TWI392002B - Laser processing device - Google Patents

Description

雷射加工裝置

本發明係關於對被加工物之特定區域照射雷射光線來實施特定加工之雷射加工裝置。

相關業者皆知，於半導體裝置製造製程，利用於矽等半導體基板之表面積層著絕緣膜及機能膜之積層體，來形成形成著矩陣狀之複數IC、LSI等裝置之半導體晶圓。以此方式形成之半導體晶圓會被以被稱為區塊之分割預定線劃分成上述裝置，沿著該區塊進行切割即可製造各半導體晶片。此外，利用形成於藍寶石基板等之表面之格子狀之區塊來劃分複數之區域，並利用於該劃分之區域積層氮化鎵系化合物半導體等來形成光學裝置之光學裝置晶圓，係沿著區塊分割成各發光二極體、雷射二極體等之光學裝置，並被廣泛地應用於電氣機器。

此種沿著半導體晶圓或光學裝置晶圓等之晶圓之區塊進行之切割，通常，係使用被稱為切塊機之切削裝置來實施。該切削裝置具備：用以保持被加工物之晶圓之夾頭台；用以切割保持於該夾頭台之晶圓之切削手段；以及可使夾頭台及切削手段進行相對移動之移動手段。切削手段包含可高速旋轉之旋轉轉軸、及裝設於該轉軸之切削刀具。切削刀具係由圓盤狀之基台及裝設於該基台之側面外緣部之環狀之切削刃所構成，切削刃係例如利用電鑄固定粒徑為3 μ m程度之鑽石磨粒而形成20 μ m程度之厚度。利用此種切削刀具切削晶圓，因為切割之晶片之切割面會發生缺口或龜裂，預估該缺口或龜裂之影響而以50 μ m程度來形成區塊之寬度。因此，半導體晶片之尺寸小型化時，區塊於晶片所佔之比例變大，而成為降低生產性的原因。此外，利用切削刀具進行切削時，進給速度有其限度，而且，有發生切削屑會污染晶片之問題。

此外，最近，為了形成更微細之IC、LSI等之裝置，於如矽晶圓之半導體晶圓本體之表面，積層著由SiOF、BSG(SiOB)等之無機物系之膜或聚醯亞胺系、聚對二甲苯基系等聚合物膜之有機物系之膜所構成之低介電常數絕緣體(Low－k膜)之形態之半導體晶圓、及被稱為測試元件群(Teg)之具有金屬圖案之半導體晶圓已實用化。利用切削刀具沿著區塊切削積層著低介電常數絕緣體(Low－k膜)之形態之半導體晶圓時，有低介電常數絕緣體會剝離之問題。此外，利用切削刀具沿著區塊切削被稱為測試元件群(Teg)之具有金屬圖案之半導體晶圓時，因為金屬圖案係由銅等之具黏性之金屬所形成，而有會發生毛邊之問題。

另一方面，近年來，分割半導體晶圓等之板狀之被加工物之方法，如沿著形成於被加工物之區塊照射脈衝雷射光線，形成雷射加工溝，利用機械制動裝置沿著該雷射加工溝劃斷之方法(例如，參照專利文獻1)。

[專利文獻1]日本特開平10－305420號公報

雷射加工與切削加工相比，加工速度較快，而且，如由藍寶石之高硬度素材所構成之晶圓之加工也會較為容易。此外，照射雷射光線來形成雷射加工溝之方法，不但可解決低介電常數絕緣體層剝離之問題，而且可解決發生毛邊之問題。然而，沿著晶圓之區塊照射雷射光線，熱能會集中照射之區域而發生碎屑，而發生該碎屑附著於晶片表面而降低晶片品質之新問題。

為了解決上述碎屑所造成之問題，有人提出以下之方法，亦即，於晶圓之加工面覆蓋聚乙烯醇等之保護覆膜，透過保護覆膜對晶圓照射雷射光線之雷射加工方法(例如，參照專利文獻2)。

[專利文獻2]日本特開2004－188475號公報

如此，分別配設於被加工物之加工面覆蓋保護覆膜之保護覆膜形成裝置、及透過保護覆膜對被加工物照射雷射光線之雷射加工裝置，以工廠之空間角度而言，或者，以於裝置間搬送被加工物之角度而言，皆不符合效率要求。

因此，有人提出具有可於被加工物之加工面覆蓋保護覆膜且於雷射加工後可洗淨保護膜之保護覆膜形成兼洗淨手段之雷射加工裝置(例如，參照專利文獻3)。

[專利文獻3]日本特開2004－322168號公報

然而，上述公報所示之雷射加工裝置之保護覆膜形成兼洗淨手段因為具備對被加工物之加工面覆蓋保護覆膜之機能、及於雷射加工後洗淨保護覆膜之機能，雷射加工後之被加工物之洗淨期間，無法對下一被加工物覆蓋保護覆膜。因此，必須對1個被加工物實施保護覆膜覆蓋製程、雷射加工製程、以及洗淨製程後，才能對下一被加工物實施保護覆膜覆蓋製程，因此，加工效率不佳。

有鑑於上述事實，本發明之主要技術課題係提供一種雷射加工裝置，具備：對被加工物之加工面覆蓋保護覆膜之機能、及於雷射加工後洗淨保護覆膜之機能，而且，加工效率良好。

為了解決上述之主要技術課題，本發明之雷射加工裝置具備：用以保持被加工物之夾頭台；用以對被保持於該夾頭台之被加工物照射雷射光線之雷射光線照射手段；用以載置收容著被加工物之卡匣之卡匣載置台；用以針對載置於該卡匣載置台之卡匣進行被加工物之搬出及搬入之搬出搬入手段；以及用以暫時安置利用該搬出搬入手段搬出之被加工物之暫時安置台，該雷射加工裝置之特徵為：具有：將搬出至該暫時安置台之加工前之被加工物配設於用以搬送至該夾頭台之第1搬送路徑，於加工前之被加工物之加工面覆蓋保護覆膜之保護覆膜形成手段；將保持於該夾頭台之加工後之被加工物配設於用以搬送至該暫時安置台之第2搬送路徑，洗淨除去覆蓋於加工後之被加工物之加工面之保護覆膜之洗淨手段；將搬出至該暫時安置台之加工前之被加工物搬送至 該保護覆膜形成手段，且將經由該洗淨手段實施過洗淨之加工後之被加工物搬送至該暫時安置台之第1搬送手段；及將經由該保護覆膜形成手段進行過保護覆膜覆蓋之加工前之被加工物搬送至該夾頭台，且將保持於該夾頭台之加工後之被加工物搬送至該洗淨手段之第2搬送手段。

本發明之雷射加工裝置因為具備保護覆膜形成手段及洗淨手段，對已實施雷射光線照射製程之被加工物實施洗淨製程之期間，可以將下一加工之被加工物搬送至保護覆膜形成手段並實施保護覆膜覆蓋製程，故可提高生產效率。

以下，參照圖面，針對具有本發明之構成之雷射加工裝置之良好實施形態進行詳細說明。

第1圖係具有本發明之構成之雷射加工裝置之斜視圖。

第1圖所示之雷射加工裝置具備略呈正方體狀之裝置外殼2。於該裝置外殼2內，以可於加工進給方向之箭頭X所示之方向移動之方式，配設著用以保持被加工物之被加工物保持手段之夾頭台3。夾頭台3具備：吸附夾頭支持台31；及裝設於該吸附夾頭支持台31上之吸附夾頭32，利用圖上未標示之吸引手段可將被加工物之例如圓盤狀之半導體晶圓保持於該吸附夾頭32之表面之載置面上。此外，夾頭台3之構成上，可以利用圖上未標示之旋轉機構進行旋轉。於具有如上所述之構成之夾頭台3之吸附夾頭支持台31，配設著用以固定後述之環狀框之夾具33。

圖示之雷射加工裝置具備對被保持於上述夾頭台3之吸附夾頭32上之被加工物照射雷射光線之雷射光線照射手段4。雷射光線照射手段4含有實質上為水平配置之圓筒形狀之殼體41。於殼體41內，配設著具備由圖上未標示之由YAG雷射振盪器或YVO4雷射振盪器所構成之脈衝雷射光線振盪器、或重複頻率設定手段之脈衝雷射光線振盪手段。於上述殼體41之前端部，裝設著用以實施來自脈衝雷射光線振盪手段之振盪之脈衝雷射光線之集光之集光器42。

圖示之雷射加工裝置具備對被保持於上述夾頭台3之吸附夾頭32上之被加工物之表面進行攝影，檢測出應利用上述雷射光線照射手段4之集光器42照射之雷射光線進行加工之區域之攝影手段5。該攝影手段5除了具有圖示之實施形態之利用可見光線進行攝影之通常攝影元件(CCD)以外，尚由對被加工物照射紅外線之紅外線照明手段、用以擷取該紅外線照明手段照射之紅外線之光學系、以及用以輸出對應於該光學系所擷取之紅外線之電氣信號之攝影元件(紅外線CCD)等所構成，攝取之影像信號被傳送至圖上未標示之控制手段。此外，圖示之晶圓之分割裝置具備用以顯示攝影手段5所攝取之影像之顯示手段6。

