KR102114950B1 - 증착 마스크 및 이를 포함하는 증착 설비 - Google Patents
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Abstract
본 발명의 일 실시예에 따른 증착 설비는 증착챔버, 증착원, 증착 마스크를 포함한다. 상기 증착원은 상기 증착챔버의 내부에 배치되고, 증착 기판에 증착 물질을 제공한다. 상기 증착 마스크는 바디부 및 탄소층을 포함한다. 상기 탄소층은 상기 마스크에 접촉하는 제1 면과 접촉하고, 탄소나노튜브 및 그래핀 중 적어도 어느 하나를 포함한다.
Description
본 발명은 증착 마스크 및 이를 포함하는 증착 설비에 관한 것이다.
평판 디스플레이나 반도체 디바이스는 기판 상에 배치된 증착 물질을 포함한다. 상기 증착 물질은 패턴을 이룬다. 상기 패턴화된 증착 물질을 형성하기 위해 증착 마스크가 이용된다.
상기 증착 마스크는 금속으로 구성된다. 상기 금속 마스크는 증착 기판과 접촉시 증착 기판을 손상시킬 수 있다. 예컨대, 상기 금속 마스크는 정전기에 의한 아킹현상을 발생시킨다.
본 발명의 목적은 증착 기판의 손상이 방지되며 내구성이 향상된 증착 마스크 및 이를 포함하는 증착 설비를 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 증착 설비는 증착챔버, 증착원, 증착 마스크를 포함한다. 상기 증착원은 상기 증착챔버의 내부에 배치되고, 증착 기판에 증착 물질을 제공한다. 상기 증착 마스크는 상기 증착 기판에 중첩하게 배치된다.
상기 증착 설비는 상기 증착챔버의 내부에 배치되고, 상기 증착 기판을 고정하는 홀더를 더 포함한다. 상기 홀더는 회전될 수 있다.
상기 증착 마스크는 바디부 및 탄소층을 포함한다. 상기 바디부는 증착 기판에 접촉하는 제1 면 및 상기 제1 면에 마주하는 제2 면을 포함한다. 상기 바디부는 상기 제2 면으로부터 상기 제1 면을 관통하는 복수 개의 개구부들이 형성된다. 상기 탄소층은 적어도 상기 제1 면에 배치되고, 탄소나노튜브 및 그래핀 중 적어도 어느 하나를 포함한다.
상기 탄소층은 상기 탄소나노튜브로 구성된 제1 층을 포함한다. 상기 탄소층은 상기 제1 층에 중첩하게 배치되고, 상기 그래핀으로 구성된 제2 층을 더 포함할 수 있다. 상기 탄소층은 상기 탄소나노튜브로 구성된 복수 개의 제1 층과 상기 그래핀으로 구성된 복수 개의 제2 층을 포함할 수 있다.
상기 탄소층은 상기 제2 면 상에 더 배치될 수 있다. 상기 복수 개의 개구부들 각각은, 상기 제1 면과 상기 제2 면을 연결하는 측벽을 포함하고, 상기 탄소층은 상기 측벽 상에 더 배치될 수 있다.
상기 측벽은, 제1 경사면, 상기 제1 경사면에 마주하는 제2 경사면, 상기 제1 경사면과 상기 제2 경사면을 연결하는 제3 경사면, 상기 제3 경사면에 마주하고 상기 제1 경사면과 상기 제2 경사면을 연결하는 제4 경사면을 포함한다.
상기 제1 경사면, 상기 제2 경사면, 상기 제3 경사면, 상기 제4 경사면 각각은 상기 제1 면과 예각을 이루고, 상기 제2 면과 둔각을 이룬다. 상기 제1 경사면과 상기 제2 경사면은 상기 제1 면과 동일한 각을 이룰 수 있다. 상기 탄소층은 상기 제1 경사면, 상기 제2 경사면, 상기 제3 경사면, 상기 제4 경사면 상에 더 배치된다.
상술한 바에 따른 증착 마스크는 증착 마스크는 외층을 이루는 탄소층을 포함한다. 상기 탄소층은 그래핀 및 탄소나노튜브 중 적어도 어느 하나를 포함한다. 상기 탄소층은 면 저항값이 낮아 전기 전도도가 높고, 열전도도가 높으며, 내구성이 크다. 따라서, 증착 마스크는 강도가 향상되고, 아킹 현상이 감소된다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 설비의 단면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 증착 마스크의 정면도이다.
도 3은 도 2의 Ⅰ-Ⅰ'를 따라 절단한 단면도이다.
도 4a 내지 4d는 본 발명의 다른 실시예에 따른 증착 마스크의 단면도이다.
도 5a 및 도 5b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 증착 마스크의 정면도 및 배면도이다.
도 6은 도 5a의 Ⅱ-Ⅱ'를 따라 절단한 단면도이다.
도 7a 내지 7c는 본 발명의 다른 실시예에 따른 증착 마스크의 단면도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 설비의 평면도이다.
도 9는 도 8에 도시된 증착 설비의 단면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 증착 마스크의 정면도이다.
도 3은 도 2의 Ⅰ-Ⅰ'를 따라 절단한 단면도이다.
도 4a 내지 4d는 본 발명의 다른 실시예에 따른 증착 마스크의 단면도이다.
도 5a 및 도 5b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 증착 마스크의 정면도 및 배면도이다.
도 6은 도 5a의 Ⅱ-Ⅱ'를 따라 절단한 단면도이다.
도 7a 내지 7c는 본 발명의 다른 실시예에 따른 증착 마스크의 단면도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 설비의 평면도이다.
도 9는 도 8에 도시된 증착 설비의 단면도이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 고안의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 설비의 단면도이다. 도 1에 도시된 것과 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 설비(10)는 증착 챔버(CP), 증착원(SP), 및 증착 마스크(100)를 포함한다.
상기 증착 챔버(CP)는 상기 증착원(SP), 상기 증착 마스크(100), 및 증착 기판(SUB)을 수용한다. 증착 공정이 진행되는 동안에 상기 증착 챔버(CP)의 내부는 진공으로 유지된다. 상기 진공을 형성하는 진공 펌프(미도시)가 상기 증착 챔버(CP)에 연결될 수 있다.
상기 증착 챔버(CP)의 내부에는 상기 증착 기판(SUB)은 고정하는 홀더(HP)가 더 배치될 수 있다. 상기 홀더(HP)는 전자기력에 의해 상기 증착 기판(SUB)과 상기 증착 마스크(100)를 고정할 수 있다. 균일한 증착 패턴을 형성하기 위해 상기 홀더(HP)는 회전될 수 있다.
상기 증착 기판(SUB)은 디스플레이를 구성하는 평면 부재이거나, 반도체 디바이스를 구성하는 평면 부재일 수 있다. 상기 증착 기판(SUB)은 유리, 실리콘, 금속, 플라스틱으로 구성될 수 있다. 이하, 상기 증착 기판(SUB)은 유기발광 표시장치를 구성하는 표시기판으로 설명된다.
상기 증착 기판(SUB)은 복수 개의 화소영역들(미도시)과 상기 화소영역들에 인접한 비화소영역(미도시)을 포함할 수 있다. 상기 화소영역들은 유기발광소자들을 이루는 유기발광층이 배치된다.
상기 증착원(SP)는 상기 증착 물질(DM)을 증발시켜 상기 증착 기판(SUB)에 제공한다. 상기 증착원(SP)은 상기 증착 물질(DM)을 보관하는 용기(미도시)와 상기 증착 물질(DM)을 증발시키는 열원(미도시)을 포함한다.
상기 증착 마스크(100)는 일부의 영역에서 상기 증착 물질(DM)을 통과시킨다. 상기 증착 마스크(100)를 통과한 상기 증착 물질(DM)은 상기 증착 패턴을 형성한다. 상기 증착 패턴은 상기 유기발광층일 수 있다.
도 2는 도 1에 도시된 증착 마스크의 정면도이고, 도 3은 도 2의 Ⅰ-Ⅰ'를 따라 절단한 단면도이다. 이하, 도 2 및 도 3을 참조하여 상기 증착 마스크에 대해 상세히 검토한다.
상기 증착 마스크(100)는 바디부(110)와 탄소층(120)을 포함한다. 상기 바디부(110)는 상기 증착 마스크(100)의 골격을 이루며 금속으로 이루어질 수 있다. 상기 바디부(110)는 상기 증착 기판(SUB: 도 1 참조)에 접촉하는 제1 면(100S1) 및 상기 증착 물질(DM)이 진입하는 제2 면(100S2)을 포함한다. 상기 증착 마스크(100)는 직사각형의 플레이트일 수 있다.
상기 바디부(110)는 상기 제2 면(100S2)으로부터 상기 제1 면(100S1)을 관통하는 복수 개의 개구부들(100-OP)을 포함한다. 상기 복수 개의 개구부들(100-OP) 각각은 측벽(100-SW)에 의해 정의된다. 상기 복수 개의 개구부들(100-OP)은 매트릭스 형태로 배열될 수 있다. 도 2는 직사각형상의 4×9 행렬로 배열된 상기 복수 개의 개구부들(100-OP)을 예시적으로 도시하였다.
상기 탄소층(120)은 적어도 상기 제1 면(100S1) 상에 배치된다. 상기 탄소층(120)은 탄소나노튜브 및 그래핀 중 적어도 어느 하나를 포함한다. 상기 탄소나노튜브는 6개의 탄소로 이루어진 육각형의 단위체가 서로 연결되어 튜브를 이룬다. 상기 튜브의 지름은 수 나노미터에서 수십 나노미터에 이른다. 상기 그래핀은 6개의 탄소로 이루어진 육각형의 단위체가 단층 평면구조를 이룬다 상기 그래핀은 두께는 약 0.2 나노미터에 이른다.
상기 그래핀 또는 탄소나노튜브는 면 저항값이 낮아 전기 전도도가 높고, 열전도도가 높으며, 내구성이 크다. 따라서, 상기 증착 마스크(100)의 강도가 향상된다. 또한, 상기 증착 마스크(100)와 상기 증착 기판(SUB)이 접촉할 때 발생하는 정전기가 상기 탄소층(120)을 통해 방전됨으로써 아킹 현상이 감소된다. 상기 탄소층(120)은 증착, 스퍼턴링, 스프레잉, 딥핑 방식 등에 의해 형성될 수 있다.
도 4a 내지 4d는 본 발명의 다른 실시예에 따른 증착 마스크의 단면도이다. 이하, 도 4a 내지 도 4d를 참조하여 증착 마스크를 설명한다. 다만, 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명한 구성과 동일한 구성에 대한 상세한 설명은 생략한다.
도 4a에 도시된 것과 같이, 상기 탄소층(120)은 제1 면(100S1)과 제2 면(100S2) 상에 배치될 수 있다. 또한, 도 4b에 도시된 것과 같이, 상기 탄소층(120)은 제1 면(100S1)과 상기 측벽(100-SW) 상에 배치될 수 있다. 또한, 도 4c에 도시된 것과 같이, 상기 탄소층(120)은 제1 면(100S1), 제2 면(100S2) 상기 측벽(100-SW) 상에 배치될 수 있다. 상기 탄소층(120)이 형성된 면적이 넓을수록 상기 증착 마스크들(100-1 내지 100-3)의 강도가 향상되고, 정전기 방전률이 향상된다.
도 4d에 도시된 것과 같이, 상기 탄소층(120)은 다층구조를 가질 수 있다. 제1 층(121)은 탄소나노튜브 또는 그래핀 중 어느 하나로 구성되고, 제2 층(122)은 다른 하나로 구성될 수 있다. 상기 바디부(110) 상에 상기 제1 층(121)과 상기 제2 층(122)은 복수 개 배치될 수 있다. 상기 제1 층(121)과 상기 제2 층(122)은 예컨대 교번하게 규칙적으로 적층되거나, 불규칙적으로 적층될 수 있다. 또한, 도 4d에 도시된 것과 달리, 상기 제1 층(121)과 상기 제2 층(122)은 상기 제1 면(100S1)뿐만 아니라 상기 제2 면(100S2) 및 상기 측벽(100-SW)에도 배치될 수 있다.
도 5a 및 도 5b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 증착 마스크의 정면도 및 배면도이다. 도 6은 도 5a의 Ⅱ-Ⅱ'를 따라 절단한 단면도이다. 이하, 도 5a 내지 도 6을 참조하여 증착 마스크를 설명한다. 다만, 도 1 내지 도 4d를 참조하여 설명한 구성과 동일한 구성에 대한 상세한 설명은 생략한다.
상기 증착 마스크(100-5)는 바디부(110)와 탄소층(120)을 포함한다. 상기 바디부(110)는 제2 면(100S2)으로부터 제1 면(100S1)을 관통하는 복수 개의 개구부들(100-OP)을 포함한다. 상기 탄소층(120)은 상기 제1 면(100S1) 상에 배치된다.
상기 복수 개의 개구부들(100-OP) 각각은 측벽(100-SW)에 의해 정의된다. 상기 측벽(100-SW)은 제1 경사면(100-SW1), 제2 경사면(100-SW2), 제3 경사면(100-SW3), 및 제4 경사면(100-SW4)을 포함한다. 상기 제1 경사면(100-SW1)과 상기 제2 경사면(100-SW2)은 제1 방향(DR1)에서 마주한다. 상기 제3 경사면(100-SW3)과 상기 제4 경사면(100-SW4)은 상기 제1 방향(DR1)과 교차하는 제2 방향(DR2)에서 마주한다. 상기 제3 경사면(100-SW3)과 상기 제4 경사면(100-SW4)은 상기 제1 경사면(100-SW1)과 상기 제2 경사면(100-SW2)을 연결한다.
상기 제1 경사면(100-SW1), 상기 제2 경사면(100-SW2), 상기 제3 경사면(100-SW3), 및 상기 제4 경사면(100-SW4)은 상기 개구부들(100-OP)에 대한 상기 증착 물질(DM)의 진입각을 증가시킨다. 따라서, 상기 개구부(100-OP)에 대응하는 형상의 상기 증착 패턴은 균일한 두께를 갖는다.
상기 제1 경사면(100-SW1)과 상기 제2 경사면(100-SW2)은 상기 제1 면(100S1)과 둔각을 이루고, 상기 제2 면(100S2)과 예각을 이룬다. 도시되지 않았으나, 상기 제3 경사면(100-SW3), 및 상기 제4 경사면(100-SW4) 역시 상기 제1 면(100S1)과 둔각을 이루고, 상기 제2 면(100S2)과 예각을 이룬다.
도 6에 도시된 것과 같이, 상기 제1 경사면(100-SW1)은 상기 제1 면(100S1)과 제1 사이각(θ1)을 이루고, 상기 제2 면(100S2)과 제2 사이각(θ2)을 이룬다. 상기 제2 경사면(100-SW2) 역시 상기 제1 면(100S1)에 대해 상기 제1 사이각(θ1)을 이루고, 상기 제2 면(100S2)과 제2 사이각(θ2)을 이룬다. 도시되지 않았지만, 상기 제3 경사면(100-SW3)과 상기 제4 경사면(100-SW4)은 상기 제1 면(100S1)에 대해 동일한 사이각과 상기 제2 면(100S2)에 대해 동일한 사이각을 가질 수 있다.
도 7a 내지 7c는 본 발명의 다른 실시예에 따른 증착 마스크의 단면도이다. 이하, 도 7a 내지 7c를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 마스크를 설명한다. 다만, 도 5a 내지 도 6을 참조하여 설명한 구성과 동일한 구성에 대한 상세한 설명은 생략한다.
도 7a에 도시된 것과 같이, 상기 탄소층(120)은 제1 면(100S1)과 측벽(100-SW) 상에 배치될 수 있다. 도 7b에 도시된 것과 같이, 상기 탄소층(120)은 제1 면(100S1), 제2 면(100S2) 상기 측벽(100-SW) 상에 배치될 수 있다. 상기 탄소층(120)이 형성된 면적이 넓을수록 상기 증착 마스크들(100-6 내지 100-7)의 강도가 향상되고, 정전기 방전률이 향상된다.
도 7c에 도시된 것과 같이, 상기 탄소층(120)은 다층구조를 가질 수 있다. 제1 층(121)은 탄소나노튜브 또는 그래핀 중 어느 하나로 구성되고, 제2 층(122)은 다른 하나로 구성될 수 있다. 상기 바디부(110) 상에 상기 제1 층(121)과 상기 제2 층(122)은 복수 개 배치될 수 있다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 설비의 평면도이다. 도 9는 도 8에 도시된 증착 설비의 단면도이다. 이하, 도 8 및 9를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 설비를 설명한다. 다만, 도 1 내지 도 7c를 참조하여 설명한 구성과 동일한 구성에 대한 상세한 설명은 생략한다.
도 8 및 도 9에 도시된 것과 같이, 증착 설비(20)는 증착 챔버(CP), 복수 개의 증착원들(SP1~SP4), 증착 마스크(100), 및 이송부(TP)를 포함한다.
상기 증착 챔버(CP)는 기능에 따라 복수 개의 영역들로 구분된다. 상기 증착 챔버(CP)는 로딩영역(CP-L), 증착영역(CP-D), 및 언로딩영역(CP-UL)을 포함할 수 있다.
상기 로딩영역(CP-L)에서 증착 기판(SUB)과 상기 증착 마스크(100)가 결합된다. 상기 언로딩영역(CP-UL)에서 상기 증착 기판(SUB)과 상기 증착 마스크(100)이 분리된다. 상기 로딩영역(CP-L), 상기 증착영역(CP-D), 및 상기 언로딩영역(CP-UL)의 기압들은 서로 다를 수 있다. 상기 증착영역(CP-D)이 진공을 유지하도록 상기 로딩영역(CP-L)과 상기 증착영역(CP-D) 및 상기 증착영역(CP-D)과 상기 언로딩영역(CP-UL) 사이들 각각에는 도어들이 설치될 수 있다.
상기 증착영역(CP-D)은 상기 복수 개의 증착원들(SP1~SP4)이 배치된다. 도 8 및 도 9에는 4개의 증착원들(SP1~SP4)이 예시적으로 도시되었다. 상기 4개의 증착원들(SP1~SP4)은 상기 제1 방향(DR1)을 따라 서로 이격되어 배열된다. 상기 증착영역(CP-D)은 복수 개의 격벽들(B1~B3)로 구분될 수 있다.
상기 결합된 증착 기판(SUB)과 증착 마스크(100)는 이송부(TP)에 의해 이동된다. 상기 이송부(TP)는 롤러 또는 로봇 암 등일 수 있다.
상기 결합된 증착 기판(SUB)과 증착 마스크(100)는 상기 복수 개의 증착원들(SP1~SP4)로부터 서로 다른 증착 물질들(DM1~DM4)을 제공받는다. 상기 증착 기판(SUB) 상에 형성된 증착패턴은 다층구조를 갖는다.
한편 본 발명은 기재된 실시예에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 다양하게 수정 및 변형을 할 수 있음은 이 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게는 자명하다. 따라서, 그러한 변형예 또는 수정예들은 본 발명의 특허청구범위에 속한다 해야 할 것이다.
10: 증착 설비 SUB: 증착 기판
SP: 증착원 CP: 증착 챔버
DM: 증착 물질 100: 증착마스크
110: 바디부 120: 탄소층
SP: 증착원 CP: 증착 챔버
DM: 증착 물질 100: 증착마스크
110: 바디부 120: 탄소층
Claims (20)
- 증착 기판에 접촉하는 제1 면 및 상기 제1 면에 마주하는 제2 면을 포함하고, 상기 제2 면으로부터 상기 제1 면을 관통하는 복수 개의 개구부들이 형성된 바디부; 및
상기 제1 면과 접촉하는 탄소층을 포함하고,
상기 탄소층은,
탄소나노튜브 및 그래핀 중 적어도 어느 하나를 포함하는 증착 마스크. - 제1 항에 있어서,
상기 탄소층은 상기 탄소나노튜브로 구성된 제1 층을 포함하는 증착 마스크. - 제2 항에 있어서,
상기 탄소층은 상기 제1 층에 중첩하게 배치되고, 상기 그래핀으로 구성된 제2 층을 포함하는 증착 마스크. - 제1 항에 있어서,
상기 탄소층은 상기 탄소나노튜브로 구성된 복수 개의 제1 층과 상기 그래핀으로 구성된 복수 개의 제2 층을 포함하는 증착 마스크. - 제1 항에 있어서,
상기 탄소층은 상기 제2 면 상에 더 배치된 것을 특징으로 하는 증착 마스크. - 제1 항에 있어서,
상기 복수 개의 개구부들 각각은, 상기 제1 면과 상기 제2 면을 연결하는 측벽을 포함하고, 상기 탄소층은 상기 측벽 상에 더 배치된 것을 특징으로 하는 증착 마스크. - 제6 항에 있어서,
상기 탄소층은 상기 제2 면 상에 더 배치된 것을 특징으로 하는 증착 마스크. - 제6 항에 있어서,
상기 측벽은,
제1 경사면, 상기 제1 경사면에 마주하는 제2 경사면, 상기 제1 경사면과 상기 제2 경사면을 연결하는 제3 경사면, 상기 제3 경사면에 마주하고 상기 제1 경사면과 상기 제2 경사면을 연결하는 제4 경사면을 포함하는 증착 마스크. - 제8 항에 있어서,
상기 제1 경사면, 상기 제2 경사면, 상기 제3 경사면, 상기 제4 경사면 각각은 상기 제1 면과 예각을 이루고, 상기 제2 면과 둔각을 이루는 것을 특징으로 하는 증착 마스크. - 제9 항에 있어서,
상기 제1 경사면과 상기 제2 경사면은 상기 제1 면과 동일한 각을 이루는 것을 특징으로 하는 증착 마스크. - 제8 항에 있어서,
상기 탄소층은 상기 제1 경사면, 상기 제2 경사면, 상기 제3 경사면, 상기 제4 경사면 상에 더 배치된 것을 특징으로 하는 증착 마스크. - 증착챔버;
상기 증착챔버의 내부에 배치되고, 증착 기판에 증착 물질을 제공하는 증착원;
상기 증착 기판에 중첩하게 배치된 증착 마스크를 포함하고,
상기 증착 마스크는,
상기 증착 기판에 접촉하는 제1 면 및 상기 제1 면에 마주하는 제2 면을 포함하고, 상기 제2 면으로부터 상기 제1 면을 관통하는 복수 개의 개구부들이 형성된 바디부; 및
상기 제1 면과 접촉하는 탄소층을 포함하고,
상기 탄소층은,
탄소나노튜브 및 그래핀 중 적어도 어느 하나를 포함하는 증착 설비. - 제12 항에 있어서,
상기 증착챔버의 내부에 배치되고, 상기 증착 기판을 고정하는 홀더를 더 포함하는 증착 설비. - 제13 항에 있어서,
상기 홀더는 회전하는 것을 특징으로 하는 증착 설비. - 제12 항에 있어서,
상기 증착 기판은 유기발광표시패널의 일부분을 구성하는 것을 특징으로 하는 증착 설비. - 제12 항에 있어서,
상기 탄소층은 상기 탄소나노튜브로 구성된 제1 층을 포함하는 증착 설비. - 제16 항에 있어서,
상기 탄소층은 상기 제1 층에 중첩하게 배치되고, 상기 그래핀으로 구성된 제2 층을 포함하는 증착 설비. - 제12 항에 있어서,
상기 탄소층은 상기 제2 면 상에 더 배치된 것을 특징으로 하는 증착 설비. - 제12 항에 있어서,
상기 복수 개의 개구부들 각각은, 상기 제1 면과 상기 제2 면을 연결하는 측벽을 포함하고, 상기 탄소층은 상기 측벽 상에 더 배치된 것을 특징으로 하는 증착 설비. - 제19 항에 있어서,
상기 탄소층은 상기 제2 면 상에 더 배치된 것을 특징으로 하는 증착 설비.
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020130010023A KR102114950B1 (ko) | 2013-01-29 | 2013-01-29 | 증착 마스크 및 이를 포함하는 증착 설비 |
US14/012,917 US10161030B2 (en) | 2013-01-29 | 2013-08-28 | Deposition mask and deposition apparatus having the same |
CN201310674417.1A CN103966545B (zh) | 2013-01-29 | 2013-12-11 | 沉积掩模 |
TW103100489A TWI628506B (zh) | 2013-01-29 | 2014-01-07 | 沉積遮罩 |
JP2014001168A JP6266349B2 (ja) | 2013-01-29 | 2014-01-07 | 蒸着マスク |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020130010023A KR102114950B1 (ko) | 2013-01-29 | 2013-01-29 | 증착 마스크 및 이를 포함하는 증착 설비 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20140096878A KR20140096878A (ko) | 2014-08-06 |
KR102114950B1 true KR102114950B1 (ko) | 2020-05-26 |
Family
ID=51221554
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020130010023A KR102114950B1 (ko) | 2013-01-29 | 2013-01-29 | 증착 마스크 및 이를 포함하는 증착 설비 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10161030B2 (ko) |
JP (1) | JP6266349B2 (ko) |
KR (1) | KR102114950B1 (ko) |
CN (1) | CN103966545B (ko) |
TW (1) | TWI628506B (ko) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016186386A1 (ko) * | 2015-05-15 | 2016-11-24 | 주식회사 다원시스 | 유기막 증착 장치와, 방법 및 유기막 장치 |
CN105513812B (zh) * | 2016-01-29 | 2018-06-22 | 白德旭 | 一种石墨烯太阳能电池及其制备方法 |
KR102373442B1 (ko) * | 2017-09-08 | 2022-03-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막증착용 마스크와, 이의 제조방법 |
KR102150450B1 (ko) * | 2018-05-11 | 2020-09-01 | 주식회사 선익시스템 | 비상 탈출이 가능한 진공챔버 및 이를 포함하는 증착장치 |
CN109324472A (zh) * | 2018-11-16 | 2019-02-12 | 浙江大学昆山创新中心 | 一种掩模板保护方法 |
CN111411323B (zh) * | 2020-03-31 | 2023-01-20 | 云谷(固安)科技有限公司 | 一种掩膜板 |
CN112205301A (zh) * | 2020-10-13 | 2021-01-12 | 姬世伟 | 一种动物笼舍养殖的防病菌卫生养殖装置 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002305079A (ja) * | 2001-01-26 | 2002-10-18 | Seiko Epson Corp | マスク、マスクの製造方法、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス装置 |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5268068A (en) * | 1992-12-08 | 1993-12-07 | International Business Machines Corporation | High aspect ratio molybdenum composite mask method |
JP2002067267A (ja) | 2000-08-24 | 2002-03-05 | Citizen Watch Co Ltd | スクリーン印刷機およびそれに用いる印刷マスクの製造方法 |
US6641674B2 (en) * | 2000-11-10 | 2003-11-04 | Helix Technology Inc. | Movable evaporation device |
JP2005093484A (ja) | 2003-09-12 | 2005-04-07 | Toppan Printing Co Ltd | ステンシルマスク及びその製造方法 |
KR100561705B1 (ko) | 2004-06-18 | 2006-03-15 | 전자부품연구원 | 니켈 전주도금법을 이용한 금속마스크 제작방법 및 이를이용한 금속 마스크 |
JP2006205716A (ja) | 2004-12-28 | 2006-08-10 | Yuken Industry Co Ltd | メタルマスク |
JP2006198489A (ja) | 2005-01-19 | 2006-08-03 | Toshiba Corp | 紙葉類の搬送ギャップ補正装置 |
KR101201318B1 (ko) * | 2005-12-08 | 2012-11-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 컬러필터기판 및 그 제조방법 |
KR101424249B1 (ko) | 2006-06-27 | 2014-08-04 | 엘지디스플레이 주식회사 | 섀도우 마스크 및 그를 포함하는 증착 장치와 그 증착장치를 이용한 유기전계발광소자의 제조방법 |
KR100811266B1 (ko) | 2006-09-01 | 2008-03-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 하드 마스크를 이용한 선택적 식각 방법 및 이를 이용한메모리 소자의 소자분리 형성 방법 |
JP2008150660A (ja) | 2006-12-15 | 2008-07-03 | Seiko Epson Corp | 装飾品の製造方法、装飾品および時計 |
JP2009059804A (ja) | 2007-08-30 | 2009-03-19 | Elpida Memory Inc | 半導体装置の製造方法およびハードマスク |
US9305735B2 (en) * | 2007-09-28 | 2016-04-05 | Brigham Young University | Reinforced polymer x-ray window |
US8169768B1 (en) * | 2008-06-09 | 2012-05-01 | Kla-Tencor Corporation | Electrostatic chuck |
US8169769B2 (en) | 2008-09-11 | 2012-05-01 | Tel Epion Inc. | Electrostatic chuck power supply |
JP2010159454A (ja) | 2009-01-08 | 2010-07-22 | Ulvac Japan Ltd | 成膜装置、成膜方法 |
JP2010180438A (ja) | 2009-02-04 | 2010-08-19 | Mitsubishi Electric Corp | マスクユニットおよびマスクユニットを有する蒸着装置 |
KR101044554B1 (ko) * | 2009-03-31 | 2011-06-28 | (주)탑나노시스 | 대전 방지 처리된 작업 스테이지 |
KR101156433B1 (ko) | 2009-12-15 | 2012-06-18 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
KR20120073819A (ko) | 2010-12-27 | 2012-07-05 | 제일모직주식회사 | 하드마스크 조성물, 이를 사용한 패턴 형성 방법 및 반도체 집적회로 디바이스의 제조 방법 |
CN102605422B (zh) | 2011-01-24 | 2015-07-29 | 清华大学 | 用于生长外延结构的掩模及其使用方法 |
CN102795613B (zh) | 2011-05-27 | 2014-09-10 | 清华大学 | 石墨烯-碳纳米管复合结构的制备方法 |
TWI441940B (zh) | 2011-06-09 | 2014-06-21 | Shih Hua Technology Ltd | 圖案化導電元件的製備方法 |
-
2013
- 2013-01-29 KR KR1020130010023A patent/KR102114950B1/ko active IP Right Grant
- 2013-08-28 US US14/012,917 patent/US10161030B2/en active Active
- 2013-12-11 CN CN201310674417.1A patent/CN103966545B/zh active Active
-
2014
- 2014-01-07 TW TW103100489A patent/TWI628506B/zh active
- 2014-01-07 JP JP2014001168A patent/JP6266349B2/ja active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002305079A (ja) * | 2001-01-26 | 2002-10-18 | Seiko Epson Corp | マスク、マスクの製造方法、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20140209025A1 (en) | 2014-07-31 |
US10161030B2 (en) | 2018-12-25 |
TWI628506B (zh) | 2018-07-01 |
JP6266349B2 (ja) | 2018-01-24 |
CN103966545B (zh) | 2018-04-27 |
CN103966545A (zh) | 2014-08-06 |
TW201430487A (zh) | 2014-08-01 |
KR20140096878A (ko) | 2014-08-06 |
JP2014145130A (ja) | 2014-08-14 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |