KR102317696B1 - 보호막 피복 방법 및 보호막 피복 장치 - Google Patents
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Abstract
[과제] 스피너 코팅에 의해서 웨이퍼의 표면에 보호막을 형성하는 방법에 있어서, 보호막을 형성하는 액상 수지의 공급량을 적게 하더라도 웨이퍼의 표면에 균일한 보호막을 형성할 수 있는 보호막 피복 방법 및 보호막 피복 장치를 제공한다.
[해결수단] 레이저 가공해야 할 웨이퍼의 표면에 액상 수지를 피복하여 보호막을 형성하는 보호막 형성 방법으로서, 스피너 테이블에 웨이퍼의 표면을 상측으로 하여 유지하는 웨이퍼 유지 공정과, 스피너 테이블에 유지된 웨이퍼의 표면 중앙 영역에 액상 수지를 적하하는 액상 수지 적하 공정과, 표면 중앙 영역에 액상 수지가 적하된 웨이퍼에 물을 공급하여 웨이퍼의 표면 전체면에 물의 층을 형성하는 수층 형성 공정과, 스피너 테이블을 회전하여 웨이퍼의 회전에 따라 물의 층에 작용하는 원심력에 의해서 물의 층을 비산시킴으로써 액상 수지를 확산시켜 웨이퍼의 표면 전체면에 얇은 보호막층을 형성하는 액상 수지 확산 공정과, 스피너 테이블을 액상 수지 확산 공정보다 느린 속도로 회전함과 함께 웨이퍼의 표면 전체면에 액상 수지 적하 공정보다 많은 양의 액상 수지를 공급하는 액상 수지 공급 공정과, 스피너 테이블을 상기 액상 수지 공급 공정보다 빠른 속도로 회전하여 웨이퍼의 회전에 따라 액상 수지에 작용하는 원심력에 의해서 확장하여 웨이퍼의 표면 전체면에 보호막을 형성하는 보호막 형성 공정을 포함한다.
[해결수단] 레이저 가공해야 할 웨이퍼의 표면에 액상 수지를 피복하여 보호막을 형성하는 보호막 형성 방법으로서, 스피너 테이블에 웨이퍼의 표면을 상측으로 하여 유지하는 웨이퍼 유지 공정과, 스피너 테이블에 유지된 웨이퍼의 표면 중앙 영역에 액상 수지를 적하하는 액상 수지 적하 공정과, 표면 중앙 영역에 액상 수지가 적하된 웨이퍼에 물을 공급하여 웨이퍼의 표면 전체면에 물의 층을 형성하는 수층 형성 공정과, 스피너 테이블을 회전하여 웨이퍼의 회전에 따라 물의 층에 작용하는 원심력에 의해서 물의 층을 비산시킴으로써 액상 수지를 확산시켜 웨이퍼의 표면 전체면에 얇은 보호막층을 형성하는 액상 수지 확산 공정과, 스피너 테이블을 액상 수지 확산 공정보다 느린 속도로 회전함과 함께 웨이퍼의 표면 전체면에 액상 수지 적하 공정보다 많은 양의 액상 수지를 공급하는 액상 수지 공급 공정과, 스피너 테이블을 상기 액상 수지 공급 공정보다 빠른 속도로 회전하여 웨이퍼의 회전에 따라 액상 수지에 작용하는 원심력에 의해서 확장하여 웨이퍼의 표면 전체면에 보호막을 형성하는 보호막 형성 공정을 포함한다.
Description
본 발명은, 반도체 웨이퍼 등의 피가공물의 가공면에 보호막을 피복하는 보호막 피복 방법 및 보호막 피복 장치에 관한 것이다.
반도체 디바이스 제조 공정에서는, 대략 원판 형상인 반도체 웨이퍼의 표면에 격자형으로 배열된 스트리트라고 불리는 분할 예정 라인에 의해서 복수의 영역이 구획되고, 이 구획된 영역에 IC, LSI 등의 디바이스를 형성한다. 그리고, 반도체 웨이퍼를 스트리트를 따라서 절단함으로써 디바이스가 형성된 영역을 분할하여 개개의 디바이스를 제조하고 있다.
이러한 반도체 웨이퍼나 광 디바이스 웨이퍼 등의 웨이퍼를 분할 예정 라인을 따라서 분할하는 방법으로서, 웨이퍼에 형성된 분할 예정 라인을 따라서 펄스 레이저광선을 조사함으로써 레이저 가공 홈을 형성하고, 이 레이저 가공 홈을 따라서 메커니컬 브레이킹 장치에 의해서 할단(割斷)하는 방법이 제안되어 있다(예컨대, 특허문헌 1 참조).
그런데, 웨이퍼의 분할 예정 라인을 따라서 레이저광선을 조사하면, 조사된 영역에 열에너지가 집중하여 데브리(debris)가 발생하고, 이 데브리가 디바이스의 표면에 부착되어 디바이스의 품질을 저하시킨다고 하는 새로운 문제가 생긴다.
상기 데브리에 의한 문제를 해소하기 위해서, 웨이퍼의 표면에 폴리비닐알코올(PVA) 등의 보호막을 피복하고, 보호막을 통하여 웨이퍼에 레이저광선을 조사함으로써 비산되는 데브리가 디바이스에 부착되지 않도록 한 가공 방법이 제안되어 있다(예컨대, 특허문헌 2 참조).
웨이퍼의 표면에 폴리비닐알코올(PVA) 등의 보호막을 피복하는 방법으로서는, 스피너 테이블에 웨이퍼를 흡인 유지하고, 스피너 테이블을 회전하면서 웨이퍼의 중심부에 폴리비닐알코올 등의 액상 수지를 공급하여 스피너 코팅하는 기술이 채용되고 있다.
그런데, 스피너 코팅에 의해서 웨이퍼의 표면에 보호막을 형성하는 방법에 있어서는, 웨이퍼의 표면 전체면에 균일하게 보호막을 형성하는 것이 어려움과 함께, 공급된 액상 수지의 대부분이 원심력에 의해서 비산되기 때문에 상당량의 액상 수지를 사용하게 되어 비경제적이라고 하는 문제가 있다.
본 발명은 상기 사실을 감안하여 이루어진 것으로, 그 주된 기술적 과제는, 스피너 코팅에 의해서 웨이퍼의 표면에 보호막을 형성하는 방법에 있어서, 보호막을 형성하는 액상 수지의 공급량을 적게 하더라도 웨이퍼의 표면에 균일한 보호막을 형성할 수 있는 보호막 피복 방법 및 보호막 피복 장치를 제공하는 것이다.
상기 주된 기술 과제를 해결하기 위해서, 본 발명에 따르면, 레이저 가공해야 할 웨이퍼의 표면에 액상 수지를 피복하여 보호막을 형성하는 보호막 형성 방법으로서,
스피너 테이블에 웨이퍼의 표면을 상측으로 하여 유지하는 웨이퍼 유지 공정과,
스피너 테이블에 유지된 웨이퍼의 표면 중앙 영역에 액상 수지를 적하하는 액상 수지 적하 공정과,
표면 중앙 영역에 액상 수지가 적하된 웨이퍼에 물을 공급하여 웨이퍼의 표면 전체면에 물의 층을 형성하는 수층 형성 공정과,
스피너 테이블을 회전하여 웨이퍼의 회전에 따라서 물의 층에 작용하는 원심력에 의해서 물의 층을 비산시킴으로써 액상 수지를 확산시켜 웨이퍼의 표면 전체면에 얇은 보호막층을 형성하는 액상 수지 확산 공정과,
스피너 테이블을 상기 액상 수지 확산 공정보다 느린 속도로 회전함과 함께 웨이퍼의 표면 전체면에 상기 액상 수지 적하 공정보다 많은 양의 액상 수지를 공급하는 액상 수지 공급 공정과,
스피너 테이블을 상기 액상 수지 공급 공정보다 빠른 속도로 회전하여 웨이퍼의 회전에 따라 액상 수지에 작용하는 원심력에 의해서 확장하여 웨이퍼의 표면 전체면에 보호막을 형성하는 보호막 형성 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 보호막 형성 방법이 제공된다.
또한, 본 발명에 있어서는, 웨이퍼의 표면에 액상 수지를 피복하여 보호막을 형성하는 보호막 피복 장치이며,
웨이퍼를 환상의 프레임에 장착된 보호 테이프에 접착한 상태로 유지하는 스피너 테이블과,
상기 스피너 테이블을 회전 구동하는 회전 구동 수단과,
상기 스피너 테이블에 유지된 환상의 프레임에 장착되어 있는 보호 테이프에 접착된 웨이퍼에 물을 공급하는 물 공급 기구와,
상기 스피너 테이블에 유지된 환상의 프레임에 장착되어 있는 보호 테이프에 접착된 웨이퍼에 액상 수지를 공급하는 액상 수지 공급 기구와,
상기 회전 구동 수단과 상기 물 공급 기구와 상기 액상 수지 공급 기구를 제어하는 제어 수단을 구비하고,
상기 제어 수단은, 상기 액상 수지 공급 기구를 작동하여 상기 스피너 테이블에 유지된 웨이퍼의 표면 중앙 영역에 액상 수지를 적하하는 액상 수지 적하 공정과,
상기 액상 수지 적하 공정을 실시한 후에, 상기 물 공급 기구를 작동하여 표면 중앙 영역에 액상 수지가 적하된 웨이퍼에 물을 공급하여 웨이퍼의 표면 전체면에 물의 층을 형성하는 수층 형성 공정과,
상기 수층 형성 공정을 실시한 후에, 상기 회전 구동 수단을 작동하여 스피너 테이블을 회전하여 웨이퍼의 회전에 따라 물의 층에 작용하는 원심력에 의해서 물의 층을 비산시킴으로써 액상 수지를 확산시켜 웨이퍼의 표면 전체면에 얇은 보호막층을 형성하는 액상 수지 확산 공정과,
상기 액상 수지 확산 공정을 실시한 후에, 상기 회전 구동 수단을 작동하여 스피너 테이블을 상기 액상 수지 확산 공정보다 느린 속도로 회전함과 함께 상기 액상 수지 공급 기구를 작동하여 웨이퍼의 표면 전체면에 상기 액상 수지 적하 공정보다 많은 양의 액상 수지를 공급하는 액상 수지 공급 공정과,
상기 액상 수지 공급 공정을 실시한 후에, 상기 회전 구동 수단을 작동하여 스피너 테이블을 상기 액상 수지 공급 공정보다 빠른 속도로 회전하여 웨이퍼의 회전에 따라 액상 수지에 작용하는 원심력에 의해서 확장하여 웨이퍼의 표면 전체면에 보호막을 형성하는 보호막 형성 공정을 실행하는 것을 특징으로 하는 보호막 피복 장치가 제공된다.
본 발명에 의한 보호막 형성 방법은, 스피너 테이블에 유지된 웨이퍼의 표면 중앙 영역에 액상 수지를 적하하는 액상 수지 적하 공정과, 표면 중앙 영역에 액상 수지가 적하된 웨이퍼에 물을 공급하여 웨이퍼의 표면 전체면에 물의 층을 형성하는 수층 형성 공정과, 스피너 테이블을 회전하여 웨이퍼의 회전에 따라 물의 층에 작용하는 원심력에 의해서 물의 층을 비산시킴으로써 액상 수지를 확산시켜 웨이퍼의 표면 전체면에 얇은 보호막층을 형성하는 액상 수지 확산 공정과, 스피너 테이블을 상기 액상 수지 확산 공정보다 느린 속도로 회전함과 함께 웨이퍼의 표면 전체면에 상기 액상 수지 적하 공정보다 많은 양의 액상 수지를 공급하는 액상 수지 공급 공정과, 스피너 테이블을 상기 액상 수지 공급 공정보다 빠른 속도로 회전하여 웨이퍼의 회전에 따라 액상 수지에 작용하는 원심력에 의해서 확장하여 웨이퍼의 표면 전체면에 보호막을 형성하는 보호막 형성 공정을 포함하고 있기 때문에, 물의 층에 의해서 웨이퍼의 표면 전체면에 액상 수지가 확산되어 얇은 보호막층이 형성되고, 그 후, 웨이퍼의 표면 전체면에 액상 수지를 공급하면 얇은 보호막층과 친화되어 웨이퍼의 표면 전체면에 균일하게 보호막을 피복할 수 있다. 또한, 액상 수지가 얇은 보호막층과 친화성이 양호하므로, 액상 수지의 유동성이 양호해지기 때문에, 적은 액상 수지 양으로 수지막의 표면 전체에 균일한 두께의 보호막을 형성할 수 있다.
도 1은 본 발명에 따라서 구성된 보호막 피복겸 세정 장치를 장비한 레이저 가공기의 사시도.
도 2는 피가공물인 웨이퍼로서의 반도체 웨이퍼의 사시도.
도 3은 도 1에 도시하는 레이저 가공기에 장비되는 보호막 피복겸 세정 장치의 일부를 파단하여 도시하는 사시도.
도 4는 도 3에 도시하는 보호막 피복겸 세정 장치의 스피너 테이블을 피가공물 반입·반출 위치에 위치시킨 상태를 도시하는 설명도.
도 5는 도 3에 도시하는 보호막 피복겸 세정 장치의 스피너 테이블을 작업 위치에 위치시킨 상태를 도시하는 설명도.
도 6은 도 3에 도시하는 보호막 피복겸 세정 장치를 구성하는 제어 수단의 블록 구성도.
도 7은 본 발명에 의한 보호막 피복 방법에 있어서의 액상 수지 적하 공정의 설명도.
도 8은 본 발명에 의한 보호막 피복 방법에 있어서의 수층 형성 공정의 설명도.
도 9는 본 발명에 의한 보호막 피복 방법에 있어서의 액상 수지 확산 공정의 설명도.
도 10은 본 발명에 의한 보호막 피복 방법에 있어서의 액상 수지 공급 공정의 설명도.
도 11은 본 발명에 의한 보호막 피복 방법에 있어서의 보호막 형성 공정의 설명도.
도 12는 본 발명에 의한 보호막 피복 방법에 있어서의 건조 공정의 설명도.
도 13은 도 1에 도시하는 레이저 가공기를 이용하여 실시하는 레이저 가공 공정을 도시하는 설명도.
도 14는 도 13에 도시하는 레이저 가공 공정에 의해서 레이저 가공 홈이 형성된 반도체 웨이퍼의 주요부 확대 단면도.
도 2는 피가공물인 웨이퍼로서의 반도체 웨이퍼의 사시도.
도 3은 도 1에 도시하는 레이저 가공기에 장비되는 보호막 피복겸 세정 장치의 일부를 파단하여 도시하는 사시도.
도 4는 도 3에 도시하는 보호막 피복겸 세정 장치의 스피너 테이블을 피가공물 반입·반출 위치에 위치시킨 상태를 도시하는 설명도.
도 5는 도 3에 도시하는 보호막 피복겸 세정 장치의 스피너 테이블을 작업 위치에 위치시킨 상태를 도시하는 설명도.
도 6은 도 3에 도시하는 보호막 피복겸 세정 장치를 구성하는 제어 수단의 블록 구성도.
도 7은 본 발명에 의한 보호막 피복 방법에 있어서의 액상 수지 적하 공정의 설명도.
도 8은 본 발명에 의한 보호막 피복 방법에 있어서의 수층 형성 공정의 설명도.
도 9는 본 발명에 의한 보호막 피복 방법에 있어서의 액상 수지 확산 공정의 설명도.
도 10은 본 발명에 의한 보호막 피복 방법에 있어서의 액상 수지 공급 공정의 설명도.
도 11은 본 발명에 의한 보호막 피복 방법에 있어서의 보호막 형성 공정의 설명도.
도 12는 본 발명에 의한 보호막 피복 방법에 있어서의 건조 공정의 설명도.
도 13은 도 1에 도시하는 레이저 가공기를 이용하여 실시하는 레이저 가공 공정을 도시하는 설명도.
도 14는 도 13에 도시하는 레이저 가공 공정에 의해서 레이저 가공 홈이 형성된 반도체 웨이퍼의 주요부 확대 단면도.
이하, 본 발명에 의한 보호막 피복 방법 및 보호막 피복 장치의 적합한 실시형태에 관해서, 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 1에는 본 발명에 따라서 구성된 보호막 피복 장치를 장비한 레이저 가공기의 사시도가 도시되어 있다.
도 1에 도시하는 레이저 가공기(1)는, 대략 직방체형의 장치 하우징(2)을 구비하고 있다. 이 장치 하우징(2) 내에는 피가공물로서의 웨이퍼를 유지하는 척 테이블(3)이 화살표 X로 나타내는 가공 이송 방법 및 상기 가공 이송 방향(X)과 직교하는 인덱싱 이송 방향(Y)으로 이동 가능하게 배치되어 있다. 척 테이블(3)은, 흡착척 지지대(31)와, 상기 흡착척 지지대(31) 상에 장착된 흡착척(32)을 구비하고 있고, 상기 흡착척(32)의 표면인 배치면 상에 피가공물인 웨이퍼를 도시하지 않는 흡인 수단에 의해서 유지하도록 되어 있다. 또한, 척 테이블(3)은, 도시하지 않는 회전 기구에 의해서 회동 가능하게 구성되어 있다. 이와 같이 구성된 척 테이블(3)의 흡착척 지지대(31)에는 후술하는 환상의 프레임을 고정하기 위한 클램프(34)가 배치되어 있다. 또한, 레이저 가공기(1)는, 상기 척 테이블(3)을 가공 이송 방향(X)으로 가공 이송하는 도시하지 않는 가공 이송 수단, 및 인덱싱 이송 방향(Y)으로 인덱싱 이송하는 도시하지 않는 인덱싱 이송 수단을 구비하고 있다.
도시하는 레이저 가공기(1)는, 상기 척 테이블(3)에 유지된 피가공물로서의 웨이퍼에 레이저 가공을 실시하는 레이저광선 조사 수단(4)을 구비하고 있다. 레이저광선 조사 수단(4)은, 레이저광선 발진 수단(41)과, 상기 레이저광선 발진 수단(41)에 의해서 발진된 레이저광선을 집광하는 집광기(42)를 구비하고 있다. 또, 레이저 가공기(1)는, 레이저광선 발진 수단(41)을 척 테이블(3)의 상면인 배치면에 수직인 방향인 화살표 Z로 나타내는 집광점 위치 조정 방향으로 이동하는 도시하지 않는 이동 수단을 구비하고 있다.
도시하는 레이저 가공기(1)는, 상기 척 테이블(3)의 흡착척(32) 상에 유지된 피가공물의 표면을 촬상하고, 상기 레이저광선 조사 수단(4)의 집광기(42)로부터 조사되는 레이저광선에 의해서 가공해야 할 영역을 검출하는 촬상 수단(5)을 구비하고 있다. 이 촬상 수단(5)은, 가시광선에 의해서 촬상하는 통상의 촬상 소자(CCD) 외에, 피가공물에 적외선을 조사하는 적외선 조명 수단과, 상기 적외선 조명 수단에 의해서 조사된 적외선을 포착하는 광학계와, 상기 광학계에 의해서 포착된 적외선에 대응한 전기신호를 출력하는 촬상 소자(적외선 CCD) 등으로 구성되어 있고, 촬상한 화상 신호를 후술하는 제어 수단에 보낸다. 또한, 도시하는 레이저 가공기(1)는, 촬상 수단(5)에 의해서 촬상된 화상을 표시하는 표시 수단(6)을 구비하고 있다.
도시하는 레이저 가공기(1)는, 피가공물인 웨이퍼로서의 반도체 웨이퍼(10)를 수용하는 카세트가 배치되는 카세트 배치부(11a)를 구비하고 있다. 카세트 배치부(11a)에는 도시하지 않는 승강 수단에 의해서 상하로 이동 가능하게 카세트 테이블(111)이 배치되어 있고, 이 카세트 테이블(111) 상에 카세트(11)가 배치된다. 반도체 웨이퍼(10)는, 환상의 프레임(F)에 장착된 보호 테이프(T)의 표면에 접착되어 있고, 보호 테이프(T)를 통해 환상의 프레임(F)에 지지된 상태로 상기 카세트(11)에 수용된다. 또, 반도체 웨이퍼(10)는, 도 2에 도시하는 것과 같이 표면(10a)에 격자형으로 배열된 복수의 분할 예정 라인(101)에 의해서 복수의 영역이 구획되고, 이 구획된 영역에 IC, LSI 등의 디바이스(102)가 형성되어 있다. 이와 같이 구성된 반도체 웨이퍼(10)는, 도 1에 도시하는 것과 같이 환상의 프레임(F)에 장착된 보호 테이프(T)에 표면(10a), 즉 분할 예정 라인(101) 및 디바이스(102)가 형성되어 있는 면을 상측으로 하여 이면이 접착된다.
도시하는 레이저 가공기(1)는, 상기 카세트(11)에 수납된 가공전의 반도체 웨이퍼(10)를 임시 배치부(12a)에 배치된 위치 맞춤 수단(12)에 반출함과 함께 가공후의 반도체 웨이퍼(10)를 카세트(11)에 반입하는 웨이퍼 반출·반입 수단(13)과, 위치 맞춤 수단(12)에 반출된 가공전의 반도체 웨이퍼(10)를 후술하는 보호막 피복겸 세정 장치(7)에 반송함과 함께 보호막 피복겸 세정 장치(7)에 의해서 표면에 보호막이 피복된 반도체 웨이퍼(10)를 상기 척 테이블(3) 상에 반송하는 제1 웨이퍼 반송 수단(14)과, 척 테이블(3) 상에서 가공된 반도체 웨이퍼(10)를 보호막 피복겸 세정 장치(7)에 반송하는 제2 웨이퍼 반송 수단(15)을 구비하고 있다.
다음에, 가공전의 피가공물인 반도체 웨이퍼(10)의 표면(피가공면)에 보호막을 피복함과 함께, 가공후의 반도체 웨이퍼(10)의 표면에 피복된 보호막을 제거하는 보호막 피복겸 세정 장치(7)에 관해서, 도 3 내지 도 5를 참조하여 설명한다.
도시하는 실시형태에 있어서의 보호막 피복겸 세정 장치(7)는, 스피너 테이블 기구(71)와, 상기 스피너 테이블 기구(71)를 포위하여 배치된 물 받이 수단(72)을 구비하고 있다. 스피너 테이블 기구(71)는, 스피너 테이블(711)과, 상기 스피너 테이블(711)을 회전 구동하는 회전 구동 수단으로서의 전동 모터(712)와, 상기 전동 모터(712)를 상하 방향으로 이동 가능하게 지지하는 지지 수단(713)을 구비하고 있다. 스피너 테이블(711)은 다공성 재료로 형성된 흡착척(711a)을 구비하고 있고, 이 흡착척(711a)이 도시하지 않는 흡인 수단에 연통되어 있다. 따라서, 스피너 테이블(711)은, 흡착척(711a)에 피가공물인 웨이퍼를 배치하여 도시하지 않는 흡인 수단에 의해서 부압을 작용시킴으로써 흡착척(711) 상에 웨이퍼를 유지한다. 전동 모터(712)는, 그 구동축(712a)의 상단에 상기 스피너 테이블(711)을 연결한다. 상기 지지 수단(713)은, 복수개(도시하는 실시형태에서는 3개)의 지지 다리(713a)와, 상기 지지 다리(713a)를 각각 연결하여 전동 모터(712)에 부착된 복수개(도시의 실시형태에서는 3개)의 에어실린더(713b)로 이루어져 있다. 이와 같이 구성된 지지 수단(713)은, 에어실린더(713b)를 작동함으로써, 전동 모터(712) 및 스피너 테이블(711)을 도 4에 도시하는 상방 위치인 피가공물 반입·반출 위치와, 도 5에 도시하는 하방 위치인 작업 위치에 위치시킨다.
상기 물 받이 수단(72)은, 세정수 받이 용기(721)와, 상기 세정수 받이 용기(721)를 지지하는 3개(도 3에는 2개가 도시되어 있음)의 지지 다리(722)와, 상기 전동 모터(712)의 구동축(712a)에 장착된 커버 부재(723)를 구비하고 있다. 세정수 받이 용기(721)는, 도 4 및 도 5에 도시하는 것과 같이 원통형의 외측벽(721a)과 저벽(721b)과 내측벽(721c)으로 이루어져 있다. 저벽(721b)의 중앙부에는 상기 전동 모터(712)의 구동축(712a)이 삽입 관통하는 구멍(721d)이 형성되어 있고, 이 구멍(721d)의 주연으로부터 상방으로 돌출하는 내측벽(721c)이 형성되어 있다. 또한, 도 3에 도시하는 것과 같이 저벽(721b)에는 배액구(721e)가 형성되어 있고, 이 배액구(721e)에 드레인 호스(724)가 접속되어 있다. 상기 커버 부재(723)는, 원반형상으로 형성되어 있고, 그 외주연으로부터 하방으로 돌출하는 커버부(723a)를 구비하고 있다. 이와 같이 구성된 커버 부재(723)는, 전동 모터(712) 및 스피너 테이블(711)이 도 5에 도시하는 작업 위치에 위치되면, 커버부(723a)가 상기 세정수 받이 용기(721)를 구성하는 내측벽(721c)의 외측에 간극을 가지며 중합하도록 위치된다.
도시하는 실시형태에 있어서의 보호막 피복겸 세정 장치(7)는, 상기 스피너 테이블(711)에 유지된 가공전의 피가공물인 반도체 웨이퍼(10)의 표면(피가공면)에 액상 수지를 공급하는 액상 수지 공급 기구(74)를 구비하고 있다. 액상 수지 공급 기구(74)는, 스피너 테이블(711)에 유지된 가공전의 반도체 웨이퍼(10)의 표면(피가공면)을 향해 액상 수지를 공급하는 수지 공급 노즐(741)과, 상기 수지 공급 노즐(741)을 요동시키는 정회전·역회전 가능한 전동 모터(742)를 구비하고 있고, 수지 공급 노즐(741)이 액상 수지 공급 수단(740)(도 4 및 도 5 참조)에 접속되어 있다. 수지 공급 노즐(741)은, 수평으로 연장되는 노즐부(741a)와, 상기 노즐부(741a)로부터 하방으로 연장되는 지지부(741b)로 이루어져 있고, 지지부(741b)가 상기 세정수 받이 용기(721)를 구성하는 저벽(721b)에 형성된 도시하지 않는 삽입 관통 구멍을 삽입 관통하여 배치되어 수지액 공급 수단(740)(도 4 및 도 5 참조)에 접속되어 있다. 또, 수지 공급 노즐(741)의 지지부(741b)가 삽입 관통하는 도시하지 않는 삽입 관통 구멍의 주연에는, 지지부(741b)와의 사이를 시일하는 시일 부재(도시하지 않음)가 장착되어 있다.
도시하는 실시형태에 있어서의 보호막 피복겸 세정 장치(7)는, 상기스피너 테이블(711)에 유지된 가공후의 피가공물인 반도체 웨이퍼(10)에 물을 공급하기 위한 물 공급 기구(75)를 구비하고 있다. 물 공급 기구(75)는, 스피너 테이블(711)에 유지된 웨이퍼를 향해서 물을 공급하는 물 공급 노즐(751)과, 상기 물 공급 노즐(751)을 요동시키는 정회전·역회전 가능한 전동 모터(752)를 구비하고 있고, 상기 물 공급 노즐(751)이 물 공급 수단(750)(도 4 및 도 5 참조)에 접속되어 있다. 물 공급 노즐(751)은, 수평으로 연장되어 선단부가 하방으로 굴곡된 노즐부(751a)와, 상기 노즐부(751a)의 기단으로부터 하방으로 연장되는 지지부(751b)로 이루어져 있고, 지지부(751b)가 상기 세정수 받이 용기(721)를 구성하는 저벽(721b)에 형성된 도시하지 않는 삽입 관통 구멍을 삽입 관통하여 배치되어 물 공급 수단(750)(도 4 및 도 5 참조)에 접속되어 있다. 또, 물 공급 노즐(751)의 지지부(751b)가 삽입 관통하는 도시하지 않는 삽입 관통 구멍의 주연에는, 지지부(751b)와의 사이를 시일하는 시일 부재(도시하지 않음)가 장착되어 있다.
또한, 도시하는 실시형태에 있어서의 보호막 피복겸 세정 장치(7)는, 상기 스피너 테이블(711)에 유지된 가공후의 피가공물인 반도체 웨이퍼(10)에 에어를 공급하기 위한 상기 에어 공급 기구(76)를 구비하고 있다. 에어 공급 기구(76)는, 스피너 테이블(711)에 유지된 세정후의 웨이퍼를 향해서 에어를 분출하는 에어 공급 노즐(761)과, 상기 에어 공급 노즐(761)을 요동시키는 정회전·역회전 가능한 전동 모터(762)를 구비하고 있고, 상기 에어 공급 노즐(761)이 에어 공급 수단(760)(도 4 및 도 5 참조)에 접속되어 있다. 에어 공급 노즐(761)은, 수평으로 연장되어 선단부가 하방으로 굴곡된 노즐부(761a)와, 상기 노즐부(761a)의 기단으로부터 하방으로 연장되는 지지부(761b)로 이루어져 있고, 지지부(761b)가 상기 세정수 받이 용기(721)를 구성하는 저벽(721b)에 형성된 도시하지 않는 삽입 관통 구멍을 삽입 관통하여 배치되어 에어 공급 수단(760)(도 4 및 도 5 참조)에 접속되어 있다. 또, 에어 공급 노즐(761)의 지지부(761b)가 삽입 관통하는 도시하지 않는 삽입 관통 구멍의 주연부에는, 지지부(761b)와의 사이를 시일하는 시일 부재(도시하지 않음)가 장착되어 있다.
도시하는 실시형태에 있어서의 보호막 형성겸 세정 장치(7)는, 도 6에 도시하는 제어 수단(8)을 구비하고 있다. 이 제어 수단(8)은, 제어 프로그램에 따라서 상기 스피너 테이블 기구(71)의 전동 모터(712) 및 에어실린더(713b), 액상 수지 공급 기구(74)의 액상 수지 공급 수단(740) 및 전동 모터(742), 물 공급 기구(75)의 물 공급 수단(750) 및 전동 모터(752), 에어 공급 기구(76)의 에어 공급 수단(760) 및 전동 모터(762) 등을 제어한다. 또, 제어 수단(8)은, 레이저 가공기의 각 기구를 작동하는 제어 수단과 겸용하여도 좋다.
상술한 보호막 피복겸 세정 장치(7)를 장비한 레이저 가공기(1)는 이상과 같이 구성되어 있고, 이하 그 작동에 관해서 설명한다.
도 1에 도시하는 것과 같이 환상의 프레임(F)에 보호 테이프(T)를 통해 지지된 가공전의 반도체 웨이퍼(10)(이하, 단순히 반도체 웨이퍼(10)라 함)는, 피가공면인 표면(10a)을 상측으로 하여 카세트(11)의 소정 위치에 수용되어 있다. 카세트(11)의 소정 위치에 수용된 가공전의 반도체 웨이퍼(10)는, 도시하지 않는 승강 수단에 의해서 카세트 테이블(111)이 상하 이동함으로써 반출 위치에 위치된다. 다음에, 웨이퍼 반출·반입 수단(13)이 진퇴 작동하여 반출 위치에 위치된 반도체 웨이퍼(10)를 임시 배치부(12a)에 배치된 위치 맞춤 수단(12)에 반출한다. 위치 맞춤 수단(12)에 반출된 반도체 웨이퍼(10)는, 위치 맞춤 수단(12)에 의해서 소정의 위치에 정렬된다. 다음에, 위치 맞춤 수단(12)에 의해서 위치 맞춤된 가공전의 반도체 웨이퍼(10)는, 제1 웨이퍼 반송 수단(14)의 선회 동작에 의해서 보호막 피복겸 세정 장치(7)를 구성하는 스피너 테이블(711)의 흡착척(711a) 상에 반송되어, 상기 흡착척(711a)에 흡인 유지된다(웨이퍼 유지 공정). 이 때, 스피너 테이블(711)은 도 4에 도시하는 피가공물 반입·반출 위치에 위치되어 있고, 수지 공급 노즐(741)과 물 공급 노즐(751) 및 에어 공급 노즐(761)은 도 3 및 도 4에 도시하는 것과 같이 스피너 테이블(711)의 상방으로부터 이격된 대기 위치에 위치되어 있다.
가공전의 반도체 웨이퍼(10)를 보호막 피복겸 세정 장치(7)의 스피너 테이블(711) 상에 유지하는 웨이퍼 유지 공정을 실시했다면, 반도체 웨이퍼(10)의 피가공면인 표면(10a)에 보호막을 피복하는 보호막 피복 공정을 실시한다. 이 보호막 피복 공정은, 우선 스피너 테이블(711)에 유지된 반도체 웨이퍼(10)의 피가공면인 표면(10a)의 중앙 영역에 액상 수지를 적하하는 액상 수지 적하 공정을 실시한다. 즉, 제어 수단(8)은, 지지 수단(713)의 에어실린더(713b)를 작동하여 스피너 테이블(711)을 작업 위치에 위치시킴과 함께, 액상 수지 공급 기구(74)의 전동 모터(742)를 작동하여 수지 공급 노즐(741)의 노즐부(741a)를 도 7에 도시하는 것과 같이 스피너 테이블(711)에 유지된 반도체 웨이퍼(10)의 피가공면인 표면(10a)의 중앙부 상방에 위치시킨다. 그리고, 제어 수단(8)은, 액상 수지 공급 수단(740)을 작동하여 스피너 테이블(711)에 유지된 반도체 웨이퍼(10)의 피가공면인 표면(10a) 중앙 영역에 액상 수지(110)를 소정량 적하하는 액상 수지 적하 공정을 실시한다. 이 액상 수지 적하 공정에서 적하하는 액상 수지(110)의 양은, 피가공물인 반도체 웨이퍼(10)에 직경이 200 mm인 경우에는 2∼3 cc라도 좋다. 또, 액상 수지 적하 공정에서 적하하는 액상 수지(110)는, 예컨대 PVA(Poly Vinyl Alcohol), PEG(Poly Ethylene Glycol), PEO(Poly Ethylene Oxide) 등의 수용성의 레지스트가 바람직하다.
상술한 액상 수지 적하 공정을 실시했다면, 표면 중앙 영역에 액상 수지가 적하된 반도체 웨이퍼(10)에 물을 공급하여 반도체 웨이퍼(10)의 표면 전체면에 물의 층을 형성하는 수층 형성 공정을 실시한다. 즉, 제어 수단(8)은, 액상 수지 공급 기구(74)의 전동 모터(742)를 작동하여 수지 공급 노즐(741)의 노즐부(741a)를 대기 위치에 위치시킨다. 다음에, 제어 수단(8)은, 물 공급 기구(75)의 전동 모터(752)를 작동하여 물 공급 노즐(751)의 노즐부(751a)를 도 8에 도시하는 것과 같이 스피너 테이블(711)에 유지된 반도체 웨이퍼(10)의 표면(10a)의 중앙부 상방에 위치시킨다. 다음에, 제어 수단(8)은 물 공급 수단(750)을 작동하여, 물 공급 노즐(751)의 노즐부(751a)로부터 물을 공급한다. 또, 수층 형성 공정에서 공급되는 물의 양은, 피가공물인 반도체 웨이퍼(10)에 직경이 200 mm인 경우에는 200 cc 정도라도 좋다. 이와 같이 하여 공급된 물은, 반도체 웨이퍼(10)가 접착된 보호 테이프(T)가 장착되어 있는 환상의 프레임(F)의 상면에 도달하면, 환상의 프레임(F)의 내주면과 보호 테이프(T)에 의해서 형성되는 영역이 물로 채워짐에 따라, 스피너 테이블(711)에 유지된 반도체 웨이퍼(10)의 피가공면인 표면(10a)을 덮는 두께 1∼3 mm 정도의 물의 층(120)이 형성된다.
상술한 수층 형성 공정을 실시했다면, 스피너 테이블(711)을 회전하여 반도체 웨이퍼(10)의 회전에 따라 물의 층에 작용하는 원심력에 의해서 물의 층을 비산시킴으로써 액상 수지를 확산시켜 반도체 웨이퍼(10)의 표면 전체면에 얇은 보호막층을 형성하는 액상 수지 확산 공정을 실시한다. 즉, 제어 수단(8)은, 도 9(a)에 도시하는 것과 같이 스피너 테이블 기구(71)의 전동 모터(712)를 작동하여 스피너 테이블(711)을 회전하여 반도체 웨이퍼(10)의 회전에 따라 물의 층(120)에 작용하는 원심력에 의해서 물의 층을 비산시킴과 함께 액상 수지(110)를 확장함으로써, 도 9(b)에 도시하는 것과 같이 반도체 웨이퍼(10)의 표면(10a)의 표면 전체면에 얇은 보호막층(111)을 형성하는 액상 수지 확산 공정을 실시한다. 이 액상 수지 확산 공정에서는, 물의 층(120)에 의해서 반도체 웨이퍼(10)의 표면(10a)의 표면 전체면에 액상 수지(110)가 확산되어 얇은 보호막층(111)을 형성할 수 있다. 또, 액상 수지 확산 공정에서는, 제어 수단(8)은, 스피너 테이블 기구(71)의 전동 모터(712)를 작동하여 스피너 테이블(711)을 화살표로 나타내는 방향으로 예컨대 2000 rpm의 회전 속도로 5초간 회전시킨다.
상술한 액상 수지 확산 공정을 실시했다면, 스피너 테이블(711)을 액상 수지 확산 공정보다 느린 속도로 회전함과 함께 반도체 웨이퍼(10)의 표면 전체면에 상기 액상 수지 적하 공정보다 많은 양의 액상 수지를 공급하는 액상 수지 공급 공정을 실시한다. 즉, 제어 수단(8)은, 도 10에 도시하는 것과 같이 스피너 테이블 기구(71)의 전동 모터(712)를 작동하여 스피너 테이블(711)을 액상 수지 확산 공정보다 느린 속도인 예컨대 45 rpm의 회전 속도로 15초간 회전함과 함께, 수지액 공급 수단(740)을 작동하여 스피너 테이블(711)에 유지된 반도체 웨이퍼(10)의 피가공면인 표면(10a) 전체면에 상기 액상 수지 적하 공정보다 많은 양의 액상 수지(110)를 공급한다. 이 때, 제어 수단(8)은, 수지액 공급 기구(74)의 전동 모터(742)를 작동하여 수지 공급 노즐(741)의 노즐부(741a)를 소요 각도 범위에서 요동하여 도 10에 도시하는 것과 같이 스피너 테이블(711)에 유지된 반도체 웨이퍼(10)의 표면(10a)의 중앙부로부터 외주부 사이에서 이동된다. 이 액상 수지 공급 공정에서 공급하는 액상 수지(110)의 양은, 15 cc 정도라도 좋다.
상술한 액상 수지 공급 공정을 실시했다면, 스피너 테이블(711)을 액상 수지 공급 공정보다 빠른 속도로 회전하여 반도체 웨이퍼(10)의 회전에 따라 액상 수지에 작용하는 원심력에 의해서 확장하여 반도체 웨이퍼(10)의 표면(10a) 전체면에 보호막을 형성하는 보호막 형성 공정을 실시한다. 즉, 제어 수단(8)은, 도 11에 도시하는 것과 같이 스피너 테이블 기구(71)의 전동 모터(712)를 작동하여 스피너 테이블(711)을 상기 액상 수지 확산 공정보다 빠른 속도인 예컨대 2000 rpm의 회전 속도로 60초간 회전한다. 이 결과, 스피너 테이블(711)에 유지된 반도체 웨이퍼(10)의 회전에 따라 액상 수지(110)에 작용하는 원심력에 의해서 액상 수지(110)를 확장하여 반도체 웨이퍼(10)의 표면(10a) 전체면에 보호막(112)이 형성된다. 이 액상 수지 공급 공정에서는, 상기 액상 수지 확산 공정을 실시함으로써 반도체 웨이퍼(10)의 표면(10a)에는 얇은 보호막층(111)(도 10 참조)이 형성되어 있기 때문에, 액상 수지의 유동성이 양호하게 되기 때문에, 적은 액상 수지량으로 수지막의 표면 전체에 균일한 두께의 보호막(112)을 형성할 수 있다.
다음에, 제어 수단(8)은, 도 12에 도시하는 것과 같이 스피너 테이블 기구(71)의 전동 모터(712)를 작동하여 스피너 테이블(711)을 화살표로 나타내는 방향으로 500 rpm의 회전 속도로 120초간 회전함으로써 스피너 건조하는 건조 공정을 실시한다. 이 때, 제어 수단(8)은, 에어 공급 기구(76)의 전동 모터(762)를 작동하여 에어 공급 노즐(761)의 노즐부(761a)를 도 12에 도시하는 것과 같이 스피너 테이블(711)에 유지된 반도체 웨이퍼(10)의 피가공면인 표면(10a)의 중앙부 상방에 위치시키고, 에어 공급 수단(760)을 작동하여 반도체 웨이퍼(10)의 피가공면인 표면(10a)에 피복된 보호막(112)에 에어를 공급하면서 에어 공급 노즐(761)의 노즐부(761a)를 소요 각도 범위에서 요동시키는 것이 바람직하다.
상술한 것과 같이 반도체 웨이퍼(10)의 가공면인 표면(10a)에 보호막(112)을 피복하는 보호막 피복 공정을 실시했다면, 스피너 테이블(711)을 도 4에 도시하는 피가공물 반입·반출 위치에 위치시킴과 함께, 스피너 테이블(711)에 유지되어 있는 반도체 웨이퍼(10)의 흡인 유지를 해제한다. 그리고, 스피너 테이블(711) 상의 반도체 웨이퍼(10)는, 제2 웨이퍼 반송 수단(15)에 의해서 척 테이블(3)의 흡착척(32) 상에 반송되어, 상기 흡착척(32)에 흡인 유지된다. 이와 같이 하여 반도체 웨이퍼(10)를 흡인 유지한 척 테이블(3)은, 도시하지 않는 가공 이송 수단에 의해서 레이저광선 조사 수단(4)에 배치된 촬상 수단(5)의 바로 아래에 위치된다.
척 테이블(3)이 촬상 수단(5)의 바로 아래에 위치되면, 촬상 수단(5) 및 도시하지 않는 제어 수단에 의해서 반도체 웨이퍼(10)에 소정 방향으로 형성되어 있는 분할 예정 라인(101)과, 분할 예정 라인(101)을 따라 레이저광선을 조사하는 레이저광선 조사 수단(4)의 집광기(42)와의 위치 맞춤을 하기 위한 패턴 매칭 등의 화상 처리가 실행되고, 레이저광선 조사 위치의 얼라이먼트가 수행된다. 또한, 반도체 웨이퍼(10)에 형성되어 있는 상기 소정 방향에 대하여 직각으로 연장되는 분할 예정 라인(101)에 대해서도, 마찬가지로 레이저광선 조사 위치의 얼라이먼트가 수행된다. 이 때, 반도체 웨이퍼(10)의 분할 예정 라인(101)이 형성되어 있는 표면(10a)에는 보호막(112)이 형성되어 있지만, 보호막(112)이 투명하지 않은 경우는 적외선으로 촬상하여 표면으로부터 얼라이먼트할 수 있다.
이상과 같이 하여 척 테이블(3) 상에 유지되어 있는 반도체 웨이퍼(10)에 형성되어 있는 분할 예정 라인(101)을 검출하고, 레이저광선 조사 위치의 얼라이먼트가 실시되었다면, 도면에서 도시하는 것과 같이 척 테이블(3)을 레이저광선을 조사하는 레이저광선 조사 수단(4)의 집광기(42)가 위치하는 레이저광선 조사 영역으로 이동하고, 소정의 분할 예정 라인(101)을 집광기(42)의 바로 아래에 위치시킨다. 이 때, 도 13의 (a)에서 도시하는 것과 같이 반도체 웨이퍼(10)는, 분할 예정 라인(101)의 일단(도 13의 (a)에서 좌단)이 집광기(42)의 바로 아래에 위치하도록 위치된다. 다음에, 레이저광선 조사 수단(4)의 집광기(42)로부터 펄스 레이저광선을 조사하면서 척 테이블(3)을 도 13의 (a)에서 화살표 X1로 나타내는 방향으로 소정의 가공이송 속도로 이동시킨다. 그리고, 도 13의 (b)에서 도시하는 것과 같이 분할 예정 라인(101)의 타단(도 13의 (b)에서 우단)이 집광기(42)의 바로 아래 위치에 도달하면, 펄스 레이저광선의 조사를 정지함과 함께 척 테이블(3), 즉 반도체 웨이퍼(10)의 이동을 정지한다. 이 레이저 가공 홈 형성 공정에서는, 펄스 레이저광선의 집광점(P)을 분할 예정 라인(101)의 표면 부근에 맞춘다.
상술한 레이저광선 조사 공정을 실시함으로써, 반도체 웨이퍼(10)의 분할 예정 라인(101)에는 도 14에 도시하는 것과 같이 레이저 가공 홈(140)이 형성된다. 이 때, 도 14에 도시하는 것과 같이 레이저광선의 조사에 의해서 데브리(150)가 발생하더라도, 이 데브리(150)는 보호막(112)에 의해서 차단되고, 디바이스(102) 및 본딩 패드 등에 부착하는 일은 없다. 이 레이저광선 조사 공정에서는, 반도체 웨이퍼(10)의 가공면인 표면(10a)에 형성된 보호막(112)이 상술한 것과 같이 균일하기 때문에, 안정된 레이저 가공 홈(140)을 형성할 수 있다. 그리고, 상술한 레이저광선 조사 공정을 반도체 웨이퍼(10)의 모든 분할 예정 라인(101)에 실시한다.
또, 상기 레이저광선 조사 공정은, 예컨대 이하의 가공 조건으로 실시된다.
레이저 광선의 광원 : YVO4 레이저 또는 YAG 레이저
파장 : 355 nm
반복 주파수 : 50 kHz
출력 : 4 W
집광 스폿 직경 : 9.2 ㎛
가공 이송 속도: 200 mm/초
상술한 레이저광선 조사 공정을 반도체 웨이퍼(10)의 모든 분할 예정 라인(101)을 따라서 실시했다면, 반도체 웨이퍼(10)를 유지하고 있는 척 테이블(3)은, 처음에 반도체 웨이퍼(10)를 흡인 유지한 위치로 복귀되어, 여기서 반도체 웨이퍼(10)의 흡인 유지를 해제한다. 그리고, 반도체 웨이퍼(10)는, 제2 웨이퍼 반송 수단(15)에 의해서 보호막 피복겸 세정 장치(7)를 구성하는 스피너 테이블(711)의 흡착척(711a) 상에 반송되고, 상기 흡착척(711a)에 흡인 유지된다. 이 때 수지 공급 노즐(741)과 에어 노즐(751) 및 세정수 노즐(761)은, 도 3 및 도 4에 도시하는 것과 같이 스피너 테이블(711)의 상방으로부터 이격된 대기 위치에 위치되어 있다.
가공후의 반도체 웨이퍼(10)가 보호막 피복겸 세정 장치(7)의 스피너 테이블(711) 상에 유지되었다면, 세정 공정을 실행한다. 즉, 스피너 테이블(711)을 작업 위치에 위치시킴과 함께, 물 공급 기구(75)의 ++전동 모터(752)를 작동하여 물 공급 노즐(751)의 노즐부(751a)를 스피너 테이블(711) 상에 유지된 반도체 웨이퍼(10)의 중심부 상방에 위치시킨다. 그리고, 스피너 테이블(711)을 예컨대 800 rpm의 회전 속도로 회전하면서 물 공급 수단(750)을 작동하여, 노즐부(751a)로부터 물을 분출한다. 또, 노즐부(751a)를 소위 2유체 노즐로 구성하여 0.2 MPa 정도의 압력의 물을 공급함과 함께, 0.3∼0.5 MPa 정도의 압력의 에어를 공급하도록 하면, 물이 에어의 압력으로 분출하여 반도체 웨이퍼(10)의 가공면인 표면(10a)를 효과적으로 세정할 수 있다. 이 때, 전동 모터(752)를 작동하여 물 공급 노즐(751)의 노즐부(751a)에서 분출된 물이 스피너 테이블(711)에 유지된 반도체 웨이퍼(10)의 중심에 해당하는 위치로부터 외주부에 해당하는 위치까지의 소요 각도 범위에서 요동된다. 이 결과, 반도체 웨이퍼(10)의 표면(10a)에 피복된 보호막(112)이 상술한 것과 같이 수용성의 수지에 의해서 형성되어 있기 때문에, 보호막(112)을 용이하게 씻어 버릴 수 있음과 함께, 레이저 가공시에 발생한 데브리(150)도 제거된다.
상술한 세정 공정이 종료되면, 건조 공정을 실행한다. 즉, 물 공급 노즐(751)을 대기 위치에 위치시키고, 스피너 테이블(711)을 예컨대 3000 rpm의 회전 속도로 15초 정도 회전시킨다. 이 때, 에어 공급 기구(76)의 전동 모터(762)를 작동하여 에어 공급 노즐(761)의 노즐부(761a)를 스피너 테이블(711)에 유지된 반도체 웨이퍼(10)의 피가공면인 표면(10a)의 중앙부 상방에 위치시키고, 에어 공급 수단(760)을 작동하여 반도체 웨이퍼(10)의 피가공면인 표면(10a)에 에어를 공급하면서 에어 공급 노즐(761)의 노즐부(761a)를 소요 각도 범위에서 요동시키는 것이 바람직하다.
상술한 것과 같이 가공후의 반도체 웨이퍼(10)의 세정 및 건조가 종료되면, 스피너 테이블(711)의 회전을 정지함과 함께, 에어 공급 기구(76)의 에어 공급 노즐(761)을 대기 위치에 위치시킨다. 그리고, 스피너 테이블(711)을 도 4에 도시하는 피가공물 반입·반출 위치에 위치시킴과 함께, 스피너 테이블(711)에 유지되어 있는 반도체 웨이퍼(10)의 흡인 유지를 해제한다. 다음에, 스피너 테이블(711) 상의 가공후의 반도체 웨이퍼(10)는, 제1 웨이퍼 반송 수단(14)에 의해서 임시 배치부(12a)에 배치된 위치 맞춤 수단(12)에 반출한다. 위치 맞춤 수단(12)에 반출된 가공후의 반도체 웨이퍼(10)는, 웨이퍼 반출·반입 수단(13)에 의해서 카세트(11)의 소정 위치에 수납된다.
이상, 본 발명을 도시한 실시형태에 기초하여 설명했지만, 본 발명은 실시형태에만 한정되는 것이 아니라, 본 발명의 취지의 범위에서 여러가지의 변형은 가능하다. 예컨대, 상술한 실시형태에 있어서는 보호막 피복 장치를 레이저 가공기에 배치한 예를 나타내었지만, 보호막 피복 장치는 단독의 장치로서 구성하더라도 좋다.
2 : 장치 하우징 3 : 척 테이블
4 : 레이저광선 조사 수단 41 : 레이저광선 발진 수단
42 : 집광기 5 : 촬상 수단
6 : 표시 수단 7 : 보호막 피복겸 세정 수단
71 : 스피너 테이블 기구 711 : 스피너 테이블
712 : 전동 모터 72 : 물 받이 수단
74 : 액상 수지 공급 기구 740 : 액상 수지 공급 수단
741 : 수지 공급 노즐 75 : 물 공급 기구
750 : 물 공급 수단 751 : 물 공급 노즐
76 : 에어 공급 기구 760 : 에어 공급 수단
761 : 에어 공급 노즐 10 : 반도체 웨이퍼
11 : 카세트 12 : 위치 맞춤 수단
13 : 웨이퍼 반출·반입 수단 14 : 제1 웨이퍼 반송 수단
15 : 제2 웨이퍼 반송 수단 F : 환상의 프레임
T : 보호 테이프
4 : 레이저광선 조사 수단 41 : 레이저광선 발진 수단
42 : 집광기 5 : 촬상 수단
6 : 표시 수단 7 : 보호막 피복겸 세정 수단
71 : 스피너 테이블 기구 711 : 스피너 테이블
712 : 전동 모터 72 : 물 받이 수단
74 : 액상 수지 공급 기구 740 : 액상 수지 공급 수단
741 : 수지 공급 노즐 75 : 물 공급 기구
750 : 물 공급 수단 751 : 물 공급 노즐
76 : 에어 공급 기구 760 : 에어 공급 수단
761 : 에어 공급 노즐 10 : 반도체 웨이퍼
11 : 카세트 12 : 위치 맞춤 수단
13 : 웨이퍼 반출·반입 수단 14 : 제1 웨이퍼 반송 수단
15 : 제2 웨이퍼 반송 수단 F : 환상의 프레임
T : 보호 테이프
Claims (2)
- 레이저 가공해야 할 웨이퍼의 표면에 액상 수지를 피복하여 보호막을 형성하는 보호막 형성 방법으로서,
스피너 테이블에 웨이퍼의 표면을 상측으로 하여 유지하는 웨이퍼 유지 공정과,
스피너 테이블에 유지된 웨이퍼의 표면 중앙 영역에 액상 수지를 적하하는 액상 수지 적하 공정과,
표면 중앙 영역에 액상 수지가 적하된 웨이퍼에 물을 공급하여 웨이퍼의 표면 전체면에 물의 층을 형성하는 수층 형성 공정과,
스피너 테이블을 회전하여 웨이퍼의 회전에 따라 물의 층에 작용하는 원심력에 의해서 물의 층을 비산시킴으로써 액상 수지를 확산시켜 웨이퍼의 표면 전체면에 보호막층을 형성하는 액상 수지 확산 공정과,
스피너 테이블을 상기 액상 수지 확산 공정보다 느린 속도로 회전함과 함께 웨이퍼의 표면 전체면에 상기 액상 수지 적하 공정보다 많은 양의 액상 수지를 공급하는 액상 수지 공급 공정과,
스피너 테이블을 상기 액상 수지 공급 공정보다 빠른 속도로 회전하여 웨이퍼의 회전에 따라 액상 수지에 작용하는 원심력에 의해서 확장하여 웨이퍼의 표면 전체면에 보호막을 형성하는 보호막 형성 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 보호막 형성 방법. - 웨이퍼의 표면에 액상 수지를 피복하여 보호막을 형성하는 보호막 피복 장치로서,
웨이퍼를 환상의 프레임에 장착된 보호 테이프에 접착한 상태로 유지하는 스피너 테이블과,
상기 스피너 테이블을 회전 구동하는 회전 구동 수단과,
상기 스피너 테이블에 유지된 환상의 프레임에 장착되어 있는 보호 테이프에 접착된 웨이퍼에 물을 공급하는 물 공급 기구와,
상기 스피너 테이블에 유지된 환상의 프레임에 장착되어 있는 보호 테이프에 접착된 웨이퍼에 액상 수지를 공급하는 액상 수지 공급 기구와,
상기 회전 구동 수단과 상기 물 공급 기구와 상기 액상 수지 공급 기구를 제어하는 제어 수단을 구비하고,
상기 제어 수단은, 상기 액상 수지 공급 기구를 작동하여 상기 스피너 테이블에 유지된 웨이퍼의 표면 중앙 영역에 액상 수지를 적하하는 액상 수지 적하 공정과,
상기 액상 수지 적하 공정을 실시한 후에, 상기 물 공급 기구를 작동하여 표면 중앙 영역에 액상 수지가 적하된 웨이퍼에 물을 공급하여 웨이퍼의 표면 전체면에 물의 층을 형성하는 수층 형성 공정과,
상기 수층 형성 공정을 실시한 후에, 상기 회전 구동 수단을 작동하여 스피너 테이블을 회전하여 웨이퍼의 회전에 따라 물의 층에 작용하는 원심력에 의해서 물의 층을 비산시킴으로써 액상 수지를 확산시켜 웨이퍼의 표면 전체면에 보호막층을 형성하는 액상 수지 확산 공정과,
상기 액상 수지 확산 공정을 실시한 후에, 상기 회전 구동 수단을 작동하여 스피너 테이블을 상기 액상 수지 확산 공정보다 느린 속도로 회전함과 함께 상기 액상 수지 공급 기구를 작동하여 웨이퍼의 표면 전체면에 상기 액상 수지 적하 공정보다 많은 양의 액상 수지를 공급하는 액상 수지 공급 공정과,
상기 액상 수지 공급 공정을 실시한 후에, 상기 회전 구동 수단을 작동하여 스피너 테이블을 상기 액상 수지 공급 공정보다 빠른 속도로 회전하여 웨이퍼의 회전에 따라 액상 수지에 작용하는 원심력에 의해서 확장하여 웨이퍼의 표면 전체면에 보호막을 형성하는 보호막 형성 공정을 실행하는 것을 특징으로 하는 보호막 피복 장치.
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