TWI628506B - 沉積遮罩 - Google Patents

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Abstract

一種沉積設備，包括一沉積腔室、一沉積源、以及一沉積遮罩。該沉積源係設置於該沉積腔室內且提供一沉積材料至一沉積基材。該沉積遮罩包括一本體部分與一碳層。該碳層係設置於一與該沉積遮罩接觸之第一表面上且包括奈米碳管或石墨烯之至少一者。

Description

沉積遮罩
本發明係關於一沉積遮罩及一具有該沉積遮罩之沉積設備。
一般而言，平板顯示器與半導體裝置係包括一沉積材料設置於一基材上。該沉積材料形成一圖案。使用一沉積遮罩以形成該經圖案化之沉積材料。
沉積遮罩包含一金屬材料。當金屬遮罩接觸沉積基材時，金屬遮罩會損毀圖案。由於靜電力，金屬遮罩會引起一電弧現象(arcing phenomenon)。
本發明提供一沉積遮罩，其避免沉積基材被損毀且具有改良的耐久性。
本發明提供一具有該沉積遮罩之沉積設備。
具體實施態樣提供一沉積設備，包括一沉積腔室、一沉積源、以及一沉積遮罩。該沉積源係設置於該沉積腔室中且提供一沉積材料至一沉積基材。該沉積遮罩係經設置以與該沉積 基材交疊。
該沉積設備進一步包括一支架設置於該沉積腔室中以支撐該沉積基材。該支架係可轉動的。
沉積遮罩包括一本體部分以及一碳層。該本體部分包括一第一表面其接觸一沉積基材與一第二表面其面向該第一表面以及複數個開口部分其穿過該第一表面和該第二表面。該碳層係設置於至少該第一表面上且包括一奈米碳管或一石墨烯(graphene)之至少一者。
該碳層包括一第一層，其包括奈米碳管。該碳層進一步包括一第二層，其包括該石墨烯且與該第一層交疊。在本發明之部分具體實施態樣中，該碳層包括複數個包括該奈米碳管之第一層與複數個包括該石墨烯之第二層。
該碳層進一步設置於該第二表面上。各開口部分包括一側壁(sidewall)以連接該第一表面與該第二表面，以及該碳層係進一步設置於該側壁上。
該側壁包括一第一傾斜表面(slanted surface)、一第二傾斜表面其面向該第一傾斜表面、一第三傾斜表面其連接該第一傾斜表面與該第二傾斜表面、以及一第四傾斜表面其面向該第三傾斜表面且連接該第一傾斜表面與該第二傾斜表面。
第一、第二、第三、及第四傾斜表面係相對於第一表面而形成一銳角且相對於該第二表面而形成一鈍角。該第一傾斜表面與第二傾斜表面係相對於該第一表面而形成相同角度。該 碳層係進一步設置於該第一傾斜表面、該第二傾斜表面、該第三傾斜表面、以及該第四傾斜表面上。
根據前文，該沉積遮罩係包括該碳層作為其外層(outer layer)。該碳層包括奈米碳管或石墨烯之至少一者。該碳層具有低表面電阻以及高導電性，且因此該碳層具有高熱傳導性以及高耐久性。從而，增加該沉積遮罩之強度且減少電弧現象。
10、20‧‧‧沉積設備
100、100-1、100-2、100-3、100-4、100-5、100-6、100-7、100-8‧‧‧沉積遮罩
110‧‧‧本體部分
120‧‧‧碳層
121‧‧‧第一層
122‧‧‧第二層
100-OP‧‧‧開口部分
100-SW‧‧‧側壁
100-SW1‧‧‧第一傾斜表面
100-SW2‧‧‧第二傾斜表面
100-SW3‧‧‧第三傾斜表面
100-SW4‧‧‧第四傾斜表面
100S1‧‧‧第一表面
100S2‧‧‧第二表面
B1、B2、B3‧‧‧分隔壁
CP‧‧‧沉積腔室
CP-L‧‧‧裝載區域
CP-D、CP-D1、CP-D2、CP-D3、CP-D4‧‧‧沉積區域
CP-UL‧‧‧卸載區域
DM、DM1、DM2、DM3、DM4‧‧‧沉積材料
DR1‧‧‧第一方向
DR2‧‧‧第二方向
HP‧‧‧支架
SP、SP1、SP2、SP3、SP4‧‧‧沉積源
SUB‧‧‧沉積基材
TP‧‧‧傳送零件
θ1‧‧‧第一夾角
θ2‧‧‧第二夾角
參考以下詳細說明並與所附圖式一同考慮，本發明之上述及其他優點將變得更為明顯。
第1圖係一顯示根據本發明例示性具體實施態樣之沉積設備的剖面圖；第2圖係一顯示第1圖所示之沉積遮罩的前視圖；第3圖係一沿第2圖之線I-I’的剖面圖。
第4A至4D圖為顯示根據本發明另一例示性具體實施態樣之沉積遮罩的剖面圖。
第5A和5B圖為顯示根據本發明之另一例示性具體實施態樣之沉積遮罩的前及後視圖。
第6圖係一沿第5B圖之線II-II’的剖面圖。
第7A至7C圖為表示根據本發明之另一例示性具體實施態樣之沉積遮罩的剖面圖。
第8圖係一顯示根據本發明之例示性具體實施態樣 之沉積設備的平面圖。
第9圖係一顯示第8圖所示之沉積設備的剖面圖。
將理解，當一元件或層被指稱為「位於…上」(on)、「連接至」(connected to)或「耦合至」(coupled to)另一元件或層時，其可直接地位於該另一元件或層上、連接至或耦合至該另一元件或層、或者可存在其他中介元件或層。相對地，當一元件被指稱為「直接位於…上」(directly on)、「直接連接至」(directly connected to)或「直接耦合至」(directly coupled to)另一元件或層時，則不存在中介元件或層。全文中相似的符號指稱相似的元件。如本文中所使用，用語「及/或」係包括相關列述項目之一者或多者之任何及所有組合。
將理解，雖然本文中可使用第一、第二等用語以描述各式元件、組件、區域、層及/或區段，這些元件、組件、區域、層及/或區段不應受限於該等用語。該等用語僅用以區別一元件、組件、區域、層或區段與另一元件、組件、區域、層或區段。因此，在不偏離本具體實施態樣之教示下，以下所討論之一第一元件、組件、區域、層或區段可用來說明一第二元件、組件、區域、層或區段。
空間關係用語，例如「在…之下(beneath)」、「在…下方(below)」、「下側的(lower)」、「在…上方(above)」、「上側的(upper)」等，為了說明之容易可用於本文中，以描述如圖式所 描繪之一元件或特徴與另一(或他等)元件或特徴的關係。應理解的是，該等空間關係用語係欲涵蓋圖式中所描繪之方位以及裝置在使用或操作中之不同方位。舉例而言，若圖式中之裝置係經翻轉，則經描述為「在」其他元件或特徵「下方」或「之下」之元件將被定位為「在」他等元件或特徴「上方」。因此，該例示性用語「在…下方」可能包含在上之方位及在下之方位二者。此外，可定位該裝置(旋轉90度或在其他方位)並相應地以本文所用的空間關係描述符號來解釋。
本文所使用的專門術語係僅用於描述特定具體實施態樣，而非做限制之用。如本文所使用，除非內文另外清楚地指出，否則單數形式之「一(a)」、「一(an)」及「該(the)」係欲包括複數形式。將進一步理解的是，當使用於此說明書時，用語「包含(comprise)」、「包括(includes)」、「包含(comprising)」及/或「包括(including)」係記載所述及特徴、整數、步驟、操作、元件、及/或組件的存在，但並非排除一或多個其他特徴、整數、步驟、操作、元件、組件、及/或前述群組之存在或附加。
除非另外定義，否則此處所使用之所有用語(包括技術及科學用語)皆具有與所呈現具體實施態樣所屬技術領域具通常知識者所通常理解之相同意義。將進一步理解的是，用語，如在通常使用之字典中所定義者，應被解釋為具有與其在相關技術內容中之意義相符合的意義，且除非在本文中明確定義，否則該等用語將不被解釋為一理想化或過度正式的用語。
以下，將參考所附圖式對所呈現具體實施態樣進行 詳細的說明。
第1圖係一顯示根據本發明例示性具體實施態樣之沉積設備的剖面圖。
參考第1圖，一沉積設備10係包括一沉積腔室CP、一沉積源SP、以及一沉積遮罩100。
沉積腔室CP係容納沉積源SP、沉積遮罩100、以及沉積基材SUB。在沉積程序之期間，沉積腔室CP係維持在一真空狀態。雖然第1圖未示出，可使一真空幫浦(未示出)與沉積腔室CP連接以允許沉積腔室CP之內部維持在一真空狀態。
可進一步設置一支架HP於沉積腔室CP內以支撐沉積基材SUB。支架HP係使用一電磁力以支撐沉積基材SUB以及沉積遮罩100。可轉動支架HP以形成一均勻的沉積圖案。
沉積基材SUB可為一用於顯示器或半導體裝置之平坦構件(flat member)。沉積基材SUB可包含玻璃、矽、金屬、或塑膠材料。以下，將描述該沉積基材SUB為一用於有機發光顯示裝置之顯示基材。
沉積基材SUB係包括複數個畫素區域(未示出)以及一非畫素區域(未示出)設置於鄰近該等畫素區域。該等畫素區域包括一用於有機發光裝置之有機發光層。
沉積源SP係蒸發一沉積材料DM且提供該經蒸發的沉積材料DM至沉積基材SUB。沉積源SP係包括一容器(未示出)以容納該沉積材料DM以及一熱源(未示出)以蒸發該沉積材料 DM。
沉積材料DM係通過沉積遮罩100之一部分，且接著形成一沉積圖案。由沉積材料DM所形成之沉積圖案可為有機發光層。
第2圖係一顯示第1圖所示之沉積遮罩的前視圖，以及第3圖係一沿第2圖之線I-I’的剖面圖。以下，將參考第2圖及第3圖以詳細描述沉積遮罩100。
沉積遮罩100係包括一本體部分110以及一碳層120。本體部分110係包含一金屬材料且作為沉積遮罩100之框架(frame)。本體部分110係包括一第一表面100S1其與沉積基材SUB(參考第1圖)接觸，以及一第二表面100S2，沉積材料DM係進入該第二表面100S2。沉積遮罩100係具有一矩形板形狀。
本體部分110係包括複數個開口部分100-OP，穿過第一與第二表面100S1與100S2而形成。各開口部分100-OP係藉由一側壁100-SW所定義，且側壁100-SW與第一及第二表面100S1及100S2連接。該等開口部分100-OP係排列為一矩陣(matrix)形式。在第2圖中，該等開口部分100-OP係排列為四列九行。
碳層120係設置於至少該第一表面100S1上。碳層120係包括奈米碳管及石墨烯之至少一者。奈米碳管包括各具六個碳原子之六角形單體(hexagonal monomers)，該等單體彼此連接以形成奈米碳管。奈米碳管具有數奈米至數十奈米之直徑。石墨烯具有一單層構造，由各具六個碳原子之六角形單體所形成。石墨 烯具有約0.2奈米之厚度。
石墨烯或奈米碳管具有低表面電阻以及高導電性，且因此石墨烯或奈米碳管具有高熱傳導性以及高耐久性。因此，當沉積遮罩100與沉積基材SUB接觸時，所產生之靜電係透過碳層120而放電，而使得電弧現象減少。碳層120可由各式方法形成，例如，沉積法、濺鍍法、噴塗法、浸漬法等。
第4A至4D圖為顯示根據本發明之另一例示性具體實施態樣之沉積遮罩的剖面圖。以下，將參考第4A至4D圖描述各式沉積遮罩，但將省略與參考第3圖所描述之沉積遮罩相同的沉積遮罩的詳細描述。
參考第4A圖，碳層120係設置於第一表面100S1以及第二表面100S2上。此外，參考第4B圖，碳層120係設置於第一表面100S1以及側壁100-SW上。再者，參考第4C圖，碳層120係設置於第一表面100S1、第二表面100S2以及側壁100-SW上。隨著其中設置有碳層120的區域增加，而增強沉積遮罩100-1至100-3的強度，且改善靜電的放電速率。
參考第4D圖，碳層120可具有一第一層121與一第二層122之多層結構。第一層121係包括奈米碳管及石墨烯之一者，或第二層122係包括奈米碳管及石墨烯之另一者。各該第一層121與該第二層122可以複數提供於本體部分110上。該第一層121與該第二層122係交替且規則地彼此堆疊，或不規則地堆疊。此外，不同於第4D圖所示者，第一層121與第二層122不僅可設置於第一表面100S1上，而且可設置於第二表面100S2與側壁100-SW上。
第5A及5B圖為顯示根據本發明之另一例示性具體實施態樣之沉積遮罩的前及後視圖，且第6圖係一沿第5B圖之線II-II’的剖面圖。以下，將參考第5A圖、第5B圖及第6圖而詳細描述一沉積遮罩，但將省略與參考第1圖至第4D圖所描述之沉積遮罩相同的沉積遮罩的詳細描述。
沉積遮罩100-5係包括一本體部分110以及一碳層120。本體部分110係包括複數個開口部分100-OP，穿過第一表面100S1與第二表面100S2而形成。碳層120係設置於第一表面100S1上。
各開口部分100-OP係由一側壁100-SW所定義，側壁100-SW與第一及第二表面100S1及100S2連接。側壁100-SW係包括一第一傾斜表面100-SW1、一第二傾斜表面100-SW2、一第三傾斜表面100-SW3、以及一第四傾斜表面100-SW4。第一傾斜表面100-SW1與第二傾斜表面100-SW2係在一第一方向DR1上面向彼此，且第三傾斜表面100-SW3與第四傾斜表面100-SW4在一與該第一方向DR1交叉之第二方向DR2上面向彼此。第三傾斜表面100-SW3及第四傾斜表面100-SW4係與第一傾斜表面100-SW1及第二傾斜表面100-SW2彼此連接。
第一傾斜表面100-SW1、第二傾斜表面100-SW2、第三傾斜表面100-SW3、以及第四傾斜表面100-SW4係增加沉積材料DM進入該等開口部分100-OP之角度，例如，相對於開口部分之一進入角度。因此，對應於該等開口部分100-OP之沉積圖案具有均勻的厚度。
第一傾斜表面100-SW1與第二傾斜表面100-SW2係相對於第一表面100S1而形成一銳角，且相對於第二表面100S2而形成一鈍角。雖然圖中未示出，第三傾斜表面100-SW3與第四傾斜表面100-SW4係相對於第一表面100S1而形成一鈍角，且相對於第二表面100S2而形成一銳角。
如第6圖所示，第一傾斜表面100-SW1係與第一表面100S1形成一第一夾角θ1且與第二表面100S2形成一第二夾角θ2。第二傾斜表面100-SW2係與第一表面100S1形成該第一夾角θ1且與第二表面100S2形成該第二夾角θ2。雖然圖中未示出，第三傾斜表面100-SW3與第四傾斜表面100-SW4可與第一表面100-SW及與第二表面100S2具有相同的夾角。
第7A至7C圖為顯示根據本發明之另一例示性具體實施態樣之沉積遮罩的剖面圖。以下，將參考第7A至7C而圖詳細描述一沉積遮罩，但將省略與參考第5A圖至第6圖所描述之沉積遮罩相同的沉積遮罩的詳細描述。
參考第7A圖，碳層120可設置於第一表面100S1與側壁100-SW上。參考第7B圖，碳層120可設置於第一表面100S1、第二表面100S2、以及側壁100-SW上。隨著其中設置有碳層120的區域增加，而增強沉積遮罩100-6至100-7的強度，且改善靜電的放電速率。
如第7C圖所示的沉積遮罩100-8中，碳層120可具有一第一層121與一第二層122之多層結構。第一層121係包括奈米碳管及石墨烯之一者，或第二層122係包括奈米碳管及石墨烯之另一 者。各該第一層121與該第二層122係可以複數提供於本體部分110上。
第8圖係一顯示根據本發明例示性具體實施態樣之沉積設備的平面圖，以及第9圖係一顯示第8圖所示之沉積設備的剖面圖。以下，將參考第8圖與第9圖以詳細描述一種沉積設備，然而，將省略與參考第1圖至第7C圖所描述之沉積設備相同的沉積設備的詳細描述。
參考第8圖與第9圖，一沉積設備20係包括一沉積腔室CP、複數個沉積源SP1至SP4、一沉積遮罩100、以及一傳送零件(transfer part)TP。
沉積腔室CP係根據其功能而劃分成複數個區域。沉積腔室CP係包括一裝載區域CP-L、一沉積區域CP-D、以及一卸載區載CP-UL。
沉積基材SUB與沉積遮罩100在裝載區域CP-L中彼此相互耦合。沉積基材SUB與沉積遮罩100在卸載區域CP-UL中彼此相互分離。裝載區域CP-L、沉積區域CP-D、以及卸載區域CP-UL係可具有不同的大氣壓力。為了維持沉積區域CP-D之真空，可將一門(door)設置於裝載區域CP-L與沉積區域CP-D之間以及沉積區域CP-D與卸載區域CP-UL之間。
沉積區域CP-D係包括複數個沉積源SP1至SP4設置於其中。第8圖與第9圖係顯示四個沉積源SP1至SP4。該四沉積源SP1至SP4係設置於第一方向DR1上而彼此間隔開。沉積區域CP-D 係以複數個分隔壁(partition walls)B1至B3而分隔。
彼此相互耦合之沉積基材SUB與沉積遮罩100係藉由傳送零件TP而傳送。傳送零件TP可為一輥(roller)或一機器手臂(robot arm)。
彼此相互耦合之沉積基材SUB與沉積遮罩100係從沉積源SP1至SP4接收到不同的沉積材料DM1至DM4。設置於沉積基材SUB上之沉積圖案係具有多層構造。
雖然已描述例示性具體實施態樣，應理解的是，本發明不應侷限於該等例示性具體實施態樣，本技術領域具通常知識者理解，在不背離如以下所請求之本發明精神與範疇之情況下，可進行各種改變與修飾。

Claims (8)

  1. 一種沉積遮罩，包含：一包括金屬之本體部分，該本體部分包括一第一表面與一沉積基材接觸、及一第二表面面向該第一表面、以及穿透過該第一表面與該第二表面所形成之複數個開口部分；以及一碳層，設置於至少該第一表面上且包含一包括奈米碳管之第一層及一包括石墨烯(graphene)之第二層，且其中該本體部分、該第一層、及該第二層係彼此層疊。
  2. 如請求項1所述之沉積遮罩，其中該碳層係進一步設置於該第二表面上。
  3. 如請求項1所述之沉積遮罩，其中各該開口部分係包含一側壁(sidewall)連接該第一表面與該第二表面，以及該碳層係進一步設置於該側壁上。
  4. 如請求項3所述之沉積遮罩，其中該碳層係進一步設置於該第二表面上。
  5. 如請求項3所述之沉積遮罩，其中該側壁包含：一第一傾斜表面(slanterl surface)；一第二傾斜表面，面向該第一傾斜表面；一第三傾斜表面，連接該第一傾斜表面與該第二傾斜表面；以及一第四傾斜表面，面向該第三傾斜表面且連接該第一傾斜表面與該第二傾斜表面。
  6. 如請求項5所述之沉積遮罩，其中該第一傾斜表面、該第二傾斜表面、該第三傾斜表面、及該第四傾斜表面係相對於該第一表面形成一銳角且相對於該第二表面形成一鈍角。
  7. 如請求項6所述之沉積遮罩，其中該第一傾斜表面與該第二傾斜表面係相對於該第一表面形成一相同角度。
  8. 如請求項5所述之沉積遮罩，其中該碳層係進一步設置於該第一傾斜表面、該第二傾斜表面、該第三傾斜表面、及該第四傾斜表面上。
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106148901B (zh) * 2015-05-15 2019-09-03 株式会社达文希斯 有机膜蒸镀装置、方法及有机膜装置
CN105513812B (zh) * 2016-01-29 2018-06-22 白德旭 一种石墨烯太阳能电池及其制备方法
KR102373442B1 (ko) * 2017-09-08 2022-03-14 삼성디스플레이 주식회사 박막증착용 마스크와, 이의 제조방법
KR102150450B1 (ko) * 2018-05-11 2020-09-01 주식회사 선익시스템 비상 탈출이 가능한 진공챔버 및 이를 포함하는 증착장치
CN109324472A (zh) * 2018-11-16 2019-02-12 浙江大学昆山创新中心 一种掩模板保护方法
CN111411323B (zh) * 2020-03-31 2023-01-20 云谷（固安）科技有限公司 一种掩膜板
CN112205301A (zh) * 2020-10-13 2021-01-12 姬世伟 一种动物笼舍养殖的防病菌卫生养殖装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5268068A (en) * 1992-12-08 1993-12-07 International Business Machines Corporation High aspect ratio molybdenum composite mask method
US20110143473A1 (en) * 2009-12-15 2011-06-16 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using thin film deposition apparatus
US8169769B2 (en) * 2008-09-11 2012-05-01 Tel Epion Inc. Electrostatic chuck power supply
US20120298289A1 (en) * 2011-05-27 2012-11-29 Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. Method for making graphene/carbon nanotube composite structure
TW201250042A (en) * 2011-06-09 2012-12-16 Shih Hua Technology Ltd Method for making pattern conductive element

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002067267A (ja) 2000-08-24 2002-03-05 Citizen Watch Co Ltd スクリーン印刷機およびそれに用いる印刷マスクの製造方法
US6641674B2 (en) * 2000-11-10 2003-11-04 Helix Technology Inc. Movable evaporation device
JP4092914B2 (ja) * 2001-01-26 2008-05-28 セイコーエプソン株式会社 マスクの製造方法、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法
JP2005093484A (ja) 2003-09-12 2005-04-07 Toppan Printing Co Ltd ステンシルマスク及びその製造方法
KR100561705B1 (ko) 2004-06-18 2006-03-15 전자부품연구원 니켈 전주도금법을 이용한 금속마스크 제작방법 및 이를이용한 금속 마스크
JP2006205716A (ja) 2004-12-28 2006-08-10 Yuken Industry Co Ltd メタルマスク
JP2006198489A (ja) 2005-01-19 2006-08-03 Toshiba Corp 紙葉類の搬送ギャップ補正装置
KR101201318B1 (ko) * 2005-12-08 2012-11-14 엘지디스플레이 주식회사 컬러필터기판 및 그 제조방법
KR101424249B1 (ko) 2006-06-27 2014-08-04 엘지디스플레이 주식회사 섀도우 마스크 및 그를 포함하는 증착 장치와 그 증착장치를 이용한 유기전계발광소자의 제조방법
KR100811266B1 (ko) 2006-09-01 2008-03-07 주식회사 하이닉스반도체 하드 마스크를 이용한 선택적 식각 방법 및 이를 이용한메모리 소자의 소자분리 형성 방법
JP2008150660A (ja) 2006-12-15 2008-07-03 Seiko Epson Corp 装飾品の製造方法、装飾品および時計
JP2009059804A (ja) 2007-08-30 2009-03-19 Elpida Memory Inc 半導体装置の製造方法およびハードマスク
US9305735B2 (en) * 2007-09-28 2016-04-05 Brigham Young University Reinforced polymer x-ray window
US8169768B1 (en) * 2008-06-09 2012-05-01 Kla-Tencor Corporation Electrostatic chuck
JP2010159454A (ja) 2009-01-08 2010-07-22 Ulvac Japan Ltd 成膜装置、成膜方法
JP2010180438A (ja) 2009-02-04 2010-08-19 Mitsubishi Electric Corp マスクユニットおよびマスクユニットを有する蒸着装置
KR101044554B1 (ko) * 2009-03-31 2011-06-28 (주)탑나노시스 대전 방지 처리된 작업 스테이지
KR20120073819A (ko) 2010-12-27 2012-07-05 제일모직주식회사 하드마스크 조성물, 이를 사용한 패턴 형성 방법 및 반도체 집적회로 디바이스의 제조 방법
CN102605422B (zh) 2011-01-24 2015-07-29 清华大学 用于生长外延结构的掩模及其使用方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5268068A (en) * 1992-12-08 1993-12-07 International Business Machines Corporation High aspect ratio molybdenum composite mask method
US8169769B2 (en) * 2008-09-11 2012-05-01 Tel Epion Inc. Electrostatic chuck power supply
US20110143473A1 (en) * 2009-12-15 2011-06-16 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using thin film deposition apparatus
US20120298289A1 (en) * 2011-05-27 2012-11-29 Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. Method for making graphene/carbon nanotube composite structure
TW201250042A (en) * 2011-06-09 2012-12-16 Shih Hua Technology Ltd Method for making pattern conductive element

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