KR102267657B1 - Adhesive sheet, and dicing die-bonding film - Google Patents

Adhesive sheet, and dicing die-bonding film Download PDF

Info

Publication number
KR102267657B1
KR102267657B1 KR1020140067693A KR20140067693A KR102267657B1 KR 102267657 B1 KR102267657 B1 KR 102267657B1 KR 1020140067693 A KR1020140067693 A KR 1020140067693A KR 20140067693 A KR20140067693 A KR 20140067693A KR 102267657 B1 KR102267657 B1 KR 102267657B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
adhesive sheet
molecular weight
weight
component
spherical alumina
Prior art date
Application number
KR1020140067693A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20140142674A (en
Inventor
유타 기무라
사다히토 미스미
겐지 오니시
유이치로 시시도
유키 스고
Original Assignee
닛토덴코 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 닛토덴코 가부시키가이샤 filed Critical 닛토덴코 가부시키가이샤
Publication of KR20140142674A publication Critical patent/KR20140142674A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102267657B1 publication Critical patent/KR102267657B1/en

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J11/00Features of adhesives not provided for in group C09J9/00, e.g. additives
    • C09J11/02Non-macromolecular additives
    • C09J11/04Non-macromolecular additives inorganic
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K7/00Use of ingredients characterised by shape
    • C08K7/16Solid spheres
    • C08K7/18Solid spheres inorganic
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L33/00Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides or nitriles thereof; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L33/04Homopolymers or copolymers of esters
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L61/00Compositions of condensation polymers of aldehydes or ketones; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L61/04Condensation polymers of aldehydes or ketones with phenols only
    • C08L61/06Condensation polymers of aldehydes or ketones with phenols only of aldehydes with phenols
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J163/00Adhesives based on epoxy resins; Adhesives based on derivatives of epoxy resins
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J9/00Adhesives characterised by their physical nature or the effects produced, e.g. glue sticks
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)

Abstract

본 발명은 신뢰성이 높고, 요철의 매설성이 우수한 접착 시트, 및 다이싱·다이 본딩 필름을 제공한다.
본 발명은, 구상 알루미나 충전재와, 고분자량 성분(A) 및 저분자량 성분(B)을 포함하는 수지 성분을 포함하고, 접착 시트 100중량부에 대하여, 상기 구상 알루미나 충전재의 함유량이 78∼88중량부이고, 상기 구상 알루미나 충전재의 평균 입경이 2∼9㎛, 비표면적이 0.8∼8.0m2/g이며, 상기 고분자량 성분(A)의 중량/상기 고분자량 성분(A) 및 상기 저분자량 성분(B)의 합계 중량으로 표시되는 중량 비율이 0.03∼0.25인 접착 시트에 관한 것이다.
The present invention provides an adhesive sheet having high reliability and excellent embedding properties of irregularities, and a dicing die-bonding film.
The present invention includes a spherical alumina filler and a resin component containing a high molecular weight component (A) and a low molecular weight component (B), wherein the content of the spherical alumina filler is 78 to 88 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the adhesive sheet. negative, and the spherical alumina filler has an average particle diameter of 2 to 9 μm and a specific surface area of 0.8 to 8.0 m 2 /g, and the weight of the high molecular weight component (A)/the high molecular weight component (A) and the low molecular weight component It relates to the adhesive sheet whose weight ratio expressed by the total weight of (B) is 0.03-0.25.

Description

접착 시트, 및 다이싱·다이 본딩 필름{ADHESIVE SHEET, AND DICING DIE-BONDING FILM}An adhesive sheet and a dicing die-bonding film {ADHESIVE SHEET, AND DICING DIE-BONDING FILM}

본 발명은 접착 시트, 및 다이싱·다이 본딩 필름에 관한 것이다.The present invention relates to an adhesive sheet and a dicing die-bonding film.

반도체 소자의 애플리케이션측으로부터의 요구로, 고용량화, 데이터 처리 속도의 고속화가 진행되고, 그에 따라 반도체 소자로부터의 발열량이 증대되고 있다. 이 때문에, 발열량의 증대에 대한 대책이 급선무로 되어 있다.In response to the demand from the application side of semiconductor devices, higher capacity and higher data processing speed are progressing, and accordingly, the amount of heat generated from the semiconductor device is increasing. For this reason, measures against an increase in the amount of heat are urgently needed.

반도체 패키지의 방열 방법으로서, 봉지 수지를 박형화 또는 고열전도율화하여 방열하는 방법, 히트 스프레더 등의 방열재를 매설하고 그것을 개재해서 방열하는 방법, 반도체 칩과 접착제를 개재해서 접착된 기판이나 리드 프레임 등으로부터 방열하는 방법 등이 있다.As a heat dissipation method for a semiconductor package, a method of dissipating heat by reducing the thickness of the encapsulating resin or making it a high thermal conductivity, a method of embedding a heat dissipating material such as a heat spreader and dissipating heat through it, a substrate or lead frame bonded through a semiconductor chip and an adhesive, etc. There is a method of dissipating heat from

봉지 수지로부터 방열하는 방법은, 봉지 수지층이 두껍기 때문에 효율적인 방열이 어렵다. 또한, 히트 스프레더를 매설하는 방법은 소형화(고집적화)에 적합하지 않아, 사용할 수 있는 패키지가 한정된다. 한편, 반도체 칩과 기판을 접착시키기 위한 접착제를 고열전도화하여, 반도체 칩으로부터 발생한 열을 기판에 보내는 것으로 효율적인 방열이 가능하다.In the method of dissipating heat from the encapsulating resin, efficient heat dissipation is difficult because the encapsulating resin layer is thick. In addition, the method of burying the heat spreader is not suitable for miniaturization (high integration), and thus the package that can be used is limited. On the other hand, efficient heat dissipation is possible by making the adhesive for bonding the semiconductor chip and the substrate to a high thermal conductivity and sending the heat generated from the semiconductor chip to the substrate.

접착제를 고열전도화하는 방법으로서, 고열전도성의 충전재를 배합하는 방법이 알려져 있다. 고열전도성의 충전재로서는 다양한 것이 있고, 예컨대 알루미나 충전재, 수산화알루미늄, 질화알루미늄 등이 있다. 이 중, 알루미나 충전재는 비교적 저렴하고 화학적으로 안정성이 높으며, 열전도율이 높기 때문에 자주 사용되고 있다.As a method of making an adhesive highly thermally conductive, the method of mix|blending a high thermal conductivity filler is known. There are various types of fillers with high thermal conductivity, for example, alumina fillers, aluminum hydroxide, aluminum nitride, and the like. Among them, alumina fillers are often used because they are relatively inexpensive, have high chemical stability, and have high thermal conductivity.

한편, 수산화알루미늄은 알루미나 충전재보다도 열전도성이 낮고, 가열에 의해서 알루미늄이 되어 물을 발생시키기 때문에, 신뢰성의 저하를 야기할 우려가 있다.On the other hand, since aluminum hydroxide has lower thermal conductivity than an alumina filler, it turns into aluminum by heating and generates water, there exists a possibility of causing the fall of reliability.

또한, 질화알루미늄은 화학적 안정성이 낮아, 공기 중의 물과 반응하여 수산화알루미늄을 생성하고, 암모니아를 발생시킨다. 접착제는, 다이싱 공정에서 다량의 물에 노출되는 경우가 있고, 또한 장시간 일반 분위기 하에 놓이는 경우가 많기 때문에 물이나 공기에 대하여 안정적일 필요가 있지만, 질화알루미늄은 상기의 특성 때문에 접착제에 적합하다고는 말하기 어렵다.In addition, aluminum nitride has low chemical stability, and reacts with water in the air to produce aluminum hydroxide and ammonia. Adhesives are often exposed to a large amount of water in the dicing process and are often placed in a general atmosphere for a long time, so it is necessary to be stable against water and air, but aluminum nitride is not suitable for adhesives due to the above characteristics. hard to say

접착제의 형상에 관하여, 종래는 은 페이스트 등 액상의 접착제가 사용되고 있었다. 그러나, 50㎛보다도 얇은 반도체 웨이퍼로부터 얻은 반도체 칩을 페이스트상의 접착제를 개재해서 기판에 접착시키면, 반도체 칩의 경사나 밀려나옴, 접착제의 칩 상부로의 침투 등이 일어나는 경우가 있다. 이 때문에, 페이스트상의 접착제는 고집적화한 반도체 소자의 제조에는 적합하지 않다. 또한, 페이스트상의 접착제는 큐어링 시에 보이드(void)가 발생하기 쉬워, 보이드에 의한 신뢰성의 저하, 방열성의 저하 등의 문제가 일어나기 쉽다.Regarding the shape of the adhesive, conventionally, a liquid adhesive such as a silver paste has been used. However, when a semiconductor chip obtained from a semiconductor wafer thinner than 50 µm is adhered to a substrate through a paste-like adhesive, the semiconductor chip may be inclined or pushed out, and the adhesive may penetrate into the upper part of the chip. For this reason, the paste-like adhesive agent is not suitable for manufacture of a highly integrated semiconductor element. Moreover, the paste-like adhesive agent tends to generate|occur|produce a void at the time of curing, and it is easy to generate|occur|produce problems, such as a fall of reliability by a void, and a fall of heat dissipation property.

이와 같은 배경 중, 예컨대 특허문헌 1∼3에서는, 알루미나 충전재를 배합한 고열전도성의 시트상 접착제가 제안되어 있다.Among such backgrounds, for example, in Patent Documents 1 to 3, a sheet-like adhesive having a high thermal conductivity containing an alumina filler is proposed.

일본 특허공개 2012-186360호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2012-186360 일본 특허공개 2012-186361호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2012-186361 일본 특허공개 2011-23607호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2011-23607

그러나, 특허문헌 1∼3의 시트상 접착제는, 비교적 평탄한 피착체에만 접착할 수 있어서 용도가 한정된다. 즉, 요철에 대한 추종성(요철의 매설성)에 대하여 개선의 여지가 있다. 또한, 최근, 접착제에 요구되는 신뢰성의 레벨이 높아지고 있기 때문에, 신뢰성에 대해서도 검토할 필요가 있다.However, the sheet-like adhesives of Patent Documents 1 to 3 can only be adhered to a relatively flat adherend, so that their use is limited. That is, there is room for improvement with respect to the followability with respect to the unevenness|corrugation (burial property of the unevenness|corrugation). Moreover, since the level of reliability required for an adhesive agent is increasing in recent years, it is necessary to examine also reliability.

본 발명은 상기 과제를 해결하여, 신뢰성이 높고, 요철의 매설성이 우수한 접착 시트, 및 다이싱·다이 본딩 필름을 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of this invention is to solve the said subject, and to provide the adhesive sheet which is highly reliable and is excellent in the uneven|corrugated embedding property, and a dicing die-bonding film.

본 발명은, 구상 알루미나 충전재와, 고분자량 성분(A) 및 저분자량 성분(B)을 포함하는 수지 성분을 포함하고, 접착 시트 100중량부에 대하여, 상기 구상 알루미나 충전재의 함유량이 78∼88중량부이고, 상기 구상 알루미나 충전재의 평균 입경이 2∼9㎛, 비표면적이 0.8∼8.0m2/g이며, 상기 고분자량 성분(A)의 중량/상기 고분자량 성분(A) 및 상기 저분자량 성분(B)의 합계 중량으로 표시되는 중량 비율이 0.03∼0.25인 접착 시트에 관한 것이다.The present invention includes a spherical alumina filler and a resin component containing a high molecular weight component (A) and a low molecular weight component (B), wherein the content of the spherical alumina filler is 78 to 88 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the adhesive sheet. negative, and the spherical alumina filler has an average particle diameter of 2 to 9 μm and a specific surface area of 0.8 to 8.0 m 2 /g, and the weight of the high molecular weight component (A)/the high molecular weight component (A) and the low molecular weight component It relates to the adhesive sheet whose weight ratio expressed by the total weight of (B) is 0.03-0.25.

구상 알루미나 충전재를 단순히 고충전화하는 것만으로는, 내습 리플로우성을 충분히 높일 수 없고, 또한 매설성을 저하시켜 버린다. 이에 대하여, 본 발명의 접착 시트에서는, 특정한 평균 입경을 만족시키고, 또한 특정한 비표면적을 만족시키는 구상 알루미나 충전재를 사용하여, 고분자량 성분(A)의 중량/고분자량 성분(A) 및 저분자량 성분(B)의 합계 중량으로 표시되는 중량 비율을 특정 범위로 조정하고 있기 때문에, 고온에서의 유동성이 양호하게 얻어져, 우수한 요철의 매설성이 얻어진다. 또한, 우수한 내습 리플로우성도 얻어진다.Moisture-resistance reflow-resistance cannot fully be improved only by making a spherical alumina filler high filling, and will also reduce embedding property. On the other hand, in the adhesive sheet of the present invention, a spherical alumina filler that satisfies a specific average particle size and a specific specific surface area is used, and the weight/high molecular weight component (A) and low molecular weight component of the high molecular weight component (A) are used. Since the weight ratio expressed by the total weight of (B) is adjusted to a specific range, the fluidity|liquidity at high temperature is obtained favorably, and the outstanding uneven embedding property is obtained. In addition, excellent moisture reflow resistance is also obtained.

상기 구상 알루미나 충전재의 입도 분포에 있어서, 피크가 2개 이상 존재하며, 0.2∼0.8㎛의 입경 범위에 제 1 피크가 존재하고, 3∼15㎛의 입경 범위에 제 2 피크가 존재하고, 제 2 피크의 입경/제 1 피크의 입경이 7∼15인 것이 바람직하다. 이에 의해, 구상 알루미나 충전재를 고충전화할 수 있음과 더불어, 매설성을 한층 높일 수 있다.In the particle size distribution of the spherical alumina filler, two or more peaks exist, a first peak is present in a particle size range of 0.2 to 0.8 µm, a second peak is present in a particle size range of 3 to 15 µm, and a second peak is present in the particle size range of 3 to 15 µm. It is preferable that the particle diameter of a peak / the particle diameter of a 1st peak is 7-15. Thereby, while being able to make high filling of a spherical alumina filler, embedding property can be improved further.

상기 구상 알루미나 충전재가 실레인 커플링제로 처리된 것인 것이 바람직하다. 이에 의해, 구상 알루미나 충전재의 분산성이 양호해져, 구상 알루미나 충전재의 고충전화가 가능해진다. 또한, 매설성을 한층 높일 수 있다.It is preferable that the spherical alumina filler is treated with a silane coupling agent. Thereby, the dispersibility of a spherical alumina filler becomes favorable, and high filling of a spherical alumina filler becomes possible. Moreover, burial property can be improved further.

상기 저분자량 성분(B)이 적어도 에폭시 수지 및 페놀 수지를 포함하는 것이 바람직하다.It is preferable that the said low molecular-weight component (B) contains an epoxy resin and a phenol resin at least.

상기 에폭시 수지는 액상의 비스페놀형 에폭시 수지를 포함하고, 상기 액상의 비스페놀형 에폭시 수지의 중량/상기 저분자량 성분(B)의 중량으로 표시되는 중량 비율이 0.1∼0.6인 것이 바람직하다. 이에 의해, 매설성을 한층 높일 수 있다.The epoxy resin includes a liquid bisphenol-type epoxy resin, and it is preferable that the weight ratio expressed by the weight of the liquid bisphenol-type epoxy resin/the weight of the low-molecular-weight component (B) is 0.1 to 0.6. Thereby, embedding property can be improved further.

상기 고분자량 성분(A)이 아크릴 고무인 것이 바람직하다.It is preferable that the said high molecular weight component (A) is an acrylic rubber.

상기 고분자량 성분(A)의 유리 전이 온도가 0℃ 이하인 것이 바람직하다.It is preferable that the glass transition temperature of the said high molecular weight component (A) is 0 degrees C or less.

상기 구상 알루미나 충전재의 최대 입경이 20㎛ 이하인 것이 바람직하다. 이에 의해, 양호한 매설성이 얻어진다.It is preferable that the largest particle diameter of the said spherical alumina filler is 20 micrometers or less. Thereby, favorable embedding property is obtained.

상기 접착 시트는, 경화 전에 있어서의 130℃에서의 용융 점도가 5∼5000Pa·s인 것이 바람직하다.It is preferable that the said adhesive sheet has melt viscosity in 130 degreeC before hardening of 5-5000 Pa.s.

상기 접착 시트는, 경화 후의 유리 전이 온도가 100℃ 이상이고, 경화 후의 260℃에서의 인장 저장 탄성률이 10∼1000MPa인 것이 바람직하다.As for the said adhesive sheet, it is preferable that the glass transition temperature after hardening is 100 degreeC or more, and it is preferable that the tensile storage elastic modulus in 260 degreeC after hardening is 10-1000 MPa.

상기 접착 시트는, 경화 전에 있어서의 인장 시험 시의 파단 신장률이 10∼200%인 것이 바람직하다. 상기 접착 시트의 두께가 30㎛ 이하인 것이 바람직하다.As for the said adhesive sheet, it is preferable that the breaking elongation at the time of the tensile test before hardening is 10-200 %. It is preferable that the thickness of the said adhesive sheet is 30 micrometers or less.

상기 접착 시트는, 다이 본딩 필름으로서 사용되는 것이 바람직하다.It is preferable that the said adhesive sheet is used as a die-bonding film.

본 발명은 또한, 상기 접착 시트가, 점착제층이 부착된 기재의 상기 점착제층 상에 적층되어 있는 다이싱·다이 본딩 필름에 관한 것이다.The present invention also relates to a dicing die-bonding film in which the adhesive sheet is laminated on the pressure-sensitive adhesive layer of a base material with an adhesive layer attached thereto.

본 발명에 의하면, 신뢰성이 높고, 요철의 매설성이 우수한 접착 시트, 및 다이싱·다이 본딩 필름을 제공할 수 있다.ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the adhesive sheet which is reliable and excellent in the burial property of unevenness|corrugation, and a dicing die-bonding film can be provided.

도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 다이싱·다이 본딩 필름의 단면 모식도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시형태에 따른 다이싱·다이 본딩 필름의 단면 모식도이다.
도 3은 반도체 장치의 일 제조 공정을 나타내는 도면이다.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a cross-sectional schematic diagram of the dicing die-bonding film which concerns on one Embodiment of this invention.
2 is a schematic cross-sectional view of a dicing die-bonding film according to another embodiment of the present invention.
3 is a diagram illustrating a manufacturing process of a semiconductor device.

[접착 시트][Adhesive sheet]

본 발명의 접착 시트는 구상 알루미나 충전재를 포함한다.The adhesive sheet of the present invention contains a spherical alumina filler.

구상 알루미나 충전재의 평균 입경은 2㎛ 이상이고, 바람직하게는 3㎛ 이상이다. 2㎛ 이상이기 때문에, 고온에서의 유동성이 양호하게 얻어져, 우수한 매설성이 얻어진다. 또한, 구상 알루미나 충전재의 평균 입경은 9㎛ 이하이고, 바람직하게는 8㎛ 이하이다. 9㎛ 이하이기 때문에, 우수한 내습 리플로우성이 얻어진다.The average particle diameter of a spherical alumina filler is 2 micrometers or more, Preferably it is 3 micrometers or more. Since it is 2 micrometers or more, the fluidity|liquidity in high temperature is obtained favorably, and the outstanding embedding property is obtained. Moreover, the average particle diameter of a spherical alumina filler is 9 micrometers or less, Preferably it is 8 micrometers or less. Since it is 9 micrometers or less, the outstanding moisture reflow resistance is obtained.

한편, 구상 알루미나 충전재의 평균 입경은 실시예에 기재된 방법으로 측정할 수 있다.In addition, the average particle diameter of a spherical alumina filler can be measured by the method as described in an Example.

구상 알루미나 충전재의 최대 입경은 20㎛ 이하가 바람직하다. 20㎛ 이하이면, 접착 시트의 박막화가 가능해지고, 방열 효과도 높일 수 있다.As for the largest particle diameter of a spherical alumina filler, 20 micrometers or less are preferable. If it is 20 micrometers or less, thin film formation of an adhesive sheet is attained, and a heat radiation effect can also be improved.

구상 알루미나 충전재의 입도 분포에 있어서, 피크가 2개 이상 존재하는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 0.2∼0.8㎛의 입경 범위에 제 1 피크가 존재하고, 3∼15㎛의 입경 범위에 제 2 피크가 존재하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 제 2 피크를 형성하는 구상 알루미나 충전재 사이(간극)에, 제 1 피크를 형성하는 구상 알루미나 충전재를 충전할 수 있기 때문에, 구상 알루미나 충전재를 고충전할 수 있다.The particle size distribution of a spherical alumina filler WHEREIN: It is preferable that two or more peaks exist. Specifically, it is preferable that the first peak is present in the particle size range of 0.2 to 0.8 µm, and the second peak is present in the particle size range of 3-15 µm. Since the spherical alumina filler which forms a 1st peak can be filled between the spherical alumina fillers which form a 2nd peak by this (gap), a spherical alumina filler can be highly filled.

제 1 피크의 입경이 0.2㎛ 미만이면, 접착 시트의 점도가 지나치게 높아져, 피착체의 요철에 추종할 수 없는 경향이 있다. 제 1 피크의 입경이 0.8㎛를 초과하면, 구상 알루미나 충전재의 고충전화가 곤란하다.When the particle diameter of the first peak is less than 0.2 µm, the viscosity of the adhesive sheet becomes too high, and there is a tendency that the unevenness of the adherend cannot be tracked. When the particle diameter of a 1st peak exceeds 0.8 micrometer, high filling of a spherical alumina filler is difficult.

또한, 제 2 피크의 입경이 3㎛ 미만이면, 구상 알루미나 충전재의 고충전화가 곤란하다. 또한, 접착 시트의 점도가 지나치게 높아져, 피착체의 요철에 추종할 수 없는 경향이 있다. 제 2 피크의 입경이 15㎛를 초과하면, 접착 시트의 박막화가 곤란해진다.Moreover, high filling of a spherical alumina filler is difficult as the particle diameter of a 2nd peak is less than 3 micrometers. Moreover, the viscosity of an adhesive sheet becomes high too much, and there exists a tendency which cannot follow the unevenness|corrugation of a to-be-adhered body. When the particle diameter of a 2nd peak exceeds 15 micrometers, thin film formation of an adhesive sheet will become difficult.

한편, 구상 알루미나 충전재의 입도 분포는 실시예에 기재된 방법으로 측정할 수 있다.In addition, the particle size distribution of a spherical alumina filler can be measured by the method as described in an Example.

제 2 피크의 입경/제 1 피크의 입경이 7∼15인 것이 바람직하다. 제 1 피크의 입경과 제 2 피크의 입경이 가까우면 고충전 효과가 충분히 얻어지지 않지만, 제 2 피크의 입경/제 1 피크의 입경의 값이 상기 범위이면, 고충전 효과가 충분히 얻어진다. 또한, 접착 시트의 피착체에 대한 요철 추종성이 양호해진다.It is preferable that the particle diameter of a 2nd peak / the particle diameter of a 1st peak are 7-15. When the particle diameter of the first peak and the particle diameter of the second peak are close, the high filling effect is not sufficiently obtained, but when the value of the particle diameter of the second peak/the particle diameter of the first peak is within the above range, the high filling effect is sufficiently obtained. Further, the uneven followability of the adhesive sheet to the adherend becomes good.

한편, 구상 알루미나 충전재의 입도 분포에 있어서, 피크를 2개 이상 존재시키기 위해서는, 평균 입경이 상이한 2종 이상의 구상 알루미나 충전재를 배합하면 된다.On the other hand, in the particle size distribution of a spherical alumina filler, in order to make two or more peaks exist, what is necessary is just to mix|blend 2 or more types of spherical alumina fillers from which an average particle diameter differs.

구상 알루미나 충전재의 비표면적은 0.8m2/g 이상이고, 바람직하게는 0.9m2/g 이상이다. 0.8m2/g 이상이기 때문에, 양호한 요철 추종성이 얻어진다. 또한, 구상 알루미나 충전재의 비표면적은 8.0m2/g 이하이고, 바람직하게는 7.5m2/g 이하이다. 8.0m2/g 이하이기 때문에, 접착 시트의 박막화가 가능해진다.The specific surface area of the spherical alumina filler is 0.8 m 2 /g or more, preferably 0.9 m 2 /g or more. Since it is 0.8 m<2> /g or more, favorable uneven|corrugated followability is obtained. Moreover, the specific surface area of a spherical alumina filler is 8.0 m<2> /g or less, Preferably it is 7.5 m<2> /g or less. Since it is 8.0 m<2> /g or less, thin film formation of an adhesive sheet becomes possible.

한편, 구상 알루미나 충전재의 비표면적은 실시예에 기재된 방법으로 측정할 수 있다.In addition, the specific surface area of a spherical alumina filler can be measured by the method described in an Example.

구상 알루미나 충전재는 실레인 커플링제에 의해 처리(전처리)된 것이 바람직하다. 이에 의해, 구상 알루미나 충전재의 분산성이 양호해져, 구상 알루미나 충전재의 고충전화가 가능해진다.The spherical alumina filler is preferably treated (pre-treated) with a silane coupling agent. Thereby, the dispersibility of a spherical alumina filler becomes favorable, and high filling of a spherical alumina filler becomes possible.

실레인 커플링제로서는, 특별히 한정되지 않지만, 구상 알루미나 충전재를 고충전화할 수 있음과 더불어, 매설성을 한층 높일 수 있다는 이유에서, 에폭시실레인계 실레인 커플링제, 다이메틸실레인계 실레인 커플링제, 메틸계 실레인 커플링제, 페닐계 실레인 커플링제, 페닐아민계 실레인 커플링제, 메타크릴실레인계 실레인 커플링제를 적합하게 사용할 수 있다. 그 중에서도, 구상 알루미나 충전재의 분산성을 높일 수 있음과 더불어, 접착 시트의 유동성을 높일 수 있다는 이유에서, 에폭시실레인계 실레인 커플링제, 메타크릴실레인계 실레인 커플링제가 바람직하다.Although it does not specifically limit as a silane coupling agent, From the reason that a spherical alumina filler can be highly filled and embedding property can be improved further, an epoxysilane-type silane coupling agent, a dimethylsilane-type silane coupling agent, A methyl silane coupling agent, a phenyl silane coupling agent, a phenylamine silane coupling agent, and a methacrylsilane silane coupling agent can be used suitably. Especially, while being able to improve the dispersibility of a spherical alumina filler, since the fluidity|liquidity of an adhesive sheet can be improved, an epoxysilane-type silane coupling agent and a methacrylsilane-type silane coupling agent are preferable.

에폭시실레인계 실레인 커플링제로서는, 2-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸트라이메톡시실레인, 3-글리시독시프로필트라이메톡시실레인, 3-글리시독시프로필트라이에톡시실레인, 3-글리시독시프로필메틸다이메톡시실레인, 3-글리시독시프로필메틸다이에톡시실레인 등을 들 수 있다. 다이메틸실레인계 실레인 커플링제로서는, 다이메틸다이메톡시실레인, 다이메틸다이에톡시실레인 등을 들 수 있다. 메틸계 실레인 커플링제로서는, 메틸트라이메톡시실레인, 메틸트라이에톡시실레인 등을 들 수 있다. 페닐계 실레인 커플링제로서는, 페닐트라이메톡시실레인, 페닐트라이에톡시실레인 등을 들 수 있다. 페닐아민계 실레인 커플링제로서는, N-페닐-3-아미노프로필트라이메톡시실레인 등을 들 수 있다. 메타크릴실레인계 실레인 커플링제로서는, 3-메타크릴옥시프로필메틸다이메톡시실레인, 3-메타크릴옥시프로필트라이메톡시실레인, 3-메타크릴옥시프로필메틸다이에톡시실레인, 3-메타크릴옥시프로필트라이에톡시실레인 등을 들 수 있다.Examples of the epoxysilane-based silane coupling agent include 2-(3,4-epoxycyclohexyl)ethyltrimethoxysilane, 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, and 3-glycidoxypropyltriethoxysilane. , 3-glycidoxypropylmethyldimethoxysilane, 3-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, etc. are mentioned. As a dimethylsilane-type silane coupling agent, dimethyldimethoxysilane, dimethyl diethoxysilane, etc. are mentioned. Examples of the methyl silane coupling agent include methyl trimethoxysilane and methyl triethoxysilane. Phenyl trimethoxysilane, phenyl triethoxysilane, etc. are mentioned as a phenyl type silane coupling agent. Examples of the phenylamine-based silane coupling agent include N-phenyl-3-aminopropyl trimethoxysilane. Examples of the methacrylsilane-based silane coupling agent include 3-methacryloxypropylmethyldimethoxysilane, 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldiethoxysilane, and 3- Methacryloxypropyl triethoxysilane, etc. are mentioned.

실레인 커플링제에 의해 구상 알루미나 충전재를 처리하는 방법으로서는 특별히 한정되지 않고, 용매 중에서 구상 알루미나 충전재와 실레인 커플링제를 혼합하는 습식법, 기상 중에서 구상 알루미나 충전재와 실레인 커플링제를 처리시키는 건식법 등을 들 수 있다.The method of treating the spherical alumina filler with the silane coupling agent is not particularly limited, and a wet method of mixing the spherical alumina filler with the silane coupling agent in a solvent, a dry method of treating the spherical alumina filler with the silane coupling agent in a gas phase, etc. can be heard

실레인 커플링제의 처리량은 특별히 한정되지 않지만, 구상 알루미나 충전재 100중량부에 대하여, 실레인 커플링제를 0.05∼5중량부 처리하는 것이 바람직하다.Although the processing amount of a silane coupling agent is not specifically limited, It is preferable to process 0.05-5 weight part of silane coupling agents with respect to 100 weight part of spherical alumina fillers.

구상 알루미나 충전재의 함유량은, 접착 시트 100중량부에 대하여 78중량부 이상이고, 바람직하게는 80중량부 이상이다. 78중량부 이상이기 때문에, 양호한 열전도성이 얻어진다. 또한, 구상 알루미나 충전재의 함유량은 88중량부 이하이고, 바람직하게는 84중량부 이하이다. 88중량부 이하이기 때문에, 양호한 매설성이 얻어진다.Content of a spherical alumina filler is 78 weight part or more with respect to 100 weight part of adhesive sheets, Preferably it is 80 weight part or more. Since it is 78 parts by weight or more, good thermal conductivity is obtained. Moreover, content of a spherical alumina filler is 88 weight part or less, Preferably it is 84 weight part or less. Since it is 88 parts by weight or less, good burying properties are obtained.

본 발명의 접착 시트는 고분자량 성분(A) 및 저분자량 성분(B)을 포함하는 수지 성분을 포함한다.The adhesive sheet of the present invention contains a resin component comprising a high molecular weight component (A) and a low molecular weight component (B).

고분자량 성분(A)의 중량 평균 분자량(Mw)은, 바람직하게는 10000 이상이고, 보다 바람직하게는 200000 이상이다. 10000 이상이면, 가요성이 얻어진다. 또한, 고분자량 성분(A)의 중량 평균 분자량은, 바람직하게는 2000000 이하이고, 보다 바람직하게는 1500000 이하, 더 바람직하게는 1000000 이하이다. 2000000 이하이면, 접착 시트를 고온에서 저점도화할 수 있어, 양호한 요철 매설성이 얻어진다.The weight average molecular weight (Mw) of a high molecular weight component (A) becomes like this. Preferably it is 10000 or more, More preferably, it is 200000 or more. When it is 10000 or more, flexibility is obtained. Moreover, the weight average molecular weight of a high molecular weight component (A) becomes like this. Preferably it is 2000000 or less, More preferably, it is 1500000 or less, More preferably, it is 1000000 or less. If it is 2000000 or less, an adhesive sheet can be made low in viscosity at high temperature, and favorable uneven|corrugated embedding property is acquired.

한편, 중량 평균 분자량은 GPC(겔 투과 크로마토그래피)에 의해 측정하고, 폴리스타이렌 환산에 의해 산출된 값이다.In addition, a weight average molecular weight is the value computed by polystyrene conversion by measuring by GPC (gel permeation chromatography).

고분자량 성분(A)으로서는, 특별히 한정되지 않지만, 유리 전이 온도의 조정이나 작용기의 컨트롤이 용이하여, 일반적으로 널리 사용되고 있다는 점에서, 아크릴 고무가 바람직하다.Although it does not specifically limit as a high molecular weight component (A), Since adjustment of a glass transition temperature and control of a functional group are easy and it is generally widely used, an acrylic rubber is preferable.

아크릴 고무로서는, 특별히 한정되는 것은 아니고, 탄소수 30 이하, 특히 탄소수 4∼18의 직쇄 또는 분기 알킬기를 갖는 아크릴산 또는 메타크릴산의 에스터의 1종 또는 2종 이상을 성분으로 하는 중합체(아크릴 공중합체) 등을 들 수 있다. 상기 알킬기로서는, 예컨대 메틸기, 에틸기, 프로필기, 아이소프로필기, n-뷰틸기, t-뷰틸기, 아이소뷰틸기, 아밀기, 아이소아밀기, 헥실기, 헵틸기, 사이클로헥실기, 2-에틸헥실기, 옥틸기, 아이소옥틸기, 노닐기, 아이소노닐기, 데실기, 아이소데실기, 운데실기, 라우릴기, 트라이데실기, 테트라데실기, 스테아릴기, 옥타데실기 또는 도데실기 등을 들 수 있다.The acrylic rubber is not particularly limited, and a polymer containing as a component one or two or more esters of acrylic acid or methacrylic acid having a linear or branched alkyl group having 30 or less carbon atoms, particularly having 4 to 18 carbon atoms (acrylic copolymer) and the like. Examples of the alkyl group include methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, t-butyl group, isobutyl group, amyl group, isoamyl group, hexyl group, heptyl group, cyclohexyl group, 2-ethyl group Hexyl group, octyl group, isooctyl group, nonyl group, isononyl group, decyl group, isodecyl group, undecyl group, lauryl group, tridecyl group, tetradecyl group, stearyl group, octadecyl group or dodecyl group, etc. can be heard

또한, 중합체(아크릴 공중합체)를 형성하는 다른 모노머로서는, 특별히 한정되는 것은 아니고, 예컨대 아크릴산, 메타크릴산, 카복시에틸 아크릴레이트, 카복시펜틸 아크릴레이트, 이타콘산, 말레산, 푸마르산 또는 크로톤산 등과 같은 카복실기 함유 모노머, 무수 말레산 또는 무수 이타콘산 등과 같은 산 무수물 모노머, (메트)아크릴산 2-하이드록시에틸, (메트)아크릴산 2-하이드록시프로필, (메트)아크릴산 4-하이드록시뷰틸, (메트)아크릴산 6-하이드록시헥실, (메트)아크릴산 8-하이드록시옥틸, (메트)아크릴산 10-하이드록시데실, (메트)아크릴산 12-하이드록시라우릴 또는 (4-하이드록시메틸사이클로헥실)-메틸아크릴레이트 등과 같은 하이드록실기 함유 모노머, 스타이렌설폰산, 알릴설폰산, 2-(메트)아크릴아마이드-2-메틸프로페인설폰산, (메트)아크릴아미도프로페인설폰산, 설포프로필 (메트)아크릴레이트 또는 (메트)아크릴로일옥시나프탈렌설폰산 등과 같은 설폰산기 함유 모노머, 또는 2-하이드록시에틸 아크릴로일 포스페이트 등과 같은 인산기 함유 모노머를 들 수 있다.In addition, the other monomer forming the polymer (acrylic copolymer) is not particularly limited, and for example, acrylic acid, methacrylic acid, carboxyethyl acrylate, carboxypentyl acrylate, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid or crotonic acid, etc. Carboxyl group-containing monomers, acid anhydride monomers such as maleic anhydride or itaconic anhydride, (meth)acrylic acid 2-hydroxyethyl, (meth)acrylic acid 2-hydroxypropyl, (meth)acrylic acid 4-hydroxybutyl, (meth) ) Acrylic acid 6-hydroxyhexyl, (meth)acrylic acid 8-hydroxyoctyl, (meth)acrylic acid 10-hydroxydecyl, (meth)acrylic acid 12-hydroxylauryl or (4-hydroxymethylcyclohexyl)-methyl Hydroxyl group-containing monomers such as acrylates, styrenesulfonic acid, allylsulfonic acid, 2-(meth)acrylamide-2-methylpropanesulfonic acid, (meth)acrylamidopropanesulfonic acid, sulfopropyl (meth) sulfonic acid group-containing monomers such as acrylate or (meth)acryloyloxynaphthalenesulfonic acid, or phosphoric acid group-containing monomers such as 2-hydroxyethyl acryloyl phosphate.

