JP5111205B2 - 反射型マスクおよびその検査方法ならびに半導体装置の製造方法 - Google Patents
反射型マスクおよびその検査方法ならびに半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5111205B2 JP5111205B2 JP2008095881A JP2008095881A JP5111205B2 JP 5111205 B2 JP5111205 B2 JP 5111205B2 JP 2008095881 A JP2008095881 A JP 2008095881A JP 2008095881 A JP2008095881 A JP 2008095881A JP 5111205 B2 JP5111205 B2 JP 5111205B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- exposure
- pattern
- same
- inspection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
上記斜め入射光に起因した転写形状を補正するために、上記スキャン露光のスキャン方向と同じ方向に沿ったマスク中心線を基準に該マスク中心線からの距離に応じてマスク上のパターンに形状補正が施されており、
また、上記マスク上にはマスクパターン群からなるチップが複数配置されており、該チップは2つ以上の異種チップが2つ以上の同種チップを伴って配置されており、かつ該同種チップは上記スキャン方向に沿って同じ方向に配置されている。
図1は、本発明に係る反射型マスクのチップレイアウトの一例を示す平面図である。反射型マスクのマスク露光エリア10の中に、同一のレイアウトパターンを含む複数(図1の例では6個)の矩形状のチップ領域11a〜11fが配置されている。そのうち2個のチップ領域11a,11bは、矩形の長手方向がスキャン方向12に対して平行な向きで、それぞれスキャン方向12に沿って並ぶように配置されている。一方、4個のチップ領域11c〜11fは、矩形の長手方向がスキャン方向12に対して垂直な向きで、それぞれスキャン方向12に沿って並ぶように配置されている。このようにチップ領域を配置することにより、マスク欠陥検査の対象となるマスクパターンがスキャン方向12に沿って並ぶようになる。
図10は、複数種類のチップ領域を混載した従来の反射型マスクのチップレイアウト例を示す平面図である。図11は、複数種類のチップ領域を混載した本発明に係る反射型マスクのチップレイアウト例を示す平面図である。
13a〜13f 場所、 21 露光エリア、 22a〜22c 位置、
23a〜23c 転写パターン、 24a〜24c マスクパターン、
25a〜25c 転写パターン、
31a〜31c,31A〜31C 第1チップ領域、
32a〜32g,32A〜32F 第2チップ領域、 41 マスク露光エリア、
100 EUV光源、 101 露光光、 102 反射光学系、
103 反射マスク、 104 光学系ボックス、 105 反射投影光学系、
106 ウエハ、 112 露光光、
201 拡散層、 202 ゲート配線、 203 コンタクト。
Claims (4)
- 所望のパターンが形成されたマスクに対し、該マスク表面に対して斜め入射する露光光を所定の露光エリアで照射し、マスク表面で反射した光をウエハ上に投影してスキャン露光を行うことによってウエハ上に所望のパターンを転写するための反射型マスクであって、
上記斜め入射光に起因した転写形状を補正するために、上記スキャン露光のスキャン方向と同じ方向に沿ったマスク中心線を基準に該マスク中心線からの距離に応じてマスク上のパターンに形状補正が施されており、
また、上記マスク上にはマスクパターン群からなるチップが複数配置されており、該チップは2つ以上の異種チップが2つ以上の同種チップを伴って配置されており、かつ該同種チップは上記スキャン方向に沿って同じ方向に配置されている、ことを特徴とした反射型マスク。 - 露光光は、EUV光を含むことを特徴とする請求項1記載の反射型マスク。
- 請求項1〜2のいずれかに記載の反射型マスクの検査方法であって、
スキャン方向に沿って配置された、同一のマスクパターンを含むチップ領域同士を比較することによってマスク検査を行う工程を含むことを特徴とする反射型マスクの検査方法。 - 請求項1〜2のいずれかに記載の反射型マスクを反射型露光装置に載置して、マスクパターンを半導体基板に投影してスキャン露光を行う工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008095881A JP5111205B2 (ja) | 2008-04-02 | 2008-04-02 | 反射型マスクおよびその検査方法ならびに半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008095881A JP5111205B2 (ja) | 2008-04-02 | 2008-04-02 | 反射型マスクおよびその検査方法ならびに半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009252818A JP2009252818A (ja) | 2009-10-29 |
JP5111205B2 true JP5111205B2 (ja) | 2013-01-09 |
Family
ID=41313277
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008095881A Expired - Fee Related JP5111205B2 (ja) | 2008-04-02 | 2008-04-02 | 反射型マスクおよびその検査方法ならびに半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5111205B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102010009022B4 (de) * | 2010-02-22 | 2019-10-24 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungssystem sowie Projektionsobjektiv einer Maskeninspektionsanlage |
KR102340171B1 (ko) * | 2014-02-24 | 2021-12-16 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 장치 및 방법 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI227380B (en) * | 2002-06-06 | 2005-02-01 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP3731566B2 (ja) * | 2002-06-28 | 2006-01-05 | ソニー株式会社 | 露光方法、マスク製造方法および半導体装置の製造方法 |
JP4273246B2 (ja) * | 2002-10-21 | 2009-06-03 | レーザーテック株式会社 | フォトマスクの欠陥検査装置 |
JP2007287907A (ja) * | 2006-04-17 | 2007-11-01 | Sony Corp | マスクパターン補正方法、露光用マスクおよびマスク製造方法 |
JP2007298856A (ja) * | 2006-05-02 | 2007-11-15 | Sii Nanotechnology Inc | 半導体マスク修正装置及び半導体マスク修正方法 |
-
2008
- 2008-04-02 JP JP2008095881A patent/JP5111205B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009252818A (ja) | 2009-10-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8440375B2 (en) | Exposure method and electronic device manufacturing method | |
US9360778B2 (en) | System and method for lithography patterning | |
JP5507387B2 (ja) | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
WO1999034255A1 (fr) | Procede et appareil de fabrication de photomasque et procede de fabrication de l'appareil | |
KR20090095509A (ko) | 정렬 마크 제공 방법, 디바이스 제조 방법 및 리소그래피 장치 | |
JP6347849B2 (ja) | センサシステム、基板ハンドリングシステムおよびリソグラフィ装置 | |
JP5312501B2 (ja) | アライメントマーク、基板、パターニングデバイスの組、およびデバイス製造方法 | |
JP2009152563A (ja) | リソグラフィ投影装置の焦点を測定する方法 | |
US11640118B2 (en) | Method of pattern alignment for field stitching | |
JP2006186367A (ja) | 接合基板を形成するシステム及び方法並びに接合基板製品 | |
US8377613B2 (en) | Reflective photomask and method of fabricating the same | |
JP5111205B2 (ja) | 反射型マスクおよびその検査方法ならびに半導体装置の製造方法 | |
JP2024016068A (ja) | Euvマスクのパターン検査装置及びeuvマスクのパターン検査方法 | |
JP2006100832A (ja) | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 | |
TW573235B (en) | X-ray projection exposure apparatus, X-ray projection exposure method, and semiconductor device | |
JP3913701B2 (ja) | デバイス製造法、その方法により製造されるデバイスおよびコンピュータ・プログラム | |
JP2008016828A (ja) | 露光装置およびデバイス製造方法 | |
KR20230005374A (ko) | 리소그래피 장치의 일부를 세정하기 위한 세정 툴 및 방법 | |
TWI530986B (zh) | 3d堆疊式集成電路之微影製程方法及系統 | |
JP5846785B2 (ja) | 投影露光方法、投影露光装置、およびマスクパターンの転写方法 | |
US20200292932A1 (en) | Reticle and method of detecting intactness of reticle stage using the same | |
JP2008047598A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP5204127B2 (ja) | スキャン露光装置および半導体装置の製造方法 | |
JP2003158067A (ja) | 半導体装置の製造方法および露光装置 | |
KR20080018684A (ko) | 반도체 제조설비 및 그를 이용한 웨이퍼 정렬방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20100513 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110216 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120529 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120605 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120720 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121002 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121009 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151019 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |