KR102303464B1 - Manufacturing method of patterned wire substrate and manufacturing method of solar cell module - Google Patents
Manufacturing method of patterned wire substrate and manufacturing method of solar cell module Download PDFInfo
- Publication number
- KR102303464B1 KR102303464B1 KR1020140112663A KR20140112663A KR102303464B1 KR 102303464 B1 KR102303464 B1 KR 102303464B1 KR 1020140112663 A KR1020140112663 A KR 1020140112663A KR 20140112663 A KR20140112663 A KR 20140112663A KR 102303464 B1 KR102303464 B1 KR 102303464B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- electrodes
- conductive
- metal foil
- solar cell
- manufacturing
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 72
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 69
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 133
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 109
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 109
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims abstract description 82
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 68
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 68
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 60
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims abstract description 58
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 53
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 45
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 18
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 15
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 12
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 9
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 5
- 125000003698 tetramethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 5
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 4
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 claims description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 15
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 9
- KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N prop-2-enoyloxy prop-2-eneperoxoate Chemical compound C=CC(=O)OOOC(=O)C=C KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101000969770 Homo sapiens Myelin protein zero-like protein 2 Proteins 0.000 description 2
- 102100021272 Myelin protein zero-like protein 2 Human genes 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0236—Special surface textures
- H01L31/02366—Special surface textures of the substrate or of a layer on the substrate, e.g. textured ITO/glass substrate or superstrate, textured polymer layer on glass substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Abstract
본 발명은 배선 기판 제조 방법 및 태양 전지 모듈의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명의 일례에 따른 배선 기판 제조 방법은 절연성 부재의 일면에 접착층을 도포하고, 금속 호일층(metal foil)을 접착시키는 단계; 및 금속 호일층을 패터닝(patterning)하는 단계;를 포함한다.
본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈의 제조 방법은 반도체 기판의 후면에 구비된 복수의 제1, 2 전극의 후면에 도전성 접착제를 도포하는 단계; 전술한 배선 기판의 절연성 부재를 복수의 제1, 2 전극의 후면에 배치하는 배치 단계; 도전성 접착제를 열처리하여 복수의 제1, 2 도전성 배선과 복수의 제1, 2 전극을 접속시키는 단계; 및 접착층을 선택적으로 식각하여 절연성 부재를 박리하는 박리 단계;를 포함한다.
또한, 본 발명의 다른 일례는 반도체 기판에 구비된 복수의 제1, 2 전극에 도전성 접착제를 도포하는 단계; 금속 호일층을 복수의 제1, 2 전극의 후면에 배치하고 접속시키는 단계; 및 금속 호일층을 선택적으로 식각하여 복수의 제1, 2 도전성 배선을 형성하는 단계;를 포함한다.The present invention relates to a method for manufacturing a wiring board and a method for manufacturing a solar cell module.
A method of manufacturing a wiring board according to an example of the present invention includes the steps of applying an adhesive layer to one surface of an insulating member and adhering a metal foil layer; and patterning the metal foil layer.
A method of manufacturing a solar cell module according to an example of the present invention includes: applying a conductive adhesive to the rear surfaces of a plurality of first and second electrodes provided on the rear surface of a semiconductor substrate; a disposing step of disposing the insulating member of the above-described wiring board on rear surfaces of the plurality of first and second electrodes; heat-treating the conductive adhesive to connect the plurality of first and second conductive wirings and the plurality of first and second electrodes; and a peeling step of selectively etching the adhesive layer to peel the insulating member.
In addition, another example of the present invention comprises the steps of applying a conductive adhesive to the plurality of first and second electrodes provided on the semiconductor substrate; disposing and connecting a metal foil layer to the rear surfaces of the plurality of first and second electrodes; and selectively etching the metal foil layer to form a plurality of first and second conductive wirings.
Description
본 발명은 배선 기판 제조 방법 및 태양 전지 모듈의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing a wiring board and a method for manufacturing a solar cell module.
일반적인 태양 전지는 p형과 n형처럼 서로 다른 도전성 타입(conductive type)의 반도체로 이루어진 기판(substrate) 및 에미터부(emitter), 그리고 기판과 에미터부에 각각 연결된 전극을 구비한다. 이때, 기판과 에미터부의 계면에는 p-n 접합이 형성되어 있다.A typical solar cell includes a substrate and an emitter made of semiconductors of different conductive types, such as p-type and n-type, and electrodes connected to the substrate and the emitter, respectively. At this time, a p-n junction is formed at the interface between the substrate and the emitter part.
이와 같이 반도체 기판을 사용하는 태양 전지는 구조에 따라 컨벤셔널 타입, 후면 컨텍 타입 등 다양한 종류로 나눌 수 있다. As such, a solar cell using a semiconductor substrate can be divided into various types, such as a conventional type and a rear contact type, depending on the structure.
여기서, 컨벤셔널 타입은 에미터부가 기판의 전면에 위치하고, 에미터부에 연결된 전극이 기판의 전면에, 기판에 연결되는 전극이 기판의 후면에 위치하며, 후면 컨텍 타입은 에미터부가 기판의 후면에 위치하며, 전극이 모두 기판의 후면에 위치한다.Here, in the conventional type, the emitter unit is located on the front side of the substrate, the electrode connected to the emitter unit is located on the front side of the substrate, and the electrode connected to the substrate is located on the back side of the substrate, and in the rear contact type, the emitter unit is located on the back side of the substrate. and the electrodes are all located on the back side of the substrate.
여기서, 후면 컨텍 타입의 태양 전지는 전극이 모두 기판의 후면에 형성되므로, 기판의 후면에 형성된 전극을 인터커넥터나 별도의 도전성 금속을 통해 인접한 태양 전지의 전극에 직렬 연결하여 태양 전지 모듈을 형성할 수 있다.Here, since all electrodes of the rear contact type solar cell are formed on the rear surface of the substrate, the electrodes formed on the rear surface of the substrate are connected in series to the electrodes of adjacent solar cells through an interconnector or a separate conductive metal to form a solar cell module. can
본 발명은 제조 공정이 보다 용이한 배선 기판 제조 방법 및 태양 전지 모듈의 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a wiring board and a method for manufacturing a solar cell module in which the manufacturing process is easier.
본 발명의 일례에 따른 배선 기판 제조 방법은 절연성 부재의 일면에 접착층을 도포하고, 금속 호일층(metal foil)을 접착층에 접착시키는 접착 단계; 및 금속 호일층을 패터닝(patterning)하여 복수의 제1, 2 도전성 배선을 형성하는 패터닝 단계;를 포함한다.A method of manufacturing a wiring board according to an exemplary embodiment of the present invention includes an adhesion step of applying an adhesive layer to one surface of an insulating member and adhering a metal foil layer to the adhesive layer; and a patterning step of forming a plurality of first and second conductive wirings by patterning the metal foil layer.
여기서, 패터닝 단계는 금속 호일층을 금속 에칭액으로 선택적 식각하여 복수의 제1, 2 도전성 배선을 형성하거나, 금속 호일층의 일부분을 기계적으로 식각하여 복수의 제1, 2 도전성 배선을 형성할 수 있다.Here, in the patterning step, a plurality of first and second conductive wires may be formed by selectively etching the metal foil layer with a metal etchant, or a plurality of first and second conductive wires may be formed by mechanically etching a portion of the metal foil layer. .
여기서, 금속 호일층을 금속 에칭액으로 선택적 식각하는 방법은 금속 호일층 위에 식각 방지막을 패터닝하여 형성하는 단계; 및 금속 호일층에서 식각 방지막이 형성된 부분을 제외한 나머지 부분을 금속 에칭액으로 식각시키는 단계;를 포함할 수 있다.Here, the method of selectively etching the metal foil layer with a metal etching solution includes the steps of forming an etch stop layer on the metal foil layer by patterning; and etching the remaining portions of the metal foil layer except for the portion on which the etch stop layer is formed with a metal etchant.
여기서, 금속 에칭액은 금속만 식각시키고, 식각 방지막이나 접착층은 식각시키지 않을 수 있다.Here, the metal etchant may etch only the metal, and may not etch the etch stop layer or the adhesive layer.
이때, 금속 호일층은 5um ~ 300um 사이의 두께를 가지고, 금속 호일층은 Cu, Al, Ni 또는 Sn 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.In this case, the metal foil layer may have a thickness of 5 μm to 300 μm, and the metal foil layer may include at least one of Cu, Al, Ni, or Sn.
또한, 본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈의 제조 방법은 반도체 기판의 후면에 복수의 제1 전극과 복수의 제2 전극이 서로 나란하게 형성된 태양 전지에서 복수의 제1, 2 전극의 후면에 도전성 접착제를 도포하는 단계; 전술한 제조 방법에 따라 제조된 배선 기판의 절연성 부재를 도전성 접착제가 도포된 복수의 제1, 2 전극의 후면에 배치하는 배치 단계; 도전성 접착제를 열처리하여 복수의 제1, 2 도전성 배선 각각을 복수의 제1, 2 전극 각각에 접속시키는 단계; 및 접속 단계 이후, 접착층을 선택적으로 식각하여 복수의 제1, 2 도전성 배선으로부터 절연성 부재를 박리하는 박리 단계;를 포함한다.In addition, in the method for manufacturing a solar cell module according to an example of the present invention, in a solar cell in which a plurality of first electrodes and a plurality of second electrodes are formed in parallel with each other on a rear surface of a semiconductor substrate, conductive surfaces are provided on the rear surfaces of the plurality of first and second electrodes. applying an adhesive; a disposing step of disposing an insulating member of a wiring board manufactured according to the above-described manufacturing method on rear surfaces of the plurality of first and second electrodes to which a conductive adhesive is applied; heat-treating the conductive adhesive to connect each of the plurality of first and second conductive wires to each of the plurality of first and second electrodes; and a peeling step of peeling the insulating member from the plurality of first and second conductive wirings by selectively etching the adhesive layer after the connection step.
여기의 박리 단계에서, 접착층에만 선택적으로 반응하는 접착층 에칭액에 의해 접착층이 식각되고, 절연성 부재는 복수의 제1, 2 도전성 배선으로부터 분리될 수 있다.In the peeling step here, the adhesive layer may be etched by an adhesive layer etchant that selectively reacts only with the adhesive layer, and the insulating member may be separated from the plurality of first and second conductive wirings.
이때, 접착층은 에폭시 수지 계열이나 실리콘 수지 계열을 포함하고, 접착층에칭액은 KOH 수용액, NaOH 수용액 또는 TMAH(Tetramethyl ammounium hydroxide) 수용액 중 어느 하나를 포함할 수 있다.In this case, the adhesive layer includes an epoxy resin series or a silicone resin series, and the adhesive layer etching solution may include any one of a KOH aqueous solution, an NaOH aqueous solution, or a TMAH (Tetramethyl ammounium hydroxide) aqueous solution.
아울러, 접속 단계의 열처리 온도는 80℃ ~ 300℃ 사이일 수 있다.In addition, the heat treatment temperature of the connection step may be between 80 ℃ ~ 300 ℃.
또한, 배치 단계 이전에, 반도체 기판의 후면에 도전성 접착제가 도포되지 않는 부분에 절연층을 도포하는 절연층 도포 단계;를 더 포함할 수 있다.The method may further include, before the disposing step, an insulating layer application step of applying an insulating layer to a portion on the rear surface of the semiconductor substrate to which a conductive adhesive is not applied.
아울러, 절연성 부재 배치 단계에서, 복수의 제1, 2 도전성 배선은 길이 방향이 복수의 제1, 2 전극의 길이 방향과 교차하도록 배치되거나, 복수의 제1, 2 도전성 배선은 길이 방향과 복수의 제1, 2 전극의 길이 방향이 서로 동일한 방향으로 중첩하도록 배치될 수 있다.In addition, in the insulating member disposing step, the plurality of first and second conductive wirings are arranged so that the longitudinal direction intersects the longitudinal directions of the plurality of first and second electrodes, or the plurality of first and second conductive wirings are arranged in the longitudinal direction and the plurality of The longitudinal directions of the first and second electrodes may be disposed to overlap each other in the same direction.
또한, 본 발명의 다른 일례에 따른 태양 전지 모듈의 제조 방법은 반도체 기판의 후면에 구비된 복수의 제1, 2 전극에 도전성 접착제를 도포하는 도전성 접착제 도포 단계; 금속 호일층을 도전성 접착제가 도포된 복수의 제1, 2 전극의 후면에 배치한 후 열처리하여 접속시키는 금속 호일층 접속 단계; 및 금속 호일층을 선택적으로 식각하여 복수의 제1, 2 도전성 배선을 형성하는 배선 형성 단계;를 포함한다.In addition, the method of manufacturing a solar cell module according to another example of the present invention includes a conductive adhesive application step of applying a conductive adhesive to a plurality of first and second electrodes provided on the rear surface of a semiconductor substrate; A metal foil layer connecting step of disposing a metal foil layer on the rear surfaces of the plurality of first and second electrodes coated with a conductive adhesive and then heat-treating them to connect; and a wiring forming step of selectively etching the metal foil layer to form a plurality of first and second conductive wirings.
여기서, 배선 형성 단계는 금속 에칭액을 이용하여 복수의 제1, 2 전극에 접속된 금속 호일층의 일부분을 선택적 식각하여 복수의 제1, 2 도전성 배선을 형성하거나, 복수의 제1, 2 전극에 접속된 금속 호일층의 일부분을 기계적으로 식각하여 복수의 제1, 2 도전성 배선을 형성할 수 있다.Here, in the wiring forming step, a portion of the metal foil layer connected to the plurality of first and second electrodes is selectively etched using a metal etchant to form a plurality of first and second conductive wires, or to the plurality of first and second electrodes. A plurality of first and second conductive wirings may be formed by mechanically etching a portion of the connected metal foil layer.
여기서, 금속 호일층의 일부분을 금속 에칭액을 이용하여 선택적 식각하는 방법은 복수의 제1, 2 전극에 접속된 금속 호일층 위에 식각 방지막을 패터닝하여 형성하는 단계; 및 금속 호일층에서 식각 방지막이 형성된 부분을 제외한 나머지 부분을 금속 에칭액으로 선택적 식각하는 단계;를 포함할 수 있다.Here, the method of selectively etching a portion of the metal foil layer using a metal etching solution includes the steps of forming an etch stop layer by patterning on the metal foil layer connected to the plurality of first and second electrodes; and selectively etching the remaining portion of the metal foil layer except for the portion on which the etch stop layer is formed with a metal etchant.
또한, 금속 호일층의 일부분을 기계적으로 식각하는 방법은 레이저 빔 조사 장비 또는 드릴 장비 또는 커팅 장비를 이용하여 수행될 수 있다.In addition, the method of mechanically etching a portion of the metal foil layer may be performed using laser beam irradiation equipment, drill equipment, or cutting equipment.
이와 같이 본 발명은 금속 호일층을 이용하여 배선 기판이나 태양 전지 모듈의 제조 방법을 보다 단순화할 수 있고, 제조 시간을 보다 단축할 수 있다.As described above, according to the present invention, a method of manufacturing a wiring board or a solar cell module can be more simplified by using a metal foil layer, and a manufacturing time can be further shortened.
도 1 내지 도 8은 본 발명의 제1 실시예에 따른 태양 전지 모듈을 설명하기 위한 도이다.
도 9 내지 도 10은 본 발명의 제2 실시예에 따른 태양 전지 모듈을 설명하기 위한 도이다.
도 11은 본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈의 제조 방법 일례를 설명하기 위한 플로우 차트이다.
도 12 내지 도 15는 도 11에 기재된 제조 방법에 따라 앞서 설명한 태양 전지 모듈의 제1 실시예를 제조하는 방법을 설명하기 위한 도이다.
도 16 내지 도 19는 도 11에 기재된 제조 방법에 따라 앞서 설명한 태양 전지 모듈의 제2 실시예를 제조하는 방법을 설명하기 위한 도이다.
도 20 및 도 21은 태양 전지 모듈의 제조 방법에 적용되는 배선 기판(300)을 제조하는 방법의 일례에 대해서 설명하기 위한 도이다.
도 22 및 도 23은 본 발명의 다른 일례에 따른 태양 전지 모듈의 제조 방법을 설명하기 위한 도이다.1 to 8 are diagrams for explaining a solar cell module according to a first embodiment of the present invention.
9 to 10 are diagrams for explaining a solar cell module according to a second embodiment of the present invention.
11 is a flowchart for explaining an example of a method of manufacturing a solar cell module according to an example of the present invention.
12 to 15 are diagrams for explaining a method of manufacturing the first embodiment of the solar cell module described above according to the manufacturing method described in FIG. 11 .
16 to 19 are diagrams for explaining a method of manufacturing the second embodiment of the solar cell module described above according to the manufacturing method described in FIG. 11 .
20 and 21 are diagrams for explaining an example of a method of manufacturing a
22 and 23 are diagrams for explaining a method of manufacturing a solar cell module according to another example of the present invention.
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 다양한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 부여하였다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, the embodiments of the present invention will be described in detail so that those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains can easily implement them. However, the present invention may be embodied in various various forms and is not limited to the embodiments described herein. And in order to clearly explain the present invention in the drawings, parts irrelevant to the description are omitted, and similar reference numerals are given to similar parts throughout the specification.
이하에서, 전면이라 함은 직사광이 입사되는 반도체 기판의 일면일 수 있으며, 후면이라 함은 직사광이 입사되지 않거나, 직사광이 아닌 반사광이 입사될 수 있는 반도체 기판의 반대면일 수 있다.Hereinafter, the front surface may be one surface of the semiconductor substrate on which direct light is incident, and the rear surface may be the opposite surface of the semiconductor substrate on which direct light is not incident or reflected light other than direct light is incident.
이하에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 제조 방법에 따라 제조 되는 태양 전지 모듈의 일례에 대해 설명한다.Hereinafter, an example of a solar cell module manufactured according to the manufacturing method of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
도 1 내지 도 8은 본 발명의 제1 실시예에 따른 태양 전지 모듈을 설명하기 위한 도이다.1 to 8 are diagrams for explaining a solar cell module according to a first embodiment of the present invention.
여기서, 도 1은 태양 전지 모듈에 포함되는 복수의 태양 전지가 인터커넥터(IC)에 연결된 모습을 위에서 바라본 모습이고, 도 2는 도 1에서 A영역의 제1 방향(x)에 따른 단면을 도시한 것이다. Here, FIG. 1 is a view from above when a plurality of solar cells included in a solar cell module are connected to an interconnector (IC), and FIG. 2 is a cross-section of area A in the first direction (x) in FIG. 1 . did it
도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 태양 전지 모듈은 반도체 기판(110)의 후면에 제1, 2 전극(C141, C142)을 구비한 복수의 태양 전지(C1, C2), 도전성 접착제(CA)를 통해 제1, 2 전극(C141, C142)에 접속되는 제1, 2 도전성 배선(EC1, EC2) 및 인터커넥터(IC)를 포함할 수 있다.1 and 2 , the solar cell module according to the first embodiment of the present invention includes a plurality of solar cells having first and second electrodes C141 and C142 on the rear surface of the semiconductor substrate 110 ( It may include C1 and C2, first and second conductive wirings EC1 and EC2 connected to the first and second electrodes C141 and C142 through a conductive adhesive CA, and an interconnector IC.
여기서, 제1, 2 태양 전지(C1, C2) 각각은 반도체 기판(110)의 후면에 구비된 제1, 2 전극(C141, C142)에 제1, 2 도전성 배선(EC1, EC2)이 도전성 접착제(CA)를 통해 접속되어 하나의 일체형 개별 소자로 형성될 수 있고, 이와 같은 하나의 일체형 개별 소자로 형성된 제1, 2 태양 전지(C1, C2)는 각각의 제1, 2 도전성 배선(EC1, EC2)에 인터커넥터(IC)가 접속되어 제1 방향(x)으로 직렬 연결될 수 있다.Here, in each of the first and second solar cells C1 and C2 , the first and second conductive wires EC1 and EC2 are connected to the first and second electrodes C141 and C142 provided on the rear surface of the
여기서, 반도체 기판(110)은 입사되는 빛을 전기로 변환하기 위해 p-n 접합이 형성될 수 있으며, 후면에 복수의 제1 전극(C141)과 복수의 제2 전극(C142)이 형성될 수 있다. Here, a p-n junction may be formed on the
아울러, 도 1 및 도 2에 도시된 제1 도전성 배선(EC1)과 제2 도전성 배선(EC2) 각각은 도전성 재질을 포함하여 형성될 수 있으며, 일례로, 제1, 2 도전성 배선(EC1, EC2)은 제1, 2 태양 전지(C1, C2) 각각의 제1, 2 전극(C141, C142)에 접속될 수 있다.In addition, each of the first conductive wiring EC1 and the second conductive wiring EC2 illustrated in FIGS. 1 and 2 may include a conductive material, and for example, the first and second conductive wirings EC1 and EC2 ) may be connected to the first and second electrodes C141 and C142 of the first and second solar cells C1 and C2, respectively.
이와 같은 제1, 2 도전성 배선(EC1, EC2)은 5um ~ 300um 사이의 두께로 형성되고, 구리(Cu), 니켈(Ni), 주석(Sn) 및 은(Ag) 중 적어도 하나의 도전성 재질을 포함하여 형성될 수 있다.The first and second conductive wires EC1 and EC2 are formed to have a thickness of 5 μm to 300 μm, and include at least one conductive material of copper (Cu), nickel (Ni), tin (Sn), and silver (Ag). can be formed including.
아울러, 인터커넥터(IC)는 도전성 금속 재질을 포함하여 제1 태양 전지(C1)와 제2 태양 전지(C2)를 서로 전기적으로 연결시키는 기능을 하며, 일례로, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 인터커넥터(IC)는 제1 태양 전지(C1)에 접속된 제1 도전성 배선(EC1)과 제2 태양 전지(C2)에 접속된 제2 도전성 배선(EC2)에 접속되어 제1 태양 전지(C1)와 제2 태양 전지(C2)를 제1 방향(x)으로 직렬 연결시킬 수 있다.In addition, the interconnector IC includes a conductive metal material and functions to electrically connect the first solar cell C1 and the second solar cell C2 to each other. As shown, the interconnector IC is connected to the first conductive wire EC1 connected to the first solar cell C1 and the second conductive wire EC2 connected to the second solar cell C2 to form the first solar cell The cell C1 and the second solar cell C2 may be connected in series in the first direction x.
그러나, 이와 다르게, 인터커넥터(IC)가 제1 태양 전지(C1)에 접속된 제2 도전성 배선(EC2)과 제2 태양 전지(C2)에 접속된 제1 도전성 배선(EC1)에 접속되어 제1 태양 전지(C1)와 제2 태양 전지(C2)를 제1 방향(x)으로 직렬 연결시키는 것도 가능하다.However, unlike this, the interconnector IC is connected to the second conductive wiring EC2 connected to the first solar cell C1 and the first conductive wiring EC1 connected to the second solar cell C2 to It is also possible to connect the first solar cell C1 and the second solar cell C2 in series in the first direction x.
이때, 인터커넥터(IC)와 제1 도전성 배선(EC1) 사이 및 인터커넥터(IC)와 제2 도전성 배선(EC2) 사이도 도전성 접착제(CA)에 의해 서로 접속될 수 있다.In this case, between the interconnector IC and the first conductive wiring EC1 and between the interconnector IC and the second conductive wiring EC2 may also be connected to each other by the conductive adhesive CA.
여기서, 도전성 접착제(CA)는 주석(Sn)을 포함하는 솔더 페이스트나, 주석(Sn), 은(Ag) 또는 구리(Cu)와 같은 금속 입자가 절연성 수지 내에 포함되는 도전성 접착 페이스트(conductive adhesive paste) 또는 도전성 접착 필름(conductive adhesive film)이 이용될 수 있다.Here, the conductive adhesive CA is a solder paste containing tin (Sn) or a conductive adhesive paste in which metal particles such as tin (Sn), silver (Ag), or copper (Cu) are included in an insulating resin. ) or a conductive adhesive film may be used.
여기서, 반도체 기판(110)의 후면에 구비된 제1, 2 전극(C141, C142)에 제1, 2 도전성 배선(EC1, EC2)이 접속되는 하나의 일체형 개별 소자에 대해 보다 구체적으로 설명하면 다음과 같다.Here, one integrated individual device in which the first and second conductive wires EC1 and EC2 are connected to the first and second electrodes C141 and C142 provided on the rear surface of the
도 3은 제1, 2 전극(C141, C142)이 반도체 기판(110)의 후면에 구비된 태양 전지의 일례를 설명하기 위한 도이다.FIG. 3 is a view for explaining an example of a solar cell in which first and second electrodes C141 and C142 are provided on the rear surface of the
도 3은 본 발명의 일례에 따른 태양 전지의 일부 사시도의 일례이고, 도 4는 도 3의 태양 전지에서 제1, 2 전극(C141, C142)의 패턴과 제1, 2 도전성 배선(EC1, EC2)의 일례를 설명하기 위한 도로서, 도 4의 (a)는 반도체 기판(110)의 후면에 배치되는 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142)의 패턴 일례 설명하기 위한 도이고, 도 4의 (b)는 제1, 2 전극(C141, C142)에 접속될 제1 도전성 배선(EC1)와 제2 도전성 배선(EC2)의 패턴 일례을 설명하기 위한 도이다.3 is an example of a partial perspective view of a solar cell according to an example of the present invention, and FIG. 4 is a pattern of first and second electrodes C141 and C142 and first and second conductive wirings EC1 and EC2 in the solar cell of FIG. 3 . ) as a road for explaining an example, (a) of FIG. 4 is a diagram for explaining an example of a pattern of the first electrode C141 and the second electrode C142 disposed on the rear surface of the
도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 태양 전지는 일례로 반도체 기판(110), 반사 방지막(130), 에미터부(121), 후면 전계부(back surface field;BSF, 172), 복수의 제1 전극(C141) 및 복수의 제2 전극(C142)을 포함할 수 있다.As shown in FIG. 3 , the solar cell according to the present invention includes, for example, a
여기서, 반사 방지막(130)과 후면 전계부(172)는 생략될 수도 있으나, 이하에서는 도 3에 도시된 바와 같이 반사 방지막(130)과 후면 전계부(172)가 포함된 것을 일례로 설명한다.Here, the
반도체 기판(110)은 제1 도전성 타입, 예를 들어 n형 도전성 타입의 실리콘으로 이루어진 반도체 기판(110)일 수 있다. 이와 같은 반도체 기판(110)은 결정질 실리콘 재질로 형성되는 반도체 웨이퍼에 제1 도전성 타입의 불순물, 일례로 인(P), 비소(As), 안티몬(Sb) 등과 같이 5가 원소의 불순물인 n형 도전성 타입의 불순물이 도핑되어 형성될 수 있다. The
에미터부(121)는 전면과 마주보고 있는 반도체 기판(110)의 후면 내에 복수 개가 서로 이격되어 위치하며, 서로 나란한 제1 방향(x)으로 뻗어 있을 수 있다. 이와 같은 복수의 에미터부(121)는 반도체 기판(110)의 도전성 타입과 반대인 제2 도전성 타입, 일례로 붕소(B), 갈륨(Ga), 인듐(In) 등과 같은 3가 원소의 불순물인 p형 도전성 타입의 불순물이 포함될 수 있다. A plurality of
이에 따라 반도체 기판(110)과 에미터부(121)에 의해 p-n 접합이 형성될 수 있다.Accordingly, a p-n junction may be formed by the
그러나, 전술한 바와 달리, 반도체 기판(110)이 p형 도전성 타입의 불순물을 포함하고, 에미터부(121)가 n형 도전성 타입의 불순물을 포함하는 것도 가능하다.However, unlike the above description, it is also possible that the
후면 전계부(172)는 반도체 기판(110)의 후면 내부에 복수 개가 서로 이격되어 위치하며, 복수의 에미터부(121)와 나란한 제1 방향(x)으로 뻗어 있을 수 있다. 따라서, 도 2에 도시한 것처럼, 반도체 기판(110)의 후면에서 복수의 에미터부(121)와 복수의 후면 전계부(172)는 교대로 위치할 수 있다.A plurality of rear
복수의 후면 전계부(172)는 반도체 기판(110)과 동일한 제1 도전성 타입의 불순물이 반도체 기판(110)보다 고농도로 함유한 n++ 불순물부일 수 있다. The plurality of rear
제1 전극(C141)은 에미터부(121)와 각각 물리적 및 전기적으로 연결되어 에미터부(121)를 따라서 반도체 기판(110)의 후면에 제1 방향(x)으로 길게 형성될 수 있다. The first electrode C141 may be physically and electrically connected to the
또한, 제2 전극(C142)은 복수의 후면 전계부(172)를 따라서 반도체 기판(110)의 후면에 제1 방향(x)으로 길게 형성될 수 있으며, 후면 전계부(172)를 통하여 반도체 기판(110)과 각각 물리적 및 전기적으로 연결될 수 있다.In addition, the second electrode C142 may be formed to be elongated in the first direction (x) on the rear surface of the
여기서, 제1, 2 전극(C141, C142)은 서로 이격되어, 전기적으로 격리될 수 있으며, 서로 교번하여 배치될 수 있다. Here, the first and second electrodes C141 and C142 may be spaced apart from each other, may be electrically isolated, and may be alternately disposed.
본 발명에 따른 태양 전지 모듈에 적용된 태양 전지는 반드시 도 2 및 도 3에만 한정하지 않으며, 태양 전지에 구비되는 제1, 2 전극(C141, C142)이 반도체 기판(110)의 후면에만 형성되는 점을 제외하고 다른 구성 요소는 얼마든지 변경이 가능하다. The solar cell applied to the solar cell module according to the present invention is not necessarily limited only to FIGS. 2 and 3 , and the first and second electrodes C141 and C142 provided in the solar cell are formed only on the rear surface of the
예를 들어 본 발명의 태양 전지 모듈에는 제1 전극(C141)의 일부 및 에미터부(121)가 반도체 기판(110)의 전면에 위치하고, 제1 전극(C141)의 일부가 반도체 기판(110)에 형성된 홀을 통해 반도체 기판(110)의 후면에 형성된 제1 전극(C141)의 나머지 일부와 연결되는 MWT 타입의 태양 전지도 적용이 가능하다.For example, in the solar cell module of the present invention, a part of the first electrode C141 and the
이와 같은 구조로 제조된 본 발명에 따른 태양 전지에서 제1 전극(C141)을 통하여 수집된 정공과 제2 전극(C142)을 통하여 수집된 전자는 외부의 회로 장치를 통하여 외부 장치의 전력으로 이용될 수 있다.In the solar cell according to the present invention manufactured with the above structure, the holes collected through the first electrode C141 and the electrons collected through the second electrode C142 may be used as power of an external device through an external circuit device. can
이와 같은 태양 전지에서, 제1, 2 전극(C141, C142) 각각의 두께(TC) 대비 폭(WC)의 비가 1: 200 ~ 1500 사이일 수 있다. In such a solar cell, the ratio of the thickness TC to the width WC of each of the first and second electrodes C141 and C142 may be 1:200 to 1500.
즉, 일례로, 도 4의 (b)를 참조하면, 복수의 제1, 2 전극(C141, C142) 각각의 두께(TC)는 0.2㎛ ~ 1㎛ 사이로 형성될 수 있으며, 복수의 제1, 2 전극(C141, C142) 각각은 폭(WC)은 200㎛ ~ 300㎛ 사이로 형성될 수 있다.That is, as an example, referring to FIG. 4B , the thickness TC of each of the plurality of first and second electrodes C141 and C142 may be formed between 0.2 μm and 1 μm, and the plurality of first, Each of the two electrodes C141 and C142 may have a width WC of 200 μm to 300 μm.
이와 같이, 제1, 2 전극(C141, C142) 각각의 두께(TC) 대비 폭(WC)의 비가 1: 200 ~ 1500 사이가 되도록 함으로써, 태양 전지의 제조 비용을 최소화할 수 있다.As described above, by making the ratio of the thickness TC to the width WC of each of the first and second electrodes C141 and C142 between 1:200 and 1500, the manufacturing cost of the solar cell can be minimized.
이와 같은 경우, 제1, 2 전극(C141, C142)의 각 단면적이 과도하게 줄어들어, 제1, 2 전극(C141, C142) 각각의 저항이 문제될 수 있으나, 이와 같은 저항은 제1, 2 전극(C141, C142) 각각에 접속되어, 보조 전극으로서 역할을 하는 제1, 2 도전성 배선(EC1, EC2)에 의해 해소될 수 있다. In this case, the respective cross-sectional areas of the first and second electrodes C141 and C142 are excessively reduced, so that resistance of each of the first and second electrodes C141 and C142 may be a problem. It can be solved by the first and second conductive wirings EC1 and EC2 connected to each of (C141, C142) and serving as auxiliary electrodes.
즉, 제1, 2 전극(C141, C142) 각각의 두께(TC)를 매우 얇게 형성함으로써, 태양 전지의 제조 시간과 제조 비용을 줄일 수 있고, 상대적으로 증가된 제1, 2 전극(C141, C142)의 저항을 도전성 접착제(CA)를 통하여 제1, 2 도전성 배선(EC1, EC2)을 접속시킴으로써, 해소할 수 있다.That is, by forming the thickness TC of each of the first and second electrodes C141 and C142 very thin, the manufacturing time and manufacturing cost of the solar cell can be reduced, and the first and second electrodes C141 and C142 relatively increased. ) can be eliminated by connecting the first and second conductive wirings EC1 and EC2 through the conductive adhesive CA.
이와 같은 복수의 제1, 2 전극(C141, C142)은 일례로, 스퍼터링 방식으로 제조될 수 있다.The plurality of first and second electrodes C141 and C142 may be manufactured by, for example, sputtering.
제1 도전성 배선(EC1)는 도 4의 (b)에 도시된 바와 같이, 제1 접속부(EC1-F)와 제1 패드부(EC1-B)를 포함하고, 제1 접속부(EC1-F)는 제1 방향(x)으로 길게 형성되어 복수의 제1 전극(C141)에 도전성 접착제(CA)를 통하여 접속되며, 제1 패드부(EC1-B)는 제2 방향(y)으로 길게 형성되어, 일단이 제1 접속부(EC1-F)의 끝단에 연결될 수 있다. As shown in FIG. 4B , the first conductive wiring EC1 includes a first connection part EC1-F and a first pad part EC1-B, and the first connection part EC1-F is formed to be elongated in the first direction (x) and connected to the plurality of first electrodes C141 through the conductive adhesive CA, and the first pad parts EC1-B are formed to be elongated in the second direction (y), , one end may be connected to an end of the first connection part EC1-F.
제2 도전성 배선(EC2)는 도 4의 (b)에 도시된 바와 같이, 제2 접속부(EC2-F)와 제2 패드부(EC2-B)를 포함하고, 제2 접속부(EC2-F)는 제1 접속부(EC1-F)와 이격되어 제1 방향(x)으로 길게 형성되고, 복수의 제2 전극(C142)에 도전성 접착제(CA)를 통하여 접속되며, 제2 패드부(EC2-B)는 제2 방향(y)으로 길게 형성되어, 일단이 제2 접속부(EC2-F)의 끝단에 연결될 수 있다. As shown in FIG. 4B , the second conductive wiring EC2 includes a second connection part EC2-F and a second pad part EC2-B, and the second connection part EC2-F. is spaced apart from the first connection part EC1-F, is formed to be elongated in the first direction (x), is connected to the plurality of second electrodes C142 through a conductive adhesive CA, and the second pad part EC2-B ) may be elongated in the second direction y, and one end may be connected to the end of the second connection part EC2-F.
여기서, 제1 접속부(EC1-F)와 제2 패드부(EC2-B)는 서로 이격되고, 제2 접속부(EC2-F)와 제1 패드부(EC1-B)도 서로 이격될 수 있다. Here, the first connection part EC1-F and the second pad part EC2-B may be spaced apart from each other, and the second connection part EC2-F and the first pad part EC1-B may also be spaced apart from each other.
이와 같은 제1 도전성 배선(EC1)는 도전성 접착제(CA)를 통하여 제1 전극(C141)에 전기적으로 연결될 수 있으며, 제2 도전성 배선(EC2)도 도전성 접착제(CA)를 통하여 제2 전극(C142)에 전기적으로 연결될 수 있다.The first conductive wiring EC1 may be electrically connected to the first electrode C141 through the conductive adhesive CA, and the second conductive wiring EC2 may also be connected to the second electrode C142 through the conductive adhesive CA. ) can be electrically connected to.
이와 같은 본 발명에 따른 태양 전지는 반도체 기판(110)의 후면에 복수의 제1 전극(C141) 및 복수의 제2 전극(C142)이 미리 형성된 상태에서, 제1 도전성 배선(EC1)와 제2 도전성 배선(EC2)이 복수의 제1 전극(C141) 및 복수의 제2 전극(C142)에 접속되어 하나의 개별 소자로 형성될 수 있다. In the solar cell according to the present invention, in a state in which the plurality of first electrodes C141 and the plurality of second electrodes C142 are previously formed on the rear surface of the
도 5a는 도 3 및 도 4에서 설명한 태양 전지와 제1, 2 도전성 배선(EC1, EC2)이 서로 접속된 상태의 일부 사시도를 도시한 것이고, 도 5b는 도 3 및 도 4에서 설명한 태양 전지와 제1, 2 도전성 배선(EC1, EC2)이 서로 접속된 상태의 평면도이다. 여기의 도 5b에서는 이해의 편의를 위해 도 5a에 도시된 도전성 접착제(CA)와 절연층(IL)에 대한 도시를 생략하였다.5A is a partial perspective view of the solar cell described in FIGS. 3 and 4 and the first and second conductive wirings EC1 and EC2 are connected to each other, and FIG. 5B is the solar cell described in FIGS. 3 and 4 and FIG. It is a top view of a state in which the first and second conductive wirings EC1 and EC2 are connected to each other. In FIG. 5B , the illustration of the conductive adhesive CA and the insulating layer IL shown in FIG. 5A is omitted for convenience of understanding.
아울러, 도 6은 도 5에서 cy1-cy1 라인의 단면을 도시한 것이고, 도 7는 도 5에서 cx1-cx1 라인의 단면을 도시한 것이고, 도 8는 도 5에서 cx2-cx2 라인의 단면을 도시한 것이다.In addition, FIG. 6 shows a cross section of line cy1-cy1 in FIG. 5 , FIG. 7 shows a cross section of line cx1-cx1 in FIG. 5 , and FIG. 8 shows a cross section of line cx2-cx2 in FIG. 5 . did it
본 발명에 따른 태양 전지는 반도체 기판(110)의 후면에 복수의 제1 전극(C141) 및 복수의 제2 전극(C142)이 미리 형성된 상태에서, 제1 도전성 배선(EC1)은 제1 전극(C141)에 도전성 접착제(CA)를 통해 접속되고, 제2 도전성 배선(EC2)은 제2 전극(C142)에 도전성 접착제(CA)를 통해 접속되어 하나의 개별 소자로 형성될 수 있다.In the solar cell according to the present invention, in a state in which the plurality of first electrodes C141 and the plurality of second electrodes C142 are previously formed on the rear surface of the
구체적으로, 앞에서 설명한 바와 같이, 도 5a 및 도 5b에 도시된 것처럼, 반도체 기판(110)의 후면에 복수의 제1, 2 전극(C141, C142)이 태양 전지의 직렬 연결 방향과 동일한 제1 방향(x)으로 배치되어 형성된 경우, 제1, 2 도전성 배선(EC1, EC2)의 제1, 2 접속부(EC1-F, EC2-F) 각각은 제1, 2 전극(C141, C142)의 길이 방향과 동일한 방향으로 배치되어 접속될 수 있다.Specifically, as described above, as shown in FIGS. 5A and 5B , the plurality of first and second electrodes C141 and C142 on the rear surface of the
그러나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 이와 다르게, 제1, 2 접속부(EC1-F, EC2-F)가 제1, 2 전극(C141, C142)과 교차하는 방향으로 배치되어 접속되는 것도 가능하다. However, the present invention is not necessarily limited thereto. Alternatively, the first and second connecting portions EC1-F and EC2-F may be disposed and connected in a direction crossing the first and second electrodes C141 and C142.
이와 같은 경우, 제1 접속부(EC1-F)는 제1 전극(C141)과 중첩되는 부분에서 서로 전기적으로 연결될 수 있고, 제2 접속부(EC2-F)는 제2 전극(C142)과 중첩되는 부분에서 서로 전기적으로 연결될 수 있다. 아울러, 제1 접속부(EC1-F)와 제2 전극(C142) 사이 및 제2 접속부(EC2-F)와 제1 전극(C141) 사이에는 절연층(IL)이 형성될 수 있다.In this case, the first connecting portions EC1-F may be electrically connected to each other at a portion overlapping the first electrode C141 , and the second connecting portion EC2-F may be electrically connected to the overlapping portion with the second electrode C142 . can be electrically connected to each other. In addition, an insulating layer IL may be formed between the first connection part EC1-F and the second electrode C142 and between the second connection part EC2-F and the first electrode C141.
이하에서는 도 5a 및 도 5b에 도시된 바와 같이, 제1, 2 접속부(EC1-F, EC2-F) 각각이 제1, 2 전극(C141, C142)의 길이 방향과 동일한 방향으로 배치되어 접속된 경우를 일례로 설명한다.Hereinafter, as shown in FIGS. 5A and 5B , each of the first and second connection parts EC1-F and EC2-F is disposed in the same direction as the longitudinal direction of the first and second electrodes C141 and C142 and is connected. The case will be described as an example.
이와 같이, 제1, 2 접속부(EC1-F, EC2-F) 각각이 제1, 2 전극(C141, C142)의 길이 방향과 동일한 제1 방향(x)으로 배치되어 접속된 경우, 도 6에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(110)의 후면에 형성된 제1 전극(C141)과 절연성 부재(200)의 전면에 형성된 제1 접속부(EC1-F)는 서로 중첩되며, 도전성 접착제(CA)에 의해 서로 전기적으로 연결될 수 있다.In this way, when the first and second connecting portions EC1-F and EC2-F are respectively disposed and connected in the same first direction (x) as the longitudinal direction of the first and second electrodes C141 and C142, FIG. As illustrated, the first electrode C141 formed on the rear surface of the
아울러, 반도체 기판(110)의 후면에 형성된 제2 전극(C142)과 절연성 부재(200)의 전면에 형성된 제2 접속부(EC2-F)도 서로 중첩되며, 도전성 접착제(CA)에 의해 서로 전기적으로 연결될 수 있다.In addition, the second electrode C142 formed on the rear surface of the
또한, 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142) 사이의 서로 이격된 공간에는 절연층(IL)이 채워질 수 있고, 제1 접속부(EC1-F)와 제2 접속부(EC2-F) 사이의 이격된 공간에도 절연층(IL)이 채워질 수 있다.In addition, the insulating layer IL may be filled in a space spaced apart from each other between the first electrode C141 and the second electrode C142 , and between the first connection part EC1-F and the second connection part EC2-F The insulating layer IL may also be filled in a space spaced apart from each other.
아울러, 도 7에 도시된 바와 같이, 제2 접속부(EC2-F)와 제1 패드부(EC1-B) 사이의 이격된 공간에도 절연층(IL)이 채워질 수 있으며, 도 8에 도시된 바와 같이, 제1 접속부(EC1-F)와 제2 패드부(EC2-B) 사이의 이격된 공간에도 절연층(IL)이 채워질 수 있다.In addition, as shown in FIG. 7 , the insulating layer IL may also be filled in a space spaced apart between the second connection part EC2-F and the first pad part EC1-B, and as shown in FIG. 8 , Similarly, the insulating layer IL may be filled in a space spaced apart between the first connection part EC1-F and the second pad part EC2-B.
여기서, 절연층(IL)은 절연성 재질이면 어떠한 것이든 상관 없으며, 일례로, 에폭시(epoxy) 계열이나 실리콘(silicon) 계열의 절연성 수지가 사용될 수 있다.Here, the insulating layer IL may be any insulating material. For example, an epoxy-based or silicone-based insulating resin may be used.
아울러, 도 5b, 도 7 및 도 8에 도시된 바와 같이, 제1 패드부(EC1-B)와 제2 패드부(EC2-B) 각각은 반도체 기판(110)과 중첩되지 않는 노출 영역(PS1, PS2)을 포함할 수 있다.In addition, as shown in FIGS. 5B , 7 and 8 , each of the first pad part EC1-B and the second pad part EC2-B is an exposed area PS1 that does not overlap the
이와 같이, 인터커넥터(IC)와 연결될 수 있는 공간을 확보하기 위하여 마련된 제1 패드부(EC1-B)의 노출 영역(PS1) 및 제2 패드부(EC2-B)의 노출 영역(PS2)에 인터커넥터(IC)가 연결될 수 있다. In this way, in the exposed area PS1 of the first pad part EC1-B and the exposed area PS2 of the second pad part EC2-B, which are provided to secure a space to be connected to the interconnector IC, An interconnector IC may be connected thereto.
본 발명에 따른 제1 패드부(EC1-B)와 제2 패드부(EC2-B) 각각은 노출 영역(PS1, PS2)을 구비함으로써, 인터커넥터(IC)를 보다 용이하게 연결할 수 있으며, 아울러, 인터커넥터(IC)를 연결할 때에, 반도체 기판(110)에 대한 열팽창 스트레스를 최소화할 수 있다.Each of the first pad part EC1-B and the second pad part EC2-B according to the present invention includes the exposed regions PS1 and PS2, so that the interconnector IC can be more easily connected, and also , when connecting the interconnector IC, thermal expansion stress on the
지금까지는 본 발명에 따른 태양 전지 모듈의 제1, 2 도전성 배선(EC1, EC2)이 별도의 인터커넥터(IC)와 접속하는 제1 패드부(EC1-B)와 제2 패드부(EC2-B)를 구비하고, 본 발명에 따른 태양 전지 모듈의 태양 전지가 제1, 2 도전성 배선(EC1, EC2)에 접속된 인터커넥터(IC)에 서로 직렬 연결되는 구조를 일례로 설명하였지만, 이와 다르게, 본 발명에 따른 태양 전지 모듈의 제1, 2 도전성 배선(EC1, EC2)이 와이어나 리본 형태로 구비될 수도 있고, 별도의 인터커넥터(IC) 없이 제1, 2 도전성 배선(EC1, EC2)에 의해 태양 전지가 서로 직렬 연결될 수도 있는데, 이에 대하여 이하에서 설명한다.Up to now, the first pad part EC1-B and the second pad part EC2-B in which the first and second conductive wires EC1 and EC2 of the solar cell module according to the present invention are connected to a separate interconnector IC ) and a structure in which the solar cells of the solar cell module according to the present invention are connected in series to each other to the interconnectors (ICs) connected to the first and second conductive wirings (EC1, EC2) have been described as an example, but differently, The first and second conductive wires EC1 and EC2 of the solar cell module according to the present invention may be provided in the form of wires or ribbons, and are connected to the first and second conductive wires EC1 and EC2 without a separate interconnector (IC). The solar cells may be connected in series to each other by this, which will be described below.
도 9는 본 발명의 제2 실시예에 따른 태양 전지 모듈의 일례를 설명하기 위한 평면도이고, 도 10은 도 9에서 CX3-CX3 라인에 따른 단면도이다.9 is a plan view for explaining an example of a solar cell module according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 10 is a cross-sectional view taken along line CX3-CX3 in FIG. 9 .
도 9에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제2 실시예에 따른 태양 전지 모듈은 복수의 태양 전지(C1 ~ C3), 제1, 2 도전성 배선(EC1, EC2) 및 도전성 접착제(CA)를 포함한다.9 , the solar cell module according to the second embodiment of the present invention includes a plurality of solar cells C1 to C3, first and second conductive wires EC1 and EC2, and a conductive adhesive CA. do.
여기서, 복수의 태양 전지(C1 ~ C3)는 일례로, 도 9에 도시된 바와 같이, 제1, 2, 3 태양 전지(C1 ~ C3)를 포함할 수 있으며, 복수의 태양 전지(C1 ~ C3) 각각은 p-n 접합이 형성된 반도체 기판(110)과 반도체 기판(110)의 후면에 서로 이격되어 형성되는 복수의 제1, 2 전극(C141, C142)을 포함할 수 있다.Here, the plurality of solar cells C1 to C3 may include, for example, first, second, and third solar cells C1 to C3, as shown in FIG. 9 , and the plurality of solar cells C1 to C3 ) each may include the
제2 실시예에 따른 태양 전지 모듈에 적용되는 태양 전지는 제2 실시예에 따른 태양 전지 모듈에 적용되는 태양 전지와 동일하므로, 태양 전지의 구체적인 구조에 대한 설명은 생략하고, 다른 부분을 위주로 설명한다.Since the solar cell applied to the solar cell module according to the second embodiment is the same as the solar cell applied to the solar cell module according to the second embodiment, the detailed structure of the solar cell will be omitted, and description will be focused on other parts. do.
제2 실시예에 따른 태양 전지 모듈에서 복수의 태양 전지(C1 ~ C3) 각각은 제1 방향(x)으로 순차적으로 배열될 수 있으며, 반도체 기판(110)의 후면에 형성되는 복수의 제1, 2 전극(C141, C142)은 앞선 제1 실시예에서 설명한 바와 다르게, 제1 방향(x)과 교차하는 제2 방향(y)으로 길게 형성될 수 있다.In the solar cell module according to the second embodiment, each of the plurality of solar cells (C1 to C3) may be sequentially arranged in the first direction (x), and a plurality of first, The second electrodes C141 and C142 may be formed to be elongated in a second direction y crossing the first direction x differently from the first embodiment described above.
제1, 2 도전성 배선(EC1, EC2) 각각은 복수의 태양 전지(C1 ~ C3) 각각에 형성된 복수의 제1, 2 전극(C141, C142) 중 어느 하나의 셀 전극(C141 or C142)에 접속되어, 복수의 태양 전지(C1 ~ C3)를 서로 직렬 연결하는 기능을 할 수 있다.Each of the first and second conductive wires EC1 and EC2 is connected to one cell electrode C141 or C142 among the plurality of first and second electrodes C141 and C142 formed in each of the plurality of solar cells C1 to C3. Thus, the plurality of solar cells C1 to C3 may function to connect each other in series.
이와 같은 제1, 2 도전성 배선(EC1, EC2)는 도 9에 도시된 바와 같이, 복수의 제1, 2 전극(C141, C142)과 교차하는 제1 방향(x)으로 길게 배치되어 형성될 수 있다. As shown in FIG. 9 , the first and second conductive wires EC1 and EC2 may be formed to be elongated in the first direction x crossing the plurality of first and second electrodes C141 and C142. have.
이와 같이, 제1, 2 도전성 배선(EC1, EC2)가 복수의 제1, 2 전극(C141, C142)과 교차하는 제1 방향(x)으로 배치되도록 함으로써, 얼라인을 보다 용이하게 할 수 있다.As described above, by disposing the first and second conductive wires EC1 and EC2 in the first direction x intersecting the plurality of first and second electrodes C141 and C142, alignment can be more easily performed. .
여기서, 제1 도전성 배선(EC1)는 제1 태양 전지(C1)와 제2 태양 전지(C2)를 서로 직렬 연결 시킬 수 있으며, 제2 도전성 배선(EC2)는 제2 태양 전지(C2)와 제3 태양 전지(C3)를 서로 직렬 연결시킬 수 있다.Here, the first conductive wire EC1 may connect the first solar cell C1 and the second solar cell C2 in series to each other, and the second conductive wire EC2 is the second solar cell C2 and the second solar cell C2. 3 solar cells C3 may be connected in series with each other.
보다 구체적 일례로, 도 9 및 도 10에 도시된 바와 같이, 제1 도전성 배선(EC1)는 도전성 접착제(CA)를 통해 제2 태양 전지(C2)에 구비된 복수의 제1 전극(C141)과 제1 태양 전지(C1)에 구비된 복수의 제2 전극(C142)과 접속될 수 있고, 제2 도전성 배선(EC2)는 도전성 접착제(CA)를 통해 제2 태양 전지(C2)에 구비된 복수의 제2 전극(C142)과 제3 태양 전지(C3)에 구비된 복수의 제1 전극(C141)과 접속될 수 있다.In a more specific example, as shown in FIGS. 9 and 10 , the first conductive wiring EC1 includes a plurality of first electrodes C141 provided in the second solar cell C2 through a conductive adhesive CA and The plurality of second electrodes C142 provided in the first solar cell C1 may be connected to each other, and the second conductive wiring EC2 may be connected to the plurality of second electrodes C142 provided in the second solar cell C2 through a conductive adhesive CA. may be connected to the second electrode C142 and the plurality of first electrodes C141 provided in the third solar cell C3.
또한, 제1, 2, 3 태양 전지(C1 ~ C3) 각각에서 제1, 2 도전성 배선(EC1, EC2)와 접속되지 않는 복수 개의 제1, 2 전극(C141, C142)과 제1, 2 도전성 배선(EC1, EC2) 사이에는 절연층(IL)이 위치할 수 있다.In addition, in each of the first, second, and third solar cells C1 to C3 , the plurality of first and second electrodes C141 and C142 that are not connected to the first and second conductive wires EC1 and EC2 and the first and second conductivity An insulating layer IL may be positioned between the wirings EC1 and EC2 .
보다 구체적 일례로, 도 9 및 도 10에 도시된 바와 같이, 제2 태양 전지(C2)에서 절연층(IL)은 제1 도전성 배선(EC1)와 복수의 제2 전극(C142) 사이 및 제2 도전성 배선(EC2)와 복수의 제1 전극(C141) 사이에 위치할 수 있다. In a more specific example, as shown in FIGS. 9 and 10 , in the second solar cell C2 , the insulating layer IL is formed between the first conductive line EC1 and the plurality of second electrodes C142 and between the second electrode C142 and the second solar cell C2 . It may be positioned between the conductive line EC2 and the plurality of first electrodes C141 .
이에 따라, 제1 도전성 배선(EC1)와 복수의 제2 전극(C142) 사이 및 제2 도전성 배선(EC2)와 복수의 제1 전극(C141) 사이의 불필요한 단락이나 션트(shunt)를 보다 효과적으로 방지할 수 있다. Accordingly, unnecessary short circuits or shunts are more effectively prevented between the first conductive line EC1 and the plurality of second electrodes C142 and between the second conductive line EC2 and the plurality of first electrodes C141 . can do.
이와 같은 절연층(IL)은 제1, 2 도전성 배선(EC1, EC2)가 미리 구비된 절연성 부재(200)를 복수의 태양 전지(C1 ~ C3) 각각에 접속시키기 이전에 미리 반도체 기판(110)의 후면에 도포될 수 있다.The insulating layer IL is formed in advance of the
여기서, 도전성 접착제(CA) 및 절연층(IL)의 재질은 앞선 제1 실시예에서 설명한 바와 동일할 수 있다.Here, materials of the conductive adhesive CA and the insulating layer IL may be the same as those described in the first embodiment.
지금까지는 본 발명에 따른 태양 전지 모듈의 구조에 대해서 설명하였으나, 이하에서는 이와 같은 태양 전지 모듈의 제조 방법에 대해서 설명한다.So far, the structure of the solar cell module according to the present invention has been described. Hereinafter, a method for manufacturing such a solar cell module will be described.
도 11은 본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈의 제조 방법을 설명하기 위한 플로우 차트이고, 도 12 내지 도 15는 도 11에 기재된 제조 방법에 따라 앞서 설명한 태양 전지 모듈의 제1 실시예를 제조하는 방법을 설명하기 위한 도이고, 도 16 내지 도 19는 도 11에 기재된 제조 방법에 따라 앞서 설명한 태양 전지 모듈의 제2 실시예를 제조하는 방법을 설명하기 위한 도이다.11 is a flowchart for explaining a method for manufacturing a solar cell module according to an example of the present invention, and FIGS. 12 to 15 are for manufacturing the first embodiment of the solar cell module described above according to the manufacturing method described in FIG. It is a diagram for explaining a method, and FIGS. 16 to 19 are diagrams for explaining a method of manufacturing the second embodiment of the solar cell module described above according to the manufacturing method described in FIG. 11 .
먼저, 도 11에 기재된 바와 같이, 본 발명에 따른 태양 전지 제조 방법은 도전성 접착제 도포 단계(S1), 절연층 도포 단계(S2), 배치 단계(S3), 접속 단계(S4), 박리 단계(S5) 및 라미네이션 단계(S6)를 포함할 수 있다.First, as described in FIG. 11 , the method for manufacturing a solar cell according to the present invention includes a conductive adhesive application step (S1), an insulating layer application step (S2), an arrangement step (S3), a connection step (S4), and a peeling step (S5). ) and a lamination step (S6).
여기서, 절연층 도포 단계(S2)는 경우에 따라 생략되는 것도 가능하나, 포함된 경우를 전제로 설명한다.Here, the insulating layer application step (S2) may be omitted in some cases, but will be described on the assumption that it is included.
이하에서는 먼저, 도 11과 도 12 내지 도 15를 참조하여, 앞서 설명한 태양 전지 모듈의 제1 실시예를 제조하는 방법을 설명하고, 이후, 도 11과 도 16 내지 도 19를 참조하여, 앞서 설명한 태양 전지 모듈의 제2 실시예를 제조하는 방법을 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing the first embodiment of the solar cell module described above will be first described with reference to FIGS. 11 and 12 to 15 , and then with reference to FIGS. 11 and 16 to 19 , as described above. A method of manufacturing the second embodiment of the solar cell module will be described.
태양 전지 모듈의 제1 실시예를 본 발명의 제조 방법에 따라 제조하기 위해서는 먼저, 도 12의 (a) 및 (b)에 도시된 바와 같이, 제1, 2 도전성 배선(EC1, EC2)이 구비된 절연성 부재(200)를 준비할 수 있다.In order to manufacture the first embodiment of the solar cell module according to the manufacturing method of the present invention, first and second conductive wirings EC1 and EC2 are provided as shown in FIGS. 12A and 12B . The insulating
여기서, 제1, 2 도전성 배선(EC1, EC2)의 평면 패턴은 앞선 도 4의 (b)에서 설명한 바와 동일하므로 상세한 설명은 생략한다.Here, since the planar patterns of the first and second conductive wirings EC1 and EC2 are the same as those described with reference to FIG. 4B , a detailed description thereof will be omitted.
이와 같은 제1, 2 도전성 배선(EC1, EC2)은 도 12의 (a) 및 (b)에 도시된 바와 같이, 절연성 부재(200)의 일면에 접착층(TCA)에 의해 접착된 상태로 구비될 수 있다.The first and second conductive wirings EC1 and EC2 may be provided in a state of being adhered to one surface of the insulating
여기서, 절연성 부재(200) 위에 제1, 2 도전성 배선(EC1, EC2)의 패턴을 형성하는 방법은 절연성 부재(200) 위에 먼저 접착층(TCA)을 형성한 상태에서 제1, 2 도전성 배선(EC1, EC2)을 형성하는 페이스트를 인쇄한 후 열처리하여 경화시킨 이후, 제1, 2 도전성 배선(EC1, EC2)의 일부분을 에칭하여 제1, 2 도전성 배선(EC1, EC2)의 패턴을 형성할 수 있다. 또는 절연성 부재(200) 위에 먼저 접착층(TCA)을 형성한 상태에서 제1, 2 도전성 배선(EC1, EC2)의 패턴이 형성되도록 인쇄한 이후 열처리하여 경화하는 것도 가능하다.Here, in the method of forming the patterns of the first and second conductive wirings EC1 and EC2 on the insulating
여기서, 절연성 부재(200)의 크기는 태양 전지에 포함되는 반도체 기판(110)의 크기보다 조금 더 클 수 있다. 일례로, 절연성 부재(200)의 제1 방향(x)으로의 길이는 반도체 기판(110)의 제1 방향(x)으로의 길이보다 길 수 있다.Here, the size of the insulating
여기서, 접착층(TCA)은 절연성 부재(200)의 거의 전체면에 형성될 수 있다, 따라서, 절연성 부재(200)의 일면 중에서 제1, 2 도전성 배선(EC1, EC2)이 형성되는 부분과 형성되지 않는 부분에도 접착층(TCA)이 형성될 수 있다.Here, the adhesive layer TCA may be formed on almost the entire surface of the insulating
이와 같은, 접착층(TCA)은 박리 단계(S5)에서 선택적으로 식각되어 제거될 수 있다. 일례로, 접착층(TCA)은 에폭시 수지 계열이나 실리콘 수지 계열을 포함할 수 있고, 일례로, 에폭시 아크릴레이트(Epoxy acrylate) 수지 계열을 포함하여 형성될 수 있는데, 박리 단계(S5)에서는 에폭시 아크릴레이트에만 선택적으로 반응하는 KOH 수용액, NaOH 수용액 또는 TMAH(Tetramethyl ammounium hydroxide) 수용액 중 어느 하나를 포함하는 접착층 에칭액을 사용하여 접착층(TCA)을 제거할 수 있다. 그러나, 접착층(TCA)의 재질은 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 선택적으로 반응하는 에칭액이 별도로 있는 경우, 이와 다른 재질도 얼마든지 사용 가능하다.As such, the adhesive layer TCA may be selectively etched and removed in the peeling step S5 . As an example, the adhesive layer (TCA) may include an epoxy resin series or a silicone resin series, for example, may be formed including an epoxy acrylate resin series, and in the peeling step (S5), the epoxy acrylate The adhesive layer (TCA) may be removed by using an adhesive layer etchant containing any one of an aqueous KOH solution, an aqueous NaOH solution, or an aqueous TMAH (Tetramethyl ammounium hydroxide) solution that selectively reacts only with . However, the material of the adhesive layer (TCA) is not necessarily limited thereto, and if there is an etchant that selectively reacts, any other material may be used.
본 발명에서는 접착층(TCA)이 전술한 바와 같이, 에폭시 아크릴레이트를 포함하는 경우를 일례로 설명한다.In the present invention, a case in which the adhesive layer (TCA) includes epoxy acrylate as described above will be described as an example.
이와 같이, 제1, 2 도전성 배선(EC1, EC2)이 절연성 부재(200)에 미리 구비된 경우, 제1, 2 전극(C141, C142) 위에 제1, 2 도전성 배선(EC1, EC2)을 배치할 때, 제1, 2 전극(C141, C142)과 제1, 2 도전성 배선(EC1, EC2) 사이의 얼라인(Align)을 보다 용이하게 할 수 있다.As such, when the first and second conductive wires EC1 and EC2 are previously provided on the insulating
이와 같이, 제1, 2 도전성 배선(EC1, EC2)이 형성된 절연성 부재(200)가 구비된 상태에서, 도 13에 도시된 바와 같이, 태양 전지에 구비된 반도체 기판(110)의 후면에 구비된 제1, 2 전극(C141, C142)의 후면 위에 도전성 접착제 페이스트(CAP)를 도포하는 도전성 접착제 도포 단계(S1)를 수행하고, 반도체 기판(110)의 후면 중에서 도전성 접착제(CA)가 도포되지 않은 부분에 절연층 페이스트(ILP)를 도포하는 절연층 도포 단계(S2)가 수행될 수 있다.In this way, in a state in which the insulating
보다 구체적으로, 제1 실시예의 경우, 복수의 제1, 2 전극(C141, C142) 각각의 후면 위에 도전성 접착제 페이스트(CAP)를 도포하고, 제1, 2 전극(C141, C142) 사이의 반도체 기판(110)의 후면 위에는 절연층 페이스트(ILP)를 도포할 수 있다.More specifically, in the first embodiment, a conductive adhesive paste CAP is applied on the rear surfaces of each of the plurality of first and second electrodes C141 and C142, and the semiconductor substrate between the first and second electrodes C141 and C142 is An insulating layer paste (ILP) may be applied on the rear surface of 110 .
여기서, 태양 전지의 구조는 앞선 도 3 및 도 4의 (a)에서 설명한 바와 동일하므로 생략한다.Here, the structure of the solar cell is the same as that described with reference to FIGS. 3 and 4 (a), and thus is omitted.
도 11에서는 도전성 접착제 도포 단계(S1) 이후에 절연층 도포 단계(S2)가 수행되는 경우를 일례로 기재하였으나, 이와 다르게 절연층 도포 단계(S2)가 먼저 수행되고 도전성 접착제 도포 단계(S1)가 수행되어도 무방하다.In FIG. 11, the case in which the insulating layer application step (S2) is performed after the conductive adhesive application step (S1) is described as an example, but differently, the insulating layer application step (S2) is performed first and the conductive adhesive application step (S1) is performed It is free to perform
이와 같이, 도전성 접착제 도포 단계(S1)와 절연층 도포 단계(S2)가 수행된 이후, 도 13에 도시된 바와 같이, 복수의 제1, 2 도전성 배선(EC1, EC2)이 접착층(TCA)에 의해 접착되어 있는 절연성 부재(200)를 도전성 접착제(CA)가 도포된 복수의 제1, 2 전극(C141, C142)의 후면에 화살표 방향으로 배치할 수 있다.In this way, after the conductive adhesive application step S1 and the insulating layer application step S2 are performed, as shown in FIG. 13 , a plurality of first and second conductive wires EC1 and EC2 are attached to the adhesive layer TCA. The insulating
이때, 도 5b에서 설명한 바와 같은 태양 전지 개별 소자를 형성하기 위해, 제1, 2 도전성 배선(EC1, EC2)에 포함되는 제1, 2 접속부(EC1-F, EC2-F)의 길이 방향이 제1, 2 전극(C141, C142)의 길이 방향과 동일하게 위치하도록 절연성 부재(200)를 반도체 기판(110)의 후면 위에 배치시킬 수 있다. At this time, in order to form the solar cell individual device as described in FIG. 5B , the longitudinal direction of the first and second connection parts EC1-F and EC2-F included in the first and second conductive wirings EC1 and EC2 is the first. The insulating
그러나, 이와 다르게, 제1, 2 전극(C141, C142)의 길이 방향과 제1, 2 접속부(EC1-F, EC2-F)의 길이 방향이 서로 교차하도록 배치하는 것도 가능하다. 다만 이와 같은 경우, 도전성 접착제 페이스트(CAP)와 절연층 페이스트(ILP)의 도포 위치가 달라질 수 있다. 즉, 도전성 접착제 페이스트(CAP)는 제1 전극(C141)과 제1 접속부(EC1-F)가 중첩되는 사이의 부분과 제2 전극(C142)과 제2 접속부(EC2-F)가 중첩되는 사이의 부분에 도포될 수 있고, 절연층 페이스트(ILP)는 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142) 사이의 부분, 제1 전극(C141)과 제2 접속부(EC2-F)가 중첩되는 사이의 부분, 및 제2 전극(C142)과 제1 접속부(EC1-F)가 중첩되는 사이의 부분에 도포될 수 있다.However, alternatively, the longitudinal directions of the first and second electrodes C141 and C142 and the longitudinal directions of the first and second connecting portions EC1-F and EC2-F may be arranged to cross each other. However, in this case, the application positions of the conductive adhesive paste CAP and the insulating layer paste ILP may be different. That is, the conductive adhesive paste CAP is formed between the overlapping portion of the first electrode C141 and the first connecting portion EC1-F and the overlapping of the second electrode C142 and the second connecting portion EC2-F. may be applied to a portion of , and the insulating layer paste ILP is a portion between the first electrode C141 and the second electrode C142 and the first electrode C141 and the second connection portion EC2-F overlap It may be applied to a portion between the portions and a portion between the second electrode C142 and the first connection portion EC1-F overlapping each other.
도 13과 같이 절연성 부재(200)가 반도체 기판(110)의 후면 위에 배치된 이후, 접속 단계(S4)에서는 도 14와 같이 도전성 접착제(CA)를 열처리하여 복수의 제1, 2 도전성 배선(EC1, EC2) 각각을 복수의 제1, 2 전극(C141, C142) 각각에 접속시킬 수 있다.After the insulating
이와 같은 접속 단계(S4)에서의 열처리 온도는 80℃ ~ 300℃ 사이일 수 있다.The heat treatment temperature in this connection step (S4) may be between 80 ℃ ~ 300 ℃.
이와 같은 접속 단계(S4)에 의해 도전성 접착제 페이스트(CAP)와 절연층 페이스트(ILP)가 경화된 도전성 접착제(CA)와 절연층(IL)이 형성될 수 있다. 아울러, 접착층(TCA)의 에폭시 아크릴레이트도 함께 경화될 수 있다.The conductive adhesive CA and the insulating layer IL in which the conductive adhesive paste CAP and the insulating layer paste ILP are cured may be formed by the connection step S4 as described above. In addition, the epoxy acrylate of the adhesive layer (TCA) may be cured together.
이와 같은 접속 단계(S4)에서의 열처리는 다양한 방법으로 수행될 수 있다. 일례로, 열처리 온도가 상대적으로 낮은 가접합 단계와 열처리 온도가 상대적으로 높은 본접합 단계로 구분될 수도 있고, 이외에 다양한 방법으로 처리가 가능하다.The heat treatment in the connection step S4 may be performed in various ways. For example, it may be divided into a temporary bonding step having a relatively low heat treatment temperature and a main bonding step having a relatively high heat treatment temperature, and processing can be performed in various other ways.
이와 같은 접속 단계(S4)가 완료된 이후, 접착층(TCA)을 선택적으로 식각하여 복수의 제1, 2 도전성 배선(EC1, EC2)으로부터 절연성 부재(200)를 박리하는 박리 단계(S5)가 수행될 수 있다.After the connection step S4 is completed, a peeling step S5 of selectively etching the adhesive layer TCA to separate the insulating
이와 같은 박리 단계(S5)에서는 접착층(TCA)에만 선택적으로 반응하는 접착층 에칭액에 의해 접착층(TCA)이 식각되어, 도 15에 도시된 바와 같이, 절연성 부재(200)는 복수의 제1, 2 도전성 배선(EC1, EC2)으로부터 분리될 수 있다.In this peeling step (S5), the adhesive layer (TCA) is etched by the adhesive layer etchant selectively reacting only to the adhesive layer (TCA), and as shown in FIG. 15 , the insulating
이때, 박리 단계(S5)에서 사용되는 접착층 에칭액은 에폭시 아크릴레이트에만 선택적으로 반응하는 KOH 수용액, NaOH 수용액 또는 TMAH(Tetramethyl ammounium hydroxide) 수용액 중 어느 하나를 포함하는 접착층 에칭액을 사용할 수 있다.At this time, the adhesive layer etchant used in the peeling step (S5) is an adhesive layer etchant containing any one of a KOH aqueous solution, NaOH aqueous solution, or TMAH (Tetramethyl ammounium hydroxide) aqueous solution that selectively reacts only with epoxy acrylate. It can be used.
전술한 바와 같은 접착층 에칭액은 접속 단계(S4)에서의 열처리 단계에 의해 경화된 에폭시 아크릴레이트의 화학적 체인을 분해시켜 끊어버릴 수 있다. 이에 따라 박리 단계(S5)에서의 접착층 에칭액은 접착층(TCA)에만 선택적으로 반응하여 접착층(TCA)을 제거할 수 있고, 이에 따라 절연성 부재(200)도 복수의 제1, 2 도전성 배선(EC1, EC2)으로부터 분리될 수 있다.The adhesive layer etchant as described above may be broken by decomposing the chemical chain of the epoxy acrylate cured by the heat treatment step in the connection step (S4). Accordingly, the adhesive layer etchant in the peeling step S5 selectively reacts only with the adhesive layer TCA to remove the adhesive layer TCA, and accordingly, the insulating
이와 같은 박리 단계(S5)가 완료된 이후, 복수의 태양 전지가 직렬 연결된 스트링이 완성될 수 있다.After the peeling step S5 is completed, a string in which a plurality of solar cells are connected in series may be completed.
이후, 복수의 태양 전지를 전면 투명 기판(미도시)과 후면 시트(미도시) 사이의 봉지재(미도시) 내에 모듈화시키는 라미네이션 공정이 수행될 수 있다.Thereafter, a lamination process for modularizing a plurality of solar cells in an encapsulant (not shown) between the front transparent substrate (not shown) and the back sheet (not shown) may be performed.
이와 같은 본 발명에 따른 태양 전지 모듈의 제조 방법은 제조 공정을 단순화시켜 태양 전지 모듈의 제조 비용을 절감시킬 수 있다.The manufacturing method of the solar cell module according to the present invention as described above can reduce the manufacturing cost of the solar cell module by simplifying the manufacturing process.
지금까지는 본 발명의 제1 실시예에 따른 태양 전지 모듈의 제조 방법에 대해서 설명하였으나, 이하에서는 도 11 및 도 16 내지 도 19를 참조하여, 제2 실시예에 따른 태양 전지 모듈의 제조 방법에 대해 설명한다.So far, a method of manufacturing a solar cell module according to the first embodiment of the present invention has been described, but below, with reference to FIGS. 11 and 16 to 19 , a method of manufacturing a solar cell module according to the second embodiment will be described. Explain.
이와 같은 제2 실시예에 따른 태양 전지 모듈의 제조 방법에 대한 설명에서는 앞선 제1 실시예에 따른 태양 전지 모듈의 제조 방법에서 설명한 내용과 내용상 양립 불가능하거나 충돌하는 경우를 제외하고 특별한 설명이 없는 경우 함께 적용되는 것을 전제로 한다.In the description of the method for manufacturing a solar cell module according to the second embodiment, there is no special description except for cases in which it is incompatible or conflicts with the contents described in the method for manufacturing a solar cell module according to the first embodiment. It is assumed that they are applied together.
이와 같은 제2 실시예에 따른 태양 전지 모듈의 제조 방법에서는 도 16에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(110)의 후면에 형성된 제1, 2 전극(C141, C142)의 길이 방향이 제2 방향(y)으로 향하도록 태양 전지를 배치할 수 있다.In the method of manufacturing a solar cell module according to the second embodiment, as shown in FIG. 16 , the longitudinal directions of the first and second electrodes C141 and C142 formed on the rear surface of the
이와 같이, 태양 전지를 배치한 상태에서, 도 11에 기재된 도전성 접착제 도포 단계(S1)에서는 도 16에 도시된 바와 같이, 복수의 제1, 2 전극(C141, C142)의 후면 중에서 복수의 제1, 2 도전성 배선(EC1, EC2)이 접속되어야 할 부분 위에 도전성 접착제 페이스트(CAP)가 도포될 수 있다.In this way, in the state in which the solar cells are disposed, in the conductive adhesive application step (S1) described in FIG. 11 , as shown in FIG. 16 , a plurality of first , 2 A conductive adhesive paste CAP may be applied on portions to which the conductive wires EC1 and EC2 are to be connected.
즉, 도전성 접착제(CA)는 복수의 제1 전극(C141)의 후면 중에서 제1 도전성 배선(EC1)과 제1 전극(C141)이 중첩될 부분과 복수의 제2 전극(C142)의 후면 중에서 제2 도전성 배선(EC2)과 제2 전극(C142)이 중첩될 부분에 도포될 수 있다.That is, the conductive adhesive CA includes a portion where the first conductive wire EC1 and the first electrode C141 overlap among the rear surfaces of the plurality of first electrodes C141 and a second electrode among the rear surfaces of the plurality of second electrodes C142. The second conductive line EC2 and the second electrode C142 may be applied to overlapping portions.
다음, 절연층(IL) 형성 단계에서는 복수의 제1, 2 전극(C141, C142)의 후면 중에서 제1, 2 도전성 배선(EC1, EC2)과 제1, 2 전극(C141, C142)이 서로 절연되어야 할 부분 위에 절연층 페이스트(ILP)가 도포될 수 있다.Next, in the insulating layer IL forming step, the first and second conductive wires EC1 and EC2 and the first and second electrodes C141 and C142 among the rear surfaces of the plurality of first and second electrodes C141 and C142 are insulated from each other. An insulating layer paste (ILP) may be applied on the portion to be formed.
즉, 절연층 페이스트(ILP)는 복수의 제1 전극(C141)의 후면 중에서 제2 도전성 배선(EC2)과 제1 전극(C141)이 중첩될 부분 위와 복수의 제2 전극(C142)의 후면 중에서 제1 도전성 배선(EC1)과 제2 전극(C142)이 중첩될 부분 위에 도포될 수 있다.That is, the insulating layer paste ILP is formed on a portion of the rear surfaces of the plurality of first electrodes C141 where the second conductive wiring EC2 and the first electrode C141 overlap and among the rear surfaces of the plurality of second electrodes C142 . The first conductive line EC1 and the second electrode C142 may be coated on the overlapping portion.
이후, 절연성 부재(200) 배치 단계(S3)에서는 도전성 접착제(CA)가 도포된 복수의 제1, 2 전극(C141, C142)의 후면이 복수의 제1, 2 도전성 배선(EC1, EC2)이 접착되어 있는 도 17과 같은 절연성 부재(200) 위에 배치될 수 있다.Thereafter, in the insulating
여기서, 절연성 부재(200) 위에 접착된 복수의 제1, 2 도전성 배선(EC1, EC2)은 도 17의 (a)에 도시된 바와 같이, 제1 방향(x)으로 길게 형성된 패턴을 가질 수 있다.Here, the plurality of first and second conductive wirings EC1 and EC2 bonded on the insulating
아울러, 이와 같은 복수의 제1, 2 도전성 배선(EC1, EC2)은 도 17의 (b)에 도시된 바와 같이, 접착층(TCA)에 의해 절연성 부재(200)에 부착된 상태일 수 있다. 여기서, 접착층(TCA)은 에폭시 아크릴레이트를 포함하여 형성될 수 있다.In addition, the plurality of first and second conductive wirings EC1 and EC2 may be attached to the insulating
이와 같은 접착층(TCA)은 절연성 부재(200)의 거의 전체면에 형성될 수 있다, 따라서, 절연성 부재(200)의 일면 중에서 제1, 2 도전성 배선(EC1, EC2)이 형성되는 부분과 형성되지 않는 부분에도 접착층(TCA)이 형성될 수 있다.Such an adhesive layer (TCA) may be formed on almost the entire surface of the insulating
여기서, 절연성 부재(200)의 크기는 도 17의 (a)에 도시된 바와 같이, 제1 방향(x)으로 길게 뻗어 있을 수 있으며, 복수의 태양 전지가 배치될 수 있는 크기를 가질 수 있다. Here, the size of the insulating
일례로, 태양 전지의 반도체 기판(110)은 도 17의 (a)에 도시된 AC1 영역 내지 AC4 영역에 각각 배치될 수 있다.As an example, the
이와 같은 경우, 복수의 태양 전지(C1, C2)가 AC1 영역 내지 AC4 영역에 각각 배치되어 복수의 제1, 2 도전성 배선(EC1, EC2)에 접속되어 하나의 스트링을 형성할 수 있다.In this case, the plurality of solar cells C1 and C2 may be respectively disposed in regions AC1 to AC4 and connected to the plurality of first and second conductive wirings EC1 and EC2 to form one string.
이와 같이, 반도체 기판(110)을 절연성 부재(200) 위에 배치할 때, 반도체 기판(110)의 후면에 구비된 복수의 제1, 2 전극(C141, C142)의 길이 방향이 복수의 제1, 2 도전성 배선(EC1, EC2)의 길이 방향인 제1 방향(x)과 교차하는 제2 방향(y)이 반도체 기판(110)을 되도록 배치할 수 있다.In this way, when the
이후, 접속 단계(S4)에서 도전성 접착제(CA)를 열처리하여, 도 18에 도시된 바와 같이, 복수의 제1, 2 도전성 배선(EC1, EC2) 각각을 복수의 제1, 2 전극(C141, C142) 각각에 접속시킬 수 있다. Thereafter, by heat-treating the conductive adhesive CA in the connection step S4 , as shown in FIG. 18 , each of the plurality of first and second conductive wires EC1 and EC2 is connected to the plurality of first and second electrodes C141 and C141 , respectively. C142) can be connected to each.
이와 같은 접속 단계(S4)에서의 열처리 온도는 80℃ ~ 300℃ 사이일 수 있다.The heat treatment temperature in this connection step (S4) may be between 80 ℃ ~ 300 ℃.
이와 같은 접속 단계(S4)에 의해 도전성 접착제 페이스트(CAP)와 절연층 페이스트(ILP)가 경화된 도전성 접착제(CA)와 절연층(IL)이 형성될 수 있다. 아울러, 접착층(TCA)의 에폭시 아크릴레이트도 함께 경화될 수 있다.The conductive adhesive CA and the insulating layer IL in which the conductive adhesive paste CAP and the insulating layer paste ILP are cured may be formed by the connection step S4 as described above. In addition, the epoxy acrylate of the adhesive layer (TCA) may be cured together.
이와 같은 접속 단계(S4)가 완료된 이후, 접착층(TCA)을 선택적으로 식각하여 복수의 제1, 2 도전성 배선(EC1, EC2)으로부터 절연성 부재(200)를 박리하는 박리 단계(S5)가 수행될 수 있다.After the connection step S4 is completed, a peeling step S5 of selectively etching the adhesive layer TCA to separate the insulating
이와 같은 박리 단계(S5)에서는 접착층(TCA)에만 선택적으로 반응하는 접착층 에칭액에 의해 접착층(TCA)이 식각되어, 도 18에서 절연성 부재(200)가 복수의 제1, 2 도전성 배선(EC1, EC2)으로부터 분리될 수 있다.In the peeling step S5 , the adhesive layer TCA is etched by the adhesive layer etchant that selectively reacts only with the adhesive layer TCA, and in FIG. 18 , the insulating
이와 같은, 박리 단계(S5)에서 사용되는 접착층 에칭액은 에폭시 아크릴레이트에만 선택적으로 반응하는 KOH 수용액, NaOH 수용액 또는 TMAH(Tetramethyl ammounium hydroxide) 수용액 중 어느 하나를 포함하는 접착층 에칭액을 사용할 수 있다.As such, the adhesive layer etchant used in the peeling step (S5) may be an adhesive layer etchant containing any one of an aqueous KOH solution, an aqueous NaOH solution, or an aqueous TMAH (Tetramethyl ammounium hydroxide) solution that selectively reacts only with epoxy acrylate.
이와 같은 박리 단계(S5)가 완료된 이후, 복수의 태양 전지가 직렬 연결된 스트링이 완성될 수 있다.After the peeling step S5 is completed, a string in which a plurality of solar cells are connected in series may be completed.
이후, 도 19에 도시된 바와 같이, 태양 전지를 전면 투명 기판(FG)과 후면 시트(BS) 사이의 에바 재질의 제1, 2 봉지재(EVA1, EVA2) 내에 모듈화시키는 라미네이션 공정이 수행될 수 있다.Thereafter, as shown in FIG. 19 , a lamination process for modularizing the solar cell in the first and second encapsulants EVA1 and EVA2 of the EVA material between the front transparent substrate FG and the rear sheet BS may be performed. have.
도 11 내지 도 19에서는 본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈의 제조 방법에 대해서만 설명하였으나, 이하의 도 20 및 도 21에서는 태양 전지 모듈의 제조 방법에 적용되는 배선 기판(300)을 제조하는 방법의 일례에 대해서 설명한다.11 to 19, only the method of manufacturing a solar cell module according to an example of the present invention has been described, but in FIGS. 20 and 21 below, a method of manufacturing the
이하의 도 20 및 도 21에서 설명하는 배선 기판(300)은 절연성 부재(200) 위에 패터닝된 제1, 2 도전성 배선(EC1, EC2)이 접착층(TCA)을 통해 접착된 구조를 가지며, 여기서, 제1, 2 도전성 배선(EC1, EC2)의 패턴은 앞선 도 12 또는 도 17에서 설명한 바와 같은 패턴을 가질 수 있다.The
따라서, 도 20 및 도 21에 의해 제조되는 배선 기판(300)은 본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈의 제조 방법에 사용될 수 있다.Accordingly, the
도 20은 금속 에칭액을 이용하여 절연성 부재(200) 위에 제1, 2 도전성 배선(EC1, EC2)을 형성하여 배선 기판(300)을 제조하는 방법의 일례를 설명하기 위한 도이고, 도 21은 기계적 식각 방법을 이용하여 절연성 부재(200) 위에 제1, 2 도전성 배선(EC1, EC2)을 형성하여 배선 기판(300)을 제조하는 방법의 일례를 설명하기 위한 도이다.20 is a diagram for explaining an example of a method of manufacturing the
본 발명의 일례에 따라 배선 기판(300)을 제조하는 방법은 접착 단계와 패터닝 단계를 포함할 수 있고, 여기서 패터닝 단계는 도 20과 같이 금속 에칭액을 이용하거나 도 21과 같이 기계적 식각 방법을 이용할 수 있다.A method of manufacturing the
도 20과 같이, 금속 에칭액을 이용하여 배선 기판(300)을 제조하는 방법에서 접착 단계는 도 20의 (a)에 도시된 바와 같이, 절연성 부재(200)의 일면 위에 접착층(TCA)을 도포하여 형성하고, 접착층(TCA) 위에 금속 호일층(metal foil, MF)을 배치한 후, 열처리하여 금속 호일층(MF)을 절연성 부재(200)의 일면에 접착시킬 수 있다.As shown in FIG. 20 , in the method of manufacturing the
여기서, 금속 호일층(MF)은 5um ~ 300um 사이의 두께를 가질 수 있으며, 금속 호일층(MF)의 재질은 Cu, Al, Ni 또는 Sn 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 실질적으로 금속 호일층(MF)의 재질은 앞선 제1, 2 도전성 배선(EC1, EC2)의 재질과 동일할 수 있다.Here, the metal foil layer MF may have a thickness of 5 μm to 300 μm, and the material of the metal foil layer MF may include at least one of Cu, Al, Ni, or Sn. The material of the metal foil layer MF may be substantially the same as that of the first and second conductive wirings EC1 and EC2.
이후, 도 20의 (b) 내지 (d)와 같이 금속 에칭액을 이용하여 금속 호일층(MF)을 선택적으로 식각하여 금속 호일층(MF)을 패터닝함으로써, 복수의 제1, 2 도전성 배선(EC1, EC2)을 형성하는 패터닝 단계가 수행될 수 있다.Thereafter, as shown in (b) to (d) of FIG. 20 , the metal foil layer MF is selectively etched using a metal etchant to pattern the metal foil layer MF, thereby forming a plurality of first and second conductive wirings EC1. , a patterning step to form EC2) may be performed.
이를 위해, 도 20의 (b)에 도시된 바와 같이, 금속 호일층(MF) 위에 식각 방지막(AEL)을 패터닝하여 형성할 수 있다.To this end, as shown in (b) of FIG. 20 , the etch stop layer AEL may be formed on the metal foil layer MF by patterning.
여기서, 식각 방지막(AEL)의 패턴은 앞선 도 12 또는 도 17에서 설명한 제1, 2 도전성 배선(EC1, EC2)의 패턴과 동일할 수 있다. 다만, 금속 에칭액에 의한 식각을 고려하여, 식각 방지막(AEL) 패턴의 폭을 제1, 2 도전성 배선(EC1, EC2) 패턴의 폭보다 조금 더 크게 형성할 수 있다.Here, the pattern of the etch stop layer AEL may be the same as the pattern of the first and second conductive wirings EC1 and EC2 described with reference to FIG. 12 or FIG. 17 . However, in consideration of etching by the metal etchant, the width of the etch stop layer AEL pattern may be slightly larger than the width of the first and second conductive wiring patterns EC1 and EC2.
이와 같이 식각 방지막(AEL)의 재질은 에폭시 수지 또는 실리콘 수지 계열일 수 있다.As described above, the material of the etch stop layer AEL may be an epoxy resin or a silicone resin series.
이와 같이, 식각 방지막(AEL)이 금속 호일층(MF) 위에 패터닝된 상태에서, 금속 호일층(MF)에서 식각 방지막(AEL)이 형성된 부분을 제외한 나머지 부분(PMF)을 금속 에칭액으로 선택적으로 식각시켜, 도 20의 (c)에 도시된 바와 같이, 금속 호일층(MF)이 패터닝된 상태의 제1, 2 도전성 배선(EC1, EC2)을 형성하고, 이후, 도 20의 (d)에 도시된 바와 같이, 식각 방지막(AEL)을 제거할 수 있다. As described above, in the state in which the etch stop layer AEL is patterned on the metal foil layer MF, the remaining portion PMF of the metal foil layer MF except for the portion where the etch stop layer AEL is formed is selectively etched with a metal etchant. to form the first and second conductive wirings EC1 and EC2 in a state in which the metal foil layer MF is patterned, as shown in FIG. As described above, the etch stop layer (AEL) may be removed.
이때, 금속 에칭액은 금속만 식각시키고, 식각 방지막(AEL)이나 접착층(TCA)은 식각시키지 않는 에칭액이 사용될 수 있다.In this case, an etching solution that etches only the metal and does not etch the etch stop layer (AEL) or the adhesive layer (TCA) may be used as the metal etchant.
이와 같이 형성된 도 20의 (d)의 제1, 2 도전성 배선(EC1, EC2) 패턴은 앞선 도 12 또는 도 17에서 설명한 제1, 2 도전성 배선(EC1, EC2)의 패턴과 동일할 수 있다.The patterns of the first and second conductive wirings EC1 and EC2 of FIG. 20D formed in this way may be the same as the patterns of the first and second conductive wirings EC1 and EC2 described with reference to FIG. 12 or FIG. 17 .
도 20에서는 배선 기판(300)의 금속 호일층(MF)을 금속 에칭액을 이용하여 선택적으로 식각하는 방법에 대해서 설명하였으나, 이와 다르게, 금속 호일층(MF)을 기계적으로 식각하여 패터닝하는 방법은 도 20의 (a)와 같이, 금속 호일층(MF)을 절연성 부재(200)의 일면에 접착시킨 상태에서, 도 21에 도시된 바와 같이, 레이저 빔 조사 장비 또는 드릴 장비 또는 커팅 장비와 같은 기계적 식각 장비(ME)를 이용하여 금속 호일층(MF)의 일부분(PMF)을 제거하여 도 20의 (d)와 같은 제1, 2 도전성 배선(EC1, EC2)의 패턴을 형성하는 것도 가능하다.In FIG. 20 , a method of selectively etching the metal foil layer MF of the
아울러, 본 발명은 도 20의 금속 에칭액을 이용한 선택적 식각 방법과 도 21의 기계적 식각 방법을 혼합하여 사용하는 것도 가능하다.In addition, in the present invention, it is also possible to use a mixture of the selective etching method using the metal etching solution of FIG. 20 and the mechanical etching method of FIG. 21 .
이와 같이, 금속 호일층(MF)을 이용하여 배선 기판(300)을 형성하는 방법은 절연성 부재(200) 위에 제1, 2 도전성 배선(EC1, EC2)을 형성하기 위한 금속 페이스트를 인쇄하여 형성하는 방법과 비교하여 제조 시간을 절감할 수 있다.As described above, the method of forming the
도 11 내지 도 21에서는 금속 호일층(MF)을 이용하여 형성된 제1, 2 도전성 배선(EC1, EC2)을 절연성 부재(200)의 일면에 미리 형성하여 태양 전지에 접속시키는 태양 전지 모듈의 제조 방법에 대해서 설명하였으나, 이와 다르게, 별도의 배선 기판(300)을 미리 형성하지 않고, 금속 호일층(MF)을 도전성 접착제(CA)를 이용하여 태양 전지의 제1, 2 전극(C141, C142)에 미리 접속시킨 이후, 금속 호일층(MF)을 선택적으로 식각하여 태양 전지 모듈을 형성하는 것도 가능하다. 이에 대해 도 22 및 도 23을 참조하여 설명하면 다음과 같다.11 to 21 , the first and second conductive wires EC1 and EC2 formed using the metal foil layer MF are previously formed on one surface of the insulating
도 22 및 도 23은 본 발명의 다른 일례에 따른 태양 전지 모듈의 제조 방법을 설명하기 위한 도이다.22 and 23 are diagrams for explaining a method of manufacturing a solar cell module according to another example of the present invention.
별도의 배선 기판(300)을 미리 형성하지 않고, 금속 호일층(MF)을 도전성 접착제(CA)를 이용하여 태양 전지의 제1, 2 전극(C141, C142)에 미리 접속시킨 이후, 금속 호일층(MF)을 선택적으로 식각하여 태양 전지 모듈을 형성하는 방법에서도 식각 방법은 에칭액을 이용하거나 기계적 식각 방법이 이용될 수 있다.After pre-connecting the metal foil layer MF to the first and second electrodes C141 and C142 of the solar cell using a conductive adhesive CA without forming a
도 22는 금속 호일층(MF)을 태양 전지의 제1, 2 전극(C141, C142)에 접속시킨 이후, 금속 에칭액을 이용하여 금속 호일층(MF)을 선택적으로 식각하는 방법의 일례를 설명하기 위한 도이고, 도 23은 금속 호일층(MF)을 태양 전지의 제1, 2 전극(C141, C142)에 접속시킨 이후, 기계적 식각 방법을 이용하여 금속 호일층(MF)을 선택적으로 식각하는 방법의 일례를 설명하기 위한 도이다.22 illustrates an example of a method of selectively etching the metal foil layer MF using a metal etching solution after connecting the metal foil layer MF to the first and second electrodes C141 and C142 of the solar cell. 23 is a method of selectively etching the metal foil layer (MF) using a mechanical etching method after connecting the metal foil layer (MF) to the first and second electrodes (C141, C142) of the solar cell It is a figure for demonstrating an example of.
본 발명의 다른 일례에 따른 태양 전지 모듈의 제조 방법은 도전성 접착제 도포 단계, 금속 호일층 접속 단계 및 배선 형성 단계를 포함할 수 있다.A method of manufacturing a solar cell module according to another example of the present invention may include a conductive adhesive application step, a metal foil layer connection step, and a wiring forming step.
여기서, 도전성 접착제 도포 단계에서는 도 22의 (a)에 도시된 바와 같이, 반도체 기판의 후면에 구비된 제1, 2 전극(C141, C142) 각각의 위에 도전성 접착제 페이스트(CP)를 도포할 수 있다.Here, in the conductive adhesive application step, as shown in FIG. 22A , the conductive adhesive paste CP may be applied on each of the first and second electrodes C141 and C142 provided on the rear surface of the semiconductor substrate. .
여기서, 도 22의 (a)에 도시된 태양 전지는 도 3 및 도 4에서 설명한 구조와 동일할 수 있다. 따라서, 도 22의 (a)에서는 제1, 2 전극(C141, C142)이 각각 하나인 경우만을 도시하였으나, 실질적으로는 복수 개이다.Here, the solar cell shown in (a) of FIG. 22 may have the same structure as that described in FIGS. 3 and 4 . Accordingly, although only one case is illustrated in FIG. 22A , each of the first and second electrodes C141 and C142 is plural.
이와 같은 도전성 접착제 도포 단계 이후 금속 호일층 접속 단계가 수행될 수 있다. After such a conductive adhesive application step, a metal foil layer connection step may be performed.
여기서의 금속 호일층은 앞선 도 20에서 설명한 금속 호일층과 두께와 재질이 동일할 수 있다.Here, the metal foil layer may have the same thickness and material as the metal foil layer described with reference to FIG. 20 above.
금속 호일층 접속 단계에서는 도 22의 (b)에 도시된 바와 같이, 금속 호일층(MF)을 도전성 접착제(CA)가 도포된 복수의 제1, 2 전극(C141, C142)의 후면에 배치한 상태에서, 80℃ ~ 200℃ 사이로 대략 30초 ~ 1200초 정도 열처리하여, 도전성 접착제 페이스트(CP)를 경화시켜 도전성 접착제(CA)로 형성할 수 있다. In the metal foil layer connection step, as shown in (b) of FIG. 22, the metal foil layer MF is disposed on the rear surface of the plurality of first and second electrodes C141 and C142 coated with the conductive adhesive CA. In this state, the conductive adhesive paste (CP) may be cured to form a conductive adhesive (CA) by heat treatment at a temperature of 80°C to 200°C for about 30 seconds to 1200 seconds.
이에 따라 도 22의 (c)에 도시된 바와 같이, 도전성 접착제 페이스트(CP)가 경화된 도전성 접착제(CA)가 금속 호일층(MF)과 제1, 2 전극(C141, C142) 사이를 서로 접속시킬 수 있다.Accordingly, as shown in (c) of FIG. 22 , the conductive adhesive CA in which the conductive adhesive paste CP is cured connects the metal foil layer MF and the first and second electrodes C141 and C142 to each other. can do it
이후, 배선 형성 단계에서는 금속 호일층(MF)을 선택적으로 식각하여 복수의 제1, 2 도전성 배선(EC1, EC2)을 형성할 수 있다. Thereafter, in the wiring forming step, the metal foil layer MF may be selectively etched to form a plurality of first and second conductive wirings EC1 and EC2 .
이와 같은 배선 형성 단계는 금속 에칭액을 이용하여 복수의 제1, 2 전극(C141, C142)에 접속된 금속 호일층(MF)의 일부분을 선택적 식각하여 복수의 제1, 2 도전성 배선(EC1, EC2)을 형성하거나, 복수의 제1, 2 전극(C141, C142)에 접속된 금속 호일층(MF)의 일부분을 기계적으로 식각하여 복수의 제1, 2 도전성 배선(EC1, EC2)을 형성할 수 있다.In the wiring forming step, a portion of the metal foil layer MF connected to the plurality of first and second electrodes C141 and C142 is selectively etched using a metal etchant to selectively etch a portion of the plurality of first and second conductive wirings EC1 and EC2. ) or by mechanically etching a portion of the metal foil layer MF connected to the plurality of first and second electrodes C141 and C142 to form a plurality of first and second conductive wirings EC1 and EC2. have.
여기서, 금속 호일층(MF)의 일부분을 금속 에칭액을 이용하여 선택적 식각하는 방법은 금속 호일층(MF) 위에 식각 방지막(AEL)을 패터닝하는 단계와 금속 호일층(MF)의 일부분을 선택적 식각하는 단계를 포함할 수 있다.Here, the method of selectively etching a portion of the metal foil layer (MF) using a metal etching solution includes the steps of patterning an etch stop layer (AEL) on the metal foil layer (MF) and selectively etching a portion of the metal foil layer (MF) may include steps.
보다 구체적으로, 금속 호일층(MF) 위에 식각 방지막(AEL)을 패터닝하는 단계에서는 도 22의 (d)에 도시된 바와 같이, 복수의 제1, 2 전극(C141, C142)에 금속 호일층(MF)이 접속된 상태에서, 금속 호일층(MF) 위에 식각 방지막(AEL)을 패터닝하여 형성할 수 있다. 이때, 식각 방지막(AEL)의 패턴은 앞선 도 12 또는 도 17에서 설명한 제1, 2 도전성 배선(EC1, EC2)의 패턴과 동일할 수 있다.More specifically, in the step of patterning the etch stop layer AEL on the metal foil layer MF, the metal foil layer ( In a state in which the MF) is connected, the etch stop layer AEL may be patterned on the metal foil layer MF to be formed. In this case, the pattern of the etch stop layer AEL may be the same as the pattern of the first and second conductive wirings EC1 and EC2 described with reference to FIG. 12 or FIG. 17 .
이후, 금속 호일층(MF)의 일부분을 선택적 식각하는 단계에서는 금속 호일층(MF)에서 식각 방지막(AEL)이 형성된 부분을 제외한 나머지 부분(PMF)이 금속 에칭액에 의해 식각될 수 있다. 이에 따라 금속 호일층(MF)의 일부분만 선택적 식각될 수 있고, 이에 따라, 도 22의 (e)에 도시된 바와 같이, 금속 호일층(MF)이 패터닝된 복수의 제1, 2 도전성 배선(EC1, EC2)이 형성될 수 있다.Thereafter, in the step of selectively etching a portion of the metal foil layer MF, the remaining portion PMF of the metal foil layer MF except for the portion on which the etch stop layer AEL is formed may be etched by the metal etchant. Accordingly, only a portion of the metal foil layer MF may be selectively etched, and thus, as shown in FIG. 22(e) , a plurality of first and second conductive wirings ( EC1, EC2) may be formed.
여기서, 도 22의 (e)에 도시된 바와 같은 복수의 제1, 2 도전성 배선(EC1, EC2)의 패턴은 앞선 도 12 또는 도 17에서 설명한 제1, 2 도전성 배선(EC1, EC2)의 패턴과 동일할 수 있다.Here, the pattern of the plurality of first and second conductive wirings EC1 and EC2 as shown in FIG. 22E is the pattern of the first and second conductive wirings EC1 and EC2 described with reference to FIG. 12 or 17 above. may be the same as
아울러, 금속 호일층(MF)의 일부분을 기계적으로 식각하는 방법은 도 22의 (c)와 같이 금속 호일층(MF)이 도전성 접착제(CA)에 의해 복수의 제1, 2 전극(C141, C142)에 접속된 상태에서, 도 23에 도시된 바와 같이, 레이저 빔 조사 장비 또는 드릴 장비 또는 커팅 장비와 같은 기계적 식각 장비(ME)를 이용하여 금속 호일층(MF)의 일부분(PMF)을 제거함으로써 수행될 수 있다.In addition, in the method of mechanically etching a portion of the metal foil layer MF, the metal foil layer MF is formed of a plurality of first and second electrodes C141 and C142 by a conductive adhesive CA as shown in FIG. ), by removing a portion (PMF) of the metal foil layer (MF) using a mechanical etching equipment (ME) such as a laser beam irradiation equipment or a drill equipment or a cutting equipment, as shown in FIG. can be performed.
이에 따라, 도 22의 (e)에 도시된 바와 같이, 금속 호일층(MF)이 패터닝된 복수의 제1, 2 도전성 배선(EC1, EC2)이 형성될 수 있다.Accordingly, as shown in (e) of FIG. 22 , a plurality of first and second conductive wirings EC1 and EC2 on which the metal foil layer MF is patterned may be formed.
이와 같이, 본 발명에 따른 태양 전지 모듈의 제조 방법은 금속 호일층(MF)을 이용하여 태양 전지 모듈의 제조 방법을 보다 단순화할 수 있고, 제조 시간을 보다 단축할 수 있다.As such, in the method of manufacturing a solar cell module according to the present invention, the manufacturing method of the solar cell module can be more simplified by using the metal foil layer MF, and the manufacturing time can be further shortened.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 수정, 변경 및 치환이 가능할 것이다. The above description is merely illustrative of the technical idea of the present invention, and various modifications, changes, and substitutions are possible within the range that does not depart from the essential characteristics of the present invention by those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains. will be.
따라서, 본 발명에 개시된 실시예 및 첨부된 도면들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예 및 첨부된 도면에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Accordingly, the embodiments disclosed in the present invention and the accompanying drawings are for explaining, not limiting, the technical spirit of the present invention, and the scope of the technical spirit of the present invention is not limited by these embodiments and the accompanying drawings. . The protection scope of the present invention should be construed by the following claims, and all technical ideas within the equivalent range should be construed as being included in the scope of the present invention.
Claims (15)
절연성 부재의 일면에 접착층을 도포하고 금속 호일층(metal foil)을 상기 접착층에 접착시키는 접착 단계, 및 상기 금속 호일층을 패터닝(patterning)하여 복수의 제1, 2 도전성 배선을 형성하는 패터닝 단계를 포함하는 방법에 의해 제조한 배선 기판의 절연성 부재를 상기 도전성 접착제가 도포된 복수의 제1, 2 전극의 후면에 배치하는 배치 단계;
상기 도전성 접착제를 열처리하여 상기 복수의 제1, 2 도전성 배선 각각을 상기 복수의 제1, 2 전극 각각에 접속시키는 단계; 및
상기 접속 단계 이후, 상기 접착층을 선택적으로 식각하여 상기 복수의 제1, 2 도전성 배선으로부터 상기 절연성 부재를 박리하는 박리 단계;를 포함하는 태양 전지 모듈의 제조 방법.applying a conductive adhesive to the rear surfaces of the plurality of first and second electrodes in a solar cell in which a plurality of first electrodes and a plurality of second electrodes are formed in parallel with each other on a rear surface of a semiconductor substrate;
An adhesion step of applying an adhesive layer to one surface of the insulating member and adhering a metal foil layer to the adhesive layer, and a patterning step of patterning the metal foil layer to form a plurality of first and second conductive wires a disposing step of disposing an insulating member of the wiring board manufactured by the method comprising: a rear surface of the plurality of first and second electrodes to which the conductive adhesive is applied;
heat-treating the conductive adhesive to connect each of the plurality of first and second conductive wires to each of the plurality of first and second electrodes; and
after the connecting step, a peeling step of selectively etching the adhesive layer to separate the insulating member from the plurality of first and second conductive wirings.
상기 박리 단계에서,
상기 접착층은 상기 접착층에만 선택적으로 반응하는 접착층 에칭액에 의해 선택적으로 식각되고,
상기 접착층의 선택적 식각에 의해 상기 절연성 부재는 상기 복수의 제1, 2 도전성 배선으로부터 분리되는 태양 전지 모듈의 제조 방법.8. The method of claim 7,
In the peeling step,
The adhesive layer is selectively etched by an adhesive layer etchant that selectively reacts only with the adhesive layer,
The method of manufacturing a solar cell module in which the insulating member is separated from the plurality of first and second conductive wirings by selective etching of the adhesive layer.
상기 접착층은 에폭시 수지 계열이나 실리콘 수지 계열을 포함하는 제조 방법.9. The method of claim 8,
The adhesive layer is a manufacturing method comprising an epoxy resin series or a silicone resin series.
상기 접착층 에칭액은 KOH 수용액, NaOH 수용액 또는 TMAH(Tetramethyl ammounium hydroxide) 수용액 중 어느 하나를 포함하는 제조 방법.9. The method of claim 8,
The adhesive layer etchant is a KOH aqueous solution, NaOH aqueous solution, or TMAH (Tetramethyl ammounium hydroxide) manufacturing method comprising any one of the aqueous solution.
상기 접속 단계의 열처리 온도는 80℃ ~ 300℃ 사이인 제조 방법.8. The method of claim 7,
The heat treatment temperature of the connection step is between 80 ℃ ~ 300 ℃ manufacturing method.
금속 호일층을 상기 도전성 접착제가 도포된 상기 복수의 제1, 2 전극의 후면에 배치한 후 열처리하여 접속시키는 금속 호일층 접속 단계; 및
상기 금속 호일층을 선택적으로 식각하여 복수의 제1, 2 도전성 배선을 형성하는 배선 형성 단계;를 포함하는 태양 전지 모듈의 제조 방법.A conductive adhesive application step of applying a conductive adhesive to the plurality of first and second electrodes provided on the rear surface of the semiconductor substrate;
a metal foil layer connecting step of disposing a metal foil layer on the rear surfaces of the plurality of first and second electrodes to which the conductive adhesive is applied and then heat-treating them to connect; and
and a wiring forming step of selectively etching the metal foil layer to form a plurality of first and second conductive wirings.
상기 배선 형성 단계는
금속 에칭액을 이용하여 상기 복수의 제1, 2 전극에 접속된 상기 금속 호일층의 일부분을 선택적 식각하여 상기 복수의 제1, 2 도전성 배선을 형성하거나,
상기 복수의 제1, 2 전극에 접속된 상기 금속 호일층의 일부분을 기계적으로 식각하여 상기 복수의 제1, 2 도전성 배선을 형성하는 태양 전지 모듈의 제조 방법.13. The method of claim 12,
The wire forming step is
forming the plurality of first and second conductive wirings by selectively etching a portion of the metal foil layer connected to the plurality of first and second electrodes using a metal etching solution;
A method of manufacturing a solar cell module to form the plurality of first and second conductive wirings by mechanically etching a portion of the metal foil layer connected to the plurality of first and second electrodes.
상기 금속 호일층의 일부분을 금속 에칭액을 이용하여 선택적 식각하는 방법은
상기 복수의 제1, 2 전극에 접속된 상기 금속 호일층 위에 식각 방지막을 패터닝하여 형성하는 단계; 및
상기 금속 호일층에서 식각 방지막이 형성된 부분을 제외한 나머지 부분을 상기 금속 에칭액으로 선택적 식각하는 단계;를 포함하는 태양 전지 모듈의 제조 방법.14. The method of claim 13,
A method of selectively etching a portion of the metal foil layer using a metal etchant
forming an etch stop layer on the metal foil layer connected to the plurality of first and second electrodes by patterning; and
and selectively etching a portion of the metal foil layer except for a portion on which an etch stop layer is formed with the metal etchant.
상기 금속 호일층의 일부분을 기계적으로 식각하는 방법은
레이저 빔 조사 장비 또는 드릴 장비 또는 커팅 장비를 이용하여 수행되는 태양 전지 모듈의 제조 방법.14. The method of claim 13,
A method of mechanically etching a portion of the metal foil layer is
A method of manufacturing a solar cell module performed using laser beam irradiation equipment or drill equipment or cutting equipment.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020140112663A KR102303464B1 (en) | 2014-08-27 | 2014-08-27 | Manufacturing method of patterned wire substrate and manufacturing method of solar cell module |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020140112663A KR102303464B1 (en) | 2014-08-27 | 2014-08-27 | Manufacturing method of patterned wire substrate and manufacturing method of solar cell module |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20160025413A KR20160025413A (en) | 2016-03-08 |
| KR102303464B1 true KR102303464B1 (en) | 2021-09-17 |
Family
ID=55534415
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020140112663A KR102303464B1 (en) | 2014-08-27 | 2014-08-27 | Manufacturing method of patterned wire substrate and manufacturing method of solar cell module |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102303464B1 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114709274B (en) * | 2022-03-04 | 2024-01-23 | 江苏日托光伏科技股份有限公司 | MWT photovoltaic module conductive core plate integrated with insulating layer and manufacturing method thereof |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005135942A (en) * | 2003-10-28 | 2005-05-26 | Canon Inc | Method of wiring electrode |
| JP2009088145A (en) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Sharp Corp | Solar battery, manufacturing method for the solar battery, manufacturing method for solar battery module, and the solar battery module |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013542546A (en) * | 2010-03-08 | 2013-11-21 | ウィリアム・マーシュ・ライス・ユニバーシティ | Transparent electrode based on graphene / lattice hybrid structure |
| JP2011248629A (en) * | 2010-05-27 | 2011-12-08 | Meihan Shinku Kogyo Kk | Transparent electroconductive base material |
-
2014
- 2014-08-27 KR KR1020140112663A patent/KR102303464B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005135942A (en) * | 2003-10-28 | 2005-05-26 | Canon Inc | Method of wiring electrode |
| JP2009088145A (en) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Sharp Corp | Solar battery, manufacturing method for the solar battery, manufacturing method for solar battery module, and the solar battery module |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20160025413A (en) | 2016-03-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11538952B2 (en) | Solar cell module and method for manufacturing the same | |
| KR102271055B1 (en) | Solar cell module | |
| JP2020509585A (en) | Back contact type solar cell string, method for manufacturing the same, module and system | |
| KR20160076393A (en) | Solar cell module | |
| US11810985B2 (en) | Method for manufacturing solar cell, solar cell, solar cell device, and solar cell module | |
| KR102298437B1 (en) | Solar cell module | |
| KR102303464B1 (en) | Manufacturing method of patterned wire substrate and manufacturing method of solar cell module | |
| KR102457928B1 (en) | Solar cell panel and method for manufacturing the same | |
| US11515436B2 (en) | Photovoltaic device and photovoltaic unit | |
| KR101788160B1 (en) | Solar cell module | |
| KR102298434B1 (en) | Solar cell module and manufacturing method thereof | |
| KR101806972B1 (en) | Solar cell module | |
| KR20160010179A (en) | Solar cell module | |
| KR101816180B1 (en) | Solar cell module | |
| KR101816151B1 (en) | Solar cell module | |
| KR101806981B1 (en) | Solar cell module | |
| KR20150086119A (en) | Solar cell module | |
| JP2020053487A (en) | Solar cell module | |
| KR20150145147A (en) | Manufacturing method of solar cell module | |
| JP2013258310A (en) | Solar cell string, solar cell module, and manufacturing method of wiring sheet | |
| KR20160016303A (en) | Solar cell module | |
| KR20160020861A (en) | Solar cell module | |
| KR20180007525A (en) | Solar cell module | |
| KR20170124800A (en) | Solar cell module | |
| KR20150062792A (en) | Solar cell module and solar cell |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |