JP5528904B2 - サファイアウェーハの分割方法 - Google Patents
サファイアウェーハの分割方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5528904B2 JP5528904B2 JP2010116644A JP2010116644A JP5528904B2 JP 5528904 B2 JP5528904 B2 JP 5528904B2 JP 2010116644 A JP2010116644 A JP 2010116644A JP 2010116644 A JP2010116644 A JP 2010116644A JP 5528904 B2 JP5528904 B2 JP 5528904B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sapphire wafer
- dividing
- sapphire
- modified layer
- along
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 title claims description 82
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 title claims description 82
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 31
- 238000002679 ablation Methods 0.000 claims description 10
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 46
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 2
- -1 gallium nitride (GaN) compound Chemical class 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 1
- 230000003685 thermal hair damage Effects 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Dicing (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
Description
図2に示すように、窒化物半導体が積層された側の表面全体に拡張テープ40を貼り付けたサファイアウェーハ1を図示しない周知のレーザ加工装置のチャックテーブルの上に拡張テープ40側が下になるように載置して保持する。この拡張テープ40は、サファイアウェーハ1の素子形成部を保護する作用も有している。
レーザ波長:355nm
周波数:100kHz
出力:0.5W
加工送り速度:300mm/秒
表面スポットサイズ:40μm
次に、図3に示すように、上記したアブレ−ション加工工程の後に、溝33内でサファイア(ウェーハ)面が露出した領域を分割予定ライン11に沿ってサファイアを透過する波長のパルスレーザL2をサファイアウェーハ1の内部に集光して照射し、サファイアウェーハ1の内部に全ての分割予定ライン11に沿ってそれぞれのラインで連続的に改質層34を形成する。
○改質層形成条件
レーザ波長:1045nm
周波数:100kHz
出力:0.3W
加工送り速度:400mm/秒
図4に示すように、上記の改質層形成工程の後に、拡張テープ40を図4において矢印Pで示す平面拡張方向に強制的に伸張させて外力を加えることにより、半導体層、反射膜等を含むサファイアウェーハ1を改質層34が形成されている分割予定ライン11に沿って分割することができる。図4および図5に示すように、サファイアウェーハ1は、分割されてそれぞれの発光素子100のサファイア基板1Aとなる。
以上、この発明の実施の形態について説明したが、上記の実施の形態の開示の一部をなす論述および図面はこの発明を限定するものではない。この開示から当業者に様々な代替実施の形態、実施例および運用技術が明らかとなろう。
100 発光素子
100A 発光素子部
11 分割予定ライン
1A サファイア基板
1a 表面
24 InGaN系活性層
27 p側透明電極
29 n側電極
30 反射膜
31 誘電体多層膜
32 金属膜
33 溝
34 改質層
40 拡張テープ
Claims (1)
- 表面の分割予定ラインによって区画された領域に光デバイスが複数形成され、裏面に該発光デバイスの発する光を反射する反射膜が積層されたサファイアウェーハを該分割予定ラインに沿って分割するサファイアウェーハの分割方法であって、
該サファイアウェーハの裏面側から該分割予定ラインに沿って該反射膜が吸収する波長のパルスレーザを集光して照射し、該反射膜の厚みよりも深い溝を該分割予定ライン上に形成するアブレ−ション加工工程と、
該アブレ−ション加工工程の後に、該溝によってサファイア面が露出した該分割予定ラインに沿ってサファイアを透過する波長のパルスレーザを該サファイアウェーハの内部に集光して照射し、該サファイアウェーハの内部に該分割予定ラインに沿って改質層を形成する改質層形成工程と、
該改質層形成工程の後に、該改質層に外力を加えることによって該サファイアウェーハを該分割予定ラインに沿って分割する分割工程と、
を含むことを特徴とするサファイアウェーハの分割方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010116644A JP5528904B2 (ja) | 2010-05-20 | 2010-05-20 | サファイアウェーハの分割方法 |
CN201110128861.4A CN102248607B (zh) | 2010-05-20 | 2011-05-18 | 蓝宝石晶片的分割方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010116644A JP5528904B2 (ja) | 2010-05-20 | 2010-05-20 | サファイアウェーハの分割方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011243874A JP2011243874A (ja) | 2011-12-01 |
JP5528904B2 true JP5528904B2 (ja) | 2014-06-25 |
Family
ID=44976355
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010116644A Active JP5528904B2 (ja) | 2010-05-20 | 2010-05-20 | サファイアウェーハの分割方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5528904B2 (ja) |
CN (1) | CN102248607B (ja) |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5946307B2 (ja) * | 2012-03-28 | 2016-07-06 | 株式会社ディスコ | ウエーハの分割方法 |
JP5946308B2 (ja) * | 2012-03-28 | 2016-07-06 | 株式会社ディスコ | ウエーハの分割方法 |
JP6128758B2 (ja) * | 2012-06-07 | 2017-05-17 | 晶元光電股▲ふん▼有限公司 | 発光素子の製造方法 |
CN102825668B (zh) * | 2012-09-14 | 2015-01-21 | 合肥彩虹蓝光科技有限公司 | 一种含介电层的半导体原件的切割方法 |
JP6013858B2 (ja) * | 2012-10-01 | 2016-10-25 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP6423135B2 (ja) * | 2012-11-29 | 2018-11-14 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | パターン付き基板の分割方法 |
US20150034613A1 (en) * | 2013-08-02 | 2015-02-05 | Rofin-Sinar Technologies Inc. | System for performing laser filamentation within transparent materials |
JP6444249B2 (ja) * | 2015-04-15 | 2018-12-26 | 株式会社ディスコ | ウエーハの生成方法 |
JP6589358B2 (ja) * | 2015-04-30 | 2019-10-16 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | 脆性材料基板の分断方法 |
JP6589380B2 (ja) * | 2015-05-29 | 2019-10-16 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | 脆性材料基板における垂直クラックの形成方法および脆性材料基板の分断方法 |
JP6589381B2 (ja) * | 2015-05-29 | 2019-10-16 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | 脆性材料基板における垂直クラックの形成方法および脆性材料基板の分断方法 |
US10981251B2 (en) * | 2016-06-08 | 2021-04-20 | Han's Laser Technology Industry Group Co., Ltd | Method and device for cutting sapphire |
JP6520964B2 (ja) * | 2017-01-26 | 2019-05-29 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子の製造方法 |
JP6562014B2 (ja) * | 2017-02-20 | 2019-08-21 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子の製造方法 |
JP6821261B2 (ja) * | 2017-04-21 | 2021-01-27 | 株式会社ディスコ | 被加工物の加工方法 |
CN107538136A (zh) * | 2017-07-31 | 2018-01-05 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 | 一种利用激光切割蓝宝石衬底led芯片的方法 |
JP7139050B2 (ja) * | 2018-08-02 | 2022-09-20 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP2022102475A (ja) * | 2020-12-25 | 2022-07-07 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3636835B2 (ja) * | 1996-08-07 | 2005-04-06 | ローム株式会社 | 基板分割方法およびその基板分割を用いた発光素子製造方法 |
JP2005116844A (ja) * | 2003-10-09 | 2005-04-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP4909657B2 (ja) * | 2006-06-30 | 2012-04-04 | 株式会社ディスコ | サファイア基板の加工方法 |
JP5196097B2 (ja) * | 2006-08-29 | 2013-05-15 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光素子の製造方法及び半導体発光素子、並びにそれを用いた発光装置 |
JP5259121B2 (ja) * | 2007-05-23 | 2013-08-07 | シャープ株式会社 | レーザー加工方法を用いた半導体装置の製造方法 |
JP2010093187A (ja) * | 2008-10-10 | 2010-04-22 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路装置の製造方法 |
-
2010
- 2010-05-20 JP JP2010116644A patent/JP5528904B2/ja active Active
-
2011
- 2011-05-18 CN CN201110128861.4A patent/CN102248607B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102248607B (zh) | 2015-05-06 |
JP2011243874A (ja) | 2011-12-01 |
CN102248607A (zh) | 2011-11-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5528904B2 (ja) | サファイアウェーハの分割方法 | |
JP2011243875A (ja) | サファイアウェーハの分割方法 | |
JP2007087973A (ja) | 窒化物半導体素子の製法およびその方法により得られる窒化物半導体発光素子 | |
US9680049B2 (en) | Method for producing an optoelectronic semiconductor chip and optoelectronic semiconductor chip | |
JP2009081428A (ja) | 半導体発光素子およびその製造方法 | |
JP5138675B2 (ja) | キャリア基板を有する放射線放射半導体ボディおよびその形成方法 | |
JP4540514B2 (ja) | 化合物半導体発光素子およびその製造方法 | |
JP6620825B2 (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
EP3355366B1 (en) | Method of manufacturing a light emitting element | |
JP5996250B2 (ja) | リフトオフ方法 | |
JP2007324326A (ja) | 発光ダイオードチップ及びウェハ分割加工方法 | |
KR20150089931A (ko) | 광디바이스 및 광디바이스의 가공 방법 | |
JP7333192B2 (ja) | 移設方法 | |
TW200903869A (en) | Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the same | |
JP6318900B2 (ja) | 半導体発光素子の製造方法 | |
US8470625B2 (en) | Method of fabricating semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting device | |
JP2010056485A (ja) | 発光素子、発光装置およびサファイア基板の加工方法 | |
JP2008244121A (ja) | 窒化物半導体素子の製造方法 | |
KR102069724B1 (ko) | 레이저 다이오드 및 레이저 다이오드 유닛용 서브마운트를 제조하기 위한 레이저 삭마 방법 | |
JP2008066475A (ja) | 化合物半導体素子及びその製造方法 | |
JP2008300645A (ja) | 窒化物系半導体ledチップの製造方法 | |
CN107256914B (zh) | 发光装置 | |
JP2004228290A (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法 | |
JP5687864B2 (ja) | サファイアウェーハの分割方法 | |
US9490389B2 (en) | Method for producing optoelectronic semiconductor chips |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130412 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140213 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140401 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140416 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5528904 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |