KR20150062792A - Solar cell module and solar cell - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a solar cell module and a solar cell. The solar cell module according to an embodiment of the present invention comprises: a first solar cell and a second solar cell including a semiconductor substrate and a first electrode and a second electrode spaced apart from each other on a rear surface of the semiconductor substrate; and an interconnector for electrically connecting the first solar cell and the second solar cell. A protrusion protruding from a first surface of the interconnector is formed in the circumference in the end of a first surface edge of the interconnector. The interconnector comes in contact with the first solar cell and the second solar cell so that a first surface where the protrusion is formed faces an opposite direction of a contact surface of the first solar cell or the second solar cell. The solar cell according to an embodiment of the present invention comprises a first assisting electrode contacting a plurality of first electrodes and a second assisting electrode contacting a plurality of second electrodes. A protrusion is formed in the circumference in the end of an edge of each of the first assisting electrode and the second assisting electrode, and each of the first assisting electrode and the second assisting electrode may be connected to a rear surface of the semiconductor substrate so that the protrusion faces an opposite direction of a contact surface of the semiconductor substrate.

Description

태양 전지 모듈 및 태양 전지{SOLAR CELL MODULE AND SOLAR CELL}SOLAR CELL MODULE AND SOLAR CELL [0002]

본 발명은 태양 전지 모듈 및 태양 전지에 관한 것이다.The present invention relates to a solar cell module and a solar cell.

일반적인 태양 전지는 p형과 n형처럼 서로 다른 도전성 타입(conductive type)의 반도체로 이루어진 기판(substrate) 및 에미터부(emitter), 그리고 기판과 에미터부에 각각 연결된 전극을 구비한다. 이때, 기판과 에미터부의 계면에는 p-n 접합이 형성되어 있다.A typical solar cell has a substrate made of different conductivity type semiconductors, such as p-type and n-type, an emitter, and an electrode connected to the substrate and the emitter, respectively. At this time, a p-n junction is formed at the interface between the substrate and the emitter.

특히, 태양전지의 효율을 높이기 위해 실리콘 기판의 수광면에 전극을 형성하지 않고, 실리콘 기판의 이면 만으로 n 전극 및 p 전극을 형성한 이면 전극 형 태양 전지 셀에 대한 연구 개발이 진행되고 있다. 이와 같은 이면 전극 형 태양전지 셀을 복수 개 연결하여 전기적으로 접속하는 모듈화 기술도 진행되고 있다.Particularly, research and development on a back electrode type solar cell having an n-electrode and a p-electrode formed only on the back surface of a silicon substrate without forming an electrode on the light receiving surface of a silicon substrate for increasing the efficiency of the solar cell is underway. A modularization technique of connecting a plurality of such back electrode type solar cell cells and electrically connecting them is also in progress.

상기 모듈과 기술에는 복수 개의 태양전지 셀을 금속 인터커넥터로 전기적으로 연결하는 방법과, 미리 배선이 형성된 배선기판을 이용해 전기적으로 연결하는 방법이 대표적이다.The module and the technique are typical of a method of electrically connecting a plurality of solar cells with a metal interconnection, and a method of electrically connecting a plurality of solar cells with a metal interconnection using a wiring board on which wiring is previously formed.

본 발명은 태양 전지 모듈 및 태양 전지를 제공하는데 그 목적이 있다.An object of the present invention is to provide a solar cell module and a solar cell.

본 발명에 따른 태양 전지 모듈의 일례는 반도체 기판, 반도체 기판의 후면에 서로 이격되어 형성되는 제1 전극과 제2 전극을 포함하는 제1 태양 전지와 제2 태양 전지; 및 제1 태양 전지의 와 제2 태양 전지를 서로 전기적으로 연결하는 인터커넥터;를 포함하며, 인터커넥터의 제1 면 가장 자리 끝단의 둘레에는 인터커넥터의 제1 면으로부터 돌출되는 돌출부가 형성되고, 인터커넥터는 돌출부가 형성된 제1 면이 제1 태양 전지 또는 제2 태양 전지의 접속 면에 반대 방향으로 향하도록 제1 태양 전지 및 제2 태양 전지에 접속된다.An example of a solar cell module according to the present invention includes a semiconductor substrate, a first solar cell and a second solar cell including a first electrode and a second electrode spaced apart from each other on a rear surface of a semiconductor substrate; And an interconnection for electrically connecting the first solar cell and the second solar cell to each other. A protrusion protruding from the first surface of the interconnector is formed around the edge of the first surface of the interconnector, The interconnector is connected to the first solar cell and the second solar cell such that the first surface formed with the protrusion is directed in the opposite direction to the connection surface of the first solar cell or the second solar cell.

여기서, 인터커넥터에서 제1 면의 반대쪽에 위치하는 제2 면에는 돌출부가 형성되지 않을 수 있고, 인터커넥터의 제2 면이 제1 태양 전지 및 제2 태양 전지의 후면에 접속될 수 있다.Here, the projecting portion may not be formed on the second surface located on the opposite side of the first surface of the interconnector, and the second surface of the interconnector may be connected to the rear surface of the first solar cell and the second solar cell.

구체적으로, 인터커넥터는 제1 태양 전지의 제1 전극과 제2 태양 전지의 제2 전극에 접속되거나, 제1 태양 전지의 제2 전극과 제2 태양 전지의 제1 전극에 접속될 수 있고, 인터커넥터는 돌출부가 제1 전극 또는 제2 전극의 접속면에 반대 방향으로 향하도록 제1 전극 또는 제2 전극에 접속될 수 있다.Specifically, the interconnector may be connected to the first electrode of the first solar cell and the second electrode of the second solar cell, or may be connected to the second electrode of the first solar cell and the first electrode of the second solar cell, The interconnector may be connected to the first electrode or the second electrode so that the protrusion is directed in the opposite direction to the connection surface of the first electrode or the second electrode.

여기서, 인터커넥터의 두께 대비 돌출부의 돌출 높이는 10 : 1 ~ 3 사이일 수 있다.Here, the protrusion height of the protrusion may be between 10: 1 and 3 in relation to the thickness of the interconnector.

아울러, 제1 태양 전지 및 제2 태양 전지 각각은 복수의 제1 전극에 연결되는 제1 보조 전극, 및 복수의 제2 전극에 연결되는 제2 보조 전극;을 더 포함하고, 인터커넥터는 돌출부가 제1 보조 전극의 접속면 또는 제2 보조 전극의 접속면에 반대 방향으로 향하도록 제1 태양 전지 및 제2 태양 전지에 접속될 수 있다.Each of the first solar cell and the second solar cell further includes a first auxiliary electrode connected to the plurality of first electrodes and a second auxiliary electrode connected to the plurality of second electrodes, And may be connected to the first solar cell and the second solar cell so as to be opposite to the connection surface of the first auxiliary electrode or the connection surface of the second auxiliary electrode.

여기서, 제1 전극과 제1 보조 전극, 및 제2 전극과 제2 보조 전극은 도전성 재질의 전극 연결재에 의해 서로 접속되고, 인터커넥터는 제1 태양 전지의 제1 보조 전극 또는 제2 태양 전지의 제2 보조 전극에 접속될 수 있다.Here, the first electrode and the first auxiliary electrode, and the second electrode and the second auxiliary electrode are connected to each other by an electrode connection material of a conductive material, and the interconnector is connected to the first auxiliary electrode of the first solar cell or the second auxiliary electrode, And can be connected to the second auxiliary electrode.

아울러, 본 발명에 따른 태양 전지의 일례는 반도체 기판; 반도체 기판의 후면에 형성되는 복수의 제1 전극과 제2 전극; 및 복수의 제1 전극에 접속되는 제1 보조 전극과 복수의 제2 전극에 접속되는 제2 보조 전극;을 포함하고, 제1 보조 전극과 제2 보조 전극 각각의 가장 자리 끝단의 둘레에 돌출부가 형성되고, 제1 보조 전극과 제2 보조 전극 각각은 돌출부가 반도체 기판의 접속 면에 반대 방향으로 향하도록 반도체 기판의 후면에 접속될 수 있다.In addition, an example of a solar cell according to the present invention includes a semiconductor substrate; A plurality of first electrodes and a plurality of second electrodes formed on a rear surface of the semiconductor substrate; And a second auxiliary electrode connected to the plurality of first electrodes and connected to the plurality of second electrodes, wherein a protruding portion is formed around the edge of each of the first auxiliary electrode and the second auxiliary electrode And each of the first auxiliary electrode and the second auxiliary electrode may be connected to the rear surface of the semiconductor substrate such that the protruding portion is directed in the opposite direction to the connection surface of the semiconductor substrate.

이와 같이 본 발명에 따른 태양 전지 모듈은 인터커넥터에 형성되는 돌출부가 태양 전지의 접속면에 반대 방향으로 향하도록, 인터커넥터가 태양 전지에 접속되도록 하여, 태양 전지의 반도체 기판이 손상되는 것을 방지할 수 있고, 아울러, 인터커넥터의 접촉 저항을 보다 줄일 수 있다.As such, the solar cell module according to the present invention can prevent the semiconductor substrate of the solar cell from being damaged by allowing the protrusions formed on the interconnector to be directed to the solar cell in the opposite direction to the connection surface, And furthermore, the contact resistance of the interconnector can be further reduced.

도 1 및 도 2는 본 발명에 따른 태양 전지 모듈의 일례를 설명하기 위한 도이다.
도 3은 도 1에 도시된 태양 전지 모듈에 적용되는 태양 전지의 일부 사시도에 대한 일례이다.
도 4는 도 3에 도시된 태양 전지에서 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142)의 패턴을 설명하기 위한 도이다.
도 5 및 도 6은 본 발명에 따른 태양 전지 모듈에서 각 태양 전지가 보조 전극을 구비한 경우, 인터커넥터(IC)의 접속 일례를 설명하기 위한 도이다.
도 7 내지 도 11c는 도 5에 도시된 태양 전지 모듈에 적용되는 태양 전지의 일례를 설명하기 위한 도이다.
도 12 내지 도 14d는 도 5에 도시된 태양 전지 모듈에 적용되는 태양 전지의 다른 일례를 설명하기 위한 도이다.1 and 2 are views for explaining an example of a solar cell module according to the present invention.
FIG. 3 is an example of a partial perspective view of a solar cell applied to the solar cell module shown in FIG.
4 is a view for explaining patterns of the first electrode C141 and the second electrode C142 in the solar cell shown in FIG.
5 and 6 are views for explaining an example of connection of an interconnector (IC) when each solar cell has an auxiliary electrode in the solar cell module according to the present invention.
FIGS. 7 to 11C are views for explaining an example of a solar cell applied to the solar cell module shown in FIG.
FIGS. 12 to 14D are views for explaining another example of a solar cell applied to the solar cell module shown in FIG.

아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 다양한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 부여하였다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily carry out the present invention. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. In order to clearly illustrate the present invention in the drawings, portions not related to the description are omitted, and like reference numerals are given to similar portions throughout the specification.

이하에서, 전면이라 함은 직사광이 입사되는 반도체 기판의 일면 또는 전면 유리 기판의 일면 일 수 있으며, 후면이라 함은 직사광이 입사되지 않거나, 직사광이 아닌 반사광이 입사될 수 있는 반도체 기판 및 전면 유리 기판의 일면의 반대면일 수 있다.Hereinafter, the front surface may be a surface of a semiconductor substrate or a front surface of a front glass substrate to which direct light is incident, and the rear surface may be a surface of a semiconductor substrate on which direct light is not incident, The opposite side of one side of the first side.

이하에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 따른 태양 전지 모듈 및 태양 전지에 대하여 설명한다.Hereinafter, a solar cell module and a solar cell according to embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1 및 도 2는 본 발명에 따른 태양 전지 모듈의 일례를 설명하기 위한 도이다.1 and 2 are views for explaining an example of a solar cell module according to the present invention.

도 1의 (a)에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 태양 전지 모듈은 제1 태양 전지(CE1)와 제2 태양 전지(CE2) 및 인터커넥터(IC)를 포함한다. As shown in Fig. 1 (a), the solar cell module according to the present invention includes a first solar cell CE1, a second solar cell CE2, and an interconnector IC.

여기서, 제1 태양 전지(CE1) 및 제2 태양 전지(CE2) 각각은 도 2에 도시된 바와 같이, 각각 반도체 기판(110) 및 반도체 기판(110)의 후면에 서로 이격되어 형성되는 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142)을 포함한다. 이와 같은 태양 전지의 일례에 대해서는 도 3 이하에서 구체적으로 설명한다.2, each of the first solar cell CE1 and the second solar cell CE2 includes first and second solar cells CE1 and CE2 spaced from each other on the rear surface of the semiconductor substrate 110 and the semiconductor substrate 110, (C141) and a second electrode (C142). An example of such a solar cell will be described in detail with reference to FIG.

인터커넥터(IC)는 도 1의 (a)에 도시된 바와 같이, 제1 태양 전지(CE1)의 와 제2 태양 전지(CE2)를 제1 방향으로 서로 전기적으로 연결하는 기능을 한다.The interconnection IC functions to electrically connect the first solar cell CE1 and the second solar cell CE2 to each other in the first direction, as shown in Fig. 1 (a).

이와 같은 인터커넥터(IC)에서, 도 1의 (b)에 도시된 바와 같이, 제1 면(IC-f1) 가장 자리 끝단의 둘레에는 인터커넥터(IC)의 가장 자리를 따라 인터커넥터(IC)의 제1 면(IC-f1)으로부터 돌출되는 돌출부(IC-P)가 형성될 수 있다. 여기서, 돌출부(IC-P)의 돌출 방향은 제1 면(IC-f1)으로부터 제1 면(IC-f1)의 수직 방향 또는 사선 방향으로 돌출될 수 있다.In such an inter-connector (IC), an inter-connector (IC) is formed along the edge of the inter-connector (IC) around the edge of the first face (IC- A protrusion IC-P protruding from the first surface (IC-f1) Here, the projecting direction of the projecting portion IC-P may protrude from the first surface IC-f1 in the vertical direction or diagonally to the first surface IC-f1.

아울러, 인터커넥터(IC)에서 제1 면(IC-f1)의 반대쪽에 위치하는 제2 면(IC-f2)에는 돌출부(IC-P)가 형성되지 않을 수 있다.In addition, a protrusion IC-P may not be formed on the second surface (IC-f2) located on the opposite side of the first surface (IC-f1) in the interconnector (IC).

여기서, 인터커넥터(IC)는 도 1의 (a)에 도시된 바와 같이, 돌출부(IC-P)가 형성된 제1 면(IC-f1)이 제1 태양 전지(CE1) 또는 제2 태양 전지(CE2)의 접속 면에 반대 방향으로 향하도록 제1 태양 전지(CE1) 및 제2 태양 전지(CE2)에 접속될 수 있다.1 (a), the first surface (IC-f1) on which the projecting portion IC-P is formed is connected to the first solar cell CE1 or the second solar cell The first solar cell CE1 and the second solar cell CE2 can be connected so as to face the connection surface of the first solar cell CE1 and the second solar cell CE2.

이와 같이, 인터커넥터(IC)에서 한쪽 면에만 인터커넥터(IC)의 가장 자리를 따라 돌출부(IC-P)가 형성되는 이유는 인터커넥터(IC)의 제조 공정 특성 때문이다.The reason why the projecting portion IC-P is formed along the edge of the IC in only one side of the interconnector (IC) is due to the manufacturing process characteristic of the IC.

즉, 인터커넥터(IC)는 도전성 물질로 형성되는 평판(plate) 형상의 재료를 컷팅(cutting) 프레스 장치로 찍어 특정한 패턴으로 형성될 수 있는데, 이때, 컷팅(cutting) 프레스 장치로 인터커넥터(IC)로 사용될 평판(plate) 형상의 재료를 찍을 때, 특정 패턴으로 형성되는 인터커넥터(IC)의 가장 자리를 따라 돌출부(IC-P)가 형성될 수 있다. That is, the inter-connector (IC) can be formed in a specific pattern by cutting a plate-shaped material formed of a conductive material with a cutting press apparatus. At this time, the inter- (IC-P) can be formed along the edge of the inter-connector (IC) formed in a specific pattern when a plate-shaped material to be used as a projection lens (IC) is to be formed.

도 1의 (b)에서는 직사각형 형태를 갖는 인터커넥터(IC)를 일례로 도시하였지만, 이와 다르게 인터커넥터(IC)는 다양한 형상을 가질 수 있다. 그러나 인터커넥터(IC)가 어떠한 형상을 갖더라도 제조 공정 중에 전술한 바와 같은 돌출부(IC-P)가 인터커넥터(IC)의 가장 지리 끝단에 인터커넥터(IC)의 가장 자리를 따라 형성될 수 있다.In FIG. 1 (b), an interconnector (IC) having a rectangular shape is shown as an example. Alternatively, the interconnector (IC) may have various shapes. However, the protrusions IC-P as described above can be formed along the edge of the interconnector IC at the most geographical end of the interconnector IC during the manufacturing process, whatever the shape of the interconnector IC is .

그러나, 이와 같은 인터커넥터(IC)의 돌출부(IC-P)는 태양 전지의 두께가 얇은 경우, 복수의 태양 전지를 직렬로 연결하기 위해 인터커넥터(IC)를 태양 전지에 접속하는 과정 중, 태양 전지가 손상될 수 있다.However, in the case where the thickness of the solar cell is small, the protrusion (IC-P) of the interconnector (IC) The battery may be damaged.

따라서, 이를 방지하기 위해 본 발명에 따른 태양 전지 모듈은 이와 같은 돌출부(IC-P)가 제1 태양 전지(CE1) 또는 제2 태양 전지(CE2)와 반대 방향으로 향하도록 제1 태양 전지(CE1) 및 제2 태양 전지(CE2)에 접속될 수 있다.Accordingly, in order to prevent this, the solar cell module according to the present invention is arranged such that the protrusion (IC-P) is directed in the direction opposite to that of the first solar cell CE1 or the second solar cell CE2, ) And the second solar cell CE2.

따라서, 도 1의 (a)에 도시된 바와 같이, 본 발명은 인터커넥터(IC)의 제2 면(IC-f2)이 제1 태양 전지(CE1) 및 제2 태양 전지(CE2)의 후면에 솔더와 같은 도전성 접착 물질에 의해 접속될 수 있다. 1 (a), the present invention is characterized in that the second surface (IC-f2) of the interconnector (IC) is provided on the rear surface of the first solar cell CE1 and the second solar cell CE2 It can be connected by a conductive adhesive material such as solder.

도 2를 참조하면, 인터커넥터(IC)는 각 태양 전지의 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142)에 연결될 수 있다. 즉, 인터커넥터(IC)는 제1 태양 전지(CE1)의 제1 전극(C141)과 제2 태양 전지(CE2)의 제2 전극(C142)에 접속되거나, 제1 태양 전지(CE1)의 제2 전극(C142)과 제2 태양 전지(CE2)의 제1 전극(C141)에 접속될 수 있다.Referring to FIG. 2, an interconnector (IC) may be connected to the first electrode C141 and the second electrode C142 of each solar cell. That is, the interconnector IC is connected to the first electrode C141 of the first solar cell CE1 and the second electrode C142 of the second solar cell CE2, or to the second electrode C142 of the first solar cell CE1 Electrode C142 of the second solar cell CE2 and the first electrode C141 of the second solar cell CE2.

도 2에서는 인터커넥터(IC)가 제1 태양 전지(CE1)의 제1 전극(C141)과 제2 태양 전지(CE2)의 제2 전극(C142)의 끝단 면에 접속된 경우를 일례로 도시하였다.2 shows an example in which the interconnector IC is connected to the end surfaces of the first electrode C141 of the first solar cell CE1 and the second electrode C142 of the second solar cell CE2 .

여기서, 인터커넥터(IC)의 두께(TIC) 대비 돌출부(IC-P)의 돌출 높이(HICP)는 10 : 1 ~ 3 사이일 수 있다. 따라서, 만약 인터커넥터(IC)의 두께(TIC)가 일례로 200㎛인 경우, 돌출부(IC-P)의 돌출 높이(HICP)는 20㎛ ~ 60㎛ 사이로 형성될 수 있다.Here, the protrusion height (ICP) of the protrusion (IC-P) to the thickness (TIC) of the inter connector (IC) may be between 10: 1 and 3. Therefore, if the thickness TIC of the interconnection IC is, for example, 200 mu m, the protrusion height HICP of the protrusion IC-P can be formed between 20 mu m and 60 mu m.

아울러, 태양 전지에서 반도체 기판(110)의 두께(T110)는 대략 120㎛ ~ 200㎛ 사이일 수 있으며, 반도체 기판(110)의 후면에 형성되는 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142)의 두께(TCE)는 대략 0.1㎛ ~ 50㎛ 사이로 형성될 수 있다.The first electrode C141 and the second electrode C142 may be formed on the rear surface of the semiconductor substrate 110. The first electrode C141 and the second electrode C142 may be formed on the back surface of the semiconductor substrate 110, (TCE) of about 0.1 탆 to about 50 탆.

본 발명에 따른 태양 전지 모듈은 여기서, 전술한 바와 같이, 인터커넥터(IC)의 돌출부(IC-P)가 제1 태양 전지(CE1)의 제1 전극(C141)의 접속 면 및 제2 태양 전지(CE2)의 제2 전극(C142)의 접속 면에 반대 방향으로 향하도록 제1 태양 전지(CE1) 및 제2 태양 전지(CE2)에 접속될 수 있다.In the solar cell module according to the present invention, as described above, the projecting portion (IC-P) of the inter connector IC is connected to the connection surface of the first electrode C141 of the first solar cell CE1, May be connected to the first solar cell (CE1) and the second solar cell (CE2) so as to face the connection surface of the second electrode (C142) of the second solar cell (CE2).

따라서, 본 발명에 따른 태양 전지 모듈은 돌출부(IC-P)가 형성되지 않는 인터커넥터(IC)의 제2 면(IC-f2)이 제1 태양 전지(CE1)의 제1 전극(C141) 및 제2 태양 전지(CE2)의 제2 전극(C142)에 접속될 수 있다.Accordingly, in the solar cell module according to the present invention, the second surface (IC-f2) of the interconnector (IC) in which the projecting portion IC-P is not formed is connected to the first electrode C141 of the first solar cell CE1 And may be connected to the second electrode C142 of the second solar cell CE2.

이에 따라, 인터커넥터(IC)를 각 태양 전지에 접속시킬 때에, 인터커넥터(IC)의 돌출부(IC-P)에 의해 반도체 기판(110)이 손상되는 것을 방지할 수 있다. 즉, 본 발명과 다르게 인터커넥터(IC)의 돌출부(IC-P)가 형성된 제1 면(IC-f1)이 제1 전극(C141) 또는 제2 전극(C142)에 접속하는 경우, 인터커넥터(IC)의 돌출부(IC-P)가 제1 전극(C141)이나 제2 전극(C142)을 뚫고 들어가 반도체 기판(110)을 손상시킬 수 있는데, 본 발명은 이와 같은 것을 방지할 수 있다.This makes it possible to prevent the semiconductor substrate 110 from being damaged by the projecting portion IC-P of the interconnector IC when the interconnector IC is connected to each solar cell. That is, unlike the present invention, when the first surface (IC-f1) on which the projection IC-P of the interconnection IC is formed is connected to the first electrode C141 or the second electrode C142, IC may penetrate the first electrode C141 or the second electrode C142 to damage the semiconductor substrate 110. The present invention can prevent such a problem.

또한, 본 발명은 돌출부(IC-P)가 형성되지 않은 인터커넥터(IC)의 제2 면(IC-f2)을 태양 전지에 접속시킴으로써, 돌출부(IC-P)에 의해 제1 전극(C141)과 인터커넥터(IC) 사이의 접착력 또는 제2 전극(C142)과 인터커넥터(IC) 사이의 접착력을 보다 향상시킬 수 있다. 이에 따라, 인터커넥터(IC)와 태양 전지 사이의 접촉 저항을 보다 개선할 수 있다.The present invention is also applicable to the case where the first electrode C141 is formed by the projecting portion IC-P by connecting the second surface (IC-f2) of the interconnector IC on which the projecting portion IC- And the adhesive force between the second electrode C142 and the inter connector IC can be further improved. Thus, the contact resistance between the interconnector (IC) and the solar cell can be further improved.

이하에서는 본 발명에 따른 태양 전지 모듈에 적용되는 태양 전지의 일례에 대해 설명한다.Hereinafter, an example of a solar cell applied to the solar cell module according to the present invention will be described.

도 3은 도 1에 도시된 태양 전지 모듈에 적용되는 태양 전지의 일부 사시도에 대한 일례이고, 도 4는 도 3에 도시된 태양 전지에서 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142)의 패턴을 설명하기 위한 도이다.FIG. 3 is an example of a partial perspective view of a solar cell applied to the solar cell module shown in FIG. 1, and FIG. 4 is a cross-sectional view of a solar cell according to a third embodiment of the present invention in which the pattern of the first electrode C141 and the second electrode C142 Fig.

도 3를 참고로 하면, 본 발명에 따른 태양 전지의 일례는 반도체 기판(110), 반사 방지막(130), 에미터부(121), 후면 전계부(back surface field;BSF, 172), 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142)을 포함할 수 있다.3, an example of a solar cell according to the present invention includes a semiconductor substrate 110, an antireflection film 130, an emitter section 121, a back surface field (BSF) 172, a first electrode (C141) and a second electrode (C142).

여기서, 반사 방지막(130)과 후면 전계부(172)는 생략될 수도 있으나, 이하에서는 도 3에 도시된 바와 같이 반사 방지막(130)과 후면 전계부(172)가 포함된 것을 일례로 설명한다.Here, the antireflection film 130 and the backside electrical part 172 may be omitted. Hereinafter, the antireflection film 130 and the backside electrical part 172 will be described with reference to FIG. 3 as an example.

반도체 기판(110)은 제1 도전성 타입, 예를 들어 n형 도전성 타입의 실리콘으로 이루어진 반도체 기판(110)일 수 있다. 이와 같은 반도체 기판(110)은 실리콘 재질로 형성되는 웨이퍼에 제1 도전성 타입의 불순물이 도핑되어 형성될 수 있다. The semiconductor substrate 110 may be a semiconductor substrate 110 of a first conductivity type, for example, n-type conductivity type silicon. The semiconductor substrate 110 may be formed by doping a first conductivity type impurity into a wafer formed of a silicon material.

에미터부(121)는 전면과 마주보고 있는 반도체 기판(110)의 후면 내에 서로 이격되어 위치하며, 서로 나란한 방향으로 뻗어 있다. 이와 같은 에미터부(121)는 복수 개일 수 있으며, 복수의 에미터부(121)는 반도체 기판(110)의 도전성 타입과 반대인 제2 도전성 타입일 수 있다.The emitter portions 121 are spaced apart from each other in the rear surface of the semiconductor substrate 110 facing the front surface, and extend in a direction parallel to each other. The plurality of emitter portions 121 may be a second conductive type which is opposite to the conductive type of the semiconductor substrate 110.

후면 전계부(172)는 반도체 기판(110)의 후면 내부에 복수 개가 위치할 수 있으며, 복수의 에미터부(121)와 나란한 방향으로 이격되어 형성되며 복수의 에미터부(121)와 동일한 방향으로 뻗어 있다. 따라서, 도 3 및 도 2에 도시한 것처럼, 반도체 기판(110)의 후면에서 복수의 에미터부(121)와 복수의 후면 전계부(172)는 교대로 위치할 수 있다.The plurality of emitter portions 121 may be disposed in the same direction as the plurality of emitter portions 121. The plurality of emitter portions 121 may be spaced apart from each other in a direction parallel to the emitter portions 121, have. Accordingly, as shown in FIGS. 3 and 2, a plurality of emitter portions 121 and a plurality of rear electric sections 172 may be alternately arranged on a rear surface of the semiconductor substrate 110. [

복수의 후면 전계부(172)는 반도체 기판(110)과 동일한 도전성 타입의 불순물이 반도체 기판(110)보다 고농도로 함유한 불순물, 예를 들어 n++ 부이다. The plurality of rear electric fields 172 are impurities, for example, n ++ parts, which contain impurities of the same conductivity type as that of the semiconductor substrate 110 at a higher concentration than the semiconductor substrate 110.

제1 전극(C141)은 에미터부(121)와 각각 물리적 및 전기적으로 연결되어 에미터부(121)를 따라서 반도체 기판(110)의 후면에 형성될 수 있다. The first electrode C141 may be physically and electrically connected to the emitter section 121 and may be formed on the rear surface of the semiconductor substrate 110 along the emitter section 121. [

이와 같은 제1 전극(C141)은 도 4에 도시된 바와 같이, 복수의 제1 핑거 전극(C141F)과 제1 전극(C141) 패드(C141P)를 포함할 수 있다. The first electrode C141 may include a plurality of first finger electrodes C141F and a first electrode C141 pad C141P as shown in FIG.

여기서, 복수의 제1 핑거 전극(C141F)은 반도체 기판(110)의 후면에 복수의 에미터부(121)를 따라 서로 이격되어 형성될 수 있다. 따라서, 복수의 에미터부(121)가 제1 방향(x)을 따라 형성된 경우, 제1 핑거 전극(C141F)도 제1 방향(x)을 따라 형성될 수 있으며, 복수의 에미터부(121)가 제2 방향(y)을 따라 형성된 경우, 제1 핑거 전극(C141F)도 제2 방향(y)을 따라 형성될 수 있다.Here, the plurality of first finger electrodes C141F may be spaced apart from each other along the plurality of emitter portions 121 on the rear surface of the semiconductor substrate 110. The first finger electrode C141F may also be formed along the first direction x when the plurality of emitter portions 121 are formed along the first direction x and the plurality of emitter portions 121 may be formed along the first direction x. When formed along the second direction y, the first finger electrode C141F may also be formed along the second direction y.

제1 전극(C141) 패드(C141P)는 반도체 기판(110)의 후면 끝단에 복수의 제1 핑거 전극(C141F)과 교차하는 제2 방향(y)으로 형성되어, 일측이 복수의 제1 핑거 전극(C141F)에 공통으로 연결되며, 타측이 인터커넥터(IC)에 연결될 수 있다.The first electrode (C141) pad (C141P) is formed at the rear end of the semiconductor substrate (110) in a second direction (y) intersecting with the plurality of first finger electrodes (C141F) (C141F), and the other end thereof may be connected to the interconnector (IC).

또한, 복수의 제2 전극(C142)은 후면 전계부(172)를 통하여 반도체 기판(110)과 각각 물리적 및 전기적으로 연결되어 복수의 후면 전계부(172)를 따라서 반도체 기판(110)의 후면에 형성될 수 있다.The plurality of second electrodes C142 are physically and electrically connected to the semiconductor substrate 110 through the rear electric part 172 and are electrically connected to the rear surface of the semiconductor substrate 110 along the plurality of rear electric parts 172 .

여기서, 반도체 기판(110)의 후면 상에서 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142)은 서로 물리적으로 이격되어, 전기적으로 격리될 수 있다.Here, on the rear surface of the semiconductor substrate 110, the first electrode C141 and the second electrode C142 may be physically separated from each other and electrically isolated.

이와 같은 제2 전극(C142)은 복수의 제2 핑거 전극(C142F)과 제2 전극(C142) 패드(C142P)를 포함할 수 있다. The second electrode C142 may include a plurality of second finger electrodes C142F and a second electrode C142 pad C142P.

여기서, 복수의 제2 핑거 전극(C142F)은 반도체 기판(110)의 후면에 복수의 후면 전계부(172)를 따라 서로 이격되어 형성될 수 있다. 따라서, 복수의 후면 전계부(172)가 제1 방향(x)으로 형성된 경우, 제2 핑거 전극(C142F)은 복수의 제1 전극(C141)과 이격되어 제1 방향(x)으로 형성될 수 있으며, 복수의 후면 전계부(172)가 제2 방향(y)으로 형성된 경우, 복수의 제2 핑거 전극(C142F)은 복수의 제1 전극(C141)과 이격되어 제2 방향(y)으로 형성될 수 있다.Here, the plurality of second finger electrodes C142F may be formed on the rear surface of the semiconductor substrate 110 along the plurality of rear electric fields 172. The second finger electrode C142F may be spaced apart from the plurality of first electrodes C141 and may be formed in the first direction x, The plurality of second finger electrodes C142F may be spaced apart from the plurality of first electrodes C141 and may be formed in a second direction y, .

제2 전극(C142) 패드(C142P)는 반도체 기판(110)의 후면 끝단에 복수의 제2 핑거 전극(C142F)과 교차하는 제2 방향(y)으로 형성되어, 일측이 복수의 제2 핑거 전극(C142F)에 공통으로 연결되며, 타측이 인터커넥터(IC)에 연결될 수 있다.The second electrode (C142) pad (C142P) is formed on the rear end of the semiconductor substrate (110) in a second direction (y) intersecting the plurality of second finger electrodes (C142F) (C142F), and the other end thereof may be connected to the interconnector (IC).

이와 같은 구조로 제조된 본 발명에 따른 태양 전지에서 제1 전극(C141)을 통하여 수집된 정공과 제2 전극(C142)을 통하여 수집된 전자는 외부의 회로 장치를 통하여 외부 장치의 전력으로 이용될 수 있다.The holes collected through the first electrode (C141) and the electrons collected through the second electrode (C142) in the solar cell according to the present invention manufactured using the above structure are used as electric power of the external device through the external circuit device .

이와 같은 구조를 갖는 복수의 태양 전지는 도 4에서 전술한 바와 같이, 태양 전지에 포함되는 제1 전극(C141) 패드(C141P) 또는 제2 전극(C142) 패드(C142P)에 접속되는 인터커넥터(IC)에 의해 제1 방향(x)으로 직렬로 연결될 수 있다.As described above with reference to FIG. 4, a plurality of solar cells having such a structure are electrically connected to the first electrode (C141) pad (C141P) or the second electrode (C142) pad (C142P) IC) in a first direction (x).

이때, 도 1 및 도 2에서 설명한 바와 같이, 인터커넥터(IC)는 돌출부(IC-P)가 제1 전극(C141) 패드(C141P) 또는 제2 전극(C142) 패드(C142P)의 접속 면에 반대 방향으로 향하도록 제1 전극(C141) 패드(C141P) 또는 제2 전극(C142) 패드(C142P)에 접속될 수 있다.1 and 2, the interconnection IC has a protrusion IC-P on the connection surface of the pad C141P of the first electrode C141 or the pad C142P of the second electrode C142, And may be connected to the first electrode (C141) pad (C141P) or the second electrode (C142) pad (C142P) so as to face in the opposite direction.

따라서, 본 발명에 따른 태양 전지 모듈은 돌출부(IC-P)가 형성되지 않는 인터커넥터(IC)의 제2 면(IC-f2)이 제1 전극(C141) 패드(C141P) 또는 제2 전극(C142) 패드(C142P)에 접속될 수 있다.Accordingly, in the solar cell module according to the present invention, the second surface (IC-f2) of the interconnector (IC) in which the projecting portion IC-P is not formed is connected to the first electrode C141 pad C141P or the second electrode C142) pad C142P.

지금까지는 본 발명에서, 태양 전지가 별도의 보조 전극을 구비하지 않은 경우에 대해서만 설명하였으나, 이와 다르게 본 발명에 따른 태양 전지 모듈에서 태양 전지는 반도체 기판(110)의 후면에 보조 전극이 더 형성될 수 있는데, 이하에서는 이에 대해 설명한다.In the solar cell module according to the present invention, the auxiliary electrode is further formed on the rear surface of the semiconductor substrate 110. In the solar cell module according to the present invention, Which will be described below.

도 5 및 도 6은 본 발명에 따른 태양 전지 모듈에서 각 태양 전지가 보조 전극을 구비한 경우, 인터커넥터(IC)의 접속 일례를 설명하기 위한 도이다.5 and 6 are views for explaining an example of connection of an interconnector (IC) when each solar cell has an auxiliary electrode in the solar cell module according to the present invention.

도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 태양 전지 모듈에서 제1 태양 전지(CE1) 및 제2 태양 전지(CE2) 각각은 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142)이 형성된 반도체 기판(110)에, 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142)이 형성된 절연성 부재(200)를 포함하고, 반도체 기판(110)과 절연성 부재(200)는 각각 낱개로 접속되어 하나의 일체형 개별 소자를 형성할 수 있다.5, each of the first solar cell CE1 and the second solar cell CE2 in the solar cell module according to the present invention includes a semiconductor substrate having a first electrode C141 and a second electrode C142 formed thereon, And the insulating member 200 having the first auxiliary electrode P141 and the second auxiliary electrode P142 formed on the insulating substrate 110. The semiconductor substrate 110 and the insulating member 200 are connected to each other, An integral individual element can be formed.

여기서, 반도체 기판(110)과 절연성 부재(200)가 각각 낱개로 접속되어 하나의 일체형 개별 소자를 형성되는 예에 대해서는 도 7이하에서 구체적으로 설명한다.Hereinafter, an example in which the semiconductor substrate 110 and the insulating member 200 are connected to each other to form one integral individual element will be described in detail with reference to FIG.

이와 같이, 태양 전지 모듈에 반도체 기판(110)과 절연성 부재(200)가 각각 낱개로 접속되어 하나의 일체형 개별 소자를 형성되는 태양 전지가 적용된 경우, 본 발명에 따른 인터커넥터(IC)는 돌출부(IC-P)가 제1 보조 전극(P141)의 접속면 또는 제2 보조 전극(P142)의 접속면에 반대 방향으로 향하도록 제1 태양 전지(CE1) 및 제2 태양 전지(CE2)에 접속될 수 있다.When a solar cell in which a semiconductor substrate 110 and an insulating member 200 are individually connected to a solar cell module to form a single unitary discrete element is applied, the interconnector (IC) according to the present invention has a protrusion IC-P are connected to the first solar cell CE1 and the second solar cell CE2 so as to face the connection surface of the first auxiliary electrode P141 or the connection surface of the second auxiliary electrode P142 .

여기서, 제1 보조 전극(P141) 또는 제2 보조 전극(P142)의 접속면은 인터커넥터(IC)가 제1 보조 전극(P141) 또는 제2 보조 전극(P142)에 접속되는 일면을 의미한다. Here, the connection surface of the first auxiliary electrode P141 or the second auxiliary electrode P142 means one surface on which the interconnector IC is connected to the first auxiliary electrode P141 or the second auxiliary electrode P142.

따라서, 인터커넥터(IC)가 제1 보조 전극(P141) 또는 제2 보조 전극(P142)의 전면에 접속되는 경우, 접속면은 전면 일 수 있으며, 인터커넥터(IC)가 제1 보조 전극(P141) 또는 제2 보조 전극(P142)의 후면에 접속되는 경우, 접속면은 후면일 수 있다.Therefore, when the interconnector IC is connected to the front surface of the first auxiliary electrode P141 or the second auxiliary electrode P142, the connection surface may be the front surface, and the interconnector IC may be connected to the first auxiliary electrode P141 ) Or the rear surface of the second auxiliary electrode P142, the connection surface may be the rear surface.

따라서, 본 발명에 따른 태양 전지 모듈은 돌출부(IC-P)가 형성되지 않는 인터커넥터(IC)의 제2 면(IC-f2)이 제1 보조 전극(P141)의 끝단 전면 또는 제2 보조 전극(P142)의 끝단 전면에 접속될 수 있다. Therefore, in the solar cell module according to the present invention, the second surface (IC-f2) of the interconnector (IC) in which the projecting portion IC-P is not formed is electrically connected to the end surface of the first auxiliary electrode P141, (P142).

이에 따라, 인터커넥터(IC)가 각 태양 전지의 제1 보조 전극(P141)의 일면 또는 제2 보조 전극(P142)의 일면에 접속될 때, 인터커넥터(IC)와의 접착력을 보다 향상시킬 수 있다. 이에 따라, 인터커넥터(IC)와 태양 전지 사이의 접촉 저항을 보다 개선할 수 있다.Accordingly, when the interconnector IC is connected to one surface of the first auxiliary electrode P141 of each solar cell or one surface of the second auxiliary electrode P142, the adhesion with the interconnector IC can be further improved . Thus, the contact resistance between the interconnector (IC) and the solar cell can be further improved.

아울러, 도 5에서는 각 태양 전지에 절연성 부재(200)가 구비되는 경우, 인터커넥터(IC)가 제1 보조 전극(P141)의 전면 또는 제2 보조 전극(P142)의 전면에 접속되는 경우를 일례로 도시하였으나, 이와 같은 절연성 부재(200)는 반도체 기판(110)에 절연성 부재(200)가 일체로 형성된 이후, 인터커넥터(IC)가 접속되기 전에 제거될 수도 있다.5 illustrates a case where the insulating member 200 is provided in each solar cell and the interconnector IC is connected to the entire surface of the first auxiliary electrode P141 or the entire surface of the second auxiliary electrode P142. The insulating member 200 may be removed after the insulating member 200 is integrally formed on the semiconductor substrate 110 before the interconnection IC is connected.

따라서, 도 6에 도시된 바와 같이, 인터커넥터(IC)가 제1 보조 전극(P141)의 후면 또는 제2 보조 전극(P142)의 후면에 접속될 수도 있다.6, the interconnector IC may be connected to the rear surface of the first auxiliary electrode P141 or the rear surface of the second auxiliary electrode P142.

도 6과 같은 경우에도, 인터커넥터(IC)는 돌출부(IC-P)가 제1 보조 전극(P141)의 후면 또는 제2 보조 전극(P142)의 후면에 반대 방향으로 향하도록 제1 태양 전지(CE1) 및 제2 태양 전지(CE2)에 접속될 수 있다. 이에 따라, 인터커넥터(IC)와 태양 전지 사이의 접촉 저항을 보다 개선할 수 있다.6, the interconnector IC is arranged such that the protruding portion IC-P faces the reverse side of the first auxiliary electrode P141 or the rear side of the second auxiliary electrode P142, CE1 and the second solar cell CE2. Thus, the contact resistance between the interconnector (IC) and the solar cell can be further improved.

이하의 도 7 내지 도 11c에서는 일례로 도 5에 적용되는 태양 전지에 대해 설명한다.In the following Figs. 7 to 11C, the solar cell applied to Fig. 5 will be described as an example.

도 7 내지 도 11c는 도 5에 도시된 태양 전지 모듈에 적용되는 태양 전지의 일례를 설명하기 위한 도이다.FIGS. 7 to 11C are views for explaining an example of a solar cell applied to the solar cell module shown in FIG.

구체적으로, 도 7은 본 발명의 일례에 따른 태양 전지의 일부 사시도의 일례이고, 도 8는 도 7에 도시한 태양 전지를 라인 8-8을 따라 잘라 도시한 단면도이고, 도 9는 도 7 및 도 8에서 설명한 태양 전지에서 각각 낱개로 접속될 반도체 기판(110)과 절연성 부재(200)의 전극 패턴에 관한 일례를 설명하기 위한 도이고, 도 10은 도 9에 도시된 반도체 기판(110)과 절연성 부재(200)가 서로 접속된 상태를 설명하기 위한 도이고, 도 11a는 도 10에서 11a-11a 라인의 단면을 도시한 것이고, 도 11b는 도 10에서 11b-11b 라인의 단면을 도시한 것이고, 도 11c는 도 10에서 11c-11c 라인의 단면을 도시한 것이다.7 is a cross-sectional view taken along line 8-8 of FIG. 7, and FIG. 9 is a cross-sectional view taken along line 8-8 of FIG. 7. FIG. FIG. 10 is a view for explaining an example of electrode patterns of the semiconductor substrate 110 and the insulating member 200 to be individually connected to each other in the solar cell shown in FIG. 8. FIG. 10 is a cross- FIG. 11A is a cross-sectional view taken along line 11A-11A in FIG. 10, FIG. 11B is a cross-sectional view taken along line 11B-11B in FIG. 10 And Fig. 11C is a cross-sectional view taken along line 11c-11c in Fig.

도 7 및 도 8를 참고로 하면, 본 발명에 따른 태양 전지의 일례는 도 3 및 도 4에서 설명한 반도체 기판(110), 에미터부(121), 후면 전계부(172), 복수의 제1 전극(C141) 및 복수의 제2 전극(C142), 이외에 제1 보조 전극(P141), 제2 보조 전극(P142) 및 절연성 부재(200)을 더 구비할 수 있다.7 and 8, an example of a solar cell according to the present invention includes a semiconductor substrate 110, an emitter section 121, a rear electric section 172, a plurality of first electrodes A first auxiliary electrode P141, a second auxiliary electrode P142 and an insulating member 200 in addition to the first electrode C141 and the plurality of second electrodes C142.

여기서, 반도체 기판(110), 반사 방지막(130), 에미터부(121) 및 후면 전계부(172)는 도 3 및 도 4에서 설명한 바와 동일하므로 생략한다.Here, the semiconductor substrate 110, the antireflection film 130, the emitter section 121, and the rear electric field section 172 are the same as those described with reference to FIGS.

아울러, 도 4에서 제1 전극(C141)은 제1 핑거 전극(C141F)과 제1 전극(C141) 패드(C141P)를 구비하고, 제2 전극(C142)은 제2 핑거 전극(C142)과 제2 전극(C142) 패드(C142P)를 구비하는 것으로 설명하였으나, 도 9의 (a)에 도시된 바와 같이, 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142) 각각에서 제1 전극(C141) 패드(C141P)와 제2 전극(C142) 패드(C142P)는 생략될 수 있다. 4, the first electrode C141 includes a first finger electrode C141F and a first electrode C141P pad C141P, a second electrode C142 includes a second finger electrode C142, The first electrode C141 and the second electrode C142 are provided with the first electrode C141 and the second electrode C142 and the second electrode C142 and the pad C142P. However, as shown in FIG. 9A, The pad C141P and the pad C142P of the second electrode C142 may be omitted.

아울러, 도 7 내지 도 11c에 도시된 태양 전지에서 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142)의 두께는 일례로 대략 50nm ~ 200nm 사이로 형성될 수 있다.In addition, the thickness of the first electrode C141 and the second electrode C142 in the solar cell shown in FIGS. 7 to 11C may be, for example, about 50 nm to 200 nm.

아울러, 도 9의 (c)에 도시된 바와 같이, 제1 보조 전극(P141)은 제1 접속부(PC141)와 제1 패드부(PP141)를 포함하고, 여기서, 제1 접속부(PC141)는 도 7에 도시된 바와 같이, 복수의 제1 전극(C141)에 접속되며, 제1 패드부(PP141)는 도 9의 (c)에 도시된 바와 같이, 일단이 제1 접속부(PC141)의 끝단에 연결되며, 타단이 인터커넥터(IC)와 접속될 수 있다. 이와 같은 제1 패드부(PP141)에 대해서는 도 9에서 보다 구체적으로 설명한다.9 (c), the first auxiliary electrode P141 includes a first connection part PC141 and a first pad part PP141, wherein the first connection part PC141 is connected to the first pad part PP141, 9, the first pad portion PP141 is connected to a plurality of first electrodes C141 as shown in FIG. 9 (c). One end of the first pad portion PP141 is connected to the end of the first connection portion PC141 And the other end can be connected to the inter-connector (IC). The first pad portion PP141 will be described in more detail with reference to FIG.

제2 보조 전극(P142)은 도 9의 (c)에 도시된 바와 같이, 제2 접속부(PC142)와 제2 패드부(PP142)를 포함할 수 있다. 여기서, 제2 접속부(PC142)는 도 7 및 도 8에 도시된 바와 같이, 복수의 제2 전극(C142)에 접속되며, 제2 패드부(PP142)는 도 9의 (c)에 도시된 바와 같이, 일단이 제2 접속부(PC142)의 끝단에 연결되며, 타단이 인터커넥터(IC)와 접속될 수 있다. 이와 같은 제2 패드부(PP142)에 대해서도 도 9에서 보다 구체적으로 설명한다.The second auxiliary electrode P142 may include a second connecting portion PC142 and a second pad portion PP142 as shown in FIG. 9 (c). 7 and 8, the second connection part PC 142 is connected to the plurality of second electrodes C 142, and the second pad part PP 142 is connected to the plurality of second electrodes C 142, as shown in FIG. 9 (c) Similarly, one end may be connected to the end of the second connection unit (PC 142), and the other end may be connected to the interconnector (IC). The second pad portion PP142 will be described in more detail with reference to FIG.

이와 같은 제1 보조 전극(P141) 및 제2 보조 전극(P142)의 재질은 Cu, Au, Ag, Al 중 적어도 어느 하나를 포함하여 형성될 수 있고, 제1 보조 전극(P141) 및 제2 보조 전극(P142)의 두께는 일례로 20um ~ 60um 사이로 형성될 수 있다.The first auxiliary electrode P141 and the second auxiliary electrode P142 may be formed of at least one of Cu, Au, Ag and Al. The first auxiliary electrode P141 and the second auxiliary The thickness of the electrode P142 may be, for example, between 20um and 60um.

아울러, 전술한 제1 보조 전극(P141)은 도전성 재질의 전극 연결재(ECA)를 통하여 제1 전극(C141)에 전기적으로 연결될 수 있으며, 제2 보조 전극(P142)은 도전성 재질의 전극 연결재(ECA)를 통하여 제2 전극(C142)에 전기적으로 연결될 수 있다.The first auxiliary electrode P141 may be electrically connected to the first electrode C141 through an electrically conductive electrode coupling material ECA and the second auxiliary electrode P142 may be electrically connected to the electrode coupling material ECA To the second electrode (C142).

이와 같은 전극 연결재(ECA)의 재질은 전도성 물질이면, 특별한 제한이 없으나, 상대적으로 낮은 온도인 130℃ ~ 250℃에서도 녹는점이 형성되는 도전성 물질이 더 바람직하다. 아울러, 인터커넥터(IC) 연결재(ICA)의 재질도 이와 같은 전극 연결재(ECA)의 재질과 동일할 수 있다.The material of the electrode connection material (ECA) is not particularly limited as long as it is a conductive material, but a conductive material having a melting point of 130 ° C to 250 ° C, which is a relatively low temperature, is more preferable. In addition, the material of the IC connector (ICA) may be the same as that of the electrode connector (ECA).

또한, 전술한 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142) 사이 및 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142) 사이에는 단락을 방지하는 절연층(IL)이 위치할 수 있다. 이와 같은 절연층(IL)은 에폭시 수지일 수 있다.An insulating layer IL for preventing a short circuit may be disposed between the first electrode C141 and the second electrode C142 and between the first auxiliary electrode P141 and the second auxiliary electrode P142 . The insulating layer IL may be an epoxy resin.

아울러, 도 7 및 도 8에서는 제1 전극(C141)과 제1 보조 전극(P141)의 제1 접속부(PC141)가 서로 중첩되고, 제2 전극(C142)과 제2 보조 전극(P142)의 제2 접속부(PC142)가 중첩되는 경우만 도시하고 있으나, 이와 다르게 제1 전극(C141)과 제2 보조 전극(P142)의 제2 접속부(PC142)가 서로 중첩될 수 있고, 제2 전극(C142)과 제1 보조 전극(P141)의 제1 접속부(PC141)가 사로 중첩될 수도 있다. 이와 같은 경우, 제1 전극(C141)과 제2 보조 전극(P142)의 제2 접속부(PC142) 사이 및 제2 전극(C142)과 제1 보조 전극(P141)의 제1 접속부(PC141) 사이에는 단락을 방지하기 위하여 절연층(IL)이 위치할 수 있다.7 and 8, the first connection C141 of the first auxiliary electrode P141 overlaps with the first connection C141 of the first auxiliary electrode P141, and the first connection C141 of the second auxiliary electrode P142 overlaps the first connection C141 of the first auxiliary electrode P141. The first electrode C141 and the second connecting portion PC142 of the second auxiliary electrode P142 may overlap each other and the second electrode C142 may overlap with the second connecting portion PC142. And the first connection unit (PC141) of the first auxiliary electrode (P141) may be overlapped with each other. In this case, between the first electrode C141 and the second connection unit PC 142 of the second auxiliary electrode P142 and between the second electrode C142 and the first connection unit PC141 of the first auxiliary electrode P141 An insulating layer (IL) may be located to prevent shorting.

절연성 부재(200)는 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142)의 후면에 배치될 수 있다. The insulating member 200 may be disposed on the rear surface of the first auxiliary electrode P141 and the second auxiliary electrode P142.

이와 같은 절연성 부재(200)의 재질은 절연성 재질이면 특별한 제한이 없으나, 상대적으로 녹는점이 전극 연결재(ECA)보다 높은 것이 바람직할 수 있으며, 일례로, 절연성 부재(200)의 녹는점은 300℃ 이상이 되는 절연성 재질로 형성될 수 있다. 보다 구체적으로 일례로, 고온에 대해 내열성 있는 polyimide, epoxy-glass, polyester, BT(bismaleimide triazine) 레진 중 적어도 하나의 재질을 포함하여 형성될 수 있다.The melting point of the insulating member 200 is preferably not less than 300 DEG C, more preferably not less than 300 DEG C, more preferably not less than 300 DEG C, As shown in Fig. More specifically, it may be formed of at least one material selected from the group consisting of heat resistant polyimide, epoxy-glass, polyester, and BT (bismaleimide triazine) resin.

이와 같은 절연성 부재(200)는 유연한(flexible) 필름 형태로 형성되거나 유연하지 않고 단단한 플레이트(plate) 형태로 형성될 수 있다.Such an insulating member 200 may be formed in the form of a flexible film or in the form of a hard plate rather than a flexible one.

이와 같은 본 발명에 따른 태양 전지는 절연성 부재(200)의 전면에 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142)이 미리 형성되고, 반도체 기판(110)의 후면에 복수의 제1 전극(C141) 및 복수의 제2 전극(C142)이 미리 형성된 상태에서, 절연성 부재(200)와 반도체 기판(110)이 각각 낱개로 접속되어 하나의 개별 소자로 형성될 수 있다. In the solar cell according to the present invention, a first auxiliary electrode P141 and a second auxiliary electrode P142 are formed in advance on the entire surface of the insulating member 200, and a plurality of first electrodes The insulating member 200 and the semiconductor substrate 110 may be connected to each other to form a single discrete element in a state in which the plurality of second electrodes C141 and the plurality of second electrodes C142 are formed in advance.

즉, 하나의 절연성 부재(200)에 부착되어 접속되는 반도체 기판(110)은 하나일 수 있고, 이와 같은 하나의 절연성 부재(200)와 하나의 반도체 기판(110)은 서로 부착되어 하나의 일체형 개별 소자로 형성되어 하나의 태양 전지 셀을 형성할 수 있다.That is, there may be one semiconductor substrate 110 attached to and connected to one insulating member 200, and one insulating member 200 and one semiconductor substrate 110 are attached to each other to form one integrated type So that one solar cell can be formed.

이와 같이, 태양 전지가 하나의 절연성 부재(200)와 하나의 반도체 기판(110)을 서로 부착하여 하나의 일체형 개별 소자로 형성되는 경우, 반도체 기판(110)의 후면에 형성되는 복수의 제1 전극(C141)과 복수의 제2 전극(C142)의 패턴의 일례와, 절연성 부재(200)의 전면에 형성되는 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142) 패턴의 일례에 대해 설명하면 다음과 같다.As described above, when the solar cell is formed as one integrated type element by attaching one insulating member 200 and one semiconductor substrate 110 to each other, a plurality of first electrodes (not shown) formed on the rear surface of the semiconductor substrate 110, An example of the pattern of the first electrode C141 and the plurality of second electrodes C142 and an example of the patterns of the first auxiliary electrode P141 and the second auxiliary electrode P142 formed on the entire surface of the insulating member 200 As follows.

도 9의 (a)는 반도체 기판(110)의 후면에 배치되는 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142)의 패턴 일례 설명하기 위한 도이고, 도 9의 (b)는 도 9의 (a)에서 9(b)-9(b) 라인에 따른 단면도이고, 도 9의 (c)는 절연성 부재(200)의 전면에 배치되는 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142)의 패턴 일례을 설명하기 위한 도이고, 도 9의 (d)는 도 9의 (c)에서 9(d)-9(d) 라인에 따른 단면도이다.9A is a view for explaining an example of a pattern of the first electrode C141 and the second electrode C142 disposed on the rear surface of the semiconductor substrate 110. FIG 9B is a cross- 9C is a sectional view taken along the line 9 (b) -9 (b) in FIGS. 9A to 9C. FIG. 9C is a sectional view of the first auxiliary electrode P141 and the second auxiliary electrode P142 disposed on the front surface of the insulating member 200, 9 (d) is a cross-sectional view taken along line 9 (d) -9 (d) in FIG. 9 (c).

도 9의 (a) 및 (b)에 도시된 바와 같은 하나의 반도체 기판(110)의 후면에 도 9의 (c) 및 (d)에 도시된 바와 같은 하나의 절연성 부재(200)의 전면이 부착되어 접속됨으로써, 본 발명에 따른 태양 전지는 하나의 일체형 개별 소자를 형성할 수 있다. 즉, 절연성 부재(200)와 반도체 기판(110)은 1:1로 결합 또는 부착될 수 있다.A front surface of one insulating member 200 as shown in FIGS. 9 (c) and 9 (d) is formed on the rear surface of one semiconductor substrate 110 as shown in FIGS. 9 (a) and 9 (b) By attaching and connecting, the solar cell according to the present invention can form one integrated discrete element. That is, the insulating member 200 and the semiconductor substrate 110 may be bonded or attached at a ratio of 1: 1.

이때, 도 9의 (a) 및 (b)에 도시된 바와 같이, 도 7 및 도 8에서 설명한 태양 전지의 반도체 기판(110)의 후면에는 복수 개의 제1 전극(C141)과 복수 개의 제2 전극(C142)이 서로 이격되어 제1 방향(x)으로 길게 형성될 수 있다.9A and 9B, a plurality of first electrodes C141 and a plurality of second electrodes C141 are formed on the rear surface of the semiconductor substrate 110 of the solar cell illustrated in FIGS. 7 and 8, (C142) may be spaced apart from each other and elongated in the first direction (x).

아울러, 도 9의 (c) 및 (d)에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 절연성 부재(200)의 전면에는 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142)이 형성될 수 있다.9 (c) and 9 (d), the first auxiliary electrode P141 and the second auxiliary electrode P142 may be formed on the front surface of the insulating member 200 according to the present invention .

여기서, 전술한 바와 같이, 제1 보조 전극(P141)은 제1 접속부(PC141)와 제1 패드부(PP141)를 포함하고, 도 9의 (c)에 도시된 바와 같이, 제1 접속부(PC141)는 제1 방향(x)으로 길게 형성될 수 있으며, 제1 패드부(PP141)는 제2 방향(y)으로 길게 형성되며, 일단이 제1 접속부(PC141)의 끝단에 연결되며, 타단은 인터커넥터(IC)에 접속될 수 있다.Here, as described above, the first auxiliary electrode P141 includes the first connecting portion PC141 and the first pad portion PP141, and the first connecting portion PC141, May be elongated in the first direction x. The first pad portion PP141 may be elongated in the second direction y and may have one end connected to the end of the first connection portion PC141, And can be connected to an inter-connector (IC).

아울러, 제2 보조 전극(P142)도 제2 접속부(PC142)와 제2 패드부(PP142)를 포함하고, 도 9의 (c)에 도시된 바와 같이, 제2 접속부(PC142)는 제1 접속부(PC141)와 이격되어 제1 방향(x)으로 길게 형성될 수 있으며, 제2 패드부(PP142)는 제2 방향(y)으로 길게 형성되며, 일단이 제2 접속부(PC142)의 끝단에 연결되며, 타단은 인터커넥터(IC)에 접속될 수 있다.In addition, the second auxiliary electrode P142 also includes a second connecting portion PC142 and a second pad portion PP142. As shown in FIG. 9C, the second connecting portion PC142 includes a first connecting portion The second pad portion PP142 may be formed to be elongated in the second direction y and may have one end connected to the end of the second connection portion PC142, And the other end can be connected to the inter-connector (IC).

여기서, 제1 접속부(PC141)와 제2 패드부(PP142)는 서로 이격되고, 제2 접속부(PC142)와 제1 패드부(PP141)도 서로 이격될 수 있다.Here, the first connection portion PC141 and the second pad portion PP142 may be spaced from each other, and the second connection portion PC142 and the first pad portion PP141 may be spaced apart from each other.

따라서, 절연성 부재(200)의 전면에서, 제1 방향(x)의 양끝단 중 일단에는 제1 패드부(PP141)가 형성되고, 타단에는 제2 패드부(PP142)가 형성될 수 있다. Therefore, on the front surface of the insulating member 200, the first pad portion PP141 may be formed at one end of the both ends of the first direction x and the second pad portion PP142 may be formed at the other end thereof.

이와 같이 본 발명에 따른 태양 전지는 하나의 반도체 기판(110)에 하나의 절연성 부재(200)만 결합되어, 하나의 일체형 개별 소자를 형성함으로써, 태양 전지 모듈 제조 공정을 보다 용이하게 할 수 있으며, 태양 전지 모듈 제조 공정 중에 어느 하나의 태양 전지에 포함된 반도체 기판(110)이 파손되거나 결함이 발생하더라도 하나의 일체형 개별 소자로 형성되는 해당 태양 전지만 교체할 수 있고, 공정 수율을 보다 향상시킬 수 있다. As described above, in the solar cell according to the present invention, only one insulating member 200 is coupled to one semiconductor substrate 110 to form one integrated individual element, thereby making it easier to manufacture the solar cell module, Even if the semiconductor substrate 110 included in one of the solar cells is broken or defects are generated during the manufacturing process of the solar cell module, only the corresponding solar cell formed by one integrated type individual element can be replaced and the process yield can be further improved have.

아울러, 이와 같이, 하나의 일체형 개별 소자로 형성되는 태양 전지는 제조 공정시 반도체 기판(110)에 가해지는 열팽창 스트레스를 최소화할 수 있다.In addition, the solar cell formed by the single integrated device can minimize the thermal stress applied to the semiconductor substrate 110 during the manufacturing process.

여기서, 절연성 부재(200)의 면적을 반도체 기판(110)의 면적과 동일하거나 크게 함으로써, 태양 전지와 태양 전지를 서로 연결할 때에, 절연성 부재(200)의 전면에 인터커넥터(IC)가 부착될 수 있는 영역을 충분히 확보할 수 있다. 이를 위해, 절연성 부재(200)의 면적은 반도체 기판(110)의 면적보다 클 수 있다.Here, when the area of the insulating member 200 is equal to or larger than the area of the semiconductor substrate 110, an interconnector (IC) may be attached to the front surface of the insulating member 200 when the solar cell and the solar cell are connected to each other It is possible to secure a sufficient area. For this, the area of the insulating member 200 may be larger than the area of the semiconductor substrate 110.

이와 같은 반도체 기판(110)의 후면과 절연성 부재(200)의 전면은 서로 부착되어, 제1 전극(C141)과 제1 보조 전극(P141)이 서로 연결되고, 제2 전극(C142)과 제2 보조 전극(P142)이 서로 연결될 수 있다. The rear surface of the semiconductor substrate 110 and the front surface of the insulating member 200 are adhered to each other so that the first electrode C141 and the first auxiliary electrode P141 are connected to each other and the second electrode C142 and the second The auxiliary electrode P142 may be connected to each other.

이와 같이, 태양 전지가 하나의 반도체 기판(110)에 하나의 절연성 부재(200)만 결합되어, 하나의 일체형 개별 소자를 형성된 일례는 다음과 같다.As described above, an example in which the solar cell is formed by combining only one insulating member 200 on one semiconductor substrate 110 and forming one integrated discrete element is as follows.

도 10에 도시된 바와 같이, 하나의 반도체 기판(110)이 하나의 절연성 부재(200)에 완전히 중첩되어 하나의 태양 전지 개별 소자가 형성될 수 있다.As shown in FIG. 10, one semiconductor substrate 110 may be completely overlapped with one insulating member 200 to form one solar cell individual element.

예를 들어, 도 11a에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(110)의 후면에 형성된 제1 전극(C141)과 절연성 부재(200)의 전면에 형성된 제1 접속부(PC141)는 서로 중첩되며, 전극 연결재(ECA)에 의해 서로 전기적으로 연결될 수 있다.11A, the first electrode C141 formed on the rear surface of the semiconductor substrate 110 and the first connection portion PC141 formed on the front surface of the insulating member 200 are overlapped with each other, (ECA). ≪ / RTI >

아울러, 반도체 기판(110)의 후면에 형성된 제2 전극(C142)과 절연성 부재(200)의 전면에 형성된 제2 접속부(PC142)도 서로 중첩되며, 전극 연결재(ECA)에 의해 서로 전기적으로 연결될 수 있다.The second electrode C142 formed on the rear surface of the semiconductor substrate 110 and the second connection part PC142 formed on the front surface of the insulating member 200 are overlapped with each other and electrically connected to each other by the electrode connector ECA. have.

또한, 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142) 사이의 서로 이격된 공간에는 절연층(IL)이 채워질 수 있고, 제1 접속부(PC141)와 제2 접속부(PC142) 사이의 이격된 공간에도 절연층(IL)이 채워질 수 있다.The spacing between the first electrode C141 and the second electrode C142 may be filled with an insulating layer IL and the spacing between the first connecting portion PC141 and the second connecting portion PC 142 The insulating layer IL may be filled.

아울러, 도 11b에 도시된 바와 같이, 제2 접속부(PC142)와 제1 패드부(PP141) 사이의 이격된 공간에도 절연층(IL)이 채워질 수 있으며, 도 11c에 도시된 바와 같이, 제1 접속부(PC141)와 제2 패드부(PP142) 사이의 이격된 공간에도 절연층(IL)이 채워질 수 있다.11B, the insulating layer IL may be filled in the spaced space between the second connection portion PC 142 and the first pad portion PP141. As shown in FIG. 11C, The insulating layer IL may be filled in the spaced space between the connection portion PC141 and the second pad portion PP142.

아울러, 도 10에 도시된 바와 같이, 제1 패드부(PP141)와 제2 패드부(PP142) 각각은 반도체 기판(110)과 중첩되는 제1 영역(PP141-S1, PP142-S1)과, 반도체 기판(110)과 중첩되지 않는 제2 영역(PP141-S2, PP142-S2)을 포함할 수 있다.10, each of the first pad portion PP141 and the second pad portion PP142 includes first regions PP141-S1 and PP142-S1 overlapping the semiconductor substrate 110, And a second region PP141-S2, PP142-S2 that do not overlap with the substrate 110. [

이와 같이, 인터커넥터(IC)와 연결될 수 있는 공간을 확보하기 위하여 마련된 제1 패드부(PP141)의 제2 영역(PP141-S2) 및 제2 패드부(PP142)의 제2 영역(PP142-S2)에 인터커넥터(IC)가 연결될 수 있다. As described above, the second region PP141-S2 of the first pad portion PP141 and the second region PP142-S2 of the second pad portion PP142, which are provided for securing a space to be connected to the interconnector IC, (IC) can be connected.

본 발명에 따른 제1 패드부(PP141)와 제2 패드부(PP142) 각각은 제2 영역(PP141-S2, PP142-S2)을 구비함으로써, 인터커넥터(IC)를 보다 용이하게 연결할 수 있으며, 아울러, 인터커넥터(IC)를 연결할 때에, 반도체 기판(110)에 대한 열팽창 스트레스를 최소화할 수 있다.Since the first pad portion PP141 and the second pad portion PP142 according to the present invention include the second regions PP141-S2 and PP142-S2, the interconnector IC can be connected more easily, In addition, thermal expansion stress on the semiconductor substrate 110 can be minimized when the interconnector (IC) is connected.

아울러, 전술한 바와 같이, 복수의 태양 전지를 연결하기 위해 이와 같은 제1 패드부(PP141) 또는 제2 패드부(PP142)에 인터커넥터(IC)가 접속될 수 있는데, 이때, 인터커넥터(IC)는 앞선 도 5에서 설명한 바와 같이, 돌출부(IC-P)가 제1 패드부(PP141)의 접속면 또는 제2 패드부(PP142)의 접속면에 반대 방향으로 향하도록 제1 태양 전지(CE1) 및 제2 태양 전지(CE2)에 접속될 수 있다. 이에 따라, 인터커넥터(IC)의 접속 저항을 최소화할 수 있다.In addition, as described above, in order to connect a plurality of solar cells, an interconnector (IC) may be connected to the first pad portion PP141 or the second pad portion PP142, The first solar cell CE1 is arranged such that the projecting portion IC-P is directed in the opposite direction to the connection surface of the first pad portion PP141 or the connection surface of the second pad portion PP142, ) And the second solar cell CE2. Thus, the connection resistance of the interconnector (IC) can be minimized.

아울러, 도 7 내지 도 11C와 다르게 절연성 부재(200)가 생략된 경우, 도 6에서 설명한 바와 같이, 인터커넥터(IC)는 돌출부(IC-P)가 제1 패드부(PP141)의 후면 또는 제2 패드부(PP142)의 후면에 접속될 수도 있다.6, if the protrusion IC-P is formed on the rear surface of the first pad portion PP141 or on the rear surface of the first pad portion PP141, as shown in FIG. 6, 2 pad unit PP142.

이때에도, 돌출부(IC-P)가 제1 패드부(PP141) 또는 제2 패드부(PP142)의 접속면에 반대 방향으로 향하도록, 인터커넥터(IC)가 제1 태양 전지(CE1) 및 제2 태양 전지(CE2)에 접속될 수 있다.At this time, the interconnection IC is connected to the first solar cell CE1 and the second solar cell unit PP142 so that the projecting portion IC-P is directed in the opposite direction to the connection surface of the first pad portion PP141 or the second pad portion PP142. 2 solar cell CE2.

지금까지는 반도체 기판(110)에 형성된 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142)이 절연성 부재(200)에 형성된 제1 접속부(PC141) 및 제2 접속부(PC142)와 나란한 방향으로 중첩되어 연결되는 경우에 대해 설명하였으나, 이와 다르게, 반도체 기판(110)에 형성된 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142)이 절연성 부재(200)에 형성된 제1 접속부(PC141) 및 제2 접속부(PC142)와 교차하는 방향으로 중첩되어 접속할 수도 있다. The first electrode C141 and the second electrode C142 formed on the semiconductor substrate 110 are overlapped in the direction parallel to the first connecting portion PC141 and the second connecting portion PC142 formed on the insulating member 200, The first electrode C141 and the second electrode C142 formed on the semiconductor substrate 110 are electrically connected to the first connection portion PC141 and the second connection portion PC142 formed on the insulating member 200, In the direction intersecting with the direction of the arrows.

또한, 도시된 바와 다르게 제1 접속부(PC141)와 제2 접속부(PC142)가 복수 개로 형성되지 않고, 하나의 통전극으로 형성될 수 있으며, 하나의 통전극에는 복수 개의 제1 전극(C141) 또는 제2 전극(C142)이 접속될 수 있다.In addition, as shown in the drawing, the first connection unit PC141 and the second connection unit PC142 may not be formed in plural, but may be formed as a single tubular electrode, and a plurality of first electrodes C141 and / And the second electrode C142 may be connected.

아울러, 본 발명에 따른 태양 전지는 처음부터 절연성 부재(200) 없이 통전극으로 형성되는 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142)이 적용될 수도 있다. 이와 같은 경우, 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142) 각각의 가장 자리 끝단에 돌출부가 형성될 수 있다.The first auxiliary electrode P141 and the second auxiliary electrode P142 may be formed in the solar cell according to the present invention. In this case, protrusions may be formed at the ends of the first and second auxiliary electrodes P141 and P142, respectively.

이와 같은 제1 보조 전극(P141) 및 제2 보조 전극(P142)의 돌출부 역시 도 1 및 도 2에서 설명한 바와 같이, 제조 공정의 특성에 의해 발생할 수 있다.The protrusions of the first auxiliary electrode P141 and the second auxiliary electrode P142 may also occur due to the characteristics of the manufacturing process as described with reference to FIGS.

이와 같이 제1 보조 전극(P141) 및 제2 보조 전극(P142)에 돌출부가 형성된 경우, 태양 전지의 구조에 대해 설명하면 다음과 같다.In the case where the first auxiliary electrode P141 and the second auxiliary electrode P142 have protrusions as described above, the structure of the solar cell will be described as follows.

도 12 내지 도 14d는 도 5에 도시된 태양 전지 모듈에 적용되는 태양 전지의 다른 일례를 설명하기 위한 도이다.FIGS. 12 to 14D are views for explaining another example of a solar cell applied to the solar cell module shown in FIG.

도 12는 본 발명의 다른 일례에 따른 태양 전지에서 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142) 및 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142) 각각의 패턴에 관한 일례를 설명하기 위한 도이고, 도 13은 도 12에 도시된 반도체 기판(110)에 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142)이 접속된 상태를 설명하기 위한 도이고, 도 14a는 도 13에서 14a-14a 라인의 단면을 도시한 것이고, 도 14b는 도 13에서 14b-14b 라인의 단면을 도시한 것이고, 도 14c는 도 13에서 14c-14c 라인의 단면을 도시한 것이다.12 illustrates an example of patterns of the first electrode C141, the second electrode C142, the first auxiliary electrode P141, and the second auxiliary electrode P142 in the solar cell according to another example of the present invention 13 is a view for explaining a state in which the first auxiliary electrode P141 and the second auxiliary electrode P142 are connected to the semiconductor substrate 110 shown in FIG. 12, and FIG. 14A is a cross- Fig. 14B is a cross-sectional view taken along the line 14B-14B in Fig. 13, and Fig. 14C is a cross-sectional view taken along line 14C-14C in Fig.

도 12의 (a) 및 (b)에 도시된 반도체 기판(110)의 후면에 형성된 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142)의 패턴은 도 8에서 설명한 바와 동일하므로 생략한다.The patterns of the first electrode C141 and the second electrode C142 formed on the back surface of the semiconductor substrate 110 shown in FIGS. 12A and 12B are the same as those described with reference to FIG.

전술한 바와 같이 제1 접속부(PC141)와 제2 접속부(PC142)가 하나의 통전극으로 형성되는 경우, 일례로, 도 12의 (c) 및 (d)에 도시된 바와 같이 형성될 수 있다.As described above, when the first connection part PC141 and the second connection part PC142 are formed as one barrel electrode, for example, they may be formed as shown in FIGS. 12C and 12D.

즉, 도 12의 (c)에 도시된 바와 같이, 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142)이 GP1 만큼 서로 이격된 상태로 배치될 수 있으며, 여기서, A110 영역에 도 12의 (a) 및 (b)에 도시된 반도체 기판(110)의 후면이 접속될 수 있다.12 (c), the first auxiliary electrode P141 and the second auxiliary electrode P142 may be spaced apart from each other by a distance GP1. In this case, the back surface of the semiconductor substrate 110 shown in Figs. 2A and 2B can be connected.

아울러, 제1 접속부(PC141)를 포함하는 제1 보조 전극(P141)과 제2 접속부(PC142)를 포함하는 제2 보조 전극(P142) 전체가 하나의 통전극으로 형성되므로, 이와 같은 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142)의 패턴을 형성하기 위해서는 도 1 및 도 2에서 전술한 바와 같이, 컷팅(cutting) 프레스 장치로 찍어 특정 패턴으로 형성될 수 있다.In addition, since the second auxiliary electrode P142 including the first auxiliary electrode P141 and the second auxiliary electrode P142 including the first connecting portion PC141 is formed as a single tubular electrode, In order to form the pattern of the electrode P141 and the second auxiliary electrode P142, the pattern may be formed in a specific pattern by a cutting press apparatus as described above with reference to FIGS.

따라서, 통전극으로 형성되는 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142) 각각의 제1 면 가장 자리 끝단의 둘레에도 도 12의 (d)에 도시된 바와 같이, 돌출부(PP)가 형성될 수 있다.Therefore, as shown in FIG. 12 (d), the projection PP is also formed around the edge of the first surface of each of the first auxiliary electrode P141 and the second auxiliary electrode P142, .

여기서, 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142)의 두께(TC)는 일례로 대략 50nm ~ 200nm 사이로 형성될 수 있고, 제1 보조 전극(P141) 및 제2 보조 전극(P142)의 두께는 일례로 20um ~ 60um 사이로 형성될 수 있으며, 돌출부(PP)의 돌출 높이(HICP)는 일례로, 2um ~ 18um 사이로 형성될 수 있다. The thickness TC of the first electrode C141 and the second electrode C142 may be about 50 nm to 200 nm and the thickness T14 of the first auxiliary electrode P141 and the thickness of the second auxiliary electrode P142 For example, between 20 um and 60 um, and the protrusion height HICP of the protrusion PP may be formed between 2 um and 18 um, for example.

따라서, 돌출부(PP)가 반도체 기판(110)을 향하도록 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142)이 반도체 기판(110)의 후면에 접속되면, 접속 과정에서 제1, 2 전극(C141, C142)과 제1, 2 보조 전극(P141, P142) 사이에 접착력이 약해지거나 접촉 저항이 과도하게 커질 수 있고, 반도체 기판(110)에 손상이 발생할 수 있다.When the first auxiliary electrode P141 and the second auxiliary electrode P142 are connected to the rear surface of the semiconductor substrate 110 such that the protruding portion PP faces the semiconductor substrate 110, The adhesive force between the first and second auxiliary electrodes P141 and P142 and the contact resistance between the first and second auxiliary electrodes P141 and P142 may become excessively large and the semiconductor substrate 110 may be damaged.

따라서, 본 발명에 따른 태양 전지는 이와 같은 제1 보조 전극(P141) 및 제2 보조 전극(P142)에 형성되는 돌출부(PP)에 의한 반도체 기판(110)의 손상을 최소화하기 위해, 도 14a 내지 도 14d에 도시된 바와 같이, 돌출부(PP)가 반도체 기판(110)의 반대 방향으로 향하도록, 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142)을 반도체 기판(110)의 후면에 접속할 수 있다.Therefore, in order to minimize the damage of the semiconductor substrate 110 by the projecting portions PP formed on the first auxiliary electrode P141 and the second auxiliary electrode P142, The first auxiliary electrode P141 and the second auxiliary electrode P142 are connected to the rear surface of the semiconductor substrate 110 such that the protruding portion PP is directed in the direction opposite to the semiconductor substrate 110 as shown in FIG. .

따라서, 제1, 2 보조 전극(P141, P142)을 반도체 기판(110)의 후면에 접착될 때에, 돌출부(PP)에 의해 반도체 기판(110)이 손상되는 것을 최소화할 수 있다.Therefore, when the first and second auxiliary electrodes P141 and P142 are bonded to the rear surface of the semiconductor substrate 110, damage to the semiconductor substrate 110 by the protruding portion PP can be minimized.

이에 대해 도 13 내지 도 14d를 참조하여 보다 구체적으로 설명하면 다음과 같다.This will be described in more detail with reference to FIGS. 13 to 14D as follows.

하나의 통전극으로 형성된 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142)은 도 13에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(110)의 후면에 접속될 수 있다. The first auxiliary electrode P141 and the second auxiliary electrode P142 formed as a single tube electrode may be connected to the rear surface of the semiconductor substrate 110 as shown in FIG.

이때, 도 13, 도 14a 및 도 14c에 도시된 바와 같이, 제2 보조 전극(P142)이 형성된 영역에서는 제2 접속부(PC142)와 제2 전극(C142)이 전극 연결재(ECA)에 의해 서로 접속될 수 있고, 제2 접속부(PC142)와 제1 전극(C141) 사이에는 절연층(IL)이 형성될 수 있다.13, 14A, and 14C, in the region where the second auxiliary electrode P142 is formed, the second connecting portion PC142 and the second electrode C142 are connected to each other by the electrode connecting material ECA And an insulating layer IL may be formed between the second connection part PC 142 and the first electrode C141.

아울러, 도 13, 도 14b 및 도 14d에 도시된 바와 같이, 제1 보조 전극(P141)이 형성된 영역에서는 제1 접속부(PC141)와 제1 전극(C141)이 전극 연결재(ECA)에 의해 서로 접속될 수 있으며, 제1 접속부(PC141)와 제2 전극(C142) 사이에는 절연층(IL)이 형성될 수 있다.13, 14B and 14D, in the region where the first auxiliary electrode P141 is formed, the first connecting portion PC141 and the first electrode C141 are connected to each other by the electrode connecting material ECA And an insulating layer IL may be formed between the first connection part PC141 and the second electrode C142.

아울러, 이때 도 14a 내지 도 14d에 도시된 바와 같이 제1 보조 전극(P141) 및 제2 보조 전극(P142)에 형성되는 돌출부(PP)가 반도체 기판(110)과 반대 방향으로 향하도록, 제1, 2 보조 전극(P141, P142)이 반도체 기판(110)에 접속될 수 있다. 14A to 14D, the protrusions PP formed on the first auxiliary electrode P141 and the second auxiliary electrode P142 are arranged in a direction opposite to the semiconductor substrate 110, And two auxiliary electrodes P141 and P142 may be connected to the semiconductor substrate 110. [

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 수정, 변경 및 치환이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예 및 첨부된 도면들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예 및 첨부된 도면에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications, substitutions and substitutions are possible, without departing from the scope and spirit of the invention as disclosed in the accompanying claims. will be. Therefore, the embodiments disclosed in the present invention and the accompanying drawings are intended to illustrate and not to limit the technical spirit of the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments and the accompanying drawings . The scope of protection of the present invention should be construed according to the following claims, and all technical ideas within the scope of equivalents should be construed as falling within the scope of the present invention.

Claims (10)

반도체 기판, 상기 반도체 기판의 후면에 서로 이격되어 형성되는 제1 전극과 제2 전극을 포함하는 제1 태양 전지와 제2 태양 전지; 및
상기 제1 태양 전지의 와 제2 태양 전지를 서로 전기적으로 연결하는 인터커넥터;를 포함하며,
상기 인터커넥터의 제1 면 가장 자리 끝단의 둘레에는 상기 인터커넥터의 제1 면으로부터 돌출되는 돌출부가 형성되고,
상기 인터커넥터는 상기 돌출부가 형성된 제1 면이 상기 제1 태양 전지 또는 상기 제2 태양 전지의 접속 면에 반대 방향으로 향하도록 상기 제1 태양 전지 및 상기 제2 태양 전지에 접속되는 태양 전지 모듈.1. A solar cell comprising: a semiconductor substrate; a first solar cell and a second solar cell including a first electrode and a second electrode spaced apart from each other on a rear surface of the semiconductor substrate; And
And an interconnector electrically connecting the first solar cell and the second solar cell to each other,
A protrusion protruding from the first surface of the interconnector is formed around the edge of the first surface of the interconnector,
Wherein the interconnector is connected to the first solar cell and the second solar cell such that the first surface formed with the protrusion is directed in a direction opposite to the connection surface of the first solar cell or the second solar cell. 제1 항에 있어서,
상기 인터커넥터에서 상기 제1 면의 반대쪽에 위치하는 제2 면에는 상기 돌출부가 형성되지 않는 태양 전지 모듈.The method according to claim 1,
And the protrusion is not formed on a second surface of the interconnector which is opposite to the first surface. 제2 항에 있어서,
상기 인터커넥터의 제2 면이 상기 제1 태양 전지 및 제2 태양 전지의 후면에 접속되는 태양 전지 모듈.3. The method of claim 2,
And the second surface of the interconnector is connected to the rear surface of the first solar cell and the second solar cell. 제1 항에 있어서,
상기 인터커넥터는
상기 제1 태양 전지의 제1 전극과 상기 제2 태양 전지의 제2 전극에 접속되거나,
상기 제1 태양 전지의 제2 전극과 상기 제2 태양 전지의 제1 전극에 접속되는 태양 전지 모듈.The method according to claim 1,
The inter-
A first electrode of the first solar cell and a second electrode of the second solar cell,
And a second electrode of the first solar cell and a first electrode of the second solar cell. 제4 항에 있어서,
상기 인터커넥터는 상기 돌출부가 상기 제1 전극 또는 상기 제2 전극의 접속면에 반대 방향으로 향하도록 상기 제1 전극 또는 상기 제2 전극에 접속되는 태양 전지 모듈.5. The method of claim 4,
And the interconnection is connected to the first electrode or the second electrode so that the protrusion is directed in a direction opposite to the connection surface of the first electrode or the second electrode. 제1 항에 있어서,
상기 인터커넥터의 두께 대비 상기 돌출부의 돌출 높이는 10 : 1 ~ 3 사이인 태양 전지 모듈.The method according to claim 1,
Wherein a protrusion height of the protrusion is between 10: 1 and 3 with respect to a thickness of the interconnector. 상기 제1 태양 전지 및 상기 제2 태양 전지 각각은
상기 복수의 제1 전극에 연결되는 제1 보조 전극, 및 상기 복수의 제2 전극에 연결되는 제2 보조 전극;을 더 포함하고,
상기 인터커넥터는 상기 돌출부가 상기 제1 보조 전극의 접속면 또는 상기 제2 보조 전극의 접속면에 반대 방향으로 향하도록 상기 제1 태양 전지 및 상기 제2 태양 전지에 접속되는 태양 전지 모듈.Wherein each of the first solar cell and the second solar cell
A first auxiliary electrode connected to the plurality of first electrodes, and a second auxiliary electrode connected to the plurality of second electrodes,
Wherein the interconnector is connected to the first solar cell and the second solar cell such that the projecting portion faces the connection surface of the first auxiliary electrode or the connection surface of the second auxiliary electrode. 제7 항에 있어서,
상기 제1 전극과 상기 제1 보조 전극, 및 상기 제2 전극과 상기 제2 보조 전극은 도전성 재질의 전극 연결재에 의해 서로 접속되는 태양 전지 모듈.8. The method of claim 7,
Wherein the first electrode, the first auxiliary electrode, the second electrode, and the second auxiliary electrode are connected to each other by a conductive electrode material. 제7 항에 있어서,
상기 인터커넥터는 상기 제1 태양 전지의 제1 보조 전극 또는 제2 태양 전지의 제2 보조 전극에 접속되는 태양 전지 모듈.8. The method of claim 7,
Wherein the interconnector is connected to a first auxiliary electrode of the first solar cell or a second auxiliary electrode of the second solar cell. 반도체 기판;
상기 반도체 기판의 후면에 형성되는 복수의 제1 전극과 제2 전극; 및
상기 복수의 제1 전극에 접속되는 제1 보조 전극과 상기 복수의 제2 전극에 접속되는 제2 보조 전극;을 포함하고,
상기 제1 보조 전극과 상기 제2 보조 전극 각각의 가장 자리 끝단의 둘레에 돌출부가 형성되고,
상기 제1 보조 전극과 상기 제2 보조 전극 각각은 상기 돌출부가 상기 반도체 기판의 접속 면에 반대 방향으로 향하도록 상기 반도체 기판의 후면에 접속되는 태양 전지.A semiconductor substrate;
A plurality of first electrodes and a plurality of second electrodes formed on a rear surface of the semiconductor substrate; And
A first auxiliary electrode connected to the plurality of first electrodes and a second auxiliary electrode connected to the plurality of second electrodes,
Wherein protrusions are formed around edge portions of the first auxiliary electrode and the second auxiliary electrode, respectively,
Wherein each of the first auxiliary electrode and the second auxiliary electrode is connected to the rear surface of the semiconductor substrate so that the protruding portion is directed in a direction opposite to the connection surface of the semiconductor substrate.
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