고분자량 성분(A)의 유리 전이 온도는, 바람직하게는 0℃ 이하, 보다 바람직하게는 -5℃ 이하, 더 바람직하게는 -20℃ 이하이다. 0℃ 이하이면, 40∼70℃라는 비교적 저온에서 피착체에 부착할 수 있어, 웨이퍼 마운팅을 용이하게 행할 수 있다. 한편, 고온에서 피착체에 부착하는 경우, 다이싱 필름이 열로 인해 변형되어 버리기 때문에, 웨이퍼 마운팅이 어렵다. 고분자량 성분(A)의 유리 전이 온도는, 예컨대 -40℃ 이상이다.The glass transition temperature of the high molecular weight component (A) is preferably 0°C or less, more preferably -5°C or less, still more preferably -20°C or less. If it is 0 degreeC or less, it can adhere to a to-be-adhered body at the comparatively low temperature of 40-70 degreeC, and wafer mounting can be performed easily. On the other hand, when adhering to an adherend at a high temperature, since the dicing film is deformed by heat, wafer mounting is difficult. The glass transition temperature of the high molecular weight component (A) is, for example, -40°C or higher.

고분자량 성분(A)의 유리 전이 온도는, 시차 주사 열량계(DSC)에 의해서 측정되는 최대 열 흡수 피크 시의 온도에 의해 얻어진다. 구체적으로는, 측정하는 시료를 시차 주사 열량계(티 에이 인스트루먼트사제의 「Q-2000」)를 이용하여, 예측되는 시료의 유리 전이 온도(예측 온도)보다 약 50℃ 높은 온도에서 10분 가열한 후, 예측 온도보다 50℃ 낮은 온도까지 냉각하여 전처리하고, 그 후 질소 분위기 하에 승온 속도 5℃/분으로 승온시켜 흡열 개시점 온도를 측정하고, 이것을 유리 전이 온도로 한다.The glass transition temperature of the high molecular weight component (A) is obtained by the temperature at the time of the maximum heat absorption peak measured by differential scanning calorimetry (DSC). Specifically, using a differential scanning calorimeter (“Q-2000” manufactured by TA Instruments), the sample to be measured is heated at a temperature about 50° C. higher than the predicted glass transition temperature (predicted temperature) of the sample for 10 minutes. , pre-treated by cooling to a temperature 50 ° C. lower than the predicted temperature, and then heated at a temperature increase rate of 5 ° C./min in a nitrogen atmosphere to measure the endothermic onset temperature, and this is the glass transition temperature.

저분자량 성분(B)의 중량 평균 분자량은, 바람직하게는 5000 이하이고, 보다 바람직하게는 3000 이하이다. 5000 이하이면, 고온에서 저점도화되어, 양호한 요철 매설성이 얻어진다. 저분자량 성분(B)의 중량 평균 분자량은, 바람직하게는 200 이상이고, 보다 바람직하게는 300 이상이다. 200 이상이면, 상온에서의 안정성이 얻어진다.The weight average molecular weight of the low molecular weight component (B) becomes like this. Preferably it is 5000 or less, More preferably, it is 3000 or less. If it is 5000 or less, the viscosity will be reduced at high temperature, and favorable unevenness|corrugation embedding property will be acquired. The weight average molecular weight of a low molecular weight component (B) becomes like this. Preferably it is 200 or more, More preferably, it is 300 or more. When it is 200 or more, stability at normal temperature is acquired.

저분자량 성분(B)으로서는, 특별히 한정되지 않고, 페놀 수지, 아미노 수지, 불포화 폴리에스터 수지, 에폭시 수지, 폴리우레탄 수지, 실리콘 수지, 열경화성 폴리이미드 수지 등을 들 수 있다. 특히, 반도체 소자를 부식시키는 이온성 불순물 등의 함유가 적은 에폭시 수지가 바람직하다. 또한, 에폭시 수지의 경화제로서 페놀 수지가 바람직하다.It does not specifically limit as a low molecular-weight component (B), A phenol resin, an amino resin, an unsaturated polyester resin, an epoxy resin, a polyurethane resin, a silicone resin, thermosetting polyimide resin, etc. are mentioned. In particular, an epoxy resin with little content of ionic impurities that corrode semiconductor elements is preferable. Moreover, as a hardening|curing agent of an epoxy resin, a phenol resin is preferable.

에폭시 수지로서는, 특별히 한정되지 않고, 예컨대 비스페놀 A형, 비스페놀 F형, 비스페놀 S형, 브롬화 비스페놀 A형, 수첨 비스페놀 A형, 비스페놀 AF형, 바이페닐형, 나프탈렌형, 플루오렌형, 페놀 노볼락형, 오쏘크레졸 노볼락형, 트리스하이드록시페닐메테인형, 테트라페닐올에테인형 등의 2작용 에폭시 수지나 다작용 에폭시 수지, 또는 히단토인형, 트리스글리시딜 아이소사이아누레이트형 또는 글리시딜아민형 등의 에폭시 수지가 이용된다. 그 중에서도, 실온에서 액상이고 가요성을 부여할 수 있다는 이유에서, 액상의 비스페놀형 에폭시 수지를 포함하는 것이 바람직하다. 또한, 다작용의 경화 수지이고, 경화 후의 가교 밀도가 높아, 접착 시트에 양호한 내(耐)리플로우성을 부여할 수 있다는 이유에서, 오쏘크레졸 노볼락형 에폭시 수지가 바람직하다.The epoxy resin is not particularly limited, and for example, bisphenol A type, bisphenol F type, bisphenol S type, brominated bisphenol A type, hydrogenated bisphenol A type, bisphenol AF type, biphenyl type, naphthalene type, fluorene type, phenol novolac Bifunctional epoxy resins or polyfunctional epoxy resins, such as orthocresol novolak type, trishydroxyphenylmethane type, tetraphenylolethane type, or hydantoin type, trisglycidyl isocyanurate type or glycy Epoxy resins, such as a dilamine type, are used. Especially, since it is liquid at room temperature and can provide flexibility, it is preferable to contain a liquid bisphenol-type epoxy resin. Moreover, since it is a polyfunctional cured resin, the crosslinking density after hardening is high, and it can provide favorable reflow resistance to an adhesive sheet, an orthocresol novolak-type epoxy resin is preferable.

액상의 비스페놀형 에폭시 수지의 중량/저분자량 성분(B)의 중량으로 표시되는 중량 비율은 0.1 이상이 바람직하다. 0.1 이상이면, 다이싱 시나 픽업 시에 접착 시트가 깨지지 않는 정도의 유연성을 부여할 수 있다. 또한, 우수한 매설성이 얻어진다. 또한, 당해 중량 비율은 0.6 이하가 바람직하다. 0.6 이하이면, 접착 시트를 다이싱 필름으로부터 양호하게 박리할 수 있고, 양호하게 픽업할 수 있다.The weight ratio expressed by the weight of the liquid bisphenol-type epoxy resin/weight of the low molecular weight component (B) is preferably 0.1 or more. If it is 0.1 or more, flexibility to the extent that the adhesive sheet does not break at the time of dicing or pickup can be provided. In addition, excellent burying properties are obtained. Moreover, as for the said weight ratio, 0.6 or less is preferable. If it is 0.6 or less, an adhesive sheet can be peeled from a dicing film favorably, and can be picked up favorably.

본 명세서에 있어서, 액상이란, 25℃에서 점도가 5000Pa·s 미만인 것을 말한다. 한편, 점도는 Thermo Scientific사제의 형식 번호 HAAKE Roto VISCO1을 이용하여 측정할 수 있다.In this specification, a liquid phase means that the viscosity is less than 5000 Pa.s at 25 degreeC. In addition, the viscosity can be measured using the model number HAAKE Roto VISCO1 manufactured by Thermo Scientific.

페놀 수지는, 에폭시 수지의 경화제로서 작용하는 것으로, 예컨대 페놀 노볼락 수지, 페놀 아르알킬 수지, 크레졸 노볼락 수지, tert-뷰틸페놀 노볼락 수지, 노닐페놀 노볼락 수지 등의 노볼락형 페놀 수지, 레졸형 페놀 수지, 폴리파라옥시스타이렌 등의 폴리옥시스타이렌 등을 들 수 있다. 이들 페놀 수지 중 페놀 노볼락 수지, 페놀 아르알킬 수지가 특히 바람직하다. 반도체 장치의 접속 신뢰성을 향상시킬 수 있기 때문이다.The phenol resin acts as a curing agent for the epoxy resin, for example, a novolak-type phenol resin such as a phenol novolac resin, a phenol aralkyl resin, a cresol novolac resin, a tert-butylphenol novolac resin, and a nonylphenol novolac resin; Polyoxystyrene, such as a resol type phenol resin and polyparaoxystyrene, etc. are mentioned. Among these phenol resins, a phenol novolak resin and a phenol aralkyl resin are particularly preferable. This is because the connection reliability of the semiconductor device can be improved.

에폭시 수지와 페놀 수지의 배합 비율은, 예컨대 에폭시 수지 성분 중의 에폭시기 1당량당 페놀 수지 중의 하이드록실기가 0.5∼2.0당량이 되도록 배합하는 것이 적합하다. 보다 적합한 것은 0.8∼1.2당량이다. 즉, 양자의 배합 비율이 상기 범위를 벗어나면, 충분한 경화 반응이 진행되지 않아, 경화물의 특성이 열화되기 쉬워지기 때문이다.It is suitable to mix|blend so that the compounding ratio of an epoxy resin and a phenol resin may become 0.5-2.0 equivalent of the hydroxyl group in a phenol resin per 1 equivalent of epoxy groups in an epoxy resin component, for example. More suitable is 0.8 to 1.2 equivalents. That is, when both blending ratios are out of the said range, it is because sufficient hardening reaction does not advance but the characteristic of hardened|cured material deteriorates easily.

고분자량 성분(A)의 중량/고분자량 성분(A) 및 저분자량 성분(B)의 합계 중량으로 표시되는 중량 비율이 0.03 이상이다. 0.03 이상이기 때문에, 유연하고 깨어지기 어려운 성질을 부여할 수 있다. 또한, 당해 중량 비율은 0.25 이하이고, 바람직하게는 0.22 이하이다. 0.25 이하이기 때문에, 고온에서의 유동성이 양호하게 얻어져, 우수한 요철의 매설성이 얻어진다.The weight ratio expressed by the weight of the high molecular weight component (A)/the total weight of the high molecular weight component (A) and the low molecular weight component (B) is 0.03 or more. Since it is 0.03 or more, it is possible to impart flexible and brittle properties. Moreover, the said weight ratio is 0.25 or less, Preferably it is 0.22 or less. Since it is 0.25 or less, fluidity|liquidity at high temperature is obtained favorably, and the outstanding embedding property of unevenness|corrugation is obtained.

수지 성분의 함유량은, 접착 시트 100중량부에 대하여, 바람직하게는 10중량부 이상이고, 보다 바람직하게는 12중량부 이상, 더 바람직하게는 16중량부 이상이다. 10중량부 이상이면, 양호한 접착 시트의 성형성, 매설성, 리플로우 신뢰성이 얻어진다. 또한, 수지 성분의 함유량은, 바람직하게는 22중량부 이하이고, 보다 바람직하게는 21중량부 이하, 더 바람직하게는 20중량부 이하이다. 22중량부 이하이면, 상대적으로 구상 알루미나 충전재의 함유량이 많아져, 높은 열전도성이 얻어진다.To [ content of a resin component / 100 weight part of adhesive sheets ], Preferably it is 10 weight part or more, More preferably, it is 12 weight part or more, More preferably, it is 16 weight part or more. When it is 10 parts by weight or more, good moldability, embedding properties, and reflow reliability of the adhesive sheet are obtained. Moreover, content of a resin component becomes like this. Preferably it is 22 weight part or less, More preferably, it is 21 weight part or less, More preferably, it is 20 weight part or less. Content of a spherical alumina filler increases that it is 22 weight part or less relatively, and high thermal conductivity is acquired.

본 발명의 접착 시트는 경화 촉매를 포함하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 에폭시 수지와 페놀 수지 등의 경화제의 열경화를 촉진할 수 있다. 경화 촉매로서는, 특별히 한정되지 않지만, 예컨대 테트라페닐포스포늄 테트라페닐보레이트(상품명; TPP-K), 테트라페닐포스포늄 테트라-p-트라이보레이트(상품명; TPP-MK), 트라이페닐포스핀 트라이페닐보레인(상품명; TPP-S) 등의 인-붕소계 경화 촉매를 들 수 있다(모두 홋코화학공업(주)제).It is preferable that the adhesive sheet of this invention contains a curing catalyst. Thereby, thermosetting of hardening|curing agents, such as an epoxy resin and a phenol resin, can be accelerated|stimulated. Although it does not specifically limit as a curing catalyst, For example, tetraphenylphosphonium tetraphenylborate (trade name; TPP-K), tetraphenylphosphonium tetra-p-triborate (trade name; TPP-MK), triphenylphosphine triphenylborate Phosphorus-boron type|system|group curing catalysts, such as phosphorus (brand name; TPP-S), are mentioned (all are made by Hokko Chemical Industry Co., Ltd.).

경화 촉매의 함유량은, 적절히 설정할 수 있지만, 수지 성분 100중량부에 대하여 0.1∼3중량부가 바람직하다.Although content of a curing catalyst can be set suitably, 0.1-3 weight part is preferable with respect to 100 weight part of resin components.

본 발명의 접착 시트는, 상기 성분 이외에도, 접착 시트 제조에 일반적으로 사용되는 배합제, 예컨대 가교제 등을 적절히 함유해도 좋다.The adhesive sheet of the present invention may contain, in addition to the above components, a compounding agent generally used for producing an adhesive sheet, such as a crosslinking agent, as appropriate.

접착 시트의 제조 방법은, 특별히 한정되지 않지만, 구상 알루미나 충전재와, 고분자량 성분(A) 및 저분자량 성분(B)을 포함하는 수지 성분과, 필요에 따라 다른 배합제를 함유하는 접착제 조성물 용액을 제작하는 공정, 접착제 조성물 용액을 여과하여 여과액을 얻는 공정, 및 여과액을 기재 세퍼레이터 상에 도포하여 도포막을 형성한 후, 도포막을 건조시키는 공정을 포함하는 방법이 바람직하다.Although the manufacturing method of an adhesive sheet is not specifically limited, An adhesive composition solution containing a spherical alumina filler, a resin component containing a high molecular weight component (A) and a low molecular weight component (B), and another compounding agent as needed A method including a step of preparing, a step of filtering the adhesive composition solution to obtain a filtrate, and a step of applying the filtrate on a substrate separator to form a coating film and then drying the coating film is preferable.

접착제 조성물 용액에 이용하는 용매로서는, 특별히 한정되지 않지만, 상기 각 성분을 균일하게 용해, 혼련 또는 분산시킬 수 있는 유기 용매가 바람직하다. 예컨대, 다이메틸폼아마이드, 다이메틸아세트아마이드, N-메틸피롤리돈, 아세톤, 메틸에틸케톤, 사이클로헥산온 등의 케톤계 용매, 톨루엔, 자일렌 등을 들 수 있다.Although it does not specifically limit as a solvent used for adhesive composition solution, The organic solvent which can melt|dissolve, knead|mix, or disperse|distribute each said component uniformly is preferable. For example, ketone solvents, such as dimethylformamide, dimethylacetamide, N-methylpyrrolidone, acetone, methyl ethyl ketone, cyclohexanone, toluene, xylene, etc. are mentioned.

