KR102091475B1 - Transparent conductive film - Google Patents

Abstract

본 발명은, 필름 구성이 간략한 한편, 어닐 처리를 실시했을 경우여도, 투명 도전성 막의 패턴 형상이 시인되기 어려운 투명 도전성 필름을 제공하는 것을 과제로 한다.
이러한 과제를 해결하기 위해, 투명 플라스틱 필름 기재의 적어도 한쪽 면에, 광학 조정층과, 투명 도전성 막을 순차로 적층하여 이루어지는 투명 도전성 필름으로서, 투명 플라스틱 필름이, 150℃에서 1시간 가열했을 경우의 투명 플라스틱 필름 기재의 주배향축과 직교하는 방향에 있어서의 열수축률을 T1(%)로 하고, 투명 플라스틱 필름 기재의 주배향축과 평행한 방향에 있어서의 열수축률을 T2(%)로 하고, 투명 플라스틱 필름 기재의 두께를 L(㎛)로 했을 때에, 하기 관계식(1) 및 (2)를 만족한다.
T1/L<0.0045 (1)
T2/L<0.0035 (2)It is an object of the present invention to provide a transparent conductive film in which the pattern configuration of the transparent conductive film is difficult to be recognized even when the film configuration is brief and annealing treatment is performed.
In order to solve such a problem, as a transparent conductive film obtained by sequentially laminating an optical adjustment layer and a transparent conductive film on at least one side of a transparent plastic film base material, the transparent plastic film is transparent when heated at 150 ° C. for 1 hour. The heat shrinkage rate in the direction orthogonal to the main orientation axis of the plastic film substrate is T1 (%), and the heat shrinkage rate in the direction parallel to the main orientation axis of the transparent plastic film substrate is T2 (%), and is transparent. When the thickness of the plastic film base material is L (µm), the following relational expressions (1) and (2) are satisfied.
T1 / L <0.0045 (1)
T2 / L <0.0035 (2)

Description

투명 도전성 필름{TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM}Transparent conductive film {TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM}

본 발명은, 투명 도전성 필름에 관한 것이다.The present invention relates to a transparent conductive film.

특히, 필름 구성이 간략한 한편, 어닐 처리를 실시했을 경우여도, 투명 도전성 막의 패턴 형상이 시인되기 어려운 투명 도전성 필름에 관한 것이다.In particular, while the film configuration is simple, even when an annealing treatment is performed, it relates to a transparent conductive film in which the pattern shape of the transparent conductive film is difficult to be recognized.

종래, 화상 표시부에 직접 접촉하는 것에 의해 정보를 입력할 수 있는 터치 패널은, 광투과성의 입력 장치를 디스플레이 상에 배치하여 이루어지는 것이다.Conventionally, a touch panel capable of inputting information by directly contacting an image display unit is one in which a light-transmitting input device is disposed on a display.

이러한 터치 패널의 대표적인 형식으로서는, 2매의 투명 전극 기판을 각각의 투명 전극층이 마주 보도록 극간을 마련하면서 배치하여 이루어지는 저항막식 터치 패널이나, 투명 전극막과 손가락 사이에 생기는 정전 용량의 변화를 이용하는 정전 용량식 터치 패널이 존재한다.As a typical form of such a touch panel, a resistive touch panel formed by arranging two transparent electrode substrates with a gap so that each transparent electrode layer faces each other, or a static electricity using a change in capacitance generated between the transparent electrode film and a finger There is a capacitive touch panel.

이 중, 정전 용량식 터치 패널에서는, 손가락의 터치 위치를 검출하기 위한 센서로서, 대별하여 투명 도전성 막이 유리 기재 상에 적층되어 이루어지는 유리 센서와, 투명 도전성 막이 투명 플라스틱 필름 기재 상에 적층되어 이루어지는 필름 센서가 존재한다.Among these, in the capacitive touch panel, as a sensor for detecting the touch position of a finger, a glass sensor in which a transparent conductive film is laminated on a glass substrate, and a film in which a transparent conductive film is laminated on a transparent plastic film substrate Sensors are present.

특히 필름 센서에 있어서는, 라인 상으로 패턴화된 투명 도전성 막을 구비한 투명 도전성 필름 2매를, 각각의 패턴이 서로 크로스하도록 배치하는 것에 의해, 격자상의 패턴이 형성되는 것이 많다.In particular, in the film sensor, a grid-like pattern is often formed by arranging two transparent conductive films having a transparent conductive film patterned in a line so that each pattern crosses each other.

그러나, 이와 같이 투명 도전성 막을 패턴화했을 경우, 패턴부와 비패턴부의 경계 부분이 시인되기 쉬워져 버려, 정전 용량식 터치 패널의 미관이 나빠진다는 문제가 나타났다.However, when the transparent conductive film is patterned as described above, the boundary between the pattern portion and the non-pattern portion becomes easy to be visually recognized, resulting in a problem that the appearance of the capacitive touch panel is deteriorated.

그래서, 이러한 문제를 해결하기 위한 기술이 개시되어 있다(예를 들면, 특허문헌 1 참조).Therefore, a technique for solving such a problem has been disclosed (for example, see Patent Document 1).

보다 구체적으로는, 투명한 필름 기재의 편면 또는 양면에 적어도 1층의 언더코팅층을 개재하여, 투명 도전체층을 갖고, 또한 투명 도전체층은 패턴화되어 있으며, 또한 투명 도전체층을 갖지 않는 비패턴부에는 적어도 1층의 언더코팅층을 갖는 투명 도전성 필름의 제조 방법으로서, 투명한 필름 기재의 편면 또는 양면에, 투명한 필름 기재로부터 제1층째의 언더코팅층을 유기물에 의해 형성하는 공정, 언더코팅층 상에, 스퍼터링법에 의해 투명 도전체층을 형성하는 공정, 및 투명 도전체층을, 에칭하여 패턴화하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 투명 도전성 필름의 제조 방법이 개시되어 있다.More specifically, a non-pattern portion having a transparent conductor layer, and having a transparent conductor layer patterned, and having no transparent conductor layer on at least one layer of an undercoat layer on one or both sides of a transparent film substrate. A method for manufacturing a transparent conductive film having at least one layer of an undercoating layer, the method of forming an undercoat layer of a first layer from a transparent film substrate with an organic material on one or both sides of a transparent film substrate, sputtering method on the undercoat layer Disclosed is a method of forming a transparent conductor layer, and a method of manufacturing a transparent conductive film characterized by having a step of etching and patterning the transparent conductor layer.

또한, 특허문헌 1에는, 패턴화된 투명 도전체층을 갖는 투명 도전성 필름에 어닐 처리를 실시하는 것에 의해, 당해 투명 도전체층을 결정화시켜, 전기 전도도를 향상시키는 것이 개시되어 있다.In addition, Patent Document 1 discloses that the transparent conductive layer is crystallized by subjecting the transparent conductive film having a patterned transparent conductive layer to crystallization to improve electrical conductivity.

일본국 특개 2011-142089호 공보(특허청구범위)Japanese Patent Application No. 2011-142089 (patent claim)

그러나, 특허문헌 1의 실시예에 개시되어 있는 투명 도전성 필름은, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(이하, 「PET 필름」이라고 하는 경우가 있다)의 한쪽 면에 2층의 언더코팅층 및 투명 도전체층이 차례로 적층됨과 함께, PET 필름의 다른 면에, 점착제층을 개재하여, 육후(肉厚)의 별도의 PET 필름에 육후의 하드코팅층이 적층되어 이루어지는 지지체를 첩합하여 이루어지는 것이었다.However, in the transparent conductive film disclosed in Example 1 of Patent Document 1, two layers of undercoat layers and transparent conductor layers are sequentially stacked on one side of a polyethylene terephthalate film (hereinafter, sometimes referred to as a "PET film"). In addition, the other side of the PET film was interposed with a pressure-sensitive adhesive layer, and was adhered to a support made by laminating a thick hard coating layer on another thick PET film.

그 때문에, 특허문헌 1에 기재된 투명 도전성 필름은, 층 구성이 복잡하며, 생산 비용이 높아진다는 문제를 갖고 있었다.Therefore, the transparent conductive film described in Patent Document 1 has a problem that the layer configuration is complicated and the production cost is high.

그래서, 본 발명자들은, 이러한 생산 비용의 문제를 해결하기 위해, 상술한 특허문헌 1의 실시예에 있어서의 투명 도전성 필름의 구성으로부터 지지체의 생략을 시험했다.Thus, the present inventors tested the omission of the support from the configuration of the transparent conductive film in the example of Patent Document 1 described above to solve the problem of such production cost.

그러나, 지지체를 생략했을 경우, 어닐 처리 후, 패턴 형상이 시인되기 쉬워진다는 문제가 새롭게 발생했다.However, when the support is omitted, a new problem arises that the pattern shape becomes easily visible after annealing treatment.

또한, 생산 비용을 더 개선하기 위해, 어닐 처리 온도를 상승시키고, 어닐 처리 시간의 단축을 시험해 본 바, 패턴 형상이 더 시인되기 쉬워진다는 문제가 나타났다.Further, in order to further improve the production cost, when the annealing temperature was raised and the shortening of the annealing time was tested, there was a problem that the pattern shape was more easily recognized.

즉, 본 발명의 목적은 필름 구성이 간략한 한편, 어닐 처리를 실시했을 경우여도, 투명 도전성 막의 패턴 형상이 시인되기 어려운 투명 도전성 필름을 제공하는 것에 있다.That is, the object of the present invention is to provide a transparent conductive film in which the pattern configuration of the transparent conductive film is difficult to be recognized even when the film configuration is brief and annealing treatment is performed.

본 발명자들은, 예의 검토를 거듭한 결과, 이하의 투명 도전성 필름에 의해 상술한 과제를 해결할 수 있는 것을 알아내어, 발명을 완성시켰다.As a result of repeated examinations of the present inventors, the inventors found out that the above-described problems can be solved by the following transparent conductive films, and the invention has been completed.

즉, 투명 플라스틱 필름 기재의 적어도 한쪽 면에, 광학 조정층과, 투명 도전성 막을 순차로 적층하여 이루어지는 투명 도전성 필름으로서, 투명 플라스틱 필름이, 150℃에서 1시간 가열했을 경우의 투명 플라스틱 필름 기재의 주배향축과 직교하는 방향에 있어서의 열수축률을 T1(%)로 하고, 투명 플라스틱 필름 기재의 주배향축과 평행한 방향에 있어서의 열수축률을 T2(%)로 하고, 투명 플라스틱 필름 기재의 두께를 L(㎛)로 했을 때에, 하기 관계식(1) 및 (2)를 만족하는 것을 특징으로 하는 투명 도전성 필름이 제공되어, 상술한 문제를 해결할 수 있다.That is, as a transparent conductive film obtained by sequentially laminating an optical adjustment layer and a transparent conductive film on at least one side of a transparent plastic film substrate, the main of the transparent plastic film substrate when the transparent plastic film is heated at 150 ° C for 1 hour The heat shrinkage rate in the direction perpendicular to the alignment axis is T1 (%), the heat shrinkage rate in the direction parallel to the main alignment axis of the transparent plastic film substrate is T2 (%), and the thickness of the transparent plastic film substrate When L is (µm), a transparent conductive film characterized by satisfying the following relations (1) and (2) is provided, and the above-described problem can be solved.

T1/L<0.0045 (1)T1 / L <0.0045 (1)

T2/L<0.0035 (2)T2 / L <0.0035 (2)

즉, 본 발명의 투명 도전성 필름에 의하면, 투명 플라스틱 필름 기재로서, 그 주배향축을 기준으로 한 소정의 열수축률, 및 두께가 소정의 관계식을 만족하는 것을 사용하고 있다.That is, according to the transparent conductive film of the present invention, a transparent plastic film base material is used that satisfies a predetermined relationship with a predetermined heat shrinkage ratio and thickness based on the main alignment axis.

이에 따라, 필름 구성이 간략한 한편, 어닐 처리를 실시했을 경우여도, 투명 도전성 막의 패턴 형상을 시인되기 어렵게 할 수 있다.This makes it possible to make it difficult to visually recognize the pattern shape of the transparent conductive film even when the film configuration is simple and the annealing treatment is performed.

또한, 투명 도전성 막과, 투명 플라스틱 필름 기재 사이에, 광학 조정층을 마련하고 있으므로, 투명 도전성 막의 굴절률과, 투명 플라스틱 필름 기재의 굴절률의 차에 기인한 투명 도전성 막의 패턴 형상을 시인되기 어렵게 할 수 있다.In addition, since an optical adjustment layer is provided between the transparent conductive film and the transparent plastic film substrate, it is difficult to visually recognize the pattern shape of the transparent conductive film due to the difference in refractive index between the transparent conductive film and the refractive index of the transparent plastic film substrate. have.

또한, 본 발명의 투명 도전성 필름에서는, 투명 플라스틱 필름 기재의 주배향축과 직교하는 방향에 있어서의 열수축률(T1)이 0∼0.5%인 것이 바람직하다.Moreover, in the transparent conductive film of this invention, it is preferable that the thermal contraction rate (T1) in the direction orthogonal to the main orientation axis of a transparent plastic film base material is 0-0.5%.

이와 같이 구성하는 것에 의해, 어닐 처리를 실시했을 경우여도, 투명 도전성 막의 패턴 형상을 시인되기 어렵게 할 수 있다.By constituting in this way, even when an annealing treatment is performed, it is possible to make it difficult to visually recognize the pattern shape of the transparent conductive film.

또한, 본 발명의 투명 도전성 필름에서는, 투명 플라스틱 필름 기재의 주배향축과 평행한 방향에 있어서의 열수축률(T2)이 0∼0.4%인 것이 바람직하다.Moreover, in the transparent conductive film of this invention, it is preferable that the thermal contraction rate (T2) in the direction parallel to the main orientation axis of a transparent plastic film base material is 0 to 0.4%.

이와 같이 구성하는 것에 의해, 어닐 처리를 실시했을 경우여도, 투명 도전성 막의 패턴 형상을 시인되기 어렵게 할 수 있다.By constituting in this way, even when an annealing treatment is performed, it is possible to make it difficult to visually recognize the pattern shape of the transparent conductive film.

또한, 본 발명의 투명 도전성 필름에서는, 투명 플라스틱 필름 기재의 두께(L)가 25∼200㎛인 것이 바람직하다.Moreover, in the transparent conductive film of this invention, it is preferable that the thickness (L) of a transparent plastic film base material is 25-200 micrometers.

이와 같이 구성하는 것에 의해, 어닐 처리를 실시했을 경우여도, 투명 도전성 막의 패턴 형상을 시인되기 어렵게 할 수 있다.By constituting in this way, even when an annealing treatment is performed, it is possible to make it difficult to visually recognize the pattern shape of the transparent conductive film.

또한, 본 발명의 투명 도전성 필름에서는, 광학 조정층이, 투명 플라스틱 기재 측에서, 중굴절률층과, 고굴절률층과, 저굴절률층을 순차로 적층되며, 중굴절률층이, 굴절률 1.4 이상 1.7 미만이며, 저굴절률층의 굴절률보다 높고, 또한, 고굴절률층의 굴절률보다 낮은 층이며, 고굴절률층이, 굴절률이 1.6 이상 2 미만이며, 저굴절률층이, 굴절률이 1.3 이상 1.6 미만인 것이 바람직하다.In addition, in the transparent conductive film of the present invention, the optical adjustment layer, on the side of the transparent plastic substrate, is sequentially stacked with a medium refractive index layer, a high refractive index layer, and a low refractive index layer, and the medium refractive index layer is 1.4 or more and less than 1.7 Is, a layer higher than the refractive index of the low-refractive-index layer, and lower than the refractive index of the high-refractive-index layer, the high-refractive-index layer preferably has a refractive index of 1.6 or more and less than 2, and the low-refractive-index layer has a refractive index of 1.3 or more and less than 1.6.

이와 같이 구성하는 것에 의해, 투명 도전성 막의 굴절률과, 투명 플라스틱 필름 기재의 굴절률의 차에 기인한 투명 도전성 막의 패턴 형상을 시인되기 어렵게 할 수 있다.By configuring in this way, it is possible to make it difficult to visually recognize the pattern shape of the transparent conductive film resulting from the difference between the refractive index of the transparent conductive film and the refractive index of the transparent plastic film base material.

또한, 본 발명의 투명 도전성 필름에서는, 상기 중굴절률층의 두께가 50∼5000㎚이며, 고굴절률층의 두께가 20∼130㎚이며, 저굴절률층의 두께가 10∼150㎚인 것이 바람직하다.Further, in the transparent conductive film of the present invention, it is preferable that the thickness of the medium refractive index layer is 50 to 5000 nm, the thickness of the high refractive index layer is 20 to 130 nm, and the thickness of the low refractive index layer is 10 to 150 nm.

이와 같이 구성하는 것에 의해, 투명 도전성 막의 굴절률과, 투명 플라스틱 필름 기재의 굴절률의 차에 기인한 투명 도전성 막의 패턴 형상을 시인되기 어렵게 할 수 있다.By configuring in this way, it is possible to make it difficult to visually recognize the pattern shape of the transparent conductive film resulting from the difference between the refractive index of the transparent conductive film and the refractive index of the transparent plastic film base material.

또한, 본 발명의 투명 도전성 필름에서는, 투명 도전성 막이, 인듐주석 산화물(이하, 「ITO」라고 하는 경우가 있다)로 이루어짐과 함께, 광학 조정층 상에 패턴상으로 형성되어 이루어지는 것이 바람직하다.In addition, in the transparent conductive film of the present invention, it is preferable that the transparent conductive film is formed of an indium tin oxide (hereinafter sometimes referred to as "ITO") and is formed in a pattern on the optical adjustment layer.

이와 같이 구성했을 경우, 어닐 처리를 실시하는 것에 의해, 통상, 투명 도전성 막의 패턴 형상이 시인되기 쉬워지지만, 본 발명의 투명 도전성 필름이면, 투명 도전성 막의 패턴 형상을 시인되기 어렵게 할 수 있다.When comprised in this way, the pattern shape of a transparent conductive film is usually easy to be recognized by performing annealing treatment, but if it is the transparent conductive film of this invention, it can make it difficult to visually recognize the pattern shape of a transparent conductive film.

또한, 본 발명의 투명 도전성 필름에서는, 투명 도전성 막의 두께가 5∼500㎚인 것이 바람직하다.Moreover, in the transparent conductive film of this invention, it is preferable that the thickness of a transparent conductive film is 5-500 nm.

이와 같이 구성했을 경우, 어닐 처리를 실시하는 것에 의해, 통상, 투명 도전성 막의 패턴 형상이 눈에 띄기 쉬워지지만, 본 발명의 투명 도전성 필름이면, 투명 도전성 막의 패턴 형상을 시인되기 어렵게 할 수 있다.When comprised in this way, the pattern shape of a transparent conductive film is usually easy to stand out by performing an annealing process, but if it is the transparent conductive film of this invention, it can make it difficult to visually recognize the pattern shape of a transparent conductive film.

도 1은 본 발명의 투명 도전성 필름에 대해서 설명하기 위해 제공하는 도면.
도 2(a)∼(c)는, 투명 플라스틱 필름 기재에 있어서의 T1 방향 및 T2 방향에 대해서 설명하기 위해 제공하는 도면.
도 3은 T1/L과, 어닐 처리 후의 투명 도전성 막의 패턴의 시인성과의 관계를 설명하기 위해 제공하는 도면.
도 4는 T2/L과, 어닐 처리 후의 투명 도전성 막의 패턴의 시인성과의 관계를 설명하기 위해 제공하는 도면.1 is a view provided to explain the transparent conductive film of the present invention.
2 (a) to 2 (c) are diagrams provided to explain the T1 direction and the T2 direction in the transparent plastic film substrate.
Fig. 3 is a diagram provided to explain the relationship between T1 / L and visibility of a pattern of a transparent conductive film after annealing.
4 is a diagram provided to explain the relationship between T2 / L and visibility of a pattern of a transparent conductive film after annealing.

본 발명의 실시형태는, 도 1에 나타내는 바와 같이, 투명 플라스틱 필름 기재(3)의 적어도 한쪽 면에, 광학 조정층(2)과, 투명 도전성 막(1)을 순차로 적층하여 이루어지는 투명 도전성 필름(10)으로서, 투명 플라스틱 필름(3)이, 150℃에서 1시간 가열했을 경우의 투명 플라스틱 필름 기재(3)의 주배향축과 직교하는 방향에 있어서의 열수축률을 T1(%)로 하고, 투명 플라스틱 필름 기재(3)의 주배향축과 평행한 방향에 있어서의 열수축률을 T2(%)로 하고, 투명 플라스틱 필름 기재(3)의 두께를 L(㎛)로 했을 때에, 하기 관계식(1) 및 (2)를 만족하는 것을 특징으로 하는 투명 도전성 필름(10)이다.As shown in FIG. 1, the embodiment of the present invention is a transparent conductive film formed by sequentially laminating an optical adjustment layer 2 and a transparent conductive film 1 on at least one surface of the transparent plastic film substrate 3. As (10), the heat shrinkage rate in the direction orthogonal to the main alignment axis of the transparent plastic film base material 3 when the transparent plastic film 3 is heated at 150 ° C for 1 hour is T1 (%), When the heat shrinkage ratio in the direction parallel to the main alignment axis of the transparent plastic film base material 3 is T2 (%) and the thickness of the transparent plastic film base material 3 is L (µm), the following relational expression (1) ) And (2).

T1/L<0.0045 (1)T1 / L <0.0045 (1)

T2/L<0.0035 (2)T2 / L <0.0035 (2)

이하, 본 발명의 실시형태를, 도면을 적의 참조하여, 구체적으로 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be specifically described with reference to the drawings.

1. 투명 플라스틱 필름 기재1. Transparent plastic film base

(1) 종류(1) Type

투명 플라스틱 필름 기재의 종류로서는, 특히 제한되는 것은 아니며, 광학용 기재로서 공지의 투명 플라스틱 필름 기재를 사용할 수 있다.The type of the transparent plastic film substrate is not particularly limited, and a known transparent plastic film substrate can be used as the substrate for optics.

예를 들면, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN) 등의 폴리에스테르 필름, 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 셀로판, 디아세틸셀룰로오스 필름, 트리아세틸셀룰로오스 필름, 아세틸셀룰로오스부티레이트 필름, 폴리염화비닐 필름, 폴리염화비닐리덴 필름, 폴리비닐알코올 필름, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체 필름, 폴리스티렌 필름, 폴리카보네이트 필름, 폴리메틸펜텐 필름, 폴리설폰 필름, 폴리에테르에테르케톤 필름, 폴리에테르설폰 필름, 폴리에테르이미드 필름, 폴리이미드 필름, 불소 수지 필름, 폴리아미드 필름, 아크릴 수지 필름, 노르보르넨계 수지 필름, 시클로올레핀 수지 필름 등의 플라스틱 필름을 바람직하게 들 수 있다.For example, polyester film such as polyethylene terephthalate (PET), polybutylene terephthalate, and polyethylene naphthalate (PEN), polyethylene film, polypropylene film, cellophane, diacetyl cellulose film, triacetyl cellulose film, acetyl cellulose Butyrate film, polyvinyl chloride film, polyvinylidene chloride film, polyvinyl alcohol film, ethylene-vinyl acetate copolymer film, polystyrene film, polycarbonate film, polymethylpentene film, polysulfone film, polyether ether ketone film, poly Plastic films, such as ethersulfone film, polyetherimide film, polyimide film, fluorine resin film, polyamide film, acrylic resin film, norbornene resin film, and cycloolefin resin film, are mentioned preferably.

또한, 이들 중에서도, 내열성의 관점에서, 폴리에스테르 필름, 폴리카보네이트 필름, 폴리이미드 필름, 노르보르넨계 수지 필름, 시클로올레핀 수지 필름인 것이 보다 바람직하다.Moreover, among these, it is more preferable that it is a polyester film, a polycarbonate film, a polyimide film, a norbornene-type resin film, and a cycloolefin resin film from a heat resistant viewpoint.

또한, 투명성 및 필름 강도와 유연성의 양립의 관점에서, 특히 PET 필름인 것이 바람직하다.In addition, from the viewpoint of transparency and compatibility of film strength and flexibility, it is particularly preferable to be a PET film.

(2) 관계식(2) Relation

우선, 본 발명의 관계식(1) 및 (2)를 설명하기 전에, 투명 도전성 막의 패턴이 어닐 처리에 의해 시인되기 쉬워지는 현상에 대하여, 추측을 섞어 설명한다.First, before explaining the relational expressions (1) and (2) of the present invention, the phenomenon in which the pattern of the transparent conductive film becomes easy to be recognized by annealing treatment is mixed with speculation.

어닐 처리에 의해 시인되게 된 패턴 부분 등을 전자 현미경으로 관찰하면, 어닐 처리 후의 패턴 부분이 어닐 처리 전보다도 약간 불거져나와 있는 것이 확인된다. 이러한 약간의 불거져나옴이야말로 어닐 처리 후에 패턴 형상이 인식되기 쉬워지는 원인이라고 추정되었다.When the pattern portion or the like visually recognized by the annealing treatment is observed with an electron microscope, it is confirmed that the pattern portion after the annealing treatment is slightly bulged than before the annealing treatment. It was presumed that this slight swelling was the cause of the pattern shape being easily recognized after the annealing treatment.

또한, 이러한 투명 도전성 막의 패턴 부분이 불거져나온 원인은, 패턴화된 투명 도전성 막은 어닐 처리에 의해서도 형상의 변화가 생기지 않는 한편, 광학 조정층 및 투명 플라스틱 필름 기재는 어닐 처리에 의해 열수축을 일으키기 때문에, 결과로써, 패턴 부분만이 불거져나오기 때문이라고 추정되었다.In addition, the reason why the pattern portion of the transparent conductive film is blown out is that the patterned transparent conductive film does not change shape even by annealing treatment, while the optical adjustment layer and the transparent plastic film substrate cause heat shrinkage by annealing treatment. As a result, it was estimated that only the pattern portion was bulging out.

즉, 투명 도전성 막의 패턴이 어닐 처리에 의해 시인되기 쉬워지는 현상은, 투명 도전성 막과 그 외의 층의 열수축 거동이 상위하기 때문에, 투명 도전성 막의 패턴 존재 부분과 비존재 부분에서 변형이 생기는 것에 기인한다고 추정되었다.That is, the phenomenon in which the pattern of the transparent conductive film tends to be visually recognized by annealing treatment is due to the fact that the heat shrinking behavior of the transparent conductive film and other layers differs, and thus the deformation occurs in the patterned and non-existing portions of the transparent conductive film. It was estimated.

다음에, 상술한 추정을 받아, 각종의 검토에 의해 본 발명의 관계식(1) 및 (2)에 이르는 경위를, 이하에 설명한다.Next, following the above-mentioned estimation, the various processes leading to the relational expressions (1) and (2) of the present invention will be described below.

상술한 추정으로부터, 열수축률이 작은 투명 플라스틱 필름 기재를 사용하는 것에 의해, 광학 조정층 및 투명 플라스틱 필름 기재의 열수축을 억제할 수 있고, 나아가서는, 어닐 처리 후에 있어서의 투명 도전성 막의 패턴 형상을 시인되기 어렵게 할 수 있다고 기대되었다.From the above-mentioned estimation, by using a transparent plastic film base material having a small thermal contraction rate, the heat shrinkage of the optical adjustment layer and the transparent plastic film base material can be suppressed, and furthermore, the pattern shape of the transparent conductive film after annealing treatment is visually recognized. It was expected to make it difficult to become.

그러나, MD 방향 및 TD 방향을 기준으로 한 열수축률이 작은 투명 플라스틱 필름 기재를 사용했을 경우여도, 어닐 처리 후에 있어서의 투명 도전성 막의 패턴 형상을 안정하여 시인되기 어렵게 할 수는 없었다.However, even when a transparent plastic film base material having a small thermal contraction rate based on the MD direction and the TD direction was used, the pattern shape of the transparent conductive film after annealing could not be made stable and difficult to be recognized.

이 현상을 예의 검토한 결과, MD 방향 및 TD 방향이 아닌, 배향축을 기준으로 하여 소정의 열수축률을 나타내는 투명 플라스틱 필름 기재를 사용하는 것에 의해, 어닐 처리 후에 있어서의 투명 도전성 막의 패턴 형상을 시인되기 어렵게 할 수 있음이 명확해졌다.As a result of earnestly examining this phenomenon, the pattern shape of the transparent conductive film after annealing treatment is recognized by using a transparent plastic film base material showing a predetermined heat shrinkage ratio based on the alignment axis, not the MD direction and the TD direction. It has become clear that it can be difficult.

구체적으로 설명하면, 도 2(a)에 나타내는 바와 같이, MD 방향 및 TD 방향은, 폭 1000∼1500㎜ 정도의 큰 필름을 제작할 때의 조건에 의해 얻어지는 정보이다.Specifically, as shown in Fig. 2 (a), the MD direction and the TD direction are information obtained by conditions when producing a film having a width of about 1000 to 1500 mm.

한편, 모바일 등의 소형 전자 기기에 사용되는 터치 패널용의 작은 투명 도전성 필름의 기재는, 당해 큰 필름으로부터 복수의 필름이 잘라내어지게 된다.On the other hand, in the base material of the small transparent conductive film for a touch panel used in small electronic devices such as mobiles, a plurality of films are cut out from the large film.

이 때문에, 도 2(b)에 나타내는 바와 같이, 필름의 중앙 부분에서 잘라낸 투명 플라스틱 필름 기재와, 도 2(c)에 나타내는 바와 같이, 단(端)의 부분에서 잘라낸 투명 플라스틱 필름 기재에서는, 배향축의 방향이 크게 다르게 되고, 열수축률은 MD 방향 및 TD 방향에 대응한 거동을 나타내지 않고, 배향축에 대응한 거동을 나타내게 된다.For this reason, as shown in Fig. 2 (b), the transparent plastic film base material cut out from the central portion of the film and the transparent plastic film base material cut out from the stage as shown in Fig. 2 (c) are aligned. The direction of the axis is greatly different, and the heat shrinkage rate does not show the behavior corresponding to the MD direction and the TD direction, but shows the behavior corresponding to the alignment axis.

따라서, 투명 플라스틱 필름 기재는, MD 방향 및 TD 방향이 아닌, 배향축 방향 및 그 수직 방향의 열수축률로 소정치 내의 것을 선택할 필요가 있음이 명확해졌다.Therefore, it became clear that it is necessary to select the transparent plastic film base material within a predetermined value by the heat shrinkage in the alignment axis direction and its vertical direction, not in the MD direction and the TD direction.

그런데, 배향축을 기준으로 한 열수축률이 낮은 투명 플라스틱 필름 기재를 사용했을 경우여도, 아직, 어닐 처리 후에 있어서의 투명 도전성 막의 패턴 형상을 시인되기 어렵게 할 수 없을 경우가 있다는 문제가 나타났다.However, even when a transparent plastic film base material having a low thermal contraction rate based on an alignment axis was used, there was a problem that the pattern shape of the transparent conductive film after annealing treatment could not be made difficult to be recognized.

각종 검토의 결과, 어닐 처리 후의 투명 도전성 막의 패턴 형상이 시인되기 쉬워지는 현상은, 투명 플라스틱 필름 기재의 두께도 영향을 준다는 추정이 얻어졌다.As a result of various examinations, it was estimated that the phenomenon that the pattern shape of the transparent conductive film after annealing treatment tends to be easily recognized also affects the thickness of the transparent plastic film substrate.

즉, 투명 플라스틱 필름 기재의 두께를 두껍게 하는 것에 의해, 어닐 처리 후의 투명 도전성 막의 패턴 형상이 시인되기 쉬워지는 것을 방지할 수 있는 경향이 확인되었다. 이 현상은, 투명 플라스틱 필름 기재의 두께에 의해, 열수축에 의한 변형을 흡수할 수 있고, 나아가서는, 어닐 처리 후에 있어서의 투명 도전성 막의 패턴 형상을 시인되기 어렵게 할 수 있는 것이라고 추정되었다.That is, it has been confirmed that by increasing the thickness of the transparent plastic film base material, the pattern shape of the transparent conductive film after annealing treatment can be easily prevented from being recognized. It was estimated that this phenomenon can absorb deformation due to heat shrinkage by the thickness of the transparent plastic film base material, and furthermore, it is difficult to visually recognize the pattern shape of the transparent conductive film after annealing treatment.

이상의 추정 및 검토의 결과, 투명 플라스틱 필름 기재에 있어서의 배향축을 기준으로 한 열수축률 및 두께의 양쪽을 고려하는 것에 의해, 필름 구성이 간략한 한편, 어닐 처리를 실시했을 경우여도, 투명 도전성 막의 패턴 형상이 시인되기 어려운 투명 도전성 필름을 안정적으로 얻어지는 조건을 알아냈다.As a result of the above estimation and examination, by considering both the heat shrinkage ratio and the thickness based on the alignment axis in the transparent plastic film base material, the film configuration is simple, and even when annealing is performed, the pattern shape of the transparent conductive film The conditions for stably obtaining the transparent conductive film which is difficult to be recognized were found.

이하, 그 상세를 더 설명한다.Hereinafter, the details will be further described.

즉, 본 발명에 있어서의 투명 플라스틱 필름 기재는, 150℃에서 1시간 가열했을 경우의 투명 플라스틱 필름 기재의 주배향축과 직교하는 방향에 있어서의 열수축률을 T1(%)로 하고, 투명 플라스틱 필름 기재의 두께를 L(㎛)로 했을 때에, 하기 관계식(1)을 만족하는 것을 특징으로 한다.That is, in the transparent plastic film base material in the present invention, the heat shrinkage rate in the direction perpendicular to the main alignment axis of the transparent plastic film base material when heated at 150 ° C. for 1 hour is T1 (%), and the transparent plastic film When the thickness of the base material is L (µm), it is characterized by satisfying the following relational expression (1).

T1/L<0.0045 (1)T1 / L <0.0045 (1)

또한, 투명 도전성 막의 패턴 형상이 시인되기 쉬워지는 것을 보다 효과적으로 방지하는 관점에서, 본 발명에 있어서의 투명 플라스틱 필름은, 150℃에서 1시간 가열했을 경우의 투명 플라스틱 필름 기재의 주배향축과 직교하는 방향에 있어서의 열수축률을 T1(%)로 하고, 투명 플라스틱 필름 기재의 두께를 L(㎛)로 했을 때에, 하기 관계식(1')을 만족하는 것이 보다 바람직하고, 하기 관계식(1")을 만족하는 것이 더 바람직하다.In addition, from the viewpoint of more effectively preventing the pattern shape of the transparent conductive film from becoming easily visible, the transparent plastic film in the present invention is orthogonal to the main alignment axis of the transparent plastic film base material when heated at 150 ° C for 1 hour. When the heat shrinkage in the direction is T1 (%) and the thickness of the transparent plastic film base material is L (µm), it is more preferable to satisfy the following relational expression (1 '), and the following relational expression (1 "). It is more desirable to be satisfied.

T1/L<0.0040 (1')T1 / L <0.0040 (1 ')

T1/L<0.0035 (1")T1 / L <0.0035 (1 ")

또한, 본 발명에 있어서의 투명 플라스틱 필름 기재는, 150℃에서 1시간 가열했을 경우의 투명 플라스틱 필름 기재의 주배향축과 평행한 방향에 있어서의 열수축률을 T2(%)로 하고, 투명 플라스틱 필름 기재의 두께를 L(㎛)로 했을 때에, 하기 관계식(2)를 만족하는 것을 특징으로 한다.In addition, in the transparent plastic film base material in this invention, when it heats at 150 degreeC for 1 hour, the heat shrinkage rate in the direction parallel to the main orientation axis of the transparent plastic film base material is T2 (%), and it is a transparent plastic film. When the thickness of the base material is L (µm), it is characterized by satisfying the following relational expression (2).

T2/L<0.0035 (2)T2 / L <0.0035 (2)

또한, 투명 도전성 막의 패턴 형상을 시인되기 어렵게 하는 관점에서, 본 발명에 있어서의 투명 플라스틱 필름은, 150℃에서 1시간 가열했을 경우의 투명 플라스틱 필름 기재의 주배향축과 평행한 방향에 있어서의 열수축률을 T2(%)로 하고, 투명 플라스틱 필름 기재의 두께를 L(㎛)로 했을 때에, 하기 관계식(2')을 만족하는 것이 보다 바람직하고, 하기 관계식(2")을 만족하는 것이 더 바람직하다.In addition, from the viewpoint of making it difficult to visually recognize the pattern shape of the transparent conductive film, the heat in the direction parallel to the main alignment axis of the transparent plastic film base material when heated at 150 ° C for 1 hour. When the shrinkage ratio is T2 (%) and the thickness of the transparent plastic film base material is L (µm), it is more preferable to satisfy the following relational expression (2 '), and more preferably satisfy the following relational expression (2 "). Do.

T2/L<0.0025 (2')T2 / L <0.0025 (2 ')

T2/L<0.0020 (2")T2 / L <0.0020 (2 ")

(3) 열수축률(3) Heat shrinkage rate

또한, 투명 플라스틱 필름 기재의 주배향축과 직교하는 방향에 있어서의 열수축률(T1)은, 0∼0.5%인 것이 바람직하다.Moreover, it is preferable that the thermal contraction rate T1 in the direction orthogonal to the main orientation axis of a transparent plastic film base material is 0 to 0.5%.

이 이유는, 열수축률(T1)을 이러한 범위 내의 값으로 하는 것에 의해, 어닐 처리를 실시했을 경우여도, 투명 도전성 막과, 그 하층의 광학 조정층과의 경계 부분에 있어서의 변형의 발생을, 보다 효과적으로 억제하여, 투명 도전성 막의 패턴 형상을 시인되기 어렵게 할 수 있기 때문이다.The reason for this is that by setting the thermal contraction rate (T1) to a value within this range, even when an annealing treatment is performed, the occurrence of deformation in the boundary portion between the transparent conductive film and the optical adjustment layer of the lower layer, It is because it can suppress more effectively and make it difficult to visually recognize the pattern shape of the transparent conductive film.

따라서, 투명 플라스틱 필름 기재의 주배향축과 직교하는 방향에 있어서의 열수축률(T1)은 0∼0.4%인 것이 보다 바람직하고, 0∼0.2%인 것이 더 바람직하다.Therefore, the heat shrinkage rate (T1) in the direction perpendicular to the main alignment axis of the transparent plastic film base material is more preferably 0 to 0.4%, and more preferably 0 to 0.2%.

또한, 투명 플라스틱 필름 기재의 주배향축과 평행한 방향에 있어서의 열수축률(T2)은, 0∼0.4%인 것이 바람직하다.Moreover, it is preferable that the thermal contraction rate T2 in the direction parallel to the main orientation axis of a transparent plastic film base material is 0 to 0.4%.

이 이유는, 열수축률(T2)을 이러한 범위 내의 값으로 하는 것에 의해, 어닐 처리를 실시했을 경우여도, 투명 도전성 막과, 그 하층의 광학 조정층과의 경계 부분에 있어서의 변형의 발생을, 더 효과적으로 억제하여, 투명 도전성 막의 패턴 형상을 시인되기 어렵게 할 수 있기 때문이다.The reason is that by setting the thermal contraction rate (T2) to a value within this range, even when an annealing treatment is performed, the occurrence of deformation in the boundary portion between the transparent conductive film and the optical adjustment layer of the lower layer, This is because it can be suppressed more effectively, making it difficult to visually recognize the pattern shape of the transparent conductive film.

따라서, 투명 플라스틱 필름의 주배향축과 평행한 방향에 있어서의 열수축률(T2)은, 0∼0.3%인 것이 보다 바람직하고, 0∼0.2%인 것이 더 바람직하다.Therefore, the thermal contraction rate T2 in the direction parallel to the main alignment axis of the transparent plastic film is more preferably 0 to 0.3%, and more preferably 0 to 0.2%.

(4) 두께(4) thickness

또한, 투명 플라스틱 필름 기재의 두께(L)는, 상술한 배향축을 기준으로 한 각 방향에 있어서의 열수축률의 영향을 고려할 필요가 있지만, 25∼200㎛인 것이 바람직하다.In addition, the thickness (L) of the transparent plastic film substrate needs to consider the effect of the heat shrinkage rate in each direction based on the above-mentioned orientation axis, but is preferably 25 to 200 μm.

이 이유는, 투명 플라스틱 필름 기재의 두께(L)를 이러한 범위 내의 값으로 하는 것에 의해, 어닐 처리를 실시했을 경우여도, 투명 도전성 막과, 그 하층의 광학 조정층과의 경계 부분에 있어서의 변형의 발생을, 보다 한층 더 효과적으로 억제할 수 있기 때문이다.The reason for this is that the thickness L of the transparent plastic film base material is set to a value within this range, so that even if an annealing treatment is performed, deformation in the boundary portion between the transparent conductive film and the optical adjustment layer of the lower layer is performed. This is because the occurrence of can be suppressed more effectively.

즉, 투명 플라스틱 필름 기재의 두께(L)가 25㎛ 미만의 값으로 되면, 투명 플라스틱 필름 기재의 강도가 저하하는 것에 의해, 광학 조정층에 있어서의 투명 도전성 막의 존재 부분과 비존재 부분에서의 어닐 처리 시의 변형의 발생을 효과적으로 억제할 수 없게 되는 경우가 있기 때문이다. 한편, 투명 플라스틱 필름 기재의 두께(L)가 200㎛를 초과한 값으로 되면, 투명 도전성 필름에 있어서의 투명성 등의 광학 특성이 악화하는 경우가 있기 때문이다.That is, when the thickness (L) of the transparent plastic film base material is less than 25 µm, the strength of the transparent plastic film base material decreases, whereby the annealing in the presence and absence of the transparent conductive film in the optical adjustment layer is performed. This is because the occurrence of deformation during treatment may not be effectively suppressed. On the other hand, when the thickness L of the transparent plastic film base material exceeds 200 μm, optical properties such as transparency in the transparent conductive film may deteriorate.

따라서, 투명 플라스틱 필름 기재의 두께(L)는, 30∼180㎛인 것이 보다 바람직하고, 50∼150㎛인 것이 더 바람직하다.Therefore, the thickness (L) of the transparent plastic film substrate is more preferably 30 to 180 μm, and more preferably 50 to 150 μm.

또, 본 발명에 사용하는 투명 플라스틱 필름 기재의 표면에 있어서의 1변의 길이는, 배향축의 직선성을 보다 향상시키는 관점에서, 30㎝ 이하인 것이 바람직하고, 20㎝ 이하인 것이 보다 바람직하고, 15㎝ 이하인 것이 더 바람직하다.Moreover, from the viewpoint of further improving the linearity of the alignment axis, the length of one side on the surface of the transparent plastic film substrate used in the present invention is preferably 30 cm or less, more preferably 20 cm or less, and 15 cm or less It is more preferable.

(5) 굴절률(5) refractive index

또한, 어닐 처리 전에 있어서도 투명 도전성 막의 패턴 형상이 시인되기 쉬워지는 것을 효과적으로 억제하는 관점에서, 투명 플라스틱 필름 기재의 굴절률은, 1.45∼1.70인 것이 바람직하다.Moreover, it is preferable that the refractive index of a transparent plastic film base material is 1.45-1.70 from a viewpoint of effectively suppressing that the pattern shape of a transparent conductive film becomes easy to be recognized even before annealing treatment.

따라서, 투명 플라스틱 필름 기재의 굴절률은, 1.50∼1.70인 것이 보다 바람직하고, 1.55∼1.65인 것이 더 바람직하다.Therefore, the refractive index of the transparent plastic film base material is more preferably 1.50 to 1.70, and even more preferably 1.55 to 1.65.

또, 투명 플라스틱 필름 기재는, 그 표면에 마련되는 층과의 밀착성을 향상시키는 목적으로, 소망에 따라 편면 또는 양면에, 산화법이나 요철화법 등에 의해 표면 처리를 실시하거나, 혹은, 프라이머 처리를 실시하거나 하는 것도 바람직하다.In addition, for the purpose of improving the adhesiveness with the layer provided on the surface of the transparent plastic film base material, surface treatment is performed on one side or both sides, if desired, by an oxidation method or an unevenening method, or a primer treatment is performed. It is also preferred.

또한, 상술한 산화법으로서는, 예를 들면, 코로나 방전 처리, 크롬산 처리(습식), 화염 처리, 열풍 처리, 오존·자외선 조사 처리 등을 들 수 있고, 요철화법으로서는, 예를 들면, 샌드 블라스트법, 용제 처리법 등을 들 수 있다.Examples of the oxidation method described above include, for example, corona discharge treatment, chromic acid treatment (wet), flame treatment, hot air treatment, ozone / ultraviolet irradiation treatment, and the like. And a solvent treatment method.

2. 광학 조정층2. Optical adjustment layer

본 발명의 투명 도전성 필름은, 투명 도전성 막과, 투명 플라스틱 필름 기재 사이에, 광학 조정층을 마련하는 것을 특징으로 한다.The transparent conductive film of the present invention is characterized by providing an optical adjustment layer between the transparent conductive film and the transparent plastic film substrate.

이 이유는, 이러한 광학 조정층을 마련하는 것에 의해, 투명 도전성 막의 굴절률과, 투명 플라스틱 필름 기재의 굴절률의 차에 기인한 투명 도전성 막의 패턴 형상을 시인되기 어렵게 할 수 있기 때문이다.This is because, by providing such an optical adjustment layer, it is possible to make it difficult to visually recognize the pattern shape of the transparent conductive film due to the difference between the refractive index of the transparent conductive film and the refractive index of the transparent plastic film base material.

또한, 광학 조정층은, 투명 플라스틱 필름 기재 측에서, 굴절률이 상대적으로 높은 고굴절률층과, 굴절률이 상대적으로 낮은 저굴절률층을 순차로 적층하여 이루어지는 것이 바람직하다.In addition, it is preferable that the optical adjustment layer is formed by sequentially laminating a high refractive index layer having a relatively high refractive index and a low refractive index layer having a relatively low refractive index on the side of the transparent plastic film substrate.

또한, 광학 조정층은, 도 1에 나타내는 바와 같이, 투명 플라스틱 필름 기재 측에서, 굴절률이 저굴절률층(2a) 및 고굴절률층(2b)에 있어서의 굴절률 사이의 값이 되는 중굴절률층(2c)과, 굴절률이 상대적으로 높은 고굴절률층(2b)과, 굴절률이 상대적으로 낮은 저굴절률층(2a)을 순차로 적층하여 이루어지는 것이 특히 바람직하다.In addition, as shown in FIG. 1, the optical adjustment layer is a medium refractive index layer 2c whose refractive index is a value between the refractive indexes in the low refractive index layer 2a and the high refractive index layer 2b on the transparent plastic film substrate side. ), And it is particularly preferable to sequentially stack the high refractive index layer 2b having a relatively high refractive index and the low refractive index layer 2a having a relatively low refractive index.

이 이유는, 광학 조정층(2)을 이러한 적층 구조로 하는 것에 의해, 투명 도전성 막(1)의 굴절률과, 투명 플라스틱 필름 기재(3)의 굴절률의 차에 기인한 투명 도전성 막의 패턴 형상을 시인되기 어렵게 할 수 있기 때문이다.The reason is that by making the optical adjustment layer 2 such a laminated structure, the pattern shape of the transparent conductive film due to the difference between the refractive index of the transparent conductive film 1 and the refractive index of the transparent plastic film base material 3 is recognized. It can be difficult to become.

이하, 광학 조정층을 구성하는 중굴절률층, 고굴절률층 및 저굴절률층에 대하여, 각각 설명한다.Hereinafter, the medium-refractive-index layer, the high-refractive-index layer, and the low-refractive-index layer constituting the optical adjustment layer will be described.

(1) 중굴절률층(1) middle refractive index layer

(1)-1 굴절률(1) -1 refractive index

중굴절률층의 굴절률은, 저굴절률층의 굴절률보다 높고, 또한, 고굴절률층의 굴절률보다 낮고, 또한, 굴절률이 1.4 이상 1.7 미만인 것이 바람직하다.The refractive index of the medium-refractive-index layer is higher than the refractive index of the low-refractive-index layer, and also lower than the refractive index of the high-refractive-index layer, and it is preferable that the refractive index is 1.4 or more and less than 1.7.

이 이유는, 중굴절률층의 굴절률이 1.4 미만의 값으로 되면, 투명 도전성 막의 패턴 형상이 시인되기 쉬워지는 경우가 있기 때문이다. 한편, 중굴절률층의 굴절률이 1.7 이상의 값으로 되어도, 투명 도전성 막의 패턴 형상이 시인되기 쉬워지는 경우가 있기 때문이다.This reason is that when the refractive index of the medium refractive index layer is less than 1.4, the pattern shape of the transparent conductive film may be easily recognized. On the other hand, even if the refractive index of the middle refractive index layer is a value of 1.7 or more, the pattern shape of the transparent conductive film tends to be easily recognized.