圖示之雷射加工裝置具備用以載置收容著被加工物之半導體晶圓10之卡匣之卡匣載置部13a。於卡匣載置部13a，以利用圖上未標示之昇降手段可上下移動之方式配設著卡匣台131，卡匣13被載置該卡匣台131上。半導體晶圓10貼附於裝設在環狀框11之保護帶12之表面，以隔著保護帶12獲得環狀框11之支持之狀態收容於上述卡匣13。此外，半導體晶圓10之表面10a如第8圖所示，被利用格子狀之複數分割預定線101劃分成複數之區域，於該已劃分之區域，形成IC、LSI等之裝置102。以此方式所構成之半導體晶圓10，如第1圖所示，以表面10a為上側並以背面貼附於裝設在環狀框11之保護帶12。

圖示之雷射加工裝置具備：用以從卡匣13搬出收容於上述卡匣13之加工前之半導體晶圓10及用以搬入加工後之半導體晶圓10之被加工物搬出搬入手段14；用以暫時安置利用該被加工物搬出搬入手段14搬出之加工前之半導體晶圓10之暫時安置台15；配設於將搬出至暫時安置台15之加工前之半導體晶圓10搬送至夾頭台3之第1搬送路徑之用以對加工前之半導體晶圓10之加工面覆蓋保護覆膜之保護覆膜形成手段7；以及配設於將保持於夾頭台3之加工後之半導體晶圓10搬送至暫時安置台15之第2搬送路徑之用以洗淨除去加工後之半導體晶圓10之覆蓋於加工面之保護覆膜之洗淨手段8。此外，重點在於，上述第1搬送路徑及第2搬送路徑係不同之搬送路徑。此外，圖示之雷射加工裝置具備：將搬出至暫時安置台15之加工前之半導體晶圓10搬送至保護覆膜形成手段7、且將利用洗淨手段8完成洗淨之加工後之半導體晶圓10搬送至暫時安置台15之第1搬送手段16；及將利用保護覆膜形成手段7完成保護覆膜之覆蓋之加工前之半導體晶圓10搬送至夾頭台3、且將保持於夾頭台3之加工後之半導體晶圓10搬送至洗淨手段8之第2搬送手段17。

其次，參照第2圖至第4圖，針對上述保護覆膜形成手段7進行說明。

圖示之實施形態之保護覆膜形成手段7具備：旋轉台機構71；及包圍配設於該旋轉台機構71之旋轉台收容手段72。旋轉台機構71具備：旋轉台711；用以旋轉驅動該旋轉台711之電動馬達712；以可上下方向移動之方式支持著該電動馬達712之支持機構713。旋轉台711具備由多孔性材料所形成之吸附夾頭711a，該吸附夾頭711a連通於圖上未標示之吸引手段。因此，旋轉台711係利用圖上未標示之吸引手段使負壓作用於被載置於吸附夾頭711a之被加工物之晶圓而將晶圓保持於吸附夾頭711上。此外，於旋轉台711，配設著以固定上述環狀框11為目的之夾具714。電動馬達712之驅動軸712之上端連結著上述旋轉台711。上述支持機構713係由複數支(圖示之實施形態為3支)之支持腳713、及分別連結於該支持腳713之裝設於電動馬達712之複數支(圖示之實施形態為3支)之氣缸713b所構成。此種構成之支持機構713利用氣缸713b之動作而使電動馬達712及旋轉台711定位於第3圖所示之上方位置之被加工物搬入．搬出位置、及第4圖所示之下方位置之作業位置。

上述旋轉台收容手段72具備收容容器721；用以支持該收容容器721之3支(第2圖為2支)之支持腳722；及裝設於上述電動馬達712之驅動軸712a之罩構件723。收容容器721係由第3圖及第4圖所示之圓筒狀之外側壁721a、底壁721b、以及內側壁721c所構成。於底壁721b之中央部，配設著插通著上述電動馬達712之驅動軸712a之孔721d，從該孔721d之周緣朝上方突出形成內側壁721c。上述罩構件723係以圓盤狀來形成，具有從其外周緣朝下方突出之罩部723a。此種構成之罩構件723，在電動馬達712及旋轉台711位於第4圖所示之作業位置時，罩部723a會以隔著間隙之方式疊合於用以構成上述收容容器721之內側壁721c之外側。

圖示之保護覆膜形成手段7具備用以對保持於上述旋轉台711之加工前之被加工物之半導體晶圓10之表面，供給液狀樹脂之樹脂液供給手段74。樹脂液供給手段74具備：對保持於旋轉台711之加工前之晶圓之表面供給液狀樹脂之樹脂液供給噴嘴741、及用以使該樹脂液供給噴嘴741進行擺動之可正轉．逆轉之電動馬達742，樹脂液供給噴嘴741連結於圖上未標示之樹脂液供給源。樹脂液供給噴嘴741係由水平延伸之前端部朝下方彎曲之噴嘴部741a；及從該噴嘴部741a之基端朝下方延伸之支持部741b；所構成，支持部741b以插通於圖上未標示之插通孔之方式配設於用以構成上述收容容器721之底壁721b，並連結於圖上未標示之液狀樹脂液供給源。此外，於上述樹脂液供給噴嘴741之支持部741b所插通之圖上未標示之插通孔之周緣，裝設著用以密封與支持部741b之間之密封構件(圖上未標示)。

其次，參照第5圖至第7圖，針對上述洗淨手段8進行說明。

圖示之實施形態之洗淨手段8具備：旋轉台機構81；及包圍配設於該旋轉台機構81之洗淨水受取手段82。旋轉台機構81與上述保護覆膜形成手段7之旋轉台機構71相同，具備：旋轉台811；旋轉驅動該旋轉台811之電動馬達812；及可上下方向移動地支持著該電動馬達812之支持機構813。旋轉台811係由多孔性材料所形成，具備吸附夾頭811a，該吸附夾頭811a連通於圖上未標示之吸引手段。因此，旋轉台811利用圖上未標示之吸引手段使負壓作用於載置在吸附夾頭811a之被加工物之晶圓，而使晶圓保持於吸附夾頭811上。此外，旋轉台811配設著以固定上述環狀框11為目的之夾具814。電動馬達812之驅動軸812a之上端連結於上述旋轉台811。上述支持機構813係由複數支(圖示之實施形態為3支)之支持腳813、及分別連結於該支持腳813之裝設於電動馬達812之複數支(圖示之實施形態為3支)之氣缸813b所構成。此種構成之支持機構813係利用氣缸813b之動作，使電動馬達812及旋轉台811定位至第6圖所示之上方位置之被加工物搬入.搬出位置、及第7圖所示之下方位置之作業位置。

上述洗淨水受取手段82具備：洗淨水收容容器821；用以支持該洗淨水收容容器821之3支(第5圖為2支)之支持腳822；以及裝設於上述電動馬達812之驅動軸812之罩構件823。洗淨水收容容器821係由第6圖及第7圖所示之圓筒狀之外側壁821a、底壁821b、以及內側壁821c所構成。於底壁821b之中央部，配設著插通著上述電動馬達812之驅動軸812a之孔821d，從該孔821d之周緣朝上方突出形成內側壁821c。此外，於第6圖所示之底壁821b配設著排液口821e，該排液口821e連結著排水管824。上述罩構件823係以圓盤狀來形成，具有從其外周緣朝下方突出之罩部823a。此種構成之罩構件823，在電動馬達812及旋轉台811位於第7圖所示之作業位置時，罩部823a會以著間隙之方式疊合於用以構成上述洗淨水收容容器821之內側壁821c之外側。

圖示之洗淨手段8具備用以洗淨保持於上述旋轉台811之加工後之被加工物之晶圓之洗淨水供給手段84。洗淨水供給手段84具備：對保持於旋轉台811之加工後之晶圓噴出洗淨水之洗淨水噴嘴841、及用以使該洗淨水噴嘴841進行擺動之可正轉.逆轉之電動馬達842，該洗淨水噴嘴841連結於圖上未標示之洗淨水供給源。洗淨水噴嘴841係由：水平延伸之前端部朝下方彎曲之噴嘴部841a；及從該噴嘴部841a之基端朝下方延伸之支持部841b；所構成，支持部841b以插通於圖上未標示之插通孔之方式配設於用以構成上述洗淨水收容容器821之底壁821b，並連結著圖上未標示之洗淨水供給源。此外，於洗淨水噴嘴841之支持部841b所插通之圖上未標示之插通孔之周緣，裝設著用以密封與支持部841b之間之密封構件(圖上未標示)。

圖示之洗淨手段8具備用以對保持於旋轉台811之洗淨後之晶圓之表面吹送氣體之氣體供給手段85。氣體供給手段85具備：用以朝保持於旋轉台811之晶圓噴出氣體之氣體噴嘴851、及用以使該氣體噴嘴851進行擺動之可正轉．逆轉之電動馬達(圖上未標示)，該氣體噴嘴851連結於圖上未標示之氣體供給源。氣體噴嘴851係由：水平延伸之前端部朝下方彎曲之噴嘴部851a；及從該噴嘴部851a之基端朝下方延伸之支持部851b；所構成，支持部851b以插通於圖上未標示之插通孔之方式配設於用以構成上述洗淨水收容容器821之底壁821b，並連結著圖上未標示之氣體供給源。此外，於氣體噴嘴851之支持部851b所插通之圖上未標示之插通孔之周緣，裝設著用以密封與支持部851b之間之密封(圖上未標示)。

其次，參照第1圖，針對上述第1搬送手段16及第2搬送手段17進行說明。

第1搬送手段16係配設於與暫時安置台15、保護覆膜形成手段7、以及洗淨手段8為等距離之位置。該第1搬送手段16係與一般使用之搬送手段相同之構成，由：用以吸引並保持上述環狀框11之保持手段161；及以可上下方向昇降且可旋轉之方式支持該保持手段161之支持手段162；所構成。此種構成之第1搬送手段16可以將搬出至暫時安置台15之加工前之半導體晶圓10(貼附與裝設在環狀框11之保護帶12之表面之狀態)搬送至保護覆膜形成手段7，且可將利用洗淨手段8完成洗淨之加工後之半導體晶圓10(貼附於裝設在環狀框11之保護帶12之表面之狀態)搬送至暫時安置台15。

上述第2搬送手段17係配設於與上述夾頭台3、保護覆膜形成手段7、以及洗淨手段8為等距離之位置。該第2搬送手段17係與上述第1搬送手段16為實質相同之構成，由用以吸引並保持上述環狀框11之保持手段171；及以可上下方向昇降且可旋轉之方式支持該保持手段171之支持手段172；所構成。此種構成之第2搬送手段17可以將利用保護覆膜形成手段7完成保護覆膜之覆蓋之加工前之半導體晶圓10(貼附於裝設在環狀框11之保護帶12之表面之狀態)搬送至夾頭台3，且可將保持於夾頭台3之加工後之半導體晶圓10(貼附於裝設在環狀框11之保護帶12之表面之狀態)搬送至洗淨手段8。

圖示之雷射加工裝置具有以上之構成，以下，針對其動作進行說明。

如第1圖所示，隔著保護帶12獲得環狀框11支持之加工前之半導體晶圓10(以下，簡稱為半導體晶圓10)，以加工面之表面10a為上側，收容於卡匣13之所定位置。收容於卡匣13之所定位置之加工前之半導體晶圓10利用圖上未標示之昇降手段使卡匣台131上下移動而定位於搬出位置。其次，利用被加工物搬出搬入手段14進行進退移動而將定位於搬出位置之半導體晶圓10搬出至配設於暫時安置部15a之暫時安置台15。對搬出至暫時安置台15之半導體晶圓10實施中心位置之對準之中心位置對準製程。其次，利用暫時安置台15完成中心位置對準之加工前之半導體晶圓10被第1搬送手段16之保持手段161所吸引保持，並利用以支持手段162為中心之旋轉動作將其搬送至用以構成保護覆膜形成手段7之旋轉台711之吸附夾頭711a上，利用該吸附夾頭711a進行吸引保持(晶圓保持製程)。此外，利用夾具714固定環狀框11。此時，旋轉台711定位於第3圖所示之被加工物搬入搬出位置，樹脂供給噴嘴741定位於第2圖及第3圖所示之旋轉台711之上方之隔著適度距離之待機位置。

除了進行用以將加工前之半導體晶圓10保持於保護覆膜形成手段7之旋轉台711上之晶圓保持製程以外，尚使旋轉台711定位於第4圖所示之作業位置，並驅動電動馬達742，以支持部741b為中心使樹脂液供給噴嘴741進行擺動，使噴嘴部741a之前端定位於保持於旋轉台711上之半導體晶圓10之加工面之表面10a之中央區域之上方位置。其次，驅動電動馬達712，使旋轉台711(參照第2圖)以300~1000rpm之旋轉速度進行旋轉。因此，保持於旋轉台711之半導體晶圓10(貼附於裝設在環狀框11之保護帶12之表面之狀態)，以第9圖之箭頭70所示之方向進行旋轉。如此，在半導體晶圓10旋轉之狀態下，從第9圖所示之樹脂液供給噴嘴741之噴嘴部741a對半導體晶圓10之表面10a(加工面)之中央區域以約30秒之時間滴下特定量之液狀樹脂100。此外，液狀樹脂100應為例如PVA(Poly Vinyl Alcohol)、PEG(Poly Ethylene Glycol)、PEO(Poly Ethylene Oxide)等之水溶性抗蝕劑。結果，滴下至半導體晶圓10之表面10a(加工面)之中央區域之液狀樹脂100，因為離心力而流動至外緣部而覆蓋於半導體晶圓10之表面10a。該液狀之樹脂隨著時間經過而硬化，於第10圖所示之半導體晶圓10之表面10a形成保護覆膜110(保護覆膜覆蓋製程)。該保護覆膜110之厚度係由從上述樹脂液供給噴嘴741滴下之液狀樹脂100之量來決定，以1~10 μ m程度為佳。

利用上述之保護覆膜覆蓋製程於半導體晶圓10之加工面之表面10a覆蓋保護覆膜110後，使旋轉台711定位於第3圖所示之被加工物搬入．搬出位置，而且，解除對保持於旋轉台711之半導體晶圓10之吸引保持。其次，利用第2搬送手段17之保持手段171吸引保持旋轉台711上之半導體晶圓10，利用以支持手段172為中心之旋轉動作將其搬送至夾頭台3之吸附夾頭32上，利用該吸附夾頭32進行吸引保持。如此，吸引保持著半導體晶圓10之夾頭台3，利用圖上未標示之移動手段而定位於配設在雷射光線照射手段4之攝影手段5之正下方位置。

夾頭台3定位於攝影手段5之正下方後，利用攝影手段5及圖上未標示之控制手段，執行以形成於半導體晶圓10之特定方向之區塊101、及沿著區塊101照射雷射光線之雷射光線照射手段4之集光器42之位置對準為目的之型樣匹配等之影像處理，進行雷射光線照射位置之對準。此外，也對形成於半導體晶圓10之相對於上述特定方向成直角延伸之區塊101進行相同之雷射光線照射位置之對準。此時，於形成著半導體晶圓10之區塊101之表面10a，已形成保護覆膜110，保護膜110非透明時，可以利用紅外線進行攝影從表面進行對準。

如以上所示，檢測形成於保持在夾頭台3上之半導體晶圓10之區塊101，進行雷射光線照射位置之對準時，如第11圖(a)所示，使夾頭台3朝照射雷射光線之雷射光線照射手段4之集光器42所在之雷射光線照射區域移動，並使特定區塊101定位於集光器42之正下方。此時，如第11圖(a)所示，半導體晶圓10定位於區塊101之一端(第11圖(a)之左端)位於集光器42之正下方之位置。其次，雷射光線照射手段4之集光器42持續照射脈衝雷射光線，使夾頭台3亦即半導體晶圓10沿著第11圖(a)之箭頭X1所示之方向以特定加工進給速度移動(雷射光線照射製程)。其次，如第11圖(b)所示，區塊101之另一端(第11圖(b)之右端)到達集光器42之正下方時，停止脈衝雷射光線之照射，同時，停止夾頭台3亦即半導體晶圓10之移動。該雷射光線照射製程中，脈衝雷射光線之集光點係聚焦於區塊101之表面附近。

實施上述之雷射光線照射製程，於半導體晶圓10之區塊101，形成第12圖所示之雷射加工溝120。此時，如第12圖所示，即使因為雷射光線之照射而產生碎屑130，該碎屑130也會被保護覆膜110阻隔，而不會附著於裝置102及接合墊等。其次，對半導體晶圓10之全部區塊101實施上述之雷射光線照射製程。

此外，上述雷射光線照射製程係以例如以下之加工條件實施。

雷射光線之光源：YVO4雷射或YAG雷射波長：355nm重複頻率：20kHz輸出：3W脈衝寬度：0.1ns集光點徑：5 μ m加工進給速度：100mm/秒

沿著半導體晶圓10之全部區塊101實施上述之雷射光線照射製程後，保持著半導體晶圓10之夾頭台3，先回到吸引保持半導體晶圓10之位置，於此，解除半導體晶圓10之吸引保持。其次，利用第2搬送手段17之保持手段171吸引保持半導體晶圓10，利用以支持手段172為中心之旋轉動作，將其搬送至用以構成洗淨手段8之旋轉台811之吸附夾頭811a上，而被吸引保持於該吸附夾頭811a。此時，如第5圖及第6圖所示，洗淨水噴嘴841及氣體噴嘴851定位於旋轉台811之上方之待機位置。

加工後之半導體晶圓10保持於洗淨手段8之旋轉台811上後，實施洗淨製程。亦即，旋轉台811定位於第7圖所示之作業位置，而且，驅動洗淨水供給手段86之電動馬達842，使洗淨水供給噴嘴841之噴嘴部841a之噴出口定位於保持於旋轉台811上之半導體晶圓10之中心部之上方。其次，以例如300~500rpm之旋轉速度使旋轉台811持續進行旋轉，並從噴嘴部841a之噴出口噴出由純水及氣體所構成之洗淨水。亦即，噴嘴部841a係由所謂2流體噴嘴所構成，供給0.2MPa程度之純水，而且，供給0.3~0.5MPa程度之氣體，利用氣體之壓力噴出純水對半導體晶圓10之加工面之表面10a進行洗淨。此時，驅動電動馬達842，使洗淨水供給噴嘴841之噴嘴部841a之噴出口噴出之洗淨水於可接觸保持於旋轉台811之半導體晶圓10之中心位置至外緣部位置為止之必要角度範圍內擺動。結果，覆蓋於半導體晶圓10之表面10之保護覆膜110因為如上所述係由水溶性之樹脂所形成，很容易即可沖洗保護覆膜110，而且，也除去雷射加工時所產生之碎屑130。

上述之洗淨製程結束後，實施乾燥製程。亦即，使洗淨水供給噴嘴841定位於待機位置，而且，使氣體供給手段85之用以構成氣體噴嘴851之噴嘴部851a之噴出口定位於保持於旋轉台811上之半導體晶圓10之中心部之上方。其次，以例如2000~3000rpm之旋轉速度使旋轉台711進行旋轉，並從噴嘴部851a之噴出口實施15秒程度之氣體噴出。此時，使氣體噴嘴851進行噴嘴部851a之噴出口之氣體可接觸保持於旋轉台811之半導體晶圓10之中心位置至外緣部為止之位置之必要角度範圍進行擺動。結果，對半導體晶圓10之表面實施乾燥。

如上所述，結束加工後之半導體晶圓10之洗淨及乾燥後，停止旋轉台811之旋轉，而且，使氣體供給手段85之氣體噴嘴851定位於待機位置。其次，使旋轉台811定位於第6圖所示之被加工物搬入搬出位置，而且，解除保持於旋轉台811之半導體晶圓10之吸引保持。其次，利用第1搬送手段16，將旋轉台811上之加工後之半導體晶圓10搬出至配設於暫時安置部15a之暫時安置台15。利用被加工物搬出手段14，將被搬出至暫時安置台15之加工後之半導體晶圓10收容於卡匣13之特定位置。

此外，將上述之實施過雷射光線照射製程之半導體晶圓10搬送至洗淨手段8來實施洗淨製程及乾燥製程之期間，驅動被加工物搬出搬入手段14，將下一加工之加工前之半導體晶圓10從卡匣13搬出至暫時安置台15，並利用第1搬送手段16將被搬出至暫時安置台15之半導體晶圓10搬送至保護覆膜形成手段7。其次，對被搬送至保護覆膜形成手段7之下一加工之半導體晶圓10實施上述之保護覆膜覆蓋製程。如此，利用第2搬送手段17，將實施過保護覆膜覆蓋製程之半導體晶圓10從保護覆膜形成手段7搬送至夾頭台3，實施上述之雷射光線照射製程。其次，利用第2搬送手段17將實施過雷射光線照射製程之半導體晶圓10，搬送至洗淨手段8，實施上述洗淨製程及乾燥製程。如此，圖示之實施形態因為具備保護覆膜形成手段7及洗淨手段8，對實施過雷射光線照射製程之半導體晶圓10實施洗淨製程及乾燥製程之期間，可以對下一加工之半導體晶圓10搬送至保護覆膜形成手段7並實施保護覆膜覆蓋製程，故可提高生產效率。

2．．．裝置外殼

3．．．夾頭台

4．．．雷射光線照射手段

5．．．攝影機構

6．．．顯示手段

7．．．保護覆膜形成手段

8．．．洗淨手段

10．．．半導體晶圓

11．．．環狀框

12．．．保護帶

13．．．卡匣

14．．．被加工物搬出搬入手段

15．．．暫時安置台

16．．．第1搬送手段

17．．．第2搬送手段

41．．．雷射光線振盪手段

42．．．集光器

71．．．旋轉台機構

72．．．洗淨水受取手段

74．．．樹脂液供給手段

78．．．洗淨水供給手段

81．．．旋轉台機構

82．．．洗淨水受取手段

85．．．氣體供給手段

101．．．區塊

102．．．裝置

110．．．保護覆膜

711．．．旋轉台

712．．．電動馬達

741．．．樹脂液供給噴嘴

811．．．旋轉台

812．．．電動馬達

841．．．洗淨水噴嘴

851．．．氣體噴嘴

第1圖係具有本發明之構成之雷射加工裝置之斜視圖。

第2圖係裝配於第1圖所示之雷射加工裝置之保護覆膜形成手段之部份剖面斜視圖。

第3圖係第2圖所示之保護覆膜形成手段之旋轉台定位於被加工物搬入．搬出位置之狀態之說明圖。

第4圖係第2圖所示之保護覆膜形洗淨手段之旋轉台定位於作業位置之狀態之說明圖。

第5圖係裝配於第1圖所示之雷射加工裝置之洗淨手段之部份剖面斜視圖。

第6圖係第2圖所示之洗淨手段之旋轉台定位於被加工物搬入．搬出位置之狀態之說明圖。

第7圖係第2圖所示之洗淨手段之旋轉台定位於作業位置之狀態之說明圖。

第8圖係利用第1圖所示之雷射加工裝置進行加工之被加工物之半導體晶圓之斜視圖。

第9圖係利用第1圖所示之雷射加工裝置實施保護覆膜覆蓋製程之說明圖。

第10圖係利用保護覆膜形成製程覆蓋保護覆膜之被加工物之半導體晶圓之重要部位放大剖面圖。

第11圖係利用第1圖所示之雷射加工裝置之雷射光線照射製程之說明圖。

第12圖係利用第11圖所示之雷射光線照射製程實施雷射加工之被加工物之半導體晶圓之重要部位放大剖面圖。

2．．．裝置外殼

3．．．夾頭台

4．．．雷射光線照射手段

5．．．攝影機構

6．．．顯示手段

7．．．保護覆膜形成手段

8．．．洗淨手段

10．．．半導體晶圓

11．．．環狀框

12．．．保護帶

13．．．卡匣

13a．．．卡匣載置部

14．．．被加工物搬出搬入手段

15．．．暫時安置台

15a．．．暫時安置部

16．．．第1搬送手段

17．．．第2搬送手段

31．．．吸附夾頭支持台

32．．．吸附夾頭

33．．．夾具

41．．．雷射光線振盪手段

42．．．集光器

131．．．卡匣台

161．．．保持手段

162．．．支持手段

171．．．保持手段

172．．．支持手段

Claims (1)

1. 一種雷射加工裝置，具備：用以保持被加工物之夾頭台；用以對被保持於該夾頭台之被加工物照射雷射光線之雷射光線照射手段；用以載置收容著被加工物之卡匣之卡匣載置台；用以針對載置於該卡匣載置台之卡匣進行被加工物之搬出及搬入之搬出搬入手段；以及用以暫時安置利用該搬出搬入手段搬出之被加工物之暫時安置台，該雷射加工裝置之特徵為：具有：保護覆膜形成手段，其係將搬出至該暫時安置台之加工前之被加工物配設於用以搬送至該夾頭台之第1搬送路徑，於加工前之被加工物之加工面覆蓋保護覆膜；洗淨手段，其係將保持於該夾頭台之加工後之被加工物配設於用以搬送至該暫時安置台之第2搬送路徑，洗淨除去覆蓋於加工後之被加工物之加工面之保護覆膜；第1搬送手段，其係將搬出至該暫時安置台之加工前之被加工物搬送至該保護覆膜形成手段，且將經由該洗淨手段實施過洗淨之加工後之被加工物搬送至該暫時安置台；及第2搬送手段，其係將經由該保護覆膜形成手段進行過保護覆膜覆蓋之加工前之被加工物搬送至該夾頭台，且將保持於該夾頭台之加工後之被加工物搬送至該洗淨手段。