KR20190112632A - A light converting resin composition, a light converting unit and a display device using the same - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 광변환 수지 조성물 및 광변환 적층기재, 이를 이용한 화상표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to a light conversion resin composition and a light conversion laminated substrate, and an image display device using the same.
발광 소자(Light Emitting Diode, LED)를 백라이트 유닛(Back Light Unit, BLU) 으로 사용하는 LCD(Liguid Crystal Diplay) TV에서 LED BLU는 빛을 실제로 발하는 부분으로써 LCD TV에서 가장 중요한 부분 중에 하나이다.In LCD (Liguid Crystal Diplay) TVs that use a light emitting diode (LED) as a backlight unit (BLU), LED BLU is one of the most important parts of LCD TV.
백색의 LED BLU를 형성하는 방법으로는 통상 적색(Red, R), 녹색(Green, G) 및 청색(Blue, B) LED 칩을 조합하여 백색의 LED BLU를 형성하거나, 청색 LED칩과 넓은 반치폭의 발광파장을 가진 황색(Yellow, Y) 형광체의 조합을 용하여 백색을 구현하고 있다.As a method of forming a white LED BLU, a combination of red (R, R), green (G), and blue (B) LED chips is usually used to form a white LED BLU, or a wide half width with a blue LED chip. White is realized by using a combination of yellow (Yellow, Y) phosphors having a light emission wavelength of.
하지만, 적색, 녹색, 청색의 LED 칩을 조합하는 경우에는 LED 칩의 개수 및 복잡한 공정에 따라 제조비용이 높은 문제가 있고, 청색 LED칩에 황색 형광체를 조합하는 경우에는, 녹색 및 적색의 파장구분이 되지 않아 색순도가 떨어지고, 이에 따른 색재현성 저하의 문제가 있어, 최근에는 대한민국 공개특허 제2014-0094806호, 대한민국 공개특허 제2015-0022516호, 대한민국 공개특허 제2016-0117063호, 대한민국 공개특허 제2016-0017921호에서와 같이 청색의 LED칩을 사용한 백라이트에 양자점이 포함된 광학필름을 적용하여 화상표시장치의 색재현성 및 휘도를 향상하고자 하고 있다.However, when combining red, green, and blue LED chips, there is a problem in that manufacturing cost is high depending on the number of LED chips and a complicated process, and when combining yellow phosphors on a blue LED chip, wavelengths of green and red are combined. There is a problem that the color purity is lowered, and thus the color reproducibility is lowered. Recently, Korean Patent Publication No. 2014-0094806, Korean Patent Publication No. 2015-0022516, Korean Patent Publication No. 2016-0117063, Korean Patent Publication No. As in 2016-0017921, an optical film including a quantum dot is applied to a backlight using a blue LED chip to improve color reproducibility and luminance of an image display device.
그러나 코팅 조성물 제조에 있어 극성이 매우 낮은 화합물의 리간드를 사용하여 톨루엔, 헥산, 클로로포름과 같은 용제의 사용이 불가피하여 작업자가 인체에 유해한 용제에 노출된 환경에서 작업을 실시해야 하는 문제가 있다. However, in the preparation of coating compositions, solvents such as toluene, hexane, and chloroform are inevitably used using ligands of very low polarity compounds, so that a worker has to work in an environment exposed to harmful solvents.
또한, 상기의 광학필름의 경우 양자점이 포함된 발광층 이외에 베리어층, 기재층 등 구조가 복잡해 지고, 이에 따른 양자점의 발광휘도 저하가 발생할 수 있으며, 제조공정 중 너무 높은 온도로 필름 제작 시 양자점이 소광하는 문제점이 발생할 수 있다.In addition, in the case of the optical film, the structure of the barrier layer, the base layer, etc., in addition to the light emitting layer including the quantum dots becomes complicated, and thus the emission luminance of the quantum dots may be reduced, and the quantum dots are quenched when the film is manufactured at an excessively high temperature during the manufacturing process. This can cause problems.
그리고, 광학필름 형태로 가공하기 위해 낮은 공정온도에서 진행함에 따라 장기 신뢰성에 문제가 있어 이에 대한 개선이 요구되고 있다.In addition, there is a problem in the long-term reliability as it proceeds at a low process temperature for processing into an optical film form is required to improve this.
본 발명은 휘도 특성 및 신뢰성이 우수한 광변환 수지 조성물 및 광변환 적층기재, 이를 이용한 화상표시장치를 제공하고자 한다.The present invention is to provide a light conversion resin composition and a light conversion laminated substrate having excellent luminance characteristics and reliability, and an image display device using the same.
본 발명은 2종 이상의 양자점; 산란체; 및 카도계 수지 및 3,4-에폭시트리시클로[5.2.1.02,6] 데칸환 함유 중합성 불포화 화합물 유래의 반복단위를 포함하는 에폭시 수지를 포함하는 알칼리 가용성 수지;를 포함하는 광변환 수지 조성물을 제공한다.The present invention is two or more kinds of quantum dots; Scatterers; And an alkali-soluble resin comprising a cardo resin and an epoxy resin comprising a repeating unit derived from a 3,4-epoxytricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane ring-containing polymerizable unsaturated compound. To provide.
또한, 본 발명은 전술한 광변환 수지 조성물의 경화물을 포함하는 광변환 적층기재를 제공한다.The present invention also provides a light conversion laminate base material comprising the cured product of the above-described light conversion resin composition.
또한, 본 발명은 전술한 광변환 적층기재를 포함하는 화상표시장치를 제공한다.In addition, the present invention provides an image display device including the above-described light conversion laminated substrate.
본 발명에 따른 광변환 수지 조성물은 3,4-에폭시트리시클로[5.2.1.02,6] 데칸환 함유 중합성 불포화 화합물 유래의 반복단위를 포함하는 에폭시 수지를 포함하는 알칼리 가용성 수지를 포함함으로서 저온 공정에서 도막의 경화도를 향상시킬 수 있으며, 저온 공정 진행으로 인해서 양자점이 소광되는 현상을 억제하여, 휘도 특성 및 신뢰성이 우수한 이점이 있다.The light conversion resin composition according to the present invention is a low temperature by containing an alkali-soluble resin containing an epoxy resin containing a repeating unit derived from a 3,4-epoxytricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane ring-containing polymerizable unsaturated compound It is possible to improve the degree of curing of the coating film in the process, suppress the phenomenon that the quantum dot is quenched due to the low-temperature process, there is an advantage of excellent brightness characteristics and reliability.
또한, 본 발명에 따른 광변환 수지 조성물로 제조된 광변환 적층기재 및 이를 이용한 화상표시장치는 휘도 및 신뢰성이 우수한 이점이 있다.In addition, the light conversion substrate and the image display device using the light conversion resin composition according to the present invention has the advantage of excellent brightness and reliability.
이하, 본 발명에 대하여 더욱 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail.
본 발명에서 어떤 부재가 다른 부재 "상에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.In the present invention, when a member is located "on" another member, this includes not only when one member is in contact with another member but also when another member exists between the two members.
본 발명에서 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.In the present invention, when a part "includes" a certain component, this means that it may further include other components, without excluding the other components unless otherwise stated.
<< 광변환Light conversion 수지 조성물> Resin Composition>
본 발명의 한 양태는, 2종 이상의 양자점; 산란체; 및 카도계 수지 및 3,4-에폭시트리시클로[5.2.1.02,6] 데칸환 함유 중합성 불포화 화합물 유래의 반복단위를 포함하는 에폭시 수지를 포함하는 알칼리 가용성 수지;를 포함하는 광변환 수지 조성물에 관한 것이다.One aspect of the invention, two or more kinds of quantum dots; Scatterers; And an alkali-soluble resin comprising a cardo resin and an epoxy resin comprising a repeating unit derived from a 3,4-epoxytricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane ring-containing polymerizable unsaturated compound. It is about.
양자점Quantum dots
본 발명에 따른 광변환 수지 조성물은 2종 이상의 양자점을 포함한다.The light conversion resin composition which concerns on this invention contains 2 or more types of quantum dots.
본 발명의 광변환 수지 조성물에 포함되는 양자점은 나노 크기의 반도체 물질이다. 원자가 분자를 이루고, 분자는 클러스터(cluster)라고 하는 작은 분자들의 집합체를 구성하여 나노 입자를 이루는데, 이러한 나노 입자들이 특히 반도체의 특성을 띠고 있을 때 이를 양자점이라고 한다. 이러한 양자점은 외부에서 에너지를 받아 들뜬 상태에 이르면, 자체적으로 에너지 밴드 갭에 해당하는 에너지를 방출하는 특성을 가지고 있다. 요컨대, 본 발명의 광변환 수지 조성물은 이러한 양자점을 포함함으로써, 입사된 청색광원을 통해 녹색광 및 적색광으로의 광변환이 가능하다.The quantum dots included in the photoconversion resin composition of the present invention are nanoscale semiconductor materials. Atoms form molecules, and molecules form clusters of small molecules called clusters to form nanoparticles, which are called quantum dots, especially when they are characteristic of semiconductors. These quantum dots have the characteristic of emitting energy corresponding to the energy band gap when they reach the excited state from the outside. In short, the photoconversion resin composition of the present invention includes such a quantum dot, so that light conversion into green light and red light is possible through the incident blue light source.
상기 양자점은 광에 의한 자극으로 발광할 수 있는 것이라면 특별히 한정하지 않나, 비카드뮴계인 것이 바람직하며, 예컨대, II-VI족 반도체 화합물, III-V족 반도체 화합물, IV-VI족 반도체 화합물, 및 IV족 원소 또는 이를 포함하는 화합물로부터 선택되는 1종 이상을 사용할 수 있다..The quantum dot is not particularly limited as long as it can emit light by a stimulus caused by light, but is preferably a cadmium-based compound, for example, a group II-VI semiconductor compound, a group III-V semiconductor compound, a group IV-VI semiconductor compound, and IV. One or more types selected from the group elements or compounds containing the same can be used.
상기 II-VI족 반도체 화합물은 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상일 수 있고, The II-VI semiconductor compound may be selected from the group consisting of CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe, and mixtures thereof; CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe And CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe, and mixtures thereof, and at least one member selected from the group consisting of
상기 III-V족 반도체 화합물은 GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상일 수 있다.The group III-V semiconductor compound may be selected from the group consisting of GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb, and mixtures thereof; Three-element compounds selected from the group consisting of GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP, and mixtures thereof; And one element selected from the group consisting of GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb, and mixtures thereof. It may be abnormal.
상기 IV-VI족 반도체 화합물은 SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상일 수 있다.The group IV-VI semiconductor compound may be selected from the group consisting of SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe, and mixtures thereof; A three-element compound selected from the group consisting of SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe, and mixtures thereof; And SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe, and at least one member selected from the group consisting of an elemental compound selected from the group consisting of a mixture thereof.
상기 IV족 원소 또는 이를 포함하는 화합물은 Si, Ge, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 원소 화합물; 및 SiC, SiGe, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상일 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The group IV element or the compound containing the same is an element compound selected from the group consisting of Si, Ge, and mixtures thereof; And it may be one or more selected from the group consisting of a binary element compound selected from the group consisting of SiC, SiGe, and mixtures thereof, but is not limited thereto.
상기 양자점은 균질한(homogeneous) 단일 구조; 코어-쉘(core-shell) 구조, 그래디언트(gradient) 구조 등과 같은 이중 구조; 또는 이들의 혼합 구조일 수 있다. 예를 들어 상기 코어-쉘(core-shell)의 이중 구조에서, 각각의 코어(core)와 쉘(shell)을 이루는 물질은 상기 언급된 서로 다른 반도체 화합물로 이루어질 수 있다.The quantum dots are homogeneous single structures; Dual structures such as core-shell structures, gradient structures, and the like; Or a mixed structure thereof. For example, in the dual structure of the core-shell, the material forming each core and shell may be made of the above-mentioned different semiconductor compounds.
본 발명의 일 실시형태에 있어서, 상기 코어는 GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 물질을 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 쉘은 ZnSe, ZnS 및 ZnTe로부터 선택되는 1종 이상의 물질을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In one embodiment of the invention, the core is a binary element selected from the group consisting of GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb, and mixtures thereof; Three-element compounds selected from the group consisting of GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP, and mixtures thereof; And one element selected from the group consisting of GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb, and mixtures thereof. It may include, but is not limited to, the above materials. The shell may include one or more materials selected from ZnSe, ZnS, and ZnTe, but is not limited thereto.
본 발명의 또 다른 실시형태에 있어서, 상기 양자점은 InP 코어를 가지는 비카드뮴계 양자점일 수 있다.In another embodiment of the present invention, the quantum dot may be a non-cadmium-based quantum dot having an InP core.
본 발명에 따른 양자점은 InP 코어와 서로 다른 구성을 가지는 쉘을 포함하며, 상기 쉘은 2층 이상일 수도 있으나 이에 한정되지는 않는다.Quantum dots according to the present invention includes a shell having a different configuration from the InP core, the shell may be two or more layers, but is not limited thereto.
상기 코어는 약 2~10nm 사이즈의 중심체이고, 쉘은 코어의 표면에 형성된다.The core is a centroid of about 2-10 nm in size and the shell is formed on the surface of the core.
본 발명의 또 다른 실시형태에 있어서, 상기 양자점은 InP/ZnS, InP/ZnSe, InP/GaP/ZnS, InP/ZnSe/ZnS, InP/ZnSeTe/ZnS 및 InP/MnSe/ZnS로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있다.In another embodiment of the present invention, the quantum dots are selected from the group consisting of InP / ZnS, InP / ZnSe, InP / GaP / ZnS, InP / ZnSe / ZnS, InP / ZnSeTe / ZnS and InP / MnSe / ZnS. It may include one or more.
상기 양자점은 습식 화학 공정(wet chemical process), 유기금속 화학증착 공정(MOCVD, metal organic chemical vapor deposition) 또는 분자선 에피텍시 공정(MBE, molecular beam epitaxy)에 의해 합성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. The quantum dots may be synthesized by a wet chemical process, a metal organic chemical vapor deposition (MOCVD), or a molecular beam epitaxy (MBE), but are not limited thereto. .
본 발명의 또 다른 실시형태에 있어서, 상기 양자점은 중심여기파장이 서로 50nm 이상 차이가 나는 2종 이상의 양자점일 수 있다.In still another embodiment of the present invention, the quantum dots may be two or more kinds of quantum dots whose central excitation wavelengths differ by 50 nm or more from each other.
구체적으로, 상기 양자점은 입사된 청색광원을 이용하여, 녹색광 및 적색광으로의 광변환을 위해 중심여기파장이 서로 다른 2종 또는 그 이상의 양자점을 포함 할 수 있다. 서로 다른 2종 이상의 양자점의 바람직한 중심여기파장의 차이는 30 내지 100nm, 더욱 바람직하게는 40 내지 60nm일 수 있다.Specifically, the quantum dots may include two or more kinds of quantum dots having different center excitation wavelengths for light conversion to green light and red light using the incident blue light source. The difference in the preferred center excitation wavelength of two or more different quantum dots may be 30 to 100 nm, more preferably 40 to 60 nm.
상기 양자점은 광변환 수지 조성물 중 고형분 전체 100 중량부에 대하여 1 내지 60 중량부, 바람직하게는 2 내지 50 중량부, 더욱 바람직하게는 2 내지 20 중량부로 포함될 수 있다. 상기 양자점이 상기 범위 내로 포함될 경우 발광 효율이 우수하고, 코팅층의 광유지율과 같은 광특성 신뢰성이 우수한 이점이 있다. 상기 양자점이 상기 범위 미만으로 포함되는 경우 녹색광 및 적색광의 광변환 효율이 미비할 수 있고, 상기 범위를 초과하는 경우 상대적으로 청색광의 방출이 저하되어 색재현성이 떨어지는 문제가 발생될 수 있다.The quantum dot may be included in 1 to 60 parts by weight, preferably 2 to 50 parts by weight, more preferably 2 to 20 parts by weight based on 100 parts by weight of the total solid content in the light conversion resin composition. When the quantum dots are included in the above range, the luminous efficiency is excellent, and there is an advantage of excellent optical characteristic reliability, such as light retention of the coating layer. When the quantum dots are included in the range below the light conversion efficiency of the green light and red light may be insufficient, and when the quantum dot exceeds the above range, the emission of blue light may be relatively lowered, thereby causing a problem of poor color reproducibility.
본 발명의 또 다른 실시형태에 있어서, 상기 양자점은 폴리에틸렌 글리콜계 리간드를 포함할 수 있다. 상기 양자점이 상기 폴리에틸렌 글리콜계 리간드를 포함하는 경우 양자점의 분산성 및 광특성을 개선할 수 있어 바람직하다. 또한, 톨루엔, 헥산, 클로로포름과 같이 휘발성이 큰 용제가 아닌, 컬러필터 양산라인에서 사용되고 있는 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트와 같은 용제를 사용해도 양자점의 분산 특성이 양호한 효과가 있다.In another embodiment of the present invention, the quantum dot may include a polyethylene glycol-based ligand. When the quantum dot includes the polyethylene glycol-based ligand, it is preferable because the quantum dot can improve the dispersibility and optical properties of the quantum dot. In addition, the use of a solvent such as propylene glycol monomethyl ether acetate, which is used in a color filter mass production line, rather than a highly volatile solvent such as toluene, hexane, and chloroform, has an excellent effect of dispersing the quantum dots.
본 발명의 또 다른 실시형태에 있어서, 상기 폴리에틸렌 글리콜계 리간드는 하기 화학식 10으로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.In another embodiment of the present invention, the polyethylene glycol ligand may include a compound represented by the following formula (10).
[화학식 10][Formula 10]
상기 화학식 10에서,In Chemical Formula 10,
A1은 하기 화학식 10-1로 표시되며, A 1 is represented by the following formula 10-1,
A2는 수소원자, 머캅토(
c는 2 내지 100의 정수이다.c is an integer from 2 to 100.
[화학식 10-1][Formula 10-1]
상기 화학식 10-1에서,In Chemical Formula 10-1,
A3는 직접연결기 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬렌기이고, A 3 is a direct linker or an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms,
A4는 하기 화학식 10-2로 표시되며,A 4 is represented by the following Chemical Formula 10-2,
*은 결합손을 의미한다.* Means a bonding hand.
[화학식 10-2][Formula 10-2]
상기 화학식 10-2에서,In Chemical Formula 10-2,
A5는 산소원자 또는 황원자이며,A 5 is an oxygen atom or a sulfur atom,
A6는 직접연결기 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬렌기이고,A 6 is a direct linker or an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms,
A7은 머캅토(
d는 0 내지 1의 정수이고, d is an integer of 0 to 1,
e는 0 내지 10의 정수이며,e is an integer from 0 to 10,
*은 결합손을 의미한다.* Means a bonding hand.
본 발명에 있어서, 본 발명에서 "알킬"이란, 별 다른 설명이 없는 한 직쇄 또는 분지쇄일 수 있으며, 예컨대 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, n-부틸, 이소부틸, tert-부틸, sec-부틸, 1-메틸-부틸, 1-에틸-부틸, n-펜틸, 이소펜틸, 네오펜틸, tert-펜틸, n-헥실, 1-메틸펜틸, 2-메틸펜틸, 4-메틸-2-펜틸, 3,3-디메틸부틸, 2-에틸부틸, n-헵틸, 1-메틸헥실, n-옥틸, tert-옥틸, 1-메틸헵틸, 2-에틸헥실, 2-프로필펜틸, n-노닐, 2,2-디메틸헵틸, 1-에틸-프로필, 1,1-디메틸-프로필, 이소헥실, 2-메틸펜틸, 4-메틸헥실, 5-메틸헥실 등을 들 수 있으나, 이들로 한정되는 것은 아니다.In the present invention, "alkyl" in the present invention may be linear or branched unless otherwise stated, for example methyl, ethyl, n-propyl, isopropyl, n-butyl, isobutyl, tert-butyl, sec -Butyl, 1-methyl-butyl, 1-ethyl-butyl, n-pentyl, isopentyl, neopentyl, tert-pentyl, n-hexyl, 1-methylpentyl, 2-methylpentyl, 4-methyl-2-pentyl , 3,3-dimethylbutyl, 2-ethylbutyl, n-heptyl, 1-methylhexyl, n-octyl, tert-octyl, 1-methylheptyl, 2-ethylhexyl, 2-propylpentyl, n-nonyl, 2 , 2-dimethylheptyl, 1-ethyl-propyl, 1,1-dimethyl-propyl, isohexyl, 2-methylpentyl, 4-methylhexyl, 5-methylhexyl, and the like, but are not limited thereto.
본 발명에 있어서, "알킬렌기"란 2가인 것을 제외하고는 전술한 "알킬"에 대한 내용을 적용할 수 있다.In the present invention, the above-described "alkyl" is applicable except that the "alkylene group" is divalent.
본 발명의 또 다른 실시형태에 있어서, 상기 화학식 10으로 표시되는 화합물은 하기 화학식 11로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.In another embodiment of the present invention, the compound represented by Formula 10 may include a compound represented by the following formula (11).
[화학식 11][Formula 11]
상기 화학식 11에서, In Chemical Formula 11,
A2는 머캅토(
f는 0 내지 5의 정수, g는 0 내지 1의 정수, h는 2 내지 50 의 정수이다.f is an integer of 0-5, g is an integer of 0-1, h is an integer of 2-50.
상기 폴리에틸렌 글리콜계 리간드가 상기 화학식 11로 표시되는 화합물을 포함하는 경우 분산성 및 광특성의 개선이 보다 우수하기 때문에 바람직하다.When the polyethylene glycol-based ligand includes the compound represented by Chemical Formula 11, it is preferable because the dispersibility and the optical properties are improved.
상기 폴리에틸렌 글리콜계 리간드의 구체적인 예로서는, 2-(2-메톡시에톡시)아세트산(2-(2-Methoxyethoxy)acetic acid(WAKO사)), 2-[2-(2-메톡시에톡시)에톡시]아세트산(2-[2-(2-Methoxyethoxy)ethoxy]acetic acid(WAKO사)), 숙신산 모노-[2-(2-메톡시-에톡시)-에틸]에스테르(Succinic acid mono-[2-(2-methoxy-ethoxy)-ethyl] ester), 말론산 모노-[2-(2-메톡시-에톡시)-에틸]에스테르(Malonic acid mono-[2-(2-methoxy-ethoxy)-ethyl] ester), 펜탄디온산 모노-{2-[2-(2-에톡시-에톡시)-에톡시]-에틸}에스테르(Pentanedioic acid mono-{2-[2-(2-ethoxy-ethoxy)-ethoxy]-ethyl} ester), {2-[2-(2-에틸-헥실옥시)-에톡시]-에톡시}-아세트산({2-[2-(2-Ethyl-hexyloxy)-ethoxy]-ethoxy}-acetic acid), 숙신산 모노-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-에톡시-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에톡시)-에틸]에스테르(Succinic acid mono-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-ethoxy-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethyl] ester), 숙신산 모노-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-메톡시-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에톡시)-에틸]에스테르(Succinic acid mono-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-methoxy-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethyl] ester), 말론산 모노-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-이소부톡시-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에톡시)-에틸]에스테르(Malonic acid mono-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-isobutoxy-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethyl] ester), 헥산디온산 모노-[2-(2-{2-[2-(2-메톡시-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에톡시)-에틸] 에스테르(Hexanedioic acid mono-[2-(2-{2-[2-(2-methoxy-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethyl] ester), 2-옥소-헥산디온산 6-(2-{2-[2-(2-에톡시-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에틸)에스테르(2-Oxo-hexanedioic acid 6-(2-{2-[2-(2-ethoxy-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethyl) ester), 숙신산 모노-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-메톡시-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에톡시)-에틸]에스테르(Succinic acid mono-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-methoxy-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethyl] ester), O-(숙시닐)-O′-메틸폴리에틸렌글리콜 2'000(O-(Succinyl)-O′-methylpolyethylene glycol 2'000, Aldrich사), (2-부톡시-에톡시)-아세트산((2-Butoxy-ethoxy)-acetic acid, WAKO사), {2-[2-(카복시메톡시)에톡시]에톡시}아세트산({2-[2-(carboxymethoxy)ethoxy]ethoxy}acetic acid, WAKO사), 2-[2-(벤질옥시)에톡시]아세트산(2-[2-(Benzyloxy)ethoxy]acetic acid), (2-카복시메톡시-에톡시)-아세트산((2-Carboxymethoxy-ethoxy)-acetic acid, WAKO사), (2-부톡시-에톡시)-아세트산((2-Butoxy-ethoxy)-acetic acid, WAKO사)등을 들 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.Specific examples of the polyethylene glycol ligand include 2- (2-methoxyethoxy) acetic acid (2- (2-Methoxyethoxy) acetic acid (WAKO)) and 2- [2- (2-methoxyethoxy). Methoxy] acetic acid (2- [2- (2-Methoxyethoxy) ethoxy] acetic acid (WAKO), succinic acid mono- [2- (2-methoxy-ethoxy) -ethyl] ester (Succinic acid mono- [2] -(2-methoxy-ethoxy) -ethyl] ester, malonic acid mono- [2- (2-methoxy-ethoxy) -ethyl] ester (Malonic acid mono- [2- (2-methoxy-ethoxy)- ethyl] ester, pentanedioic acid mono- {2- [2- (2-ethoxy-ethoxy) -ethoxy] -ethyl} ester (Pentanedioic acid mono- {2- [2- (2-ethoxy-ethoxy) ) -ethoxy] -ethyl} ester), {2- [2- (2-ethyl-hexyloxy) -ethoxy] -ethoxy} -acetic acid ({2- [2- (2-Ethyl-hexyloxy)- ethoxy] -ethoxy} -acetic acid), succinic acid mono- [2- (2- {2- [2- (2- {2- [2- (2-ethoxy-ethoxy) -ethoxy] -ethoxy } -Ethoxy) -ethoxy] -ethoxy} -ethoxy) -ethyl] ester (Succinic acid mono- [2- (2- {2- [2- (2- {2- [2- (2- ethoxy-ethoxy) -ethoxy] -ethoxy} -ethoxy)- ethoxy] -ethoxy} -ethoxy) -ethyl] ester), succinic acid mono- [2- (2- {2- [2- (2- {2- [2- (2- {2- [2- (2- Methoxy-ethoxy) -ethoxy] -ethoxy} -ethoxy) -ethoxy] -ethoxy} -ethoxy) -ethoxy] -ethoxy} -ethoxy) -ethyl] ester (Succinic acid mono -[2- (2- {2- [2- (2- {2- [2- (2- {2- [2- (2-methoxy-ethoxy) -ethoxy] -ethoxy} -ethoxy) -ethoxy] -ethoxy} -ethoxy) -ethoxy] -ethoxy} -ethoxy) -ethyl] ester), malonic acid mono- [2- (2- {2- [2- (2- {2- [2- (2-isobutyrate) Methoxy-ethoxy) -ethoxy] -ethoxy} -ethoxy) -ethoxy] -ethoxy} -ethoxy) -ethyl] ester (Malonic acid mono- [2- (2- {2- [2- (2- {2- [2- (2-isobutoxy-ethoxy) -ethoxy] -ethoxy} -ethoxy) -ethoxy] -ethoxy} -ethoxy) -ethyl] ester), Hexionate mono- [2- (2 -{2- [2- (2-methoxy-ethoxy) -ethoxy] -ethoxy} -ethoxy) -ethyl] ester (Hexanedioic acid mono- [2- (2- {2- [2- ( 2-methoxy-ethoxy) -ethoxy] -ethoxy} -ethoxy) -ethyl] ester), 2-oxo-hexanedioic acid 6- (2- {2- [2- (2-ethoxy-ethoxy)- Oxy] -ethoxy} -ethyl) ester (2-Oxo-hexanedioic acid 6- (2- {2- [ 2- (2-ethoxy-ethoxy) -ethoxy] -ethoxy} -ethyl) ester), succinic acid mono- [2- (2- {2- [2- (2- {2- [2- (2- {2 -[2- (2- {2- [2- (2- {2- [2- (2-methoxy-ethoxy) -ethoxy] -ethoxy} -ethoxy) -ethoxy] -ethoxy } -Ethoxy) -ethoxy] -ethoxy} -ethoxy) -ethoxy] -ethoxy} -ethoxy) -ethoxy] -ethoxy} -ethoxy) -ethyl] ester (Succinic acid mono- [2- (2- {2- [2- (2- {2- [2- (2- {2- [2- (2- {2- [2- (2- {2- [2- (2 -methoxy-ethoxy) -ethoxy] -ethoxy} -ethoxy) -ethoxy] -ethoxy} -ethoxy) -ethoxy] -ethoxy} -ethoxy) -ethoxy] -ethoxy} -ethoxy) -ethoxy] -ethoxy} -ethoxy) -ethyl] ester), O- (succinyl) -O'-methylpolyethylene glycol 2'000 (O- (Succinyl) -O'-methylpolyethylene glycol 2'000, Aldrich), (2-butoxy-ethoxy ) -Acetic acid ((2-Butoxy-ethoxy) -acetic acid (WAKO), {2- [2- (carboxymethoxy) ethoxy] ethoxy} acetic acid ({2- [2- (carboxymethoxy) ethoxy] ethoxy } acetic acid, manufactured by WAKO), 2- [2- (benzyloxy) ethoxy] acetic acid (2- [2- (Benzyloxy) ethoxy] acetic acid), (2-carboxymethoxy-ethoxy) -acetic acid (( 2-Carboxymet hoxy-ethoxy) -acetic acid, manufactured by WAKO, and (2-butoxy-ethoxy) -acetic acid ((2-Butoxy-ethoxy) -acetic acid, manufactured by WAKO), but are not limited thereto.
상기 양자점의 표면의 일부를 유기 리간드로 치환하는 방법은 본 발명에서는 제한하지 않으며, 당업계에서 수행되는 통상적인 방법을 사용할 수 있다.The method of replacing a part of the surface of the quantum dot with an organic ligand is not limited in the present invention, and conventional methods performed in the art may be used.
상기 리간드는 상기 양자점 전체 100 중량부에 대하여 1 내지 40 중량부, 바람직하게는 10 내지 40 중량부, 더욱 바람직하게는 15 내지 40 중량부로 포함될 수 있으며, 이 경우 양자점의 분산특성이 우수하면서도 이를 이용하여 제조되는 막의 경화 특성이 우수하기 때문에 바람직하다.The ligand may be included in 1 to 40 parts by weight, preferably 10 to 40 parts by weight, more preferably 15 to 40 parts by weight based on 100 parts by weight of the total quantum dots, in this case excellent dispersion properties of the quantum dots, It is preferable because it is excellent in the curing property of the film produced by
산란체Scatter
본 발명에 따른 광변환 수지 조성물은 산란체를 포함한다.The light conversion resin composition according to the present invention includes a scatterer.
상기 산란체는 통상의 무기 재료를 사용할 수 있으며, 바람직하게는 평균입경이 30 내지 1000nm인 금속산화물을 포함할 수 있다.The scatterer may use a conventional inorganic material, and preferably include a metal oxide having an average particle diameter of 30 to 1000 nm.
상기 금속산화물은 Li, Be, B, Na, Mg, Al, Si, K, Ca, Sc, V, Cr, Mn, Fe, Ni, Cu, Zn, Ga, Ge, Rb, Sr, Y, Mo, Cs, Ba, La, Hf, W, Tl, Pb, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Ti, Sb, Sn, Zr, Nb, Ce, Ta, In 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 1종의 금속을 포함하는 산화물일 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.The metal oxide is Li, Be, B, Na, Mg, Al, Si, K, Ca, Sc, V, Cr, Mn, Fe, Ni, Cu, Zn, Ga, Ge, Rb, Sr, Y, Mo, Cs, Ba, La, Hf, W, Tl, Pb, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Ti, Sb, Sn, Zr, Nb, An oxide including one metal selected from the group consisting of Ce, Ta, In, and combinations thereof is not limited thereto.
본 발명의 또 다른 실시형태에 있어서, 상기 산란체는 Al2O3, SiO2, ZnO, ZrO2, BaTiO3, TiO2, Ta2O5, Ti3O5, ITO, IZO, ATO, ZnO-Al, Nb2O3, SnO, MgO 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 1 이상을 포함할 수 있다.In another embodiment of the present invention, the scatterers are Al 2 O 3 , SiO 2 , ZnO, ZrO 2 , BaTiO 3 , TiO 2 , Ta 2 O 5 , Ti 3 O 5 , ITO, IZO, ATO, ZnO It may include one or more selected from the group consisting of -Al, Nb 2 O 3 , SnO, MgO and combinations thereof.
필요한 경우 아크릴레이트 등의 불포화 결합을 갖는 화합물로 표면 처리된 재질도 사용 가능하다.If necessary, a material surface-treated with a compound having an unsaturated bond such as acrylate may be used.
본 발명에 따른 광변환 수지 조성물이 산란체를 포함할 경우 상기 산란체를 통해 양자점에서 방출된 광의 경로를 증가시켜 광변환 코팅층에서의 전체적인 광효율을 높일 수 있어 바람직하다.When the light conversion resin composition according to the present invention includes a scatterer, it is preferable to increase the overall light efficiency in the light conversion coating layer by increasing the path of light emitted from the quantum dots through the scatterer.
상기 산란체는 30 내지 1000 nm의 평균입경을 가질 수 있으며, 바람직하기로 100 내지 500 nm 범위인 것을 사용한다. 이때 입자 크기가 너무 작으면 양자점으로부터 방출된 빛의 충분한 산란 효과를 기대할 수 없고, 이와 반대로 너무 큰 경우에는 조성물 내에 가라 앉거나 균일한 품질의 광변환 적층기재 표면을 얻을 수 없으므로, 상기 범위 내에서 적절히 조절하여 사용한다.The scatterers may have an average particle diameter of 30 to 1000 nm, preferably those in the range of 100 to 500 nm. In this case, if the particle size is too small, sufficient scattering effect of the light emitted from the quantum dots cannot be expected. On the contrary, if the particle size is too large, it is impossible to sink in the composition or obtain a light conversion laminate surface having a uniform quality. Use it properly adjusted.
상기 산란체는 상기 광변환 수지 조성물 중 고형분 전체 100 중량부에 대하여 0.5 내지 20 중량부, 바람직하게는 0.8 내지 15 중량부, 더욱 바람직하게는 1 내지 10 중량부로 사용할 수 있다. 상기 산란체가 상기 범위 내로 포함될 경우 발광 세기 증가 효과가 극대화될 수 있어 바람직하다. 상기 산란체가 상기 범위 미만으로 포함될 경우 얻고자 하는 발광 세기의 확보가 다소 어려울 수 있고, 상기 범위를 초과할 경우 청색 조사광의 투과도가 현저히 저하되어 색재현성에 문제가 발생할 수 있으므로, 상기 범위 내에서 적절하게 사용하는 것이 바람직하다.The scattering body may be used in an amount of 0.5 to 20 parts by weight, preferably 0.8 to 15 parts by weight, and more preferably 1 to 10 parts by weight, based on 100 parts by weight of the total solid in the light conversion resin composition. When the scatterers are included in the range, the effect of increasing the light emission intensity may be maximized. If the scattering material is included in the range below, it may be difficult to secure the emission intensity to be obtained, and if it exceeds the above range, the transmittance of the blue irradiated light may be significantly lowered, which may cause a problem in color reproducibility. It is preferable to use.
알칼리 가용성 수지Alkali soluble resin
본 발명에 따른 광변환 수지 조성물은 카도계 수지 및 3,4-에폭시트리시클로[5.2.1.02,6] 데칸환 함유 중합성 불포화 화합물 유래의 반복단위를 포함하는 에폭시 수지를 포함한다.The photoconversion resin composition according to the present invention contains an epoxy resin comprising a cardo resin and a repeating unit derived from a 3,4-epoxytricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane ring-containing polymerizable unsaturated compound.
본 발명의 또 다른 실시형태에 있어서, 상기 3,4-에폭시트리시클로[5.2.1.02,6] 데칸환 함유 중합성 불포화 화합물은 하기 화학식 1 또는 2로 표시될 수 있다.In another embodiment of the present invention, the 3,4-epoxytricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane ring-containing polymerizable unsaturated compound may be represented by the following formula (1) or (2).
[화학식 1][Formula 1]
[화학식 2] [Formula 2]
(상기 화학식 1 및 2에서,(In Chemical Formulas 1 and 2,
Ra는 각각 수소 원자 또는 히드록시기로 치환될 수 있는 C1 내지 C7의 알킬기이고,R a is a C1 to C7 alkyl group which may be substituted with a hydrogen atom or a hydroxy group, respectively,
A는 각각 단일 결합 또는 헤테로 원자를 포함할 수 있는 2가의 탄화수소기이다.)A is a divalent hydrocarbon group which may each contain a single bond or a hetero atom.)
Ra에서 히드록실기로 치환될 수 있는 탄소수 1 내지 7의 알킬기로는, 예를 들면 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, 부틸, 이소부틸, s-부틸, 펜틸, 헥실, 헵틸기 등의 알킬기; 히드록시메틸기, 1-히드록시에틸기, 2-히드록시에틸기, 1-히드록시프로필기, 2-히드록시프로필기, 3-히드록시프로필기, 1-히드록시-1-메틸에틸기, 2-히드록시-1-메틸에틸기, 1-히드록시부틸기, 2-히드록시부틸기, 3-히드록시부틸기, 4-히드록시부틸기 등의 히드록시알킬기를 들 수 있다. Ra로는 수소 원자 또는 히드록실기로 치환될 수 있는 탄소수 1 내지 2의 알킬기가 바람직하고, 그 중에서도 특히 수소 원자 또는 메틸기가 바람직하다.Examples of the alkyl group having 1 to 7 carbon atoms that may be substituted with a hydroxyl group at R a include alkyl groups such as methyl, ethyl, propyl, isopropyl, butyl, isobutyl, s-butyl, pentyl, hexyl, heptyl, and the like. ; Hydroxymethyl group, 1-hydroxyethyl group, 2-hydroxyethyl group, 1-hydroxypropyl group, 2-hydroxypropyl group, 3-hydroxypropyl group, 1-hydroxy-1-methylethyl group, 2-hydroxy And hydroxyalkyl groups such as hydroxy-1-methylethyl group, 1-hydroxybutyl group, 2-hydroxybutyl group, 3-hydroxybutyl group, and 4-hydroxybutyl group. As R a, an alkyl group having 1 to 2 carbon atoms which may be substituted with a hydrogen atom or a hydroxyl group is preferable, and a hydrogen atom or a methyl group is particularly preferable.
A에서 헤테로 원자를 포함할 수 있는 2가의 탄화수소기에서, 헤테로 원자는 탄화수소기의 말단에 결합될 수도 있고 탄화수소기를 구성하는 탄소 원자 사이에 개재될 수도 있다. 헤테로 원자로서 질소, 산소, 황 원자 등을 들 수 있다. In a divalent hydrocarbon group which may include a hetero atom at A, the hetero atom may be bonded to the end of the hydrocarbon group and may be interposed between the carbon atoms constituting the hydrocarbon group. Nitrogen, oxygen, a sulfur atom, etc. are mentioned as a hetero atom.
A의 다른 대표적인 예로서, 메틸렌기, 에틸렌기, 프로필렌기, 트리메틸렌기 등의 알킬렌기(예를 들면, 탄소수 1 내지 12의 알킬렌기, 특히 탄소수 1 내지 6의 알킬렌기); 티오메틸렌기, 티오에틸렌기, 티오프로필렌기 등의 티오알킬렌기(예를 들면, 탄소수 1 내지 12의 티오알킬렌기, 특히 탄소수 1 내지 6의 티오알킬렌기); 아미노메틸렌기, 아미노에틸렌기, 아미노프로필렌기 등의 아미노알킬렌기(예를 들면, 탄소수 1 내지 12의 아미노알킬렌기, 특히 탄소수 1 내지 6의 아미노알킬렌기) 등을 들 수 있다.As another representative example of A, Alkylene group (for example, C1-C12 alkylene group, especially C1-C6 alkylene group), such as a methylene group, ethylene group, a propylene group, trimethylene group; Thioalkylene groups (for example, thioalkylene groups having 1 to 12 carbon atoms, especially thioalkylene groups having 1 to 6 carbon atoms) such as thiomethylene groups, thioethylene groups, and thiopropylene groups; Amino alkylene groups (for example, C1-C12 aminoalkylene group, especially C1-C6 aminoalkylene group), such as an amino methylene group, an aminoethylene group, and an aminopropylene group, etc. are mentioned.
본 발명에 있어서, "알킬렌기"는 2가인 것을 제외하고는 알킬기와 동일한 내용을 적용할 수 있다.In the present invention, the "alkylene group" is applicable to the same content as the alkyl group, except that divalent.
화학식 1, 2로 표시되는 3,4-에폭시트리시클로[5.2.1.02,6]데칸환 함유 중합성 불포화 화합물의 대표적인 예로서, 에폭시화 디시클로펜테닐(메트)아크릴레이트[3,4-에폭시트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-9-일 (메트)아크릴레이트; 3,4-에폭시트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일 (메트)아크릴레이트], 에폭시화 디시클로펜테닐옥시에틸 (메트)아크릴레이트[2-(3,4-에폭시트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-9-일옥시)에틸 (메트)아크릴레이트; 2-(3,4-에폭시트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일옥시)에틸 (메트)아크릴레이트], 에폭시화 디시클로펜테닐옥시부틸(메트)아크릴레이트, 에폭시화 디시클로펜테닐옥시헥실(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 그 중에서도 에폭시화 디시클로펜테닐(메트)아크릴레이트 및 에폭시화 디시클로펜테닐옥시에틸 (메트)아크릴레이트가 특히 바람직하다.Epoxylated dicyclopentenyl (meth) acrylate [3,4- is a representative example of the 3,4-epoxytricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane ring-containing polymerizable unsaturated compound represented by the general formula (1), (2). Epoxytricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane-9-yl (meth) acrylate; 3,4-epoxytricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane-8-yl (meth) acrylate], epoxidized dicyclopentenyloxyethyl (meth) acrylate [2- (3,4-epoxytrityl] Cyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane-9-yloxy) ethyl (meth) acrylate; 2- (3,4-epoxytricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane-8-yloxy) ethyl (meth) acrylate], epoxidized dicyclopentenyloxybutyl (meth) acrylate, epoxidized dish Clopentenyloxyhexyl (meth) acrylate etc. are mentioned. Especially, epoxidized dicyclopentenyl (meth) acrylate and epoxidized dicyclopentenyl oxyethyl (meth) acrylate are especially preferable.
화학식 1로 표시되는 화합물과 화학식 2로 표시되는 화합물은 각각 단독으로 사용할 수 있다. 또한, 이들은 임의의 비율로 혼합하여 사용할 수 있다. 양자를 혼합하여 사용하는 경우, 그 비율은 바람직하게는 화학식 1:화학식 2=5:95 내지 95:5, 보다 바람직하게는 10:90 내지 90:10, 더욱 바람직하게는 20:80 내지 80:20이다.The compound represented by the formula (1) and the compound represented by the formula (2) may be used alone, respectively. In addition, these can be mixed and used in arbitrary ratios. In the case of using a mixture of both, the ratio is preferably represented by Chemical Formula 1: 2: 5 to 95: 5, more preferably 10:90 to 90:10, and more preferably 20:80 to 80: 20.
본 발명의 또 다른 실시형태에 있어서, 상기 3,4-에폭시트리시클로[5.2.1.02,6] 데칸환 함유 중합성 불포화 화합물 유래의 반복단위를 포함하는 에폭시 수지는 하기 화학식 3으로 표시되는 단량체 유래의 반복단위를 더 포함할 수 있다.In another embodiment of the present invention, the epoxy resin containing a repeating unit derived from the 3,4-epoxytricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane ring-containing polymerizable unsaturated compound is a monomer represented by the formula (3) It may further comprise a repeating unit derived.
[화학식 3][Formula 3]
R15는 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 7의 알킬기이고,R15 is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 7 carbon atoms,
R16은 탄소수 1 내지 12의 1급 또는 2급 알킬기, 탄수소 2 내지 12의 알케닐기, 탄소수 6 내지 10의 아릴기, 탄소수 7 내지 20의 아르알킬기 또는 -(R17-O)r-R18기이고,R16 is a primary or secondary alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 12 carbon atoms, an aryl group having 6 to 10 carbon atoms, an aralkyl group having 7 to 20 carbon atoms, or a-(R17-O) r -R18 group ,
이때, R17는 탄소수 1 내지 12의 2가의 탄화수소기이며, At this time, R17 is a C1-C12 divalent hydrocarbon group,
R18는 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 12의 탄화수소기이고, R18 is a hydrogen atom or a hydrocarbon group of 1 to 12 carbon atoms,
r은 1 이상의 정수이다.r is an integer of 1 or more.
상기 1급 또는 2급 알킬기는, 1급 또는 2급인 것을 제외하고는 전술한 알킬기에 대한 내용을 적용할 수 있다.The primary or secondary alkyl group is applicable to the above-described alkyl group, except that the primary or secondary alkyl group.
상기 탄소수 2 내지 12의 알케닐기는 비닐, 1-프로페닐, 이소프로페닐, 1-부테닐, 2-부테닐, 3-부테닐, 1-펜테닐, 2-펜테닐, 3-펜테닐, 3-메틸-1-부테닐, 1,3-부타디에닐, 알릴, 1-페닐비닐-1-일, 2-페닐비닐-1-일, 2,2-디페닐비닐-1-일, 2-페닐-2-(나프틸-1-일)비닐-1-일, 2,2-비스(디페닐-1-일)비닐-1-일, 스틸베닐기, 스티레닐일 수 있으나 역시 이에 한정되지 않는다.The alkenyl group having 2 to 12 carbon atoms may include vinyl, 1-propenyl, isopropenyl, 1-butenyl, 2-butenyl, 3-butenyl, 1-pentenyl, 2-pentenyl, 3-pentenyl, 3-methyl-1-butenyl, 1,3-butadienyl, allyl, 1-phenylvinyl-1-yl, 2-phenylvinyl-1-yl, 2,2-diphenylvinyl-1-yl, 2 -Phenyl-2- (naphthyl-1-yl) vinyl-1-yl, 2,2-bis (diphenyl-1-yl) vinyl-1-yl, stilbenyl group, styrenyl It doesn't work.
상기 아릴기는 예컨대, 페닐기, 바이페닐기, 나프틸기 등이 될 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The aryl group may be, for example, a phenyl group, a biphenyl group, a naphthyl group, and the like, but is not limited thereto.
상기 아르알킬기의 아릴 부분은 전술한 아릴기에 대한 내용을 적용할 수 있다.The aryl portion of the aralkyl group may be applied to the above-described aryl group.
상기 r은 구체적으로 1 내지 20의 정수일 수 있으나 이에 한정되지 않는다.Specifically, r may be an integer of 1 to 20, but is not limited thereto.
상기 에폭시 수지가 상기 화학식 3으로 표시되는 단량체 유래의 반복단위를 더 포함하는 경우 저온 공정에서도 도막 내 높은 경화밀도가 형성되는 이점이 있으므로 바람직하다.When the epoxy resin further comprises a repeating unit derived from the monomer represented by the above formula (3), there is an advantage in that a high curing density in the coating film is formed even at a low temperature process.
본 발명의 또 다른 실시형태에 있어서, 카도계 수지는 하기 화학식 4 내지 9로 표시될 수 있다.In another embodiment of the present invention, the cardo-based resin may be represented by the following formula (4).
[화학식 4] [Formula 4]
[화학식 5][Formula 5]
[화학식 6][Formula 6]
[화학식 7][Formula 7]
(상기 화학식 4 내지 7에서,(In Chemical Formulas 4 to 7,
X 및 X'은 각각 독립적으로 단일 결합, -CO-, -SO2-, -C(CF3)2-, -Si(CH3)2-, -CH2-, -C(CH3)2-, -O-,
Y는 산무수물 잔기이며,Y is an acid anhydride residue,
Z는 산2무수물 잔기이고,Z is an acid 2 anhydride residue,
R'은 수소 원자, 에틸기, 페닐기, -C2H4Cl, -C2H4OH 또는 -CH2CH=CH2이며,R 'is a hydrogen atom, an ethyl group, a phenyl group, -C 2 H 4 Cl, -C 2 H 4 OH or -CH 2 CH = CH 2 ,
R1, R1', R2, R2', R3, R3', R4, R4', R5, R5', R6 및 R6' 은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 메틸기이고,R1, R1 ', R2, R2', R3, R3 ', R4, R4', R5, R5 ', R6 and R6' are each independently a hydrogen atom or a methyl group,
R7, R7', R8 및 R8' 은 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 6의 직쇄의 알킬렌기 또는 탄소수 3 내지 6의 분지쇄의 알킬렌기이고, 상기 알킬렌기는 에스테르 결합, 탄소수 6 내지 14의 싸이클로알킬렌기 및 탄소수 6 내지 14의 아릴렌기 중 적어도 하나로 중단될 수 있으며,R7, R7 ', R8 and R8' are each independently a linear alkylene group having 1 to 6 carbon atoms or a branched alkylene group having 3 to 6 carbon atoms, and the alkylene group is an ester bond and a cycloalkylene group having 6 to 14 carbon atoms. And it may be stopped by at least one of arylene groups having 6 to 14 carbon atoms,
R9, R9', R10, R10', R11, R11', R12 및 R12'은 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자 또는 탄소수 1 내지 6의 직쇄의 알킬기 또는 탄소수 3 내지 6의 분지쇄의 알킬기이고,R9, R9 ', R10, R10', R11, R11 ', R12 and R12' are each independently a hydrogen atom, a halogen atom or a linear alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or a branched alkyl group having 3 to 6 carbon atoms,
m 및 n은 각각 0 ≤ m ≤ 30, 0 ≤ n ≤ 30을 만족하는 정수이며, m and n are integers satisfying 0 ≦ m ≦ 30 and 0 ≦ n ≦ 30, respectively.
단 m 및 n은 동시에 0은 아니고,)M and n are not zero at the same time,
[화학식 8][Formula 8]
[화학식 9][Formula 9]
(상기 화학식 8 및 9에서,(In Chemical Formulas 8 and 9,
P는 각각 독립적으로 
R13 및 R14는 각각 독립적으로 수소, 히드록시기, 티올기, 아미노기, 니트로기 또는 할로겐 원자이며,R13 and R14 are each independently hydrogen, hydroxy group, thiol group, amino group, nitro group or halogen atom,
Ar1은 각각 독립적으로 C6 내지 C15 아릴기이고,Ar1 is each independently a C6 to C15 aryl group,
Y'는 산무수물 잔기이며,Y 'is an acid anhydride residue,
Z'는 산2무수물 잔기이고,Z 'is an acid 2 anhydride residue,
A'는 O, S, N, Si 또는 Se이며,A 'is O, S, N, Si or Se,
a 및 b는 각각 독립적으로 1 내지 6의 정수이고,a and b are each independently an integer of 1 to 6,
p 및 q은 각각 독립적으로 0 내지 30의 정수이며,p and q are each independently integers of 0 to 30,
단, p 및 q는 동시에 0이 아니다).Provided that p and q are not zero at the same time).
본 발명에 따른 광변환 수지 조성물이 상기 화학식 4 내지 화학식 9의 반복단위 중 적어도 하나의 반복단위를 포함하는 카도계 바인더 수지를 포함하는 경우 공정간 신뢰성이 우수해지는 이점이 있다. 또한, 아웃가스 발생을 최소화하여 증착공정 시 주름 또는 크랙이 발생하지 않고 뛰어난 휘도향상 효과로 고품질의 화질, 우수한 내열성, 내화학성, 내구성 및 신뢰성의 부여가 가능한 이점이 있다.When the photoconversion resin composition according to the present invention includes a cardo-based binder resin including at least one repeating unit of the repeating units of the above formulas (4) to (9), there is an advantage of excellent inter-process reliability. In addition, by minimizing outgas generation, wrinkles or cracks do not occur during the deposition process, and thus, there is an advantage in that high-quality image quality, excellent heat resistance, chemical resistance, durability, and reliability can be given with excellent brightness enhancement effect.
상기 화학식 4 및 6의 Y는 산무수물의 잔기로서, 본 발명의 카도계 바인더 수지의 합성 중간체인 비스페놀 에폭시아크릴레이트 화합물을 산무수물 화합물과 반응시켜 얻어질 수 있다. 잔기 Y를 도입할 수 있는 산무수물 화합물은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면, 무수말레인산, 무수숙신산, 무수이타콘산, 무수프탈산, 무수테트라히드로프탈산, 무수헥사히드로프탈산, 무수메틸렌도 메틸렌테트라히드로프탈산, 무수클로로렌드산, 무수메틸테트라히드로프탈산 등을 들 수 있다.Y in Formulas 4 and 6 is a residue of an acid anhydride, and may be obtained by reacting a bisphenol epoxy acrylate compound which is a synthetic intermediate of the cardo-based binder resin of the present invention with an acid anhydride compound. The acid anhydride compound into which the residue Y can be introduced is not particularly limited, and for example, maleic anhydride, succinic anhydride, itaconic anhydride, phthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, and methylenetetrahydrophthalic anhydride. , Chlororenic acid anhydride, methyltetrahydrophthalic anhydride, and the like.
상기 화학식 5 및 7의 Z는 산2무수물의 잔기로서, 본 발명의 카도계 바인더 수지의 합성 중간체인 비스페놀 에폭시아크릴레이트 화합물을 산2무수물 화합물과 반응시켜 얻어질 수 있다. 잔기 Z를 도입할 수 있는 산2무수물 화합물은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면, 무수피로멜리트산, 벤조페논테트라카르복시산2무수물, 바이페닐테트라카르복시산2무수물, 바이테닐에테르테트라카르복시산2무수물 등의 방향족다가카르복시시산무수물을 들 수 있다.Z in Formulas 5 and 7 is a residue of acid 2 anhydride, and may be obtained by reacting a bisphenol epoxy acrylate compound which is a synthetic intermediate of the cardo-based binder resin of the present invention with an acid 2 anhydride compound. The acid dianhydride compound into which the residue Z can be introduced is not particularly limited, and examples thereof include aromatics such as pyromellitic anhydride, benzophenone tetracarboxylic dianhydride, biphenyltetracarboxylic dianhydride, and bitenyl ether tetracarboxylic dianhydride. And polyhydric carboxylic acid anhydrides.
상기 '산2무수물'은 분자 내에 산무수물기를 2개 포함하는 화합물을 의미한다.The 'acid dianhydride' refers to a compound including two acid anhydride groups in a molecule.
본 발명에서는 상기 카도계 바인더 수지의 제조방법을 특별히 한정하지는 않는다. 예컨대, 비스페놀 화합물과 에폭시 화합물을 반응시켜 비스페놀 에폭시 화합물을 합성한 후, 합성된 비스페놀 에폭시 화합물을 아크릴레이트 화합물과 반응시켜 비스페놀 에폭시아크릴레이트 화합물을 합성한 뒤, 비스페놀 에폭시아크릴레이트 화합물을 산무수물, 산2무수물 또는 이들의 혼합물과 반응시켜 제조할수 있으나 이에 한정되지 않는다.In the present invention, the manufacturing method of the cardo-based binder resin is not particularly limited. For example, a bisphenol compound is synthesized by reacting a bisphenol compound with an epoxy compound, and then, the synthesized bisphenol epoxy compound is reacted with an acrylate compound to synthesize a bisphenol epoxy acrylate compound. It can be prepared by reacting with anhydrides or mixtures thereof, but is not limited thereto.
상기 카도계 바인더 수지는 상기 광변환 수지 조성물 고형분 전체 100 중량부에 대하여 1 내지 50 중량부, 바람직하게는 5 내지 40 중량부, 더욱 바람직하게는 10 내지 30 중량부로 포함될 수 있다. 상기 카도계 바인더 수지가 상기 범위 내로 포함되는 경우, 광변환 특성과 코팅 시의 도막 평활성이 뛰어나 공정성이 우수해질 수 있으므로 바람직하다.The cardo-based binder resin may be included in an amount of 1 to 50 parts by weight, preferably 5 to 40 parts by weight, and more preferably 10 to 30 parts by weight, based on 100 parts by weight of the total weight of the photoconversion resin composition. When the cardo-based binder resin is included in the above range, the light conversion properties and the coating film smoothness at the time of coating may be excellent, and thus the processability may be excellent.
본 발명의 또 다른 실시형태에 있어서, 상기 카도계 수지와 상기 3,4-에폭시트리시클로[5.2.1.02,6] 데칸환 함유 중합성 불포화 화합물 유래의 반복단위를 포함하는 에폭시 수지의 비율에 있어, 상기 카도계 수지 대 상기 에폭시 수지의 중량비는 5:95 내지 95:5 일 수 있다. 보다 바람직하게는 20:80 ~ 80:20 일 수 있다. 더욱 더 바람직스럽게 60:40~40:60 일 수 있다.In another embodiment of the present invention, in the ratio of the epoxy resin comprising the cardo-based resin and the repeating unit derived from the 3,4-epoxytricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane ring-containing polymerizable unsaturated compound Thus, the weight ratio of the cardo-based resin to the epoxy resin may be 5:95 to 95: 5. More preferably, it may be 20:80 to 80:20. Even more preferably 60: 40-40: 60.
상기 카도계 수지와 상기 3,4-에폭시트리시클로[5.2.1.02,6] 데칸환 함유 중합성 불포화 화합물 유래의 반복단위를 포함하는 에폭시 수지의 비율이 상기 범위를 만족하는 경우 조성물 내 양자점의 분산이 원활하게 이루어져 도막 형성 이후 광변환 효율이 향상되는 장점과 저온에서도 높은 경화도를 나타내어 높은 경도를 나타내는 이점이 있어 바람직하다.When the ratio of the cardo resin and the epoxy resin containing the repeating unit derived from the 3,4-epoxytricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane ring-containing polymerizable unsaturated compound satisfies the above range, Since the dispersion is smoothly performed, the light conversion efficiency is improved after the coating film is formed, and it is preferable because it exhibits a high degree of hardness even at a low temperature.
상기 알칼리 가용성 수지의 산가는 20 내지 200mgKOH/g일 수 있으며, 바람직하게는 30 내지 150mgKOH/g인 것이 좋다. 상기 범위 내의 산가를 가지는 경우, 3,4-에폭시트리시클로[5.2.1.02,6] 데칸환 함유 중합성 불포화 화합물 유래의 반복단위를 포함하는 에폭시 수지와 저온 공정에서 뛰어난 가교반응을 통해 높은 경화도를 나타내어 도막의 잔막율이 우수하게 되어 바람직하다.The acid value of the alkali-soluble resin may be 20 to 200 mgKOH / g, preferably 30 to 150 mgKOH / g. In the case of having an acid value within the above range, high curing degree through excellent crosslinking reaction in an epoxy resin containing a repeating unit derived from a 3,4-epoxytricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane ring-containing polymerizable unsaturated compound and a low temperature process It is preferable because the remaining film ratio of the coating film is excellent.
본 발명에서 "산가"란, 아크릴계 중합체 1g을 중화하는 데 필요한 수산화칼륨의 양(mg)으로서 측정되는 값이며, 통상적으로 수산화칼륨 수용액을 사용하여 적정함으로써 구할 수 있다.In the present invention, "acid value" is a value measured as the amount (mg) of potassium hydroxide required to neutralize 1 g of an acrylic polymer, and can be obtained by titration using an aqueous potassium hydroxide solution.
또한, 겔 투과 크로마토그래피(GPC; 테트라히드로퓨란을 용출용제로함)로 측정한 폴리스티렌 환산 중량평균분자량(이하, 간단히 '중량평균분자량'이라고 한다)인 2,000 내지 200,000, 바람직하게는 3,000 내지 100,000인 알칼리 가용성 수지가 바람직하다. 분자량이 상기 범위에 있으면, 코팅 필름의 경도가 향상되어, 잔막율이 높아지는 경향이 있어 바람직하다.Also, the polystyrene reduced weight average molecular weight (hereinafter, simply referred to as 'weight average molecular weight') measured by gel permeation chromatography (GPC; tetrahydrofuran as an eluting solvent) is 2,000 to 200,000, preferably 3,000 to 100,000. Alkali-soluble resins are preferred. When molecular weight exists in the said range, since the hardness of a coating film improves and there exists a tendency for a residual film rate to become high, it is preferable.
상기 알칼리 가용성 수지의 분자량 분포[중량평균분자량(Mw)/수평균분자량(Mn)]는 1.0 내지 6.0 인 것이 바람직하고, 1.5 내지 6.0인 것이 보다 바람직하다. 상기 분자량분포[중량평균분자량(Mw)/수평균분자량(Mn)]가 상기 범위를 만족하는 경우 현상성이 우수하기 때문에 바람직하다.It is preferable that it is 1.0-6.0, and, as for the molecular weight distribution [weight average molecular weight (Mw) / number average molecular weight (Mn)] of the said alkali-soluble resin, it is more preferable that it is 1.5-6.0. When the said molecular weight distribution [weight average molecular weight (Mw) / number average molecular weight (Mn)] satisfy | fills the said range, since developability is excellent, it is preferable.
상기 알칼리 가용성 수지는 상기 광변환 조성물 고형분 전체 100 중량부에 대하여 10 내지 80 중량부, 바람직하게는 20 내지 75 중량부, 더욱 바람직하게는 20 내지 80 중량부로 포함될 수 있다. 상기 알칼리 가용성 수지가 상기 범위 내로 포함될 경우 알칼리 가용성 수지가 포함하는 카르복실기와 3,4-에폭시트리시클로[5.2.1.02,6] 데칸환 함유 중합성 불포화 화합물 유래의 반복단위를 포함하는 에폭시 수지가 양자점의 광변환 효율을 저해하지 않는 이점이 있으며, 저온 공정에서의 열중합이 원활하게 이루어져서 도막의 경도를 향상시키는 효과가 있다.The alkali-soluble resin may be included in 10 to 80 parts by weight, preferably 20 to 75 parts by weight, more preferably 20 to 80 parts by weight based on 100 parts by weight of the total weight of the light conversion composition solids. When the alkali-soluble resin is included in the above range, an epoxy resin containing a carboxyl group contained in the alkali-soluble resin and a repeating unit derived from a 3,4-epoxytricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane ring-containing polymerizable unsaturated compound There is an advantage that does not hinder the light conversion efficiency of the quantum dots, there is an effect to improve the hardness of the coating film is made by the thermal polymerization in a low temperature process.
본 발명의 또 다른 실시형태에 있어서, 상기 광변환 수지 조성물은 열경화성 화합물, 경화 촉진제, 용제 및 첨가제로 이루어진 군에서 선택되는 1 이상을 더 포함할 수 있다.In another embodiment of the present invention, the light conversion resin composition may further include one or more selected from the group consisting of a thermosetting compound, a curing accelerator, a solvent and an additive.
열경화성 화합물 Thermosetting compounds
본 발명에 따른 광변환 수지 조성물은 열경화성 화합물을 포함할 수 있다.The light conversion resin composition according to the present invention may include a thermosetting compound.
상기 열경화성 화합물의 평균 분자량은 20,000 이하인 것이 바람직하고 특히 1,000 내지 20,000인 것이 보다 바람직하다. 상기 열경화성 화합물의 평균분자량이 상기한 조건을 만족하는 경우에는 잔막율 및 내열성이 우수해질 수 있다.It is preferable that it is 20,000 or less, and, as for the average molecular weight of the said thermosetting compound, it is more preferable that it is especially 1,000-20,000. When the average molecular weight of the thermosetting compound satisfies the above conditions, the residual film ratio and heat resistance may be excellent.
상기 열경화성 화합물은 광변환 수지 조성물 전체 100 중량부에 대하여 10 내지 80 중량부의 에폭시 화합물로 구성되는 것이 바람직하다. 상기 열경화성 화합물의 함량이 상기 범위 미만일 경우에는 도막강도 부족에 따른 신뢰성이 저하될 수 있다.It is preferable that the said thermosetting compound consists of 10-80 weight part of epoxy compounds with respect to 100 weight part of whole photo conversion resin compositions. When the content of the thermosetting compound is less than the above range, the reliability due to the lack of coating film strength may be lowered.
상기한 조건을 만족하는 열경화성 화합물의 구체적인 예로는, 2-[4-(2,3-에폭시프로폭시)페닐]-2-[4-[1,1-비스[4-([2,3-에폭시프로폭시]페닐)]에틸]페닐]프로판과 1,3-비스[4-[1-[4-(2,3-에폭시프로폭시)페닐]-1-[4-[1-[4-(2,3-에폭시프로폭시페닐)-1-메틸에틸]페닐]에틸]페녹시]-2-프로판올과의 혼합물, 2-[4-(2,3-에폭시프로폭시)페닐]-2-[4-[1,1-비스[4-([2,3-에폭시프로폭시]페닐)]에틸]페닐]프로판 등을 들 수 있다. 시판되는 상품으로서는 JER 157S65, 157S70(상품명; JER(주) 제품) 등을 들 수 있다. 이들은 각각 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. Specific examples of the thermosetting compound that satisfies the above conditions include 2- [4- (2,3-epoxypropoxy) phenyl] -2- [4- [1,1-bis [4-([2,3- Epoxypropoxy] phenyl)] ethyl] phenyl] propane and 1,3-bis [4- [1- [4- (2,3-epoxypropoxy) phenyl] -1- [4- [1- [4- Mixture with (2,3-epoxypropoxyphenyl) -1-methylethyl] phenyl] ethyl] phenoxy] -2-propanol, 2- [4- (2,3-epoxypropoxy) phenyl] -2- [4- [1,1-bis [4-([2,3-epoxypropoxy] phenyl)] ethyl] phenyl] propane and the like. Examples of commercially available products include JER 157S65, 157S70 (trade name; JER Corporation). These can be used individually or in combination of 2 types or more, respectively.
본 발명에 따른 열경화성 화합물은 상기 비스페놀A 노볼락형 에폭시 화합물 이외의 에폭시 수지를 추가로 포함할 수 있다. 상기 비스페놀A 노볼락형 에폭시 수지와 추가로 포함하여 함께 사용될 수 있는 에폭시 수지의 바람직한 예로서는, 비스페놀A형 에폭시 수지, 비스페놀F형 에폭시 수지, 비스페놀S형 에폭시 수지, 디페닐에테르형 에폭시 수지, 하이드로키논형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 플루오렌 에폭시 수지, 페놀노블락형 에폭시 수지, 올소크레졸 노블락형 에폭시 수지, 트리스히드록시페닐메탄형 에폭시 수지, 3관능형 에폭시 수지, 테트라페놀 에탄형 에폭시 수지, 디시클로메탄디엔페놀형 에폭시 수지, 수첨비스페놀A형 에폭시 수지, 비스페놀A함핵 폴리올형 에폭시 수지, 폴리프로필렌글리콜형 에폭시 수지, 글리시딜에스테르형 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 글리옥살형 에폭시 수지, 지환식 다관능 에폭시 수지, 복소환형 에폭시 수지등을 사용할 수 있다. 이들 에폭시 수지는 각각 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 상기 비스페놀 A 노볼락형 에폭시 수지에 추가로 포함되어 사용할 수 있다.The thermosetting compound according to the present invention may further include an epoxy resin other than the bisphenol A novolac epoxy compound. Preferred examples of the epoxy resin which can be used together with the bisphenol A novolak-type epoxy resin further include, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, diphenyl ether type epoxy resin, hydrokinone Type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, fluorene epoxy resin, phenol noblock type epoxy resin, allocresol noblock type epoxy resin, trishydroxyphenylmethane type epoxy resin, trifunctional epoxy resin, tetraphenol Ethane type epoxy resin, dicyclomethane dienephenol type epoxy resin, hydrogenated bisphenol A type epoxy resin, bisphenol A nucleus polyol type epoxy resin, polypropylene glycol type epoxy resin, glycidyl ester type epoxy resin, glycidylamine type epoxy Resin, glyoxal epoxy resin, alicyclic polyfunctional epoxy resin, suit It may be an annular epoxy resin. Each of these epoxy resins may be used alone or in combination with the bisphenol A novolac epoxy resin alone or in combination of two or more thereof.
상기한 에폭시 수지로서는 하기와 같은 시판품을 이용할 수 있다. 보다 구체적으로는 비스페놀F형 에폭시 수지로서 YDF-175S(東都化成㈜제품) 등, 비스페놀A형 에폭시 수지로서 YDB-715(東都化成㈜ 제품) 등, 비스페놀S형 에폭시 수지로서 EPICLON EXA1514(다이니뽄 잉키카가큐코우교우㈜제품) 등, 하이드로 키논형 에폭시 수지로서 YDC-1312(東都化成㈜ 제품) 등, 나프탈렌형 에폭시 수지로서 EPICLON EXA4032(다이니뽄 잉키카가큐코우교우㈜제품) 등, 비페닐형 에폭시 수지로서 에피코트 YX4000H(JER(주) 제품) 등, 비스페놀A노볼락형 에폭시 수지로서 JER 157S65 또는 157S70(JER(주) 제품) 등, 페놀노볼락형 에폭시 수지로서 EPPN-201(니뽄카야쿠(주) 제품), JER152 154(JER(주) 제품) 등, 크레졸노볼락형 에폭시 수지로서 EOCN-102S, 103S, 104S 또는 1020(니뽄카야쿠(주) 제품), 트리스히드록시페닐메탄형에폭시수지로서 에피코트 1032H60(JER (주) 제품) 등, 3관능형 에폭시 수지로서 VG3101M80(미쯔이카가쿠㈜제품) 등, 테트라페놀에탄형 에폭시 수지로서 에피코트10315(JER (주) 제품) 등, 수첨비스페놀A형 에폭시 수지로서 ST-3000(東都化成㈜제품) 등, 글리시딜에스테르형 에폭시 수지로서 에피코트 190P(JER (주) 제품)등, 글리시딜아민형 에폭시 수지로서 YH-434(東都化成㈜제품) 등, 글리옥살형 에폭시 수지로서 YDG-414(東都化成㈜제품）등, 지환식 다관능 에폭시 수지로서 에포리드 GT-401(다이셀카가쿠㈜제품) 등을 들 수 있다. 상기 에폭시 수지는 각각 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. As said epoxy resin, the following commercial items can be used. More specifically, bisphenol F-type epoxy resins such as YDF-175S (manufactured by Toyo Chemical Co., Ltd.), bisphenol A-type epoxy resins such as YDB-715 (manufactured by Toyo Chemical Co., Ltd.), etc. Biphenyl type epoxy resin such as EPICLON EXA4032 (manufactured by Dainippon Inkyaka Chemical Co., Ltd.) as a naphthalene type epoxy resin, such as YDC-1312 (manufactured by Tosho Chemical Co., Ltd.) as a hydrokinone type epoxy resin, and the like. As a bisphenol A novolak type epoxy resin, such as epicoat YX4000H (made by JER Corporation) as resin, EPPN-201 (Nippon Kayaku (Nippon Kayaku) as a phenol novolak-type epoxy resin, such as JER 157S65 or 157S70 (made by JER Corporation), etc. Product), JER152 154 (JER Co., Ltd.) such as cresol novolac type epoxy resin, EOCN-102S, 103S, 104S or 1020 (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), trishydroxyphenylmethane epoxy resin As epicoat 1032H60 (product of JER Co., Ltd.), trifunctional type As a epoxy resin, VG3101M80 (manufactured by Mitsui Chemical Co., Ltd.), Epicoat 10315 (manufactured by JER Co., Ltd.) as a tetraphenolethane type epoxy resin, ST-3000 (manufactured by Tokyo Chemical Co., Ltd.) as a hydrogenated bisphenol A type epoxy resin, As a glycidyl ester type epoxy resin, Epicoat 190P (manufactured by JER Co., Ltd.), and a glycidylamine type epoxy resin, such as YH-434 (manufactured by Toyo Chemical Co., Ltd.), as a glyoxal type epoxy resin, YDG-414 (東 都) As an alicyclic polyfunctional epoxy resin, such as the Chemicals Co., Ltd., Eporide GT-401 (made by Daicel Kagaku Co., Ltd.) etc. is mentioned, The said epoxy resin can be used individually or in combination of 2 or more types, respectively.
상기 열경화성 화합물은 광변환 수지 조성물 중 고형분 전체 100 중량부에 대하여 10 내지 80 중량부인 것이 바람직하며, 보다 바람직하게는 15 내지 70중량부로 포함될 수 있다. 상기 열경화성 화합물이 상기 범위 이내로 포함될 경우에는 잔막율 및 평탄성이 양호할 수 있다.The thermosetting compound is preferably 10 to 80 parts by weight, and more preferably 15 to 70 parts by weight, based on 100 parts by weight of the total solid in the light conversion resin composition. When the thermosetting compound is included within the above range, the residual film ratio and flatness may be good.
경화 촉진제Curing accelerator
본 발명에 따른 광변환 수지 조성물은 경화 촉진제를 포함할 수 있다.The light conversion resin composition according to the present invention may include a curing accelerator.
상기 경화 촉진제는 예를 들어 카르복실산 화합물, 티올기를 가지는 유기 황화합물, 산발생제로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 화합물이 바람직하게 사용될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The curing accelerator may be preferably used, for example, at least one compound selected from the group consisting of a carboxylic acid compound, an organic sulfur compound having a thiol group, and an acid generator, but is not limited thereto.
상기 카르복실산 화합물은 방향족 헤테로아세트산류인 것이 바람직하며, 구체적으로 페닐티오아세트산, 메틸페닐티오아세트산, 에틸페닐티오아세트산, 메틸에틸페닐티오아세트산, 디메틸페닐티오아세트산, 메톡시페닐티오아세트산, 디메톡시페닐티오아세트산, 클로로페닐티오아세트산, 디클로로페닐티오아세트산, N-페닐글리신, 페녹시아세트산, 나프틸티오아세트산, N-나프틸글리신, 나프톡시아세트산, 1,2,4-벤젠트리카르복실산 무수물 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The carboxylic acid compound is preferably an aromatic heteroacetic acid, specifically, phenylthioacetic acid, methylphenylthioacetic acid, ethylphenylthioacetic acid, methylethylphenylthioacetic acid, dimethylphenylthioacetic acid, methoxyphenylthioacetic acid, dimethoxyphenylthio Acetic acid, chlorophenylthioacetic acid, dichlorophenylthioacetic acid, N-phenylglycine, phenoxyacetic acid, naphthylthioacetic acid, N-naphthylglycine, naphthoxyacetic acid, 1,2,4-benzenetricarboxylic acid anhydride, etc. It may be, but is not limited to such.
상기 티올기를 가지는 유기 황화합물의 구체적인 예로서는 2-머캅토벤조티아졸, 1,4-비스(3-머캅토부티릴옥시)부탄, 1,3,5-트리스(3-머캅토부틸옥시에틸)-1,3,5-트리아진-2,4,6(1H,3H,5H)-트리온, 트리메틸올프로판트리스(3-머갑토프로피오네이트), 펜타에리트리톨테트라키스(3-머캅토부틸레이트), 펜타에리트리톨테 트라키스(3-머캅토프로피오네이트), 디펜타에리트리톨헥사키스(3-머캅토프로피오네이트), 테트라에틸렌글리콜비스(3-머캅토프로피오네이트) 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Specific examples of the organic sulfur compound having the thiol group include 2-mercaptobenzothiazole, 1,4-bis (3-mercaptobutyryloxy) butane, 1,3,5-tris (3-mercaptobutyloxyethyl)- 1,3,5-triazine-2,4,6 (1H, 3H, 5H) -trione, trimethylolpropanetris (3-mergaptopropionate), pentaerythritol tetrakis (3-mercaptobutyl Rate), pentaerythritol tetrakis (3-mercaptopropionate), dipentaerythritol hexakis (3-mercaptopropionate), tetraethylene glycol bis (3-mercaptopropionate) and the like It may be, but is not limited to such.
상기 산발생제의 구체적인 예로서는 4-히드록시페닐디메틸설포늄 p-톨루엔설포네이트, 4-히드록시페닐디메틸설포늄헥사플루오로안티모네이트, 4-아세톡시페닐디메틸설포늄 p-톨루엔설포네이트, 4-아세톡시페닐메틸벤질설포늄헥사 플루오로안티모네이트, 트리페닐설포늄 p-톨루엔설포네이트, 트리페닐설포늄헥사플루오로안티모네이트, 디페닐요오도늄 p-톨루엔설포네이트, 디페닐요오도늄헥사플루오로안티모네이트 등의 오늄염류나 니트로벤질토실레이트류, 벤조인토실레이트류 등을 들 수 있다. Specific examples of the acid generator include 4-hydroxyphenyldimethylsulfonium p-toluenesulfonate, 4-hydroxyphenyldimethylsulfonium hexafluoroantimonate, 4-acetoxyphenyldimethylsulfonium p-toluenesulfonate, 4-acetoxyphenylmethylbenzylsulfonium hexafluoroantimonate, triphenylsulfonium p-toluenesulfonate, triphenylsulfonium hexafluoroantimonate, diphenyliodonium p-toluenesulfonate, diphenyl Onium salts such as iodonium hexafluoroantimonate, nitrobenzyltosylates, benzointosylates and the like.
상기 경화 촉진제의 시판품으로는 리카싯도 HH(신일본이화㈜ 제조), 상품명(아데카하도나 EH-700)(아데카공업㈜ 제조), 상품명(MH-700)(신일본이화㈜ 제조) 등을 들 수 있으나 이에 한정되지 않는다.Commercially available products of the above curing accelerators include Rikashitdo HH (manufactured by Nippon Ewha Co., Ltd.), trade name (Adeca Hadona EH-700) (manufactured by Adeka Kogyo Co., Ltd.), trade name (MH-700) (manufactured by Nippon Ewha Co., Ltd.) And the like, but are not limited thereto.
상기 경화 촉진제는 상기 광변환 수지 조성물 중 고형분 전체 100 중량부를 기준으로 상기 알칼리 가용성 수지와 상기 열경화성 화합물 100 중량부에 대해서 0.1 내지 40 중량부, 바람직하게는 1 내지 30 중량부로 포함될 수 있다. The curing accelerator may be included in an amount of 0.1 to 40 parts by weight, preferably 1 to 30 parts by weight, based on 100 parts by weight of the total weight of the solid content in the photoconversion resin composition and 100 parts by weight of the alkali-soluble resin.
상기 경화 촉진제의 함량이 상기 범위를 만족하는 경우, 이를 포함하는 광변환 수지 조성물이 고감도화되어 도막의 경화시간이 단축되므로 생산성이 향상되며 높은 신뢰성을 구현할 수 있는 이점이 있으며, 이를 이용하여 형성된 도막의 강도와 상기 도막부의 표면 평활성이 양호해질 수 있는 이점이 있다.When the content of the curing accelerator satisfies the above range, the photoconversion resin composition comprising the same is highly sensitive, thereby shortening the curing time of the coating film, thus improving productivity and implementing high reliability, and thus forming a coating film The strength and the surface smoothness of the coating portion has an advantage that can be good.
상기 경화 촉진제의 함량이 상기 범위 미만으로 포함되는 경우, 함께 포함될 수 있는 경화도 저하가 극복되지 못해, 후공정 중 주름이 발생할 수 있다.When the content of the curing accelerator is included in less than the above range, the decrease in the degree of curing that can be included together is not overcome, wrinkles may occur during the post-process.
용제solvent
본 발명에 따른 광변환 수지 조성물은 용제를 포함할 수 있다.The light conversion resin composition according to the present invention may contain a solvent.
본 발명의 또 다른 실시형태에 있어서, 상기 용제는 상기 광변환 수지 조성물 전체 100 중량부에 대하여 30 내지 90 중량부, 바람직하게는 40 내지 80 중량부, 더욱 바람직하게는 50 내지 75 중량부로 포함될 수 있다.In another embodiment of the present invention, the solvent may be included in 30 to 90 parts by weight, preferably 40 to 80 parts by weight, more preferably 50 to 75 parts by weight based on 100 parts by weight of the total photoconversion resin composition. have.
본 발명의 광변환 수지 조성물에 함유되는 용제는 적어도 1종 이상을 포함할 수 있으며, 특히 비점이 100 내지 240℃인 용제가 전체 용제 대비 50% 이상 포함되는 경우, 흐름특성이 우수해져 코팅얼룩 및 건조이물이 발생하지 않아, 코팅이물이 없는 양호한 광변환 유리기재를 제공할 수 있다. The solvent contained in the photoconversion resin composition of the present invention may include at least one or more, in particular, when the solvent having a boiling point of 100 to 240 ℃ 50% or more compared to the total solvent, the flow characteristics are excellent and the coating stain and Since no dry foreign matter occurs, it is possible to provide a good light conversion glass substrate free of coated foreign matter.
상기 비점이 100℃ 미만인 용제가 전체 용제의 50% 이상인 경우 건조 속도가 빨라 Vacuum Dry 공정시 도막표면에 얼룩이 발생하여 불량을 야기할 수 있는 반면, 비점이 240℃를 초과하는 용제가 전체 용제의 50% 이상인 경우 Vacuum Dry 공정시 소요시간(Tact-time)이 길어지는 문제를 야기할 수 있다. 그러므로 전체 용제의 50% 이상의 용제는 비점이 100 내지 240℃인 용제를 사용 하는 것이 적절하다.When the solvent having a boiling point of less than 100 ° C. is more than 50% of the total solvent, the drying speed is high, and staining may occur on the surface of the coating film during the vacuum drying process, while a solvent having a boiling point of more than 240 ° C. is 50% of the total solvent. If it is more than%, it may cause a problem in that the time required for the vacuum drying process is long. Therefore, it is appropriate to use a solvent having a boiling point of 100 to 240 ° C. that is at least 50% of the total solvent.
상기 용제의 구체적인 예로는 에테르류, 방향족 탄화수소류, 케톤류, 알코올류, 에스테르류 및 아미드류 등으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있고, 구체적으로 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 에틸렌글리콜 모노에틸 에테르, 메틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트, 메시틸렌, 메틸아밀케톤, 메틸이소부틸케톤 및 3-에톡시프로피온산 에틸, 1,3-부틸렌글라이콜디아세테이트, 에틸-3-에톡시프로피오네이트, 프로필렌 글리콜 디아세테이트, 에틸렌글리콜 모노프로필 에테르, 에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 디에틸렌글리콜 디에틸에테르, 메톡시부틸 아세테이트, 에틸렌글리콜 및 γ-부티롤락톤등으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 내지 2종 이상일 수 있다.Specific examples of the solvent may include one or more selected from the group consisting of ethers, aromatic hydrocarbons, ketones, alcohols, esters, amides, and the like, specifically propylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol Monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve acetate, mesitylene, methyl amyl ketone, methyl isobutyl ketone and ethyl 3-ethoxypropionate, 1,3-butylene glycol diacetate , Ethyl-3-ethoxypropionate, propylene glycol diacetate, ethylene glycol monopropyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol diethyl ether, methoxybutyl acetate, ethylene glycol and γ-butyrolactone It may be one kind or two or more kinds selected from the group consisting of.
첨가제additive
상기 첨가제는 필요에 따라 선택적으로 첨가될 수 있는 것으로서, 예를 들면 다른 고분자 화합물, 계면활성제, 밀착 촉진제, 산화 방지제, 자외선 흡수제 및 응집 방지제로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있다.The additive may be optionally added as needed, and may include, for example, one or more selected from the group consisting of other polymer compounds, surfactants, adhesion promoters, antioxidants, ultraviolet absorbers, and anti-agglomerating agents.
또한, 상기 첨가제 중에서도 계면 활성제를 포함하는 것이 가장 바람직하다.Moreover, it is most preferable to contain surfactant among the said additives.
상기 다른 고분자 화합물의 구체적인 예로는 에폭시 수지, 말레이미드 수지 등의 경화성 수지, 폴리비닐알코올, 폴리아크릴산, 폴리에틸렌글리콜모노알킬에테르, 폴리플루오로알킬아크릴레이트, 폴리에스테르 및 폴리우레탄 등의 열가소성 수지 등을 들 수 있다.Specific examples of the other polymer compound include curable resins such as epoxy resins and maleimide resins, thermoplastic resins such as polyvinyl alcohol, polyacrylic acid, polyethylene glycol monoalkyl ethers, polyfluoroalkyl acrylates, polyesters and polyurethanes, and the like. Can be mentioned.
상기 계면활성제는 광변환 수지 조성물의 피막 형성을 보다 향상시키기 위해 사용할 수 있으며, 실리콘계, 불소계, 에스테르계, 양이온계, 음이온계, 비이온계, 양성계면활성제 등이 바람직하게 사용될 수 있다. The surfactant may be used to further improve the film formation of the photoconversion resin composition, and silicone, fluorine, ester, cationic, anionic, nonionic, amphoteric surfactants and the like may be preferably used.
상기 실리콘계 계면활성제는 예를 들어, 시판품으로서 다우코닝 도레이 실리콘사의 DC3PA, DC7PA, SH11PA, SH21PA 및 SH8400 등이 있고, GE 도시바 실리콘사의 TSF-4440, TSF-4300, TSF-4445, TSF-4446, TSF-4460 및 TSF-4452 등이 있다. The silicone surfactants include, for example, DC3PA, DC7PA, SH11PA, SH21PA, and SH8400 manufactured by Dow Corning Toray Silicone Co., Ltd., and TSF-4440, TSF-4300, TSF-4445, TSF-4446, TSF, manufactured by GE Toshiba Silicon, Inc. -4460 and TSF-4452.
상기 불소계 계면활성제는 예를 들어, 시판품으로서 다이닛본 잉크 가가꾸 고교사의 메가피스 F-470, F-471, F-475, F-482 및 F-489 등이 있다. Examples of the fluorine-based surfactants include Megapieces F-470, F-471, F-475, F-482, and F-489 manufactured by Dainippon Ink & Chemicals Co., Ltd. as commercially available products.
또한, 그 외에 사용 가능한 시판품으로는 KP(신에쯔 가가꾸 고교㈜), 폴리플로우(POLYFLOW)(교에이샤 가가꾸㈜), 에프톱(EFTOP)(토켐 프로덕츠사), 메가팩(MEGAFAC)(다이닛본 잉크 가가꾸 고교㈜), 플로라드(Flourad)(스미또모 쓰리엠㈜), 아사히가드(Asahi guard), 서플론(Surflon)(이상, 아사히 글라스㈜), 솔스퍼스(SOLSPERSE)(Lubrisol), EFKA(EFKA 케미칼스사), PB 821(아지노모또㈜) 및 Disperbyk-series(BYK-chemi) 등을 들 수 있다. Other commercially available products include KP (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), POLYFLOW (Kyoeisha Chemical Co., Ltd.), EFTOP (Tochem Products), Mega Pack (MEGAFAC). (Dainitbon Ink Kagaku Kogyo Co., Ltd.), Florad (Sumitomo 3M Co., Ltd.), Asahi guard, Suflon (above, Asahi Glass Co., Ltd.), SOLSPERSE (Lubrisol) , EFKA (EFKA Chemicals Co., Ltd.), PB 821 (Ajinomoto Co., Ltd.) and Disperbyk-series (BYK-chemi).
상기 양이온계 계면 활성제는 예를 들어, 스테아릴아민염산염 및 라우릴트리메틸암모늄클로라이드 등의 아민염 또는 4급 암모늄염 등이 있다. The cationic surfactants include, for example, amine salts and quaternary ammonium salts such as stearylamine hydrochloride and lauryltrimethylammonium chloride.
상기 음이온계 계면 활성제는 예를 들어, 라우릴알코올황산에스테르나트륨 및 올레일알코올황산에스테르나트륨 등의 고급 알코올 황산에스테르염류, 라우릴황산나트륨 및 라우릴황산암모늄 등의 알킬황산염류, 도데실벤젠술폰산나트륨 및 도데실나프탈렌술폰산나트륨 등의 알킬아릴술폰산염류 등이 있다.The anionic surfactants include, for example, higher alcohol sulfate ester salts such as sodium lauryl alcohol sulfate and sodium oleyl alcohol sulfate, alkyl sulfates such as sodium lauryl sulfate and ammonium lauryl sulfate, and sodium dodecylbenzenesulfonate. And alkyl aryl sulfonates such as sodium dodecyl naphthalene sulfonate.
상기 비이온계 계면 활성제는 예를 들어, 폴리옥시에틸렌알킬에테르, 폴리옥시에틸렌아릴에테르, 폴리옥시에틸렌알킬아릴에테르, 그 밖의 폴리옥시에틸렌 유도체, 옥시에틸렌/옥시프로필렌 블록 공중합체, 소르비탄지방산에스테르, 폴리옥시에틸렌소르비탄지방산에스테르, 폴리옥시에틸렌소르비톨지방산에스테르, 글리세린지방산에스테르, 폴리옥시에틸렌지방산에스테르 및 폴리옥시에틸렌알킬아민 등이 있다.The nonionic surfactant is, for example, polyoxyethylene alkyl ether, polyoxyethylene aryl ether, polyoxyethylene alkyl aryl ether, other polyoxyethylene derivatives, oxyethylene / oxypropylene block copolymer, sorbitan fatty acid ester , Polyoxyethylene sorbitan fatty acid ester, polyoxyethylene sorbitol fatty acid ester, glycerin fatty acid ester, polyoxyethylene fatty acid ester and polyoxyethylene alkylamine.
상기 예시된 계면활성제는 각각 단독 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.Surfactant illustrated above can be used individually or in combination of 2 or more types, respectively.
상기 밀착 촉진제의 종류는 특별히 한정되지 않으며, 사용 가능한 밀착 촉진제의 구체적인 예로는 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, 비닐트리스(2-메톡시에톡시)실란, N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필메틸디메톡시실란, N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리에톡시실란, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필메틸디메톡시실란, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, 3-클로로프로필메틸디메톡시실란, 3-클로로프로필트리메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 3-머캅토프로필트리메톡시실란, 3-이소시아네이트프로필트리메톡시실란 및 3-이소시아네이트프로필트리에톡시실란 등을 들 수 있다. The type of the adhesion promoter is not particularly limited, and specific examples of the adhesion promoter that can be used include vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, vinyltris (2-methoxyethoxy) silane, and N- (2-aminoethyl ) -3-aminopropylmethyldimethoxysilane, N- (2-aminoethyl) -3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltriethoxysilane, 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, 3 Glycidoxypropylmethyldimethoxysilane, 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, 3-chloropropylmethyldimethoxysilane, 3-chloropropyltrimethoxysilane, 3-methacryloxy Propyl trimethoxysilane, 3-mercaptopropyltrimethoxysilane, 3-isocyanatepropyltrimethoxysilane, 3-isocyanatepropyltriethoxysilane, and the like.
상기에서 예시한 밀착 촉진제는 각각 단독 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 상기 밀착 촉진제는 광변환 수지 조성물 중 고형분 총 중량에 대하여 통상 0.01 내지 10 중량%, 바람직하게는 0.05 내지 2중량% 포함될 수 있다. The adhesion promoter illustrated above can be used individually or in combination of 2 or more types, respectively. The adhesion promoter may be included in an amount of 0.01 to 10% by weight, preferably 0.05 to 2% by weight, based on the total weight of solids in the light conversion resin composition.
상기 산화 방지제의 종류는 특별히 한정하지 않으나, 2,2'-티오비스(4-메틸-6-t-부틸페놀), 2,6-디-t-부틸-4-메틸페놀 등을 들 수 있다.Although the kind of said antioxidant is not specifically limited, 2,2'- thiobis (4-methyl-6-t- butylphenol), 2, 6- di- t- butyl- 4-methyl phenol, etc. are mentioned. .
상기 자외선 흡수제의 종류는 특별히 한정하지 않으나, 사용 가능한 구체적인 예로는 2-(3-tert-부틸-2-히드록시-5-메틸페닐)-5-클로로벤조티리아졸, 알콕시벤조페논 등을 들 수 있다. The type of the ultraviolet absorber is not particularly limited, but specific examples of usable ultraviolet rays include 2- (3-tert-butyl-2-hydroxy-5-methylphenyl) -5-chlorobenzothiazole, alkoxybenzophenone and the like. .
상기 응집 방지제의 종류는 특별히 한정하지 않으나, 사용 가능한 구체적인 예로는 폴리아크릴산 나트륨 등을 들 수 있다.Although the kind of the said aggregation inhibitor is not specifically limited, Sodium polyacrylate etc. are mentioned as a specific example which can be used.
상기 첨가제는 본원 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서 적절한 함량으로 추가하여 사용이 가능하다. 예컨대, 상기 첨가제는 상기 광변환 수지 조성물 중 고형분 전체 100 중량부에 대하여 0.01 내지 10 중량부, 바람직하게는 0.1 내지 5 중량부, 더욱 바람직하게는 0.1 내지 3 중량부로 포함될 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.The additive may be used in addition to an appropriate content in a range that does not inhibit the object of the present invention. For example, the additive may be included in an amount of 0.01 to 10 parts by weight, preferably 0.1 to 5 parts by weight, more preferably 0.1 to 3 parts by weight, based on 100 parts by weight of the total solids in the photoconversion resin composition, but is not limited thereto. Do not.
<< 광변환Light conversion 적층기재> Laminated Materials>
본 발명에 따른 광변환 적층기재는 광변환 수지 조성물의 경화물을 포함한다. 상기 광변환 적층기재는 유리, 실리콘(Si), 실리콘 산화물(SiOx) 또는 고분자 기판일 수 있으며, 상기 고분자 기판은 폴리에테르설폰(polyethersulfone, PES) 또는 폴리카보네이트(polycarbonate, PC) 등일 수 있으며, 본 발명의 일 실시형태에 따르면 유리기재일 수 있다. The light conversion laminated base material which concerns on this invention contains the hardened | cured material of a light conversion resin composition. The photoconversion laminate may be glass, silicon (Si), silicon oxide (SiOx) or a polymer substrate, and the polymer substrate may be polyethersulfone (PES) or polycarbonate (PC). According to one embodiment of the invention may be a glass substrate.
상기 광변환 적층 기재는 유리 기재에 코팅할 수 있는 광변환 수지 조성물을 포함함으로써, 인체유해물질에 해당되지 않는 용제를 사용할 수 있어, 작업자의 안전과 제품 생산성을 향상시킬 수 있다.The photoconversion laminated substrate includes a photoconversion resin composition that can be coated on a glass substrate, so that a solvent that does not correspond to a harmful substance to human body can be used, thereby improving worker safety and product productivity.
상기 광변환 적층 기재는 상기 광변환 수지 조성물을 열경화하여 형성 될 수 있다.The light conversion laminated substrate may be formed by thermosetting the light conversion resin composition.
<화상표시장치><Image display device>
본 발명에 따른 화상표시장치는 전술한 광변환 적층기재를 포함한다. 상기 화상 표시 장치는 구체적으로, 액정 디스플레이(액정표시장치; LCD), 유기 EL 디스플레이(유기 EL 표시장치), 액정 프로젝터, 게임기용 표시장치, 휴대전화 등의 휴대단말용 표시장치, 디지털 카메라용 표시장치, 카 네비게이션용 표시장치 등의 표시장치 등을 들 수 있으며, 특히 컬러 표시장치가 적합하다.An image display apparatus according to the present invention includes the above-described light conversion laminated substrate. Specifically, the image display device includes a liquid crystal display (liquid crystal display device; LCD), an organic EL display (organic EL display device), a liquid crystal projector, a display device for a game machine, a display device for a mobile terminal such as a mobile phone, and a display for a digital camera. And display devices such as display devices for car navigation systems, and the like, and color display devices are particularly suitable.
상기 화상표시장치는 상기 광변환 적층기재를 구비한 것을 제외하고는 본 발명의 기술 분야에서 당 업자에게 알려진 구성을 더 포함할 수 있으며, 즉, 본 발명은 본 발명의 광변환 적층기재를 적용할 수 있는 화상표시장치를 포함한다.The image display apparatus may further include a configuration known to those skilled in the art, except that the image display apparatus is provided with the light conversion multilayer substrate, that is, the present invention is applicable to the light conversion multilayer substrate of the present invention. And an image display device which can be used.
이하, 본 명세서를 구체적으로 설명하기 위해 실시예를 들어 상세히 설명한다. 그러나, 본 명세서에 따른 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 명세서의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되지는 않는다. 본 명세서의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 명세서를 보다 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 또한, 이하에서 함유량을 나타내는 "%" 및 "부"는 특별히 언급하지 않는 한 중량 기준이다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to Examples. However, the embodiments according to the present disclosure may be modified in various other forms, and the scope of the present specification is not to be interpreted as being limited to the embodiments described below. The embodiments of the present specification are provided to more fully describe the present specification to those skilled in the art. In addition, "%" and "part" which show content below are a basis of weight unless there is particular notice.
산란입자 분산액의 제조Preparation of Scattering Particle Dispersion
제조예Production Example 1: 산란입자 분산액 S1의 제조 1: Preparation of Scattering Particle Dispersion S1
산란입자로서 입경 220nm인 TiO2(훈츠만사 TR-88) 70.0중량부, 분산제로서 DISPERBYK-2001 (BYK사 제조) 4.0중량부, 용매로서 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트 26중량부를 비드밀에 의해 12시간 동안 혼합/분산하여 산란입자 분산액 S1을 제조하였다.70.0 parts by weight of TiO 2 (Huntsman TR-88) having a particle diameter of 220 nm as scattering particles, 4.0 parts by weight of DISPERBYK-2001 (manufactured by BYK) as a dispersant, and 26 parts by weight of propylene glycol methyl ether acetate as a solvent for 12 hours using a bead mill. Scattering particle dispersion S1 was prepared by mixing / dispersing.
합성예Synthesis Example 1: Green 1: Green 양자점의Quantum dots 합성(Q-1) Synthesis (Q-1)
인듐 아세테이트(Indium acetate) 0.4mmol(0.058g), 팔미트산(palmitic acid) 0.6mmol(0.15g) 및 1-옥타데센(octadecene) 20mL를 반응기에 넣고 진공 하에 120℃로 가열하였다. 1시간 후 반응기 내 분위기를 질소로 전환하였다. 280℃로 가열한 후, 트리스(트리메틸실릴)포스핀(TMS3P) 0.2mmol(58㎕) 및 트리옥틸포스핀 1.0mL의 혼합 용액을 신속히 주입하고 0.5분간 반응시켰다.0.4 mmol (0.058 g) of indium acetate, 0.6 mmol (0.15 g) of palmitic acid and 20 mL of 1-octadecene were placed in a reactor and heated to 120 ° C. under vacuum. After 1 hour the atmosphere in the reactor was switched to nitrogen. After heating to 280 ° C, a mixed solution of 0.2 mmol (58 µl) of tris (trimethylsilyl) phosphine (TMS 3 P) and 1.0 mL of trioctylphosphine was rapidly injected and reacted for 0.5 minutes.
이어서 아연 아세테이트 2.4mmoL(0.448g), 올레산 4.8mmol 및 트리옥틸아민 20mL를 반응기에 넣고 진공 하에 120℃로 가열하였다. 1시간 후 반응기 내 분위기를 질소로 전환하고 반응기를 280℃로 승온시켰다. 앞서 합성한 InP 코어 용액 2mL를 넣고, 이어서 트리옥틸포스핀 중의 셀레늄(Se/TOP) 4.8 mmol을 넣은 후, 최종 혼합물을 2시간 동안 반응시켰다. 상온으로 신속하게 식힌 반응 용액에 에탄올을 넣고 원심 분리하여 얻은 침전을 감압여과 후 감압 건조하여 InP/ZnSe 코어-쉘을 형성시켰다. Then 2.4 mmol of zinc acetate (0.448 g), 4.8 mmol of oleic acid and 20 mL of trioctylamine were placed in a reactor and heated to 120 ° C. under vacuum. After 1 hour the atmosphere in the reactor was switched to nitrogen and the reactor was warmed to 280 ° C. 2 mL of the InP core solution synthesized above was added, followed by 4.8 mmol of selenium (Se / TOP) in trioctylphosphine, and the final mixture was reacted for 2 hours. Ethanol was added to the reaction solution cooled to room temperature rapidly, and the precipitate obtained by centrifugation was filtered under reduced pressure and dried under reduced pressure to form an InP / ZnSe core-shell.
이어서, 아연 아세테이트 2.4mmoL(0.448g), 올레산 4.8mmol 및 트리옥틸아민 20mL를 반응기에 넣고 진공 하에 120℃로 가열하였다. 1시간 후 반응기 내 분위기를 질소로 전환하고 반응기를 280℃로 승온시켰다. 앞서 합성한 InP 코어 용액 2mL를 넣고, 이어서 트리옥틸포스핀 중의 황(S/TOP) 4.8mmol을 넣은 후, 최종 혼합물을 2시간 동안 반응시켰다. 상온으로 신속하게 식힌 반응 용액에 에탄올을 넣고 원심 분리하여 얻은 침전을 감압여과 후 감압 건조하여 InP/ZnSe/ZnS 코어-쉘 구조의 양자점을 수득 후 클로로포름에 분산시켰다. Subsequently, 2.4 mmol of zinc acetate (0.448 g), 4.8 mmol of oleic acid and 20 mL of trioctylamine were placed in a reactor and heated to 120 ° C. under vacuum. After 1 hour the atmosphere in the reactor was switched to nitrogen and the reactor was warmed to 280 ° C. 2 mL of the synthesized InP core solution was added, followed by 4.8 mmol of sulfur (S / TOP) in trioctylphosphine, and the final mixture was reacted for 2 hours. The precipitate obtained by adding ethanol to the reaction solution cooled to room temperature rapidly and centrifuged was filtered under reduced pressure and dried under reduced pressure to obtain a quantum dot having an InP / ZnSe / ZnS core-shell structure, which was then dispersed in chloroform.
얻어진 나노 양자점의 광발광 스펙트럼의 최대발광 peak는 515nm 이며, 양자점 용액 5mL를 원심분리 튜브에 넣고 에탄올 20mL를 넣어 침전시켰다. 원심분리를 통해 상층액은 버리고 침전물에 2mL의 클로로포름을 넣어 양자점을 분산시킨 다음 0.50g의 (2-Butoxy-ethoxy)-acetic acid을 넣고 질소분위기 하에서 60℃로 가열하면서 한시간 동안 반응시켰다.The maximum emission peak of the photoluminescence spectrum of the obtained nano quantum dot is 515 nm, and 5 mL of the quantum dot solution was placed in a centrifuge tube and 20 mL of ethanol was precipitated. The supernatant was discarded by centrifugation, and 2 mL of chloroform was added to the precipitate to disperse the quantum dots, and 0.50 g of (2-Butoxy-ethoxy) -acetic acid was added thereto, followed by reaction for 1 hour while heating to 60 ° C. under nitrogen atmosphere.
이어서, 반응물에 25mL의 n-헥산을 넣어 양자점을 침전시킨 후 원심분리를 실시하여 침전물을 분리한 다음 프로필렌글리콜모노메틸에테르 아세테이트 4mL을 투입하여 80℃로 가열하면서 분산시켰다. PGMEA로 고형분은 25%로 조정하였다. 최대발광파장은 516nm 였다.Subsequently, 25 mL of n-hexane was added to the reactant to precipitate the quantum dots, followed by centrifugation to separate the precipitate, and 4 mL of propylene glycol monomethyl ether acetate was added thereto, followed by dispersion at 80 ° C. Solids were adjusted to 25% by PGMEA. The maximum emission wavelength was 516 nm.
합성예Synthesis Example 2: Green 2: green 양자점Quantum dots 합성(Q-2) Synthesis (Q-2)
합성예 1에서 합성된 양자점 클로로포름 용액 5mL를 원심분리 튜브에 넣고 에탄올 20mL를 넣어 침전시켰다. 원심분리를 통해 상층액은 버리고 침전물에 2mL의 클로로포름을 넣어 양자점을 분산시킨 다음 0.5g의 O-(Succinyl)-O′-methylpolyethylene glycol 2′'000(Aldrich사)을 넣고 질소분위기 하에서 60℃로 가열하면서 한시간 동안 반응시켰다.5 mL of the quantum dot chloroform solution synthesized in Synthesis Example 1 was placed in a centrifuge tube and 20 mL of ethanol was precipitated. Discard the supernatant by centrifugation and disperse the quantum dots by adding 2 mL of chloroform to the precipitate, and then add 0.5 g of O- (Succinyl) -O'-methylpolyethylene glycol 2''000 (Aldrich) to 60 ° C under nitrogen atmosphere. The reaction was carried out for 1 hour while heating.
이어서, 반응물에 25mL의 n-헥산을 넣어 양자점을 침전시킨 후 원심분리를 실시하여 침전물을 분리한 다음 프로필렌글리콜모노메틸에테르 아세테이트 4mL을 투입하여 80℃로 가열하면서 분산시켰다. PGMEA로 고형분은 25%로 조정하였다. 최대발광파장은 515nm 였다.Subsequently, 25 mL of n-hexane was added to the reactant to precipitate the quantum dots, followed by centrifugation to separate the precipitate, and 4 mL of propylene glycol monomethyl ether acetate was added thereto, followed by dispersion at 80 ° C. Solids were adjusted to 25% by PGMEA. The maximum emission wavelength was 515 nm.
합성예Synthesis Example 3: Red 3: red 양자점Quantum dots 합성(Q-3) Synthesis (Q-3)
인듐 아세테이트(Indium acetate) 0.4mmol(0.058g), 팔미트산(palmitic acid) 0.6mmol(0.15g) 및 1-옥타데센(octadecene) 20mL를 반응기에 넣고 진공 하에 120℃로 가열하였다. 1시간 후 반응기 내 분위기를 질소로 전환하였다. 280℃로 가열한 후, 트리스(트리메틸실릴)포스핀(TMS3P) 0.2mmol(58㎕) 및 트리옥틸포스핀 1.0mL의 혼합 용액을 신속히 주입하고 5분간 반응 후 반응용액을 상온으로 신속하게 식혔다. 흡수 최대 파장 560 내지 590nm를 나타내었다.0.4 mmol (0.058 g) of indium acetate, 0.6 mmol (0.15 g) of palmitic acid and 20 mL of 1-octadecene were placed in a reactor and heated to 120 ° C. under vacuum. After 1 hour the atmosphere in the reactor was switched to nitrogen. After heating to 280 ° C, a mixture solution of 0.2 mmol (58 µl) of tris (trimethylsilyl) phosphine (TMS 3 P) and 1.0 mL of trioctylphosphine was injected rapidly, and after 5 minutes, the reaction solution was rapidly cooled to room temperature. Cooled Absorption maximum wavelength 560-590 nm was shown.
아연 아세테이트 2.4mmoL(0.448g), 올레산 4.8mmol 및 트리옥틸아민 20mL를 반응기에 넣고 진공 하에 120℃로 가열하였다. 1시간 후 반응기 내 분위기를 질소로 전환하고 반응기를 280℃로 승온시켰다. 앞서 합성한 InP 코어 용액 2mL를 넣고, 이어서 트리옥틸포스핀 중의 셀레늄(Se/TOP) 4.8mmol을 넣은 후, 최종 혼합물을 2시간 동안 반응 후 상온으로 내려 InP/ZnSe 코어-쉘을 형성시켰다. 2.4 mmol of zinc acetate (0.448 g), 4.8 mmol of oleic acid and 20 mL of trioctylamine were placed in a reactor and heated to 120 ° C. under vacuum. After 1 hour the atmosphere in the reactor was switched to nitrogen and the reactor was warmed to 280 ° C. 2 mL of the InP core solution synthesized above was added thereto, followed by 4.8 mmol of selenium (Se / TOP) in trioctylphosphine, and then the final mixture was reacted for 2 hours to form an InP / ZnSe core-shell.
이어서, 아연 아세테이트 2.4mmoL(0.448g), 올레산 4.8mmol 및 트리옥틸아민 20mL를 반응기에 넣고 진공 하에 120℃로 가열하였다. 1시간 후 반응기 내 분위기를 질소로 전환하고 반응기를 280℃로 승온시켰다. 앞서 합성한 InP 코어 용액 2mL를 넣고, 이어서 트리옥틸포스핀 중의 황(S/TOP) 4.8mmol을 넣은 후, 최종 혼합물을 2시간 동안 반응시켰다. 상온으로 신속하게 식힌 반응 용액에 에탄올을 넣고 원심 분리하여 얻은 침전을 감압여과 후 감압 건조하여 InP/ZnSe/ZnS 코어-쉘 구조의 양자점을 수득 후 클로로포름에 분산시켰다. Subsequently, 2.4 mmol of zinc acetate (0.448 g), 4.8 mmol of oleic acid and 20 mL of trioctylamine were placed in a reactor and heated to 120 ° C. under vacuum. After 1 hour the atmosphere in the reactor was switched to nitrogen and the reactor was warmed to 280 ° C. 2 mL of the synthesized InP core solution was added, followed by 4.8 mmol of sulfur (S / TOP) in trioctylphosphine, and the final mixture was reacted for 2 hours. The precipitate obtained by adding ethanol to the reaction solution cooled to room temperature rapidly and centrifuged was filtered under reduced pressure and dried under reduced pressure to obtain a quantum dot having an InP / ZnSe / ZnS core-shell structure, which was then dispersed in chloroform.
얻어진 나노 양자점의 광발광 스펙트럼의 최대발광 peak는 628nm이며, 합성된 양자점 용액 5mL를 원심분리 튜브에 넣고 에탄올 20mL를 넣어 침전시켰다. 원심분리를 통해 상층액은 버리고 침전물에 2mL의 클로로포름을 넣어 양자점을 분산시킨 다음 0.65g의 2-[2-(2-Methoxyethoxy)ethoxy]acetic acid(WAKO사)을 넣고 질소분위기 하에서 60℃로 가열하면서 한시간 동안 반응시켰다.The maximum emission peak of the photoluminescence spectrum of the obtained nano quantum dots is 628 nm, and 5 mL of the synthesized quantum dot solution was placed in a centrifuge tube and 20 mL of ethanol was precipitated. Discard the supernatant through centrifugation, disperse the quantum dots by adding 2 mL of chloroform to the precipitate, add 0.65 g of 2- [2- (2-Methoxyethoxy) ethoxy] acetic acid (WAKO), and heat to 60 ° C under nitrogen atmosphere. Reacted for one hour.
이어서, 반응물에 25mL의 n-헥산을 넣어 양자점을 침전시킨 후 원심분리를 실시하여 상층액은 버리고 침전물을 분리한 다음 프로필렌글리콜모노메틸에테르 아세테이트 4mL을 투입하여 80℃로 가열하면서 분산시켰다. PGMEA로 고형분을 25%로 조정하였다. 최대발광파장은 628nm 였다.Subsequently, 25 mL of n-hexane was added to the reactant to precipitate quantum dots, followed by centrifugation to discard the supernatant, and the precipitate was separated. 4 mL of propylene glycol monomethyl ether acetate was added thereto, and the mixture was heated and heated to 80 ° C. Solids were adjusted to 25% by PGMEA. The maximum emission wavelength was 628 nm.
합성예Synthesis Example 4: Red 4: red 양자점Quantum dots 합성(Q-4) Synthesis (Q-4)
인듐 아세테이트(Indium acetate) 0.4mmol(0.058g), 팔미트산(palmitic acid) 0.6mmol(0.15g) 및 1-옥타데센(octadecene) 20mL를 반응기에 넣고 진공 하에 120℃로 가열하였다. 1시간 후 반응기 내 분위기를 질소로 전환하였다. 280℃로 가열한 후, 트리스(트리메틸실릴)포스핀(TMS3P) 0.2mmol(58㎕) 및 트리옥틸포스핀 1.0mL의 혼합 용액을 신속히 주입하고 4.5분간 반응 후 반응용액을 상온으로 신속하게 식혔다. 흡수 최대 파장 550 내지 585nm를 나타내었다.0.4 mmol (0.058 g) of indium acetate, 0.6 mmol (0.15 g) of palmitic acid and 20 mL of 1-octadecene were placed in a reactor and heated to 120 ° C. under vacuum. After 1 hour the atmosphere in the reactor was switched to nitrogen. After heating to 280 ° C, a mixture solution of 0.2 mmol (58 µl) of tris (trimethylsilyl) phosphine (TMS 3 P) and 1.0 mL of trioctylphosphine was injected rapidly, and after 4.5 minutes, the reaction solution was rapidly cooled to room temperature. Cooled Absorption maximum wavelength 550-585 nm was shown.
아연 아세테이트 2.4mmoL(0.448g), 올레산 4.8mmol 및 트리옥틸아민 20mL를 반응기에 넣고 진공 하에 120℃로 가열하였다. 1시간 후 반응기 내 분위기를 질소로 전환하고 반응기를 280℃로 승온시켰다. 앞서 합성한 InP 코어 용액 2mL를 넣고, 이어서 트리옥틸포스핀 중의 셀레늄(Se/TOP) 4.8mmol을 넣은 후, 최종 혼합물을 2시간 동안 반응 후 상온으로 내려 InP/ZnSe 코어-쉘을 형성시켰다. 2.4 mmol of zinc acetate (0.448 g), 4.8 mmol of oleic acid and 20 mL of trioctylamine were placed in a reactor and heated to 120 ° C. under vacuum. After 1 hour the atmosphere in the reactor was switched to nitrogen and the reactor was warmed to 280 ° C. 2 mL of the InP core solution synthesized above was added thereto, followed by 4.8 mmol of selenium (Se / TOP) in trioctylphosphine, and then the final mixture was reacted for 2 hours to form an InP / ZnSe core-shell.
이어서, 아연 아세테이트 2.4mmoL(0.448g), 올레산 4.8mmol 및 트리옥틸아민 20mL를 반응기에 넣고 진공 하에 120℃로 가열하였다. 1시간 후 반응기 내 분위기를 질소로 전환하고 반응기를 280℃로 승온시켰다. 앞서 합성한 InP 코어 용액 2mL를 넣고, 이어서 트리옥틸포스핀 중의 황(S/TOP) 4.8mmol을 넣은 후, 최종 혼합물을 2시간 동안 반응시켰다. 상온으로 신속하게 식힌 반응 용액에 에탄올을 넣고 원심 분리하여 얻은 침전을 감압여과 후 감압 건조하여 InP/ZnSe/ZnS 코어-쉘 구조의 양자점을 수득 후 클로로포름에 분산시켰다. Subsequently, 2.4 mmol of zinc acetate (0.448 g), 4.8 mmol of oleic acid and 20 mL of trioctylamine were placed in a reactor and heated to 120 ° C. under vacuum. After 1 hour the atmosphere in the reactor was switched to nitrogen and the reactor was warmed to 280 ° C. 2 mL of the synthesized InP core solution was added, followed by 4.8 mmol of sulfur (S / TOP) in trioctylphosphine, and the final mixture was reacted for 2 hours. The precipitate obtained by adding ethanol to the reaction solution cooled to room temperature rapidly and centrifuged was filtered under reduced pressure and dried under reduced pressure to obtain a quantum dot having an InP / ZnSe / ZnS core-shell structure, which was then dispersed in chloroform.
얻어진 나노 양자점의 광발광 스펙트럼의 최대발광 peak는 616nm이며, 합성된 양자점 용액 5mL를 원심분리 튜브에 넣고 에탄올 20mL를 넣어 침전시켰다. 원심분리를 통해 상층액은 버리고 침전물에 2mL의 클로로포름을 넣어 양자점을 분산시킨 다음 0.65g의 2-[2-(2-Methoxyethoxy)ethoxy]acetic acid(WAKO사)을 넣고 질소분위기 하에서 60℃로 가열하면서 한시간 동안 반응시켰다.The maximum emission peak of the photoluminescence spectrum of the obtained nano quantum dot is 616nm, and 5mL of the synthesized quantum dot solution was placed in a centrifuge tube and 20mL of ethanol was precipitated. Discard the supernatant through centrifugation, disperse the quantum dots by adding 2 mL of chloroform to the precipitate, add 0.65 g of 2- [2- (2-Methoxyethoxy) ethoxy] acetic acid (WAKO), and heat to 60 ° C under nitrogen atmosphere. Reacted for one hour.
이어서, 반응물에 25mL의 n-헥산을 넣어 양자점을 침전시킨 후 원심분리를 실시하여 상층액은 버리고 침전물을 분리한 다음 프로필렌글리콜모노메틸에테르 아세테이트 4mL을 투입하여 80℃로 가열하면서 분산시켰다. PGMEA로 고형분을 25%로 조정하였다. 최대발광파장은 616nm 였다.Subsequently, 25 mL of n-hexane was added to the reactant to precipitate quantum dots, followed by centrifugation to discard the supernatant, and the precipitate was separated. 4 mL of propylene glycol monomethyl ether acetate was added thereto, and the mixture was heated and heated to 80 ° C. Solids were adjusted to 25% by PGMEA. The maximum emission wavelength was 616 nm.
합성예Synthesis Example 5: 5: 카도계Cardo system 바인더 수지를 포함하는 알칼리 가용성 수지 (E-1) Alkali-Soluble Resin (E-1) Containing Binder Resin
(1) 반응기에 비스페놀 에폭시 화합물인 9,9'-비스(4-글리실록시페닐)플루오렌(Hear chem社) 138g, 2-카복시에틸 아크릴레이트(2-Carboxyethyl acrylate) 54g, 벤질트리에틸암모늄클로라이드(대정화금社) 1.4g, 트리페닐포스핀(Aldrich社) 1g, 프로필렌글리콜 메틸에틸아세테이트(Daicel Chemical社) 128g, 및 하이드로퀴논 0.5g을 넣고 120℃로 승온 후 12시간 유지하여, 하기 화학식 12로 표시되는 화합물을 합성하였다.(1) 138 g of bisphenol epoxy compound 9,9'-bis (4-glycyoxyphenyl) fluorene (Hear chem), 54 g of 2-carboxyethyl acrylate, benzyltriethylammonium 1.4 g of chloride (Great Gold Co., Ltd.), 1 g of Triphenylphosphine (Aldrich Co., Ltd.), 128 g of propylene glycol methylethyl acetate (Daicel Chemical Co., Ltd.), and 0.5 g of hydroquinone were added thereto, and the temperature was raised to 120 ° C., followed by maintaining for 12 hours. A compound represented by the formula (12) was synthesized.
(2) 반응기에 하기 화학식 12로 표시되는 화합물 60g, 비페닐테트라카르복실산 디무수물(Mitsubishi Gas社) 11g, 테트라히드로프탈 무수물(Aldrich社) 3g, 프로필렌글리콜 메틸에틸아세테이트(Daicel Chemical社) 20g, 및 N,N'-테트라메틸암모늄 클로라이드 0.1g을 넣고 120℃로 승온 후 2시간 유지하여, 하기 화학식 13으로 표시되는 화합물을 합성하였다. 얻어진 하기 화학식 13으로 표시되는 수지의 중량평균 분자량은 5,400 g/mol 이었다.(2) 60 g of the compound represented by the following formula (12), 11 g of biphenyltetracarboxylic acid dianhydride (Mitsubishi Gas), 3 g of tetrahydrophthal anhydride (Aldrich), and 20 g of propylene glycol methylethyl acetate (Daicel Chemical) , And 0.1 g of N, N'-tetramethylammonium chloride were added thereto, the temperature was raised to 120 ° C., and maintained for 2 hours to synthesize a compound represented by the following Chemical Formula 13. The weight average molecular weight of obtained resin represented by following formula (13) was 5,400 g / mol.
[화학식 12][Formula 12]
[화학식 13][Formula 13]
합성예Synthesis Example 6: 6: 카도계Cardo system 바인더 수지를 포함하는 알칼리 가용성 수지 (E-2) Alkali-Soluble Resin (E-2) Containing Binder Resin
(1) 3구 플라스크에 환류 냉각기와 온도계를 설치한 후, 9,9-비스페놀플루오렌(9,9-Bisphenolfluorene) 42.5g를 넣고 2-(클로로메틸)옥시란(2-(chloromethyl)oxirane) 220mL를 정량한 후 주입하였다. 테트라부틸암모늄 브로마이드(Tetrabutylammonium bromide) 100mg을 넣은 후, 교반을 시작하면서 온도를 90℃로 승온하였다. 미반응물 함량이 0.3% 미만임을 확인 후 감압증류 하였다.(1) After installing a reflux condenser and thermometer in a three-necked flask, add 42.5 g of 9,9-bisphenolfluorene and 2- (chloromethyl) oxirane. 220 mL was quantified and injected. After adding 100 mg of tetrabutylammonium bromide, the temperature was raised to 90 ° C. while starting stirring. It was distilled under reduced pressure after confirming that the unreactant content is less than 0.3%.
온도를 30℃로 낮춘 후, 디클로로메탄(dichloromethane)을 주입하고, NaOH를 서서히 투입하였다. 생성물이 96% 이상인 것을 고성능액체크로마토그래피(HPLC)방법으로 확인한 후 5% HCl를 적하하여 반응을 종결하였다. 반응물은 추출하여 층분리한 후, 유기층을 물로 씻어주고 중성이 되도록 세척하였다. 유기층은 MgSO4로 건조한 후 회전증발기로 감압 증류하여 농축하였다. 농축된 생성물에 디클로로메테인(dichloromethane)을 넣고 40℃까지 온도를 올리면서 교반하면서 메탄올(methanol)를 투입한 후 용액온도를 낮추고 교반하였다. 생성된 고체를 여과한 후, 상온에서 진공 건조하여 흰색 고체 분말 52.7g(수율 94%)을 얻었다, 이에 대한 구조는 1H NMR로 확인하였다.After the temperature was lowered to 30 ° C., dichloromethane was injected and NaOH was slowly added thereto. After confirming that the product was 96% or more by high performance liquid chromatography (HPLC) method, 5% HCl was added dropwise to terminate the reaction. After the reaction was extracted and separated, the organic layer was washed with water and washed to be neutral. The organic layer was dried over MgSO 4 and concentrated by distillation under reduced pressure with a rotary evaporator. Dichloromethane was added to the concentrated product, methanol was added while stirring while raising the temperature to 40 ° C, and the solution temperature was lowered and stirred. The resulting solid was filtered and dried in vacuo at room temperature to give 52.7 g (94% yield) of a white solid powder, the structure of which was confirmed by 1 H NMR.
[반응식 1]Scheme 1
1H NMR in CDCl3: 7.75 (2H), 7.35-7.254(6H), 7.08 (4H), 6.74 (4H), 4.13 (2H), 3.89 (2H), 3.30 (2H), 2.87 (2H), 2.71 (2H).1 H NMR in CDCl 3: 7.75 (2H), 7.35-7.254 (6H), 7.08 (4H), 6.74 (4H), 4.13 (2H), 3.89 (2H), 3.30 (2H), 2.87 (2H), 2.71 (2H ).
(2) 3,3'-(((9H-플루오렌-9,9-디일)비스(4,1-페닐렌))비스(옥시))비스(1-페닐티오)프로판-2-올)(3,3'-(((9H-fluorene-9,9-diyl)bis(4,1-phenylene))bis(oxy))bis(1-(phenylthio)propan-2-ol)) 합성.(2) 3,3 '-(((9H-fluorene-9,9-diyl) bis (4,1-phenylene)) bis (oxy)) bis (1-phenylthio) propan-2-ol) Synthesis of (3,3 '-(((9H-fluorene-9,9-diyl) bis (4,1-phenylene)) bis (oxy)) bis (1- (phenylthio) propan-2-ol)).
3구 플라스크에 환류 냉각기와 온도계를 설치한 후 1단계 반응물 (1000g), thiophenol 524g, 에탄올 617g을 넣고 교반하였다. 반응 용액에 트리에틸아민(triethylamine) 328g을 천천히 적가하였다. 고성능액체크로마토그래피(HPLC)방법으로 출발물질이 사라진 것을 확인한 후, 반응을 종료하였다. 반응 완료 후, 에탄올을 감압증류하여 제거하였다. 유기물을 디클로로메테인(dichloromethane)에 녹인 후 물로 세척한 후 디클로로메테인(dichloromethane)을 감압증류를 통해 제거하였다. 농축된 유기물은 에틸 아세테이트(ethyl acetate)에 녹인 후 에테르 용매를 적가하고 30분 동안 교반하였다. 화합물을 감압증류하여 옅은 노란색 오일(pale yellow oil) 945 g (수율 64%)을 얻었고, 이의 구조는 1H NMR로 확인하였다.After installing a reflux condenser and a thermometer in a three-necked flask, the reaction mixture (1000g), 524g of thiophenol, and 617g of ethanol were added thereto and stirred. 328 g of triethylamine was slowly added dropwise to the reaction solution. After confirming that the starting material disappeared by high performance liquid chromatography (HPLC) method, the reaction was terminated. After the reaction was completed, ethanol was removed by distillation under reduced pressure. The organics were dissolved in dichloromethane, washed with water, and then dichloromethane was removed by distillation under reduced pressure. The concentrated organics were dissolved in ethyl acetate and ether ether was added dropwise and stirred for 30 minutes. The compound was distilled under reduced pressure to obtain 945 g (yield 64%) of pale yellow oil, and its structure was confirmed by 1 H NMR.
[반응식 2]Scheme 2
1H NMR in CDCl3: 7.82 (2H), 7.38-6.72 (20H), 6.51 (4H), 4.00 (2H), 3.97 (2H), 3.89 (2H), 3.20 (2H), 3.01 (2H), 2.64 (2H).1 H NMR in CDCl 3: 7.82 (2H), 7.38-6.72 (20H), 6.51 (4H), 4.00 (2H), 3.97 (2H), 3.89 (2H), 3.20 (2H), 3.01 (2H), 2.64 (2H ).
(3) 카도계 바인더 수지 합성(3) Cardo-based binder resin synthesis
3구 플라스크에 환류 냉각기와 온도계를 설치한 후, 50% PGMEA 용매에 녹아있는 2단계에서 합성한 3,3'-(((9H-플루오렌-9,9-디일)비스(4,1-페닐렌))비스(옥시))비스(1-페닐티오)프로판-2-올)(3,3'-(((9H-fluorene-9,9-diyl)bis(4,1-phenylene))bis(oxy))bis(1-(phenylthio)propan-2-ol)) 모노머 200g을 넣고 115℃까지 승온시켰다. 115℃에서 3,3,'4,4'-비페닐테트라카복실릭 디안하이드리드(3,3',4,4'-Biphenyltetracarboxylic dianhydride) 31.1g을 적하한 후, 6시간 동안 115℃를 유지하면서 교반시켰다. 프탈릭 안하이드리드(Phthalic anhydride) 7.35g를 넣고 2시간 더 교반한 후, 반응을 종료하였다. 냉각 후 중량평균 분자량 3,500 g/mol인 바인더 수지를 얻었다. 산가는 150㎎KOH/g 이였다.After installing a reflux condenser and a thermometer in a three-necked flask, 3,3 '-(((9H-fluorene-9,9-diyl) bis (4,1-) synthesized in step 2 dissolved in 50% PGMEA solvent. Phenylene)) bis (oxy)) bis (1-phenylthio) propan-2-ol) (3,3 '-(((9H-fluorene-9,9-diyl) bis (4,1-phenylene)) 200 g of a bis (oxy)) bis (1- (phenylthio) propan-2-ol)) monomer was added thereto, and the temperature was increased to 115 ° C. 31.1 g of 3,3, '4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride (3,3', 4,4'-Biphenyltetracarboxylic dianhydride) was added dropwise at 115 ° C, and then maintained at 115 ° C for 6 hours. Stirred. 7.35 g of phthalic anhydride was added thereto, stirred for another 2 hours, and the reaction was terminated. After cooling, a binder resin having a weight average molecular weight of 3,500 g / mol was obtained. The acid value was 150 mg KOH / g.
합성예Synthesis Example 7: 37: 3 ,4-,4- 에폭시트리시클로Epoxy tricyclo [5.2.1.05.2.1.0 2,62,6 ] ] 데칸환Decane ring 함유 contain 중합성Polymerizable 불포화 화합물 유래의 반복단위를 Repeating units derived from unsaturated compounds 포함하는 포함하는Containing containing 알칼리 가용성 수지 (E-3) Alkali Soluble Resin (E-3)
교반기, 온도계, 환류 냉각관, 적하 깔때기 및 질소 도입관을 구비한 내용적 0.5 리터의 분리형 플라스크에 메톡시부틸아세테이트 79 g을 투입, 80 ℃로 승온 후, 3,4-에폭시트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-9-일아크릴레이트와 3,4-에폭시트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일아크릴레이트의 혼합물[50:50(몰비)](E-DCPA) 86 g, 메타크릴산 14 g, 및 아조비스디메틸발레로니트 릴 6.5 g을 메톡시부틸아세테이트 100 g에용해시킨 혼합 용액을 5 시간에 걸쳐서 적하하고, 또한 3 시간 숙성함으로써 공중합체 용액[고형분(NV) 35.0 중량％]을 얻었다. 얻어진 공중합체의 산가(dry)는 89.8 KOH mg/g, 중량 평균 분자량(Mw)은 11,300, 분산도(Mw/Mn)는 2.1이었다.79 g of methoxybutyl acetate was added to a 0.5-liter, separate flask equipped with a stirrer, a thermometer, a reflux condenser, a dropping funnel, and a nitrogen introduction tube, and heated to 80 ° C., followed by 3,4-epoxytricyclo [5.2. 1.0 A mixture of 2,6 ] decane-9-ylacrylate and 3,4-epoxycitcyclocyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane-8-ylacrylate [50:50 (molar ratio)] (E-DCPA) A mixed solution obtained by dissolving 86 g, methacrylic acid 14 g and azobisdimethylvaleronitrile 6.5 g in 100 g of methoxybutyl acetate was added dropwise over 5 hours and further aged for 3 hours to obtain a copolymer solution [solid content ( NV) 35.0 wt%]. The dry value of the obtained copolymer was 89.8 KOH mg / g, the weight average molecular weight (Mw) was 11,300, and the dispersion degree (Mw / Mn) was 2.1.
합성예Synthesis Example 8: 38: 3 ,4-,4- 에폭시트리시클로Epoxy tricyclo [5.2.1.05.2.1.0 2,62,6 ] ] 데칸환Decane ring 함유 contain 중합성Polymerizable 불포화 화합물 유래의 반복단위를 포함하는 알칼리 가용성 수지 (E-4) Alkali-soluble resin containing the repeating unit derived from an unsaturated compound (E-4)
교반기, 온도계, 환류 냉각관, 적하 깔때기 및 질소 도입관을 구비한 내용적 0.5 리터의 분리형 플라스크에 메톡시부틸아세테이트 79 g을 투입, 80 ℃로 승온 후, 3,4-에폭시트리시클로[5.2.1.0,2,6]데칸-9-일메타크릴레이트와 3,4-에폭시트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일메타크릴레이트의 혼합물[50:50(몰비)](E-DCPMA) 86 g, 메타크릴산 14 g, 및 아조비스디메틸발레로니트 릴 6.5 g을 메톡시부틸아세테이트 100 g에용해시킨 혼합 용액을 5 시간에 걸쳐서 적하하고, 또한 3 시간 숙성함으로써 공중합체 용액[고형분(NV) 35.0 중량％]을 얻었다. 얻어진 공중합체의 산가(dry)는 105.8 KOH mg/g, 중량 평균 분자량(Mw)은 12,500, 분산도(Mw/Mn)는 2.01이었다.79 g of methoxybutyl acetate was added to a 0.5-liter, separate flask equipped with a stirrer, a thermometer, a reflux condenser, a dropping funnel, and a nitrogen introduction tube, and heated to 80 ° C., followed by 3,4-epoxytricyclo [5.2. A mixture of 1.0,2,6] decane-9-ylmethacrylate and 3,4-epoxycitcyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane-8-ylmethacrylate [50:50 (molar ratio)] (E -DCPMA) A copolymer solution by dropping a mixed solution obtained by dissolving 86 g of methacrylic acid and 14 g of methacrylic acid and 6.5 g of azobisdimethylvaleronitrile in 100 g of methoxybutyl acetate over 5 hours and further aging for 3 hours. [35.0 weight% of solid content (NV)] was obtained. The dry value of the obtained copolymer was 105.8 KOH mg / g, the weight average molecular weight (Mw) was 12,500, and the dispersion degree (Mw / Mn) was 2.01.
합성예Synthesis Example 9: 39: 3 ,4-,4- 에폭시트리시클로Epoxy tricyclo [5.2.1.05.2.1.0 2,62,6 ] ] 데칸환Decane ring 함유 contain 중합성Polymerizable 불포화 화합물 유래의 반복단위를 포함하는 알칼리 가용성 수지 (E-5) Alkali-soluble resin containing the repeating unit derived from an unsaturated compound (E-5)
교반기, 온도계, 환류 냉각관, 적하 깔때기 및 질소 도입관을 구비한 내용적 0.5 리터의 분리형 플라스크에 메톡시부틸아세테이트 79 g을 투입, 80 ℃로 승온 후, 3,4-에폭시트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-9-일아크릴레이트와 3,4-에폭시트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일아크릴레이트의 혼합물[50:50(몰비)](E-DCPA) 60 g, 메타크릴산 20 g, 하이드록시에틸메타아크릴레이트 20g, 및 아조비스디메틸발레로니트 릴 6.5 g을 메톡시부틸아세테이트 100 g에용해시킨 혼합 용액을 5 시간에 걸쳐서 적하하고, 또한 3 시간 숙성함으로써 공중합체 용액[고형분(NV) 35.0 중량％]을 얻었다. 얻어진 공중합체의 산가(dry)는 135.8 KOH mg/g, 중량 평균 분자량(Mw)은 13,500, 분산도(Mw/Mn)는 2.11이었다.79 g of methoxybutyl acetate was added to a 0.5-liter, separate flask equipped with a stirrer, a thermometer, a reflux condenser, a dropping funnel, and a nitrogen introduction tube, and heated to 80 ° C., followed by 3,4-epoxytricyclo [5.2. 1.0 A mixture of 2,6 ] decane-9-ylacrylate and 3,4-epoxycitcyclocyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane-8-ylacrylate [50:50 (molar ratio)] (E-DCPA) A mixed solution obtained by dissolving 60 g, methacrylic acid 20 g, hydroxyethyl methacrylate 20 g, and 6.5 g of azobisdimethylvaleronitrile in 100 g of methoxybutyl acetate was added dropwise over 5 hours, and further 3 hours. The copolymer solution [solid content (NV) 35.0 weight%] was obtained by aging. The dry value of the obtained copolymer was 135.8 KOH mg / g, the weight average molecular weight (Mw) was 13,500, and the dispersion degree (Mw / Mn) was 2.11.
합성예Synthesis Example 10: 310: 3 ,4-,4- 에폭시트리시클로Epoxy tricyclo [5.2.1.05.2.1.0 2,62,6 ] ] 데칸환Decane ring 함유 contain 중합성Polymerizable 불포화 화합물 유래의 반복단위를 포함하는 알칼리 가용성 수지 (E-6) Alkali-soluble resin containing the repeating unit derived from an unsaturated compound (E-6)
교반기, 온도계, 환류 냉각관, 적하 깔때기 및 질소 도입관을 구비한 내용적 0.5 리터의 분리형 플라스크에 메톡시부틸아세테이트 79 g을 투입, 80 ℃로 승온 후, 3,4-에폭시트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-9-일메타크릴레이트와 3,4-에폭시트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일메타크릴레이트의 혼합물[50:50(몰비)](E-DCPMA) 65 g, 메타크릴산 15 g, 하이드록시에틸메타아크릴레이트 20g, 및 아조비스디메틸발레로니트 릴 6.5 g을 메톡시부틸아세테이트 100 g에용해시킨 혼합 용액을 5 시간에 걸쳐서 적하하고, 또한 3 시간 숙성함으로써 공중합체 용액[고형분(NV) 35.0 중량％]을 얻었다. 얻어진 공중합체의 산가(dry)는 98.1 KOH mg/g, 중량 평균 분자량(Mw)은 10,500, 분산도(Mw/Mn)는 2.61이었다.79 g of methoxybutyl acetate was added to a 0.5-liter, separate flask equipped with a stirrer, a thermometer, a reflux condenser, a dropping funnel, and a nitrogen introduction tube, and heated to 80 ° C., followed by 3,4-epoxytricyclo [5.2. 1.0 A mixture of 2,6 ] decane-9-ylmethacrylate and 3,4-epoxytricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane-8-ylmethacrylate [50:50 (molar ratio)] (E- DCPMA) 65 g, methacrylic acid 15 g, hydroxyethyl methacrylate 20 g, and a mixed solution obtained by dissolving 6.5 g of azobisdimethylvaleronitrile in 100 g of methoxybutyl acetate were added dropwise over 5 hours. The copolymer solution [solid content (NV) 35.0 weight%] was obtained by aged for 3 hours. The dry value of the obtained copolymer was 98.1 KOH mg / g, the weight average molecular weight (Mw) was 10,500, and the dispersion degree (Mw / Mn) was 2.61.
합성예Synthesis Example 11: 311: 3 ,4-,4- 에폭시트리시클로Epoxy tricyclo [5.2.1.05.2.1.0 2,62,6 ] ] 데칸환Decane ring 함유 contain 중합성Polymerizable 불포화 화합물 유래의 반복단위를 포함하는 알칼리 가용성 수지 (E-7) Alkali-soluble resin containing the repeating unit derived from an unsaturated compound (E-7)
교반기, 온도계, 환류 냉각관, 적하 깔때기 및 질소 도입관을 구비한 내용적 0.5 리터의 분리형 플라스크에 메톡시부틸아세테이트 79 g을 투입, 80 ℃로 승온 후, 3,4-에폭시트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-9-일아크릴레이트와 3,4-에폭시트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일아크릴레이트의 혼합물[50:50(몰비)](E-DCPA) 30 g, 메타크릴산 18 g, 하이드록시에틸메타아크릴레이트 52g, 및 아조비스디메틸발레로니트 릴 6.5 g을 메톡시부틸아세테이트 100 g에용해시킨 혼합 용액을 5 시간에 걸쳐서 적하하고, 또한 3 시간 숙성함으로써 공중합체 용액[고형분(NV) 35.0 중량％]을 얻었다. 얻어진 공중합체의 산가(dry)는 115.1 KOH mg/g, 중량 평균 분자량(Mw)은 15,500, 분산도(Mw/Mn)는 2.81이었다.79 g of methoxybutyl acetate was added to a 0.5-liter, separate flask equipped with a stirrer, a thermometer, a reflux condenser, a dropping funnel, and a nitrogen introduction tube, and heated to 80 ° C., followed by 3,4-epoxytricyclo [5.2. 1.0 A mixture of 2,6 ] decane-9-ylacrylate and 3,4-epoxycitcyclocyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane-8-ylacrylate [50:50 (molar ratio)] (E-DCPA) A mixed solution obtained by dissolving 30 g, 18 g of methacrylic acid, 52 g of hydroxyethyl methacrylate, and 6.5 g of azobisdimethylvaleronitrile in 100 g of methoxybutyl acetate was added dropwise over 5 hours, and further 3 hours. The copolymer solution [solid content (NV) 35.0 weight%] was obtained by aging. The acid value (dry) of the obtained copolymer was 115.1 KOH mg / g, the weight average molecular weight (Mw) was 15,500, and dispersion degree (Mw / Mn) was 2.81.
합성예Synthesis Example 12: 아크릴계 수지를 포함하는 알칼리 가용성 바인더 수지(E-8) 12: alkali-soluble binder resin (E-8) containing acrylic resin
교반기, 온도계 환류 냉각관, 적하 로트 및 질소 도입관을 구비한 플라스크에 프로필렌글리콜모노메틸에테르 아세테이트 120g, 프로필렌글리콜모노메틸에테르 80g, 2,2'-아조비스이소부티로나이트릴 2g, 아크릴산 20g, 벤질아크릴레이트 30.0g, 메틸메타아크릴레이트 50g, n-도데실머캅탄 3g을 투입하고 질소 치환하였다. 120 g of propylene glycol monomethyl ether acetate, 80 g of propylene glycol monomethyl ether, 2 g of 2,2'-azobisisobutyronitrile, 20 g of acrylic acid, 30.0 g of benzyl acrylate, 50 g of methyl methacrylate, and 3 g of n-dodecyl mercaptan were added and nitrogen-substituted.
그 후 교반하며 반응액의 온도를 80℃로 상승시키고 8시간 반응하였다. 이렇게 합성된 알칼리 가용성 수지의 고형분 산가는 158㎎KOH/g 이며 GPC로 측정한 중량 평균 분자량 Mw는 약 12,874, 분산도(Mw/Mn)는 2.81이었다.After stirring, the temperature of the reaction solution was raised to 80 ° C. and reacted for 8 hours. The solid acid value of the alkali-soluble resin thus synthesized was 158 mgKOH / g, the weight average molecular weight Mw measured by GPC was about 12,874, and the dispersion degree (Mw / Mn) was 2.81.
실시예Example 1 내지 27 및 1 to 27 and 비교예Comparative example 1 내지 4: 1 to 4: 광변환Light conversion 수지 조성물의 제조 Preparation of Resin Composition
하기 표 1의 성분 및 함량(중량%)을 사용하여 실시예 및 비교예에 따른 광변환 수지 조성물을 제조하였다. To use the components and contents (% by weight) of Table 1 to prepare a light conversion resin composition according to the Examples and Comparative Examples.
용액1) Quantum dots
Solution 1)
입자2) spawning
Particles 2)
2) 제조예 1 에서 제조된 산란입자(산란체) 분산액
3) 합성예 5 내지 합성예 12에서 제조된 알칼리 가용성 수지
4) 리카싯도 HH(신일본이화㈜ 제조)
5) 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트1) A-1 to A-4 (Q-1 to Q-4): Quantum dot dispersions prepared in Synthesis Examples 1 to 4
2) Scattering Particle (Scatter) Dispersion Liquid Prepared in Preparation Example 1
3) Alkali-soluble resins prepared in Synthesis Examples 5 to 12
4) Rikashitdo HH (manufactured by Nippon Ewha Co., Ltd.)
5) Propylene Glycol Monomethyl Ether Acetate
실험예Experimental Example
상기 실시예 및 비교예에서 제조된 광변환 수지 조성물을 이용하여 아래와 같이 광변환 코팅층을 제조하였으며, 이때의 휘도, 광유지율, 내열성 및 도막 경도를 하기와 같은 방법으로 측정하고, 그 평가 결과는 하기 표 2에 기재하였다.Using the photoconversion resin composition prepared in Examples and Comparative Examples to prepare a photoconversion coating layer as follows, the brightness, light retention, heat resistance and coating film hardness at this time was measured by the following method, the evaluation results are as follows It is shown in Table 2.
(1) (One) 광변환Light conversion 코팅층의 제조 Preparation of Coating Layer
실시예 및 비교예에서 제조된 광변환 수지 조성물을 이용하여 코팅막을 제조하였다. 즉, 상기 각각의 광변환 수지 조성물을 스핀 코팅법으로 5cm×5cm 유리 기판 위에 도포한 다음, 가열판 위에 놓고 100℃의 온도에서 10분간 유지하여 박막을 형성 시킨 후 180℃의 가열 오븐에서 30분 동안 가열하여 광변환 코팅층을 제조하였다. 상기에서 제조된 광변환 수지막의 두께는 양자점의 함량에 따라 15㎛ 두께로 제작하였다.The coating film was prepared using the light conversion resin composition prepared in Examples and Comparative Examples. That is, each of the photoconversion resin composition is applied on a 5cm × 5cm glass substrate by spin coating, then placed on a heating plate and maintained at a temperature of 100 ° C. for 10 minutes to form a thin film, followed by 30 minutes in a heating oven at 180 ° C. The light conversion coating layer was prepared by heating. The thickness of the photoconversion resin film prepared above was produced in a thickness of 15 ㎛ depending on the content of the quantum dot.
(2) 휘도 평가(2) luminance evaluation
상기 (1)에서 제조된 코팅막을 Blue 광원(XLamp XR-E LED, Royal blue 450, Cree 社)상부에 위치시킨 후 휘도 측정기(CAS140CT Spectrometer, Instrument systems 社)를 이용하여, 휘도를 측정하고, 그 평가 결과를 하기 표 2에 기재하였다.The coating film prepared in (1) was placed on top of a blue light source (XLamp XR-E LED, Royal blue 450, Cree, Inc.), and then measured by using a luminance meter (CAS140CT Spectrometer, Instrument systems, Inc.). The evaluation results are shown in Table 2 below.
(3) (3) 광유지율Mineral retention
상기 광변환 코팅층 제조방법으로 제작된 코팅기판을, 하드베이크(Hard bake)를 230℃에서 60분간 진행하여, 하드베이크 전의 발광효율과 하드베이크 후의 발광효율을 측정하여 발광효율이 유지되는 수준을 확인하고, 그 평가 결과를 하기 표 2에 기재하였다.Check the level of the luminous efficiency is maintained by measuring the luminous efficiency before the hard bake and the luminous efficiency after the hard bake by performing a hard bake at 230 ° C. for 60 minutes on the coated substrate manufactured by the light conversion coating layer manufacturing method. And the evaluation results are shown in Table 2 below.
(4) 내열성 평가(4) heat resistance evaluation
상기 (1)에서 코팅막을 형성한 후 열적인 충격에 의한 두께 변화를 하기 수학식 1로 확인하였다. 구체적으로, 최종 완성된 코팅막에 1시간 동안 230℃의 열을 가했을 때, 열을 가하기 전/후의 두께를 측정하여 하기 수학식 1로 변화율(내열성 잔막율)을 계산하였다. 이 때, 두께 변화율(수축율)이 90% 이상이면 양호(○), 90% 미만인 경우 불량(×)이며, 그 평가 결과는 하기 표 2에 기재하였다.After forming the coating film in (1), the thickness change due to thermal shock was confirmed by the following equation (1). Specifically, when heat was applied at 230 ° C. for 1 hour to the final finished coating film, the thickness before and after applying heat was measured to calculate a rate of change (heat resistance residual film rate) by the following equation (1). At this time, when the thickness change rate (shrinkage rate) is 90% or more, it is good (○), and when it is less than 90%, it is poor (×), and the evaluation results are shown in Table 2 below.
[수학식 1][Equation 1]
도막 수축율 = {(열처리 후 막 두께) / (열처리 전 막 두께)} × 100 (%).Coating shrinkage ratio = {(film thickness after heat treatment) / (film thickness before heat treatment)} × 100 (%).
(5) 도막 경도(5) coating film hardness
상기 (1)에서 제조된 코팅막의 경화도를 경도계(HM500; Fischer사 제품)를 사용하여 150℃ 고온에서 측정하였으며, 표면경도(도막경도)는 하기 기준으로 평가하였다. 그 결과는 하기 표 2에 나타내었다. Curing degree of the coating film prepared in (1) was measured at a high temperature of 150 ℃ using a hardness tester (HM500; manufactured by Fischer), the surface hardness (film hardness) was evaluated based on the following criteria. The results are shown in Table 2 below.
<평가 기준><Evaluation Criteria>
○: 표면경도 20 이상○: surface hardness of 20 or more
△: 표면경도 10 이상 20 미만(Triangle | delta): Surface hardness 10 or more and less than 20
×: 표면경도 10 미만 ×: surface hardness less than 10
상기 표 2를 참조하면, 본 발명에 따른 2종 이상의 양자점, 산란체, 3,4-에폭시트리시클로[5.2.1.02,6] 데칸환 함유 중합성 불포화 화합물 유래의 반복단위를 포함하는 에폭시 수지와 카도계 수지를 적용한 실시예의 경우, 매우 우수한 도막경도가 관찰되었고, 또한 열에 의한 잔막율에 뛰어난 성능을 보여 비교예 대비 내열성이 매우 우수한 것을 확인할 수 있었다. Referring to Table 2, an epoxy resin comprising two or more kinds of quantum dots, scatterers, and 3,4-epoxytricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane ring-containing polymerizable unsaturated compounds In the case of applying the and the cardo resin, very excellent coating hardness was observed, and also showed excellent performance in the residual film ratio by heat, it was confirmed that the heat resistance is very excellent compared to the comparative example.
이러한 결과로부터 디스플레이 생산 공정간 적용되는 열처리 시 도막의 물리적 강도의 저하로 기인될 수 있는 막깨짐과 같은 불량을 저감하여 생산 수율 향상에 기여할 수 있는 것을 확인 할 수 있었다.From these results, it could be confirmed that defects such as film breakage, which may be caused by a decrease in physical strength of the coating film during heat treatment applied between display production processes, may contribute to an improvement in production yield.
또한, 본 발명에 따른 실시예는 도막의 강도가 강화됨에 따라 휘도와 광유지율이 비교예에 비하여 월등히 우수한 것을 확인할 수 있었으며, 따라서 우수한 화질과 뛰어난 품질을 디스플레이를 제작할 수 있다.In addition, according to the embodiment of the present invention, as the strength of the coating film was strengthened, it was confirmed that the luminance and the light retention rate were much superior to those of the comparative example, and thus, a display having excellent image quality and excellent quality could be manufactured.
Claims (19)
산란체; 및
카도계 수지 및 3,4-에폭시트리시클로[5.2.1.02,6] 데칸환 함유 중합성 불포화 화합물 유래의 반복단위를 포함하는 에폭시 수지를 포함하는 알칼리 가용성 수지;
를 포함하는 광변환 수지 조성물.Two or more quantum dots;
Scatterers; And
Alkali-soluble resins including cardo-based resins and epoxy resins containing repeating units derived from 3,4-epoxytricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane ring-containing polymerizable unsaturated compounds;
Light conversion resin composition comprising a.
상기 양자점은, GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 물질을 포함하는 코어; 및
ZnSe, ZnS 및 ZnTe로부터 선택되는 1종 이상의 물질을 포함하는 쉘;을 포함하는 것인 광변환 수지 조성물.The method of claim 1,
The quantum dot is a binary element selected from the group consisting of GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb, and mixtures thereof; Three-element compounds selected from the group consisting of GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP, and mixtures thereof; And one element selected from the group consisting of GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb, and mixtures thereof. A core comprising the above materials; And
And a shell comprising one or more materials selected from ZnSe, ZnS, and ZnTe.
상기 양자점은 InP 코어를 가지는 비카드뮴계 양자점인 것인 광변환 수지 조성물.The method of claim 2,
The quantum dot is a light conversion resin composition that is a cadmium-based quantum dot having an InP core.
상기 양자점은 InP/ZnS, InP/ZnSe, InP/GaP/ZnS, InP/ZnSe/ZnS, InP/ZnSeTe/ZnS 및 InP/MnSe/ZnS로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 포함하는 것인 광변환 수지 조성물.The method of claim 3, wherein
The quantum dot is optical conversion that includes one or more selected from the group consisting of InP / ZnS, InP / ZnSe, InP / GaP / ZnS, InP / ZnSe / ZnS, InP / ZnSeTe / ZnS and InP / MnSe / ZnS Resin composition.
상기 양자점은 중심여기파장이 서로 50nm 이상 차이가 나는 2종 이상의 양자점인 것인 광변환 수지 조성물.The method of claim 1,
The quantum dot is a light conversion resin composition is a central excitation wavelength is two or more kinds of quantum dots that differ from each other by more than 50nm.
상기 3,4-에폭시트리시클로[5.2.1.02,6] 데칸환 함유 중합성 불포화 화합물은 하기 화학식 1 또는 2로 표시되는 것인 광변환 수지 조성물:
[화학식 1]
[화학식 2]
(상기 화학식 1 및 2에서,
Ra는 각각 수소 원자 또는 히드록시기로 치환될 수 있는 C1 내지 C7의 알킬기이고,
A는 각각 단일 결합 또는 헤테로 원자를 포함할 수 있는 2가의 탄화수소기이다).The method of claim 1,
The 3,4-epoxytricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane ring-containing polymerizable unsaturated compound is represented by the following formula (1) or (2):
[Formula 1]
[Formula 2]
(In Chemical Formulas 1 and 2,
R a is a C1 to C7 alkyl group which may be substituted with a hydrogen atom or a hydroxy group, respectively,
A is a divalent hydrocarbon group which may each contain a single bond or a hetero atom).
상기 3,4-에폭시트리시클로[5.2.1.02,6] 데칸환 함유 중합성 불포화 화합물 유래의 반복단위를 포함하는 에폭시 수지는 하기 화학식 3으로 표시되는 단량체 유래의 반복단위를 더 포함하는 것인 광변환 수지 조성물:
[화학식 3]
(상기 화학식 3에서,
R15는 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 7의 알킬기이고,
R16은 탄소수 1 내지 12의 1급 또는 2급 알킬기, 탄수소 2 내지 12의 알케닐기, 탄소수 6 내지 10의 아릴기, 탄소수 7 내지 20의 아르알킬기, 또는 -(R17-O)r-R18기이고,
이때, R17은 탄소수 1 내지 12의 2가의 탄화수소기이며,
R18은 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 12의 탄화수소기이고,
r은 1 이상의 정수이다).The method of claim 1,
The epoxy resin containing the repeating unit derived from the 3,4-epoxytricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane ring-containing polymerizable unsaturated compound is to further include a repeating unit derived from a monomer represented by the following formula (3) Light conversion resin composition:
[Formula 3]
(In Chemical Formula 3,
R15 is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 7 carbon atoms,
R16 is a C1-12 primary or secondary alkyl group, a C2-12 alkenyl group, a C6-10 aryl group, a C7-20 aralkyl group, or a-(R17-O) r- R18 group ego,
At this time, R17 is a C1-C12 divalent hydrocarbon group,
R18 is a hydrogen atom or a hydrocarbon group of 1 to 12 carbon atoms,
r is an integer of 1 or more).
상기 카도계 수지는 하기 화학식 4 내지 9로 표시되는 것인 광변환 수지 조성물:
[화학식 4]
[화학식 5]
[화학식 6]
[화학식 7]
(상기 화학식 4 내지 7에서,
X 및 X'은 각각 독립적으로 단일 결합, -CO-, -SO2-, -C(CF3)2-, -Si(CH3)2-, -CH2-, -C(CH3)2-, -O-,
Y는 산무수물 잔기이며,
Z는 산2무수물 잔기이고,
R'은 수소 원자, 에틸기, 페닐기, -C2H4Cl, -C2H4OH 또는 -CH2CH=CH2이며,
R1, R1', R2, R2', R3, R3', R4, R4', R5, R5', R6 및 R6' 은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 메틸기이고,
R7, R7', R8 및 R8' 은 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 6의 직쇄의 알킬렌기 또는 탄소수 3 내지 6의 분지쇄의 알킬렌기이고, 상기 알킬렌기는 에스테르 결합, 탄소수 6 내지 14의 싸이클로알킬렌기 및 탄소수 6 내지 14의 아릴렌기 중 적어도 하나로 중단될 수 있으며,
R9, R9', R10, R10', R11, R11', R12 및 R12'은 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자 또는 탄소수 1 내지 6의 직쇄의 알킬기 또는 탄소수 3 내지 6의 분지쇄의 알킬기이고,
m 및 n은 각각 0 ≤ m ≤ 30, 0 ≤ n ≤ 30을 만족하는 정수이며,
단 m 및 n은 동시에 0은 아니고,)
[화학식 8]
[화학식 9]
(상기 화학식 8 및 9에서,
P는 각각 독립적으로
R13 및 R14는 각각 독립적으로 수소, 히드록시기, 티올기, 아미노기, 니트로기 또는 할로겐 원자이며,
Ar1은 각각 독립적으로 C6 내지 C15 아릴기이고,
Y'는 산무수물 잔기이며,
Z'는 산2무수물 잔기이고,
A'는 O, S, N, Si 또는 Se이며,
a 및 b는 각각 독립적으로 1 내지 6의 정수이고,
p 및 q은 각각 독립적으로 0 내지 30의 정수이며,
단, p 및 q는 동시에 0이 아니다).The method of claim 1,
The cardo-based resin is a photo-conversion resin composition represented by the formula 4 to 9:
[Formula 4]
[Formula 5]
[Formula 6]
[Formula 7]
(In Chemical Formulas 4 to 7,
X and X 'are each independently a single bond, -CO-, -SO 2- , -C (CF 3 ) 2- , -Si (CH 3 ) 2- , -CH 2- , -C (CH 3 ) 2 -, -O-,
Y is an acid anhydride residue,
Z is an acid 2 anhydride residue,
R 'is a hydrogen atom, an ethyl group, a phenyl group, -C 2 H 4 Cl, -C 2 H 4 OH or -CH 2 CH = CH 2 ,
R1, R1 ', R2, R2', R3, R3 ', R4, R4', R5, R5 ', R6 and R6' are each independently a hydrogen atom or a methyl group,
R7, R7 ', R8 and R8' are each independently a linear alkylene group having 1 to 6 carbon atoms or a branched alkylene group having 3 to 6 carbon atoms, and the alkylene group is an ester bond and a cycloalkylene group having 6 to 14 carbon atoms. And it may be stopped by at least one of arylene groups having 6 to 14 carbon atoms,
R9, R9 ', R10, R10', R11, R11 ', R12 and R12' are each independently a hydrogen atom, a halogen atom or a linear alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or a branched alkyl group having 3 to 6 carbon atoms,
m and n are integers satisfying 0 ≦ m ≦ 30 and 0 ≦ n ≦ 30, respectively.
M and n are not zero at the same time,
[Formula 8]
[Formula 9]
(In Chemical Formulas 8 and 9,
P is each independently
R13 and R14 are each independently hydrogen, hydroxy group, thiol group, amino group, nitro group or halogen atom,
Ar1 is each independently a C6 to C15 aryl group,
Y 'is an acid anhydride residue,
Z 'is an acid 2 anhydride residue,
A 'is O, S, N, Si or Se,
a and b are each independently an integer of 1 to 6,
p and q are each independently integers of 0 to 30,
Provided that p and q are not zero at the same time).
상기 카도계 수지와 상기 3,4-에폭시트리시클로[5.2.1.02,6] 데칸환 함유 중합성 불포화 화합물 유래의 반복단위를 포함하는 에폭시 수지의 비율에 있어, 카도수지 대 에폭시수지의 중량비는 5:95 내지 95:5인 것인 광변환 수지 조성물.The method of claim 1,
In the ratio of the cardo resin and the epoxy resin containing the repeating unit derived from the 3,4-epoxytricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane ring-containing polymerizable unsaturated compound, the weight ratio of cardo resin to epoxy resin is It is 5: 95-95: 5 photoconversion resin composition.
상기 산란체는 Al2O3, SiO2, ZnO, ZrO2, BaTiO3, TiO2, Ta2O5, Ti3O5, ITO, IZO, ATO, ZnO-Al, Nb2O3, SnO, MgO 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 1 이상을 포함하는 것인 광변환 수지 조성물. The method of claim 1,
The scatterers are Al 2 O 3 , SiO 2 , ZnO, ZrO 2 , BaTiO 3 , TiO 2 , Ta 2 O 5 , Ti 3 O 5 , ITO, IZO, ATO, ZnO-Al, Nb 2 O 3 , SnO, The photoconversion resin composition comprising one or more selected from the group consisting of MgO and combinations thereof.
상기 양자점은 폴리에틸렌 글리콜계 리간드를 포함하는 것인 광변환 수지 조성물.The method of claim 1,
The quantum dot is a light conversion resin composition comprising a polyethylene glycol-based ligand.
상기 폴리에틸렌 글리콜계 리간드는 하기 화학식 10으로 표시되는 화합물을 포함하는 것인 광변환 수지 조성물:
[화학식 10]
(상기 화학식 10에서,
A1은 하기 화학식 10-1로 표시되며,
A2는 수소원자, 머캅토(
c는 2 내지 100의 정수이다)
[화학식 10-1]
(상기 화학식 10-1에서,
A3는 직접연결기 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬렌기이고,
A4는 하기 화학식 10-2로 표시되며,
*은 결합손을 의미한다)
[화학식 10-2]
(상기 화학식 10-2에서,
A5는 산소원자 또는 황원자이며,
A6는 직접연결기 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬렌기이고,
A7은 머캅토(
d는 0 내지 1의 정수이고,
e는 0 내지 10의 정수이며,
*은 결합손을 의미한다).The method of claim 11,
The polyethylene glycol-based ligand is a light conversion resin composition comprising a compound represented by the following formula (10):
[Formula 10]
(In Chemical Formula 10,
A 1 is represented by the following formula 10-1,
A 2 is a hydrogen atom, mercapto (
c is an integer from 2 to 100)
[Formula 10-1]
(In Chemical Formula 10-1,
A 3 is a direct linker or an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms,
A 4 is represented by the following Chemical Formula 10-2,
* Means combined hand)
[Formula 10-2]
(In Chemical Formula 10-2,
A 5 is an oxygen atom or a sulfur atom,
A 6 is a direct linker or an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms,
A 7 is mercapto
d is an integer of 0 to 1,
e is an integer from 0 to 10,
* Means combined hand).
상기 화학식 10으로 표시되는 화합물은 하기 화학식 11로 표시되는 화합물을 포함하는 것인 양자점-고분자 복합체 분산액:
[화학식 11]
(상기 화학식 11에서,
A2는 머캅토(
f는 0 내지 5의 정수, g는 0 내지 1의 정수, h는 2 내지 50 의 정수이다).The method of claim 12,
Compound represented by the formula (10) is a quantum dot-polymer complex dispersion comprising a compound represented by the formula (11):
[Formula 11]
(In Chemical Formula 11,
A 2 is mercapto
f is an integer of 0-5, g is an integer of 0-1, h is an integer of 2-50).
열경화성 화합물, 경화 촉진제, 용제 및 첨가제로 이루어진 군에서 선택되는 1 이상을 더 포함하는 것인 광변환 수지 조성물.The method of claim 1,
The photoconversion resin composition which further contains 1 or more selected from the group which consists of a thermosetting compound, a hardening accelerator, a solvent, and an additive.
상기 용제는 상기 광변환 수지 조성물 전체 100 중량부에 대하여 30 내지 90 중량부로 포함되는 것인 광변환 수지 조성물.The method of claim 14,
The solvent is contained in 30 to 90 parts by weight based on 100 parts by weight of the total photoconversion resin composition.
상기 용제는 비점이 100도 이상 240도 이하인 것인 광변환 수지 조성물.The method of claim 14,
The solvent is a light conversion resin composition having a boiling point of 100 degrees or more and 240 degrees or less.
상기 광변환 적층 기재의 소재가 유리인 것인 광변환 적층기재.The method of claim 17,
The photoconversion laminated substrate of which the material of the photoconversion laminated substrate is glass.
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