따라서, 중굴절률층의 굴절률은, 1.43 이상 1.65 미만인 것이 보다 바람직하고, 1.45 이상 1.6 미만인 것이 더 바람직하다.Therefore, the refractive index of the middle refractive index layer is more preferably 1.43 or more and less than 1.65, and more preferably 1.45 or more and less than 1.6.

(1)-2 두께(1) -2 thickness

또한, 중굴절률층의 두께는, 50∼5000㎚인 것이 바람직하다.Moreover, it is preferable that the thickness of a middle refractive index layer is 50-5000 nm.

이 이유는, 중굴절률층의 두께가 50㎚ 미만의 값으로 되면, 중굴절률층의 막이 취약해져, 층의 형상을 유지할 수 없게 되는 경우가 있기 때문이다. 한편, 중굴절률층의 두께가 5000㎚를 초과한 값으로 되면, 투명 도전성 막의 패턴 형상이 시인되기 쉬워지는 경우가 있기 때문이다.The reason for this is that when the thickness of the medium refractive index layer is less than 50 nm, the film of the medium refractive index layer becomes fragile and the shape of the layer cannot be maintained. On the other hand, when the thickness of the medium refractive index layer exceeds 5000 nm, the pattern shape of the transparent conductive film may be easily seen.

따라서, 중굴절률층의 두께는, 100∼4000㎚인 것이 보다 바람직하고, 120∼200㎚인 것이 더 바람직하다.Therefore, the thickness of the medium refractive index layer is more preferably 100 to 4000 nm, and more preferably 120 to 200 nm.

(1)-3 재료 물질(1) -3 material substances

또한, 중굴절률층이, 실리카 미립자 및 활성 에너지선 경화성 수지를 함유하는 조성물의 경화물로 이루어지는 것이 바람직하다.Moreover, it is preferable that a medium refractive index layer consists of hardened | cured material of the composition containing a silica fine particle and an active energy ray curable resin.

이 이유는, 실리카 미립자를 함유하는 것에 의해, 안티 블록킹성을 부여할 수 있기 때문에, 권취성의 향상을 기대할 수 있을 뿐만 아니라, 중굴절률층의 상층인 고굴절률층과의 밀착성에 대해서도 향상시켜서, 강고하게 적층시킬 수 있기 때문이다.The reason for this is that, by containing the silica fine particles, anti-blocking properties can be imparted, and therefore, not only improvement in windability can be expected, but also improvement in adhesion to the high-refractive-index layer, which is the upper layer of the middle-refractive-index layer, is improved. This is because it can be laminated.

(i) 활성 에너지선 경화 수지(i) Active energy ray curing resin

또한, 중굴절률층의 형성에 사용되는 활성 에너지선 경화성 수지란, 전자파 또는 하전 입자선 중에서 에너지 양자를 갖는 것, 즉, 자외선 또는 전자선 등을 조사하는 것에 의해, 가교, 경화하는 중합성 화합물을 의미하고, 예를 들면, 광중합성 프리폴리머나 광중합성 모노머를 들 수 있다.In addition, the active energy ray-curable resin used for the formation of the middle refractive index layer means a polymerizable compound that has crosslinking and curing by irradiating ultraviolet rays or electron beams, etc., having energy both in electromagnetic waves or charged particle beams. And, for example, a photopolymerizable prepolymer or a photopolymerizable monomer.

또한, 상술한 광중합성 프리폴리머에는, 라디칼 중합형과 양이온 중합형이 있으며, 라디칼 중합형의 광중합성 프리폴리머로서는, 폴리에스테르아크릴레이트계, 에폭시아크릴레이트계, 우레탄아크릴레이트계, 폴리올아크릴레이트계 등을 들 수 있다.In addition, the photopolymerizable prepolymer described above has a radical polymerization type and a cationic polymerization type. Examples of the radical polymerization type photopolymerizable prepolymer include polyester acrylate, epoxy acrylate, urethane acrylate, and polyol acrylate. Can be lifted.

또한, 폴리에스테르아크릴레이트계 프리폴리머로서는, 예를 들면, 다가 카르복시산과 다가 알코올의 축합에 의해 얻어지는 양말단에 수산기를 갖는 폴리에스테르 올리고머의 수산기를 (메타)아크릴산으로 에스테르화하는 것에 의해, 혹은, 다가 카르복시산에 알킬렌옥사이드를 부가하여 얻어지는 올리고머의 말단의 수산기를 (메타)아크릴산으로 에스테르화하는 것에 의해 얻어지는 화합물을 들 수 있다.Moreover, as a polyester acrylate prepolymer, for example, by esterifying the hydroxyl group of the polyester oligomer which has a hydroxyl group at the sock end obtained by condensation of polyhydric carboxylic acid and polyhydric alcohol with (meth) acrylic acid, or polyhydric The compound obtained by esterifying the hydroxyl group of the terminal of the oligomer obtained by adding alkylene oxide to a carboxylic acid with (meth) acrylic acid is mentioned.

또한, 에폭시아크릴레이트계 프리폴리머로서는, 예를 들면, 비교적 저분자량의 비스페놀형 에폭시 수지나 노볼락형 에폭시 수지의 옥실란환에, (메타)아크릴산으로 에스테르화하는 것에 의해 얻어지는 화합물을 들 수 있다.Moreover, as an epoxy acrylate prepolymer, the compound obtained by esterifying with the (meth) acrylic acid to the oxysilane ring of the bisphenol-type epoxy resin of a relatively low molecular weight or a novolak-type epoxy resin is mentioned, for example.

또한, 우레탄아크릴레이트계 프리폴리머로서는, 예를 들면, 폴리에테르폴리올이나 폴리에스테르폴리올과 폴리이소시아네이트의 반응에 의해 얻어지는 폴리우레탄 올리고머를, (메타)아크릴산으로 에스테르화하는 것에 의해 얻어지는 화합물을 들 수 있다.Moreover, as a urethane acrylate prepolymer, the compound obtained by esterifying the polyurethane oligomer obtained by reaction of polyether polyol, polyester polyol, and polyisocyanate with (meth) acrylic acid is mentioned, for example.

또한, 폴리올아크릴레이트계 프리폴리머로서는, 폴리에테르폴리올의 수산기를 (메타)아크릴산으로 에스테르화하는 것에 의해 얻어지는 화합물을 들 수 있다.Moreover, as a polyol acrylate prepolymer, the compound obtained by esterifying the hydroxyl group of polyether polyol with (meth) acrylic acid is mentioned.

또, 이들의 중합성 프리폴리머는 1종 단독으로 사용해도 되며, 2종 이상을 조합시켜서 사용해도 된다.Moreover, these polymerizable prepolymers may be used individually by 1 type, or may be used in combination of 2 or more type.

한편, 양이온 중합형의 광중합성 프리폴리머로서는, 통상, 에폭시계 수지가 사용된다.On the other hand, as a cationic polymerization type photopolymerizable prepolymer, an epoxy resin is usually used.

이러한 에폭시 수지로서는, 예를 들면, 비스페놀 수지나 노볼락 수지 등의 다가 페놀류에 에피클로로히드린 등으로 에폭시화하여 얻어지는 화합물, 직쇄상 올레핀 화합물이나 환상 올레핀 화합물을 과산화물 등으로 산화하여 얻어지는 화합물 등을 들 수 있다.Examples of the epoxy resin include compounds obtained by epoxidizing polyhydric phenols such as bisphenol resins and novolac resins with epichlorohydrin, and compounds obtained by oxidizing a linear olefin compound or a cyclic olefin compound with peroxide, etc. Can be lifted.

또한, 광중합성 모노머로서는, 예를 들면, 1,4-부탄디올디(메타)아크릴레이트, 1,6-헥산디올디(메타)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메타)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜아디페이트디(메타)아크릴레이트, 히드록시피발산네오펜틸글리콜디(메타)아크릴레이트, 디시클로펜타닐디(메타)아크릴레이트, 카프로락톤 변성 디시클로펜테닐디(메타)아크릴레이트, 에틸렌옥사이드 변성 인산디(메타)아크릴레이트, 알릴화 시클로헥실디(메타)아크릴레이트, 이소시아누레이트디(메타)아크릴레이트, 프로피온산 변성 디펜타에리트리톨트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메타)아크릴레이트, 프로필렌옥사이드 변성 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 트리스(아크릴옥시에틸)이소시아누레이트, 프로피온산 변성 디펜타에리트리톨펜타(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메타)아크릴레이트, 카프로락톤 변성 디펜타에리트리톨헥사(메타)아크릴레이트 등의 다관능 아크릴레이트를 들 수 있다.Moreover, as a photopolymerizable monomer, for example, 1,4-butanediol di (meth) acrylate, 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylate, polyethylene glycol di ( Meta) acrylate, neopentyl glycol adipate di (meth) acrylate, hydroxypivalic acid neopentyl glycol di (meth) acrylate, dicyclopentanyl di (meth) acrylate, caprolactone modified dicyclopentenyl di (metha) ) Acrylate, ethylene oxide-modified di (meth) acrylate, allylated cyclohexyldi (meth) acrylate, isocyanurate di (meth) acrylate, propionic acid-modified dipentaerythritol tri (meth) acrylate, Pentaerythritol tri (meth) acrylate, propylene oxide-modified trimethylolpropane tri (meth) acrylate, tris (acryloxyethyl) isocyanurate, propionic acid And polyfunctional acrylates such as modified dipentaerythritol penta (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, and caprolactone modified dipentaerythritol hexa (meth) acrylate.

또, 이들의 광중합성 모노머는 1종 단독으로 사용해도 되며, 2종 이상을 조합시켜서 사용해도 된다.Moreover, these photopolymerizable monomers may be used individually by 1 type, or may be used in combination of 2 or more type.

(ⅱ) 광중합 개시제(Ii) Photopolymerization initiator

또한, 활성 에너지선 경화성 수지를 효율적으로 경화시키는 관점에서, 소망에 따라 광중합 개시제를 병용하는 것도 바람직하다.In addition, from the viewpoint of efficiently curing the active energy ray-curable resin, it is also preferable to use a photopolymerization initiator in combination as desired.

이러한 광중합 개시제로서는, 라디칼 중합형의 광중합성 프리폴리머나 광중합성 모노머에 대해서는, 예를 들면, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤조인-n-부틸에테르, 벤조인이소부틸에테르, 아세토페논, 디메틸아미노아세토페논, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 2,2-디에톡시-2-페닐아세토페논, 2-히드록시-2-메틸-1-페닐프로판-1-온, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노-프로판-1-온, 4-(2-히드록시에톡시)페닐-2(히드록시-2-프로필)케톤, 벤조페논, p-페닐벤조페논, 4,4'-디에틸아미노벤조페논, 디클로로벤조페논, 2-메틸안트라퀴논, 2-에틸안트라퀴논, 2-tert-부틸안트라퀴논, 2-아미노안트라퀴논, 2-메틸티오잔톤, 2-에틸티오잔톤, 2-클로로티오잔톤, 2,4-디메틸티오잔톤, 2,4-디에틸티오잔톤, 벤질디메틸케탈, 아세토페논디메틸케탈, p-디메틸아민벤조산에스테르 등을 들 수 있다.As such a photopolymerization initiator, for radical polymerization type photopolymerizable prepolymer or photopolymerizable monomer, for example, benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzoin-n-butyl ether, Benzoin isobutyl ether, acetophenone, dimethylamino acetophenone, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, 2,2-diethoxy-2-phenylacetophenone, 2-hydroxy-2-methyl-1 -Phenylpropan-1-one, 1-hydroxycyclohexylphenylketone, 2-methyl-1- [4- (methylthio) phenyl] -2-morpholino-propan-1-one, 4- (2- Hydroxyethoxy) phenyl-2 (hydroxy-2-propyl) ketone, benzophenone, p-phenylbenzophenone, 4,4'-diethylaminobenzophenone, dichlorobenzophenone, 2-methylanthraquinone, 2- Ethyl anthraquinone, 2-tert-butylanthraquinone, 2-aminoanthraquinone, 2-methylthioxanthone, 2-ethylthioxanthone, 2-chlorothioxanthone, 2,4-dimethylthioxanthone, 2,4-diethyl Thio Tone, and the like benzyl dimethyl ketal, acetophenone dimethyl ketal, p- dimethylamine benzoic acid ester.

또한, 양이온 중합형의 광중합성 프리폴리머에 대한 광중합 개시제로서는, 예를 들면, 방향족 설포늄 이온, 방향족 옥소설포늄 이온, 방향족 요오도늄 이온 등의 오늄과, 테트라플루오로보레이트, 헥사플루오로포스페이트, 헥사플루오로안티모네이트, 헥사플루오로아르세네이트 등의 음이온으로 이루어지는 화합물 등을 들 수 있다.Further, examples of the photopolymerization initiator for the cationic polymerization type photopolymerizable prepolymer include onium, such as aromatic sulfonium ion, aromatic oxosulfonium ion, and aromatic iodonium ion, tetrafluoroborate, and hexafluorophosphate, And compounds comprising anions, such as hexafluoroantimonate and hexafluoroarsenate.

또, 이들은 1종 단독으로 사용해도 되며, 2종 이상을 조합시켜서 사용해도 된다.Moreover, these may be used individually by 1 type and may be used in combination of 2 or more type.

또한, 광중합 개시제의 배합량으로서는, 상술한 활성 에너지선 경화성 수지 100중량부에 대하여, 0.2∼10중량부의 범위 내의 값으로 하는 것이 바람직하고, 1∼5중량부의 범위 내의 값으로 하는 것이 보다 바람직하다.Moreover, as a compounding quantity of a photoinitiator, it is preferable to set it as the value in the range of 0.2-10 weight part with respect to 100 weight part of active energy ray curable resins mentioned above, and it is more preferable to set it as the value in the range of 1-5 weight part.

(ⅲ) 실리카 미립자(Iii) Silica fine particles

또한, 실리카 미립자로서는, 중합성 불포화기 함유 유기 화합물이 결합한 실리카 미립자, 혹은, 이러한 중합성 불포화기 함유 유기 화합물을 갖지 않는 통상의 콜로이달 실리카 미립자를 사용할 수 있다.As the silica fine particles, silica fine particles in which a polymerizable unsaturated group-containing organic compound is bound, or ordinary colloidal silica fine particles that do not have such a polymerizable unsaturated group-containing organic compound can be used.

또한, 중합성 불포화기 함유 유기 화합물이 결합한 실리카 미립자로서는, 평균 입경이 0.005∼1㎛ 정도의 실리카 미립자의 표면에 있어서의 실라놀기에, 당해 실라놀기와 반응할 수 있는 관능기를 갖는 중합성 불포화기 함유 유기 화합물을 반응시키는 것에 의해 얻어지는 것을 들 수 있다.Further, as the silica fine particles in which the organic compound containing a polymerizable unsaturated group is bound, a polymerizable unsaturated group having a functional group capable of reacting with the silanol group on the silanol group on the surface of the silica fine particles having an average particle size of about 0.005 to 1 µm. What is obtained by making a containing organic compound react can be mentioned.

또, 상술한 중합성 불포화기로서는, 예를 들면, 라디칼 중합성의 아크릴로일기나 메타크릴로일기 등을 들 수 있다.Moreover, as said polymerizable unsaturated group, a radically polymerizable acryloyl group, methacryloyl group, etc. are mentioned, for example.

또한, 중합성 불포화기 함유 유기 화합물을 갖지 않는 통상의 콜로이달 실리카 미립자로서는, 평균 입경이 0.005∼1㎛ 정도, 바람직하게는 0.01∼0.2㎛ 정도의 실리카 미립자가, 알코올계나 셀로솔브계의 유기 용제 중에 콜로이드 상태에서 현탁하여 이루어지는 콜로이달 실리카를 호적하게 사용할 수 있다.In addition, as ordinary colloidal silica fine particles having no polymerizable unsaturated group-containing organic compound, silica fine particles having an average particle diameter of about 0.005 to 1 µm, preferably about 0.01 to 0.2 µm, are alcohol-based or cellosolve-based organic solvents. Colloidal silica formed by suspension in a colloidal state can be suitably used.

또, 실리카 미립자의 평균 입경은, 예를 들면, 제타 전위 측정법에 의해 구할 수 있다.Moreover, the average particle diameter of a silica fine particle can be calculated | required, for example by the zeta potential measurement method.

또한, 실리카 미립자의 배합량으로서는, 활성 에너지선 경화성 수지 100중량부에 대하여, 5∼400중량부인 것이 바람직하고, 20∼150중량부인 것이 보다 바람직하고, 30∼100중량부인 것이 더 바람직하다.Moreover, it is preferable that it is 5 to 400 weight part, it is more preferable that it is 20 to 150 weight part, and it is more preferable that it is 30 to 100 weight part as 100 weight part of active energy ray curable resins as a compounding quantity of a silica fine particle.

(1)-4 중굴절률층 형성용의 조성물(1) -4 Composition for forming medium refractive index layer

또한, 중굴절률층은, 중굴절률층 형성용의 조성물을 미리 조제하고, 후술과 같이 도포·건조하고, 경화하는 것에 의해 형성되는 것이 바람직하다.Moreover, it is preferable that a medium refractive index layer is formed by previously preparing the composition for medium refractive index layer formation, apply | coating and drying as mentioned later, and hardening.

당해 조성물은, 필요에 따라, 적당한 용매 중에 활성 에너지선 경화성 수지, 광중합 개시제, 실리카 미립자, 및 소망에 따라 사용되는 각종 첨가 성분을, 각각 소정의 비율로 가하여, 용해 또는 분산시키는 것에 의해 조제할 수 있다.The composition can be prepared, if necessary, by adding or dissolving or dispersing the active energy ray-curable resin, photopolymerization initiator, silica fine particles, and various additive components used as desired in a suitable solvent in a predetermined ratio, respectively. have.

또, 각종 첨가 성분으로서는, 예를 들면, 산화 방지제, 자외선 흡수제, (근)적외선 흡수제, 실란계 커플링제, 광안정제, 레벨링제, 대전 방지제, 소포제 등을 들 수 있다.Moreover, as various additive components, an antioxidant, an ultraviolet absorber, a (near) infrared absorber, a silane coupling agent, a light stabilizer, a leveling agent, an antistatic agent, an antifoaming agent etc. are mentioned, for example.

또한, 사용하는 용매로서는, 예를 들면, 헥산, 헵탄 등의 지방족 탄화수소, 톨루엔, 자일렌 등의 방향족 탄화수소, 염화메틸렌, 염화에틸렌 등의 할로겐화탄화수소, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 부탄올 등의 알코올, 아세톤, 메틸에틸케톤, 2-펜탄온, 이소포론, 시클로헥산온 등의 케톤, 아세트산에틸, 아세트산부틸 등의 에스테르, 에틸셀로솔브 등의 셀로솔브계 용제 등을 들 수 있다In addition, examples of the solvent used include aliphatic hydrocarbons such as hexane and heptane, aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene, halogenated hydrocarbons such as methylene chloride and ethylene chloride, alcohols such as methanol, ethanol, propanol and butanol, and acetone , Ketones such as methyl ethyl ketone, 2-pentanone, isophorone and cyclohexanone, esters such as ethyl acetate and butyl acetate, and cellosolve solvents such as ethyl cellosolve.

이와 같이 하여 조제된 중굴절률층 형성용의 조성물의 농도, 점도로서는, 코팅 가능한 것이면 되며, 특히 한정되지 않고, 상황에 따라 적의 선정할 수 있다.The concentration and viscosity of the composition for forming the medium-refractive-index layer thus prepared may be any coating material, and is not particularly limited, and may be appropriately selected depending on the situation.

따라서, 통상, 얻어지는 중굴절률층의 막 두께를 소정의 범위로 조절하기 쉬운 관점에서, 고형분 농도 0.05∼10중량%가 되도록 희석하는 것이 바람직하고, 0.1∼8중량%가 되도록 희석하는 것이 보다 바람직하다.Therefore, usually, from the viewpoint of easy to adjust the film thickness of the obtained medium refractive index layer to a predetermined range, it is preferable to dilute to a solid content concentration of 0.05 to 10% by weight, and more preferably to be diluted to 0.1 to 8% by weight. .

(2) 고굴절률층(2) High refractive index layer

(2)-1 굴절률(2) -1 refractive index

고굴절률층의 굴절률은, 1.6 이상 2 미만인 것이 바람직하다.It is preferable that the refractive index of the high refractive index layer is 1.6 or more and less than 2.

이 이유는, 고굴절률층의 굴절률이 1.6 미만의 값으로 되면, 저굴절률층과의 유의한 굴절률차가 얻어지지 않게 되어, 투명 도전성 막의 패턴 형상이 시인되기 쉬워지는 경우가 있기 때문이다. 한편, 고굴절률층의 굴절률이 2 이상의 값으로 되면, 고굴절률층의 막이 취약해지는 경우가 있기 때문이다.This reason is that when the refractive index of the high-refractive-index layer is less than 1.6, a significant difference in refractive index from the low-refractive-index layer is not obtained, and the pattern shape of the transparent conductive film may be easily recognized. On the other hand, when the refractive index of the high-refractive-index layer is 2 or more, the film of the high-refractive-index layer may be weak.

따라서, 고굴절률층의 굴절률은, 1.6 이상 1.9 미만인 것이 보다 바람직하고, 1.6 이상 1.8 미만인 것이 더 바람직하다.Therefore, the refractive index of the high-refractive-index layer is more preferably 1.6 or more and less than 1.9, and more preferably 1.6 or more and less than 1.8.

(2)-2 두께(2) -2 thickness

또한, 고굴절률층의 두께는, 20∼130㎚인 것이 바람직하다.Moreover, it is preferable that the thickness of a high refractive index layer is 20-130 nm.

이 이유는, 고굴절률층의 두께가 20㎚ 미만의 값으로 되면, 고굴절률층의 막이 취약해져, 층의 형상을 유지할 수 없게 되는 경우가 있기 때문이다. 한편, 고굴절률층의 두께가 130㎚를 초과한 값으로 되면, 투명 도전성 막의 패턴 형상이 시인되기 쉬워지는 경우가 있기 때문이다.The reason for this is that when the thickness of the high-refractive-index layer is less than 20 nm, the film of the high-refractive-index layer becomes fragile and the shape of the layer cannot be maintained. On the other hand, when the thickness of the high-refractive-index layer exceeds 130 nm, it is because the pattern shape of the transparent conductive film tends to be easily recognized.

따라서, 고굴절률층의 두께는, 23∼120㎚인 것이 보다 바람직하고, 30∼110㎚인 것이 더 바람직하다.Therefore, the thickness of the high refractive index layer is more preferably 23 to 120 nm, and more preferably 30 to 110 nm.

(2)-3 재료 물질(2) -3 material substances

또한, 고굴절률층이, 금속 산화물 미립자 및 활성 에너지선 경화성 수지를 함유하는 조성물의 경화물로 이루어지는 것이 바람직하다.Moreover, it is preferable that a high refractive index layer consists of hardened | cured material of the composition containing metal oxide fine particles and active energy ray curable resin.

이 이유는, 금속 산화물 미립자를 함유하는 것에 의해, 고굴절률층에 있어서의 굴절률의 조정이 용이해지기 때문이다.This is because adjustment of the refractive index in the high refractive index layer becomes easy by containing the metal oxide fine particles.

또한, 금속 산화물의 종류는, 산화탄탈륨, 산화아연, 산화인듐, 산화하프늄, 산화세륨, 산화주석, 산화니오븀, 인듐주석 산화물(ITO), 안티몬주석 산화물(ATO) 등을 바람직하게 들 수 있다.Further, the type of the metal oxide is preferably tantalum oxide, zinc oxide, indium oxide, hafnium oxide, cerium oxide, tin oxide, niobium oxide, indium tin oxide (ITO), antimony tin oxide (ATO) and the like.

또한, 투명성을 저하시키지 않고 고굴절률화를 실현하는 관점에서, 산화티타늄 및 산화지르코늄으로부터 선택되는 적어도 1종류인 것이 특히 바람직하다.Moreover, it is especially preferable that it is at least 1 sort (s) selected from titanium oxide and zirconium oxide from a viewpoint of realizing high refractive index without reducing transparency.

또, 이들의 금속 산화물은, 1종 단독으로 사용해도 되며, 2종 이상을 병용해도 된다.Moreover, these metal oxides may be used individually by 1 type and may use 2 or more types together.

또한, 금속 산화물 미립자의 평균 입경은, 0.005㎛∼1㎛의 범위 내의 값으로 하는 것이 바람직하다.Moreover, it is preferable to make the average particle diameter of a metal oxide fine particle into the value in the range of 0.005 micrometer-1 micrometer.

또, 금속 산화물 미립자의 평균 입경은, 예를 들면, 제타 전위 측정법을 사용한 측정법에 의해 구할 수 있다.In addition, the average particle diameter of the metal oxide fine particles can be obtained, for example, by a measurement method using a zeta potential measurement method.

또한, 고굴절률층에 사용되는 활성 에너지선 경화성 수지 및 광중합 개시제로서는, 중굴절률층의 설명에 있어서 들어진 것을 적의 사용할 수 있다.Moreover, what was mentioned in the description of a medium-refractive-index layer can be used suitably as an active energy ray-curable resin and photoinitiator used for a high-refractive-index layer.

또한, 금속 산화물 미립자의 배합량으로서는, 활성 에너지선 경화성 수지 100중량부에 대하여, 20∼2000중량부인 것이 바람직하고, 80∼1000중량부인 것이 보다 바람직하고, 150∼400중량부인 것이 더 바람직하다.Moreover, as a compounding quantity of a metal oxide fine particle, it is preferable that it is 20-2000 weight part, it is more preferable that it is 80-1000 weight part, and it is more preferable that it is 150-400 weight part with respect to 100 weight part of active energy ray curable resins.

(2)-4 고굴절률층 형성용의 조성물(2) -4 High refractive index layer forming composition

또한, 고굴절률층은, 고굴절률층 형성용의 조성물을 미리 조제하고, 후술과 같이 도포·건조하고, 경화하는 것에 의해 형성되는 것이 바람직하다.In addition, it is preferable that the high refractive index layer is formed by preparing a composition for forming a high refractive index layer in advance, and applying and drying and curing as described below.

당해 조성물은, 필요에 따라, 적당한 용매 중에 활성 에너지선 경화성 수지, 광중합 개시제, 금속 산화물 미립자, 및 소망에 따라 사용되는 각종 첨가 성분을, 각각 소정의 비율로 가하여, 용해 또는 분산시키는 것에 의해 조제할 수 있다.The composition can be prepared by, if necessary, dissolving or dispersing the active energy ray-curable resin, photopolymerization initiator, metal oxide fine particles, and various additive components used as desired in a suitable solvent in a predetermined ratio, respectively. You can.

또, 각종 첨가 성분, 용매, 고굴절률층 형성용의 조성물의 농도, 점도 등에 대해서는, 중굴절률층의 설명에 있어서의 내용과 같다.In addition, the concentration, viscosity, etc. of various additive components, solvents, and compositions for forming a high refractive index layer are the same as those in the description of the middle refractive index layer.

(3) 저굴절률층(3) Low refractive index layer

(3)-1 굴절률(3) -1 refractive index

저굴절률층의 굴절률은, 1.3 이상 1.6 미만인 것이 바람직하다.It is preferable that the refractive index of the low-refractive-index layer is 1.3 or more and less than 1.6.

이 이유는, 저굴절률층의 굴절률이 1.3 미만의 값으로 되면, 저굴절률층의 막이 취약해지는 경우가 있기 때문이다. 한편, 저굴절률층의 굴절률이 1.6 이상의 값으로 되면, 고굴절률층과의 유의한 굴절률차가 얻어지지 않게 되어, 투명 도전성 막의 패턴 형상이 시인되기 쉬워지는 경우가 있기 때문이다.This reason is that when the refractive index of the low-refractive-index layer is less than 1.3, the film of the low-refractive-index layer may be weak. On the other hand, when the refractive index of the low-refractive-index layer is a value of 1.6 or more, a significant difference in refractive index from the high-refractive-index layer is not obtained, and the pattern shape of the transparent conductive film may be easily recognized.

따라서, 저굴절률층의 굴절률은, 1.3 이상 1.5 미만인 것이 보다 바람직하고, 1.3 이상 1.45 미만인 것이 더 바람직하다.Therefore, the refractive index of the low-refractive-index layer is more preferably from 1.3 to less than 1.5, and more preferably from 1.3 to less than 1.45.

(3)-2 두께(3) -2 thickness

또한, 저굴절률층의 두께는, 10∼150㎚인 것이 바람직하다.Moreover, it is preferable that the thickness of a low refractive index layer is 10-150 nm.

이 이유는, 저굴절률층의 두께가 10㎚ 미만의 값으로 되면, 저굴절률층의 막이 취약해져, 층의 형상을 유지할 수 없게 되는 경우가 있기 때문이다. 한편, 저굴절률층의 두께가 150㎚를 초과한 값으로 되면, 투명 도전성 막의 패턴 형상이 시인되기 쉬워지는 경우가 있기 때문이다.The reason for this is that when the thickness of the low-refractive-index layer is less than 10 nm, the film of the low-refractive-index layer becomes fragile and the shape of the layer cannot be maintained. On the other hand, when the thickness of the low-refractive-index layer exceeds 150 nm, it is because the pattern shape of the transparent conductive film may easily become visible.

따라서, 저굴절률층의 두께는, 15∼135㎚인 것이 보다 바람직하고, 20∼120㎚인 것이 더 바람직하다.Therefore, the thickness of the low-refractive-index layer is more preferably 15 to 135 nm, and more preferably 20 to 120 nm.

(3)-3 재료 물질(3) -3 material substances

또한, 저굴절률층이, 실리카 미립자 및 활성 에너지선 경화성 수지를 함유하는 조성물의 경화물로 이루어지는 것이 바람직하다.Moreover, it is preferable that a low refractive index layer consists of hardened | cured material of the composition containing a silica fine particle and an active energy ray curable resin.

이 이유는, 실리카 미립자를 함유하는 것에 의해, 저굴절률층에 있어서의 굴절률의 조정이 용이해질 뿐만 아니라, 저굴절률층의 상층인 투명 도전성 막이나, 하층인 고굴절률층과의 밀착성에 대해서도 향상시켜서, 강고하게 적층시킬 수 있기 때문이다.This reason not only facilitates adjustment of the refractive index in the low-refractive-index layer by containing silica fine particles, but also improves the adhesion to the transparent conductive film as the upper layer of the low-refractive-index layer or the high-refractive-index layer as the lower layer. This is because it can be laminated strongly.

또한, 실리카 미립자로서는, 중공 실리카 미립자 또는 다공질 실리카 미립자인 것이 바람직하다.Moreover, it is preferable that it is a hollow silica fine particle or a porous silica fine particle as a silica fine particle.

이 이유는, 중공 실리카 미립자 또는 다공질 실리카 미립자이면, 저굴절률층의 굴절률을 보다 효과적으로 소정의 범위 내까지 저하시킬 수 있기 때문이다.This is because if the hollow silica fine particles or the porous silica fine particles, the refractive index of the low-refractive-index layer can be lowered more effectively within a predetermined range.

또한, 저굴절률층으로서의 효과를 발휘시키기 위해서는, 실리카 미립자의 평균 입경이, 1㎛ 이하의 것이 바람직하고, 10∼100㎚의 범위 내의 값인 것이 바람직하다.Moreover, in order to exert the effect as a low-refractive-index layer, it is preferable that the average particle diameter of silica fine particles is 1 micrometer or less, and it is preferable that it is a value in the range of 10-100 nm.

또, 실리카 미립자의 평균 입경은, 예를 들면, 제타 전위 측정법에 의해 구할 수 있다.Moreover, the average particle diameter of a silica fine particle can be calculated | required, for example by the zeta potential measurement method.

또한, 실리카 미립자의 배합량으로서는, 상술한 활성 에너지선 경화성 수지 100중량부에 대하여, 50∼500중량부인 것이 바람직하고, 80∼300중량부인 것이 보다 바람직하고, 100∼250중량부인 것이 더 바람직하다.Moreover, it is preferable that it is 50-500 weight part, it is more preferable that it is 80-300 weight part, and it is more preferable that it is 100-250 weight part with respect to 100 weight part of active energy ray curable resin mentioned above as a compounding quantity of a silica fine particle.

(3)-4 저굴절률층 형성용의 조성물(3) -4 Composition for low refractive index layer formation

또한, 저굴절률층은, 저굴절률층 형성용의 조성물을 미리 조제하고, 후술과 같이 도포·건조하여, 경화하는 것에 의해 형성되는 것이 바람직하다.The low-refractive-index layer is preferably formed by preparing a composition for forming a low-refractive-index layer in advance, applying and drying as described below, and curing the composition.

당해 조성물은, 필요에 따라, 적당한 용매 중에 상술한 활성 에너지선 경화성 수지, 광중합 개시제, 실리카 미립자, 및 소망에 따라 사용되는 각종 첨가 성분을, 각각 소정의 비율로 가하여, 용해 또는 분산시키는 것에 의해 조제할 수 있다.The composition is prepared by adding or dissolving or dispersing the above-described active energy ray-curable resin, photopolymerization initiator, silica fine particles, and various additive components used as desired in a predetermined ratio, if necessary, in a suitable solvent. can do.

또, 각종 첨가 성분, 용매, 저굴절률층 형성용의 조성물의 농도, 점도 등에 대해서는, 중굴절률층의 설명에 있어서의 내용과 같다.In addition, about the concentration, viscosity, etc. of various additive components, a solvent, and the composition for forming a low-refractive-index layer are the same as those in the description of the medium-refractive-index layer.

3. 투명 도전성 막3. Transparent conductive film

(1) 재료 물질(1) material substance

본 발명의 투명 도전성 필름에 있어서, 광학 조정층 상에 적층되는 투명 도전성 막의 재료 물질로서는, 투명성과 도전성을 아울러 가지는 것이면 특히 제한되는 것은 아니지만, 예를 들면, 산화인듐, 산화아연, 산화주석, 인듐주석 산화물(ITO), 주석안티몬 산화물, 아연알루미늄 산화물, 인듐아연 산화물 등을 들 수 있다.In the transparent conductive film of the present invention, the material material of the transparent conductive film laminated on the optical adjustment layer is not particularly limited as long as it has both transparency and conductivity. For example, indium oxide, zinc oxide, tin oxide, indium And tin oxide (ITO), tin antimony oxide, zinc aluminum oxide, and indium zinc oxide.

또한, 특히, 재료 물질로서 ITO를 사용하는 것이 바람직하다.In addition, it is particularly preferable to use ITO as a material material.

이 이유는, ITO이면, 적당한 조막 조건을 채용함으로써, 투명성 및 도전성이 뛰어난 투명 도전성 막을 형성할 수 있기 때문이다.The reason for this is that, if it is ITO, a transparent conductive film excellent in transparency and conductivity can be formed by adopting suitable film forming conditions.

(2) 두께(2) thickness

또한, 투명 도전성 막의 두께는, 5∼500㎚인 것이 바람직하다.The thickness of the transparent conductive film is preferably 5 to 500 nm.

이 이유는, 투명 도전성 막의 두께가 5㎚ 미만의 값으로 되면, 투명 도전성 막이 취약해질 뿐만 아니라, 충분한 도전성이 얻어지지 않게 되는 경우가 있기 때문이다. 한편, 투명 도전성 막의 두께가 500㎚를 초과한 값으로 되면, 투명 도전성 막에 기인한 색미(色味)가 강해져, 패턴 형상이 인식되기 쉬워지는 경우가 있기 때문이다.This reason is that when the thickness of the transparent conductive film is less than 5 nm, not only the transparent conductive film is fragile, but also sufficient conductivity may not be obtained. On the other hand, when the thickness of the transparent conductive film exceeds 500 nm, the color taste caused by the transparent conductive film becomes strong, and the pattern shape may be easily recognized.

따라서, 투명 도전성 막의 두께는, 15∼250㎚인 것이 보다 바람직하고, 20∼100㎚인 것이 더 바람직하다.Therefore, the thickness of the transparent conductive film is more preferably 15 to 250 nm, and more preferably 20 to 100 nm.

(3) 패턴 형상(3) Pattern shape

또한, 투명 도전성 막이, 광학 조정층 상에 라인상 혹은 격자상과 같은 패턴 형상으로 형성되어 이루어지는 것이 바람직하다.Moreover, it is preferable that the transparent conductive film is formed on the optical adjustment layer in a pattern shape such as a line shape or a lattice shape.

또한, 상술한 패턴 형상은, 투명 도전성 막이 존재하는 부분의 선폭과, 투명 도전성 막이 존재하지 않는 부분의 선폭이, 거의 같은 것이 바람직하다.Moreover, it is preferable that the line shape of the part in which the transparent conductive film exists is substantially the same as the line width of the part in which the transparent conductive film does not exist in the pattern shape mentioned above.

또한, 당해 선폭은, 통상, 0.1∼10㎜이며, 바람직하게는, 0.2∼5㎜이며, 특히 바람직하게는 0.5∼2㎜이다.Moreover, the said line width is 0.1-10 mm normally, Preferably it is 0.2-5 mm, Especially preferably, it is 0.5-2 mm.

또, 상술한 라인상 혹은 격자상에 있어서의 선폭은 일정한 경우에 한정되지 않고, 예를 들면, 정전 용량식의 터치 패널에 요구되는 형상으로 이어지는 것 등을 자유롭게 선택할 수 있다.In addition, the line width in the above-described line shape or lattice shape is not limited to a certain case, and for example, what leads to a shape required for the capacitive touch panel can be freely selected.

구체적으로는, 마름모꼴 부분과 선부가 반복하여 이어지는 패턴 형상 등을 들 수 있고, 이러한 패턴 형상도 「라인상」의 범주에 포함된다.Specifically, a pattern shape etc. which repeat a lozenge part and a line part repeatedly are included, and such pattern shape is also included in the category of "line shape."

또, 투명 도전성 막을 이와 같이 형성했을 경우, 어닐 처리를 실시하는 것에 의해, 통상, 투명 도전성 막의 패턴 형상이 눈에 띄기 쉬워지지만, 본 발명의 투명 도전성 필름이면, 투명 도전성 막의 패턴 형상을 시인되기 어렵게 할 수 있다.Moreover, when the transparent conductive film is formed in this way, the pattern shape of the transparent conductive film is usually easy to stand out by performing an annealing treatment, but if it is the transparent conductive film of the present invention, it is difficult to visually recognize the pattern shape of the transparent conductive film. can do.

4. 투명 도전성 필름의 제조 방법4. Manufacturing method of transparent conductive film

본 발명의 투명 도전성 필름은, 하기 공정(a)∼(c)를 포함하는 제조 방법에 의해 얻을 수 있다.The transparent conductive film of the present invention can be obtained by a production method including the following steps (a) to (c).

(a) 150℃에서 1시간 가열했을 경우의 투명 플라스틱 필름 기재의 주배향축과 직교하는 방향에 있어서의 열수축률을 T1(%)로 하고, 투명 플라스틱 필름 기재의 주배향축과 평행한 방향에 있어서의 열수축률을 T2(%)로 하고, 투명 플라스틱 필름 기재의 두께를 L(㎛)로 했을 때에, 하기 관계식(1) 및 (2)를 만족하는 투명 플라스틱 필름 기재를 준비하는 공정(a) The heat shrinkage rate in a direction perpendicular to the main alignment axis of the transparent plastic film substrate when heated at 150 ° C. for 1 hour is T1 (%), and in a direction parallel to the main alignment axis of the transparent plastic film substrate. The process of preparing a transparent plastic film base material which satisfies the following relational expressions (1) and (2) when the heat shrinkage ratio in the case is T2 (%) and the thickness of the transparent plastic film base material is L (µm).

(b) 투명 플라스틱 필름 기재의 편면에, 광학 조정층을 형성하는 공정(b) Step of forming an optical adjustment layer on one side of the transparent plastic film substrate

(c) 얻어진 광학 조정층 상에, 투명 도전성 막을 형성하는 공정(c) forming a transparent conductive film on the obtained optical adjustment layer

T1/L<0.0045 (1)T1 / L <0.0045 (1)

T2/L<0.0035 (2)T2 / L <0.0035 (2)

이하, 지금까지의 내용과 중복하는 부분은 생략하고, 다른 부분만을 상술(詳述)한다.Hereinafter, a part overlapping with the contents so far is omitted, and only the other parts are described.

또, 광학 조정층은, 바람직한 태양으로서, 투명 플라스틱 기재 측에서, 중굴절률층과, 고굴절률층과, 저굴절률층을 순차로 적층하여 이루어지는 구성으로서 설명한다.In addition, the optical adjustment layer will be described as a preferred embodiment as a configuration in which a medium refractive index layer, a high refractive index layer, and a low refractive index layer are sequentially stacked on the transparent plastic substrate side.

(1) 공정(a) : 투명 플라스틱 필름 기재를 준비하는 공정(1) Process (a): Process for preparing a transparent plastic film substrate

150℃에서 1시간 가열했을 경우의 투명 플라스틱 필름 기재의 주배향축과 직교하는 방향에 있어서의 열수축률을 T1(%)로 하고, 투명 플라스틱 필름 기재의 주배향축과 평행한 방향에 있어서의 열수축률을 T2(%)로 하고, 투명 플라스틱 필름 기재의 두께를 L(㎛)로 했을 때에, 하기 관계식(1) 및 (2)를 만족하는 투명 플라스틱 필름 기재를 준비한다.The heat shrinkage rate in the direction orthogonal to the main alignment axis of the transparent plastic film substrate when heated at 150 ° C. for 1 hour is T1 (%), and the heat in the direction parallel to the main alignment axis of the transparent plastic film substrate. When the shrinkage ratio is T2 (%) and the thickness of the transparent plastic film base material is L (µm), a transparent plastic film base material satisfying the following relations (1) and (2) is prepared.

T1/L<0.0045 (1)T1 / L <0.0045 (1)

T2/L<0.0035 (2)T2 / L <0.0035 (2)

또, 투명 플라스틱 필름 기재의 상세에 대해서는, 이미 설명했기 때문에, 생략한다.Moreover, since the detail of the transparent plastic film base material was already demonstrated, it is abbreviate | omitted.

(2) 공정(b) : 광학 조정층을 형성하는 공정(2) Process (b): Process of forming the optical adjustment layer

관계식(1) 및 (2)를 만족하는 투명 플라스틱 필름 기재의 편면에, 소망에 따라, 상술한 중굴절률층 형성용의 조성물을, 종래 공지의 방법으로 도포하여 도막을 형성한 후, 건조하고, 이것에 활성 에너지선을 조사하여 도막을 경화시키는 것에 의해, 중굴절률층이 형성된다.On one side of the transparent plastic film substrate satisfying the relations (1) and (2), if desired, the above-mentioned composition for forming the medium refractive index layer is applied by a conventionally known method to form a coating film, and then dried. A medium refractive index layer is formed by irradiating an active energy ray to this and hardening a coating film.

또한, 중굴절률층 형성용의 조성물의 도포 방법으로서는, 예를 들면, 바 코팅법, 나이프 코팅법, 롤 코팅법, 블레이드 코팅법, 다이 코팅법, 그라비어 코팅법 등을 들 수 있다.Moreover, as a coating method of the composition for forming a medium refractive index layer, a bar coating method, a knife coating method, a roll coating method, a blade coating method, a die coating method, a gravure coating method, etc. are mentioned, for example.

또한, 건조 조건으로서는, 60∼150℃에서 10초∼10분 정도 행하는 것이 바람직하다.Moreover, as drying conditions, it is preferable to perform at 60-150 degreeC for about 10 seconds-10 minutes.

또한, 활성 에너지선으로서는, 예를 들면, 자외선이나 전자선 등을 들 수 있다.Moreover, as an active energy ray, ultraviolet rays, an electron beam, etc. are mentioned, for example.

또한, 자외선의 광원으로서는, 고압 수은 램프, 무전극 램프, 메탈할라이드 램프, 크세논 램프 등을 들 수 있고, 그 조사량은, 통상, 100∼500mJ/㎠로 하는 것이 바람직하다.Further, examples of the ultraviolet light source include a high pressure mercury lamp, an electrodeless lamp, a metal halide lamp, and a xenon lamp, and the irradiation amount is preferably 100 to 500 mJ / cm 2.

한편, 전자선의 광원으로서는, 전자선 가속기 등을 들 수 있고, 그 조사량은, 통상, 150∼350㎸로 하는 것이 바람직하다.On the other hand, an electron beam accelerator etc. are mentioned as a light source of an electron beam, and it is preferable that the irradiation amount is 150-350 Mpa normally.

이어서, 형성된 중굴절률층 상에(중굴절률층을 형성하지 않는 경우에는, 투명 플라스틱 필름 기재 상에 직접), 고굴절률층을 형성한다.Subsequently, a high refractive index layer is formed on the formed medium refractive index layer (directly on the transparent plastic film substrate if the medium refractive index layer is not formed).

즉, 고굴절률층은, 투명 플라스틱 필름 기재 상에 중굴절률층을 형성하는 것과 같이 하여, 상술한 고굴절률층 형성용의 조성물을 도포·건조함과 함께, 활성 에너지선을 조사하여 경화시키는 것에 의해 형성할 수 있다.That is, the high-refractive-index layer is formed by coating and drying the composition for forming the high-refractive-index layer as described above by forming the medium-refractive-index layer on the transparent plastic film substrate, and curing the composition by irradiating active energy rays. Can form.

이어서, 형성된 고굴절률층 상에, 또한 저굴절률층을 형성한다.Subsequently, a low-refractive-index layer is further formed on the formed high-refractive-index layer.

즉, 저굴절률층은, 투명 플라스틱 필름 기재 상에 중굴절률층을 형성하는 것과 같이 하여, 상술한 저굴절률층 형성용의 조성물을 도포·건조함과 함께, 활성 에너지선을 조사하여 경화시키는 것에 의해 형성할 수 있다.That is, the low-refractive-index layer is formed by coating and drying the composition for forming the low-refractive-index layer as described above to form a medium-refractive-index layer on a transparent plastic film substrate, and then curing by irradiating active energy rays. Can form.

(3) 공정(c) : 투명 도전성 막을 형성하는 공정(3) Step (c): Step of forming a transparent conductive film

공정(b)에서 얻어진 광학 조정층에 대하여, 진공 증착법, 스퍼터링법, CVD법, 이온 플레이팅법, 스프레이법, 졸겔법 등의 공지의 방법에 의해, 투명 도전성 막을 형성하는 것에 의해, 투명 도전성 필름을 얻을 수 있다.The transparent conductive film is formed by forming a transparent conductive film by a known method such as a vacuum evaporation method, sputtering method, CVD method, ion plating method, spraying method, or sol-gel method with respect to the optical adjustment layer obtained in step (b). Can be obtained.

또한, 스퍼터링법으로서는, 화합물을 사용한 통상의 스퍼터링법, 혹은 금속 타겟을 사용한 반응성 스퍼터링법 등을 들 수 있다.Moreover, as a sputtering method, the normal sputtering method using a compound, or the reactive sputtering method using a metal target, etc. are mentioned.

이때, 반응성 가스로서 산소, 질소, 수증기 등을 도입하거나, 오존 첨가나 이온 어시스트 등을 병용하거나 하는 것도 바람직하다.At this time, it is also preferable to introduce oxygen, nitrogen, water vapor, or the like as a reactive gas, or to use ozone or ion assist in combination.

또한, 투명 도전성 막은, 상술한 바와 같이 하여 제막한 후, 포토리소그래피법에 의해 소정의 패턴의 레지스트 마스크를 형성한 후, 공지의 방법에 의해 에칭 처리를 실시함으로써, 라인상의 패턴 등을 형성할 수 있다.In addition, after forming the transparent conductive film as described above, after forming a resist mask of a predetermined pattern by a photolithography method, an etching process is performed by a known method to form a line-like pattern or the like. have.

또, 에칭액으로서는, 염산, 황산, 질산, 인산 등의 산의 수용액 등을 바람직하게 들 수 있다.Moreover, as an etching liquid, aqueous solutions of acids, such as hydrochloric acid, sulfuric acid, nitric acid, and phosphoric acid, are preferably mentioned.

(4) 어닐 공정(4) Annealing process

또한, 투명 도전성 막의 결정성을 높이고, 저항률을 저하시키기 위해서, 어닐 공정을 마련하여 소정의 어닐 처리를 행하는 것이 바람직하다.Further, in order to increase the crystallinity of the transparent conductive film and lower the resistivity, it is preferable to provide an annealing step and perform a predetermined annealing treatment.

즉, 얻어진 투명 도전성 필름을 130∼180℃의 온도 조건하에 0.5∼2시간 노출하는 것이 바람직하다.That is, it is preferable to expose the obtained transparent conductive film under a temperature condition of 130 to 180 ° C for 0.5 to 2 hours.

또, 일반적으로는, 이러한 어닐 처리를 행하는 것에 의해, 투명 도전성 막과, 그 하층의 언더코팅층과의 경계 부분에 있어서 변형이 생겨 버리므로, 투명 도전성 막의 패턴 형상이 시인되기 쉬워진다는 문제가 나타난다.Moreover, in general, by performing such annealing treatment, deformation occurs at the boundary between the transparent conductive film and the undercoating layer of the lower layer, so that the pattern shape of the transparent conductive film is easily seen. .

이 점, 본 발명의 투명 도전성 필름이면, 그러한 변형의 발생을 억제하고, 나아가서는 투명 도전성 막의 패턴 형상을 시인되기 어렵게 할 수 있다.In this respect, if it is the transparent conductive film of the present invention, the occurrence of such deformation can be suppressed, and furthermore, it is possible to make it difficult to visually recognize the pattern shape of the transparent conductive film.

[실시예][Example]

이하, 실시예를 참조하여, 본 발명의 투명 도전성 필름을 더 상세하게 설명한다.Hereinafter, the transparent conductive film of the present invention will be described in more detail with reference to Examples.

[실시예1][Example 1]

1. 중굴절률층 형성용의 조성물의 조제1. Preparation of composition for forming medium refractive index layer

용기 내에, 활성 에너지선 경화성 수지로서, 반응성 실리카 미립자를 함유하는 하드코팅제(JSR(주)제, 옵스타 Z7530, 고형분 농도 73중량%, 액체 성분 : 메틸에틸케톤)를 100중량부와, 광개시제(BASF(주)제, 이르가큐어 907, 고형분 농도 : 100중량%)를 3.7중량부와, 레벨링제(빅케미(주)제, BYK-355, 고형분 농도 : 52중량%, 액체 성분 : 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트)를 0.1중량부와, 희석 용제로서, 프로필렌글리콜모노메틸에테르를 1350중량부를 수용한 후, 균일하게 혼합하여, 고형분 농도 : 약 5.3중량%인 중굴절률층 형성용의 조성물을 조제했다.In the container, as an active energy ray-curable resin, 100 parts by weight of a hard coating agent containing reactive silica fine particles (manufactured by JSR Corporation, Obstar Z7530, solid content concentration: 73% by weight, liquid component: methyl ethyl ketone), and photoinitiator ( BASF Co., Ltd., Irgacure 907, solid content concentration: 100% by weight, 3.7 parts by weight, leveling agent (Bicke Co., Ltd., BYK-355, solid content concentration: 52% by weight, liquid component: propylene glycol Monomethyl ether acetate) is 0.1 parts by weight, and as a diluting solvent, propylene glycol monomethyl ether is accommodated in 1350 parts by weight, and then uniformly mixed to prepare a composition for forming a medium refractive index layer having a solid content concentration of about 5.3% by weight. did.

또, 반응성 실리카 미립자를 함유하는 하드코팅제(JSR(주)제, 옵스타 Z7530, 액체 성분 : 메틸에틸케톤)의 조성은 이하와 같다.In addition, the composition of the hard coating agent containing reactive silica fine particles (manufactured by JSR Corporation, Obstar Z7530, liquid component: methyl ethyl ketone) is as follows.

·반응성 실리카 미립자와 다관능 아크릴레이트를 함유하는 전활성 에너지선 경화 화합물 70중량%70% by weight of a fully active energy ray-curing compound containing reactive silica fine particles and polyfunctional acrylate

·광개시제 3중량%· Photoinitiator 3% by weight

·메틸에틸케톤 27중량%Methyl ethyl ketone 27% by weight

2. 고굴절률층 형성용의 조성물의 조제2. Preparation of composition for forming high refractive index layer

용기 내에, 활성 에너지선 경화성 수지로서, 고굴절률 코팅제(아토믹스(주)제, 아톰컴포브리드 HUV SRZ100, 고굴절률제로서의 나노미터 사이즈의 산화지르코늄 미립자 함유, 고형분 농도 : 30중량%, 액체 성분 : 2-부탄온)를 100중량부와, 광개시제(BASF(주)제, 이르가큐어 907, 고형분 농도 100중량%)를 0.9중량부와, 레벨링제(빅케미(주)제, BYK-355, 고형분 농도 : 52중량%, 액체 성분 : 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트)를 0.03중량부와, 희석 용제로서, 메틸이소부틸케톤을 1492.5중량부와, 시클로헥산온을 1492.5중량부를 수용한 후, 균일하게 혼합하여, 고형분 농도 : 1중량%인 고굴절률층 형성용의 조성물을 조제했다.In the container, as an active energy ray-curable resin, a high refractive index coating agent (Atomics Co., Ltd., Atom Compound HUV SRZ100, contains nanometer-sized zirconium oxide fine particles as a high refractive index agent, solid content concentration: 30% by weight, liquid component: 2-butanone), 100 parts by weight, photoinitiator (BASF Corporation, Irgacure 907, solid content concentration: 100% by weight), 0.9 parts by weight, leveling agent (Bicke Co., Ltd., BYK-355, Solid content concentration: 52% by weight, liquid component: propylene glycol monomethyl ether acetate) 0.03 parts by weight, as a diluting solvent, methyl isobutyl ketone 1492.5 parts by weight, cyclohexanone 1492.5 parts by weight, and then uniformly By mixing, a composition for forming a high refractive index layer having a solid content concentration of 1% by weight was prepared.

3. 저굴절률층 형성용의 조성물의 조제3. Preparation of composition for forming low refractive index layer

용기 내에, 활성 에너지선 경화성 수지로서, 하드코팅제(아라카와가가쿠고교(주)제, 빔세트 575CB, 고형분 농도 : 100중량%)를 100중량부와, 중공 실리카졸(닛키쇼쿠바이가세이(주)제, 슬라리어 4320, 평균 입경 50㎚, 고형분 농도 : 20중량%)을 488중량부와, 광개시제(BASF(주)제, 이르가큐어 907, 고형분 농도 : 100중량%)를 0.9중량부와, 레벨링제(빅케미(주)제, BYK-355, 고형분 농도 : 52중량%)를 0.1중량부와, 희석 용제로서, 메틸이소부틸케톤을 9700중량부와, 시클로헥산온을 9700중량부를 수용한 후, 균일하게 혼합하여, 고형분 농도 : 1중량%인 저굴절률층 형성용의 조성물을 조제했다.In the container, as an active energy ray-curable resin, 100 parts by weight of a hard coating agent (Arakawa Chemical Industry Co., Ltd., beam set 575CB, solid content concentration: 100% by weight), and hollow silica sol (Nikki Shokubai Kasei Co., Ltd.) ), Sliar 4320, average particle diameter 50nm, solid content concentration: 20% by weight) 488 parts by weight, photoinitiator (BASF Corporation, Irgacure 907, solid content concentration: 100% by weight) 0.9 parts by weight , Leveling agent (by Big Chemical Co., BYK-355, solid content concentration: 52% by weight) 0.1 parts by weight, as a diluting solvent, methyl isobutyl ketone 9700 parts by weight, cyclohexanone 9700 parts by weight Then, the mixture was uniformly mixed to prepare a composition for forming a low refractive index layer having a solid content concentration of 1% by weight.

또, 하드코팅제(아라카와가가쿠고교(주)제, 빔세트 575CB, 고형분 농도 : 100중량%)의 조성은 이하와 같다.In addition, the composition of the hard coating agent (Arakawa Chemical Industry Co., Ltd., beam set 575CB, solid content concentration: 100% by weight) is as follows.

·우레탄아크릴레이트를 함유하는 활성 에너지선 경화성 화합물 95중량%95% by weight of an active energy ray-curable compound containing urethane acrylate

·광개시제 5중량%5% by weight of photoinitiator

4. 중굴절률층의 형성4. Formation of the middle refractive index layer

투명 플라스틱 필름 기재로서, 두께(L) : 125㎛, 주배향축과 직교하는 방향에 있어서의 열수축률(T1) : 0.43%, 주배향축과 평행한 방향에 있어서의 열수축률(T2) : 0.05%, T1/L : 0.0034%/㎛, T2/L : 0.0004%/㎛의 PET 필름을 준비했다.As a transparent plastic film base material, thickness (L): 125 µm, thermal contraction rate (T1) in a direction perpendicular to the main alignment axis, 0.43%, thermal contraction rate (T2) in a direction parallel to the main alignment axis: 0.05 %, T1 / L: 0.0034% / µm, T2 / L: 0.0004% / µm PET film was prepared.

이어서, 준비한 PET 필름의 표면에, 중굴절률층 형성용의 조성물을 마이어바 #4로 도공했다.Next, on the surface of the prepared PET film, a composition for forming a medium refractive index layer was coated with Meyer Bar # 4.

또, 주배향축의 방향은, 위상차 측정 장치(오지게이소쿠기기(주)제, KOBRA-WR)를 사용하여 측정했다.In addition, the direction of the main alignment axis was measured using a phase difference measuring device (Oji Scientific Instruments Co., Ltd., KOBRA-WR).

또한, T1 및 T2는, 기재를 150℃에서 1시간 가열하는 전후에서의 각 방향의 길이를 비교하는 것에 의해 산출했다.In addition, T1 and T2 were computed by comparing the length of each direction before and after heating the base material at 150 degreeC for 1 hour.

이어서, 70℃의 오븐에서 1분간 건조시킨 후, 질소 분위기하에서 고압 수은 램프를 사용하고 200mJ/㎠의 자외선을 조사하여, PET 필름의 표면에 두께 150㎚, 굴절률 1.49 중굴절률층을 형성했다.Subsequently, after drying in an oven at 70 ° C. for 1 minute, a high-pressure mercury lamp was used under a nitrogen atmosphere and irradiated with 200 mJ / cm 2 of ultraviolet light to form a medium refractive index layer having a thickness of 150 nm and a refractive index of 1.49 on the surface of the PET film.

5. 고굴절률층의 형성5. Formation of high refractive index layer

이어서, 형성한 중굴절률층 상에, 고굴절률층 형성용의 조성물을 마이어바 #4로 도공했다.Next, on the formed medium refractive index layer, a composition for forming a high refractive index layer was coated with Meyer Bar # 4.

이어서, 70℃의 오븐에서 1분간 건조시킨 후, 질소 분위기하에서 고압 수은 램프를 사용하고 200mJ/㎠의 자외선을 조사하여, 중굴절률층 상에 두께 23㎚, 굴절률 1.87의 고굴절률층을 형성했다.Subsequently, after drying in an oven at 70 ° C. for 1 minute, a high-pressure mercury lamp was used in a nitrogen atmosphere and irradiated with 200 mJ / cm 2 of ultraviolet light to form a high refractive index layer having a thickness of 23 nm and a refractive index of 1.87 on the medium refractive index layer.

6. 저굴절률층의 형성6. Formation of low refractive index layer

이어서, 형성한 고굴절률층 상에, 저굴절률층 형성용의 조성물을 마이어바 #4로 도공했다.Next, on the formed high refractive index layer, a composition for forming a low refractive index layer was coated with Meyer Bar # 4.

이어서, 70℃의 오븐에서 1분간 건조시킨 후, 질소 분위기하에서 고압 수은 램프를 사용하고 200mJ/㎠의 자외선을 조사하여, 고굴절률층 상에 두께 74㎚, 굴절률 1.39의 저굴절률층을 형성하고, PET 필름 상에 3층 구조의 광학 조정층을 형성했다.Subsequently, after drying in an oven at 70 ° C. for 1 minute, a high-pressure mercury lamp was used under a nitrogen atmosphere and irradiated with 200 mJ / cm 2 ultraviolet light to form a low refractive index layer having a thickness of 74 nm and a refractive index of 1.39 on the high refractive index layer. An optical adjustment layer having a three-layer structure was formed on the PET film.

7. 투명 도전성 막의 형성7. Formation of transparent conductive film

이어서, 광학 조정층을 형성한 PET 필름을 종 90㎜×횡 90㎜로 자른 후, ITO 타겟(산화주석 10중량%, 산화인듐 90중량%)을 사용하여 스퍼터링을 행하고, 광학 조정층 상의 중앙부에 종 60㎜×횡 60㎜의 정방형상, 두께 30㎚의 투명 도전성 막을 형성했다.Subsequently, the PET film on which the optical adjustment layer was formed was cut to a length of 90 mm × 90 mm, and then sputtered using an ITO target (10% by weight of tin oxide and 90% by weight of indium oxide), and the center portion on the optical adjustment layer. A transparent conductive film having a vertical shape of 60 mm × 60 mm in width and a thickness of 30 nm was formed.

이어서, 얻어진 투명 도전성 막의 표면 상에 격자상으로 패턴화된 포토레지스트 막을 형성했다.Next, a photoresist film patterned in a lattice pattern was formed on the surface of the obtained transparent conductive film.

이어서, 실온하에서, 10중량%의 염산에 1분간 침지시키는 것에 의해 에칭 처리를 행한 후, 포토레지스트 막을 제거하여, 패턴화된 투명 도전성 막을 갖는 투명 도전성 필름을 얻었다.Subsequently, at room temperature, after etching treatment by immersion in 10% by weight of hydrochloric acid for 1 minute, the photoresist film was removed to obtain a transparent conductive film having a patterned transparent conductive film.

당해 투명 도전성 필름은, 광학 조정층 상의 전면에, 선폭 2㎜의 투명 도전성의 선부에 의해 1변 2㎜의 정방형의 공극이 격자상으로 구획화된 패턴 형상을 갖는 두께 30㎚의 투명 도전성 막을 갖는 것이었다.The transparent conductive film had a transparent conductive film with a thickness of 30 nm having a pattern shape in which square pores of 2 mm on one side were partitioned into a lattice shape by a front portion of a transparent conductive having a line width of 2 mm on the entire surface on the optical adjustment layer. .

8. 평가8. Evaluation

얻어진 패턴화된 투명 도전성 막을 갖는 투명 도전성 필름을 가열했을 때에, 패턴화된 투명 도전성 막과 광학 조정층과의 경계 부분에 있어서 변형이 시인되는지의 여부를 평가했다.When the transparent conductive film having the obtained patterned transparent conductive film was heated, it was evaluated whether or not deformation was observed at the boundary between the patterned transparent conductive film and the optical adjustment layer.

즉, 얻어진 투명 도전성 필름을, 각각 150℃로 설정한 오븐에서 1시간 가열한 후, 반사광 하, 목시(目視)로 투명 도전성 막과, 광학 조정층과의 경계 부분에 있어서 변형이 일어나 있는지의 여부를 관찰했다.That is, after heating the obtained transparent conductive film in an oven set to 150 ° C for 1 hour each, whether or not deformation occurs in the boundary portion between the transparent conductive film and the optical adjustment layer visually under reflected light. Was observed.

보다 구체적으로는, 투명 도전성 필름을 백색 형광등으로부터 1m의 위치에 설치하고, 투명 도전성 필름에 백색 형광등을 비춘 상태에서, 백색 형광등이 설치되어 있는 것과 같은 측에 있어서의 투명 도전성 필름으로부터 30㎝의 위치로부터, 목시로 변형이 일어나 있는지의 여부를 관찰했다.More specifically, the position of 30 cm from the transparent conductive film on the same side as the white fluorescent lamp is provided in a state where the transparent conductive film is placed at a position of 1 m from the white fluorescent lamp and the white fluorescent lamp is illuminated on the transparent conductive film. From, it was observed whether or not deformation occurred visually.

그리고, 얻어진 관찰 결과를, 하기 판정 기준에 따라 평가했다. 얻어진 결과를 표 1에 나타낸다.And the obtained observation result was evaluated in accordance with the following judgment criteria. Table 1 shows the obtained results.

또, 실제의 투명 도전성 필름의 사용 태양으로서는, 라인 상으로 패턴화된 투명 도전성 막을 갖는 투명 도전성 필름 2매를, 90° 회전시켜서 배치하는 것에 의해 격자상의 패턴이 형성되는 것이 일반적이지만, 본 평가에서는, 간략화를 위해, 1매의 투명 도전성 필름에 있어서의 투명 도전성 막을 격자상으로 패턴 형성하여 평가했다.Moreover, as an aspect of the actual use of the transparent conductive film, it is common to form a lattice-like pattern by disposing two transparent conductive films having a transparent conductive film patterned in a line by rotating them by 90 °, but in this evaluation, For simplicity, the transparent conductive film in one transparent conductive film was evaluated by forming a pattern in a lattice pattern.

○ : 반사광 하에서, 투명 도전성 막의 패턴이 시인되지 않음○: Under reflective light, the pattern of the transparent conductive film was not recognized.

× : 반사광 하에서, 투명 도전성 막의 패턴이 시인됨X: Under the reflected light, the pattern of the transparent conductive film was observed

[실시예2][Example 2]

실시예2에서는, 투명 플라스틱 필름 기재로서, 두께(L) : 125㎛, 주배향축과 직교하는 방향에 있어서의 열수축률(T1) : 0.21%, 주배향축과 평행한 방향에 있어서의 열수축률(T2) : 0.24%, T1/L : 0.0016%/㎛, T2/L : 0.0019%/㎛의 PET 필름을 사용한 외에는, 실시예1과 같이 투명 도전성 필름을 제조함과 함께, 평가했다. 얻어진 결과를 표 1에 나타낸다.In Example 2, as the transparent plastic film base material, the thickness (L): 125 µm, the heat shrinkage rate (T1) in the direction perpendicular to the main alignment axis: 0.21%, the heat shrinkage rate in the direction parallel to the main alignment axis (T2): 0.24%, T1 / L: 0.0016% / µm, T2 / L: 0.0019% / µm PET film was prepared and evaluated in the same manner as in Example 1, except that a PET film was used. Table 1 shows the obtained results.

[실시예3][Example 3]

실시예3에서는, 투명 플라스틱 필름 기재로서, 두께(L) : 50㎛, 주배향축과 직교하는 방향에 있어서의 열수축률(T1) : 0.19%, 주배향축과 평행한 방향에 있어서의 열수축률(T2) : 0.15%, T1/L : 0.0038%/㎛, T2/L : 0.003%/㎛의 PET 필름을 사용한 외에는, 실시예1과 같이 투명 도전성 필름을 제조함과 함께, 평가했다. 얻어진 결과를 표 1에 나타낸다.In Example 3, as a transparent plastic film base material, the thickness (L): 50 µm, the heat shrinkage rate (T1) in the direction perpendicular to the main alignment axis: 0.19%, the heat shrinkage rate in the direction parallel to the main alignment axis (T2): 0.15%, T1 / L: 0.0038% / µm, T2 / L: 0.003% / µm PET film was prepared and evaluated in the same manner as in Example 1, except that a PET film was used. Table 1 shows the obtained results.

[비교예1][Comparative Example 1]

비교예1에서는, 투명 플라스틱 필름 기재로서, 두께(L) : 125㎛, 주배향축과 직교하는 방향에 있어서의 열수축률(T1) : 0.76%, 주배향축과 평행한 방향에 있어서의 열수축률(T2) : 0.84%, T1/L : 0.0061%/㎛, T2/L : 0.0067%/㎛의 PET 필름을 사용한 외에는, 실시예1과 같이 투명 도전성 필름을 제조함과 함께, 평가했다. 얻어진 결과를 표 1에 나타낸다.In Comparative Example 1, as a transparent plastic film base material, the thickness (L): 125 µm, the heat shrinkage rate in the direction perpendicular to the main alignment axis (T1): 0.76%, the heat shrinkage rate in the direction parallel to the main alignment axis (T2): 0.84%, T1 / L: 0.0061% / µm, T2 / L: 0.0067% / µm PET film was prepared and evaluated in the same manner as in Example 1, except that a PET film was used. Table 1 shows the obtained results.

[비교예2][Comparative Example 2]

비교예2에서는, 투명 플라스틱 필름 기재로서, 두께(L) : 125㎛, 주배향축과 직교하는 방향에 있어서의 열수축률(T1) : 0.6%, 주배향축과 평행한 방향에 있어서의 열수축률(T2) : 0.44%, T1/L : 0.0048%/㎛, T2/L : 0.0035%/㎛의 PET 필름을 사용한 외에는, 실시예1과 같이 투명 도전성 필름을 제조함과 함께, 평가했다. 얻어진 결과를 표 1에 나타낸다.In Comparative Example 2, as a transparent plastic film base material, the thickness (L): 125 µm, the heat shrinkage rate (T1) in the direction perpendicular to the main alignment axis: 0.6%, the heat shrinkage rate in the direction parallel to the main alignment axis (T2): 0.44%, T1 / L: 0.0048% / µm, T2 / L: 0.0035% / µm, except for using a PET film, it was evaluated while producing a transparent conductive film as in Example 1. Table 1 shows the obtained results.

[비교예3][Comparative Example 3]

비교예3에서는, 투명 플라스틱 필름 기재로서, 두께(L) : 50㎛, 주배향축과 직교하는 방향에 있어서의 열수축률(T1) : 0.8%, 주배향축과 평행한 방향에 있어서의 열수축률(T2) : 0.57%, T1/L : 0.016%/㎛, T2/L : 0.0114%/㎛의 PET 필름을 사용한 외에는, 실시예1과 같이 투명 도전성 필름을 제조함과 함께, 평가했다. 얻어진 결과를 표 1에 나타낸다.In Comparative Example 3, as a transparent plastic film base material, the thickness (L): 50 µm, the heat shrinkage rate (T1) in the direction perpendicular to the main alignment axis: 0.8%, the heat shrinkage rate in the direction parallel to the main alignment axis (T2): 0.57%, T1 / L: 0.016% / µm, T2 / L: 0.0114% / µm PET film was used, and it was evaluated while producing a transparent conductive film as in Example 1. Table 1 shows the obtained results.

[표 1][Table 1]

또한, 도 3에 나타내는 바와 같이, T1/L(%/㎛)과, 투명 도전성 막의 패턴의 시인성의 관계에 대하여, 실시예1∼3 및 비교예1∼3의 결과에 의거하여, 산포도를 제작하여 검증했다.In addition, as shown in Fig. 3, on the relationship between T1 / L (% / µm) and the visibility of the pattern of the transparent conductive film, based on the results of Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 to 3, scatter plots were produced. And verified.

즉, 도 3에 있어서는, T1/L(%/㎛)을 횡축으로 채용하고, 투명 도전성 막의 패턴의 시인성의 상대 평가치(-)를 종축으로 채용한 산포도가 나타나 있다.That is, in Fig. 3, a scatter diagram showing T1 / L (% / µm) as the horizontal axis and the relative evaluation value (-) of visibility of the pattern of the transparent conductive film as the vertical axis is shown.

또, 투명 도전성 막의 패턴의 시인성의 상대치는, 이하와 같이 설정했다.Moreover, the relative value of visibility of the pattern of a transparent conductive film was set as follows.

상대치 5 : 반사광 하에서, 투명 도전성 막의 패턴이 시인되지 않음Relative value 5: Under reflected light, the pattern of the transparent conductive film was not recognized

상대치 1 : 반사광 하에서, 투명 도전성 막의 패턴이 시인됨Relative value 1: Under the reflected light, the pattern of the transparent conductive film was observed.

이러한 산포도로부터 이해되는 바와 같이, T1/L(%/㎛)의 값과, 투명 도전성 막의 패턴의 시인성(-) 사이에는, 명확한 상관 관계가 존재하는 것을 확인할 수 있었다.As understood from the scatter diagram, it was confirmed that there was a clear correlation between the value of T1 / L (% / µm) and the visibility (-) of the pattern of the transparent conductive film.

즉, T1/L(%/㎛)의 값이 0.0045 미만일 때에는, 투명 도전성 막의 패턴이 시인되기 어려운 한편, T1/L(%/㎛)의 값이 0.0045 이상일 때에는, 투명 도전성 막의 패턴이 시인되기 쉬워진다는 상관 관계의 존재를 확인할 수 있었다.That is, when the value of T1 / L (% / µm) is less than 0.0045, the pattern of the transparent conductive film is difficult to be recognized, while when the value of T1 / L (% / µm) is 0.0045 or more, the pattern of the transparent conductive film is easily visible. The existence of the correlation of losing was confirmed.

또한, 도 4에 나타내는 바와 같이, T2/L(%/㎛)과, 투명 도전성 막의 패턴의 시인성의 관계에 대해서도, 실시예1∼3 및 비교예1∼3의 결과에 의거하여, 산포도를 제작하여 검증했다.Also, as shown in Fig. 4, about the relationship between T2 / L (% / µm) and the visibility of the pattern of the transparent conductive film, scatter plots were produced based on the results of Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 to 3. And verified.

즉, 도 4에 있어서는, T2/L(%/㎛)을 횡축으로 채용하고, 투명 도전성 막의 패턴의 시인성의 상대 평가치(-)를 종축으로 채용한 산포도가 나타나 있다.That is, in Fig. 4, a scatter diagram showing T2 / L (% / µm) as the horizontal axis and the relative evaluation value (-) of visibility of the pattern of the transparent conductive film as the vertical axis is shown.

또, 투명 도전성 막의 패턴의 시인성의 상대치는, 도 3에 있어서와 같은 기준으로 설정했다.Moreover, the relative value of the visibility of the pattern of a transparent conductive film was set on the same basis as in FIG.

이러한 산포도로부터 이해되는 바와 같이, T2/L(%/㎛)의 값과, 투명 도전성 막의 패턴의 시인성(-) 사이에는, 명확한 상관 관계가 존재하는 것을 확인할 수 있었다.As understood from this scatter diagram, it was confirmed that a clear correlation exists between the value of T2 / L (% / µm) and the visibility (-) of the pattern of the transparent conductive film.

즉, T2/L(%/㎛)의 값이 0.0035 미만일 때에는, 투명 도전성 막의 패턴이 시인되기 어려운 한편, T2/L(%/㎛)의 값이 0.0035 이상일 때에는, 투명 도전성 막의 패턴이 시인되기 쉬워진다는 상관 관계의 존재를 확인할 수 있었다.That is, when the value of T2 / L (% / µm) is less than 0.0035, the pattern of the transparent conductive film is difficult to see, while when the value of T2 / L (% / µm) is 0.0035 or more, the pattern of the transparent conductive film is easy to see. The existence of the correlation of losing was confirmed.

따라서, 필름 구성이 간략한 소정의 투명 도전성 필름에 있어서, 관계식(1) 및 (2)를 만족하는 것에 의해, 투명 도전성 막의 패턴 형상을 시인되기 어렵게 할 수 있다는 본 발명의 효과가, 실시예에 의해 충분히 확인되게 된다.Therefore, in a predetermined transparent conductive film having a simple film configuration, by satisfying relational expressions (1) and (2), the effect of the present invention that the pattern shape of the transparent conductive film can be difficult to be visually recognized by the examples It is confirmed enough.

이상, 상술한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 투명 플라스틱 필름 기재의 적어도 한쪽 면에, 광학 조정층과, 투명 도전성 막을 순차로 적층하여 이루어지는 투명 도전성 필름에 있어서, 투명 플라스틱 필름 기재로서, 그 주배향축을 기준으로 한 소정의 열수축률이 소정의 관계식을 만족하는 것을 사용하는 것에 의해, 필름 구성이 간략한 한편, 어닐 처리를 실시했을 경우여도, 투명 도전성 막의 패턴 형상이 시인되기 어려운 투명 도전성 필름을 얻을 수 있게 되었다.As described above, according to the present invention, according to the present invention, in the transparent conductive film obtained by sequentially laminating an optical adjustment layer and a transparent conductive film on at least one surface of a transparent plastic film substrate, the main orientation thereof is a transparent plastic film substrate. By using a material having a predetermined thermal contraction rate based on the axis satisfying a predetermined relational expression, a transparent conductive film in which the pattern shape of the transparent conductive film is difficult to be recognized can be obtained even when the film configuration is simple and annealing is performed. It became.

따라서, 본 발명의 투명 도전성 필름은, 액정 디스플레이 등의 디스플레이 장치의 고품질화에 현저하게 기여하는 것이 기대된다.Therefore, it is expected that the transparent conductive film of the present invention significantly contributes to high-quality display devices such as liquid crystal displays.

1 : 투명 도전성 막, 2 : 광학 조정층, 2a : 저굴절률층, 2b : 고굴절률층, 2c : 중굴절률층, 3 : 투명 플라스틱 필름 기재, 10 : 투명 도전성 필름DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Transparent conductive film 2 Optical adjustment layer 2a Low refractive index layer 2b High refractive index layer 2c Medium refractive index layer 3 Transparent plastic film base material 10 Transparent conductive film

Claims (8)

투명 플라스틱 필름 기재의 적어도 한쪽 면에, 광학 조정층과, 투명 도전성 막을 순차로 적층하여 이루어지는 투명 도전성 필름으로서,
상기 광학 조정층이, 투명 플라스틱 필름 기재 측에서 중굴절률층과, 고굴절률층과, 저굴절률층을 순차로 적층되어 이루어지고, 상기 중굴절률층이, 굴절률 1.4 이상 1.7 미만임과 함께, 상기 저굴절률층의 굴절률보다 높고, 또한, 상기 고굴절률층의 굴절률보다 낮은 층이며, 상기 고굴절률층이, 굴절률 1.6 이상 2 미만이며, 상기 저굴절률층이, 굴절률 1.3 이상 1.6 미만이고,
상기 투명 플라스틱 필름이, 150℃에서 1시간 가열했을 경우의 상기 투명 플라스틱 필름 기재의 주배향축과 직교하는 방향에 있어서의 열수축률을 T1(%)로 하고, 상기 투명 플라스틱 필름 기재의 주배향축과 평행한 방향에 있어서의 열수축률을 T2(%)로 하고, 상기 투명 플라스틱 필름 기재의 두께를 L(㎛)로 했을 때에, 하기 관계식(1) 및 (2)를 만족하는 것을 특징으로 하는 투명 도전성 필름.
T1/L<0.0045 (1)
T2/L<0.0035 (2)A transparent conductive film formed by sequentially laminating an optical adjustment layer and a transparent conductive film on at least one side of a transparent plastic film substrate,
The optical adjustment layer is made by sequentially laminating a medium refractive index layer, a high refractive index layer, and a low refractive index layer on the transparent plastic film substrate side, and the medium refractive index layer is 1.4 or more and less than 1.7, and the low A layer higher than the refractive index of the refractive index layer and lower than the refractive index of the high refractive index layer, wherein the high refractive index layer is 1.6 or more and less than 2, and the low refractive index layer is 1.3 or more and less than 1.6,
When the transparent plastic film is heated at 150 ° C. for 1 hour, the heat shrinkage rate in a direction perpendicular to the main alignment axis of the transparent plastic film substrate is T1 (%), and the main alignment axis of the transparent plastic film substrate is Transparency characterized by satisfying the following relations (1) and (2) when the heat shrinkage rate in the direction parallel to and T2 (%) and the thickness of the transparent plastic film base material are L (µm). Conductive film.
T1 / L <0.0045 (1)
T2 / L <0.0035 (2) 제1항에 있어서,
상기 투명 플라스틱 필름 기재의 상기 주배향축과 직교하는 방향에 있어서의 열수축률(T1)이 0∼0.5%인 것을 특징으로 하는 투명 도전성 필름.According to claim 1,
The transparent conductive film, characterized in that the heat shrinkage rate (T1) in the direction perpendicular to the main alignment axis of the transparent plastic film base material is 0 to 0.5%. 제1항에 있어서,
상기 투명 플라스틱 필름 기재의 상기 주배향축과 평행한 방향에 있어서의 열수축률(T2)이 0∼0.4%인 것을 특징으로 하는 투명 도전성 필름.According to claim 1,
The transparent conductive film, characterized in that the heat shrinkage rate (T2) in the direction parallel to the main orientation axis of the transparent plastic film base material is 0 to 0.4%. 제1항에 있어서,
상기 투명 플라스틱 필름 기재의 두께(L)가 25∼200㎛인 것을 특징으로 하는 투명 도전성 필름.According to claim 1,
Transparent conductive film, characterized in that the thickness (L) of the transparent plastic film substrate is 25 to 200㎛. 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 중굴절률층의 두께가 50∼5000㎚이며, 상기 고굴절률층의 두께가 20∼130㎚이며, 또한, 상기 저굴절률층의 두께가 10∼150㎚인 것을 특징으로 하는 투명 도전성 필름.According to claim 1,
The thickness of the medium refractive index layer is 50 to 5000 nm, the thickness of the high refractive index layer is 20 to 130 nm, and the thickness of the low refractive index layer is 10 to 150 nm. 제1항에 있어서,
상기 투명 도전성 막이, 인듐주석 산화물로 이루어짐과 함께, 패턴상으로 형성되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 투명 도전성 필름.According to claim 1,
The transparent conductive film is formed of an indium tin oxide and is formed in a pattern, a transparent conductive film. 제1항에 있어서,
상기 투명 도전성 막의 두께가 5∼500㎚인 것을 특징으로 하는 투명 도전성 필름.According to claim 1,
A transparent conductive film, characterized in that the thickness of the transparent conductive film is 5 to 500 nm.

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