KR102069724B1 - 레이저 다이오드 및 레이저 다이오드 유닛용 서브마운트를 제조하기 위한 레이저 삭마 방법 - Google Patents

레이저 다이오드 및 레이저 다이오드 유닛용 서브마운트를 제조하기 위한 레이저 삭마 방법 Download PDF

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Abstract

레이저 다이오드용 서브마운트를 제조하는 방법은 세라믹 캐리어와 상기 기판 상에 금속층으로 구성된 베이스를 제공하는 단계를 포함한다. 상기 방법은
금속층 표면에 기설정된 패턴으로 선택적으로 트레인된 복수의 레이저 광펄스들을 발생시켜 금속층의 소정 영역들을 소정 깊이로 삭마하도록 동작하는 펄스식 레이저를 이용하는 단계를 더 포함한다. 그런 후, 베이스는 레이저 다이오드를 각각 지지하는 복수의 서브마운트들로 분할된다. 금속층은 세라믹에 증착되고 방열을 효과적으로 용이하게 할 정도의 충분한 두께를 갖는 은 서브층을 포함한다.

Description

레이저 다이오드 및 레이저 다이오드 유닛용 서브마운트를 제조하기 위한 레이저 삭마 방법{LASER ABLATION PROCESS FOR MANUFACTURING SUBMOUNTS FOR LASER DIODE AND LASER DIODE UNITS}
본 출원은 2011년 6월 17일자로 출원되고 참조로 본 명세서에 전체적으로 합체되어 있는 PCT/US2011/104901의 일부계속출원이고 상기 출원의 우선권을 주장한다.
본 발명은 버(burr) 없이 시간 및 비용 효과적으로 소정의 표면 영역들을 삭마하도록 동작하는 고출력 펄스식 레이저를 이용해 평면 서브마운트 및 상기 평면에 실장된 레이저 다이오드를 각각 포함한 레이저 다이오드 유닛의 대량 제조방법에 관한 것이다.
고출력 반도체 레이저들은, 그 중에서도, 군사 및 산업을 포함한 다양한 분야에서 광범위한 응용을 갖는다. 반도체 디바이스를 제조하는데 이루어진 급속한 발전은 부분적으로 일체의 기판이 포토레지스트로 제조된 마스크를 이용해 복수의 반도체 디바이스들로 나누어지는데 따른 평면 기술 때문일 수 있다.
고출력의 레이저 다이오드들의 진보는 일반적으로 평면 기술을 기반으로 한 모든 아키텍쳐들의 패키징 최적화 및 다이오드 레이저 성능의 향상에 기인할 수 있다. 최대로 유용한 출력전력, 파장, 수명과 같은 고출력 레이저의 주요 특징은 다이오드 또는 반도체 구조 그 자체에 의해서뿐만 아니라 방열판 또는 서브마운트의 구성 및 제조방법을 포함한 패키지의 품질에 의해 크게 제한된다. 알려진 바와 같이, 패키징 공정은 고출력 다이오드 레이저의 생산비용에 약 50% 이상으로 크게 기여한다. 따라서, 레이저 다이오드 패키지는 비용효율적이어야 한다. 말할 필요도 없이, 베이스 제조를 포함한 패키징 기술도 현재 매우 활발한 연구 개발 영역이다.
접합 온도에 의해 레이저 다이오드의 동작 특징과 수명 모두가 크게 영향받는 것이 잘 알려져 있다. 고온에서 동작하는 면발광 레이저 다이오드는 디바이스 활동 영역과 금속 캐리지 패키지 간에 배치될 열분산기(heat spreader)를 필요로 한다. 고밀도로 배열될 경우, 열확산이 더 중요해지게 된다. 이 문제의 심각성을 최소화하기 위해, 일반적으로 고온의 전도도를 갖는 박막금속이 방열판으로 사용된다. 재료들은 소정의 토폴로지를 제공하도록 철저하게 선택 및 조합되어야 하며 금속의 조합도 철저하게 설계되어야 한다. 따라서, 비용효과적인 패키징 기술과 함께, 전력밀도가 증가함으로써, 온도 변화에 민감한 활성 디바이스의 안정성을 지키도록 높은 신뢰성의 서브마운트들이 구성되어야 한다.
도 1을 참조하면, 서브마운트를 제조하기 위한 일반적인 공정은 베이스(10)를 형성하는 단계를 포함한다. 베이스를 형성하는 단계는, 통상적으로, 베릴륨 산화물(BeO) 또는 알루미늄 질화물(AlN)과 같은 열도전성 세라믹 재료로 제조된 기판 캐리어(12)로 구성될 수 있다. 또한, 금속서브층(14)이 기판(12) 위에 도금되고 상단 금속서브층(18)이 서브금속층(14) 위에 증착된다. 조합한 금속 서브층들은 캐리어(12)로 열을 확산시키고 확산 배리어를 제공하도록 구성된다. 레이저 다이오드에 상기 구성(10)을 결합시키는, 후술된 바와 같이, 베이스(10)가 복수의 서브마운트들(25)로 나누어진 후에 제공된 등거리로 이격된 솔더링 스트립(16)이 상단 금속층(18)에 도포되며 대표적으로 금/주석 합금("AuSn")으로 제조된다. 그런 후 상기 구성(10)은 반대 극성의 전기 접점들 간에 복수의 절연 그루브들(20)을 갖도록 가공된다. 그런 후, 베이스(10)는 컷팅라인(22)을 따라 복수의 균일한 서브마운트들(25)로 절단된다. 마지막으로, 레이저 다이오드들은 각각의 서브마운트들에 접합된다.
절단톱으로 서브마운트에 베이스(10)를 컷팅하기 전에, 각각의 영역(A 및 B)에서 컷팅라인(22)과 절연 그루브(20)를 따라 금속층(14)이 제거되어야 한다. 그렇지 않으면, 톱(미도시)이 서브마운트(25)에 형상을 컷팅하는 동안 복수의 버(burr)들이 형성될 수 있으며, 이는 레이저 다이오드 또는 레이저 다이오드나 칩(24)의 소정의 위치 지정에 영향을 줄 수 있기 때문에 받아들일 수 없다.
금속층(14 및 18)의 제거는 포토리소그래피에 의해 구현되고 감광 재료 또는 포토레지스터로 제조된 포토마스크의 이용을 포함한다. 마스크는 표면에 부착되고 포토레지스트 이미지가 금속층의 표면에 형성되도록 처리된다. 이 이미지를 이 층에 전달하기 위해, 일반적으로, 2개의 종래 에칭 방법들, 즉 습식 에칭과 이온 밀링이 사용된다. 습식 에칭은 빠르며, 따라서 비용효율적이다. 그러나, 이 공정 동안, 다수의 금속 서브층들이 다른 온도에서 용융되기 때문에, 컷팅 에지들이 평평하지 않아, 한 에지, 가령 발광 에지가 맞은편 다이오드의 단부보다 더 높은 면에 뻗치게 되어 결국 레이저 다이오드(24)가 비뚤어지게 위치된다. 비뚤어진 위치는 다이오드의 동작에 중대한 영향을 끼칠 수 있다. 또 다른 바람직하지 못한 결과는 언더컷의 형성이다. 언더컷은 차례로 정렬 동작에 한층 더 악영향을 끼친다. 이온 건식 에칭은 선명하고, 평평한 수직 에지를 제공할 수 있다. 그러나, 이 기술은 느리다. 예컨대, 15-30 마이크론의 금속층을 에칭하는데 일반적으로 약 30 시간이 걸린다. 대량생산에서 이런 긴 공정은 허용할 수 없이 비용이 많이 든다.
양 기술에서 포토레지스트가 비교적 다공성의 재료 표면에 부착될 경우, 표면을 더럽힌다. 표면의 세정이 전체적으로 성공적이지 않을 수 있다. 여전히 상기 표면에 포토레지스트가 완전히 제거되지 않으면, 연이은 기술 절차들이 효과적이지 않을 수 있다. 예컨대, 솔더링 재료가 포토레지스터와 상호작용할 수 있으며 이는 기판과 레이저 다이오드 간의 결합에 치명적으로 영향을 끼친다.
상술한 기술들에 공통으로, 금속제거공정이 시작된 후에는 파라미터를 제어하기 매우 어렵다는 것에 주목해야 한다. 예컨대, 연이어 일체의 평면 베이스를 복수의 서브마운트들로 컷팅하기 위해 금속재료들을 제거하는 것은 모든 금속 서브층들의 제거를 항상 필요로 하지 않는다. 대조적으로, 절연 그루브를 형성하는 것은 전체적으로 금속층을 삭마하는 것을 필요로 한다. 포토리소그래피 공정 동안 양 기술들과 관련된 파라미터를 조작하기가 불가능한 것은 확실히 레이저 다이오드 유닛의 생산과 관련해 상대적으로 고가의 비용이 들기 때문이다.
따라서, 레이저 다이오드용 서브마운트를 제조하는 향상된 방법이 필요하다.
레이저 다이오드용 베이스로서 사용된 다층 구성의 표면으로부터 금속을 제거하는 비용 효과적이고, 품질지향의 방법에 대한 필요성이 또한 있다.
개시된 방법은 소정 표면영역 내에 있는 금속층을 제거하기 위해 피가공 베이스 표면을 조사(照射)하도록 동작하는 펄스식 레이저의 사용을 기초로 한다. 다시 말하면, 상술한 프로리소그래피 기술과는 대조적으로, 본 개시는 레이저로 서브마운트 표면을 삭마하는 것을 교시한다. 레이저 삭마는 서브마운트 공정을 효율적이고 비용효과적이게 한다.
바람직하기로는, 하지만 반드시 그럴 필요가 없으나, 레이저는 금속표면을 조사하는 펄스식, 서브-나노세컨트의 광섬유 레이저로 구성된다. 금속의 조사는 컷팅라인 및 절연 그루브 영역에서 수행된다. 레이저 삭마로 인해 발생한 에지들은 깨끗하고, 선명하며 평평하다.
개시의 일태양에 따르면, 레이저는 소정의 펄스 반복율, 펄스 기간, 피크 전력, 및 파장을 특징으로 하는 레이저빔을 방출하도록 동작된다. 삭마된 금속은 용융되지 않고 기화되도록 빔 특징이 선택된다. 그렇지 않으면, 금속 부스러기들이 삭마된 영역 주위의 표면들에 범프들을 형성할 수 있으며, 이는 레이저 다이오드의 바람직한 평평한 위치를 손상하고/손상하거나 전기회로 단락 가능성을 야기할 것이다.
조사되는 재료의 두께는 언제든지 과업에 따라 다를 수 있다. 예컨대, 절연 그루브들에 대해 금속 재료를 조사하는 것은 컷팅라인을 따라 금속 재료를 제거하는데 드는 레이저 파라미터들과는 다른 레이저 파리미터들을 필요로 할 수 있다. 더욱이, 꽤 종종 동작 레이저 파라미터들은 소정의 파라미터들 또는 선택된 파라미터들에서 벗어난다. 따라서, 본 개시의 다른 태양은 레이저 다이오드 유닛 제조에 참여한 레이저의 파라미터들을 제어하는 것에 관한 것이다.
본 발명의 내용에 포함됨.
개시된 공정 및 어셈블리된 레이저 다이오드 유닛들의 상기 및 다른 특징과 이점들이 하기의 도면과 결부해 하기에 더 상세히 언급되어 있다:
도 1은 레이저 다이오드 유닛들을 어셈블리하는데 사용된 대표적인 방열판의 사시도이다.
도 2는 본 개시에 따라 구성된 서브마운트의 사시도이다.
도 3은 도 2의 서브마운트의 표면에 삭마 패턴을 도시한 것이다.
도 4는 표면 영역들이 개시된 방법에 따라 삭마된 레이저 다이오드 유닛의 정면도이다.
도 5는 개시된 방법에 따라 제조된 개시된 레이저 다이오드 유닛의 사시도이다.
도 6은 펄스 반복율의 함수로서 삭마 깊이를 도시한 컴퓨터 생성 그래프이다.
도 7은 펄스식 레이저가 피처리 표면을 스캔하는 선형 속도(또한 선형 스캔속도라고 함)의 함수로서 삭마 깊이를 도시한 컴퓨터 생성 그래프이다.
도 8은 피치(즉, 인접한 나란한 레이저 경로들 간의 거리)의 함수로서 삭마 깊이를 도시한 컴퓨터 생성 그래프이다.
도 9는 펄스 기간의 함수로서 삭마 깊이를 도시한 컴퓨터 생성 그래프이다.
도 10은 개시된 방법을 도식적으로 도시한 차트이다.
개시된 구성을 더 상세히 참조할 것이다. 도면은 정확한 비율과 거리가 멀며 반도체 산업 추가층에 있어 기술자들이 잘 알려지게 나타내지 않았다. "커플"이라는 용어와 유사한 용어는 직접적이고 즉시적인 연결을 반드시 필요치 않으나, 또한 중간요소들을 통한 연결을 포함한다.
도 2는 바람직하게는 나노세컨드 내지 서브나노세컨드 범위에서 동작하는 펄스식 광섬유 레이저 구성을 갖는 레이저(52)를 포함하나, 반드시 그럴 필요가 없는 개시된 삭마 공정을 도식적으로 나타낸 것이다. 레이저(52)는 전송 광섬유(56)에 의해 레이저 헤드(54)로 전달된 펄스식 출력을 방출하도록 동작한다. 레이저(52)의 구성은 고체상태, 반도체, 가스 및 다이 레이저에서 선택될 수 있으나, 바람직하게는 수백 나노미터 내지 약 2 마이크론의 범위에 이르는 파장에서 동작하는 광섬유 레이저이다. 레이저 헤드(54)와 베이스(50)는 기설정된 경로를 따라 서로 옮겨질 수 있어 절연 그루브(58)와 다이싱 라인(44)을 포함한 베이스의 소정 영역들 내에 있는 금속층들을 비춘다.
개시된 레이저 조사(照射) 공정의 효율은 선택된 다양한 파라미터들에 따라 가능한 최단시간으로 그러나 삭마된 영역의 인접 표면에 금속 부스러기들을 쌓지 않으며 소정 깊이(Dd)로 금속층을 삭마한다. 당업자에게 버(32)로 알려진 이런 누적은 금속 및 레이저 파라미터에 인접해 형성되거나 형성되지 않을 수 있다. 형성된다면, 버(32)는 방출 에지에 평행 및 수직으로 뻗어 가며 여러 방식으로 레이저 다이오드의 소정 동작에 악영향을 줄 수 있다. 버(32)가 형성될 수 있고 실장된 레이저 다이오드의 에지가 광을 방출하는 베이스(50)의 표면으로부터 거리를 초과한 높이(hb)를 가질 수 있으며, 레이저빔의 전파와 간섭해 베이스(50)의 평면성을 무너뜨릴 수 있다.
무엇보다도, 레이저 파라미터는 펄스 기간, 펄스 반복율, 피크 출력, 및 파장을 포함한다. 이하 공정 파라미터라고도 하는 다른 파라미터들도 동일하게 중요하며 레이저 헤드(56)가 소정 깊이로 금속층을 조사하도록 완결지어야 하는 패스 개수와 패턴 간격, 즉, 레이저 가공되는 영역의 대향면들을 잇는 경로의 인접한 스트레치들 간의 거리를 포함할 수 있다.
간략히 도 3을 참조하면, 레이저(30)의 예시적인 단일 선형 경로가 포인트(S 및 F) 간에 정의되고 삭마될 영역의 전체 면적을 커버한다. 패턴 간격(Ds)은 경로의 인접한 나란한 선형 스트레치들 간의 거리이다. 그러나, 경로(30)는 당업자에 알려진 바와 같이 다양한 패턴들을 가질 수 있음에 유의하라. 후술된 바와 같이, 레이저 및 공정 파라미터 모두의 적절한 선택은 시간 및 이에 따라 비용효율적인 방식으로 고품질의 레이저 다이오드 유닛의 대량생산을 가능하게 한다. 소정의 파라미터들은 베이스(50)의 기하학적 형태와 금속의 조합으로 맞추어 진다.
도 2로 돌아가, 베이스(50)는 BeO 또는 AlN으로 제조된 세라믹 캐리어(42)를 포함한다. 다층 금속 시퀀스는, 무엇보다도, 캐리어(42) 상에 상대적으로 두꺼운 은(Ag) 서브층(26)을 포함한다. Ag 서브층(26)은 레이저 다이오드용 베이스를 제작하는데 널리 사용되는 금보다 여러 가지 이점들을 갖는다. 금에 비해, 은은 열전도도가 더 높고 전기저항이 더 낮다. 따라서, 레이저 다이오드가 사용될 때 발생되는 열이 효과적으로 Ag 서브층(26)을 따라 이를 통해 확산된다. 더욱이, Ag 층은 금속층에 더 접합된 레이저 다이오드의 열팽창계수와 실질적으로 일치하는 누적 열팽창계수를 서브마운트에 제공하도록 결정된 두께로 구성된다.
도 2에 더해 도 4를 참조하면, 베이스(50)는 각각의 대시선들로 도시되고 삭마 후에 형성된 절연 그루브(58)를 각각 정의하는 각각의 영역들 옆의 금속층 상단에 도포된 복수의 이격된 솔더링층들(34)을 더 갖는다. 이때, 베이스(50)의 금속층(26)은 각각의 절연 그루브(58)에 해당하고 캐리어(42)에서 다이싱 라인(44) 위의 마지막 금속면 영역들 전이나 후의 영역들을 비추는 레이저빔에 의해 처리될 준비가 되어 있다. 이점적으로, 베이스(50)의 길이방향 축(A-A)에 나란히 뻗어 있는 다이싱 영역들을 따른 금속 서브층들은 협소한 영역(46)을 형성하도록 조사된다. 영역(46)은 베이스(42)를 통해 컷팅 동안 절단톱 및 금속재료 간의 우발적 접촉이 방지되도록 크기 재어진다, 축(A-A)에 수직으로 뻗어 있는 다이싱 라인을 따라 동일한 구성이 형성될 수 있다.
도 5는 상술한 바와 같이 베이스(50)와 예컨대 P면에 의해 서브마운트에 솔더된 레이저 다이오드 또는 칩(56)를 포함하도록 개시된 방법에 따라 제조된 개개의 레이저 다이오드 유닛(40)을 도시한 것이다. 절연 그루브(58)는 다르게 분극된 접점들("+" 및 "-")(38)을 분리하며 상기 접점들은 전기와이어(28)에 의해 칩(56)에 연결된다. 레이저 삭마의 결과로 형성된 에지는 선명하고, 표면지지칩(56)은 평평하며 약간의 버의 잔여물들이 발견될 수 있더라도, 가령, 솔더 스트립(34)의 표면에 대한 레이저 다이오드(56)의 높이(hld)일 수 있는 이들의 높이는 기준값보다 더 작으며, 약 1㎛에서 약 3㎛일 수 있다. 레이저 유닛(40)의 전체 두께는 약 50㎛ 내지 약 5mm로 변한다. 은 서브층(26)은 약 200㎛까지의 두께로 구성될 수 있다.
레이저를 이용한 개시된 방법의 논박할 수 없는 이점들 중 하나는 공정 파라미터들을 제어하는 가능성이다. 이는 조사 깊이가 균일할 필요가 없을 때 특히 편하다. 명백히, 절연 그루브(58)는 반대 극성의 접점들(38)을 서로 이격시키도록 캐리어(42)의 면에서 끝나야 한다. 그러나, 상기 다이싱 라인(44) 위의 삭마된 금속영역들은 세라믹 캐리어(42)까지 아래로 내내 반드시 뻗어야 할 필요가 없다. 캐리어(42)로부터 떨어져 삭마를 중단하고 절단톱으로 절단하다 남은 금속들을 통해 다이싱을 마칠 수 있다. 따라서, 레이저 및 공정 파라미터들에 대한 모든 데이터를 룩업 테이블에 수집하는 것은 이들 파라미터들의 허용가능한 수준에 따라 최적 값을 선택하는데 도움된다.
도 6을 참조하면, 삭마 깊이(Da)는 1060nm 파장에서 동작하는 이트리븀("Yb") 광섬유 레이저의 다른 펄스 반복율에서 패스 개수들의 함수로 도시되어 있다. 제공된 레이저의 선형속도(7.3m/s)와 패턴 간격(6/1㎛) 및 펄스 기간(1ns)이 고정되면, 각각 그래프 III, IV, 및 V로 표시된 주파수 1250kHz, 1000kHz, 및 750kHz에서 동작하는 레이저는 가장 작은 패스 개수 15로 도 2의 금속층을 조사한다. 도시된 그래프의 수평 스트레치는 금속조사의 완료를 나타내는 것에 유의하라. 특히 1750kHz에 해당하는 그래프 I인 더 높은 주파수들은 덜 만족스러운 결과를 나타낸다. 그래프 IV에 해당하는 500kHz의 가장 낮은 주파수는 각각의 그래프 III, IV, 및 V에 해당하는 다른 주파수들보다 소정 깊이에 도달하는데 더 많은 패스 개수들을 필요로 한다.
도 7은 레이저 헤드의 선형속도가 삭마 깊이에서 도 6의 것과 동일한 값의 펄스 기간과 간격 및 패스의 5-20 패스범위에서 750kHz의 고정된 반복율을 갖는 것을 도시한 것이다. 알 수 있는 바와 같이, 삭마 깊이는 패스의 개수가 선택된 속도에 무관하게 10 패스 마크에 다다를 때 선형적으로 증가한다. 각각의 그래프 I, II, III, 및 IV에 해당하는 3, 4, 5, 및 6 m/s에서, 삭마 깊이는 실질적으로 불변인 채 남아 있는데, 이들 속도에서 금속의 제거는 약 10 패스 마크에서 완료되는 것을 나타낸다. 깊이는 패스 개수가 증가함에 따라 최고의 선택된 8 m/s에서 계속해서 미미하게나마 증가한다. 두번째로 높은 7 m/s의 속도에서 이동될 수 있는 레이저 헤드는 약 15-패스마크로 금속을 전체적으로 조사한다.
도 8은 12.2㎛(그래프 I)에서 4.9㎛(그래프 VII)로 점차 간격을 줄이면 삭막 깊이가 고정된 값의 반복율과 선형속도로 증가하는 것을 나타낸다. 도 11은 버 높이와 간격 간의 복잡한 관계를 도시한 것이다. 12.2㎛(그래프 I)의 가장 큰 간격은 패스의 개수가 증가함에 따라 오히려 약간 증가하는 평균 버 높이에 해당한다.
도 9는 다른 펄스 기간들에 대해 펄스 개수의 함수로서 삭마 깊이 값을 도시한 것이다. 펄스 기간이 감소함에 따라, 10nm 길이 펄스보다 5ns 길이 펄스가 더 많은 재료를 조사하는 3 내지 5 패스 간의 작은 초기 범위를 제외하고는, 각각의 10, 5 및 1 ns 길이의 펄스에 해당하는 그래프 I, II, 및 III으로 표시된 바와 같이 삭마 깊이도 감소된다.
도 10은 간략화된 도표식으로 레이저 다이오드 서브마운트 및 그 구성을 제조하는 개시된 방법의 요약을 나타낸 것이다. 상술한 바와 같이, 수많은 데이터가 수집되고 룩업 테이블에 배열된다. 데이터는 상술한 다양한 파라미터들 및, 이외에, 약 500nm에서 약 10㎛의 범위에 이를 수 있는 파장과 수십 마이크론까지에 이르는 서브마운트 두께에 따른다. 물론, 레이저빔 출력도 개시된 방법의 결과에 영향을 주고 약 0.5W 내지 약 500W의 범위 내에서 변한다.
펨토 및 피코세컨드 서브범위와 같은 나노세컨드에서 서브나노세컨드 범위, 펄스 반복율, 빔출력전력, 파장, 선형속도, 서브마운트 두께, 및 패스 개수를 달리해 가며 펄스 기간을 포함한 공정 및 레이저 파라미터는 서브마운트 두께와 금속층 조성물을 알고난 후에는 쉽게 제어될 수 있다. 삭마 깊이 및/또는 버 높이가 중앙처리장치(CPU)에 저장된 각각의 소정의 값과 일치하지 않으면, 깊이와 버 높이 모두가 소정의 기설정된 값과 일치할 때까지 CPU가 도시된 파라미터들 중 어느 하나를 제어할 수 있다. 예컨대, 소정의 삭마 깊이에 도달하였으나, 여전히 버가 높으면, CPU는 패스 개수를 증가시킬 수 있다. 깊이가 더 깊은 것이 바람직하지 못하면, CPU는 레이저의 출력전력을 줄이는 신호를 출력할 수 있어 소정 깊이가 영향받지 않은 채로 있으면서 약간의 버만이 처리된다. 더욱이, 각각의 다른 파장에서 동작하는 레이저들을 선택적으로 이용함으로써 레이저빔의 파장을 제어할 수 있다.
첨부도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예들 중 적어도 하나를 기술하였으나, 본 발명은 이들 정확한 실시예들에 국한되지 않음을 알아야 한다. 다른 파장, 광섬유 파라미터, 및 희토류 도판트들을 포함한 다양한 변화, 변경 및 적응들이 상술한 바와 같이 본 발명의 기술사상 및 범위로부터 벗어남이 없이 당업자에 의해 행해질 수 있다.

Claims (19)

  1. 서브마운트와 상기 서브마운트에 접합된 레이저 다이오드를 각각 포함한 레이저 다이오드 제조방법으로서,
    세라믹 캐리어와 상기 캐리어 상에 금속층을 포함한 베이스를 제공하는 단계;
    금속층 표면에 기설정된 패턴으로 트레인된 복수의 레이저 광펄스들을 발생시켜, 금속층을 소정 깊이로 삭마하는 단계; 및
    세라믹 캐리어를 복수의 서브마운트들로 다이싱하는 단계를 포함하며,
    금속층의 삭마는 각각의 다른 분극들의 접점들 간에 절연 그루브를 제공하는 단계, 및 캐리어에서 각각의 복수의 다이싱 라인들을 따라 금속층의 두께를 감소시키는 단계를 포함하고,
    금속층은 상기 금속층의 전체 두께 또는 상기 금속층의 전체 두께의 일부에 해당하는 소정 높이로 다이싱을 따라 소정 깊이로 조사되며,
    금속층의 삭마는 소정 깊이와 버의 높이를 제공하도록 펄스 반복율, 펄스 기간, 빔출력전력, 선형속도와 패스의 개수 및 이들의 조합으로 구성된 그룹에서 선택된 레이저빔 파라미터를 제어하는 단계를 포함하는, 레이저 다이오드 제조방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    베이스의 다이싱 전에 금속층 표면에 복수의 이격된 솔더링 스트립을 증착하는 단계를 더 포함하는 레이저 다이오드 제조방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    각각의 서브마운트에 복수의 레이저 다이오드들을 솔더링하는 단계를 더 포함하는 레이저 다이오드 제조방법.
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 제 1 항에 있어서,
    다이싱 라인을 따르는 금속층의 기화는 금속층의 두께가 감소된 영역을 형성하는 단계를 포함하고, 각각의 영역은 컷팅라인보다 더 넓으며, 이로써 세라믹 재료의 에지로부터 내부로 이격된 금속층을 각각 서브마운트들에 제공하는 단계를 포함하는 레이저 다이오드 제조방법.
  8. 삭제
  9. 제 1 항에 있어서,
    금속층은 은 서브층으로 구성되는 레이저 다이오드 제조방법.
  10. 세라믹 캐리어, 상기 세라믹 캐리어 위에 적어도 하나의 은 서브층을 포함한 금속층, 및 상기 금속층에 접합되는 레이저 다이오드를 각각 포함한 복수의 서브마운트들을 제조하는 시스템으로서,
    금속층의 표면에 기설정된 패턴으로 트레인된 복수의 광펄스들을 방출하도록 동작하는 펄스식 레이저; 및
    기설정된 영역 내에 소정 깊이로 금속층을 삭마하기 위해 적어도 하나의 레이저 파라미터를 제어하도록 동작하는 컨트롤러를 포함하며,
    상기 기설정된 패턴은 절연 그루브를 정의하는 영역들과 캐리어를 통해 각각의 다이싱 라인 위에 금속층의 영역들을 포함하고,
    절연 그루브를 정의하는 영역에 있는 소정의 깊이는 금속층의 전체 두께에 해당하고, 다이싱 라인 위의 영역에 있는 소정의 깊이는 금속층의 전체 두께 또는 그 일부에 해당하며,
    상기 레이저의 파라미터는 펄스 반복율, 펄스 기간, 빔출력전력, 선형속도와 패스 개수 및 이들의 조합으로 구성된 그룹에서 선택되는, 복수의 서브마운트들을 제조하는 시스템.
  11. 삭제
  12. 제 10 항에 있어서,
    소정의 깊이는 균일하며 금속층의 전체 두께에 해당하는 복수의 서브마운트들을 제조하는 시스템.
  13. 삭제
  14. 제 10 항에 있어서,
    펄스식 레이저는 광섬유 레이저, 반도체 레이저, 가스 레이저 및 다이 레이저에서 선택된 구성을 갖는 복수의 서브마운트들을 제조하는 시스템.
  15. 제 10 항에 있어서,
    서브마운트들은 세라믹 캐리어 주변에서 안쪽으로 이격된 금속층의 대향 에지들을 각각 갖는 복수의 서브마운트들을 제조하는 시스템.
  16. 삭제
  17. 제 10 항에 있어서,
    펄스 기간은 나노세컨드에서 서브나노세컨드 범위 내에서 변하는 복수의 서브마운트들을 제조하는 시스템.
  18. 제 10 항에 있어서,
    레이저 다이오드의 출력전력은 0.5W 내지 500W 사이의 범위를 갖는 복수의 서브마운트들을 제조하는 시스템.
  19. 제 10 항에 있어서,
    레이저는 500nm 내지 10 마이크론으로 변하는 주파수 범위의 펄스들을 방출하는 복수의 서브마운트들을 제조하는 시스템.
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