KR102168007B1

KR102168007B1 - 현상 방법 및 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체

Info

Publication number: KR102168007B1
Application number: KR1020150082587A
Authority: KR
Inventors: 히로후미 다케구치; 도모히로 이세키; 유이치 데라시타
Original assignee: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date: 2014-06-17
Filing date: 2015-06-11
Publication date: 2020-10-20
Also published as: US9952512B2; KR20150144703A; CN105278264B; TWI602034B; CN105278264A; TW201614395A; US20150362839A1; JP2016004894A; JP6148210B2

Abstract

본 발명의 과제는, CD 분포의 균일성이 충분히 높은 레지스트를 형성할 수 있는 현상 방법을 제공하는 것이다.
본 개시에 관한 현상 방법은, 기판 표면 상의 노광 후의 레지스트막을 현상하여 레지스트 패턴을 형성하기 위한 것이며, (A) 회전하는 기판을 향해 현상액을 공급하는 공정과, (B) 레지스트막과 현상액을 반응시키는 공정과, (C) 레지스트막과 현상액과의 반응을 정지시키기 위해 레지스트막 표면으로부터 현상액을 제거하는 공정을 이 순서로 구비하고, (A) 공정에 있어서, 현상액의 토출구와, 토출구로부터 횡방향으로 확대되고 또한 레지스트막과 대향하는 면을 갖는 접액 노즐을 사용함과 함께, (C) 공정에 있어서, 현상액이 제거된 레지스트막 표면의 반응 정지 영역과, 현상액과의 반응이 계속되고 있는 레지스트막 표면의 반응 진행 영역과의 경계를 레지스트막의 중심부로부터 주연부를 향해 이동시킨다.

Description

현상 방법 및 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체{DEVELOPING METHOD, AND COMPUTER READABLE STORAGE MEDIUM}

본 발명은, 노광 후의 레지스트막의 현상 방법, 현상 장치 및 당해 현상 장치에 사용되는 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체에 관한 것이다.

현재, 기판의 미세 가공을 행하는 데 있어서, 포토리소그래피 기술을 이용하여 요철 패턴을 기판(예를 들어, 반도체 웨이퍼) 상에 형성하는 것이 널리 행해지고 있다. 예를 들어, 반도체 웨이퍼 상에 레지스트 패턴을 형성하는 공정은, 반도체 웨이퍼의 표면에 레지스트막을 형성하는 것과, 이 레지스트막을 소정의 패턴을 따라 노광하는 것과, 노광 후의 레지스트막과 현상액을 반응시켜 현상하는 것을 포함한다.

지금까지 다양한 현상 기술이 개발되어 있다. 예를 들어, 특허문헌 1은 정지한 기판 상에 현상액으로 이루어지는 패들을 형성하는 현상 방식을 개시한다. 패들의 형성에는 장척의 토출구를 구비한 노즐이 사용되고, 토출구로부터 현상액을 토출하면서 노즐을 기판의 일단부로부터 타단부로 이동시킴으로써 기판 상의 레지스트막의 표면 전체에 현상액이 쌓인다. 이하, 편의상, 이 현상 방식을 「정지 현상 방식」이라 칭한다.

특허문헌 2는, 회전하는 기판에 대해 현상액을 공급하는 현상 방식을 개시한다. 노즐은 기판의 반경 방향으로 이동하면서, 그 토출구로부터 기판을 향해 현상액을 공급한다. 기판의 회전에 의한 원심력의 작용과, 현상액의 공급 위치의 이동에 의해, 레지스트막 상에 현상액의 액막이 형성된다. 이하, 편의상, 회전하는 기판에 대해 현상액을 공급하는 현상 방식을 「회전 현상 방식」이라 칭한다. 특허문헌 3은, 회전 현상 방식으로 분류되는 현상 방법의 일례를 개시한다. 즉, 특허문헌 3에 기재된 방법은, 웨이퍼에 대향 배치되는 하단부면을 갖는 노즐을 사용하는 것이며, 회전하는 웨이퍼와, 그 회전 중심을 포함하는 영역에 배치된 노즐의 하단부면의 간극을 액밀 상태로 하여 웨이퍼 상에 액이 공급되고, 그 액이 원심력에 의해 외측으로 확산된다.

일본 특허 제3614769호 공보 일본 특허 제4893799호 공보 일본 특허 공개 제2012-74589호 공보

그런데, 정지 현상 방식의 경우, 현상액으로 이루어지는 패들에 있어서 현상액의 대류가 발생하기 어려워, 레지스트막과 반응하여 반응성이 저하된 현상액이 그 자리에 머무르기 쉽기 때문에, 현상 처리에 비교적 긴 시간을 필요로 하는 점에 있어서 개선의 여지가 있었다. 한편, 회전 현상 방식의 경우, 공급된 현상액이 기판상을 흐르기 때문에, 액 흐름에 기인하여 레지스트의 미세 선 폭(Critical Dimension, 이하 「CD」라 함)이 불균일해지는 경우가 있는 점에 있어서 개선의 여지가 있었다.

본 발명은, CD 분포의 균일성이 충분히 높은 레지스트를 형성할 수 있는 현상 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한 본 발명은, 당해 현상 방법을 실시할 수 있는 현상 장치 및 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체를 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명에 관한 현상 방법은, 기판 표면 상의 노광 후의 레지스트막을 현상하여 레지스트 패턴을 형성하기 위한 것이며, (A) 수평하게 보유 지지된 상태에서 회전하는 기판을 향해 현상액을 공급함으로써 레지스트막의 표면 상에 현상액을 골고루 퍼지게 하는 공정과, (B) 레지스트막과 현상액을 반응시키는 공정과, (C) 레지스트막과 현상액과의 반응을 정지시키기 위해 레지스트막 표면으로부터 현상액을 제거하는 공정을 이 순서로 구비하고, (A) 공정에 있어서, 현상액의 토출구와 이 토출구로부터 횡방향으로 확대되고 또한 레지스트막과 대향 배치되는 하단부면을 갖는 접액 노즐을 사용하여, 레지스트막의 표면과 접액 노즐의 하단부면에 의해 형성되는 간극에 토출구로부터 현상액을 공급함과 함께, 회전하는 기판의 중심부로부터 주연부를 향해 접액 노즐을 이동시키고, (C) 공정에 있어서, 현상액이 제거된 레지스트막 표면의 반응 정지 영역과, 현상액과의 반응이 계속되고 있는 레지스트막 표면의 반응 진행 영역과의 경계를 레지스트막의 중심부로부터 주연부를 향해 이동시킨다.

상기 현상 방법의 (A) 공정에 있어서, 접액 노즐을 사용하고 또한 이 접액 노즐을 회전하는 기판의 중심부로부터 주연부를 향해 이동시킴으로써, 레지스트막 상에 현상액을 골고루 퍼지게 하는 속도를 충분히 제어할 수 있다. (B) 공정을 거친 후, (C) 공정에 있어서, 레지스트막 표면의 반응 정지 영역과, 레지스트막 표면의 반응 진행 영역과의 경계를 레지스트막의 중심부로부터 주연부를 향해 이동시킴으로써, 레지스트막의 중심부의 현상 시간과, 레지스트막의 주연부의 현상 시간과의 차를 작게 할 수 있다. 이에 의해, 현상 시간 차에 기인하는 CD 분포의 불균일성을 충분히 억제할 수 있다. 또한, 상기 현상 방법은, 공정 (A) 전, 각 공정 사이 및/또는 공정 (C) 후에 다른 공정을 구비해도 된다.

상기 (A) 공정에 있어서의 기판의 회전 속도는 저속(예를 들어 5∼100회전/분)인 것이 바람직하다. 이에 의해, 레지스트막 상에 현상액을 골고루 퍼지게 하는 속도를 보다 한층 정확하게 제어할 수 있다. 한편, 상기 (C) 공정에 있어서, 레지스트막의 중심부에 반응 정지 영역을 형성할 때의 기판의 회전 속도는 고속(예를 들어 1000∼5000회전/분)인 것이 바람직하고, 반응 정지 영역과 반응 진행 영역의 경계가 기판의 주연부의 방향으로 이동함에 따라 기판의 회전 속도를 저하시키는 것이 바람직하다. 기판을 고속으로 회전시킴으로써, 기판의 중심부에 있는 현상액을 외측으로 이동시키는 원심력을 발생시킬 수 있다. 그 후, 반응 정지 영역이 외측으로 확대됨에 따라 현상액에 가해지는 원심력은 커지기 때문에, 기판의 회전 속도를 당초의 속도보다도 낮게 해도 된다. 또한, 기판의 회전 속도를 연속적으로 낮게 해도 되고, 단계적으로 낮게 해도 된다.

상기 (A) 공정에 있어서 접액 노즐이 기판의 반경 방향으로 이동하는 속도는 5∼100㎜/초의 범위이며 또한 (C) 공정에 있어서 경계가 기판의 반경 방향으로 이동하는 속도는 5∼100㎜/초의 범위인 것이 바람직하다. 접액 노즐의 반경 방향의 이동 속도와 상기 경계의 반경 방향의 이동 속도를 가능한 한 가까운 속도로 함으로써, 레지스트막의 중심부의 현상 시간과, 레지스트막의 주연부의 현상 시간과의 차를 충분히 작게 할 수 있고, 이에 의해 레지스트막에 있어서의 CD 분포의 균일성을 보다 한층 향상시킬 수 있다.

상기 (C) 공정에 있어서, 반응 정지 영역을 형성하는 방법(레지스트막 표면의 중심부로부터 주연부를 향해 현상액을 제거하는 방법)으로서 이하의 것을 들 수 있다.

·레지스트막의 중심부를 향해 상방으로부터 건조용 가스를 공급한다.

·레지스트막의 중심부로부터 주연부를 향해 린스액을 공급한다.

·레지스트막의 중심부로부터 주연부를 향해 이동하는 흡인 노즐을 사용하여 레지스트막상의 현상액을 흡인한다.

이때, 린스액의 공급에 사용하는 노즐은, 통상의 노즐(예를 들어 스트레이트 노즐)을 사용해도 되고, 상술한 접액 노즐(린스액의 토출구와, 토출구로부터 횡방향으로 확대되고 또한 레지스트막과 대향 배치되는 하단부면을 갖는 노즐)을 사용해도 된다.

상기 (C) 공정에 있어서, 레지스트막의 중심부로부터 주연부를 향해 이동하는 노즐로부터 레지스트막 상에 현상액을 공급해도 된다. 이동하는 노즐로부터 레지스트막 표면에 현상액을 공급함으로써 반응 진행 영역에 있어서의 현상액의 건조를 방지할 수 있다. 이러한 노즐을 채용한 경우, 이 노즐의 위치를 반응 정지 영역과 반응 진행 영역과의 경계로 할 수 있다. 즉, 이 노즐의 이동 속도를 제어함으로써, 상기 경계의 이동 속도를 제어할 수 있다.

본 발명에 관한 현상 장치는, 기판 표면 상의 노광 후의 레지스트막을 현상하여 레지스트 패턴을 형성하기 위한 것이며, 기판을 보유 지지하고 또한 기판을 회전시키는 회전 보유 지지부와, 현상액의 토출구와 토출구로부터 횡방향으로 확대되고 또한 레지스트막과 대향 배치되는 하단부면을 갖고, 기판의 표면 상에 현상액을 공급하는 접액 노즐과, 기판의 상방으로부터 기판의 표면 상에 현상액을 보급하는 현상액 보급 노즐과, 접액 노즐 및 현상액 보급 노즐에 현상액을 공급하는 현상액 공급부와, 접액 노즐 및 현상액 보급 노즐을 이동시키는 구동부를 구비한다.

이러한 구성의 현상 장치에 따르면, 상기 현상 방법을 실시할 수 있다. 상기 현상 장치는, 접액 노즐에 린스액을 공급할 수 있도록 구성되어 있어도 된다. 이러한 구성에 의해, 상기 현상 방법에 있어서의 반응 정지 영역의 형성에 린스액을 사용할 수 있고, 그 공급에 접액 노즐을 이용할 수 있다.

본 발명에 관한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체는, 상술한 현상 방법을 현상 장치에 실행시키기 위한 프로그램을 기록하고 있다. 본 명세서에 있어서, 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체에는, 일시적이지 않은 유형의 매체(non-transitory computer recording medium)(예를 들어, 각종 주기억 장치 또는 보조 기억 장치)나, 전파 신호(transitory computer recording medium)(예를 들어, 네트워크를 통해 제공 가능한 데이터 신호)가 포함된다.

본 발명에 따르면, CD 분포의 균일성이 충분히 높은 레지스트를 형성할 수 있는 현상 방법과, 이 현상 방법을 실시할 수 있는 현상 장치와, 당해 현상 장치에 사용되는 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체가 제공된다.

도 1은 기판 처리 시스템을 나타내는 사시도이다.
도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ선 단면도이다.
도 3은 도 2의 Ⅲ-Ⅲ선 단면도이다.
도 4는 현상 유닛(현상 장치)의 개략 구성을 나타내는 단면도이다.
도 5는 레지스트막에 대향 배치되는 하단부면을 갖는 접액 노즐을 모식적으로 나타내는 사시도이다.
도 6은 접액 노즐의 토출구로부터 현상액을 레지스트막 상에 공급하고 있는 모습을 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 7의 (a)∼(c)는, 접액 노즐에 의해 레지스트막의 표면 상에 현상액을 골고루 퍼지게 하는 과정을 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 8의 (a)∼(c)는, 레지스트막 표면으로부터 현상액을 제거하는 과정을 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 9의 (a)는 (A) 공정으로부터 (C) 공정까지의 동안의 기판 회전수를 모식적으로 나타내는 타임차트이며, (b)는 종래의 스핀 코트법에 있어서의 기판 회전수를 모식적으로 나타내는 타임차트이다.
도 10의 (a)는 본 실시 형태에 관한 현상 방법에 의해 형성된 레지스트의 면내 CD 분포의 일례를 나타내고, (b)는 종래의 스핀 코트법에 의해 형성된 레지스트의 면내 CD 분포의 일례를 나타낸다.
도 11의 (a)∼(e)는, 린스액 공급 노즐을 사용하여, 레지스트막 표면으로부터 현상액을 제거하는 과정을 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 12의 (a)∼(d)는, 흡인 노즐을 사용하여, 레지스트막 표면으로부터 현상액을 제거하는 과정을 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 13은 (C) 공정에 있어서의 린스액의 공급을 접액 노즐을 사용하여 실시하는 모습을 모식적으로 나타내는 단면도이다.

본 발명의 실시 형태에 대해 도면을 참조하여 설명하지만, 이하의 본 실시 형태는, 본 발명을 설명하기 위한 예시이며, 본 발명을 이하의 내용에 한정하는 취지는 아니다. 설명에 있어서, 동일 요소 또는 동일 기능을 갖는 요소에는 동일 부호를 사용하는 것으로 하고, 중복되는 설명은 생략한다.

<기판 처리 시스템>

기판 처리 시스템(1)은, 도포·현상 장치(2)와 노광 장치(3)를 구비한다. 노광 장치(3)는, 레지스트막의 노광 처리를 행한다. 구체적으로는, 액침 노광 등의 방법에 의해 레지스트막(감광성 피막)의 노광 대상 부분에 에너지선을 조사한다. 에너지선으로서는, 예를 들어 ArF 엑시머 레이저, KrF 엑시머 레이저, g선, i선 또는 극단 자외선(EUV:Extreme Ultraviolet)을 들 수 있다.

도포·현상 장치(2)는, 노광 장치(3)에 의한 노광 처리 전에, 웨이퍼(W)(기판)의 표면에 레지스트막을 형성하는 처리를 행하고, 노광 처리 후에 레지스트막의 현상 처리를 행한다. 본 실시 형태에 있어서, 웨이퍼(W)는 원판 형상을 나타내지만, 원형의 일부가 절결되어 있거나, 다각형 등의 원형 이외의 형상을 나타내는 웨이퍼를 사용해도 된다. 웨이퍼(W)는, 예를 들어, 반도체 기판, 글래스 기판, 마스크 기판, FPD(Flat Panel Display) 기판 그 밖의 각종 기판이어도 된다.

도 1∼도 3에 나타내는 바와 같이, 도포·현상 장치(2)는, 캐리어 블록(4)과, 처리 블록(5)과, 인터페이스 블록(6)을 구비한다. 캐리어 블록(4), 처리 블록(5) 및 인터페이스 블록(6)은, 수평 방향으로 배열되어 있다.

캐리어 블록(4)은, 캐리어 스테이션(12)과 반입·반출부(13)를 갖는다. 반입·반출부(13)는, 캐리어 스테이션(12)과 처리 블록(5) 사이에 개재한다. 캐리어 스테이션(12)은, 복수의 캐리어(11)를 지지한다. 캐리어(11)는, 예를 들어 원형의 복수매의 웨이퍼(W)를 밀봉 상태로 수용하고, 웨이퍼(W)를 출납하기 위한 개폐 도어(도시하지 않음)를 한쪽의 측면(11a)측에 갖는다(도 3 참조). 캐리어(11)는, 측면(11a)이 반입·반출부(13)측에 면하도록, 캐리어 스테이션(12) 상에 착탈 가능하게 설치된다. 반입·반출부(13)는, 캐리어 스테이션(12) 상의 복수의 캐리어(11)에 각각 대응하는 복수의 개폐 도어(13a)를 갖는다. 측면(11a)의 개폐 도어와 개폐 도어(13a)를 동시에 개방함으로써, 캐리어(11) 내와 반입·반출부(13) 내가 연통된다. 반입·반출부(13)는 전달 아암(A1)을 내장하고 있다. 전달 아암(A1)은, 캐리어(11)로부터 웨이퍼(W)를 취출하여 처리 블록(5)에 전달하고, 처리 블록(5)으로부터 웨이퍼(W)를 수취하여 캐리어(11) 내로 복귀시킨다.

처리 블록(5)은, 하층막 형성(BCT) 모듈(14)과, 레지스트막 형성(COT) 모듈(15)과, 상층막 형성(TCT) 모듈(16)과, 현상 처리(DEV) 모듈(17)을 갖는다. 이들 모듈은, 바닥면측으로부터 DEV 모듈(17), BCT 모듈(14), COT 모듈(15), TCT 모듈(16)의 순서로 배열되어 있다.

BCT 모듈(14)은, 웨이퍼(W)의 표면 상에 하층막을 형성하도록 구성되어 있다. BCT 모듈(14)은, 복수의 도포 유닛(도시하지 않음)과, 복수의 열처리 유닛(도시하지 않음)과, 이들 유닛에 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 아암(A2)을 내장하고 있다. 도포 유닛은, 하층막 형성용의 처리액을 웨이퍼(W)의 표면에 도포하도록 구성되어 있다. 열처리 유닛은, 예를 들어 열판에 의해 웨이퍼(W)를 가열하고, 가열 후의 웨이퍼(W)를 예를 들어 냉각판에 의해 냉각하여 열처리를 행하도록 구성되어 있다. BCT 모듈(14)에 있어서 행해지는 열처리의 구체예로서는, 하층막을 경화시키기 위한 가열 처리를 들 수 있다.

COT 모듈(15)은, 하층막 상에 열경화성 또한 감광성의 레지스트막을 형성하도록 구성되어 있다. COT 모듈(15)은, 복수의 도포 유닛(도시하지 않음)과, 복수의 열처리 유닛(도시하지 않음)과, 이들 유닛에 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 아암(A3)을 내장하고 있다. 도포 유닛은, 레지스트막 형성용의 처리액(레지스트제)을 하층막의 위에 도포하도록 구성되어 있다. 열처리 유닛은, 예를 들어 열판에 의해 웨이퍼(W)를 가열하고, 가열 후의 웨이퍼(W)를 예를 들어 냉각판에 의해 냉각하여 열처리를 행하도록 구성되어 있다. COT 모듈(15)에 있어서 행해지는 열처리의 구체예로서는, 레지스트막을 경화시키기 위한 가열 처리(PAB:Pre Applied Bake)를 들 수 있다.

TCT 모듈(16)은, 레지스트막 상에 상층막을 형성하도록 구성되어 있다. TCT 모듈(16)은, 복수의 도포 유닛(도시하지 않음)과, 복수의 열처리 유닛(도시하지 않음)과, 이들 유닛에 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 아암(A4)을 내장하고 있다. 도포 유닛은, 상층막 형성용의 처리액을 웨이퍼(W)의 표면에 도포하도록 구성되어 있다. 열처리 유닛은, 예를 들어 열판에 의해 웨이퍼(W)를 가열하고, 가열 후의 웨이퍼(W)를 예를 들어 냉각판에 의해 냉각하여 열처리를 행하도록 구성되어 있다. TCT 모듈(16)에 있어서 행해지는 열처리의 구체예로서는, 상층막을 경화시키기 위한 가열 처리를 들 수 있다.

DEV 모듈(17)은, 노광된 레지스트막의 현상 처리를 행하도록 구성되어 있다. DEV 모듈(17)은, 복수의 현상 유닛(현상 장치)(U1)과, 복수의 열처리 유닛(U2)과, 이들 유닛에 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 아암(A5)과, 이들 유닛을 거치지 않고 웨이퍼(W)를 반송하는 직접 반송 아암(A6)을 내장하고 있다(도 2, 3 참조). 현상 유닛(U1)은, 레지스트막을 부분적으로 제거하여 레지스트 패턴을 형성하도록 구성되어 있다. 열처리 유닛(U2)은, 예를 들어 열판에 의해 웨이퍼(W)를 가열하고, 가열 후의 웨이퍼(W)를 예를 들어 냉각판에 의해 냉각하여 열처리를 행한다. DEV 모듈(17)에 있어서 행해지는 열처리의 구체예로서는, 현상 처리 전의 가열 처리(PEB:Post Exposure Bake), 현상 처리 후의 가열 처리(PB:Post Bake) 등을 들 수 있다.

처리 블록(5) 내에 있어서의 캐리어 블록(4)측에는 선반 유닛(U10)이 설치되어 있다. 선반 유닛(U10)은, 바닥면으로부터 TCT 모듈(16)에 걸치도록 설치되어 있고, 상하 방향으로 배열되는 복수의 셀로 구획되어 있다. 선반 유닛(U10)의 근방에는 승강 아암(A7)이 설치되어 있다. 승강 아암(A7)은, 선반 유닛(U10)의 셀끼리의 사이에서 웨이퍼(W)를 승강시킨다.

처리 블록(5) 내에 있어서의 인터페이스 블록(6)측에는 선반 유닛(U11)이 설치되어 있다. 선반 유닛(U11)은 바닥면으로부터 DEV 모듈(17)의 상부에 걸치도록 설치되어 있고, 상하 방향으로 배열되는 복수의 셀로 구획되어 있다.

인터페이스 블록(6)은, 전달 아암(A8)을 내장하고 있고, 노광 장치(3)에 접속된다. 전달 아암(A8)은, 선반 유닛(U11)의 웨이퍼(W)를 취출하여 노광 장치(3)에 전달하고, 노광 장치(3)로부터 웨이퍼(W)를 수취하여 선반 유닛(U11)으로 복귀시키도록 구성되어 있다.

<현상 유닛>

계속해서, 도 4∼도 6을 참조하여, 현상 유닛(현상 장치)(U1)에 대해 더욱 상세하게 설명한다. 현상 유닛(U1)은, 도 4에 나타내어지는 바와 같이, 회전 보유 지지부(20)와, 구동부(30)와, 현상액 공급부(40)와, 건조 가스 공급부(50)와, 제어부(100)를 구비한다.

회전 보유 지지부(20)는, 회전부(21)와, 보유 지지부(23)를 갖는다. 회전부(21)는, 상방으로 돌출된 샤프트(22)를 갖는다. 회전부(21)는, 예를 들어 전동 모터 등을 동력원으로 하여 샤프트(22)를 회전시킨다. 보유 지지부(23)는, 샤프트(22)의 선단부에 설치되어 있다. 보유 지지부(23) 상에는, 표면(Wa) 상에 노광 후의 레지스트막(R)이 형성된 웨이퍼(W)가 수평하게 배치된다. 보유 지지부(23)는, 예를 들어 흡착 등에 의해 웨이퍼(W)를 대략 수평하게 보유 지지한다. 즉, 회전 보유 지지부(20)는, 웨이퍼(W)의 자세가 대략 수평한 상태에서, 웨이퍼(W)의 표면에 대해 수직한 축(회전축) 주위로 웨이퍼(W)를 회전시킨다. 본 실시 형태에서는, 회전축은, 원 형상을 나타내는 웨이퍼(W)의 중심을 통과하고 있으므로, 중심축이기도 하다. 본 실시 형태에서는, 도 4에 나타내어지는 바와 같이, 회전 보유 지지부(20)는, 상방으로부터 보아 시계 방향으로 웨이퍼(W)를 회전시킨다.

구동부(30)는, 접액 노즐(N1)과 가스 분사 노즐(N2)을 각각 독립하여 구동하도록 구성되어 있다. 구동부(30)는, 가이드 레일(31)과, 슬라이드 블록(32, 33)과, 아암(34, 35)을 갖는다. 가이드 레일(31)은, 회전 보유 지지부(20)[웨이퍼(W)]의 상방에 있어서 수평 방향을 따라 연장되어 있다. 슬라이드 블록(32, 33)은, 가이드 레일(31)을 따라 수평 방향으로 이동 가능해지도록, 가이드 레일(31)에 각각 접속되어 있다. 아암(34)은, 상하 방향으로 이동 가능해지도록, 슬라이드 블록(32)에 접속되어 있다. 아암(35)은, 상하 방향으로 이동 가능해지도록, 슬라이드 블록(33)에 접속되어 있다. 아암(34)의 하단부에는 접액 노즐(N1)이 접속되고, 아암(35)의 하단부에는 가스 분사 노즐(N2)이 접속되어 있다. 구동부(30)는, 예를 들어 전동 모터 등을 동력원으로 하여, 슬라이드 블록(32, 33) 및 아암(34, 35)을 이동시키고, 이것에 수반하여 접액 노즐(N1) 및 가스 분사 노즐(N2)을 이동시킨다. 평면에서 볼 때, 접액 노즐(N1)은, 현상액의 토출시에 있어서, 웨이퍼(W)의 회전축에 직교하는 직선 상을 웨이퍼(W)의 직경 방향을 따라 이동한다. 한편, 가스 분사 노즐(N2)은 웨이퍼(W)의 중심부에 배치된 후, 가스 분사시에 있어서는 이동하는 일 없이, 그 위치에 머물러도 된다.

현상액 공급부(40)는, 현상액 저류부(41)와, 접액 노즐(N1)과, 공급관(42)과, 펌프(43)와, 밸브(44)를 갖는다. 현상액 저류부(41)는 현상액(L1)(도 6 참조)을 저류한다. 현상액은 포지티브형 포토레지스트용과, 네거티브형 포토레지스트용으로 구별되고, 레지스트막(R)의 종류에 따라 적절히 선택하면 된다. 포지티브형 포토레지스트용 현상액으로서 알칼리 수용액을 들 수 있고, 그 알칼리 성분으로서 테트라메틸암모늄하이드록사이드(TMAH)를 들 수 있다. 네거티브형 포토레지스트용 현상액으로서 유기 용제를 들 수 있다.

접액 노즐(N1)은, 보유 지지부(23)에 보유 지지된 웨이퍼(W)의 상방에 배치된다. 도 5는 접액 노즐(N1)의 일례를 나타내는 사시도이다. 접액 노즐(N1)의 토출구(N1a)는 연직 하방을 향해 있다. 토출구(N1a)의 단면 형상은 예를 들어 원형이면 되고, 그 직경은 바람직하게는 1∼8㎜ 정도이며, 보다 바람직하게는 3∼5㎜ 정도이다. 접액 노즐(N1)은, 도 5에 나타내어지는 바와 같이, 토출구(N1a)로부터 횡방향으로 확대되는 하단부면(N1b)을 갖는다. 하단부면(N1b)의 형상은 예를 들어 원형이면 되고, 그 직경은 바람직하게는 20∼150㎜ 정도이며, 보다 바람직하게는 30∼50㎜ 정도이다. 접액 노즐(N1)은, 공급관(42)에 의해 현상액 저류부(41)에 접속되어 있고, 현상액 저류부(41)로부터 공급된 현상액(L1)을 하방으로 토출하여 표면(Wa) 상에 공급한다. 또한, 도 4에는 도시하지 않지만, 현상액 공급부(40)는, 접액 노즐(N1) 외에 레지스트막(R)의 표면에 현상액을 공급하기 위한 스트레이트 노즐(N3)(현상액 보급 노즐)을 갖는다(도 8 참조). 이 스트레이트 노즐(N3)은 반응 진행 영역(R2)을 보다 확실하게 형성하기 위한 것이다.

펌프(43)는, 공급관(42)의 도중에 설치되고, 현상액 저류부(41)로부터 접액 노즐(N1)에 현상액(L1)을 압송한다. 밸브(44)는, 공급관(42)에 있어서 접액 노즐(N1)과 펌프(43) 사이에 설치되어 있다. 밸브(44)는, 접액 노즐(N1)로부터의 현상액(L1)의 토출을 개시 또는 정지시킨다.

건조 가스 공급부(50)는, 가스원(51)과, 가스 분사 노즐(N2)과, 공급관(52)과, 유량 컨트롤러(53)와, 밸브(54)를 갖는다. 건조용 가스로서는, 예를 들어 질소 가스, 드라이 에어를 들 수 있다. 가스원(51)으로서는, 건조용 가스를 수용한 봄베, 건조용 가스를 이송하는 배관 등을 들 수 있다. 가스 분사 노즐(N2)의 토출구(N2a)는 연직 하방을 향해 있다. 가스 분사 노즐(N2)은, 공급관(52)에 의해 가스원(51)에 접속되어 있고, 가스원(51)으로부터 공급된 건조용 가스를 하방으로 분사한다. 분사된 건조용 가스는 그 기세에 의해 표면(Wa) 상의 현상액(L1)을 웨이퍼(W)의 주연부의 방향으로 흘러가게 함과 함께, 레지스트막(R)의 표면에 잔존하는 현상액을 건조시킨다. 이에 의해, 레지스트막(R)의 중심부를 기점으로 하여 주연부를 향해 반응 정지 영역(R1)을 확대시킬 수 있다.

<현상 방법>

현상 유닛(U1)을 사용하여, 노광 처리 후의 레지스트막(R)을 현상 처리하는 방법에 대해 설명한다. 본 실시 형태에 관한 현상 방법은, 웨이퍼(W) 상의 노광 후의 레지스트막(R)을 현상하여 레지스트 패턴을 형성하기 위한 것이며, 이하의 공정을 그 순서로 구비한다.

(A) 웨이퍼(W)를 향해 현상액(L1)을 공급함으로써 레지스트막(R)의 표면 상에 현상액(L1)을 골고루 퍼지게 하는 공정[도 7의 (a) 및 (b) 참조].

(B) 레지스트막(R)과 현상액(L1)을 반응시키는 공정[도 7의 (c) 참조].

(C) 레지스트막(R)과 현상액(L1)과의 반응을 정지시키기 위해 레지스트막(R)의 표면으로부터 현상액(L1)을 제거하는 공정(도 8 참조).

(A) 공정에 있어서는 접액 노즐(N1)을 사용한다. 도 6에 나타내는 바와 같이, 레지스트막(R)의 표면과 하단부면(N1b)에 의해 형성되는 간극 G에 토출구(N1a)로부터 현상액(L1)을 공급함과 함께, 회전하는 웨이퍼(W)의 중심부로부터 주연부를 향해 접액 노즐을 이동시킨다[도 6 및 도 7의 (a)에 있어서의 화살표 D1 참조].

(A) 공정에 있어서의 웨이퍼(W)의 회전 속도는, 저속으로 하는 것이 바람직하다[도 9의 (a) 참조]. (A) 공정에 있어서의 웨이퍼(W)의 회전 속도는, 바람직하게는 5∼100회전/분이며, 보다 바람직하게는 10∼50회전/분이며, 더욱 바람직하게는 20∼40회전/분이다. 웨이퍼(W)의 회전수를 5회전/분 이상으로 함으로써, 충분히 단시간 내에 레지스트막(R) 상에 현상액(L1)을 골고루 퍼지게 할 수 있다. 한편, 웨이퍼(W)의 회전수를 100회전/분 이하로 함으로써, 접액 노즐(N1)로부터 공급된 현상액(L1)이 레지스트막(R)의 표면에 있어서 원심력에 의해 웨이퍼(W)의 주연측으로 흘러 나오는 것을 충분히 억제할 수 있고, 이에 의해 레지스트막(R) 상에 현상액을 골고루 퍼지게 하는 속도를 보다 한층 정확하게 제어할 수 있다.

(A) 공정 후, 웨이퍼(W)를 0∼100회전/분 정도로 회전시키면서, (B) 공정을 실시한다. (B) 공정의 시간은 바람직하게는 10∼120초이며, 보다 바람직하게는 20∼60초이다. 또한, (B) 공정은, 웨이퍼(W)를 정지한 상태에서 실시해도 된다.

(C) 공정에 있어서, 현상액(L1)이 제거된 레지스트막(R) 표면의 반응 정지 영역(R1)과, 현상액(L1)과의 반응이 계속되고 있는 레지스트막(R) 표면의 반응 진행 영역(R2)과의 경계(B)를 레지스트막(R)의 중심부로부터 주연부를 향해 이동시킨다(도 8 참조).

레지스트막(R) 표면의 반응 진행 영역(R2)과의 경계(B)의 이동 속도를 제어함으로써, 레지스트막(R)의 중심부와 주연부와의 반응 시간의 차를 충분히 작게 할 수 있다. 즉, 레지스트막(R)의 표면 상에 현상액을 골고루 퍼지게 할 때에는, 레지스트막(R)의 중심부로부터 현상액의 공급을 개시하고, 그 후, 접액 노즐(N1)을 웨이퍼(W)의 직경 방향으로 이동시킴으로써 레지스트막(R)의 주연부에 현상액이 공급된다. 따라서, 레지스트막(R)의 표면의 현상액을 단번에 제거해 버리면, 레지스트막(R)의 중심부는 반응 시간이 길고, 주연부는 이것 보다도 반응 시간이 짧아진다. 이 반응 시간의 차는 면내 CD의 불균일성을 초래한다. 이 과제에 대해, 상술한 바와 같이, 경계(B)의 이동 속도를 제어함으로써, 레지스트막(R)의 중심부와 주연부와의 반응 시간의 차를 충분히 작게 할 수 있고, 나아가서는, 면내 CD의 균일성을 향상시킬 수 있다.

(C) 공정에 있어서는, 우선, 도 8의 (a)에 나타내는 바와 같이, 레지스트막(R)의 중심부에 반응 정지 영역(R1)을 형성한다. 그로 인해, (B) 공정의 종료 후, 우선 레지스트막(R)의 중심부를 향해 가스 분사 노즐(N2)로부터 건조용 가스를 분사한다. 건조용 가스의 분사를 계속한 상태에서 웨이퍼(W)의 회전 속도를 고속으로 한다. 이때의 웨이퍼(W)의 회전 속도는, 바람직하게는 1000∼5000회전/분이며, 보다 바람직하게는 1500∼4500회전/분이며, 더욱 바람직하게는 2000∼4000회전/분이다. 웨이퍼(W)의 회전수를 1000회전/분 이상으로 함으로써, 레지스트막(R)의 중심부에 있는 반응 정지 영역(R1)의 경계(B)를 주연부 방향으로 확실하게 이동시킬 수 있다. 한편, 웨이퍼(W)의 회전수를 5000회전/분 이하로 함으로써, 반응 진행 영역(R2)에 있어서 레지스트막(R)과 현상액과의 반응을 충분히 진행시킬 수 있다.

(C) 공정의 초기 단계에 있어서, 웨이퍼(W)를 고속으로 회전시킴으로써, 레지스트막(R)의 중심부에 있는 현상액(L1)을 외측으로 이동시키는 원심력을 발생시킬 수 있다. 그 후, 반응 정지 영역(R1)이 외측으로 확대됨에 따라 현상액(L1)에 가해지는 원심력은 커지기 때문에, 웨이퍼(W)의 회전 속도를 낮게 해도 된다. 또한, 웨이퍼(W)의 회전 속도를 연속적으로 낮게 해도 되고, 단계적으로 낮게 해도 된다. 경계(B)가 웨이퍼(W)의 주연부에 도달할 때의 웨이퍼(W)의 회전 속도는 500∼2000회전/분(보다 바람직하게는 500∼1000회전/분) 정도로 하면 된다.

(C) 공정에 있어서의 건조용 가스의 분사량은 1∼10N㎥/분(보다 바람직하게는 2∼8N㎥/분) 정도로 하면 된다. (C) 공정의 전체에 걸쳐 건조용 가스의 분사량은 일정해도 되고, 경계(B)가 외측으로 이동하는 것에 수반하여, 분사량을 연속적 또는 단계적으로 증가시켜도 된다.

본 실시 형태의 (C) 공정에 있어서, 스트레이트 노즐(N3)을 웨이퍼(W)의 중심부로부터 주연부를 향해 이동시키면서, 스트레이트 노즐(N3)로부터 레지스트막(R) 상에 현상액(L1)을 공급한다. 이동하는 스트레이트 노즐(N3)로부터 레지스트막(R) 표면에 현상액을 공급함으로써 반응 진행 영역(R2)에 있어서의 현상액(L1)의 건조를 방지할 수 있다. 바꾸어 말하면, 스트레이트 노즐(N3)로부터 현상액(L1)이 공급되는 위치가 반응 정지 영역(R1)과 반응 진행 영역(R2)과의 경계(B)로 된다. 즉, 스트레이트 노즐(N3)의 이동 속도를 제어함으로써, 경계(B)의 이동 속도를 제어할 수 있다.

또한, 현상 유닛(U1)이 구비하는 제어부(100)는, 회전 보유 지지부(20), 접액 노즐(N1), 구동부(30) 및 현상액 공급부(40) 등을 제어하고, (A) 공정, (B) 공정 및 (C) 공정을 이 순서로 실행한다. 제어부(100)는, (A) 공정에 있어서 레지스트막(R)의 표면과 접액 노즐(N1)의 하단부면(N1b)에 의해 형성되는 간극 G에 토출구(N1a)로부터 현상액(L1)이 공급됨과 함께, 회전하는 웨이퍼(W)의 중심부로부터 주연부를 향해 접액 노즐(N1)이 이동하도록 현상 유닛(U1)을 제어한다. 또한, 제어부(100)는, (C) 공정에 있어서 현상액(L1)이 제거된 레지스트막(R) 표면의 반응 정지 영역(R1)과, 현상액(L1)과의 반응이 계속되고 있는 레지스트막(R) 표면의 반응 진행 영역(R2)과의 경계(B)가 레지스트막(R)의 중심부로부터 주연부를 향해 이동하도록 현상 유닛(U1)을 제어한다.

도 10의 (a)는 상기 현상 방법에 의해 형성된 레지스트의 면내 CD 분포의 일례(실시예)를 나타낸다. 이 실시예에 있어서의 레지스트의 면내 CD의 3σ는 0.64nm였다. 한편, 도 10의 (b)는 종래의 스핀 코트법에 의해 레지스트막에 현상액을 공급함으로써 형성된 레지스트의 면내 CD 분포의 일례(비교예)를 나타낸다. 이 비교예에 있어서의 레지스트의 면내 CD의 3σ는 1.27nm였다. 종래의 스핀 코트법에서는, 도 10의 (b)에 나타내는 바와 같이, 액 흐름에 기인한다고 추정되는 특징적인 CD 분포, 즉 웨이퍼(W)의 중심부로부터 방사상으로 연장되는 복수의 라인이 인정되는 것에 반해, 실시예에 관한 현상 방법에 의하면, 이 특징적인 CD 분포가 개선되어 있다. 또한, 이들 면내 CD의 값은, 측장 SEM(가부시키가이샤　히다치 하이테크놀로지즈제)을 사용하여 측정하였다.

이상, 본 발명의 실시 형태에 대해 상세하게 설명하였지만, 본 발명의 요지의 범위 내에서 다양한 변형을 상기한 실시 형태에 더해도 된다. 예를 들어, 상기 실시 형태에 있어서는, (C) 공정에 있어서 가스 분사 노즐(N2)을 사용하여 반응 정지 영역(R1)을 형성하는 경우를 예시하였지만, 가스 분사 노즐을 사용하는 일 없이, 웨이퍼(W)의 회전에 의한 원심력에 의해 레지스트막(R)의 중심부에 반응 정지 영역(R1)을 형성해도 된다. 이 경우도 스트레이트 노즐(N3)을 웨이퍼(W)의 중심부로부터 주연부를 향해 이동시키면서, 스트레이트 노즐(N3)로부터 레지스트막(R) 상에 현상액(L1)을 공급하면 된다. 또한, 상기 실시 형태의 (C) 공정에 있어서 가스 분사 노즐(N2)로부터 건조용 가스를 분사하는 대신에, 린스액(L2)을 레지스트막(R)에 공급함으로써 반응 정지 영역(R1)을 형성해도 된다. 린스액(L2)으로서는, 예를 들어 순수(純水), 계면 활성제를 함유하는 수용액 등을 들 수 있다. 도 11에 나타내는 바와 같이, 레지스트막(R)의 중심부이며 그 상방에 배치된 린스액 공급 노즐(N4)로부터 린스액(L2)을 공급함과 함께, 스트레이트 노즐(N3)을 중심부로부터 주연부의 방향으로 이동시키면서 스트레이트 노즐(N3)로부터 레지스트막(R) 상에 현상액(L1)을 공급하면 된다.

혹은, 도 12에 나타내는 바와 같이, 레지스트막(R)의 중심부이며 그 상방에 배치된 흡인 노즐(N5)에 의해 레지스트막(R) 상의 현상액을 흡인해도 된다. 이 경우, 흡인 노즐(N5)을 중심부로부터 주연부의 방향(도 12의 화살표 D1의 방향)으로 이동시킴과 함께, 스트레이트 노즐(N3)을 중심부로부터 주연부의 방향(도 12의 화살표 D2의 방향)으로 이동시키면서 스트레이트 노즐(N3)로부터 레지스트막(R) 상에 현상액(L1)을 공급해도 된다. 흡인 노즐(N5)과 스트레이트 노즐(N3)을 서로 다른 방향으로 이동시킴으로써, 스트레이트 노즐(N3)로부터 토출된 현상액이 그대로 흡인 노즐(N5)에 의해 흡인되는 것을 방지할 수 있다.

도 11에 나타낸 예에서는, (C) 공정에 있어서, 레지스트막(R) 상에 린스액(L2)을 공급하는 노즐로서, 스트레이트 노즐인 린스액 공급 노즐(N4)을 사용하는 경우를 예시하였지만, 스트레이트 노즐 대신에 접액 노즐을 사용해도 된다. 도 13은, 상기 실시 형태의 (C) 공정의 변형예를 나타내는 도면이며, 레지스트막(R) 상에 접액 노즐(N1)을 사용하여 린스액(L2)을 공급하는 모습을 나타낸 것이다.

또한, 상기 실시 형태 및 그 변형예에서는, (C) 공정에 있어서 레지스트막(R) 상에 현상액(L1)을 공급함으로써 경계(B)의 이동을 제어하는 경우를 예시하였지만, 현상액(L1)의 점도 등에 따라서는 예를 들어 웨이퍼(W)의 회전 속도를 조절함으로써 경계(B)의 이동 속도를 충분히 제어할 수 있는 경우도 있고, 이러한 경우에는 (C) 공정에 있어서 레지스트막(R) 상에 현상액(L1)을 공급하지 않아도 된다.

상술한 실시 형태 및 그 변형예에 따르면, (A) 공정에 있어서 레지스트막(R)의 표면에 현상액의 위치 및 속도를 제어함과 함께, (C) 공정에 있어서 레지스트막(R)의 표면으로부터 현상액을 제거하는 위치 및 속도를 제어함으로써, CD 분포의 균일성이 충분히 우수한 레지스트를 형성할 수 있다.

1 : 기판 처리 시스템
2 : 도포·현상 장치
20 : 회전 보유 지지부
30 : 구동부
40 : 현상액 공급부
50 : 건조 가스 공급부
51 : 가스원
100 : 제어부
B : 경계
G : 간극
L1 : 현상액
L2 : 린스액
N1 : 접액 노즐
N1a : 토출구
N1b : 하단부면
N2 : 가스 분사 노즐
N2a : 토출구
N3 : 스트레이트 노즐(현상액 보급 노즐)
N4 : 린스액 공급 노즐
N5 : 흡인 노즐
R : 레지스트막
R1 : 반응 정지 영역
R2 : 반응 진행 영역
U1 : 현상 유닛(현상 장치)
W : 웨이퍼(기판)
Wa : 표면.

Claims

기판 표면 상의 노광 후의 레지스트막을 현상하여 레지스트 패턴을 형성하는 현상 방법이며,
(A) 수평하게 보유 지지된 상태에서 회전하는 상기 기판을 향해 현상액을 공급함으로써 상기 레지스트막의 표면 상에 상기 현상액을 골고루 퍼지게 하는 공정과,
(B) 상기 레지스트막과 상기 현상액을 반응시키는 공정과,
(C) 상기 레지스트막과 상기 현상액과의 반응을 정지시키기 위해 상기 레지스트막 표면으로부터 상기 현상액을 제거하는 공정을 이 순서로 구비하고,
상기 (A) 공정에 있어서,
상기 현상액의 토출구와, 상기 토출구로부터 횡방향으로 확대되고 또한 상기 레지스트막과 대향 배치되는 하단부면을 갖는 접액 노즐을 사용하고,
상기 레지스트막의 표면과 상기 하단부면에 의해 형성되는 간극에 상기 토출구로부터 상기 현상액을 공급함과 함께, 회전하는 상기 기판의 중심부로부터 주연부를 향해 상기 접액 노즐을 이동시키고,
상기 (C) 공정에 있어서,
상기 현상액이 제거된 상기 레지스트막 표면의 반응 정지 영역과, 상기 현상액과의 반응이 계속되고 있는 상기 레지스트막 표면의 반응 진행 영역과의 경계를 상기 레지스트막의 중심부로부터 주연부를 향해 이동시키고,
상기 (C) 공정에 있어서, 상기 레지스트막의 중심부에 상기 반응 정지 영역을 형성할 때의 상기 기판의 회전 속도를 1000∼5000회전/분으로 하고, 상기 경계가 상기 기판의 주연부의 방향으로 이동함에 따라 상기 기판의 회전 속도를 낮게 하는, 현상 방법.
기판 표면 상의 노광 후의 레지스트막을 현상하여 레지스트 패턴을 형성하는 현상 방법이며,
(A) 수평하게 보유 지지된 상태에서 회전하는 상기 기판을 향해 현상액을 공급함으로써 상기 레지스트막의 표면 상에 상기 현상액을 골고루 퍼지게 하는 공정과,
(B) 상기 레지스트막과 상기 현상액을 반응시키는 공정과,
(C) 상기 레지스트막과 상기 현상액과의 반응을 정지시키기 위해 상기 레지스트막 표면으로부터 상기 현상액을 제거하는 공정을 이 순서로 구비하고,
상기 (A) 공정에 있어서,
상기 현상액의 토출구와, 상기 토출구로부터 횡방향으로 확대되고 또한 상기 레지스트막과 대향 배치되는 하단부면을 갖는 접액 노즐을 사용하고,
상기 레지스트막의 표면과 상기 하단부면에 의해 형성되는 간극에 상기 토출구로부터 상기 현상액을 공급함과 함께, 회전하는 상기 기판의 중심부로부터 주연부를 향해 상기 접액 노즐을 이동시키고,
상기 (C) 공정에 있어서,
상기 현상액이 제거된 상기 레지스트막 표면의 반응 정지 영역과, 상기 현상액과의 반응이 계속되고 있는 상기 레지스트막 표면의 반응 진행 영역과의 경계를 상기 레지스트막의 중심부로부터 주연부를 향해 이동시키고,
상기 (C) 공정에 있어서, 상기 레지스트막의 중심부로부터 주연부를 향해 이동하는 노즐로부터 상기 레지스트막 상에 현상액을 공급하는, 현상 방법.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 (A) 공정에 있어서의 상기 기판의 회전 속도는 5∼100회전/분인, 현상 방법.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 (A) 공정에 있어서 상기 접액 노즐이 상기 기판의 반경 방향으로 이동하는 속도는 5∼100㎜/초의 범위이고 또한 상기 (C) 공정에 있어서 상기 경계가 상기 기판의 반경 방향으로 이동하는 속도는 5∼100㎜/초의 범위인, 현상 방법.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 (C) 공정에 있어서, 상기 레지스트막의 중심부를 향해 상방으로부터 건조용 가스를 공급함으로써 상기 반응 정지 영역을 형성하는, 현상 방법.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 (C) 공정에 있어서, 상기 레지스트막의 중심부로부터 주연부를 향해 린스액을 공급함으로써 상기 반응 정지 영역을 형성하는, 현상 방법.
제6항에 있어서, 상기 현상액의 토출구와, 상기 토출구로부터 횡방향으로 확대되고 또한 상기 레지스트막과 대향하는 면을 갖는 접액 노즐을 사용하고, 상기 레지스트막의 표면 상에 상기 린스액을 공급하는, 현상 방법.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 (C) 공정에 있어서, 상기 레지스트막의 중심부로부터 주연부를 향해 이동하는 흡인 노즐을 사용하여 상기 레지스트막 상의 상기 현상액을 흡인함으로써 상기 반응 정지 영역을 형성하는, 현상 방법.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 (B) 공정에 있어서, 상기 기판의 회전을 정지하는, 현상 방법.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 토출구의 단면 형상이 직경 1∼8㎜의 원형이며, 상기 하단부면의 형상이 직경 20∼50㎜의 원형인, 현상 방법
제1항 또는 제2항에 기재된 현상 방법을 현상 장치에 실행시키기 위한 프로그램을 기록한, 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체.
삭제