여과에 이용하는 여과재의 개구는 20㎛ 이하가 바람직하다. 이에 의해, 구상 알루미나 충전재의 최대 입경은 20㎛ 이하로 할 수 있고, 접착 시트의 두께를 30㎛ 이하로 할 수 있다.As for the opening of the filter medium used for filtration, 20 micrometers or less are preferable. Thereby, the maximum particle diameter of a spherical alumina filler can be 20 micrometers or less, and the thickness of an adhesive sheet can be 30 micrometers or less.

기재 세퍼레이터로서는, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌, 폴리프로필렌이나, 불소계 박리제, 장쇄 알킬 아크릴레이트계 박리제 등의 박리제에 의해 표면 코팅된 플라스틱 필름이나 종이 등이 사용 가능하다. 접착제 조성물 용액의 도포 방법으로서는, 예컨대 롤 도공, 스크린 도공, 그라비아 도공 등을 들 수 있다. 또한, 도포막의 건조 조건은, 특별히 한정되지 않고, 예컨대 건조 온도 70∼160℃, 건조 시간 1∼5분간으로 행할 수 있다.As the substrate separator, a plastic film or paper surface coated with a release agent such as polyethylene terephthalate (PET), polyethylene, polypropylene, a fluorine-based release agent, or a long-chain alkyl acrylate-based release agent can be used. As a coating method of an adhesive composition solution, roll coating, screen coating, gravure coating, etc. are mentioned, for example. In addition, the drying conditions of a coating film are not specifically limited, For example, it can perform in 70-160 degreeC of drying temperature, and 1 to 5 minutes of drying time.

접착 시트의 두께는, 특별히 한정되지 않지만, 5㎛ 이상이 바람직하고, 15㎛ 이상이 보다 바람직하다. 5㎛ 미만이면, 휨이 생긴 반도체 웨이퍼나 반도체 칩과 접착하지 않는 개소가 발생하여, 접착 면적이 불안정해지는 경우가 있다. 또한, 접착 시트의 두께는 100㎛ 이하가 바람직하다. 100㎛를 초과하면, 다이 어태치(die attach)의 하중에 의해서 접착 시트가 과도하게 밀려 나와, 패드를 오염시키는 경우가 있다.Although the thickness of an adhesive sheet is not specifically limited, 5 micrometers or more are preferable and 15 micrometers or more are more preferable. If it is less than 5 micrometers, the location which does not adhere|attach with the semiconductor wafer or semiconductor chip in which the curvature arose may generate|occur|produce, and an adhesion area may become unstable. Moreover, as for the thickness of an adhesive sheet, 100 micrometers or less are preferable. When it exceeds 100 mu m, the adhesive sheet may be excessively pushed out by the load of the die attach, thereby contaminating the pad.

반도체 장치의 고집적화, 및 방열성 향상의 관점에서, 접착 시트의 두께는 얇은 편이 바람직하다. 구체적으로는, 접착 시트의 두께는 30㎛ 이하가 보다 바람직하고, 20㎛ 이하가 더 바람직하다.From the viewpoints of high integration of the semiconductor device and improvement of heat dissipation, the thickness of the adhesive sheet is preferably thinner. Specifically, as for the thickness of an adhesive sheet, 30 micrometers or less are more preferable, and 20 micrometers or less are still more preferable.

본 발명의 접착 시트에 있어서, 경화 전에 있어서의 130℃의 용융 점도는 5Pa·s 이상이 바람직하다. 5Pa·s 이상이면, 열경화 시의 발포를 억제할 수 있다. 또한, 경화 전에 있어서의 130℃의 용융 점도는 5000Pa·s 이하가 바람직하다. 5000Pa·s 이하이면, 양호한 요철 추종성이 얻어진다.The adhesive sheet of this invention WHEREIN: As for the melt viscosity of 130 degreeC before hardening, 5 Pa.s or more is preferable. If it is 5 Pa.s or more, foaming at the time of thermosetting can be suppressed. Moreover, as for the melt viscosity of 130 degreeC before hardening, 5000 Pa.s or less is preferable. If it is 5000 Pa.s or less, favorable uneven|corrugated followability|trackability is obtained.

용융 점도는 이하의 방법으로 측정할 수 있다.Melt viscosity can be measured with the following method.

즉, 레오미터(HAAKE사제, 상품명; RS-1)를 이용하여, 패럴렐 플레이트법에 의해 용융 점도를 측정한다. 구체적으로는, 130℃가 되도록 가열하고 있는 플레이트에 0.1g의 접착 시트를 투입하여, 측정을 개시한다. 측정 개시로부터 240초 후의 값의 평균값을 용융 점도로 한다. 한편, 플레이트 사이의 갭은 0.1mm로 한다.That is, the melt viscosity is measured by the parallel plate method using a rheometer (manufactured by HAAKE, trade name; RS-1). Specifically, 0.1 g of an adhesive sheet is put into a plate heated to 130°C, and measurement is started. Let the average value of the values 240 second after the start of measurement be melt viscosity. On the other hand, the gap between the plates is set to 0.1 mm.

경화 전에 있어서의 인장 시험 시의 파단 신장률은 10% 이상이 바람직하다. 10% 이상이면, 양호한 가요성이 얻어져, 접착 시트 사용 시의 균열이나 깨짐을 방지할 수 있다. 경화 전에 있어서의 인장 시험 시의 파단 신장률은 200% 이하가 바람직하다. 200% 이하이면, 접착 시트를 스텔스 다이싱 프로세스에 적합하게 사용할 수 있다. 스텔스 다이싱은, 다이싱 테이프(다이싱 필름)와 접착 시트의 적층물의 접착 시트측에 웨이퍼를 접합하여, 레이저 조사로 웨이퍼 내부에 결함을 만들어내고, 다이싱 테이프를 잡아 늘임으로써, 웨이퍼와 접착 시트를 절단하는 프로세스이다. 파단 신장률이 크면 접착 시트를 잘 절단할 수 없다.The elongation at break in the tensile test before curing is preferably 10% or more. If it is 10 % or more, favorable flexibility can be acquired and the crack and crack at the time of using an adhesive sheet can be prevented. The elongation at break in the tensile test before curing is preferably 200% or less. If it is 200 % or less, an adhesive sheet can be used suitably for a stealth dicing process. In stealth dicing, a wafer is bonded to the adhesive sheet side of a laminate of a dicing tape (dicing film) and an adhesive sheet, defects are created inside the wafer by laser irradiation, and the dicing tape is stretched to adhere to the wafer. It is the process of cutting the sheet. When the elongation at break is large, the adhesive sheet cannot be cut well.

파단 신장률은 이하의 방법으로 측정할 수 있다.The elongation at break can be measured by the following method.

즉, 접착 시트를 폭 10mm, 길이 30mm, 두께 40㎛의 스트립상으로 커터 나이프로 잘라내고, 인장 시험기(시마즈제작소제, 상품명; 텐실론)를 이용하여, 척(chuck)간 거리 20mm, 인장 속도 0.5m/min으로 인장 시험을 행한다. 그리고, 하기 식에 의해 파단 신장률을 구한다.That is, the adhesive sheet was cut into strips with a width of 10 mm, a length of 30 mm, and a thickness of 40 μm with a cutter knife, and using a tensile tester (manufactured by Shimadzu Corporation, trade name; Tensilon), a distance between chucks of 20 mm, a tensile speed A tensile test is performed at 0.5 m/min. And elongation at break is calculated|required by the following formula.

파단 신장률(%) = (((파단 시의 척간 거리(mm))-20)/20)×100Elongation at break (%) = (((Distance between chucks at break (mm))-20)/20)×100

본 발명의 접착 시트에 있어서, 경화 후의 유리 전이 온도는 100℃ 이상이 바람직하다. 100℃ 이상이면, 반도체 장치의 사용 온도역에서의 온도 변화에 의한 응력이나 휨이 억제되기 때문에, 신뢰성이 높은 반도체 장치를 얻을 수 있다. 또한, 경화 후의 유리 전이 온도의 상한은, 특별히 한정되지 않고, 예컨대 200℃ 이하이다.The adhesive sheet of this invention WHEREIN: As for the glass transition temperature after hardening, 100 degreeC or more is preferable. If it is 100 degreeC or more, since the stress and curvature by the temperature change in the operating temperature range of a semiconductor device are suppressed, a highly reliable semiconductor device can be obtained. In addition, the upper limit of the glass transition temperature after hardening is not specifically limited, For example, it is 200 degrees C or less.

경화 후의 260℃에서의 인장 저장 탄성률은 10MPa 이상이 바람직하다. 10MPa 이상이면, 양호한 내리플로우성이 얻어진다. 또한, 경화 후의 260℃에서의 인장 저장 탄성률은, 특별히 한정되지 않고, 예컨대 10000MPa 이하이다.As for the tensile storage elastic modulus in 260 degreeC after hardening, 10 MPa or more is preferable. If it is 10 Mpa or more, favorable reflow property will be acquired. In addition, the tensile storage elastic modulus in 260 degreeC after hardening is not specifically limited, For example, it is 10000 MPa or less.

유리 전이 온도 및 인장 저장 탄성률은 이하의 방법으로 측정할 수 있다.A glass transition temperature and a tensile storage modulus can be measured with the following method.

즉, 접착 시트를 175℃에서 1시간의 가열 처리에 의해 열경화시키고, 그 후 두께 200㎛, 길이 400mm(측정 길이), 폭 10mm의 스트립상으로 커터 나이프로 잘라내고, 고체 점탄성 측정 장치(RSAIII, 레오메트릭 사이언티픽(주)제)를 이용하여, -50∼300℃에서의 저장 탄성률을 측정한다. 측정 조건은 주파수 1Hz, 승온 속도 10℃/min으로 한다. 추가로, tanδ(G"(손실 탄성률)/G'(저장 탄성률))의 값을 산출하는 것에 의해 유리 전이 온도를 얻는다.That is, the adhesive sheet is thermosetted by heat treatment at 175° C. for 1 hour, and then cut into strips with a thickness of 200 μm, a length of 400 mm (measured length), and a width of 10 mm with a cutter knife, and a solid viscoelasticity measuring device (RSAIII). , the storage elastic modulus in -50 to 300 degreeC is measured using Rheometric Scientific Co., Ltd. product. The measurement conditions are set to a frequency of 1 Hz and a temperature increase rate of 10°C/min. Further, the glass transition temperature is obtained by calculating the value of tan δ (G" (loss modulus)/G' (storage modulus)).

본 발명의 접착 시트는 반도체 장치의 제조에 사용할 수 있다. 그 중에서도, 피착체와 반도체 칩을 접착하는 다이 본딩 필름으로서 적합하게 사용할 수 있다. 피착체로서는, 리드 프레임, 인터포저(interposer), 반도체 칩 등을 들 수 있다.The adhesive sheet of this invention can be used for manufacture of a semiconductor device. Especially, it can use suitably as a die-bonding film which adhere|attaches a to-be-adhered body and a semiconductor chip. Examples of the adherend include a lead frame, an interposer, and a semiconductor chip.

본 발명의 접착 시트는 다이싱 필름과 일체적으로 사용하는 것이 바람직하다. 즉, 접착 시트 부착 다이싱 필름(다이싱·다이 본딩 필름)의 형태로 사용하는 것이 바람직하다.It is preferable to use the adhesive sheet of this invention integrally with a dicing film. That is, it is preferable to use in the form of a dicing film with an adhesive sheet (dicing die-bonding film).

[다이싱·다이 본딩 필름][dicing die bonding film]

이하, 본 발명의 다이싱·다이 본딩 필름에 대하여 설명한다. 도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 다이싱·다이 본딩 필름의 단면 모식도이다. 도 2는 본 발명의 다른 실시형태에 따른 다이싱·다이 본딩 필름의 단면 모식도이다.Hereinafter, the dicing die-bonding film of this invention is demonstrated. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a cross-sectional schematic diagram of the dicing die-bonding film which concerns on one Embodiment of this invention. 2 is a schematic cross-sectional view of a dicing die-bonding film according to another embodiment of the present invention.

도 1에 나타내는 바와 같이, 다이싱·다이 본딩 필름(10)은 다이싱 필름(11) 상에 접착 시트(3)가 적층된 구성을 갖는다. 다이싱 필름(11)은 기재(1) 상에 점착제층(2)을 적층하여 구성되어 있고, 접착 시트(3)는 그 점착제층(2) 상에 설치되어 있다. 또한, 본 발명은, 도 2에 나타내는 다이싱·다이 본딩 필름(12)과 같이, 워크(반도체 웨이퍼 등) 부착 부분에만 접착 시트(3')를 형성한 구성이어도 좋다.As shown in FIG. 1, the dicing die-bonding film 10 has the structure in which the adhesive sheet 3 was laminated|stacked on the dicing film 11. As shown in FIG. The dicing film 11 is comprised by laminating|stacking the adhesive layer 2 on the base material 1, and the adhesive sheet 3 is provided on the adhesive layer 2. Moreover, like the dicing die-bonding film 12 shown in FIG. 2, the structure in which the adhesive sheet 3' was formed only in the workpiece|work (semiconductor wafer etc.) attachment part may be sufficient as this invention.

기재(1)는 다이싱·다이 본딩 필름(10, 12)의 강도 모체가 되는 것으로, 자외선 투과성을 갖는 것이 바람직하다. 기재(1)로서는, 예컨대 저밀도 폴리에틸렌, 직쇄상 폴리에틸렌, 중밀도 폴리에틸렌, 고밀도 폴리에틸렌, 초저밀도 폴리에틸렌, 랜덤 공중합 폴리프로필렌, 블록 공중합 폴리프로필렌, 호모폴리프로필렌, 폴리뷰텐, 폴리메틸펜텐 등의 폴리올레핀, 에틸렌-아세트산 바이닐 공중합체, 아이오노머 수지, 에틸렌-(메트)아크릴산 공중합체, 에틸렌-(메트)아크릴산 에스터 (랜덤, 교대) 공중합체, 에틸렌-뷰텐 공중합체, 에틸렌-헥센 공중합체, 폴리우레탄, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리에틸렌 나프탈레이트 등의 폴리에스터, 폴리카보네이트, 폴리이미드, 폴리에터에터케톤, 폴리이미드, 폴리에터이미드, 폴리아마이드, 전방향족 폴리아마이드, 폴리페닐설파이드, 아라미드(종이), 유리, 유리 클로스(cloth), 불소 수지, 폴리염화바이닐, 폴리염화바이닐리덴, 셀룰로스계 수지, 실리콘 수지, 금속(박), 종이 등을 들 수 있다.The base material 1 serves as the strength matrix of the dicing die-bonding films 10 and 12, and it is preferable to have ultraviolet transmittance. As the base material 1, for example, low-density polyethylene, linear polyethylene, medium-density polyethylene, high-density polyethylene, ultra-low-density polyethylene, random copolymer polypropylene, block copolymer polypropylene, homopolypropylene, polybutene, polyolefins such as polymethylpentene; Ethylene-vinyl acetate copolymer, ionomer resin, ethylene-(meth)acrylic acid copolymer, ethylene-(meth)acrylic acid ester (random, alternating) copolymer, ethylene-butene copolymer, ethylene-hexene copolymer, polyurethane, Polyester such as polyethylene terephthalate and polyethylene naphthalate, polycarbonate, polyimide, polyetheretherketone, polyimide, polyetherimide, polyamide, wholly aromatic polyamide, polyphenylsulfide, aramid (paper), Glass, glass cloth, fluorine resin, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, cellulose resin, silicone resin, metal (foil), paper, etc. are mentioned.

기재(1)의 표면은, 인접하는 층과의 밀착성, 유지성 등을 높이기 위해서, 관용의 표면 처리, 예컨대 크로뮴산 처리, 오존 폭로, 화염 폭로, 고압 전격 폭로, 이온화 방사선 처리 등의 화학적 또는 물리적 처리, 하도제(下塗劑)(예컨대, 후술하는 점착 물질)에 의한 코팅 처리를 실시할 수 있다.The surface of the base material 1 is subjected to a conventional surface treatment, such as chemical or physical treatment such as chromic acid treatment, ozone exposure, flame exposure, high-pressure electric shock exposure, and ionizing radiation treatment, in order to improve adhesion with adjacent layers, retention properties, etc. , a coating treatment with a primer (for example, an adhesive substance to be described later) may be performed.

기재(1)의 두께는 특별히 제한되지 않고 적절히 결정할 수 있지만, 일반적으로는 5∼200㎛ 정도이다.The thickness in particular of the base material 1 is not restrict|limited, Although it can determine suitably, it is generally about 5-200 micrometers.

점착제층(2)의 형성에 이용하는 점착제로서는, 특별히 제한되지 않고, 예컨대 아크릴계 점착제, 고무계 점착제 등의 일반적인 감압성 접착제를 이용할 수 있다. 감압성 접착제로서는, 반도체 웨이퍼나 유리 등의 오염을 꺼리는 전자 부품의 초순수나 알코올 등의 유기 용제에 의한 청정 세정성 등의 점에서, 아크릴계 폴리머를 베이스 폴리머로 하는 아크릴계 점착제가 바람직하다.It does not restrict|limit especially as an adhesive used for formation of the adhesive layer 2, For example, common pressure-sensitive adhesives, such as an acrylic adhesive and a rubber-type adhesive, can be used. As the pressure-sensitive adhesive, an acrylic pressure-sensitive adhesive having an acrylic polymer as a base polymer is preferable from the viewpoints of cleanability with organic solvents such as ultrapure water or alcohol for electronic components that are reluctant to contamination of semiconductor wafers and glass.

아크릴계 폴리머로서는, 예컨대 (메트)아크릴산 알킬 에스터(예컨대, 메틸 에스터, 에틸 에스터, 프로필 에스터, 아이소프로필 에스터, 뷰틸 에스터, 아이소뷰틸 에스터, s-뷰틸 에스터, t-뷰틸 에스터, 펜틸 에스터, 아이소펜틸 에스터, 헥실 에스터, 헵틸 에스터, 옥틸 에스터, 2-에틸헥실 에스터, 아이소옥틸 에스터, 노닐 에스터, 데실 에스터, 아이소데실 에스터, 운데실 에스터, 도데실 에스터, 트라이데실 에스터, 테트라데실 에스터, 헥사데실 에스터, 옥타데실 에스터, 에이코실 에스터 등의 알킬기의 탄소수 1∼30, 특히 탄소수 4∼18의 직쇄상 또는 분기쇄상 알킬 에스터 등) 및 (메트)아크릴산 사이클로알킬 에스터(예컨대, 사이클로펜틸 에스터, 사이클로헥실 에스터 등)의 1종 또는 2종 이상을 단량체 성분으로서 이용한 아크릴계 폴리머 등을 들 수 있다. 한편, (메트)아크릴산 에스터란 아크릴산 에스터 및/또는 메타크릴산 에스터를 말하고, 본 발명의 (메트)란 모두 마찬가지의 의미이다.As the acrylic polymer, for example, (meth)acrylic acid alkyl ester (eg, methyl ester, ethyl ester, propyl ester, isopropyl ester, butyl ester, isobutyl ester, s-butyl ester, t-butyl ester, pentyl ester, isopentyl ester) , hexyl ester, heptyl ester, octyl ester, 2-ethylhexyl ester, isooctyl ester, nonyl ester, decyl ester, isodecyl ester, undecyl ester, dodecyl ester, tridecyl ester, tetradecyl ester, hexadecyl ester , octadecyl ester, eicosyl ester, etc. of the alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, especially straight or branched chain alkyl esters having 4 to 18 carbon atoms, etc.) and (meth)acrylic acid cycloalkyl esters (eg, cyclopentyl esters, cyclohexyl esters, etc.) etc.) of 1 type, or 2 or more types as a monomer component, the acrylic polymer etc. are mentioned. In addition, (meth)acrylic acid ester means acrylic acid ester and/or methacrylic acid ester, and (meth) of this invention has the same meaning for all.

아크릴계 폴리머는 응집력, 내열성 등의 개질을 목적으로 하여, 필요에 따라, 상기 (메트)아크릴산 알킬 에스터 또는 사이클로알킬 에스터와 공중합 가능한 다른 모노머 성분에 대응하는 단위를 포함하고 있어도 좋다. 이와 같은 모노머 성분으로서, 예컨대 아크릴산, 메타크릴산, 카복시에틸 (메트)아크릴레이트, 카복시펜틸 (메트)아크릴레이트, 이타콘산, 말레산, 푸마르산, 크로톤산 등의 카복실기 함유 모노머; 무수 말레산, 무수 이타콘산 등의 산 무수물 모노머; (메트)아크릴산 2-하이드록시에틸, (메트)아크릴산 2-하이드록시프로필, (메트)아크릴산 4-하이드록시뷰틸, (메트)아크릴산 6-하이드록시헥실, (메트)아크릴산 8-하이드록시옥틸, (메트)아크릴산 10-하이드록시데실, (메트)아크릴산 12-하이드록시라우릴, (4-하이드록시메틸사이클로헥실)메틸 (메트)아크릴레이트 등의 하이드록실기 함유 모노머; 스타이렌설폰산, 알릴설폰산, 2-(메트)아크릴아마이드-2-메틸프로페인설폰산, (메트)아크릴아미도프로페인설폰산, 설포프로필 (메트)아크릴레이트, (메트)아크릴로일옥시나프탈렌설폰산 등의 설폰산기 함유 모노머; 2-하이드록시에틸 아크릴로일 포스페이트 등의 인산기 함유 모노머; 아크릴아마이드, 아크릴로나이트릴 등을 들 수 있다. 이들 공중합 가능한 모노머 성분은 1종 또는 2종 이상 사용할 수 있다. 이들 공중합 가능한 모노머의 사용량은 전체 모노머 성분의 40중량% 이하가 바람직하다.The acrylic polymer may contain a unit corresponding to another monomer component copolymerizable with the (meth)acrylic acid alkyl ester or cycloalkyl ester if necessary for the purpose of modifying cohesive strength and heat resistance. Examples of such a monomer component include carboxyl group-containing monomers such as acrylic acid, methacrylic acid, carboxyethyl (meth)acrylate, carboxypentyl (meth)acrylate, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid, and crotonic acid; acid anhydride monomers such as maleic anhydride and itaconic anhydride; (meth)acrylic acid 2-hydroxyethyl, (meth)acrylic acid 2-hydroxypropyl, (meth)acrylic acid 4-hydroxybutyl, (meth)acrylic acid 6-hydroxyhexyl, (meth)acrylic acid 8-hydroxyoctyl; hydroxyl group-containing monomers such as (meth)acrylic acid 10-hydroxydecyl, (meth)acrylic acid 12-hydroxylauryl, and (4-hydroxymethylcyclohexyl)methyl (meth)acrylate; Styrenesulfonic acid, allylsulfonic acid, 2-(meth)acrylamide-2-methylpropanesulfonic acid, (meth)acrylamidopropanesulfonic acid, sulfopropyl (meth)acrylate, (meth)acryloyloxy Sulfonic acid group-containing monomers, such as naphthalenesulfonic acid; phosphoric acid group-containing monomers such as 2-hydroxyethyl acryloyl phosphate; Acrylamide, acrylonitrile, etc. are mentioned. These copolymerizable monomer components can be used 1 type or 2 or more types. The amount of the copolymerizable monomer used is preferably 40% by weight or less of the total monomer component.

나아가, 아크릴계 폴리머는 가교시키기 위해 다작용성 모노머 등도 필요에 따라 공중합용 모노머 성분으로서 포함할 수 있다. 이와 같은 다작용성 모노머로서, 예컨대 헥세인다이올 다이(메트)아크릴레이트, (폴리)에틸렌글리콜 다이(메트)아크릴레이트, (폴리)프로필렌글리콜 다이(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜 다이(메트)아크릴레이트, 펜타에리스리톨 다이(메트)아크릴레이트, 트라이메틸올프로페인 트라이(메트)아크릴레이트, 펜타에리스리톨 트라이(메트)아크릴레이트, 다이펜타에리스리톨 헥사(메트)아크릴레이트, 에폭시 (메트)아크릴레이트, 폴리에스터 (메트)아크릴레이트, 우레탄 (메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들 다작용성 모노머도 1종 또는 2종 이상 이용할 수 있다. 다작용성 모노머의 사용량은, 점착 특성 등의 점에서, 전체 모노머 성분의 30중량% 이하가 바람직하다.Furthermore, in order to crosslink the acrylic polymer, a polyfunctional monomer may also be included as a monomer component for copolymerization, if necessary. As such a polyfunctional monomer, for example, hexanediol di(meth)acrylate, (poly)ethylene glycol di(meth)acrylate, (poly)propylene glycol di(meth)acrylate, neopentylglycol di(meth) Acrylate, pentaerythritol di(meth)acrylate, trimethylolpropane tri(meth)acrylate, pentaerythritol tri(meth)acrylate, dipentaerythritol hexa(meth)acrylate, epoxy (meth)acrylate, Polyester (meth)acrylate, urethane (meth)acrylate, etc. are mentioned. These polyfunctional monomers can also be used 1 type or 2 or more types. As for the usage-amount of a polyfunctional monomer, 30 weight% or less of all monomer components is preferable from points, such as an adhesive property.

아크릴계 폴리머는 단일 모노머 또는 2종 이상의 모노머 혼합물을 중합에 회부하는 것에 의해 얻어진다. 중합은 용액 중합, 유화 중합, 괴상 중합, 현탁 중합 등의 어떤 방식으로도 행할 수 있다. 청정한 피착체에 대한 오염 방지 등의 점에서, 저분자량 물질의 함유량이 작은 것이 바람직하다. 이 점에서, 아크릴계 폴리머의 수 평균 분자량은, 바람직하게는 30만 이상, 더 바람직하게는 40만∼300만 정도이다.The acrylic polymer is obtained by subjecting a single monomer or a mixture of two or more monomers to polymerization. Polymerization can be performed by any method, such as solution polymerization, emulsion polymerization, bulk polymerization, and suspension polymerization. From the viewpoint of preventing contamination of a clean adherend, it is preferable that the content of the low-molecular-weight substance is small. From this point, the number average molecular weight of the acrylic polymer is preferably 300,000 or more, and more preferably about 400,000 to 3,000,000.

또한, 상기 점착제에는, 베이스 폴리머인 아크릴계 폴리머 등의 수 평균 분자량을 높이기 위해서, 외부 가교제를 적절히 채용할 수도 있다. 외부 가교 방법의 구체적 수단으로서는, 폴리아이소사이아네이트 화합물, 에폭시 화합물, 아지리딘 화합물, 멜라민계 가교제 등의 이른바 가교제를 첨가하여 반응시키는 방법을 들 수 있다. 외부 가교제를 사용하는 경우, 그의 사용량은 가교해야 할 베이스 폴리머와의 밸런스에 따라, 나아가서는 점착제로서의 사용 용도에 따라 적절히 결정된다. 일반적으로는, 상기 베이스 폴리머 100중량부에 대하여 5중량부 정도 이하, 나아가서는 0.1∼5중량부 배합하는 것이 바람직하다. 또한, 점착제에는, 필요에 따라, 상기 성분의 이외에 종래 공지된 각종 점착 부여제, 노화 방지제 등의 첨가제를 이용해도 좋다.Moreover, in order to raise the number average molecular weight of the acrylic polymer etc. which are base polymers to the said adhesive, an external crosslinking agent can also be employ|adopted suitably. As a specific means of an external crosslinking method, the method of adding so-called crosslinking agents, such as a polyisocyanate compound, an epoxy compound, an aziridine compound, and a melamine type crosslinking agent, and making it react is mentioned. When an external crosslinking agent is used, its usage amount is appropriately determined depending on the balance with the base polymer to be crosslinked and further depending on the intended use as an adhesive. Generally, it is preferable to mix|blend about 5 weight part or less with respect to 100 weight part of said base polymers, Furthermore, it is 0.1 to 5 weight part. In addition, you may use additives, such as various conventionally well-known tackifiers and antioxidant, in addition to the said component as needed for an adhesive.

점착제층(2)은 방사선 경화형 점착제에 의해 형성할 수 있다. 방사선 경화형 점착제는, 자외선 등의 방사선 조사에 의해 가교도를 증대시켜 그의 점착력을 용이하게 저하시킬 수 있다.The pressure-sensitive adhesive layer 2 can be formed with a radiation-curing pressure-sensitive adhesive. A radiation-curable adhesive can increase the degree of crosslinking by irradiation with radiation, such as an ultraviolet-ray, and can reduce the adhesive force easily.

도 1에 나타내는 점착제층(2)의 워크 부착 부분에 대응하는 부분(2a)만을 방사선 조사하는 것에 의해, 다른 부분(2b)과의 점착력 차를 마련할 수 있다. 이 경우, 미(未)경화된 방사선 경화형 점착제에 의해 형성되어 있는 상기 부분(2b)은 접착 시트(3)와 점착하여, 다이싱할 때의 유지력을 확보할 수 있다.By irradiating only the part 2a corresponding to the workpiece|work attachment part of the adhesive layer 2 shown in FIG. 1 with radiation, the adhesive force difference with the other part 2b can be provided. In this case, the portion 2b formed of the uncured radiation-curing pressure-sensitive adhesive is adhered to the adhesive sheet 3, so that the holding force at the time of dicing can be ensured.

또한, 도 2에 나타내는 접착 시트(3')에 맞추어 방사선 경화형의 점착제층(2)을 경화시키는 것에 의해, 점착력이 현저히 저하된 상기 부분(2a)을 형성할 수 있다. 이 경우, 미경화된 방사선 경화형 점착제에 의해 형성되어 있는 상기 부분(2b)에 웨이퍼 링을 고정할 수 있다.Further, by curing the radiation-curing pressure-sensitive adhesive layer 2 in conformity with the adhesive sheet 3' shown in Fig. 2, the portion 2a in which the adhesive force is significantly reduced can be formed. In this case, the wafer ring can be fixed to the portion 2b formed by the uncured radiation-curable pressure-sensitive adhesive.

즉, 점착제층(2)을 방사선 경화형 점착제에 의해 형성하는 경우에는, 점착제층(2)에 있어서의 「상기 부분(2a)의 점착력 < 그 밖의 부분(2b)의 점착력」이 되도록 상기 부분(2a)을 방사선 조사하는 것이 바람직하다.That is, in the case where the pressure-sensitive adhesive layer 2 is formed by a radiation-curing pressure-sensitive adhesive, the portion 2a is so that the “adhesive force of the portion 2a < the adhesive force of the other portions 2b” in the pressure-sensitive adhesive layer 2 . ) is preferably irradiated with radiation.

방사선 경화형 점착제는, 탄소-탄소 이중 결합 등의 방사선 경화성의 작용기를 갖고, 또한 점착성을 나타내는 것을 특별한 제한없이 사용할 수 있다. 방사선 경화형 점착제로서는, 예컨대 상기 아크릴계 점착제, 고무계 점착제 등의 일반적인 감압성 점착제에, 방사선 경화성의 모노머 성분이나 올리고머 성분을 배합한 첨가형의 방사선 경화형 점착제를 예시할 수 있다.A radiation-curable pressure-sensitive adhesive having a radiation-curable functional group such as a carbon-carbon double bond and exhibiting adhesiveness can be used without any particular limitation. Examples of the radiation-curable pressure-sensitive adhesive include an additive-type radiation-curable pressure-sensitive adhesive in which a radiation curable monomer component or an oligomer component is blended with a general pressure-sensitive adhesive such as the aforementioned acrylic pressure-sensitive adhesive or rubber pressure-sensitive adhesive.

배합하는 방사선 경화성의 모노머 성분으로서는, 예컨대 우레탄 올리고머, 우레탄 (메트)아크릴레이트, 트라이메틸올프로페인 트라이(메트)아크릴레이트, 테트라메틸올메테인 테트라(메트)아크릴레이트, 펜타에리스리톨 트라이(메트)아크릴레이트, 펜타에리스리톨 테트라(메트)아크릴레이트, 다이펜타에리스리톨 모노하이드록시 펜타(메트)아크릴레이트, 다이펜타에리스리톨 헥사(메트)아크릴레이트, 1,4-뷰테인다이올 다이(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 또한, 방사선 경화성의 올리고머 성분은 우레탄계, 폴리에터계, 폴리에스터계, 폴리카보네이트계, 폴리뷰타다이엔계 등 여러 가지 올리고머를 들 수 있고, 그의 분자량이 100∼30000 정도의 범위인 것이 적당하다. 방사선 경화성의 모노머 성분이나 올리고머 성분의 배합량은, 상기 점착제층의 종류에 따라, 점착제층의 점착력을 저하시킬 수 있는 양을 적절히 결정할 수 있다. 일반적으로는, 점착제를 구성하는 아크릴계 폴리머 등의 베이스 폴리머 100중량부에 대하여, 예컨대 5∼500중량부, 바람직하게는 40∼150중량부 정도이다.As the radiation-curable monomer component to be blended, for example, urethane oligomer, urethane (meth)acrylate, trimethylolpropane tri(meth)acrylate, tetramethylolmethane tetra(meth)acrylate, pentaerythritol tri(meth) Acrylate, pentaerythritol tetra(meth)acrylate, dipentaerythritol monohydroxy penta(meth)acrylate, dipentaerythritol hexa(meth)acrylate, 1,4-butanediol di(meth)acrylate, etc. can be heard In addition, the radiation-curable oligomer component includes various oligomers such as urethane, polyether, polyester, polycarbonate, and polybutadiene, and it is suitable that the molecular weight is in the range of about 100 to 30000. The compounding quantity of a radiation curable monomer component and an oligomer component can determine suitably the quantity which can reduce the adhesive force of an adhesive layer according to the kind of the said adhesive layer. Generally, it is 5-500 weight part, for example, Preferably it is about 40-150 weight part with respect to 100 weight part of base polymers, such as an acrylic polymer which comprises an adhesive.

또한, 방사선 경화형 점착제로서는, 상기 설명한 첨가형의 방사선 경화형 점착제 이외에, 베이스 폴리머로서, 탄소-탄소 이중 결합을 폴리머 측쇄 또는 주쇄 중, 또는 주쇄 말단에 갖는 것을 이용한 내재형의 방사선 경화형 점착제를 들 수 있다. 내재형의 방사선 경화형 점착제는, 저분자 성분인 올리고머 성분 등을 함유할 필요가 없거나, 또는 많이는 포함하지 않기 때문에, 경시(經時)적으로 올리고머 성분 등이 점착제 중을 이동하는 일 없이, 안정된 층 구조의 점착제층을 형성할 수 있다는 점에서 바람직하다.Further, as the radiation-curable pressure-sensitive adhesive, in addition to the additive-type radiation-curable pressure-sensitive adhesive described above, an internal type radiation-curable pressure-sensitive adhesive using a base polymer having a carbon-carbon double bond in the polymer side chain or main chain, or at the end of the main chain. The built-in radiation-curable pressure-sensitive adhesive does not need to contain, or contains a large amount of the oligomer component or the like, which is a low-molecular component, so that the oligomer component does not move in the pressure-sensitive adhesive with time and is a stable layer. It is preferable at the point that the adhesive layer of a structure can be formed.

상기 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 베이스 폴리머는, 탄소-탄소 이중 결합을 갖고, 또한 점착성을 갖는 것을 특별한 제한없이 사용할 수 있다. 이와 같은 베이스 폴리머로서는, 아크릴계 폴리머를 기본 골격으로 하는 것이 바람직하다. 아크릴계 폴리머의 기본 골격으로서는, 상기 예시한 아크릴계 폴리머를 들 수 있다.As the base polymer having a carbon-carbon double bond, a base polymer having a carbon-carbon double bond and adhesiveness may be used without particular limitation. As such a base polymer, it is preferable to use an acrylic polymer as a basic skeleton. Examples of the basic skeleton of the acrylic polymer include the acrylic polymers exemplified above.

상기 아크릴계 폴리머에 대한 탄소-탄소 이중 결합의 도입법은, 특별히 제한되지 않고 다양한 방법을 채용할 수 있지만, 탄소-탄소 이중 결합은 폴리머 측쇄에 도입하는 것이 분자 설계가 용이하다. 예컨대, 미리 아크릴계 폴리머에 작용기를 갖는 모노머를 공중합한 후, 이 작용기와 반응할 수 있는 작용기 및 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물을, 탄소-탄소 이중 결합의 방사선 경화성을 유지한 채로 축합 또는 부가 반응시키는 방법을 들 수 있다.The method for introducing the carbon-carbon double bond into the acrylic polymer is not particularly limited and various methods may be employed. However, introducing the carbon-carbon double bond into the side chain of the polymer is easy for molecular design. For example, after copolymerizing a monomer having a functional group in an acrylic polymer in advance, a compound having a functional group capable of reacting with the functional group and a carbon-carbon double bond is subjected to a condensation or addition reaction while maintaining the radiation curability of the carbon-carbon double bond. ways to do it can be found.

이들 작용기의 조합의 예로서는, 카복실산기와 에폭시기, 카복실산기와 아지리딜기, 하이드록실기와 아이소사이아네이트기 등을 들 수 있다. 이들 작용기의 조합 중에서도, 반응 추적의 용이함으로부터, 하이드록실기와 아이소사이아네이트기의 조합이 적합하다. 또한, 이들 작용기의 조합에 의해, 상기 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 아크릴계 폴리머를 생성하는 조합이면, 작용기는 아크릴계 폴리머와 상기 화합물 중 어느 측에 있어도 좋지만, 상기 바람직한 조합에서는, 아크릴계 폴리머가 하이드록실기를 갖고, 상기 화합물이 아이소사이아네이트기를 갖는 경우가 적합하다. 이 경우, 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 아이소사이아네이트 화합물로서는, 예컨대 메타크릴로일 아이소사이아네이트, 2-메타크릴로일옥시에틸 아이소사이아네이트, m-아이소프로펜일-α,α-다이메틸벤질 아이소사이아네이트 등을 들 수 있다. 또한, 아크릴계 폴리머로서는, 상기 예시의 하이드록시기 함유 모노머나 2-하이드록시에틸 바이닐 에터, 4-하이드록시뷰틸 바이닐 에터, 다이에틸렌글리콜 모노바이닐 에터의 에터계 화합물 등을 공중합한 것이 이용된다.Examples of combinations of these functional groups include a carboxylic acid group and an epoxy group, a carboxylic acid group and an aziridyl group, and a hydroxyl group and an isocyanate group. Among the combinations of these functional groups, a combination of a hydroxyl group and an isocyanate group is suitable from the viewpoint of easiness of reaction tracking. In addition, if the combination of these functional groups produces the acrylic polymer having a carbon-carbon double bond, the functional group may be on either side of the acrylic polymer and the compound. In the above preferred combination, the acrylic polymer has a hydroxyl group. It is suitable when the compound has an isocyanate group. In this case, as the isocyanate compound having a carbon-carbon double bond, for example, methacryloyl isocyanate, 2-methacryloyloxyethyl isocyanate, m-isopropenyl-α,α- Dimethylbenzyl isocyanate etc. are mentioned. Moreover, as an acryl-type polymer, what copolymerized the ether-type compound of 2-hydroxyethyl vinyl ether, 4-hydroxybutyl vinyl ether, diethylene glycol monovinyl ether, etc. with the hydroxyl-group containing monomer of the said illustration is used.

상기 내재형의 방사선 경화형 점착제는, 상기 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 베이스 폴리머(특히 아크릴계 폴리머)를 단독으로 사용할 수 있지만, 특성을 악화시키지 않을 정도로 상기 방사선 경화성의 모노머 성분이나 올리고머 성분을 배합할 수도 있다. 방사선 경화성의 올리고머 성분 등은, 통상 베이스 폴리머 100중량부에 대하여 30중량부의 범위 내이고, 바람직하게는 0∼10중량부의 범위이다.In the built-in radiation-curable pressure-sensitive adhesive, the base polymer having a carbon-carbon double bond (especially an acrylic polymer) may be used alone, but the radiation-curable monomer component or oligomer component may be blended to such an extent that the properties are not deteriorated. have. The radiation curable oligomer component is usually in the range of 30 parts by weight, preferably in the range of 0 to 10 parts by weight, based on 100 parts by weight of the base polymer.

상기 방사선 경화형 점착제에는, 자외선 등에 의해 경화시키는 경우에는 광중합 개시제를 함유시킨다. 광중합 개시제로서는, 예컨대 4-(2-하이드록시에톡시)페닐(2-하이드록시-2-프로필)케톤, α-하이드록시-α,α'-다이메틸아세토페논, 2-메틸-2-하이드록시프로피오페논, 1-하이드록시사이클로헥실페닐케톤 등의 α-케톨계 화합물; 메톡시 아세토페논, 2,2-다이메톡시-2-페닐 아세토페논, 2,2-다이에톡시 아세토페논, 2-메틸-1-[4-(메틸싸이오)-페닐]-2-모폴리노프로페인-1 등의 아세토페논계 화합물; 벤조인 에틸 에터, 벤조인 아이소프로필 에터, 아니소인 메틸 에터 등의 벤조인 에터계 화합물; 벤질 다이메틸 케탈 등의 케탈계 화합물; 2-나프탈렌설폰일 클로라이드 등의 방향족 설폰일 클로라이드계 화합물; 1-페논-1,1-프로페인다이온-2-(o-에톡시카보닐)옥심 등의 광활성 옥심계 화합물; 벤조페논, 벤조일벤조산, 3,3'-다이메틸-4-메톡시벤조페논 등의 벤조페논계 화합물; 싸이오잔톤, 2-클로로싸이오잔톤, 2-메틸싸이오잔톤, 2,4-다이메틸싸이오잔톤, 아이소프로필싸이오잔톤, 2,4-다이클로로싸이오잔톤, 2,4-다이에틸싸이오잔톤, 2,4-다이아이소프로필싸이오잔톤 등의 싸이오잔톤계 화합물; 캄파퀴논; 할로젠화 케톤; 아실포스핀옥사이드; 아실포스포네이트 등을 들 수 있다. 광중합 개시제의 배합량은, 점착제를 구성하는 아크릴계 폴리머 등의 베이스 폴리머 100중량부에 대하여, 예컨대 0.05∼20중량부 정도이다.The radiation-curable pressure-sensitive adhesive contains a photopolymerization initiator when cured by ultraviolet rays or the like. Examples of the photopolymerization initiator include 4-(2-hydroxyethoxy)phenyl(2-hydroxy-2-propyl)ketone, α-hydroxy-α,α′-dimethylacetophenone, 2-methyl-2-hydroxy α-ketol compounds such as hydroxypropiophenone and 1-hydroxycyclohexylphenyl ketone; Methoxy acetophenone, 2,2-dimethoxy-2-phenyl acetophenone, 2,2-diethoxy acetophenone, 2-methyl-1- [4- (methylthio) -phenyl] -2-mo acetophenone-based compounds such as polynopropane-1; benzoin ether compounds such as benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, and anisoin methyl ether; ketal compounds such as benzyl dimethyl ketal; aromatic sulfonyl chloride compounds such as 2-naphthalenesulfonyl chloride; photoactive oxime compounds such as 1-phenone-1,1-propanedione-2-(o-ethoxycarbonyl)oxime; benzophenone compounds such as benzophenone, benzoylbenzoic acid, and 3,3'-dimethyl-4-methoxybenzophenone; Thioxanthone, 2-chlorothioxanthone, 2-methylthioxanthone, 2,4-dimethylthioxanthone, isopropylthioxanthone, 2,4-dichlorothioxanthone, 2,4-diethyl thioxanthone compounds such as thioxanthone and 2,4-diisopropylthioxanthone; campaquinone; halogenated ketones; acylphosphine oxide; Acyl phosphonate, etc. are mentioned. The compounding quantity of a photoinitiator is about 0.05-20 weight part, for example with respect to 100 weight part of base polymers, such as an acrylic polymer which comprises an adhesive.

또한, 방사선 경화형 점착제로서는, 예컨대 일본 특허공개 소60-196956호 공보에 개시되어 있는, 불포화 결합을 2개 이상 갖는 부가 중합성 화합물, 에폭시기를 갖는 알콕시실레인 등의 광중합성 화합물과, 카보닐 화합물, 유기 황 화합물, 과산화물, 아민, 오늄염계 화합물 등의 광중합 개시제를 함유하는 고무계 점착제나 아크릴계 점착제 등을 들 수 있다.Further, as the radiation-curable pressure-sensitive adhesive, for example, an addition polymerizable compound having two or more unsaturated bonds, an addition polymerizable compound having two or more unsaturated bonds, a photopolymerizable compound such as an alkoxysilane having an epoxy group, and a carbonyl compound, which are disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 60-196956. and a rubber-based pressure-sensitive adhesive or an acrylic pressure-sensitive adhesive containing a photopolymerization initiator such as an organic sulfur compound, a peroxide, an amine, or an onium salt-based compound.

상기 방사선 경화형의 점착제층(2) 중에는, 필요에 따라, 방사선 조사에 의해 착색되는 화합물을 함유시킬 수도 있다. 방사선 조사에 의해 착색되는 화합물을 점착제층(2)에 포함시키는 것에 의해, 방사선 조사된 부분만을 착색시킬 수 있다. 방사선 조사에 의해 착색되는 화합물은, 방사선 조사 이전에는 무색 또는 담색이지만, 방사선 조사에 의해 유색이 되는 화합물로, 예컨대 류코(leuco) 염료 등을 들 수 있다. 방사선 조사에 의해 착색되는 화합물의 사용 비율은 적절히 설정할 수 있다.In the said radiation-curable adhesive layer 2, you may contain the compound colored by irradiation of a radiation as needed. By including the compound colored by irradiation with radiation in the pressure-sensitive adhesive layer 2, only the portion irradiated with radiation can be colored. The compound colored by irradiation with radiation is colorless or pale before irradiation, but as a compound that becomes colored by irradiation with radiation, for example, leuco dye and the like are mentioned. The use ratio of the compound colored by irradiation with radiation can be set suitably.

점착제층(2)의 두께는, 특별히 한정되지 않지만, 칩 절단면의 깨짐 방지나 접착층의 고정 유지의 양립성 등의 점에서는 1∼50㎛ 정도인 것이 바람직하다. 바람직하게는 2∼30㎛, 나아가서는 5∼25㎛가 바람직하다.Although the thickness of the adhesive layer 2 is not specifically limited, It is preferable that it is about 1-50 micrometers from points, such as a crack prevention of a chip|tip cut surface, compatibility of fixed holding|maintenance of an adhesive layer, etc. Preferably it is 2-30 micrometers, Furthermore, 5-25 micrometers is preferable.

다이싱·다이 본딩 필름(10, 12)의 접착 시트(3, 3')는, 세퍼레이터에 의해 보호되어 있는 것이 바람직하다(도시하지 않음). 세퍼레이터는, 실용에 제공할 때까지 접착 시트(3, 3')를 보호하는 보호재로서의 기능을 갖고 있다. 세퍼레이터는 다이싱·다이 본딩 필름의 접착 시트(3, 3') 상에 워크를 접착할 때에 벗겨진다. 세퍼레이터로서는, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌, 폴리프로필렌이나, 불소계 박리제, 장쇄 알킬 아크릴레이트계 박리제 등의 박리제에 의해 표면 코팅된 플라스틱 필름이나 종이 등도 사용 가능하다.It is preferable that the adhesive sheets 3 and 3' of the dicing die-bonding films 10 and 12 are protected by a separator (not shown). The separator has a function as a protective material that protects the adhesive sheets 3 and 3' until they are put to practical use. The separator is peeled off when adhering a work on the adhesive sheets 3 and 3' of the dicing die-bonding film. As the separator, a plastic film or paper surface coated with a release agent such as polyethylene terephthalate (PET), polyethylene, polypropylene, a fluorine-based release agent, or a long-chain alkyl acrylate-based release agent can also be used.

다이싱·다이 본딩 필름(10, 12)은, 통상의 방법으로 제조할 수 있다. 예컨대, 다이싱 필름(11)의 점착제층(2)과 접착 시트(3, 3')를 접합함으로써, 다이싱·다이 본딩 필름(10, 12)을 제조할 수 있다.The dicing die-bonding films 10 and 12 can be manufactured by a normal method. For example, the dicing die-bonding films 10 and 12 can be manufactured by bonding the adhesive layer 2 of the dicing film 11 and the adhesive sheets 3 and 3'.

[반도체 장치의 제조 방법][Method for manufacturing semiconductor device]

도 3을 참조하면서, 다이싱·다이 본딩 필름(10)을 이용한 반도체 장치의 제조 방법에 대하여 설명한다. 도 3은 반도체 장치의 일 제조 공정을 나타내는 도면이다.The manufacturing method of the semiconductor device using the dicing die-bonding film 10 is demonstrated, referring FIG. 3 . 3 is a diagram illustrating a manufacturing process of a semiconductor device.

우선, 다이싱·다이 본딩 필름(10)에 있어서의 접착 시트(3)의 반도체 웨이퍼 부착 부분(3a) 상에 반도체 웨이퍼(4)를 압착하고, 이것을 접착 유지시켜 고정한다(부착 공정). 본 공정은, 압착 롤 등의 가압 수단에 의해 가압하면서 행한다.First, the semiconductor wafer 4 is crimped|bonded on the semiconductor wafer attachment part 3a of the adhesive sheet 3 in the dicing die-bonding film 10, and this is adhesively held and fixed (attaching process). This process is performed, pressurizing with pressure means, such as a pressure-bonding roll.

다음으로, 반도체 웨이퍼(4)의 다이싱을 행한다. 이에 의해, 반도체 웨이퍼(4)를 소정의 사이즈로 절단해서 개편화하여, 반도체 칩(5)을 제조한다. 다이싱은, 예컨대 반도체 웨이퍼(4)의 회로면측으로부터 통상적 방법에 따라 행해진다. 또한, 본 공정에서는, 예컨대 다이싱·다이 본딩 필름(10)까지 절결을 행하는 풀 컷트라 불리는 절단 방식 등을 채용할 수 있다. 본 공정에서 이용하는 다이싱 장치로서는, 특별히 한정되지 않고, 종래 공지된 것을 이용할 수 있다.Next, the semiconductor wafer 4 is diced. Thereby, the semiconductor wafer 4 is cut|disconnected to a predetermined size, it is divided into pieces, and the semiconductor chip 5 is manufactured. Dicing is performed, for example, from the circuit surface side of the semiconductor wafer 4 according to a conventional method. In addition, in this process, the cutting method called full cut which cuts up to the dicing die-bonding film 10, etc. can be employ|adopted, for example. It does not specifically limit as a dicing apparatus used at this process, A conventionally well-known thing can be used.

다이싱·다이 본딩 필름(10)에 접착 고정된 반도체 칩(5)을 박리하기 위해서, 반도체 칩(5)의 픽업을 행한다. 픽업의 방법으로서는, 특별히 한정되지 않고, 종래 공지된 여러 가지 방법을 채용할 수 있다. 예컨대, 개개의 반도체 칩(5)을 다이싱·다이 본딩 필름(10)측으로부터 니들(needle)에 의해서 밀어 올리고, 밀어 올려진 반도체 칩(5)을 픽업 장치에 의해서 픽업하는 방법 등을 들 수 있다.In order to peel the semiconductor chip 5 adhesively fixed to the dicing die-bonding film 10, the semiconductor chip 5 is picked up. It does not specifically limit as a method of pickup, A conventionally well-known various method is employable. For example, individual semiconductor chips 5 are pushed up from the dicing die bonding film 10 side with a needle, and the pushed up semiconductor chips 5 are picked up by a pickup device, etc. have.

여기서, 픽업은 점착제층(2)이 자외선 경화형인 경우, 해당 점착제층(2)에 자외선을 조사한 후에 행한다. 이에 의해, 점착제층(2)의 접착 시트(3)에 대한 점착력이 저하되어, 반도체 칩(5)의 박리가 용이해진다. 그 결과, 반도체 칩(5)을 손상시키는 일 없이 픽업이 가능해진다. 자외선 조사 시의 조사 강도, 조사 시간 등의 조건은 특별히 한정되지 않고, 적절히 필요에 따라 설정하면 된다.Here, pick-up is performed after irradiating an ultraviolet-ray to the said adhesive layer 2, when the adhesive layer 2 is an ultraviolet curable type. Thereby, the adhesive force with respect to the adhesive sheet 3 of the adhesive layer 2 falls, and peeling of the semiconductor chip 5 becomes easy. As a result, the pickup becomes possible without damaging the semiconductor chip 5 . Conditions, such as irradiation intensity|strength at the time of ultraviolet irradiation, irradiation time, are not specifically limited, What is necessary is just to set suitably as needed.

픽업한 반도체 칩(5)은, 접착 시트(3)를 개재해서 피착체(6)에 접착 고정한다(다이 본딩). 다이 본딩 온도는, 바람직하게는 80∼150℃이다.The picked-up semiconductor chip 5 is adhesively fixed to the to-be-adhered body 6 via the adhesive sheet 3 (die bonding). The die bonding temperature is preferably 80 to 150°C.

계속해서, 접착 시트(3)를 가열 처리하는 것에 의해, 반도체 칩(5)과 피착체(6)를 접착시킨다. 가열 처리의 온도는, 바람직하게는 80℃ 이상, 보다 바람직하게는 170℃ 이상이다. 가열 처리의 온도는, 바람직하게는 200℃ 이하, 보다 바람직하게는 180℃ 이하이다. 가열 처리의 온도가 상기 범위 이하이면, 양호하게 접착할 수 있다. 또한, 가열 처리 시간은 적절하게 설정할 수 있다.Then, by heat-processing the adhesive sheet 3, the semiconductor chip 5 and the to-be-adhered body 6 are adhere|attached. The temperature of the heat treatment is preferably 80°C or higher, more preferably 170°C or higher. The temperature of the heat treatment is preferably 200°C or less, and more preferably 180°C or less. If the temperature of heat processing is below the said range, it can adhere|attach favorably. In addition, the heat processing time can be set suitably.

다음으로, 피착체(6)의 단자부(이너 리드)의 선단과 반도체 칩(5) 상의 전극 패드(도시하지 않음)를 본딩 와이어(7)로 전기적으로 접속하는 와이어 본딩 공정을 행한다. 본딩 와이어(7)로서는, 예컨대 금선, 알루미늄선 또는 구리선 등이 이용된다. 와이어 본딩을 행할 때의 온도는 바람직하게는 80℃ 이상, 보다 바람직하게는 120℃ 이상이고, 해당 온도는 바람직하게는 250℃ 이하, 보다 바람직하게는 175℃ 이하이다. 또한, 그의 가열 시간은 수 초∼수 분간(예컨대 1초∼1분간) 행해진다. 결선(結線)은, 상기 온도 범위 내가 되도록 가열된 상태에서, 초음파에 의한 진동 에너지와 인가 가압에 의한 압착 에너지의 병용에 의해 행해진다.Next, a wire bonding step of electrically connecting the tip of the terminal portion (inner lead) of the adherend 6 and an electrode pad (not shown) on the semiconductor chip 5 with the bonding wire 7 is performed. As the bonding wire 7, a gold wire, an aluminum wire, a copper wire, etc. are used, for example. The temperature at the time of wire bonding becomes like this. Preferably it is 80 degreeC or more, More preferably, it is 120 degreeC or more, The said temperature becomes like this. Preferably it is 250 degrees C or less, More preferably, it is 175 degrees C or less. In addition, the heating time is performed for several seconds to several minutes (eg, 1 second to 1 minute). The connection is performed by using the vibration energy by ultrasonic waves and the compression energy by the applied pressurization in a heated state so as to be within the above temperature range.

계속해서, 봉지 수지(8)에 의해 반도체 칩(5)을 봉지하는 봉지 공정을 행한다. 본 공정은 피착체(6)에 탑재된 반도체 칩(5)이나 본딩 와이어(7)를 보호하기 위해서 행해진다. 본 공정은 봉지용 수지를 금형으로 성형하는 것에 의해 행한다. 봉지 수지(8)로서는, 예컨대 에폭시계의 수지를 사용한다. 수지 봉지 시의 가열 온도는 바람직하게는 165℃ 이상, 보다 바람직하게는 170℃ 이상이고, 해당 가열 온도는 바람직하게는 185℃ 이하, 보다 바람직하게는 180℃ 이하이다.Then, the sealing process of sealing the semiconductor chip 5 with the sealing resin 8 is performed. This step is performed in order to protect the semiconductor chip 5 and the bonding wire 7 mounted on the adherend 6 . This process is performed by shape|molding resin for sealing with a metal mold|die. As the sealing resin 8, an epoxy-type resin is used, for example. Preferably the heating temperature at the time of resin encapsulation is 165 degreeC or more, More preferably, it is 170 degreeC or more, The said heating temperature becomes like this. Preferably it is 185 degrees C or less, More preferably, it is 180 degrees C or less.

필요에 따라, 봉지물을 추가로 가열해도 좋다(후경화 공정). 이에 의해, 봉지 공정에서 경화 부족인 봉지 수지(8)를 완전히 경화할 수 있다. 가열 온도는 적절히 설정할 수 있다.If necessary, the encapsulated material may be further heated (post-curing step). Thereby, the sealing resin 8 which is insufficient hardening in a sealing process can be hardened|cured completely. The heating temperature can be appropriately set.

이상과 같이, 다이싱·다이 본딩 필름의 접착 시트와 반도체 웨이퍼를 접합하는 공정(I), 반도체 웨이퍼를 다이싱하여 반도체 칩을 형성하는 공정(II), 공정(II)에 의해 형성된 반도체 칩을 접착 시트와 함께 픽업하는 공정(III), 및 공정(III)에 의해 픽업한 반도체 칩을 접착 시트를 개재해서 피착체에 다이 본딩하는 공정(IV)을 포함하는 방법에 의해 반도체 장치를 제조할 수 있다.As described above, the semiconductor chip formed by the step (I) of bonding the adhesive sheet of the dicing die-bonding film and the semiconductor wafer, the step (II) of dicing the semiconductor wafer to form a semiconductor chip, and the step (II) A semiconductor device can be manufactured by a method including a step (III) of picking up together with an adhesive sheet, and a step (IV) of die bonding the semiconductor chip picked up by the step (III) to an adherend via an adhesive sheet. have.

실시예Example

이하, 본 발명에 관하여 실시예를 이용해 상세히 설명하지만, 본 발명은 그의 요지를 초과하지 않는 한, 이하의 실시예에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in detail using examples, but the present invention is not limited to the following examples unless the gist thereof is exceeded.

실시예에서 사용한 성분에 대하여 설명한다.The component used in the Example is demonstrated.

아크릴 고무: 나가세켐텍스(주)제의 테이산레진 SG-790(아크릴산 에스터 공중합체, Mw: 50만, 유리 전이 온도: -32℃)Acrylic rubber: Nagase Chemtex Co., Ltd. Teisan resin SG-790 (acrylic acid ester copolymer, Mw: 500,000, glass transition temperature: -32°C)

고형 에폭시 수지: 닛폰카야쿠(주)제의 KI-3000-4(o-크레졸 노볼락 에폭시 수지, Mw: 1250)Solid epoxy resin: KI-3000-4 (o-cresol novolac epoxy resin, Mw: 1250) manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.

페놀 수지: 메이와화성사제의 MEH-7851H(페놀 수지, Mw: 1580)Phenolic resin: MEH-7851H manufactured by Meiwa Chemicals (phenolic resin, Mw: 1580)

액상 에폭시 수지: 미쓰비시화학(주)제의 JER827(비스페놀 A형 에폭시 수지, Mw: 370)Liquid epoxy resin: JER827 made by Mitsubishi Chemical Corporation (bisphenol A epoxy resin, Mw: 370)

촉매: 홋코화학공업(주)제의 TPP-MK(테트라페닐포스포늄 테트라-p-트라이보레이트)Catalyst: TPP-MK (tetraphenylphosphonium tetra-p-triborate) manufactured by Hokko Chemical Industry Co., Ltd.

충전재 1: (주)애드마테크스제의 AO802(구상 알루미나 충전재, 평균 입경: 0.7㎛, 비표면적: 7.5m2/g)Filler 1: AO802 manufactured by Admatex Co., Ltd. (spherical alumina filler, average particle diameter: 0.7 μm, specific surface area: 7.5 m 2 /g)

충전재 2: 덴키화학공업(주)제의 ASFP-20(구상 알루미나 충전재, 평균 입경: 0.3㎛, 비표면적: 12.5m2/g)Filler 2: ASFP-20 manufactured by Denki Chemical Industry Co., Ltd. (spherical alumina filler, average particle diameter: 0.3 μm, specific surface area: 12.5 m 2 /g)

충전재 3: (주)애드마테크스제의 AO809(구상 알루미나 충전재, 평균 입경: 10㎛, 비표면적: 1m2/g)Filler 3: AO809 manufactured by Admatex Co., Ltd. (spherical alumina filler, average particle diameter: 10 µm, specific surface area: 1 m 2 /g)

충전재 4: 덴키화학공업(주)제의 DAW-07(구상 알루미나 충전재, 평균 입경: 8.1㎛, 비표면적: 0.4m2/g)Filler 4: DAW-07 manufactured by Denki Chemical Industry Co., Ltd. (spherical alumina filler, average particle diameter: 8.1 µm, specific surface area: 0.4 m 2 /g)

충전재 5: 덴키화학공업(주)제의 DAW-03(구상 알루미나 충전재, 평균 입경: 5.1㎛, 비표면적: 0.5m2/g)Filler 5: DAW-03 manufactured by Denki Chemical Industry Co., Ltd. (spherical alumina filler, average particle diameter: 5.1 μm, specific surface area: 0.5 m 2 /g)

실레인 커플링제: 신에츠화학사제의 KBM-403(3-글리시독시프로필트라이메톡시실레인)Silane coupling agent: KBM-403 (3-glycidoxypropyl trimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.

충전재의 표면 처리 방법에 대하여 설명한다.The surface treatment method of a filler is demonstrated.

충전재 1∼5를 실레인 커플링제로 표면 처리하여, 표면 처리 충전재 1∼5를 얻었다. 표면 처리는 건식법으로 행하고, 하기 식으로 표시되는 양의 실레인 커플링제로 처리했다.The fillers 1-5 were surface-treated with a silane coupling agent, and the surface-treated fillers 1-5 were obtained. The surface treatment was performed by a dry method and treated with a silane coupling agent in an amount represented by the following formula.

실레인 커플링제 처리량 = (충전재의 중량(g)×충전재의 비표면적(m2/g))/실레인 커플링제의 최소 피복 면적(m2/g)Silane coupling agent throughput = (weight of filler (g) x specific surface area of filler (m 2 /g)) / minimum coverage area of silane coupling agent (m 2 /g)

실레인 커플링제의 최소 피복 면적(m2/g) = 6.02×1023×13×10-20/실레인 커플링제의 분자량Minimum coverage area of silane coupling agent (m 2 /g) = 6.02×10 23 ×13×10 -20 /molecular weight of silane coupling agent

[실시예 및 비교예][Examples and Comparative Examples]

접착 시트의 제작Fabrication of adhesive sheet

표 1 및 표 2에 기재된 배합비에 따라, 아크릴 고무, 고형 에폭시 수지, 페놀 수지, 액상 에폭시 수지, 촉매 및 표면 처리 충전재를 메틸에틸케톤(MEK)에 용해, 분산시켜 도공에 적합한 점도의 접착제 조성물 용액을 얻었다. 그 후, 635메시(개구 20㎛)의 능직의 SUS 메시를 이용하여 접착제 조성물 용액을 여과하고, 여과액을 실리콘 이형 처리한 두께 50㎛의 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름으로 이루어지는 이형 처리 필름(박리 라이너) 상에 도포한 후, 130℃에서 2분간 건조시켜 접착 시트(두께 25㎛)를 얻었다.According to the compounding ratios shown in Tables 1 and 2, acrylic rubber, solid epoxy resin, phenol resin, liquid epoxy resin, catalyst and surface treatment filler are dissolved and dispersed in methyl ethyl ketone (MEK), and the adhesive composition solution having a suitable viscosity for coating got After that, the adhesive composition solution is filtered using a twill SUS mesh of 635 mesh (opening 20 μm), and the filtrate is silicone-releasingly treated. On a release treatment film (release liner) consisting of a polyethylene terephthalate film with a thickness of 50 μm After coating, it was dried at 130°C for 2 minutes to obtain an adhesive sheet (thickness of 25 µm).

다이싱·다이 본딩 필름의 제작Production of dicing die bonding film

접착 시트를 다이싱 필름(닛토덴코(주)제의 P2130G)의 점착제층 상에 25℃에서 부착하여, 다이싱·다이 본딩 필름을 제작했다.The adhesive sheet was affixed at 25 degreeC on the adhesive layer of a dicing film (Nitto Denko Co., Ltd. product P2130G), and the dicing die-bonding film was produced.

얻어진 접착 시트 및 다이싱·다이 본딩 필름을 이용하여 이하의 평가를 행했다. 결과를 표 1에 나타낸다.The following evaluation was performed using the obtained adhesive sheet and the dicing die-bonding film. A result is shown in Table 1.

(충전재의 입도 분포 및 평균 입경의 측정)(Measurement of particle size distribution and average particle diameter of filler)

접착 시트를 도가니에 넣고, 대기 분위기 하에 700℃에서 2시간 강열(强熱)하여 회화(灰化)시켰다. 얻어진 회분을 순수 중에 분산시켜 10분간 초음파 처리하고, 레이저 회절 산란식 입도 분포 측정 장치(베크만쿨터사제, 「LS 13 320」; 습식법)를 이용하여 입도 분포(체적 기준) 및 평균 입경을 구했다. 한편, 접착 시트의 조성으로서 충전재 이외는 유기 성분이고, 상기의 강열 처리에 의해 실질적으로 모든 유기 성분이 소실되기 때문에, 얻어지는 회분을 충전재로 간주하고 측정을 행했다.The adhesive sheet was placed in a crucible, and incinerated by heating at 700° C. for 2 hours in an atmospheric atmosphere. The obtained ash was dispersed in pure water, sonicated for 10 minutes, and particle size distribution (volume basis) and average particle size were obtained using a laser diffraction scattering particle size distribution analyzer (manufactured by Beckman Coulter, "LS 13 320"; wet method). On the other hand, since the composition of the adhesive sheet is an organic component other than the filler, and substantially all organic components are lost by the above-described heating treatment, the resulting ash content was regarded as the filler and measurement was performed.

(충전재의 BET 비표면적의 측정)(Measurement of BET specific surface area of filler)

BET 비표면적은 BET 흡착법(다점법)에 의해 측정했다. 구체적으로는, Quantachrome제 4연식 비표면적·세공 분포 측정 장치 「NOVA-4200e형」을 이용하여, 상기 「충전재의 입도 분포 및 평균 입경의 측정」의 항에 따라서 얻어지는 회분을 110℃에서 6시간 이상 진공 탈기한 후에, 질소 가스 중 77.35K의 온도 하에서 측정했다.The BET specific surface area was measured by the BET adsorption method (multipoint method). Specifically, using a Quantachrome 4-type specific surface area/pore distribution measuring device "NOVA-4200e type", the ash obtained according to the above "Measurement of particle size distribution and average particle size of filler" was measured at 110°C for 6 hours or more. After vacuum degassing, measurements were made under a temperature of 77.35 K in nitrogen gas.

(매설성 시험)(burial test)

연삭 장치((주)DISCO제의 DGP-8760)를 이용하여, 실리콘 베어 웨이퍼(8인치 직경, 두께 750㎛)의 이면을 연삭하여, 두께 100㎛의 실리콘 웨이퍼를 얻었다. 다이싱·다이 본딩 필름의 접착 시트 상에 실리콘 웨이퍼를 접합했다. 접합 조건은 하기와 같다.Using a grinding device (DGP-8760 manufactured by DISCO Corporation), the back surface of a silicon bare wafer (8 inches in diameter, 750 µm in thickness) was ground to obtain a silicon wafer having a thickness of 100 µm. A silicon wafer was bonded onto the adhesive sheet of the dicing die-bonding film. The bonding conditions are as follows.

<접합 조건><Joint condition>

부착 장치: 닛토정기(주)제, DR-3000IIAttachment device: Nitto Seiki Co., Ltd., DR-3000II

부착 속도계: 100mm/minAttachment speedometer: 100mm/min

부착 압력: 0.3MPaAttachment pressure: 0.3 MPa

부착 시의 스테이지 온도: 23℃Stage temperature at the time of attachment: 23°C

다음으로, 실리콘 웨이퍼를 다이싱하여 반도체 칩을 형성했다. 다이싱은 10mm×10mm(10mm 각)의 칩 사이즈가 되도록 다이싱을 행했다. 다이싱 조건은 하기와 같다.Next, the silicon wafer was diced to form a semiconductor chip. The dicing was performed so that it might become a chip size of 10 mm x 10 mm (10 mm square). Dicing conditions are as follows.

<다이싱 조건><Dicing conditions>

다이싱 장치: DISCO(주)제, 다이서(DFD6760)Dicing device: DISCO Co., Ltd., Dicer (DFD6760)

컷 방식: 스텝 컷Cut method: step cut

Z1 블레이드: DISCO(주)제, 203O-SE 27HCDDZ1 blade: DISCO Co., Ltd., 203O-SE 27HCDD

Z2 블레이드: DISCO(주)제, 203O-SE 27HCBBZ2 blade: DISCO Co., Ltd., 203O-SE 27HCBB

Z1 블레이드 높이: 웨이퍼의 절반까지 절결Z1 blade height: cut to half of wafer

Z2 블레이드: 다이싱 필름에 20㎛ 절결Z2 blade: 20㎛ cut in dicing film

Z1 다이싱 속도: 30mm/secZ1 dicing speed: 30mm/sec

Z2 다이싱 속도: 30mm/secZ2 dicing speed: 30mm/sec

Z1 회전수: 40000rpmZ1 RPM: 40000rpm

Z2 회전수: 45000rpmZ2 RPM: 45000rpm

접착 시트(두께 25㎛) 부착 반도체 칩(10mm×10mm×두께 100㎛)을, 신카와(주)제의 다이 본더 SPA-300을 이용하여 130℃, 1kg, 1sec의 조건으로 AUS308의 BGA 기판 상에 다이 본딩했다. BGA 기판으로서, 다이 본딩하기 전에 150℃에서 2시간 가열하여 수분을 제거한 것을 이용했다. 그 후, 반도체 칩을 다이 어태치한 BGA 기판을 130℃에서 1시간 가열 처리하고, 초음파 현미경(SAT 시험)으로 보이드를 관찰하여, 보이드의 면적을 구했다. 보이드의 면적이 20% 이하인 경우를 ○, 2 0%를 초과하는 경우를 ×로 했다.A semiconductor chip (10 mm × 10 mm × thickness 100 μm) with an adhesive sheet (thickness 25 μm) was placed on the BGA substrate of AUS308 using a die bonder SPA-300 manufactured by Shinkawa Co., Ltd. under the conditions of 130° C., 1 kg, and 1 sec. was die-bonded to As the BGA substrate, one in which moisture was removed by heating at 150° C. for 2 hours before die bonding was used. Then, the BGA substrate to which the semiconductor chip was die-attached was heat-processed at 130 degreeC for 1 hour, the void was observed with the ultrasonic microscope (SAT test), and the area of the void was calculated|required. The case where the area of a void was 20 % or less was made into (circle), and the case where it exceeded 20 % was made into x.

(신뢰성 시험: 내습 리플로우성)(Reliability test: moisture reflow resistance)

접착 시트(두께 20㎛)를 각각 온도 40℃의 조건 하에 10mm 각의 반도체 칩에 부착한 후, 접착 시트를 개재해서 반도체 칩을 BGA 기판에 마운팅했다. 마운팅 조건은 온도 120℃, 압력 0.1MPa, 1sec로 했다. 다음으로, 반도체 칩이 마운팅된 BGA 기판을 건조기로 130℃에서 1시간 열처리하고, 그 후 봉지 수지(닛토덴코(주)제, GE-100)로 패키징했다. 봉지 조건은 가열 온도 175℃, 90초로 했다. 그 후, 85℃, 60%Rh, 168시간의 조건 하에 흡습을 행하고, 추가로 260℃ 이상에서 10초간 유지하도록 설정한 IR 리플로우로(爐)에, 반도체 패키지를 재치했다. 그 후, 반도체 패키지를 유리 커터로 절단하고, 그 단면을 초음파 현미경으로 관찰하여, 접착 시트와 BGA 기판의 경계에서의 박리의 유무를 확인했다. 확인은 반도체 칩 9개에 대하여 행하고, 박리가 생긴 반도체 칩이 0개인 경우를 ○, 1개 이상인 경우를 ×로 했다.After each adhesive sheet (thickness 20 micrometers) was affixed to the semiconductor chip of 10 mm square under the conditions of the temperature of 40 degreeC, the semiconductor chip was mounted on the BGA board|substrate via the adhesive sheet. The mounting conditions were a temperature of 120°C, a pressure of 0.1 MPa, and 1 sec. Next, the BGA substrate on which the semiconductor chip was mounted was heat-treated with a dryer at 130° C. for 1 hour, and then packaged with an encapsulating resin (manufactured by Nitto Denko Co., Ltd., GE-100). The sealing conditions were made into the heating temperature of 175 degreeC, and 90 second. Thereafter, the semiconductor package was placed in an IR reflow furnace set to absorb moisture under the conditions of 85°C, 60%Rh, and 168 hours, and further hold at 260°C or higher for 10 seconds. Then, the semiconductor package was cut|disconnected with the glass cutter, the cross section was observed with the ultrasonic microscope, and the presence or absence of peeling at the boundary of an adhesive sheet and a BGA board|substrate was confirmed. Confirmation was performed with respect to 9 semiconductor chips, and the case where the number of the semiconductor chips in which peeling arose was 0 was made into (circle), and the case where 1 or more was made into x.

Figure 112014052663540-pat00001
Figure 112014052663540-pat00001

Figure 112014052663540-pat00002
Figure 112014052663540-pat00002

1: 기재
2: 점착제층
3, 3': 접착 시트
4: 반도체 웨이퍼
5: 반도체 칩
6: 피착체
7: 본딩 와이어
8: 봉지 수지
10, 12: 다이싱·다이 본딩 필름
11: 다이싱 필름
1: description
2: adhesive layer
3, 3': adhesive sheet
4: semiconductor wafer
5: semiconductor chip
6: adherend
7: bonding wire
8: encapsulation resin
10, 12: dicing die bonding film
11: Dicing film

Claims (14)

구상 알루미나 충전재와, 고분자량 성분(A) 및 저분자량 성분(B)을 포함하는 수지 성분을 포함하고,
상기 고분자량 성분(A)의 중량 평균 분자량은 10000 이상이고,
상기 저분자량 성분(B)의 중량 평균 분자량은 5000 이하이고,
상기 저분자량 성분(B)이 적어도 에폭시 수지 및 페놀 수지를 포함하고,
상기 고분자량 성분(A)이 아크릴 고무이고,
접착 시트 100중량부에 대하여, 상기 구상 알루미나 충전재의 함유량이 78∼88중량부이고,
상기 수지 성분의 함유량은 상기 접착 시트 100중량부에 대해 10중량부 이상 22중량부 이하이고,
상기 구상 알루미나 충전재의 평균 입경이 2∼9㎛, 비표면적이 0.8∼8.0m2/g이고,
상기 고분자량 성분(A)의 중량/상기 고분자량 성분(A) 및 상기 저분자량 성분(B)의 합계 중량으로 표시되는 중량 비율이 0.03∼0.25이고,
상기 구상 알루미나 충전재의 입도 분포에 있어서, 피크가 2개 이상 존재하고,
0.2∼0.8㎛의 입경 범위에 제 1 피크가 존재하고, 3∼15㎛의 입경 범위에 제 2 피크가 존재하고,
경화 전에 있어서의 130℃에서의 용융 점도가 5∼5000Pa·s이며,
경화 후의 유리 전이 온도가 100℃ 이상이고, 경화 후의 260℃에서의 인장 저장 탄성률이 10∼1000MPa인 접착 시트.
A spherical alumina filler and a resin component comprising a high molecular weight component (A) and a low molecular weight component (B),
The weight average molecular weight of the high molecular weight component (A) is 10000 or more,
The weight average molecular weight of the low molecular weight component (B) is 5000 or less,
The low molecular weight component (B) contains at least an epoxy resin and a phenol resin,
The high molecular weight component (A) is an acrylic rubber,
With respect to 100 parts by weight of the adhesive sheet, the content of the spherical alumina filler is 78 to 88 parts by weight,
The content of the resin component is 10 parts by weight or more and 22 parts by weight or less with respect to 100 parts by weight of the adhesive sheet,
The spherical alumina filler has an average particle diameter of 2 to 9 μm, and a specific surface area of 0.8 to 8.0 m 2 /g,
The weight ratio expressed by the weight of the high molecular weight component (A) / the total weight of the high molecular weight component (A) and the low molecular weight component (B) is 0.03 to 0.25,
In the particle size distribution of the spherical alumina filler, two or more peaks exist,
A first peak exists in a particle size range of 0.2 to 0.8 μm, and a second peak exists in a particle size range of 3 to 15 μm,
Melt viscosity at 130° C. before curing is 5 to 5000 Pa·s,
The adhesive sheet whose glass transition temperature after hardening is 100 degreeC or more, and the tensile storage elastic modulus in 260 degreeC after hardening is 10-1000 MPa.
제 1 항에 있어서,
제 2 피크의 입경/제 1 피크의 입경이 7∼15인 접착 시트.
The method of claim 1,
The adhesive sheet in which the particle diameter of 2nd peak / 1st peak particle diameter is 7-15.
제 1 항에 있어서,
상기 구상 알루미나 충전재가 실레인 커플링제로 처리된 것인 접착 시트.
The method of claim 1,
The adhesive sheet wherein the spherical alumina filler is treated with a silane coupling agent.
삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 에폭시 수지는 액상의 비스페놀형 에폭시 수지를 포함하고,
상기 액상의 비스페놀형 에폭시 수지의 중량/상기 저분자량 성분(B)의 중량으로 표시되는 중량 비율이 0.1∼0.6인 접착 시트.
The method of claim 1,
The epoxy resin includes a liquid bisphenol-type epoxy resin,
An adhesive sheet in which a weight ratio expressed by the weight of the liquid bisphenol-type epoxy resin/weight of the low molecular weight component (B) is 0.1 to 0.6.
삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 고분자량 성분(A)의 유리 전이 온도가 0℃ 이하인 접착 시트.
The method of claim 1,
The adhesive sheet whose glass transition temperature of the said high molecular weight component (A) is 0 degreeC or less.
제 1 항에 있어서,
상기 구상 알루미나 충전재의 최대 입경이 20㎛ 이하인 접착 시트.
The method of claim 1,
The adhesive sheet whose maximum particle diameter of the said spherical alumina filler is 20 micrometers or less.
제 1 항에 있어서,
경화 전에 있어서의 인장 시험 시의 파단 신장률이 10∼200%인 접착 시트.
The method of claim 1,
An adhesive sheet having an elongation at break of 10-200% in a tensile test before curing.
제 1 항에 있어서,
두께가 30㎛ 이하인 접착 시트.
The method of claim 1,
An adhesive sheet having a thickness of 30 µm or less.
제 1 항에 있어서,
다이 본딩 필름으로서 사용되는 접착 시트.
The method of claim 1,
An adhesive sheet used as a die bonding film.
제 1 항 내지 제 3 항, 제 5 항 및 제 7 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 기재된 접착 시트가, 점착제층이 부착된 기재의 상기 점착제층 상에 적층되어 있는 다이싱·다이 본딩 필름.The dicing die-bonding film in which the adhesive sheet in any one of Claims 1-3, 5, and 7-11 is laminated|stacked on the said adhesive layer of the base material with an adhesive layer. . 삭제delete 삭제delete
KR1020140067693A 2013-06-04 2014-06-03 Adhesive sheet, and dicing die-bonding film KR102267657B1 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013118065A JP6366228B2 (en) 2013-06-04 2013-06-04 Adhesive sheet and dicing die bonding film
JPJP-P-2013-118065 2013-06-04

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140142674A KR20140142674A (en) 2014-12-12
KR102267657B1 true KR102267657B1 (en) 2021-06-21

Family

ID=52094293

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140067693A KR102267657B1 (en) 2013-06-04 2014-06-03 Adhesive sheet, and dicing die-bonding film

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP6366228B2 (en)
KR (1) KR102267657B1 (en)
CN (1) CN104212375B (en)
TW (1) TWI649391B (en)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6611424B2 (en) * 2014-10-28 2019-11-27 デクセリアルズ株式会社 Thermosetting adhesive composition and thermosetting adhesive sheet
JP2016219619A (en) * 2015-05-21 2016-12-22 日東電工株式会社 Adhesive sheet, dicing tape-integrated adhesive sheet, film, manufacturing method of semiconductor device, and semiconductor device
JP7033003B2 (en) * 2018-05-23 2022-03-09 日東電工株式会社 Dicing die bond film
JP7232387B2 (en) * 2018-09-07 2023-03-03 株式会社プロテリアル Adhesion method and laminated magnet
KR102376144B1 (en) 2018-11-14 2022-03-18 주식회사 엘지화학 Resin composition for bonding semiconductor, adhesive film for semiconductor, dicing diebonding film, and method for dicing of semiconductor wafer using the same
JP7394782B2 (en) * 2018-11-20 2023-12-08 太陽ホールディングス株式会社 High voltage withstand heat dissipating insulating resin composition and electronic components using the same
KR102524818B1 (en) 2019-08-22 2023-04-25 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 Adhesive composition, film adhesive and manufacturing method thereof, semiconductor package using film adhesive and manufacturing method thereof
KR20220107926A (en) * 2021-01-26 2022-08-02 한화솔루션 주식회사 adhesive film with thermosetting property and coverlay film comprising the same
WO2023190321A1 (en) 2022-03-30 2023-10-05 古河電気工業株式会社 Composition for thermally conductive film-like adhesives, thermally conductive film-like adhesive, semiconductor package using thermally conductive film-like adhesive and method for producing same
CN116130563A (en) * 2023-04-14 2023-05-16 江西兆驰半导体有限公司 Substrate stripping method

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000080340A (en) * 1998-06-22 2000-03-21 Toshiba Chem Corp Electric insulating adhesive for electronic device and on-board device
JP2011023607A (en) * 2009-07-16 2011-02-03 Nitto Denko Corp Exoergic die-bonding film

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009041019A (en) * 2003-01-07 2009-02-26 Sekisui Chem Co Ltd Curable resin composition, adhesive epoxy resin paste, adhesive epoxy resin sheet, conductive connection paste, conductive connection sheet, and electronic component joined body
JP5380806B2 (en) * 2006-08-31 2014-01-08 日立化成株式会社 Adhesive sheet, integrated sheet, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device
JPWO2009001492A1 (en) * 2007-06-22 2010-08-26 住友ベークライト株式会社 Adhesive film and semiconductor device using the same
EP2452964A4 (en) * 2009-07-10 2014-06-11 Toray Industries Adhesive composition, adhesive sheet, circuit board and semiconductor device both produced using these, and processes for producing these
WO2011102170A1 (en) * 2010-02-19 2011-08-25 日本ゼオン株式会社 Thermally conductive pressure-sensitive adhesive composition, thermally conductive pressure-sensitive adhesive sheet, and electronic component
JP5566141B2 (en) * 2010-03-15 2014-08-06 リンテック株式会社 Adhesive composition, adhesive sheet and method for producing semiconductor device
JP2012186360A (en) 2011-03-07 2012-09-27 Nitto Denko Corp Dicing/die-bonding film and semiconductor element
JP2012186361A (en) 2011-03-07 2012-09-27 Nitto Denko Corp Dicing/die-bonding film and semiconductor element
JP5871428B2 (en) * 2011-03-16 2016-03-01 古河電気工業株式会社 High thermal conductive film adhesive composition, high thermal conductive film adhesive, semiconductor package using the same, and manufacturing method thereof
JP5541613B2 (en) * 2011-06-08 2014-07-09 信越化学工業株式会社 Thermally conductive adhesive composition, adhesive sheet, and thermally conductive dicing die attach film

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000080340A (en) * 1998-06-22 2000-03-21 Toshiba Chem Corp Electric insulating adhesive for electronic device and on-board device
JP2011023607A (en) * 2009-07-16 2011-02-03 Nitto Denko Corp Exoergic die-bonding film

Also Published As

Publication number Publication date
KR20140142674A (en) 2014-12-12
CN104212375A (en) 2014-12-17
TWI649391B (en) 2019-02-01
JP6366228B2 (en) 2018-08-01
CN104212375B (en) 2019-04-02
TW201504384A (en) 2015-02-01
JP2014234482A (en) 2014-12-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102267657B1 (en) Adhesive sheet, and dicing die-bonding film
CN105647405B (en) Conductive film-like adhesive, dicing tape with film-like adhesive, and method for manufacturing semiconductor device
KR102062409B1 (en) Film-like adhesive, dicing tape with film-like adhesive, method for producing semiconductor device and semiconductor device
KR102322527B1 (en) Thermosetting die bond film, dicing·die bond film and manufacturing method for semiconductor device
KR102212774B1 (en) Film-like adhesive, dicing tape-integrated film-like adhesive, and method for manufacturing semiconductor device
WO2015105028A1 (en) Film-like adhesive, dicing tape with film-like adhesive, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device
KR102436526B1 (en) Dicing sheet, dicing/die-bonding film, and method for manufacturing semiconductor device
JP2011023607A (en) Exoergic die-bonding film
CN105623533B (en) Adhesive sheet, adhesive sheet with dicing sheet, laminated sheet, and method for manufacturing semiconductor device
KR20100134739A (en) Dicing die-bonding film
JP2010171402A (en) Thermosetting die-bonding film
KR20120104109A (en) Die-bonding film and use thereof
CN107434955B (en) Die bonding film, dicing die bonding film, and method for manufacturing semiconductor device
JP5580730B2 (en) Dicing die bond film and semiconductor element
JP2013038408A (en) Adhesive tape for fixing semiconductor wafer, method for manufacturing semiconductor chip and adhesive tape with adhesive film
CN104946146B (en) Die bonding film, die bonding film with dicing sheet, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device
KR20120053968A (en) Die bonding film, dicing/die bonding film, method for manufacturing die bonding film and semiconductor device having die bonding film
CN111334212A (en) Adhesive film, adhesive film with dicing tape, and method for manufacturing semiconductor device
KR102408996B1 (en) Adhesive sheet, adhesive sheet with dicing sheet, and method of manufacturing semiconductor device
JP5749314B2 (en) Heat dissipation die bond film
JP2012186361A (en) Dicing/die-bonding film and semiconductor element
JP5976716B2 (en) Thermosetting die bond film
KR102080352B1 (en) Dicing die-bonding film equipped with separator
JP6013709B2 (en) Thermosetting die bond film, dicing die bond film, and semiconductor device manufacturing method
JP2015129225A (en) Film type adhesive, dicing tape with film type adhesive, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant