KR102338207B1 - 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자 - Google Patents

화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자 Download PDF

Info

Publication number
KR102338207B1
KR102338207B1 KR1020200162708A KR20200162708A KR102338207B1 KR 102338207 B1 KR102338207 B1 KR 102338207B1 KR 1020200162708 A KR1020200162708 A KR 1020200162708A KR 20200162708 A KR20200162708 A KR 20200162708A KR 102338207 B1 KR102338207 B1 KR 102338207B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
group
carbon atoms
monocyclic
substituted
polycyclic
Prior art date
Application number
KR1020200162708A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20210067942A (ko
Inventor
김선우
홍완표
금수정
김명곤
김경희
조혜민
Original Assignee
주식회사 엘지화학
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 엘지화학 filed Critical 주식회사 엘지화학
Publication of KR20210067942A publication Critical patent/KR20210067942A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102338207B1 publication Critical patent/KR102338207B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F5/00—Compounds containing elements of Groups 3 or 13 of the Periodic Table
    • C07F5/02—Boron compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D211/00—Heterocyclic compounds containing hydrogenated pyridine rings, not condensed with other rings
    • C07D211/04—Heterocyclic compounds containing hydrogenated pyridine rings, not condensed with other rings with only hydrogen or carbon atoms directly attached to the ring nitrogen atom
    • C07D211/06—Heterocyclic compounds containing hydrogenated pyridine rings, not condensed with other rings with only hydrogen or carbon atoms directly attached to the ring nitrogen atom having no double bonds between ring members or between ring members and non-ring members
    • C07D211/36—Heterocyclic compounds containing hydrogenated pyridine rings, not condensed with other rings with only hydrogen or carbon atoms directly attached to the ring nitrogen atom having no double bonds between ring members or between ring members and non-ring members with hetero atoms or with carbon atoms having three bonds to hetero atoms with at the most one bond to halogen, e.g. ester or nitrile radicals, directly attached to ring carbon atoms
    • C07D211/54—Sulfur atoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D405/00—Heterocyclic compounds containing both one or more hetero rings having oxygen atoms as the only ring hetero atoms, and one or more rings having nitrogen as the only ring hetero atom
    • C07D405/02—Heterocyclic compounds containing both one or more hetero rings having oxygen atoms as the only ring hetero atoms, and one or more rings having nitrogen as the only ring hetero atom containing two hetero rings
    • C07D405/12—Heterocyclic compounds containing both one or more hetero rings having oxygen atoms as the only ring hetero atoms, and one or more rings having nitrogen as the only ring hetero atom containing two hetero rings linked by a chain containing hetero atoms as chain links
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D409/00—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms
    • C07D409/02—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms containing two hetero rings
    • C07D409/12—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms containing two hetero rings linked by a chain containing hetero atoms as chain links
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D519/00—Heterocyclic compounds containing more than one system of two or more relevant hetero rings condensed among themselves or condensed with a common carbocyclic ring system not provided for in groups C07D453/00 or C07D455/00
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F5/00—Compounds containing elements of Groups 3 or 13 of the Periodic Table
    • C07F5/02—Boron compounds
    • C07F5/027—Organoboranes and organoborohydrides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
    • C07F7/02—Silicon compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
    • C07F7/02—Silicon compounds
    • C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
    • C07F7/0803—Compounds with Si-C or Si-Si linkages
    • C07F7/081—Compounds with Si-C or Si-Si linkages comprising at least one atom selected from the elements N, O, halogen, S, Se or Te
    • C07F7/0812—Compounds with Si-C or Si-Si linkages comprising at least one atom selected from the elements N, O, halogen, S, Se or Te comprising a heterocyclic ring
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
    • H01L51/008—
    • H01L51/5024—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/12—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising dopants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/321—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3]
    • H10K85/322—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3] comprising boron
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/40—Organosilicon compounds, e.g. TIPS pentacene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H10K85/622—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing four rings, e.g. pyrene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H10K85/636—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising heteroaromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/654—Aromatic compounds comprising a hetero atom comprising only nitrogen as heteroatom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6574—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only oxygen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. cumarine dyes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6576—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only sulfur in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. benzothiophene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/658—Organoboranes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07B—GENERAL METHODS OF ORGANIC CHEMISTRY; APPARATUS THEREFOR
    • C07B2200/00—Indexing scheme relating to specific properties of organic compounds
    • C07B2200/05—Isotopically modified compounds, e.g. labelled
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/18—Metal complexes
    • C09K2211/188—Metal complexes of other metals not provided for in one of the previous groups
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/10—Triplet emission
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/90—Multiple hosts in the emissive layer
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/12—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising dopants
    • H10K50/121—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising dopants for assisting energy transfer, e.g. sensitization
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/15—Hole transporting layers
    • H10K50/156—Hole transporting layers comprising a multilayered structure
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17—Carrier injection layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/18—Carrier blocking layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H10K85/626—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing more than one polycyclic condensed aromatic rings, e.g. bis-anthracene
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)

Abstract

본 명세서는 화학식 1의 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다.

Description

화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자{COMPOUND AND ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE COMPRISING SAME}
본 출원은 2019년 11월 29일에 한국특허청에 제출된 한국 특허 출원 제10-2019-0156840호 및 2020년 5월 20일에 한국특허청에 제출된 한국 특허 출원 제10-2020-0060597호의 출원일의 이익을 주장하며, 그 내용 전부는 본 명세서에 포함된다.
본 명세서는 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것이다.
일반적으로 유기 발광 현상이란 유기 물질을 이용하여 전기에너지를 빛에너지로 전환시켜주는 현상을 말한다. 유기 발광 현상을 이용하는 유기 발광 소자는 통상 양극과 음극 및 이 사이에 유기물층을 포함하는 구조를 가진다. 여기서 유기물층은 유기 발광 소자의 효율과 안정성을 높이기 위하여 각기 다른 물질로 구성된 다층의 구조로 이루어진 경우가 많으며, 예컨대 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 등으로 이루어 질 수 있다. 이러한 유기 발광 소자의 구조에서 두 전극 사이에 전압을 걸어주게 되면 양극에서는 정공이, 음극에서는 전자가 유기물층에 주입되게 되고, 주입된 정공과 전자가 만났을 때 엑시톤(exciton)이 형성되며, 이 엑시톤이 다시 바닥상태로 떨어질 때 빛이 나게 된다.
상기와 같은 유기 발광 소자를 위한 새로운 재료의 개발이 계속 요구되고 있다.
일본특허등록공보 제5935199호
본 명세서는 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다.
본 명세서의 일 실시상태는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다.
[화학식 1]
Figure 112020128389401-pat00001
상기 화학식 1에 있어서,
A1은 치환 또는 비치환되고, O 또는 S를 포함하는 5원 고리를 포함하는 단환 또는 다환의 헤테로고리이고,
R1 내지 R7, R' 및 R"은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 할로알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 할로알콕시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 아릴알킬기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 탄화수소고리기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이거나, 인접하는 기와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성한다.
또한, 본 명세서는 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 1층 이상은 상기 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자를 제공한다.
본 명세서에 기재된 화합물은 유기 발광 소자의 유기물층의 재료로서 사용될 수 있다. 또 하나의 실시상태에 따른 화합물은 유기 발광 소자에서 효율의 향상, 낮은 구동전압 및/또는 수명 특성을 향상시킬 수 있다. 특히, 본 명세서에 기재된 화합물은 정공주입, 정공수송, 정공주입과 정공수송, 전자차단, 발광, 정공차단, 전자수송, 또는 전자주입 재료로 사용될 수 있다. 또한, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자는 낮은 구동전압, 고효율 또는 장수명의 효과가 있다.
도 1 내지 3은 본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.
도 4는 본 명세서의 실험예 1에 따른 광발광 분석 그래프 도시한 도이다.
도 5는 본 명세서의 실험예 3에 따른 화합물 19의 열중량 분석 그래프를 나타낸 도이다.
도 6은 본 명세서의 실험예 3에 따른 화합물 BD-A의 열중량 분석 그래프를 나타낸 도이다.
도 7은 본 명세서의 실험예 3에 따른 화합물 BD-C의 열중량 분석 그래프를 나타낸 도이다.
이하, 본 명세서에 대하여 더욱 상세히 설명한다.
종래의 보론 화합물은 반치폭이 23 내지 30nm 정도이고, 기본 코어구조의 파장은 453nm 정도이나, 물질의 안정성이 아민 화합물에 비해 상대적으로 떨어져 수명이 낮아지는 한계를 가지고 있다. 따라서, 보론 화합물의 치환기 조절을 통해 우수한 광학적 특성을 유지하면서 물질의 안정성을 높여 긴 수명을 확보하는 방법이 요구된다.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 화학식 1의 화합물은 A1이 치환 또는 비치환되고, O 또는 S를 포함하는 5원 고리를 포함하는 단환 또는 다환의 헤테로고리를 포함하는 구조로 풍부한 전자를 이용하여 화합물의 구조적 안정성과 우수한 전기 화학적 특성을 확보할 수 있다.
본원 명세서 전체에서, 마쿠시 형식의 표현에 포함된 "이들의 조합"의 용어는 마쿠시 형식의 표현에 기재된 구성 요소들로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 혼합 또는 조합을 의미하는 것으로서, 상기 구성 요소들로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것을 의미한다.
본 명세서에서 치환기의 예시들은 아래에서 설명하나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서,
Figure 112020128389401-pat00002
는 연결되는 부위를 의미한다.
상기 "치환"이라는 용어는 화합물의 탄소 원자에 결합된 수소 원자가 다른 치환기로 바뀌는 것을 의미하며, 치환되는 위치는 수소 원자가 치환되는 위치 즉, 치환기가 치환 가능한 위치라면 한정하지 않으며, 2 이상 치환되는 경우, 2 이상의 치환기는 서로 같거나 상이할 수 있다.
본 명세서에서 "치환 또는 비치환된" 이라는 용어는 중수소; 할로겐기; 시아노기; 알킬기; 시클로알킬기; 알콕시기; 아릴옥시기; 알킬티옥시기; 아릴티옥시기; 알케닐기; 할로알킬기; 할로알콕시기; 아릴알킬기; 실릴기; 붕소기; 아민기; 아릴기; 방향족 탄화수소와 지방족 탄화수소의 축합고리기; 및 헤테로고리기로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 이상의 치환기로 치환되었거나, 상기 예시된 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결된 치환기로 치환되거나, 또는 어떠한 치환기도 갖지 않는 것을 의미한다.
본 명세서에 있어서, 2 이상의 치환기가 연결된다는 것은 어느 하나의 치환기의 수소가 다른 치환기와 연결된 것을 말한다. 예컨대, 2개의 치환기가 연결되는 것은 페닐기와 나프틸기가 연결되어
Figure 112020128389401-pat00003
또는
Figure 112020128389401-pat00004
의 치환기가 될 수 있다. 또한, 3개의 치환기가 연결되는 것은 (치환기 1)-(치환기 2)-(치환기 3)이 연속하여 연결되는 것뿐만 아니라, (치환기 1)에 (치환기 2) 및 (치환기 3)이 연결되는 것도 포함한다. 예컨대, 페닐기, 나프틸기 및 이소프로필기가 연결되어,
Figure 112020128389401-pat00005
,
Figure 112020128389401-pat00006
또는
Figure 112020128389401-pat00007
의 치환기가 될 수 있다. 4 이상의 치환기가 연결되는 것에도 전술한 정의가 동일하게 적용된다.
본 명세서에 있어서, 할로겐기의 예로는 불소, 염소, 브롬 또는 요오드가 있다.
본 명세서에 있어서, 상기 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 1 내지 30인 것이 바람직하다. 구체적인 예로는 메틸, 에틸, 프로필, n-프로필, 이소프로필, 부틸, n-부틸, 이소부틸, tert-부틸, sec-부틸, 1-메틸-부틸, 1-에틸-부틸, 펜틸, n-펜틸, 이소펜틸, 네오펜틸, tert-펜틸, 헥실, n-헥실, 1-메틸펜틸, 2-메틸펜틸, 4-메틸-2-펜틸, 3,3-디메틸부틸, 2-에틸부틸, 헵틸, n-헵틸, 1-메틸헥실, 시클로펜틸메틸, 시클로헥실메틸, 옥틸, n-옥틸, tert-옥틸, 1-메틸헵틸, 2-에틸헥실, 2-프로필펜틸, n-노닐, 2,2-디메틸헵틸, 1-에틸-프로필, 1,1-디메틸-프로필, 이소헥실, 2-메틸펜틸, 4-메틸헥실, 5-메틸헥실 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 시클로알킬기는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 3 내지 30인 것이 바람직하며, 구체적으로 시클로프로필, 시클로부틸, 시클로펜틸, 3-메틸시클로펜틸, 2,3-디메틸시클로펜틸, 시클로헥실, 3-메틸시클로헥실, 4-메틸시클로헥실, 2,3-디메틸시클로헥실, 3,4,5-트리메틸시클로헥실, 4-tert-부틸시클로헥실, 시클로헵틸, 시클로옥틸, 아다만틸기, 바이시클로[2.2.1]옥틸기, 노보닐기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 상기 알콕시기는 직쇄, 분지쇄 또는 고리쇄일 수 있다. 알콕시기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 30인 것이 바람직하다. 구체적으로, 메톡시, 에톡시, n-프로폭시, 이소프로폭시, n-부톡시, 이소부톡시, tert-부톡시, sec-부톡시, n-펜틸옥시, 네오펜틸옥시, 이소펜틸옥시, n-헥실옥시, 3,3-디메틸부틸옥시, 2-에틸부틸옥시, n-옥틸옥시, n-노닐옥시, n-데실옥시, 벤질옥시, p-메틸벤질옥시 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 상기 알케닐기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 2 내지 30인 것이 바람직하다. 구체적인 예로는 비닐, 1-프로페닐, 이소프로페닐, 1-부테닐, 2-부테닐, 3-부테닐, 1-펜테닐, 2-펜테닐, 3-펜테닐, 3-메틸-1-부테닐, 1,3-부타디에닐, 알릴, 1-페닐비닐-1-일, 2-페닐비닐-1-일, 2,2-디페닐비닐-1-일, 2-페닐-2-(나프틸-1-일)비닐-1-일, 2,2-비스(디페닐-1-일)비닐-1-일, 스틸베닐기, 스티레닐기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 상기 할로알킬기는 상기 알킬기의 정의 중 알킬기의 수소 대신 적어도 하나의 할로겐기가 치환되는 것을 의미한다.
본 명세서에 있어서, 상기 할로알콕시기는 상기 알콕시기의 정의 중 알콕시기의 수소 대신 적어도 하나의 할로겐기가 치환되는 것을 의미한다.
본 명세서에 있어서, 아릴기는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 6 내지 30인 것이 바람직하며, 상기 아릴기는 단환식 또는 다환식일 수 있다.
상기 아릴기가 단환식 아릴기인 경우 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 6 내지 30인 것이 바람직하다. 구체적으로 단환식 아릴기로는 페닐기, 바이페닐기, 터페닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 아릴기가 다환식 아릴기인 경우 탄소수는 특별히 한정되지 않으나. 탄소수 10 내지 30인 것이 바람직하다. 구체적으로 다환식 아릴기로는 나프틸기, 안트라센기, 페난트렌기, 트리페닐렌기, 파이렌기, 페날렌기, 페릴렌기, 크라이센기, 플루오렌기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 상기 플루오렌기는 치환될 수 있으며, 인접한 기들이 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있다.
상기 플루오렌기가 치환되는 경우,
Figure 112020128389401-pat00008
등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, "인접한" 기는 해당 치환기가 치환된 원자와 직접 연결된 원자에 치환된 치환기, 해당 치환기와 입체구조적으로 가장 가깝게 위치한 치환기, 또는 해당 치환기가 치환된 원자에 치환된 다른 치환기를 의미할 수 있다. 예컨대, 벤젠고리에서 오르토(ortho)위치로 치환된 2개의 치환기 및 지방족 고리에서 동일 탄소에 치환된 2개의 치환기는 서로 "인접한" 기로 해석될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 아릴알킬기는 상기 알킬기가 아릴기로 치환된 것을 의미하며, 상기 아릴알킬기의 아릴기 및 알킬기는 전술한 아릴기 및 알킬기의 예시가 적용될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 아릴옥시기는 상기 알콕시기의 정의 중 알콕시기의 알킬기 대신 아릴기로 치환되는 것을 의미하며, 아릴옥시기로는 페녹시기, p-토릴옥시기, m-토릴옥시기, 3,5-디메틸-페녹시기, 2,4,6-트리메틸페녹시기, p-tert-부틸페녹시기, 3-바이페닐옥시기, 4-바이페닐옥시기, 1-나프틸옥시기, 2-나프틸옥시기, 4-메틸-1-나프틸옥시기, 5-메틸-2-나프틸옥시기, 1-안트릴옥시기, 2-안트릴옥시기, 9-안트릴옥시기, 1-페난트릴옥시기, 3-페난트릴옥시기, 9-페난트릴옥시기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 알킬티옥시기의 알킬기는 전술한 알킬기의 예시와 같다. 구체적으로 알킬티옥시기로는 메틸티옥시기, 에틸티옥시기, tert－부틸티옥시기, 헥실티옥시기, 옥틸티옥시기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 아릴티옥시기 중의 아릴기는 전술한 아릴기의 예시와 같다. 구체적으로 아릴티옥시기로는 페닐티옥시기, 2－메틸페닐티옥시기, 4－tert－부틸페닐티옥시기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 헤테로고리기는 탄소가 아닌 원자, 이종원자를 1 이상 포함하는 것으로서, 구체적으로 상기 이종 원자는 O, N, Se 및 S 등으로 이루어진 군에서 선택되는 원자를 1 이상 포함할 수 있다. 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 2 내지 30인 것이 바람직하며, 상기 헤테로고리기는 단환식 또는 다환식일 수 있다. 헤테로고리기의 예로는 티오펜기, 퓨란기, 피롤기, 이미다졸기, 티아졸기, 옥사졸기, 옥사디아졸기, 피리딘기, 바이피리딘기, 피리미딘기, 트리아진기, 트리아졸기, 아크리딘기, 피리다진기, 피라진기, 퀴놀린기, 퀴나졸린기, 퀴녹살린기, 프탈라진기, 피리도 피리미딘기, 피리도 피라진기, 피라지노 피라진기, 이소퀴놀린기, 인돌기, 카바졸기, 벤즈옥사졸기, 벤즈이미다졸기, 벤조티아졸기, 벤조카바졸기, 벤조티오펜기, 디벤조티오펜기, 벤조퓨란기, 페난트리딘기(phenanthridine), 페난쓰롤린기(phenanthroline), 이소옥사졸기, 티아디아졸기, 디벤조퓨란기, 디벤조실롤기, 페노크산틴기(phenoxathiine), 페녹사진기(phenoxazine), 페노티아진기(phenothiazine), 디하이드로인데노카바졸기, 스피로플루오렌잔텐기, 스피로플루오렌티옥산텐기, 테트라하이드로나프토티오펜기, 테트라하이드로나프토퓨란기, 테트라하이드로벤조티오펜기, 및 테트라하이드로벤조퓨란기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서 있어서, 상기 실릴기는 알킬실릴기, 아릴실릴기, 알킬아릴실릴기, 헤테로아릴실릴기 등일 수 있다. 상기 알킬실릴기 중 알킬기는 전술한 알킬기의 예시가 적용될 수 있고, 상기 아릴실릴기 중 아릴기는 전술한 아릴기의 예시가 적용될 수 있으며, 상기 알킬아릴실릴기 중의 알킬기 및 아릴기는 상기 알킬기 및 아릴기의 예시가 적용될 수 있고, 상기 헤테로아릴실릴기 중 헤테로아릴기는 상기 헤테로고리기의 예시가 적용될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 붕소기는 -BR100R101일 수 있으며, 상기 R100 및 R101은 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 단환 또는 다환의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴기; 및 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 단환 또는 다환의 헤테로고리기로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다. 상기 붕소기는 구체적으로 트리메틸붕소기, 트리에틸붕소기, t-부틸디메틸붕소기, 트리페닐붕소기, 페닐붕소기 등이 있으나 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 아민기는 -NH2, 알킬아민기, N-알킬아릴아민기, 아릴아민기, N-아릴헤테로아릴아민기, N-알킬헤테로아릴아민기, 및 헤테로아릴아민기로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있으며, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 1 내지 30인 것이 바람직하다. 아민기의 구체적인 예로는 메틸아민기, 디메틸아민기, 에틸아민기, 디에틸아민기, 페닐아민기, 나프틸아민기, 바이페닐아민기, 안트라세닐아민기, 9-메틸-안트라세닐아민기, 디페닐아민기, 디톨릴아민기, N-페닐톨릴아민기, 트리페닐아민기, N-페닐바이페닐아민기, N-페닐나프틸아민기, N-바이페닐나프틸아민기; N-나프틸플루오레닐아민기, N-페닐페난트레닐아민기, N-바이페닐페난트레닐아민기, N-페닐플루오레닐아민기, N-페닐터페닐아민기, N-페난트레닐플루오레닐아민기, N-바이페닐플루오레닐아민기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, N-알킬아릴아민기는 아민기의 N에 알킬기 및 아릴기가 치환된 아민기를 의미한다. 상기 N-알킬아릴아민기 중의 알킬기와 아릴기는 전술한 알킬기 및 아릴기의 예시와 같다.
본 명세서에 있어서, N-아릴헤테로아릴아민기는 아민기의 N에 아릴기 및 헤테로아릴기가 치환된 아민기를 의미한다. 상기 N-아릴헤테로아릴아민기 중의 아릴기와 헤테로아릴기는 전술한 아릴기 및 헤테로고리기의 예시와 같다.
본 명세서에 있어서, N-알킬헤테로아릴아민기는 아민기의 N에 알킬기 및 헤테로아릴기가 치환된 아민기를 의미한다. 상기 N-알킬헤테로아릴아민기 중의 알킬기와 헤테로아릴기는 전술한 알킬기 및 헤테로고리기의 예시와 같다.
본 명세서에 있어서, 알킬아민기의 예로는 치환 또는 비치환된 모노알킬아민기, 또는 치환 또는 비치환된 디알킬아민기가 있다. 상기 알킬아민기 중의 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기일 수 있다. 상기 알킬기를 2 이상 포함하는 알킬아민기는 직쇄의 알킬기, 분지쇄의 알킬기, 또는 직쇄의 알킬기와 분지쇄의 알킬기를 동시에 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 알킬아민기 중의 알킬기는 전술한 알킬기의 예시 중에서 선택될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 헤테로아릴아민기의 예로는 치환 또는 비치환된 모노헤테로아릴아민기, 또는 치환 또는 비치환된 디헤테로아릴아민기가 있다. 상기 헤테로아릴기가 2 이상을 포함하는 헤테로아릴아민기는 단환식 헤테로아릴기, 다환식 헤테로아릴기, 또는 단환식 헤테로아릴기와 다환식 헤테로아릴기를 동시에 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 헤테로아릴아민기 중의 헤테로아릴기는 전술한 헤테로고리기의 예시 중에서 선택될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 치환기 중 "인접한 2개는 서로 결합하여 고리를 형성한다"는 의미는 인접한 기와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 탄화수소고리; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리를 형성하는 것을 의미한다.
본 명세서에 있어서, 서로 결합하여 형성되는 치환 또는 비치환된 고리에서, "고리"는 치환 또는 비치환된 탄화수소고리; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리를 의미한다.
본 명세서에 있어서, 탄화수소고리기는 방향족 탄화수소 고리, 지방족 탄화수소고리, 또는 방향족 탄화수소와 지방족 탄화수소의 축합고리기일 수 있으며, 상기 시클로알킬기, 아릴기, 및 이들의 조합의 예시 중에서 선택될 수 있으며, 상기 탄화수소고리기는 페닐기, 시클로헥실기, 아다만틸기, 테트라하이드로나프탈렌기, 테트라하이드로안트라센기 등이 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다
본 명세서에 있어서, 탄화수소고리는 방향족 탄화수소 고리, 지방족 탄화수소고리, 또는 방향족 탄화수소와 지방족 탄화수소의 축합고리일 수 있으며, 상기 1가가 아닌 것을 제외하고 상기 시클로알킬기 또는 아릴기의 예시 중에서 선택될 수 있으며, 상기 탄화수소고리는 상기 탄화수소고리는 벤젠, 시클로헥산, 아다만탄, 테트라하이드로나프탈렌, 테트라하이드로안트라센 등이 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 헤테로고리는 탄소가 아닌 원자, 이종원자를 1 이상 포함하는 것으로서, 구체적으로 상기 이종 원자는 O, N, Se 및 S 등으로 이루어진 군에서 선택되는 원자를 1 이상 포함할 수 있다. 상기 헤테로고리는 단환 또는 다환일 수 있으며, 방향족, 지방족 또는 방향족과 지방족의 축합고리일 수 있으며, 상기 방향족 헤테로고리는 1가가 아닌 것을 제외하고 상기 헤테로고리기의 예시 중에서 선택될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 지방족 헤테로고리란 헤테로원자 중 1개 이상을 포함하는 지방족 고리를 의미한다. 지방족 헤테로고리의 예로는, 옥시레인(oxirane), 테트라하이드로퓨란, 1,4-디옥세인(1,4-dioxane), 피롤리딘, 피페리딘, 모르폴린(morpholine), 옥세판, 아조케인, 티오케인, 테트라하이드로나프토티오펜, 테트라하이드로나프토퓨란, 테트라하이드로벤조티오펜, 및 테트라하이드로벤조퓨란 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 아릴렌기는 아릴기에 결합 위치가 두 개 있는 것 즉 2가기를 의미한다. 이들은 각각 2가기인 것을 제외하고는 전술한 아릴기의 설명이 적용될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 헤테로아릴렌기는 헤테로아릴기에 결합 위치가 두 개 있는 것 즉 2가기를 의미한다. 이들은 각각 2가기인 것을 제외하고는 전술한 헤테로고리기의 설명이 적용될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1은 알킬기로 치환 또는 비치환된 지방족 탄화수소 축합고리를 적어도 하나 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 A1은 치환 또는 비치환되고 O, 또는 S를 포함하는 5원의 단환 헤테로고리; 또는 치환 또는 비치환되고, O, 또는 S를 포함하는 5원 헤테로고리를 포함하는 다환의 헤테로고리이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 A1은 치환 또는 비치환되고 O, 또는 S를 포함하는 5원의 방향족 또는 지방족의 단환 헤테로고리; 또는 치환 또는 비치환되고, O, 또는 S를 포함하는 5원 헤테로고리를 포함하는 방향족, 지방족 또는 방향족과 지방족의 축합의 다환의 헤테로고리이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 A1은 하기 화학식 A1-1 또는 A1-2로 표시된다.
[화학식 A1-1]
Figure 112020128389401-pat00009
[화학식 A1-2]
Figure 112020128389401-pat00010
상기 화학식 A1-1 및 A1-2에 있어서,
Y1 및 Y3는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 O; 또는 S이며,
G1, G2 및 G7 내지 G10은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 할로알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 할로알콕시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 아릴알킬기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 탄화수소고리기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이거나, 인접하는 기와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성하고,
Figure 112020128389401-pat00011
는 상기 화학식 1에 결합되는 부위를 의미한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 A1은 하기 화학식 A1-3 내지 Al-5 중 어느 하나로 표시되는 구조이다.
[화학식 A1-3]
Figure 112020128389401-pat00012
[화학식 A1-4]
Figure 112020128389401-pat00013
[화학식 A1-5]
Figure 112020128389401-pat00014
상기 화학식 A1-3 내지 A1-5에 있어서,
Y2, Y4 및 Y5는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 O; 또는 S이며,
G3 내지 G6 및 G11 내지 G28은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 할로알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 할로알콕시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 아릴알킬기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 탄화수소고리기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이거나, 인접하는 기와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성하고,
n11 및 n12는 각각 0 내지 2의 정수이며,
상기 n11 및 n12가 2인 경우, 상기 두 개의 괄호 내의 구조는 서로 같거나 상이하고,
Figure 112020128389401-pat00015
는 상기 화학식 1에 결합되는 부위를 의미한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 A1-1은 하기 화학식 A1-1-1 또는 A1-1-2로 표시된다.
[화학식 A1-1-1]
Figure 112020128389401-pat00016
[화학식 A1-1-2]
Figure 112020128389401-pat00017
상기 화학식 A1-1-1 및 A1-1-2에 있어서,
Y1은 O; 또는 S이고,
Z1은 O; S; CR201R202; 또는 NR203이며,
G301 내지 G304 및 R201 내지 R203은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 할로알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 할로알콕시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 아릴알킬기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 탄화수소고리기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이거나, 인접하는 기와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성하고,
Figure 112020128389401-pat00018
는 상기 화학식 1에 결합되는 부위를 의미한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1은 하기 화학식 1-1 내지 1-5 중 어느 하나로 표시된다.
[화학식 1-1]
Figure 112020128389401-pat00019
[화학식 1-2]
Figure 112020128389401-pat00020
[화학식 1-3]
Figure 112020128389401-pat00021
[화학식 1-4]
Figure 112020128389401-pat00022
[화학식 1-5]
Figure 112020128389401-pat00023
상기 화학식 1-1 내지 1-5에 있어서,
R', R" 및 R1 내지 R7의 정의는 상기 화학식 1에서 정의한 바와 동일하고,
Y1 내지 Y5는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 O; 또는 S이며,
G1 내지 G28은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 할로알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 할로알콕시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 아릴알킬기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 탄화수소고리기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이거나, 인접하는 기와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성하고,
n11 및 n12는 각각 0 내지 2의 정수이며,
상기 n11 및 n12가 2인 경우, 상기 두 개의 괄호 내의 구조는 서로 같거나 상이하다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1은 하기 화학식 1-1-1, 1-1-2, 1-1-3, 1-1-4, 1-1-5, 1-1-6, 1-2-1, 1-2-2, 1-3-1, 1-3-2, 1-4-1, 1-4-2, 1-5-1 및 1-5-2 중 어느 하나로 표시된다.
[화학식 1-1-1]
Figure 112020128389401-pat00024
[화학식 1-1-2]
Figure 112020128389401-pat00025
[화학식 1-1-3]
Figure 112020128389401-pat00026
[화학식 1-1-4]
Figure 112020128389401-pat00027
[화학식 1-1-5]
Figure 112020128389401-pat00028
[화학식 1-1-6]
Figure 112020128389401-pat00029
[화학식 1-2-1]
Figure 112020128389401-pat00030
[화학식 1-2-2]
Figure 112020128389401-pat00031
[화학식 1-3-1]
Figure 112020128389401-pat00032
[화학식 1-3-2]
Figure 112020128389401-pat00033
[화학식 1-4-1]
Figure 112020128389401-pat00034
[화학식 1-4-2]
Figure 112020128389401-pat00035
[화학식 1-5-1]
Figure 112020128389401-pat00036
[화학식 1-5-2]
Figure 112020128389401-pat00037
상기 화학식 1-1-1, 1-1-2, 1-1-3, 1-1-4, 1-1-5, 1-1-6, 1-2-1, 1-2-2, 1-3-1, 1-3-2, 1-4-1, 1-4-2, 1-5-1 및 1-5-2에 있어서,
R', R" 및 R1 내지 R7의 정의는 상기 화학식 1에서 정의한 바와 동일하고,
Y1 내지 Y5는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 O; 또는 S이며,
Z1은 O; S; CR201R202; 또는 NR203이며,
G1 내지 G28, G301 내지 G304 및 R201 내지 R203은 서로 같거 나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 할로알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 할로알콕시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 아릴알킬기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 탄화수소고리기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이거나, 인접하는 기와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성하고,
n11 및 n12는 각각 0 내지 2의 정수이며,
상기 n11 및 n12가 2인 경우, 상기 두 개의 괄호 내의 구조는 서로 같거나 상이하다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R1 내지 R4 중 인접한 기는 서로 결합하여, 치환 또는 비치환된 5원의 단환 헤테로고리; 또는 치환 또는 비치환되고, 5원 헤테로고리를 포함하는 다환의 헤테로고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R1 내지 R4 중 인접한 기는 서로 결합하여, 치환 또는 비치환되고 N, O, 또는 S를 포함하는 5원의 단환 헤테로고리; 또는 치환 또는 비치환되고, N, O, 또는 S를 포함하는 5원 헤테로고리를 포함하는 다환의 헤테로고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R1 내지 R4 중 인접한 기는 서로 결합하여, 치환 또는 비치환되고 N, O, 또는 S를 포함하는 5원의 방향족 또는 지방족의 단환 헤테로고리; 또는 치환 또는 비치환되고, N, O, 또는 S를 포함하는 5원 헤테로고리를 포함하는 방향족, 지방족 또는 방향족과 지방족의 축합의 다환의 헤테로고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R1 내지 R4 중 인접한 기는 서로 결합하여, 하기 화학식 B1-1 또는 B1-2로 표시되는 고리를 형성한다.
[화학식 B1-1]
Figure 112020128389401-pat00038
[화학식 B1-2]
Figure 112020128389401-pat00039
상기 화학식 B1-1 및 B1-2에 있어서,
Y101 및 Y103는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 O; S; 또는 NR"'이며,
R"', G101, G102 및 G107 내지 G110은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 할로알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 할로알콕시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 아릴알킬기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 탄화수소고리기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이거나, 인접하는 기와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성하고,
Figure 112020128389401-pat00040
는 상기 화학식 1에 결합되는 부위를 의미한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R1 내지 R4 중 인접한 기는 서로 결합하여, 하기 화학식 B1-3 내지 Bl-5 중 어느 하나로 표시되는 고리를 형성한다.
[화학식 B1-3]
Figure 112020128389401-pat00041
[화학식 B1-4]
Figure 112020128389401-pat00042
[화학식 B1-5]
Figure 112020128389401-pat00043
상기 화학식 B1-3 내지 B1-5에 있어서,
Y102, Y104 및 Y105는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 O; S; 또는 NR"'이며,
R"', G103 내지 G106 및 G111 내지 G128은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 할로알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 할로알콕시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 아릴알킬기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 탄화수소고리기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이거나, 인접하는 기와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성하고,
n111 및 n112는 각각 0 내지 2의 정수이며,
상기 n111 및 n112가 2인 경우, 상기 두 개의 괄호 내의 구조는 서로 같거나 상이하고,
Figure 112020128389401-pat00044
는 상기 화학식 1에 결합되는 부위를 의미한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 B1-1은 하기 화학식 B1-1-1 또는 B1-1-2로 표시된다.
[화학식 B1-1-1]
Figure 112020128389401-pat00045
[화학식 B1-1-2]
Figure 112020128389401-pat00046
상기 화학식 B1-1-1 및 B1-1-2에 있어서,
Y101은 O; S; 또는 NR304이고,
Z101은 O; S; CR301R302; 또는 NR303이며,
G401 내지 G404 및 R301 내지 R304은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 할로알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 할로알콕시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 아릴알킬기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 탄화수소고리기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이거나, 인접하는 기와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성하고,
Figure 112020128389401-pat00047
는 상기 화학식 1에 결합되는 부위를 의미한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1은 하기 화학식 1-6 내지 1-30 중 어느 하나로 표시된다.
[화학식 1-6]
Figure 112020128389401-pat00048
[화학식 1-7]
Figure 112020128389401-pat00049
[화학식 1-8]
Figure 112020128389401-pat00050
[화학식 1-9]
Figure 112020128389401-pat00051
[화학식 1-10]
Figure 112020128389401-pat00052
[화학식 1-11]
Figure 112020128389401-pat00053
[화학식 1-12]
Figure 112020128389401-pat00054
[화학식 1-13]
Figure 112020128389401-pat00055
[화학식 1-14]
Figure 112020128389401-pat00056
[화학식 1-15]
Figure 112020128389401-pat00057
[화학식 1-16]
Figure 112020128389401-pat00058
[화학식 1-17]
Figure 112020128389401-pat00059
[화학식 1-18]
Figure 112020128389401-pat00060
[화학식 1-19]
Figure 112020128389401-pat00061
[화학식 1-20]
Figure 112020128389401-pat00062
[화학식 1-21]
Figure 112020128389401-pat00063
[화학식 1-22]
Figure 112020128389401-pat00064
[화학식 1-23]
Figure 112020128389401-pat00065
[화학식 1-24]
Figure 112020128389401-pat00066
[화학식 1-25]
Figure 112020128389401-pat00067
[화학식 1-26]
Figure 112020128389401-pat00068
[화학식 1-27]
Figure 112020128389401-pat00069
[화학식 1-28]
Figure 112020128389401-pat00070
[화학식 1-29]
Figure 112020128389401-pat00071
[화학식 1-30]
Figure 112020128389401-pat00072
상기 화학식 1-6 내지 1-30에 있어서,
R', R" 및 R1 내지 R7의 정의는 상기 화학식 1에서 정의한 바와 동일하고,
Y1 내지 Y5는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 O; 또는 S이고,
Y101 내지 Y105는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 O; S; 또는 NR"'이며,
R"', R101, G1 내지 G28 및 G101 내지 G128은 서로 같거 나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 할로알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 할로알콕시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 아릴알킬기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 탄화수소고리기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이거나, 인접하는 기와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성하고,
n11, n12, n111 및 n112는 각각 0 내지 2의 정수이며,
r101은 1 또는 2이며,
상기 r101, n11, n12, n111 및 n112이 2인 경우, 상기 2개의 괄호 내의 구조는 서로 같거나 상이하다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Y2는 O 또는 S이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R1 내지 R4 중 인접한 기가 서로 치환 또는 비치환된 고리를 형성하지 않는 기는 수소이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R1 내지 R4는 수소이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R101은 수소이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R1 내지 R7은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 시아노기; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 단환 또는 다환의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬실릴기; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 할로알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 할로알콕시기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 디아릴아민기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 단화 또는 다환의 헤테로고리기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R1 내지 R7은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 시아노기; 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기; 탄소수 3 내지 30의 단환 또는 다환의 시클로알킬기; 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬실릴기; 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 할로알킬기; 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 할로알콕시기; 탄소수 6 내지 30의 아릴알킬기; 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 디아릴아민기; 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴기; 또는 탄소수 2 내지 30의 단화 또는 다환의 헤테로고리기이고, 상기 치환기는 중수소, 할로겐기, 시아노기, 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기, 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬실릴기, 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 이상으로 치환 또는 비치환된다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R1 내지 R7은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 시아노기; 메틸기; tert-부틸기; -CD3; -CF3; -OCF3; 큐밀기; 트리메틸실릴기; 디페닐아민기; 시클로헥실기; 페닐기; 아다만틸기; 또는 카바졸기이고, 상기 치환기는 중수소, -F, 시아노기, 메틸기, 트리메틸실릴기, tert-부틸기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 이상으로 치환 또는 비치환된다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R6은 중수소; 시아노기; 메틸기; tert-부틸기; -CD3; -CF3; -OCF3; 큐밀기; 트리메틸실릴기; 디페닐아민기; 시클로헥실기; 페닐기; 아다만틸기; 또는 카바졸기이고, 상기 치환기는 중수소, -F, 시아노기, 메틸기, 트리메틸실릴기, tert-부틸기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 이상으로 치환 또는 비치환된다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1의 코어인 보론 코어의 파라(para)위치인 R6에 작용기가 치환되는 경우, 상기 화합물 내에서 전자가 부족한 헤테로 원자인 보론에 전자를 공여하여 화합물의 안정성을 높여줄 수 있으며, 효과적으로 HOMO 및 LUMO 에너지 준위를 적절하게 조절하여 화합물의 광학적 특성을 조절하기 용이하다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R1 내지 R5 및 R7은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 시아노기; 메틸기; tert-부틸기; -CD3; -CF3; -OCF3; 큐밀기; 트리메틸실릴기; 디페닐아민기; 시클로헥실기; 페닐기; 아다만틸기; 또는 카바졸기이고, 상기 치환기는 중수소, -F, 시아노기, 메틸기, 트리메틸실릴기, tert-부틸기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 이상으로 치환 또는 비치환된다.
상기 큐밀기는
Figure 112020128389401-pat00073
를 의미한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R1 내지 R7은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 하기 Group C의 구조 중 어느 하나로 표시되는 기이다.
<Group C>
Figure 112020128389401-pat00074
상기 구조에 있어서,
R10 및 R11은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 할로알콕시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 아릴알킬기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이거나, 인접한 기와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성하고,
r10은 1 내지 10의 정수이며,
r11은 1 내지 8의 정수이고,
상기 r10 및 r11이 각각 2 이상인 경우, 2 이상의 괄호내의 구조는 서로 같거나 상이하며,
r1은 0 또는 1이고,
r2는 0 또는 1이며,
Figure 112020128389401-pat00075
는 상기 화학식 1에 결합되는 부위이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R1 내지 R7은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 하기 Group D의 구조 중 어느 하나로 표시되는 기이다.
<Group D>
Figure 112020128389401-pat00076
상기 구조에 있어서,
R100 내지 R115는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 할로알콕시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 아릴알킬기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이고,
r100, r101, r108 및 r109은 각각 1 내지 8의 정수이고,
r102 및 r107는 각각 1 내지 12의 정수이며,
r103 및 r104는 각각 1 내지 10의 정수이고,
r105는 1 내지 6의 정수이며,
r106 및 r110 내지 r113는 각각 1 내지 4의 정수이며,
r114는 1 내지 14의 정수이고,
r115는 1 내지 18의 정수이며,
상기 r100 내지 r115가 각각 2 이상인 경우, 상기 2 이상의 괄호 내의 구조는 서로 같거나 상이하며,
Figure 112020128389401-pat00077
는 상기 화학식 1에 결합되는 부위이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Group D에서 상기 R100 내지 R115는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Group D에서 상기 R100 내지 R115는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 단환 또는 다환의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬실릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Group D에서 상기 R100 내지 R115는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 20의 단환 또는 다환의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬실릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 단환 또는 다환의 아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Group D에서 상기 R100 내지 R115는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 중수소로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기; 중수소로 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 단환 또는 다환의 시클로알킬기; 중수소로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬실릴기; 또는 중수소로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Group D에서 상기 R100 내지 R115는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 중수소로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기; 중수소로 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 20의 단환 또는 다환의 시클로알킬기; 중수소로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬실릴기; 또는 중수소로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 단환 또는 다환의 아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Group D에서 상기 R100 내지 R115는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 메틸기; -CD3; tert-부틸기; 시클로헥실기; 트리메틸 실릴기; 또는 중수소로 치환 또는 비치환된 페닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R1 내지 R4 중 인접한 기는 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 탄화수소고리; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R1 내지 R4 중 인접한 기는 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 단환 또는 다환의 탄화수소고리; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 단환 또는 다환의 헤테로고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R1 내지 R4 중 인접한 기는 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 단환 또는 다환의 지방족, 방향족, 또는 지방족 및 방향족 축합 탄화수소고리; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 단환 또는 다환의 지방족 헤테로고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R1 내지 R4 중 인접한 기는 서로 결합하여 탄소수 3 내지 30의 단환 또는 다환의 지방족, 방향족, 또는 지방족 및 방향족 축합 탄화수소고리; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 단환 또는 다환의 지방족 헤테로고리를 형성하고, 상기 고리는 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기, 및 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 할로알킬기로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 이상으로 치환 또는 비치환된다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R1 내지 R4 중 인접한 기는 서로 결합하여 시클로펜탄고리; 시클로헥산고리; 시클로헵탄고리; 바이시클로[2.2.1]옥탄고리; 노보넨(norbornane)고리; 아다만탄고리; 인덴고리; 페난트렌고리; 테트라하이드로퓨란고리; 테트라하이드로티오펜고리; 피롤리딘고리; 테트라하이드로벤조퓨란고리; 테트라하이드로벤조티오펜고리; 옥타하이드로벤조퓨란고리; 옥타하이드로벤조티오펜고리; 옥타하이드로시클로헵타인돌고리; 옥타하이드로헵타피롤고리; 옥타하이드로인덴고리; 벤젠고리; 페난트렌고리; 벤조퓨란고리; 플루오렌고리; 디하이드로아크리딘고리; 테트라하이드로퀴놀린고리; 디하이드로안트라센고리; 크로멘(chroman)고리; 카바졸고리; 또는 인돌로카바졸고리를 형성하고, 상기 고리는 메틸기, tert-부틸기, 및 -CF3로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 이상으로 치환 또는 비치환된다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R'는 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 단환 또는 다환의 탄화수소고리기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 단환 또는 다환의 헤테로고리기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R'는 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기; 탄소수 6 내지 30의 아릴알킬기; 탄소수 3 내지 30의 단환 또는 다환의 탄화수소고리기; 또는 탄소수 2 내지 30의 단환 또는 다환의 헤테로고리기이며, 상기 치환기는 중수소, 할로겐기, 시아노기, 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기, 탄소수 3 내지 30의 단환 또는 다환의 시클로알킬기, 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬실릴기, 탄소수 3 내지 30의 아릴실릴기, 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알콕시기, 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 할로알킬기, 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 할로알콕시기, 탄소수 6 내지 30의 아릴옥시기, 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴알킬기, 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 디아릴아민기, 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴기, 탄소수 2 내지 30의 단화 또는 다환의 헤테로고리기, 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 방향족 탄화수소와 탄소수 3 내지 30의 단환 또는 다환의 지방족 탄화수소의 축합고리기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 이상으로 치환 또는 비치환된다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R'는 메틸기; tert-부틸기; 페닐기; 바이페닐기; 터페닐기; 나프틸기; 플루오렌기; 트리페닐렌기; 디벤조퓨란기; 큐밀(cumyl)기; 아다만틸기; 테트라하이드로나프틸기; 또는 헥사하이드로디벤조퓨란기이고, 상기 치환기는 중수소, F, 시아노기, 메틸기, tert-부틸기, -CD3, -CF3, -OCF3, 시클로헥실기, 페닐기, 디페닐아민기, 피리딘기, 피리미딘기, 메톡시기, i-프로필기, 페녹시기, 트리페닐실릴기, 트리메틸실릴기, 테트라하이드로나프틸기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 이상으로 치환 또는 비치환된다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R"는 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 단환 또는 다환의 탄화수소고리기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 단환 또는 다환의 헤테로고리기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R"는 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기; 탄소수 6 내지 30의 아릴알킬기; 탄소수 3 내지 30의 단환 또는 다환의 탄화수소고리기; 또는 탄소수 2 내지 30의 단환 또는 다환의 헤테로고리기이며, 상기 치환기는 중수소, 할로겐기, 시아노기, 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기, 탄소수 3 내지 30의 단환 또는 다환의 시클로알킬기, 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬실릴기, 탄소수 3 내지 30의 아릴실릴기, 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알콕시기, 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 할로알킬기, 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 할로알콕시기, 탄소수 6 내지 30의 아릴옥시기, 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴알킬기, 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 디아릴아민기, 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴기, 탄소수 2 내지 30의 단화 또는 다환의 헤테로고리기, 탄소수 3 내지 30의 단환 또는 다환의 지방족 및 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 방향족 축합 탄화수소고리기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 이상으로 치환 또는 비치환된다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R"는 메틸기; tert-부틸기; 페닐기; 바이페닐기; 터페닐기; 나프틸기; 플루오렌기; 트리페닐렌기; 디벤조퓨란기; 큐밀(cumyl)기; 아다만틸기; 테트라하이드로나프틸기; 또는 헥사하이드로디벤조퓨란기이고, 상기 치환기는 중수소, F, 시아노기, 메틸기, tert-부틸기, -CD3, -CF3, -OCF3, 시클로헥실기, 페닐기, 디페닐아민기, 피리딘기, 피리미딘기, 메톡시기, i-프로필기, 페녹시기, 트리페닐실릴기, 트리메틸실릴기, 테트라하이드로나프틸기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 이상으로 치환 또는 비치환된다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Y1은 O이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Y1은 S이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Y2은 O이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Y2은 S이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Y3은 O이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Y3은 S이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Y4은 O이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Y4은 S이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Y5은 O이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Y5은 S이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Y101은 O이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Y101은 S이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Y101은 NR"'이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Y102은 O이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Y102은 S이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Y102은 NR"'이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Y103은 O이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Y103은 S이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Y103은 NR"'이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Y104은 O이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Y104은 S이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Y104은 NR"'이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Y105은 O이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Y105은 S이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Y105은 NR"'이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R1 및 G2는 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 헤테로고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R1 및 G2는 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 B 및 N을 포함하는 헤테로고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R1 및 G2는 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 B 및 N을 포함하는 6원 헤테로고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R1 및 G2는 서로 결합하여 아릴기로 치환된 헤테로고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R1 및 G2는 서로 결합하여 아릴기로 치환된 B 및 N을 포함하는 헤테로고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R1 및 G2는 서로 결합하여 페닐기로 치환된 B 및 Si을 포함하는 6원 헤테로고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R4 및 R'은 서로 결합하여, 하기 Group A로 표시되는 구조 중 어느 하나의 고리를 형성한다.
<Group A>
Figure 112020128389401-pat00078
상기 구조에 있어서,
R10 내지 R14은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 할로알콕시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 아릴알킬기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이거나, 인접한 기와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성하고,
r10은 1 내지 10의 정수이며,
r11은 1 내지 8의 정수이고,
r12는 1 내지 6의 정수이며,
상기 r10 내지 r12가 각각 2 이상인 경우, 2 이상의 괄호내의 구조는 서로 같거나 상이하며,
r1은 0 또는 1이고,
r2는 0 또는 1이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R4 및 R'은 서로 결합하여, 하기 Group B로 표시되는 구조 중 어느 하나의 고리를 형성한다.
<Group B>
Figure 112020128389401-pat00079
상기 구조에 있어서,
R100 내지 R120는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 할로알콕시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 아릴알킬기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이고,
r100, r101, r108, r109 및 r116 내지 r118은 각각 1 내지 8의 정수이고,
r102 및 r107는 각각1 내지 12의 정수이며,
r103 및 r104는 각각 1 내지 10의 정수이고,
r105는 1 내지 6의 정수이며,
r106 및 r110 내지 r113는 각각 1 내지 4의 정수이며,
r114는 1 내지 14의 정수이고,
r115는 1 내지 18의 정수이며,
상기 r100 내지 r118이 각각 2 이상인 경우, 상기 2 이상의 괄호 내의 구조는 서로 같거나 상이하다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Group B에서 상기 R100 내지 R120은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Group B에서 상기 R100 내지 R120은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 단환 또는 다환의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬실릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Group B에서 상기 R100 내지 R120은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 20의 단환 또는 다환의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬실릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 단환 또는 다환의 아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Group B에서 상기 R100 내지 R120은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 중수소로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기; 중수소로 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 단환 또는 다환의 시클로알킬기; 중수소로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬실릴기; 또는 중수소로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Group B에서 상기 R100 내지 R120은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 중수소로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기; 중수소로 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 20의 단환 또는 다환의 시클로알킬기; 중수소로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬실릴기; 또는 중수소로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 단환 또는 다환의 아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Group B에서 상기 R100 내지 R120은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 메틸기; -CD3; tert-부틸기; 시클로헥실기; 트리메틸 실릴기; 또는 중수소로 치환 또는 비치환된 페닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 G1 내지 G28 및 G101 및 G128은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 시아노기; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 할로알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 단환 또는 다환의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬실릴기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴실릴기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 디아릴아민기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 단환 또는 다환의 헤테로고리기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 G1 내지 G28 및 G101 및 G128은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 시아노기; 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기; 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 할로알킬기; 탄소수 3 내지 30의 단환 또는 다환의 시클로알킬기; 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬실릴기; 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴실릴기; 탄소수 6 내지 30의 아릴알킬기; 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 디아릴아민기; 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴기; 또는 탄소수 2 내지 30의 단환 또는 다환의 헤테로고리기이고, 상기 치환기는 중수소, 할로겐기, 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 이상으로 치환 또는 비치환된다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 G1 내지 G28 및 G101 및 G128은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 시아노기; 메틸기; i-프로필기; tert-부틸기; -CF3; 아다만틸기; 트리메틸실릴기; 트리페닐실릴기; 디페닐아민기; 페닐기; 나프틸기; 큐밀(cumyl)기; 피리딜기; 또는 카바졸기이고, 상기 치환기는 중수소, F, 메틸기, tert-부틸기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 이상으로 치환 또는 비치환된다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R"'는 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 지방족, 방향족, 또는 지방족과 방향족의 축합 탄화수소고리기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 단환 또는 다환의 헤테로고리기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R"'는 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기; 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 지방족, 방향족, 또는 지방족과 방향족의 축합 탄화수소고리기; 또는 탄소수 2 내지 30의 단환 또는 다환의 헤테로고리기이고, 상기 치환기는 중수소, 할로겐기, 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기, 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 할로알킬기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 이상으로 치환 또는 비치환된다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R"'는 tert-부틸기; 페닐기; 바이페닐기; 테트라하이드로벤조퓨란기; 피리딘기; 또는 트리아진기이고, 상기 치환기는 중수소, F, -CF3, 메틸기, tert-부틸기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 이상으로 치환 또는 비치환된다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 G1 내지 G28 및 G101 및 G128는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 하기 Group C의 구조 중 어느 하나로 표시되는 기이다.
<Group C>
Figure 112020128389401-pat00080
상기 구조에 있어서,
R10 및 R11은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 할로알콕시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 아릴알킬기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이거나, 인접한 기와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성하고,
r10은 1 내지 10의 정수이며,
r11은 1 내지 8의 정수이고,
상기 r10 및 r11이 각각 2 이상인 경우, 2 이상의 괄호내의 구조는 서로 같거나 상이하며,
r1은 0 또는 1이고,
r2는 0 또는 1이며,
Figure 112020128389401-pat00081
는 상기 화학식 1에 결합되는 부위이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 G1 내지 G28 및 G101 및 G128는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 하기 Group D의 구조 중 어느 하나로 표시되는 기이다.
<Group D>
Figure 112020128389401-pat00082
상기 구조에 있어서,
R100 내지 R115는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 할로알콕시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 아릴알킬기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이고,
r100, r101, r108 및 r109은 각각 1 내지 8의 정수이고,
r102 및 r107는 각각 1 내지 12의 정수이며,
r103 및 r104는 각각 1 내지 10의 정수이고,
r105는 1 내지 6의 정수이며,
r106 및 r110 내지 r113는 각각 1 내지 4의 정수이며,
r114는 1 내지 14의 정수이고,
r115는 1 내지 18의 정수이며,
상기 r100 내지 r115가 각각 2 이상인 경우, 상기 2 이상의 괄호 내의 구조는 서로 같거나 상이하며,
Figure 112020128389401-pat00083
는 상기 화학식 1에 결합되는 부위이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Group D에서 상기 R100 내지 R115는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Group D에서 상기 R100 내지 R115는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 단환 또는 다환의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬실릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Group D에서 상기 R100 내지 R115는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 20의 단환 또는 다환의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬실릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 단환 또는 다환의 아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Group D에서 상기 R100 내지 R115는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 중수소로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기; 중수소로 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 단환 또는 다환의 시클로알킬기; 중수소로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬실릴기; 또는 중수소로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Group D에서 상기 R100 내지 R115는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 중수소로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기; 중수소로 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 20의 단환 또는 다환의 시클로알킬기; 중수소로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬실릴기; 또는 중수소로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 단환 또는 다환의 아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Group D에서 상기 R100 내지 R115는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 메틸기; -CD3; tert-부틸기; 시클로헥실기; 트리메틸 실릴기; 또는 중수소로 치환 또는 비치환된 페닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 G1 내지 G28 및 G101 및 G128 중 인접한 기는 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 탄화수소고리; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 G1 내지 G28 및 G101 및 G128 중 인접한 기는 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 단환 또는 다환의 탄화수소고리; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 단환 또는 다환의 헤테로고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, G1 내지 G28 및 G101 및 G128 중 인접한 기는 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 단환 또는 다환의 지방족, 방향족, 또는 지방족 및 방향족 축합 탄화수소고리; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 단환 또는 다환의 지방족 헤테로고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 G1 내지 G28 및 G101 및 G128 중 인접한 기는 서로 결합하여 탄소수 3 내지 30의 단환 또는 다환의 지방족, 방향족, 또는 지방족 및 방향족 축합 탄화수소고리; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 단환 또는 다환의 지방족 헤테로고리를 형성하고, 상기 고리는 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴기, 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기, 및 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 할로알킬기로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 이상으로 치환 또는 비치환된다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 G1 내지 G28 및 G101 및 G128 중 인접한 기는 서로 결합하여 시클로펜탄고리; 시클로헥산고리; 시클로헵탄고리; 바이시클로[2.2.1]옥탄고리; 노보넨(norbornane)고리; 아다만탄고리; 인덴고리; 페난트렌고리; 테트라하이드로퓨란고리; 테트라하이드로티오펜고리; 테트라하이드로나프토퓨란고리; 테트라하이드라나프토티오펜고리; 피롤리딘고리; 옥타하이드로벤조퓨란고리; 옥타하이드로벤조티오펜고리; 옥타하이드로인덴고리; 벤젠고리; 페난트렌고리; 벤조퓨란고리; 플루오렌고리; 디하이드로안트라센고리; 크로멘(chroman)고리; 카바졸고리; 벤즈이미다졸; 테트라하이드로벤조인돌고리; 인돌고리; 또는 인돌로카바졸고리를 형성하고, 상기 고리는 tert-부틸기로 치환된 페닐기, 메틸기, tert-부틸기, 및 -CF3로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 이상으로 치환 또는 비치환된다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R"' 및 G102는 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 헤테로고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R"' 및 G102는 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 B 및 N을 포함하는 헤테로고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R"' 및 G102는 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 B 및 N을 포함하는 6원 헤테로고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R"' 및 G102는 서로 결합하여 헤테로고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R"' 및 G102는 서로 결합하여 B 및 N을 포함하는 헤테로고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R"' 및 G102는 서로 결합하여 B 및 N을 포함하는 6원 헤테로고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1은 하기 화합물 중에서 선택되는 어느 하나이다.
Figure 112020128389401-pat00084
Figure 112020128389401-pat00085
Figure 112020128389401-pat00086
Figure 112020128389401-pat00087
Figure 112020128389401-pat00088
Figure 112020128389401-pat00089
Figure 112020128389401-pat00090
Figure 112020128389401-pat00091
Figure 112020128389401-pat00092
Figure 112020128389401-pat00093
Figure 112020128389401-pat00094
Figure 112020128389401-pat00095
Figure 112020128389401-pat00096
Figure 112020128389401-pat00097
Figure 112020128389401-pat00098
Figure 112020128389401-pat00099
Figure 112020128389401-pat00100
Figure 112020128389401-pat00101
Figure 112020128389401-pat00102
Figure 112020128389401-pat00103
Figure 112020128389401-pat00104
Figure 112020128389401-pat00105
Figure 112020128389401-pat00106
Figure 112020128389401-pat00107
상기 화합물에 있어서, Ph는 페닐기를 의미한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1의 A1이 t-부틸기로 치환된 벤조퓨란 또는 t-부틸기로 치환된 벤조티오펜이며, R' 및 R"가 각각 독립적으로 t-부틸기 또는 이소프로필기로 치환된 페닐기, 또는 t-부틸기로 치환된 바이페닐기이며, R2 또는 R3가 t-부틸기, 또는 수소인 경우, R6이 터부틸기, 페닐기, 또는 아다만틸기인 화합물은 제외한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1의 A1이 벤조퓨란 또는 디벤조퓨란인 경우, R2에서 t-부틸기로 치환 또는 비치환된 디페닐아민기인 화합물을 제외한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1의 A1이 벤조퓨란 또는 디벤조퓨란이며, R' 및 R"가 각각 독립적으로 t-부틸기로 치환된 페닐기이며, R3가 t-부틸기인 경우, R6이 메틸기, 또는 시클로헥실기인 화합물을 제외한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1의 A1이 벤조퓨란 또는 디벤조퓨란이며, R' 및 R"가 각각 독립적으로 t-부틸기로 치환된 바이페닐기이며, R3가 t-부틸기로 치환된 페닐기인 경우, R6이 메틸기인 화합물을 제외한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1의 A1이 벤조퓨란 또는 디벤조퓨란이며, R' 및 R"가 각각 독립적으로 바이페닐기, 또는 디페닐아민기로 치환된 페닐기이며, R1 내지 R4가 수소인 경우, R6가 시클로헥실기인 화합물을 제외한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1의 A1이 5원 지방족 또는 방향족 헤테로고리를 포함하고, 상기 화학식 1의 A1이 5원 방향족 헤테로고리를 포함하는 경우, 상기 화학식 1은 지방족 탄화수소 축합고리를 적어도 하나 포함한다.
본 명세서는 상기 전술한 화합물을 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다.
본 명세서에서 어떤 부재가 다른 부재 "상에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.
본 명세서에서 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
본 명세서에 있어서, 상기 '층'은 본 기술분야에 주로 사용되는 '필름'과 호환되는 의미이며, 목적하는 영역을 덮는 코팅을 의미한다. 상기 '층'의 크기는 한정되지 않으며, 각각의 '층'은 그 크기가 같거나 상이할 수 있다. 일 실시상태에 따르면, '층'의 크기는 전체 소자와 같을 수 있고, 특정 기능성 영역의 크기에 해당할 수 있으며, 단일 서브픽셀(sub-pixel)만큼 작을 수도 있다.
본 명세서에 있어서, 특정한 A 물질이 B층에 포함된다는 의미는 i) 1종 이상의 A 물질이 하나의 B층에 포함되는 것과 ii) B층이 1층 이상으로 구성되고, A 물질이 다층의 B층 중 1층 이상에 포함되는 것을 모두 포함한다.
본 명세서에 있어서, 특정한 A 물질이 C층 또는 D층에 포함된다는 의미는 i) 1층 이상의 C층 중 1층 이상에 포함되거나, ii) 1층 이상의 D층 중 1층 이상에 포함되거나, iii) 1층 이상의 C층 및 1층 이상의 D층에 각각 포함되는 것을 모두 의미하는 것이다.
본 명세서는 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1 층 이상은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자를 제공한다.
본 명세서의 유기 발광 소자의 유기물층은 단층 구조로 이루어질 수도 있으나, 2층 이상의 유기물층이 적층된 다층 구조로 이루어질 수 있다. 예컨대, 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층, 전자 차단층, 정공 차단층 등을 포함하는 구조를 가질 수 있다. 그러나 유기 발광 소자의 구조는 이에 한정되지 않고 더 적은 수의 유기층을 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 발광층의 도펀트로서 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 발광층의 청색 형광 도펀트로서 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 정공 주입층, 정공 수송층. 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층, 정공 차단층 및 전자 차단층으로 이루어진 군에서 선택되는 1층 또는 2층 이상을 더 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 발광층은 호스트 화합물을 더 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 발광층은 호스트 화합물을 더 포함하고, 상기 호스트 화합물은 치환 가능한 위치의 적어도 하나의 수소가 중수소로 치환된 것이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 호스트 화합물이 중수소로 치환된 경우, 중수소로 30% 이상 치환된다. 또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 호스트 화합물은 중수소로 40% 이상 치환된다. 또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 호스트 화합물은 중수소로 60% 이상 치환된다. 또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 호스트 화합물은 중수소로 80% 이상 치환된다. 또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 호스트 화합물은 중수소로 100% 치환된다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 발광층은 하기 화학식 H로 표시되는 화합물을 더 포함한다.
[화학식 H]
Figure 112020128389401-pat00108
상기 화학식 H에 있어서,
L20 및 L21은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이고,
Ar20 및 Ar21은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이고,
R20은 수소; 중수소; 할로겐기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L20 및 L21은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴렌기; 또는 탄소수 2 내지 30의 단환 또는 다환의 헤테로아릴렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L20 및 L21은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 탄소수 6 내지 20의 단환 또는 다환의 아릴렌기; 또는 탄소수 2 내지 20의 단환 또는 다환의 헤테로아릴렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L20 및 L21은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 페닐렌기; 바이페닐릴렌기; 나프틸렌기; 2가의 디벤조퓨란기; 또는 2가의 디벤조티오펜기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar20 및 Ar21은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 단환 또는 다환의 헤테로고리기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar20 및 Ar21은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 단환 또는 다환의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 20의 단환 또는 다환의 헤테로고리기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar20 및 Ar21은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 단환 내지 4환의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 단환 내지 4환의 헤테로고리기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar20 및 Ar21은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 페닐기; 치환 또는 비치환된 바이페닐기; 치환 또는 비치환된 터페닐기; 치환 또는 비치환된 나프틸기; 치환 또는 비치환된 안트라센기; 치환 또는 비치환된 페난트렌기; 치환 또는 비치환된 페날렌기; 치환 또는 비치환된 플루오렌기; 치환 또는 비치환된 벤조플루오렌기; 치환 또는 비치환된 퓨란기; 치환 또는 비치환된 티오펜기; 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란기; 치환 또는 비치환된 나프토벤조퓨란기; 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜기; 또는 치환 또는 비치환된 나프토벤조티오펜기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar20 및 Ar21은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 중수소, 또는 탄소수 6 내지 20의 단환 또는 다환의 아릴기로 치환 또는 비치환된 페닐기; 탄소수 6 내지 20의 단환 또는 다환의 아릴기로 치환 또는 비치환된 바이페닐기; 중수소, 또는 탄소수 6 내지 20의 단환 또는 다환의 아릴기로 치환 또는 비치환된 나프틸기; 탄소수 6 내지 20의 단환 또는 다환의 아릴기로 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란기; 탄소수 6 내지 20의 단환 또는 다환의 아릴기로 치환 또는 비치환된 나프토벤조퓨란기; 탄소수 6 내지 20의 단환 또는 다환의 아릴기로 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜기; 또는 탄소수 6 내지 20의 단환 또는 다환의 아릴기로 치환 또는 비치환된 나프토벤조티오펜기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar20 및 Ar21은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 중수소로 치환 또는 비치환된 페닐기; 바이페닐기; 중수소로 치환 또는 비치환된 나프틸기; 디벤조퓨란기; 나프토벤조퓨란기; 디벤조티오펜기; 또는 나프토벤조티오펜기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar20은 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이고, 상기 Ar21은 치환 또는 비치환된 아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R20은 수소; 중수소; 할로겐기; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 단환 또는 다환의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 단환 또는 다환의 헤테로고리기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R20은 수소; 중수소; 불소; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 10의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 10의 단환 또는 다환의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 단환 또는 다환의 헤테로고리기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R20은 수소; 중수소; 중수소, 페닐기, 또는 나프틸기로 치환 또는 비치환된 페닐기; 중수소, 또는 페닐기로 치환 또는 비치환된 나프틸기; 바이페닐기; 디벤조퓨란기; 또는 디벤조티오펜기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 H로 표시되는 화합물이 중수소로 치환된 경우, 치환 가능한 위치의 수소가 중수소로 30% 이상 치환된다. 또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 H의 구조는 치환 가능한 위치의 수소가 중수소로 40% 이상 치환된다. 또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 H의 구조는 치환 가능한 위치의 수소가 중수소로 60% 이상 치환된다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 H의 구조는 치환 가능한 위치의 수소가 중수소로 80% 이상 치환된다. 또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 H의 구조는 치환 가능한 위치의 수소가 중수소로 100% 치환된다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 H로 표시되는 화합물은 하기 화합물 중에서 선택되는 어느 하나이다.
Figure 112020128389401-pat00109
Figure 112020128389401-pat00110
Figure 112020128389401-pat00111
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 발광층에서 화학식 1로 표시되는 화합물은 도펀트로, 상기 화학식 H로 표시되는 화합물은 호스트로 사용된다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 발광층이 호스트 및 도펀트를 포함할 경우, 도펀트의 함량은 발광층의 100 중량부를 기준으로 0.01 내지 10 중량부의 범위에서 선택될 수 있으며, 이에 한정되지 않는다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 발광층이 호스트 및 도펀트를 포함하고, 상기 호스트 및 도펀트는 99: 1 내지 1:99 중량비, 바람직하게는 99: 1 내지 70: 30 중량비, 더욱더 바람직하게는 99:1 내지 90: 10의 중량비로 포함한다.
상기 발광층은 호스트 재료를 더 포함할 수 있고, 상기 호스트는 축합 방향족환 유도체 또는 헤테로환 함유 화합물 등이 있다. 구체적으로 축합 방향족환 유도체로는 안트라센 유도체, 피렌 유도체, 나프탈렌 유도체, 펜타센 유도체, 페난트렌 화합물, 플루오란텐 화합물 등이 있고, 헤테로환 함유 화합물로는 카바졸 유도체, 디벤조퓨란 유도체, 래더형 퓨란 화합물, 피리미딘 유도체 또는 트리아진 유도체 등이 있으며, 이들의 2 종 이상의 혼합물일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 1 종 이상의 도펀트, 및 호스트를 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 2종 이상의 혼합 도펀트 및 호스트를 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 2종 이상의 혼합 도펀트 중 1 이상은 상기 화학식 1을 포함하고, 상기 호스트는 상기 화학식 H로 표시되는 화합물을 포함한다. 상기 2종 이상의 혼합 도펀트 중 1 이상은 상기 화학식 1을 포함하고, 나머지는 종래에 알려진 도펀트 물질을 사용할 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 2종 이상의 혼합 도펀트 중 1 이상은 상기 화학식 1을 포함하고, 나머지는 상기 화학식 1과 상이한 보론계 화합물, 파이렌계 화합물 및 지연형광계 화합물 중 1 이상을 사용할 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 1 종 이상의 호스트를 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 2종 이상의 혼합 호스트를 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 2 종 이상의 혼합 호스트 중 1 이상은 상기 화학식 H로 표시되는 화합물이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 2 종 이상의 혼합 호스트는 서로 상이하고, 각각 독립적으로 상기 화학식 H로 표시되는 화합물이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 2종의 혼합 호스트를 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층 2 종의 혼합 호스트를 포함하고, 상기 2 종의 혼합 호스트는 서로 상이하며, 상기 2 종의 호스트는 상기 화학식 H로 표시되는 화합물이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 화학식 H로 표시되는 제1 호스트; 및 상기 화학식 H로 표시되는 제2 호스트를 포함하고, 상기 제1 호스트 및 제2 호스트는 서로 상이하다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 호스트: 제2 호스트는 95:5 내지 5:95의 중량비로 포함되고, 바람직하게는 70: 30 내지 30: 70의 중량비로 포합된다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 1 종 이상의 호스트, 및 도펀트를 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 1 종 이상의 호스트, 및 도펀트를 포함하고, 상기 호스트는 상기 화학식 H로 표시되는 화합물을 포함하고, 상기 도펀트는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 2 종 이상의 혼합 호스트, 및 도펀트를 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 2종 이상의 혼합 호스트 중 1 이상은 상기 화학식 H로 표시되는 화합물을 포함하고, 도펀트는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함한다.
본 명세서에서 상기 2종 이상의 혼합 호스트는 서로 상이하다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 2 종의 혼합 호스트, 및 도펀트를 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 2 종의 혼합 호스트는 서로 상이하고, 각각 독립적으로 상기 화학식 H로 표시되는 화합물을 포함하고, 상기 도펀트는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 화학식 H로 표시되는 제1 호스트; 상기 화학식 H로 표시되는 제2 호스트; 및 상기 화학식 1로 표시되는 도펀트를 포함하고, 상기 제1 호스트 및 제2 호스트는 서로 상이하다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기물층은 1 종 이상의 호스트, 및 1 종 이상의 도펀트를 사용하고, 상기 1 종 이상의 호스트는 상기 화학식 H로 표시되는 화합물을 포함하고, 상기 1 종 이상의 도펀트는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기물층은 2 종 이상의 혼합 호스트, 및 2 종 이상의 혼합 도펀트를 사용하고, 상기 2 종 이상의 혼합 호스트는 전술한 바와 동일한 재료를 사용할 수 있으며, 상기 2 종 이상의 혼합 도펀트는 전술한 바와 동일한 재료를 사용할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 제1 전극; 제2 전극; 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 발광층; 및 상기 발광층과 상기 제1 전극 사이, 또는 상기 발광층과 상기 제2 전극 사이에 구비된 2층 이상의 유기물층을 포함하고, 상기 2층 이상의 유기물층 중 적어도 하나는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 2층 이상의 유기물층은 발광층, 정공 수송층, 정공 주입층, 정공 수송과 정공 주입을 동시에 하는 층 및 전자 차단층으로 이루어진 군에서 2 이상이 선택될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 2층 이상의 전자 수송층을 포함할 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 2층 이상의 전자 수 송층을 포함하고, 상기 2층 이상의 전자 수송층 중 적어도 하나는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함한다. 구체적으로 본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 상기 2층 이상의 전자 수송층 중 1층에 포함될 수도 있으며, 각각의 2층 이상의 전자 수송층에 포함될 수 있다.
또한, 본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화합물이 상기 각각의 2층 이상의 전자 수송층에 포함되는 경우, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제외한 다른 재료들은 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 유기물층이 전자 수송층인 경우, 상기 전자 수송층은 n형 도펀트를 더 포함할 수 있다. 상기 n형 도펀트는 당 기술분야에 알려져 있는 것들을 사용할 수 있으며, 예컨대 금속 또는 금속착체를 사용할 수 있다. 예를 들어, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 전자 수송층은 LiQ(Lithium Quinolate)를 더 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 2층 이상의 정공수송층을 포함하고, 상기 2층 이상의 정공 수송층 중 적어도 하나는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함한다. 구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 상기 2층 이상의 정공 수송층 중 1층에 포함될 수도 있으며, 각각의 2층 이상의 정공 수송층에 포함될 수 있다.
또한, 본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물이 상기 각각의 2층 이상의 정공 수송층에 포함되는 경우, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제외한 다른 재료들은 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 유기물층 이외에 아릴아민기, 카바졸릴기 또는 벤조카바졸릴기를 포함하는 화합물을 포함하는 정공 주입층 또는 정공 수송층을 더 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 제1 전극은 애노드 또는 캐소드이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 제2 전극은 캐소드 또는 애노드이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 기판 상에 애노드, 1층 이상의 유기물층 및 캐소드가 순차적으로 적층된 구조(normal type)의 유기 발광 소자일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 기판 상에 캐소드, 1층 이상의 유기물층 및 애노드가 순차적으로 적층된 역방향 구조(inverted type)의 유기 발광 소자일 수 있다.
예컨대, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자의 구조가 도 1 내지 3에 예시되어 있다. 상기 도 1 내지 3은 유기 발광 소자를 예시한 것이며 이에 한정되는 것은 아니다.
도 1은 기판(1), 제1 전극(2), 발광층(3) 및 제2 전극(4)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 구조가 예시되어 있다. 이와 같은 구조에 있어서, 상기 화합물은 상기 발광층(3)에 포함될 수 있다.
도 2는 기판 (1), 제1 전극 (2), 정공주입층(5), 정공수송층(8), 전자차단층(9), 발광층(3), 정공차단층(6), 전자주입 및 수송층(7), 및 제2 전극(4)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다. 이와 같은 구조에 있어서 상기 화합물은 상기 발광층(3), 정공차단층(6), 전자주입 및 수송층(7) 및 정공주입층(8) 중 1층 이상에 포함될 수 있다.
도 3은 기판 (1), 제1 전극 (2), 정공주입층(5), 정공수송층(8), 전자차단층(9), 발광층(3), 제1 전자수송층(10), 제2 전자수송층 (11), 전자주입층(12) 및 제2 전극(4)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다. 이와 같은 구조에 있어서 상기 화합물은 상기 발광층(3)에 포함될 수 있다.
본 명세서의 유기 발광 소자는 유기물층 중 1층 이상이 상기 화합물, 즉 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 제외하고는 당 기술분야에 알려져 있는 재료와 방법으로 제조될 수 있다.
상기 유기 발광 소자가 복수개의 유기물층을 포함하는 경우, 상기 유기물층은 동일한 물질 또는 다른 물질로 형성될 수 있다.
예컨대, 본 명세서의 유기 발광 소자는 기판 상에 제1 전극, 유기물층 및 제2 전극을 순차적으로 적층시킴으로써 제조할 수 있다. 이 때, 스퍼터링법(sputtering)이나 전자빔 증발법(e-beam evaporation)과 같은 PVD(physical Vapor Deposition)방법을 이용하여, 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 양극을 형성하고, 그 위에 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층 및 전자 수송층을 포함하는 유기물층을 형성한 후, 그 위에 캐소드로 사용할 수 있는 물질을 증착시킴으로써 제조될 수 있다. 이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 캐소드 물질, 유기물층 및 애노드 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 제조할 수 있다.
또한, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 유기 발광 소자의 제조시 진공 증착법 뿐만 아니라 용액 도포법에 의하여 유기물층으로 형성될 수 있다. 여기서, 용액 도포법이라 함은 스핀 코팅, 딥코팅, 닥터 블레이딩, 잉크젯프린팅, 스크린 프린팅, 스프레이법, 롤 코팅 등을 의미하나, 이에 한정되는 것은 아니다.
이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 음극 물질로부터 유기물층, 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 만들 수도 있다 (국제 특허 출원 공개 제 2003/012890호). 다만, 제조 방법이 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 제1 전극 물질로는 통상 유기물층으로 정공 주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다. 예를 들어, 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연 산화물, 인듐 산화물, 인듐주석 산화물(ITO), 인듐아연 산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO:Al 또는 SnO2 : Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDOT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 제2 전극 물질로는 통상 유기물층으로 전자 주입이 용이하도록 일함수가 작은 물질인 것이 바람직하다. 예를 들어, 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al 또는 LiO2/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 발광층은 호스트 재료 및 도펀트 재료를 포함할 수 있다. 호스트 재료로는 축합 방향족환 유도체 또는 헤테로환 함유 화합물 등이 있다. 구체적으로, 축합 방향족환 유도체로는 안트라센 유도체, 피렌 유도체, 나프탈렌 유도체, 펜타센 유도체, 페난트렌 화합물, 플루오란텐 화합물 등이 있고, 헤테로환 함유 화합물로는 디벤조퓨란 유도체, 래더형 퓨란 화합물, 피리미딘 유도체 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 도펀트 재료로는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물 이외에 방향족 아민 유도체, 스트릴아민 화합물, 붕소 착체, 플루오란텐 화합물, 금속 착체 등이 있다. 구체적으로, 방향족 아민 유도체로는 치환 또는 비치환된 아릴아민기를 갖는 축합 방향족환 유도체로서, 아릴아민기를 갖는 피렌, 안트라센, 크리센, 페리플란텐 등이 있다. 또한, 스티릴아민 화합물은 치환 또는 비치환된 아릴아민에 적어도 1개의 아릴비닐기가 치환되어 있는 화합물로, 아릴기, 실릴기, 알킬기, 시클로알킬기 및 아릴아민기로 이루어진 군에서 1 또는 2 이상 선택되는 치환기가 치환 또는 비치환된다. 구체적으로 스티릴아민, 스티릴디아민, 스티릴트리아민, 스티릴테트라아민 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. 또한, 금속 착체로는 이리듐 착체, 백금 착체 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물이 발광층 이외의 유기물층에 포함되거나, 추가의 발광층이 구비되는 경우, 상기 발광층의 발광 물질로는 정공 수송층과 전자 수송층으로부터 정공과 전자를 각각 수송 받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서, 형광이나 인광에 대한 양자 효율이 좋은 물질이 바람직하다. 예를 들어, 8-히드록시-퀴놀린 알루미늄 착물(Alq3); 카르바졸 계열 화합물; 이량체화 스티릴(dimerized styryl) 화합물; BAlq; 10-히드록시벤조 퀴놀린-금속 화합물; 벤족사졸, 벤즈티아졸 및 벤즈이미다졸 계열의 화합물; 폴리(p-페닐렌비닐렌)(PPV) 계열의 고분자; 스피로(spiro) 화합물; 폴리플루오렌; 및 루브렌 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 정공 주입층은 전극으로부터 정공을 주입하는 층이다. 정공 주입 물질은 정공을 수송하는 능력을 가져 제1 전극에서의 정공 주입 효과 및 발광층 또는 발광 재료에 대하여 우수한 정공 주입 효과를 갖는 것이 바람직하다. 또한, 발광층에서 생성된 여기자의 전자 주입층 또는 전자 주입 재료에의 이동을 방지할 수 있는 능력이 우수한 물질이 바람직하다. 또한, 박막 형성 능력이 우수한 물질이 바람직하다. 또한, 정공 주입 물질의 HOMO(highest ocupied molecular orbital)가 제1 전극 물질의 일함수와 주변 유기물층의 HOMO 사이인 것이 바람직하다. 정공 주입 물질의 구체적인 예로는, 금속 포피린(porphyrin), 올리고티오펜, 아릴아민 계열의 유기물; 카르바졸 계열의 유기물; 니트릴 계열의 유기물; 헥사니트릴헥사아자트리페닐렌 계열의 유기물; 퀴나크리돈(quinacridone)계열의 유기물; 페릴렌(perylene) 계열의 유기물; 안트라퀴논, 폴리아닐린과 같은 폴리티오펜 계열의 전도성 고분자 등 또는 상기 예 중 2 이상을 혼합물 등이 있으나, 이에 한정 되는 것은 아니다.
상기 정공 수송층은 정공 주입층으로부터 정공을 수취하여 발광층까지 정공을 수송하는 층이다. 정공 수송 물질로는 제1 전극이나 정공 주입층으로부터 정공을 수송받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로 정공에 대한 이동성이 큰 물질이 바람직하다. 구체적인 예로는, 아릴아민 계열의 유기물, 카르바졸 계열의 유기물, 전도성 고분자, 및 공액 부분과 비공액 부분이 함께 있는 블록 공중합체 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 전자 수송층은 전자 주입층으로부터 전자를 수취하여 발광층까지 전자를 수송하는 층이다. 전자 수송 물질로는 제2 전극으로부터 전자를 잘 주입 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로서, 전자에 대한 이동성이 큰 물질이 바람직하다. 구체적인 예로는, 8-히드록시퀴놀린의 Al착물; Alq3를 포함한 착물; 유기 라디칼 화합물; 히드록시플라본-금속 착물; 트리아진 유도체; LiQ 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 전자 수송층은 종래기술에 따라 사용된 바와 같이, 임의의 원하는 제1 전극 물질과 함께 사용할 수 있다. 특히, 적절한 제1 전극 물질은 낮은 일함수를 가지며, 알루미늄층 또는 실버층이 뒤따르는 통상적인 물질이다. 구체적으로, 세슘, 바륨, 칼슘, 이테르븀 및 사마륨 등이 있고, 각 경우 알루미늄층 또는 실버층이 뒤따른다.
상기 전자 주입층은 전극으로부터 전자를 주입하는 층이다. 전자 주입물로는 전자를 수송하는 능력이 우수하고, 제2 전극으로부터의 전자 주입 효과, 발광층 또는 발광 재료에 대하여 우수한 전자주입 효과를 갖는 것이 바람직하다. 또한, 발광층에서 생성된 여기자가 정공 주입층으로 이동하는 것을 방지하고, 박막 형성 능력이 우수한 물질이 바람직하다. 구체적으로는, 플루오레논, 안트라퀴노다이메탄, 다이페노퀴논, 티오피란 다이옥사이드, 옥사졸, 옥사다이아졸, 트리아졸, 트리아진, 이미다졸, 페릴렌테트라카복실산, 프레오레닐리덴 메탄, 안트론 등과 그들의 유도체, 금속 착체 화합물 및 함질소 5원환 유도체, 상기 예 중 2 이상의 혼합물 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 금속 착체 화합물로는 8-하이드록시퀴놀리나토 리튬, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)아연, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)구리, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)망간, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(2-메틸-8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)갈륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)베릴륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)아연, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)클로로갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(o-크레졸라토)갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(1-나프톨라토)알루미늄, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(2-나프톨라토)갈륨 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 전자 차단층은 전자 주입층으로부터 주입된 전자가 발광층을 지나 정공 주입층으로 진입하는 것을 방지하여 소자의 수명과 효율을 향상시킬 수 있는 층이다. 공지된 재료는 제한 없이 사용 가능하며, 발광층과 정공 주입층 사이에, 또는 발광층과 정공 주입 및 정공 수송을 동시에 하는 층 사이에 형성될 수 있다.
상기 정공 차단층은 정공이 발광층을 지나 음극으로 도달을 저지하는 층으로, 일반적으로 전자 주입층과 동일한 조건으로 형성될 수 있다. 구체적으로, 옥사디아졸 유도체나 트리아졸 유도체, 페난트롤린 유도체, 알루미늄 착물 (aluminum complex), 피리딘, 피리미딘 또는 트리아진 유도체 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 따른 유기 발광 소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 유기 발광 소자 외에도 유기 태양 전지 또는 유기 트랜지스터에 포함될 수 있다.
본 명세서에 따른 화합물은 유기 인광 소자, 유기 태양 전지, 유기 감광체, 유기 트랜지스터 등을 비롯한 유기 발광 소자에서도 유기 발광 소자에 적용되는 것과 유사한 원리로 작용할 수 있다. 예컨대, 상기 유기 태양 전지는 음극, 양극 및 상기 음극과 양극 사이에 구비된 광활성층을 포함하는 구조일 수 있고, 상기 광활성층은 상기 화합물을 포함할 수 있다.
본 명세서의 유기 발광 소자는 전술한 화합물을 이용하여 한 층 이상의 유기물층을 형성하는 것을 제외하고는, 통상의 유기 발광 소자의 제조방법 및 재료에 의하여 제조될 수 있다.
이하, 본 명세서를 구체적으로 설명하기 위해 실시예 및 비교예 등을 들어 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 명세서에 따른 실시예 및 비교예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 명세서의 범위가 아래에서 상술하는 실시예 및 비교예에 한정되는 것으로 해석되지 않는다. 본 명세서의 실시예 및 비교예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 명세서를 보다 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다.
[합성예]
합성예1 : 화합물 1의 합성
단계 1) 화합물 1-a의 합성
Figure 112020128389401-pat00112
3구 플라스크에 1-브로모-3-클로로-5-메틸벤젠 (146 mmol, 30 g)과 비스(4-(터부틸)페닐)아민 (146 mmol, 41.1g)을 톨루엔 (0.2 M, 730 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드(219 mmol, 21 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (1.46 mmol, 0.75 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 1시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 1-a 49g을 수득하였다. (수율 83%, MS[M+H]+= 405)
단계 2) 화합물 1-b의 합성
Figure 112020128389401-pat00113
3구 플라스크에 3-브로모벤조퓨란 (101.5 mmol, 20 g)과 아닐린 (101.5 mmol, 9.45g)을 톨루엔 (0.2 M, 508 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드(152 mmol, 14.6 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (1.0 mmol, 0.51 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 3시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 1-b 14.8g을 수득하였다. (수율 70%, MS[M+H]+= 209)
단계 3) 화합물 1-c의 합성
Figure 112020128389401-pat00114
3구 플라스크에 화합물 1-a (49.3 mmol, 20 g)와 화합물 1-b (49.3 mmol, 13.7g)을 톨루엔 (0.2 M, 246 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드(73.4 mmol, 7.1 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.49 mmol, 0.25 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 4시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 1-c 18.4 g을 수득하였다. (수율 65%, MS[M+H]+= 579)
단계 4) 화합물 1의 합성
Figure 112020128389401-pat00115
3구 플라스크에 화합물 1-c (31.8 mmol, 18.4 g)을 1,2-디클로로벤젠 (0.1 M, 320 ml)에 녹이고 보론트리아이오다이드 (50.9 mmol, 19.9 g)를 넣은 후, 아르곤 분위기 140 ℃에서 3시간동안 교반하였다. 반응물을 0 ℃까지 냉각하고 N,N-디이소 프로필에틸아민 (286 mmol, 37 g)을 첨가한 후 1시간 교반하였다. 톨루엔과 H2O을 이용해 분액 깔대기에서 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제한 후 승화정제를 통해 화합물 1, 3.1g을 수득하였다. (수율 17%, MS[M+H]+= 587)
합성예2 : 화합물 2의 합성
단계 1) 화합물 2-a의 합성
Figure 112020128389401-pat00116
3구 플라스크에 1-아다만틸아민 (132.2 mmol, 20 g)과 6-터부틸-3-브로모벤조퓨란 (132.2 mmol, 33.5 g)을 톨루엔 (0.2 M, 661 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드(198 mmol, 19 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (1.32 mmol, 0.68 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 6시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 2-a 31.2g을 수득하였다. (수율 73%, MS[M+H]+= 323)
단계 2) 화합물 2-b의 합성
Figure 112020128389401-pat00117
3구 플라스크에 화합물 1-a (61.6 mmol, 25 g)와 화합물 2-a (61.6 mmol, 19.9g)을 톨루엔 (0.2 M, 307 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (92.4 mmol, 8.9 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.62 mmol, 0.31 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 12시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 2-b 24.4 g을 수득하였다. (수율 57%, MS[M+H]+= 693)
단계 3) 화합물 2의 합성
Figure 112020128389401-pat00118
3구 플라스크에 화합물 2-b (30.8 mmol, 22.4 g)을 1,2-디클로로벤젠 (0.1 M, 308 ml)에 녹이고 보론트리아이오다이드 (49.3 mmol, 19.3 g)를 넣은 후, 아르곤 분위기 140 ℃에서 3시간동안 교반하였다. 반응물을 0 ℃까지 냉각하고 N,N-디이소 프로필에틸아민 (277 mmol, 36 g)을 첨가한 후 1시간 교반하였다. 톨루엔과 H2O을 이용해 분액 깔대기에서 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제한 후 승화정제를 통해 화합물 2, 3.4g을 수득하였다. (수율 16%, MS[M+H]+= 701)
합성예3 : 화합물 3의 합성
단계 1) 화합물 3-a의 합성
Figure 112020128389401-pat00119
3구 플라스크에 4-터부틸-2-(1-나프탈레닐)-아닐린 (56.5 mmol, 15.5 g)과 5-터부틸-3-브로모벤조퓨란 (56.5 mmol, 14.3 g)을 톨루엔 (0.2 M, 282 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드(85 mmol, 8.2 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.56 mmol, 0.29 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 12시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 3-a 21.7g을 수득하였다. (수율 86%, MS[M+H]+= 448)
단계 2) 화합물 3-b의 합성
Figure 112020128389401-pat00120
3구 플라스크에 화합물 1-a (46.8 mmol, 19 g)와 화합물 3-a (46.8 mmol, 20.9g)을 톨루엔 (0.2 M, 234 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (70.2 mmol, 6.7 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.47 mmol, 0.24 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 12시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 3-b 24.7 g을 수득하였다. (수율 65%, MS[M+H]+= 817)
단계 3) 화합물 3의 합성
Figure 112020128389401-pat00121
3구 플라스크에 화합물 3-b (30.2 mmol, 24.7 g)을 1,2-디클로로벤젠 (0.1 M, 303 ml)에 녹이고 보론트리아이오다이드 (48.4 mmol, 19 g)를 넣은 후, 아르곤 분위기 140 ℃에서 3시간동안 교반하였다. 반응물을 0 ℃까지 냉각하고 N,N-디이소 프로필에틸아민 (272 mmol, 35 g)을 첨가한 후 1시간 교반하였다. 톨루엔과 H2O을 이용해 분액 깔대기에서 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제한 후 승화정제를 통해 화합물 3, 3.9 g을 수득하였다. (수율 16%, MS[M+H]+= 825)
합성예4 : 화합물 4의 합성
단계 1) 화합물 4-a의 합성
Figure 112020128389401-pat00122
3구 플라스크에 1,3-디브로모-5-클로로벤젠 (111 mmol, 30 g)과 비스(4-터부틸페닐)아민 (111 mmol, 31.2 g)을 톨루엔 (0.2 M, 555 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드(166.5 mmol, 16 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (1.1 mmol, 0.58 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 1시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 4-a 30.6 g을 수득하였다. (수율 59%, MS[M+H]+= 471)
단계 2) 화합물 4-b의 합성
Figure 112020128389401-pat00123
3구 플라스크에 3,5,5,8,8-펜타메틸-,6,7,8-테트라하이드로나프탈렌-2-아민 (79.1 mmol, 21.7 g)과 5-터부틸-3-브로모벤조퓨란 (79.1 mmol, 20 g)을 톨루엔 (0.2 M, 395 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (118.6 mmol, 11.4 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.79 mmol, 0.40 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 6시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 4-b 25.3g을 수득하였다. (수율 82%, MS[M+H]+= 390)
단계 3) 화합물 4-c의 합성
Figure 112020128389401-pat00124
3구 플라스크에 화합물 4-a (63.7 mmol, 39 g)와 화합물 4-b (63.7 mmol, 24.8 g)을 톨루엔 (0.2 M, 319 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (95.6 mmol, 9.2 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.64 mmol, 0.33 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 3시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 4-c 27.7 g을 수득하였다. (수율 56%, MS[M+H]+= 780)
단계 4) 화합물 4-d의 합성
Figure 112020128389401-pat00125
3구 플라스크에 화합물 4-c (35.5 mmol, 27.7 g)을 1,2-디클로로벤젠 (0.1 M, 355 ml)에 녹이고 보론트리아이오다이드 (56.9 mmol, 22.3 g)를 넣은 후, 아르곤 분위기 140 ℃에서 3시간동안 교반하였다. 반응물을 0 ℃까지 냉각하고 N,N-디이소프로필에틸아민 (320 mmol, 41 g)을 첨가한 후 1시간 교반하였다. 톨루엔과 H2O을 이용해 분액 깔대기에서 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 4-d 6.2 g을 수득하였다. (수율 22%, MS[M+H]+= 787)
단계 5) 화합물 4 의 합성
Figure 112020128389401-pat00126
3구 플라스크에 화합물 4-d (7.9 mmol, 6.2 g)와 9,9-디메틸-9,10-디하이드로아크리딘 (9.4 mmol, 2 g)을 톨루엔 (0.2 M, 47 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (11.8 mmol, 1.1 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.08 mmol, 0.04 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 18시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제한 후 승화정제를 통해 화합물 4, 24.7 g을 수득하였다. (수율 77%, MS[M+H]+= 960)
합성예5 : 화합물 5의 합성
단계 1) 화합물 5-a의 합성
Figure 112020128389401-pat00127
3구 플라스크에 1-브로모-3-클로로-5-터부틸벤젠 (121 mmol, 30 g)과 4-터부틸-N-(4-터부틸페닐)-2,6-디메틸아닐린 (121 mmol, 37.5g)을 톨루엔 (0.2 M, 605 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드(182 mmol, 17.5 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (1.2 mmol, 0.62 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 4시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 5-a 51.2g을 수득하였다. (수율 89%, MS[M+H]+= 476)
단계 2) 화합물 5-b의 합성
Figure 112020128389401-pat00128
3구 플라스크에 3-브로모-5,5,8,8-테트라메틸-5,6,7,8-테트라하이드로나프토[2,3-b]퓨란 (97.6 mmol, 30 g)과 4-터부틸아닐린 (97.6 mmol, 14.6g)을 톨루엔 (0.2 M, 488 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (146.5 mmol, 14.1 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.98 mmol, 0.5 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 6시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 5-b 35.4 g을 수득하였다. (수율 97%, MS[M+H]+= 376)
단계 3) 화합물 5-c의 합성
Figure 112020128389401-pat00129
3구 플라스크에 화합물 5-a (44.1 mmol, 21 g)와 화합물 5-b (44.1 mmol, 16.6 g)을 톨루엔 (0.2 M, 220 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (66.2 mmol, 6.4 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.44 mmol, 0.23 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 6시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 5-c 21.8 g을 수득하였다. (수율 61%, MS[M+H]+= 815)
단계 4) 화합물 5의 합성
Figure 112020128389401-pat00130
3구 플라스크에 화합물 5-c (26.7 mmol, 21.8 g)을 1,2-디클로로벤젠 (0.1 M, 267 ml)에 녹이고 보론트리아이오다이드 (42.8 mmol, 16.8 g)를 넣은 후, 아르곤 분위기 140 ℃에서 3시간동안 교반하였다. 반응물을 0 ℃까지 냉각하고 N,N-디이소프로필에틸아민 (241 mmol, 31 g)을 첨가한 후 1시간 교반하였다. 톨루엔과 H2O을 이용해 분액 깔대기에서 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제한 후 승화정제를 통해 화합물 5, 3.4 g을 수득하였다. (수율 15%, MS[M+H]+= 823)
합성예6 : 화합물 6의 합성
단계 1) 화합물 6-a의 합성
Figure 112020128389401-pat00131
3구 플라스크에 1,4,6-트리메틸아닐린 (74.0 mmol, 10 g)과 3-브로모-5,8-디메틸-5,6,7,8-테트라하이드로-5,8-에타노나프토[2,3-b]퓨란 (74.0 mmol, 22.6 g)을 톨루엔 (0.2 M, 370 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드(111 mmol, 10.7 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.740 mmol, 0.378 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 12시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 6-a 21.9 g을 수득하였다. (수율 82%, MS[M+H]+= 360)
단계 2) 화합물 6-b의 합성
Figure 112020128389401-pat00132
3구 플라스크에 화합물 1-a (36.9 mmol, 15.0 g)와 화합물 2-a (36.9 mmol, 13.3 g)을 톨루엔 (0.2 M, 185 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (55.4 mmol, 5.33 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.369 mmol, 0.189 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 12시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 6-b 21.5 g을 수득하였다. (수율 80%, MS[M+H]+= 729)
단계 3) 화합물 6의 합성
Figure 112020128389401-pat00133
3구 플라스크에 화합물 6-b (29.5 mmol, 21.5 g)을 1,2-디클로로벤젠 (0.1 M, 295 ml)에 녹이고 보론트리아이오다이드 (47.2 mmol, 18.5 g)를 넣은 후, 아르곤 분위기 140 ℃에서 3시간동안 교반하였다. 반응물을 0 ℃까지 냉각하고 N,N-디이소프로필에틸아민 (265 mmol, 34.3 g)을 첨가한 후 1시간 교반하였다. 톨루엔과 H2O을 이용해 분액 깔대기에서 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제한 후 승화정제를 통해 화합물 6, 4.2 g을 수득하였다. (수율 19%, MS[M+H]+= 737)
합성예7 : 화합물 7의 합성
단계 1) 화합물 7-a의 합성
Figure 112020128389401-pat00134
3구 플라스크에 4-터부틸아닐린 (33.5 mmol, 5 g)과 9-(3-브로모벤조퓨란-6-일)-4a,9a-디메틸-2,3,4,4a,9,9a-헥사하이드로-1H-카바졸 (33.5 mmol, 13.3 g)을 톨루엔 (0.2 M, 168 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드(50.3 mmol, 4.83 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.335 mmol, 0.171 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 3시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 7-a 13.2 g을 수득하였다. (수율 85%, MS[M+H]+= 465)
단계 2) 화합물 7-b의 합성
Figure 112020128389401-pat00135
3구 플라스크에 화합물 1-a (25.9 mmol, 10.5 g)와 화합물 7-a (25.9 mmol, 12.0 g)을 톨루엔 (0.2 M, 129 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (38.8 mmol, 3.73 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.259 mmol, 0.132 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 6시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 7-b 19.4 g을 수득하였다. (수율 90%, MS[M+H]+= 834)
단계 3) 화합물 7의 합성
Figure 112020128389401-pat00136
3구 플라스크에 화합물 7-b (23.3 mmol, 19.4 g)을 1,2-디클로로벤젠 (0.1 M, 233 ml)에 녹이고 보론트리아이오다이드 (37.2 mmol, 14.6 g)를 넣은 후, 아르곤 분위기 140 ℃에서 3시간동안 교반하였다. 반응물을 0 ℃까지 냉각하고 N,N-디이소프로필에틸아민 (209 mmol, 27.1 g)을 첨가한 후 1시간 교반하였다. 톨루엔과 H2O을 이용해 분액 깔대기에서 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제한 후 승화정제를 통해 화합물 7, 3.7 g을 수득하였다. (수율 19%, MS[M+H]+= 842)
합성예 8 : 화합물 8의 합성
단계 1) 화합물 8-a의 합성
Figure 112020128389401-pat00137
3구 플라스크에 비스(4-터부틸페닐)아민 (46.2 mmol, 13 g)과 3-브로모-4'-터부틸-5-클로로-1,1'-바이페닐 (46.2 mmol, 15g)을 톨루엔 (0.2 M, 231 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (69.3 mmol, 6.66 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.462 mmol, 0.236 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 2시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 8-a 19.4g을 수득하였다. (수율 80%, MS[M+H]+= 524)
단계 2) 화합물 8-b의 합성
Figure 112020128389401-pat00138
3구 플라스크에 2-브로모-5,5,8,8-테트라메틸-5,6,7,8-테트라하이드로나프토[2,3-b]퓨란 (78.1 mmol, 24 g)과 4-터부틸아닐린 (78.1 mmol, 11.7g)을 톨루엔 (0.2 M, 390 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (117.2 mmol, 11.3 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.781 mmol, 0.4 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 24시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 8-b 20.6 g을 수득하였다. (수율 70%, MS[M+H]+= 376)
단계 3) 화합물 8-c의 합성
Figure 112020128389401-pat00139
3구 플라스크에 화합물 8-a (37.0 mmol, 19.4 g)와 화합물 8-b (37.0 mmol, 13.9 g)을 톨루엔 (0.2 M, 185 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (55.5 mmol, 5.33 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.37 mmol, 0.189 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 18시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 8-c 22.0 g을 수득하였다. (수율 69%, MS[M+H]+= 863)
단계 4) 화합물 8의 합성
Figure 112020128389401-pat00140
3구 플라스크에 화합물 8-c (25.5 mmol, 22.0 g)을 1,2-디클로로벤젠 (0.1 M, 255 ml)에 녹이고 보론트리아이오다이드 (40.8 mmol, 16.0 g)를 넣은 후, 아르곤 분위기 140 ℃에서 3시간동안 교반하였다. 반응물을 0 ℃까지 냉각하고 N,N-디이소프로필에틸아민 (229 mmol, 30 g)을 첨가한 후 1시간 교반하였다. 톨루엔과 H2O을 이용해 분액 깔대기에서 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제한 후 승화정제를 통해 화합물 8, 2.9 g을 수득하였다. (수율 13%, MS[M+H]+= 871)
합성예 9 : 화합물 9의 합성
단계 1) 화합물 9-a의 합성
Figure 112020128389401-pat00141
3구 플라스크에 5-터부틸-N-(3-(2-페닐프로판-2-일)페닐)-[1,1'-바이페닐]-2-아민 (71.5 mmol, 30 g)과 1-브로모-3-클로로-5-메틸벤젠 (71.5 mmol, 14.7g)을 톨루엔 (0.2 M, 357 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (107 mmol, 10.3 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.715 mmol, 0.365 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 6시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 9-a 34.6g을 수득하였다. (수율 89%, MS[M+H]+= 544)
단계 2) 화합물 9-b의 합성
Figure 112020128389401-pat00142
3구 플라스크에 2-브로모-4,4-디메틸-4H-인데노[2,3-b]퓨란 (144 mmol, 38 g)과 4-터부틸아닐린 (144 mmol, 21.6g)을 톨루엔 (0.2 M, 722 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (217 mmol, 20.8 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (1.44 mmol, 0.738 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 18시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 9-b 35.8 g을 수득하였다. (수율 75%, MS[M+H]+= 376)
단계 3) 화합물 9-c의 합성
Figure 112020128389401-pat00143
3구 플라스크에 화합물 9-a (51.3 mmol, 27.9 g)와 화합물 9-b (51.3 mmol, 17 g)을 톨루엔 (0.2 M, 256 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (76.9mmol, 7.39 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.513 mmol, 0.262 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 24시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 9-c 27.3 g을 수득하였다. (수율 63%, MS[M+H]+= 839)
단계 4) 화합물 9의 합성
Figure 112020128389401-pat00144
구 플라스크에 화합물 9-c (32.5 mmol, 27.3 g)을 1,2-디클로로벤젠 (0.1 M, 325 ml)에 녹이고 보론트리아이오다이드 (52.1 mmol, 20.4 g)를 넣은 후, 아르곤 분위기 140 ℃에서 3시간동안 교반하였다. 반응물을 0 ℃까지 냉각하고 N,N-디이소프로필에틸아민 (293 mmol, 37.8 g)을 첨가한 후 1시간 교반하였다. 톨루엔과 H2O을 이용해 분액 깔대기에서 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제한 후 승화정제를 통해 화합물 9, 4.2 g을 수득하였다. (수율 15%, MS[M+H]+= 847)
합성예 10 : 화합물 10의 합성
단계 1) 화합물 10-a의 합성
Figure 112020128389401-pat00145
3구 플라스크에 5-트리메틸실릴-N-(4-트리메틸실릴페닐)-[1,1'-바이페닐]-2-아민 (51.3 mmol, 20 g)과 1-브로모-3-클로로-5-터부틸벤젠 (51.3 mmol, 12.7g)을 톨루엔 (0.2 M, 257 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (77.0 mmol, 7.40 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.513 mmol, 0.262 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 4시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 10-a 26.7g을 수득하였다. (수율 94%, MS[M+H]+= 556)
단계 2) 화합물 10-b의 합성
Figure 112020128389401-pat00146
3구 플라스크에 3-브로모-8,8-디메틸-8H-인데노[2,1-b]퓨란 (76.0 mmol, 20 g)과 4-터부틸아닐린 (76.0 mmol, 11.3g)을 톨루엔 (0.2 M, 380 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (114 mmol, 11.0 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.760 mmol, 0.388 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 12시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 10-b 17.3 g을 수득하였다. (수율 69%, MS[M+H]+= 331)
단계 3) 화합물 10-c의 합성
Figure 112020128389401-pat00147
3구 플라스크에 화합물 10-a (41.3 mmol, 23 g)와 화합물 10-b (41.3 mmol, 13.7 g)을 톨루엔 (0.2 M, 207 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (62.0 mmol, 6.00 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.413 mmol, 0.211 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 18시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 10-c 23.7 g을 수득하였다. (수율 67%, MS[M+H]+= 839)
단계 4) 화합물 10의 합성
Figure 112020128389401-pat00148
3구 플라스크에 화합물 10-c (27.8 mmol, 23.7 g)을 1,2-디클로로벤젠 (0.1 M, 280 ml)에 녹이고 보론트리아이오다이드 (44.5 mmol, 17.4 g)를 넣은 후, 아르곤 분위기 140 ℃에서 3시간동안 교반하였다. 반응물을 0 ℃까지 냉각하고 N,N-디이소프로필에틸아민 (251 mmol, 32.4 g)을 첨가한 후 1시간 교반하였다. 톨루엔과 H2O을 이용해 분액 깔대기에서 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제한 후 승화정제를 통해 화합물 10, 3.5 g을 수득하였다. (수율 15%, MS[M+H]+= 859)
합성예 11 : 화합물 11의 합성
단계 1) 화합물 11-a의 합성
Figure 112020128389401-pat00149
3구 플라스크에 N 1,N 1-비스(페닐-d 5)-N 3-(4-트리메틸실릴페닐)벤젠-1,3-디아민 (47.8 mmol, 20 g)과 1-브로모-3-클로로-5-메틸벤젠 (47.8 mmol, 9.82g)을 톨루엔 (0.2 M, 240 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (71.7 mmol, 6.89 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.478 mmol, 0.244 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 2시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 11-a 24.5g을 수득하였다. (수율 94%, MS[M+H]+= 543)
단계 2) 화합물 11-b의 합성
Figure 112020128389401-pat00150
3구 플라스크에 3-브로모-4,4,7,7-테트라메틸-4,5,6,7-테트라하이드로퓨란 (38.9 mmol, 10 g)과 4-터부틸아닐린 (38.9 mmol, 5.80g)을 톨루엔 (0.2 M, 195 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (58.3 mmol, 5.60 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.389 mmol, 0.200 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 4시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 11-b 11.2 g을 수득하였다. (수율 88%, MS[M+H]+= 331)
단계 3) 화합물 11-c의 합성
Figure 112020128389401-pat00151
3구 플라스크에 화합물 11-a (33.1 mmol, 18 g)와 화합물 11-b (33.1 mmol, 10.8 g)을 톨루엔 (0.2 M, 165 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (49.7 mmol, 4.78 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.331 mmol, 0.169 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 24시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 11-c 21.2 g을 수득하였다. (수율 77%, MS[M+H]+= 832)
단계 4) 화합물 11의 합성
Figure 112020128389401-pat00152
3구 플라스크에 화합물 11-c (25.5 mmol, 21.2 g)을 1,2-디클로로벤젠 (0.1 M, 255 ml)에 녹이고 보론트리아이오다이드 (40.8 mmol, 16.0 g)를 넣은 후, 아르곤 분위기 140 ℃에서 3시간동안 교반하였다. 반응물을 0 ℃까지 냉각하고 N,N-디이소프로필에틸아민 (229 mmol, 29.6 g)을 첨가한 후 1시간 교반하였다. 톨루엔과 H2O을 이용해 분액 깔대기에서 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제한 후 승화정제를 통해 화합물 11, 2.9 g을 수득하였다. (수율 14%, MS[M+H]+= 859)
합성예 12 : 화합물 12의 합성
단계 1) 화합물 12-a의 합성
Figure 112020128389401-pat00153
3구 플라스크에 5-터부틸-N-(3-터부틸페닐)-[1,1'-바이페닐]-2-아민 (55.9 mmol, 20 g)과 1-브로모-3-클로로-5-메틸벤젠 (55.9 mmol, 11.5g)을 톨루엔 (0.2 M, 280 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (83.9 mmol, 8.06 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.559 mmol, 0.286 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 5시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 12-a 23.8g을 수득하였다. (수율 88%, MS[M+H]+= 482)
단계 2) 화합물 12-b의 합성
Figure 112020128389401-pat00154
3구 플라스크에 4-브로모-2-(4-터부틸페닐)퓨란 (53.7 mmol, 15 g)과 4-트리메틸실릴아닐린 (53.7 mmol, 8.88 g)을 톨루엔 (0.2 M, 270 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (80.6 mmol, 7.75 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.537 mmol, 0.275 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 10시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 12-b 17.4 g을 수득하였다. (수율 89%, MS[M+H]+= 331)
단계 3) 화합물 12-c의 합성
Figure 112020128389401-pat00155
3구 플라스크에 화합물 12-a (41.5 mmol, 20 g)와 화합물 12-b (41.5 mmol, 19.1 g)을 톨루엔 (0.2 M, 305 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (62.2 mmol, 6.00 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.415 mmol, 0.212 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 18시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 12-c 24.7 g을 수득하였다. (수율 74%, MS[M+H]+= 832)
단계 4) 화합물 12의 합성
Figure 112020128389401-pat00156
3구 플라스크에 화합물 12-c (30.5 mmol, 24.7 g)을 1,2-디클로로벤젠 (0.1 M, 305 ml)에 녹이고 보론트리아이오다이드 (48.8 mmol, 19.1 g)를 넣은 후, 아르곤 분위기 140 ℃에서 3시간동안 교반하였다. 반응물을 0 ℃까지 냉각하고 N,N-디이소프로필에틸아민 (275 mmol, 35.5 g)을 첨가한 후 1시간 교반하였다. 톨루엔과 H2O을 이용해 분액 깔대기에서 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제한 후 승화정제를 통해 화합물 12, 4.3 g을 수득하였다. (수율 17%, MS[M+H]+= 817)
합성예13: 화합물 13의 합성
단계 1) 화합물 13-a의 합성
Figure 112020128389401-pat00157
3구 플라스크에 N-(4-터부틸페닐)-5'-메틸-[1,1',3',1''-터페닐]-2'-아민 (76.6 mmol, 30 g)과 1-브로모-3-클로로-5-터부틸벤젠 (76.6 mmol, 19.0g)을 톨루엔 (0.2 M, 380 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (115 mmol, 11.0 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.766 mmol, 0.392 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 12시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 13-a 26.4g을 수득하였다. (수율 62%, MS[M+H]+= 558)
단계 2) 화합물 13-b의 합성
Figure 112020128389401-pat00158
3구 플라스크에 3-브로모-5,5-디메틸-5,6-디하이드로-4H-시클로펜타[b]퓨란 (93.0 mmol, 20 g)과 아닐린-d 5 (93.0 mmol, 9.13 g)을 톨루엔 (0.2 M, 465 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (139 mmol, 13.4 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.93 mmol, 0.475 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 3시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 13-b 19.3 g을 수득하였다. (수율 89%, MS[M+H]+= 232)
단계 3) 화합물 13-c의 합성
Figure 112020128389401-pat00159
3구 플라스크에 화합물 13-a (44.8 mmol, 25 g)와 화합물 13-b (44.8 mmol, 10.4 g)을 톨루엔 (0.2 M, 225 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (67.2 mmol, 6.46 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.448 mmol, 0.229 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 12시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 13-c 24.3 g을 수득하였다. (수율 72%, MS[M+H]+= 754)
단계 4) 화합물 13의 합성
Figure 112020128389401-pat00160
3구 플라스크에 화합물 13-c (32.2 mmol, 24.3 g)을 1,2-디클로로벤젠 (0.1 M, 322 ml)에 녹이고 보론트리아이오다이드 (51.6 mmol, 20.2 g)를 넣은 후, 아르곤 분위기 140 ℃에서 3시간동안 교반하였다. 반응물을 0 ℃까지 냉각하고 N,N-디이소프로필에틸아민 (290 mmol, 37.5 g)을 첨가한 후 1시간 교반하였다. 톨루엔과 H2O을 이용해 분액 깔대기에서 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제한 후 승화정제를 통해 화합물 13 4.5 g을 수득하였다. (수율 18%, MS[M+H]+= 762)
합성예 14 : 화합물 14의 합성
단계 1) 화합물 14-a의 합성
Figure 112020128389401-pat00161
3구 플라스크에 4-터부틸-N-(4-터부틸페닐)-2-(1,5,5,8,8-펜타메틸-5,6,7,8-테트라하이드로나프탈렌-2-일)아닐린 (31.1 mmol, 15 g)과 1-브로모-3-클로로-5-메틸벤젠 (31.1 mmol, 6.40 g)을 톨루엔 (0.2 M, 155 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (46.7 mmol, 4.49 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.311 mmol, 0.159 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 24시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 14-a 16.4 g을 수득하였다. (수율 87%, MS[M+H]+= 606)
단계 2) 화합물 14-b의 합성
Figure 112020128389401-pat00162
3구 플라스크에 3-브로모-4,4-디메틸-7-트리플루오르메틸-4H-인데노[1,2-b]퓨란 (75.5 mmol, 25 g)과 4-터부틸아닐린 (75.5 mmol, 11.3 g)을 톨루엔 (0.2 M, 380 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (113 mmol, 10.9 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.755 mmol, 0.386 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 3시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 14-b 26.9 g을 수득하였다. (수율 89%, MS[M+H]+= 399)
단계 3) 화합물 14-c의 합성
Figure 112020128389401-pat00163
3구 플라스크에 화합물 14-a (26.4 mmol, 16 g)와 화합물 14-b (26.4 mmol, 10.5 g)을 톨루엔 (0.2 M, 130 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (39.6 mmol, 3.80 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.264 mmol, 0.135 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 18시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 14-c 20.4 g을 수득하였다. (수율 80%, MS[M+H]+= 969)
단계 4) 화합물 14의 합성
Figure 112020128389401-pat00164
3구 플라스크에 화합물 14-c (21.0 mmol, 20.4 g)을 1,2-디클로로벤젠 (0.1 M, 210 ml)에 녹이고 보론트리아이오다이드 (33.7 mmol, 13.2 g)를 넣은 후, 아르곤 분위기 140 ℃에서 3시간동안 교반하였다. 반응물을 0 ℃까지 냉각하고 N,N-디이소프로필에틸아민 (189 mmol, 24.5 g)을 첨가한 후 1시간 교반하였다. 톨루엔과 H2O을 이용해 분액 깔대기에서 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제한 후 승화정제를 통해 화합물 14, 3.2 g을 수득하였다. (수율 16%, MS[M+H]+= 977)
합성예 15: 화합물 15의 합성
단계 1) 화합물 15-a의 합성
Figure 112020128389401-pat00165
3구 플라스크에 N-(4-터페닐)-1,5,5,8,8-펜타메틸-5,6,7,8-테트라하이드로나프탈렌-2-아민 (114 mmol, 40 g)과 1-브로모-3-클로로-5-메틸벤젠 (114 mmol, 23.5 g)을 톨루엔 (0.2 M, 572 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (172 mmol, 16.5 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (1.14 mmol, 0.585 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 24시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 15-a 42.3 g을 수득하였다. (수율 78%, MS[M+H]+= 474)
단계 2) 화합물 15-b의 합성
Figure 112020128389401-pat00166
3구 플라스크에 4-브로모-2,2,3,3-테트라메틸-2,3-디하이드로퓨란 (73.1 mmol, 15 g)과 [1,1'-바이페닐]-4-아민 (73.1 mmol, 12.4 g)을 톨루엔 (0.2 M, 370 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (110 mmol, 10.5 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.731 mmol, 0.374 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 12시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 15-b 13.6 g을 수득하였다. (수율 63%, MS[M+H]+= 293)
단계 3) 화합물 15-c의 합성
Figure 112020128389401-pat00167
3구 플라스크에 화합물 15-a (42.2 mmol, 20 g)와 화합물 15-b (42.2 mmol, 12.4 g)을 톨루엔 (0.2 M, 210 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (63.3 mmol, 3.80 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.422 mmol, 0.216 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 3시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 15-c 19.2 g을 수득하였다. (수율 62%, MS[M+H]+= 731)
단계 4) 화합물 15의 합성
Figure 112020128389401-pat00168
3구 플라스크에 화합물 15-c (26.3 mmol, 19.2 g)을 1,2-디클로로벤젠 (0.1 M, 263 ml)에 녹이고 보론트리아이오다이드 (42.0 mmol, 16.5 g)를 넣은 후, 아르곤 분위기 140 ℃에서 3시간동안 교반하였다. 반응물을 0 ℃까지 냉각하고 N,N-디이소프로필에틸아민 (236 mmol, 30.5 g)을 첨가한 후 1시간 교반하였다. 톨루엔과 H2O을 이용해 분액 깔대기에서 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제한 후 승화정제를 통해 화합물 15, 3.8 g을 수득하였다. (수율 20%, MS[M+H]+= 739)
합성예 16 : 화합물 16의 합성
단계 1) 화합물 16-a의 합성
Figure 112020128389401-pat00169
3구 플라스크에 4-터부틸아닐린 (134 mmol, 20 g)과 3-브로모-5-터부틸벤조[b]싸이오펜 (134 mmol, 36.1 g)을 톨루엔 (0.2 M, 670 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (201 mmol, 19.3 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (1.34 mmol, 0.685 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 3시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 16-a 40.7 g을 수득하였다. (수율 90%, MS[M+H]+= 338)
단계 2) 화합물 16-b의 합성
Figure 112020128389401-pat00170
3구 플라스크에 화합물 1-a (73.4 mmol, 30 g)와 화합물 16-a (73.4 mmol, 24.9 g)을 톨루엔 (0.2 M, 370 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (111 mmol, 10.7 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.734 mmol, 0.378 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 12시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 16-b 38.7 g을 수득하였다. (수율 74%, MS[M+H]+= 707)
단계 3) 화합물 16의 합성
Figure 112020128389401-pat00171
3구 플라스크에 화합물 16-b (54.7 mmol, 38.7 g)을 1,2-디클로로벤젠 (0.1 M, 550 ml)에 녹이고 보론트리아이오다이드 (87.6 mmol, 34.3 g)를 넣은 후, 아르곤 분위기 140 ℃에서 3시간동안 교반하였다. 반응물을 0 ℃까지 냉각하고 N,N-디이소프로필에틸아민 (493 mmol, 63.7 g)을 첨가한 후 1시간 교반하였다. 톨루엔과 H2O을 이용해 분액 깔대기에서 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제한 후 승화정제를 통해 화합물 16, 6.4 g을 수득하였다. (수율 16%, MS[M+H]+= 715)
합성예 17 : 화합물 17의 합성
단계 1) 화합물 17-a의 합성
Figure 112020128389401-pat00172
3구 플라스크에 4-터부틸-N-(4-터부틸페닐)-2-(5,5,8,8-테트라메틸-5,6,7,8-테트라하이드로나프탈렌-1-일)아닐린 (42.8 mmol, 20 g)과 1-브로모-3-클로로-5-터부틸벤젠 (42.8 mmol, 10.6 g)을 톨루엔 (0.2 M, 215 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (64.1 mmol, 6.16 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.428 mmol, 0.219 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 6시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 17-a 22.9 g을 수득하였다. (수율 84%, MS[M+H]+= 634)
단계 2) 화합물 17-b의 합성
Figure 112020128389401-pat00173
3구 플라스크에 3-브로모-5-터부틸벤조[b]싸이오펜 (149 mmol, 40 g)과 4-터부틸아닐린 (149 mmol, 22.2 g)을 톨루엔 (0.2 M, 745 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (223 mmol, 21.4 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (1.49 mmol, 0.759 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 18시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 17-b 45.6 g을 수득하였다. (수율 91%, MS[M+H]+= 338)
단계 3) 화합물 17-c의 합성
Figure 112020128389401-pat00174
3구 플라스크에 화합물 17-a (26.8 mmol, 17 g)와 화합물 17-b (26.8 mmol, 9.05 g)을 톨루엔 (0.2 M, 135 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (40.2 mmol, 3.87 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.268 mmol, 0.137 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 18시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 17-c 20.1 g을 수득하였다. (수율 80%, MS[M+H]+= 935)
단계 4) 화합물 17의 합성
Figure 112020128389401-pat00175
3구 플라스크에 화합물 17-c (21.5 mmol, 20.1 g)을 1,2-디클로로벤젠 (0.1 M, 215 ml)에 녹이고 보론트리아이오다이드 (34.4 mmol, 13.5 g)를 넣은 후, 아르곤 분위기 140 ℃에서 3시간동안 교반하였다. 반응물을 0 ℃까지 냉각하고 N,N-디이소프로필에틸아민 (193 mmol, 25 g)을 첨가한 후 1시간 교반하였다. 톨루엔과 H2O을 이용해 분액 깔대기에서 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제한 후 승화정제를 통해 화합물 17 3.4 g을 수득하였다. (수율 17%, MS[M+H]+= 943)
합성예 18 : 화합물 18의 합성
단계 1) 화합물 18-a의 합성
Figure 112020128389401-pat00176
3구 플라스크에 5-터부틸-N-(4-터부틸페닐)-[1,1'-바이페닐]-2-아민 (140 mmol, 50 g)과 1-브로모-3-클로로-5-메틸벤젠 (140 mmol, 28.7 g)을 톨루엔 (0.2 M, 700 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (210 mmol, 20.2 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (1.40 mmol, 0.715 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 4시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 18-a 57.1 g을 수득하였다. (수율 85%, MS[M+H]+= 482)
단계 2) 화합물 18-b의 합성
Figure 112020128389401-pat00177
3구 플라스크에 3-브로모-5-트리메틸실릴벤조[b]싸이오펜 (70.1 mmol, 20 g)과 4-터부틸아닐린 (70.1 mmol, 10.5 g)을 톨루엔 (0.2 M, 350 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (105 mmol, 10.1 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.701 mmol, 0.358 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 18시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 18-b 19.2 g을 수득하였다. (수율 77%, MS[M+H]+= 354)
단계 3) 화합물 18-c의 합성
Figure 112020128389401-pat00178
3구 플라스크에 화합물 18-a (51.9 mmol, 25 g)와 화합물 18-b (51.9 mmol, 18.3 g)을 톨루엔 (0.2 M, 260 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (77.9 mmol, 7.47 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.519 mmol, 0.265 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 18시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 18-c 33.2 g을 수득하였다. (수율 80%, MS[M+H]+= 799)
단계 4) 화합물 18의 합성
Figure 112020128389401-pat00179
3구 플라스크에 화합물 18-c (41.5 mmol, 33.2 g)을 1,2-디클로로벤젠 (0.1 M, 415 ml)에 녹이고 보론트리아이오다이드 (66.5 mmol, 26.0 g)를 넣은 후, 아르곤 분위기 140 ℃에서 3시간동안 교반하였다. 반응물을 0 ℃까지 냉각하고 N,N-디이소프로필에틸아민 (374 mmol, 48.3 g)을 첨가한 후 1시간 교반하였다. 톨루엔과 H2O을 이용해 분액 깔대기에서 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제한 후 승화정제를 통해 화합물 18, 6.1 g을 수득하였다. (수율 18%, MS[M+H]+= 807)
합성예 19 : 화합물 19의 합성
단계 1) 화합물 19-a의 합성
Figure 112020128389401-pat00180
3구 플라스크에 5-터부틸-[1,1'-바이페닐]-2-아민 (66.6 mmol, 15 g)과 3-브로모-5,5,8,8-테트라메틸-5,6,7,8-테트라하이드로나프토[2,3-b]싸이오펜 (66.6 mmol, 21.5 g)을 톨루엔 (0.2 M, 335 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (99.9 mmol, 9.60 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.666 mmol, 0.340 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 12시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 19-a 24.2 g을 수득하였다. (수율 78%, MS[M+H]+= 468)
단계 2) 화합물 19-b의 합성
Figure 112020128389401-pat00181
3구 플라스크에 화합물 1-a (49.3 mmol, 20 g)와 화합물 19-a (49.3 mmol, 23.0 g)을 톨루엔 (0.2 M, 250 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (73.9 mmol, 7.10 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.493 mmol, 0.252 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 12시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 19-b 36.1 g을 수득하였다. (수율 88%, MS[M+H]+= 837)
단계 3) 화합물 19의 합성
Figure 112020128389401-pat00182
3구 플라스크에 화합물 19-b (43.1 mmol, 36.1 g)을 1,2-디클로로벤젠 (0.1 M, 430 ml)에 녹이고 보론트리아이오다이드 (69.0 mmol, 27.0 g)를 넣은 후, 아르곤 분위기 140 ℃에서 3시간동안 교반하였다. 반응물을 0 ℃까지 냉각하고 N,N-디이소프로필에틸아민 (388 mmol, 50.2 g)을 첨가한 후 1시간 교반하였다. 톨루엔과 H2O을 이용해 분액 깔대기에서 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제한 후 승화정제를 통해 화합물 19, 7.1 g을 수득하였다. (수율 19%, MS[M+H]+= 603)
합성예 20 : 화합물 20의 합성
단계 1) 화합물 20-a의 합성
Figure 112020128389401-pat00183
3구 플라스크에 4-터부틸아민 (36.7 mmol, 5.48 g)과 3-브로모-N,N-디-o-톨릴벤조[b]싸이오펜-5-아민 (36.7 mmol, 15 g)을 톨루엔 (0.2 M, 185 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (55.1 mmol, 5.29 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.367 mmol, 0.188 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 12시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 20-a 15.9 g을 수득하였다. (수율 91%, MS[M+H]+= 477)
단계 2) 화합물 20-b의 합성
Figure 112020128389401-pat00184
3구 플라스크에 화합물 1-a (29.6 mmol, 12 g)와 화합물 20-a (29.6 mmol, 14.1 g)을 톨루엔 (0.2 M, 150 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (44.3 mmol, 4.26 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.296 mmol, 0.151 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 18시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 20-b 19.1 g을 수득하였다. (수율 76%, MS[M+H]+= 846)
단계 3) 화합물 20의 합성
Figure 112020128389401-pat00185
3구 플라스크에 화합물 20-b (22.6 mmol, 19.1 g)을 1,2-디클로로벤젠 (0.1 M, 226 ml)에 녹이고 보론트리아이오다이드 (36.1 mmol, 14.1 g)를 넣은 후, 아르곤 분위기 140 ℃에서 3시간동안 교반하였다. 반응물을 0 ℃까지 냉각하고 N,N-디이소프로필에틸아민 (203 mmol, 26.3 g)을 첨가한 후 1시간 교반하였다. 톨루엔과 H2O을 이용해 분액 깔대기에서 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제한 후 승화정제를 통해 화합물 20, 3.2 g을 수득하였다. (수율 17%, MS[M+H]+= 854)
합성예 21 : 화합물 21의 합성
단계 1) 화합물 21-a의 합성
Figure 112020128389401-pat00186
3구 플라스크에 N,N-비스(2-플루오르페닐)-4a,9a-디메틸-2,3,4,4a,9,9a-헥사하이드로-1H-카바졸-5-아민 (34.1 mmol, 13.8 g)과 1-브로모-3-클로로-5-메틸벤젠 (34.1 mmol, 7 g)을 톨루엔 (0.2 M, 170 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (51.1 mmol, 4.91 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.341 mmol, 0.174 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 4시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 21-a 15.3 g을 수득하였다. (수율 85%, MS[M+H]+= 15.3)
단계 2) 화합물 21-b의 합성
Figure 112020128389401-pat00187
3구 플라스크에 화합물 21-a (28.4 mmol, 15 g)와 화합물 17-b (28.4 mmol, 9.57 g)을 톨루엔 (0.2 M, 140 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (42.5 mmol, 4.09 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.284 mmol, 0.145 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 24시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 21-b 18.4 g을 수득하였다. (수율 78%, MS[M+H]+= 830)
단계 3) 화합물 21의 합성
Figure 112020128389401-pat00188
3구 플라스크에 화합물 21-b (22.2 mmol, 18.4 g)을 1,2-디클로로벤젠 (0.1 M, 220 ml)에 녹이고 보론트리아이오다이드 (35.5 mmol, 13.9 g)를 넣은 후, 아르곤 분위기 140 ℃에서 3시간동안 교반하였다. 반응물을 0 ℃까지 냉각하고 N,N-디이소프로필에틸아민 (199 mmol, 25.8 g)을 첨가한 후 1시간 교반하였다. 톨루엔과 H2O을 이용해 분액 깔대기에서 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제한 후 승화정제를 통해 화합물 21, 3.8 g을 수득하였다. (수율 20%, MS[M+H]+= 838)
합성예 22 : 화합물 22의 합성
단계 1) 화합물 22-a의 합성
Figure 112020128389401-pat00189
3구 플라스크에 4'-터부틸-5-트리메틸실릴-[1,1'-바이페닐]-2-아민 (43.6 mmol, 13 g)과 3-브로모-5,8-디메틸-5,6,7,8-테트라하이드로-5,8-에타노나프토[2,3-b]싸이오펜 (43.6 mmol, 14 g)을 톨루엔 (0.2 M, 220 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (65.4 mmol, 6.28 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.436 mmol, 0.223 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 24시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 22-a 14.6 g을 수득하였다. (수율 62%, MS[M+H]+= 538)
단계 2) 화합물 22-b의 합성
Figure 112020128389401-pat00190
3구 플라스크에 화합물 1-a (24.6 mmol, 10 g)와 화합물 22-a (24.6 mmol, 13.2 g)을 톨루엔 (0.2 M, 125 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (36.9 mmol, 3.55 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.246 mmol, 0.126 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 12시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 22-b 16.5 g을 수득하였다. (수율 74%, MS[M+H]+= 907)
단계 3) 화합물 22의 합성
Figure 112020128389401-pat00191
3구 플라스크에 화합물 22-b (18.2 mmol, 16.5 g)을 1,2-디클로로벤젠 (0.1 M, 180 ml)에 녹이고 보론트리아이오다이드 (29.1 mmol, 11.4 g)를 넣은 후, 아르곤 분위기 140 ℃에서 3시간동안 교반하였다. 반응물을 0 ℃까지 냉각하고 N,N-디이소프로필에틸아민 (164 mmol, 21.1 g)을 첨가한 후 1시간 교반하였다. 톨루엔과 H2O을 이용해 분액 깔대기에서 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제한 후 승화정제를 통해 화합물 22, 2.8 g을 수득하였다. (수율 17%, MS[M+H]+= 915)
합성예 23 : 화합물 23의 합성
단계 1) 화합물 23-a의 합성
Figure 112020128389401-pat00192
3구 플라스크에 비스-(4-터부틸페닐)-아민 (107 mmol, 30 g)과 1-브로모-3-클로로-5-(메틸-d-3)벤젠 (107 mmol, 22.2 g)을 톨루엔 (0.2 M, 535 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (160 mmol, 15.4 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (1.07 mmol, 0.545 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 4시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 23-a 36.2 g을 수득하였다. (수율 83%, MS[M+H]+= 409)
단계 2) 화합물 23-b의 합성
Figure 112020128389401-pat00193
3구 플라스크에 7-브로모-3,3-디메틸-2,3-디하이드로싸이에노[2,3-f]벤조퓨란 (53.0 mmol, 15 g)과 4-터부틸아닐린 (53.0 mmol, 7.9 g)을 톨루엔 (0.2 M, 265 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (79.5 mmol, 7.64 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.530 mmol, 0.271 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 18시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 23-b 12.7 g을 수득하였다. (수율 68%, MS[M+H]+= 352)
단계 3) 화합물 23-c의 합성
Figure 112020128389401-pat00194
3구 플라스크에 화합물 23-a (34.2 mmol, 14 g)와 화합물 23-b (34.2 mmol, 12 g)을 톨루엔 (0.2 M, 170 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (51.3 mmol, 4.93 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.342 mmol, 0.175 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 24시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 23-c 20.3 g을 수득하였다. (수율 82%, MS[M+H]+= 724)
단계 4) 화합물 23의 합성
Figure 112020128389401-pat00195
3구 플라스크에 화합물 23-c (28.0 mmol, 20.3 g)을 1,2-디클로로벤젠 (0.1 M, 280 ml)에 녹이고 보론트리아이오다이드 (44.9 mmol, 17.6 g)를 넣은 후, 아르곤 분위기 140 ℃에서 3시간동안 교반하였다. 반응물을 0 ℃까지 냉각하고 N,N-디이소프로필에틸아민 (252 mmol, 32.6 g)을 첨가한 후 1시간 교반하였다. 톨루엔과 H2O을 이용해 분액 깔대기에서 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제한 후 승화정제를 통해 화합물 23, 4.1 g을 수득하였다. (수율 20%, MS[M+H]+= 732)
합성예 24 : 화합물 24의 합성
단계 1) 화합물 24-a의 합성
Figure 112020128389401-pat00196
3구 플라스크에 5-터부틸-[1,1'-바이페닐]-2',3,3',4,4',5',6,6'-d8-2-아민 (40.2 mmol, 9.38 g)과 2-브로모-5,5,8,8-테트라메틸-5,6,7,8-테트라하이드로나프토[2,3-b]싸이오펜 (40.2 mmol, 13 g)을 톨루엔 (0.2 M, 200 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (60.3 mmol, 5.80 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.402 mmol, 0.206 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 4시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 24-a 18.2 g을 수득하였다. (수율 95%, MS[M+H]+= 476)
단계 2) 화합물 24-b의 합성
Figure 112020128389401-pat00197
3구 플라스크에 화합물 1-a (36.9 mmol, 15 g)와 화합물 24-a (36.9 mmol, 17.6 g)을 톨루엔 (0.2 M, 185 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (55.4 mmol, 5.33 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.369 mmol, 0.189 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 12시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 24-b 18.4 g을 수득하였다. (수율 59%, MS[M+H]+= 845)
단계 3) 화합물 24의 합성
Figure 112020128389401-pat00198
3구 플라스크에 화합물 24-b (21.8 mmol, 18.4 g)을 1,2-디클로로벤젠 (0.1 M, 220 ml)에 녹이고 보론트리아이오다이드 (34.8 mmol, 13.6 g)를 넣은 후, 아르곤 분위기 140 ℃에서 3시간동안 교반하였다. 반응물을 0 ℃까지 냉각하고 N,N-디이소프로필에틸아민 (196 mmol, 25.3 g)을 첨가한 후 1시간 교반하였다. 톨루엔과 H2O을 이용해 분액 깔대기에서 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제한 후 승화정제를 통해 화합물 24, 3.2 g을 수득하였다. (수율 17%, MS[M+H]+= 853)
합성예 25 : 화합물 25의 합성
단계 1) 화합물 25-a의 합성
Figure 112020128389401-pat00199
3구 플라스크에 비스-(4-터부틸페닐)-아민 (142 mmol, 40 g)과 (3r,5r,7r)-1-(3-브로모-5-클로로페닐)아다만테인 (142 mmol, 46.3 g)을 톨루엔 (0.2 M, 710 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (213 mmol, 20.5 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (1.42 mmol, 0.726 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 3시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 25-a 63.8 g을 수득하였다. (수율 85%, MS[M+H]+= 526)
단계 2) 화합물 25-b의 합성
Figure 112020128389401-pat00200
3구 플라스크에 3-브로모-4,4,7,7-테트라메틸-4,5,6,7-테트라하이드로벤조[b]싸이오펜 (54.9 mmol, 15 g)과 3,5-비스(트리플루오르메틸)아닐린 (54.9 mmol, 12.6 g)을 톨루엔 (0.2 M, 275 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (82.3 mmol, 7.91 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.549 mmol, 0.281 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 18시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 25-b 16.7 g을 수득하였다. (수율 72%, MS[M+H]+= 421)
단계 3) 화합물 25-c의 합성
Figure 112020128389401-pat00201
3구 플라스크에 화합물 25-a (38.0 mmol, 20 g)와 화합물 25-b (38.0 mmol, 16 g)을 톨루엔 (0.2 M, 190 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (57.0 mmol, 5.48 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.380 mmol, 0.194 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 12시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 25-c 22.7 g을 수득하였다. (수율 66%, MS[M+H]+= 911)
단계 4) 화합물 25의 합성
Figure 112020128389401-pat00202
3구 플라스크에 화합물 25-c (24.9 mmol, 22.7 g)을 1,2-디클로로벤젠 (0.1 M, 250 ml)에 녹이고 보론트리아이오다이드 (39.9 mmol, 15.6 g)를 넣은 후, 아르곤 분위기 140 ℃에서 3시간동안 교반하였다. 반응물을 0 ℃까지 냉각하고 N,N-디이소프로필에틸아민 (224 mmol, 29.0 g)을 첨가한 후 1시간 교반하였다. 톨루엔과 H2O을 이용해 분액 깔대기에서 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제한 후 승화정제를 통해 화합물 25, 3.9 g을 수득하였다. (수율 17%, MS[M+H]+= 919)
합성예 26 : 화합물 26의 합성
단계 1) 화합물 26-a의 합성
Figure 112020128389401-pat00203
3구 플라스크에 비스-(5,5,8,8-테트라메틸-5,6,7,8-테트라하이드로나프탈렌-2-일)아민 (77.0 mmol, 30 g)과 1-브로모-3-클로로-5-메틸벤젠 (77.0 mmol, 15.8 g)을 톨루엔 (0.2 M, 385 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (115 mmol, 11.1 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.77 mmol, 0.393 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 6시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 26-a 36.6 g을 수득하였다. (수율 92%, MS[M+H]+= 514)
단계 2) 화합물 26-b의 합성
Figure 112020128389401-pat00204
3구 플라스크에 2-브로모-7-터부틸-4,4-디메틸-4H-인데노[1,2-b]싸이오펜 (35.8 mmol, 12 g)과 4-터부틸-2-메틸아닐린 (35.8 mmol, 5.84 g)을 톨루엔 (0.2 M, 180 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (53.7 mmol, 5.16 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.358 mmol, 0.183 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 12시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 26-b 13.4 g을 수득하였다. (수율 90%, MS[M+H]+= 418)
단계 3) 화합물 26-c의 합성
Figure 112020128389401-pat00205
3구 플라스크에 화합물 26-a (29.2 mmol, 15 g)와 화합물 26-b (29.2 mmol, 12.2 g)을 톨루엔 (0.2 M, 145 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (43.8 mmol, 4.21 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.292 mmol, 0.149 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 15시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 26-c 19.2 g을 수득하였다. (수율 74%, MS[M+H]+= 895)
단계 4) 화합물 26의 합성
Figure 112020128389401-pat00206
3구 플라스크에 화합물 26-c (21.4 mmol, 19.2 g)을 1,2-디클로로벤젠 (0.1 M, 215 ml)에 녹이고 보론트리아이오다이드 (34.3 mmol, 13.4 g)를 넣은 후, 아르곤 분위기 140 ℃에서 3시간동안 교반하였다. 반응물을 0 ℃까지 냉각하고 N,N-디이소프로필에틸아민 (193 mmol, 24.9 g)을 첨가한 후 1시간 교반하였다. 톨루엔과 H2O을 이용해 분액 깔대기에서 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제한 후 승화정제를 통해 화합물 26, 4.5 g을 수득하였다. (수율 23%, MS[M+H]+= 903)
합성예 27 : 화합물 27의 합성
단계 1) 화합물 27-a의 합성
Figure 112020128389401-pat00207
3구 플라스크에 4-터부틸아닐린 (80.4 mmol, 12 g)과 4-브로모-2-터부틸싸이오펜 (80.4 mmol, 17.6 g)을 톨루엔 (0.2 M, 400 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (121 mmol, 11.6 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.804 mmol, 0.411 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 24시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 27-a 19.2g을 수득하였다. (수율 83%, MS[M+H]+= 287)
단계 2) 화합물 27-b의 합성
Figure 112020128389401-pat00208
3구 플라스크에 화합물 4-a (38.2 mmol, 18 g)와 화합물 27-a (38.2 mmol, 11 g)을 톨루엔 (0.2 M, 190 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (57.3 mmol, 5.51 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.382 mmol, 0.195 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 24시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 27-b 21.4 g을 수득하였다. (수율 83%, MS[M+H]+= 677)
단계 3) 화합물 27-c의 합성
Figure 112020128389401-pat00209
3구 플라스크에 화합물 27-b (31.6 mmol, 21.4 g)을 1,2-디클로로벤젠 (0.1 M, 315 ml)에 녹이고 보론트리아이오다이드 (50.5 mmol, 19.8 g)를 넣은 후, 아르곤 분위기 140 ℃에서 3시간동안 교반하였다. 반응물을 0 ℃까지 냉각하고 N,N-디이소프로필에틸아민 (284 mmol, 36.7 g)을 첨가한 후 1시간 교반하였다. 톨루엔과 H2O을 이용해 분액 깔대기에서 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 27-c 4.4 g을 수득하였다. (수율 20%, MS[M+H]+= 685)
단계 4) 화합물 27 의 합성
Figure 112020128389401-pat00210
3구 플라스크에 화합물 27-c (6.42 mmol, 4.4 g)와 디페닐아민 (7.7 mmol, 1.30 g)을 톨루엔 (0.2 M, 40 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (9.63 mmol, 0.926 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.06 mmol, 0.033 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 24시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제한 후 승화정제를 통해 화합물 27, 4.1 g을 수득하였다. (수율 78%, MS[M+H]+= 818)
합성예 28 : 화합물 28의 합성
단계 1) 화합물 28-a의 합성
Figure 112020128389401-pat00211
3구 플라스크에 4-터부틸-2-메틸아닐린 (30.6 mmol, 5 g)과 4-브로모-2,3-디-o-톨릴싸이오펜 (30.6 mmol, 10.5 g)을 톨루엔 (0.2 M, 155 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (45.9 mmol, 4.41 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.306 mmol, 0.157 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 12시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 28-a 10.4g을 수득하였다. (수율 80%, MS[M+H]+= 426)
단계 2) 화합물 28-b의 합성
Figure 112020128389401-pat00212
3구 플라스크에 화합물 4-a (23.4 mmol, 11 g)와 화합물 28-a (23.4 mmol, 9.94 g)을 톨루엔 (0.2 M, 120 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (35.0 mmol, 3.37 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.234 mmol, 0.119 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 24시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 28-b 11.8 g을 수득하였다. (수율 62%, MS[M+H]+= 816)
단계 3) 화합물 28-c의 합성
Figure 112020128389401-pat00213
3구 플라스크에 화합물 28-b (14.5 mmol, 11.8 g)을 1,2-디클로로벤젠 (0.1 M, 145 ml)에 녹이고 보론트리아이오다이드 (23.1 mmol, 9.06 g)를 넣은 후, 아르곤 분위기 140 ℃에서 3시간동안 교반하였다. 반응물을 0 ℃까지 냉각하고 N,N-디이소프로필에틸아민 (130 mmol, 16.8 g)을 첨가한 후 1시간 교반하였다. 톨루엔과 H2O을 이용해 분액 깔대기에서 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 28-c 2.9 g을 수득하였다. (수율 24%, MS[M+H]+= 823)
단계 4) 화합물 28의 합성
Figure 112020128389401-pat00214
3구 플라스크에 화합물 28-c (3.52 mmol, 2.9 g)와 10H-페녹사진 (4.23 mmol, 0.774 g)을 톨루엔 (0.2 M, 21 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (5.28 mmol, 0.508 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.035 mmol, 0.018 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 18시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제한 후 승화정제를 통해 화합물 28, 2.9 g을 수득하였다. (수율 85%, MS[M+H]+= 970)
합성예29 : 화합물 29의 합성
단계 1) 화합물 29-a의 합성
Figure 112020128389401-pat00215
3구 플라스크에 5-터부틸-N-(4-트리페닐실릴페닐)-[1,1'-바이페닐]-2-아민 (53.6 mmol, 30 g)과 1-브로모-3-클로로-5-메틸벤젠 (53.6 mmol, 11.0 g)을 톨루엔 (0.2 M, 270 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (80.4 mmol, 7.72 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.536 mmol, 0.274 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 12시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 29-a 27.1 g을 수득하였다. (수율 74%, MS[M+H]+= 684)
단계 2) 화합물 29-b의 합성
Figure 112020128389401-pat00216
3구 플라스크에 3-브로모싸이에노[2,3-b]벤조퓨란 (39.5 mmol, 10 g)과 4-터부틸-2-메틸아닐린 (39.5 mmol, 6.45 g)을 톨루엔 (0.2 M, 200 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (59.3 mmol, 5.70 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.358 mmol, 0.183 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 15시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 29-b 9.8 g을 수득하였다. (수율 74%, MS[M+H]+= 335)
단계 3) 화합물 29-c의 합성
Figure 112020128389401-pat00217
3구 플라스크에 화합물 29-a (29.2 mmol, 20 g)와 화합물 29-b (29.2 mmol, 9.80 g)을 톨루엔 (0.2 M, 145 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (43.8 mmol, 4.21 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.292 mmol, 0.149 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 24시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 29-c 23.1 g을 수득하였다. (수율 80%, MS[M+H]+= 983)
단계 4) 화합물 29의 합성
Figure 112020128389401-pat00218
3구 플라스크에 화합물 29-c (23.5 mmol, 23.1 g)을 1,2-디클로로벤젠 (0.1 M, 235 ml)에 녹이고 보론트리아이오다이드 (37.6 mmol, 14.7 g)를 넣은 후, 아르곤 분위기 140 ℃에서 3시간동안 교반하였다. 반응물을 0 ℃까지 냉각하고 N,N-디이소프로필에틸아민 (211 mmol, 27.3 g)을 첨가한 후 1시간 교반하였다. 톨루엔과 H2O을 이용해 분액 깔대기에서 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제한 후 승화정제를 통해 화합물 29, 3.7 g을 수득하였다. (수율 16%, MS[M+H]+= 991)
합성예 30 : 화합물 30의 합성
단계 1) 화합물 30-a의 합성
Figure 112020128389401-pat00219
3구 플라스크에 6-터부틸-4a,9a-디메틸-2,3,4,4a,9,9a-헥사하이드로-1H-카바졸 (194 mmol, 50 g)과 1-브로모-3-클로로-5-메틸벤젠 (194 mmol, 39.9 g)을 톨루엔 (0.2 M, 970 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (291 mmol, 28.0 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (1.94 mmol, 0.993 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 8시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 30-a 67.2 g을 수득하였다. (수율 91%, MS[M+H]+= 382)
단계 2) 화합물 30-b의 합성
Figure 112020128389401-pat00220
3구 플라스크에 3-브로모-3a,7a-디메틸-3a,4,5,6,7,7a-헥사하이드로[b]싸이오펜 (56.6 mmol, 14 g)과 [1,1':3',1''-터페닐]-5'-아민 (56.6 mmol, 13.9 g)을 톨루엔 (0.2 M, 280 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (85.0 mmol, 8.16 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.566 mmol, 0.289 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 12시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 30-b 17.4 g을 수득하였다. (수율 75%, MS[M+H]+= 412)
단계 3) 화합물 30-c의 합성
Figure 112020128389401-pat00221
3구 플라스크에 화합물 30-a (39.3 mmol, 15 g)와 화합물 30-b (39.3 mmol, 16.2 g)을 톨루엔 (0.2 M, 200 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (58.9 mmol, 5.66 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.393 mmol, 0.2 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 24시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 30-c 24.8 g을 수득하였다. (수율 83%, MS[M+H]+= 757)
단계 4) 화합물 30의 합성
Figure 112020128389401-pat00222
3구 플라스크에 화합물 30-c (32.8 mmol, 24.8 g)을 1,2-디클로로벤젠 (0.1 M, 330 ml)에 녹이고 보론트리아이오다이드 (52.4 mmol, 20.5 g)를 넣은 후, 아르곤 분위기 140 ℃에서 3시간동안 교반하였다. 반응물을 0 ℃까지 냉각하고 N,N-디이소프로필에틸아민 (295 mmol, 38.1 g)을 첨가한 후 1시간 교반하였다. 톨루엔과 H2O을 이용해 분액 깔대기에서 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제한 후 승화정제를 통해 화합물 30, 4.1 g을 수득하였다. (수율 16%, MS[M+H]+= 765)
합성예 31 : 화합물 31의 합성
단계 1) 화합물 31-a의 합성
Figure 112020128389401-pat00223
3구 플라스크에 3-브로모-4,4-디메틸-4H-인데노[1,2-b]싸이오펜 (36.1 mmol, 10 g)과 4-(2-페닐프로판-2-일)아닐린 (36.1 mmol, 8 g)을 톨루엔 (0.2 M, 180 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (54.2 mmol, 5.21 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.361 mmol, 0.185 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 4시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 31-a 12.5 g을 수득하였다. (수율 84%, MS[M+H]+= 410)
단계 2) 화합물 31-b의 합성
Figure 112020128389401-pat00224
3구 플라스크에 화합물 1-a (29.6 mmol, 12 g)와 화합물 31-a (29.6 mmol, 12.1 g)을 톨루엔 (0.2 M, 150 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (44.3 mmol, 4.26 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.296 mmol, 0.151 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 24시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 31-b 17.3 g을 수득하였다. (수율 75%, MS[M+H]+= 779)
단계 3) 화합물 31의 합성
Figure 112020128389401-pat00225
3구 플라스크에 화합물 31-b (22.2 mmol, 17.3 g)을 1,2-디클로로벤젠 (0.1 M, 220 ml)에 녹이고 보론트리아이오다이드 (35.5 mmol, 13.9 g)를 넣은 후, 아르곤 분위기 140 ℃에서 3시간동안 교반하였다. 반응물을 0 ℃까지 냉각하고 N,N-디이소프로필에틸아민 (200 mmol, 25.8 g)을 첨가한 후 1시간 교반하였다. 톨루엔과 H2O을 이용해 분액 깔대기에서 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제한 후 승화정제를 통해 화합물 31, 3.8 g을 수득하였다. (수율 22%, MS[M+H]+= 787)
합성예 32 : 화합물 32의 합성
단계 1) 화합물 32-a의 합성
Figure 112020128389401-pat00226
3구 플라스크에 8-터부틸-10,10-디메틸-5,10-디하이드로인데노[1,2-b]인돌 (104 mmol, 30 g)과 1-브로모-3-클로로-5-메틸벤젠 (104 mmol, 21.3 g)을 톨루엔 (0.2 M, 520 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (155 mmol, 14.9 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (1.04 mmol, 0.530 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 4시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 32-a 39.2 g을 수득하였다. (수율 91%, MS[M+H]+= 414)
단계 2) 화합물 32-b의 합성
Figure 112020128389401-pat00227
3구 플라스크에 4-브로모-2,3-디메틸-2,3-디페닐-2,3-디하이드로싸이오펜 (57.9 mmol, 20 g)과 4-터부틸아닐린 (57.9 mmol, 8.64 g)을 톨루엔 (0.2 M, 290 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (86.9 mmol, 8.35 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.579 mmol, 0.296 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 24시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 32-b 12.3 g을 수득하였다. (수율 51%, MS[M+H]+= 414)
단계 3) 화합물 32-c의 합성
Figure 112020128389401-pat00228
3구 플라스크에 화합물 32-a (29.0 mmol, 12 g)와 화합물 32-b (29.0 mmol, 12 g)을 톨루엔 (0.2 M, 145 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (43.5 mmol, 4.18 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.290 mmol, 0.148 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 12시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 32-c 18.8 g을 수득하였다. (수율 82%, MS[M+H]+= 791)
단계 4) 화합물 32의 합성
Figure 112020128389401-pat00229
3구 플라스크에 화합물 32-c (23.8 mmol, 18.8 g)을 1,2-디클로로벤젠 (0.1 M, 240 ml)에 녹이고 보론트리아이오다이드 (38.0 mmol, 14.9 g)를 넣은 후, 아르곤 분위기 140 ℃에서 3시간동안 교반하였다. 반응물을 0 ℃까지 냉각하고 N,N-디이소프로필에틸아민 (214 mmol, 27.6 g)을 첨가한 후 1시간 교반하였다. 톨루엔과 H2O을 이용해 분액 깔대기에서 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제한 후 승화정제를 통해 화합물 32, 3.1 g을 수득하였다. (수율 16%, MS[M+H]+= 799)
합성예 33 : 화합물 33의 합성
단계 1) 화합물 33-a의 합성
Figure 112020128389401-pat00230
3구 플라스크에 4-터부틸아닐린 (67.0 mmol, 10 g)과 4'-브로모-3'H-스파이로[플루오렌-9,2'-싸이오펜] (67.0 mmol, 21.1 g)을 톨루엔 (0.2 M, 335 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (101 mmol, 9.66 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.670 mmol, 0.342 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 15시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 33-a 16.8g을 수득하였다. (수율 65%, MS[M+H]+= 384)
단계 2) 화합물 33-b의 합성
Figure 112020128389401-pat00231
3구 플라스크에 화합물 4-a (42.5 mmol, 20 g)와 화합물 33-a (42.5 mmol, 16.3 g)을 톨루엔 (0.2 M, 210 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (63.7 mmol, 6.12 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.425 mmol, 0.217 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 24시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 33-b 23.0 g을 수득하였다. (수율 70%, MS[M+H]+= 774)
단계 3) 화합물 33-c의 합성
Figure 112020128389401-pat00232
3구 플라스크에 화합물 33-b (29.7 mmol, 23 g)을 1,2-디클로로벤젠 (0.1 M, 300 ml)에 녹이고 보론트리아이오다이드 (47.5 mmol, 18.6 g)를 넣은 후, 아르곤 분위기 140 ℃에서 3시간동안 교반하였다. 반응물을 0 ℃까지 냉각하고 N,N-디이소프로필에틸아민 (268 mmol, 34.6 g)을 첨가한 후 1시간 교반하였다. 톨루엔과 H2O을 이용해 분액 깔대기에서 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 33-c 3.9 g을 수득하였다. (수율 17%, MS[M+H]+= 781)
단계 4) 화합물 33 의 합성
Figure 112020128389401-pat00233
3구 플라스크에 화합물 33-c (4.99 mmol, 3.9 g)와 9H-카바졸 (5.99 mmol, 1.00 g)을 톨루엔 (0.2 M, 30 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (7.49 mmol, 0.719 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.05 mmol, 0.026 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 24시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제한 후 승화정제를 통해 화합물 33, 3.7 g을 수득하였다. (수율 81%, MS[M+H]+= 912)
합성예 34 : 화합물 34의 합성
단계 1) 화합물 34-a의 합성
Figure 112020128389401-pat00234
3구 플라스크에 3-브로모나프토[2,3-b]싸이오펜 (88.8 mmol, 23.4 g)과 5-터부틸-[1,1'-바이페닐]-2-아민 (88.8 mmol, 20 g)을 톨루엔 (0.2 M, 445 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (133 mmol, 12.8 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.888 mmol, 0.454 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 24시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 34-a 21.9 g을 수득하였다. (수율 61%, MS[M+H]+= 408)
단계 2) 화합물 34-b의 합성
Figure 112020128389401-pat00235
3구 플라스크에 화합물 1-a (24.6 mmol, 10 g)와 화합물 34-a (24.6 mmol, 10 g)을 톨루엔 (0.2 M, 125 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (36.9 mmol, 3.55 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.246 mmol, 0.126 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 24시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 34-b 16.3 g을 수득하였다. (수율 85%, MS[M+H]+= 777)
단계 3) 화합물 34의 합성
Figure 112020128389401-pat00236
3구 플라스크에 화합물 34-b (21.0 mmol, 16.3 g)을 1,2-디클로로벤젠 (0.1 M, 210 ml)에 녹이고 보론트리아이오다이드 (33.6 mmol, 13.1 g)를 넣은 후, 아르곤 분위기 140 ℃에서 3시간동안 교반하였다. 반응물을 0 ℃까지 냉각하고 N,N-디이소프로필에틸아민 (189 mmol, 24.4 g)을 첨가한 후 1시간 교반하였다. 톨루엔과 H2O을 이용해 분액 깔대기에서 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제한 후 승화정제를 통해 화합물 34, 4.8 g을 수득하였다. (수율 29%, MS[M+H]+= 785)
합성예 35 : 화합물 35의 합성
단계 1) 화합물 35-a의 합성
Figure 112020128389401-pat00237
3구 플라스크에 3-브로모-5-메틸페놀 (53.5 mmol, 10 g)과 N-(4-터부틸페닐)-3-클로로아닐린 (53.5 mmol, 13.9 g)을 톨루엔 (0.2 M, 270 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (80.2 mmol, 7.71 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.535 mmol, 0.273 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 4시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 35-a 17.6 g을 수득하였다. (수율 90%, MS[M+H]+= 366)
단계 2) 화합물 35-b의 합성
Figure 112020128389401-pat00238
3구 플라스크에 화합물 35-a (48.1 mmol, 17.6 g)과 포타슘 카보네이트 (144 mmol, 20 g)을 테트라하이드로퓨란과 물 (0.1 M, 480 ml)에 녹이고 퍼플루오르-1-부테인설폰 플로라이드 (144 mmol, 43.6 g)을 넣은 후, 상온에서 5시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 톨루엔과 물을 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 35-b 30.2 g을 수득하였다. (수율 97%, MS[M+H]+= 648)
단계 3) 화합물 35-c의 합성
Figure 112020128389401-pat00239
3구 플라스크에 화합물 35-b (46.6 mmol, 30.2 g)와 N-(5-터부틸-[1,1'-바이페닐]-2-일)-5,5,8,8-테트라메틸-5,6,7,8-테트라나프토[2,3-b]싸이오펜-3-아민 (46.6 mmol, 21.8 g)을 톨루엔 (0.2 M, 233 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (69.9 mmol, 6.72 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.466 mmol, 0.238 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 24시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 35-c 27.4 g을 수득하였다. (수율 72%, MS[M+H]+= 816)
단계 4) 화합물 35-d의 합성
Figure 112020128389401-pat00240
3구 플라스크에 화합물 35-c (33.6 mmol, 27.4 g)을 1,2-디클로로벤젠 (0.1 M, 335 ml)에 녹이고 보론트리아이오다이드 (53.8 mmol, 21.0 g)를 넣은 후, 아르곤 분위기 140 ℃에서 8시간동안 교반하였다. 반응물을 0 ℃까지 냉각하고 N,N-디이소프로필에틸아민 (302 mmol, 39.1 g)을 첨가한 후 1시간 교반하였다. 톨루엔과 H2O을 이용해 분액 깔대기에서 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제한 후 승화정제를 통해 화합물 35-d 5.3 g을 수득하였다. (수율 19%, MS[M+H]+= 824)
단계 5) 화합물 35의 합성
Figure 112020128389401-pat00241
3구 플라스크에 화합물 35-d (6.44 mmol, 5.3 g)와 비스(5,5,8,8-테트라메틸-5,6,7,8-테트라하이드로나프탈렌-2-일)아민 (7.72 mmol, 3 g)을 톨루엔 (0.2 M, 39 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (9.66 mmol, 0.928 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.064 mmol, 0.033 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 6시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하고 승화정제를 통해 화합물 35, 4.1 g을 수득하였다. (수율 54%, MS[M+H]+= 1177)
합성예 36 : 화합물 36의 합성
단계 1) 화합물 36-a의 합성
Figure 112020128389401-pat00242
3구 플라스크에 3-브로모-5,5,8,8-테트라메틸-5,6,7,8-테트라하이드로나프토[2,3-b]싸이오펜 (155 mmol, 50 g)과 5,5,8,8-테트라메틸-5,6,7,8-테트라하이드로나프탈렌-2-아민 (155 mmol, 31.4 g)을 톨루엔 (0.2 M, 775 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (232 mmol, 22.3 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (1.55 mmol, 0.79 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 4시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 36-a 47.6 g을 수득하였다. (수율 69%, MS[M+H]+= 446)
단계 2) 화합물 36-b의 합성
Figure 112020128389401-pat00243
3구 플라스크에 화합물 5-a (35.7 mmol, 17 g)와 화합물 36-a (35.7 mmol, 15.9 g)을 톨루엔 (0.2 M, 180 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (53.6 mmol, 5.15 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.357 mmol, 0.182 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 13시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 36-b 22.1 g을 수득하였다. (수율 70%, MS[M+H]+= 886)
단계 3) 화합물 36의 합성
Figure 112020128389401-pat00244
3구 플라스크에 화합물 36-b (25.0 mmol, 22.1 g)을 1,2-디클로로벤젠 (0.1 M, 250 ml)에 녹이고 보론트리아이오다이드 (39.9 mmol, 15.6 g)를 넣은 후, 아르곤 분위기 140 ℃에서 8시간동안 교반하였다. 반응물을 0 ℃까지 냉각하고 N,N-디이소프로필에틸아민 (225 mmol, 29 g)을 첨가한 후 1시간 교반하였다. 톨루엔과 H2O을 이용해 분액 깔대기에서 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제한 후 승화정제를 통해 화합물 36, 2.9 g을 수득하였다. (수율 13%, MS[M+H]+= 893)
합성예 37 : 화합물 37의 합성
단계 1) 화합물 37-a의 합성
Figure 112020128389401-pat00245
3구 플라스크에 3-브로모-5,5,8,8-테트라메틸-5,6,7,8-테트라하이드로나프토[2,3-b]싸이오펜 (46.4 mmol, 15 g)과 디벤조[b,d]퓨란-1-아민 (46.4 mmol, 8.5 g)을 톨루엔 (0.2 M, 230 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (69.6 mmol, 6.69 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.464 mmol, 0.237 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 10시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 37-a 17.4g을 수득하였다. (수율 88%, MS[M+H]+= 426)
단계 2) 화합물 37-b의 합성
Figure 112020128389401-pat00246
3구 플라스크에 화합물 4-a (36.1 mmol, 17 g)와 화합물 37-a (36.1 mmol, 15.4 g)을 톨루엔 (0.2 M, 180 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (54.2 mmol, 5.2 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.361 mmol, 0.185 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 9시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 37-b 24.6 g을 수득하였다. (수율 84%, MS[M+H]+= 816)
단계 3) 화합물 37-c의 합성
Figure 112020128389401-pat00247
3구 플라스크에 화합물 37-b (30.2 mmol, 24.6 g)을 1,2-디클로로벤젠 (0.1 M, 300 ml)에 녹이고 보론트리아이오다이드 (48.3 mmol, 18.9 g)를 넣은 후, 아르곤 분위기 140 ℃에서 6시간동안 교반하였다. 반응물을 0 ℃까지 냉각하고 N,N-디이소프로필에틸아민 (271 mmol, 35 g)을 첨가한 후 1시간 교반하였다. 톨루엔과 H2O을 이용해 분액 깔대기에서 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 37-c 5.2 g을 수득하였다. (수율 21%, MS[M+H]+= 823)
단계 4) 화합물 37 의 합성
Figure 112020128389401-pat00248
3구 플라스크에 화합물 37-c (6.32 mmol, 5.2 g)와 디페닐아민 (7.58 mmol, 1.3 g)을 톨루엔 (0.2 M, 38 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (9.47 mmol, 0.91 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.06 mmol, 0.032 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 12시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제한 후 승화정제를 통해 화합물 37, 3.3 g을 수득하였다. (수율 55%, MS[M+H]+= 956)
합성예 38 : 화합물 38의 합성
단계 1) 화합물 38-a의 합성
Figure 112020128389401-pat00249
3구 플라스크에 9,9-디메틸-9H-플루오렌-4-아민 (92.8 mmol, 30 g)과 3-브로모-5,5,8,8-테트라메틸-5,6,7,8-테트라하이드로나프토[2,3-b]싸이오펜 (92.8 mmol, 19.4 g)을 톨루엔 (0.2 M, 465 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (139 mmol, 13.4 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.928 mmol, 0.474 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 4시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 38-a 37.4g을 수득하였다. (수율 89%, MS[M+H]+= 452)
단계 2) 화합물 38-b의 합성
Figure 112020128389401-pat00250
3구 플라스크에 1-브로모-3-클로로-5-메틸벤젠 (29.2 mmol, 6 g)과 5,5,8,8-테트라메틸-3-페닐-N-(5,5,8,8-테트라메틸-5,6,7,8-테트라하이드로나프탈렌-2-일)-5,6,7,8-테트라하이드로나프탈렌-2-아민 (29.2 mmol, 13.6 g)을 톨루엔 (0.2 M, 150 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (30.5 mmol, 2.93 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.292 mmol, 0.15 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 24시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 38-b 12.3g을 수득하였다. (수율 71%, MS[M+H]+= 590)
단계 3) 화합물 38-c의 합성
Figure 112020128389401-pat00251
3구 플라스크에 화합물 38-a (20.3 mmol, 9.18 g)와 화합물 38-b (20.3 mmol, 12 g)을 톨루엔 (0.2 M, 100 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (30.5 mmol, 2.93 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.2 mmol, 0.1 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 24시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 38-c 14.2 g을 수득하였다. (수율 69%, MS[M+H]+= 1006)
단계 4) 화합물 38의 합성
Figure 112020128389401-pat00252
3구 플라스크에 화합물 38-c (14.1 mmol, 14.2 g)을 1,2-디클로로벤젠 (0.1 M, 140 ml)에 녹이고 보론트리아이오다이드 (22.6 mmol, 8.85 g)를 넣은 후, 아르곤 분위기 140 ℃에서 10시간동안 교반하였다. 반응물을 0 ℃까지 냉각하고 N,N-디이소프로필에틸아민 (127 mmol, 16.5 g)을 첨가한 후 1시간 교반하였다. 톨루엔과 H2O을 이용해 분액 깔대기에서 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제한 후 승화정제하여 화합물 38, 2.6 g을 수득하였다. (수율 18%, MS[M+H]+= 1013)
합성예 39 : 화합물 39의 합성
단계 1) 화합물 39-a의 합성
Figure 112020128389401-pat00253
3구 플라스크에 N-(4-터부틸페닐)-7,7,10,10-테트라메틸-7,8,9,10-테트라하이드로나프토[2,3-b]벤조퓨란 (35.2 mmol, 15 g)과 1-브로모-3-클로로-5-터부틸벤젠 (35.2 mmol, 8.7 g)을 톨루엔 (0.2 M, 175 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (52.9 mmol, 5.08 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.352 mmol, 0.18 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 6시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 39-a 18.2 g을 수득하였다. (수율 87%, MS[M+H]+= 592)
단계 2) 화합물 39-b의 합성
Figure 112020128389401-pat00254
3구 플라스크에 화합물 39-a (30.7 mmol, 18.2 g)와 N-(4-터부틸페닐)-5-(2-페닐프로판-2-일)벤조[b]싸이오펜-3-아민 (41.6 mmol, 19.6 g)을 톨루엔 (0.2 M, 155 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (46.1 mmol, 4.43 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.307 mmol, 0.157 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 24시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 39-b 21.5 g을 수득하였다. (수율 73%, MS[M+H]+= 955)
단계 3) 화합물 39의 합성
Figure 112020128389401-pat00255
3구 플라스크에 화합물 39-b (22.5 mmol, 21.5 g)을 1,2-디클로로벤젠 (0.1 M, 225 ml)에 녹이고 보론트리아이오다이드 (36 mmol, 14.1 g)를 넣은 후, 아르곤 분위기 140 ℃에서 3시간동안 교반하였다. 반응물을 0 ℃까지 냉각하고 N,N-디이소프로필에틸아민 (203 mmol, 26.2 g)을 첨가한 후 1시간 교반하였다. 톨루엔과 H2O을 이용해 분액 깔대기에서 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제한 후 승화정제를 통해 화합물 39, 3.8 g을 수득하였다. (수율 18%, MS[M+H]+= 963)
합성예 40 : 화합물 40의 합성
단계 1) 화합물 40-a의 합성
Figure 112020128389401-pat00256
3구 플라스크에 2-(퍼플루오로페닐)-N-페닐벤조퓨란-6-아민 (53.3 mmol, 20 g)과 1-브로모-3-클로로-5-아이오도벤젠 (79.9 mmol, 7.68 g)을 톨루엔 (0.2 M, 270 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (80 mmol, 7.68 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.532 mmol, 0.272 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 3시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 40-a 20.7g을 수득하였다. (수율 69%, MS[M+H]+= 565)
단계 2) 화합물 40-b의 합성
Figure 112020128389401-pat00257
3구 플라스크에 화합물 40-a (35.6 mmol, 20.1 g)와 화합물 17-b (35.6 mmol, 12 g)을 톨루엔 (0.2 M, 180 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (53.3 mmol, 5.12 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.356 mmol, 0.182 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 6시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 40-b 26.1 g을 수득하였다. (수율 89%, MS[M+H]+= 821)
단계 3) 화합물 40-c의 합성
Figure 112020128389401-pat00258
3구 플라스크에 화합물 40-b (31.8 mmol, 26.1 g)을 1,2-디클로로벤젠 (0.1 M, 320 ml)에 녹이고 보론트리아이오다이드 (50.8 mmol, 20 g)를 넣은 후, 아르곤 분위기 140 ℃에서 3시간동안 교반하였다. 반응물을 0 ℃까지 냉각하고 N,N-디이소프로필에틸아민 (286 mmol, 37 g)을 첨가한 후 1시간 교반하였다. 톨루엔과 H2O을 이용해 분액 깔대기에서 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 40-c 4.6 g을 수득하였다. (수율 17%, MS[M+H]+= 829)
단계 4) 화합물 40의 합성
Figure 112020128389401-pat00259
3구 플라스크에 화합물 40-c (5.55 mmol, 4.6 g)와 4a,9a-디메틸-2,3,4,4a,9,9a-헥사하이드로-1H-카바졸 (6.66 mmol, 1.34 g)을 톨루엔 (0.2 M, 33 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (8.32 mmol, 0.8 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.055 mmol, 0.028 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 24시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제한 후 승화정제를 통해 화합물 40, 3.8 g을 수득하였다. (수율 69%, MS[M+H]+= 994)
합성예 41 : 화합물 41의 합성
단계 1) 화합물 41-a의 합성
Figure 112020128389401-pat00260
3구 플라스크에 N-(4-터부틸페닐)-5a,9a-디메틸-5a,6,7,8,9,9a-헥사하이드로디벤조[b,d]퓨란-2-아민 (51.5 mmol, 18 g)과 1-브로모-3-클로로-5-메틸벤젠 (51.5 mmol, 10.6 g)을 톨루엔 (0.2 M, 260 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (77.2 mmol, 7.42 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.515 mmol, 0.263 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 2시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 41-a 20.5 g을 수득하였다. (수율 84%, MS[M+H]+= 474)
단계 2) 화합물 41-b의 합성
Figure 112020128389401-pat00261
3구 플라스크에 화합물 41-a (43.2 mmol, 20.5 g)와 N-(4-터부틸페닐)-3'H-스파이로[플루오렌-9,2'-싸이오펜]-4'-아민 (43.2 mmol, 16.6 g)을 톨루엔 (0.2 M, 220 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (64.9 mmol, 6.23 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.432 mmol, 0.221 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 24시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 41-b 22.9 g을 수득하였다. (수율 64%, MS[M+H]+= 821)
단계 3) 화합물 41의 합성
Figure 112020128389401-pat00262
3구 플라스크에 화합물 41-b (27.9 mmol, 22.9 g)을 1,2-디클로로벤젠 (0.1 M, 280 ml)에 녹이고 보론트리아이오다이드 (44.6 mmol, 17.5 g)를 넣은 후, 아르곤 분위기 140 ℃에서 3시간동안 교반하였다. 반응물을 0 ℃까지 냉각하고 N,N-디이소프로필에틸아민 (251 mmol, 32.4 g)을 첨가한 후 1시간 교반하였다. 톨루엔과 H2O을 이용해 분액 깔대기에서 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제한 후 승화정제를 통해 화합물 41, 4.1 g을 수득하였다. (수율 18%, MS[M+H]+= 829)
합성예 42 : 화합물 42의 합성
단계 1) 화합물 42-a의 합성
Figure 112020128389401-pat00263
3구 플라스크에 5a,9a-디메틸-N-페닐-5a,6,7,8,9,9a-헥사하이드로벤조[b,d]싸이오펜-2-아민 (48.5 mmol, 15 g)과 1-브로모-3-클로로-5-아이오도벤젠 (48.5 mmol, 15.4 g)을 톨루엔 (0.2 M, 240 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (72.7 mmol, 7 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.485 mmol, 0.248 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 3시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 42-a 15.6g을 수득하였다. (수율 65%, MS[M+H]+= 499)
단계 2) 화합물 42-b의 합성
Figure 112020128389401-pat00264
3구 플라스크에 화합물 42-a (31.3 mmol, 15.6 g)와 N-([1,1'-바이페닐]-2-일)-6,6,9,9-테트라메틸-6,7,8,9-테트라하이드로나프토[1,2-b]싸이오펜-2-아민 (31.3 mmol, 12.9 g)을 톨루엔 (0.2 M, 160 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (46.9 mmol, 4.51 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.313 mmol, 0.16 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 4시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 42-b 19.2 g을 수득하였다. (수율 74%, MS[M+H]+= 830)
단계 3) 화합물 42-c의 합성
Figure 112020128389401-pat00265
3구 플라스크에 화합물 42-b (23.1 mmol, 19.2 g)을 1,2-디클로로벤젠 (0.1 M, 230 ml)에 녹이고 보론트리아이오다이드 (37.0 mmol, 14.5 g)를 넣은 후, 아르곤 분위기 140 ℃에서 3시간동안 교반하였다. 반응물을 0 ℃까지 냉각하고 N,N-디이소프로필에틸아민 (208 mmol, 27 g)을 첨가한 후 1시간 교반하였다. 톨루엔과 H2O을 이용해 분액 깔대기에서 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 42-c 2.7 g을 수득하였다. (수율 14%, MS[M+H]+= 837)
단계 4) 화합물 42의 합성
Figure 112020128389401-pat00266
3구 플라스크에 화합물 42-c (3.22 mmol, 2.7 g)와 3-터부틸-10H-벤조[4,5]싸이에노[3,2-b]인돌 (3.87 mmol, 1.08 g)을 톨루엔 (0.2 M, 19 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (4.84 mmol, 0.46 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.032 mmol, 0.016 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 24시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제한 후 승화정제를 통해 화합물 42, 2.5 g을 수득하였다. (수율 72%, MS[M+H]+= 1080)
합성예 43 : 화합물 43의 합성
단계 1) 화합물 43-a의 합성
Figure 112020128389401-pat00267
3구 플라스크에 N,2,3-트리페닐벤조[b]싸이오펜-6-아민 (53.0 mmol, 20 g)과 1-브로모-3-클로로-5-메틸벤젠 (53.0 mmol, 10.9 g)을 톨루엔 (0.2 M, 265 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (79.5 mmol, 7.64 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.53 mmol, 0.271 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 6시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 43-a 19.7 g을 수득하였다. (수율 74%, MS[M+H]+= 502)
단계 2) 화합물 43-b의 합성
Figure 112020128389401-pat00268
3구 플라스크에 화합물 43-a (39.2 mmol, 19.7 g)와 16-a (39.2 mmol, 8.84 g)을 톨루엔 (0.2 M, 200 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (58.9 mmol, 5.66 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.392 mmol, 0.2 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 24시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 43-b 23.4 g을 수득하였다. (수율 86%, MS[M+H]+= 691)
단계 3) 화합물 43의 합성
Figure 112020128389401-pat00269
3구 플라스크에 화합물 43-b (33.9 mmol, 23.4 g)을 1,2-디클로로벤젠 (0.1 M, 340 ml)에 녹이고 보론트리아이오다이드 (54.2 mmol, 21.2 g)를 넣은 후, 아르곤 분위기 140 ℃에서 3시간동안 교반하였다. 반응물을 0 ℃까지 냉각하고 N,N-디이소프로필에틸아민 (305 mmol, 39.4 g)을 첨가한 후 1시간 교반하였다. 톨루엔과 H2O을 이용해 분액 깔대기에서 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제한 후 승화정제를 통해 화합물 43, 5.2 g을 수득하였다. (수율 22%, MS[M+H]+= 699)
합성예 44 : 화합물 44의 합성
단계 1) 화합물 44-a의 합성
Figure 112020128389401-pat00270
3구 플라스크에 8-터부틸-N-(4-터부틸페닐)디벤조[b,d]싸이오펜-4-아민 (38.7 mmol, 15 g)과 1-브로모-3-클로로-5-메틸벤젠 (38.7 mmol, 8 g)을 톨루엔 (0.2 M, 195 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (58.1 mmol, 5.58 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.387 mmol, 0.198 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 2시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 44-a 18.8 g을 수득하였다. (수율 95%, MS[M+H]+= 512)
단계 2) 화합물 44-b의 합성
Figure 112020128389401-pat00271
3구 플라스크에 화합물 44-a (36.7 mmol, 18.8 g)와 5-터부틸-N-(4-터부틸페닐)벤조[b]싸이오펜-2-아민 (36.7 mmol, 12.4 g)을 톨루엔 (0.2 M, 180 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (55.1 mmol, 5.29 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.367 mmol, 0.187 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 24시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 44-b 27.4 g을 수득하였다. (수율 92%, MS[M+H]+= 813)
단계 3) 화합물 44의 합성
Figure 112020128389401-pat00272
3구 플라스크에 화합물 44-b (33.7 mmol, 27.4 g)을 1,2-디클로로벤젠 (0.1 M, 340 ml)에 녹이고 보론트리아이오다이드 (53.9 mmol, 21.1 g)를 넣은 후, 아르곤 분위기 140 ℃에서 3시간동안 교반하였다. 반응물을 0 ℃까지 냉각하고 N,N-디이소프로필에틸아민 (303 mmol, 39.2 g)을 첨가한 후 1시간 교반하였다. 톨루엔과 H2O을 이용해 분액 깔대기에서 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제한 후 승화정제를 통해 화합물 44, 4.6 g을 수득하였다. (수율 17%, MS[M+H]+= 821)
합성예 45 : 화합물 45의 합성
단계 1) 화합물 45-a의 합성
Figure 112020128389401-pat00273
3구 플라스크에 N-메시틸-5a,10a-디메틸-5-페닐-5,5a,6,7,8,9,10,10a-옥타하이드로시클로펜타[b]인돌-2-아민 (47.1 mmol, 20 g)과 1-브로모-3-클로로-5-메틸벤젠 (47.1 mmol, 9.68 g)을 톨루엔 (0.2 M, 235 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (70.6 mmol, 6.79 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.471 mmol, 0.241 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 8시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 45-a 21.5 g을 수득하였다. (수율 83%, MS[M+H]+= 549)
단계 2) 화합물 45-b의 합성
Figure 112020128389401-pat00274
3구 플라스크에 화합물 45-a (39.1 mmol, 21.5 g)와 N-(4-터부틸페닐)-4,4,6,6-테트라메틸-5,6-디하이드로-4H-시클로펜타[b]싸이오펜-3-아민 (39.1 mmol, 12.8 g)을 톨루엔 (0.2 M, 195 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (58.7 mmol, 5.64 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.391 mmol, 0.2 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 24시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 45-b 21.9 g을 수득하였다. (수율 67%, MS[M+H]+= 840)
단계 3) 화합물 45의 합성
Figure 112020128389401-pat00275
3구 플라스크에 화합물 45-b (26.1 mmol, 21.9 g)을 1,2-디클로로벤젠 (0.1 M, 260 ml)에 녹이고 보론트리아이오다이드 (41.7 mmol, 16.3 g)를 넣은 후, 아르곤 분위기 140 ℃에서 3시간동안 교반하였다. 반응물을 0 ℃까지 냉각하고 N,N-디이소프로필에틸아민 (235 mmol, 30.3 g)을 첨가한 후 1시간 교반하였다. 톨루엔과 H2O을 이용해 분액 깔대기에서 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제한 후 승화정제를 통해 화합물 45, 3.5 g을 수득하였다. (수율 16%, MS[M+H]+= 848)
합성예 46 : 화합물 46의 합성
단계 1) 화합물 46-a의 합성
Figure 112020128389401-pat00276
3구 플라스크에 6-터부틸-9-페닐-N-(5,5,8,8-테트라메틸-5,6,7,8-테트라하이드로나프탈렌-2-일-9H-카바졸-3-아민 (39.9 mmol, 20 g)과 1-브로모-3-클로로-5-메틸벤젠 (39.9 mmol, 8.21 g)을 톨루엔 (0.2 M, 200 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (60 mmol, 5.76 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.4 mmol, 0.204 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 5시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 46-a 20.9 g을 수득하였다. (수율 84%, MS[M+H]+= 625)
단계 2) 화합물 46-b의 합성
Figure 112020128389401-pat00277
3구 플라스크에 화합물 46-a (33.4 mmol, 20.9 g)와 6-터부틸-N-(5,5,8,8-테트라메틸-5,6,7,8-테트라하이드로나프탈렌-2-일)벤조[b]싸이오펜-2-아민 (33.4 mmol, 13.1 g)을 톨루엔 (0.2 M, 170 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (50.1 mmol, 4.82 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.334 mmol, 0.171 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 24시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 46-b 25.2 g을 수득하였다. (수율 77%, MS[M+H]+= 980)
단계 3) 화합물 46의 합성
Figure 112020128389401-pat00278
3구 플라스크에 화합물 46-b (25.7 mmol, 25.2 g)을 1,2-디클로로벤젠 (0.1 M, 260 ml)에 녹이고 보론트리아이오다이드 (41.1 mmol, 16.1 g)를 넣은 후, 아르곤 분위기 140 ℃에서 3시간동안 교반하였다. 반응물을 0 ℃까지 냉각하고 N,N-디이소프로필에틸아민 (231 mmol, 30 g)을 첨가한 후 1시간 교반하였다. 톨루엔과 H2O을 이용해 분액 깔대기에서 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제한 후 승화정제를 통해 화합물 46, 4.1 g을 수득하였다. (수율 16%, MS[M+H]+= 988)
합성예 47 : 화합물 47의 합성
단계 1) 화합물 47-a의 합성
Figure 112020128389401-pat00279
3구 플라스크에 9-(2,6,-디플루오로페닐)-1,1,4,4-테트라메틸-N-(3,5,5,8,8-펜타메틸-5,6,7,8-테트라하이드로나프탈렌-2-일)-2,3,4,9-테트라하이드로-1H-카바졸-7-아민 (36.1 mmol, 20 g)과 1-브로모-3-클로로-5-메틸벤젠 (36.1 mmol, 7.41 g)을 톨루엔 (0.2 M, 180 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (54.1 mmol, 5.20 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.36 mmol, 0.184 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 8시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 47-a 21.7 g을 수득하였다. (수율 89%, MS[M+H]+= 679)
단계 2) 화합물 47-b의 합성
Figure 112020128389401-pat00280
3구 플라스크에 화합물 47-a (31.9 mmol, 21.7 g)와 5-플루오로-N-(페닐-d5)벤조[b]싸이오펜-3-아민 (31.9 mmol, 7.93 g)을 톨루엔 (0.2 M, 160 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (47.9 mmol, 4.6 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.319 mmol, 0.163 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 24시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 47-b 20.1 g을 수득하였다. (수율 71%, MS[M+H]+= 891)
단계 3) 화합물 47의 합성
Figure 112020128389401-pat00281
3구 플라스크에 화합물 47-b (22.6 mmol, 20.1 g)을 1,2-디클로로벤젠 (0.1 M, 225 ml)에 녹이고 보론트리아이오다이드 (36.1 mmol, 14.1 g)를 넣은 후, 아르곤 분위기 140 ℃에서 3시간동안 교반하였다. 반응물을 0 ℃까지 냉각하고 N,N-디이소프로필에틸아민 (203 mmol, 36.2 g)을 첨가한 후 1시간 교반하였다. 톨루엔과 H2O을 이용해 분액 깔대기에서 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제한 후 승화정제를 통해 화합물 47, 2.5 g을 수득하였다. (수율 12%, MS[M+H]+= 899)
합성예 48 : 화합물 48의 합성
단계 1) 화합물 48-a의 합성
Figure 112020128389401-pat00282
3구 플라스크에 9-(2,6,-디플루오로페닐)-1,1,4,4-테트라메틸-N-(3,5,5,8,8-펜타메틸-5,6,7,8-테트라하이드로나프탈렌-2-일)-2,3,4,9-테트라하이드로-1H-카바졸-7-아민 (53.1 mmol, 20 g)과 1-브로모-3-클로로-5-메틸벤젠 (53.1 mmol, 10.9 g)을 톨루엔 (0.2 M, 265 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (79.7 mmol, 10.9 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.531 mmol, 0.271 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 2시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 48-a 22.8 g을 수득하였다. (수율 86%, MS[M+H]+= 501)
단계 2) 화합물 48-b의 합성
Figure 112020128389401-pat00283
3구 플라스크에 화합물 48-a (45.5 mmol, 22.8 g)와 4,4,6,6-테트라메틸-N-페닐-5,6-디하이드로-4H-시클로펜타[b]퓨란-3-아민 (45.5 mmol, 11.6 g)을 톨루엔 (0.2 M, 230 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (68.3 mmol, 6.56 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.455 mmol, 0.233 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 24시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 48-b 23.1 g을 수득하였다. (수율 71%, MS[M+H]+= 720)
단계 3) 화합물 48의 합성
Figure 112020128389401-pat00284
3구 플라스크에 화합물 48-b (32.1 mmol, 23.1 g)을 1,2-디클로로벤젠 (0.1 M, 320 ml)에 녹이고 보론트리아이오다이드 (51.3 mmol, 20.1 g)를 넣은 후, 아르곤 분위기 140 ℃에서 3시간동안 교반하였다. 반응물을 0 ℃까지 냉각하고 N,N-디이소프로필에틸아민 (289 mmol, 37.3 g)을 첨가한 후 1시간 교반하였다. 톨루엔과 H2O을 이용해 분액 깔대기에서 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제한 후 승화정제를 통해 화합물 48, 3.6 g을 수득하였다. (수율 15%, MS[M+H]+= 728)
합성예 49 : 화합물 49의 합성
단계 1) 화합물 49-a의 합성
Figure 112020128389401-pat00285
3구 플라스크에 N-(4-터부틸-2-메틸페닐)디벤조[b,d]싸이오펜-3-아민 (43.4 mmol, 15 g)과 3-브로모-5-클로로-1,1'-바이페닐 (43.4 mmol, 11.6 g)을 톨루엔 (0.2 M, 220 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (65.1 mmol, 6.26 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.434 mmol, 0.222 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 2시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 49-a 20.1 g을 수득하였다. (수율 87%, MS[M+H]+= 532)
단계 2) 화합물 49-b의 합성
Figure 112020128389401-pat00286
3구 플라스크에 화합물 49-a (37.8 mmol, 20.1 g)와 6-터부틸-N-(4-터부틸-2-메틸페닐)벤조퓨란-2-아민 (37.8 mmol, 12.7 g)을 톨루엔 (0.2 M, 190 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (56.7 mmol, 5.4 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.378 mmol, 0.193 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 24시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 49-b 21.7 g을 수득하였다. (수율 69%, MS[M+H]+= 831)
단계 3) 화합물 49의 합성
Figure 112020128389401-pat00287
3구 플라스크에 화합물 49-b (26.1 mmol, 21.7 g)을 1,2-디클로로벤젠 (0.1 M, 260 ml)에 녹이고 보론트리아이오다이드 (41.8 mmol, 16.4 g)를 넣은 후, 아르곤 분위기 140 ℃에서 3시간동안 교반하였다. 반응물을 0 ℃까지 냉각하고 N,N-디이소프로필에틸아민 (235 mmol, 30.4 g)을 첨가한 후 1시간 교반하였다. 톨루엔과 H2O을 이용해 분액 깔대기에서 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제한 후 승화정제를 통해 화합물 49, 3.3 g을 수득하였다. (수율 15%, MS[M+H]+= 839)
합성예 50 : 화합물 50의 합성
단계 1) 화합물 50-a의 합성
Figure 112020128389401-pat00288
3구 플라스크에 N-(4-터부틸페닐)-6,6,9,9-테트라메틸-6,7,8,9-테트라하이드로디벤조[b,d]퓨란-2-아민 (39.9 mmol, 15 g)과 1-브로모-3-클로로-5-메틸벤젠 (39.9 mmol, 8.21 g)을 톨루엔 (0.2 M, 200 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (59.9 mmol, 5.76 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.399 mmol, 0.204 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 4시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 50-a 18.5 g을 수득하였다. (수율 93%, MS[M+H]+= 500)
단계 2) 화합물 50-b의 합성
Figure 112020128389401-pat00289
3구 플라스크에 화합물 50-a (37.0 mmol, 18.5 g)와 N-(4-터부틸페닐)-4,4,7,7-테트라메틸-4,5,6,7-테트라하이드로벤조퓨란-2-아민 (37.0 mmol, 12.0 g)을 톨루엔 (0.2 M, 185 ml)에 녹이고 소듐 터부톡사이드 (55.5 mmol, 5.33 g), 비스(트리-터부틸포스핀)팔라듐(0) (0.370 mmol, 0.189 g)을 넣은 후, 아르곤 분위기 환류 조건하에서 15시간동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후, H2O를 넣고 반응액을 분액 깔대기에 옮겨 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 50-b 22.8 g을 수득하였다. (수율 78%, MS[M+H]+= 789)
단계 3) 화합물 50의 합성
Figure 112020128389401-pat00290
3구 플라스크에 화합물 50-b (28.9 mmol, 22.8 g)을 1,2-디클로로벤젠 (0.1 M, 290 ml)에 녹이고 보론트리아이오다이드 (46.2 mmol, 18.1 g)를 넣은 후, 아르곤 분위기 140 ℃에서 3시간동안 교반하였다. 반응물을 0 ℃까지 냉각하고 N,N-디이소프로필에틸아민 (260 mmol, 33.6 g)을 첨가한 후 1시간 교반하였다. 톨루엔과 H2O을 이용해 분액 깔대기에서 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조, 농축하고 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제한 후 승화정제를 통해 화합물 50, 4.1 g을 수득하였다. (수율 18%, MS[M+H]+= 797)
실험예 1: 광발광 분석 실험
한국 등록 특허 공보 10-2030309에 의하면 산소 또는 황을 포함하는 방향족 5원환을 보론 화합물에 대칭구조로 치환시켰을 때 6원 방향족환 3개 치환된 보론화합물보다 평평(flat)한 구조의 보론화합물을 만들 수 있으며, 이를 이용하여 고색순도, 고효율, 장수명의 소자를 얻을 수 있음을 알 수 있었다.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 화학식 1의 화합물 즉, 1개의 방향족 5원환을 포함하는 비대칭 보론 화합물을 함유하는 층을 유기 발광 소자의 유기물층에 포함하여 상기 한국 등록 특허 공보 10-2030309 보다 우수한 효과의 유기 발광 소자를 얻을 수 있음을 확인하였다.
하기 광발광 분석실험을 통해 종래의 대칭형 화합물과 본 명세서의 일 실시상태에 따른 화학식 1의 화합물 즉, 비대칭형 화합물의 형광 스펙트럼을 확인하였다. 광발광 분석실험에는 보론에 3개의 벤젠고리가 치환되어 있는 BD-A를 대칭형 화합물인 2개의 벤조싸이오펜과 1개의 벤젠고리가 치환되어 있는 BD-C, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 화학식 1인 합성예 16으로부터 합성된 화합물 16을 사용하였다.
Figure 112020128389401-pat00291
광발광 분석실험은 JASCO FP-8600 형광분광광도계를 이용하였으며, 하기의 방법으로 최대 발광 파장을 측정하였다.
톨루엔을 용매로 하여 측정할 화합물인 상기 BD-A, BD-C 및 화합물 16을 각각 1Х 10-5M 농도로 용해하여 측정용 시료를 준비하였다. 시료용액을 석영셀에 넣고 질소 기체 (N2)를 이용하여 탈기(degassing)해주어 용액내 산소를 제거한 다음, 측정 장비를 이용하여 실온(300K)에서 형광 스펙트럼을 측정하였다. 이때 최대발광피크의 파장값(nm)을 얻고, 최대 발광 피크에서의 2분의 1 높이에서의 그래프의 퍼진폭(반치폭, FWHM, Full width at half maximum, nm)을 구하여 하기 표 1에 나타내었으며, 측정 그래프를 도 4에 도시하였다.
화합물 최대 발광 파장(nm) 반치폭(nm) CIEy
BD-A 456.1 23.4 0.0859
BD-C 463.0 20.9 0.1777
화합물16 456.1 21.9 0.1043
상기 표 1 및 도 4에서, BD-A, BD-C 및 화합물 16의 각각의 화합물에 있어서 헤테로고리기가 1개씩 늘어날 때 마다, 메인피크 (main peak)보다 장파장영역대에서 형성되는 두번째 피크가 세지는 것을 확인할 수 있다. 두번 째 피크가 커질수록 유기 발광 소자에서의 색순도가 나빠지는 단점이 있는데, 비 대칭형인 본 명세서의 상기 화학식 1의 화합물 16은 대칭형인 화합물 BD-C 보다 두번째 피크가 약하다. 따라서, 상기 발광특성으로 인해 대칭형 화합물보다 비대칭형 화합물인 본 명세서의 일 실시상태에 따른 화학식 1의 화합물에서 고색순도와 고효율의 소자를 구성할 수 있음을 알 수 있다.
실험예 2: 양자화학 계산 실험
실험예 1의 광발광 분석실험 결과의 원인을 파악 위해 대칭형 싸이오펜-보론 화합물(하기 DABNA 및 BD-F)과 본 명세서의 일 실시상태에 따른 화학식 1의 화합물 즉, 비대칭형 싸이오펜-보론 화합물(하기 BD-E)에 대해 양자 계산을 진행하였다. 양자 계산은 Schrodinger Material Science Suite 프로그램의 밀도범함수 이론(DFT, Density functional theory) 계산과 시간의존 밀도범함수 이론 (Time-dependent density functional theory) 계산으로 진행하였고 이 때 범함수는 B3LYP를, 기저함수는 6-31G*를 사용하였다. 발광 파장의 프랑크-콘돈 분석법 (Franck-Condon analysis)은 선행문헌을 참고하여 Schrodinger Material Science Suite 프로그램으로 진행하였으며, 그 결과를 표 2 내지 4에 나타내었다 (예를 들면, 문헌 「Santoro, F., Lami, A., Improta, R., Bloino, J., Barone, V. J. Chem. Phys. 128, 224311 (2008). 」 및 문헌 「Kondo, Y., Yoshiura, K., Kitera, S. et al. Nat. Photonics 13, 678 (2019).」를 참조).
Figure 112020128389401-pat00292
Figure 112020128389401-pat00293
Figure 112020128389401-pat00294
Figure 112020128389401-pat00295
상기 표 2 내지 4에 있어서, 헤테로고리기를 포함하는 상기 BD-E 및 BD-F의 화합물은 방향족탄화수소고리(벤젠)을 포함하는 상기 DABNA 보다 장파장 영역에서 더 강한 세기의 두번째 피크가 형성되는 것을 확인하였다. 그러나, 비대칭형인 본 명세서의 일 실시상태에 따른 화합물인 상기 BD-E의 두번 째 피크가 상기 BD-F에 비해 더 적은 세기로 나타날 것이 예상되었으며, 이 결과는 실험예 1에서 화합물 16과 BD-C 간의 색순도 차이를 원인을 나타낸다. 상기 실험예 1 및 2의 결과들로부터 대칭형 보론 화합물에 비해 비대칭형 보론 화합물인 본 명세서의 일 실시상태에 따른 화학식 1을 유기 발광 소자의 유기물층에 사용하였을때 더 우수한 발광특성을 갖는 소자를 구현할 수 있다는 것을 확인하였다.
실험예 3: 열중량분석 실험
TGA(thermos gravimetric analyzer, 열중량분석기)는 시료에 온도를 가하여 시료의 질량변화를 시간이나 온도의 함수로써 측정하는 장비이다. 재료의 질량손실은 증발이나 가스상 산물을 생성하는 화학반응에 의해 발생된다. Q-500를 이용하여 Pt pan위에 승화정제를 완료한 3mg 이상 5mg미만의 하기 표 5의 화합물을 각각 덜어 10 ℃/min의 속도로 상온에서부터 700℃까지 가열하였다. 이때, 화합물의 전체 중량 대비 5%의 질량이 감소되는 온도(=Td-5% loss)와 700℃까지 가열한 이후 pan에 남아있는 잔류물의 양(퍼센트)를 측정하였다. 합성예 19로 제조된 화합물 19의 열중량분석 그래프는 도 5에 도시하였으며, BD-A와 BD-C의 열중량분석 그래프를 각각 도 6 및 7에 도시하였다.
화합물 분자량 Td (5% loss) 잔류 (%)
BD-A 658.78 368 0.3
BD-C 770.95 459 30.1
화합물 19 845.05 375 4.2
상기 표 5 및 도 5 내지 7에 있어서, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 화합물 1 즉, O 또는 S를 포함하는 5원 고리를 포함하는 비대칭 보론 화합물인 화합물 19는 O 또는 S를 포함하는 5원 고리를 포함하지만 대칭 구조의 보론 화합물인 BD-C에 비해 더 높은 분자량에도 불구하고 더 낮은 Td-5% loss 값을 갖는 것을 확인하였다. 또한, 분석 후 pan에 잔류하는 화합물의 비율도 헤테로아릴기를 갖지 않는 보론 화합물인 BD-A와 유사하게 5% 이내의 비율로 얻어졌다.이 실험을 통해 본 명세서의 일 실시상태에 따른 화학식 1, 즉 O 또는 S를 포함하는 5원 고리를 포함하는 비대칭 보론 화합물은 유사한 분자량 대비 낮은 Td-5% loss 값을 가지므로 낮은 승화온도를 가질 수 있어 열안정성 측명에서 우수하고, 증착 소자에도 적합한 유기 재료라는 것을 확인하였다.
실험예 4. 유기 발광 소자의 제작
실시예 1
ITO(indium tin oxide)가 1,400Å의 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 세제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척 하였다. 이 때, 세제로는 피셔사(Fischer Co.) 제품을 사용하였으며, 증류수로는 밀리포어사(Millipore Co.) 제품의 필터(Filter)로 2차로 걸러진 증류수를 사용하였다. ITO를 30분간 세척한 후, 증류수로 2회 반복하여 초음파 세척을 10분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후, 이소프로필알콜, 아세톤, 메탄올의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후, 플라즈마 세정기로 수송시켰다. 또한, 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 5분간 세정한 후 진공 증착기로 기판을 수송시켰다.
상기와 같이 준비된 ITO 투명 전극 위에 하기 HI-A와 LG-101을 각각 650 Å, 50 Å의 두께로 열 진공증착하여 정공주입층을 형성하였다. 상기 정공 주입층 위에 하기 HT-A를 600 Å의 두께로 진공 증착하여 정공수송층을 형성하였다. 상기 정공수송층 위에 하기 HT-B를 50 Å의 두께로 진공 증착하여 전자차단층을 형성하였다. 이어서, 상기 전자차단층 위에 청색 발광 도펀트로 상기 합성예 1의 화합물 1을 발광층 100중량부 기준으로 4중량부로 사용하고, 호스트로 하기 BH-A를 200Å의 두께로 진공 증착하여 발광층을 형성하였다. 그 다음에 상기 발광층 위에 제1 전자수송층으로 하기 화합물 ET-A 50Å을 진공 증착하고, 연이어 하기 ET-B 및 LiQ 를 1:1 중량비로 진공증착하여 360Å의 두께로 제2 전자수송층을 형성하였다. 상기 제2 전자수송층 위에 LiQ를 진공 증착하여 5Å의 두께로 진공증착하여 전자주입층을 형성하였다. 상기 전자주입층 위에 220Å두께로 알루미늄과 은을 10:1의 중량비로 증착하고 그 위에 알루미늄을 1000Å두께로 증착하여 음극을 형성하였다.
상기의 과정에서 유기물의 증착속도는 0.4 ~ 0.9 Å/sec를 유지하였고, 음극의 알루미늄은 2 Å/sec의 증착 속도를 유지하였으며, 증착시 진공도는 1 × 10-7~ 5 × 10-8 torr를 유지하여, 유기 발광 소자를 제작하였다.
Figure 112020128389401-pat00296
실시예 2 내지 50 및 비교예 1 내지 3
상기 실시예 1에서 발광층의 도펀트로 상기 화합물 1 대신 하기 표 6에 기재한 화합물을 각각 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 실시예 2 내지 실시예 50 및 비교예 1 내지 비교예 3의 유기 발광 소자를 각각 제작하였다.
Figure 112020128389401-pat00297
상기 실시예 1 내지 50 및 비교예 1 내지 3의 유기 발광 소자에 10 mA/cm2의 전류 밀도를 인가할 때의 전압, 효율 및 20 mA/cm2의 전류 밀도를 인가할 때의 수명(T95)을 측정하고, 그 결과를 하기 표 6에 나타내었다. 이 때, T95는 전류 밀도 20 mA/cm2에서의 초기 휘도를 100%로 하였을 때 휘도가 95%로 감소되는데 소요되는 시간을 의미하며, 비교예 1을 기준(100%)으로 비율을 나타내었다.
Figure 112020128389401-pat00298
Figure 112020128389401-pat00299
Figure 112020128389401-pat00300
실시예 51 내지 54 및 비교예 4
상기 실시예 1에서 발광층의 도펀트로 상기 화합물 1 대신 하기 표 7에 기재된 화합물을 사용하고, 호스트 물질로 BH-A 대신 하기로 하기 표 7에 기재된 화합물을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 실시예 51 내지 54, 비교예 4의 유기 발광 소자를 각각 제작하였다.
발광층의 제 1 호스트와 제 2 호스트의 중량비는 50 : 50 이다.
상기 실시예 51 내지 54 및 비교예 4의 유기 발광 소자에 10 mA/cm2의 전류 밀도를 인가할 때의 전압, 효율 및 20 mA/cm2의 전류 밀도를 인가할 때의 수명(T95)을 측정하고, 그 결과를 하기 표 7에 나타내었다. 이 때, T95는 전류 밀도 20 mA/cm2에서의 초기 휘도를 100%로 하였을 때 휘도가 95%로 감소되는데 소요되는 시간을 의미하며 상기 표 6의 비교예 1을 기준(100%)으로 비율로 나타내었다.
Figure 112020128389401-pat00301
　 제1 호스트 제2 호스트 도펀트 10 mA/cm2 20mA/cm2
전압(V) 양자효율(QE) LT95
실시예 51 BH-A BH-B 화합물 5 3.82 8.13 130
실시예 52 BH-A BH-B 화합물 19 3.79 8.53 142
실시예 53 BH-A BH-C 화합물 26 3.72 8.22 128
실시예 54 BH-B BH-C 화합물 48 3.68 8.57 116
비교예 4 BH-A BH-B BD-D 3.94 7.52 93
실시예 55 내지 57 및 비교예 5
상기 실시예 1에서 발광층의 도펀트로 상기 화합물 1 대신 하기 표 8에 기재된 화합물을 사용하고, 호스트 물질로 BH-A 대신 하기로 하기 표 8에 기재된 화합물을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 실시예 55 내지 57 및 비교예 5의 유기 발광 소자를 각각 제작하였다.발광층의 제 1 도펀트와 제 2 도펀트의 중량비는 50 : 50 이다.
Figure 112020128389401-pat00302
상기 실시예 55 내지 57 및 비교예 5의 유기 발광 소자에 10 mA/cm2의 전류 밀도를 인가할 때의 전압, 효율 및 20 mA/cm2의 전류 밀도를 인가할 때의 수명(T95)을 측정하고, 그 결과를 하기 표 8에 나타내었다. 이 때, T95는 전류 밀도 20 mA/cm2에서의 초기 휘도를 100%로 하였을 때 휘도가 95%로 감소되는데 소요되는 시간을 의미하며 상기 표 6의 비교예 1을 기준(100%)으로 비율로 나타내었다.
호스트 제1 도펀트 제2 도펀트 10 mA/cm2 20mA/cm2
전압(V) 양자효율(QE) LT95
실시예 55 BH-A 화합물 17 BD-A 3.87 8.47 121
실시예 56 BH-A 화합물 37 화합물 50 3.75 8.36 119
실시예 57 BH-C 화합물 14 화합물 39 3.81 8.28 124
비교예 5 BH-A BD-A BD-B 3.90 7.08 109
상기 표 6 내지 8에 있어서, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 화학식 1, 즉 O 또는 S를 포함하는 5원 고리를 포함하는 비대칭 보론 화합물을 유기 발광 소자에 포함하는 실시예 1 내지 57는 대칭구조의 보론 화합물을 포함하는 비교예 1 내지 5 보다 구동 전압이 낮고, 효율이 우수하며, 색순도가 좋고, 장수명의 효과를 나타냄을 알 수 있었다.
1: 기판
2: 제1 전극
3: 발광층
4: 제2 전극
5: 정공주입층
6: 정공차단층
7: 전자주입 및 수송층
8: 정공수송층
9: 전자차단층
10: 제1 전자수송층
11: 제2 전자수송층
12: 전자주입층

Claims (20)

  1. 하기 화학식 1로 표시되는 화합물:
    [화학식 1]
    Figure 112021122017280-pat00303

    상기 화학식 1에 있어서,
    A1은 하기 화학식 A1-1 내지 Al-5 중 어느 하나로 표시되는 구조이고,
    R1 내지 R4는 하기 1) 또는 2) 이고,
    1) R1 내지 R4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 시아노기; 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기; 탄소수 3 내지 30의 단환 또는 다환의 시클로알킬기; 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬실릴기; 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 할로알킬기; 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 할로알콕시기; 탄소수 6 내지 30의 아릴알킬기; 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 디아릴아민기; 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴기; 또는 탄소수 2 내지 30의 단화 또는 다환의 헤테로고리기이고, 상기 치환기는 중수소, 할로겐기, 시아노기, 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기, 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬실릴기, 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴기 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 이상으로 치환 또는 비치환되고,
    2) R1 내지 R4 중 인접한 기는 서로 결합하여 탄소수 3 내지 30의 단환 또는 다환의 지방족, 방향족, 또는 지방족 및 방향족 축합 탄화수소고리; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 단환 또는 다환의 지방족, 방향족, 또는 지방족 및 방향족 축합 헤테로고리를 형성하고, 상기 고리는 중수소; 할로겐기; 시아노기; 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기; 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 할로알킬기; 탄소수 3 내지 30의 단환 또는 다환의 시클로알킬기; 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬실릴기; 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴실릴기; 탄소수 6 내지 30의 아릴알킬기; 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 디아릴아민기; 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴기; 및 탄소수 2 내지 30의 단환 또는 다환의 헤테로고리기로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 이상으로 치환 또는 비치환되고,
    R5 및 R7은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 시아노기; 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기; 탄소수 3 내지 30의 단환 또는 다환의 시클로알킬기; 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬실릴기; 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 할로알킬기; 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 할로알콕시기; 탄소수 6 내지 30의 아릴알킬기; 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 디아릴아민기; 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴기; 또는 탄소수 2 내지 30의 단화 또는 다환의 헤테로고리기이고, 상기 치환기는 중수소, 할로겐기, 시아노기, 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기, 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬실릴기, 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴기 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 이상으로 치환 또는 비치환되고,
    R6은 중수소; 시아노기; 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기; 탄소수 3 내지 30의 단환 또는 다환의 시클로알킬기; 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬실릴기; 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 할로알킬기; 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 할로알콕시기; 탄소수 6 내지 30의 아릴알킬기; 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 디아릴아민기; 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴기; 또는 탄소수 2 내지 30의 단화 또는 다환의 헤테로고리기이고, 상기 치환기는 중수소, 할로겐기, 시아노기, 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기, 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬실릴기, 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴기 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 이상으로 치환 또는 비치환되고,
    R' 및 R"은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기; 탄소수 6 내지 30의 아릴알킬기; 탄소수 3 내지 30의 단환 또는 다환의 탄화수소고리기; 또는 탄소수 2 내지 30의 단환 또는 다환의 헤테로고리기이며, 상기 치환기는 중수소, 할로겐기, 시아노기, 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기, 탄소수 3 내지 30의 단환 또는 다환의 시클로알킬기, 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬실릴기, 탄소수 3 내지 30의 아릴실릴기, 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알콕시기, 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 할로알킬기, 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 할로알콕시기, 탄소수 6 내지 30의 아릴옥시기, 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴알킬기, 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 디아릴아민기, 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴기, 및 탄소수 2 내지 30의 단화 또는 다환의 헤테로고리기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 이상으로 치환 또는 비치환되고,
    [화학식 A1-1]
    Figure 112021122017280-pat00355

    [화학식 A1-2]
    Figure 112021122017280-pat00356

    [화학식 A1-3]
    Figure 112021122017280-pat00357

    [화학식 A1-4]
    Figure 112021122017280-pat00358

    [화학식 A1-5]
    Figure 112021122017280-pat00359

    상기 화학식 A1-1 내지 A1-5에 있어서,
    Y1 내지 Y5는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 O; 또는 S이며,
    G1 내지 G28은 하기 1) 또는 2) 이고,
    1) G1 내지 G28은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 시아노기; 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기; 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 할로알킬기; 탄소수 3 내지 30의 단환 또는 다환의 시클로알킬기; 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬실릴기; 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴실릴기; 탄소수 6 내지 30의 아릴알킬기; 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 디아릴아민기; 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴기; 또는 탄소수 2 내지 30의 단환 또는 다환의 헤테로고리기이고, 상기 치환기는 중수소, 할로겐기, 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 이상으로 치환 또는 비치환되고,
    2) G1 내지 G28은 인접한 기와 서로 결합하여 탄소수 3 내지 30의 단환 또는 다환의 지방족, 방향족, 또는 지방족 및 방향족 축합 탄화수소고리; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 단환 또는 다환의 지방족, 방향족, 또는 지방족 및 방향족 축합 헤테로고리를 형성하고, 상기 고리는 중수소; 할로겐기; 시아노기; 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기; 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 할로알킬기; 탄소수 3 내지 30의 단환 또는 다환의 시클로알킬기; 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬실릴기; 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴실릴기; 탄소수 6 내지 30의 아릴알킬기; 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 디아릴아민기; 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴기; 및 탄소수 2 내지 30의 단환 또는 다환의 헤테로고리기로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 이상으로 치환 또는 비치환되고,
    n11 및 n12는 각각 0 내지 2의 정수이며,
    상기 n11 및 n12가 2인 경우, 상기 두 개의 괄호 내의 구조는 서로 같거나 상이하고,
    Figure 112021122017280-pat00360
    는 상기 화학식 1에 결합되는 부위를 의미하고,
    상기 화학식 1은
    Figure 112021122017280-pat00361
    Figure 112021122017280-pat00362

    Figure 112021122017280-pat00363
    Figure 112021122017280-pat00364

    Figure 112021122017280-pat00365
    Figure 112021122017280-pat00366

    Figure 112021122017280-pat00367
    Figure 112021122017280-pat00368

    Figure 112021122017280-pat00369
    Figure 112021122017280-pat00370

    Figure 112021122017280-pat00371
    Figure 112021122017280-pat00372

    Figure 112021122017280-pat00373
    Figure 112021122017280-pat00374

    Figure 112021122017280-pat00375
    Figure 112021122017280-pat00376

    Figure 112021122017280-pat00377

    Figure 112021122017280-pat00378

    Figure 112021122017280-pat00379

    Figure 112021122017280-pat00380

    Figure 112021122017280-pat00381
    Figure 112021122017280-pat00382

    Figure 112021122017280-pat00383
    Figure 112021122017280-pat00384

    Figure 112021122017280-pat00385
    Figure 112021122017280-pat00386

    Figure 112021122017280-pat00387

    Figure 112021122017280-pat00388

    Figure 112021122017280-pat00389
    Figure 112021122017280-pat00390

    Figure 112021122017280-pat00391
    Figure 112021122017280-pat00392

    Figure 112021122017280-pat00393
    Figure 112021122017280-pat00394

    Figure 112021122017280-pat00395
    Figure 112021122017280-pat00396

    Figure 112021122017280-pat00397
    Figure 112021122017280-pat00398

    Figure 112021122017280-pat00399
    Figure 112021122017280-pat00400

    Figure 112021122017280-pat00401
    Figure 112021122017280-pat00402

    및
    Figure 112021122017280-pat00403
    을 제외한다.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 1-1 내지 1-5 중 어느 하나로 표시되는 것인 화합물:
    [화학식 1-1]
    Figure 112021122017280-pat00311

    [화학식 1-2]
    Figure 112021122017280-pat00312

    [화학식 1-3]
    Figure 112021122017280-pat00313

    [화학식 1-4]
    Figure 112021122017280-pat00314

    [화학식 1-5]
    Figure 112021122017280-pat00315

    상기 화학식 1-1 내지 1-5에 있어서,
    R', R" 및 R1 내지 R7의 정의는 상기 화학식 1에서 정의한 바와 동일하고,
    Y1 내지 Y5는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 O; 또는 S이며,
    G1 내지 G28은 하기 1) 또는 2) 이고,
    1) G1 내지 G28은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 시아노기; 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기; 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 할로알킬기; 탄소수 3 내지 30의 단환 또는 다환의 시클로알킬기; 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬실릴기; 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴실릴기; 탄소수 6 내지 30의 아릴알킬기; 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 디아릴아민기; 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴기; 또는 탄소수 2 내지 30의 단환 또는 다환의 헤테로고리기이고, 상기 치환기는 중수소, 할로겐기, 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 이상으로 치환 또는 비치환되고,
    2) G1 내지 G28은 인접한 기와 서로 결합하여 탄소수 3 내지 30의 단환 또는 다환의 지방족, 방향족, 또는 지방족 및 방향족 축합 탄화수소고리; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 단환 또는 다환의 지방족, 방향족, 또는 지방족 및 방향족 축합 헤테로고리를 형성하고, 상기 고리는 중수소; 할로겐기; 시아노기; 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기; 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 할로알킬기; 탄소수 3 내지 30의 단환 또는 다환의 시클로알킬기; 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬실릴기; 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴실릴기; 탄소수 6 내지 30의 아릴알킬기; 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 디아릴아민기; 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴기; 및 탄소수 2 내지 30의 단환 또는 다환의 헤테로고리기로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 이상으로 치환 또는 비치환되고,
    n11 및 n12는 각각 0 내지 2의 정수이며,
    상기 n11 및 n12가 2인 경우, 상기 두 개의 괄호 내의 구조는 서로 같거나 상이하다.
  5. 청구항 1에 있어서, 상기 R1 내지 R4 중 인접한 기는 서로 결합하여, 하기 화학식 B1-1 또는 B1-2로 표시되는 고리를 형성하는 것인 화합물:
    [화학식 B1-1]
    Figure 112021122017280-pat00316

    [화학식 B1-2]
    Figure 112021122017280-pat00317

    상기 화학식 B1-1 및 B1-2에 있어서,
    Y101 및 Y103는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 O; S; 또는 NR"'이며,
    R"', G101, G102 및 G107 내지 G110는 하기 1) 또는 2)이고,
    1) R"', G101, G102 및 G107 내지 G110은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 시아노기; 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기; 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 할로알킬기; 탄소수 3 내지 30의 단환 또는 다환의 시클로알킬기; 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬실릴기; 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴실릴기; 탄소수 6 내지 30의 아릴알킬기; 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 디아릴아민기; 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴기; 또는 탄소수 2 내지 30의 단환 또는 다환의 헤테로고리기이고, 상기 치환기는 중수소, 할로겐기, 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 이상으로 치환 또는 비치환되고,
    2) R"', G101, G102 및 G107 내지 G110은 인접한 기와 서로 결합하여 탄소수 3 내지 30의 단환 또는 다환의 지방족, 방향족, 또는 지방족 및 방향족 축합 탄화수소고리; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 단환 또는 다환의 지방족, 방향족, 또는 지방족 및 방향족 축합 헤테로고리를 형성하고, 상기 고리는 중수소; 할로겐기; 시아노기; 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기; 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 할로알킬기; 탄소수 3 내지 30의 단환 또는 다환의 시클로알킬기; 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬실릴기; 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴실릴기; 탄소수 6 내지 30의 아릴알킬기; 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 디아릴아민기; 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴기; 및 탄소수 2 내지 30의 단환 또는 다환의 헤테로고리기로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 이상으로 치환 또는 비치환되고,
    Figure 112021122017280-pat00318
    는 상기 화학식 1에 결합되는 부위를 의미한다.
  6. 청구항 1에 있어서, 상기 R1 내지 R4 중 인접한 기는 서로 결합하여, 하기 화학식 B1-3 내지 Bl-5 중 어느 하나로 표시되는 고리를 형성하는 것인 화합물:
    [화학식 B1-3]
    Figure 112021122017280-pat00319

    [화학식 B1-4]
    Figure 112021122017280-pat00320

    [화학식 B1-5]
    Figure 112021122017280-pat00321

    상기 화학식 B1-3 내지 B1-5에 있어서,
    Y102, Y104 및 Y105는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 O; S; 또는 NR"'이며,
    R"', G103 내지 G106 및 G111 내지 G128은 하기 1) 또는 2)이고,
    1) R"', G103 내지 G106 및 G111 내지 G128은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 시아노기; 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기; 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 할로알킬기; 탄소수 3 내지 30의 단환 또는 다환의 시클로알킬기; 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬실릴기; 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴실릴기; 탄소수 6 내지 30의 아릴알킬기; 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 디아릴아민기; 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴기; 또는 탄소수 2 내지 30의 단환 또는 다환의 헤테로고리기이고, 상기 치환기는 중수소, 할로겐기, 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 이상으로 치환 또는 비치환되고,
    2) R"', G103 내지 G106 및 G111 내지 G128은 인접한 기와 서로 결합하여 탄소수 3 내지 30의 단환 또는 다환의 지방족, 방향족, 또는 지방족 및 방향족 축합 탄화수소고리; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 단환 또는 다환의 지방족, 방향족, 또는 지방족 및 방향족 축합 헤테로고리를 형성하고, 상기 고리는 중수소; 할로겐기; 시아노기; 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기; 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 할로알킬기; 탄소수 3 내지 30의 단환 또는 다환의 시클로알킬기; 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬실릴기; 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴실릴기; 탄소수 6 내지 30의 아릴알킬기; 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 디아릴아민기; 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴기; 및 탄소수 2 내지 30의 단환 또는 다환의 헤테로고리기로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 이상으로 치환 또는 비치환되고,
    n111 및 n112는 각각 0 내지 2의 정수이며,
    상기 n111 및 n112가 2인 경우, 상기 두 개의 괄호 내의 구조는 서로 같거나 상이하고,
    Figure 112021122017280-pat00322
    는 상기 화학식 1에 결합되는 부위를 의미한다.
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화합물 중에서 선택되는 어느 하나인 것인 화합물:
    Figure 112020128389401-pat00323

    Figure 112020128389401-pat00324

    Figure 112020128389401-pat00325

    Figure 112020128389401-pat00326

    Figure 112020128389401-pat00327

    Figure 112020128389401-pat00328

    Figure 112020128389401-pat00329

    Figure 112020128389401-pat00330

    Figure 112020128389401-pat00331

    Figure 112020128389401-pat00332

    Figure 112020128389401-pat00333

    Figure 112020128389401-pat00334

    Figure 112020128389401-pat00335

    Figure 112020128389401-pat00336

    Figure 112020128389401-pat00337

    Figure 112020128389401-pat00338

    Figure 112020128389401-pat00339

    Figure 112020128389401-pat00340

    Figure 112020128389401-pat00341

    Figure 112020128389401-pat00342

    Figure 112020128389401-pat00343

    Figure 112020128389401-pat00344

    Figure 112020128389401-pat00345

    Figure 112020128389401-pat00346

    상기 화합물에 있어서, Ph는 페닐기를 의미한다.
  11. 제1 전극; 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1층 이상은 청구항 1, 4 내지 6 및 10 중 어느 한 항에 따른 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자.
  12. 청구항 11에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 상기 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자.
  13. 청구항 11에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 도펀트 물질을 포함하며, 상기 도펀트 물질은 상기 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자.
  14. 청구항 11에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 하기 화학식 H로 표시되는 화합물을 더 포함하는 것인 유기 발광 소자:
    [화학식 H]
    Figure 112021122017280-pat00347

    상기 화학식 H에 있어서,
    L20 및 L21은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 단환 또는 다환의 헤테로아릴렌기이고,
    Ar20 및 Ar21은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 단환 또는 다환의 헤테로고리기이고,
    R20은 수소; 중수소; 할로겐기; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 단환 또는 다환의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 단환 또는 다환의 헤테로고리기이고,
    상기 "치환 또는 비치환된"은 중수소; 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴기; 및 탄소수 2 내지 30의 단환 또는 다환의 헤테로고리기로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 이상의 치환기로 치환되었거나, 상기 예시된 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결된 치환기로 치환되거나, 또는 어떠한 치환기도 갖지 않는 것을 의미한다.
  15. 청구항 14에 있어서, 상기 Ar20은 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 단환 또는 다환의 헤테로고리기이고, 상기 Ar21은 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴기이고, 상기 "치환 또는 비치환된"은 중수소; 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴기; 및 탄소수 2 내지 30의 단환 또는 다환의 헤테로고리기로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 이상의 치환기로 치환되었거나, 상기 예시된 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결된 치환기로 치환되거나, 또는 어떠한 치환기도 갖지 않는 것을 의미하는 것인 유기 발광 소자.
  16. 청구항 11에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하며, 상기 발광층은 호스트 화합물을 더 포함하고, 상기 호스트 화합물은 치환 가능한 위치의 적어도 하나의 수소가 중수소로 치환된 것인 유기 발광 소자.
  17. 청구항 11에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 1종 이상의 도펀트 및 호스트를 포함하는 것인 유기 발광 소자.
  18. 청구항 11에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 2종 이상의 혼합 도펀트 및 호스트를 포함하는 것인 유기 발광 소자.
  19. 청구항 11에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 1 종 이상의 호스트, 및 도펀트를 포함하는 것인 유기 발광 소자.
  20. 청구항 11에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 2종 이상의 혼합 호스트, 및 도펀트를 포함하는 것인 유기 발광 소자.
KR1020200162708A 2019-11-29 2020-11-27 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자 KR102338207B1 (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20190156840 2019-11-29
KR1020190156840 2019-11-29
KR1020200060597 2020-05-20
KR1020200060597A KR20210067844A (ko) 2019-11-29 2020-05-20 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20210067942A KR20210067942A (ko) 2021-06-08
KR102338207B1 true KR102338207B1 (ko) 2021-12-10

Family

ID=76129748

Family Applications (10)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200060630A KR20210067845A (ko) 2019-11-29 2020-05-20 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR1020200060591A KR20210067843A (ko) 2019-11-29 2020-05-20 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR1020200060597A KR20210067844A (ko) 2019-11-29 2020-05-20 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR1020200063750A KR102653422B1 (ko) 2019-11-29 2020-05-27 유기 발광 소자
KR1020200162677A KR102331457B1 (ko) 2019-11-29 2020-11-27 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR1020200162881A KR20210067947A (ko) 2019-11-29 2020-11-27 유기 발광 소자
KR1020200162683A KR102332680B1 (ko) 2019-11-29 2020-11-27 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR1020200162603A KR102491267B1 (ko) 2019-11-29 2020-11-27 유기 발광 소자
KR1020200162708A KR102338207B1 (ko) 2019-11-29 2020-11-27 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR1020200162704A KR102479914B1 (ko) 2019-11-29 2020-11-27 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자

Family Applications Before (8)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200060630A KR20210067845A (ko) 2019-11-29 2020-05-20 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR1020200060591A KR20210067843A (ko) 2019-11-29 2020-05-20 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR1020200060597A KR20210067844A (ko) 2019-11-29 2020-05-20 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR1020200063750A KR102653422B1 (ko) 2019-11-29 2020-05-27 유기 발광 소자
KR1020200162677A KR102331457B1 (ko) 2019-11-29 2020-11-27 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR1020200162881A KR20210067947A (ko) 2019-11-29 2020-11-27 유기 발광 소자
KR1020200162683A KR102332680B1 (ko) 2019-11-29 2020-11-27 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR1020200162603A KR102491267B1 (ko) 2019-11-29 2020-11-27 유기 발광 소자

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200162704A KR102479914B1 (ko) 2019-11-29 2020-11-27 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자

Country Status (6)

Country Link
US (4) US11685751B2 (ko)
EP (3) EP3907228A4 (ko)
JP (4) JP7095212B2 (ko)
KR (10) KR20210067845A (ko)
CN (4) CN113348171A (ko)
WO (1) WO2021107694A1 (ko)

Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210067845A (ko) 2019-11-29 2021-06-08 주식회사 엘지화학 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
US20230125146A1 (en) * 2020-01-22 2023-04-27 Sfc Co., Ltd Polycyclic aromatic derivative compound and organic light-emitting device using same
WO2021210894A1 (ko) * 2020-04-16 2021-10-21 에스에프씨 주식회사 신규한 보론 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자
CN114512617A (zh) * 2020-11-17 2022-05-17 京东方科技集团股份有限公司 一种发光器件、显示装置和发光器件的制作方法
CN112961174A (zh) * 2021-02-05 2021-06-15 吉林奥来德光电材料股份有限公司 一种多环芳族化合物及其制备方法和应用
CN112939788A (zh) * 2021-03-01 2021-06-11 浙江虹舞科技有限公司 一种金刚烷胺类化合物及其应用以及包含该化合物的有机电致发光器件
KR20220128256A (ko) * 2021-03-12 2022-09-20 에스에프씨 주식회사 유기발광소자
EP4056577A1 (en) * 2021-03-12 2022-09-14 SFC Co., Ltd. Polycyclic compound and organic electroluminescent device using the same
US20220310925A1 (en) * 2021-03-12 2022-09-29 Sfc Co., Ltd Polycyclic compound and organic electroluminescent device using the same
CN113135935B (zh) * 2021-04-14 2023-03-24 吉林奥来德光电材料股份有限公司 一种多环芳族系化合物及其制备方法和应用
CN113201003A (zh) * 2021-05-08 2021-08-03 吉林奥来德光电材料股份有限公司 一种有机电致发光化合物及其应用
KR20230025536A (ko) * 2021-08-05 2023-02-22 에스에프씨 주식회사 유기발광소자
CN113416206B (zh) * 2021-08-23 2022-03-15 浙江华显光电科技有限公司 螺环化合物、制剂、有机电致发光二极管及显示装置
KR20230078561A (ko) * 2021-11-26 2023-06-02 에스에프씨 주식회사 고효율 및 장수명의 유기발광소자
WO2023113459A1 (ko) * 2021-12-14 2023-06-22 에스에프씨 주식회사 안트라센 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자
CN116396311A (zh) * 2021-12-24 2023-07-07 江苏三月科技股份有限公司 一种含硼有机化合物及其制备的有机电致发光器件
CN115322162B (zh) * 2021-12-30 2023-07-21 陕西莱特光电材料股份有限公司 有机化合物、有机电致发光器件和电子装置
CN115521214B (zh) * 2022-02-25 2023-08-18 陕西莱特光电材料股份有限公司 有机化合物及包含其的电子元件和电子装置
WO2023172069A1 (ko) * 2022-03-11 2023-09-14 에스에프씨 주식회사 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자
KR20230141972A (ko) * 2022-03-24 2023-10-10 (주)피엔에이치테크 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자
CN114920766B (zh) * 2022-05-06 2024-05-03 吉林奥来德光电材料股份有限公司 一种多环芳族系有机电致发光化合物及其制备方法
CN115772185B (zh) * 2022-11-04 2023-08-25 石家庄诚志永华显示材料有限公司 一种多环化合物及包含其的有机电致发光器件
CN115724869A (zh) * 2022-11-15 2023-03-03 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 有机化合物、发光元件及显示面板
WO2024120527A1 (zh) * 2022-12-08 2024-06-13 浙江光昊光电科技有限公司 一种含硼氮的有机化合物及其在有机电子器件中的应用
WO2024128314A1 (ja) * 2022-12-16 2024-06-20 国立大学法人京都大学 多環芳香族化合物
CN116217608B (zh) * 2023-05-08 2023-08-18 浙江华显光电科技有限公司 含硅化合物及其在有机发光装置的应用
CN116903561A (zh) * 2023-07-28 2023-10-20 长春海谱润斯科技股份有限公司 一种三胺衍生物及其有机电致发光器件
CN116891449A (zh) * 2023-07-28 2023-10-17 长春海谱润斯科技股份有限公司 一种三胺类化合物及其有机电致发光器件
CN117209461B (zh) * 2023-11-09 2024-03-22 浙江华显光电科技有限公司 一种有机光电化合物、具有该化合物的组合物及有机发光装置
CN117886786B (zh) * 2024-03-12 2024-06-18 浙江华显光电科技有限公司 一种有机化合物、具有该化合物的oled和有机发光装置
CN117946146B (zh) * 2024-03-27 2024-06-18 浙江华显光电科技有限公司 含咪唑及衍生基团的硼氮化合物、有机电致发光器件及应用

Family Cites Families (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5935199B2 (ja) 1976-03-23 1984-08-27 富士産業株式会社 リ−ド付電子部品の印刷配線基板への装架装置
JPS5935199U (ja) 1982-08-30 1984-03-05 櫻木　光男 波動推進装置
DE10135513B4 (de) 2001-07-20 2005-02-24 Novaled Gmbh Lichtemittierendes Bauelement mit organischen Schichten
WO2006033563A1 (en) 2004-09-24 2006-03-30 Lg Chem. Ltd. Organic light emitting device
JP5509634B2 (ja) 2009-03-16 2014-06-04 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、照明装置及び有機エレクトロルミネッセンス素子材料
US10374166B2 (en) 2014-02-18 2019-08-06 Kwansei Gakuin Educational Foundation Polycyclic aromatic compound
TWI636056B (zh) * 2014-02-18 2018-09-21 學校法人關西學院 多環芳香族化合物及其製造方法、有機元件用材料及其應用
JP6447213B2 (ja) 2015-02-16 2019-01-09 オンキヨー株式会社 信号受信装置、及び、スピーカー装置
TWI688137B (zh) 2015-03-24 2020-03-11 學校法人關西學院 有機電場發光元件、顯示裝置以及照明裝置
JP6927497B2 (ja) * 2016-02-10 2021-09-01 学校法人関西学院 遅延蛍光有機電界発光素子
JPWO2017188111A1 (ja) 2016-04-26 2019-02-28 学校法人関西学院 有機電界発光素子
KR102512628B1 (ko) 2016-05-11 2023-03-24 덕산네오룩스 주식회사 유기전기 소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
CN108586507B (zh) * 2016-07-29 2020-11-17 中节能万润股份有限公司 一种长寿命含硼有机电致发光化合物及其应用
KR102109075B1 (ko) * 2017-02-24 2020-05-11 주식회사 엘지화학 유기 발광 소자
CN110382488B (zh) * 2017-03-08 2023-11-03 出光兴产株式会社 化合物、有机电致发光元件用材料、有机电致发光元件和电子设备
EP3605635A4 (en) * 2017-03-24 2020-12-23 Idemitsu Kosan Co., Ltd. ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT AND ELECTRONIC DEVICE
US20210005825A1 (en) 2017-04-03 2021-01-07 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescent element and electronic device
KR102053324B1 (ko) 2017-05-02 2019-12-06 주식회사 엘지화학 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기발광 소자
KR101876763B1 (ko) 2017-05-22 2018-07-11 머티어리얼사이언스 주식회사 유기화합물 및 이를 포함하는 유기전계발광소자
US10109803B1 (en) * 2017-08-14 2018-10-23 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence device and electronic device
JP6967433B2 (ja) 2017-11-27 2021-11-17 エスケーマテリアルズジェイエヌシー株式会社 有機電界発光素子
JP7044547B2 (ja) 2017-12-28 2022-03-30 出光興産株式会社 新規化合物及び有機エレクトロルミネッセンス素子
US20210062078A1 (en) 2017-12-28 2021-03-04 Idemitsu Kosan Co.,Ltd. Novel compound and organic electroluminescence device
US20210066599A1 (en) 2017-12-28 2021-03-04 Idemitsu Kosan Co.,Ltd. Novel compound and organic electroluminescence device
JP2019119680A (ja) 2017-12-28 2019-07-22 出光興産株式会社 新規化合物及び有機エレクトロルミネッセンス素子
JP6940046B2 (ja) 2018-02-23 2021-09-22 エルジー・ケム・リミテッド ヘテロ環化合物およびこれを含む有機発光素子
US20190280209A1 (en) * 2018-03-08 2019-09-12 Jnc Corporation Organic electroluminescent element
KR101990818B1 (ko) * 2018-05-04 2019-06-19 머티어리얼사이언스 주식회사 유기전계발광소자
EP3565018B1 (en) * 2018-05-04 2024-05-08 Samsung Display Co., Ltd. Organic electroluminescent device emitting blue light
CN108658953A (zh) * 2018-05-16 2018-10-16 上海道亦化工科技有限公司 一种基于二苯并呋喃和咔唑的化合物及其用途和发光器件
WO2020054676A1 (ja) * 2018-09-10 2020-03-19 学校法人関西学院 有機電界発光素子
KR20200034899A (ko) 2018-09-21 2020-04-01 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 장치
KR102094830B1 (ko) * 2018-11-30 2020-03-30 에스에프씨 주식회사 다환 방향족 유도체 화합물 및 이를 이용한 유기발광소자
KR20190127529A (ko) 2018-12-19 2019-11-13 머티어리얼사이언스 주식회사 유기전계발광소자
KR20200087906A (ko) 2019-01-11 2020-07-22 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 소자 및 유기 전계 발광 소자용 다환 화합물
KR102144446B1 (ko) 2019-01-21 2020-08-13 에스에프씨주식회사 유기 발광 소자용 화합물 및 이를 포함하는 장수명의 유기발광소자
JPWO2020218079A1 (ko) * 2019-04-22 2020-10-29
WO2020231214A1 (ko) * 2019-05-15 2020-11-19 주식회사 엘지화학 유기발광소자
TW202104239A (zh) 2019-06-14 2021-02-01 學校法人關西學院 多環芳香族化合物或多環芳香族化合物的多聚體、反應性化合物、高分子化合物或高分子交聯體、懸掛型高分子化合物或懸掛型高分子交聯體、有機元件用材料、組成物、有機電致發光元件、顯示裝置或照明裝置及多環芳香族化合物或多環芳香族化合物的多聚體的製造方法
KR102239995B1 (ko) 2019-06-20 2021-04-14 에스에프씨주식회사 유기발광 소자용 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자
JP6960020B2 (ja) 2019-06-20 2021-11-05 エスエフシー カンパニー リミテッド 有機発光素子用化合物及びこれを含む有機発光素子
JP2022540575A (ja) 2019-07-17 2022-09-16 エスエフシー カンパニー リミテッド 新規なホウ素化合物及びこれを含む有機発光素子
KR102148296B1 (ko) 2019-07-29 2020-08-26 에스에프씨주식회사 보론 화합물을 포함하는 유기발광소자
KR102378695B1 (ko) 2019-07-31 2022-03-25 주식회사 엘지화학 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
JP2021038206A (ja) * 2019-08-30 2021-03-11 学校法人関西学院 多環芳香族化合物
WO2021049660A1 (ja) * 2019-09-13 2021-03-18 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子及び電子機器
KR102430998B1 (ko) * 2019-10-11 2022-08-11 주식회사 엘지화학 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
WO2021107741A1 (ko) 2019-11-29 2021-06-03 주식회사 엘지화학 유기 발광 소자
WO2021107744A1 (ko) 2019-11-29 2021-06-03 주식회사 엘지화학 유기 발광 소자
US20220263027A1 (en) 2019-11-29 2022-08-18 Lg Chem, Ltd. Compound and organic light emitting device comprising same
KR102441139B1 (ko) 2019-11-29 2022-09-07 주식회사 엘지화학 유기 발광 소자
KR20210067845A (ko) 2019-11-29 2021-06-08 주식회사 엘지화학 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
WO2021150092A1 (ko) 2020-01-20 2021-07-29 주식회사 엘지화학 유기 발광 소자

Also Published As

Publication number Publication date
JP7143570B2 (ja) 2022-09-29
KR102653422B1 (ko) 2024-04-01
EP3909958A1 (en) 2021-11-17
JP2022191264A (ja) 2022-12-27
KR20210067947A (ko) 2021-06-08
KR20210067942A (ko) 2021-06-08
EP3909958A4 (en) 2022-03-02
KR102491267B1 (ko) 2023-01-26
EP3919500A4 (en) 2022-03-16
US11685751B2 (en) 2023-06-27
CN113348171A (zh) 2021-09-03
US20220348597A1 (en) 2022-11-03
US20230075017A1 (en) 2023-03-09
CN113348172B (zh) 2022-10-11
JP2022512453A (ja) 2022-02-03
CN113366002B (zh) 2022-09-27
KR102332680B1 (ko) 2021-12-01
KR20210067939A (ko) 2021-06-08
EP3919500A1 (en) 2021-12-08
US20220089617A1 (en) 2022-03-24
JP2022534828A (ja) 2022-08-04
EP3907228A4 (en) 2022-03-02
KR20210067844A (ko) 2021-06-08
CN113348172A (zh) 2021-09-03
KR20210067845A (ko) 2021-06-08
KR20210067848A (ko) 2021-06-08
KR102331457B1 (ko) 2021-12-01
KR20210067938A (ko) 2021-06-08
KR20210067843A (ko) 2021-06-08
US20230061019A1 (en) 2023-03-02
JP7184242B2 (ja) 2022-12-06
KR102479914B1 (ko) 2022-12-21
KR20210067941A (ko) 2021-06-08
KR20210067940A (ko) 2021-06-08
US11780856B2 (en) 2023-10-10
CN114402453A (zh) 2022-04-26
EP3907228A1 (en) 2021-11-10
JP7095212B2 (ja) 2022-07-05
CN113366002A (zh) 2021-09-07
WO2021107694A1 (ko) 2021-06-03
EP3909958B1 (en) 2023-12-27
JP2022514108A (ja) 2022-02-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102338207B1 (ko) 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR102422413B1 (ko) 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR102424710B1 (ko) 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
JP6849248B2 (ja) 化合物およびこれを含む有機発光素子
KR102041705B1 (ko) 벤조카바졸계 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
EP3327024B1 (en) Heterocyclic compound and organic light emitting diode comprising same
WO2022249505A1 (ja) 化合物、発光材料および発光素子
KR102216771B1 (ko) 유기 발광 소자
KR20190113661A (ko) 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR20200021423A (ko) 유기 발광 소자
KR102428976B1 (ko) 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR20190140659A (ko) 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기발광 소자
KR102038606B1 (ko) 헤테로 고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR102430077B1 (ko) 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
KR102312478B1 (ko) 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR102120916B1 (ko) 유기발광 화합물 및 이를 포함하는 유기전계발광소자
KR102120545B1 (ko) 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR20220065934A (ko) 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR20200005502A (ko) 유기 발광 소자
KR102551490B1 (ko) 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
WO2022254965A1 (ja) 化合物、発光材料および発光素子
KR20210137258A (ko) 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR20210094486A (ko) 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR20230071733A (ko) 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
WO2023090288A1 (ja) 化合物、発光材料および発光素子

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant