KR102263075B1 - A light converting resin composition, a light converting unit and a display device using the same - Google Patents
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Abstract
본 발명에 따른 광변환 수지 조성물은 양자점; 산란체; 및 카도계 수지 및 3,4-에폭시트리시클로[5.2.1.02,6] 데칸환 함유 중합성 불포화 화합물 유래의 반복단위를 포함하는 에폭시 수지를 포함하는 알칼리 가용성 수지;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 광변환 수지 조성물은 휘도 특성 및 신뢰성이 우수한 광변환 적층기재 및 화상표시장치의 제공이 가능하다.The light conversion resin composition according to the present invention includes quantum dots; scattering body; and an alkali-soluble resin comprising a cardo-based resin and an epoxy resin containing a repeating unit derived from a cardo-based resin and a 3,4-epoxytricyclo[5.2.1.0 2,6]decane ring-containing polymerizable unsaturated compound; .
The light conversion resin composition according to the present invention can provide a light conversion laminated substrate and an image display device having excellent luminance characteristics and reliability.
Description
본 발명은 광변환 수지 조성물 및 광변환 적층기재, 이를 이용한 화상표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to a light conversion resin composition, a light conversion laminated substrate, and an image display device using the same.
발광 소자(Light Emitting Diode, LED)를 백라이트 유닛(Back Light Unit, BLU) 으로 사용하는 LCD(Liguid Crystal Diplay) TV에서 LED BLU는 빛을 실제로 발하는 부분으로써 LCD TV에서 가장 중요한 부분 중에 하나이다.In an LCD (Liguid Crystal Display) TV that uses a light emitting diode (LED) as a backlight unit (BLU), the LED BLU is one of the most important parts of the LCD TV as it actually emits light.
백색의 LED BLU를 형성하는 방법으로는 통상 적색(Red, R), 녹색(Green, G) 및 청색(Blue, B) LED 칩을 조합하여 백색의 LED BLU를 형성하거나, 청색 LED칩과 넓은 반치폭의 발광파장을 가진 황색(Yellow, Y) 형광체의 조합을 용하여 백색을 구현하고 있다.As a method of forming a white LED BLU, a white LED BLU is usually formed by combining red (Red, R), green (Green, G), and blue (Blue, B) LED chips, or a blue LED chip and a wide half-width at half maximum. White is realized by using a combination of yellow (Y) phosphors with an emission wavelength of .
하지만, 적색, 녹색, 청색의 LED 칩을 조합하는 경우에는 LED 칩의 개수 및 복잡한 공정에 따라 제조비용이 높은 문제가 있고, 청색 LED칩에 황색 형광체를 조합하는 경우에는, 녹색 및 적색의 파장구분이 되지 않아 색순도가 떨어지고, 이에 따른 색재현성 저하의 문제가 있어, 최근에는 대한민국 공개특허 제2014-0094806호, 대한민국 공개특허 제2015-0022516호, 대한민국 공개특허 제2016-0117063호, 대한민국 공개특허 제2016-0017921호에서와 같이 청색의 LED칩을 사용한 백라이트에 양자점이 포함된 광학필름을 적용하여 화상표시장치의 색재현성 및 휘도를 향상하고자 하고 있다.However, in the case of combining red, green, and blue LED chips, there is a problem of high manufacturing cost depending on the number of LED chips and a complicated process. In the case of combining a yellow phosphor with a blue LED chip, wavelength classification of green and red This does not work, so the color purity is lowered, and there is a problem of a decrease in color reproducibility. Recently, Korean Patent Application Publication No. 2014-0094806, Korean Patent Publication No. 2015-0022516, Korean Patent Application Publication No. 2016-0117063, Korean Patent Publication No. As in 2016-0017921, an optical film containing quantum dots is applied to a backlight using a blue LED chip to improve color reproducibility and luminance of an image display device.
그러나 코팅 조성물 제조에 있어 극성이 매우 낮은 화합물의 리간드를 사용하여 톨루엔, 헥산, 클로로포름과 같은 용제의 사용이 불가피하여 작업자가 인체에 유해한 용제에 노출된 환경에서 작업을 실시해야 하는 문제가 있다. However, there is a problem in that the use of solvents such as toluene, hexane, and chloroform is inevitable by using a ligand of a compound with very low polarity in the preparation of the coating composition, so that the worker must work in an environment exposed to solvents harmful to the human body.
또한, 상기의 광학필름의 경우 양자점이 포함된 발광층 이외에 베리어층, 기재층 등 구조가 복잡해 지고, 이에 따른 양자점의 발광휘도 저하가 발생할 수 있으며, 제조공정 중 너무 높은 온도로 필름 제작 시 양자점이 소광하는 문제점이 발생할 수 있다.In addition, in the case of the above optical film, in addition to the light emitting layer containing quantum dots, the structure of the barrier layer and the base layer becomes complicated, and accordingly, the emission luminance of the quantum dots may decrease, and the quantum dots are quenched when the film is manufactured at too high a temperature during the manufacturing process. problems may arise.
그리고, 광학필름 형태로 가공하기 위해 낮은 공정온도에서 진행함에 따라 장기 신뢰성에 문제가 있어 이에 대한 개선이 요구되고 있다.And, there is a problem in long-term reliability as it is processed at a low process temperature in order to process the optical film in the form of an optical film, so improvement is required.
본 발명은 휘도 특성 및 신뢰성이 우수한 광변환 수지 조성물 및 광변환 적층기재, 이를 이용한 화상표시장치를 제공하고자 한다.An object of the present invention is to provide a light conversion resin composition having excellent luminance characteristics and reliability, a light conversion laminated substrate, and an image display device using the same.
본 발명은 양자점; 산란체; 및 카도계 수지 및 3,4-에폭시트리시클로[5.2.1.02,6] 데칸환 함유 중합성 불포화 화합물 유래의 반복단위를 포함하는 에폭시 수지를 포함하는 알칼리 가용성 수지;를 포함하는 광변환 수지 조성물을 제공한다.The present invention is quantum dots; scattering body; And alkali-soluble resin comprising a cardo-based resin and an epoxy resin comprising a repeating unit derived from a cardo-based resin and a 3,4-epoxytricyclo[5.2.1.0 2,6] decane ring-containing polymerizable unsaturated compound; light conversion resin composition comprising provides
또한, 본 발명은 전술한 광변환 수지 조성물의 경화물을 포함하는 광변환 적층기재를 제공한다.In addition, the present invention provides a light conversion laminated substrate comprising a cured product of the above-described light conversion resin composition.
또한, 본 발명은 전술한 광변환 적층기재를 포함하는 화상표시장치를 제공한다.In addition, the present invention provides an image display device including the above-described light conversion laminated substrate.
본 발명에 따른 광변환 수지 조성물은 3,4-에폭시트리시클로[5.2.1.02,6] 데칸환 함유 중합성 불포화 화합물 유래의 반복단위를 포함하는 에폭시 수지를 포함하는 알칼리 가용성 수지를 포함함으로서 저온 공정에서 도막의 경화도를 향상시킬 수 있으며, 저온 공정 진행으로 인해서 양자점이 소광되는 현상을 억제하여, 휘도 특성 및 신뢰성이 우수한 이점이 있다.The light conversion resin composition according to the present invention comprises an alkali-soluble resin comprising an epoxy resin containing a repeating unit derived from a 3,4-epoxytricyclo[5.2.1.0 2,6] decane ring-containing polymerizable unsaturated compound. It is possible to improve the degree of curing of the coating film in the process, and suppress the phenomenon that the quantum dots are quenched due to the low-temperature process, there is an advantage of excellent luminance characteristics and reliability.
또한, 본 발명에 따른 광변환 수지 조성물로 제조된 광변환 적층기재 및 이를 이용한 화상표시장치는 휘도 및 신뢰성이 우수한 이점이 있다.In addition, the light conversion laminated substrate prepared from the light conversion resin composition according to the present invention and an image display device using the same have advantages of excellent luminance and reliability.
이하, 본 발명에 대하여 더욱 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail.
본 발명에서 어떤 부재가 다른 부재 "상에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.In the present invention, when a member is said to be located "on" another member, this includes not only a case in which a member is in contact with another member but also a case in which another member is present between the two members.
본 발명에서 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.In the present invention, when a part "includes" a certain component, this means that other components may be further included rather than excluding other components unless otherwise stated.
<< 광변환light conversion 수지 조성물> Resin composition>
본 발명의 한 양태는, 양자점; 산란체; 및 카도계 수지 및 3,4-에폭시트리시클로[5.2.1.02,6] 데칸환 함유 중합성 불포화 화합물 유래의 반복단위를 포함하는 에폭시 수지를 포함하는 알칼리 가용성 수지;를 포함하는 광변환 수지 조성물에 관한 것이다.One aspect of the present invention, quantum dots; scattering body; And alkali-soluble resin comprising a cardo-based resin and an epoxy resin comprising a repeating unit derived from a cardo-based resin and a 3,4-epoxytricyclo[5.2.1.0 2,6] decane ring-containing polymerizable unsaturated compound; light conversion resin composition comprising is about
양자점quantum dots
본 발명에 따른 광변환 수지 조성물은 양자점을 포함한다.The light conversion resin composition according to the present invention includes quantum dots.
본 발명의 광변환 수지 조성물에 포함되는 양자점은 나노 크기의 반도체 물질이다. 원자가 분자를 이루고, 분자는 클러스터(cluster)라고 하는 작은 분자들의 집합체를 구성하여 나노 입자를 이루는데, 이러한 나노 입자들이 특히 반도체의 특성을 띠고 있을 때 이를 양자점이라고 한다. 이러한 양자점은 외부에서 에너지를 받아 들뜬 상태에 이르면, 자체적으로 에너지 밴드 갭에 해당하는 에너지를 방출하는 특성을 가지고 있다. 요컨대, 본 발명의 광변환 수지 조성물은 이러한 양자점을 포함함으로써, 입사된 청색광원을 통해 녹색광 및 적색광으로의 광변환이 가능하다.The quantum dots included in the light conversion resin composition of the present invention are nano-sized semiconductor materials. Atoms form molecules, and molecules form an aggregate of small molecules called clusters to form nanoparticles. When these nanoparticles have semiconductor characteristics, they are called quantum dots. When these quantum dots receive energy from the outside and reach an excited state, they have a characteristic of emitting energy corresponding to the energy band gap. In short, the light conversion resin composition of the present invention includes such quantum dots, it is possible to convert the light into green light and red light through the incident blue light source.
상기 양자점은 광에 의한 자극으로 발광할 수 있는 것이라면 특별히 한정하지 않나, 비카드뮴계인 것이 바람직하며, 예컨대, II-VI족 반도체 화합물, III-V족 반도체 화합물, IV-VI족 반도체 화합물, 및 IV족 원소 또는 이를 포함하는 화합물로부터 선택되는 1종 이상을 사용할 수 있다..The quantum dots are not particularly limited as long as they can emit light by stimulation by light, and are preferably non-cadmium-based, for example, group II-VI semiconductor compounds, group III-V semiconductor compounds, group IV-VI semiconductor compounds, and IV. At least one member selected from a group element or a compound containing the same may be used.
상기 II-VI족 반도체 화합물은 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상일 수 있고, The group II-VI semiconductor compound may include a binary compound selected from the group consisting of CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe, and mixtures thereof; a triatomic compound selected from the group consisting of CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe and mixtures thereof; and CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe, and mixtures thereof.
상기 III-V족 반도체 화합물은 GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상일 수 있다.The group III-V semiconductor compound may include a binary compound selected from the group consisting of GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb, and mixtures thereof; a ternary compound selected from the group consisting of GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP, and mixtures thereof; and one selected from the group consisting of quaternary compounds selected from the group consisting of GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb, and mixtures thereof. may be more than
상기 IV-VI족 반도체 화합물은 SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상일 수 있다.The group IV-VI semiconductor compound may include a binary compound selected from the group consisting of SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe, and mixtures thereof; a ternary compound selected from the group consisting of SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe, and mixtures thereof; and SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe, and a quaternary compound selected from the group consisting of mixtures thereof.
상기 IV족 원소 또는 이를 포함하는 화합물은 Si, Ge, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 원소 화합물; 및 SiC, SiGe, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상일 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The group IV element or a compound containing the same is an elemental compound selected from the group consisting of Si, Ge, and mixtures thereof; And SiC, SiGe, and may be one or more selected from the group consisting of a binary compound selected from the group consisting of mixtures thereof, but is not limited thereto.
상기 양자점은 균질한(homogeneous) 단일 구조; 코어-쉘(core-shell) 구조, 그래디언트(gradient) 구조 등과 같은 이중 구조; 또는 이들의 혼합 구조일 수 있다. 예를 들어 상기 코어-쉘(core-shell)의 이중 구조에서, 각각의 코어(core)와 쉘(shell)을 이루는 물질은 상기 언급된 서로 다른 반도체 화합물로 이루어질 수 있다.The quantum dots have a homogeneous single structure; dual structures such as core-shell structures, gradient structures, and the like; or a mixed structure thereof. For example, in the double structure of the core-shell, the materials constituting each core and the shell may be made of the different semiconductor compounds mentioned above.
본 발명의 일 실시형태에 있어서, 상기 코어는 GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 물질을 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 쉘은 ZnSe, ZnS 및 ZnTe로부터 선택되는 1종 이상의 물질을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In one embodiment of the present invention, the core is a binary compound selected from the group consisting of GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb, and mixtures thereof; a ternary compound selected from the group consisting of GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP, and mixtures thereof; and one selected from the group consisting of quaternary compounds selected from the group consisting of GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb, and mixtures thereof. It may include the above materials, but is not limited thereto. The shell may include one or more materials selected from ZnSe, ZnS, and ZnTe, but is not limited thereto.
본 발명의 또 다른 실시형태에 있어서, 상기 양자점은 InP 코어를 가지는 비카드뮴계 양자점일 수 있다.In another embodiment of the present invention, the quantum dots may be non-cadmium-based quantum dots having an InP core.
본 발명에 따른 양자점은 InP 코어와 서로 다른 구성을 가지는 쉘을 포함하며, 상기 쉘은 2층 이상일 수도 있으나 이에 한정되지는 않는다.The quantum dot according to the present invention includes a shell having a different configuration from the InP core, and the shell may have two or more layers, but is not limited thereto.
상기 코어는 약 2~10nm 사이즈의 중심체이고, 쉘은 코어의 표면에 형성된다.The core is a central body having a size of about 2 to 10 nm, and the shell is formed on the surface of the core.
본 발명의 또 다른 실시형태에 있어서, 상기 양자점은 InP/ZnS, InP/ZnSe, InP/GaP/ZnS, InP/ZnSe/ZnS, InP/ZnSeTe/ZnS 및 InP/MnSe/ZnS로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있다.In another embodiment of the present invention, the quantum dots are selected from the group consisting of InP/ZnS, InP/ZnSe, InP/GaP/ZnS, InP/ZnSe/ZnS, InP/ZnSeTe/ZnS and InP/MnSe/ZnS. It may include one or more types.
상기 양자점은 습식 화학 공정(wet chemical process), 유기금속 화학증착 공정(MOCVD, metal organic chemical vapor deposition) 또는 분자선 에피텍시 공정(MBE, molecular beam epitaxy)에 의해 합성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. The quantum dots may be synthesized by a wet chemical process, a metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) process, or a molecular beam epitaxy (MBE) process, but is not limited thereto. .
본 발명의 또 다른 실시형태에 있어서, 상기 양자점은 2종 이상의 양자점을 포함할 수 있다. 상기 양자점이 2종 이상의 양자점을 포함하는 경우 색재현성이 더욱 우수한 디스플레이를 제공할 수 있는 이점이 있어 바람직하다.본 발명의 또 다른 실시형태에 있어서, 상기 양자점은 중심여기파장이 서로 50nm 이상 차이가 나는 2종 이상의 양자점일 수 있다.In another embodiment of the present invention, the quantum dots may include two or more types of quantum dots. When the quantum dots include two or more types of quantum dots, there is an advantage that a display with better color reproducibility can be provided. In another embodiment of the present invention, the quantum dots have a central excitation wavelength difference of 50 nm or more from each other. I can be two or more types of quantum dots.
구체적으로, 상기 양자점은 입사된 청색광원을 이용하여, 녹색광 및 적색광으로의 광변환을 위해 중심여기파장이 서로 다른 2종 또는 그 이상의 양자점을 포함 할 수 있다. 서로 다른 2종 이상의 양자점의 바람직한 중심여기파장의 차이는 30 내지 100nm, 더욱 바람직하게는 40 내지 60nm일 수 있다.Specifically, the quantum dots may include two or more types of quantum dots having different central excitation wavelengths for light conversion into green light and red light using an incident blue light source. The difference in the preferred central excitation wavelength of two or more different quantum dots may be 30 to 100 nm, more preferably 40 to 60 nm.
상기 양자점은 광변환 수지 조성물 중 고형분 전체 100 중량부에 대하여 1 내지 60 중량부, 바람직하게는 2 내지 50 중량부, 더욱 바람직하게는 2 내지 20 중량부로 포함될 수 있다. 상기 양자점이 상기 범위 내로 포함될 경우 발광 효율이 우수하고, 코팅층의 광유지율과 같은 광특성 신뢰성이 우수한 이점이 있다. 상기 양자점이 상기 범위 미만으로 포함되는 경우 녹색광 및 적색광의 광변환 효율이 미비할 수 있고, 상기 범위를 초과하는 경우 상대적으로 청색광의 방출이 저하되어 색재현성이 떨어지는 문제가 발생될 수 있다.The quantum dots may be included in an amount of 1 to 60 parts by weight, preferably 2 to 50 parts by weight, more preferably 2 to 20 parts by weight based on 100 parts by weight of the total solid content of the light conversion resin composition. When the quantum dots are included within the above range, there is an advantage in that luminous efficiency is excellent, and optical property reliability such as light retention of the coating layer is excellent. When the quantum dots are included in less than the above range, the light conversion efficiency of green light and red light may be insufficient, and when the quantum dot exceeds the above range, the emission of blue light is relatively reduced, thereby causing a problem in color reproducibility.
본 발명의 또 다른 실시형태에 있어서, 상기 양자점은 폴리에틸렌 글리콜계 리간드를 포함할 수 있다. 상기 양자점이 상기 폴리에틸렌 글리콜계 리간드를 포함하는 경우 양자점의 분산성 및 광특성을 개선할 수 있어 바람직하다. 또한, 톨루엔, 헥산, 클로로포름과 같이 휘발성이 큰 용제가 아닌, 컬러필터 양산라인에서 사용되고 있는 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트와 같은 용제를 사용해도 양자점의 분산 특성이 양호한 효과가 있다.In another embodiment of the present invention, the quantum dots may include a polyethylene glycol-based ligand. When the quantum dot includes the polyethylene glycol-based ligand, it is preferable to improve dispersibility and optical properties of the quantum dot. In addition, even if a solvent such as propylene glycol monomethyl ether acetate used in a color filter mass production line is used instead of a solvent with high volatility such as toluene, hexane, or chloroform, the dispersion characteristics of quantum dots are good.
본 발명의 또 다른 실시형태에 있어서, 상기 폴리에틸렌 글리콜계 리간드는 하기 화학식 10으로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.In another embodiment of the present invention, the polyethylene glycol-based ligand may include a compound represented by the following formula (10).
[화학식 10][Formula 10]
상기 화학식 10에서,In the formula (10),
A1은 하기 화학식 10-1로 표시되며, A 1 is represented by the following formula 10-1,
A2는 수소원자, 머캅토(
c는 2 내지 100의 정수이다.c is an integer from 2 to 100;
[화학식 10-1][Formula 10-1]
상기 화학식 10-1에서,In Formula 10-1,
A3는 직접연결기 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬렌기이고, A 3 is a direct linking group or an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms,
A4는 하기 화학식 10-2로 표시되며,A 4 is represented by the following formula 10-2,
*은 결합손을 의미한다.* means a bonding hand.
[화학식 10-2][Formula 10-2]
상기 화학식 10-2에서,In Formula 10-2,
A5는 산소원자 또는 황원자이며,A 5 is an oxygen atom or a sulfur atom,
A6는 직접연결기 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬렌기이고,A 6 is a direct linking group or an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms,
A7은 머캅토(
d는 0 내지 1의 정수이고, d is an integer from 0 to 1,
e는 0 내지 10의 정수이며,e is an integer from 0 to 10,
*은 결합손을 의미한다.* means a bonding hand.
본 발명에 있어서, 본 발명에서 "알킬"이란, 별 다른 설명이 없는 한 직쇄 또는 분지쇄일 수 있으며, 예컨대 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, n-부틸, 이소부틸, tert-부틸, sec-부틸, 1-메틸-부틸, 1-에틸-부틸, n-펜틸, 이소펜틸, 네오펜틸, tert-펜틸, n-헥실, 1-메틸펜틸, 2-메틸펜틸, 4-메틸-2-펜틸, 3,3-디메틸부틸, 2-에틸부틸, n-헵틸, 1-메틸헥실, n-옥틸, tert-옥틸, 1-메틸헵틸, 2-에틸헥실, 2-프로필펜틸, n-노닐, 2,2-디메틸헵틸, 1-에틸-프로필, 1,1-디메틸-프로필, 이소헥실, 2-메틸펜틸, 4-메틸헥실, 5-메틸헥실 등을 들 수 있으나, 이들로 한정되는 것은 아니다.In the present invention, "alkyl" in the present invention, unless otherwise specified, may be straight-chain or branched, for example, methyl, ethyl, n-propyl, isopropyl, n-butyl, isobutyl, tert-butyl, sec -Butyl, 1-methyl-butyl, 1-ethyl-butyl, n-pentyl, isopentyl, neopentyl, tert-pentyl, n-hexyl, 1-methylpentyl, 2-methylpentyl, 4-methyl-2-pentyl , 3,3-dimethylbutyl, 2-ethylbutyl, n-heptyl, 1-methylhexyl, n-octyl, tert-octyl, 1-methylheptyl, 2-ethylhexyl, 2-propylpentyl, n-nonyl, 2 ,2-dimethylheptyl, 1-ethyl-propyl, 1,1-dimethyl-propyl, isohexyl, 2-methylpentyl, 4-methylhexyl, 5-methylhexyl, and the like, but are not limited thereto.
본 발명에 있어서, "알킬렌기"란 2가인 것을 제외하고는 전술한 "알킬"에 대한 내용을 적용할 수 있다.In the present invention, the contents of the above-mentioned "alkyl" can be applied except that the "alkylene group" is divalent.
본 발명의 또 다른 실시형태에 있어서, 상기 화학식 10으로 표시되는 화합물은 하기 화학식 11로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.In another embodiment of the present invention, the compound represented by Formula 10 may include a compound represented by Formula 11 below.
[화학식 11][Formula 11]
상기 화학식 11에서, In the above formula (11),
A2는 머캅토(
f는 0 내지 5의 정수, g는 0 내지 1의 정수, h는 2 내지 50 의 정수이다.f is an integer from 0 to 5, g is an integer from 0 to 1, and h is an integer from 2 to 50.
상기 폴리에틸렌 글리콜계 리간드가 상기 화학식 11로 표시되는 화합물을 포함하는 경우 분산성 및 광특성의 개선이 보다 우수하기 때문에 바람직하다.When the polyethylene glycol-based ligand includes the compound represented by Chemical Formula 11, it is preferable because the improvement of dispersibility and optical properties is more excellent.
상기 폴리에틸렌 글리콜계 리간드의 구체적인 예로서는, 2-(2-메톡시에톡시)아세트산(2-(2-Methoxyethoxy)acetic acid(WAKO사)), 2-[2-(2-메톡시에톡시)에톡시]아세트산(2-[2-(2-Methoxyethoxy)ethoxy]acetic acid(WAKO사)), 숙신산 모노-[2-(2-메톡시-에톡시)-에틸]에스테르(Succinic acid mono-[2-(2-methoxy-ethoxy)-ethyl] ester), 말론산 모노-[2-(2-메톡시-에톡시)-에틸]에스테르(Malonic acid mono-[2-(2-methoxy-ethoxy)-ethyl] ester), 펜탄디온산 모노-{2-[2-(2-에톡시-에톡시)-에톡시]-에틸}에스테르(Pentanedioic acid mono-{2-[2-(2-ethoxy-ethoxy)-ethoxy]-ethyl} ester), {2-[2-(2-에틸-헥실옥시)-에톡시]-에톡시}-아세트산({2-[2-(2-Ethyl-hexyloxy)-ethoxy]-ethoxy}-acetic acid), 숙신산 모노-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-에톡시-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에톡시)-에틸]에스테르(Succinic acid mono-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-ethoxy-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethyl] ester), 숙신산 모노-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-메톡시-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에톡시)-에틸]에스테르(Succinic acid mono-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-methoxy-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethyl] ester), 말론산 모노-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-이소부톡시-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에톡시)-에틸]에스테르(Malonic acid mono-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-isobutoxy-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethyl] ester), 헥산디온산 모노-[2-(2-{2-[2-(2-메톡시-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에톡시)-에틸] 에스테르(Hexanedioic acid mono-[2-(2-{2-[2-(2-methoxy-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethyl] ester), 2-옥소-헥산디온산 6-(2-{2-[2-(2-에톡시-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에틸)에스테르(2-Oxo-hexanedioic acid 6-(2-{2-[2-(2-ethoxy-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethyl) ester), 숙신산 모노-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-메톡시-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에톡시)-에틸]에스테르(Succinic acid mono-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-methoxy-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethyl] ester), O-(숙시닐)-O′-메틸폴리에틸렌글리콜 2'000(O-(Succinyl)-O′-methylpolyethylene glycol 2'000, Aldrich사), (2-부톡시-에톡시)-아세트산((2-Butoxy-ethoxy)-acetic acid, WAKO사), {2-[2-(카복시메톡시)에톡시]에톡시}아세트산({2-[2-(carboxymethoxy)ethoxy]ethoxy}acetic acid, WAKO사), 2-[2-(벤질옥시)에톡시]아세트산(2-[2-(Benzyloxy)ethoxy]acetic acid), (2-카복시메톡시-에톡시)-아세트산((2-Carboxymethoxy-ethoxy)-acetic acid, WAKO사), (2-부톡시-에톡시)-아세트산((2-Butoxy-ethoxy)-acetic acid, WAKO사)등을 들 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.Specific examples of the polyethylene glycol-based ligand include 2-(2-methoxyethoxy)acetic acid (WAKO), 2-[2-(2-methoxyethoxy) Toxy]acetic acid (2-[2-(2-Methoxyethoxy)ethoxy]acetic acid (WAKO)), succinic acid mono-[2-(2-methoxy-ethoxy)-ethyl]ester (Succinic acid mono-[2) -(2-methoxy-ethoxy)-ethyl] ester), Malonic acid mono-[2-(2-methoxy-ethoxy)- ethyl] ester), pentanedioic acid mono-{2-[2-(2-ethoxy-ethoxy)-ethoxy]-ethyl} ester (Pentanedioic acid mono-{2-[2-(2-ethoxy-ethoxy) )-ethoxy]-ethyl} ester), {2-[2-(2-ethyl-hexyloxy)-ethoxy]-ethoxy}-acetic acid ({2-[2-(2-Ethyl-hexyloxy)- ethoxy]-ethoxy}-acetic acid), succinic acid mono-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-ethoxy-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy) }-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethyl] ester (Succinic acid mono-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-) ethoxy-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethyl] ester), succinic acid mono-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-{2-[ 2-(2-{2-[2-(2-Methoxy-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethoxy]- Toxy}-ethoxy)-ethyl]ester (Succinic acid mono-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-methoxy-) ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethyl] ester), malonic acid mono-[2-(2-{ 2-[2-(2-{2-[2-(2-Isobutoxy-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethyl] Ester (Malonic acid mono-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-isobutoxy-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}- ethoxy)-ethyl] ester), hexanedioic acid mono-[2-(2-{2-[2-(2-methoxy-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethyl] ester (Hexanedioic acid mono-[2-(2-{2-[2-(2-methoxy-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethyl] ester), 2-oxo-hexanedioic acid 6-(2 -{2-[2-(2-ethoxy-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethyl)ester (2-Oxo-hexanedioic acid 6-(2-{2-[2-(2-ethoxy -ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethyl) ester), succinic acid mono-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2) -{2-[2-(2-{2-[2-(2-Methoxy-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)- Ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethyl] ester (Succinic acid mono- [2- (2-) {2-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-methoxy-ethoxy)- ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethyl] ester), O-(succinyl)-O'-methylpolyethylene glycol 2'000 (O-(Succinyl)-O'-methylpolyethylene glycol 2'000, Aldrich), (2-butoxy-ethoxy)-acetic acid ((2 -Butoxy-ethoxy)-acetic acid, WAKO), {2-[2-(carboxymethoxy) Si)ethoxy]ethoxy}acetic acid ({2-[2-(carboxymethoxy)ethoxy]ethoxy}acetic acid, WAKO), 2-[2-(benzyloxy)ethoxy]acetic acid (2-[2-( Benzyloxy)ethoxy]acetic acid), (2-carboxymethoxy-ethoxy)-acetic acid ((2-Carboxymethoxy-ethoxy)-acetic acid, WAKO), (2-butoxy-ethoxy)-acetic acid ((2 -Butoxy-ethoxy)-acetic acid, WAKO Corporation), etc., but are not limited thereto.
상기 양자점의 표면의 일부를 유기 리간드로 치환하는 방법은 본 발명에서는 제한하지 않으며, 당업계에서 수행되는 통상적인 방법을 사용할 수 있다.A method of substituting a part of the surface of the quantum dot with an organic ligand is not limited in the present invention, and a conventional method performed in the art may be used.
상기 리간드는 상기 양자점 전체 100 중량부에 대하여 1 내지 40 중량부, 바람직하게는 10 내지 40 중량부, 더욱 바람직하게는 15 내지 40 중량부로 포함될 수 있으며, 이 경우 양자점의 분산특성이 우수하면서도 이를 이용하여 제조되는 막의 경화 특성이 우수하기 때문에 바람직하다.The ligand may be included in an amount of 1 to 40 parts by weight, preferably 10 to 40 parts by weight, more preferably 15 to 40 parts by weight, based on 100 parts by weight of the total quantum dot, and in this case, the quantum dot has excellent dispersion properties and uses the same It is preferable because the curing properties of the film produced by the process are excellent.
산란체scattering body
본 발명에 따른 광변환 수지 조성물은 산란체를 포함한다.The light conversion resin composition according to the present invention includes a scatterer.
상기 산란체는 통상의 무기 재료를 사용할 수 있으며, 바람직하게는 평균입경이 30 내지 1000nm인 금속산화물을 포함할 수 있다.The scatterer may use a conventional inorganic material, and preferably may include a metal oxide having an average particle diameter of 30 to 1000 nm.
상기 금속산화물은 Li, Be, B, Na, Mg, Al, Si, K, Ca, Sc, V, Cr, Mn, Fe, Ni, Cu, Zn, Ga, Ge, Rb, Sr, Y, Mo, Cs, Ba, La, Hf, W, Tl, Pb, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Ti, Sb, Sn, Zr, Nb, Ce, Ta, In 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 1종의 금속을 포함하는 산화물일 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.The metal oxide is Li, Be, B, Na, Mg, Al, Si, K, Ca, Sc, V, Cr, Mn, Fe, Ni, Cu, Zn, Ga, Ge, Rb, Sr, Y, Mo, Cs, Ba, La, Hf, W, Tl, Pb, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Ti, Sb, Sn, Zr, Nb, It may be an oxide including one type of metal selected from the group consisting of Ce, Ta, In, and combinations thereof, but is not limited thereto.
본 발명의 또 다른 실시형태에 있어서, 상기 산란체는 Al2O3, SiO2, ZnO, ZrO2, BaTiO3, TiO2, Ta2O5, Ti3O5, ITO, IZO, ATO, ZnO-Al, Nb2O3, SnO, MgO 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 1 이상을 포함할 수 있다.In another embodiment of the present invention, the scatterer is Al 2 O 3 , SiO 2 , ZnO, ZrO 2 , BaTiO 3 , TiO 2 , Ta 2 O 5 , Ti 3 O 5 , ITO, IZO, ATO, ZnO -Al, Nb 2 O 3 , SnO, MgO, and may include one or more selected from the group consisting of combinations thereof.
필요한 경우 아크릴레이트 등의 불포화 결합을 갖는 화합물로 표면 처리된 재질도 사용 가능하다.If necessary, a material surface-treated with a compound having an unsaturated bond such as acrylate may be used.
본 발명에 따른 광변환 수지 조성물이 산란체를 포함할 경우 상기 산란체를 통해 양자점에서 방출된 광의 경로를 증가시켜 광변환 코팅층에서의 전체적인 광효율을 높일 수 있어 바람직하다.When the light conversion resin composition according to the present invention includes a scatterer, it is preferable to increase the path of light emitted from the quantum dots through the scatterer to increase overall light efficiency in the light conversion coating layer.
상기 산란체는 30 내지 1000 nm의 평균입경을 가질 수 있으며, 바람직하기로 100 내지 500 nm 범위인 것을 사용한다. 이때 입자 크기가 너무 작으면 양자점으로부터 방출된 빛의 충분한 산란 효과를 기대할 수 없고, 이와 반대로 너무 큰 경우에는 조성물 내에 가라 앉거나 균일한 품질의 광변환 적층기재 표면을 얻을 수 없으므로, 상기 범위 내에서 적절히 조절하여 사용한다.The scatterer may have an average particle diameter of 30 to 1000 nm, and preferably, use in the range of 100 to 500 nm. At this time, if the particle size is too small, a sufficient scattering effect of light emitted from the quantum dots cannot be expected. On the contrary, if it is too large, it sinks in the composition or it is not possible to obtain a light conversion laminated substrate surface of uniform quality, so within the above range Adjust and use appropriately.
상기 산란체는 상기 광변환 수지 조성물 중 고형분 전체 100 중량부에 대하여 0.5 내지 20 중량부, 바람직하게는 0.8 내지 15 중량부, 더욱 바람직하게는 1 내지 10 중량부로 사용할 수 있다. 상기 산란체가 상기 범위 내로 포함될 경우 발광 세기 증가 효과가 극대화될 수 있어 바람직하다. 상기 산란체가 상기 범위 미만으로 포함될 경우 얻고자 하는 발광 세기의 확보가 다소 어려울 수 있고, 상기 범위를 초과할 경우 청색 조사광의 투과도가 현저히 저하되어 색재현성에 문제가 발생할 수 있으므로, 상기 범위 내에서 적절하게 사용하는 것이 바람직하다.The scatterer may be used in an amount of 0.5 to 20 parts by weight, preferably 0.8 to 15 parts by weight, and more preferably 1 to 10 parts by weight based on 100 parts by weight of the total solid content of the light conversion resin composition. When the scatterer is included within the above range, the effect of increasing the light emitting intensity can be maximized, which is preferable. When the scatterer is included below the above range, it may be somewhat difficult to secure the desired luminous intensity, and when the scattering material exceeds the above range, the transmittance of blue irradiated light may be significantly lowered, causing a problem in color reproducibility. It is preferable to use
알칼리 가용성 수지Alkali-soluble resin
본 발명에 따른 광변환 수지 조성물은 카도계 수지 및 3,4-에폭시트리시클로[5.2.1.02,6] 데칸환 함유 중합성 불포화 화합물 유래의 반복단위를 포함하는 에폭시 수지를 포함한다.The light conversion resin composition according to the present invention includes a cardo-based resin and an epoxy resin including a repeating unit derived from a 3,4-epoxytricyclo[5.2.1.0 2,6] decane ring-containing polymerizable unsaturated compound.
본 발명의 또 다른 실시형태에 있어서, 상기 3,4-에폭시트리시클로[5.2.1.02,6] 데칸환 함유 중합성 불포화 화합물은 하기 화학식 1 또는 2로 표시될 수 있다.In another embodiment of the present invention, the 3,4-epoxytricyclo[5.2.1.0 2,6 ] decane ring-containing polymerizable unsaturated compound may be represented by the following formula (1) or (2).
[화학식 1][Formula 1]
[화학식 2] [Formula 2]
(상기 화학식 1 및 2에서,(In Formulas 1 and 2,
Ra는 각각 수소 원자 또는 히드록시기로 치환될 수 있는 C1 내지 C7의 알킬기이고,R a is a C1 to C7 alkyl group, each of which may be substituted with a hydrogen atom or a hydroxy group,
A는 각각 단일 결합 또는 헤테로 원자를 포함할 수 있는 2가의 탄화수소기이다.)A is a divalent hydrocarbon group which may contain a single bond or a hetero atom, respectively.)
Ra에서 히드록실기로 치환될 수 있는 탄소수 1 내지 7의 알킬기로는, 예를 들면 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, 부틸, 이소부틸, s-부틸, 펜틸, 헥실, 헵틸기 등의 알킬기; 히드록시메틸기, 1-히드록시에틸기, 2-히드록시에틸기, 1-히드록시프로필기, 2-히드록시프로필기, 3-히드록시프로필기, 1-히드록시-1-메틸에틸기, 2-히드록시-1-메틸에틸기, 1-히드록시부틸기, 2-히드록시부틸기, 3-히드록시부틸기, 4-히드록시부틸기 등의 히드록시알킬기를 들 수 있다. Ra로는 수소 원자 또는 히드록실기로 치환될 수 있는 탄소수 1 내지 2의 알킬기가 바람직하고, 그 중에서도 특히 수소 원자 또는 메틸기가 바람직하다. Examples of the alkyl group having 1 to 7 carbon atoms that may be substituted with a hydroxyl group in R a include an alkyl group such as methyl, ethyl, propyl, isopropyl, butyl, isobutyl, s-butyl, pentyl, hexyl, and heptyl group. ; Hydroxymethyl group, 1-hydroxyethyl group, 2-hydroxyethyl group, 1-hydroxypropyl group, 2-hydroxypropyl group, 3-hydroxypropyl group, 1-hydroxy-1-methylethyl group, 2-hydroxy group and hydroxyalkyl groups such as hydroxy-1-methylethyl group, 1-hydroxybutyl group, 2-hydroxybutyl group, 3-hydroxybutyl group and 4-hydroxybutyl group. R a is preferably a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 2 carbon atoms which may be substituted with a hydroxyl group, and particularly preferably a hydrogen atom or a methyl group.
A에서 헤테로 원자를 포함할 수 있는 2가의 탄화수소기에서, 헤테로 원자는 탄화수소기의 말단에 결합될 수도 있고 탄화수소기를 구성하는 탄소 원자 사이에 개재될 수도 있다. 헤테로 원자로서 질소, 산소, 황 원자 등을 들 수 있다. In the divalent hydrocarbon group which may contain a hetero atom in A, the hetero atom may be bonded to the terminal of the hydrocarbon group or may be interposed between carbon atoms constituting the hydrocarbon group. Examples of the hetero atom include nitrogen, oxygen, and sulfur atoms.
A의 다른 대표적인 예로서, 메틸렌기, 에틸렌기, 프로필렌기, 트리메틸렌기 등의 알킬렌기(예를 들면, 탄소수 1 내지 12의 알킬렌기, 특히 탄소수 1 내지 6의 알킬렌기); 티오메틸렌기, 티오에틸렌기, 티오프로필렌기 등의 티오알킬렌기(예를 들면, 탄소수 1 내지 12의 티오알킬렌기, 특히 탄소수 1 내지 6의 티오알킬렌기); 아미노메틸렌기, 아미노에틸렌기, 아미노프로필렌기 등의 아미노알킬렌기(예를 들면, 탄소수 1 내지 12의 아미노알킬렌기, 특히 탄소수 1 내지 6의 아미노알킬렌기) 등을 들 수 있다.As another representative example of A, an alkylene group such as a methylene group, an ethylene group, a propylene group, and a trimethylene group (eg, an alkylene group having 1 to 12 carbon atoms, particularly an alkylene group having 1 to 6 carbon atoms); thioalkylene groups such as a thiomethylene group, a thioethylene group, and a thiopropylene group (eg, a thioalkylene group having 1 to 12 carbon atoms, particularly a thioalkylene group having 1 to 6 carbon atoms); and aminoalkylene groups such as an aminomethylene group, an aminoethylene group and an aminopropylene group (eg, an aminoalkylene group having 1 to 12 carbon atoms, particularly an aminoalkylene group having 1 to 6 carbon atoms).
본 발명에 있어서, "알킬렌기"는 2가인 것을 제외하고는 알킬기와 동일한 내용을 적용할 수 있다.In the present invention, the same content as the alkyl group may be applied to the "alkylene group" except that it is divalent.
화학식 1, 2로 표시되는 3,4-에폭시트리시클로[5.2.1.02,6]데칸환 함유 중합성 불포화 화합물의 대표적인 예로서, 에폭시화 디시클로펜테닐(메트)아크릴레이트[3,4-에폭시트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-9-일 (메트)아크릴레이트; 3,4-에폭시트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일 (메트)아크릴레이트], 에폭시화 디시클로펜테닐옥시에틸 (메트)아크릴레이트[2-(3,4-에폭시트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-9-일옥시)에틸 (메트)아크릴레이트; 2-(3,4-에폭시트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일옥시)에틸 (메트)아크릴레이트], 에폭시화 디시클로펜테닐옥시부틸(메트)아크릴레이트, 에폭시화 디시클로펜테닐옥시헥실(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 그 중에서도 에폭시화 디시클로펜테닐(메트)아크릴레이트 및 에폭시화 디시클로펜테닐옥시에틸 (메트)아크릴레이트가 특히 바람직하다.As a representative example of the 3,4-epoxytricyclo[5.2.1.0 2,6 ]decane ring-containing polymerizable unsaturated compound represented by Formulas 1 and 2, epoxidized dicyclopentenyl (meth)acrylate [3,4- epoxytricyclo[5.2.1.0 2,6 ]decan-9-yl (meth)acrylate; 3,4-epoxytricyclo[5.2.1.0 2,6 ]decan-8-yl (meth)acrylate], epoxidized dicyclopentenyloxyethyl (meth)acrylate [2-(3,4-epoxytri) cyclo[5.2.1.0 2,6 ]decan-9-yloxy)ethyl (meth)acrylate; 2-(3,4-epoxytricyclo[5.2.1.0 2,6 ]decan-8-yloxy)ethyl (meth)acrylate], epoxidized dicyclopentenyloxybutyl (meth)acrylate, epoxidized dish Clopentenyloxyhexyl (meth)acrylate etc. are mentioned. Among them, epoxidized dicyclopentenyl (meth)acrylate and epoxidized dicyclopentenyloxyethyl (meth)acrylate are particularly preferable.
화학식 1로 표시되는 화합물과 화학식 2로 표시되는 화합물은 각각 단독으로 사용할 수 있다. 또한, 이들은 임의의 비율로 혼합하여 사용할 수 있다. 양자를 혼합하여 사용하는 경우, 그 비율은 바람직하게는 화학식 1:화학식 2=5:95 내지 95:5, 보다 바람직하게는 10:90 내지 90:10, 더욱 바람직하게는 20:80 내지 80:20이다.The compound represented by the formula (1) and the compound represented by the formula (2) may be used alone, respectively. In addition, they can be used by mixing in arbitrary ratios. When both are mixed and used, the ratio is preferably Formula 1: Formula 2=5:95 to 95:5, more preferably 10:90 to 90:10, still more preferably 20:80 to 80: 20.
본 발명의 또 다른 실시형태에 있어서, 상기 3,4-에폭시트리시클로[5.2.1.02,6] 데칸환 함유 중합성 불포화 화합물 유래의 반복단위를 포함하는 에폭시 수지는 하기 화학식 3으로 표시되는 단량체 유래의 반복단위를 더 포함할 수 있다.In another embodiment of the present invention, the epoxy resin comprising a repeating unit derived from the 3,4-epoxytricyclo[5.2.1.0 2,6 ] decane ring-containing polymerizable unsaturated compound is a monomer represented by the following formula (3) It may further include a repeating unit derived from.
[화학식 3][Formula 3]
R15는 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 7의 알킬기이고,R15 is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 7 carbon atoms,
R16은 탄소수 1 내지 12의 1급 또는 2급 알킬기, 탄수소 2 내지 12의 알케닐기, 탄소수 6 내지 10의 아릴기, 탄소수 7 내지 20의 아르알킬기 또는 -(R17-O)r-R18기이고,R16 is a primary or secondary alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 12 carbon atoms, an aryl group having 6 to 10 carbon atoms, an aralkyl group having 7 to 20 carbon atoms, or a -(R17-O) r -R18 group; ,
이때, R17는 탄소수 1 내지 12의 2가의 탄화수소기이며, In this case, R17 is a divalent hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms,
R18는 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 12의 탄화수소기이고, R18 is a hydrogen atom or a hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms,
r은 1 이상의 정수이다.r is an integer greater than or equal to 1;
상기 1급 또는 2급 알킬기는, 1급 또는 2급인 것을 제외하고는 전술한 알킬기에 대한 내용을 적용할 수 있다.The content of the above-described alkyl group may be applied to the primary or secondary alkyl group, except that the primary or secondary alkyl group is primary or secondary.
상기 탄소수 2 내지 12의 알케닐기는 비닐, 1-프로페닐, 이소프로페닐, 1-부테닐, 2-부테닐, 3-부테닐, 1-펜테닐, 2-펜테닐, 3-펜테닐, 3-메틸-1-부테닐, 1,3-부타디에닐, 알릴, 1-페닐비닐-1-일, 2-페닐비닐-1-일, 2,2-디페닐비닐-1-일, 2-페닐-2-(나프틸-1-일)비닐-1-일, 2,2-비스(디페닐-1-일)비닐-1-일, 스틸베닐기, 스티레닐일 수 있으나 역시 이에 한정되지 않는다.The alkenyl group having 2 to 12 carbon atoms is vinyl, 1-propenyl, isopropenyl, 1-butenyl, 2-butenyl, 3-butenyl, 1-pentenyl, 2-pentenyl, 3-pentenyl, 3-methyl-1-butenyl, 1,3-butadienyl, allyl, 1-phenylvinyl-1-yl, 2-phenylvinyl-1-yl, 2,2-diphenylvinyl-1-yl, 2 -Phenyl-2-(naphthyl-1-yl)vinyl-1-yl, 2,2-bis(diphenyl-1-yl)vinyl-1-yl, stilbenyl group, styrenyl, but also limited thereto doesn't happen
상기 아릴기는 예컨대, 페닐기, 바이페닐기, 나프틸기 등이 될 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The aryl group may be, for example, a phenyl group, a biphenyl group, or a naphthyl group, but is not limited thereto.
상기 아르알킬기의 아릴 부분은 전술한 아릴기에 대한 내용을 적용할 수 있다.For the aryl portion of the aralkyl group, the contents of the above-described aryl group may be applied.
상기 r은 구체적으로 1 내지 20의 정수일 수 있으나 이에 한정되지 않는다.Specifically, r may be an integer of 1 to 20, but is not limited thereto.
상기 에폭시 수지가 상기 화학식 3으로 표시되는 단량체 유래의 반복단위를 더 포함하는 경우 저온 공정에서도 도막 내 높은 경화밀도가 형성되는 이점이 있으므로 바람직하다.When the epoxy resin further includes a repeating unit derived from a monomer represented by Formula 3, it is preferable because there is an advantage of forming a high curing density in the coating film even at a low temperature process.
본 발명의 또 다른 실시형태에 있어서, 카도계 수지는 하기 화학식 4 내지 9로 표시될 수 있다.In another embodiment of the present invention, the cardo-based resin may be represented by the following Chemical Formulas 4 to 9.
[화학식 4] [Formula 4]
[화학식 5][Formula 5]
[화학식 6][Formula 6]
[화학식 7][Formula 7]
(상기 화학식 4 내지 7에서,(In Formulas 4 to 7,
X 및 X'은 각각 독립적으로 단일 결합, -CO-, -SO2-, -C(CF3)2-, -Si(CH3)2-, -CH2-, -C(CH3)2-, -O-,
Y는 산무수물 잔기이며,Y is an acid anhydride residue,
Z는 산2무수물 잔기이고,Z is an acid dianhydride residue,
R'은 수소 원자, 에틸기, 페닐기, -C2H4Cl, -C2H4OH 또는 -CH2CH=CH2이며,R' is a hydrogen atom, an ethyl group, a phenyl group, -C 2 H 4 Cl, -C 2 H 4 OH or -CH 2 CH=CH 2
R1, R1', R2, R2', R3, R3', R4, R4', R5, R5', R6 및 R6' 은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 메틸기이고,R1, R1', R2, R2', R3, R3', R4, R4', R5, R5', R6 and R6' are each independently a hydrogen atom or a methyl group;
R7, R7', R8 및 R8' 은 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 6의 직쇄의 알킬렌기 또는 탄소수 3 내지 6의 분지쇄의 알킬렌기이고, 상기 알킬렌기는 에스테르 결합, 탄소수 6 내지 14의 싸이클로알킬렌기 및 탄소수 6 내지 14의 아릴렌기 중 적어도 하나로 중단될 수 있으며,R7, R7', R8 and R8' are each independently a linear alkylene group having 1 to 6 carbon atoms or a branched alkylene group having 3 to 6 carbon atoms, and the alkylene group is an ester bond, a cycloalkylene group having 6 to 14 carbon atoms. And it may be interrupted by at least one of an arylene group having 6 to 14 carbon atoms,
R9, R9', R10, R10', R11, R11', R12 및 R12'은 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자 또는 탄소수 1 내지 6의 직쇄의 알킬기 또는 탄소수 3 내지 6의 분지쇄의 알킬기이고,R9, R9', R10, R10', R11, R11', R12 and R12' are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, a linear alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, or a branched chain alkyl group having 3 to 6 carbon atoms;
m 및 n은 각각 0 ≤ m ≤ 30, 0 ≤ n ≤ 30을 만족하는 정수이며, m and n are integers satisfying 0 ≤ m ≤ 30 and 0 ≤ n ≤ 30, respectively,
단 m 및 n은 동시에 0은 아니고,)provided that m and n are not equal to 0 at the same time,
[화학식 8][Formula 8]
[화학식 9][Formula 9]
(상기 화학식 8 및 9에서,(In Formulas 8 and 9,
P는 각각 독립적으로 
R13 및 R14는 각각 독립적으로 수소, 히드록시기, 티올기, 아미노기, 니트로기 또는 할로겐 원자이며,R13 and R14 are each independently hydrogen, a hydroxyl group, a thiol group, an amino group, a nitro group or a halogen atom;
Ar1은 각각 독립적으로 C6 내지 C15 아릴기이고,Ar1 is each independently a C6 to C15 aryl group,
Y'는 산무수물 잔기이며,Y' is an acid anhydride residue,
Z'는 산2무수물 잔기이고,Z' is an acid dianhydride residue,
A'는 O, S, N, Si 또는 Se이며,A' is O, S, N, Si or Se,
a 및 b는 각각 독립적으로 1 내지 6의 정수이고,a and b are each independently an integer of 1 to 6,
p 및 q은 각각 독립적으로 0 내지 30의 정수이며,p and q are each independently an integer from 0 to 30,
단, p 및 q는 동시에 0이 아니다).provided that p and q are not zero at the same time).
본 발명에 따른 광변환 수지 조성물이 상기 화학식 4 내지 화학식 9의 반복단위 중 적어도 하나의 반복단위를 포함하는 카도계 바인더 수지를 포함하는 경우 공정간 신뢰성이 우수해지는 이점이 있다. 또한, 아웃가스 발생을 최소화하여 증착공정 시 주름 또는 크랙이 발생하지 않고 뛰어난 휘도향상 효과로 고품질의 화질, 우수한 내열성, 내화학성, 내구성 및 신뢰성의 부여가 가능한 이점이 있다.When the light conversion resin composition according to the present invention includes a cardo-based binder resin including at least one repeating unit among the repeating units of Chemical Formulas 4 to 9, there is an advantage in that reliability between processes is improved. In addition, there is an advantage in that it is possible to provide high-quality image quality, excellent heat resistance, chemical resistance, durability and reliability through an excellent luminance improvement effect without generating wrinkles or cracks during the deposition process by minimizing the generation of outgas.
상기 화학식 4 및 6의 Y는 산무수물의 잔기로서, 본 발명의 카도계 바인더 수지의 합성 중간체인 비스페놀 에폭시아크릴레이트 화합물을 산무수물 화합물과 반응시켜 얻어질 수 있다. 잔기 Y를 도입할 수 있는 산무수물 화합물은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면, 무수말레인산, 무수숙신산, 무수이타콘산, 무수프탈산, 무수테트라히드로프탈산, 무수헥사히드로프탈산, 무수메틸렌도 메틸렌테트라히드로프탈산, 무수클로로렌드산, 무수메틸테트라히드로프탈산 등을 들 수 있다.Y in Formulas 4 and 6 is a residue of an acid anhydride, and may be obtained by reacting a bisphenol epoxy acrylate compound, which is a synthetic intermediate of the cardo-based binder resin of the present invention, with an acid anhydride compound. The acid anhydride compound capable of introducing the residue Y is not particularly limited, and for example, maleic anhydride, succinic anhydride, itaconic anhydride, phthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, methylene anhydride, methylenetetrahydrophthalic acid , chlorendic anhydride, methyltetrahydrophthalic anhydride, and the like.
상기 화학식 5 및 7의 Z는 산2무수물의 잔기로서, 본 발명의 카도계 바인더 수지의 합성 중간체인 비스페놀 에폭시아크릴레이트 화합물을 산2무수물 화합물과 반응시켜 얻어질 수 있다. 잔기 Z를 도입할 수 있는 산2무수물 화합물은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면, 무수피로멜리트산, 벤조페논테트라카르복시산2무수물, 바이페닐테트라카르복시산2무수물, 바이테닐에테르테트라카르복시산2무수물 등의 방향족다가카르복시시산무수물을 들 수 있다.Z in Formulas 5 and 7 is a residue of acid dianhydride, and may be obtained by reacting a bisphenol epoxy acrylate compound, which is a synthetic intermediate of the cardo-based binder resin of the present invention, with an acid dianhydride compound. The acid dianhydride compound capable of introducing the residue Z is not particularly limited, and for example, aromatics such as pyromellitic anhydride, benzophenone tetracarboxylic dianhydride, biphenyltetracarboxylic dianhydride, and bitenyl ether tetracarboxylic dianhydride and polyhydric carboxylic acid anhydrides.
상기 '산2무수물'은 분자 내에 산무수물기를 2개 포함하는 화합물을 의미한다.The 'acid dianhydride' refers to a compound including two acid anhydride groups in a molecule.
본 발명에서는 상기 카도계 바인더 수지의 제조방법을 특별히 한정하지는 않는다. 예컨대, 비스페놀 화합물과 에폭시 화합물을 반응시켜 비스페놀 에폭시 화합물을 합성한 후, 합성된 비스페놀 에폭시 화합물을 아크릴레이트 화합물과 반응시켜 비스페놀 에폭시아크릴레이트 화합물을 합성한 뒤, 비스페놀 에폭시아크릴레이트 화합물을 산무수물, 산2무수물 또는 이들의 혼합물과 반응시켜 제조할수 있으나 이에 한정되지 않는다.In the present invention, the method for producing the cardo-based binder resin is not particularly limited. For example, after reacting a bisphenol compound and an epoxy compound to synthesize a bisphenol epoxy compound, reacting the synthesized bisphenol epoxy compound with an acrylate compound to synthesize a bisphenol epoxy acrylate compound, and then adding the bisphenol epoxy acrylate compound to an acid anhydride, acid It may be prepared by reacting with a dianhydride or a mixture thereof, but is not limited thereto.
상기 카도계 바인더 수지는 상기 광변환 수지 조성물 고형분 전체 100 중량부에 대하여 1 내지 50 중량부, 바람직하게는 5 내지 40 중량부, 더욱 바람직하게는 10 내지 30 중량부로 포함될 수 있다. 상기 카도계 바인더 수지가 상기 범위 내로 포함되는 경우, 광변환 특성과 코팅 시의 도막 평활성이 뛰어나 공정성이 우수해질 수 있으므로 바람직하다.The cardo-based binder resin may be included in an amount of 1 to 50 parts by weight, preferably 5 to 40 parts by weight, more preferably 10 to 30 parts by weight based on 100 parts by weight of the total solid content of the light conversion resin composition. When the cardo-based binder resin is included within the above range, it is preferable because it has excellent light conversion properties and excellent smoothness of the coating film during coating, so that processability can be improved.
본 발명의 또 다른 실시형태에 있어서, 상기 카도계 수지와 상기 3,4-에폭시트리시클로[5.2.1.02,6] 데칸환 함유 중합성 불포화 화합물 유래의 반복단위를 포함하는 에폭시 수지의 비율에 있어, 상기 카도계 수지 대 상기 에폭시 수지의 중량비는 5:95 내지 95:5 일 수 있다. 보다 바람직하게는 20:80 ~ 80:20 일 수 있다. 더욱 더 바람직스럽게 60:40~40:60 일 수 있다.In another embodiment of the present invention, in the ratio of the cardo-based resin and the epoxy resin comprising a repeating unit derived from the 3,4-epoxytricyclo[5.2.1.0 2,6 ] decane ring-containing polymerizable unsaturated compound, There, the weight ratio of the cardo-based resin to the epoxy resin may be 5:95 to 95:5. More preferably, it may be 20:80 ~ 80:20. Even more preferably, it may be 60:40-40:60.
상기 카도계 수지와 상기 3,4-에폭시트리시클로[5.2.1.02,6] 데칸환 함유 중합성 불포화 화합물 유래의 반복단위를 포함하는 에폭시 수지의 비율이 상기 범위를 만족하는 경우 조성물 내 양자점의 분산이 원활하게 이루어져 도막 형성 이후 광변환 효율이 향상되는 장점과 저온에서도 높은 경화도를 나타내어 높은 경도를 나타내는 이점이 있어 바람직하다.When the ratio of the cardo-based resin and the epoxy resin including the repeating unit derived from the 3,4-epoxytricyclo[5.2.1.0 2,6 ] decane ring-containing polymerizable unsaturated compound satisfies the above range, the quantum dots in the composition It is preferable because dispersion is smooth and light conversion efficiency is improved after the formation of the coating film, and it has the advantage of high hardness even at low temperatures and high hardness.
상기 알칼리 가용성 수지의 산가는 20 내지 200mgKOH/g일 수 있으며, 바람직하게는 30 내지 150mgKOH/g인 것이 좋다. 상기 범위 내의 산가를 가지는 경우, 3,4-에폭시트리시클로[5.2.1.02,6] 데칸환 함유 중합성 불포화 화합물 유래의 반복단위를 포함하는 에폭시 수지와 저온 공정에서 뛰어난 가교반응을 통해 높은 경화도를 나타내어 도막의 잔막율이 우수하게 되어 바람직하다.The alkali-soluble resin may have an acid value of 20 to 200 mgKOH/g, preferably 30 to 150 mgKOH/g. When it has an acid value within the above range, a high degree of curing through excellent crosslinking reaction in a low-temperature process with an epoxy resin containing a repeating unit derived from a 3,4-epoxytricyclo[5.2.1.0 2,6] decane ring-containing polymerizable unsaturated compound It is preferable because the remaining film ratio of the coating film is excellent.
본 발명에서 "산가"란, 아크릴계 중합체 1g을 중화하는 데 필요한 수산화칼륨의 양(mg)으로서 측정되는 값이며, 통상적으로 수산화칼륨 수용액을 사용하여 적정함으로써 구할 수 있다.In the present invention, "acid value" is a value measured as the amount (mg) of potassium hydroxide required to neutralize 1 g of the acrylic polymer, and can be usually obtained by titration using an aqueous potassium hydroxide solution.
또한, 겔 투과 크로마토그래피(GPC; 테트라히드로퓨란을 용출용제로함)로 측정한 폴리스티렌 환산 중량평균분자량(이하, 간단히 '중량평균분자량'이라고 한다)인 2,000 내지 200,000, 바람직하게는 3,000 내지 100,000인 알칼리 가용성 수지가 바람직하다. 분자량이 상기 범위에 있으면, 코팅 필름의 경도가 향상되어, 잔막율이 높아지는 경향이 있어 바람직하다.In addition, the polystyrene reduced weight average molecular weight (hereinafter simply referred to as 'weight average molecular weight') measured by gel permeation chromatography (GPC; using tetrahydrofuran as the elution solvent) is 2,000 to 200,000, preferably 3,000 to 100,000. Alkali-soluble resins are preferred. When molecular weight exists in the said range, there exists a tendency for the hardness of a coating film to improve and a residual film rate to become high, and it is preferable.
상기 알칼리 가용성 수지의 분자량 분포[중량평균분자량(Mw)/수평균분자량(Mn)]는 1.0 내지 6.0 인 것이 바람직하고, 1.5 내지 6.0인 것이 보다 바람직하다. 상기 분자량분포[중량평균분자량(Mw)/수평균분자량(Mn)]가 상기 범위를 만족하는 경우 현상성이 우수하기 때문에 바람직하다.It is preferable that it is 1.0-6.0, and, as for the molecular weight distribution [weight average molecular weight (Mw)/number average molecular weight (Mn)] of the said alkali-soluble resin, it is more preferable that it is 1.5-6.0. When the molecular weight distribution [weight average molecular weight (Mw)/number average molecular weight (Mn)] satisfies the above range, it is preferable because developability is excellent.
상기 알칼리 가용성 수지는 상기 광변환 조성물 고형분 전체 100 중량부에 대하여 10 내지 80 중량부, 바람직하게는 20 내지 75 중량부, 더욱 바람직하게는 20 내지 80 중량부로 포함될 수 있다. 상기 알칼리 가용성 수지가 상기 범위 내로 포함될 경우 알칼리 가용성 수지가 포함하는 카르복실기와 3,4-에폭시트리시클로[5.2.1.02,6] 데칸환 함유 중합성 불포화 화합물 유래의 반복단위를 포함하는 에폭시 수지가 양자점의 광변환 효율을 저해하지 않는 이점이 있으며, 저온 공정에서의 열중합이 원활하게 이루어져서 도막의 경도를 향상시키는 효과가 있다.The alkali-soluble resin may be included in an amount of 10 to 80 parts by weight, preferably 20 to 75 parts by weight, more preferably 20 to 80 parts by weight based on 100 parts by weight of the total solid content of the light conversion composition. When the alkali-soluble resin is included within the above range, an epoxy resin comprising a repeating unit derived from a carboxyl group and 3,4-epoxytricyclo[5.2.1.0 2,6]decane ring-containing polymerizable unsaturated compound contained in the alkali-soluble resin is There is an advantage that the light conversion efficiency of quantum dots is not impaired, and thermal polymerization in a low-temperature process is smoothly performed, thereby improving the hardness of the coating film.
본 발명의 또 다른 실시형태에 있어서, 상기 광변환 수지 조성물은 열경화성 화합물, 경화 촉진제, 용제 및 첨가제로 이루어진 군에서 선택되는 1 이상을 더 포함할 수 있다.In another embodiment of the present invention, the light conversion resin composition may further include at least one selected from the group consisting of a thermosetting compound, a curing accelerator, a solvent, and an additive.
열경화성 화합물 thermosetting compound
본 발명에 따른 광변환 수지 조성물은 열경화성 화합물을 포함할 수 있다.The light conversion resin composition according to the present invention may include a thermosetting compound.
상기 열경화성 화합물의 평균 분자량은 20,000 이하인 것이 바람직하고 특히 1,000 내지 20,000인 것이 보다 바람직하다. 상기 열경화성 화합물의 평균분자량이 상기한 조건을 만족하는 경우에는 잔막율 및 내열성이 우수해질 수 있다.The average molecular weight of the thermosetting compound is preferably 20,000 or less, and particularly preferably 1,000 to 20,000. When the average molecular weight of the thermosetting compound satisfies the above conditions, the remaining film rate and heat resistance may be excellent.
상기 열경화성 화합물은 광변환 수지 조성물 전체 100 중량부에 대하여 10 내지 80 중량부의 에폭시 화합물로 구성되는 것이 바람직하다. 상기 열경화성 화합물의 함량이 상기 범위 미만일 경우에는 도막강도 부족에 따른 신뢰성이 저하될 수 있다.The thermosetting compound is preferably composed of 10 to 80 parts by weight of the epoxy compound based on 100 parts by weight of the total light conversion resin composition. When the content of the thermosetting compound is less than the above range, reliability may be reduced due to insufficient coating film strength.
상기한 조건을 만족하는 열경화성 화합물의 구체적인 예로는, 2-[4-(2,3-에폭시프로폭시)페닐]-2-[4-[1,1-비스[4-([2,3-에폭시프로폭시]페닐)]에틸]페닐]프로판과 1,3-비스[4-[1-[4-(2,3-에폭시프로폭시)페닐]-1-[4-[1-[4-(2,3-에폭시프로폭시페닐)-1-메틸에틸]페닐]에틸]페녹시]-2-프로판올과의 혼합물, 2-[4-(2,3-에폭시프로폭시)페닐]-2-[4-[1,1-비스[4-([2,3-에폭시프로폭시]페닐)]에틸]페닐]프로판 등을 들 수 있다. 시판되는 상품으로서는 JER 157S65, 157S70(상품명; JER(주) 제품) 등을 들 수 있다. 이들은 각각 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. Specific examples of the thermosetting compound satisfying the above conditions include 2-[4-(2,3-epoxypropoxy)phenyl]-2-[4-[1,1-bis[4-([2,3- Epoxypropoxy]phenyl)]ethyl]phenyl]propane and 1,3-bis[4-[1-[4-(2,3-epoxypropoxy)phenyl]-1-[4-[1-[4- mixture with (2,3-epoxypropoxyphenyl)-1-methylethyl]phenyl]ethyl]phenoxy]-2-propanol, 2-[4-(2,3-epoxypropoxy)phenyl]-2- and [4-[1,1-bis[4-([2,3-epoxypropoxy]phenyl)]ethyl]phenyl]propane. Examples of commercially available products include JER 157S65 and 157S70 (trade names; manufactured by JER Corporation). These can be used individually or in combination of 2 or more types, respectively.
본 발명에 따른 열경화성 화합물은 상기 비스페놀A 노볼락형 에폭시 화합물 이외의 에폭시 수지를 추가로 포함할 수 있다. 상기 비스페놀A 노볼락형 에폭시 수지와 추가로 포함하여 함께 사용될 수 있는 에폭시 수지의 바람직한 예로서는, 비스페놀A형 에폭시 수지, 비스페놀F형 에폭시 수지, 비스페놀S형 에폭시 수지, 디페닐에테르형 에폭시 수지, 하이드로키논형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 플루오렌 에폭시 수지, 페놀노블락형 에폭시 수지, 올소크레졸 노블락형 에폭시 수지, 트리스히드록시페닐메탄형 에폭시 수지, 3관능형 에폭시 수지, 테트라페놀 에탄형 에폭시 수지, 디시클로메탄디엔페놀형 에폭시 수지, 수첨비스페놀A형 에폭시 수지, 비스페놀A함핵 폴리올형 에폭시 수지, 폴리프로필렌글리콜형 에폭시 수지, 글리시딜에스테르형 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 글리옥살형 에폭시 수지, 지환식 다관능 에폭시 수지, 복소환형 에폭시 수지등을 사용할 수 있다. 이들 에폭시 수지는 각각 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 상기 비스페놀 A 노볼락형 에폭시 수지에 추가로 포함되어 사용할 수 있다.The thermosetting compound according to the present invention may further include an epoxy resin other than the bisphenol A novolak-type epoxy compound. Preferred examples of the epoxy resin that can be used together with the bisphenol A novolak-type epoxy resin include bisphenol A-type epoxy resin, bisphenol F-type epoxy resin, bisphenol S-type epoxy resin, diphenyl ether-type epoxy resin, hydrokinone Epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, fluorene epoxy resin, phenol no block type epoxy resin, orsocresol no block type epoxy resin, trishydroxyphenylmethane type epoxy resin, trifunctional type epoxy resin, tetraphenol Ethane type epoxy resin, dicyclomethanedienephenol type epoxy resin, hydrogenated bisphenol A type epoxy resin, bisphenol A-containing polyol type epoxy resin, polypropylene glycol type epoxy resin, glycidyl ester type epoxy resin, glycidylamine type epoxy resin A resin, a glyoxal type epoxy resin, an alicyclic polyfunctional epoxy resin, a heterocyclic type epoxy resin, etc. can be used. These epoxy resins may be used individually or in combination of two or more, further included in the bisphenol A novolak-type epoxy resin.
상기한 에폭시 수지로서는 하기와 같은 시판품을 이용할 수 있다. 보다 구체적으로는 비스페놀F형 에폭시 수지로서 YDF-175S(東都化成㈜제품) 등, 비스페놀A형 에폭시 수지로서 YDB-715(東都化成㈜ 제품) 등, 비스페놀S형 에폭시 수지로서 EPICLON EXA1514(다이니뽄 잉키카가큐코우교우㈜제품) 등, 하이드로 키논형 에폭시 수지로서 YDC-1312(東都化成㈜ 제품) 등, 나프탈렌형 에폭시 수지로서 EPICLON EXA4032(다이니뽄 잉키카가큐코우교우㈜제품) 등, 비페닐형 에폭시 수지로서 에피코트 YX4000H(JER(주) 제품) 등, 비스페놀A노볼락형 에폭시 수지로서 JER 157S65 또는 157S70(JER(주) 제품) 등, 페놀노볼락형 에폭시 수지로서 EPPN-201(니뽄카야쿠(주) 제품), JER152 154(JER(주) 제품) 등, 크레졸노볼락형 에폭시 수지로서 EOCN-102S, 103S, 104S 또는 1020(니뽄카야쿠(주) 제품), 트리스히드록시페닐메탄형에폭시수지로서 에피코트 1032H60(JER (주) 제품) 등, 3관능형 에폭시 수지로서 VG3101M80(미쯔이카가쿠㈜제품) 등, 테트라페놀에탄형 에폭시 수지로서 에피코트10315(JER (주) 제품) 등, 수첨비스페놀A형 에폭시 수지로서 ST-3000(東都化成㈜제품) 등, 글리시딜에스테르형 에폭시 수지로서 에피코트 190P(JER (주) 제품)등, 글리시딜아민형 에폭시 수지로서 YH-434(東都化成㈜제품) 등, 글리옥살형 에폭시 수지로서 YDG-414(東都化成㈜제품）등, 지환식 다관능 에폭시 수지로서 에포리드 GT-401(다이셀카가쿠㈜제품) 등을 들 수 있다. 상기 에폭시 수지는 각각 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. As said epoxy resin, the following commercial items can be used. More specifically, YDF-175S (manufactured by Toto Kasei Co., Ltd.) as a bisphenol F-type epoxy resin, YDB-715 (manufactured by Toto Kasei, Inc.) as a bisphenol A-type epoxy resin, and EPICLON EXA1514 (Dainippon Inky) as a bisphenol S-type epoxy resin As a hydroquinone type epoxy resin, such as YDC-1312 (manufactured by Todo Chemical Co., Ltd.), etc., as a naphthalene type epoxy resin, such as EPICLON EXA4032 (manufactured by Dainippon Inky Chemical Company), etc., biphenyl type epoxy As a resin, such as Epicoat YX4000H (manufactured by JER Corporation), etc., as a bisphenol A novolak-type epoxy resin, such as JER 157S65 or 157S70 (manufactured by JER Corporation), as a phenol novolac-type epoxy resin, such as EPPN-201 (Nippon Kayaku) Co., Ltd.), JER152 154 (manufactured by JER Co., Ltd.), etc. Cresol novolak type epoxy resin such as EOCN-102S, 103S, 104S or 1020 (Nippon Kayaku Co., Ltd. product), trishydroxyphenylmethane type epoxy resin As a tetraphenol ethane type epoxy resin, such as Epicoat 1032H60 (manufactured by JER Corporation), etc., as a trifunctional epoxy resin, such as VG3101M80 (manufactured by Mitsui Chemicals), etc., as a tetraphenol ethane type epoxy resin, such as hydrogenated bisphenol As a type A epoxy resin, ST-3000 (manufactured by Toto Kasei Co., Ltd.), etc., as a glycidyl ester type epoxy resin, such as Epicoat 190P (manufactured by JER), etc. manufactured by Co., Ltd.), YDG-414 (manufactured by Todo Chemical Co., Ltd.) as a glyoxal-type epoxy resin, and Epolide GT-401 (manufactured by Daisel Chemicals) as an alicyclic polyfunctional epoxy resin. may be used alone or in combination of two or more.
상기 열경화성 화합물은 광변환 수지 조성물 중 고형분 전체 100 중량부에 대하여 10 내지 80 중량부인 것이 바람직하며, 보다 바람직하게는 15 내지 70중량부로 포함될 수 있다. 상기 열경화성 화합물이 상기 범위 이내로 포함될 경우에는 잔막율 및 평탄성이 양호할 수 있다.The thermosetting compound may be included in an amount of 10 to 80 parts by weight, more preferably 15 to 70 parts by weight, based on 100 parts by weight of the total solid content of the light conversion resin composition. When the thermosetting compound is included within the above range, the remaining film rate and flatness may be good.
경화 촉진제hardening accelerator
본 발명에 따른 광변환 수지 조성물은 경화 촉진제를 포함할 수 있다.The light conversion resin composition according to the present invention may include a curing accelerator.
상기 경화 촉진제는 예를 들어 카르복실산 화합물, 티올기를 가지는 유기 황화합물, 산발생제로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 화합물이 바람직하게 사용될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The curing accelerator may be, for example, at least one compound selected from the group consisting of a carboxylic acid compound, an organic sulfur compound having a thiol group, and an acid generator, but is not limited thereto.
상기 카르복실산 화합물은 방향족 헤테로아세트산류인 것이 바람직하며, 구체적으로 페닐티오아세트산, 메틸페닐티오아세트산, 에틸페닐티오아세트산, 메틸에틸페닐티오아세트산, 디메틸페닐티오아세트산, 메톡시페닐티오아세트산, 디메톡시페닐티오아세트산, 클로로페닐티오아세트산, 디클로로페닐티오아세트산, N-페닐글리신, 페녹시아세트산, 나프틸티오아세트산, N-나프틸글리신, 나프톡시아세트산, 1,2,4-벤젠트리카르복실산 무수물 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The carboxylic acid compound is preferably aromatic heteroacetic acid, specifically phenylthioacetic acid, methylphenylthioacetic acid, ethylphenylthioacetic acid, methylethylphenylthioacetic acid, dimethylphenylthioacetic acid, methoxyphenylthioacetic acid, dimethoxyphenylthio Acetic acid, chlorophenylthioacetic acid, dichlorophenylthioacetic acid, N-phenylglycine, phenoxyacetic acid, naphthylthioacetic acid, N-naphthylglycine, naphthoxyacetic acid, 1,2,4-benzenetricarboxylic acid anhydride, etc. may be mentioned, but is not limited thereto.
상기 티올기를 가지는 유기 황화합물의 구체적인 예로서는 2-머캅토벤조티아졸, 1,4-비스(3-머캅토부티릴옥시)부탄, 1,3,5-트리스(3-머캅토부틸옥시에틸)-1,3,5-트리아진-2,4,6(1H,3H,5H)-트리온, 트리메틸올프로판트리스(3-머갑토프로피오네이트), 펜타에리트리톨테트라키스(3-머캅토부틸레이트), 펜타에리트리톨테 트라키스(3-머캅토프로피오네이트), 디펜타에리트리톨헥사키스(3-머캅토프로피오네이트), 테트라에틸렌글리콜비스(3-머캅토프로피오네이트) 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Specific examples of the organic sulfur compound having a thiol group include 2-mercaptobenzothiazole, 1,4-bis(3-mercaptobutyryloxy)butane, 1,3,5-tris(3-mercaptobutyloxyethyl)- 1,3,5-triazine-2,4,6(1H,3H,5H)-trione, trimethylolpropanetris(3-mercaptopropionate), pentaerythritoltetrakis(3-mercaptobutyl rate), pentaerythritol tetrakis (3-mercaptopropionate), dipentaerythritol hexakis (3-mercaptopropionate), tetraethylene glycol bis (3-mercaptopropionate), etc. may be mentioned, but is not limited thereto.
상기 산발생제의 구체적인 예로서는 4-히드록시페닐디메틸설포늄 p-톨루엔설포네이트, 4-히드록시페닐디메틸설포늄헥사플루오로안티모네이트, 4-아세톡시페닐디메틸설포늄 p-톨루엔설포네이트, 4-아세톡시페닐메틸벤질설포늄헥사 플루오로안티모네이트, 트리페닐설포늄 p-톨루엔설포네이트, 트리페닐설포늄헥사플루오로안티모네이트, 디페닐요오도늄 p-톨루엔설포네이트, 디페닐요오도늄헥사플루오로안티모네이트 등의 오늄염류나 니트로벤질토실레이트류, 벤조인토실레이트류 등을 들 수 있다. Specific examples of the acid generator include 4-hydroxyphenyldimethylsulfonium p-toluenesulfonate, 4-hydroxyphenyldimethylsulfonium hexafluoroantimonate, 4-acetoxyphenyldimethylsulfonium p-toluenesulfonate, 4-acetoxyphenylmethylbenzylsulfonium hexafluoroantimonate, triphenylsulfonium p-toluenesulfonate, triphenylsulfonium hexafluoroantimonate, diphenyliodonium p-toluenesulfonate, diphenyl Onium salts, such as iodonium hexafluoroantimonate, nitrobenzyl tosylate, benzointosylate, etc. are mentioned.
상기 경화 촉진제의 시판품으로는 리카싯도 HH(신일본이화㈜ 제조), 상품명(아데카하도나 EH-700)(아데카공업㈜ 제조), 상품명(MH-700)(신일본이화㈜ 제조) 등을 들 수 있으나 이에 한정되지 않는다.Commercially available products of the curing accelerator include Rikasiddo HH (manufactured by Shin-Nippon Ewha Co., Ltd.), trade name (Adecahadona EH-700) (manufactured by Adeka Industrial Co., Ltd.), trade name (MH-700) (manufactured by Shin-Nippon Ewha Co., Ltd.) and the like, but is not limited thereto.
상기 경화 촉진제는 상기 광변환 수지 조성물 중 고형분 전체 100 중량부를 기준으로 상기 알칼리 가용성 수지와 상기 열경화성 화합물 100 중량부에 대해서 0.1 내지 40 중량부, 바람직하게는 1 내지 30 중량부로 포함될 수 있다. The curing accelerator may be included in an amount of 0.1 to 40 parts by weight, preferably 1 to 30 parts by weight, based on 100 parts by weight of the total solid content of the light conversion resin composition, based on 100 parts by weight of the alkali-soluble resin and the thermosetting compound.
상기 경화 촉진제의 함량이 상기 범위를 만족하는 경우, 이를 포함하는 광변환 수지 조성물이 고감도화되어 도막의 경화시간이 단축되므로 생산성이 향상되며 높은 신뢰성을 구현할 수 있는 이점이 있으며, 이를 이용하여 형성된 도막의 강도와 상기 도막부의 표면 평활성이 양호해질 수 있는 이점이 있다.When the content of the curing accelerator satisfies the above range, the light conversion resin composition including the same is highly sensitive and the curing time of the coating film is shortened, so there is an advantage that productivity is improved and high reliability can be implemented, and a coating film formed using the same There is an advantage that the strength and the surface smoothness of the coating portion can be improved.
상기 경화 촉진제의 함량이 상기 범위 미만으로 포함되는 경우, 함께 포함될 수 있는 경화도 저하가 극복되지 못해, 후공정 중 주름이 발생할 수 있다.When the content of the curing accelerator is included below the above range, the decrease in the degree of curing that may be included together cannot be overcome, and wrinkles may occur during the post-processing.
용제solvent
본 발명에 따른 광변환 수지 조성물은 용제를 포함할 수 있다.The light conversion resin composition according to the present invention may contain a solvent.
본 발명의 또 다른 실시형태에 있어서, 상기 용제는 상기 광변환 수지 조성물 전체 100 중량부에 대하여 30 내지 90 중량부, 바람직하게는 40 내지 80 중량부, 더욱 바람직하게는 50 내지 75 중량부로 포함될 수 있다.In another embodiment of the present invention, the solvent may be included in an amount of 30 to 90 parts by weight, preferably 40 to 80 parts by weight, more preferably 50 to 75 parts by weight, based on 100 parts by weight of the total light conversion resin composition. have.
본 발명의 광변환 수지 조성물에 함유되는 용제는 적어도 1종 이상을 포함할 수 있으며, 특히 비점이 100 내지 240℃인 용제가 전체 용제 대비 50% 이상 포함되는 경우, 흐름특성이 우수해져 코팅얼룩 및 건조이물이 발생하지 않아, 코팅이물이 없는 양호한 광변환 유리기재를 제공할 수 있다. The solvent contained in the light conversion resin composition of the present invention may include at least one or more, and in particular, when 50% or more of the solvent having a boiling point of 100 to 240° C. is included compared to the total solvent, the flow characteristics are excellent, so that coating stains and Dry foreign matter does not occur, so it is possible to provide a good light conversion glass substrate without coating foreign matter.
상기 비점이 100℃ 미만인 용제가 전체 용제의 50% 이상인 경우 건조 속도가 빨라 Vacuum Dry 공정시 도막표면에 얼룩이 발생하여 불량을 야기할 수 있는 반면, 비점이 240℃를 초과하는 용제가 전체 용제의 50% 이상인 경우 Vacuum Dry 공정시 소요시간(Tact-time)이 길어지는 문제를 야기할 수 있다. 그러므로 전체 용제의 50% 이상의 용제는 비점이 100 내지 240℃인 용제를 사용 하는 것이 적절하다.If the solvent having a boiling point of less than 100°C is 50% or more of the total solvent, the drying rate is fast, and stains may occur on the surface of the coating film during the vacuum drying process, which may cause defects. % or more, it may cause a problem that the tact-time becomes longer during the vacuum dry process. Therefore, it is appropriate to use a solvent having a boiling point of 100 to 240°C for more than 50% of the total solvent.
상기 용제의 구체적인 예로는 에테르류, 방향족 탄화수소류, 케톤류, 알코올류, 에스테르류 및 아미드류 등으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있고, 구체적으로 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 에틸렌글리콜 모노에틸 에테르, 메틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트, 메시틸렌, 메틸아밀케톤, 메틸이소부틸케톤 및 3-에톡시프로피온산 에틸, 1,3-부틸렌글라이콜디아세테이트, 에틸-3-에톡시프로피오네이트, 프로필렌 글리콜 디아세테이트, 에틸렌글리콜 모노프로필 에테르, 에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 디에틸렌글리콜 디에틸에테르, 메톡시부틸 아세테이트, 에틸렌글리콜 및 γ-부티롤락톤등으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 내지 2종 이상일 수 있다.Specific examples of the solvent may include at least one selected from the group consisting of ethers, aromatic hydrocarbons, ketones, alcohols, esters and amides, and specifically propylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol Monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve acetate, mesitylene, methyl amyl ketone, methyl isobutyl ketone and ethyl 3-ethoxypropionate, 1,3-butylene glycol diacetate , ethyl-3-ethoxypropionate, propylene glycol diacetate, ethylene glycol monopropyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol diethyl ether, methoxybutyl acetate, ethylene glycol and γ-butyrolactone, etc. It may be one to two or more selected from the group consisting of.
첨가제additive
상기 첨가제는 필요에 따라 선택적으로 첨가될 수 있는 것으로서, 예를 들면 다른 고분자 화합물, 계면활성제, 밀착 촉진제, 산화 방지제, 자외선 흡수제 및 응집 방지제로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있다.The additive may be selectively added as needed, and may include, for example, at least one selected from the group consisting of other high molecular compounds, surfactants, adhesion promoters, antioxidants, ultraviolet absorbers, and anti-aggregation agents.
또한, 상기 첨가제 중에서도 계면 활성제를 포함하는 것이 가장 바람직하다.Moreover, it is most preferable to contain surfactant among the said additives.
상기 다른 고분자 화합물의 구체적인 예로는 에폭시 수지, 말레이미드 수지 등의 경화성 수지, 폴리비닐알코올, 폴리아크릴산, 폴리에틸렌글리콜모노알킬에테르, 폴리플루오로알킬아크릴레이트, 폴리에스테르 및 폴리우레탄 등의 열가소성 수지 등을 들 수 있다.Specific examples of the other high molecular compounds include curable resins such as epoxy resins and maleimide resins, thermoplastic resins such as polyvinyl alcohol, polyacrylic acid, polyethylene glycol monoalkyl ether, polyfluoroalkyl acrylate, polyester, and polyurethane. can be heard
상기 계면활성제는 광변환 수지 조성물의 피막 형성을 보다 향상시키기 위해 사용할 수 있으며, 실리콘계, 불소계, 에스테르계, 양이온계, 음이온계, 비이온계, 양성계면활성제 등이 바람직하게 사용될 수 있다. The surfactant may be used to further improve the film formation of the light conversion resin composition, and silicone-based, fluorine-based, ester-based, cationic, anionic, nonionic, and amphoteric surfactants may be preferably used.
상기 실리콘계 계면활성제는 예를 들어, 시판품으로서 다우코닝 도레이 실리콘사의 DC3PA, DC7PA, SH11PA, SH21PA 및 SH8400 등이 있고, GE 도시바 실리콘사의 TSF-4440, TSF-4300, TSF-4445, TSF-4446, TSF-4460 및 TSF-4452 등이 있다. The silicone-based surfactants include, for example, DC3PA, DC7PA, SH11PA, SH21PA, and SH8400 manufactured by Dow Corning Toray Silicone as commercially available products, and TSF-4440, TSF-4300, TSF-4445, TSF-4446, and TSF from GE Toshiba Silicone. -4460 and TSF-4452.
상기 불소계 계면활성제는 예를 들어, 시판품으로서 다이닛본 잉크 가가꾸 고교사의 메가피스 F-470, F-471, F-475, F-482 및 F-489 등이 있다. The fluorine-based surfactant includes, for example, Megapiece F-470, F-471, F-475, F-482, and F-489 manufactured by Dainippon Ink Chemical Co., Ltd. as a commercially available product.
또한, 그 외에 사용 가능한 시판품으로는 KP(신에쯔 가가꾸 고교㈜), 폴리플로우(POLYFLOW)(교에이샤 가가꾸㈜), 에프톱(EFTOP)(토켐 프로덕츠사), 메가팩(MEGAFAC)(다이닛본 잉크 가가꾸 고교㈜), 플로라드(Flourad)(스미또모 쓰리엠㈜), 아사히가드(Asahi guard), 서플론(Surflon)(이상, 아사히 글라스㈜), 솔스퍼스(SOLSPERSE)(Lubrisol), EFKA(EFKA 케미칼스사), PB 821(아지노모또㈜) 및 Disperbyk-series(BYK-chemi) 등을 들 수 있다. In addition, other commercially available products include KP (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), POLYFLOW (Kyoeisha Chemical Co., Ltd.), EFTOP (Tochem Products), and MEGAFAC. (Dainippon Ink Chemical High School Co., Ltd.), Florad (Sumitomo 3M Co., Ltd.), Asahi guard, Surflon (above, Asahi Glass Co., Ltd.), SOLSPERSE (Lubrisol) , EFKA (EFKA Chemicals), PB 821 (Ajinomoto), Disperbyk-series (BYK-chemi), and the like.
상기 양이온계 계면 활성제는 예를 들어, 스테아릴아민염산염 및 라우릴트리메틸암모늄클로라이드 등의 아민염 또는 4급 암모늄염 등이 있다. The cationic surfactant includes, for example, amine salts such as stearylamine hydrochloride and lauryl trimethylammonium chloride, or quaternary ammonium salts.
상기 음이온계 계면 활성제는 예를 들어, 라우릴알코올황산에스테르나트륨 및 올레일알코올황산에스테르나트륨 등의 고급 알코올 황산에스테르염류, 라우릴황산나트륨 및 라우릴황산암모늄 등의 알킬황산염류, 도데실벤젠술폰산나트륨 및 도데실나프탈렌술폰산나트륨 등의 알킬아릴술폰산염류 등이 있다.The anionic surfactant is, for example, higher alcohol sulfate salts such as sodium lauryl alcohol sulfate and sodium oleyl alcohol sulfate, alkyl sulfates such as sodium lauryl sulfate and ammonium lauryl sulfate, sodium dodecylbenzenesulfonate and alkylarylsulfonates such as sodium dodecylnaphthalenesulfonate.
상기 비이온계 계면 활성제는 예를 들어, 폴리옥시에틸렌알킬에테르, 폴리옥시에틸렌아릴에테르, 폴리옥시에틸렌알킬아릴에테르, 그 밖의 폴리옥시에틸렌 유도체, 옥시에틸렌/옥시프로필렌 블록 공중합체, 소르비탄지방산에스테르, 폴리옥시에틸렌소르비탄지방산에스테르, 폴리옥시에틸렌소르비톨지방산에스테르, 글리세린지방산에스테르, 폴리옥시에틸렌지방산에스테르 및 폴리옥시에틸렌알킬아민 등이 있다.The nonionic surfactant is, for example, polyoxyethylene alkyl ether, polyoxyethylene aryl ether, polyoxyethylene alkyl aryl ether, other polyoxyethylene derivatives, oxyethylene/oxypropylene block copolymer, sorbitan fatty acid ester , polyoxyethylene sorbitan fatty acid ester, polyoxyethylene sorbitol fatty acid ester, glycerin fatty acid ester, polyoxyethylene fatty acid ester, and polyoxyethylene alkylamine.
상기 예시된 계면활성제는 각각 단독 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.Each of the surfactants exemplified above may be used alone or in combination of two or more.
상기 밀착 촉진제의 종류는 특별히 한정되지 않으며, 사용 가능한 밀착 촉진제의 구체적인 예로는 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, 비닐트리스(2-메톡시에톡시)실란, N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필메틸디메톡시실란, N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리에톡시실란, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필메틸디메톡시실란, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, 3-클로로프로필메틸디메톡시실란, 3-클로로프로필트리메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 3-머캅토프로필트리메톡시실란, 3-이소시아네이트프로필트리메톡시실란 및 3-이소시아네이트프로필트리에톡시실란 등을 들 수 있다. The type of the adhesion promoter is not particularly limited, and specific examples of the adhesion promoter that can be used include vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, vinyltris(2-methoxyethoxy)silane, N-(2-aminoethyl). )-3-Aminopropylmethyldimethoxysilane, N-(2-aminoethyl)-3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltriethoxysilane, 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, 3 -Glycidoxypropylmethyldimethoxysilane, 2-(3,4-epoxycyclohexyl)ethyltrimethoxysilane, 3-chloropropylmethyldimethoxysilane, 3-chloropropyltrimethoxysilane, 3-methacryloxy Propyltrimethoxysilane, 3-mercaptopropyltrimethoxysilane, 3-isocyanate propyl trimethoxysilane, 3-isocyanate propyl triethoxysilane, etc. are mentioned.
상기에서 예시한 밀착 촉진제는 각각 단독 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 상기 밀착 촉진제는 광변환 수지 조성물 중 고형분 총 중량에 대하여 통상 0.01 내지 10 중량%, 바람직하게는 0.05 내지 2중량% 포함될 수 있다. The adhesion promoters illustrated above can be used individually or in combination of 2 or more types, respectively. The adhesion promoter may be included in an amount of usually 0.01 to 10% by weight, preferably 0.05 to 2% by weight, based on the total weight of the solid content in the light conversion resin composition.
상기 산화 방지제의 종류는 특별히 한정하지 않으나, 2,2'-티오비스(4-메틸-6-t-부틸페놀), 2,6-디-t-부틸-4-메틸페놀 등을 들 수 있다.The type of the antioxidant is not particularly limited, and examples thereof include 2,2'-thiobis(4-methyl-6-t-butylphenol) and 2,6-di-t-butyl-4-methylphenol. .
상기 자외선 흡수제의 종류는 특별히 한정하지 않으나, 사용 가능한 구체적인 예로는 2-(3-tert-부틸-2-히드록시-5-메틸페닐)-5-클로로벤조티리아졸, 알콕시벤조페논 등을 들 수 있다. The type of the ultraviolet absorber is not particularly limited, but specific examples that can be used include 2-(3-tert-butyl-2-hydroxy-5-methylphenyl)-5-chlorobenzothiazole, alkoxybenzophenone, and the like. .
상기 응집 방지제의 종류는 특별히 한정하지 않으나, 사용 가능한 구체적인 예로는 폴리아크릴산 나트륨 등을 들 수 있다.The type of the aggregation inhibitor is not particularly limited, and specific examples that can be used include sodium polyacrylate.
상기 첨가제는 본원 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서 적절한 함량으로 추가하여 사용이 가능하다. 예컨대, 상기 첨가제는 상기 광변환 수지 조성물 중 고형분 전체 100 중량부에 대하여 0.01 내지 10 중량부, 바람직하게는 0.1 내지 5 중량부, 더욱 바람직하게는 0.1 내지 3 중량부로 포함될 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.The additive may be used by adding an appropriate amount within a range that does not impair the purpose of the present invention. For example, the additive may be included in an amount of 0.01 to 10 parts by weight, preferably 0.1 to 5 parts by weight, more preferably 0.1 to 3 parts by weight, based on 100 parts by weight of the total solid content of the light conversion resin composition, but is not limited thereto. does not
<< 광변환light conversion 적층기재> Laminated Materials>
본 발명에 따른 광변환 적층기재는 광변환 수지 조성물의 경화물을 포함한다. 상기 광변환 적층기재는 유리, 실리콘(Si), 실리콘 산화물(SiOx) 또는 고분자 기판일 수 있으며, 상기 고분자 기판은 폴리에테르설폰(polyethersulfone, PES) 또는 폴리카보네이트(polycarbonate, PC) 등일 수 있으며, 본 발명의 일 실시형태에 따르면 유리기재일 수 있다. The light conversion laminated substrate according to the present invention includes a cured product of the light conversion resin composition. The light conversion laminated substrate may be glass, silicon (Si), silicon oxide (SiOx) or a polymer substrate, and the polymer substrate may be polyethersulfone (PES) or polycarbonate (PC), etc. According to one embodiment of the invention may be a glass substrate.
상기 광변환 적층 기재는 유리 기재에 코팅할 수 있는 광변환 수지 조성물을 포함함으로써, 인체유해물질에 해당되지 않는 용제를 사용할 수 있어, 작업자의 안전과 제품 생산성을 향상시킬 수 있다.Since the light conversion laminated substrate includes a light conversion resin composition that can be coated on a glass substrate, a solvent that does not correspond to a substance harmful to the human body can be used, thereby improving worker safety and product productivity.
상기 광변환 적층 기재는 상기 광변환 수지 조성물을 열경화하여 형성 될 수 있다.The light conversion laminated substrate may be formed by thermosetting the light conversion resin composition.
<화상표시장치><Image display device>
본 발명에 따른 화상표시장치는 전술한 광변환 적층기재를 포함한다. 상기 화상 표시 장치는 구체적으로, 액정 디스플레이(액정표시장치; LCD), 유기 EL 디스플레이(유기 EL 표시장치), 액정 프로젝터, 게임기용 표시장치, 휴대전화 등의 휴대단말용 표시장치, 디지털 카메라용 표시장치, 카 네비게이션용 표시장치 등의 표시장치 등을 들 수 있으며, 특히 컬러 표시장치가 적합하다.The image display device according to the present invention includes the above-described light conversion laminated substrate. The image display device is specifically, a liquid crystal display (liquid crystal display device; LCD), an organic EL display (organic EL display device), a liquid crystal projector, a display device for a game machine, a display device for a portable terminal such as a mobile phone, a display for a digital camera display devices such as a device and a display device for car navigation, and the like, and a color display device is particularly suitable.
상기 화상표시장치는 상기 광변환 적층기재를 구비한 것을 제외하고는 본 발명의 기술 분야에서 당 업자에게 알려진 구성을 더 포함할 수 있으며, 즉, 본 발명은 본 발명의 광변환 적층기재를 적용할 수 있는 화상표시장치를 포함한다.The image display device may further include a configuration known to those skilled in the art except for having the light conversion laminated substrate, that is, the present invention is to apply the light conversion laminated substrate of the present invention. It includes an image display device capable of
이하, 본 명세서를 구체적으로 설명하기 위해 실시예를 들어 상세히 설명한다. 그러나, 본 명세서에 따른 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 명세서의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되지는 않는다. 본 명세서의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 명세서를 보다 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 또한, 이하에서 함유량을 나타내는 "%" 및 "부"는 특별히 언급하지 않는 한 중량 기준이다.Hereinafter, examples will be given to describe the present specification in detail. However, the embodiments according to the present specification may be modified in various other forms, and the scope of the present specification is not to be construed as being limited to the embodiments described below. The embodiments of the present specification are provided to more completely explain the present specification to those of ordinary skill in the art. In addition, "%" and "part" indicating the content hereinafter are based on weight unless otherwise specified.
산란입자 분산액의 제조Preparation of scattering particle dispersion
제조예manufacturing example 1: 산란입자 분산액 S1의 제조 1: Preparation of scattering particle dispersion S1
산란입자로서 입경 220nm인 TiO2(훈츠만사 TR-88) 70.0중량부, 분산제로서 DISPERBYK-2001 (BYK사 제조) 4.0중량부, 용매로서 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트 26중량부를 비드밀에 의해 12시간 동안 혼합/분산하여 산란입자 분산액 S1을 제조하였다. 70.0 parts by weight of TiO 2 having a particle size of 220 nm as scattering particles (Huntzman TR-88), 4.0 parts by weight of DISPERBYK-2001 (manufactured by BYK) as a dispersant, and 26 parts by weight of propylene glycol methyl ether acetate as a solvent by a bead mill for 12 hours A scattering particle dispersion S1 was prepared by mixing/dispersing.
합성예Synthesis example 1: Green 1: Green 양자점의quantum dot 합성(Q-1) Synthesis (Q-1)
인듐 아세테이트(Indium acetate) 0.4mmol(0.058g), 팔미트산(palmitic acid) 0.6mmol(0.15g) 및 1-옥타데센(octadecene) 20mL를 반응기에 넣고 진공 하에 120℃로 가열하였다. 1시간 후 반응기 내 분위기를 질소로 전환하였다. 280℃로 가열한 후, 트리스(트리메틸실릴)포스핀(TMS3P) 0.2mmol(58㎕) 및 트리옥틸포스핀 1.0mL의 혼합 용액을 신속히 주입하고 0.5분간 반응시켰다.0.4 mmol (0.058 g) of indium acetate, 0.6 mmol (0.15 g) of palmitic acid, and 20 mL of 1-octadecene were placed in a reactor and heated to 120 °C under vacuum. After 1 hour, the atmosphere in the reactor was switched to nitrogen. After heating to 280° C., a mixed solution of 0.2 mmol (58 μl) of tris (trimethylsilyl) phosphine (TMS 3 P) and 1.0 mL of trioctylphosphine was quickly injected and reacted for 0.5 minutes.
이어서 아연 아세테이트 2.4mmoL(0.448g), 올레산 4.8mmol 및 트리옥틸아민 20mL를 반응기에 넣고 진공 하에 120℃로 가열하였다. 1시간 후 반응기 내 분위기를 질소로 전환하고 반응기를 280℃로 승온시켰다. 앞서 합성한 InP 코어 용액 2mL를 넣고, 이어서 트리옥틸포스핀 중의 셀레늄(Se/TOP) 4.8 mmol을 넣은 후, 최종 혼합물을 2시간 동안 반응시켰다. 상온으로 신속하게 식힌 반응 용액에 에탄올을 넣고 원심 분리하여 얻은 침전을 감압여과 후 감압 건조하여 InP/ZnSe 코어-쉘을 형성시켰다. Then, 2.4 mmol of zinc acetate (0.448 g), 4.8 mmol of oleic acid and 20 mL of trioctylamine were placed in a reactor and heated to 120° C. under vacuum. After 1 hour, the atmosphere in the reactor was switched to nitrogen and the temperature of the reactor was raised to 280°C. 2 mL of the previously synthesized InP core solution was added, and then 4.8 mmol of selenium (Se/TOP) in trioctylphosphine was added, and the final mixture was reacted for 2 hours. Ethanol was added to the reaction solution cooled quickly to room temperature, and the precipitate obtained by centrifugation was filtered under reduced pressure and dried under reduced pressure to form an InP/ZnSe core-shell.
이어서, 아연 아세테이트 2.4mmoL(0.448g), 올레산 4.8mmol 및 트리옥틸아민 20mL를 반응기에 넣고 진공 하에 120℃로 가열하였다. 1시간 후 반응기 내 분위기를 질소로 전환하고 반응기를 280℃로 승온시켰다. 앞서 합성한 InP 코어 용액 2mL를 넣고, 이어서 트리옥틸포스핀 중의 황(S/TOP) 4.8mmol을 넣은 후, 최종 혼합물을 2시간 동안 반응시켰다. 상온으로 신속하게 식힌 반응 용액에 에탄올을 넣고 원심 분리하여 얻은 침전을 감압여과 후 감압 건조하여 InP/ZnSe/ZnS 코어-쉘 구조의 양자점을 수득 후 클로로포름에 분산시켰다. Then, 2.4 mmol of zinc acetate (0.448 g), 4.8 mmol of oleic acid and 20 mL of trioctylamine were placed in a reactor and heated to 120° C. under vacuum. After 1 hour, the atmosphere in the reactor was switched to nitrogen and the temperature of the reactor was raised to 280°C. 2 mL of the previously synthesized InP core solution was added, followed by 4.8 mmol of sulfur (S/TOP) in trioctylphosphine, and the final mixture was reacted for 2 hours. Ethanol was added to the reaction solution cooled quickly to room temperature, and the precipitate obtained by centrifugation was filtered under reduced pressure and dried under reduced pressure to obtain quantum dots of InP/ZnSe/ZnS core-shell structure, which were then dispersed in chloroform.
얻어진 나노 양자점의 광발광 스펙트럼의 최대발광 peak는 515nm 이며, 양자점 용액 5mL를 원심분리 튜브에 넣고 에탄올 20mL를 넣어 침전시켰다. 원심분리를 통해 상층액은 버리고 침전물에 2mL의 클로로포름을 넣어 양자점을 분산시킨 다음 0.50g의 (2-Butoxy-ethoxy)-acetic acid을 넣고 질소분위기 하에서 60℃로 가열하면서 한시간 동안 반응시켰다.The maximum emission peak of the photoluminescence spectrum of the obtained nano quantum dots is 515 nm, 5 mL of the quantum dot solution was placed in a centrifuge tube, and 20 mL of ethanol was added to precipitate. The supernatant was discarded through centrifugation, and 2 mL of chloroform was added to the precipitate to disperse the quantum dots, then 0.50 g of (2-Butoxy-ethoxy)-acetic acid was added and reacted for one hour while heating to 60° C. under a nitrogen atmosphere.
이어서, 반응물에 25mL의 n-헥산을 넣어 양자점을 침전시킨 후 원심분리를 실시하여 침전물을 분리한 다음 프로필렌글리콜모노메틸에테르 아세테이트 4mL을 투입하여 80℃로 가열하면서 분산시켰다. PGMEA로 고형분은 25%로 조정하였다. 최대발광파장은 516nm 였다.Then, 25 mL of n-hexane was added to the reaction to precipitate quantum dots, followed by centrifugation to separate the precipitate, and then 4 mL of propylene glycol monomethyl ether acetate was added and dispersed while heating to 80°C. The solids content was adjusted to 25% with PGMEA. The maximum emission wavelength was 516 nm.
합성예Synthesis example 2: Green 2: Green 양자점quantum dots 합성(Q-2) Synthesis (Q-2)
합성예 1에서 합성된 양자점 클로로포름 용액 5mL를 원심분리 튜브에 넣고 에탄올 20mL를 넣어 침전시켰다. 원심분리를 통해 상층액은 버리고 침전물에 2mL의 클로로포름을 넣어 양자점을 분산시킨 다음 0.5g의 O-(Succinyl)-O′-methylpolyethylene glycol 2′'000(Aldrich사)을 넣고 질소분위기 하에서 60℃로 가열하면서 한시간 동안 반응시켰다.5 mL of the quantum dot chloroform solution synthesized in Synthesis Example 1 was placed in a centrifuge tube, and 20 mL of ethanol was added to precipitate. Discard the supernatant through centrifugation, add 2 mL of chloroform to the precipitate to disperse the quantum dots, then add 0.5 g of O-(Succinyl)-O′-methylpolyethylene glycol 2′'000 (Aldrich) and heat to 60°C under a nitrogen atmosphere. It was reacted for one hour while heating.
이어서, 반응물에 25mL의 n-헥산을 넣어 양자점을 침전시킨 후 원심분리를 실시하여 침전물을 분리한 다음 프로필렌글리콜모노메틸에테르 아세테이트 4mL을 투입하여 80℃로 가열하면서 분산시켰다. PGMEA로 고형분은 25%로 조정하였다. 최대발광파장은 515nm 였다.Then, 25 mL of n-hexane was added to the reaction to precipitate quantum dots, followed by centrifugation to separate the precipitate, and then 4 mL of propylene glycol monomethyl ether acetate was added and dispersed while heating to 80°C. The solids content was adjusted to 25% with PGMEA. The maximum emission wavelength was 515 nm.
합성예Synthesis example 3: Red 3: Red 양자점quantum dots 합성(Q-3) Synthesis (Q-3)
인듐 아세테이트(Indium acetate) 0.4mmol(0.058g), 팔미트산(palmitic acid) 0.6mmol(0.15g) 및 1-옥타데센(octadecene) 20mL를 반응기에 넣고 진공 하에 120℃로 가열하였다. 1시간 후 반응기 내 분위기를 질소로 전환하였다. 280℃로 가열한 후, 트리스(트리메틸실릴)포스핀(TMS3P) 0.2mmol(58㎕) 및 트리옥틸포스핀 1.0mL의 혼합 용액을 신속히 주입하고 5분간 반응 후 반응용액을 상온으로 신속하게 식혔다. 흡수 최대 파장 560 내지 590nm를 나타내었다.0.4 mmol (0.058 g) of indium acetate, 0.6 mmol (0.15 g) of palmitic acid, and 20 mL of 1-octadecene were placed in a reactor and heated to 120 °C under vacuum. After 1 hour, the atmosphere in the reactor was switched to nitrogen. After heating to 280°C, a mixed solution of 0.2 mmol (58 μl) of tris (trimethylsilyl) phosphine (TMS 3 P) and 1.0 mL of trioctylphosphine was quickly injected, and after reacting for 5 minutes, the reaction solution was quickly brought to room temperature. cooled down The absorption maximum wavelength was 560 to 590 nm.
아연 아세테이트 2.4mmoL(0.448g), 올레산 4.8mmol 및 트리옥틸아민 20mL를 반응기에 넣고 진공 하에 120℃로 가열하였다. 1시간 후 반응기 내 분위기를 질소로 전환하고 반응기를 280℃로 승온시켰다. 앞서 합성한 InP 코어 용액 2mL를 넣고, 이어서 트리옥틸포스핀 중의 셀레늄(Se/TOP) 4.8mmol을 넣은 후, 최종 혼합물을 2시간 동안 반응 후 상온으로 내려 InP/ZnSe 코어-쉘을 형성시켰다. 2.4 mmol of zinc acetate (0.448 g), 4.8 mmol of oleic acid and 20 mL of trioctylamine were placed in a reactor and heated to 120° C. under vacuum. After 1 hour, the atmosphere in the reactor was switched to nitrogen and the temperature of the reactor was raised to 280°C. 2 mL of the previously synthesized InP core solution was added, and then 4.8 mmol of selenium (Se/TOP) in trioctylphosphine was added, and the final mixture was reacted for 2 hours and then cooled to room temperature to form an InP/ZnSe core-shell.
이어서, 아연 아세테이트 2.4mmoL(0.448g), 올레산 4.8mmol 및 트리옥틸아민 20mL를 반응기에 넣고 진공 하에 120℃로 가열하였다. 1시간 후 반응기 내 분위기를 질소로 전환하고 반응기를 280℃로 승온시켰다. 앞서 합성한 InP 코어 용액 2mL를 넣고, 이어서 트리옥틸포스핀 중의 황(S/TOP) 4.8mmol을 넣은 후, 최종 혼합물을 2시간 동안 반응시켰다. 상온으로 신속하게 식힌 반응 용액에 에탄올을 넣고 원심 분리하여 얻은 침전을 감압여과 후 감압 건조하여 InP/ZnSe/ZnS 코어-쉘 구조의 양자점을 수득 후 클로로포름에 분산시켰다. Then, 2.4 mmol of zinc acetate (0.448 g), 4.8 mmol of oleic acid and 20 mL of trioctylamine were placed in a reactor and heated to 120° C. under vacuum. After 1 hour, the atmosphere in the reactor was switched to nitrogen and the temperature of the reactor was raised to 280°C. 2 mL of the previously synthesized InP core solution was added, followed by 4.8 mmol of sulfur (S/TOP) in trioctylphosphine, and the final mixture was reacted for 2 hours. Ethanol was added to the reaction solution cooled quickly to room temperature, and the precipitate obtained by centrifugation was filtered under reduced pressure and dried under reduced pressure to obtain quantum dots of InP/ZnSe/ZnS core-shell structure, which were then dispersed in chloroform.
얻어진 나노 양자점의 광발광 스펙트럼의 최대발광 peak는 628nm이며, 합성된 양자점 용액 5mL를 원심분리 튜브에 넣고 에탄올 20mL를 넣어 침전시켰다. 원심분리를 통해 상층액은 버리고 침전물에 2mL의 클로로포름을 넣어 양자점을 분산시킨 다음 0.65g의 2-[2-(2-Methoxyethoxy)ethoxy]acetic acid(WAKO사)을 넣고 질소분위기 하에서 60℃로 가열하면서 한시간 동안 반응시켰다.The maximum emission peak of the photoluminescence spectrum of the obtained nano quantum dots was 628 nm, and 5 mL of the synthesized quantum dot solution was placed in a centrifuge tube, and 20 mL of ethanol was added to precipitate. Discard the supernatant through centrifugation and disperse the quantum dots by adding 2 mL of chloroform to the precipitate, then add 0.65 g of 2-[2-(2-Methoxyethoxy)ethoxy]acetic acid (WAKO) and heat to 60°C under a nitrogen atmosphere. and reacted for one hour.
이어서, 반응물에 25mL의 n-헥산을 넣어 양자점을 침전시킨 후 원심분리를 실시하여 상층액은 버리고 침전물을 분리한 다음 프로필렌글리콜모노메틸에테르 아세테이트 4mL을 투입하여 80℃로 가열하면서 분산시켰다. PGMEA로 고형분을 25%로 조정하였다. 최대발광파장은 628nm 였다.Then, 25 mL of n-hexane was added to the reaction to precipitate quantum dots, and then centrifuged to discard the supernatant and separate the precipitate. Then, 4 mL of propylene glycol monomethyl ether acetate was added and dispersed while heating to 80 ° C. The solids were adjusted to 25% with PGMEA. The maximum emission wavelength was 628 nm.
합성예Synthesis example 4: Red 4: Red 양자점quantum dots 합성(Q-4) Synthesis (Q-4)
인듐 아세테이트(Indium acetate) 0.4mmol(0.058g), 팔미트산(palmitic acid) 0.6mmol(0.15g) 및 1-옥타데센(octadecene) 20mL를 반응기에 넣고 진공 하에 120℃로 가열하였다. 1시간 후 반응기 내 분위기를 질소로 전환하였다. 280℃로 가열한 후, 트리스(트리메틸실릴)포스핀(TMS3P) 0.2mmol(58㎕) 및 트리옥틸포스핀 1.0mL의 혼합 용액을 신속히 주입하고 4.5분간 반응 후 반응용액을 상온으로 신속하게 식혔다. 흡수 최대 파장 550 내지 585nm를 나타내었다.0.4 mmol (0.058 g) of indium acetate, 0.6 mmol (0.15 g) of palmitic acid, and 20 mL of 1-octadecene were placed in a reactor and heated to 120 °C under vacuum. After 1 hour, the atmosphere in the reactor was switched to nitrogen. After heating to 280°C, a mixed solution of 0.2 mmol (58 μl) of tris (trimethylsilyl) phosphine (TMS 3 P) and 1.0 mL of trioctylphosphine was quickly injected, and after reacting for 4.5 minutes, the reaction solution was quickly brought to room temperature. cooled down The absorption maximum wavelength was 550 to 585 nm.
아연 아세테이트 2.4mmoL(0.448g), 올레산 4.8mmol 및 트리옥틸아민 20mL를 반응기에 넣고 진공 하에 120℃로 가열하였다. 1시간 후 반응기 내 분위기를 질소로 전환하고 반응기를 280℃로 승온시켰다. 앞서 합성한 InP 코어 용액 2mL를 넣고, 이어서 트리옥틸포스핀 중의 셀레늄(Se/TOP) 4.8mmol을 넣은 후, 최종 혼합물을 2시간 동안 반응 후 상온으로 내려 InP/ZnSe 코어-쉘을 형성시켰다. 2.4 mmol of zinc acetate (0.448 g), 4.8 mmol of oleic acid and 20 mL of trioctylamine were placed in a reactor and heated to 120° C. under vacuum. After 1 hour, the atmosphere in the reactor was switched to nitrogen and the temperature of the reactor was raised to 280°C. 2 mL of the previously synthesized InP core solution was added, and then 4.8 mmol of selenium (Se/TOP) in trioctylphosphine was added, and the final mixture was reacted for 2 hours and then cooled to room temperature to form an InP/ZnSe core-shell.
이어서, 아연 아세테이트 2.4mmoL(0.448g), 올레산 4.8mmol 및 트리옥틸아민 20mL를 반응기에 넣고 진공 하에 120℃로 가열하였다. 1시간 후 반응기 내 분위기를 질소로 전환하고 반응기를 280℃로 승온시켰다. 앞서 합성한 InP 코어 용액 2mL를 넣고, 이어서 트리옥틸포스핀 중의 황(S/TOP) 4.8mmol을 넣은 후, 최종 혼합물을 2시간 동안 반응시켰다. 상온으로 신속하게 식힌 반응 용액에 에탄올을 넣고 원심 분리하여 얻은 침전을 감압여과 후 감압 건조하여 InP/ZnSe/ZnS 코어-쉘 구조의 양자점을 수득 후 클로로포름에 분산시켰다. Then, 2.4 mmol of zinc acetate (0.448 g), 4.8 mmol of oleic acid and 20 mL of trioctylamine were placed in a reactor and heated to 120° C. under vacuum. After 1 hour, the atmosphere in the reactor was switched to nitrogen and the temperature of the reactor was raised to 280°C. 2 mL of the previously synthesized InP core solution was added, followed by 4.8 mmol of sulfur (S/TOP) in trioctylphosphine, and the final mixture was reacted for 2 hours. Ethanol was added to the reaction solution cooled quickly to room temperature, and the precipitate obtained by centrifugation was filtered under reduced pressure and dried under reduced pressure to obtain quantum dots of InP/ZnSe/ZnS core-shell structure, which were then dispersed in chloroform.
얻어진 나노 양자점의 광발광 스펙트럼의 최대발광 peak는 616nm이며, 합성된 양자점 용액 5mL를 원심분리 튜브에 넣고 에탄올 20mL를 넣어 침전시켰다. 원심분리를 통해 상층액은 버리고 침전물에 2mL의 클로로포름을 넣어 양자점을 분산시킨 다음 0.65g의 2-[2-(2-Methoxyethoxy)ethoxy]acetic acid(WAKO사)을 넣고 질소분위기 하에서 60℃로 가열하면서 한시간 동안 반응시켰다.The maximum emission peak of the photoluminescence spectrum of the obtained nano quantum dots was 616 nm, and 5 mL of the synthesized quantum dot solution was placed in a centrifuge tube, and 20 mL of ethanol was added to precipitate. Discard the supernatant through centrifugation and disperse the quantum dots by adding 2 mL of chloroform to the precipitate, then add 0.65 g of 2-[2-(2-Methoxyethoxy)ethoxy]acetic acid (WAKO) and heat to 60°C under a nitrogen atmosphere. and reacted for one hour.
이어서, 반응물에 25mL의 n-헥산을 넣어 양자점을 침전시킨 후 원심분리를 실시하여 상층액은 버리고 침전물을 분리한 다음 프로필렌글리콜모노메틸에테르 아세테이트 4mL을 투입하여 80℃로 가열하면서 분산시켰다. PGMEA로 고형분을 25%로 조정하였다. 최대발광파장은 616nm 였다.Then, 25 mL of n-hexane was added to the reaction to precipitate quantum dots, and then centrifuged to discard the supernatant and separate the precipitate. Then, 4 mL of propylene glycol monomethyl ether acetate was added and dispersed while heating to 80 ° C. The solids were adjusted to 25% with PGMEA. The maximum emission wavelength was 616 nm.
합성예Synthesis example 5: 5: 카도계cardio 바인더 수지를 포함하는 알칼리 가용성 수지 (E-1) Alkali-soluble resin containing binder resin (E-1)
(1) 반응기에 비스페놀 에폭시 화합물인 9,9'-비스(4-글리실록시페닐)플루오렌(Hear chem社) 138g, 2-카복시에틸 아크릴레이트(2-Carboxyethyl acrylate) 54g, 벤질트리에틸암모늄클로라이드(대정화금社) 1.4g, 트리페닐포스핀(Aldrich社) 1g, 프로필렌글리콜 메틸에틸아세테이트(Daicel Chemical社) 128g, 및 하이드로퀴논 0.5g을 넣고 120℃로 승온 후 12시간 유지하여, 하기 화학식 12로 표시되는 화합물을 합성하였다.(1) 138 g of bisphenol epoxy compound 9,9'-bis (4-glycyloxyphenyl) fluorene (Hear chem), 54 g of 2-carboxyethyl acrylate, benzyl triethyl ammonium in a reactor 1.4 g of chloride (Daejeong Hwageum), 1 g of triphenylphosphine (Aldrich), 128 g of propylene glycol methylethyl acetate (Daicel Chemical), and 0.5 g of hydroquinone were added, and the temperature was raised to 120 ° C. and maintained for 12 hours. A compound represented by Formula 12 was synthesized.
(2) 반응기에 하기 화학식 12로 표시되는 화합물 60g, 비페닐테트라카르복실산 디무수물(Mitsubishi Gas社) 11g, 테트라히드로프탈 무수물(Aldrich社) 3g, 프로필렌글리콜 메틸에틸아세테이트(Daicel Chemical社) 20g, 및 N,N'-테트라메틸암모늄 클로라이드 0.1g을 넣고 120℃로 승온 후 2시간 유지하여, 하기 화학식 13으로 표시되는 화합물을 합성하였다. 얻어진 하기 화학식 13으로 표시되는 수지의 중량평균 분자량은 5,400 g/mol 이었다.(2) 60 g of the compound represented by the following formula 12 in the reactor, 11 g of biphenyltetracarboxylic acid dianhydride (Mitsubishi Gas), 3 g of tetrahydrophthalic anhydride (Aldrich), 20 g of propylene glycol methylethyl acetate (Daicel Chemical) , and 0.1 g of N,N'-tetramethylammonium chloride were added, and the temperature was raised to 120° C. and maintained for 2 hours to synthesize a compound represented by the following Chemical Formula 13. The weight average molecular weight of the obtained resin represented by the following formula (13) was 5,400 g/mol.
[화학식 12][Formula 12]
[화학식 13][Formula 13]
합성예Synthesis example 6: 6: 카도계cardio 바인더 수지를 포함하는 알칼리 가용성 수지 (E-2) Alkali-soluble resin containing binder resin (E-2)
(1) 3구 플라스크에 환류 냉각기와 온도계를 설치한 후, 9,9-비스페놀플루오렌(9,9-Bisphenolfluorene) 42.5g를 넣고 2-(클로로메틸)옥시란(2-(chloromethyl)oxirane) 220mL를 정량한 후 주입하였다. 테트라부틸암모늄 브로마이드(Tetrabutylammonium bromide) 100mg을 넣은 후, 교반을 시작하면서 온도를 90℃로 승온하였다. 미반응물 함량이 0.3% 미만임을 확인 후 감압증류 하였다.(1) After installing a reflux condenser and thermometer in a 3-neck flask, add 42.5 g of 9,9-bisphenolfluorene and 2-(chloromethyl)oxirane After quantifying 220 mL, it was injected. After adding 100 mg of tetrabutylammonium bromide, the temperature was raised to 90° C. while stirring was started. After confirming that the unreacted content was less than 0.3%, distillation was carried out under reduced pressure.
온도를 30℃로 낮춘 후, 디클로로메탄(dichloromethane)을 주입하고, NaOH를 서서히 투입하였다. 생성물이 96% 이상인 것을 고성능액체크로마토그래피(HPLC)방법으로 확인한 후 5% HCl를 적하하여 반응을 종결하였다. 반응물은 추출하여 층분리한 후, 유기층을 물로 씻어주고 중성이 되도록 세척하였다. 유기층은 MgSO4로 건조한 후 회전증발기로 감압 증류하여 농축하였다. 농축된 생성물에 디클로로메테인(dichloromethane)을 넣고 40℃까지 온도를 올리면서 교반하면서 메탄올(methanol)를 투입한 후 용액온도를 낮추고 교반하였다. 생성된 고체를 여과한 후, 상온에서 진공 건조하여 흰색 고체 분말 52.7g(수율 94%)을 얻었다, 이에 대한 구조는 1H NMR로 확인하였다.After lowering the temperature to 30 ℃, dichloromethane (dichloromethane) was injected, and NaOH was slowly added. After confirming that the product was 96% or more by high performance liquid chromatography (HPLC), 5% HCl was added dropwise to terminate the reaction. After the reaction product was extracted and separated into layers, the organic layer was washed with water and washed to become neutral. The organic layer was dried over MgSO 4 and concentrated by distillation under reduced pressure using a rotary evaporator. Dichloromethane was added to the concentrated product, and methanol was added while raising the temperature to 40° C. while stirring, followed by lowering the solution temperature and stirring. After filtering the resulting solid, vacuum drying at room temperature to obtain 52.7 g (yield 94%) of a white solid powder, the structure of which was confirmed by 1H NMR.
[반응식 1][Scheme 1]
1H NMR in CDCl3: 7.75 (2H), 7.35-7.254(6H), 7.08 (4H), 6.74 (4H), 4.13 (2H), 3.89 (2H), 3.30 (2H), 2.87 (2H), 2.71 (2H).1H NMR in CDCl3: 7.75 (2H), 7.35-7.254 (6H), 7.08 (4H), 6.74 (4H), 4.13 (2H), 3.89 (2H), 3.30 (2H), 2.87 (2H), 2.71 (2H) ).
(2) 3,3'-(((9H-플루오렌-9,9-디일)비스(4,1-페닐렌))비스(옥시))비스(1-페닐티오)프로판-2-올)(3,3'-(((9H-fluorene-9,9-diyl)bis(4,1-phenylene))bis(oxy))bis(1-(phenylthio)propan-2-ol)) 합성.(2) 3,3'-(((9H-fluorene-9,9-diyl)bis(4,1-phenylene))bis(oxy))bis(1-phenylthio)propan-2-ol) Synthesis of (3,3'-(((9H-fluorene-9,9-diyl)bis(4,1-phenylene))bis(oxy))bis(1-(phenylthio)propan-2-ol)).
3구 플라스크에 환류 냉각기와 온도계를 설치한 후 1단계 반응물 (1000g), thiophenol 524g, 에탄올 617g을 넣고 교반하였다. 반응 용액에 트리에틸아민(triethylamine) 328g을 천천히 적가하였다. 고성능액체크로마토그래피(HPLC)방법으로 출발물질이 사라진 것을 확인한 후, 반응을 종료하였다. 반응 완료 후, 에탄올을 감압증류하여 제거하였다. 유기물을 디클로로메테인(dichloromethane)에 녹인 후 물로 세척한 후 디클로로메테인(dichloromethane)을 감압증류를 통해 제거하였다. 농축된 유기물은 에틸 아세테이트(ethyl acetate)에 녹인 후 에테르 용매를 적가하고 30분 동안 교반하였다. 화합물을 감압증류하여 옅은 노란색 오일(pale yellow oil) 945 g (수율 64%)을 얻었고, 이의 구조는 1H NMR로 확인하였다.After installing a reflux condenser and a thermometer in the three-necked flask, the first stage reactant (1000 g), thiophenol 524 g, and ethanol 617 g were added and stirred. 328 g of triethylamine was slowly added dropwise to the reaction solution. After confirming that the starting material disappeared by high performance liquid chromatography (HPLC), the reaction was terminated. After completion of the reaction, ethanol was distilled off under reduced pressure. The organic material was dissolved in dichloromethane, washed with water, and then dichloromethane was removed through distillation under reduced pressure. After the concentrated organic material was dissolved in ethyl acetate, an ether solvent was added dropwise and stirred for 30 minutes. The compound was distilled under reduced pressure to obtain 945 g (yield 64%) of pale yellow oil, the structure of which was confirmed by 1H NMR.
[반응식 2][Scheme 2]
1H NMR in CDCl3: 7.82 (2H), 7.38-6.72 (20H), 6.51 (4H), 4.00 (2H), 3.97 (2H), 3.89 (2H), 3.20 (2H), 3.01 (2H), 2.64 (2H).1H NMR in CDCl3: 7.82 (2H), 7.38-6.72 (20H), 6.51 (4H), 4.00 (2H), 3.97 (2H), 3.89 (2H), 3.20 (2H), 3.01 (2H), 2.64 (2H) ).
(3) 카도계 바인더 수지 합성(3) Synthesis of cardo-based binder resin
3구 플라스크에 환류 냉각기와 온도계를 설치한 후, 50% PGMEA 용매에 녹아있는 2단계에서 합성한 3,3'-(((9H-플루오렌-9,9-디일)비스(4,1-페닐렌))비스(옥시))비스(1-페닐티오)프로판-2-올)(3,3'-(((9H-fluorene-9,9-diyl)bis(4,1-phenylene))bis(oxy))bis(1-(phenylthio)propan-2-ol)) 모노머 200g을 넣고 115℃까지 승온시켰다. 115℃에서 3,3,'4,4'-비페닐테트라카복실릭 디안하이드리드(3,3',4,4'-Biphenyltetracarboxylic dianhydride) 31.1g을 적하한 후, 6시간 동안 115℃를 유지하면서 교반시켰다. 프탈릭 안하이드리드(Phthalic anhydride) 7.35g를 넣고 2시간 더 교반한 후, 반응을 종료하였다. 냉각 후 중량평균 분자량 3,500 g/mol인 바인더 수지를 얻었다. 산가는 150㎎KOH/g 이였다.After installing a reflux condenser and a thermometer in a three-neck flask, 3,3'-(((9H-fluorene-9,9-diyl)bis(4,1-) synthesized in step 2 dissolved in 50% PGMEA solvent phenylene))bis(oxy))bis(1-phenylthio)propan-2-ol)(3,3'-(((9H-fluorene-9,9-diyl)bis(4,1-phenylene)) 200 g of bis(oxy))bis(1-(phenylthio)propan-2-ol)) monomer was added and the temperature was raised to 115°C. 31.1 g of 3,3,'4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride (3,3',4,4'-Biphenyltetracarboxylic dianhydride) was added dropwise at 115°C, maintaining 115°C for 6 hours stirred. After adding 7.35 g of phthalic anhydride and stirring for an additional 2 hours, the reaction was terminated. After cooling, a binder resin having a weight average molecular weight of 3,500 g/mol was obtained. The acid value was 150 mgKOH/g.
합성예Synthesis example 7: 37: 3 ,4-,4- 에폭시트리시클로Epoxy Tricyclo [5.2.1.0[5.2.1.0 2,62,6 ] ] 데칸환Decane ring 함유 contain 중합성polymeric 불포화 화합물 유래의 반복단위를 repeating units derived from unsaturated compounds 포함하는 포함하는including included 알칼리 가용성 수지 (E-3) Alkali-soluble resin (E-3)
교반기, 온도계, 환류 냉각관, 적하 깔때기 및 질소 도입관을 구비한 내용적 0.5 리터의 분리형 플라스크에 메톡시부틸아세테이트 79 g을 투입, 80 ℃로 승온 후, 3,4-에폭시트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-9-일아크릴레이트와 3,4-에폭시트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일아크릴레이트의 혼합물[50:50(몰비)](E-DCPA) 86 g, 메타크릴산 14 g, 및 아조비스디메틸발레로니트 릴 6.5 g을 메톡시부틸아세테이트 100 g에용해시킨 혼합 용액을 5 시간에 걸쳐서 적하하고, 또한 3 시간 숙성함으로써 공중합체 용액[고형분(NV) 35.0 중량％]을 얻었다. 얻어진 공중합체의 산가(dry)는 89.8 KOH mg/g, 중량 평균 분자량(Mw)은 11,300, 분산도(Mw/Mn)는 2.1이었다.79 g of methoxybutyl acetate was put into a 0.5 liter separable flask equipped with a stirrer, a thermometer, a reflux cooling tube, a dropping funnel and a nitrogen introduction tube, and the temperature was raised to 80 ° C., followed by 3,4-epoxytricyclo[5.2. Mixture of 1.0 2,6 ]decan-9-ylacrylate and 3,4-epoxytricyclo[5.2.1.0 2,6 ]decan-8-ylacrylate [50:50 (molar ratio)] (E-DCPA) A mixed solution of 86 g, 14 g of methacrylic acid, and 6.5 g of azobisdimethylvaleronitrile dissolved in 100 g of methoxybutyl acetate was added dropwise over 5 hours and aged for 3 hours to obtain a copolymer solution [solid content ( NV) 35.0 wt%]. The obtained copolymer had an acid value (dry) of 89.8 KOH mg/g, a weight average molecular weight (Mw) of 11,300, and a degree of dispersion (Mw/Mn) of 2.1.
합성예Synthesis example 8: 38: 3 ,4-,4- 에폭시트리시클로Epoxy Tricyclo [5.2.1.0[5.2.1.0 2,62,6 ] ] 데칸환Decane ring 함유 contain 중합성polymeric 불포화 화합물 유래의 반복단위를 포함하는 알칼리 가용성 수지 (E-4) Alkali-soluble resin containing repeating units derived from unsaturated compounds (E-4)
교반기, 온도계, 환류 냉각관, 적하 깔때기 및 질소 도입관을 구비한 내용적 0.5 리터의 분리형 플라스크에 메톡시부틸아세테이트 79 g을 투입, 80 ℃로 승온 후, 3,4-에폭시트리시클로[5.2.1.0,2,6]데칸-9-일메타크릴레이트와 3,4-에폭시트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일메타크릴레이트의 혼합물[50:50(몰비)](E-DCPMA) 86 g, 메타크릴산 14 g, 및 아조비스디메틸발레로니트 릴 6.5 g을 메톡시부틸아세테이트 100 g에용해시킨 혼합 용액을 5 시간에 걸쳐서 적하하고, 또한 3 시간 숙성함으로써 공중합체 용액[고형분(NV) 35.0 중량％]을 얻었다. 얻어진 공중합체의 산가(dry)는 105.8 KOH mg/g, 중량 평균 분자량(Mw)은 12,500, 분산도(Mw/Mn)는 2.01이었다.79 g of methoxybutyl acetate was put into a 0.5 liter separable flask equipped with a stirrer, a thermometer, a reflux cooling tube, a dropping funnel and a nitrogen introduction tube, and the temperature was raised to 80 ° C., followed by 3,4-epoxytricyclo[5.2. Mixture of 1.0,2,6]decan-9-ylmethacrylate and 3,4-epoxytricyclo[5.2.1.0 2,6 ]decan-8-ylmethacrylate [50:50 (molar ratio)](E -DCPMA) 86 g, methacrylic acid 14 g, and azobisdimethylvaleronitrile 6.5 g dissolved in 100 g methoxybutyl acetate is added dropwise over 5 hours, and further aged for 3 hours to obtain a copolymer solution. [solid content (NV) 35.0 wt%] was obtained. The obtained copolymer had an acid value (dry) of 105.8 KOH mg/g, a weight average molecular weight (Mw) of 12,500, and a degree of dispersion (Mw/Mn) of 2.01.
합성예Synthesis example 9: 39: 3 ,4-,4- 에폭시트리시클로Epoxy Tricyclo [5.2.1.0[5.2.1.0 2,62,6 ] ] 데칸환Decane ring 함유 contain 중합성polymeric 불포화 화합물 유래의 반복단위를 포함하는 알칼리 가용성 수지 (E-5) Alkali-soluble resin containing repeating units derived from unsaturated compounds (E-5)
교반기, 온도계, 환류 냉각관, 적하 깔때기 및 질소 도입관을 구비한 내용적 0.5 리터의 분리형 플라스크에 메톡시부틸아세테이트 79 g을 투입, 80 ℃로 승온 후, 3,4-에폭시트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-9-일아크릴레이트와 3,4-에폭시트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일아크릴레이트의 혼합물[50:50(몰비)](E-DCPA) 60 g, 메타크릴산 20 g, 하이드록시에틸메타아크릴레이트 20g, 및 아조비스디메틸발레로니트 릴 6.5 g을 메톡시부틸아세테이트 100 g에용해시킨 혼합 용액을 5 시간에 걸쳐서 적하하고, 또한 3 시간 숙성함으로써 공중합체 용액[고형분(NV) 35.0 중량％]을 얻었다. 얻어진 공중합체의 산가(dry)는 135.8 KOH mg/g, 중량 평균 분자량(Mw)은 13,500, 분산도(Mw/Mn)는 2.11이었다.79 g of methoxybutyl acetate was put into a 0.5 liter separable flask equipped with a stirrer, a thermometer, a reflux cooling tube, a dropping funnel and a nitrogen introduction tube, and the temperature was raised to 80 ° C., followed by 3,4-epoxytricyclo[5.2. Mixture of 1.0 2,6 ]decan-9-ylacrylate and 3,4-epoxytricyclo[5.2.1.0 2,6 ]decan-8-ylacrylate [50:50 (molar ratio)] (E-DCPA) A mixed solution obtained by dissolving 60 g of methacrylic acid, 20 g of methacrylic acid, 20 g of hydroxyethyl methacrylate, and 6.5 g of azobisdimethylvaleronitrile in 100 g of methoxybutyl acetate was added dropwise over 5 hours, and further 3 hours By aging, a copolymer solution [solid content (NV) 35.0 wt%] was obtained. The obtained copolymer had an acid value (dry) of 135.8 KOH mg/g, a weight average molecular weight (Mw) of 13,500, and a degree of dispersion (Mw/Mn) of 2.11.
합성예Synthesis example 10: 310: 3 ,4-,4- 에폭시트리시클로Epoxy Tricyclo [5.2.1.0[5.2.1.0 2,62,6 ] ] 데칸환Decane ring 함유 contain 중합성polymeric 불포화 화합물 유래의 반복단위를 포함하는 알칼리 가용성 수지 (E-6) Alkali-soluble resin containing repeating units derived from unsaturated compounds (E-6)
교반기, 온도계, 환류 냉각관, 적하 깔때기 및 질소 도입관을 구비한 내용적 0.5 리터의 분리형 플라스크에 메톡시부틸아세테이트 79 g을 투입, 80 ℃로 승온 후, 3,4-에폭시트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-9-일메타크릴레이트와 3,4-에폭시트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일메타크릴레이트의 혼합물[50:50(몰비)](E-DCPMA) 65 g, 메타크릴산 15 g, 하이드록시에틸메타아크릴레이트 20g, 및 아조비스디메틸발레로니트 릴 6.5 g을 메톡시부틸아세테이트 100 g에용해시킨 혼합 용액을 5 시간에 걸쳐서 적하하고, 또한 3 시간 숙성함으로써 공중합체 용액[고형분(NV) 35.0 중량％]을 얻었다. 얻어진 공중합체의 산가(dry)는 98.1 KOH mg/g, 중량 평균 분자량(Mw)은 10,500, 분산도(Mw/Mn)는 2.61이었다.79 g of methoxybutyl acetate was put into a 0.5 liter separable flask equipped with a stirrer, a thermometer, a reflux cooling tube, a dropping funnel and a nitrogen introduction tube, and the temperature was raised to 80 ° C., followed by 3,4-epoxytricyclo[5.2. A mixture of 1.0 2,6 ]decan-9-ylmethacrylate and 3,4-epoxytricyclo[5.2.1.0 2,6 ]decan-8-ylmethacrylate [50:50 (molar ratio)](E- A mixed solution of 65 g of DCPMA), 15 g of methacrylic acid, 20 g of hydroxyethyl methacrylate, and 6.5 g of azobisdimethylvaleronitrile in 100 g of methoxybutyl acetate was added dropwise over 5 hours, and further A copolymer solution [solid content (NV) 35.0 wt%] was obtained by aging for 3 hours. The obtained copolymer had an acid value (dry) of 98.1 KOH mg/g, a weight average molecular weight (Mw) of 10,500, and a degree of dispersion (Mw/Mn) of 2.61.
합성예Synthesis example 11: 311: 3 ,4-,4- 에폭시트리시클로Epoxy Tricyclo [5.2.1.0[5.2.1.0 2,62,6 ] ] 데칸환Decane ring 함유 contain 중합성polymeric 불포화 화합물 유래의 반복단위를 포함하는 알칼리 가용성 수지 (E-7) Alkali-soluble resin containing repeating units derived from unsaturated compounds (E-7)
교반기, 온도계, 환류 냉각관, 적하 깔때기 및 질소 도입관을 구비한 내용적 0.5 리터의 분리형 플라스크에 메톡시부틸아세테이트 79 g을 투입, 80 ℃로 승온 후, 3,4-에폭시트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-9-일아크릴레이트와 3,4-에폭시트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일아크릴레이트의 혼합물[50:50(몰비)](E-DCPA) 30 g, 메타크릴산 18 g, 하이드록시에틸메타아크릴레이트 52g, 및 아조비스디메틸발레로니트 릴 6.5 g을 메톡시부틸아세테이트 100 g에용해시킨 혼합 용액을 5 시간에 걸쳐서 적하하고, 또한 3 시간 숙성함으로써 공중합체 용액[고형분(NV) 35.0 중량％]을 얻었다. 얻어진 공중합체의 산가(dry)는 115.1 KOH mg/g, 중량 평균 분자량(Mw)은 15,500, 분산도(Mw/Mn)는 2.81이었다.79 g of methoxybutyl acetate was put into a 0.5 liter separable flask equipped with a stirrer, a thermometer, a reflux cooling tube, a dropping funnel and a nitrogen introduction tube, and the temperature was raised to 80 ° C., followed by 3,4-epoxytricyclo[5.2. Mixture of 1.0 2,6 ]decan-9-ylacrylate and 3,4-epoxytricyclo[5.2.1.0 2,6 ]decan-8-ylacrylate [50:50 (molar ratio)] (E-DCPA) A mixed solution obtained by dissolving 30 g of methacrylic acid, 18 g of methacrylic acid, 52 g of hydroxyethyl methacrylate, and 6.5 g of azobisdimethylvaleronitrile in 100 g of methoxybutyl acetate was added dropwise over 5 hours, and further 3 hours By aging, a copolymer solution [solid content (NV) 35.0 wt%] was obtained. The obtained copolymer had an acid value (dry) of 115.1 KOH mg/g, a weight average molecular weight (Mw) of 15,500, and a degree of dispersion (Mw/Mn) of 2.81.
합성예Synthesis example 12: 아크릴계 수지를 포함하는 알칼리 가용성 바인더 수지(E-8) 12: Alkali-soluble binder resin containing acrylic resin (E-8)
교반기, 온도계 환류 냉각관, 적하 로트 및 질소 도입관을 구비한 플라스크에 프로필렌글리콜모노메틸에테르 아세테이트 120g, 프로필렌글리콜모노메틸에테르 80g, 2,2'-아조비스이소부티로나이트릴 2g, 아크릴산 20g, 벤질아크릴레이트 30.0g, 메틸메타아크릴레이트 50g, n-도데실머캅탄 3g을 투입하고 질소 치환하였다. 120 g of propylene glycol monomethyl ether acetate, 80 g of propylene glycol monomethyl ether, 2 g of 2,2'-azobisisobutyronitrile, 20 g of acrylic acid, 30.0 g of benzyl acrylate, 50 g of methyl methacrylate, and 3 g of n-dodecyl mercaptan were added and nitrogen substituted.
그 후 교반하며 반응액의 온도를 80℃로 상승시키고 8시간 반응하였다. 이렇게 합성된 알칼리 가용성 수지의 고형분 산가는 158㎎KOH/g 이며 GPC로 측정한 중량 평균 분자량 Mw는 약 12,874, 분산도(Mw/Mn)는 2.81이었다.Then, while stirring, the temperature of the reaction solution was raised to 80° C. The alkali-soluble resin thus synthesized had a solid content acid value of 158 mgKOH/g, a weight average molecular weight Mw measured by GPC of about 12,874, and a dispersion degree (Mw/Mn) of 2.81.
실시예Example 1 내지 27 및 1 to 27 and 비교예comparative example 1 내지 4: 1 to 4: 광변환light conversion 수지 조성물의 제조 Preparation of resin composition
하기 표 1의 성분 및 함량(중량%)을 사용하여 실시예 및 비교예에 따른 광변환 수지 조성물을 제조하였다. Light conversion resin compositions according to Examples and Comparative Examples were prepared using the components and contents (% by weight) of Table 1 below.
용액1 ) quantum dots
solution 1 )
입자2 ) spawning
particle 2 )
2) 제조예 1 에서 제조된 산란입자(산란체) 분산액
3) 합성예 5 내지 합성예 12에서 제조된 알칼리 가용성 수지
4) 리카싯도 HH(신일본이화㈜ 제조)
5) 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트1) A-1 to A-4 (Q-1 to Q-4): quantum dot dispersions prepared in Synthesis Examples 1 to 4
2) Scattering particle (scattering body) dispersion prepared in Preparation Example 1
3) Alkali-soluble resins prepared in Synthesis Examples 5 to 12
4) Rikasiddo HH (manufactured by New Japan Ewha Co., Ltd.)
5) Propylene glycol monomethyl ether acetate
실험예Experimental example
상기 실시예 및 비교예에서 제조된 광변환 수지 조성물을 이용하여 아래와 같이 광변환 코팅층을 제조하였으며, 이때의 휘도, 광유지율, 내열성 및 도막 경도를 하기와 같은 방법으로 측정하고, 그 평가 결과는 하기 표 2에 기재하였다.A light conversion coating layer was prepared as follows by using the light conversion resin composition prepared in Examples and Comparative Examples, and the luminance, light retention, heat resistance and coating film hardness at this time were measured in the following manner, and the evaluation results are as follows. Table 2 shows.
(1) (One) 광변환light conversion 코팅층의 제조 Preparation of coating layer
실시예 및 비교예에서 제조된 광변환 수지 조성물을 이용하여 코팅막을 제조하였다. 즉, 상기 각각의 광변환 수지 조성물을 스핀 코팅법으로 5cm×5cm 유리 기판 위에 도포한 다음, 가열판 위에 놓고 100℃의 온도에서 10분간 유지하여 박막을 형성 시킨 후 180℃의 가열 오븐에서 30분 동안 가열하여 광변환 코팅층을 제조하였다. 상기에서 제조된 광변환 수지막의 두께는 양자점의 함량에 따라 15㎛ 두께로 제작하였다.A coating film was prepared using the light conversion resin composition prepared in Examples and Comparative Examples. That is, each of the above photoconversion resin compositions is applied on a 5 cm × 5 cm glass substrate by spin coating, placed on a heating plate and maintained at a temperature of 100° C. for 10 minutes to form a thin film, and then in a heating oven at 180° C. for 30 minutes. A light conversion coating layer was prepared by heating. The thickness of the light conversion resin film prepared above was manufactured to a thickness of 15㎛ depending on the content of quantum dots.
(2) 휘도 평가(2) Luminance evaluation
상기 (1)에서 제조된 코팅막을 Blue 광원(XLamp XR-E LED, Royal blue 450, Cree 社)상부에 위치시킨 후 휘도 측정기(CAS140CT Spectrometer, Instrument systems 社)를 이용하여, 휘도를 측정하고, 그 평가 결과를 하기 표 2에 기재하였다.After placing the coating film prepared in (1) on top of a blue light source (XLamp XR-E LED, Royal blue 450, Cree), using a luminance meter (CAS140CT Spectrometer, Instrument systems), the luminance was measured, and the The evaluation results are shown in Table 2 below.
(3) (3) 광유지율mineral retention
상기 광변환 코팅층 제조방법으로 제작된 코팅기판을, 하드베이크(Hard bake)를 230℃에서 60분간 진행하여, 하드베이크 전의 발광효율과 하드베이크 후의 발광효율을 측정하여 발광효율이 유지되는 수준을 확인하고, 그 평가 결과를 하기 표 2에 기재하였다.The luminous efficiency is maintained by measuring the luminous efficiency before and after hard baking by performing a hard bake at 230° C. for 60 minutes on the coated substrate manufactured by the method for manufacturing the light conversion coating layer, and confirming the level at which the luminous efficiency is maintained. and the evaluation results are shown in Table 2 below.
(4) 내열성 평가(4) Heat resistance evaluation
상기 (1)에서 코팅막을 형성한 후 열적인 충격에 의한 두께 변화를 하기 수학식 1로 확인하였다. 구체적으로, 최종 완성된 코팅막에 1시간 동안 230℃의 열을 가했을 때, 열을 가하기 전/후의 두께를 측정하여 하기 수학식 1로 변화율(내열성 잔막율)을 계산하였다. 이 때, 두께 변화율(수축율)이 90% 이상이면 양호(○), 90% 미만인 경우 불량(×)이며, 그 평가 결과는 하기 표 2에 기재하였다.After forming the coating film in (1), the thickness change due to thermal shock was confirmed by Equation 1 below. Specifically, when heat of 230° C. was applied to the final finished coating film for 1 hour, the thickness before and after applying heat was measured to calculate the rate of change (heat resistance residual film rate) by Equation 1 below. At this time, when the thickness change rate (shrinkage rate) is 90% or more, good (○), and when it is less than 90%, it is bad (x), and the evaluation results are shown in Table 2 below.
[수학식 1][Equation 1]
도막 수축율 = {(열처리 후 막 두께) / (열처리 전 막 두께)} × 100 (%).Film shrinkage rate = {(film thickness after heat treatment) / (film thickness before heat treatment)} × 100 (%).
(5) 도막 경도(5) film hardness
상기 (1)에서 제조된 코팅막의 경화도를 경도계(HM500; Fischer사 제품)를 사용하여 150℃ 고온에서 측정하였으며, 표면경도(도막경도)는 하기 기준으로 평가하였다. 그 결과는 하기 표 2에 나타내었다. The degree of curing of the coating film prepared in (1) was measured at a high temperature of 150° C. using a hardness meter (HM500; manufactured by Fischer), and the surface hardness (film hardness) was evaluated based on the following criteria. The results are shown in Table 2 below.
<평가 기준><Evaluation criteria>
○: 표면경도 20 이상○: surface hardness of 20 or more
△: 표면경도 10 이상 20 미만△: surface hardness 10 or more and less than 20
×: 표면경도 10 미만 ×: surface hardness less than 10
상기 표 2를 참조하면, 본 발명에 따른 2종 이상의 양자점, 산란체, 3,4-에폭시트리시클로[5.2.1.02,6] 데칸환 함유 중합성 불포화 화합물 유래의 반복단위를 포함하는 에폭시 수지와 카도계 수지를 적용한 실시예의 경우, 매우 우수한 도막경도가 관찰되었고, 또한 열에 의한 잔막율에 뛰어난 성능을 보여 비교예 대비 내열성이 매우 우수한 것을 확인할 수 있었다. Referring to Table 2, an epoxy resin comprising two or more quantum dots, scatterers, and repeating units derived from 3,4-epoxytricyclo[5.2.1.0 2,6 ] decane ring-containing polymerizable unsaturated compounds according to the present invention In the case of the Example to which the Wakado-based resin was applied, very good film hardness was observed, and it was confirmed that the heat resistance was very excellent compared to the comparative example by showing excellent performance in the residual film rate due to heat.
이러한 결과로부터 디스플레이 생산 공정간 적용되는 열처리 시 도막의 물리적 강도의 저하로 기인될 수 있는 막깨짐과 같은 불량을 저감하여 생산 수율 향상에 기여할 수 있는 것을 확인 할 수 있었다.From these results, it was confirmed that it can contribute to the improvement of production yield by reducing defects such as film cracking that may be caused by a decrease in the physical strength of the coating film during heat treatment applied between display production processes.
또한, 본 발명에 따른 실시예는 도막의 강도가 강화됨에 따라 휘도와 광유지율이 비교예에 비하여 월등히 우수한 것을 확인할 수 있었으며, 따라서 우수한 화질과 뛰어난 품질을 디스플레이를 제작할 수 있다.In addition, in the embodiment according to the present invention, as the strength of the coating film was strengthened, it was confirmed that the luminance and light retention were significantly superior to those of the comparative example, and thus a display having excellent image quality and excellent quality can be manufactured.
Claims (20)
산란체; 및
카도계 수지 및 3,4-에폭시트리시클로[5.2.1.02,6] 데칸환 함유 중합성 불포화 화합물 유래의 반복단위를 포함하는 에폭시 수지를 포함하는 알칼리 가용성 수지;
를 포함하는 광변환 수지 조성물.quantum dots;
scattering body; and
alkali-soluble resin including cardo-based resin and epoxy resin containing repeating units derived from 3,4-epoxytricyclo[5.2.1.0 2,6]decane ring-containing polymerizable unsaturated compound;
A light conversion resin composition comprising a.
상기 양자점은, GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 물질을 포함하는 코어; 및
ZnSe, ZnS 및 ZnTe로부터 선택되는 1종 이상의 물질을 포함하는 쉘;을 포함하는 것인 광변환 수지 조성물.According to claim 1,
The quantum dots may include a binary compound selected from the group consisting of GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb, and mixtures thereof; a ternary compound selected from the group consisting of GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP, and mixtures thereof; and one selected from the group consisting of quaternary compounds selected from the group consisting of GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb, and mixtures thereof. a core comprising more than one material; and
ZnSe, ZnS, and a shell comprising at least one material selected from ZnTe; a light conversion resin composition comprising a.
상기 양자점은 InP 코어를 가지는 비카드뮴계 양자점인 것인 광변환 수지 조성물.3. The method of claim 2,
The quantum dot is a light conversion resin composition that is a non-cadmium-based quantum dot having an InP core.
상기 양자점은 InP/ZnS, InP/ZnSe, InP/GaP/ZnS, InP/ZnSe/ZnS, InP/ZnSeTe/ZnS 및 InP/MnSe/ZnS로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 포함하는 것인 광변환 수지 조성물.4. The method of claim 3,
The quantum dots are InP / ZnS, InP / ZnSe, InP / GaP / ZnS, InP / ZnSe / ZnS, InP / ZnSeTe / ZnS and InP / MnSe / ZnS to include at least one selected from the group consisting of light conversion resin composition.
상기 양자점은 2종 이상의 양자점을 포함하는 것을 특징으로 하는 광변환 수지 조성물.According to claim 1,
The quantum dot is a light conversion resin composition comprising two or more types of quantum dots.
상기 양자점은 중심여기파장이 서로 50nm 이상 차이가 나는 2종 이상의 양자점인 것인 광변환 수지 조성물.6. The method of claim 5,
The quantum dot is a light conversion resin composition of two or more types of quantum dots having a central excitation wavelength difference of 50 nm or more from each other.
상기 3,4-에폭시트리시클로[5.2.1.02,6] 데칸환 함유 중합성 불포화 화합물은 하기 화학식 1 또는 2로 표시되는 것인 광변환 수지 조성물:
[화학식 1]
[화학식 2]
(상기 화학식 1 및 2에서,
Ra는 각각 수소 원자 또는 히드록시기로 치환될 수 있는 C1 내지 C7의 알킬기이고,
A는 각각 단일 결합 또는 헤테로 원자를 포함할 수 있는 2가의 탄화수소기이다).According to claim 1,
The 3,4-epoxytricyclo[5.2.1.0 2,6 ] decane ring-containing polymerizable unsaturated compound is a light conversion resin composition represented by the following formula 1 or 2:
[Formula 1]
[Formula 2]
(In Formulas 1 and 2,
R a is a C1 to C7 alkyl group, each of which may be substituted with a hydrogen atom or a hydroxy group,
A is a divalent hydrocarbon group which may contain a single bond or a hetero atom, respectively).
상기 3,4-에폭시트리시클로[5.2.1.02,6] 데칸환 함유 중합성 불포화 화합물 유래의 반복단위를 포함하는 에폭시 수지는 하기 화학식 3으로 표시되는 단량체 유래의 반복단위를 더 포함하는 것인 광변환 수지 조성물:
[화학식 3]
(상기 화학식 3에서,
R15는 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 7의 알킬기이고,
R16은 탄소수 1 내지 12의 1급 또는 2급 알킬기, 탄수소 2 내지 12의 알케닐기, 탄소수 6 내지 10의 아릴기, 탄소수 7 내지 20의 아르알킬기, 또는 -(R17-O)r-R18기이고,
이때, R17은 탄소수 1 내지 12의 2가의 탄화수소기이며,
R18은 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 12의 탄화수소기이고,
r은 1 이상의 정수이다).According to claim 1,
The 3,4-epoxytricyclo[5.2.1.0 2,6 ] epoxy resin comprising a repeating unit derived from a polymerizable unsaturated compound containing a decane ring further comprises a repeating unit derived from a monomer represented by the following formula (3) Light conversion resin composition:
[Formula 3]
(In Formula 3,
R15 is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 7 carbon atoms,
R16 is a primary or secondary alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 12 carbon atoms, an aryl group having 6 to 10 carbon atoms, an aralkyl group having 7 to 20 carbon atoms, or -(R17-O) r -R18 group ego,
In this case, R17 is a divalent hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms,
R18 is a hydrogen atom or a hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms,
r is an integer greater than or equal to 1).
상기 카도계 수지는 하기 화학식 4 내지 9로 표시되는 것인 광변환 수지 조성물:
[화학식 4]
[화학식 5]
[화학식 6]
[화학식 7]
(상기 화학식 4 내지 7에서,
X 및 X'은 각각 독립적으로 단일 결합, -CO-, -SO2-, -C(CF3)2-, -Si(CH3)2-, -CH2-, -C(CH3)2-, -O-,
Y는 산무수물 잔기이며,
Z는 산2무수물 잔기이고,
R'은 수소 원자, 에틸기, 페닐기, -C2H4Cl, -C2H4OH 또는 -CH2CH=CH2이며,
R1, R1', R2, R2', R3, R3', R4, R4', R5, R5', R6 및 R6' 은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 메틸기이고,
R7, R7', R8 및 R8' 은 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 6의 직쇄의 알킬렌기 또는 탄소수 3 내지 6의 분지쇄의 알킬렌기이고, 상기 알킬렌기는 에스테르 결합, 탄소수 6 내지 14의 싸이클로알킬렌기 및 탄소수 6 내지 14의 아릴렌기 중 적어도 하나로 중단될 수 있으며,
R9, R9', R10, R10', R11, R11', R12 및 R12'은 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자 또는 탄소수 1 내지 6의 직쇄의 알킬기 또는 탄소수 3 내지 6의 분지쇄의 알킬기이고,
m 및 n은 각각 0 ≤ m ≤ 30, 0 ≤ n ≤ 30을 만족하는 정수이며,
단 m 및 n은 동시에 0은 아니고,)
[화학식 8]
[화학식 9]
(상기 화학식 8 및 9에서,
P는 각각 독립적으로
R13 및 R14는 각각 독립적으로 수소, 히드록시기, 티올기, 아미노기, 니트로기 또는 할로겐 원자이며,
Ar1은 각각 독립적으로 C6 내지 C15 아릴기이고,
Y'는 산무수물 잔기이며,
Z'는 산2무수물 잔기이고,
A'는 O, S, N, Si 또는 Se이며,
a 및 b는 각각 독립적으로 1 내지 6의 정수이고,
p 및 q은 각각 독립적으로 0 내지 30의 정수이며,
단, p 및 q는 동시에 0이 아니다).According to claim 1,
The cardo-based resin is a light conversion resin composition represented by the following Chemical Formulas 4 to 9:
[Formula 4]
[Formula 5]
[Formula 6]
[Formula 7]
(In Formulas 4 to 7,
X and X' are each independently a single bond, -CO-, -SO 2 -, -C(CF 3 ) 2 -, -Si(CH 3 ) 2 -, -CH 2 -, -C(CH 3 ) 2 -, -O-,
Y is an acid anhydride residue,
Z is an acid dianhydride residue,
R' is a hydrogen atom, an ethyl group, a phenyl group, -C 2 H 4 Cl, -C 2 H 4 OH or -CH 2 CH=CH 2
R1, R1', R2, R2', R3, R3', R4, R4', R5, R5', R6 and R6' are each independently a hydrogen atom or a methyl group;
R7, R7', R8 and R8' are each independently a linear alkylene group having 1 to 6 carbon atoms or a branched alkylene group having 3 to 6 carbon atoms, and the alkylene group is an ester bond, a cycloalkylene group having 6 to 14 carbon atoms. And it may be interrupted by at least one of an arylene group having 6 to 14 carbon atoms,
R9, R9', R10, R10', R11, R11', R12 and R12' are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, a linear alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, or a branched chain alkyl group having 3 to 6 carbon atoms;
m and n are integers satisfying 0 ≤ m ≤ 30 and 0 ≤ n ≤ 30, respectively,
provided that m and n are not equal to 0 at the same time,
[Formula 8]
[Formula 9]
(In Formulas 8 and 9,
P is each independently
R13 and R14 are each independently hydrogen, a hydroxyl group, a thiol group, an amino group, a nitro group or a halogen atom;
Ar1 is each independently a C6 to C15 aryl group,
Y' is an acid anhydride residue,
Z' is an acid dianhydride residue,
A' is O, S, N, Si or Se,
a and b are each independently an integer of 1 to 6,
p and q are each independently an integer from 0 to 30,
provided that p and q are not simultaneously zero).
상기 카도계 수지와 상기 3,4-에폭시트리시클로[5.2.1.02,6] 데칸환 함유 중합성 불포화 화합물 유래의 반복단위를 포함하는 에폭시 수지의 비율에 있어, 카도계 수지 대 에폭시 수지의 중량비는 5:95 내지 95:5인 것인 광변환 수지 조성물.According to claim 1,
In the ratio of the cardo-based resin and the epoxy resin including the repeating unit derived from the 3,4-epoxytricyclo[5.2.1.0 2,6 ]decane ring-containing polymerizable unsaturated compound, the weight ratio of the cardo-based resin to the epoxy resin is 5:95 to 95:5 of the light conversion resin composition.
상기 산란체는 Al2O3, SiO2, ZnO, ZrO2, BaTiO3, TiO2, Ta2O5, Ti3O5, ITO, IZO, ATO, ZnO-Al, Nb2O3, SnO, MgO 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 1 이상을 포함하는 것인 광변환 수지 조성물. According to claim 1,
The scatterers are Al 2 O 3 , SiO 2 , ZnO, ZrO 2 , BaTiO 3 , TiO 2 , Ta 2 O 5 , Ti 3 O 5 , ITO, IZO, ATO, ZnO-Al, Nb 2 O 3 , SnO, A light conversion resin composition comprising at least one selected from the group consisting of MgO and combinations thereof.
상기 양자점은 폴리에틸렌 글리콜계 리간드를 포함하는 것인 광변환 수지 조성물.According to claim 1,
The quantum dot is a light conversion resin composition comprising a polyethylene glycol-based ligand.
상기 폴리에틸렌 글리콜계 리간드는 하기 화학식 10으로 표시되는 화합물을 포함하는 것인 광변환 수지 조성물:
[화학식 10]
(상기 화학식 10에서,
A1은 하기 화학식 10-1로 표시되며,
A2는 수소원자, 머캅토(
c는 2 내지 100의 정수이다)
[화학식 10-1]
(상기 화학식 10-1에서,
A3는 직접연결기 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬렌기이고,
A4는 하기 화학식 10-2로 표시되며,
*은 결합손을 의미한다)
[화학식 10-2]
(상기 화학식 10-2에서,
A5는 산소원자 또는 황원자이며,
A6는 직접연결기 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬렌기이고,
A7은 머캅토(
d는 0 내지 1의 정수이고,
e는 0 내지 10의 정수이며,
*은 결합손을 의미한다).13. The method of claim 12,
The polyethylene glycol-based ligand is a light conversion resin composition comprising a compound represented by the following formula (10):
[Formula 10]
(In Formula 10,
A 1 is represented by the following formula 10-1,
A 2 is a hydrogen atom, mercapto (
c is an integer from 2 to 100)
[Formula 10-1]
(In Formula 10-1,
A 3 is a direct linking group or an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms,
A 4 is represented by the following formula 10-2,
* means a bonding hand)
[Formula 10-2]
(In Formula 10-2,
A 5 is an oxygen atom or a sulfur atom,
A 6 is a direct linking group or an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms,
A 7 is mercapto (
d is an integer from 0 to 1,
e is an integer from 0 to 10,
* means a bonding hand).
상기 화학식 10으로 표시되는 화합물은 하기 화학식 11로 표시되는 화합물을 포함하는 것인 양자점-고분자 복합체 분산액:
[화학식 11]
(상기 화학식 11에서,
A2는 머캅토(
f는 0 내지 5의 정수, g는 0 내지 1의 정수, h는 2 내지 50 의 정수이다).14. The method of claim 13,
The compound represented by Formula 10 is a quantum dot-polymer complex dispersion comprising a compound represented by Formula 11 below:
[Formula 11]
(In Formula 11,
A 2 is mercapto (
f is an integer from 0 to 5, g is an integer from 0 to 1, and h is an integer from 2 to 50).
열경화성 화합물, 경화 촉진제, 용제 및 첨가제로 이루어진 군에서 선택되는 1 이상을 더 포함하는 것인 광변환 수지 조성물.According to claim 1,
The light conversion resin composition further comprising at least one selected from the group consisting of a thermosetting compound, a curing accelerator, a solvent, and an additive.
상기 용제는 상기 광변환 수지 조성물 전체 100 중량부에 대하여 30 내지 90 중량부로 포함되는 것인 광변환 수지 조성물.16. The method of claim 15,
The solvent is a light conversion resin composition that is included in an amount of 30 to 90 parts by weight based on 100 parts by weight of the total light conversion resin composition.
상기 용제는 비점이 100도 이상 240도 이하인 것인 광변환 수지 조성물.16. The method of claim 15,
The solvent is a light conversion resin composition having a boiling point of 100 degrees or more and 240 degrees or less.
상기 광변환 적층 기재의 소재가 유리인 것인 광변환 적층기재.19. The method of claim 18,
The light conversion laminated substrate material of the light conversion laminated substrate is glass.
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