KR102160358B1 - 금-은 합금 나노닷 및 백금 나노입자가 포함된 질소-도핑 탄소 구체를 이용한 도파민 검출용 전기화학 센서 및 그 제조방법 - Google Patents

금-은 합금 나노닷 및 백금 나노입자가 포함된 질소-도핑 탄소 구체를 이용한 도파민 검출용 전기화학 센서 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 금-은 합금 나노닷 및 백금 나노입자가 포함된 질소-도핑 탄소 구체를 이용한 도파민 검출용 전기화학 센서 및 그 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 전극;및 상기 전극 위에 질소-도핑 탄소 구체를 포함하고, 상기 질소-도핑 탄소 구체는 금-은 합금 나노닷이 함침된 내벽;및 백금(Pt) 나노입자를 포함하는 외벽을 포함하는 것을 특징으로 하는 전기화학 센서 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 금-은 합금 나노닷 및 백금 나노입자가 포함된 질소-도핑 탄소 구체(AuAg/ND_C/Pt)는 중공 구조의 작은 크기와 높은 활성 표면적 때문에 SiO2/AuAg/ND_C/Pt보다 도파민 산화에 대한 시너지 전기 촉매 작용을 나타냈다. 본 발명의 질소-도핑 탄소 구체로 개질된 전극 촉매는 아스코르빈산과 우린산의 100배 농축 농도에 상관없이 선택적으로 도파민을 결정하는데 사용될 수 있다.

Description

금-은 합금 나노닷 및 백금 나노입자가 포함된 질소-도핑 탄소 구체를 이용한 도파민 검출용 전기화학 센서 및 그 제조방법{ELECTROCHEMICAL SENSOR DETECTING DOPAMINE USING NITROGEN-DOPED CARBON SPHERE HAVING AU-AG ALLOY NANODOTS AND PLATINUM AND METHOD OF THE SAME}
본 발명은 금-은 합금 나노닷 및 백금 나노입자가 포함된 질소-도핑 탄소 구체를 이용한 도파민 검출용 전기화학 센서 및 그 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 전극;및 상기 전극 위에 질소-도핑 탄소 구체를 포함하고, 상기 질소-도핑 탄소 구체는 금-은 합금 나노닷이 함침된 내벽;및 백금(Pt) 나노입자를 포함하는 외벽을 포함하는 것을 특징으로 하는 전기화학 센서 및 그 제조방법에 관한 것이다.
도파민(dopamine, DA)은 중추신경계에서 중요한 신경전달물질로서, 아드레날린 및 노르아드레날린의 전구체이며, 호르몬 균형 유지를 도울 뿐 아니라, 감정 제어에 기여하는 것으로 알려져 있다. 뇌에서 낮은 수준의 도파민은 신경변성 및 도파민을 생성하는 중뇌 흑질 신경의 손상을 유발시켜 파킨슨병과 같은 심각한 질환을 초래하며, 휴식 중 진전, 초기 또는 완전한 운동부전, 근육 경직, 자세 불균형, 안면 표정 결핍 등의 문제를 야기할 수 있다.
따라서, 각종 병증의 조기 진단이나 치료의 목적으로 체내에서 매우 미량으로 존재하는 상기 물질들을 빠르고, 정확하게 검출할 수 있는 방법 또는 장치의 개발이 중요하다. 대상물질이 전기화학적 활성을 보이는 경우, 종래 의 검출방법들에 비해 전기화학적 검출방법은 이들 물질들에 대하여 빠르고, 직접적인 검출법을 제공하므로, 최근에는 이에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다.
종종, 생체 내에서 목적하는 물질은 이들의 검출을 간섭하는 간섭화합물들과 함께 존재하는 경우가 많으며, 이 경우 목적하는 물질의 검출이 용이하지 않거나 검출효율이 떨어지게 된다. 도파민의 검출에 있어서, 일반적으로 알려진 간섭화합물들은 아스코르빅산 및 요산이다. 따라서, 도파민의 선택적 검출 또는 도파민과 아스코르빅산 및 요산의 동시 검출에 관한 연구가 요구되는데, 최근에는 고분자로 개질된 전극을 이용한 검출방법들이 보고되고 있다.
대한민국 공개특허 제10-2018-0098088호
이에, 본 발명의 목적은 정확하고, 재현성 있고, 민감하며, 선택적이고, 보다 신속하게 도파민을 검출할 수 있는 도파민 검출센서 및 이를 이용한 도파민 검출방법을 제공하는데 있다.
따라서 본 발명의 목적은 전극;및 상기 전극 위에 질소-도핑 탄소 구체를 포함하고, 상기 질소-도핑 탄소 구체는 금-은 합금 나노닷이 함침된 내벽;및 백금(Pt) 나노입자를 포함하는 외벽을 포함하는 것을 특징으로 하는 전기화학 센서를 제공하는 것이다.
상기 전기화학 센서는 도파민을 산화시켜 선택적으로 도파민을 검출하는데 사용된다.
또한 본 발명은 상기 전기화학 센서를 이용하여 도파민을 검출하는 방법을 제공한다.
본 발명의 또 다른 목적은 1) 티올기(thiol group)를 포함하는 실리카 나노구체(SiO2-SH nano sphere)를 제조하는 단계; 2) 상기 실리카 나노구체에 금-은 합금 나노닷을 침착(deposition)시켜 금-은 합금 나노닷이 침착된 실리카 나노구체(SiO2-SH/AuAg NSP)를 제조하는 단계; 3) 상기 금-은 합금 나노닷이 침착된 실리카 나노구체(SiO2-SH/AuAg NSP)를 폴리도파민으로 코팅하는 단계;및 4) 상기 폴리도파민으로 코팅된 실리카 나노구체(SiO2-SH/AuAg/PDA NSP)를 탄화시키는 단계를 포함하는 도파민 검출용 질소-도핑 탄소 구체 전기촉매(SiO2-SH/AuAg/N-doped C/Pt NSP) 제조방법을 제공하며, 상기 제조방법은 5) 상기 실리카 나노구체를 에칭하여 탄소 구조체(AuAg/N-doped C/Pt NSP)를 분리하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 탄소 구조체(AuAg/N-doped C/Pt NSP)는 금-은 합금 나노닷이 함침된 내벽;및 백금(Pt) 나노입자를 포함하는 외벽을 포함하고, 상기 탄소 구조체(AuAg/N-doped C/Pt NSP)는 작은 크기와 높은 활성 표면적 때문에 상응하는 SiO2-SH/AuAg/N-doped C/Pt NSP보다 도파민 산화에 대하여 높은 촉매활성을 나타낸다.
상기 티올기(thiol group)를 포함하는 실리카 나노구체(SiO2-SH nano sphere)는 3-메르캅토프로필트리메톡시실란(3-mercaptopropyltrimethoxysilane) 및 테트라에틸오쏘실리케이트(tetraethylorthosilicate)를 혼합하여 제조되는 것을 특징으로 한다.
상기 금-은 합금 나노닷은 아민으로 기능화된 실리케이트 졸-겔 매트릭스(TPDT sol-gel)를 제조한 후에 금 및 은 전구체를 첨가하여 제조되며, 상기 금전구체는 테트라클로로금(Ⅲ)산(HAuCl4)이고, 은전구체는 질산은(AgNO3)일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
상기 아민으로 기능화된 실리케이트 졸-겔 매트릭스(TPDT sol-gel)는 상기 실리케이트 졸-겔 매트릭스는 N-(3-트리메톡시실릴프로필)디에틸렌트리아민(TPDT)을 실란 모노머로 하여 제조할 수 있다.
상기 탄화온도는 300 ~ 500℃인 것을 특징으로 하며, 바람직하게는 400℃이다. 상기 탄화온도가 300℃ 미만이면 충분한 탄화가 일어나지 않으며 500℃를 초과하는 경우에는 에너지 낭비 및 다른 물질들의 용융이 일어날 수 있다.
상기 에칭은 수산화나트륨(NaOH) 또는 수산화칼륨(KOH) 중 어느 하나를 사용할 수 있으나 이에 제한되지 않는다.
본 발명은 상기 방법에 의하여 제조된 도파민 검출용 전기촉매를 제공한다.
본 발명의 금-은 합금 나노닷 및 백금 나노입자가 포함된 질소-도핑 탄소 구체(AuAg/ND_C/Pt)는 중공 구조의 작은 크기와 높은 활성 표면적 때문에 SiO2/AuAg/ND_C/Pt보다 도파민 산화에 대한 시너지 전기 촉매 작용을 나타냈다. 본 발명의 질소-도핑 탄소 구체로 개질된 전극 촉매는 아스코르빈산과 우린산의 100배 농축 농도에 상관없이 선택적으로 도파민을 결정하는데 사용될 수 있다.
도 1은 본 발명의 중공 구조 AuAg/ND_C/Pt를 제조하는 방법의 개략적인 그림이다.
도 2는 AuAg/ND_C/Pt 개질된 전극에서 도파민의 전기 화학적 산화를 도식적으로 표현한 그림이다.
도 3은 (A, A1) SiO2 나노구체(NSPs), (B, B1) SiO2-SH NSPs, (C, C1) SiO2-SH/AuAg NSPs, (D, D1) SiO2-SH/AuAg/PDA NSPs, (E, E1) SiO2-SH/AuAg/PDA/Pt NSPs, (F, F1) SiO2-SH/AuAg/N-doped C/Pt NSPs, 및 (G, G1) AuAg/N-doped C/Pt NSPs의 SEM 이미지 사진이다.
도 4는 (A-A2) SiO2-SH NSPs, (B-B2) SiO2-SH/AuAg NSPs, (C-C2) SiO2-SH/AuAg/N-doped C NSPs 및 (D-D2) SiO2-SH/AuAg/N-doped C/Pt NSPs의 TEM 이미지 사진이다.
도 5는 SiO2-SH/AuAg/N-doped C/Pt NSPs의 (A, B) TEM 이미지, AuAg/N-doped C/Pt NSPs의 (C) SEM 이미지, (D) TEM 이미지, (E-E7)는 STEM-HAADF 이미지 및 STEM-EDX 원소 매핑 분석을 나타낸 사진이다.
도 6 은 SiO2-SH/AuAg/N-doped C/Pt NSPs의 XPS 결과이다;(A)조사 스펙트럼 및 (B) C1s, (C) Au4f, (D) Ag3d, (E) N1s 및 (F) Pt4f에 대한 확대 스펙트럼.
도 7은 (A) 0.1 M PBS(pH = 7.2) (B) 1 mM 아스코빅산(AA) 함께 처리, (C) 1 mM 요산(UA) 함께 처리한 GC/AuAg/ND_C/Pt에서 10 μM 도파민(DA)을 각각 첨가할 때마다 기록된 SWVs이며, (d) 이에 대응하는 검정도(calibration plot)를 나타낸 그래프이다.
이하, 실시예를 통해 본 발명을 보다 구체적으로 설명한다. 그러나 이들 예는 본 발명의 이해를 돕기 위한 것일 뿐 어떠한 의미로든 본 발명의 범위가 이들 예로 한정되는 것은 아니다.
실시예
본 발명 중공 구조의 AuAg/ND_C/Pt 제조방법은 도 1에 개략적으로 도시하였다.
1. SiO 2 -SH 나노 구체 제조
800mL의 99.9% 에탄올, 60mL의 NH4OH, 36mL의 테트라에틸 오르소실리케이트(Tetraethyl orthosilicate, TEOS), 20mL의 증류수를 혼합한 뒤, 20시간 동안 교반한 후, 2mL의 3-메르캅토프로필트리메톡시실란(Mercaptopropyl trimethoxysilane; 3-MPTMS) 첨가한 후, 12시간 동안 교반하고, 증류수와 에탄올을 용매로 원심분리하여 SiO2-SH 나노 구체를 수득하였다.
2. SiO 2 -SH/AuAg 제조
에탄올에 1M이 되도록 첨가한 N-(3-트리메톡시실릴프로필)디에틸렌트리아민(TPDT)을 2mM이 되도록 10mL의 증류수에 20㎕을 첨가하고 0.1M HCl 10㎕를 첨가한 뒤, 1시간 동안 교반하여 아민으로 기능화된 실리케이트 졸-겔 메트릭스(TPDT sol-gel)를 만든다. 위 졸-겔 메트릭스에 0.5mM이 되도록 금(Au) 전구체(Gold(Ⅲ)chloride trihydrate; HAuCl4·3H2O)를 첨가하고 잠시 혼합한 뒤 0.5mM이 되도록 은(Ag) 전구체(Silver nitrate; AgNO3)를 첨가한 후, 48 시간 동안 교반하여 1mM의 금-은 합금 나노닷(AuAg bi-metal NDs; nano dots) 을 제작하였다. 다음 AuAg 바이메탈 나노닷을 증류수를 용매로 원심분리 및 세척하여 AuAg 펠렛을 얻는다. SiO2-SH 100mg에 10mL의 증류수를 200 RPM으로 교반하며 200㎕의 AuAg 펠렛(1mM AuAg) 첨가한 뒤, 1 시간 동안 교반하였다. 교반 이 끝난 뒤, 증류수와 에탄올을 용매로 원심분리하고 세척 후 건조하여 SiO2-SH/AuAg를 수득하였다.
3. SiO 2 -SH/AuAg/PDA 제조
SiO2-SH/AuAg 100mg에 50mL의 증류수를 교반하며 “플루로닉 f 127” 25mg, 트리스(2-아미노-2-히드록시메틸 프로판-1,3-디올)(Tris(2-amino-2-hydroxymethyl propane-1,3-diol))을 15 mg을 첨가한 뒤, 잠시 혼합하고, 도파민 염산염(Dopamine hydrochloride) 0.2 g첨가한 뒤, 5 시간 교반하였다. 교반 후 증류수와 에탄올을 용매로 원심분리하고 세척 후 건조하여 SiO2-SH/AuAg/PDA를 수득하였다.
4. SiO 2 -SH/AuAg/PDA/Pt 제조
SiO2-SH/AuAg/PDA 100mg에 10mL의 증류수를 교반하며 1mM이 되도록 Pt 전구체(chloroplatinic acid hexahydrate; H2PtCl6·6H2O)를 첨가하여 혼합하고, 소량의 NaBH4 첨가 후 다시 교반하였다. 교반이 끝난 뒤, 증류수와 에탄올을 용매로 원심분리하고 세척 후 건조하여 SiO2-SH/AuAg/PDA/Pt를 수득하였다.
5. 중공 구조의 AuAg/ND_C/Pt 제조
상기 SiO2-SH/AuAg/PDA/Pt를 400℃에서 3시간 동안 하소(calcination)시키고, 과량의 KOH 용액에서 약하게 교반한다. 이후, 1M KOH 용액과 증류수의 비율이 8:2인 용액을 용매로 원심분리하고 세척 후 건조하여 최종적으로 AuAg/ND_C/Pt를 수득하였다.
6. 전극 제조방법
AuAg/ND_C/Pt 0.5mg에 489㎕의 에탄올과 11㎕의 나피온 117(Nafion 117)을 첨가하여 혼합하고, 음파 처리(sonication)하여 분산(dispersion)시킨다. GC 전극은 알루미나(alumina)를 이용하여 표면을 연마하고 음파 분해하여 세척한 뒤, 위의 AuAg/ND_C/Pt 잉크 3㎕를 올려 30분동안 건조시켰다. 전극 보호를 위해 나피온 117 3㎕를 올려 동일하게 30분동안 건조시켜 전극을 제조하였다.
실험예
1.TEM 및 STEM 이미지 분석 (도 3, 도 4, 도 5)
도 3은 AuAg/N-doped C/Pt 나노입자(NSPs)를 제작하는데 있어서의 각 단계별 SEM 이미지 사진이다. 먼저 (A, A1)는 구체의 SiO2 나노입자 이며, (B, B1)는 SiO2 나노입자 위에 싸이올기(Thiol, R-SH)로 기능화된 SiO2-SH 나노입자이다. SEM 이미지를 확인할 때, 기존의 SiO2보다 좀 더 균일한 양상을 보임을 확인할 수 있다. (C, C1)의 경우 제작한 AuAg를 SiO2-SH위에 올린 SiO2-SH/AuAg으로 1-2nm크기의 AuAg에 의해 표면이 우둘투둘한 것을 볼 수 있다. (D, D1)는 SiO2-SH/AuAg/PDA에 해당하며, 도파민이 나노입자 표면을 균일하게 코팅하였음을 보인다. (E, E1)에서는 SiO2-SH/AuAg/PDA/Pt로 Pt를 도파민으로 코팅된 표면 위에 올렸으며 때문에 표면의 미세한 Pt 나노입자를 확인할 수 있다. (F, F1)의 경우 SiO2-SH/AuAg/N-doped C/Pt이고, (G, G1)는 AuAg/N-doped C/Pt로 SiO2를 제거하여 나노입자의 속이 비어있음을 SEM 이미지를 통해 확인할 수 있다.
도 4는 (A-A2) SiO2-SH NSPs, (B-B2) SiO2-SH/AuAg NSPs, (C-C2) SiO2-SH/AuAg/N-doped C NSPs 및 (D-D2) SiO2-SH/AuAg/N-doped C/Pt NSPs의 TEM 이미지 사진이다. 도 3에서 SEM 이미지상 확인에 어려움이 있었던 (B-B2)의 금-은 합금 나노닷(AuAg bi-metal NDs; nanodots)과 (D-D2)의 백금 나노닷(Pt NDs; nanodots)을 확인할 수 있으며, (C-C2)에서 폴리도파민(poly-dopamine)으로 코팅(encapsulation)을 한 후에 (B-B2)에서 보이는 AuAg NDs가 TEM 이미지 상에서 나타나지 않음을 통하여 폴리도파민이 완벽히 균일하게 SiO2-SH/AuAg NSPs를 덮어 SiO2-SH/AuAg/N-doped C를 제조했음을 확인할 수 있다. 이는 AuAg NDs가 질소-도핑 탄소 구체의 안쪽면에 존재함을 나타낸다.
도 5는 SiO2-SH/AuAg/N-doped C/Pt NSPs의 (A, B) TEM 이미지, AuAg/N-doped C/Pt NSPs의 (C) SEM 이미지, (D) TEM 이미지, (E-E7)는 STEM-HAADF 이미지 및 STEM-EDX 원소 매핑 분석을 나타낸 사진이다. (C, D)를 통해 성공적으로 중공 구조의 질소-도핑 탄소 구체를 제작하였음을 확인할 수 있으며, 안쪽과 바깥 쪽 벽면에 금-은 합금 나노닷(AuAg NDs), 백금 나노닷(Pt NDs)이 존재함을 각각 확인할 수 있다. (E1-E7)을 통해 각각의 원소들의 존재여부를 확인할 수 있다.
2. XPS 분석(도 6)
도 6 은 SiO2-SH/AuAg/N-doped C/Pt NSPs의 XPS 결과이다;(A)조사 스펙트럼 및 (B) C1s, (C) Au4f, (D) Ag3d, (E) N1s 및 (F) Pt4f에 대한 확대 스펙트럼이다. 이때, 금(Au)과 은(Ag)에 해당하는 (B)와 (C)를 볼 때, 매우 약한 시그널(signals)을 보이는데, 이는 금-은 합금 나노닷 (AuAg NDs)이 질소-도핑 탄소 구체의 안쪽 벽면에 존재하기 때문이며, (F)를 확인할 때, 바깥쪽 벽면에 존재하는 백금 나노닷 (Pt NDs)의 경우 백금의 고유 피크(peaks)를 나타냄을 확인할 수 있다.
3. 도파민의 전기화학적 산화 (도 7)
도 7은 (A) 0.1 M PBS(pH = 7.2) (B) 1 mM 아스코빅산(AA) 함께 처리, (C) 1 mM 요산(UA) 함께 처리한 GC/AuAg/ND_C/Pt에서 10 μM 도파민(DA)을 각각 첨가할 때마다 기록된 SWVs(Square Wave Voltammograms)이며, (d) 이에 대응하는 검정도(calibration plot)를 나타낸 그래프이다. (A)와 비교하여 (B), (C)의 그래프를 확인할 때, 아스코빅산과 요산의 피크(peak)가 도파민의 피크와 유사한 위치에서 반응함에도 불구하고 촉매를 사용하였을 때, 아스코빅산과 요산에 해당하는 피크보다 우세하여 도파민의 농도변화를 선택적으로 검출함을 나타낸다.

Claims (12)

  1. 전극;및
    상기 전극 위에 질소-도핑 탄소 구체를 포함하고,
    상기 질소-도핑 탄소 구체는 금-은 합금 나노닷이 함침된 내벽;및
    백금(Pt) 나노입자를 포함하는 외벽을 포함하는 것을 특징으로 하는 전기화학 센서.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 전기화학 센서는 도파민을 산화시켜 도파민 검출에 사용되는 것을 특징으로 하는 전기화학 센서.
  3. 제1항 또는 제2항의 전기화학 센서를 이용하여 도파민을 검출하는 방법.
  4. 1) 티올기(thiol group)를 포함하는 실리카 나노구체를 제조하는 단계;
    2) 상기 실리카 나노구체에 금-은 합금 나노닷을 침착(deposition)시키는 단계;
    3) 상기 금-은 합금 나노닷이 침착된 실리카 나노구체를 폴리도파민으로 코팅하는 단계;및
    4) 상기 폴리도파민으로 코팅된 실리카 나노구체를 탄화시키는 단계를 포함하는 도파민 검출용 질소-도핑 탄소 구체 전기촉매 제조방법.
  5. 제4항에 있어서,
    5) 상기 실리카 나노구체를 에칭하여 탄소 구조체를 분리하는 단계를 더 포함하는 도파민 검출용 질소-도핑 탄소 구체 전기촉매 제조방법.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 질소-도핑 탄소 구체는 금-은 합금 나노닷이 함침된 내벽;및
    백금(Pt) 나노입자를 포함하는 외벽을 포함하는 것을 특징으로 하는 도파민 검출용 질소-도핑 탄소 구체 전기촉매 제조방법.
  7. 제4항에 있어서,
    상기 티올기(thiol group)를 포함하는 실리카 나노구체는 3-메르캅토프로필트리메톡시실란(3-mercaptopropyltrimethoxysilane) 및 테트라에틸오쏘실리케이트(tetraethylorthosilicate)를 혼합하여 제조되는 것을 특징으로 하는 도파민 검출용 질소-도핑 탄소 구체 전기촉매 제조방법.
  8. 제4항에 있어서,
    금-은 합금 나노닷은 아민으로 기능화된 실리케이트 졸-겔 매트릭스(TPDT sol-gel)를 제조한 후에 금 및 은 전구체를 첨가하여 제조되는 것을 특징으로 하는 도파민 검출용 질소-도핑 탄소 구체 전기촉매 제조방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 금전구체는 테트라클로로금(Ⅲ)산(HAuCl4)이고, 은전구체는 질산은(AgNO3)인 것을 특징으로 하는 도파민 검출용 질소-도핑 탄소 구체 전기촉매 제조방법.
  10. 제4항에 있어서,
    상기 탄화온도는 300 ~ 500℃인 것을 특징으로 하는 도파민 검출용 질소-도핑 탄소 구체 전기촉매 제조방법.
  11. 제5항에 있어서,
    상기 에칭은 수산화나트륨(NaOH) 또는 수산화칼륨(KOH) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 도파민 검출용 질소-도핑 탄소 구체 전기촉매 제조방법.
  12. 제4항 내지 제11항 중 어느 한 항에 따른 제조방법에 의하여 제조된 도파민 검출용 전기촉매.
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