KR101989657B1 - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101989657B1
KR101989657B1 KR1020160023460A KR20160023460A KR101989657B1 KR 101989657 B1 KR101989657 B1 KR 101989657B1 KR 1020160023460 A KR1020160023460 A KR 1020160023460A KR 20160023460 A KR20160023460 A KR 20160023460A KR 101989657 B1 KR101989657 B1 KR 101989657B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
gas
reaction gas
containing gas
gas supply
rotary table
Prior art date
Application number
KR1020160023460A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20160107105A (ko
Inventor
시게히로 미우라
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20160107105A publication Critical patent/KR20160107105A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101989657B1 publication Critical patent/KR101989657B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C16/045—Coating cavities or hollow spaces, e.g. interior of tubes; Infiltration of porous substrates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45527—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
    • C23C16/45548—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus having arrangements for gas injection at different locations of the reactor for each ALD half-reaction
    • C23C16/45551—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus having arrangements for gas injection at different locations of the reactor for each ALD half-reaction for relative movement of the substrate and the gas injectors or half-reaction reactor compartments
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45557—Pulsed pressure or control pressure
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4584—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally the substrate being rotated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02164—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon oxide, e.g. SiO2
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/02227—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process
    • H01L21/02252—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by plasma treatment, e.g. plasma oxidation of the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/02274—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/0228—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition deposition by cyclic CVD, e.g. ALD, ALE, pulsed CVD
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02299—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
    • H01L21/02312—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a gas or vapour
    • H01L21/02315—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a gas or vapour treatment by exposure to a plasma
    • H01L21/205—
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31105—Etching inorganic layers
    • H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
    • H01L21/31116—Etching inorganic layers by chemical means by dry-etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68771—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by supporting more than one semiconductor substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
    • H01L21/76802—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing by forming openings in dielectrics
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01001—Hydrogen [H]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01009—Fluorine [F]

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)

Abstract

진공 용기 내에 회전 가능하게 설치되고, 기판을 적재 가능한 회전 테이블과, 회전 테이블의 표면에 제1 반응 가스를 공급 가능한 제1 반응 가스 공급부와, 제1 반응 가스 공급부로부터 회전 테이블의 주위 방향으로 이격되어 설치되고, 회전 테이블의 표면에 제1 반응 가스와 반응하는 제2 반응 가스를 공급 가능한 제2 반응 가스 공급부와, 제1 반응 가스 공급부 및 제2 반응 가스 공급부로부터 회전 테이블의 주위 방향으로 이격되어 설치되고, 회전 테이블의 표면에 활성화된 불소 함유 가스를 공급 가능한 토출부를 포함하는 활성화 가스 공급부를 구비하고, 활성화 가스 공급부는, 토출부보다 상류측에 설치되고, 토출부에 불소 함유 가스를 공급 가능한 배관과, 배관에 설치되고, 배관의 내부에 수소 함유 가스를 공급 가능한 1개 또는 복수의 수소 함유 가스 공급부를 포함하는, 기판 처리 장치가 제공된다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 {SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}
본 발명은, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.
반도체 디바이스의 회로 패턴의 가일층의 미세화에 수반하여, 반도체 디바이스를 구성하는 다양한 막에 대해서도, 가일층의 박막화 및 균일화가 요구되고 있다. 이러한 요구에 따르는 성막 방법으로서, 제1 반응 가스를 기판에 공급하여 기판의 표면에 제1 반응 가스를 흡착시키고, 다음으로 제2 반응 가스를 기판에 공급하여 기판의 표면에 흡착한 제1 반응 가스와 제2 반응 가스를 반응시킴으로써, 반응 생성물로 구성되는 막을 기판에 퇴적하는, 이른바 분자층 퇴적(MLD: Molecular Layer Deposition)법, 또는 원자층 퇴적(ALD: Atomic Layer deposition)법이 알려져 있다(예를 들어, 일본 특허 공개 제2010-56470호 공보 참조).
이러한 성막 방법에 의하면, 반응 가스가 (준)자기 포화적으로 기판의 표면에 흡착할 수 있으므로, 높은 막 두께 제어성, 우수한 균일성, 및 우수한 매립 특성을 실현할 수 있다.
그러나, 회로 패턴의 미세화에 수반하여, 예를 들어 트렌치 소자 분리 구조에 있어서의 트렌치는, 라인·스페이스·패턴에 있어서의 스페이스의 어스펙트비가 커짐에 따라, MLD법이나 ALD법에 있어서도, 트렌치나 스페이스를 매립하는 것이 곤란한 경우가 있다.
예를 들어, 30㎚ 정도의 폭을 갖는 스페이스를 산화 실리콘막으로 매립하려고 하면, 좁은 스페이스의 저부에 반응 가스가 진입하기 어려우므로, 스페이스를 구획 형성하는 라인 측벽의 상단부 근방에서의 막 두께가 두꺼워지고, 저부측에서 막 두께가 얇아지는 경향이 있다. 그로 인해, 스페이스에 매립된 산화 실리콘막에는 보이드가 발생하는 경우가 있다. 그러한 산화 실리콘막이, 예를 들어 후속의 에칭 공정에 있어서 에칭되면, 산화 실리콘막의 상면에, 보이드와 연통되는 개구가 형성되는 경우가 있다. 그렇게 하면, 그러한 개구로부터 보이드에 에칭 가스(또는 에칭액)가 진입하여 오염이 발생하거나, 또는 이후의 금속화 시에 보이드 중에 금속이 들어가, 결함이 발생하거나 할 우려가 있다.
이러한 문제는, MLD법이나 ALD법에 한정되지 않고, 화학적 기상 퇴적(CVD: Chemical Vapor Deposition)법에 있어서도 발생할 수 있다. 예를 들어, 반도체 기판에 형성되는 접속 구멍을 도전성 물질의 막으로 매립하여, 도전성의 접속 구멍(이른바, 플러그)을 형성할 때, 플러그 중에 보이드가 형성되어 버리는 경우가 있다. 이것을 억제하기 위해, 접속 구멍을 도전성 물질로 매립할 때, 접속 구멍의 상부에 형성되는 도전성 물질의 오버행 형상부를 에치백에 의해 제거하는 공정을 반복하여 행함으로써, 보이드가 억제된 도전성 접속 구멍을 형성하는 방법이 제안되어 있다(예를 들어, 일본 특허 공개 제2003-142484호 공보 참조).
그러나, 일본 특허 공개 제2003-142484호 공보에 기재된 방법에 있어서는, 도전성 물질의 막의 성막과 에치백을 서로 다른 장치에서 행할 필요가 있어, 장치 사이에서의 기판의 반송이나, 각 장치 내에서의 처리 조건의 안정화에 시간을 필요로 하므로, 스루풋을 향상시킬 수 없다고 하는 문제가 있었다.
또한, 이러한 일본 특허 공개 제2003-142484호 공보에 기재된 문제를 해결하기 위해, 기판의 표면에 형성되는 오목 형상 패턴에서의 보이드의 발생을 저감시키면서, 높은 스루풋으로 매립하는 것이 가능한 성막 장치 및 성막 방법으로서, 기판이 적재되는 회전 테이블과, 회전 테이블의 기판 적재면에 대해 성막용의 제1 및 제2 반응 가스를 공급 가능한 제1 및 제2 반응 가스 공급부와, 제1 및 제2 반응 가스가 서로 반응하여 생성된 반응 생성물을 개질하는 개질 가스 및 에칭하는 에칭 가스를 활성화하여 공급하는 활성화 가스 공급부를 포함하는 성막 장치를 사용하여, 동일 처리실 내에서 회전 테이블의 회전에 의해 성막, 개질 및 에칭을 차례로 반복하는 성막 방법이 제안되어 있다(예를 들어, 일본 특허 공개 제2012-209394호 공보 참조).
그러나, 상술한 일본 특허 공개 제2012-209394호 공보에 기재된 성막 방법에서는, 기판 면 내에서의 에칭량 분포를 충분히 제어할 수 없어, 기판 면 내의 에칭균일성을 확보하는 것이 곤란하였다.
본 발명의 하나의 안으로서는, 기판 면 내에서의 에칭량 분포를 제어하는 것이 가능한 기판 처리 장치를 제공한다.
본 발명의 하나의 실시 형태에서는, 진공 용기 내에 회전 가능하게 설치되고, 기판을 적재 가능한 회전 테이블과, 상기 회전 테이블의 표면에 제1 반응 가스를 공급 가능한 제1 반응 가스 공급부와, 상기 제1 반응 가스 공급부로부터 상기 회전 테이블의 주위 방향으로 이격되어 설치되고, 상기 회전 테이블의 표면에 상기 제1 반응 가스와 반응하는 제2 반응 가스를 공급 가능한 제2 반응 가스 공급부와, 상기 제1 반응 가스 공급부 및 상기 제2 반응 가스 공급부로부터 상기 회전 테이블의 주위 방향으로 이격되어 설치되고, 상기 회전 테이블의 표면에 활성화된 불소 함유 가스를 공급 가능한 토출부를 포함하는 활성화 가스 공급부를 구비하고, 상기 활성화 가스 공급부는, 상기 토출부보다 상류측에 설치되고, 상기 토출부에 상기 불소 함유 가스를 공급 가능한 배관과, 상기 배관에 설치되고, 상기 배관의 내부에 수소 함유 가스를 공급 가능한 1개 또는 복수의 수소 함유 가스 공급부를 포함하는, 기판 처리 장치가 제공된다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 관한 기판 처리 장치의 개략 단면도.
도 2는 본 발명의 일 실시 형태에 관한 기판 처리 장치의 개략 평면도.
도 3은 본 발명의 일 실시 형태에 관한 기판 처리 장치에 있어서의 분리 영역을 설명하기 위한 일부 단면도.
도 4는 본 발명의 일 실시 형태에 관한 기판 처리 장치의 다른 단면을 도시하는 일부 단면도.
도 5는 본 발명의 일 실시 형태에 관한 기판 처리 장치에 있어서의 제3 처리 영역을 설명하기 위한 일부 단면도.
도 6은 본 발명의 일 실시 형태에 관한 기판 처리 장치의 수소 함유 가스 공급부를 설명하기 위한 개략 사시도.
도 7은 본 발명의 일 실시 형태에 관한 기판 처리 장치의 수소 함유 가스 공급부를 설명하기 위한 다른 개략 사시도.
도 8a-8b는 에칭 공정에 있어서의 활성화 가스 공급부의 내부의 기류 속도의 시뮬레이션 결과를 나타내는 도면.
도 9a-9c는 웨이퍼 면 내의 에칭량의 측정 결과를 나타내는 도면.
이하, 본 발명의 실시 형태에 대해 첨부한 도면을 참조하면서 설명한다. 또한, 본 명세서 및 도면에 있어서, 실질적으로 동일한 기능 구성을 갖는 구성 요소에 대해서는, 동일한 번호를 부여함으로써 중복된 설명을 생략한다.
(기판 처리 장치의 구성)
본 발명의 일 실시 형태에 관한 기판 처리 장치에 대해 설명한다. 도 1은, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 기판 처리 장치의 개략 단면도이다. 도 2는, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 기판 처리 장치의 개략 평면도이다. 도 3은, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 기판 처리 장치에 있어서의 분리 영역을 설명하기 위한 일부 단면도이다. 도 4는, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 기판 처리 장치의 다른 단면을 도시하는 일부 단면도이다.
본 발명의 일 실시 형태에 관한 기판 처리 장치는, 도 1 및 도 2에 도시하는 바와 같이, 대략 원형의 평면 형상을 갖는 편평한 진공 용기(1)와, 이 진공 용기(1) 내에 설치되고, 진공 용기(1)의 중심에 회전 중심을 갖는 회전 테이블(2)을 구비하고 있다.
진공 용기(1)는, 바닥이 있는 원통 형상을 갖는 용기 본체(12)와, 용기 본체(12)의 상면에 대해 예를 들어 O링 등의 시일 부재(13)를 통해 기밀하게 착탈 가능하게 배치되는 천장판(11)을 갖고 있다.
회전 테이블(2)은, 중심부에서 원통 형상의 코어부(21)에 고정되고, 이 코어부(21)는, 연직 방향으로 신장되는 회전 축(22)의 상단부에 고정되어 있다. 회전 축(22)은, 진공 용기(1)의 저부(14)를 관통하고, 그 하단부가 회전 축(22)을 연직축 주위로 회전시키는 구동부(23)에 장착되어 있다. 회전 축(22) 및 구동부(23)는, 상면이 개구된 통 형상의 케이스체(20) 내에 수납되어 있다. 이 케이스체(20)는 그 상면에 설치된 플랜지 부분이 진공 용기(1)의 저부(14)의 하면에 기밀하게 장착되어 있어, 케이스체(20)의 내부 분위기와 외부 분위기의 기밀 상태가 유지되어 있다.
회전 테이블(2)의 표면에는, 도 2에 도시하는 바와 같이, 회전 방향(주위 방향)을 따라 복수(도시예에서는, 5매)의 기판인 반도체 웨이퍼(이하 「웨이퍼(W)」라고 함)를 적재 가능한 원 형상의 오목부(24)가 설치되어 있다. 또한, 도 2에서는, 편의상, 1개의 오목부(24)에만 웨이퍼(W)를 나타낸다. 이 오목부(24)는, 웨이퍼(W)의 직경(예를 들어, 300㎜)보다 약간(예를 들어, 4㎜) 큰 내경과, 웨이퍼(W)의 두께와 거의 동등한 깊이를 갖고 있다. 따라서, 웨이퍼(W)를 오목부(24)에 적재하면, 웨이퍼(W)의 표면과 회전 테이블(2)의 표면(웨이퍼(W)가 적재되지 않는 영역)이 동일한 높이가 된다. 오목부(24)의 저면에는, 웨이퍼(W)의 이면을 지지하여 웨이퍼(W)를 승강시키기 위한 예를 들어 3개의 승강 핀이 관통하는 관통 구멍(모두 도시하지 않음)이 형성되어 있다.
회전 테이블(2)의 상방에는, 도 2에 도시하는 바와 같이, 반응 가스 노즐(31, 32), 분리 가스 노즐(41, 42) 및 활성화 가스 공급부(90)가 배치되어 있다. 도시예에서는, 진공 용기(1)의 주위 방향으로 간격을 두고, 반송구(15)(후술)로부터 시계 방향(회전 테이블(2)의 회전 방향)으로, 활성화 가스 공급부(90), 분리 가스 노즐(41), 반응 가스 노즐(31), 분리 가스 노즐(42) 및 반응 가스 노즐(32)의 순으로 배열되어 있다. 또한, 반응 가스 노즐(31)은 제1 반응 가스 공급부의 일례이고, 반응 가스 노즐(32)은 제2 반응 가스 공급부의 일례이다.
반응 가스 노즐(31, 32)은, 각각의 기단부인 가스 도입 포트(31a, 32a)가 용기 본체(12)의 외주벽에 고정되고, 진공 용기(1)의 외주벽으로부터 진공 용기(1) 내에 도입되어 있다. 그리고, 용기 본체(12)의 반경 방향을 따라 회전 테이블(2)에 대해 반응 가스 노즐(31, 32)이 평행하게 신장되도록 장착되어 있다.
분리 가스 노즐(41, 42)은, 각각의 기단부인 가스 도입 포트(41a, 42a)가 용기 본체(12)의 외주벽에 고정되고, 진공 용기(1)의 외주벽으로부터 진공 용기(1) 내에 도입되어 있다. 그리고, 용기 본체(12)의 반경 방향을 따라 회전 테이블(2)에 대해 분리 가스 노즐(41, 42)이 평행하게 신장되도록 장착되어 있다.
활성화 가스 공급부(90)에 대해서는 후술한다.
반응 가스 노즐(31)은, 예를 들어 석영으로 이루어지고, 도시하지 않은 배관 및 유량 조정기 등을 통해 제1 반응 가스로서의 Si(실리콘) 함유 가스의 공급원(도시하지 않음)에 접속되어 있다. 반응 가스 노즐(32)은, 예를 들어 석영으로 이루어지고, 도시하지 않은 배관 및 유량 조정기 등을 통해, 제2 반응 가스로서의 산화 가스의 공급원(도시하지 않음)에 접속되어 있다. 분리 가스 노즐(41, 42)은, 모두 도시하지 않은 배관 및 유량 조정 밸브 등을 통해, 분리 가스의 공급원(도시하지 않음)에 접속되어 있다.
Si 함유 가스로서는, 예를 들어 유기 아미노실란 가스를 사용할 수 있고, 산화 가스로서는, 예를 들어 O3(오존) 가스, O2(산소) 가스를 사용할 수 있다. 분리 가스로서는, 예를 들어 N2(질소) 가스, Ar(아르곤) 가스를 사용할 수 있다.
