KR102104252B1 - Oxygen free copper plate and ceramics wiring board - Google Patents

Abstract

(과제)고온으로 가열되었을 경우에도 결정의 조대화를 억제할 수 있는 무산소동판 및 세라믹스 배선기판을 제공한다.
(해결수단)압연됨으로써 평판모양으로 형성되어 이루어지고, 압연면에 대하여 평행한 결정면이 {022}면, {002}면, {113}면, {111}면 및 {133}면인 결정을 구비하고, 900도(℃)의 조건하에서 10분간 가열하는 열처리를 실시한 후의 평균결정입경이 0.4mm이하이다.(Task) An oxygen-free copper plate and a ceramic wiring board capable of suppressing crystal coarsening even when heated to a high temperature.
(Measurement means) It is formed and formed into a flat plate by rolling, and the crystal planes parallel to the rolling plane are {022} plane, {002} plane, {113} plane, {111} plane, and {133} plane. , The average crystal grain size after performing heat treatment for 10 minutes under the condition of 900 degrees (℃) is 0.4 mm or less.

Description

무산소동판 및 세라믹스 배선기판{OXYGEN FREE COPPER PLATE AND CERAMICS WIRING BOARD}OXYGEN FREE COPPER PLATE AND CERAMICS WIRING BOARD}

본 발명은, 무산소동판(無酸素銅板) 및 세라믹스 배선기판(ceramics 配線基板)에 관한 것이다.The present invention relates to an oxygen-free copper plate and a ceramics wiring substrate.

반도체 소자를 실장(實裝)하는 기판으로서, 세라믹스 배선기판이 사용되는 경우가 있다(예를 들면 특허문헌1, 2 참조). 세라믹스 배선기판은, 세라믹스 기판 중 어느 하나의 주면(主面)상에 설치되고 예를 들면 에칭에 의해 소정의 장소가 제거되어서 배선패턴(구리배선)이 되는 무산소동판과, 세라믹스 기판이 접합되어서 형성되어 있다. 세라믹스 기판과 무산소동판과의 접합방법으로서, 무산소동판에 있어서 세라믹스 기판과의 접합면상에 형성된 구리산화물층을 용융시켜서 양자를 접합하는 다이렉트 본딩법이나, 티탄(Ｔｉ) 등의 활성금속이 첨가된 납땜재를 사용해서 양자를 접합하는 활성금속 납땜법 등이 사용되고 있다.As a substrate for mounting a semiconductor element, a ceramic wiring board may be used in some cases (for example, see Patent Documents 1 and 2). The ceramic wiring board is formed by bonding an oxygen-free copper plate, which is provided on a main surface of any one of the ceramic substrates, and removes a predetermined place by etching, for example, to form a wiring pattern (copper wiring), and a ceramic substrate. It is done. As a bonding method between a ceramic substrate and an oxygen-free copper plate, a direct bonding method in which a copper oxide layer formed on a bonding surface of a ceramic substrate on a oxygen-free copper plate is melted and joined to each other, or soldered with an active metal such as titanium (Ti) An active metal soldering method, etc., in which both are joined using ash, has been used.

일본국 공개특허공보 특개소61-296788호 공보Japanese Patent Application Publication No. 61-296788 일본국 공개특허 특개평9-36540호 공보Japanese Patent Application Publication No. 9-36540

상기의 접합방법에서는, 구리(Ｃｕ)나 Ｔｉ 등의 금속을 용융시키기 때문에, 접합 프로세스에 있어서 고온(高溫)의 온도대(예를 들면 800∼1080도(℃))에서의 가열이 따른다. 그러나 무산소동판은 고온으로 가열되면, 무산소동판을 구성하는 구리결정(구리의 결정립(結晶粒))이 성장하여 조대화(粗大化)하는 경우가 있다.In the above bonding method, since metals such as copper (Cu) and Ti are melted, heating in a high temperature range (for example, 800 to 1080 ° C (° C)) follows in the bonding process. However, when the oxygen-free copper plate is heated to a high temperature, there are cases in which copper crystals (crystal grains of copper) constituting the oxygen-free copper plate grow and coarsen.

본 발명은, 고온으로 가열되었을 경우이더라도 결정의 조대화를 억제할 수 있는 무산소동판 및 그 관련기술을 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide an oxygen-free copper plate capable of suppressing coarsening of crystals even when heated to a high temperature, and related technology.

본 발명의 하나의 태양에 의하면,According to one aspect of the invention,

압연됨으로써 평판모양으로 형성되어 이루어지고,It is formed into a flat shape by rolling,

압연면에 대하여 평행한 결정면이 {022}면, {002}면, {113}면, {111}면 및 {133}면인 결정을 구비하고,Crystals parallel to the rolled surface are {022} plane, {002} plane, {113} plane, {111} plane, and {133} plane,

상기 압연면에 대한 2θ/θ법에 의한 X선회절측정에 의하여 얻어지는 상기 각 결정면의 회절피크강도를 각각 I_{022}, I_{002}, I_{113}, I_{111}, I_{133}이라고 했을 때,The diffraction peak intensities of the respective crystal surfaces obtained by X-ray diffraction measurement by the 2θ / θ method for the rolled surface are respectively I _{022} , I _{002} , I _{113} , I _{111} , I _{{133 }}

I_{022} / (I_{022} + I_{002} + I_{113} + I_{111} + I_{133｝） ≤ 0.3이며,I _{022} / (I _{022} + I _{002} + I _{113} + I _{111} + I _{133｝ ） ≤ 0.3,

(I_{002} + I_{113}) / (I_{111} + I_{133｝） ≥ 1.0이며,(I _{002} + I _{113} ) / (I _{111} + I _{133｝ ） ≥ 1.0,

I_{002} / I_{022｝ ≥ 1.0이며,I _{002} / I _{022｝ ≥ 1.0,

I_{113} / I_{022｝ ≥ 0.5이며,I _{113} / I _{022｝ ≥ 0.5,

I_{111} / I_{022｝ ≥ 0.15이며,I _{111} / I _{022｝ ≥ 0.15,

I_{133} / I_{022｝ ≥ 0.02이며,I _{133} / I _{022｝ ≥ 0.02,

0.5 ≤ I_{002} / I_{113｝ ≤ 5.0이며,0.5 ≤ I _{002} / I _{113｝ ≤ 5.0,

0.2 ≤ I_{133} / I_{111｝ ≤ 0.5이며,0.2 ≤ I _{133} / I _{111｝ ≤ 0.5,

1.0 ≤ I_{113} / I_{111｝ ≤ 10이며,1.0 ≤ I _{113} / I _{111｝ ≤ 10,

1.0 ≤ I_{002} / I_{111｝ ≤ 20이며,1.0 ≤ I _{002} / I _{111｝ ≤ 20,

1.0 ≤ I_{002} / I_{133｝ ≤ 75이며,1.0 ≤ I _{002} / I _{133｝ ≤ 75,

1.0 ≤ I_{113} / I_{133｝ ≤ 30이며,1.0 ≤ I _{113} / I _{133｝ ≤ 30,

900도(℃)의 조건하에서 10분간 가열하는 열처리를 실시한 후의 평균결정입경이 0.4mm 이하인 무산소동판 및 그 관련기술이 제공된다.An oxygen-free copper plate having an average crystal grain size of 0.4 mm or less after heat treatment for 10 minutes under a condition of 900 ° C (℃) and related technology is provided.

본 발명에 의하면, 무산소동판이 세라믹스 기판 등과의 접합을 위하여 고온으로 가열되었을 경우에도 무산소동판을 구성하는 결정의 조대화를 억제할 수 있다.According to the present invention, coarsening of the crystals constituting the oxygen-free copper plate can be suppressed even when the oxygen-free copper plate is heated to a high temperature for bonding to a ceramic substrate or the like.

도1은 본 발명의 실시예에 관한 중립점의 위치의 설명도이다.1 is an explanatory view of a position of a neutral point according to an embodiment of the present invention.

<발명자 등이 얻은 지식><Knowledge from Inventors, etc.>

본 발명의 실시형태의 설명에 앞서, 본 발명자가 얻은 지식에 대해서 설명한다.Prior to the description of the embodiments of the present invention, the knowledge obtained by the inventors will be described.

무산소동판은, 주괴(鑄塊)에 대하여 냉간압연(冷間壓延), 최종의 냉간압연 등을 함으로써 제작된다. 냉간압연을 하면, 피압연재(被壓延材) 중의 구리결정은 {022}면쪽으로 회전하기 때문에, 피압연재에는 압연면과 평행한 결정면이 {022}면인 결정이 발달하기 쉽다. 이 때문에 최종의 냉간압연후의 무산소동판 중에는 {022}면의 결정이 많아지고 다른 결정면의 결정이 적어진다.The oxygen-free copper plate is produced by cold rolling, final cold rolling, or the like on an ingot. When cold rolling, since the copper crystals in the rolled material rotate toward the {022} surface, it is easy to develop crystals in which the rolled surface has a {022} surface with a crystal surface parallel to the rolling surface. For this reason, in the oxygen-free copper plate after the final cold rolling, the crystals of the {022} plane increase and the crystals of the other crystal plane decrease.

무산소동판이 고온으로 가열되면, 무산소동판 중의 결정이 재결정됨으로써 새로운 결정(재결정립(再結晶粒))이 발생한다. 이 재결정립은, 재결정전의 결정의 결정방위에 관련한 특정한 방위를 구비한다. 예를 들면 무산소동판 중의 {022}면의 결정은, 고온가열에 의해 재결정됨으로써 압연면과 평행한 결정면이 {002}면인 결정으로 변화한다.When the oxygen-free copper plate is heated to a high temperature, crystals in the oxygen-free copper plate are recrystallized to generate new crystals (recrystallized grains). This recrystallized grain has a specific orientation related to the crystal orientation of the crystal before recrystallization. For example, the crystals of the {022} plane in the oxygen-free copper plate are recrystallized by high-temperature heating, so that the crystal plane parallel to the rolling plane is a {002} plane.

무산소동판 중의 결정이 재결정할 때, 동일한 결정방위를 구비하는 결정 상호간은 합체, 집합하기 쉬워, 그 결과, 무산소동판 중의 결정이 조대화하기 쉽다. 예를 들면 상술한 바와 같은 {022}면의 결정이 많은 무산소동판이 고온으로 가열되면, 재결정에 의하여 {022}면의 결정이 {002}면의 결정으로 변화하고, 이 결정 상호간이 합체, 집합해서 조대화한다. 이와 같이 고온가열에 의한 무산소동판 중의 결정의 조대화는, 최종의 냉간압연후의 무산소동판 중에 존재하는 결정의 결정방위에 크게 의존한다.When the crystals in the oxygen-free copper plate are recrystallized, crystals having the same crystal orientation are easy to coalesce and aggregate, and as a result, crystals in the oxygen-free copper plate are likely to coarsen. For example, when the oxygen-free copper plate having many crystals on the {022} plane as described above is heated to a high temperature, the crystal on the {022} plane changes to the crystal on the {002} plane by recrystallization, and the crystals are coalesced and aggregated. To coarsen. Thus, coarsening of the crystals in the oxygen-free copper plate by high-temperature heating largely depends on the crystal orientation of the crystals present in the oxygen-free copper plate after the final cold rolling.

그래서 최종의 냉간압연에 있어서의 {022}면의 결정의 발달을 억제하기 위해서, 최종의 냉간압연의 총가공도(總加工度)를 낮게 억제하는 것이 고려된다. 그러나 최종의 냉간압연의 총가공도를 낮게 하면, 피압연재(최종적으로 얻어지는 무산소동판)의 내부에 축적되는 변형 에너지가 저하하기 때문에, 고온가열에 의한 재결정시에 재결정핵(再結晶核)의 발생 빈도의 저하로 이어진다. 그 결과, 고온가열후의 무산소동판 중의 결정수(結晶數)의 저하, 즉 결정의 조대화로 이어져버린다.Therefore, in order to suppress the development of the {022} plane crystal in the final cold rolling, it is considered to suppress the total workability of the final cold rolling to be low. However, when the total workability of the final cold rolling is lowered, since the strain energy accumulated in the inside of the rolled material (finally obtained oxygen-free copper plate) decreases, recrystallization nuclei are generated during recrystallization by high temperature heating. This leads to a decrease in frequency. As a result, the number of crystals in the oxygen-free copper plate after high-temperature heating decreases, that is, it leads to coarsening of the crystals.

그래서 본 발명자 등은, 무산소동판에 있어서 최종의 냉간압연의 총가공도를 낮게 하지 않고 고온가열에 의한 결정 조대화를 억제하기 위해 예의 연구를 하였다. 그 결과, 고온가열전의 무산소동판 중의 {022}면의 결정을 적게 함과 아울러, 압연면과 평행한 결정면이 {022}면 이외의 면인 결정을 무산소동판 중에 일정량(일정수) 존재시킴으로써 상기 문제를 해결할 수 있는 것을 찾아냈다. 본 발명은 발명자 등이 찾아낸 상기 지식에 의거하는 것이다.Therefore, the inventors of the present invention conducted a courtesy study to suppress crystal coarsening by high-temperature heating without lowering the total workability of the final cold rolling in an oxygen-free copper plate. As a result, the above problem was solved by reducing the number of crystals on the {022} plane in the oxygen-free copper plate before high-temperature heating, and by presenting a certain amount (constant number) of crystals in which the crystal plane parallel to the rolling plane was a surface other than the {022} plane. Found something that can be solved. The present invention is based on the knowledge found by the inventors and the like.

<본 발명의 1실시형태><One embodiment of the present invention>

이하, 본 발명의 1실시형태에 대해서 설명한다.Hereinafter, one embodiment of the present invention will be described.

(1)무산소동판의 구성(1) Composition of anaerobic copper plate

우선, 무산소동판의 구성에 대해서 설명한다.First, the configuration of the oxygen-free copper plate will be described.

본 실시형태에 관한 무산소동판은, 예를 들면 압연가공을 함으로써 소정 방향으로 압연되어서 평판모양(판모양)으로 형성되어 이루어진다. 또 무산소동판의 압연면이 주면(主面)(주표면)이 된다. 무산소동판의 두께는 예를 들면 100μｍ이상이다.The oxygen-free copper plate according to the present embodiment is formed in a plate shape (plate shape) by rolling in a predetermined direction by, for example, rolling. In addition, the rolling surface of the oxygen-free copper plate becomes the main surface (main surface). The thickness of the oxygen-free copper plate is, for example, 100 μm or more.

압연되어 이루어지는 무산소동판은, 복수의 결정에 의해 구성되어 있는, 즉 다결정이다. 무산소동판은, 압연면에 대하여 평행한 결정면이 {022}면, {002}면, {113}면, {111}면 및 {133}면인 결정을 구비하고 있다. 무산소동판의 압연면에는 복수의 결정이 노출되어 있고, 상기한 바와 같이 무산소동판은 다결정이기 때문에 압연면이 하나의 결정면만으로 구성되는 경우는 없다.The oxygen-free copper plate formed by rolling is made of a plurality of crystals, that is, polycrystalline. The oxygen-free copper plate has crystals in which the crystal planes parallel to the rolled plane are {022} plane, {002} plane, {113} plane, {111} plane, and {133} plane. Since a plurality of crystals are exposed on the rolling surface of the oxygen-free copper plate, and as described above, the oxygen-free copper plate is polycrystalline, so that the rolling surface is not composed of only one crystal surface.

본 명세서 중에서는, 압연면에 대하여 평행한 결정면이 {022}면인 결정을 {022}면의 결정이라고도 부른다. 압연면에 대하여 평행한 결정면이 {002}면, {113}면, {111}면 및 {133}면인 결정도 마찬가지로 한다. 압연면에 대하여 평행한 결정면이 {002}면, {113}면, {111}면 및 {133}면인 결정을 합쳐서 「부방위의 각 결정면의 결정」이라고도 부른다. 또 압연되어 이루어지는 무산소동판에 있어서의 구리결정의 주방위면은 {022}면이다.In this specification, a crystal in which the crystal plane parallel to the rolled plane is the {022} plane is also referred to as a {022} plane crystal. The same applies to crystals in which the crystal planes parallel to the rolled surface are the {002} plane, the {113} plane, the {111} plane, and the {133} plane. Crystals parallel to the rolled surface are {002} plane, {113} plane, {111} plane, and {133} plane, and are also referred to as "crystals of each crystal plane in the sub-orientation". Moreover, the kitchen top surface of the copper crystal in the oxygen-free copper plate formed by rolling is {022} surface.

상기한 바와 같이, 무산소동판이 고온으로 가열되면, 재결정에 의해 무산소동판 중의 {022}면의 결정이 {002}면의 결정으로 변화될 때에 이 결정 상호간이 합체, 집합하여 무산소동판 중의 결정을 조대화시킨다. 이 때문에 고온가열에 의해 무산소동판 중의 결정이 조대해지는 것(이하, 「고온가열에 의한 결정 조대화」라고도 부른다)을 억제하기 위해서는, 무산소동판 중에 존재하는 {022}면의 결정을 적게 할 필요가 있다. 예를 들면, 무산소동판의 압연면에 대하여 2θ/θ법에 의한 X선회절측정으로 얻어지는 {022}면의 회절피크강도를 충분히 낮게 할 필요가 있다.As described above, when the oxygen-free copper plate is heated to a high temperature, when the crystals of the {022} plane in the oxygen-free copper plate are changed to crystals of the {002} plane by recrystallization, the crystals are aggregated and aggregated to prepare crystals in the oxygen-free copper plate. Communicate. For this reason, in order to suppress crystals in the oxygen-free copper plate from being coarse by high-temperature heating (hereinafter also referred to as "coarse crystallization by high-temperature heating"), it is necessary to decrease the crystals of the {022} plane present in the oxygen-free copper plate. have. For example, it is necessary to sufficiently lower the diffraction peak intensity of the {022} plane obtained by X-ray diffraction measurement by the 2θ / θ method for the rolled surface of the oxygen-free copper plate.

부방위의 각 결정면의 결정은, 무산소동판을 고온으로 가열하였을 경우에도 압연면과 평행한 면이 다른 결정면인 결정으로 변화되는 경우는 거의 없다. 이 때문에, 고온가열에 의한 결정 조대화를 억제하기 위해서는, 부방위의 각 결정면의 결정을 무산소동판 중에 일정량 존재시킬 필요가 있다. 예를 들면, 압연면에 대하여 2θ/θ법에 의한 X선회절측정으로 얻어지는 부방위의 각 결정면의 회절피크강도를 각각 소정의 범위 내로 할 필요가 있다.The crystal of each crystal surface in the sub-orientation rarely changes to a crystal that is a different crystal surface when the oxygen-free copper plate is heated to a high temperature. For this reason, in order to suppress crystal coarsening by high-temperature heating, it is necessary to present a certain amount of crystals on each crystal surface in the sub-orientation in an oxygen-free copper plate. For example, it is necessary to set the diffraction peak intensity of each crystal surface in the sub-direction obtained by X-ray diffraction measurement by the 2θ / θ method with respect to the rolled surface, respectively, within a predetermined range.

상기한 바와 같이, 고온가열에 의한 결정 조대화와, 무산소동판에 있어서의 {022}면의 결정 및 부방위의 각 결정면의 결정과의 사이에는 밀접한 관계가 확인된다. 고온가열에 의한 결정 조대화를 억제하기 위해서는, {022}면 및 부방위의 각 결정면에 있어서 상기의 회절피크강도의 균형을 조정할 필요가 있다.As described above, a close relationship between crystal coarsening by high-temperature heating and crystals of the {022} plane in the anoxic copper plate and crystals of each crystal plane in the negative orientation is confirmed. In order to suppress crystal coarsening due to high-temperature heating, it is necessary to adjust the balance of the diffraction peak intensity in the {022} plane and each crystal plane in the negative orientation.

무산소동판은, 압연면에 대하여 2θ/θ법에 의한 X선회절측정으로 얻어지는 {022}면, {002}면, {113}면, {111}면 및 {133}면의 회절피크강도를 각각 I_{022}, I_{002}, I_{113}, I_{111}, I_{133}이라고 했을 때, 하기 식(1)∼식(12)를 모두 충족시키고 있다.The oxygen-free copper plate has the diffraction peak intensities of the {022}, {002}, {113}, {111}, and {133} planes obtained by X-ray diffraction measurement using the 2θ / θ method for the rolled plane, respectively. When I _{022} , I _{002} , I _{113} , I _{111} , and I _{133} , all of the following expressions (1) to (12) are satisfied.

식（１）：Ｉ_{｛０２２｝}／（Ｉ_{｛０２２｝}＋Ｉ_{｛００２｝}＋Ｉ_{｛１１３｝}＋Ｉ_{｛１１１｝}＋Ｉ_{｛１３３｝}）≤０．３Equation (1): I _{｛０２２｝} ／ （I _{２０２２Ｉ} + I _{｛００２｝} + I _{｛１１３｝} ＋ Ｉ _{｛１１１｝} + Ｉ _{｛１３３｝} ）

식（２）：（Ｉ_{｛００２｝}＋Ｉ_{｛１１３｝}）／（Ｉ_{｛１１１｝}＋Ｉ_{｛１３３｝}）≥１．０Equation _{(2) :( I {002}} + I {113}) / (I {111} + I {133}) ≥1.0

식（３）：Ｉ_{｛００２｝}／Ｉ_{｛０２２｝}≥１．０Formula (3): I _{｛００２｝} ／ Ｉ _{｛０２２｝} ≥１．０

식（４）：Ｉ_{｛１１３｝}／Ｉ_{｛０２２｝}≥０．５Formula (4): I _{｛１１３｝} ／ I _{｛０２２｝} ≥０．５

식（５）：Ｉ_{｛１１１｝}／Ｉ_{｛０２２｝}≥０．１５Formula (5): I _{｛１１１｝} ／ I _{｛０２２｝} ≥０．15

식（６）：Ｉ_{｛１３３｝}／Ｉ_{｛０２２｝}≥０．０２Formula (6): I _{｛１３３｝} ／ I _{｛０２２｝} ≥０．０２

식（７）：０．５≤Ｉ_{｛００２｝}／Ｉ_{｛１１３｝}≤５．０Formula (7): 0．5≤I _{｛００２｝} ／ I _{｛１１３｝} ≤5.5.

식（８）：０．２≤Ｉ_{｛１３３｝}／Ｉ_{｛１１１｝}≤０．５Formula (８): 0．2≤I _{｛１３３｝} ／ I _{｛１１１｝} ≤０．５

식（９）：１．０≤Ｉ_{｛１１３｝}／Ｉ_{｛１１１｝}≤１０Formula (９) ： １．０≤Ｉ _{｛１１３｝} ／ Ｉ _{｛１１１｝} ≤１０

식（１０）：１．０≤Ｉ_{｛００２｝}／Ｉ_{｛１１１｝}≤２０Formula (10): 1.10≤I _{｛００２｝} ／ I _{｛１１１｝} ≤20

식（１１）：１．０≤Ｉ_{｛００２｝}／Ｉ_{｛１３３｝}≤７５Formula (11): 1.．10≤I _{｛００２｝} ／ I _{｛１３３｝} ≤7.5

식（１２）：１．０≤Ｉ_{｛１１３｝}／Ｉ_{｛１３３｝}≤３０Formula （１２） ： １．０≤Ｉ _{｛１１３｝} ／ I _{｛１３３｝} ≤３０

상기 식(1)은, {022}면의 회절피크강도가, 부방위의 각 결정면({022}면 이외의 결정면)의 회절피크강도의 3할 이하로 충분히 낮은 것을 나타내고 있다. 이것은, 무산소동판 중의 {022}면의 결정이 충분히 적은 것을 의미한다.The above formula (1) shows that the diffraction peak intensity of the {022} plane is sufficiently low to 30% or less of the diffraction peak intensity of each crystal plane in a sub-orientation (crystal plane other than the {022} plane). This means that the crystals on the {022} plane in the oxygen-free copper plate are sufficiently small.

상기 식(2)는, {002}면의 회절피크강도와 {113}면의 회절피크강도의 합계(I_{002}+I_{113})의 비율이, {111}면의 회절피크강도와 {133}면의 회절피크강도의 합계(I_{111}+I_{133})의 비율보다 높은 것을 나타내고 있다. 이것은, 후술하는 최종의 냉간압연에 의하여 피압연재에 가해지는 압축성분이 인장성분보다 높은 것, 즉 최종의 냉간압연에서는 인장응력보다 압축응력이 우세한 것을 나타내고 있다.In the formula (2), the ratio of the total (I _{002} + I _{113} ) of the diffraction peak intensity of the {002} plane and the diffraction peak intensity of the {113} plane is equal to the diffraction peak strength of the {111} plane. It shows that it is higher than the ratio of the total (I _{111} + I _{133} ) of the diffraction peak intensity of the {133} plane. This indicates that the compression component applied to the material to be rolled by the final cold rolling described later is higher than the tensile component, that is, the compression stress is superior to the tensile stress in the final cold rolling.

상기 식(3)∼(6)은, 후술하는 최종의 냉간압연에 의하여 {022}면까지 회전(변화)한 구리결정에 대한 {022}면까지 회전하지 않은 구리결정의 비율을 각각 나타내고 있다.The formulas (3) to (6) respectively show the ratio of copper crystals that have not rotated to the {022} plane to copper crystals that have been rotated (changed) to the {022} plane by the final cold rolling described later.

상기 식(7), (8)은, 후술하는 최종의 냉간압연에 의해 구리결정이 {022}면으로 회전할 때, 후술하는 경로1, 2로 각각 보여지는 결정면 상호간의 회절피크강도의 비율을 각각 나타내고 있다.Equations (7) and (8) show the ratios of the diffraction peak intensities between the crystal surfaces shown by paths 1 and 2, respectively, when the copper crystals rotate to the {022} plane by the final cold rolling described later. Respectively.

상기 식(9)∼(12)는, 후술하는 최종의 냉간압연에 의해 구리결정이 {022}면으로 회전할 때, 후술하는 경로1, 2 이외의 경로로 보여지는 결정면 상호간의 회절피크강도의 비율을 각각 나타내고 있다.Equations (9) to (12) show the diffraction peak intensities between the crystal planes shown by paths other than paths 1 and 2 described below when the copper crystals rotate to the {022} plane by the final cold rolling described later. Ratio is shown respectively.

식(9)∼(12)와 식(7), (8)을 함께 고려함으로써, 후술하는 최종의 냉간압연에 의해 {022}면까지 회전하지 않은 결정면 상호간의 회절피크강도의 비율을 모두 나타내게 된다.By considering equations (9) to (12) and equations (7) and (8) together, the ratio of diffraction peak intensities between crystal planes that have not rotated to the {022} plane by the final cold rolling described later is shown. .

상기 식(1)∼(12)에 나타내는 각 결정면의 회절피크강도의 관계는, 1개 또는 복수의 식의 범위가 변경되면 다른 식의 범위도 연동해서 변해버리는 점에 유의할 필요가 있다. 예를 들면, 식(3)의 하한의 범위를 크게 하기 위해서는 I_{002}의 값을 크게 하면 좋지만, 이 경우에 식(7)의 분자도 커켜서 식(7)의 값이 상한치의 5.0을 상회하는 것으로 될 수 밖에 없다. 이러한 관계는, 상기한 식(1)∼(12)까지의 모두에 들어맞는다.It is necessary to note that the relationship between the diffraction peak intensities of the respective crystal faces shown in the above formulas (1) to (12) changes in conjunction with the range of other equations when the range of one or more equations is changed. For example, in order to increase the range of the lower limit of equation (3), it is good to increase the value of I _{002} , but in this case, the numerator of equation (7) is also enlarged so that the value of equation (7) is 5.0 of the upper limit. It has no choice but to exceed. This relationship fits all of the above formulas (1) to (12).

무산소동판의 원재료(모재(母材))로서, 열전도성이나 내수소취성(耐水素脆性)이 우수한 무산소구리(Ｏｘｙｇｅｎ Ｆｒｅｅ Ｃｏｐｐｅｒ:ＯＦＣ)를 사용하는 것이 바람직하다. 이 무산소구리로서, 도전율(도전성)의 저하를 억제하는 관점으로부터, JIS C1020, H3100 등으로 규정되는 순도가 99.96% 이상의 무산소구리를 사용하는 것이 바람직하다.As the raw material (base material) of the oxygen-free copper plate, it is preferable to use an oxygen-free copper (Oｘy ｇ ｎ ｅ ｅ ｅ ｅ ｅ ｅ ｅ ｅ ｅ ｅ ｅ ｅ ｅ ｅ ｅ ｅ ｅ ｅ ｅ ｅ ｅ ｅ ｅ ｅ ｅ ｅ ｅ ｅ ｅ ｅ ｅ ｅ ｅ ｅ ｅ ｅ ｅ), it is preferable to use an oxygen-free copper (Oｘy ｇ ｎ ｅ ｅ ｅ ｅ ｅ ｅ ｅ ｅ ｅ ｅ), excellent in thermal conductivity and hydrogen odor resistance. As this oxygen-free copper, from the viewpoint of suppressing the decrease in conductivity (conductivity), it is preferable to use an oxygen-free copper having a purity of 99.96% or more specified by JIS C1020, H3100 or the like.

무산소동판은, 도전율의 저하를 억제하는 관점으로부터, 그 산소(Ｏ) 농도가 0ｐｐｍ인 것, 즉 산소함유량이 제로인 것이 바람직하다. 그러나 무산소동판의 제작과정에 있어서 무산소동판 중에 불가피하게 불순물이 혼입되는 것 때문에, 무산소동판 중의 Ｏ농도를 제로로 하는 것은 곤란하고, 수∼수십ｐｐｍ 정도의 산소가 포함되는 것이 일반적이다. 본 실시형태에서는 무산소동판 중의 Ｏ농도가 10ｐｐｍ이하이면 좋고, 이에 의하여 후술하는 세라믹스 배선기판에 적합하게 사용할 수 있다.It is preferable that the oxygen-free copper plate has an oxygen concentration of 0 mm, that is, the oxygen content is zero from the viewpoint of suppressing the decrease in conductivity. However, in the manufacturing process of the oxygen-free copper plate, since impurities are inevitably mixed into the oxygen-free copper plate, it is difficult to zero the O concentration in the oxygen-free copper plate, and it is common that oxygen of about several tens to several tens of millimeters is included. In the present embodiment, the O concentration in the oxygen-free copper plate should just be 10 mm or less, whereby it can be suitably used for a ceramic wiring substrate described later.

무산소동판에는, 주석(Ｓｎ), 지르코늄(Ｚｒ), 마그네슘(Ｍｇ), 티탄(Ｔｉ) 및 칼슘(Ｃａ)으로 이루어지는 군으로부터 선택한 1종 이상의 원소(이하, 이들을 합쳐서 「Ｓｎ 등의 원소」라고도 부른다)가 함유되어 이루어지는 것이 바람직하다.In the oxygen-free copper plate, one or more elements selected from the group consisting of tin (Sn), zirconium (Ｚr), magnesium (Mg), titanium (Ti), and calcium (Ca) (hereinafter referred to collectively as "elements such as Sn") ).

상기의 원소의 원자반경은 각각 Ｓｎ:158ｐｍ, Ｚｒ:160ｐｍ, Ｍｇ:160ｐｍ, Ｔｉ:147ｐｍ, Ｃａ:197ｐｍ이며, 구리(Ｃｕ)의 원자반경의 128ｐｍ에 비하면 매우 크다. 이 때문에 Ｓｎ 등의 원소를 구리의 모상(母相)중에 고용(固溶)시킴으로써 결정격자(원자격자)를 크게 변형시킬 수 있다. 무산소동판이 고온으로 가열되었을 때에 이 변형이 입계이동의 장해가 되어, 그 결과, 고온가열에 의한 결정 조대화를 억제할 수 있다.The atomic radii of the above elements are Sn: 158mm, Murr: 160mm, Mg: 160mm, Ti: 147mm, and Ca: 197mm, respectively, and are very large compared to 128mm of the atomic radius of copper. For this reason, crystal lattices (circular lattices) can be largely deformed by dissolving elements such as Sn in a copper phase. When the oxygen-free copper plate is heated to a high temperature, this deformation becomes an obstacle to grain boundary movement, and as a result, crystal coarsening due to high temperature heating can be suppressed.

Ｓｎ 등의 원소의 농도(함유량)는, 예를 들면 150ｐｐｍ이하인 것이 바람직하고, 50ｐｐｍ이상, 150ｐｐｍ이하인 것이 더 바람직하다. 또 Ｓｎ 등으로 이루어지는 군으로부터 선택한 2종 이상의 원소를 무산소동판 중에 함유시키는 경우에는, 2종 이상의 원소의 총농도(합계농도)가 150ｐｐｍ이하인 것이 바람직하다.The concentration (content) of elements such as Sn is preferably 150 mm or less, and more preferably 50 mm or more and 150 mm or less, for example. Moreover, when 2 or more types of elements selected from the group which consists of Sn are contained in an oxygen-free copper plate, it is preferable that the total concentration (total concentration) of 2 or more types of elements is 150 mm or less.

Ｓｎ 등의 원소의 농도(총농도)가 150ｐｐｍ을 넘으면, 무산소동판의 도전율의 저하가 커지게 된다. 예를 들면 Ｓｎ 등의 원소를 함유한 무산소동판의 도전율이, Ｓｎ 등의 원소를 함유(첨가)하지 않은 무산소동판의 도전율보다 3%ＩＡＣＳ를 초과하여 낮아진다. Ｓｎ 등의 원소의 농도를 150ｐｐｍ이하로 함으로써, 상기의 Ｓｎ 등의 원소에 의한 결정 조대화 억제효과를 얻으면서, 도전율의 저하를 억제할 수 있다. 무산소동판의 도전율을 예를 들면 100%ＩＡＣＳ이상으로 할 수 있다.When the concentration (total concentration) of elements such as Sn exceeds 150 mm, the decrease in conductivity of the oxygen-free copper plate becomes large. For example, the conductivity of an oxygen-free copper plate containing an element such as Sn is lower than the conductivity of an oxygen-free copper plate not containing (adding) an element such as Sn by more than 3% IACs. When the concentration of elements such as Sn is 150 mm or less, a decrease in conductivity can be suppressed while obtaining the effect of suppressing crystal coarsening by elements such as Sn. The conductivity of the oxygen-free copper plate can be, for example, 100% IACS or more.

Ｓｎ 등의 원소의 농도가 50ｐｐｍ미만이면 결정격자를 충분히 변형시킬 수 없어, 상기의 Ｓｎ 등의 원소에 의한 결정 조대화 억제효과를 충분히 얻을 수 없는 경우가 있다. Ｓｎ 등의 원소의 농도를 50ｐｐｍ이상으로 함으로써, 상기의 Ｓｎ 등의 원소에 의한 결정 조대화 억제효과를 충분히 얻을 수 있다.If the concentration of elements such as Sn is less than 50 mm, the crystal lattice cannot be sufficiently deformed, and the effect of suppressing crystal coarsening by elements such as Sn may not be sufficiently obtained. When the concentration of elements such as Sn is 50 mm or more, the effect of suppressing crystal coarsening by elements such as Sn can be sufficiently obtained.

(2)무산소동판의 제조방법(2) Manufacturing method of oxygen-free copper plate

다음에 이하에 나타내는 스텝1∼5를 순차적으로 실시함으로써 본 실시형태에 관한 무산소동판을 제조하는 방법에 대해서 설명한다.Next, a method of manufacturing the anaerobic copper plate according to the present embodiment will be described by sequentially performing steps 1 to 5 shown below.

(스텝1:주조)(Step 1: Casting)

고주파 용해로 등을 사용해서 원료로서의 무산소구리를 용해하여 무산소구리의 용해액을 생성한다. 이 무산소구리의 용해액 중에 소정량의 Ｓｎ, Ｚｒ, Ｍｇ, Ｔｉ, Ｃａ 등의 원소를 첨가하더라도 좋다. 이 경우, 최종적으로 형성되는 무산소동판 중에 있어서 Ｓｎ 등의 원소의 농도(총농도)가 예를 들면 150ｐｐｍ이하, 바람직하게는 50ｐｐｍ이상, 150ｐｐｍ이하가 되도록 Ｓｎ 등의 원소의 첨가량을 조정한다. 용제(溶製)한 무산소구리(무산소구리의 용해액)를 주형에 부어서 냉각하여, 소정의 두께, 소정의 폭을 구비하는 주괴(잉곳)를 주조한다.A high-frequency melting furnace or the like is used to dissolve the oxygen-free copper as a raw material to produce a solution of oxygen-free copper. A predetermined amount of elements such as Sn, Mur, Mg, Ti, and Ca may be added to the dissolved oxygen-free solution. In this case, the addition amount of elements such as Sn is adjusted so that the concentration (total concentration) of elements such as Sn in the oxygen-free copper plate finally formed is 150 mm or less, preferably 50 mm or more and 150 mm or less. The solvent-free oxygen-free copper (dissolved solution of oxygen-free copper) is poured into a mold, cooled, and an ingot (ingot) having a predetermined thickness and a predetermined width is cast.

(스텝2:열간압연)(Step 2: Hot rolling)

주괴를 소정의 온도(예를 들면 900도(℃) 이상, 1000도(℃) 이하)로 가열하고, 소정의 온도의 주괴에 대하여 소정의 가공도의 열간압연(熱間壓延)을 하여, 소정의 두께(예를 들면 10∼15mm)의 열간압연재를 얻는다. 본 명세서에 있어서의 열간압연재란, 열간압연을 함으로써 형성된 무산소구리의 판재(板材)를 말한다.The ingot is heated to a predetermined temperature (for example, 900 ° C (° C) or higher and 1000 ° C (° C) or lower), and hot-rolled at a predetermined working degree with respect to the ingot at a predetermined temperature, to obtain a predetermined temperature. To obtain a hot rolled material having a thickness (for example, 10 to 15 mm). The hot-rolled material in the present specification refers to a plate of oxygen-free copper formed by hot rolling.

(스텝3:냉간압연)(Step 3: Cold rolling)

열간압연재에 대하여, 소정의 가공도의 냉간압연과, 피처리재를 소정 온도의 조건하에서 소정 시간 가열하는 소둔(燒鈍)(중간소둔)과를 각각 교대로 소정 횟수 반복해서 한다. 이 중간소둔은, 냉간압연에 의해 가공경화된 피처리재를 소둔함으로써 가공경화를 완화하는 처리이다. 스텝3은, 냉간압연과 중간소둔을 교대로 소정 횟수씩 실시한 후, 냉간압연으로 종료하면 좋다. 스텝3을 실시함으로써 소정의 두께의 냉간압연재가 얻어진다. 냉간압연재의 두께는, 후술하는 스텝5(최종의 냉간압연)를 실시한 후의 무산소동판이 소정의 두께가 되는 두께로 조정한다. 또 본 명세서에 있어서의 냉간압연재란, 본 스텝이 종료한 후(소정 횟수의 냉간압연과 소둔처리를 한 후)의 무산소구리의 판재를 말하고, 이것은 소위 생지(生地)라고도 불리는 구리 스트립(銅條; copper strip)이다.With respect to the hot rolled material, cold rolling of a predetermined working degree and annealing (intermediate annealing) for heating the material to be processed for a predetermined time under conditions of a predetermined temperature are alternately repeated a predetermined number of times. This intermediate annealing is a treatment for alleviating the work hardening by annealing the work material hardened by cold rolling. In step 3, cold rolling and intermediate annealing are alternately performed a predetermined number of times, and then cold rolling may be finished. By performing step 3, a cold rolled material having a predetermined thickness is obtained. The thickness of the cold rolled material is adjusted to a thickness such that the oxygen-free copper plate after Step 5 (final cold rolling) described later becomes a predetermined thickness. The cold rolled material in the present specification refers to a sheet of oxygen-free copper after the completion of the present step (after a predetermined number of cold rolling and annealing treatments), and this is a copper strip (also called a raw material). ; copper strip).

(스텝4:생지 소둔)(Step 4: Annealing the dough)

냉간압연재, 즉 생지를 소정의 온도로 소정 시간 가열하는 소둔(생지소둔)을 실시하여 소둔생지를 얻는다. 생지 소둔은, 예를 들면 상기의 열간압연이나 냉간압연에 의해 냉간압연재에 축적된 가공 변형을 충분히 완화할 수 있는 조건(온도, 시간)으로 실시한다.Cold-rolled material, that is, annealing (battery annealing) is performed to heat the dough at a predetermined temperature for a predetermined time to obtain annealing dough. The annealing of the dough is carried out under conditions (temperature, time) capable of sufficiently alleviating the work deformation accumulated in the cold rolled material by, for example, hot rolling or cold rolling.

(스텝5:최종의 냉간압연)(Step 5: Final cold rolling)

생지소둔을 실시한 냉간압연재(즉, 소둔생지)에 대하여, 상기의 스텝3에 있어서의 냉간압연과는 다른 냉간압연을 소정 횟수(바람직하게는 여러 번) 실시하여(최종의 냉간압연, 마무리 냉간압연), 소정의 두께(예를 들면 100μｍ이상)의 평판모양의 무산소동판을 형성한다. 본 스텝에서는, 소둔(열처리)을 사이에 하지 않고, 냉간압연을 여러 번 연속해서 하는 것이 바람직하다.For the cold rolled material (ie, annealed dough) subjected to annealing of the dough, cold rolling different from the cold rolling in step 3 is performed a predetermined number of times (preferably several times) (final cold rolling, finish cold) Rolling) to form a plate-free oxygen-free copper plate having a predetermined thickness (for example, 100 μm or more). In this step, it is preferable to perform cold rolling several times continuously without annealing (heat treatment).

압연가공시에, 소둔생지 등의 피압연재(가공대상물, 피처리재)는 서로 대향하는 1쌍의 압연롤(이하, 롤이라고도 부른다) 사이를 통과함으로써 두께가 감소된다. 롤 사이를 통과하는 피압연재의 속도는, 롤에 인입(引入)되기 전(롤 입구측)에는 롤의 회전속도보다 느리고, 롤로부터 인출(引出)된 후(롤 출구측)에는 롤의 회전속도보다 빠르다. 이 때문에 압연가공시에 피압연재에는, 롤 입구측에서는 압축응력(壓縮應力)이 가해지기 쉽고, 롤 출구측에서는 인장응력(引張應力)이 가해지기 쉽다. 피압연재의 두께를 감소시키기 위해서는, 피압연재에 가해지는 인장응력보다 압축응력을 높게 할(압축응력>인장응력) 필요가 있다.At the time of rolling, the thickness of the rolled material (processed object, material to be processed), such as annealed dough, is reduced by passing between a pair of rolling rolls (hereinafter also referred to as rolls) facing each other. The speed of the rolled material passing between the rolls is slower than the rotational speed of the roll before being pulled into the roll (roll inlet side), and the rotational speed of the roll after being pulled out of the roll (roll outlet side). Faster than For this reason, when rolling, the compressive stress is easily applied to the rolled material at the roll inlet side, and the tensile stress is easily applied at the roll outlet side. In order to reduce the thickness of the rolled material, it is necessary to increase the compressive stress (compressive stress> tensile stress) rather than the tensile stress applied to the rolled material.

스텝5에서는, 1회(1패스)의 가공도가 소정의 가공도인 냉간압연(압연 패스)을, 총가공도가 예를 들면 40% 이상, 바람직하게는 80% 이하, 더 바람직하게는 50% 이상 75% 이하가 되도록 여러 번 한다.In step 5, cold rolling (rolling pass) in which the workability of one time (one pass) is a predetermined workability is, for example, 40% or more, preferably 80% or less, more preferably 50 Do it several times to make it more than% and less than 75%.

총가공도는 하기의 (수1)로부터 구해진다. 또 (수1) 중에서 ＴＢ는 최종의 냉간압연전의 피처리재(소둔생지)의 두께이며, ＴＡ는 최종의 냉간압연후의 피처리재(즉, 무산소동판)의 두께이다.The total workability is obtained from (Number 1) below. In (1), T is the thickness of the material to be treated (annealed dough) before the final cold rolling, and T is the thickness of the material to be processed (ie, oxygen-free copper plate) after the final cold rolling.

(수1)(Wed 1)

총가공도（％）＝［（ＴＢ-ＴＡ)/ＴＢ]×100Total workability (%) = [(Tv-TA) / Tv] × 100

총가공도가 40% 미만이면, 최종적으로 얻어지는 무산소동판의 내부에 축적되는 변형 에너지가 불충분해지게 된다. 이 때문에 무산소동판이 상기 식(1)∼(12)의 전부를 충족시키는 경우에도 고온가열에 의한 결정 조대화를 억제할 수 없는 경우가 있다. 총가공도를 40% 이상으로 함으로써 무산소동판의 내부에 충분한 변형 에너지를 축적시킬 수 있고, 총가공도를 50% 이상으로 함으로써 무산소동판의 내부에 더 많은 변형 에너지를 축적시킬 수 있어, 상기의 문제를 해결할 수 있다.If the total workability is less than 40%, the strain energy accumulated in the finally obtained oxygen-free copper plate becomes insufficient. For this reason, even when the oxygen-free copper plate satisfies all of the formulas (1) to (12), crystal coarsening by high temperature heating may not be suppressed. By setting the total workability to 40% or more, sufficient strain energy can be accumulated in the inside of the oxygen-free copper plate, and by setting the total workability to 50% or more, more strain energy can be accumulated in the inside of the oxygen-free copper plate, which causes the above problems. Can solve it.

피압연재 중의 구리결정은, 압연시에 피압연재에 가해진 응력에 의하여 회전현상을 일으켜 결정면이 변화된다. 예를 들면 본 스텝에서는, 피압연재 중의 구리결정은, 냉간압연에 의하여 {002}면이나 {113}면, {111}면, {133}면 등의 결정면을 경유하여, 예를 들면 하기의 경로1, 2를 통하여 {022}면으로 회전(변화)한다. 피압연재에 가해지는 응력이 커질수록, 즉 총가공도가 높아질수록 {022}면까지 회전하는 결정이 많아진다.The copper crystal in the rolled material undergoes rotation due to the stress applied to the rolled material during rolling, and thus the crystal surface changes. For example, in this step, the copper crystals in the rolled material pass through crystal surfaces such as {002} plane, {113} plane, {111} plane, {133} plane, by cold rolling, for example, the following path. Rotate (change) to the {022} plane through 1 and 2. The greater the stress applied to the rolled material, that is, the higher the total workability, the more crystals rotate to the {022} plane.

경로1 : {113}면 →｛002}면 →｛022}면Route 1: {113} side → ｛002} side → ｛022} side

경로2 : {111}면 →｛133}면 →｛022}면Route 2: {111} side → ｛133} side → ｛022} side

이 때문에 스텝5에 있어서의 냉간압연의 총가공도가 80%를 넘으면 {022}면까지 회전하는 결정이 많아지기 때문에, 무산소동판 중에는 {022}면의 결정이 많이 존재한다. 이 때문에 예를 들면 후술하는 바와 같이, 1패스당(當)의 가공도나 중립점의 위치를 제어하였을 경우에도 무산소동판이 상기 식(1)∼(12)의 적어도 어느 하나를 충족시키지 않는 경우가 있다. 총가공도를 80% 이하로 함으로써 상기의 문제를 해결할 수 있고, 총가공도를 75% 이하로 함으로써 상기의 문제를 확실하게 해결할 수 있다.For this reason, when the total workability of the cold rolling in step 5 exceeds 80%, the number of crystals rotating to the {022} plane increases, so that many crystals of the {022} plane exist in the oxygen-free copper plate. For this reason, the oxygen-free copper plate does not satisfy at least one of the above formulas (1) to (12) even if, for example, as described later, the machining degree per pass or the position of the neutral point is controlled. have. The above problem can be solved by setting the total workability to 80% or less, and the above problem can be surely solved by setting the total workability to 75% or less.

또한 본 스텝에서는, 총가공도에 더하여 1패스당의 가공도를 조정하는 것이 바람직하다. 또 1패스당의 가공도는 예를 들면 20% 이상으로 소정의 가공도로 하는 것이 바람직하다. 이에 따라 각 패스에서 피압연재에 가해지는 압축응력의 강도(크기) 및 인장응력의 강도(크기)를 조정해서, 압축응력>인장응력으로 하면서 응력성분(압축성분 및 인장성분)의 비율을 조정 할 수 있다.In this step, it is preferable to adjust the workability per pass in addition to the total workability. In addition, it is preferable that the workability per pass is, for example, 20% or more, and a predetermined workability. Accordingly, by adjusting the strength (size) and the strength (size) of the compressive stress applied to the material to be rolled in each pass, the ratio of the stress component (compression component and tensile component) can be adjusted while compressive stress> tensile stress. You can.

각 패스에서 피압연재에 가해지는 응력성분의 비율을 조정함으로써 냉간압연에 의하여 피압연재 중의 구리결정이 {022}면으로 변화될 때의 경로를 변경할 수 있다. 피압연재에 가해지는 압축성분의 비율(이하, 「압축성분비율」이라고도 부른다)이 높아지면 상기 경로1을 지나기 쉬워지고, 피압연재에 가해지는 인장성분의 비율(이하, 「인장성분비율」이라고도 부른다)이 높아지면 상기 경로2를 지나기 쉬워진다.By adjusting the ratio of the stress component applied to the rolled material in each pass, it is possible to change the path when the copper crystal in the rolled material changes to the {022} plane by cold rolling. When the ratio of the compressed component applied to the rolled material (hereinafter, also referred to as the "compressed component ratio") becomes high, it becomes easy to pass the path 1 above, and the ratio of the tensile component applied to the rolled material (hereinafter, also referred to as the "tensile component ratio") ) Increases, it becomes easier to pass the path 2.

상기 경로1을 지나기 쉬운 조건으로 함으로써 예를 들면 압축성분>인장성분으로 하면서 압축성분비율이 높아지도록 1패스당의 가공도를 제어함으로써, 무산소동판 중에 존재하는 {002}면, {113}면의 결정의 양(수)을 증가시킬 수 있다. 상기 경로1을 지나기 쉬운 조건하에 있어서, 압축성분비율이 높아지는 조건으로 함으로써 무산소동판 중에 존재하는 {002}면의 결정의 양을 늘릴 수 있고, 인장성분비율이 높아지는(압축성분비율이 낮아지는) 조건으로 함으로써 무산소동판 중에 존재하는 {113}면의 결정의 양을 늘릴 수 있다.Determining the {002} and {113} planes present in the oxygen-free copper plate by controlling the processing degree per pass so that the compression component ratio becomes high while, for example, the compression component> tensile component is set by making the path 1 easy to pass. You can increase the amount (number) of. Under the condition that it is easy to pass the path 1, the condition where the compressive component ratio is increased can increase the amount of crystals on the {002} plane present in the oxygen-free copper plate, and the tensile component ratio is increased (compressed component ratio is lowered). By doing so, the amount of crystals on the {113} plane present in the oxygen-free copper plate can be increased.

상기 경로2를 지나기 쉬운 조건으로 함으로써 예를 들면 압축성분>인장성분으로 하면서, 인장성분비율이 높아지도록 1패스당의 가공도를 제어함으로써, 무산소동판 중에 존재하는 {111}면, {133}면의 결정의 양(수)을 증가시킬 수 있다. 상기 경로2를 지나기 쉬운 조건하에 있어서, 인장성분비율이 높아지는 조건으로 함으로써 무산소동판 중에 존재하는 {111}면의 결정의 양을 늘릴 수 있고, 압축성분비율이 높아지는(인장성분비율이 낮아지는) 조건으로 함으로써 무산소동판 중에 존재하는 {133}면의 결정의 양을 늘릴 수 있다.By setting the path 2 to be easy to pass, for example, compressive component> tensile component, while controlling the workability per pass so that the tensile component ratio is high, the {111} and {133} planes present in the oxygen-free copper plate are controlled. The amount (number) of crystals can be increased. Under the condition that it is easy to pass the path 2, the condition that the tensile component ratio is increased can increase the amount of crystals on the {111} plane present in the oxygen-free copper plate, and the condition where the compression component ratio is increased (the tensile component ratio is lowered) By doing so, the amount of crystals on the {133} plane present in the oxygen-free copper plate can be increased.

변화의 방향에 대해서는, 예를 들면 하기 (a)의 문헌을 참고로 했다.For the direction of the change, for example, reference was made to the following document (a).

(a)편저자 나가시마 신이치(長嶋 晋一), "집합조직", 마루젠주식회사(Maruzen Publishing Co., Ltd.), 1984년 1월20일, p96의 도2.52(a) Author Shinichi Nagashima, "collective organization", Maruzen Publishing Co., Ltd., January 20, 1984, p96 Figure 2.52

또한 스텝5에서는, 각 패스에 있어서의 중립점의 위치를 제어하는 것이 바람직하다. 예를 들면 피압연재의 두께가 얇아질수록, 즉 후단(後段)(하단(下段))의 패스일수록 중립점의 위치를 롤 출구측에 설정하는 것이 바람직하다. 중립점이란, 롤 사이를 통과하는 피압연재의 속도가 롤의 회전속도와 동일해지는 위치이다. 또 상기한 바와 같이 롤 사이를 통과하는 피압연재의 속도는, 롤 입구측에서는 롤의 회전속도보다 느리고, 롤 출구측에서는 롤의 회전속도보다 빠르다. 중립점에서는 피압연재에 걸리는 압력이 최대가 된다.In step 5, it is preferable to control the position of the neutral point in each pass. For example, it is preferable to set the position of the neutral point on the roll outlet side as the thickness of the rolled material becomes thinner, that is, as the path of the rear end (lower end) passes. The neutral point is a position where the speed of the rolled material passing between the rolls becomes equal to the rotational speed of the rolls. Further, as described above, the speed of the rolled material passing between the rolls is slower than the roll speed at the roll inlet side and faster than the roll speed at the roll outlet side. At the neutral point, the pressure applied to the rolled material is maximized.

중립점의 위치를 제어함으로써 압축응력의 강도, 인장응력의 강도, 응력성분의 비율을 조정할 수 있다. 피압연재에 가해지는 압축응력의 강도를 높게 할수록, 피압연재 중의 구리결정이 {022}면까지 회전하기 쉬워진다. 또한 피압연재에 가해지는 압축성분비율을 높게 하면 무산소동판 중에 존재하는 {002}면, {113}면의 결정의 양을 늘릴 수 있고, 압축성분비율을 낮게 하면 무산소동판 중에 존재하는 {111}면, {133}면의 결정의 양을 늘릴 수 있는 것은 전술한 바와 같다.By controlling the position of the neutral point, the strength of the compressive stress, the strength of the tensile stress, and the ratio of the stress component can be adjusted. The higher the strength of the compressive stress applied to the rolled material, the easier it is for the copper crystals in the rolled material to rotate to the {022} plane. In addition, if the ratio of the compressed component applied to the rolled material is increased, the amount of crystals in the {002} plane and the {113} plane present in the oxygen-free copper plate can be increased, and when the ratio of the compressed component is lowered, the {111} plane present in the oxygen-free copper plate It is as described above that the amount of crystals on the {133} plane can be increased.

중립점의 위치를 롤 출구측에 설정함으로써 피압연재에 가해지는 압축응력의 강도를 더 높이거나, 압축성분비율을 높이거나 할 수 있다. 중립점의 위치를 롤 입구측에 설정함으로써 피압연재에 가해지는 압축응력의 강도를 보다 낮추거나, 압축성분비율을 낮추거나 할 수 있다.By setting the position of the neutral point on the roll outlet side, the strength of the compressive stress applied to the rolled material can be further increased, or the ratio of the compressed component can be increased. By setting the position of the neutral point on the roll inlet side, the strength of the compressive stress applied to the material to be rolled can be further reduced, or the ratio of the compressed component can be reduced.

중립점의 위치는, 예를 들면 압연속도(롤의 회전속도)를 조정함으로써 제어할 수 있다. 예를 들면 1패스당의 가공도 등의 다른 조건을 일정하게 했을 때, 압연속도를 높게 하면 중립점의 위치를 진행방향에 대하여 후방측(입구측)으로 이동시킬 수 있고, 압연속도를 낮게 하면 중립점의 위치를 진행방향에 대하여 전방측(출구측)으로 이동시킬 수 있다.The position of the neutral point can be controlled, for example, by adjusting the rolling speed (rotational speed of the roll). For example, when other conditions, such as the machining degree per pass, are constant, if the rolling speed is high, the position of the neutral point can be moved to the rear side (entrance side) with respect to the traveling direction, and when the rolling speed is low, it is neutral. The position of the point can be moved to the front side (outlet side) with respect to the traveling direction.

중립점의 위치의 제어는, 압연속도 외에, 전방장력, 후방장력, 롤 지름, 가공도, 롤의 표면조도(表面粗度), 압연하중 등을 제어인자로서 할 수도 있다. 이들의 제어인자 중 하나의 인자만을 가변(可變)으로 하여도 좋고, 복수의 인자를 가변으로 하여도 좋다. 즉 중립점의 위치의 제어는 복수 종류의 방법이 고려된다. In addition to the rolling speed, the control of the position of the neutral point may be made of control factors such as front tension, rear tension, roll diameter, workability, surface roughness of the roll, and rolling load. Only one of these control factors may be variable, or a plurality of factors may be variable. That is, a plurality of types of methods are considered for controlling the position of the neutral point.

또한 상기의 제어인자는 압연기의 구성에 관계된다. 예를 들면 롤의 단수(段數), 롤의 총수(總數), 롤의 조합 배치, 각 롤의 지름이나 재질이나 표면상태(표면조도) 등의 롤의 구성 등의 차이에 의하여, 피압연재에 대하여 압축응력이 걸리는 방법이나 마찰계수 등에 차이가 발생한다. 이 때문에 압연기마다 상기의 제어인자의 절대치가 다르다. 이와 같이 중립점의 위치의 제어는 압연기의 사양에 의존하는 바가 크기 때문에, 압연기별로 적절하게 조정하는 것이 바람직하다.In addition, the above control factors are related to the configuration of the rolling mill. For example, due to differences in the number of rolls, the total number of rolls (조합), the combination of rolls, the diameter of each roll, the composition of the rolls, such as the material or surface condition (surface roughness), etc. Differences occur in the compression stress method and friction coefficient. For this reason, the absolute values of the above-mentioned control factors differ for each rolling mill. As described above, since the control of the position of the neutral point is large depending on the specifications of the rolling mill, it is preferable to appropriately adjust for each rolling mill.

중립점의 위치는, 예를 들면 참고문헌(b)를 참조하여 계산해서 구할 수 있다.The position of the neutral point can be calculated, for example, by referring to reference (b).

(b)일본소성가공학회편, "소성가공기술시리즈7 판압연", 코로나사(CORONA PUBLISHING CO.,LTD.), p14, p27 식(3.3), p28(b) Japanese Society of Plasticity Engineering, "Plastic Processing Technology Series 7 Plate Rolling", Corona Screw (CORONA PUBLISHING CO., LTD.), p14, p27 Formula (3.3), p28

또한 스텝5에서는, 각 롤에 있어서, 한창 냉간압연을 실시하고 있는 중간에 중립점의 위치가 이동하지 않도록, 예를 들면 중립점의 위치가 롤의 출구측으로 이동해 가지 않도록 제어하는 것이 바람직하다.In step 5, in each roll, it is preferable to control so that the position of the neutral point does not move in the middle of cold rolling, for example, so that the position of the neutral point does not move to the exit side of the roll.

(3)세라믹스 배선기판의 구성 및 그 제조방법(3) Composition and method of manufacturing the ceramic wiring board

상기의 본 실시형태에 관한 무산소동판을 사용한 세라믹스 배선기판의 구성 및 그 제조방법에 대해서 설명한다.The configuration of the ceramic wiring board using the oxygen-free copper plate according to the present embodiment described above and a method of manufacturing the same will be described.

본 실시형태에 관한 세라믹스 배선기판은, 소정의 두께(예를 들면 0.5mm)의 세라믹스 기판과, 세라믹스 기판상에 설치된 상기의 무산소동판으로 이루어지는 배선재(配線材)를 구비하고 있다. 세라믹스 기판과 배선재는, 예를 들면 납땜재를 사이에 두고 맞붙어(접합되어) 있다. 무산소동판의 소정의 장소가 예를 들면 에칭에 의해 제거되어서 배선패턴(구리배선)이 형성되어 있다. 세라믹스 기판으로서, 예를 들면 질화알루미늄(ＡｌＮ)이나 질화규소(ＳｉＮ) 등을 주성분으로 하는 세라믹 소결체를 사용할 수 있다.The ceramic wiring board according to the present embodiment is provided with a ceramic substrate having a predetermined thickness (for example, 0.5 mm) and a wiring material made of the above oxygen-free copper plate provided on the ceramic substrate. The ceramic substrate and the wiring material are bonded (bonded), for example, with a solder material interposed therebetween. A predetermined place of the oxygen-free copper plate is removed by etching, for example, to form a wiring pattern (copper wiring). As the ceramic substrate, for example, a ceramic sintered body containing aluminum nitride (AlN), silicon nitride (SiN) or the like as a main component can be used.

납땜재로서, 예를 들면 은(Ａｇ), Ｃｕ, Ｓｎ, 인듐(Ｉｎ), Ｔｉ, 몰리브덴(Ｍｏ), 탄소(Ｃ) 등의 금속, 또는 이들의 금속 중 적어도 1개를 포함하는 금속합금을 사용할 수 있다.As the soldering material, for example, metals such as silver (Aｇ), Cu, Sn, indium (In), Ti, molybdenum (Mｏ), carbon (C), or metal alloys containing at least one of these metals Can be used.

상기의 세라믹스 배선기판은, 예를 들면 이하의 순서에 따라 제작할 수 있다. 우선, 세라믹스 기판의 표면의 청정화 처리를 한다. 예를 들면 세라믹스 기판을 소정의 온도(예를 들면 800도(℃)∼1080도(℃))로 가열하여 세라믹스 기판의 표면에 부착되어 있는 유기물이나 잔류 탄소를 제거한다. 그리고 예를 들면 스크린인쇄법에 의하여, 세라믹스 기판 중 어느 하나의 주면(主面)상에 페이스트상의 납땜재를 도포한다. 계속하여 납땜재 위에 무산소동판을 배치하고, 무산소동판과 세라믹스 기판과 납땜재와의 적층체를, 소정의 온도(예를 들면 800도(℃) 이상 1080도(℃) 이하)로 소정 시간(예를 들면 5분 이상) 가열하고, 무산소동판과 세라믹스 기판을 납땜재를 사이에 두고 접합시킨다. 이 가열은, 진공 중에서 또는 환원가스 분위기 중에서 또는 불활성가스 분위기 중에서 하는 것이 바람직하다.The ceramic wiring board can be produced, for example, according to the following procedure. First, a cleaning process is performed on the surface of the ceramic substrate. For example, the ceramic substrate is heated to a predetermined temperature (for example, 800 degrees (° C) to 1080 degrees (° C)) to remove organic substances or residual carbon adhering to the surface of the ceramic substrate. And, for example, by a screen printing method, a paste-like brazing material is applied to one of the main surfaces of the ceramic substrate. Subsequently, an oxygen-free copper plate is placed on the brazing material, and the laminate of the oxygen-free copper plate and the ceramic substrate and the brazing material is set at a predetermined temperature (for example, 800 degrees (° C) or more and 1080 degrees (° C) or less) for a predetermined time (eg For example, heating for 5 minutes or more), and the oxygen-free copper plate and the ceramic substrate are joined with a brazing material interposed therebetween. It is preferable to perform this heating in a vacuum or in a reducing gas atmosphere or in an inert gas atmosphere.

(4)본 실시형태에 관한 효과(4) Effects related to this embodiment

본 실시형태에 의하면, 이하에 기재하는 1개 또는 복수의 효과를 얻을 수 있다.According to this embodiment, one or more effects described below can be obtained.

(a)본 실시형태에 관한 무산소동판, 즉 스텝5를 거친 후이며 고온으로 가열되기 전의 무산소동판은, 상기 식(1)∼(12)를 모두 충족시키고 있다. 즉, 본 실시형태에 관한 무산소동판은, {022}면의 결정이 적고, 부방위의 각 결정면의 결정이 각각 일정량 존재하고 있는 무산소동판이다. 이에 따라 무산소동판이 고온으로 가열되었을 경우에도 무산소동판 중의 결정립(재결정립) 상호간의 합체, 집합을 억제할 수 있어, 결정의 조대화를 억제할 수 있다. 본 실시형태에 관한 무산소동판은, 예를 들면 세라믹스 기판과의 접합시에 고온으로 가열되었을 경우에도 결정의 조대화를 억제할 수 있다. 예를 들면 본 실시형태에 관한 무산소동판은, 900도(℃)의 조건하에서 10분간 가열하는 열처리를 실시한 후여도 그 평균결정입경이 0.4mm 이하이다.(a) The oxygen-free copper plate according to the present embodiment, that is, the oxygen-free copper plate after step 5 and before being heated to a high temperature, satisfies all of the above formulas (1) to (12). That is, the oxygen-free copper plate according to the present embodiment is an oxygen-free copper plate in which there are few crystals on the {022} plane and a certain amount of crystals on each crystal plane in the sub-orientation are present. Accordingly, even when the oxygen-free copper plate is heated to a high temperature, coalescence and aggregation of crystal grains (recrystallized grains) in the oxygen-free copper plate can be suppressed, so that crystal coarsening can be suppressed. The oxygen-free copper plate according to the present embodiment can suppress crystal coarsening even when heated at a high temperature, for example, when bonding to a ceramic substrate. For example, the oxygen-free copper plate according to the present embodiment has an average crystal grain size of 0.4 mm or less even after heat treatment for 10 minutes under the condition of 900 ° C (° C).

(b)불순물이 적은 동판, 즉 무산소동판이더라도 상기 식(1)∼(12)의 모두를 충족시킴으로써 고온가열에 의한 결정 조대화를 억제할 수 있다.(b) Even if it is a copper plate with few impurities, that is, an oxygen-free copper plate, crystal coarsening by high-temperature heating can be suppressed by satisfying all of the above formulas (1) to (12).

(c)무산소동판 중에 Ｓｎ 등의 원소를 포함시킴으로써 고온가열에 의한 결정 조대화를 확실하게 억제할 수 있다.(c) By including elements such as Sn in the oxygen-free copper plate, crystal coarsening by high-temperature heating can be reliably suppressed.

(d)고온가열에 의한 결정 조대화를 억제함으로써, 무산소동판은 세라믹스 배선기판의 배선재의 용도로 특히 적합하게 적용 가능하다.(d) By suppressing crystal coarsening due to high-temperature heating, the oxygen-free copper plate can be particularly suitably applied as a wiring material for ceramic wiring boards.

고온가열에 의한 결정 조대화가 억제됨으로써, ＣＣＤ카메라 등을 사용해서 본 실시형태에 관한 무산소동판을 구비하는 세라믹스 배선기판을 검사할 때, 결정립계와 세라믹스 배선기판의 검사면에 있는 이물질이나 흠집 등과의 판별이 용이하게 된다. 이 때문에 검사 정밀도를 높일 수 있다.When crystal coarsening by high-temperature heating is suppressed, when inspecting a ceramics wiring board provided with the oxygen-free copper plate according to the present embodiment using a CDD camera or the like, the grain boundaries and the foreign matter or scratches on the inspection surface of the ceramics wiring board, etc. Discrimination becomes easy. For this reason, inspection precision can be improved.

또한 고온가열에 의한 결정 조대화가 억제됨으로써, 조대화한 재결정립에 기인하여 무산소동판의 표면에 요철이 늘어나는것, 즉 무산소동판의 표면조도의 수치가 커지게 되는 것을 억제할 수 있다. 이 때문에 세라믹스 배선기판상에 반도체 소자를 실장(설치)할 때에 이용되는 와이어와 세라믹스 배선기판과의 본딩 강도의 저하를 억제할 수 있다.In addition, by suppressing crystal coarsening due to high-temperature heating, it is possible to suppress the increase in irregularities on the surface of the oxygen-free copper plate due to the coarsened recrystallized grains, that is, to increase the numerical value of the surface roughness of the oxygen-free copper plate. For this reason, it is possible to suppress a decrease in bonding strength between the wire used for mounting (installing) the semiconductor element on the ceramic wiring board and the ceramic wiring board.

(e)무산소동판의 두께가 예를 들면 100μｍ이상인 것에 의하여, 무산소동판을 세라믹스 배선기판의 배선재로서 적합하게 적용할 수 있다.(e) When the thickness of the oxygen-free copper plate is, for example, 100 μm or more, the oxygen-free copper plate can be suitably applied as a wiring material for ceramic wiring boards.

(f)무산소동판의 구리의 순도를 99.96% 이상으로 하거나, 무산소동판의 Ｏ농도를 10ｐｐｍ이하로 하거나, Ｓｎ 등의 원소의 농도를 150ｐｐｍ이하로 하거나 함으로써, 무산소동판의 도전율을 예를 들면 100%ＩＡＣＳ이상으로 할 수 있다. 이에 따라 무산소동판을 세라믹스 배선기판의 배선재로서 적합하게 적용할 수 있다. 무산소동판의 도전율의 저하를 확실하게 방지하는 관점으로부터, 상기의 구리의 순도, Ｏ농도 및 Ｓｎ 등의 원소의 농도의 모두가 상기 범위를 충족시키고 있는 것이 바람직하다.(f) The conductivity of an oxygen-free copper plate is, for example, 100%, by setting the purity of copper of the oxygen-free copper plate to 99.96% or more, the O concentration of the oxygen-free copper plate to 10 mm or less, or the concentration of elements such as Sn to 150 mm or less. It can be more than IACS. Accordingly, the oxygen-free copper plate can be suitably applied as a wiring material for a ceramic wiring board. From the viewpoint of reliably preventing a decrease in the conductivity of the oxygen-free copper plate, it is preferable that all of the above-mentioned copper purity, O concentration, and concentration of elements such as Sn satisfy the above range.

(g)무산소동판이 상기 식(1)∼(12)를 모두 충족시키도록 스텝5(최종의 냉간압연)의 처리조건(가공조건)을 제어함으로써, 스텝5의 냉간압연의 총가공도를 40% 이상으로 하였을 경우에도, 즉 총가공도를 떨어뜨리지 않고, 고온가열에 의한 결정 조대화가 억제된 무산소동판을 얻을 수 있다.(g) By controlling the processing conditions (processing conditions) of step 5 (final cold rolling) so that the oxygen-free copper plate satisfies all of the above formulas (1) to (12), the total working degree of cold rolling in step 5 is 40. Even when it is set to% or more, that is, an oxygen-free copper plate in which crystal coarsening due to high-temperature heating is suppressed without reducing the total workability can be obtained.

(h)스텝5의 냉간압연의 총가공도를 40% 이상으로 함으로써 무산소동판의 내부에 충분한 변형 에너지를 축적시킬 수 있고, 그 결과, 무산소동판이 고온으로 가열되어서 재결정이 발생했을 때, 재결정핵의 발생 빈도를 높일(재결정 핵의 발생수를 증가시킬) 수 있다. 이에 따라 무산소동판이 고온으로 가열되었을 경우에도, 무산소동판 중에 원하는 수의 결정을 존재시킬 수 있어, 결정의 조대화를 확실하게 억제할 수 있다.(h) By setting the total working degree of cold rolling in step 5 to 40% or more, sufficient strain energy can be accumulated inside the oxygen-free copper plate, and as a result, when the oxygen-free copper plate is heated to a high temperature, recrystallization occurs. It is possible to increase the frequency of occurrence (increasing the number of recrystallized nuclei). Thereby, even when the oxygen-free copper plate is heated to a high temperature, a desired number of crystals can be present in the oxygen-free copper plate, so that the crystal coarsening can be reliably suppressed.

(i)스텝5의 냉간압연의 총가공도를 80% 이하로 함으로써 {022}면까지 회전하는 결정을 저감시킬 수 있고, 그 결과, 무산소동판 중에 원하는 양(원하는 수)의 부방위의 각 결정면의 결정을 존재시킬(남길) 수 있다. 이 때문에 무산소동판 중에 있어서 부방위의 각 결정면의 결정의 비율제어를 하는 것이 용이해지고, 상기 식(1)∼(12)를 충족시키는 무산소동판을 용이하게 얻을 수 있다.(i) By setting the total workability of cold rolling in step 5 to 80% or less, it is possible to reduce the crystal rotating to the {022} plane, and as a result, the desired amount (desired number) of each crystal plane in the desired oxygen free copper plate Decisions can exist (left). For this reason, it becomes easy to control the ratio of the crystals of each crystal surface in the sub-orientation among the oxygen-free copper plates, and the oxygen-free copper plates satisfying the above formulas (1) to (12) can be easily obtained.

(j)스텝5에서 1패스당의 가공도를 제어함으로써, 냉간압연에 의해 피압연재 중의 구리결정이 {022}면으로 변화될 때의 경로를 조정할 수 있다. 그 결과, 무산소동판 중에 있어서 부방위의 각 결정면의 결정의 비율제어가 가능해진다. 즉, 무산소동판 중의 {022}면의 결정을 적게 하면서, 무산소동판 중에 있어서 부방위의 결정면의 결정을 최적값이 되도록 용이하게 조정할 수 있다.(j) By controlling the workability per pass in step 5, it is possible to adjust the path when the copper crystal in the rolled material changes to the {022} plane by cold rolling. As a result, it is possible to control the ratio of crystals on each crystal surface in the negative orientation in the oxygen-free copper plate. That is, it is possible to easily adjust the crystal of the sub-orientation crystal surface in the oxygen-free copper plate to be an optimum value while reducing the crystal of the {022} plane in the oxygen-free copper plate.

(k)스텝5에서 각 패스의 중립점의 위치를 제어함으로써, {022}면까지 회전하는 결정을 저감시킴과 아울러 부방위의 각 결정면의 결정의 비율제어를 할 수 있다. 즉, 무산소동판 중의 {022}면 및 부방위의 결정면의 결정의 비율이 최적값이 되도록 용이하게 조정할 수 있다. 그 결과, 상기 식(1)∼(12)의 모두를 충족시키는 무산소동판을 보다 용이하게 얻는 것이 가능해진다.(k) By controlling the position of the neutral point of each path in step 5, it is possible to reduce the crystal rotating to the {022} plane and to control the ratio of the crystal of each crystal plane in the sub-orientation. That is, the ratio of crystals on the {022} plane and the sub-orientation crystal plane in the oxygen-free copper plate can be easily adjusted so as to be an optimum value. As a result, it becomes possible to more easily obtain an oxygen-free copper plate satisfying all of the above formulas (1) to (12).

(l)스텝5에 있어서, 1패스당의 가공도 및 각 패스의 중립점의 위치의 제어를 함으로써, 무산소동판 중의 {022}면 및 부방위의 각 결정면의 결정의 비율을 정밀하게 제어할 수 있다.(l) In step 5, by controlling the processing degree per pass and the position of the neutral point of each pass, the ratio of crystals on the {022} plane in the oxygen-free copper plate and each crystal plane in the sub-orientation can be precisely controlled.

(m)스텝5에 있어서, 각 롤에 있어서 한창 냉간압연을 실시하고 있는 중간에 중립점의 위치가 이동하지 않도록 제어함으로써, 피압연재에 가해지는 압축응력의 강도, 인장응력의 강도, 응력성분의 비율의 제어를 확실하게 할 수 있다.(m) In step 5, by controlling the position of the neutral point not to move in the middle of cold rolling in each roll, the strength of the compressive stress applied to the material to be rolled, the strength of the tensile stress, and the stress component Control of the ratio can be ensured.

<다른 실시형태><Other embodiments>

이상, 본 발명의 1실시형태를 구체적으로 설명했지만, 본 발명은 상기 실시형태에 한정되는 것이 아니라, 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 적당하게 변경할 수 있다.As mentioned above, although one embodiment of the present invention has been specifically described, the present invention is not limited to the above embodiment, and can be appropriately changed without departing from the gist thereof.

상기 실시형태에서는 스텝1∼5를 실시해서 무산소동판을 제작하는 경우를 예로 들어 설명했지만, 이것에 한정되지 않는다. 예를 들면 스텝1∼4는 용도에 따라 적절하게 생략하더라도 좋다.In the above embodiment, the case where an oxygen-free copper plate is produced by performing steps 1 to 5 is described as an example, but the present invention is not limited to this. For example, steps 1 to 4 may be appropriately omitted depending on the application.

또 예를 들면 스텝5의 후에, 스텝6으로서 스텝5에서 얻어진 무산소동판을 소정의 온도로 소정 시간 가열하는 열처리(재결정 열처리)를 하여도 좋다. 본 발명에 관한 무산소동판은 이러한 재결정 열처리를 한 경우에도, 무산소동판 중의 결정이 조대해지는 것을 억제할 수 있다. 또한 스텝6을 실시한 후의 무산소동판이더라도 세라믹스 기판과의 접합시에 고온으로 가열되었을 경우에도 결정의 조대화를 억제할 수 있다.Further, for example, after step 5, as step 6, heat treatment (recrystallization heat treatment) in which the oxygen-free copper plate obtained in step 5 is heated to a predetermined temperature for a predetermined time may be performed. The oxygen-free copper plate according to the present invention can suppress coarsening of crystals in the oxygen-free copper plate even when such a recrystallization heat treatment is performed. In addition, even if the oxygen-free copper plate after Step 6 has been heated, crystal coarsening can be suppressed even when heated at a high temperature upon bonding to the ceramic substrate.

상기 실시예에서는, 세라믹스 배선기판의 제작시에 활성금속 납땜법에 의하여 무산소동판과 세라믹스 기판과의 접합을 하는 경우를 예로 들어 설명했지만, 이것에 한정되지 않고, 이들의 접합을 예를 들면 다이렉트 본딩법에 의하여 실시해도 좋다.In the above embodiment, the case where the oxygen-free copper plate and the ceramic substrate are joined by an active metal soldering method in the production of the ceramic wiring substrate is described as an example, but the present invention is not limited to this. You may do it by law.

또한 본 발명에 관한 무산소동판은, 상기한 바와 같이 세라믹스 배선기판의 배선재로서 사용되는 경우에 한정되지 않는다. 그 밖에, 본 발명에 관한 무산소동판은 800도(℃) 이상의 가열에 있어서 결정 조대화의 억제가 요구되는 용도에 적합하게 적용할 수 있다.In addition, the oxygen-free copper plate according to the present invention is not limited to the case where it is used as a wiring material for a ceramic wiring board as described above. In addition, the oxygen-free copper plate according to the present invention can be suitably applied to applications requiring suppression of crystal coarsening in heating of 800 ° C (° C) or more.

[실시예][Example]

다음에 본 발명의 실시예를 설명하지만, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.Next, examples of the present invention will be described, but the present invention is not limited to these.

<시료의 제작><Production of samples>

(시료1)(Sample 1)

우선, 연속주조법에 의해 소정 형상의 빌릿을 주조했다. 구체적으로는, 용해로를 사용해서 원료로서의 무산소구리를 용해해서 무산소구리의 용해액을 생성했다. 이 용해액 중에, 최종적으로 형성되는 무산소동판 중의 Ｓｎ의 농도가 80ｐｐｍ이 되도록, 소정량의 Ｓｎ을 첨가해서 용탕(溶湯)을 용제(溶製)했다. 이 용탕을 소정 형상의 주형에 부어서 두께가 150mm, 폭이 500mm인 주괴를 주조했다. 얻어진 주괴에 대하여 열간압연을 하여, 두께가 8mm인 판재(열간압연재)를 얻었다. 얻어진 열간압연재에 대하여, 소정의 냉간압연과, 피처리재를 650∼750도(℃)의 온도하에서 2분간 유지해서 가열하는 중간소둔을 교대로 소정 횟수씩 하여, 냉간압연재(생지)를 얻었다. 생지의 두께는, 나중에 실시하는 최종의 냉간압연종료시의 무산소동판이 원하는 두께가 되는 두께로 했다. 생지의 두께의 조정은 냉간압연의 가공도를 조정함으로써 이루어졌다. 그 후에 얻어진 생지를 700도(℃)의 온도하에서 1분간 유지해서 가열하는 소둔(생지 소둔)을 실시하여, 소둔생지를 얻었다.First, a billet of a predetermined shape was cast by a continuous casting method. Specifically, an oxygen-free copper as a raw material was dissolved using a melting furnace to produce a solution of oxygen-free copper. In this dissolved solution, a predetermined amount of Sn was added to melt the molten metal so that the concentration of Sn in the oxygen-free copper plate finally formed was 80 mm. The molten metal was poured into a mold of a predetermined shape to cast an ingot 150 mm thick and 500 mm wide. The obtained ingot was hot rolled to obtain a plate material (hot rolled material) having a thickness of 8 mm. With respect to the obtained hot rolled material, a predetermined cold rolling and intermediate annealing by heating the material to be treated at a temperature of 650 to 750 degrees C for 2 minutes are alternately performed a predetermined number of times to obtain a cold rolled material (green paper). Got. The thickness of the dough was set to a thickness such that the oxygen-free copper plate at the end of the final cold rolling to be performed later becomes a desired thickness. The thickness of the dough was adjusted by adjusting the working degree of cold rolling. After that, the obtained dough was held at a temperature of 700 degrees Celsius (° C) for 1 minute to heat and anneal (dough annealing) to obtain an annealed dough.

소둔생지에 대하여, 사이에 소둔을 실시하지 않고 냉간압연을 복수 회(복수 패스) 연속해서 실시하는 최종의 냉간압연을 하였다. 최종의 냉간압연의 각 패스의 조건을 하기의 표1에 나타낸다. 표1에 나타내는 「중립점의 위치(ｍｍ)」란, 도1에 나타나 있는 바와 같이 한 쌍의 롤 사이를 통과하는 피압연재(가공대상물)의 롤과의 접촉면에 있어서의 출구측 단부로부터 중립점까지의 길이L이다. 즉, 표1에 나타내는 중립점의 위치의 값이 작을수록 중립점은 롤 출구측에 위치한다.The final cold rolling was performed in which cold rolling was performed multiple times (multiple passes) continuously without annealing between the annealed areas. Table 1 shows the conditions for each pass of the final cold rolling. The "neutral point position (mm)" shown in Table 1 is a neutral point from the outlet end at the contact surface with the roll of the rolled material (processed object) passing between the pair of rolls as shown in FIG. Is the length L. That is, the smaller the value of the position of the neutral point shown in Table 1, the neutral point is located on the roll outlet side.

압연 패스를 거칠 때마다 피압연재는 두께가 감소한다. 이 때문에 최종의 냉간압연에서는, 표1에 나타나 있는 바와 같이, 두께가 1mm이하의 피압연재의 두께에 따라 1패스당의 가공도와 중립점의 위치를 패스마다 조정했다. 이때에 상단(上段)(전단(前段))으로부터 하단(下段)(후단(後段))으로 갈수록 중립점의 위치가 롤 출구측에 위치하도록, 중립점의 위치를 제어했다. 이러한 최종의 냉간압연을 함으로써 두께가 0.3mm인 무산소동판을 얻었다. 이것을 시료1로 했다.The thickness of the rolled material decreases each time it passes through the rolling pass. For this reason, in the final cold rolling, as shown in Table 1, the workability per pass and the position of the neutral point were adjusted for each pass according to the thickness of the rolled material having a thickness of 1 mm or less. At this time, the position of the neutral point was controlled such that the position of the neutral point was located on the roll outlet side from the upper end (front end) to the lower end (front end). By performing this final cold rolling, an oxygen-free copper plate having a thickness of 0.3 mm was obtained. This was used as Sample 1.

(시료2∼20)(Samples 2-20)

시료2∼20에서는, 무산소동판 중에 있어서 Ｓｎ, Ｚｒ, Ｍｇ, Ｔｉ 및 Ｃａ로 이루어지는 군으로부터 선택되는 원소의 농도가 표2에 나타나 있는 바와 같이 되도록, 용탕 중에 첨가하는 Ｓｎ 등의 원소의 첨가량을 조정했다. 또한 최종의 냉간압연의 각 패스의 조건을 표1에 나타나 있는 바와 같이 하고, 최종의 냉간압연의 총가공도를 표2에 나타나 있는 바와 같이 했다. 또한 시료2∼20은 각각 표1 및 표2에 나타내는 범위 내에서 1패스당의 가공도와 중립점의 위치를 변화시키고, 최종의 냉간압연시에 피압연재에 가해지는 압축응력의 강도, 인장응력의 강도, 응력성분(즉, 압축성분과 인장성분과의 비율)을 변화시키고 있다. 그 밖에는 상기의 시료1과 동일한 제법, 조건으로 무산소동판을 제작했다. 이들을 각각 시료2∼20으로 했다.In Samples 2 to 20, the amount of elements added such as Sn added to the molten metal was adjusted so that the concentration of elements selected from the group consisting of Sn, Mur, Mg, Ti and Ca in the oxygen-free copper plate was shown in Table 2. did. In addition, the conditions of each pass of the final cold rolling were as shown in Table 1, and the total workability of the final cold rolling was as shown in Table 2. In addition, samples 2 to 20 change the workability and the position of the neutral point per pass within the ranges shown in Tables 1 and 2, respectively, and the strength of the compressive stress and the tensile stress applied to the material to be rolled during the final cold rolling. , The stress component (ie, the ratio between the compressive component and the tensile component) is changing. Otherwise, an oxygen-free copper plate was produced under the same production method and conditions as in Sample 1 above. These were used as samples 2-20 respectively.

시료1∼20의 무산소동판의 조성, 최종의 냉간압연의 총가공도를 하기의 표2에 정리해서 나타낸다. 표2에 나타내는 첨가원소농도는, 고주파유도결합 플라스마 발광분광분석법에 의한 첨가원소의 농도분석결과이다.Table 1 below summarizes the composition of the oxygen-free copper plates of Samples 1 to 20 and the total workability of the final cold rolling. The concentration of the added elements shown in Table 2 is a result of the concentration analysis of the added elements by a high-frequency inductively coupled plasma emission spectrometry.

<평가><Evaluation>

시료1∼20에 대해서 각각 2θ/θ법에 의한 X선회절측정, 고온가열후의 결정 조대화의 평가, 고온가열후의 도전성의 평가를 하였다.For samples 1 to 20, X-ray diffraction measurement by 2θ / θ method, evaluation of crystal coarsening after high temperature heating, and evaluation of conductivity after high temperature heating were performed, respectively.

(2θ/θ법에 의한 X선회절측정)(X-ray diffraction measurement by 2θ / θ method)

시료1∼20의 각 시료에 있어서, 각 시료의 압연면에 대한 2θ/θ법에 의한 X선회절측정을 하였다. 이러한 측정은, 주식회사리가쿠(Rigaku Corporation) 제품의 X선회절장치(형식:Ｕｌｔｉｍａ ＩＶ)를 사용하여, 이하의 표3에 나타내는 조건으로 하였다.In each sample of Samples 1 to 20, X-ray diffraction measurement was performed by the 2θ / θ method on the rolling surface of each sample. These measurements were made under the conditions shown in Table 3 below using an X-ray diffraction apparatus (model: Ｕｌｔｉｍａ ＩＶ) manufactured by Rigaku Corporation.

각 시료에 있어서 2θ/θ법에 의한 X선회절측정으로 측정한 {022}면, {002}면, {113}면, {111}면 및 {133}면의 회절피크강도(I_{022}, I_{002}, I_{113}, I_{111}, I_{133})를 표4에 나타낸다. 또한 이들의 회절피크강도의 값을 사용하여 상기 식(1)∼(12)의 각 식의 값을 산출했다. 이들의 산출결과를 표4에 나타낸다.Diffraction peak intensities of _{022} , {002}, {113}, {111} and {133} planes measured by X-ray diffraction measurement using the 2θ / θ method for each sample (I _{022} , I _{002} , I _{113} , I _{111} , I _{133} ) are shown in Table 4. In addition, the values of the formulas (1) to (12) were calculated using the values of the diffraction peak intensities. Table 4 shows the results of these calculations.

표4에 나타나 있는 바와 같이 시료1∼20에서는, 각 결정면의 회절피크강도가 각각 다른 것을 확인할 수 있다. 이것으로부터, 1패스당의 가공도와 중립점의 위치를 변화시키고, 최종의 냉간압연시에 피압연재에 가해지는 압축응력의 강도, 인장응력의 강도, 응력성분을 변화시킴으로써 무산소동판 중의 {022}면 및 부방위의 각 결정면의 결정의 비율을 변경할 수 있는 것을 알 수 있다.As shown in Table 4, it can be confirmed that in Samples 1 to 20, the diffraction peak intensities of each crystal plane were different. From this, the {022} plane in the oxygen-free copper plate and by changing the workability per pass and the position of the neutral point, and changing the strength of the compressive stress, the strength of the tensile stress, and the stress component applied to the material to be rolled during the final cold rolling, and It can be seen that the ratio of crystals on each crystal plane in the sub-direction can be changed.

(고온가열후의 결정 조대화의 평가)(Evaluation of crystal coarsening after high temperature heating)

고온가열후의 결정 조대화의 평가는, 이하의 순서로 하였다. 우선, 시료1∼20으로부터 각각 한 변이 20mm인 정사각형의 시험편을 잘라내고, 이들의 시험편을 질소가스 분위기 중에서 900도(℃)의 온도조건하에서 10분간 가열했다. 가열후의 각 시료의 압연면이 경면(鏡面)이 될 때까지, 연마지(硏磨紙) 및 알루미나 지립(砥粒)을 사용해서 연마한 후에, 과산화수소를 가한 암모니아수로 각 시료의 표면을 에칭해서 각 시료의 압연면에 결정립계를 출현시켰다. 결정립계가 출현한 각 시료에 대해서, JIS H0501에 규정된 절단법을 사용해서 결정입경(평균결정입경)을 측정했다. 결정입경의 측정결과를 하기의 표5에 나타낸다. 또한 결정입경이 0.4mm이하의 시료를 합격(○)으로 판정하고, 결정입경이 0.4mm를 넘는 시료를 불합격(×)으로 판정하며, 이 판정결과도 하기의 표5에 나타낸다.Evaluation of crystal coarsening after high-temperature heating was performed in the following procedure. First, square test pieces each having a side of 20 mm were cut out from Samples 1 to 20, and these test pieces were heated in a nitrogen gas atmosphere under a temperature condition of 900 ° C (° C) for 10 minutes. After heating, each sample is polished using abrasive paper and alumina abrasive grains until the rolled surface becomes a mirror surface, and then the surface of each sample is etched with ammonia water with hydrogen peroxide. Grain boundaries appeared on the rolling surface of each sample. For each sample in which grain boundaries appeared, the crystal grain size (average grain size) was measured using the cutting method specified in JIS H0501. Table 5 below shows the measurement results of the crystal grain size. Further, a sample having a crystal grain diameter of 0.4 mm or less is judged as pass (○), and a sample having a crystal grain size of 0.4 mm or more is judged as rejected (×), and the results of this determination are also shown in Table 5 below.

시료1∼12, 16∼20으로부터, 식(1)∼(12)의 모두를 충족시킴으로써 고온가열에 의한 결정 조대화를 억제할 수 있는 것을 확인할 수 있다.It can be confirmed from the samples 1 to 12 and 16 to 20 that crystal coarsening by high-temperature heating can be suppressed by satisfying all of the formulas (1) to (12).

Ｓｎ 등의 원소의 농도가 낮은(Ｓｎ 등의 원소를 거의 첨가하지 않고 있는) 시료2에서는, Ｓｎ 등의 원소의 농도가 50ｐｐｍ이상인 시료1, 3∼12, 16∼20에 비하여 고온가열후의 결정입경이 커지고 있는 것을 확인할 수 있다. 이것으로부터, Ｓｎ 등의 원소를 첨가한 쪽이 고온가열에 의한 결정 조대화를 확실하게 억제할 수 있는 것을 확인할 수 있다.In Sample 2, which has a low concentration of elements such as Sn (which hardly adds elements such as Sn), the crystal grain size after high-temperature heating is higher than those of Samples 1, 3 to 12, and 16 to 20 in which the concentration of elements such as Sn is 50 mm or more. You can see that this is getting bigger. From this, it can be confirmed that the addition of elements such as Sn can reliably suppress crystal coarsening by high-temperature heating.

시료13에서는, 식(1)∼(12)의 전부를 충족시키지 않고 있기 때문에, 고온가열에 의해 결정이 조대화하고 있는 것을 확인할 수 있다. 시료13에서는, I_{022}, I_{002}, I_{113}의 값이 높게 되어 있기 때문에, 최종의 냉간압연시에 피압연재에 가해지는 압축응력의 강도, 압축성분비율이 높은 것을 알 수 있다. 즉, 최종의 냉간압연의 총가공도가 80% 이하이더라도 최종의 냉간압연의 1패스당의 가공도 및 중립점의 위치의 조건에 따라 피압연재에 가해지는 압축응력의 강도, 인장응력의 강도, 응력성분의 비율이 변하고, 그 결과, 식(1)∼(12)를 충족시키지 않는 경우가 있는 것을 확인할 수 있다.In Sample 13, since all of the formulas (1) to (12) are not satisfied, it can be confirmed that the crystals are coarsening by high-temperature heating. In Sample 13, since the values of I _{022} , I _{002} , and I _{113} are high, it can be seen that the strength and compression component ratio of the compressive stress exerted on the material to be rolled during the final cold rolling are high. have. That is, even if the final cold rolling has a total workability of 80% or less, the strength of the compressive stress, the strength of the tensile stress, and the stress of the compressive stress applied to the material to be rolled depending on the conditions of the position of the neutral point and the workability per pass of the final cold rolling. It can be confirmed that the proportions of the components change, and as a result, there may be cases where the formulas (1) to (12) are not satisfied.

시료14로부터, 최종의 냉간압연의 총가공도가 40% 미만이면, 상기 식(1)∼(12)를 모두 충족시킬 경우이더라도 고온가열에 의한 결정 조대화를 억제할 수 없는 경우가 있는 것을 확인할 수 있다. 이것은, 무산소동판이 고온으로 가열되어서 재결정이 발생했을 때에 발생하는 재결정핵의 발생 빈도가 낮기 때문이라고 생각된다.From sample 14, it was confirmed that if the total workability of the final cold rolling was less than 40%, crystal coarsening due to high temperature heating may not be suppressed even if all of the above formulas (1) to (12) are satisfied. You can. This is considered to be because the frequency of occurrence of recrystallized nuclei generated when the oxygen-free copper plate is heated to a high temperature and recrystallization occurs is low.

시료15로부터, 최종의 냉간압연의 총가공도가 80%를 넘으면, 상기 식(1)∼(12)의 모두를 충족시키지 않는 경우가 있고, 고온가열에 의한 결정 조대화를 억제할 수 없는 경우가 있는 것을 확인할 수 있다. 이 경우, I_{022}의 값이 높기 때문에 최종의 냉간압연에 의하여 많은 결정이 {022}면까지 회전한 것을 알 수 있다.From sample 15, when the total workability of the final cold rolling exceeded 80%, all of the above formulas (1) to (12) may not be satisfied, and crystal coarsening due to high-temperature heating cannot be suppressed. You can confirm that there is. In this case, since the value of I _{022} is high, it can be seen that many crystals were rotated to the {022} plane by the final cold rolling.

(고온가열후의 도전성의 평가)(Evaluation of conductivity after high temperature heating)

고온가열후의 도전성의 평가는, 이하의 순서로 하였다. 우선, 시료1∼20으로부터 각각 한 변이 50mm인 정사각형의 시험편을 잘라내고, 이들의 시험편을 질소가스 분위기 중에서 900도(℃)의 온도조건하에서 10분간 가열했다. 그리고 펠스타사(FOERSTER JAPAN LIMITED.) 제품의 과류식 도전율계 시그마 테스트를 사용하여, 가열후의 각 시험편의 도전율을 측정했다. 도전율의 측정결과를 상기 표5에 나타낸다. 또한 도전율이 100%ＩＡＣＳ이상인 시료를 우수(◎)로 판정하고, 도전율이 95%ＩＡＣＳ이상 100%ＩＡＣＳ미만인 시료를 좋음(○)으로 판정하며, 이 판정결과도 상기 표5에 나타낸다.Evaluation of conductivity after high-temperature heating was performed in the following procedure. First, square test pieces each having a side of 50 mm were cut out from Samples 1 to 20, and these test pieces were heated in a nitrogen gas atmosphere under a temperature condition of 900 ° C (° C) for 10 minutes. And the conductivity of each test piece after heating was measured using the eddy current type sigma test of FELSTER JAPAN LIMITED. Table 5 shows the results of measuring the conductivity. Also, a sample having a conductivity of 100% IACS or more was judged as excellent (◎), and a sample having a conductivity of 95% IACS or more and less than 100% IACS was judged as good (○), and the results of this determination are also shown in Table 5 above.

표5로부터, 시료1∼15에 있어서는 무산소동판 중의 Ｓｎ 등의 원소의 농도가 150ｐｐｍ이하이면, 무산소동판의 도전성의 저하를 억제할 수 있는 것을 확인할 수 있다. 예를 들면 무산소동판의 도전율이 100%ＩＡＣＳ이상이 되는 것을 확인할 수 있다. 이러한 무산소동판은 세라믹스 배선기판의 도체로서 더 바람직하다.From Table 5, it can be confirmed that in Samples 1 to 15, when the concentration of elements such as Sn in the oxygen-free copper plate was 150 mm or less, the reduction in conductivity of the oxygen-free copper plate could be suppressed. For example, it can be confirmed that the oxygen-free copper plate has a conductivity of 100% or higher. Such an oxygen-free copper plate is more preferable as a conductor of a ceramic wiring board.

표5로부터, 시료16∼20에 있어서는 무산소동판 중의 Ｓｎ 등의 원소의 농도가 150ｐｐｍ을 넘으면, 무산소동판의 도전율이 100%ＩＡＣＳ미만이 되어, 무산소동판의 도전성이 저하하는 것을 확인할 수 있다.From Table 5, it can be confirmed that in Samples 16 to 20, when the concentration of elements such as Sn in the oxygen-free copper plate exceeds 150 mm, the conductivity of the oxygen-free copper plate becomes less than 100% IACS, and the conductivity of the oxygen-free copper plate decreases.

<바람직한 태양><Preferred sun>

이하에, 본 발명의 바람직한 태양에 대해서 부기한다.Below, the preferable aspect of this invention is added.

[부기1][Annex 1]

본 발명의 1태양에 의하면,According to one aspect of the present invention,

압연됨으로써 평판모양으로 형성되어 이루어지고,It is formed into a flat shape by rolling,

압연면에 대하여 평행한 결정면이 {022}면, {002}면, {113}면, {111}면 및 {133}면인 결정을 구비하고,Crystals parallel to the rolled surface are {022} plane, {002} plane, {113} plane, {111} plane, and {133} plane,

상기 압연면에 대하여 2θ/θ법에 의한 X선회절측정으로 얻어지는 상기 각 결정면의 회절피크강도를 각각 I_{022}, I_{002}, I_{113}, I_{111}, I_{133}이라고 할 때,Diffraction peak intensities of each of the crystal surfaces obtained by X-ray diffraction measurement by the 2θ / θ method for the rolled surface are respectively I _{022} , I _{002} , I _{113} , I _{111} , I _{133} When I say,

I_{022} / (I_{022} + I_{002} + I_{113} + I_{111} + I_{133｝）≤ 0.3이며,I _{022} / (I _{022} + I _{002} + I _{113} + I _{111} + I _{133｝ ） ≤ 0.3,

(I_{002} + I_{113}) / (I_{111} + I_{133｝）≥ 1.0이며,(I _{002} + I _{113} ) / (I _{111} + I _{133｝ ） ≥ 1.0,

I_{002} / I_{022｝≥ 1.0이며,I _{002} / I _{022｝ ≥ 1.0,

I_{113} / I_{022｝≥ 0.5이며,I _{113} / I _{022｝ ≥ 0.5,

I_{111} / I_{022｝≥ 0.15이며,I _{111} / I _{022｝ ≥ 0.15,

I_{133} / I_{022｝≥ 0.02이며,I _{133} / I _{022｝ ≥ 0.02,

0.5 ≤ I_{002} / I_{113｝≤ 5.0이며,0.5 ≤ I _{002} / I _{113｝ ≤ 5.0,

0.2 ≤ I_{133} / I_{111｝≤ 0.5이며,0.2 ≤ I _{133} / I _{111｝ ≤ 0.5,

1.0 ≤ I_{113} / I_{111｝≤ 10이며,1.0 ≤ I _{113} / I _{111｝ ≤ 10,

1.0 ≤ I_{002} / I_{111｝≤ 20이며,1.0 ≤ I _{002} / I _{111｝ ≤ 20,

1.0 ≤ I_{002} / I_{133｝≤ 75이며,1.0 ≤ I _{002} / I _{133｝ ≤ 75,

1.0 ≤ I_{113} / I_{133｝≤ 30이며,1.0 ≤ I _{113} / I _{133｝ ≤ 30,

900도(℃)의 조건하에서 10분간 가열하는 열처리를 실시한 후의 평균결정입경이 0.4mm이하인 무산소동판이 제공된다.An oxygen-free copper plate having an average crystal grain size of 0.4 mm or less after heat treatment for 10 minutes under a condition of 900 ° C (° C) is provided.

[부기2][Annex 2]

부기1의 무산소동판으로서, 바람직하게는,As an oxygen-free copper plate of Annex 1, preferably,

Ｓｎ, Ｚｒ, Ｍｇ, Ｔｉ 및 Ｃａ로 이루어지는 군으로부터 선택한 1종 이상을 포함하고, 잔부가 구리 및 불가피불순물로 이루어진다.Contains one or more selected from the group consisting of Sn, Mur, Mb, Ti, and Ca, and the balance is made of copper and inevitable impurities.

[부기3][Annex 3]

부기1 또는 2의 무산소동판으로서, 바람직하게는,As an oxygen-free copper plate of Supplementary Notes 1 or 2, preferably,

Ｓｎ, Ｚｒ, Ｍｇ, Ｔｉ 및 Ｃａ로 이루어지는 군으로부터 선택한 1종 이상을 총농도가 150ｐｐｍ이하, 바람직하게는 50ｐｐｍ이상, 150ｐｐｍ이하가 되도록 포함해서 이루어진다.One or more selected from the group consisting of Sn, Mur, Mb, Ti, and Ca are included in a total concentration of 150 mm or less, preferably 50 mm or more, and 150 mm or less.

[부기4][Annex 4]

부기1∼3 중 어느 하나의 무산소동판으로서, 바람직하게는,An oxygen-free copper plate according to any one of notes 1 to 3, preferably,

도전율이 100%ＩＡＣＳ이상이다.The conductivity is 100% IACS or more.

[부기5][Annex 5]

본 발명의 다른 태양에 의하면,According to another aspect of the invention,

피처리재에 대하여 냉간압연과 소둔을 소정 횟수 반복해서 냉간압연재를 형성하는 냉간압연공정과,A cold rolling step of forming a cold rolled material by repeatedly performing cold rolling and annealing a predetermined number of times with respect to the material to be treated;

상기 냉간압연재에 대하여 총가공도가 40% 이상인 냉간압연을 하여 평판모양의 무산소동판을 형성하는 최종의 냉간압연공정을 구비하는 무산소동판의 제조방법이 제공된다.A method of manufacturing an oxygen-free copper plate having a final cold rolling process for forming a plate-shaped oxygen-free copper plate by cold rolling with a total workability of 40% or more with respect to the cold rolled material is provided.

[부기6][Bookkeeping 6]

부기5의 방법으로서, 바람직하게는,As a method of Annex 5, preferably,

상기 최종의 냉간압연공정에서는, 총가공도가 40% 이상 80% 이하의 냉간압연을 한다.In the final cold rolling process, cold rolling of 40% or more and 80% or less is performed.

[부기7][Bookkeeping 7]

부기5 또는 6의 방법으로서, 바람직하게는,As a method of supplementary note 5 or 6, preferably,

상기 최종의 냉간압연공정에서는, 각 패스의 가공도를 조정함으로써, 각 패스에 따라 피압연재에 가해지는 압축응력의 강도, 인장응력의 강도, 응력성분의 비율을 조정한다.In the final cold rolling step, by adjusting the working degree of each pass, the strength of the compressive stress, the strength of the tensile stress, and the stress component ratio applied to the material to be rolled are adjusted according to each pass.

[부기8][Bookkeeping 8]

부기7의 방법으로서, 바람직하게는,As a method of Annex 7, preferably,

상기 최종의 냉간압연공정에서는, 각 패스의 가공도를 20% 이상으로 한다.In the final cold rolling process, the workability of each pass is 20% or more.

[부기9][Bookkeeping 9]

부기5∼8 중 어느 하나의 방법으로서, 바람직하게는,As a method of any one of Supplementary Notes 5 to 8, preferably,

상기 최종의 냉간압연공정에서는, 중립점의 위치의 적어도 어느 하나를 조정함으로써, 각 패스에 따라 피압연재에 가해지는 압축응력의 강도, 인장응력의 강도, 응력성분의 비율을 조정한다.In the final cold rolling step, by adjusting at least one of the positions of the neutral points, the strength of the compressive stress, the strength of the tensile stress, and the ratio of the stress component applied to the material to be rolled along each pass are adjusted.

[부기10][Bookkeeping 10]

부기9의 방법으로서, 바람직하게는,As a method of supplementary note 9, preferably,

상기 최종의 냉간압연공정에서는, 피압연재의 두께가 얇아질수록 중립점이 한 쌍의 압연롤의 출구측에 위치하도록 제어한다.In the final cold rolling process, the thickness of the material to be rolled becomes thinner, so that the neutral point is controlled to be located on the outlet side of the pair of rolling rolls.

[부기11][Bookkeeping 11]

부기5∼10 중 어느 하나의 방법으로서, 바람직하게는,As a method of any one of Supplementary Notes 5 to 10, preferably,

상기 최종의 냉간압연공정에서는,In the final cold rolling process,

압연면에 대하여 평행한 결정면이 {022}면, {002}면, {113}면, {111}면 및 {133}면인 결정을 구비하고,Crystals parallel to the rolled surface are {022} plane, {002} plane, {113} plane, {111} plane, and {133} plane,

상기 압연면에 대하여 2θ/θ법에 의한 X선회절측정으로 얻어지는 상기 각 결정면의 회절피크강도를 각각 I_{022}, I_{002}, I_{113}, I_{111} 및 I_{133}이라고 했을 때,The diffraction peak intensities of each of the crystal surfaces obtained by X-ray diffraction measurement by the 2θ / θ method for the rolled surface are I _{022} , I _{002} , I _{113} , I _{111} and I _{133} When I said,

I_{022} / (I_{022} + I_{002} + I_{113} + I_{111} + I_{133｝）≤ 0.3이며,I _{022} / (I _{022} + I _{002} + I _{113} + I _{111} + I _{133｝ ） ≤ 0.3,

(I_{002} + I_{113}) / (I_{111} + I_{133｝）≥ 1.0이며,(I _{002} + I _{113} ) / (I _{111} + I _{133｝ ） ≥ 1.0,

I_{002} / I_{022｝≥ 1.0이며,I _{002} / I _{022｝ ≥ 1.0,

I_{113} / I_{022｝≥ 0.5이며,I _{113} / I _{022｝ ≥ 0.5,

I_{111} / I_{022｝≥ 0.15이며,I _{111} / I _{022｝ ≥ 0.15,

I_{133} / I_{022｝≥ 0.02이며,I _{133} / I _{022｝ ≥ 0.02,

0.5 ≤ I_{002} / I_{113｝≤ 5.0이며,0.5 ≤ I _{002} / I _{113｝ ≤ 5.0,

0.2 ≤ I_{133} / I_{111｝≤ 0.5이며,0.2 ≤ I _{133} / I _{111｝ ≤ 0.5,

1.0 ≤ I_{113} / I_{111｝≤ 10이며,1.0 ≤ I _{113} / I _{111｝ ≤ 10,

1.0 ≤ I_{002} / I_{111｝≤ 20이며,1.0 ≤ I _{002} / I _{111｝ ≤ 20,

1.0 ≤ I_{002} / I_{133｝≤ 75이며,1.0 ≤ I _{002} / I _{133｝ ≤ 75,

1.0 ≤ I_{113} / I_{133｝≤ 30이며,1.0 ≤ I _{113} / I _{133｝ ≤ 30,

900도(℃)의 조건하에서 10분간 가열하는 열처리를 실시한 후의 평균결정입경이 0.4mm이하인 무산소동판을 형성한다.An oxygen-free copper plate having an average crystal grain size of 0.4 mm or less after heat treatment for 10 minutes under a condition of 900 ° C (° C) is formed.

[부기12][Bookkeeping 12]

부기5∼11 중 어느 하나의 방법으로서, 바람직하게는,As a method of any one of Supplementary Notes 5 to 11, preferably,

Ｓｎ, Ｚｒ, Ｍｇ, Ｔｉ 및 Ｃａ로 이루어지는 군으로부터 선택한 1종 이상을 포함해서 이루어지는 주괴를 주조하는 공정을 더 구비한다.A step of casting an ingot comprising at least one selected from the group consisting of Sn, Mur, Mb, Ti and Ca is further provided.

[부기13][Bookkeeping 13]

부기12의 방법으로서, 바람직하게는,As a method of Annex 12, preferably,

상기 주괴를 주조하는 공정에서는, Ｓｎ, Ｚｒ, Ｍｇ, Ｔｉ 및 Ｃａ로 이루어지는 군으로부터 선택한 1종 이상을 그 농도가 150ｐｐｍ이하, 바람직하게는 50ｐｐｍ이상, 150ｐｐｍ이하가 되도록 첨가한다.In the step of casting the ingot, one or more selected from the group consisting of Sn, Mur, Mb, Ti and Ca is added so that the concentration thereof is 150 mm or less, preferably 50 mm or more and 150 mm or less.

[부기14][Bookkeeping 14]

본 발명의 또 다른 태양에 의하면,According to another aspect of the invention,

세라믹스 기판과,Ceramic substrate,

무산소구리에 대하여 압연가공을 함으로써 평판모양으로 형성되고 상기 세라믹스 기판상에 설치된 배선재로서의 무산소동판An oxygen-free copper plate as a wiring material formed in a flat plate shape and formed on the ceramic substrate by rolling processing on the oxygen-free copper

을 구비하고,Equipped with,

상기 무산소동판은,The oxygen-free copper plate,

압연면에 대하여 평행한 결정면이 {022}면, {002}면, {113}면, {111}면 및 {133}면인 결정을 구비하고,Crystals parallel to the rolled surface are {022} plane, {002} plane, {113} plane, {111} plane, and {133} plane,

상기 압연면에 대하여 2θ/θ법에 의한 X선회절측정으로 얻어지는 상기 각 결정면의 회절피크강도를 각각 I_{022}, I_{002}, I_{113}, I_{111}, I_{133}이라고 했을 때,Diffraction peak intensities of each of the crystal surfaces obtained by X-ray diffraction measurement by the 2θ / θ method for the rolled surface are respectively I _{022} , I _{002} , I _{113} , I _{111} , I _{133} When I said,

I_{022} / (I_{022} + I_{002} + I_{113} + I_{111} + I_{133｝）≤ 0.3이며,I _{022} / (I _{022} + I _{002} + I _{113} + I _{111} + I _{133｝ ） ≤ 0.3,

(I_{002} + I_{113}) / (I_{111} + I_{133｝）≥ 1.0이며,(I _{002} + I _{113} ) / (I _{111} + I _{133｝ ） ≥ 1.0,

I_{002} / I_{022｝≥ 1.0이며,I _{002} / I _{022｝ ≥ 1.0,

I_{113} / I_{022｝≥ 0.5이며,I _{113} / I _{022｝ ≥ 0.5,

I_{111} / I_{022｝≥ 0.15이며,I _{111} / I _{022｝ ≥ 0.15,

I_{133} / I_{022｝≥ 0.02이며,I _{133} / I _{022｝ ≥ 0.02,

0.5 ≤ I_{002} / I_{113｝≤ 5.0이며,0.5 ≤ I _{002} / I _{113｝ ≤ 5.0,

0.2 ≤ I_{133} / I_{111｝≤ 0.5이며,0.2 ≤ I _{133} / I _{111｝ ≤ 0.5,

1.0 ≤ I_{113} / I_{111｝≤ 10이며,1.0 ≤ I _{113} / I _{111｝ ≤ 10,

1.0 ≤ I_{002} / I_{111｝≤ 20이며,1.0 ≤ I _{002} / I _{111｝ ≤ 20,

1.0 ≤ I_{002} / I_{133｝≤ 75이며,1.0 ≤ I _{002} / I _{133｝ ≤ 75,

1.0 ≤ I_{113} / I_{133｝≤ 30이며,1.0 ≤ I _{113} / I _{133｝ ≤ 30,

평균결정입경이 0.4mm이하인 세라믹스 배선기판이 제공된다.A ceramic wiring board having an average crystal grain size of 0.4 mm or less is provided.

Claims (5)

압연됨으로써 평판모양으로 형성되어 이루어지고,
압연면에 대하여 평행한 결정면이 {022}면, {002}면, {113}면, {111}면 및 {133}면인 결정을 구비하고,
상기 압연면에 대한 2θ/θ법에 의한 X선회절측정으로 얻어지는 상기 각 결정면의 회절피크강도를 각각 I_{022}, I_{002}, I_{113}, I_{111}, I_{133}이라고 했을 때,
I_{022} / (I_{022} + I_{002} + I_{113} + I_{111} + I_{133｝）≤ 0.3이며,
(I_{002} + I_{113}) / (I_{111} + I_{133｝）≥ 1.0이며,
I_{002} / I_{022｝≥ 1.0이며,
I_{113} / I_{022｝≥ 0.5이며,
I_{111} / I_{022｝≥ 0.15이며,
I_{133} / I_{022｝≥ 0.02이며,
0.5 ≤ I_{002} / I_{113｝≤ 5.0이며,
0.2 ≤ I_{133} / I_{111｝≤ 0.5이며,
1.0 ≤ I_{113} / I_{111｝≤ 10이며,
1.0 ≤ I_{002} / I_{111｝≤ 20이며,
1.0 ≤ I_{002} / I_{133｝≤ 75이며,
1.0 ≤ I_{113} / I_{133｝≤ 30이며,
900도(℃)의 조건하에서 10분간 가열하는 열처리를 실시한 후의 평균결정입경이 0.4mm이하인 무산소동판.
It is formed into a flat shape by rolling,
Crystals parallel to the rolled surface are {022} plane, {002} plane, {113} plane, {111} plane, and {133} plane,
The diffraction peak intensities of the respective crystal surfaces obtained by X-ray diffraction measurement by the 2θ / θ method on the rolled surface are respectively I _{022} , I _{002} , I _{113} , I _{111} , I _{133} When I said,
I _{022} / (I _{022} + I _{002} + I _{113} + I _{111} + I _{133｝ ） ≤ 0.3,
(I _{002} + I _{113} ) / (I _{111} + I _{133｝ ） ≥ 1.0,
I _{002} / I _{022｝ ≥ 1.0,
I _{113} / I _{022｝ ≥ 0.5,
I _{111} / I _{022｝ ≥ 0.15,
I _{133} / I _{022｝ ≥ 0.02,
0.5 ≤ I _{002} / I _{113｝ ≤ 5.0,
0.2 ≤ I _{133} / I _{111｝ ≤ 0.5,
1.0 ≤ I _{113} / I _{111｝ ≤ 10,
1.0 ≤ I _{002} / I _{111｝ ≤ 20,
1.0 ≤ I _{002} / I _{133｝ ≤ 75,
1.0 ≤ I _{113} / I _{133｝ ≤ 30,
An oxygen-free copper plate having an average crystal grain size of 0.4 mm or less after heat treatment for 10 minutes under a condition of 900 ° C (° C).
제1항에 있어서,
구리 및 불가피불순물로 이루어지고, Ｓｎ, Ｚｒ, Ｍｇ, Ｔｉ 및 Ｃａ로 이루어지는 군으로부터 선택한 1종 이상을 포함하는 무산소동판.
According to claim 1,
An oxygen-free copper plate made of copper and inevitable impurities, and containing at least one selected from the group consisting of Sn, Mur, Mg, Ti and Ca.
제1항 또는 제2항에 있어서,
Ｓｎ, Ｚｒ, Ｍｇ, Ｔｉ 및 Ｃａ로 이루어지는 군으로부터 선택한 1종 이상을 총농도가 150ｐｐｍ이하가 되도록 포함해서 이루어지는 무산소동판.
The method according to claim 1 or 2,
An oxygen-free copper plate comprising one or more selected from the group consisting of Sn, Mur, Mb, Ti and Ca so that the total concentration is 150 mm or less.
제1항 또는 제2항에 있어서,
Ｓｎ, Ｚｒ, Ｍｇ, Ｔｉ 및 Ｃａ로 이루어지는 군으로부터 선택한 1종 이상을 총농도가 50ｐｐｍ이상, 150ｐｐｍ이하가 되도록 포함해서 이루어지는 무산소동판.
The method according to claim 1 or 2,
An oxygen-free copper plate comprising at least one selected from the group consisting of Sn, Ｚr, MＴ, Ti, and Ca to have a total concentration of 50 mm or more and 150 mm or less.
세라믹스 기판과,
무산소구리에 대하여 압연가공을 함으로써 평판모양으로 형성되고 상기 세라믹스 기판상에 설치된 배선재로서의 무산소동판
을 구비하고,
상기 무산소동판은,
압연면에 대하여 평행한 결정면이 {022}면, {002}면, {113}면, {111}면 및 {133}면인 결정을 구비하고,
상기 압연면에 대하여 2θ/θ법에 의한 X선회절측정으로 얻어지는 상기 각 결정면의 회절피크강도를 각각 I_{022}, I_{002}, I_{113}, I_{111}, I_{133}이라고 했을 때,
I_{022} / (I_{022} + I_{002} + I_{113} + I_{111} + I_{133｝）≤ 0.3이며,
(I_{002} + I_{113}) / (I_{111} + I_{133｝）≥ 1.0이며,
I_{002} / I_{022｝≥ 1.0이며,
I_{113} / I_{022｝≥ 0.5이며,
I_{111} / I_{022｝≥ 0.15이며,
I_{133} / I_{022｝≥ 0.02이며,
0.5 ≤ I_{002} / I_{113｝≤ 5.0이며,
0.2 ≤ I_{133} / I_{111｝≤ 0.5이며,
1.0 ≤ I_{113} / I_{111｝≤ 10이며,
1.0 ≤ I_{002} / I_{111｝≤ 20이며,
1.0 ≤ I_{002} / I_{133｝≤ 75이며,
1.0 ≤ I_{113} / I_{133｝≤ 30이며,
평균결정입경이 0.4mm이하인 세라믹스 배선기판.Ceramic substrate,
An oxygen-free copper plate as a wiring material formed in a flat plate shape and formed on the ceramic substrate by rolling processing on the oxygen-free copper
Equipped with,
The oxygen-free copper plate,
Crystals parallel to the rolled surface are {022} plane, {002} plane, {113} plane, {111} plane, and {133} plane,
Diffraction peak intensities of each of the crystal surfaces obtained by X-ray diffraction measurement by the 2θ / θ method for the rolled surface are respectively I _{022} , I _{002} , I _{113} , I _{111} , I _{133} When I said,
I _{022} / (I _{022} + I _{002} + I _{113} + I _{111} + I _{133｝ ） ≤ 0.3,
(I _{002} + I _{113} ) / (I _{111} + I _{133｝ ） ≥ 1.0,
I _{002} / I _{022｝ ≥ 1.0,
I _{113} / I _{022｝ ≥ 0.5,
I _{111} / I _{022｝ ≥ 0.15,
I _{133} / I _{022｝ ≥ 0.02,
0.5 ≤ I _{002} / I _{113｝ ≤ 5.0,
0.2 ≤ I _{133} / I _{111｝ ≤ 0.5,
1.0 ≤ I _{113} / I _{111｝ ≤ 10,
1.0 ≤ I _{002} / I _{111｝ ≤ 20,
1.0 ≤ I _{002} / I _{133｝ ≤ 75,
1.0 ≤ I _{113} / I _{133｝ ≤ 30,
Ceramic wiring board with an average crystal grain size of 0.4 mm or less.

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