치를 변경해도, 당해 광속의 기판에 대한 조사 각도(α)를 일정하게 할 수 있다. 예를 들어, 도 10에 도시하는 바와 같이, 광속(6c1 및 6c2)을 서로 다른 입사각(θ)에서 동공면(111)의 극(IL3)에 입사시키면, 동일한 조사 각도(α)(입사각)에서 서로 다른 기판 상의 위치를 조사할 수 있다. 또한, 광속(6d1 및 6d2)을 서로 다른 입사각(θ)에서 동공면(111)의 극(IL4)에 입사시키면, 동일한 조사 각도(α)(입사각)에서 서로 다른 기판 상의 위치를 조사할 수 있다. 즉, 기판 상의 서로 다른 위치에 배치된 복수의 기판측 마크(2)를 복수의 조명 유닛(120)으로부터의 광속으로 동일한 조사 각도(α)에서 조사하여 균일한 조명을 행할 수 있다.
여기서, 복수의 X 검출 마크(2x)와 복수의 Y 검출 마크(2y)를 조명 유닛(120a 내지 120d)에 의해 동시에 조명해서 촬상하는 경우, 불필요한 광이 발생하고, 기판측 마크(2)와 몰드측 마크(3)의 상대 위치를 정밀하게 검출하는 것이 곤란해질 수 있다. 그 때문에, 제어 유닛(CNT)은, 복수의 X 검출 마크(2x)와 복수의 Y 검출 마크(2y)를 서로 다른 타이밍에 촬상하도록 촬상 디바이스(130)를 제어해도 된다. 예를 들어, 제어 유닛(CNT)은, 복수의 X 검출 마크(2x)를 촬상 디바이스(130)가 촬상하게 할 때는, 복수의 X 검출 마크(2x)를 선택적으로 조명하도록 조명 유닛(120a 및 120b)을 제어한다. 이때, 조명 유닛(120c 및 120d)에 의한 복수의 Y 검출 마크(2y)의 조명은 행하지 않는다. 한편, 제어 유닛(CNT)은, 복수의 Y 검출 마크(2y)를 촬상 디바이스(130)가 촬상하게 할 때는, 복수의 Y 검출 마크(2y)를 선택적으로 조명하도록 조명 유닛(120c 및 120d)을 제어한다. 이때, 조명 유닛(120a 및 120b)에 의한 복수의 X 검출 마크(2x)의 조명은 행하지 않는다. 이러한 제어에 의해, 불필요한 광의 발생을 저감시키고, 기판측 마크(2)와 몰드측 마크(3)의 상대 위치를 정밀하게 검출할 수 있다.
<제2 실시형태>
본 발명의 제2 실시형태에 따른 임프린트 장치에 대해서 설명한다. 제2 실시형태에 따른 임프린트 장치는, 제1 실시형태에 따른 임프린트 장치(10)를 기본적으로 이어받는다. 그러나, 검출 유닛(100)의 구성, 더 구체적으로는 촬상 디바이스(130)의 구성은 제1 실시형태와 상이할 수 있다.
도 11은 본 실시형태에 따른 촬상 디바이스(130)의 구성예를 도시하는 개략도이다. 본 실시형태에서는, 검출 유닛은 촬상 광학계(131) 및 촬상 소자(132)를 각각 포함하는 복수의 촬상 디바이스(130)와, 분할 유닛(133)을 포함한다. 광학계(110)의 동공면(111)의 검출 개구(D1)를 통해서 대상 샷 영역(S)을 분할해서 촬상한다. 분할 유닛(133)으로서는, 예를 들어 미러, 하프 미러 프리즘, 디지털 미러 어레이 등이 사용될 수 있다. 도 11에 도시하는 예에서는, 촬상 광학계(131) 및 촬상 소자(132)를 각각 포함하는 복수(2개)의 촬상 디바이스(130a, 130b)가 제공되어 있고, 분할 유닛(133)에는 미러(133a, 133b)가 제공된다. 이와 같은 구성에 의해, 촬상 디바이스(130a)는, 촬상 광학계(131a)와 미러(133a)를 통해서 촬상 소자(132a)에 의해 대상 샷 영역(S)의 일부(예를 들어, 도 9에서의 기판측 마크(2ye, 2ya, 및 2yf))를 촬상할 수 있다. 또한, 촬상 디바이스(130b)는, 촬상 광학계(131b)와 미러(133b)를 통해서 촬상 소자(132b)에 의해 대상 샷 영역(S)의 다른 일부(예를 들어, 도 9에서의 기판측 마크(2yb, 2yc, 2yd))를 촬상할 수 있다.
이와 같이, 대상 샷 영역(S)을 분할해서 촬상하면, 대상 샷 영역(S)의 복수의 기판측 마크(2)를 더 정밀하게 검출할 수 있다. 여기서, 대상 샷 영역(S)을 분할해서 촬상하기 위해 사용되는 촬상 디바이스(130)의 구성(배치)은, 대상 샷 영역(S)의 복수의 기판측 마크(2)의 위치에 따라서 변화될 수 있다.
<물품의 제조 방법의 실시형태>
본 발명의 실시형태에 따른 물품의 제조 방법은, 예를 들어 반도체 디바이스 등의 마이크로디바이스나 미세구조를 갖는 소자 등의 물품을 제조하기에 적합하다. 본 실시형태에 따른 물품 제조 방법은, 기판에 공급(도포)된 임프린트재에 상기의 임프린트 장치(임프린트 방법)를 사용해서 패턴을 형성하는 단계와, 이전 단계에서 패턴이 형성된 기판을 가공하는 단계를 포함한다. 이 제조 방법은, 다른 주지의 단계(산화, 성막, 증착, 도핑, 평탄화, 에칭, 레지스트 박리, 다이싱, 본딩, 패키징 등)을 더 포함한다. 본 실시형태에 따른 물품의 제조 방법은 종래의 방법에 비하여 물품의 성능, 품질, 생산성, 및 생산 비용 중 적어도 하나에서 유리하다.
임프린트 장치를 사용해서 성형된 경화물의 패턴은, 각종 물품의 적어도 일부에 영구적으로, 혹은 각종 물품을 제조할 때에 일시적으로 사용된다. 물품은, 전기 회로 소자, 광학 소자, MEMS, 기록 소자, 센서, 혹은, 몰드 등이다. 전기 회로 소자의 예는, DRAM, SRAM, 플래시 메모리, 및 MRAM과 같은 휘발성 혹은 불휘발성 반도체 메모리, 및 LSI, CCD, 이미지 센서, 및 FPGA와 같은 반도체 소자이다. 몰드의 예는 임프린트용 몰드이다.
경화물의 패턴은 상기 물품의 적어도 일부의 구성 부재로서 그대로 사용되거나 혹은 레지스트 마스크로서 일시적으로 사용된다. 기판 가공 공정에서 에칭 또는 이온 주입이 행해진 후, 레지스트 마스크는 제거된다.
이어서, 물품의 구체적인 제조 방법에 대해서 설명한다. 도 12a에 도시하는 바와 같이, 절연체 등의 피가공재(2z)가 표면에 형성된 실리콘 웨이퍼 등의 기판(1z)을 준비한다. 계속해서, 잉크젯법 등에 의해, 피가공재(2z)의 표면에 임프린트재(3z)를 부여한다. 여기에서는, 복수의 액적으로서 임프린트재(3z)가 기판 상에 부여된 상태를 나타내고 있다.
도 12b에 도시하는 바와 같이, 임프린트용 몰드(4z)의, 요철 패턴이 구비된 측을 기판 상의 임프린트재(3z)를 향해서 대향시킨다. 도 12c에 도시하는 바와 같이, 임프린트재(3z)가 부여된 기판(1z)을 몰드(4z)와 접촉시키고, 압력을 가한다. 임프린트재(3z)는 몰드(4z)와 피가공재(2z) 사이의 간극에 충전된다. 이 상태에서, 경화를 위한 에너지를 몰드(4z)를 통해 임프린트재(3z)에 조사하면, 임프린트재(3z)가 경화된다.
도 12d에 도시된 바와 같이, 임프린트재(3z)가 경화된 후에, 몰드(4z)는 기판(1z)으로부터 박리된다. 그리고, 임프린트재(3z)의 경화물의 패턴이 기판(1z) 상에 형성된다. 경화물의 패턴에서, 몰드의 오목부는 경화물의 볼록부에 대응하며, 몰드의 볼록부는 경화물의 오목부에 대응한다. 즉, 몰드(4z)의 요철 패턴이 임프린트재(3z)에 전사된다.
도 12e에 도시된 바와 같이, 경화물의 패턴을 내 에칭 마스크로서 에칭을 행하면, 피가공재(2z)의 표면 중, 경화물이 존재하지 않거나 얇게 유지되는 부분이 제거되어 홈(5z)을 형성한다. 도 12f에 도시된 바와 같이, 경화물의 패턴을 제거하면, 피가공재(2z)의 표면에 홈(5z)이 형성된 물품을 얻을 수 있다. 여기서, 경화물의 패턴이 제거된다. 그러나, 경화물의 패턴을 가공 또는 제거하지 않고, 예를 들어 반도체 소자 등에 포함되는 층간 절연 막, 즉 물품의 구성 부재로서 이용해도 된다.
<다른 실시형태>
본 발명의 실시형태(들)는, 전술한 실시형태(들) 중 하나 이상의 기능을 실행하기 위해 저장 매체(보다 완전하게는 '비일시적 컴퓨터 판독가능 저장 매체'라 칭할수도 있음)에 기록된 컴퓨터 실행가능 명령어(예를 들어, 하나 이상의 프로그램)를 판독 및 실행하고 그리고/또는 전술한 실시형태(들) 중 하나 이상의 기능을 실행하는 하나 이상의 회로(예를 들어, 주문형 집적 회로(ASIC))를 포함하는 시스템 또는 장치의 컴퓨터에 의해, 그리고 예를 들어 전술한 실시형태(들) 중 하나 이상의 기능을 실행하기 위해 저장 매체로부터 컴퓨터 실행가능 명령어를 판독 및 실행함으로써 그리고/또는 전술한 실시형태(들) 중 하나 이상의 기능을 실행하기 위해 하나 이상의 회로를 제어함으로써 상기 시스템 또는 장치의 컴퓨터에 의해 실행되는 방법에 의해 실현될 수도 있다. 컴퓨터는 하나 이상의 프로세서(예를 들어, 중앙 처리 유닛(CPU), 마이크로 처리 유닛(MPU))를 포함할 수 있고 컴퓨터 실행가능 명령어를 판독 및 실행하기 위한 별도의 컴퓨터 또는 별도의 프로세서의 네트워크를 포함할 수 있다. 컴퓨터 실행가능 명령어는 예를 들어 네트워크 또는 저장 매체로부터 컴퓨터에 제공될 수 있다. 저장 매체는, 예를 들어 하드 디스크, 랜덤 액세스 메모리(RAM), 리드 온리 메모리(ROM), 분산형 컴퓨팅 시스템의 스토리지, 광디스크(예를 들어, 콤팩트 디스크(CD), 디지털 다기능 디스크(DVD) 또는 블루레이 디스크(BD)TM), 플래시 메모리 디바이스, 메모리 카드 등 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
(기타의 실시예)
본 발명은, 상기의 실시형태의 1개 이상의 기능을 실현하는 프로그램을, 네트워크 또는 기억 매체를 개입하여 시스템 혹은 장치에 공급하고, 그 시스템 혹은 장치의 컴퓨터에 있어서 1개 이상의 프로세서가 프로그램을 읽어 실행하는 처리에서도 실현가능하다.
또한, 1개 이상의 기능을 실현하는 회로(예를 들어, ASIC)에 의해서도 실행가능하다.
본 발명을 예시적인 실시형태를 참고하여 설명하였지만, 본 발명은 개시된 예시적인 실시형태로 한정되지 않음을 이해해야 한다. 이하의 청구항의 범위는 이러한 모든 변형과 동등한 구조 및 기능을 포함하도록 최광의로 해석되어야 한다.

Claims (19)

  1. 기판에 제공된 복수의 마크를 검출하는 검출 장치이며,
    광학계;
    상기 복수의 마크의 각각이 적어도 하나의 광속으로 조명되도록, 상기 광학계를 통해 복수의 광속으로 상기 복수의 마크를 선택적으로 조명하도록 구성된 조명 유닛; 및
    상기 광학계를 통해 상기 복수의 마크가 포함된 시야를 갖고, 상기 시야 내에 있는 상기 복수의 마크의 화상을 촬상하도록 구성된 촬상 디바이스를 포함하고,
    상기 조명 유닛은, 상기 광학계의 동공면에 대한 상기 복수의 광속 각각의 입사각을 개별적으로 변경함으로써, 상기 시야 내에서 상기 복수의 광속 각각이 상기 기판 상에 조사되는 조사 위치를 변경하도록 구성된 변경 유닛을 포함하는, 검출 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 변경 유닛은, 복수의 미러에 의해 상기 복수의 광속 각각의 반사 방향을 조정하고 나서 상기 광속을 상기 동공면에 입사시킴으로써, 상기 동공면에 대한 상기 복수의 광속 각각의 상기 입사각을 개별적으로 변경하는 검출 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 조명 유닛은 상기 복수의 광속을 사출하도록 구성되는 복수의 광원을 더 포함하며,
    상기 변경 유닛은 상기 복수의 광원을 구동함으로써 상기 동공면에 대한 상기 복수의 광속 각각의 상기 입사각을 개별적으로 변경하는 검출 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 조명 유닛은, 광원에 의해 사출된 광속을 굴절시켜 상기 복수의 광속을 생성하도록 구성되는 회절 소자, 및 상기 회절 소자에 의해 생성된 상기 광속을 집광하도록 구성되는 렌즈를 포함하며,
    상기 변경 유닛은, 상기 회절 소자와 상기 렌즈와의 상대 위치를 변경함으로써 상기 동공면에 대한 상기 복수의 광속 각각의 상기 입사각을 개별적으로 변경하는 검출 장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 회절 소자는, 회절 격자를 포함하는 회절 광학 소자, 음향 광학 소자, 및 공간 광 위상 변조기 중 적어도 하나를 포함하는 검출 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 촬상 디바이스는 상기 광학계를 통해서 상기 복수의 마크를 한번에 촬상하는 검출 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 조명 유닛은 상기 복수의 광속에 의해 상기 동공면에 극을 형성하며,
    상기 촬상 디바이스는, 상기 동공면 중 상기 극이 형성되는 영역과 상이한 영역을 통해 상기 복수의 마크를 촬상하는 검출 장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 조명 유닛은, 복수의 제1 광속으로 상기 복수의 마크를 선택적으로 조명하도록 구성되는 제1 조명 유닛, 및 복수의 제2 광속으로 상기 복수의 마크를 선택적으로 조명하도록 구성되는 제2 조명 유닛을 포함하는 검출 장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 제2 조명 유닛은, 상기 제1 조명 유닛에 의해 상기 복수의 제1 광속으로 조명된 상기 복수의 마크를 상기 복수의 제2 광속으로 조명하는 검출 장치.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 복수의 마크는, 제1 방향의 위치를 검출하기 위해 사용되는 복수의 제1 마크, 및 상기 제1 방향과 다른 제2 방향의 위치를 검출하기 위해 사용되는 복수의 제2 마크를 포함하며,
    상기 제1 조명 유닛은 상기 복수의 제1 광속으로 상기 복수의 제1 마크를 선택적으로 조명하며, 상기 제2 조명 유닛은 상기 복수의 제2 광속으로 상기 복수의 제2 마크를 선택적으로 조명하는 검출 장치.
  11. 제10항에 있어서, 상기 제1 조명 유닛은 상기 제1 방향과 수직인 방향으로부터 상기 복수의 제1 광속으로 상기 복수의 제1 마크를 선택적으로 조명하며, 상기 제2 조명 유닛은 상기 제2 방향과 수직인 방향으로부터 상기 복수의 제2 광속으로 상기 복수의 제2 마크를 선택적으로 조명하는 검출 장치.
  12. 제10항에 있어서, 상기 복수의 제1 마크와 상기 복수의 제2 마크를 서로 다른 타이밍에 촬상하도록 상기 촬상 디바이스를 제어하도록 구성되는 제어 유닛을 더 포함하며,
    상기 촬상 디바이스가 상기 복수의 제1 마크를 촬상하게 할 때는, 상기 제어 유닛은 상기 복수의 제1 마크를 선택적으로 조명하도록 상기 제1 조명 유닛을 제어하고, 상기 촬상 디바이스가 상기 복수의 제2 마크를 촬상하게 할 때는, 상기 제어 유닛은 상기 복수의 제2 마크를 선택적으로 조명하도록 상기 제2 조명 유닛을 제어하는 검출 장치.
  13. 제8항에 있어서, 상기 제1 조명 유닛은 상기 복수의 제1 광속에 의해 상기 동공면에 제1 극을 형성하며, 상기 제2 조명 유닛은 상기 복수의 제2 광속에 의해 상기 동공면에 제2 극을 형성하는 검출 장치.
  14. 제1항에 있어서, 상기 촬상 디바이스는, 상기 기판에 제공된 상기 복수의 마크를, 원판에 제공된 복수의 마크를 통해서 촬상하는 검출 장치.
  15. 기판 상에 패턴을 형성하는 리소그래피 장치이며,
    복수의 마크가 제공된 상기 기판을 보유지지하도록 구성된 스테이지; 및
    상기 복수의 마크를 검출하도록 구성된 검출 장치를 포함하고,
    상기 검출 장치는,
    광학계;
    상기 복수의 마크의 각각이 적어도 하나의 광속으로 조명되도록, 상기 광학계를 통해 복수의 광속으로 상기 복수의 마크를 선택적으로 조명하도록 구성된 조명 유닛; 및
    상기 광학계를 통해 상기 복수의 마크가 포함된 시야를 갖고, 상기 시야 내에 있는 상기 복수의 마크의 화상을 촬상하도록 구성된 촬상 디바이스를 포함하고,
    상기 조명 유닛은, 상기 광학계의 동공면에 대한 상기 복수의 광속 각각의 입사각을 개별적으로 변경함으로써, 상기 시야 내에서 상기 복수의 광속 각각이 상기 기판 상에 조사되는 조사 위치를 변경하도록 구성된 변경 유닛을 포함하는, 리소그래피 장치.
  16. 제15항에 있어서, 상기 리소그래피 장치는 상기 기판 상에 임프린트재의 패턴을 형성하는 임프린트 장치인 리소그래피 장치.
  17. 물품 제조 방법이며,
    리소그래피 장치를 사용하여 기판 상에 패턴을 형성하는 단계;
    상기 패턴이 형성된 상기 기판을 가공하여 상기 물품을 제조하는 단계를 포함하고,
    상기 리소그래피 장치는 기판 상에 패턴을 형성하며,
    상기 리소그래피 장치는,
    복수의 마크가 제공된 상기 기판을 보유지지하도록 구성된 스테이지; 및
    상기 복수의 마크를 검출하도록 구성된 검출 장치를 포함하고,
    상기 검출 장치는,
    광학계;
    상기 복수의 마크의 각각이 적어도 하나의 광속으로 조명되도록, 상기 광학계를 통해 복수의 광속으로 상기 복수의 마크를 선택적으로 조명하도록 구성된 조명 유닛; 및
    상기 광학계를 통해 상기 복수의 마크가 포함된 시야를 갖고, 상기 시야 내에 있는 상기 복수의 마크의 화상을 촬상하도록 구성된 촬상 디바이스를 포함하고,
    상기 조명 유닛은, 상기 광학계의 동공면에 대한 상기 복수의 광속 각각의 입사각을 개별적으로 변경함으로써, 상기 시야 내에서 상기 복수의 광속 각각이 상기 기판 상에 조사되는 조사 위치를 변경하도록 구성된 변경 유닛을 포함하는, 물품 제조 방법.
  18. 제1항에 있어서, 상기 촬상 디바이스는, 상기 복수의 마크를 포함하는 전체 샷 영역이 상기 시야에 포함되도록 구성된, 검출 장치.
  19. 제1항에 있어서, 상기 조명 유닛은, 상기 복수의 마크만이 상기 시야에서 조명되도록 상기 변경 유닛에 의해 상기 복수의 광속 각각의 상기 입사각을 개별적으로 제어하도록 구성된, 검출 장치.
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