반응 가스 노즐(31, 32)에는, 회전 테이블(2)을 향해 개구되는 복수의 가스 토출 구멍(33)(도 3 참조)이, 반응 가스 노즐(31, 32)의 길이 방향을 따라, 예를 들어 10㎜의 간격으로 배열되어 있다. 반응 가스 노즐(31)의 하방 영역은, Si 함유 가스를 웨이퍼(W)에 흡착시키기 위한 제1 처리 영역(P1)이 된다. 반응 가스 노즐(32)의 하방 영역은, 제1 처리 영역(P1)에 있어서 웨이퍼(W)에 흡착된 Si 함유 가스를 산화시킬 때 제2 처리 영역(P2)이 된다.
도 2를 참조하면, 분리 가스 노즐(41, 42)과 함께 분리 영역(D)을 구성하는, 천장판(11)의 이면으로부터 회전 테이블(2)을 향해 돌출되는 볼록 형상부(4)가 진공 용기(1)에 설치되어 있다. 볼록 형상부(4)는, 정상부가 원호 형상으로 절단된 부채형의 평면 형상을 갖고, 본 실시 형태에 있어서는, 내원호가 돌출부(5)(후술)에 연결되고, 외원호가 진공 용기(1)의 용기 본체(12)의 내주면을 따르도록 배치되어 있다.
도 3은, 반응 가스 노즐(31)로부터 반응 가스 노즐(32)까지 회전 테이블(2)의 동심원을 따른 진공 용기(1)의 단면을 도시하고 있다. 도 3에 도시하는 바와 같이, 진공 용기(1) 내에는, 볼록 형상부(4)에 의해, 볼록 형상부(4)의 하면인 평탄한 낮은 제1 천장면(44)과, 이 제1 천장면(44)의 주위 방향 양측에 위치하는, 제1 천장면(44)보다 높은 제2 천장면(45)이 존재한다.
제1 천장면(44)은, 정상부가 원호 형상으로 절단된 부채형의 평면 형상을 갖고 있다. 또한, 도시한 바와 같이, 볼록 형상부(4)에는 주위 방향 중앙에 있어서, 반경 방향으로 신장되도록 형성된 홈부(43)가 형성되고, 분리 가스 노즐(42)이 홈부(43) 내에 수용되어 있다. 다른 하나의 볼록 형상부(4)에도 마찬가지로 홈부(43)가 형성되고, 이 홈부(43) 내에 분리 가스 노즐(41)이 수용되어 있다. 또한, 높은 제2 천장면(45)의 하방 공간에 반응 가스 노즐(31, 32)이 각각 설치되어 있다. 이들 반응 가스 노즐(31, 32)은, 제2 천장면(45)으로부터 이격되어 웨이퍼(W)의 근방에 설치되어 있다. 또한, 설명의 편의상, 도 3에 도시하는 바와 같이, 반응 가스 노즐(31)이 설치되는, 높은 제2 천장면(45)의 하방의 공간을 공간(481)으로 하고, 반응 가스 노즐(32)이 설치되는, 높은 제2 천장면(45)의 하방의 공간을 공간(482)으로 한다.
제1 천장면(44)은, 회전 테이블(2)에 대해, 협애한 공간인 분리 공간(H)을 형성하고 있다. 분리 공간(H)은, 제1 영역(P1)으로부터의 Si 함유 가스와, 제2 영역(P2)으로부터의 산화 가스를 분리할 수 있다. 구체적으로는, 분리 가스 노즐(42)로부터 N2 가스를 토출하면, N2 가스는, 분리 공간(H)을 통해 공간(481) 및 공간(482)을 향해 흐른다. 이때, 공간(481 및 482)에 비해 용적이 작은 분리 공간(H)을 N2 가스가 흐르므로, 분리 공간(H)의 압력은 공간(481 및 482)의 압력에 비해 높게 할 수 있다. 즉, 공간(481과 482)의 사이에 압력 장벽이 형성된다. 또한, 분리 공간(H)으로부터 공간(481 및 482)으로 흘러나오는 N2 가스가, 제1 영역(P1)으로부터의 Si 함유 가스와, 제2 영역(P2)으로부터의 산화 가스에 대한 카운터 플로우로서 작용한다. 따라서, Si 함유 가스도 산화 가스도 분리 공간(H)으로는 거의 유입될 수 없다. 따라서, 진공 용기(1) 내에 있어서 Si 함유 가스와 산화 가스가 혼합하고, 반응하는 것이 억제된다.
한편, 천장판(11)의 하면에는, 도 2에 도시하는 바와 같이, 회전 테이블(2)을 고정하는 코어부(21)의 외주를 둘러싸는 돌출부(5)가 설치되어 있다. 이 돌출부(5)는, 본 실시 형태에 있어서는, 볼록 형상부(4)에 있어서의 회전 중심 측의 부위와 연속되어 있고, 그 하면이 제1 천장면(44)과 동일한 높이로 형성되어 있다.
또한, 도 2에 있어서는, 설명의 편의상, 제2 천장면(45)보다 낮고, 또한 분리 가스 노즐(41, 42)보다 높은 위치에서 용기 본체(12)가 절단되어 있도록, 용기 본체(12) 및 그 내부를 나타내고 있다.
앞서 참조한 도 1은, 도 2의 I-Ｉ'선을 따른 단면도이며, 제2 천장면(45)이 설치되어 있는 영역을 도시하고 있는 한편, 도 4는 제1 천장면(44)이 설치되어 있는 영역을 도시하는 단면도이다.
도 4에 도시하는 바와 같이, 부채형의 볼록 형상부(4)의 주연부(진공 용기(1)의 외연 측의 부위)에는, 회전 테이블(2)의 외측 단부면에 대향하도록 L자형으로 굴곡되는 굴곡부(46)가 형성되어 있다. 이 굴곡부(46)는, 볼록 형상부(4)와 마찬가지로, 분리 영역(D)의 양측으로부터 반응 가스가 침입하는 것을 억제하여, 양 반응 가스의 혼합을 억제한다. 부채형의 볼록 형상부(4)는, 천장판(11)에 설치되고, 천장판(11)이 용기 본체(12)로부터 제거할 수 있도록 되어 있으므로, 굴곡부(46)의 외주면과 용기 본체(12)의 사이에는 근소하게 간극이 있다. 굴곡부(46)의 내주면과 회전 테이블(2)의 외측 단부면의 간극 및 굴곡부(46)의 외주면과 용기 본체(12)의 간극은, 예를 들어 회전 테이블(2)의 표면에 대한 제1 천장면(44)의 높이와 마찬가지의 치수로 설정되어 있다.
용기 본체(12)의 내주벽은, 분리 영역(D)에 있어서는 도 4에 도시하는 바와 같이 굴곡부(46)의 외주면과 접근하여 수직면으로 형성되어 있지만, 분리 영역(D) 이외에 있어서는 도 1에 도시하는 바와 같이, 예를 들어 회전 테이블(2)의 외측 단부면과 대향하는 부위로부터 저부(14)에 걸쳐 외측으로 오목하게 되어 있다. 이하, 설명의 편의상, 직사각형의 단면 형상을 갖는, 이 오목하게 들어간 부분을 배기 영역(E)이라고 기재한다. 더욱 구체적으로는, 도 2에 도시하는 바와 같이, 제1 처리 영역(P1)에 연통되는 배기 영역(E)을 제1 배기 영역(E1)이라고 기재하고, 제2 처리 영역(P2)에 연통되는 배기 영역(E)을 제2 배기 영역(E2)이라고 기재한다. 이들 제1 배기 영역(E1) 및 제2 배기 영역(E2)의 저부에는, 각각, 제1 배기구(61) 및 제2 배기구(62)가 형성되어 있다. 제1 배기구(61) 및 제2 배기구(62)는, 도 1에 도시하는 바와 같이, 각각, 배기관(63)을 통해 진공 배기 수단인, 예를 들어 진공 펌프(64)에 접속되어 있다. 또한, 배기관(63)에는, 압력 조정 수단(65)이 설치되어 있다.
회전 테이블(2)과 진공 용기(1)의 저부(14) 사이의 공간에는, 도 1 및 도 4에 도시하는 바와 같이 가열 수단인 히터 유닛(7)을 설치할 수 있고, 회전 테이블(2)을 통해 회전 테이블(2) 상의 웨이퍼(W)를, 프로세스 레시피에서 정해진 온도로 가열할 수 있다. 회전 테이블(2)의 주연 부근의 하방측에는, 회전 테이블(2)의 하방 영역으로의 가스의 침입을 억제하기 위해, 링 형상의 커버 부재(71)가 설치되어 있다. 커버 부재(71)는, 회전 테이블(2)의 상방 공간으로부터 배기 영역(E1, E2)에 이를 때까지의 분위기와 히터 유닛(7)이 배치되어 있는 분위기를 구획하고 있다.
이 커버 부재(71)는, 회전 테이블(2)의 외연부 및 외연부보다 외주 측을 하방측으로부터 면하도록 설치된 내측 부재(71a)와, 이 내측 부재(71a)와 진공 용기(1)의 내벽면 사이에 설치된 외측 부재(71b)를 구비하고 있다. 외측 부재(71b)는, 분리 영역(D)에 있어서 볼록 형상부(4)의 외연부에 형성된 굴곡부(46)의 하방에서, 굴곡부(46)와 근접하여 설치되어 있다. 내측 부재(71a)는, 회전 테이블(2)의 외연부 하방(및 외연부보다 약간 외측의 부분의 하방)에 있어서, 히터 유닛(7)을 전체 주위에 걸쳐 둘러싸고 있다.
히터 유닛(7)이 배치되어 있는 공간보다 회전 중심 측의 부위에 있어서의 저부(14)는, 회전 테이블(2)의 하면의 중심부 부근에 있어서의 코어부(21)에 접근하도록 상방측으로 돌출되어 돌출부(12a)를 이루고 있다. 이 돌출부(12a)와 코어부(21)의 사이는 좁은 공간으로 되어 있고, 또한 저부(14)를 관통하는 회전 축(22)의 관통 구멍의 내주면과 회전 축(22)의 간극이 좁게 되어 있고, 이들 좁은 공간은 케이스체(20)에 연통되어 있다. 그리고, 케이스체(20)에는 퍼지 가스인 N2 가스를 좁은 공간 내에 공급하여 퍼지하기 위한 퍼지 가스 공급관(72)이 설치되어 있다.
또한, 진공 용기(1)의 저부(14)에는, 히터 유닛(7)의 하방에 있어서 주위 방향으로 소정의 각도 간격으로, 히터 유닛(7)의 배치 공간을 퍼지하기 위한 복수의 퍼지 가스 공급관(73)이 설치되어 있다(도 4에는 하나의 퍼지 가스 공급관(73)을 나타냄). 또한, 히터 유닛(7)과 회전 테이블(2)의 사이에는, 히터 유닛(7)이 설치된 영역으로의 가스의 침입을 억제하기 위해, 외측 부재(71b)의 내주벽(내측 부재(71a)의 상면)으로부터 돌출부(12a)의 상단부와의 사이를 주위 방향에 걸쳐 덮는 덮개 부재(7a)가 설치되어 있다. 덮개 부재(7a)는 예를 들어 석영으로 제작할 수 있다.
또한, 진공 용기(1)의 천장판(11)의 중심부에는 분리 가스 공급관(51)이 접속되어 있고, 천장판(11)과 코어부(21) 사이의 공간(52)에 분리 가스인 N2 가스를 공급하도록 구성되어 있다. 이 공간(52)에 공급된 분리 가스는, 돌출부(5)와 회전 테이블(2)의 좁은 공간(50)을 통해 회전 테이블(2)의 웨이퍼 적재 영역측의 표면을 따라 주연을 향해 토출된다. 공간(50)은 분리 가스에 의해 공간(481) 및 공간(482)보다 높은 압력으로 유지될 수 있다. 따라서, 공간(50)에 의해, 제1 처리 영역(P1)에 공급되는 Si 함유 가스와 제2 처리 영역(P2)에 공급되는 산화 가스가, 중심 영역(C)을 통과하여 혼합되는 것이 억제된다. 즉, 공간(50)(또는 중심 영역(C))은 분리 공간(H)(또는 분리 영역(D))과 마찬가지로 기능할 수 있다.
또한, 진공 용기(1)의 측벽에는, 도 2에 도시하는 바와 같이, 외부의 반송 아암(10)과 회전 테이블(2) 사이에서 기판인 웨이퍼(W)의 수수를 행하기 위한 반송구(15)가 형성되어 있다. 이 반송구(15)는, 도시하지 않은 게이트 밸브에 의해 개폐된다. 또한, 회전 테이블(2)에 있어서의 웨이퍼 적재 영역인 오목부(24)에서는, 이 반송구(15)에 면하는 위치에서 반송 아암(10)과의 사이에서 웨이퍼(W)의 수수가 행해진다. 이로 인해, 회전 테이블(2)의 하방측에 있어서 수수 위치에 대응하는 부위에, 오목부(24)를 관통하여 웨이퍼(W)를 이면으로부터 들어올리기 위한 수수용 승강 핀 및 그 승강 기구(모두 도시하지 않음)가 설치되어 있다.
다음으로, 도 2 및 도 5 내지 도 7을 참조하면서, 활성화 가스 공급부(90)에 대해 설명한다. 도 5는, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 기판 처리 장치에 있어서의 제3 처리 영역(P3)을 설명하기 위한 일부 단면도이다. 도 6 및 도 7은, 발명의 일 실시 형태에 관한 기판 처리 장치의 수소 함유 가스 공급부(96)를 설명하기 위한 개략 사시도이다.
활성화 가스 공급부(90)는, 웨이퍼(W) 상에 성막된 막에 대해 활성화된 불소 함유 가스를 공급하고, 그 막을 에칭한다. 활성화 가스 공급부(90)는, 도 2 및 도 5에 도시하는 바와 같이, 플라즈마 생성부(91)와, 에칭 가스 공급관(92)과, 샤워 헤드부(93)와, 배관(94)과, 수소 함유 가스 공급부(96)를 구비하고 있다. 또한, 샤워 헤드부(93)는 토출부의 일례이다.
플라즈마 생성부(91)는, 에칭 가스 공급관(92)으로부터 공급된 불소 함유 가스를 플라즈마원에 의해 활성화한다. 플라즈마원으로서는, 불소 함유 가스를 활성화함으로써 F(불소) 라디칼을 생성 가능하면, 특별히 한정되는 것은 아니다. 플라즈마원으로서는, 예를 들어 유도 결합형 플라즈마(ICP: Inductively Coupled Plasma), 용량 결합형 플라즈마(CCP: Capacitively Coupled Plasma), 표면파 플라즈마(SWP: Surface Wave Plasma)를 사용할 수 있다.
에칭 가스 공급관(92)은, 그 일단부가 플라즈마 생성부(91)와 접속되어 있고, 플라즈마 생성부(91)에 불소 함유 가스를 공급한다. 에칭 가스 공급관(92)의 타단부는, 예를 들어 개폐 밸브 및 유량 조정기를 통해 불소 함유 가스가 저류된 에칭 가스 공급원과 접속되어 있다. 불소 함유 가스로서는, 웨이퍼(W)에 성막된 막을 에칭 가능한 가스를 사용할 수 있다. 구체적으로는, CHF3(트리플루오로메탄) 등의 히드로플루오로카본, CF4(사불화탄소) 등의 플루오로카본 등, 산화실리콘막을 에칭하는 불소 함유 가스 등을 사용할 수 있다. 또한, 이들 불소 함유 가스에, Ar 가스, O2 가스 등을 적절하게 첨가할 수 있다.
샤워 헤드부(93)는, 배관(94)을 통해 플라즈마 생성부(91)와 접속되어 있고, 플라즈마 생성부(91)에서 활성화된 불소 함유 가스를 진공 용기(1) 내에 공급하는 부분이다. 샤워 헤드부(93)는, 부채형의 평면 형상을 갖고, 부채형의 평면 형상의 외연을 따르도록 형성된 압박 부재(95)에 의해 하방측을 향해 주위 방향에 걸쳐 압박된다. 또한, 압박 부재(95)가 도시하지 않은 볼트 등에 의해 천장판(11)에 고정됨으로써, 진공 용기(1)의 내부 분위기가 기밀 상태가 된다. 천장판(11)에 고정되었을 때의 샤워 헤드부(93)의 하면과 회전 테이블(2)의 상면의 간격은, 예를 들어 0.5㎜ 내지 5㎜ 정도로 할 수 있고, 이 샤워 헤드부(93)의 하방 영역이, 예를 들어 실리콘 산화막을 에칭하기 위한 제3 처리 영역(P3)이 된다. 이에 의해, 샤워 헤드부(93)를 통해 진공 용기(1) 내에 공급되는 활성화된 불소 함유 가스에 포함되는 F 라디칼이 효율적으로 웨이퍼(W)에 성막된 막과 반응한다.
샤워 헤드부(93)에는, 회전 테이블(2)의 각속도의 차이에 대응하여 회전 중심 측에서 적고, 외주 측에서 많아지도록 복수의 가스 토출 구멍(93a)이 형성되어 있다. 복수의 가스 토출 구멍(93a)의 개수로서는, 예를 들어 수십∼수백 개로 할 수 있다. 또한, 복수의 가스 토출 구멍(93a)의 직경으로서는, 예를 들어 0.5㎜ 내지 3㎜ 정도로 할 수 있다. 샤워 헤드부(93)에 공급된 활성화된 불소 함유 가스는, 가스 토출 구멍(93a)을 통과하여 회전 테이블(2)과 샤워 헤드부(93) 사이의 공간에 공급된다.
배관(94)은, 샤워 헤드부(93)의 상류측에 설치되고, 플라즈마 생성부(91)와 샤워 헤드부(93)를 접속한다. 회전 테이블(2)의 반경 방향에 있어서의 배관(94)의 외주 측에는, 수소 함유 가스 공급부(96)가 설치되어 있다.
수소 함유 가스 공급부(96)는, 그 일단부가 배관(94)과 접속되어 있고, 배관(94)의 내부에 수소 함유 가스를 공급한다. 수소 함유 가스 공급부(96)의 타단부는, 예를 들어 개폐 밸브 및 유량 조정기를 통해 수소 함유 가스 공급원과 접속되어 있다.
또한, 수소 함유 가스 공급부(96)는, 플라즈마 생성부(91)보다 샤워 헤드부(93)에 가까운 위치에 설치되어 있는 것이 바람직하다. 이에 의해, 배관(94)의 내부에 공급되는 수소 함유 가스가 플라즈마 생성부(91)로 역류하는 것을 억제할 수 있다. 이로 인해, 플라즈마 생성부(91)에 있어서 H2 플라즈마가 발생하는 것을 억제할 수 있다. 결과적으로, 플라즈마 생성부(91)를 구성하는 금속에 의한 오염(콘태미네이션)의 억제나 플라즈마 생성부(91)를 구성하는 기기의 수명의 향상을 도모할 수 있다. 또한, 회전 테이블(2)의 중심 측에 공급되는 수소 함유 가스의 유량과, 회전 테이블(2)의 외주 측에 공급되는 수소 함유 가스의 유량 사이에, 용이하게 유량 차를 설정할 수 있다.
수소 함유 가스로서는, 예를 들어 H2(수소) 가스와 Ar 가스의 혼합 가스(이하 「H2/Ar 가스」라고 함)를 사용할 수 있다. 또한, H2 가스의 공급 유량으로서는, 예를 들어 1sccm 이상 50sccm 이하로 할 수 있고, Ar 가스의 공급 유량으로서는, 예를 들어 500sccm 이상 10slm 이하로 할 수 있다.
또한, 도 5 및 도 6의 예에서는, 하나의 수소 함유 가스 공급부(96)가 회전 테이블(2)의 반경 방향에 있어서의 배관(94)의 외주 측에 설치되어 있지만, 본 발명은 이 점에 있어서 한정되는 것은 아니다. 수소 함유 가스 공급부(96)는, 예를 들어 도 7에 도시하는 바와 같이, 회전 테이블(2)의 회전 방향에 있어서의 배관(94)의 전방 또는 후방에 설치되어 있어도 된다. 또한, 배관(94)에 복수의 수소 함유 가스 공급부(96)가 설치되어 있어도 된다.
또한, 기판 처리 장치에는, 장치 전체의 동작의 컨트롤을 행하기 위한 컴퓨터로 이루어지는 제어부(100)가 설치되어 있다. 이 제어부(100)의 메모리 내에는, 제어부(100)의 제어하에, 후술하는 기판 처리 방법을 기판 처리 장치에 실시하게 하는 프로그램이 저장되어 있다. 이 프로그램은 후술하는 장치의 동작을 실행하도록 스텝 군이 짜여져 있고, 하드 디스크, 콤팩트 디스크, 광자기 디스크, 메모리 카드, 플렉시블 디스크 등의 기억부(101)로부터 제어부(100) 내에 인스톨된다.
(기판 처리 방법)
본 발명의 일 실시 형태에 관한 기판 처리 장치를 사용한 기판 처리 방법의 일례에 대해 설명한다. 이하에서는, 웨이퍼(W) 상에 형성된 오목 형상 패턴 중 하나인 비아 내에 SiO2막을 형성하는 방법을 예로서 설명한다. 또한, 제1 반응 가스로서 Si 함유 가스, 제2 반응 가스로서 산화 가스, 불소 함유 가스로서 CF4와 Ar 가스와 O2 가스의 혼합 가스(이하 「CF4/Ar/O2 가스」라고 함)를 사용하는 경우를 예로서 설명한다.
먼저, 도시하지 않은 게이트 밸브를 개방하고, 도 2에 도시하는 바와 같이, 외부로부터 반송 아암(10)에 의해 반송구(15)를 통해 웨이퍼(W)를 회전 테이블(2)의 오목부(24) 내에 수수한다. 이 수수는, 오목부(24)가 반송구(15)에 면하는 위치에 정지하였을 때에 오목부(24)의 저면의 관통 구멍을 통해 진공 용기(1)의 저부측으로부터 도시하지 않은 승강 핀이 승강함으로써 행해진다. 이러한 웨이퍼(W)의 수수를, 회전 테이블(2)을 간헐적으로 회전시켜 행하여, 회전 테이블(2)의 5개의 오목부(24) 내에 각각 웨이퍼(W)를 적재한다.
계속해서 게이트 밸브를 폐쇄하고, 진공 펌프(64)에 의해 진공 용기(1) 내를 진공화 상태로 한 후, 분리 가스 노즐(41, 42)로부터 분리 가스인 N2 가스를 소정의 유량으로 토출하고, 분리 가스 공급관(51) 및 퍼지 가스 공급관(72, 73)으로부터 N2 가스를 소정의 유량으로 토출한다. 이것에 수반하여, 압력 조정 수단(65)에 의해 진공 용기(1) 내를 미리 설정한 처리 압력으로 조정한다. 이어서, 회전 테이블(2)을 시계 방향으로 예를 들어 60rpm의 회전 속도로 회전시키면서 히터 유닛(7)에 의해 웨이퍼(W)를 예를 들어 450℃로 가열한다.
다음으로, 성막 공정을 실행한다. 성막 공정에서는, 반응 가스 노즐(31)로부터는 Si 함유 가스를 공급하고, 반응 가스 노즐(32)로부터는 산화 가스를 공급한다. 또한, 활성화 가스 공급부(90)로부터는, 아무 가스도 공급하지 않는다.
웨이퍼(W)가 제1 처리 영역(P1)을 통과하였을 때, 원료 가스인 Si 함유 가스가 반응 가스 노즐(31)로부터 공급되어 웨이퍼(W)의 표면에 흡착한다. 표면에 Si 함유 가스가 흡착한 웨이퍼(W)는, 회전 테이블(2)의 회전에 의해 분리 가스 노즐(42)을 갖는 분리 영역(D)을 통과하여 퍼지된 후, 제2 처리 영역(P2)으로 들어간다. 제2 처리 영역(P2)에서는, 반응 가스 노즐(32)로부터 산화 가스가 공급되고, Si 함유 가스에 포함되는 Si 성분이 산화 가스에 의해 산화되어, 반응 생성물인 SiO2가 웨이퍼(W)의 표면에 퇴적된다.
제2 처리 영역(P2)을 통과한 웨이퍼(W)는, 분리 가스 노즐(41)을 갖는 분리 영역(D)을 통과하여 퍼지된 후, 다시 제1 처리 영역(P1)으로 들어간다. 그리고, 반응 가스 노즐(31)로부터 Si 함유 가스가 공급되고, Si 함유 가스가 웨이퍼(W)의 표면에 흡착된다.
이상, 회전 테이블(2)을 복수 회 연속적으로 회전시키면서, 불소 함유 가스를 진공 용기(1) 내에 공급하는 일 없이, 제1 반응 가스 및 제2 반응 가스를 진공 용기(1) 내에 공급한다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 표면에 반응 생성물인 SiO2가 퇴적되어, SiO2막(실리콘 산화막)이 성막된다.
필요에 따라서, 소정의 막 두께까지 SiO2막이 성막된 후, 반응 가스 노즐(31)로부터는 Si 함유 가스의 공급을 정지하고, 반응 가스 노즐(32)로부터는 산화 가스를 계속 공급하여, 회전 테이블(2)의 회전을 계속함으로써, SiO2막의 개질 처리를 행하도록 해도 된다.
성막 공정을 실행함으로써, 오목 형상 패턴 중 하나인 비아 내에 SiO2막이 성막된다. 처음에 비아 내에 형성되는 SiO2막은, 오목 형상을 따른 단면 형상을 갖는다.
다음으로, 에칭 공정을 실행한다. 에칭 공정에서는, SiO2막이, V자의 단면 형상으로 에칭된다. 에칭 공정은, 구체적으로는, 이하와 같이 실행된다.
도 2에 도시하는 바와 같이, 반응 가스 노즐(31, 32)로부터의 Si 함유 가스 및 산화 가스의 공급을 정지하고, N2 가스를 퍼지 가스로서 공급한다. 회전 테이블(2)은, 에칭에 적합한 온도, 예를 들어 600℃ 정도로 설정된다. 또한, 회전 테이블(2)의 회전 속도는, 예를 들어 60rpm으로 설정된다. 이 상태에서, 활성화 가스 공급부(90)의 샤워 헤드부(93)로부터 CF4/Ar/O2 가스를 공급하고, 수소 함유 가스 공급부(96)로부터 예를 들어 미리 설정한 유량의 H2/Ar 가스를 공급함으로써, 에칭 처리가 개시된다.
그때, 회전 테이블(2)이 저속으로 회전하고 있으므로, SiO2막은 V자의 단면 형상으로 에칭된다. 비아 내의 SiO2막을 V자 형상으로 에칭함으로써, 최상부의 개구가 넓은 구멍을 SiO2막에 형성할 수 있고, 다음 성막 시에 저부까지 SiO2막을 매립할 수 있어, 보텀 업성이 높고, 보이드가 발생하기 어려운 성막을 행할 수 있다.
그런데, 에칭 공정에 있어서 SiO2막에 대해 에칭을 행할 때, 웨이퍼(W) 면 내에 있어서의 회전 중심 측과 외주 측 사이에서 에칭량이 다른 경우가 있다. 그리고, 웨이퍼(W) 면 내에 있어서의 에칭량이 다르면, 웨이퍼(W) 면 내의 에칭 균일성을 확보하는 것이 곤란하다.
그러나, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 기판 처리 장치는, 활성화 가스 공급부(90)가 샤워 헤드부(93)보다 상류측에 설치되고, 샤워 헤드부(93)에 불소 함유 가스를 공급 가능한 배관(94)과, 배관(94)에 설치되고, 배관(94)의 내부에 수소 함유 가스를 공급 가능한 1개 또는 복수의 수소 함유 가스 공급부(96)를 포함한다.
이러한 수소 함유 가스 공급부(96)로부터 배관(94)의 내부에 공급되는 수소 함유 가스는, 플라즈마 생성부(91)로부터 배관(94) 및 샤워 헤드부(93)에 공급된 불소 함유 가스에 포함되는 F 라디칼과 반응하여 HF(불화 수소)를 생성한다. 이로 인해, 배관(94) 및 샤워 헤드부(93)에 공급된 불소 함유 가스에 포함되는 F 라디칼의 양이 감소하여, F 라디칼 주체의 에칭 반응을 CF 라디칼 주체의 에칭 반응으로 조정 가능해진다.
여기서, F 라디칼과 비교하여 CF 라디칼은, SiO2막을 SiN막이나 Si에 비해 선택적으로 에칭하는 특성을 갖고 있다. 이로 인해, 수소 함유 가스 공급부(96)를 구비하는 본 실시 형태에 관한 기판 처리 장치에서는, SiO2막만을 선택적으로 에칭하는 것이 가능해진다.
또한, 배관(94)에 설치되는 수소 함유 가스 공급부(96)의 위치나 수소 함유 가스 공급부(96)로부터 공급되는 수소 함유 가스의 유량을 조정함으로써, 샤워 헤드부(93)로부터 회전 테이블(2)과 샤워 헤드부(93) 사이의 공간에 공급되는 F 라디칼의 농도의 면 내 분포를 제어할 수 있다. 결과적으로, 웨이퍼(W) 면 내에서의 에칭량 분포를 제어할 수 있다.
또한, 수소 함유 가스 공급부(96)로부터 공급되는 수소 함유 가스 유량의 조정은, 미리 설정한 유량이 되도록, 제어부(100)에 의해 제어되어도 되고, 작업자에 의해 제어되어도 된다.
이상, 회전 테이블(2)을 복수 회 연속적으로 회전시키면서, 제1 반응 가스 및 제2 반응 가스를 진공 용기(1) 내에 공급하는 일 없이, 불소 함유 가스 및 수소 함유 가스를 진공 용기(1) 내에 공급한다. 이에 의해, SiO2막이 에칭된다.
다음으로, 다시 전술한 성막 공정을 실행한다. 성막 공정에서는, 에칭 공정에서 V자 형상으로 에칭된 SiO2막 상에 SiO2막이 더 성막되어, 막 두께가 증가한다. V자 형상으로 에칭된 SiO2막 상에 성막되므로, 성막 시에 입구가 폐색되지 않아, SiO2막의 저부로부터 막을 퇴적할 수 있다.
다음으로, 다시 전술한 에칭 공정을 실행한다. 에칭 공정에서는, SiO2막이 V자 형상으로 에칭된다.
이상에 설명한 성막 공정과 에칭 공정을 필요한 횟수만큼 교대로 반복하여, SiO2막 내에 보이드가 발생하지 않도록 하면서, 비아를 매립해 간다. 이들 공정의 반복 횟수는, 비아 등의 오목 형상 패턴의 어스펙트비를 포함한 형상에 따라서, 적절한 횟수로 할 수 있다. 예를 들어 어스펙트비가 큰 경우, 반복 횟수는 많아진다. 또한, 트렌치보다 비아의 쪽이, 반복 횟수가 많아지는 것이 추정된다.
또한, 본 실시 형태에 있어서는, 성막 공정과 에칭 공정을 반복하여, 웨이퍼(W)의 표면에 형성된 오목 형상 패턴에 매립하여 성막을 행하는 예에 대해 설명하였지만, 본 발명은 이 점에 있어서 한정되는 것은 아니다.
예를 들어, 미리 표면에 막이 형성된 웨이퍼(W)를 반입하고, 에칭 공정만을 행하도록 해도 된다.
또한, 예를 들어 회전 테이블(2)을 복수 회 연속적으로 회전시키면서, 제1 반응 가스, 제2 반응 가스, 불소 함유 가스 및 수소 함유 가스를 진공 용기(1) 내에 동시에 공급하고, 회전 테이블(2)이 1회전하는 동안에, 성막 공정과 에칭 공정을 1회씩 행해도 된다. 또한, 성막 공정과 에칭 공정을 1회씩 행하는 사이클을 복수 회 반복해도 된다.
(실시예)
다음으로, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 기판 처리 장치를 사용하여, 시뮬레이션과 실험을 행하였다.
도 8a-8b는, 에칭 공정에 있어서의 활성화 가스 공급부(90)의 내부의 기류 속도의 시뮬레이션 결과를 나타내는 도면이다. 구체적으로는, 에칭 가스 공급관(92)으로부터 플라즈마 생성부(91) 및 배관(94)을 통해 샤워 헤드부(93)에 CF4/Ar/O2 가스를 공급하고, 회전 테이블(2)의 반경 방향에 있어서의 배관(94)의 외주 측(도 5 중의 좌측 방향)에 설치된 수소 함유 가스 공급부(96)로부터 배관(94)의 내부에 H2/Ar 가스를 공급한 경우의 샤워 헤드부(93)의 내부 및 배관(94)의 내부의 기류 속도의 시뮬레이션 결과이다.
또한, 시뮬레이션 조건은, 이와 같이 하였다. 즉, 진공 용기(1) 내의 압력을 2Torr, 회전 테이블(2)의 온도를 80℃로 하였다. 또한, 에칭 가스 공급관(92)의 CF4 가스 유량을 10sccm, Ar 가스 유량을 2slm, O2 가스 유량을 30sccm으로 하고, 수소 함유 가스 공급부(96)의 H2 가스 유량을 20sccm으로 하였다.
이러한 조건하에서, 수소 함유 가스 공급부(96)로부터 공급되는 Ar 가스 유량을 2slm 또는 4slm으로 변화시켰을 때의 샤워 헤드부(93)의 내부 및 배관(94)의 내부의 기류 속도에 대해 시뮬레이션을 행하였다.
도 8a는, 수소 함유 가스 공급부(96)로부터 공급되는 Ar 가스 유량을 2slm으로 하였을 때의 시뮬레이션 결과를 나타내는 도면이다. 도 8b는, 수소 함유 가스 공급부(96)로부터 공급되는 Ar 가스 유량을 4slm으로 하였을 때의 시뮬레이션 결과를 나타내는 도면이다.
도 8a 및 8b에 있어서, 영역 Z1의 기류 속도가 가장 크고, 영역 Z2, 영역 Z3, 영역 Z4, 영역 Z5, 영역 Z6, 영역 Z7, 영역 Z8, 영역 Z9, 영역 Z10의 순으로 기류 속도가 큰 것을 나타내고 있다.
도 8a 및 8b를 참조하면, 수소 함유 가스 공급부(96)로부터 공급되는 Ar 가스 유량이 커지면, 샤워 헤드부(93)의 내부에 있어서, 회전 테이블(2)의 회전 중심 측(도 8a 및 8b 중의 우측)에 있어서의 기류 속도가, 회전 테이블(2)의 외주 측(도 8a 및 8b 중의 좌측)에 있어서의 기류 속도보다 크게 되어 있다. 즉, 수소 함유 가스 공급부(96)의 Ar 가스 유량을 크게 함으로써, 수소 함유 가스 공급부(96)가 설치된 측과 반대 측에 있어서의 영역의 H2 체적 비율을 크게 할 수 있으므로, 당해 영역의 F 라디칼의 양을 감소시킬 수 있다. 결과적으로, 당해 영역의 SiO2막의 에칭량을 작게 할 수 있다.
도 9a-9c는, 웨이퍼(W) 면 내의 에칭량의 측정 결과를 나타내는 도면이다. 구체적으로는, 회전 테이블(2)에 적재된 웨이퍼(W)에 대해 에칭 가스 공급관(92)으로부터 플라즈마 생성부(91) 및 배관(94)을 통해 샤워 헤드부(93)에 CF4/Ar/O2 가스를 공급하고, 회전 테이블(2)의 반경 방향에 있어서의 배관(94)의 외주 측에 설치된 수소 함유 가스 공급부(96)로부터 배관(94)의 내부에 H2/Ar 가스를 공급한 경우의 웨이퍼(W) 면 내의 에칭량[㎚]의 측정 결과이다.
또한, 에칭 조건은, 이와 같이 하였다. 즉, 진공 용기(1) 내의 압력을 1.8Torr, 회전 테이블(2)의 온도를 400℃, 회전 테이블(2)의 회전 속도를 60rpm으로 하였다. 또한, 에칭 가스 공급관(92)의 CF4 가스 유량을 10sccm, Ar 가스 유량을 2slm, O2 가스 유량을 30sccm으로 하고, 수소 함유 가스 공급부(96)의 Ar 가스 유량을 4slm으로 하였다.
이러한 조건하에서, 수소 함유 가스 공급부(96)로부터 공급되는 H2 가스 유량을 0sccm, 5sccm 또는 20sccm으로 변화시켰을 때의 웨이퍼(W) 면 내의 에칭량에 대해 측정을 행하였다. 또한, H2 가스 유량이 0sccm일 때의 에칭 시간을 60s, H2 가스 유량이 5sccm일 때의 에칭 시간을 120s, H2 가스 유량이 20sccm일 때의 에칭 시간을 120s로 하였다. 또한, H2 가스 유량이 0sscm일 때에 에칭 시간을 120s로 하였을 때의 결과를 나타내고 있지 않지만, 에칭량과 에칭 시간의 사이에는 일반적으로 비례 관계가 있으므로, 웨이퍼(W) 면 내의 에칭량의 분포에 대해서는, 에칭 시간을 60s로 하였을 때의 결과와 마찬가지의 결과가 된다고 추측된다.
도 9a는, 수소 함유 가스 공급부(96)로부터 공급되는 H2 가스 유량을 0sccm으로 하였을 때의 웨이퍼(W) 면 내의 에칭량의 측정 결과를 나타내는 도면이다. 도 9b는, 수소 함유 가스 공급부(96)로부터 공급되는 H2 가스 유량을 5sccm으로 하였을 때의 웨이퍼(W) 면 내의 에칭량의 측정 결과를 나타내는 도면이다. 도 9c는, 수소 함유 가스 공급부(96)로부터 공급되는 H2 가스 유량을 20sccm으로 하였을 때의 웨이퍼(W) 면 내의 에칭량의 측정 결과를 나타내는 도면이다. 또한, 도 9a-9c에 있어서, 상측이 회전 테이블(2)의 회전 중심 측을 나타내고, 하측이 회전 테이블(2)의 외주 측을 나타낸다.
도 9a-9c에 있어서, 영역 Z1의 에칭량이 가장 크고, 영역 Z2, 영역 Z3, 영역 Z4, 영역 Z5, 영역 Z6, 영역 Z7, 영역 Z8, 영역 Z9, 영역 Z10의 순으로 에칭량이 큰 것을 나타내고 있다.
수소 함유 가스 공급부(96)로부터 H2 가스를 공급하고 있지 않은 경우, 도 9a에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(W) 면 내의 에칭량은, 회전 테이블(2)의 회전 중심 측에서 크고, 외주 측에서 작게 되어 있다.
이에 대해, 수소 함유 가스 공급부(96)로부터 H2 가스를 5sccm의 유량으로 공급한 경우, 도 9b에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(W) 면 내의 에칭량은, H2 가스를 공급하지 않는 경우와 비교하여, 회전 테이블(2)의 회전 중심 측과 중앙 부분의 사이의 차이가 작게 되어 있다.
또한, 수소 함유 가스 공급부(96)로부터 H2 가스를 20sccm의 유량으로 공급한 경우, 도 9c에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(W) 면 내의 에칭량은, 회전 테이블(2)의 회전 중심 측에서 작고, 외주 측에서 크게 되어 있어, 도 9a의 경우와는 반대의 경향을 나타내고 있다.
즉, 수소 함유 가스 공급부(96)로부터 공급되는 H2 가스의 유량을 조정함으로써, 웨이퍼(W) 면 내의 에칭량을 제어할 수 있다.
이상에 설명한 바와 같이 본 발명의 일 실시 형태에 관한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 의하면, 기판 면 내에서의 에칭량 분포를 제어할 수 있다.
이상, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 실시예에 의해 설명하였지만, 본 발명은 상기 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 범위 내에서 다양한 변형 및 개량이 가능하다.
전술한 실시 형태에서는, 활성화 가스 공급부(90)에 있어서의 플라즈마 생성부(91)가 배관(94)을 통해 샤워 헤드부(93)의 상방에 설치되어 있는 형태에 대해 설명하였다. 그러나, 플라즈마 생성부(91)를 설치하는 위치로서는, 웨이퍼(W) 상에 성막된 막에 대해 활성화된 불소 함유 가스를 공급할 수 있는 위치이면 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 샤워 헤드부(93)의 내부, 샤워 헤드부(93)의 하방이어도 된다.
본 출원은, 2015년 3월 3일의 일본 특허 출원 제2015-041499호에 기초하여, 그 우선권을 주장하고, 그 전체 내용을 참조에 의해 본 출원에 포함한다.

Claims (11)

  1. 진공 용기 내에 회전 가능하게 설치되고, 기판을 적재 가능한 회전 테이블과,
    상기 회전 테이블의 표면에 제1 반응 가스를 공급 가능한 제1 반응 가스 공급부와,
    상기 제1 반응 가스 공급부로부터 상기 회전 테이블의 주위 방향으로 이격되어 설치되고, 상기 회전 테이블의 표면에 상기 제1 반응 가스와 반응하는 제2 반응 가스를 공급 가능한 제2 반응 가스 공급부와,
    상기 제1 반응 가스 공급부 및 상기 제2 반응 가스 공급부로부터 상기 회전 테이블의 주위 방향으로 이격되어 설치되는 활성화 가스 공급부를 구비하고,
    상기 활성화 가스 공급부는,
    상기 회전 테이블의 표면에 활성화된 불소 함유 가스를 공급 가능한 토출부와,
    상기 토출부보다 상류측에 설치되고, 상기 토출부에 상기 불소 함유 가스를 공급 가능한 배관과,
    상기 배관에 설치되고, 상기 배관의 내부에 수소 함유 가스를 공급 가능한 1개 또는 복수의 수소 함유 가스 공급부와,
    상기 배관을 통해 상기 토출부와 접속되고, 상기 불소 함유 가스를 활성화하는 플라즈마 생성부를 포함하고,
    상기 수소 함유 가스 공급부는, 상기 토출부와 상기 플라즈마 생성부 사이에 설치되어 있는, 기판 처리 장치.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 수소 함유 가스 공급부는, 상기 플라즈마 생성부보다 상기 토출부에 가까운 위치에 설치되어 있는, 기판 처리 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 반응 가스는 실리콘 함유 가스이고,
    상기 제2 반응 가스는 산화 가스인, 기판 처리 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 활성화 가스 공급부에 의해 상기 회전 테이블의 표면에 공급되는 상기 불소 함유 가스의 분포에 기초하여, 상기 수소 함유 가스 공급부로부터 공급되는 상기 수소 함유 가스의 유량을 제어하는 제어부를 더 갖는, 기판 처리 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제어부는,
    상기 기판의 표면에 성막만을 행할 때에는, 상기 제1 반응 가스 공급부 및 상기 제2 반응 가스 공급부로부터 상기 제1 반응 가스 및 상기 제2 반응 가스를 각각 공급함과 함께, 상기 활성화 가스 공급부로부터의 상기 불소 함유 가스의 공급을 정지하고,
    상기 기판의 표면에 형성된 막의 에칭만을 행할 때에는, 상기 제1 반응 가스 공급부 및 상기 제2 반응 가스 공급부로부터의 상기 제1 반응 가스 및 상기 제2 반응 가스의 공급을 정지함과 함께, 상기 활성화 가스 공급부 및 상기 수소 함유 가스 공급부로부터 상기 불소 함유 가스 및 상기 수소 함유 가스를 각각 공급하는, 기판 처리 장치.
  7. 진공 용기 내에 설치된 회전 테이블의 표면에 기판을 적재하고, 회전 테이블을 회전시키면서 불소 함유 가스를 진공 용기 내에 공급하고, 상기 기판의 표면에 형성된 막을 에칭하는 에칭 공정을 포함하는 기판 처리 방법이며,
    상기 에칭 공정은, 상기 회전 테이블의 표면에 불소 함유 가스를 공급함과 함께, 상기 불소 함유 가스를 상기 회전 테이블의 표면에 공급하는 가스 토출 구멍을 포함하는 토출부보다 상류측으로부터 수소 함유 가스를 공급하는 공정을 포함하고,
    상기 회전 테이블의 표면에 공급되는 상기 불소 함유 가스의 분포에 기초하여, 상기 수소 함유 가스의 유량을 변화시키는, 기판 처리 방법.
  8. 삭제
  9. 제7항에 있어서,
    상기 회전 테이블을 회전시키면서, 제1 반응 가스와, 상기 제1 반응 가스와 반응하는 제2 반응 가스를 상기 진공 용기 내에 공급하고, 상기 기판의 표면에 막을 형성하는 성막 공정을 더 갖는, 기판 처리 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 성막 공정은, 상기 회전 테이블을 복수 회 연속적으로 회전시키면서, 상기 불소 함유 가스를 상기 진공 용기 내에 공급하는 일 없이, 상기 제1 반응 가스 및 상기 제2 반응 가스를 상기 진공 용기 내에 공급하는 공정을 포함하고,
    상기 에칭 공정은, 상기 회전 테이블을 복수 회 연속적으로 회전시키면서, 상기 제1 반응 가스 및 상기 제2 반응 가스를 상기 진공 용기 내에 공급하는 일 없이, 상기 불소 함유 가스 및 상기 수소 함유 가스를 상기 진공 용기 내에 공급하는 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 회전 테이블을 복수 회 연속적으로 회전시키면서, 상기 제1 반응 가스, 상기 제2 반응 가스, 상기 불소 함유 가스 및 상기 수소 함유 가스를 상기 진공 용기 내에 동시에 공급하고, 상기 회전 테이블이 1회전하는 동안에, 상기 성막 공정과 상기 에칭 공정을 1회씩 행하는 사이클을 복수 회 반복하는, 기판 처리 방법.
KR1020160023460A 2015-03-03 2016-02-26 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 KR101989657B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015041499A JP6388552B2 (ja) 2015-03-03 2015-03-03 基板処理装置及び基板処理方法
JPJP-P-2015-041499 2015-03-03

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160107105A KR20160107105A (ko) 2016-09-13
KR101989657B1 true KR101989657B1 (ko) 2019-06-14

Family

ID=56845486

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160023460A KR101989657B1 (ko) 2015-03-03 2016-02-26 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10151034B2 (ko)
JP (1) JP6388552B2 (ko)
KR (1) KR101989657B1 (ko)
CN (1) CN105937023B (ko)
TW (1) TWI663673B (ko)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6804270B2 (ja) * 2016-11-21 2020-12-23 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、および基板処理方法
JP6869024B2 (ja) * 2016-12-20 2021-05-12 東京エレクトロン株式会社 パーティクル除去方法及び基板処理方法
CN108335978B (zh) * 2017-01-20 2022-08-26 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置
KR102096700B1 (ko) * 2017-03-29 2020-04-02 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP7278123B2 (ja) * 2019-03-22 2023-05-19 東京エレクトロン株式会社 処理方法
US11817313B2 (en) * 2020-02-05 2023-11-14 Applied Materials, Inc. Methods for pressure ramped plasma purge

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012209394A (ja) * 2011-03-29 2012-10-25 Tokyo Electron Ltd 成膜装置及び成膜方法
JP2014112668A (ja) * 2012-11-08 2014-06-19 Novellus Systems Incorporated ギャップフィルのための共形膜蒸着

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5751265A (en) * 1980-09-10 1982-03-26 Hitachi Ltd Microwave plasma etching device
US6534409B1 (en) * 1996-12-04 2003-03-18 Micron Technology, Inc. Silicon oxide co-deposition/etching process
US6451217B1 (en) * 1998-06-09 2002-09-17 Speedfam-Ipec Co., Ltd. Wafer etching method
JP2003142484A (ja) 2001-10-31 2003-05-16 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法
JP2004179426A (ja) * 2002-11-27 2004-06-24 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置のクリーニング方法
US20070218702A1 (en) * 2006-03-15 2007-09-20 Asm Japan K.K. Semiconductor-processing apparatus with rotating susceptor
US8187679B2 (en) * 2006-07-29 2012-05-29 Lotus Applied Technology, Llc Radical-enhanced atomic layer deposition system and method
US20080142483A1 (en) * 2006-12-07 2008-06-19 Applied Materials, Inc. Multi-step dep-etch-dep high density plasma chemical vapor deposition processes for dielectric gapfills
JP5195174B2 (ja) 2008-08-29 2013-05-08 東京エレクトロン株式会社 成膜装置及び成膜方法
US8809170B2 (en) * 2011-05-19 2014-08-19 Asm America Inc. High throughput cyclical epitaxial deposition and etch process
US9546422B2 (en) * 2012-03-30 2017-01-17 Hitachi Kokusai Electric Inc. Semiconductor device manufacturing method and substrate processing method including a cleaning method
JP6735549B2 (ja) * 2015-11-04 2020-08-05 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及びリング状部材

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012209394A (ja) * 2011-03-29 2012-10-25 Tokyo Electron Ltd 成膜装置及び成膜方法
JP2014112668A (ja) * 2012-11-08 2014-06-19 Novellus Systems Incorporated ギャップフィルのための共形膜蒸着

Also Published As

Publication number Publication date
JP6388552B2 (ja) 2018-09-12
JP2016162930A (ja) 2016-09-05
US10151034B2 (en) 2018-12-11
CN105937023B (zh) 2019-09-10
TW201705333A (zh) 2017-02-01
CN105937023A (zh) 2016-09-14
KR20160107105A (ko) 2016-09-13
TWI663673B (zh) 2019-06-21
US20160258065A1 (en) 2016-09-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101989657B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101502205B1 (ko) 성막 장치 및 성막 방법
KR101989216B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
TWI523970B (zh) 成膜裝置（一）
JP6545094B2 (ja) 成膜方法及び成膜装置
KR101879022B1 (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
KR102058264B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
TWI721227B (zh) 成膜裝置及成膜方法
US10668512B2 (en) Particle removal method and substrate processing method
KR102106666B1 (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기판 보유 지지 부재
US20160071722A1 (en) Plasma processing device and plasma processing method
TWI733809B (zh) 成膜裝置
KR20210100537A (ko) 성막 방법 및 성막 장치
JP5750190B2 (ja) 成膜装置及び成膜方法
JP7175209B2 (ja) 成膜方法
KR20190065934A (ko) 실리콘 질화막의 성막 방법 및 성막 장치
KR20180134758A (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant