KR102456684B1 - 카메라 모듈의 도트 결함을 감소시키는 ald 제조 방법 및 그 생성물 - Google Patents

카메라 모듈의 도트 결함을 감소시키는 ald 제조 방법 및 그 생성물 Download PDF

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강 왕
케빈 웡
히로카즈 야지마
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    • C23C28/04—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings of inorganic non-metallic material
    • C23C28/042—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings of inorganic non-metallic material including a refractory ceramic layer, e.g. refractory metal oxides, ZrO2, rare earth oxides
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Abstract

본 발명은 입경이 마크론 크기인 도트 결점이 발생하지 않도록, 도트의 생성 경로를 근본적으로 해결할 수 있는 카메라 모듈의 도트 결함을 감소시키는 ALD 제조 방법을 제공한다.
본 발명은 또한 도트 결함으로 인한 불량을 크게 감소시키는 상기 제조 방법으로 얻은 다층 필름 구조, 패키지 커버 플레이트, CLCC 패키지 및 카메라 모듈을 추가로 제공한다.

Description

카메라 모듈의 도트 결함을 감소시키는 ALD 제조 방법 및 그 생성물
본 발명은 카메라 모듈 기술 분야에 관한 것으로, 특히 카메라 모듈의 도트 결함을 감소시키는 ALD 제조 방법 및 그 생성물에 관한 것이다.
스마트 단말기, 차량 탑재 제품, 스캐너, 스마트폰, 프로젝터, 보안 모니터링 시스템 등 산업의 고해상도 카메라에 대한 요구가 갈수록 높아지고, 현실, 3D 기술 및 제스처 인식 기술의 인공 지능 분야에서의 광범위한 응용이 증강됨에 따라, 광학 렌즈 및 카메라 모듈 산업이 고속으로 발전하는 동시에 끊임없는 기술 혁신을 통해, 새로운 응용 요구를 만족시키고 있다.
도트는 광학 렌즈 및 카메라 모듈에서 발생하는 일종의 불량 결함이며, 기판 표면에 형성된 점상 돌기를 말하며, 때로는 입자(particle)라고도 부른다. 도트는 주로 현재의 광학 코팅 공정(즉 진공 열증발 및 마그네트론 스퍼터링)에서 재료로 인한 큰 점들이 불가피하게 나타나면서 재료 증기 또는 스퍼터링 입자와 함께 기판의 표면에 증착되어 형성된다. 어떤 때는 개별적인 점들이며, 심각할 경우에는 편상을 이루는 미세 점들이 모여 있으며, 큰 점은 심지어는 기판 표면을 손상시킬 수 있고, 이미징 효과에 심각한 영향을 미칠 수도 있다. 따라서, 이미징 효과를 보장하기 위해, 현재 대부분의 업체에서는 모두 광학 소자 중의 도트가 5μm를 초과하지 않을 것을 요구하고 있다.
그러나, 현재 거의 모든 광학 소자들은 표면에 다양한 박막을 코팅하여 특정한 광학 특성을 실현한다. 즉, 광학 부품 표면에 1층 또는 다층의 금속 또는 유전체막을 코팅하는 공정 과정을 통해, 광의 반사, 분할, 색 선별, 필터링, 편광 등 감소 또는 증가시키는 요구에 도달한다. 광학 코팅 공정에서는 주로 진공 열증발(증착) 및 마그네트론 스퍼터링을 이용하므로, 도트를 제어하거나 감소시킬 수 있는 효과적인 수단이 아직 없다.
진공 열증발은 진공 조건에서 증발 물질이 기화되도록 가열하여 기판 표면에 증착시켜 고체 박막을 형성하는 것이며, 그 과정은 다음과 같다. (1) 다양한 형태의 열에너지 전환 방식(전기저항 가열, 전자 가열, 고주파 유도 가열, 아크 가열, 레이저 가열 등)을 이용하여, 코팅 재료 입자를 증발 또는 승화시켜, 일정한 에너지를 가진 기체 상태 입자로 만들고; (2) 기체 상태 입자는 거의 충돌이 없는 직선 운동 방식을 통해 기재에 전송되며; (3) 입자는 기재 표면에 증착되어 박막으로 응집되고; (4) 박막을 구성하는 원자는 재배열되거나 또는 화학적 결합에 변화가 발생한다. 가열 및 응집 과정이 절대적으로 균일할 수 없으므로, 큰 액체방울 또는 큰 점이 불가피하게 나타나면서, 광학 코팅막 중의 도트 결함이 효과적으로 제어될 수 없고, 입경이 5μm를 초과하는 도트가 나타날 가능성이 크며, 이는 현재 합격률에 영향을 주는 중요한 요소이다.
마그네트론 스퍼터링은 진공 상태에서 하전 입자를 타겟 표면에 충돌시켜, 튀어나오는 입자를 기판에 증착시키는 기술이며, 그 과정은 다음과 같다. (1) 전자는 전기장E의 작용에 의해, 기판으로 날아가는 과정에서 아르곤 원자와 충돌하여, 아르곤 원자가 이온화되면서 Ar 양이온 및 새로운 전자가 발생하도록 하고; (2) 새로운 전자는 기판으로 날아가며, Ar 이온은 전기장의 작용에 의해 가속되면서 음극 타겟으로 날아가고, 높은 에너지로 타겟 표면과 충돌하여, 타겟에 스퍼터링이 발생되도록 하며; (3) 스퍼터링 입자에서, 중성의 타겟 원자 또는 분자는 기판에 증착되어 박막을 형성한다. 마찬가지로, 타겟 충돌 과정에서, 큰 입자가 생성될 가능성이 매우 크므로, 기판에 증착되어 도트가 형성되며, 이 또한 효과적으로 제어할 수 없다.
따라서, 광학 렌즈 및 카메라 모듈의 산업화 생산 과정에서, 도트 결함의 발생 및 수량을 제어하는 효과적인 제어 경로가 결여되어, 제품의 합격율이 낮고, 생산 원가가 높으므로, 최적화된 생산 공정을 개발할 필요가 있다.
본 발명의 첫 번째 목적은 종래 기술에서 부족한 부분에 대하여, 입경이 마이크론 크기인 도트 결함이 발생하지 않도록, 도트의 생성 경로를 근본적으로 해결할 수 있는 카메라 모듈의 도트 결함을 감소시키는 ALD 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 두 번째 목적은 도트 결함으로 인한 불량을 크게 감소시키는 상기 제조 방법으로 얻은 다층 필름 구조, 패키지 커버 플레이트, CLCC 패키지 및 카메라 모듈을 제공하는 것이다.
상술한 목적을 실현하기 위한, 본 발명의 카메라 모듈의 도트 결함을 감소시키는 ALD제조 방법은,
S1: 반응 챔버에 베이스 기판을 놓고, 100~400℃로 가열하는 단계;
S2: 제1 반응 전구체를 원자층 반응 챔버 내로 도입하여, 베이스 기판 상에 화학적으로 흡착시켜, 제1 필름층을 형성하는 단계;
S3: 과량의 제1 반응 전구체를 펌핑하고, 불활성 가스로 퍼지하는 단계;
S4: 제2 반응 전구체를 반응 챔버 내로 도입하여, 베이스 기판 표면에 화학적으로 흡착된 제1 반응 전구체와 반응시켜, 제1 굴절률층을 형성하는 단계;
S5: 과량의 제2 반응 전구체 및 반응 부산물을 펌핑하고, 불활성 가스로 퍼지하는 단계;
S6: 제3 반응 전구체를 반응 챔버 내로 도입하여, 제1 굴절률층 표면에 화학적으로 흡착시켜, 제2 필름층을 형성하는 단계;
S7: 과량의 제3 반응 전구체를 펌핑하고, 불활성 가스로 퍼지하는 단계;
S8: 제4 반응 전구체를 원자층 반응 챔버 내로 도입하여, 제1 굴절률층 표면에 화학적으로 흡착된 제3 반응 전구체와 반응시켜, 굴절률이 제1 굴절률층의 굴절률보다 큰 제2 굴절률층을 형성하는 단계;
S9: 과량의 제4 반응 전구체 및 반응 부산물을 펌핑하는 단계를 포함한다.
추가적으로, 상기 제조 방법은 제N-1 굴절률층 상에 제N굴절률층을 형성하는 단계를 더 포함하고, N은 3이상의 정수이다.
추가적으로, 상기 제조 방법에서, 상기 짝수 굴절률층의 굴절률은 홀수 굴절률층의 굴절률보다 크다.
추가적으로, 상기 제조 방법에서, 상기 제1 반응 전구체는 실란(모노실란, 디실란 또는 기타 치환기를 가진 실란을 포함)이며, 상기 제2 반응 전구체는 산소 또는 오존이며, 제3 반응 전구체는 티타늄, 탄탈륨 또는 지르코늄을 함유하는 가스이며, 상기 제4 반응 전구체는 수증기이다.
추가적으로, 상기 제조 방법에서, 상기 베이스 기판은 유리, 크리스탈 또는 사파이어 기판이다.
추가적으로, 상기 제조 방법에서, 상기 굴절률층은, SiO2 저굴절률 L층과 TiO2 고굴절률 H층; SiO2 저굴절률 L층과 Nb2O5 고굴절률 H층; SiO2 저굴절률 L층과 Ta3O5 고굴절률 H층; MgF2 저굴절률 L층과 TiO2 고굴절률 H층; MgF2 저굴절률 L층과 Nb2O5 고굴절률 H층; Nb2O5 저굴절률 L층과 Ta3O5 고굴절률 H층; MgF2 저굴절률 L층, Al2O3 고굴절률 H층과 SiO2 저굴절률 L층; Al2O3 저굴절률 L층, H4 고굴절률 H층과 MgF2 저굴절률 L층; Al2O3 저굴절률 L층, ZrO2 고굴절률 H층과 MgF2 저굴절률 L층 중 임의의 1종의 조합을 포함한다.
추가적으로, 상기 제조 방법에서, 베이스 기판으로부터 외부를 향하여, 홀수 굴절률층은 실리콘 산화물이고, 짝수 굴절률층은 티타늄 산화물, 탄탈륨 산화물 또는 지르코늄 산화물이다.
추가적으로, 상기 제조 방법에서, 베이스 기판으로부터 외부를 향해 순서대로, 이산화규소층, 이산화티탄층, 이산화규소층, 오산화이탄탈륨층, 이산화규소층이다.
추가적으로, 상기 제조 방법에서, 온도는 바람직하게는 150~250℃이다.
다층 필름 구조에 있어서, 상기 다층 필름 구조는 상기 ALD제조 방법에 의해 제조된다.
추가적으로, 상기 다층 필름 구조에서 크기가 1μm 이상인 도트 수는 0이다.
추가적으로, 상기 ALD제조 방법에서, 각 층의 필름 구조의 증착이 완료된 후, 다음 층의 필름 구조의 증착이 진행되기 전에, 플라즈마로 현재의 증착층에 대해 충격을 가하여 개질하는 것을 포함한다.
추가적으로, 상기 다층 필름 구조의 표면 조도(Ra) 범위는 0.01nm~20nm이다.
CLCC패키지 커버 플레이트에 있어서, 상기 패키지 커버 플레이트는 커버 플레이트 베이스 및 커버 플레이트 베이스의 상부를 덮는 기능 필름을 포함하고, 상기 기능 필름은 다층 필름 구조를 포함하고, 상기 다층 필름 구조는 상기 ALD 제조 방법에 의해 증착되며, 각 층의 필름 구조의 증착이 완료된 후, 다음 층의 필름 구조의 증착이 진행되기 전에, 플라즈마로 현재의 증착층에 대해 충격을 가하여 개질하는 것을 포함한다. 일반적인 ALD증착 공정은 단일 필름의 증착에만 적용되며, 다층 필름 구조를 증착하는 과정에서, 현재 층의 필름이 증착된 후, 증착 표면의 변화로 인해, 다음 층의 필름을 성공적으로 증착할 수 없게 되므로, 본 발명은 각 층의 필름 구조 증착 후 플라즈마 충격으로 표면을 개질함으로써 다층 필름의 성공적인 증착을 실현한다.
CLCC패키지에 있어서, 상기 CLCC패키지는 기판을 포함하고, 상기 기판 상에 중앙에 위치하는 CMOS 및 가장자리에 위치하는 커패시턴스 저항 및 구동모터가 장착되고, 상기 기판 상에 격벽 베이스가 설치되어 있고, 상기 격벽 베이스 상에는 기판 상의 CMOS, 커패시턴스 저항 및 구동모터에 대응되는 위치에 각각 CMOS센서의 빈자리, 캐패시턴스 저항의 빈자리 및 구동모터의 빈자리가 설치되고, 상기 CMOS센서의 빈자리의 상면에 상기 커버 플레이트가 장착된다.
카메라 모듈에 있어서, 상기 카메라 모듈은 상기 CLCC패키지를 포함한다.
본 발명의 유익한 효과는 다음과 같다.
(1) ALD（Atomic layer deposition, 원자층 증착)를 통해 광학 소자의 고굴절률, 저굴절률의 코팅층의 교대 증착을 실현할 수 있고, 반응 물질은 기체 형태로 반응 챔버에서 반응하여 베이스 기판에 증착되며, 증발 또는 스퍼터링 과정이 존재하지 않아, 도트 결함의 원인이 해소되므로, 큰 도트의 도트 결함이 형성되지 않아, 카메라 모듈의 이미징 품질을 크게 향상시켜, 카메라 모듈의 가공 과정에서 ALD가 실제적인 가공 의의가 있는 응용이 가능하도록 하였다.
(2) 본 발명에서 제공하는 제품은, 원자층 증착을 통해 광학 소자의 코팅막을 실현하고, 반응 물질은 증발 또는 스퍼터링 과정이 존재하지 않으며, 흡착을 통해 베이스 기판에 증착되므로, 큰 도트의 도트 결함이 형성되지 않아, 카메라 모듈의 이미징 품질을 크게 향상시키고, 제품 합격률을 향상시키며, 또한 광학 코팅막이 더욱 매끄럽고, 견고도가 더욱 높으며, 더욱 실용적이다.
(3) 본 발명의 커버 플레이트는 표면에 대한 정밀 제어를 통해, 표면에 큰 도트가 발생하지 않도록 보장하며, 종래 기술의 5μm요구보다 훨씬 작아, CMOS픽셀의 개선을 제한하는 불리한 요인을 극복하여, CLCC패키지 및 카메라 모듈의 픽셀 레벨을 크게 개선하였다.
도 1은 본 발명과 관련된 다층 필름 구조의 개략도이다.
도 2는 본 발명과 관련된 CLCC패키지 구조 개략도이다.
도 3은 실시예1의 커버 플레이트의 금속 현미경 접안렌즈10X, 대물렌즈100X에서의 개략도이다.
도 4는 실시예1의 커버 플레이트 표면의 AFM도이다.
도 5는 실시예1의 커버 플레이트 표면의 3D AFM도이다.
도 6은 비교예의 커버 플레이트의 금속 현미경 접안렌즈10X, 대물렌즈100X에서의 개략도이다.
이하, 도면 및 실시 형태를 결합하여 본 발명에 대해 추가적으로 설명한다.
카메라 모듈의 도트 결함을 감소시키는 ALD제조 방법은,
S1： 반응 챔버에 베이스 기판을 놓고, 100~400℃로 가열하는 단계;
S2: 제1 반응 전구체를 원자층 반응 챔버 내로 도입하여, 베이스 기판 상에 화학적으로 흡착시켜, 제1 필름층을 형성하는 단계;
S3: 과량의 제1 반응 전구체를 펌핑하고, 불활성 가스로 퍼지하는 단계;
S4: 제2 반응 전구체를 반응 챔버 내로 도입하여, 베이스 기판 표면에 화학적으로 흡착된 제1 반응 전구체와 반응시켜, 제1 굴절률층을 형성하는 단계;
S5: 과량의 제2 반응 전구체 및 반응 부산물을 펌핑하고, 불활성 가스로 퍼지하는 단계;
S6: 제3 반응 전구체를 반응 챔버 내로 도입하여, 제1 굴절률층 표면에 화학적으로 흡착시켜, 제2 필름층을 형성하는 단계;
S7: 과량의 제3 반응 전구체를 펌핑하고, 불활성 가스로 퍼지하는 단계;
S8: 제4 반응 전구체를 원자층 반응 챔버 내로 도입하여, 제1 굴절률층 표면에 화학적으로 흡착된 제3 반응 전구체와 반응시켜, 굴절률이 제1 굴절률층의 굴절률보다 큰 제2 굴절률층을 형성하는 단계;
S9: 과량의 제4 반응 전구체 및 반응 부산물을 펌핑하는 단계를 포함한다.
단계S2~S9를 주기적으로 반복하여, 굴절률이 다른 다층 필름을 제조할 수 있고, 즉, 제N-1 굴절률층 상에 제N 굴절률층을 형성하고, N은 3 이상의 정수이다. 일반적으로, 짝수 굴절률층의 굴절률은 홀수 굴절률층의 굴절률보다 크다. 이러한 필름층 배열은 시트의 투광률을 증가시켜, 모듈이 우수한 광학 특성을 갖도록 하며, 동시에 ALD 원자층 증착 방법을 이용하여 마이크론 크기인 도트 결함을 제거하여, 이미징 품질을 향상시킬 수 있다.
반응 전구체는 필름층의 재료, 두께 및 직렬연결 방식의 선택에 따라, 필요한 중심 파장 및 투과대역폭λ에 의해 결정된다. 본 발명에서, 바람직한 제1 반응 전구체는 실란이고, 제2 반응 전구체는 산소 또는 오존이며, 제3 반응 전구체는 티타늄, 탄탈륨 또는 지르코늄을 함유하는 가스(예를 들면 사요오드화 타이타늄(TiI 4 )가스, 오염화 탄탈럼(TaCl5) 가스, 사요오드화 지르코늄(ZrI4) 가스 또는 기타 티타늄, 탄탈럼 또는 지르코늄을 함유하는 유기 가스)이고, 제4 반응 전구체는 수증기이다. 온도는 반응 전구체의 분해 온도 및 증착 속도와 관련이 있으며, 온도는 반응 전구체의 분해 온도보다 낮지만, 일정한 증착 속도를 가져야 한다.
베이스 기판은 유리, 크리스탈 또는 사파이어 기판이다.
굴절률층은 SiO2 저굴절률 L층과 TiO2 고굴절률 H층; SiO2 저굴절률 L층과 Nb2O5 고굴절률 H층; SiO2 저굴절률 L층과 Ta3O5 고굴절률 H층; MgF2 저굴절률 L층과 TiO2 고굴절률 H층; MgF2 저굴절률 L층과 Nb2O5 고굴절률 H층; Nb2O5 저굴절률 L층과 Ta3O5 고굴절률 H층; MgF2 저굴절률 L층, Al2O3 고굴절률 H층과 SiO2 저굴절률 L층; Al2O3 저굴절률 L층, H4 고굴절률 H층과 MgF2 저굴절률 L층; Al2O3 저굴절률 L층, ZrO2 고굴절률 H층과 MgF2 저굴절률 L층 중 임의의 1종의 조합을 포함한다.
일 실시예에서，베이스 기판으로부터 외부를 향하여, 홀수 굴절률층은 실리콘 산화물이고, 짝수 굴절률층은 티타늄 산화물, 탄탈륨 산화물 또는 지르코늄 산화물이다.
다른 실시예에서，베이스 기판으로부터 외부를 향해 순서대로, 이산화규소층, 이산화티탄층, 이산화규소층, 오산화이탄탈륨층, 이산화규소층이다.
단계S2 및/또는 S4의 온도는 바람직하게 320~370℃이며, 단계S6 및/또는 S8의 온도는 바람직하게 220~270℃이다. 원료 가스의 주입은 펄스 방식으로 주입되고, 솔레노이드 밸브의 개폐를 제어하여 가스의 주입과 정지를 제어하고, 솔레노이드 밸브의 개방 시간을 제어하여 필름의 증착 두께에 영향을 준다.
다층 필름 구조는, 도1에 도시한 바와 같이, 상기 ALD제조 방법에 의해 제조되며, 크기가1μm이상인 도트 수는 0이며, 표면 조도(Ra)범위는 0.01nm~20nm이다. ALD제조 방법에서, 각 층의 필름 구조의 증착이 완료된 후, 다음 층의 필름 구조의 증착이 진행되기 전에, 플라즈마로 현재의 증착층에 대해 충격을 가하여 개질하는 것을 포함한다. 개질에 이용되는 플라즈마의 전압은 100-1000V이며, 전류는 100-1000mA이며, 시간은 1-2분이 적합하며, 그렇지 않은 경우 증착된 필름층의 성능과 두께에 영향을 줄 수 있다.
CLCC패키지 커버 플레이트는 커버 플레이트 베이스 및 커버 플레이트 베이스의 상부를 덮는 기능 필름을 포함하고, 상기 기능 필름은 다층 필름 구조를 포함하고, 상기 다층 필름 구조는 상기 ALD 제조 방법에 의해 증착되며, 각 층의 필름 구조의 증착이 완료된 후, 다음 층의 필름 구조의 증착이 진행되기 전에, 플라즈마로 현재의 증착층에 대해 충격을 가하여 개질하는 것을 포함한다. 일반적인ALD증착 공정은 단일 필름의 증착에만 적용되며, 다층 필름 구조를 증착하는 과정에서, 현재 층의 필름이 증착된 후, 증착 표면의 변화로 인해, 다음 층의 필름을 성공적으로 증착할 수 없게 되므로, 본 발명은 각 층의 필름 구조 증착 후 플라즈마 충격으로 표면을 개질함으로써 다층 필름의 성공적인 증착을 실현한다.
도2에 도시한 바와 같이, CLCC 패키지는 기판(1)을 포함하며, 상기 기판(1) 상에 중앙에 위치하는 CMOS(2) 및 가장자리에 위치하는 커패시턴스 저항(3) 및 구동모터(4)가 장착되고, 상기 기판(1) 상에 격벽 베이스(5)가 설치되어 있고, 상기 격벽 베이스(5) 상에는 기판 상의 CMOS(2), 커패시턴스 저항(3) 및 구동모터(4)에 대응되는 위치에 각각 CMOMS센서의 빈자리, 커패시턴스 저항의 빈자리 및 구동모터의 빈자리가 설치되고, 상기 CMOS센서의 빈자리의 상면에 커버 플레이트(6)가 장착된다.
카메라 모듈은 상기 CLCC패키지를 포함한다.
실시예1
카메라 모듈은 CLCC패키지를 포함하고, CLCC패키지는 기판(1)을 포함하며, 상기 기판(1) 상에 중앙에 위치하는 CMOS(2) 및 가장자리에 위치하는 커패시턴스 저항(3)과 구동모터(4)가 장착되고, 상기 기판(1) 상에 격벽 베이스(5)가 설치되어 있고, 상기 격벽 베이스(5) 상에는 기판 상의 CMOS(2), 커패시턴스 저항(3) 및 구동모터(4)에 대응되는 위치에 각각 CMOMS센서의 빈자리, 커패시턴스 저항의 빈자리 및 구동모터의 빈자리가 설치되고, 상기 CMOS센서의 빈자리의 상면에 커버 플레이트(6)가 장착되고, 커버 플레이트(6)의 표면 도트 크기는 1μm 이하이고, 조도(Ra)는 1.342이고, 도 2~5에 도시한 바와 같다.
상기 커버 플레이트는 유리 기판 상에 이산화규소 저굴절률층인 L층 및 오산화이탄탈륨 고굴절률층인 H층이 피복되어 있는 카메라 모듈 광학 소자이다. 저굴절률층인 L층의 두께는 100-200nm이고, 굴절률은 1.46-1.50이며, 고굴절률층인 H층의 두께는 80-120nm이고, 굴절률은 2.05-2.2이다.
상기 커버 플레이트는 ALD제조 방법을 이용하며, 과정은 다음과 같다.
S1: 먼저 유리 기판을 반응 챔버에 놓고, 0.6Pa까지 진공화하고, 150℃까지 가열하며;
S2: 불활성 가스를 캐리어로 하여, 제1 반응 전구체로서 SiH4(실란)을 반응 챔버에 주입하여 베이스 기판 표면에 화학적으로 흡착시켜 제1 필름층을 형성하고, 가스 주입 시간은 30-50ms이며;
S3: 여분의 제1 반응 전구체(SiH4)를 펌핑하고, 불활성 가스(예: 헬륨, 아르곤등)로 20-30s 동안 퍼지하며;
S4: 불활성 가스를 캐리어로 하여, 제2 반응 전구체인 오존(O3)을 원자층 반응 챔버에 주입하고 가스 주입 시간은 20ms이며, 제1 필름층과 반응시켜 이산화규소 저굴절률층인 L층을 형성하고;
S5:반응이 완료된 후, 제2 반응 전구체인 오존 및 제1 반응 전구체（SiH4）와 제2 반응 전구체인 오존의 반응 부산물을 펌핑하고, 불활성 가스(예:헬륨, 아르곤등)로 20-30s동안 퍼지하고, 플라즈마 충격에 의해 표면 개질을 진행하고;
S6:불활성 가스를 캐리어로 하여, 제3 반응 전구체로서 오염화탄탈륨 가스를 반응 챔버 내에 주입하여, 저굴절률 L층의 개질된 표면에 흡착시키고, 가스 주입 시간은 20~30ms이며, 제2 필름층을 형성하고,
S7:여분의 제3 반응 전구체(오염화탄탈륨 가스)를 펌핑하여, 불활성 가스(예:오존, 아르곤등)로 20-30s동안 퍼지하고;
S8:불활성 가스를 캐리어로 하여, 제4 반응 전구체로서 수증기를 원자층 반응 챔버 내에 주입하고, 가스 주입 시간은 20ms이며, 제2 필름층과 반응시켜, 오염화탄탈륨 굴절률층인 H 층을 형성하고;
S9:여분의 제4 반응 전구체(수증기) 및 제3 반응 전구체(오염화탄탈륨 가스)와 제4 반응 전구체(수증기)의 반응 부산물을 펌핑하고, 불활성 가스(예:오존, 아르곤등)로 20-30s동안 퍼지한다.
본 실시예는 직경이 200mm인 원판을 배치 생산하며, 하나의 카드에 총 21장이고, 금속 현미경을 통해 도트 상황을 모니터링하면, 모든 커버 플레이트는 입경이 1μm보다 큰 도트가 관찰되지 않았고, 합격률은 100%이다.
비교실시예
본 실시예의 목표 제품은 실시예1과 동일하며, 이용하는 진공 열증발 제조 방법 과정은 다음과 같다.
단계S1: 먼저 베이스 기판 유리를 고정구에 놓고, 고정구를 거치대에 놓고, 거치대를 코팅기 챔버에 놓으며;
단계S2: SiO2(이산화규소) 및 TiO2(이산화티탄)을 각각 챔버 좌우의 도가니에 넣고, 문을 닫고, 0.0001-0.001Pa까지 진공화하며, 온도는 50-400℃ 범위 내로 설정하고, 챔버 내는 항상 배기 범위 내에 있으며;
단계S3: SiO2(이산화규소) 위치의 전자건을 ON시키고, 전자건은 설정된 필름 두께에 따라, 설정된 두께에 도달하면 동작을 종료하고, 종료 후 잔여 분자는 가스에 의해 빨려가고, TiO2(이산화티탄) 위치의 전자건은 자동으로 ON되어 코팅을 진행하며;
단계S4: 기계는 설정된 코팅 층수에 따라, 순환 코팅한다.
비교실시예의 제품은 금속 현미경을 통해 도트 상황을 모니터링한 결과, 도 6에 도시한 바와 같이 입경이 5μm 이상인 도트 결함이 관찰될 수 있다. 실시예1과 동일한 배치 시험을 진행하며, 상기 제조 방법으로 제조된 생성물은 도트 결함(입경≥5μm)으로 인한 불량률이 70%이다.
실시예2
카메라 모듈은 CLCC패키지를 포함하고, CLCC패키지는 기판(1)을 포함하며, 상기 기판(1) 상에 중앙에 위치하는 CMOS(2) 및 가장자리에 위치하는 커패시턴스 저항(3)와 구동모터(4)가 장착되고, 상기 기판(1) 상에 격벽 베이스(5)가 설치되어 있고, 상기 격벽 베이스(5) 상에는 기판 상의 CMOS(2), 커패시턴스 저항(3) 및 구동모터(4)에 대응되는 위치에 각각 CMOMS센서의 빈자리, 커패시턴스 저항의 빈자리 및 구동모터의 빈자리가 설치되고, 상기 CMOS센서의 빈자리의 상면에 커버 플레이트(6)가 장착되고, 커버 플레이트(6)의 표면 도트 크기는 10 nm 이하이고, 조도(Ra)는 1.340이다.
상기 커버 플레이트는 유리 기판 상에 이산화규소 저굴절률층인 L층 및 이산화티탄 고굴절률층인 H층이 피복되어 있는 카메라 모듈 광학 소자이다. 저굴절률층인 L층의 두께는 100-200nm이고, 굴절률은 1.46-1.50이며, 고굴절률층인 H층의 두께는 10-50nm이고, 굴절률은 2.28-2.35이다.
상기 커버 플레이트는 ALD제조 방법을 이용하며, 과정은 다음과 같다.
S1: 먼저 유리 기판을 반응 챔버에 놓고, 0.6Pa까지 진공화하고, 250℃로 가열하며;
S2: 제1 반응 전구체로서 SiH4(실란)을 원자층 반응 챔버에 주입하여 베이스 기판의 표면에 화학적으로 흡착시켜 제1 필름층을 형성하고, 가스 주입 시간은 바람직하게 30-50ms이며;
S3: 여분의 제1 반응 전구체(SiH4)를 펌핑하고, 불활성 가스(헬륨, 아르곤 등)로 20-30s 동안 퍼지하며;
S4: 제2 반응 전구체로서 오존(O3)을 반응 챔버에 주입하고, 가스 주입 시간은 20ms이며, 제1 필름층과 반응시켜 이산화규소 저굴절률층인 L층을 형성하고;
S5: 반응이 완료된 후, 제2 반응 전구체인 오존 및 제1 반응 전구체(SiH4)와 제2 반응 전구체인 오존의 반응 부산물을 펌핑하고, 불활성 가스(헬륨, 아르곤 등)로 20-30s동안 퍼지하고, 플라즈마 충격에 의해 표면 개질을 진행하고;
S6: 제3 반응 전구체로서 사요오드화티타늄 가스를 원자층 반응 챔버에 주입하고, 가스 주입 시간은 바람직하게 30-50ms이며, 저굴절률 L층의 표면에 흡착시켜, 제2 필름층을 형성하고;
S7: 여분의 제3 반응 전구체(사요오드화티타늄 가스)를 펌핑하고, 불활성 가스(오존, 아르곤 등)로 20-30s동안 퍼지하며;
S8: 제4 반응 전구체로서 수증기를 원자층 반응 챔버에 주입하고, 가스 주입 시간은 35ms이며, 제2 필름층과 반응시켜, 이산화티탄 굴절률층인 H층을 형성하고;
S9: 여분의 제4 반응 전구체(수증기) 및 제3 반응 전구체(사요오드화티타늄 가스)와 제4 반응 전구체(수증기)의 반응 부산물을 펌핑하고, 불활성 가스(오존, 아르곤 등)로 20-30s동안 퍼지한다.
본 실시예의 배치 생산 제품의 크기는 80*76*0.21mm이고, 하나의 카드에 156장이며, 금속 현미경을 통해 도트 상황을 모니터링하면, 모든 커버 플레이트는 입경이 1μm보다 큰 도트가 관찰되지 않았고, 합격률은 100%이며, 추가적으로 도트 크기를 관찰하면, 입경이 10nm보다 큰 도트가 관찰되지 않았다.
실시예3
카메라 모듈은 CLCC패키지를 포함하고, CLCC패키지는 기판(1)을 포함하며, 상기 기판(1) 상에 중앙에 위치하는 CMOS(2) 및 가장자리에 위치하는 커패시턴스 저항(3) 및 구동모터(4)가 장착되고, 상기 기판(1) 상에 격벽 베이스(5)가 설치되어 있고, 상기 격벽 베이스(5) 상에는 기판 상의 CMOS(2), 커패시턴스 저항(3)과 구동모터(4)에 대응되는 위치에 각각 CMOMS센서의 빈자리, 커패시턴스 저항의 빈자리 및 구동모터의 빈자리가 설치되고, 상기 CMOS센서의 빈자리의 상면에 커버 플레이트(6)가 장착되고, 커버 플레이트(6)의 표면 도트 크기는 50nm 이하이고, 조도(Ra)는 9.440nm이다.
상기 커버 플레이트는 크리스탈 기판 상에 이산화규소 저굴절률층인 L층 및 이산화 지르코늄고굴절률층인 H층이 피복되어 있는 카메라 모듈 광학 소자이다. 저굴절률층인 L층의 두께는 100-200nm이고, 굴절률은 1.46-1.50이며, 고굴절률층인 H층의 두께는 35-75nm이고, 굴절률은 1.98-2.07이다.
상기 커버 플레이트는 ALD제조 방법을 이용하며, 과정은 다음과 같다.
S1:먼저 크리스탈 기판을 반응 챔버에 놓고, 0.6Pa까지 진공화하고, 400℃로 가열하며;
S2: 제1 반응 전구체로서 SiH4(실란)을 원자층 반응 챔버에 펄스 주입하여 베이스 기판 표면에 화학적으로 흡착시켜 제1 필름층을 형성하고, 가스 주입 시간은 바람직하게는 15-20ms이며;
S3: 여분의 제1 반응 전구체(SiH4)를 펌핑하고, 불활성 가스(예:헬륨, 아르곤등)로 20-30s동안 퍼지하며;
S4: 제2 반응 전구체로서 오존(O3)을 원자층 반응 챔버에 주입하고, 가스 주입 시간은 15-20ms이며, 제1 필름층과 반응시켜 이산화규소 저굴절률층인 L층을 형성하고;
S5: 반응이 완료된 후, 제2 반응 전구체인 오존 및 제1 반응 전구체（SiH4）와 제2 반응 전구체인 오존의 반응 부산물을 펌핑하고, 불활성 가스(예:헬륨, 아르곤등)로 20-30s동안 퍼지하고, 플라즈마 충격에 의해 표면 개질을 진행하고;
S6: 제3 반응 전구체로서 사요오드화지르코늄 가스를 원자층 반응 챔버 내에 주입하고, 가스 주입 시간은 15-20ms이며, 저굴절률L층의 표면에 흡착시켜, 제2 필름층을 형성하고;
S7: 여분의 제3 반응 전구체(사요오드화지르코늄 가스)를 펌핑하고, 불활성 가스(예:오존, 아르곤등)로 20-30s동안 퍼지하며;
S8:제4 반응 전구체로서 수증기를 원자층 반응 챔버에 주입하고, 가스 주입 시간은 15-20ms이며, 제2 필름층과 반응시켜, 이산화티탄 굴절률층인 H층을 형성하고;
S9:여분의 제4 반응 전구체(수증기) 및 제3 반응 전구체(사요오드화지르코늄 가스)와 제4 반응 전구체(수증기)의 반응 부산물을 펌핑하고, 불활성 가스(예:오존, 아르곤등)로 20-30s동안 퍼지한다.
본 실시예의 배치 생산 직경은 300mm이고, 하나의 카드에 12장이고, 금속 현미경을 통해 도트 상황을 모니터링하면, 모든 커버 플레이트는 입경이 1μm보다 큰 도트가 관찰되지 않았고, 합격률은 100%이며, 추가적으로 도트 크기를 관찰하면, 입경이 10nm보다 큰 도트가 관찰되지 않았다.
실시예4
카메라 모듈은 CLCC패키지를 포함하고, CLCC패키지는 기판(1)을 포함하며, 상기 기판(1) 상에 중앙에 위치하는 CMOS(2) 및 가장자리에 위치하는 커패시턴스 저항(3)과 구동모터(4)가 장착되고, 상기 기판(1) 상에 격벽 베이스(5)가 설치되어 있고, 상기 격벽 베이스(5) 상에는 기판 상의 CMOS(2), 커패시턴스 저항(3) 및 구동모터(4)에 대응되는 위치에 각각 CMOMS센서의 빈자리, 커패시턴스 저항의 빈자리 및 구동모터의 빈자리가 설치되고, 상기 CMOS센서의 빈자리의 상면에 커버 플레이트(6)가 장착되고, 커버 플레이트(6)의 표면 도트 크기는 100nm 이하이고, 조도(Ra)는 7.581이다.
상기 커버 플레이트는 사파이어 기판 상에 이산화규소 저굴절률층인 L층 및 이산화티탄 고굴절률층인 H층이 피복되어 있는 카메라 모듈 광학 소자이다. 저굴절률층인 L층의 두께는 100-200nm이고, 굴절률은 1.47-1.55이며, 고굴절률층인 H층의 두께는 10-50nm이고, 굴절률은 2.28-2.35이다.
상기 커버 플레이트는 ALD제조 방법을 이용하며, 과정은 다음과 같다.
S1:먼저 사파이어 기판을 원자층 반응 챔버에 놓고, 0.6Pa까지 진공화하고, 100℃로 가열하며;
S2: 제1 반응 전구체로서 SiH4(실란)을 원자층 반응 챔버에 주입하고 베이스 기판 표면에 화학적으로 흡착시켜 제1 필름층을 형성하고, 가스 주입 시간은 바람직하게는 30-50ms이며;
S3: 여분의 제1 반응 전구체(SiH4)를 펌핑하고, 불활성 가스(예:헬륨, 아르곤등)로 20-30s동안 퍼지하며
S4: 제2 반응 전구체로서 오존(O3)을 원자층 반응 챔버에 주입하고, 가스 주입 시간은 20-40mn이며, 제1 필름층과 반응시켜 이산화규소 저굴절률층인 L층을 형성하고;
S5:반응이 완료된 후, 제2 반응 전구체인 오존 및 제1 반응 전구체（SiH4）와 제2 반응 전구체인 오존의 반응 부산물을 펌핑하고, 불활성 가스(예:헬륨, 아르곤등)로 20-30s동안 퍼지하고, 플라즈마 충격에 의해 표면 개질을 진행하고;
S6: 제3 반응 전구체로서 사요오드화티타늄 가스를 원자층 반응 챔버에 주입하고, 가스 주입 시간은 바람직하게는 15-30ms이며 저굴절률L층의 표면에 흡착시켜, 제2 필름층을 형성하고;
S7: 여분의 제3 반응 전구체(사요오드화티타늄 가스)를 펌핑하고, 불활성 가스(오존, 아르곤 등)로 20-30s동안 퍼지하며;
S8:제4 반응 전구체로서 수증기를 원자층 반응 챔버에 주입하고, 가스 주입 시간은 15-30ms이며, 제2 필름층과 반응시켜, 이산화티탄 굴절률층인 H층을 형성하고;
S9:여분의 제4 반응 전구체(수증기) 및 제3 반응 전구체(사요오드화티타늄 가스)와 제4 반응 전구체(수증기)의 반응 부산물을 펌핑하고, 불활성 가스(예:오존, 아르곤등)로 20-30s동안 퍼지한다.
본 실시예의 배치 생산 제품의 크기는 77*77*0.21mm이고, 하나의 카드에 169장이며, 금속 현미경을 통해 도트 상황을 모니터링하면, 모든 커버 플레이트는 입경이 1μm보다 큰 도트가 관찰되지 않았고, 합격률은 100%이며, 추가적으로 도트 크기를 관찰하면, 입경이 10nm보다 큰 도트가 관찰되지 않았다.
실시예5
카메라 모듈은 CLCC패키지를 포함하고, CLCC패키지는 기판(1)을 포함하며, 상기 기판(1) 상에 중앙에 위치하는 CMOS(2) 및 가장자리에 위치하는 커패시턴스 저항(3) 및 구동모터(4)가 장착되고, 상기 기판(1) 상에 격벽 베이스(5)가 설치되어 있고, 상기 격벽 베이스(5) 상에는 기판 상의 CMOS(2), 커패시턴스 저항(3) 및 구동모터(4)에 대응되는 위치에 각각 CMOMS센서의 빈자리, 커패시턴스 저항의 빈자리 및 구동모터의 빈자리가 설치되고, 상기 CMOS센서의 빈자리의 상면에 커버 플레이트(6)가 장착되고, 커버 플레이트(6)의 표면 도트 크기는 10nm 이하이고, 조도(Ra)는 0.622nm이다.
상기 커버 플레이트는 사파이어 기판 상에 5층 광학 코팅막이 피복되어 있는 카메라 모듈 광학 소자이다. 5층 광학 코팅막은 저굴절률, 고굴절률 형태로 결합되어 사파이어 기판에 주기적으로 증착되고, 마지막 층은 저굴절률로 종료된다. 5층 광학 코팅막은 베이스 기판으로부터 외부를 향해 순서대로, 이산화규소 저굴절률층L1(두께: 100-200nm, 굴절률: 1.46-1.50), 이산화티탄 고굴절률층H1(두께: 10-50nm, 굴절률: 2.28-2.35), 이산화규소 저굴절률층L2(두께: 100-200nm, 굴절률: 1.46-1.50), 오산화탄탈륨 고굴절률층H2(두께: 80-120nm, 굴절률: 2.05-2.2), 이산화규소 저굴절률층L3(두께: 5-300nm, 굴절률: 1.46-1.50)이다.
상기 커버 플레이트는 ALD제조 방법을 이용하며, 과정은 다음과 같다.
S1:먼저 사파이어 기판을 원자층 반응 챔버에 놓고, 0.6Pa까지 진공화하고, 200℃로 가열하며;
S2: 제1 반응 전구체로서 SiH4 (실란)을 원자층 반응 챔버에 주입하여 베이스 기판 표면에 화학적으로 흡착시켜 제1 필름층을 형성하고, 가스 주입 시간은 바람직하게는 30-50ms이며;
S3: 여분의 제1 반응 전구체(SiH4)를 펌핑하고, 불활성 가스(예:헬륨, 아르곤등)로 15s동안 퍼지하며;
S4: 제2 반응 전구체로서 산소(O2)를 반응 챔버에 주입하고, 제1 필름층과 반응시켜, 이산화규소 저굴절률층인 L1층을 형성하고;
S5:반응이 완료된 후, 제2 반응 전구체인 오존 및 제1 반응 전구체(SiH4)와 제2 반응 전구체인 오존의 반응 부산물을 펌핑하고, 불활성 가스(헬륨, 아르곤 등)로 15s동안 퍼지하고, 플라즈마 충격에 의해 표면 개질을 진행하고;
S6: 제3 반응 전구체로서 오염화탄탈륨 가스를 원자층 반응 챔버에 주입하고, 저굴절률L1층의 표면에 흡착시켜, 제2 필름층을 형성하고; 가스 주입 시간은 바람직하게는 10-30ms이며
S7: 여분의 제3 반응 전구체(오염화탄탈륨 가스)를 펌핑하고, 불활성 가스(오존, 아르곤 등)로 15s동안 퍼지하며;
S8:제4 반응 전구체로서 수증기를 원자층 반응 챔버에 주입하고, 제2 필름층과 반응시켜, 이산화티탄 굴절률층인 H1층을 형성하고;
S9:여분의 제4 반응 전구체(수증기) 및 제3 반응 전구체(오염화탄탈륨가스)와 제4 반응 전구체(수증기)의 반응 부산물을 펌핑하고, 불활성 가스(예:오존, 아르곤등)로 15s동안 퍼지하고, 플라즈마 충격에 의해 표면 개질을 진행하고;
S10:제5 반응 전구체로서 SiH4(실란)을 원자층 반응 챔버에 주입하고 베이스 기판 표면에 화학적으로 흡착시켜 제3 필름층을 형성하고, 가스 주입 시간은 바람직하게는 30-50ms이며;
S11:여분의 제5 반응 전구체(SiH4)를 펌핑하여, 불활성 가스(예:헬륨, 아르곤등)로 15s동안 퍼지하며;
S12: 제6 반응 전구체로서 오존(O3)을 반응 챔버에 주입하고, 제3 필름층과 반응시켜, 이산화규소 저굴절률층인 L2층을 형성하고;
S13:여분의 제6 반응 전구체인 오존 및 제5 반응 전구체(SiH4)와 제6 반응 전구체인 오존의 반응 부산물을 펌핑하고, 불활성 가스(예:오존, 아르곤등)로 15s동안 퍼지하고, 플라즈마 충격에 의해 표면 개질을 진행하고;
S14: 제6 반응 전구체로서 오염화탄탈륨 가스를 펌핑하여 원자층 반응 챔버 내에 넣고, 저굴절률층인 L2층의 표면에 흡착시켜, 제4 필름층을 형성하고, 가스 주입 시간은 10-30ms이며;
S15:여분의 제7 반응체(오염화탄탈륨 가스)를 펌핑하여, 불활성 가스(예:오존, 아르곤등)로 15s동안 퍼지하고;
S16:제8 반응 전구체로서 수증기를 원자층 반응 챔버 내에 주입하고, 제4 필름층과 반응시켜, 오산화이탄탈륨 굴절률층인H2층을 형성하고,
S17:여분의 제8 반응 전구체(수증기) 및 제7 반응 전구체(오산화탄탈륨 가스)와 제8 반응 전구체(수증기)의 반응 부산물을 펌핑하고, 불활성 가스(예:오존, 아르곤등)로 15s동안 퍼지하고, 플라즈마 충격에 의해 표면 개질을 진행하고;
S18: 제 9 반응 전구체로서 SiH4(실란)을 원자층 반응 챔버 내에 주입하고, 베이스 기판 표면에 흡착시켜 제5 필름층을 형성하고, 가스 주입 시간은 10-50ms이며;
S19:여분의 제9 반응 전구체(SiH4)를 펌핑하고, 불활성 가스(예:오존, 아르곤등)로 15s동안 퍼지하고,
S20:제10 반응 전구체로서 오존(O3)을 원자층 반응 챔버 내에 주입하고, 제5 필름층과 반응하여 이산화규소 저굴절률층인 L3층을 형성하고,
S21: 반응이 완료된 후, 여분의 제10 반응 전구체인 오존 및 제9 전구체（SiH4）와 제10 반응 전구체인 오존의 반응 부산물을 펌핑하고, 불활성 가스(예:헬륨, 아르곤등)로 15s동안 퍼지한다.
본 실시예의 배치 생산 직경이 200mm인 원편, 하나의 카드에 21장이고, 금속 현미경을 통해 입자 상황을 모니터링하면, 모든 커버 플레이트는 입경이 1μm보다 큰 입자가 관찰되지 않았고, 합격률은 100%이며, 추가적으로 도트 크기를 관찰하면, 입경이 10nm보다 큰 도트가 관찰되지 않았다.
이상의 실시 형태는 본 발명을 설명하기 위한 것일 뿐, 본 발명을 한정하기 위한 것이 아니며, 해당 기술 분야의 통상 지식을 가진 자라면 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서, 다양하게 변화 및 변형할 수 있으므로, 모든 균등한 기술방안도 본 발명의 범위에 포함되며, 본 발명 보호범위는 특허청구범위에 한정되어야 한다.
1: 기판
2: CMOS
3: 커패시턴스 저항
4: 구동모터
5: 격벽 베이스
6: 커버 플레이트

Claims (16)

  1. S1: 반응 챔버에 베이스 기판을 놓고, 100~400℃로 가열하는 단계;
    S2: 제1 반응 전구체를 원자층 반응 챔버 내로 도입하여, 베이스 기판 상에 화학적으로 흡착시켜, 제1 필름층을 형성하는 단계;
    S3: 과량의 제1 반응 전구체를 펌핑하고, 불활성 가스로 퍼지하는 단계;
    S4: 제2 반응 전구체를 반응 챔버 내로 도입하여, 베이스 기판 표면에 화학적으로 흡착된 제1 반응 전구체와 반응시켜, 제1 굴절률층을 형성하는 단계;
    S5: 과량의 제2 반응 전구체 및 반응 부산물을 펌핑하고, 불활성 가스로 퍼지하는 단계;
    S6: 제3 반응 전구체를 반응 챔버 내로 도입하여, 제1 굴절률층 표면에 화학적으로 흡착시켜, 제2 필름층을 형성하는 단계;
    S7: 과량의 제3 반응 전구체를 펌핑하고, 불활성 가스로 퍼지하는 단계;
    S8: 제4 반응 전구체를 원자층 반응 챔버 내로 도입하여, 제1 굴절률층 표면에 화학적으로 흡착된 제3 반응 전구체와 반응시켜, 굴절률이 제1 굴절률층의 굴절률보다 큰 제2 굴절률층을 형성하는 단계;
    S9: 과량의 제4 반응 전구체 및 반응 부산물을 펌핑하는 단계,
    를 포함하는, 카메라 모듈의 도트 결함을 감소시키는 ALD 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    제N-1굴절률층 상에 제N굴절률층을 형성하는 단계를 더 포함하고, N은 3 이상의 정수인, 카메라 모듈의 도트 결함을 감소시키는 ALD 제조 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 굴절률 층에서, 짝수 굴절률층의 굴절률은 홀수 굴절률층의 굴절률보다 큰, 카메라 모듈의 도트 결함을 감소시키는 ALD 제조 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 반응 전구체는 실란이고, 상기 제2 반응 전구체는 산소 또는 오존이며, 제3 반응 전구체는 티타늄, 탄탈륨 또는 지르코늄을 함유하는 가스이며, 상기 제4 반응 전구체는 수증기인,
    카메라 모듈의 도트 결함을 감소시키는 ALD 제조 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 베이스 기판은 유리, 크리스탈 또는 사파이어 기판인 카메라 모듈의 도트 결함을 감소시키는 ALD제조 방법.
  6. 제3항에 있어서,
    상기 굴절률층은,
    SiO2 저굴절률 L층과 TiO2 고굴절률 H층; SiO2 저굴절률 L층과 Nb2O5 고굴절률 H층; SiO2 저굴절률 L층과 Ta3O5 고굴절률 H층; MgF2 저굴절률 L층과 TiO2 고굴절률 H층; MgF2 저굴절률 L층과 Nb2O5 고굴절률 H층; Nb2O5 저굴절률 L층과 Ta3O5 고굴절률 H층; MgF2 저굴절률 L층, Al2O3 고굴절률 H층과 SiO2 저굴절률 L층; Al2O3 저굴절률 L층, H4 고굴절률 H층과 MgF2 저굴절률 L층; Al2O3 저굴절률 L층, ZrO2 고굴절률 H층과 MgF2 저굴절률 L층 중 임의의 1종의 조합을 포함하는,
    카메라 모듈의 도트 결함을 감소시키는 ALD 제조 방법.
  7. 제3항에 있어서,
    베이스 기판으로부터 외부를 향하여, 홀수 굴절률층은 실리콘 산화물이고, 짝수 굴절률층은 티타늄 산화물, 탄탈륨 산화물 또는 지르코늄 산화물인,
    카메라 모듈의 도트 결함을 감소시키는 ALD 제조 방법.
  8. 제3항에 있어서,
    베이스 기판으로부터 외부를 향해 순서대로, 이산화규소층, 이산화티탄층, 이산화규소층, 오산화이탄탈륨층, 이산화규소층인,
    카메라 모듈의 도트 결함을 감소시키는 ALD 제조 방법.
  9. 제4항에 있어서,
    상기 제조 방법의 온도는 150~250℃인, 카메라 모듈의 도트 결함을 감소시키는 ALD 제조 방법.
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따른 카메라 모듈의 도트 결함을 제거하는 ALD제조 방법에 의해 제조되는 다층 필름 구조.
  11. 제10항에 있어서,
    크기가 1μm 이상인 도트 수는 0인 다층 필름 구조.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 ALD 제조 방법에서, 각 층의 필름 구조의 증착이 완료된 후, 다음 층의 필름 구조의 증착이 진행되기 전에, 플라즈마로 현재의 증착층에 대해 충격을 가하여 개질하는 것을 포함하는,
    다층 필름 구조.
  13. 제10항에 있어서,
    상기 다층 필름 구조의 표면 조도(Ra)범위는 0.01nm~20nm인 다층 필름 구조.
  14. 커버 플레이트 베이스 및 커버 플레이트 베이스의 상부를 덮는 기능 필름을 포함하고, 상기 기능 필름은 다층 필름 구조를 포함하고, 상기 다층 필름 구조는 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항의 ALD 제조 방법에 의해 증착되고, 각 층의 필름 구조의 증착이 완료된 후, 다음 층의 필름 구조의 증착이 진행되기 전에, 플라즈마로 현재의 증착층에 대해 충격을 가하여 개질하는 것을 포함하는,
    CLCC 패키지 커버 플레이트.
  15. 기판을 포함하고, 상기 기판 상에 중앙에 위치하는 CMOS 및 가장자리에 위치하는 커패시턴스 저항과 구동모터가 장착되고, 상기 기판 상에 격벽 베이스가 설치되어 있고, 상기 격벽 베이스 상에는 기판 상의 CMOS, 커패시턴스 저항 및 구동모터에 대응되는 위치에 각각 CMOS센서의 빈자리, 캐패시턴스 저항의 빈자리 및 구동모터의 빈자리가 설치되고, 상기 CMOS센서의 빈자리의 상면에 제14항에 따른 상기 커버 플레이트가 장착되는,
    CLCC 패키지.
  16. 제15항에 따른 CLCC 패키지를 포함하는, 카메라 모듈.
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110767668B (zh) * 2019-12-30 2020-03-27 杭州美迪凯光电科技股份有限公司 含纳米级表面的clcc封装体盖板、封装体和摄像模组
US20220293647A1 (en) * 2021-03-10 2022-09-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Dielectric structure overlying image sensor element to increase quantum efficiency
CN116288277A (zh) * 2023-03-23 2023-06-23 哈尔滨工业大学 一种高透过光学镜头的制备方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101560653A (zh) * 2009-05-14 2009-10-21 浙江大学 梯度折射率薄膜的制备方法
WO2019209936A1 (en) * 2018-04-25 2019-10-31 Clearink Displays, Inc. Apparatus and method for reflective image display with dielectric layer

Family Cites Families (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ATE159302T1 (de) * 1990-11-07 1997-11-15 Canon Kk Iii-v verbindungs-halbleiter-vorrichtung, drucker- und anzeigevorrichtung unter verwendung derselben, und verfahren zur herstellung dieser vorrichtung
WO2001029282A2 (en) * 1999-10-20 2001-04-26 Cvd Systems, Inc. Fluid processing system
JP4151229B2 (ja) * 2000-10-26 2008-09-17 ソニー株式会社 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法
CN100546041C (zh) * 2003-02-19 2009-09-30 日本电气硝子株式会社 半导体封装体用外罩玻璃及其制造方法
JP4432110B2 (ja) 2003-02-19 2010-03-17 日本電気硝子株式会社 半導体パッケージ用カバーガラス
US20050181128A1 (en) 2004-02-12 2005-08-18 Nikolov Anguel N. Films for optical use and methods of making such films
JP2006056036A (ja) * 2004-08-17 2006-03-02 Dainippon Printing Co Ltd ガスバリア性積層フィルムおよびそれを使用した積層材
FI117728B (fi) 2004-12-21 2007-01-31 Planar Systems Oy Monikerrosmateriaali ja menetelmä sen valmistamiseksi
KR100780246B1 (ko) * 2006-09-26 2007-11-27 동부일렉트로닉스 주식회사 이미지 센서 제조방법
KR100971207B1 (ko) * 2007-08-30 2010-07-20 주식회사 동부하이텍 마이크로렌즈 및 그 제조 방법
US8034179B2 (en) * 2008-02-08 2011-10-11 Tokyo Electron Limited Method for insulating film formation, storage medium from which information is readable with computer, and processing system
KR20090097338A (ko) * 2008-03-11 2009-09-16 삼성전기주식회사 웹 카메라 및 그 제조방법
US8735797B2 (en) * 2009-12-08 2014-05-27 Zena Technologies, Inc. Nanowire photo-detector grown on a back-side illuminated image sensor
JP5499461B2 (ja) * 2008-11-25 2014-05-21 ソニー株式会社 表示装置、画素回路
US8193555B2 (en) 2009-02-11 2012-06-05 Megica Corporation Image and light sensor chip packages
JP2011258613A (ja) * 2010-06-04 2011-12-22 Panasonic Corp 固体撮像装置及びその製造方法
CN103842856B (zh) * 2011-08-01 2015-12-02 福美化学工业株式会社 防反射膜和防反射板
JP2014065259A (ja) * 2012-09-27 2014-04-17 Tokai Rubber Ind Ltd フィルム部材およびその製造方法
CN102903726B (zh) * 2012-09-29 2016-02-10 格科微电子（上海）有限公司 图像传感器的晶圆级封装方法
US9382615B2 (en) * 2012-10-12 2016-07-05 Asm Ip Holding B.V. Vapor deposition of LiF thin films
CN103773083B (zh) 2012-10-18 2015-04-22 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司 一种光学干涉变色颜料及其制备方法和应用
CN102983144B (zh) * 2012-11-30 2015-02-11 格科微电子（上海）有限公司 图像传感器的晶圆级封装方法
US8921236B1 (en) * 2013-06-21 2014-12-30 Eastman Kodak Company Patterning for selective area deposition
CN105431893B (zh) * 2013-09-30 2018-01-26 株式会社Lg化学 用于有机电子器件的基板及其制造方法
EP2886205A1 (en) 2013-12-19 2015-06-24 Institute of Solid State Physics, University of Latvia Method for antireflective coating protection with organosilanes
CN106537190B (zh) * 2014-05-23 2019-08-16 康宁股份有限公司 具有减少的划痕与指纹可见性的低反差减反射制品
MX2017009426A (es) * 2015-03-09 2017-10-12 Vision Ease Lp Revestimiento antiestatico, antirreflejante.
CN105420683B (zh) 2015-12-31 2018-08-31 佛山市思博睿科技有限公司 基于低压等离子化学气相沉积制备纳米多层膜的装置
CN106547160A (zh) * 2016-10-08 2017-03-29 深圳市金立通信设备有限公司 一种摄像头、终端及滤光板的制备方法
US20190172861A1 (en) * 2017-12-05 2019-06-06 Semiconductor Components Industries, Llc Semiconductor package and related methods
US20190186008A1 (en) * 2017-12-19 2019-06-20 Eastman Kodak Company Process for forming compositionally-graded thin films
CN109860250A (zh) * 2019-01-29 2019-06-07 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示屏及其制备方法
CN110058342A (zh) 2019-06-05 2019-07-26 信阳舜宇光学有限公司 近红外带通滤光片及其制备方法以及光学传感***
CN110885969A (zh) * 2019-10-30 2020-03-17 杭州美迪凯光电科技股份有限公司 一种减少摄像模组点子缺陷的cvd制备方法及其产物
CN110885972A (zh) 2019-10-30 2020-03-17 杭州美迪凯光电科技股份有限公司 一种消除摄像模组点子缺陷的ald制备方法及其产物
CN110767668B (zh) * 2019-12-30 2020-03-27 杭州美迪凯光电科技股份有限公司 含纳米级表面的clcc封装体盖板、封装体和摄像模组

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101560653A (zh) * 2009-05-14 2009-10-21 浙江大学 梯度折射率薄膜的制备方法
WO2019209936A1 (en) * 2018-04-25 2019-10-31 Clearink Displays, Inc. Apparatus and method for reflective image display with dielectric layer

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US11804501B2 (en) 2023-10-31
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