KR102015295B1 - 로드 스위치 집적 회로 및 전자 디바이스 - Google Patents

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Abstract

로드 스위치 집적 회로 및 전자 디바이스가 제공된다. 서지 전압이 로드 스위치 집적 회로의 입력으로 인가되는 경우에, 서지 검출 회로는 서지 에너지를 로드 스위치 집적 회로의 입력으로부터 그라운드로 방전시키기 위해 제 1 방전 유닛이 스위치 온 되도록 제어하고, 그리고 서지 에너지를 로드 스위치 집적 회로의 출력으로부터 그라운드로 방전시키기 위해 제어 회로를 통해 제 1 스위치 트랜지스터 및 제 2 방전 유닛이 스위치 온 되도록 제어한다. 서지 에너지가 서지 보호 회로에 의해서만 방전되는 기존 기술의 경우와 비교할 때, 서지 에너지는 두 개의 경로들을 통해 방전되고, 방지될 큰 서지 에너지가 존재하는 경우에, 회로 영역은 기존 기술에서보다 더 작게 된다.

Description

로드 스위치 집적 회로 및 전자 디바이스{LOAD SWITCH INTEGRATED CIRCUIT AND ELECTRONIC DEVICE}
본 개시 내용은 전력 전자 기술 분야에 관한 것이며, 보다 상세하게는, 로드 스위치 집적 회로 및 전자 디바이스에 관한 것이다.
본 출원은 출원번호가 201711401339.2이고, 출원일이 2017년 12월 22일이고, 발명의 명칭이 "LOAD SWITCH INTEGRATED CIRCUIT AND ELECTRONIC DEVICE"인 중국 특허 출원에 대한 우선권을 주장하며, 상기 중국 특허 출원은 전체로서 여기에 참조로서 통합된다.
서지(surge) 전압은 정상 동작 전압보다 큰 과도적인 과-전압이다. 서지 전압은 극히 짧은 시간 기간 동안 지속되며, 통상적으로 마이크로세컨드 단위이다. 서지가 생성되면, 전압 및 전류는 정상적인 경우보다 훨씬 크게 될 수 있다. 전압 또는 전류가 반도체 디바이스의 상위 한계보다 커지면, 반도체는 바로 번-아웃(burn our)된다. 추가적으로, 여러 개의 작은 서지들의 누적은 또한 반도체 디바이스의 성능 저하를 일으킬 수 있으며, 그에 의해 반도체 디바이스의 서비스 수명을 단축시킨다.
기존 기술에서, 로드 스위치 집적 회로는 일반적으로 보호될(to-be-protected) 회로에 앞서서 배치된다. 로드 스위치 집적 회로는 도 1에 도시되어 있다. 서지가 발생한 경우에, 메인 스위치 트랜지스터 M1은 게이트 제어 회로에 의해 스위치 오프되도록 제어되며, 그에 의해 출력 OUT에 연결된 후속 회로를 보호하게 된다. 그러나, 서지가 발생한 경우에, 로드 스위치 집적 회로의 입력 IN에서의 전압 파형은 도 2에 도시된 바와 같은 점선으로서 표시된다. 서지 전압 Vsurge가 높은 것을 알 수 있으며, 이러한 서지 전압은 로드 스위치 집적 회로의 컴포넌트들을 브레이크 다운(break down)시키고 번 아웃(burn out)시킬 수 있다. 그러므로, 기존 기술에서, 도 1에 도시된 바와 같이, 서지 보호 회로가 입력 IN 및 그라운드 사이에 추가적으로 배치된다. 서지 보호 회로를 통해, 서지가 입력 IN에서 생성된 경우에, 서지 에너지는 적시에 그라운드로 방전되고 입력 IN에서의 전압은 허용가능한 범위 내에, 예를 들어, 도 2에 도시된 전압 Vclamp 내에 있도록 클램핑되며, 그에 의해 로드 스위치 집적 회로의 컴포넌트들을 보고하며, 그리하여 후속 회로가 서지 에너지에 기인하여 손상되지 않도록 보호하게 된다.
기존 기술의 해결책에서, 큰 서지 에너지를 견디기 위하여, 서지 보호 회로는 강한 방전 용량을 가지도록 요구되며, 이는 서지 보호 회로의 큰 회로 영역을 필요로 할 수 있으며, 추가적으로 전체 로드 스위치 집적 회로가 큰 회로 영역을 차지할 수 있다.
기존 기술에서의 큰 회로 영역의 문제점을 해결하기 위해, 본 개시 내용에 따른 로드 스위치 집적 회로 및 전자 디바이스가 제공된다.
다음의 기술적 해결책들은 본 개시 내용에 따라 제공된다.
로드 스위치 집적 회로가 제공되며, 상기 로드 스위치 집적 회로는 제 1 스위치 트랜지스터, 서지(surge) 검출 회로, 제어 회로, 제 1 방전(discharge) 유닛 및 제 2 방전 유닛을 포함한다.
상기 제 1 스위치 트랜지스터의 입력, 상기 서지 검출 회로의 입력 및 상기 제 1 방전 유닛의 입력은 상기 로드 스위치 집적 회로의 입력에 연결된다.
상기 제 1 스위치 트랜지스터의 출력 및 상기 제 2 방전 유닛의 입력은 상기 로드 스위치 집적 회로의 출력에 연결된다.
상기 서지 검출 회로의 출력은 상기 제 1 방전 유닛의 제어 단자 및 상기 제어 회로의 입력에 연결된다.
상기 제어 회로의 출력은 상기 제 1 스위치 트랜지스터의 제어 단자 및 상기 제 2 방전 유닛의 제어 단자에 연결된다.
상기 제 1 방전 유닛의 출력 및 상기 제 2 방전 유닛의 출력은 그라운드된다.
상기 서지 검출 회로는, 서지 전압이 상기 로드 스위치 집적 회로의 입력으로 인가되는지 여부를 검출하고, 서지 전압이 상기 로드 스위치 집적 회로의 입력으로 인가되는 경우에, 서지 에너지를 상기 로드 스위치 집적 회로의 입력으로부터 그라운드로 방전시키기 위해 상기 제 1 방전 유닛이 스위치 온(switch on) 되도록 제어하고, 그리고 서지 전압이 상기 로드 스위치 집적 회로의 입력으로 인가되는 경우에, 서지 에너지를 상기 로드 스위치 집적 회로의 출력으로부터 그라운드로 방전시키기 위해 상기 제어 회로를 통해 상기 제 1 스위치 트랜지스터 및 상기 제 2 방전 유닛이 스위치 온 되도록 제어하도록 구성된다.
일 실시예에서, 상기 제 1 방전 유닛은 제 2 스위치 트랜지스터를 포함하고, 상기 제 2 방전 유닛은 제 3 스위치 트랜지스터를 포함한다.
일 실시예에서, 상기 제 1 스위치 트랜지스터, 상기 제 2 스위치 트랜지스터 및 상기 제 3 스위치 트랜지스터는 N-타입 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)들이다.
일 실시예에서, 상기 제어 회로는 제 4 스위치 트랜지스터를 포함한다. 상기 서지 검출 회로의 제 1 출력은 상기 제 2 스위치 트랜지스터의 제어 단자 및 상기 제 3 스위치 트랜지스터의 제어 단자에 연결된다. 상기 서지 검출 회로의 제 2 출력은 상기 제 4 스위치 트랜지스터의 제어 단자에 연결된다. 상기 제 4 스위치 트랜지스터의 입력은 상기 제 1 스위치 트랜지스터의 제어 단자에 연결된다. 상기 제 4 스위치 트랜지스터의 출력은 상기 제 3 스위치 트랜지스터의 제어 단자에 연결된다.
일 실시예에서, 로드 스위치 집적 회로는 차지 펌프(charge pump)를 더 포함한다. 상기 차지 펌프의 출력은 상기 제 1 스위치 트랜지스터의 제어 단자에 연결된다.
일 실시예에서, 상기 제 4 스위치 트랜지스터는 N-타입 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)이다.
전자 디바이스가 추가적으로 제공되며, 상기 전자 디바이스는 위에서 설명된 로드 스위치 집적 회로들 중 임의의 하나를 포함한다.
로드 스위치 집적 회로가 본 개시 내용에 따라 제공된다. 서지 전압이 로드 스위치 집적 회로의 입력으로 인가되는 경우에, 서지 검출 회로는 서지 에너지를 로드 스위치 집적 회로의 입력으로부터 그라운드로 방전시키기 위해 제 1 방전 유닛이 스위치 온 되도록 제어하고, 서지 에너지를 로드 스위치 집적 회로의 출력으로부터 그라운드로 방전시키기 위해 제어 회로를 통해 제 1 스위치 트랜지스터 및 제 2 방전 유닛이 스위치 온 되도록 제어한다. 즉, 기존 기술에서의 서지 에너지가 서지 보호 회로에 의해서만 방전되는 경우와 비교하여, 본 개시 내용에서는, 서지 에너지가 2개의 경로들을 통해 방전되고 견뎌야할 큰 서지 에너지가 존재하는 경우에 기존 기술에서보다 회로 영역이 더 작게 된다.
본 개시 내용의 실시예들에 따른 또는 기존 기술에 따른 기술적 해결책들이 명확해지도록, 실시예들 또는 기존 기술에 대한 설명에서 사용될 도면들이 다음과 같이 간략하게 설명된다. 다음의 설명에서의 도면들이 단지 본 개시 내용의 몇몇 실시예들을 설명하고 있음은 명백하다. 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어, 임의의 창조적인 작업없이도 이러한 도면들에 따라 다른 도면들이 획득될 수 있다.
도 1은 기존 기술에 따른 로드 스위치 집적 회로의 도식적인 구조 다이어그램이다.
도 2는 기존 기술에 따른 서지 보호 회로의 보호 효과를 보여주는 도식적인 다이어그램이다.
도 3은 본 개시 내용의 일 실시예에 따른 로드 스위치 집적 회로의 도식적인 구조 다이어그램이다.
도 4는 본 개시 내용의 일 실시예에 따른 로드 스위치 집적 회로의 전류 방전 경로를 보여주는 도식적인 다이어그램이다.
도 5는 본 개시 내용의 다른 실시예에 따른 로드 스위치 집적 회로의 도식적인 구조 다이어그램이다.
본 개시 내용의 실시예들에 따른 기술적 해결책들은 아래에서 도면들과 관련하여 명확하고 완전하게 설명된다. 설명된 실시예들이 본 개시 내용에 따른 실시예들 모두보다는 단지 몇몇 실시예들임은 명백하다. 임의의 창조적인 작업없이 본 개시 내용의 실시예들에 기초하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 획득되는 임의의 다른 실시예들은 본 개시 내용의 보호 범위 내에 있어야 한다.
기존 기술에서의 큰 회로 영역의 문제점을 해결하기 위해 본 개시 내용에 따른 로드 스위치 집적 회로가 제공된다.
도 3을 참조하면, 로드 스위치 집적 회로는 제 1 스위치 트랜지스터(M1), 서지 검출 회로(101), 제어 회로(102), 제 1 방전 유닛(103) 및 제 2 방전 유닛(104)을 포함한다.
제 1 스위치 트랜지스터(M1)의 입력, 서지 검출 회로(101)의 입력 및 제 1 방전 유닛(103)의 입력은 로드 스위치 집적 회로의 입력 IN에 연결된다.
제 1 스위치 트랜지스터(M1)의 출력 및 제 2 방전 유닛(104)의 입력은 로드 스위치 집적 회로의 출력 OUT에 연결된다.
서지 검출 회로(101)의 출력은 제 1 방전 유닛(103)의 제어 단자 및 제어 회로(102)의 입력에 연결된다.
제어 회로(102)의 출력은 제 1 스위치 트랜지스터(M1)의 제어 단자 및 제 2 방전 유닛(104)의 제어 단자에 연결된다.
제 1 방전 유닛(103)의 출력 및 제 2 방전 유닛(104)의 출력은 그라운드된다.
서지 검출 회로(101)는 서지 전압이 로드 스위치 집적 회로의 입력 IN으로 인가되는지 여부를 검출하도록 구성된다. 서지 전압이 로드 스위치 집적 회로의 입력 IN으로 인가되는 경우에, 서지 검출 회로(101)는 2개의 신호들을 출력한다. 서지 검출 회로(101)에 의해 출력되는 하나의 신호에 응답하여, 서지 에너지를 로드 스위치 집적 회로의 입력 IN으로부터 그라운드로 방전시키기 위해 제 1 방전 유닛(103)이 스위치 온 되도록 제어되며, 서지 검출 회로(101)에 의해 출력되는 다른 신호에 응답하여, 서지 에너지를 로드 스위치 집적 회로의 출력 OUT으로부터 그라운드로 방전시키기 위해 제어 회로(102)에 의해 제 1 스위치 트랜지스터(M1) 및 제 2 방전 유닛(104)이 스위치 온 되도록 제어되며, 그에 의해 2개-경로 서지 에너지 방전을 달성할 수 있다.
일 실시예에서, 도 3에 도시된 바와 같이, 제 1 방전 유닛(103)은 제 2 스위치 트랜지스터(M2)를 포함하고, 제 2 방전 유닛(104)은 제 3 스위치 트랜지스터(M3)를 포함한다.
일 실시예에서, 제 1 스위치 트랜지스터(M1), 제 2 스위치 트랜지스터(M2) 및 제 3 스위치 트랜지스터(M3)는 N-타입 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)들이며, 이들은 높은 전력 하에서 동작할 수 있다.
제 1 스위치 트랜지스터(M1)는 로드 스위치 집적 회로의 메인 스위치 트랜지스터이다. 로드 스위치 집적 회로를 스위치 온 시키도록 요구되는 경우에, 제 1 스위치 트랜지스터(M1)는 로드 스위치 집적 회로의 입력 IN을 로드 스위치 트랜지스터의 출력 OUT으로 연결시키도록 스위치 온 되며, VOUT = VIN이 된다. 로드 스위치 집적 회로는 스위치 오프 시키도록 요구되는 경우에, 제 1 스위치 트랜지스터(M1)는 스위치 오프된다.
서지 검출 회로(101)가 서지 전압이 로드 스위치 집적 회로의 입력 IN으로 인가됨을 검출하는 경우에, 제 2 스위치 트랜지스터(M2)의 게이트 Gate2의 전압을 제 2 스위치 트랜지스터(M2)를 스위치 온 시킬 수 있는 전압으로 증가시킴으로써 제 2 스위치 트랜지스터(M2)가 스위치 온 되며, 이에 의해 형성된 경로를 통해 서지 에너지가 로드 스위치 집적 회로의 입력 IN으로부터 그라운드로 방전된다. 서지 전압이 사라진 경우에, 제 2 스위치 트랜지스터(M2)의 게이트 Gate2를 그라운드로 쇼트(short)시킴으로써 제 2 스위치 트랜지스터(M2)는 스위치 오프된다. 서지 전압이 인가되지 않는 경우에 제 2 스위치 트랜지스터(M2)는 항상 스위치-오프 상태에 있기 때문에, 다른 회로들의 동작에 영향을 주지 않는다.
도 3에 도시된 구조에서, 제 2 스위치 트랜지스터(M2)에 더하여, 제 1 스위치 트랜지스터(M1) 및 제 3 스위치 트랜지스터(M3)의 협력에 의해 서지 보호 기능이 또한 달성될 수 있다. 구체적으로, 서지가 생성된 경우에, 제 2 스위치 트랜지스터(M2)는 서지 에너지를 방전시키기 위해 제 1 경로(도 4에 도시된 경로 I1)를 형성하도록 스위치 온 된다. 또한, 제 1 스위치 트랜지스터(M1)의 게이트 Gate1의 전압을 제 1 스위치 트랜지스터(M1)를 스위치 온 시킬 수 있는 전압으로 클램핑(clamping)함으로써 제 1 스위치 트랜지스터(M1)가 스위치 온 되고, 제 3 스위치 트랜지스터(M3)의 게이트 Gate3의 전압을 제 3 스위치 트랜지스터(M3)를 스위치 온 시킬 수 있는 전압으로 증가시킴으로써 제 3 스위치 트랜지스터(M3)가 스위치 온 된다. 제 1 스위치 트랜지스터(M1) 및 제 3 스위치 트랜지스터(M3)는 서지 에너지를 방전시키기 위해 제 2 경로(도 4에 도시된 경로 I2)를 형성하도록 서로에 대하여 직렬로 연결된다. 서지 전압이 인가되지 않는 경우에 제 2 스위치 트랜지스터(M2) 및 제 3 스위치 트랜지스터(M3)는 항상 스위치-오프 상태에 있기 때문에, 다른 회로들의 동작에 영향을 주지 않는다.
기존 기술에서 서지 에너지가 서지 보호 회로에 의해서만 방전되는 경우와 비교하여, 본 개시 내용의 로드 스위치 집적 회로를 이용하여 서지 에너지는 2개의 경로들을 통해 방전된다. 제 2 경로가 서지 에너지를 방전시키기 위해 추가적으로 배치되며, 그 결과 칩의 서지 보호 능력이 향상되고, 견뎌야할 큰 서지 에너지가 존재하는 경우에 기존 기술에서보다 회로 영역이 더 작아진다.
다른 제어가능한 디바이스가 특정한 방전 능력 및 작은 회로 영역을 가지는한, 방전 유닛은 또한 다른 제어가능한 디바이스에 의해 구현될 수 있으며, 이는 본 개시 내용의 보호 범위 내에 있음을 유의하도록 한다.
본 개시 내용의 다른 실시예에 따른 로드 스위치 집적 회로가 추가적으로 제공된다. 위의 실시예 및 도 3 및 4에 기초하여, 일 실시예에서, 도 5에 도시된 바와 같이, 제어 회로(102)는 제 4 스위치 트랜지스터(M4)를 포함한다.
서지 검출 회로(101)의 제 1 출력은 제 2 스위치 트랜지스터(M2)의 제어 단자 및 제 3 스위치 트랜지스터(M3)의 제어 단자에 연결된다.
서지 검출 회로(101)의 제 2 출력은 제 4 스위치 트랜지스터(M4)의 제어 단자에 연결된다.
제 4 스위치 트랜지스터(M4)의 입력은 제 1 스위치 트랜지스터(M1)의 제어 단자에 연결된다.
제 4 스위치 트랜지스터(M4)의 출력은 제 3 스위치 트랜지스터(M3)의 제어 단자에 연결된다.
일 실시예에서, 도 5에 도시된 바와 같이, 로드 스위치 집적 회로는 차지 펌프(105)를 추가적으로 포함한다. 차지 펌프(105)의 출력은 제 1 스위치 트랜지스터(M1)의 제어 단자로 연결된다.
일 실시예에서, 제 4 스위치 트랜지스터(M4)는 N-타입 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)이다.
도 5에 도시된 바와 같이, 제 1 스위치 트랜지스터(M1)를 스위치 온 시키도록 요구되는 경우에, 제 1 스위치 트랜지스터(M1)를 스위치 온 시키기 위해, 제 1 스위치 트랜지스터(M1)의 게이트 Gate1의 전압은 차지 펌프(105)에 의해 출력 OUT에서의 전압보다 높게 증가된다. 또한, 제 1 스위치 트랜지스터(M1)는 차지 펌프(105)에 의해 또한 스위치 오프될 수 있다. 제 2 스위치 트랜지스터(M2)의 게이트 및 제 3 스위치 트랜지스터(M3)의 게이트는 함께 쇼트되며, 이는 서지 검출 회로(101)에 의해 제어된다. 서지가 발생되지 않은 경우에, 제 3 스위치 트랜지스터(M3)의 게이트 Gate3는 그라운드된다. 서지가 발생된 경우에, 제 4 스위치 트랜지스터(M4)가 스위치 온 되고, 제 1 스위치 트랜지스터(M1)의 게이트 Gate1이 제 3 스위치 트랜지스터(M3)의 게이트 Gate3에 쇼트되어, 서지 검출 회로(101)의 제어 하에서 제 3 스위치 트랜지스터(M3)의 게이트 Gate3의 전압이 특정 전압(예를 들어, 5V)으로 증가한다. 이러한 경우에, 함께 서지 에너지를 방전시키기 위해 제 1 스위치 트랜지스터(M1), 제 2 스위치 트랜지스터(M2) 및 제 3 스위치 트랜지스터(M3) 모두가 스위치 온 된다. 제 1 스위치 트랜지스터(M1)의 게이트 Gate1의 전압이 낮은 전압이 되도록 클램핑되기 때문에, 서지가 생성된 경우에 출력 OUT에서의 전압은 과도하게 증가되지 않을 수 있으며, 그에 의해 서지에 기인한 손상으로부터 출력 OUT에 연결된 디바이스를 보호한다.
다른 구조들 및 원리들은 위에서의 실시예들에서 설명된 내용과 동일하므로, 여기에서 반복하지 않는다.
본 개시 내용의 다른 실시예에 따른 전자 디바이스가 추가적으로 제공되며, 상기 전자 디바이스는 위에서의 실시예들의 임의의 하나에서 설명되는 로드 스위치 집적 회로를 포함한다.
구체적으로, 전자 디바이스는 셀 폰 및 태블릿 컴퓨터과 같은 모바일 단말, 또는 다른 범용 직렬 버스(USB) 인터페이스 디바이스일 수 있으며, 여기에서 특정하게 제한되지 않는다. 위에서의 실시예에서 설명된 로드 스위치 집적 회로를 포함하는 전자 디바이스는 본 개시 내용의 보호 범위 내에 속해야 할 것이다.
본 개시 내용의 실시예들은 점진적인 방식으로 설명되고 각각의 실시예는 다른 실시예들과의 차이점에 강조를 두고 있다. 그러므로, 실시예들 간의 동일한 또는 유사한 부분들에 대하여, 다른 실시예들의 설명을 참조할 수 있다. 이러한 실시예들에 따른 디바이스에 대하여, 이러한 디바이스는 실시예들에 따른 방법에 대응한다. 그러므로, 이에 대한 설명이 간단할 수 있으며, 관련된 부분들에 대하여 방법 실시예들의 설명을 참조할 수 있다.
위에서 설명된 내용은 본 개시 내용의 단지 선호되는 실시예들이며 임의의 방식으로 본 개시 내용을 제한하도록 의도된 것이 아니다. 본 개시 내용의 선호되는 실시예들이 위에서 설명되었으나, 이들은 본 개시 내용을 제한하는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 개시 내용의 범위를 벗어남이 없이 여기에 제시된 방법들 및 기술 내용에 비추어 다양한 변형들, 변경들 및 등가물(equivalent)들이 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 개시 내용의 기술적 해결책들에 적용될 수 있다. 그러므로, 본 개시 내용의 범위를 벗어남이 없이 본 개시 내용의 기술적 본질에 따른 위의 실시예들에 대한 임의의 변형들, 변경들 및 등가물들은 본 개시 내용의 보호 범위 내에 있어야 할 것이다.

Claims (7)

  1. 로드 스위치 집적 회로로서,
    제 1 스위치 트랜지스터;
    서지(surge) 검출 회로;
    제어 회로;
    제 1 방전(discharge) 유닛; 및
    제 2 방전 유닛을 포함하며,
    상기 제 1 스위치 트랜지스터의 입력, 상기 서지 검출 회로의 입력 및 상기 제 1 방전 유닛의 입력은 상기 로드 스위치 집적 회로의 입력에 연결되고,
    상기 제 1 스위치 트랜지스터의 출력 및 상기 제 2 방전 유닛의 입력은 상기 로드 스위치 집적 회로의 출력에 연결되고,
    상기 서지 검출 회로의 출력은 상기 제 1 방전 유닛의 제어 단자 및 상기 제어 회로의 입력에 연결되고,
    상기 제어 회로의 출력은 상기 제 1 스위치 트랜지스터의 제어 단자 및 상기 제 2 방전 유닛의 제어 단자에 연결되고,
    상기 제 1 방전 유닛의 출력 및 상기 제 2 방전 유닛의 출력은 그라운드되고,
    상기 서지 검출 회로는,
    서지 전압이 상기 로드 스위치 집적 회로의 입력으로 인가되는지 여부를 검출하고,
    서지 전압이 상기 로드 스위치 집적 회로의 입력으로 인가되는 경우에, 서지 에너지를 상기 로드 스위치 집적 회로의 입력으로부터 그라운드로 방전시키기 위해 상기 제 1 방전 유닛이 스위치 온(switch on) 되도록 제어하고, 그리고
    서지 전압이 상기 로드 스위치 집적 회로의 입력으로 인가되는 경우에, 서지 에너지를 상기 로드 스위치 집적 회로의 출력으로부터 그라운드로 방전시키기 위해 상기 제어 회로를 통해 상기 제 1 스위치 트랜지스터 및 상기 제 2 방전 유닛이 스위치 온 되도록 제어하도록 구성되는,
    로드 스위치 집적 회로.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 방전 유닛은 제 2 스위치 트랜지스터를 포함하고, 상기 제 2 방전 유닛은 제 3 스위치 트랜지스터를 포함하는,
    로드 스위치 집적 회로.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 스위치 트랜지스터, 상기 제 2 스위치 트랜지스터 및 상기 제 3 스위치 트랜지스터는 N-타입 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)들인,
    로드 스위치 집적 회로.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 제어 회로는 제 4 스위치 트랜지스터를 포함하고,
    상기 서지 검출 회로의 제 1 출력은 상기 제 2 스위치 트랜지스터의 제어 단자 및 상기 제 3 스위치 트랜지스터의 제어 단자에 연결되고,
    상기 서지 검출 회로의 제 2 출력은 상기 제 4 스위치 트랜지스터의 제어 단자에 연결되고,
    상기 제 4 스위치 트랜지스터의 입력은 상기 제 1 스위치 트랜지스터의 제어 단자에 연결되고,
    상기 제 4 스위치 트랜지스터의 출력은 상기 제 3 스위치 트랜지스터의 제어 단자에 연결되는,
    로드 스위치 집적 회로.
  5. 제 4 항에 있어서,
    차지 펌프(charge pump)를 더 포함하며,
    상기 차지 펌프의 출력은 상기 제 1 스위치 트랜지스터의 제어 단자에 연결되는,
    로드 스위치 집적 회로.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 4 스위치 트랜지스터는 N-타입 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)인,
    로드 스위치 집적 회로.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 따른 로드 스위치 집적 회로를 포함하는 전자 디바이스.
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