KR101974059B1 - 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법 - Google Patents
액정 표시 장치 및 이의 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101974059B1 KR101974059B1 KR1020120084991A KR20120084991A KR101974059B1 KR 101974059 B1 KR101974059 B1 KR 101974059B1 KR 1020120084991 A KR1020120084991 A KR 1020120084991A KR 20120084991 A KR20120084991 A KR 20120084991A KR 101974059 B1 KR101974059 B1 KR 101974059B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- electrode
- substrate
- wiring portion
- storage electrode
- Prior art date
Links
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 46
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 96
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims abstract description 48
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 48
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 168
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 65
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 43
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 31
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 15
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 13
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 12
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 9
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 9
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 6
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 claims description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 12
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 7
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 7
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 6
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 3
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001505 atmospheric-pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 238000004151 rapid thermal annealing Methods 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003471 inorganic composite material Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- JZLMRQMUNCKZTP-UHFFFAOYSA-N molybdenum tantalum Chemical compound [Mo].[Ta] JZLMRQMUNCKZTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
- G02F1/133514—Colour filters
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
- G02F1/133512—Light shielding layers, e.g. black matrix
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
- G02F1/133514—Colour filters
- G02F1/133516—Methods for their manufacture, e.g. printing, electro-deposition or photolithography
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1339—Gaskets; Spacers; Sealing of cells
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
- G02F2201/08—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 light absorbing layer
- G02F2201/086—UV absorbing
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
본 발명은 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치는, 서로 마주보는 제1 기판 및 제2 기판, 제1 기판 상에 형성된 배선부 및 배선부의 양측에서 배선부와 나란하게 형성된 자외선 차단층, 제1 기판 상에 형성되고, 배선부와 자외선 차단층을 덮는 유기막, 유기막과 제2 기판 사이에 위치한 액정층 및 유기막과 제2 기판 사이에서 액정층의 외곽에 형성된 씰링 부재를 포함하고, 배선부와 자외선 차단층은 동일한 층에 형성되며, 씰링 부재는 배선부와 중첩되는 위치에 형성된다. 이에 의해, 씰링 부재를 형성하기 위한 자외선 조사시 발생하는 유기막의 불량을 최소화할 수 있다.
Description
본 발명은 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
근래에 표시 장치는 휴대가 가능한 박형의 평판 표시 장치로 대체되는 추세이다. 평판 표시 장치 중에서도 액정 표시 장치는 소비 전력이 적고 전자기파 발생이 적어 주목 받고 있다.
액정 표시 장치는 두 개의 기판 사이에 액정층을 주입하고 두 개의 기판을 씰링 부재를 이용하여 결합하여 제조된다. 씰링 부재는 자외선과 같은 광원을 이용하여 경화되는데, 자외선의 조사시 씰링 부재의 주변에 위치한 유기막은 자외선에 의해 손상될 수 있다. 즉, 자외선의 조사에 의해 유기막의 분자 구조가 파괴되고, 이는 액정 표시 장치의 내부로 외부의 습기 유입을 증가시키는 원인이 되며, 그 결과 화면상에 얼룩이 발생할 수 있다.
본 발명의 목적은, 유기막의 불량을 최소화하는 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법을 제공함에 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치는, 서로 마주보는 제1 기판 및 제2 기판, 제1 기판 상에 형성된 배선부 및 배선부의 양측에서 배선부와 나란하게 형성된 자외선 차단층, 제1 기판 상에 형성되고, 배선부와 자외선 차단층을 덮는 유기막, 유기막과 제2 기판 사이에 위치한 액정층 및 유기막과 제2 기판 사이에서 액정층의 외곽에 형성된 씰링 부재를 포함하고, 배선부와 자외선 차단층은 동일한 층에 형성되며, 씰링 부재는 배선부와 중첩되는 위치에 형성된다.
또한, 제1 기판 상에 형성된 커패시터부를 포함하고, 커패시터부는 배선부와 동일한 층에 형성된 제1 스토리지 전극을 포함하며, 제1 스토리지 전극은 투광성 전극층이다.
또한, 자외선 차단층은 제1 스토리지 전극과 동일한 재료로 형성된다.
또한, 자외선 차단층은 제1 스토리지 전극보다 헤이즈(Haze)가 크다.
또한, 액정 표시 장치는 배선부와 전기적으로 연결되도록 제1 기판상에 형성된 박막 트랜지스터부를 포함한다.
또한, 박막 트랜지스터부는, 배선부와 동일한 재질로 동일한 층에 형성된 게이트 전극, 게이트 전극 상의 절연층, 절연층 상의 활성층 및 활성층과 접속된 소스 전극과 드레인 전극을 구비한다.
또한, 절연층은 제1 스토리지 전극 상으로 연장되며, 커패시터부는 절연층 상에 형성된 제2 스토리지 전극을 더 포함하고, 제2 스토리지 전극은 소스 전극 및 드레인 전극과 동일한 재료로 형성된다.
또한, 유기막 상에는 제1 화소 전극이 형성되고, 화소 전극은 유기막에 형성된 비아 홀에 의해, 드레인 전극 및 제2 스토리지 전극과 접속한다.
또한, 소스 전극과 드레인 전극 상에 형성된 보호층을 더 포함하고, 절연층과 보호층은 배선부와 자외선 차단층을 커버하도록 연장되어 형성된다.
또한, 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치는, 제1 기판, 제1 기판 상에 형성된 배선부, 자외선 차단층, 박막 트랜지스터부, 커패시터부와 이들을 커버하는 유기막 및 유기막상에 형성된 씰링 부재를 포함하고, 박막 트랜지스터부는 배선부와 동일한 층에 배치되고 투광성 재질로 형성된 제1 스토리지 전극을 포함하며, 자외선 차단층은 제1 스토리지 전극과 동일한 재질로 형성되고, 제1 기판과 씰링 부재가 중첩되는 영역의 외곽에 형성된다.
또한, 자외선 차단층은 배선부의 양측 가장자리부에 배치되고, 배선부는 씰링 부재와 중첩되는 위치에 형성된다.
또한, 자외선 차단층은 제1 스토리지 전극보다 헤이즈(Haze)가 크다.
또한, 제1 기판과 대향하는 제2 기판을 포함하고, 제1 기판과 제2 기판 사이에는 액정층이 위치하며, 씰링 부재는 액정층을 둘러싸서 밀봉한다.
또한, 유기막 상에는 제1 화소 전극이 형성되고, 제2 기판에는 제2 화소 전극이 구비된다.
또한, 박막 트랜지스터부는 배선부와 전기적으로 연결되며, 게이트 전극, 활성층, 소스 전극 및 드레인 전극을 구비한다.
또한, 커패시터부는 소스 전극 및 드레인 전극과 동일한 재질로 형성된 제2 스토리지 전극을 포함한다.
또한, 제1 스토리지 전극과 자외선 차단층은 인듐틴옥사이드(indium tin oxide: ITO), 인듐징크옥사이드(indium zinc oxide: IZO), 징크옥사이드(zinc oxide: ZnO), 인듐옥사이드(indium oxide: In2O3), 인듐갈륨옥사이드(indium galium oxide: IGO), 및 알루미늄징크옥사이드(aluminium zinc oxide: AZO)을 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함한다.
또한, 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법은, 제1 기판과 제2 기판을 준비하는 단계, 제1 기판 상에 배선부와 게이트 전극을 형성하는 단계, 제1 기판 상에 투광성 전극층을 형성하고, 투광성 전극층을 패터닝하여 자외선 차단층과 제1 스토리지 전극을 형성하는 단계, 배선부, 자외선 차단층, 게이트 전극 및 제1 스토리지 전극 상에 절연층을 형성하는 단계, 절연층 상에 활성층을 형성하는 단계, 활성층 상에 금속층을 형성하고 패터닝하여 소스 전극, 드레인 전극 및 제2 스토리지 전극을 형성하는 단계, 절연층, 소스 전극, 드레인 전극 및 제2 스토리지 전극 상에 유기막을 형성하는 단계 및 유기막과 제2 기판 사이의 배선부와 중첩되는 위치에 씰링 부재를 배치하고, 씰링 부재에 자외선을 조사하는 단계를 포함하고, 자외선 차단층은 배선부의 양측 가장자리부에 형성되고, 자외선은 제1 기판에서 제2 기판 방향으로 조사된다.
또한, 자외선 차단층과 제1 스토리지 전극은, 하프톤 마스크를 사용하여 동시에 형성된다.
또한, 자외선 차단층은 플라즈마 처리된다.
또한, 자외선 차단층은 제1 스토리지 전극보다 헤이즈(Haze)가 크게 형성된다.
또한, 제1 기판과 제2 기판 사이에 액정층을 주입하는 단계를 더 포함한다.
또한, 유기막 상에 비아 홀을 형성하는 단계와 유기막 상에 제1 화소 전극을 형성하는 단계를 더 포함하고, 제1 화소 전극은 비아 홀에 의해 드레인 전극 및 제2 스토리지 전극과 접속한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 씰링 부재를 형성하기 위한 자외선 조사시 발생하는 유기막의 불량을 최소화할 수 있다.
또한, 커패시터부의 제1 스토리지 전극이 투광성 전극으로 형성되어 액정 표시 장치의 개구율이 향상될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치의 단면을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 2 내지 도 9는 도 1의 액정 표시 장치의 제조 방법을 순차적으로 도시한 단면도들이다.
도 2 내지 도 9는 도 1의 액정 표시 장치의 제조 방법을 순차적으로 도시한 단면도들이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시 예를 가질 수 있는 바, 특정 실시 예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 구성요소들은 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
이하, 첨부된 도면들에 도시된 본 발명에 관한 실시 예들을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치의 단면을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 1을 참조하면 액정 표시 장치(10)는, 서로 마주보는 제1 기판(110)과 제2 기판(210), 제1 기판(110)과 제2 기판(210) 사이에 위치하는 액정층(400)과 씰링 부재(300)를 포함한다. 또한, 제1 기판(110)에는 박막 트랜지스터부(120), 커패시터부(130), 배선부(140) 및 자외선 차단부(150) 등이 형성될 수 있으며, 제2 기판(210)에는 블랙 매트릭스(220)와 칼라 필터(230) 등이 형성될 수 있다.
먼저, 제1 기판(110)은 투명한 재질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 기판(110)은 SiO2를 함유하는 투명한 유리 또는 투명한 플라스틱으로 형성할 수 있다.
박막 트랜지스터부(120)는 게이트 전극(121), 활성층(122), 소스 전극(124) 및 드레인 전극(126)을 구비한다. 구체적으로, 제1 기판(110)상에는 게이트 전극(121)이 소정의 패턴으로 형성되고, 게이트전극(121)상에는 게이트 절연막(112)이 형성되며, 게이트 절연막(112)상에는 반도체층인 활성층(122)이 소정의 패턴으로 형성된다. 활성층(122)상에는 소스 전극(124)과 드레인 전극(126)이 형성된다.
게이트 전극(121)은 알루미늄(Al), 은(Ag), 네오디뮴(Nd), 크롬(Cr), 티타늄(ti), 탄탈륨(Ta) 및 몰리브덴(Mo) 등의 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나의 금속을 포함할 수 있다. 또한, 게이트 전극(121)은 단일층 또는 복수개의 금속층이 적층된 다층 구조일 수 있다. 다층 구조의 게이트 전극(121)은, 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 몰리브덴(Mo) 등의 금속층과, 비저항이 작은 알루미늄(Al) 또는 은(Ag) 계열의 금속층을 포함하는 이중층으로 형성할 수 있다.
게이트 절연막(112)은 제1 기판(110)상의 전체 영역에 형성되는 절연체로서, 단층 또는 복수층의 구조로 형성되고, 유기물, 무기물, 또는 유/무기 복합물로 형성될 수 있다. 예를 들어, 게이트 절연막(112)은 실리콘질화물(SiNx) 또는 실리콘산화물(SiOx)로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
활성층(122)은 아모퍼스 실리콘 또는 폴리 실리콘과 같은 무기재 반도체나, 유기 반도체가 사용될 수 있는 데, 소스 전극(124)과 드레인 전극(126)이 형성되는 영역과 이들 사이에 채널 영역을 갖는다.
또한, 도면에 도시하지는 않았으나, 활성층(122)과 소스 전극(124)의 사이 및 활성층(122)과 드레인 전극(126)의 사이에는 오믹 콘택층이 더 형성될 수 있다.
커패시터부(130)는 제1 스토리지 전극(132)과 제2 스토리지 전극(134)을 포함한다. 또한, 게이트 절연막(112)은 제1 스토리지 전극(132) 상으로 연장된다. 따라서, 커패시터부(130)는 제1 스토리지 전극(132)과 제2 스토리지 전극(134) 사이에 유전체층으로써 게이트 절연막(112)을 포함한다.
한편, 제1 스토리지 전극(132)은 게이트전극(121)과 동일한 층에 형성되며, 광투광성 재질로 형성될 수 이다. 예를 들어, 제1 스토리지 전극(132)은 인듐틴옥사이드(indium tin oxide: ITO), 인듐징크옥사이드(indium zinc oxide: IZO), 징크옥사이드(zinc oxide: ZnO), 인듐옥사이드(indium oxide: In2O3), 인듐갈륨옥사이드(indium galium oxide: IGO), 및 알루미늄징크옥사이드(aluminium zinc oxide: AZO)을 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있다. 따라서, 액정 표시 장치(10)의 개구율이 향상될 수 있다.
또한, 제2 스토리지 전극(134)은 소스 전극(124) 및 드레인 전극(126)과 동일한 재료로 형성될 수 있다.
이와 같은 소스 전극(124), 드레인 전극(126) 및 제2 스토리지 전극(134) 상에는, 비아홀을 포함하는 보호층(114)과 유기막(116)이 형성될 수 있다. 보호층(114)과 유기막(116)은 제1 기판(110)의 전체 영역에 걸쳐 형성된다. 다만, 필요에 따라 보호층(114)은 생략될 수도 있다.
유기막(116) 상에는 제1 화소전극(160)이 형성되며, 제1 화소전극(160)은 유기막(116)을 관통하는 비아홀을 통해 드레인전극(126)과 커패시터부(130)의 제2 스토리지 전극(134)과 접속한다. 제1 화소전극(160)은 일함수가 높은 ITO, IZO(인듐징크옥사이드), ZnO(산화아연), 또는 In2O3(산화인듐) 등으로 형성될 수 있다.
한편, 배선부(140)는 이격된 복수의 배선들로 이루어지며, 도면에 도시하지는 않았으나, 배선부(140)는 박막 트랜지스터부(120)의 전극들 즉, 게이트 전극(121), 소스 전극(124) 또는 드레인 전극(126)에 전기적으로 연결된다. 또한, 배선부(140)는 게이트 전극(121)과 동일한 층에 동일한 재질로 형성될 수 있다.
자외선 차단부(150)는 배선부(140)의 양측에서 배선부(140)와 나란하게 형성되며, 배선부(140)와 동일한 층에 형성된다. 또한, 자외선 차단부(150)는 제1 스토리지 전극(132)과 동일한 재질로 형성된다. 즉, 자외선 차단부(150)는 인듐틴옥사이드(indium tin oxide: ITO), 인듐징크옥사이드(indium zinc oxide: IZO), 징크옥사이드(zinc oxide: ZnO), 인듐옥사이드(indium oxide: In2O3), 인듐갈륨옥사이드(indium galium oxide: IGO), 및 알루미늄징크옥사이드(aluminium zinc oxide: AZO)을 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있다. 다만, 자외선 차단부(150)는 제1 스토리지 전극(132) 보다 큰 헤이즈(Haze)값을 가지고 형성된다.
이와 같은 배선부(140)와 자외선 차단부(150) 상에는 게이트 절연막(112), 보호층(114)과 유기막(116)이 형성될 수 있다.
제2 기판(210)은, 제1 기판(110)과 마찬가지로 투명한 물질로 형성될 수 있으며, 제2 기판(210)에는 블랙 매트릭스(220)와 칼라 필터(230)가 형성될 수 있다.
블랙 매트릭스(220)는 칼라 필터(230)를 통하여 구현되는 가시 광선들의 혼색 및 간섭을 방지한다. 칼라 필터(230)는 광원(미도시)으로부터 조사되어 액정층을 통과하는 빛에 색을 부여하며, 이를 위해 컬러 필터(230)는 감광성 유기 물질로 형성될 수 있다.
칼라 필터(230)의 하면에는 제2 화소전극(250)이 형성된다. 제2 화소전극(250)은 ITO(indium tin oxide) 또는 IZO(indium zinc oxide) 등으로 형성될 수 있다. 한편, 제2 화소전극(250)에 절개 패턴을 형성하는 PVA 모드 등에서는, 제2 화소전극(250)을 형성한 후에 제2 화소전극(250)에 절개 패턴을 형성하기 위해 감광막 도포, 현상 등의 공정이 이어지는데, 이러한 공정에서 칼라 필터(230)를 보호하기 위한 오버코팅층(240)이 제2 화소전극(250) 상에 더 형성될 수 있다.
한편, 제1 기판(110)과 제2 기판(210)사이에는 액정층(400)이 배치된다. 보다 구체적으로, 액정층(400)은 제1 화소 전극(160)과 제2 화소 전극(250) 사이에 개재되어, 제1 화소 전극(160)과 제2 화소 전극(250)에 전압이 인가됨에 따라, 액정의 배향이 조절되어 광원(미도시)에서 공급되는 가시광선이 차폐 또는 통과된다. 통과된 광이 컬러 필터(230)를 통과하면서 색을 띠게 되어 화상을 구현하게 된다.
씰링 부재(300)는 액정층(400)의 외곽에서 형성되어, 제1 기판(110)과 제2 기판(210)이 결합하도록 한다. 보다 구체적으로, 씰링 부재(300)는 유기막(116) 상에 형성되고, 액정층(400)을 둘러싸서 밀봉한다. 씰링 부재(300)는 자외선 경화 수지일 수 있다. 또한, 씰링 부재(300)는 배선부(140)와 중첩되는 위치에 형성된다. 따라서, 블랙매트릭스(220)로 가리는 비화소영역을 최소화하여 대화면을 구현하는데 유리할 수 있다.
한편, 상술한 바와 같이, 자외선 차단층(150)은 배선부(140)의 양측 가장자리부에 배치되고, 씰링 부재(300)는 배선부(140)와 중첩되는 위치에 형성되므로, 자외선 차단층(150)은 제1 기판(110)과 씰링 부재(300)가 중첩되는 영역의 외곽에 형성될 수 있다. 이에 의해, 후술하는 바와 같이, 씰링 부재(300)를 형성하기 위해 제1 기판(110)으로부터 자외선을 조사할 때, 씰링 부재(300)의 근처에 위치하는 유기막(116)이 자외선에 노출되는 것을 최소화할 수 있으며, 이에 따라 유기막의 분자 구조가 자외선에 의해 파괴되어 발생하는 유기막(116)의 불량을 최소화할 수 있다. 또한, 유기막(116)의 불량이 최소화되므로, 액정 표시 장치(10)의 내부로 침투하는 수분을 최소화함으로써, 화면 상의 얼룩 발생을 방지할 수 있다.
도 2 내지 도 9는 도 1의 액정 표시 장치의 제조 방법을 순차적으로 도시한 단면도들로써, 이하에서는 도 2 내지 9를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법을 설명한다.
먼저, 제1 기판(도 2의 110)과 제2 기판(도 9의 210)을 준비한다. 제2 기판(도 9의 210)에는 블랙 매트릭스(도 9의 220), 칼라 필터(도 9의 230), 오버 코팅층(도 9의 240) 및 제2 화소 전극(도 9의 250)이 형성될 수 있다.
다음으로, 도 2와 같이 제1 기판(110) 상에 배선부(140)와 게이트 전극(121)을 형성한다. 제1 기판(110)은 SiO2를 주성분으로 하는 투명 재질의 글라스재로 형성될 수 있다. 또한, 제1 기판(110) 상에는 제1 기판(110)의 평활성과 불순 원소의 침투를 차단하기 위하여 SiO2 및/또는 SiNx 등을 포함하는 버퍼층(미도시)이 더 구비될 수 있다.
배선부(140)와 게이트 전극(121)은 제1 기판(110) 상에 알루미늄(Al), 은(Ag), 네오디뮴(Nd), 크롬(Cr), 티타늄(ti), 탄탈륨(Ta) 및 몰리브덴(Mo) 등의 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나의 금속층(미도시)을 형성한 후, 이를 패터닝하여 형성할 수 있다.
금속층(미도시)의 패터닝은, 형성된 금속층 상에 포토 레지스트층(미도시)를 도포하고, 포토 레지스트층(미도시) 상에 배선부(140)와 게이트 전극(121)이 형성될 위치에 대응하는 개구를 구비한 마스크(미도시)를 위치시킨 후, 노광, 현상(developing), 식각(etching), 및 스트립핑(stripping) 또는 에싱(ashing) 등과 같은 일련의 공정을 거쳐서 수행될 수 있다.
이와 같이 배선부(140)와 게이트 전극(121)이 형성된 후에는, 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 기판(110)의 전체 영역에 걸쳐 투광성 전극층(133)을 형성한 후, 포토 마스크 공정을 수행한다.
보다 구체적으로, 투광성 전극층(133) 상에 포토 레지스트층(501)을 형성한 후, 마스크(500)를 위치시킨 다음, 노광 공정을 수행한다. 이때, 마스크(500)는 하프톤(Half tone) 마스크로, 자외선 차단층(150)이 형성될 위치에 대응하여 형성된 제1 광 차단부(510)와 제1 스토리지 전극(132)이 형성될 위치에 대응하여 형성된 제2 광 차단부(520)를 포함한다. 예를 들어, 제1 광 차단부(510)는 광을 절반 정도 차단하는 반 투과부이고, 제2 광 차단부(520)는 광을 전부 차단하는 광 차단부이며, 나머지 영역은 광 투과부 일 수 있다.
따라서, 노광 공정시 자외선 차단층(150)과 제1 스토리지 전극(132)이 형성될 위치의 포토 레지스트층(501)은 서로 다른 정도로 노광이 진행되며, 이어지는 식각 공정에서 제1 스토리지 전극(132) 상에 형성된 포토 레지스트층(501)은 그대로 잔존하고, 자외선 차단층(150)이 형성될 영역의 투광성 전극층(133) 상에 형성된 포토 레지스트층(501)은 중간 정도가 남아 있게 된다.
이어서, 자외선 차단층(150)이 형성될 영역의 투광성 전극층(133) 상에 잔존하는 포토 레지스트층(501)을 식각하여 제거하여 투광성 전극층(133)을 노출시키면, 제1 스토리지 전극(132) 상에 형성된 포토 레지스트층(501)은 절반 정도가 남게 되어 도 4와 같은 구성을 가진다.
다음으로, 도 4와 같이 노출된 투광성 전극층(133)에 플라즈마 처리하여 헤이즈(Haze)한 성질을 부여함으로써, 자외선 차단층(150)을 형성한다. 이때, 상술한 바와 같이, 제1 스토리지 전극(132)은 포토 레지스트층(501)에 의해 보호되므로, 가해지는 플라즈마로부터 보호될 수 있다.
플라즈마는 SiH4, N2 등의 가스를 사용할 수 있으나, 이에 한정되지는 않으며 공지된 플라즈마의 표면 처리 기술을 적용할 수 있다. 이와 같이 플라즈마를 투광성 전극층(133)에 가하면, 투광성 전극층(133)의 표면은 식각 되고, 이에 의해 광 투과도가 감소할 수 있다.
도 5는 투광성 전극층(133)에 플라즈마 처리를 한 경우와 플라즈마 처리를 하지 않은 경우의 광 투과율을 나타내는 도로, 도 5를 참조하면, 플라즈마 처리를 한 경우가 특히 파장이 짧아질수록 광 투과도가 작아지는 것을 알 수 있다.
따라서, 후술하는 바와 같이, 씰링 부재(도 9의 300)를 경화하기 위해 자외선을 조사할 때, 투광성 전극층(133)은 씰링 부재(도 9의 300)의 주변에 있는 유기막(도 9의 116)으로 자외선이 조사되는 것을 방지하여, 유기막(도 9의 116)이 자외선에 의해 손상되는 것을 방지할 수 있다.
한편, 자외선 차단층(150)은 배선부(140)의 양측에서 배선부(140)와 나란하게 형성될 수 있다.
다음으로, 도 6에 도시된 바와 같이, 배선부(140), 자외선 차단층(150), 게이트 전극(121) 및 제1 스토리지 전극(132) 상에 게이트 절연막(112)을 형성한다. 게이트 절연막(112)은 SiO2, SiNx 등을 단층 또는 복수층 포함할 수 있으며, 제1 기판(130) 상의 전체 영역에 형성됨으로써, 커패시터부(130)의 유전층 역할도 한다.
게이트 절연막(112)을 형성한 후에는, 도 7과 같이 게이트 절연막(112) 상에 활성층(122)을 형성한 다음, 활성층(122) 상에 소스 전극(124)과 드레인 전극(126)을 형성하여, 박막 트랜지스터부(120)를 형성하며, 소스 전극(124) 및 드레인 전극(126)과 함께 제2 스토리지 전극(134)을 형성하여 커패시터부(130)를 형성한다.
활성층(122)은 비정질 실리콘(amorphous silicon) 또는 결정질 실리콘(poly silicon)일 수 있다. 이때, 결정질 실리콘은 비정질 실리콘을 결정화하여 형성될 수도 있다. 비정질 실리콘을 결정화하는 방법은 RTA(rapid thermal annealing)법, SPC(solid phase crystallzation)법, ELA(excimer laser annealing)법, MIC(metal induced crystallzation)법, MILC(metal induced lateral crystallzation)법, SLS(sequential lateral solidification)법 등 다양한 방법에 의해 결정화될 수 있다.
활성층(122)은 PECVD(plasma enhanced chemical vapor deosition)법, APCVD(atmospheric pressure CVD)법, LPCVD(low pressure CVD)법 등 다양한 증착 방법에 의해 증착될 수 있다.
활성층(122)을 증착한 후에는 소스 전극(124)과 연결될 영역 및 드레인 전극(126)과 연결될 영역이 불순물로 도핑 된다. 그 결과, 활성층(212)은 이온 불순물이 도핑된 영역들과 그 사이의 채널 영역을 구비하게 된다.
소스 전극(124), 드레인 전극(126) 및 제2 스토리지 전극(134)은 금속층(미도시)을 도핑한 후, 마스크 공정에 의해 형성할 수 있다. 따라서, 제2 스토리지 전극(134)은 소스 전극(124) 및 드레인 전극(126)과 동일한 재질로 형성된다. 소스 전극(124), 드레인 전극(126) 및 제2 스토리지 전극(134)을 형성하는 금속층(미도시)은 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 니켈(Li), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 타이타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 가운데 선택된 하나 이상의 금속을 포함할 수 있다.
다음으로 도 8과 같이, 제1 기판(110) 상의 전체 영역에 보호층(114)과 유기막(116)을 형성한 후, 유기막(116) 상에 제1 화소 전극(160)을 형성한다. 한편, 보호층(114)과 유기막(116)에는 비아 홀에 형성되고, 제1 화소 전극(160)은 비아 홀에도 형성됨으로써, 제1 화소 전극(160)은 드레인 전극(126) 및 제2 스토리지 전극(134)과 접속하게 된다.
이어서, 도 9에 도시된 바와 같이, 제1 기판(110)과 제2 기판(210)사이에 씰링 부재(300)를 형성한 후, 자외선을 조사한다.
씰링 부재(300)는 배선부(140)와 중첩되는 위치에서 유기막(116) 상에 형성된다. 이와 같이, 씰링 부재(300)가 배선부(140)와 중첩되게 위치하면, 블랙 매트릭스(220)에 의해 가리워야 하는 비화소영역이 감소하므로, 대화면을 구현하는데 유리할 수 있다.
한편, 자외선은 제1 기판(110)에서 제2 기판(120)방향으로 조사되며, 자외선의 조사시 박막 트랜지스터부(120)와 커패시터부(130) 등에 자외선이 조사되는 것을 방지하기 위한 마스크(600)를 사용한다. 마스크(600)에는 자외선이 통과할 수 있는 개구가 씰링 부재(300)의 위치에 대응하여 형성되어 있다. 따라서, 자외선은 씰링 부재(300)가 형성된 부분에만 조사될 수 있다. 다만, 마스크(600)에 형성된 개구의 폭과 씰링 부재(300)의 폭을 동일하게 매치시키는 것은 공정상의 오차 등을 고려할 때 난점이 있는바, 씰링 부재(300)의 균일한 경화를 위해, 마스크(600)에 형성된 개구의 폭이 씰링 부재(300)의 폭보다 크게 형성된다. 그 결과, 씰링 부재(300)를 경화하기 위해 조사되는 자외선이 씰링 부재(300)의 근방에 위치하는 유기막(116)에도 조사되며, 유기막(116)이 자외선에 의해 손상을 입을 수 있다.
한편, 본 발명에 따르면, 제1 기판(110)과 씰링 부재(300)가 중첩되는 영역의 외곽에 자외선 차단층(150)이 형성됨으로써, 씰링 부재(300)의 근방에 위치하는 유기막(116)으로 자외선에 조사되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 유기막(116)의 손상에 따른 수분 침투를 방지하여 화면에 얼룩이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
상기 도면들에 도시된 구성요소들은 설명의 편의상 확대 또는 축소되어 표시될 수 있으므로, 도면에 도시된 구성요소들의 크기나 형상에 본 발명이 구속되는 것은 아니며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
10: 액정 표시 장치 110: 제1 기판
112: 게이트 절연막 114: 보호층
116: 유기막 120: 박막 트랜지스터부
121: 게이트 전극 122: 활성층
124: 소스 전극 126: 드레인 전극
130: 커패시터부 132: 제1 스토리지 전극
134: 제2 스토리지 전극 140: 배선부
150: 자외선 차단층 160: 제1 화소 전극
210: 제2 기판 220: 블랙 매트릭스
230: 칼라 필터 240: 오버 코팅층
250: 제2 화소 전극 300: 씰링 부재
400: 액정층
112: 게이트 절연막 114: 보호층
116: 유기막 120: 박막 트랜지스터부
121: 게이트 전극 122: 활성층
124: 소스 전극 126: 드레인 전극
130: 커패시터부 132: 제1 스토리지 전극
134: 제2 스토리지 전극 140: 배선부
150: 자외선 차단층 160: 제1 화소 전극
210: 제2 기판 220: 블랙 매트릭스
230: 칼라 필터 240: 오버 코팅층
250: 제2 화소 전극 300: 씰링 부재
400: 액정층
Claims (23)
- 서로 마주보는 제1 기판 및 제2 기판;
상기 제1 기판 상에 형성된 배선부 및 상기 배선부의 양측에서 상기 배선부와 나란하게 형성된 자외선 차단층;
상기 제1 기판 상에 형성되고, 상기 배선부와 상기 자외선 차단층을 덮는 유기막;
상기 유기막과 상기 제2 기판 사이에 위치한 액정층; 및
상기 유기막과 상기 제2 기판 사이에서 상기 액정층의 외곽에 형성된 씰링 부재;를 포함하고,
상기 배선부와 상기 자외선 차단층은 동일한 층에 형성되며, 상기 씰링 부재는 상기 배선부와 중첩되는 위치에 형성된 액정 표시 장치. - 제1항에 있어서,
상기 제1 기판 상에 형성된 커패시터부를 포함하고,
상기 커패시터부는 상기 배선부와 동일한 층에 형성된 제1 스토리지 전극을 포함하며, 상기 제1 스토리지 전극은 투광성 전극층인 액정 표시 장치. - 제2항에 있어서,
상기 자외선 차단층은 상기 제1 스토리지 전극과 동일한 재료로 형성된 액정 표시 장치. - 제3항에 있어서,
상기 자외선 차단층은 상기 제1 스토리지 전극보다 헤이즈(Haze)가 큰 액정 표시 장치. - 제2항에 있어서,
상기 배선부와 전기적으로 연결되도록 상기 제1 기판상에 형성된 박막 트랜지스터부를 포함하는 액정 표시 장치. - 제5항에 있어서,
상기 박막 트랜지스터부는,
상기 배선부와 동일한 재질로 동일한 층에 형성된 게이트 전극, 상기 게이트 전극 상의 절연층, 상기 절연층 상의 활성층 및 상기 활성층과 접속된 소스 전극과 드레인 전극을 구비하는 액정 표시 장치. - 제6항에 있어서,
상기 절연층은 상기 제1 스토리지 전극 상으로 연장되며,
상기 커패시터부는 상기 절연층 상에 형성된 제2 스토리지 전극을 더 포함하고, 상기 제2 스토리지 전극은 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 동일한 재료로 형성된 액정 표시 장치. - 제7항에 있어서,
상기 유기막 상에는 제1 화소 전극이 형성되고, 상기 화소 전극은 상기 유기막에 형성된 비아 홀에 의해, 상기 드레인 전극 및 상기 제2 스토리지 전극과 접속하는 액정 표시 장치. - 제6항에 있어서,
상기 소스 전극과 상기 드레인 전극 상에 형성된 보호층을 더 포함하고, 상기 절연층과 상기 보호층은 상기 배선부와 상기 자외선 차단층을 커버하도록 연장되어 형성된 액정 표시 장치. - 제1 기판;
상기 제1 기판 상에 형성된 배선부, 자외선 차단층, 박막 트랜지스터부, 커패시터부와 이들을 커버하는 유기막; 및
상기 유기막상에 형성된 씰링 부재;를 포함하고,
상기 박막 트랜지스터부는 상기 배선부와 동일한 층에 배치되고 투광성 재질로 형성된 제1 스토리지 전극을 포함하며,
상기 자외선 차단층은 상기 제1 스토리지 전극과 동일한 재질로 형성되고, 상기 제1 기판과 상기 씰링 부재가 중첩되는 영역의 외곽에 형성된 액정 표시 장치. - 제10항에 있어서,
상기 자외선 차단층은 상기 배선부의 양측 가장자리부에 배치되고, 상기 배선부는 상기 씰링 부재와 중첩되는 위치에 형성된 액정 표시 장치. - 제10항에 있어서,
상기 자외선 차단층은 상기 제1 스토리지 전극보다 헤이즈(Haze)가 큰 액정 표시 장치. - 제10항에 있어서,
상기 제1 기판과 대향하는 제2 기판을 포함하고,
상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에는 액정층이 위치하며,
상기 씰링 부재는 상기 액정층을 둘러싸서 밀봉하는 액정 표시 장치. - 제13항에 있어서,
상기 유기막 상에는 제1 화소 전극이 형성되고, 상기 제2 기판에는 제2 화소 전극이 구비된 액정 표시 장치. - 제10항에 있어서,
상기 트랜지스터부는 상기 배선부와 전기적으로 연결되며, 게이트 전극, 활성층, 소스 전극 및 드레인 전극을 구비하는 액정 표시 장치. - 제15항에 있어서,
상기 커패시터부는 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 동일한 재질로 형성된 제2 스토리지 전극을 포함하는 액정 표시 장치. - 제10항에 있어서,
상기 제1 스토리지 전극과 상기 자외선 차단층은 인듐틴옥사이드(indium tin oxide: ITO), 인듐징크옥사이드(indium zinc oxide: IZO), 징크옥사이드(zinc oxide: ZnO), 인듐옥사이드(indium oxide: In2O3), 인듐갈륨옥사이드(indium galium oxide: IGO), 및 알루미늄징크옥사이드(aluminium zinc oxide: AZO)을 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 액정 표시 장치. - 제1 기판과 제2 기판을 준비하는 단계;
상기 제1 기판 상에 배선부와 게이트 전극을 형성하는 단계;
상기 제1 기판 상에 투광성 전극층을 형성하고, 상기 투광성 전극층을 패터닝하여 자외선 차단층과 제1 스토리지 전극을 형성하는 단계;
상기 배선부, 자외선 차단층, 게이트 전극 및 상기 제1 스토리지 전극 상에 게이트 절연막을 형성하는 단계;
상기 게이트 절연막 상에 활성층을 형성하는 단계;
상기 활성층 상에 금속층을 형성하고 패터닝하여 소스 전극, 드레인 전극 및 제2 스토리지 전극을 형성하는 단계;
상기 게이트 절연막, 상기 소스 전극, 상기 드레인 전극 및 상기 제2 스토리지 전극 상에 유기막을 형성하는 단계; 및
상기 유기막과 상기 제2 기판 사이의 상기 배선부와 중첩되는 위치에 씰링 부재를 배치하고, 상기 씰링 부재에 자외선을 조사하는 단계;를 포함하고,
상기 자외선 차단층은 상기 배선부의 양측 가장자리부에 형성되고, 상기 자외선은 상기 제1 기판에서 상기 제2 기판 방향으로 조사되는 액정 표시 장치의 제조 방법. - 제18항에 있어서,
상기 자외선 차단층과 상기 제1 스토리지 전극은, 하프톤 마스크를 사용하여 형성되는 액정 표시 장치의 제조 방법. - 제19항에 있어서,
상기 자외선 차단층은 플라즈마 처리되는 액정 표시 장치의 제조 방법. - 제19항에 있어서,
상기 자외선 차단층은 상기 제1 스토리지 전극보다 헤이즈(Haze)가 큰 액정 표시 장치의 제조 방법. - 제18항에 있어서,
상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 액정층을 주입하는 단계를 더 포함하는 액정 표시 장치의 제조 방법. - 제18항에 있어서,
상기 유기막 상에 비아 홀을 형성하는 단계와 상기 유기막 상에 제1 화소 전극을 형성하는 단계를 더 포함하고,
상기 제1 화소 전극은 상기 비아 홀에 의해 상기 드레인 전극 및 상기 제2 스토리지 전극과 접속하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020120084991A KR101974059B1 (ko) | 2012-08-02 | 2012-08-02 | 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| US13/733,841 US9097932B2 (en) | 2012-08-02 | 2013-01-03 | Liquid crystal display device and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020120084991A KR101974059B1 (ko) | 2012-08-02 | 2012-08-02 | 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20140017956A KR20140017956A (ko) | 2014-02-12 |
| KR101974059B1 true KR101974059B1 (ko) | 2019-05-02 |
Family
ID=50232949
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020120084991A KR101974059B1 (ko) | 2012-08-02 | 2012-08-02 | 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9097932B2 (ko) |
| KR (1) | KR101974059B1 (ko) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105051596B (zh) * | 2013-03-27 | 2019-01-29 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置以及电子设备 |
| CN104952881A (zh) * | 2015-05-06 | 2015-09-30 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 薄膜晶体管及制备方法、阵列基板及制备方法、显示装置 |
| US11133580B2 (en) * | 2017-06-22 | 2021-09-28 | Innolux Corporation | Antenna device |
| US10514571B2 (en) | 2018-03-21 | 2019-12-24 | Himax Display, Inc. | Display panel and method of fabricating a display panel |
| KR20200046222A (ko) * | 2018-10-23 | 2020-05-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002323706A (ja) * | 2001-02-23 | 2002-11-08 | Nec Corp | 横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法 |
| JP3793915B2 (ja) * | 2001-02-28 | 2006-07-05 | 株式会社日立製作所 | 液晶表示装置 |
| JP2003332046A (ja) | 2002-05-10 | 2003-11-21 | Seiko Instruments Inc | 有機ｅｌ素子及び有機ｅｌ素子の製造方法 |
| JP4050972B2 (ja) * | 2002-10-16 | 2008-02-20 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 表示装置 |
| KR20050010136A (ko) * | 2003-07-18 | 2005-01-27 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치 |
| US7436473B2 (en) * | 2002-11-27 | 2008-10-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Liquid crystal display and manufacturing method thereof |
| JP2005242099A (ja) * | 2004-02-27 | 2005-09-08 | Nec Lcd Technologies Ltd | 液晶表示装置 |
| KR20060086176A (ko) | 2005-01-26 | 2006-07-31 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판, 이를 포함하는 액정 표시 장치및 그 제조 방법 |
| KR20060099099A (ko) * | 2005-03-10 | 2006-09-19 | 삼성전자주식회사 | 표시 패널 및 이의 제조 방법 |
| KR20070039238A (ko) * | 2005-10-07 | 2007-04-11 | 삼성전자주식회사 | 유기 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
| KR20080051788A (ko) * | 2006-12-07 | 2008-06-11 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 패널의 제조 방법 및 자외선 노광 장치 |
| JP4542555B2 (ja) | 2007-01-29 | 2010-09-15 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 有機ｅｌ表示装置 |
| KR20080101680A (ko) * | 2007-05-18 | 2008-11-21 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 표시장치, 전자 기기, 및 그의 구동방법 |
| TWI373141B (en) * | 2007-12-28 | 2012-09-21 | Au Optronics Corp | Liquid crystal display unit structure and the manufacturing method thereof |
| US8405810B2 (en) * | 2009-07-23 | 2013-03-26 | Lg Display Co., Ltd. | Liquid crystal display and fabricating method thereof |
| JP5278777B2 (ja) * | 2010-11-09 | 2013-09-04 | Ｎｌｔテクノロジー株式会社 | 液晶表示装置 |
-
2012
- 2012-08-02 KR KR1020120084991A patent/KR101974059B1/ko active IP Right Grant
-
2013
- 2013-01-03 US US13/733,841 patent/US9097932B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US9097932B2 (en) | 2015-08-04 |
| KR20140017956A (ko) | 2014-02-12 |
| US20140071368A1 (en) | 2014-03-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101621635B1 (ko) | 어레이 기판과 그 제조 방법 및 디스플레이 디바이스 | |
| JP5465311B2 (ja) | 有機発光表示装置及びその製造方法 | |
| KR101970560B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
| EP3242341A1 (en) | Array substrate and manufacturing method therefor, display panel and display device | |
| US8852978B2 (en) | Method of fabricating a thin film transistor and method of fabricating an organic light-emitting display device | |
| US20140061632A1 (en) | Thin film transistor substrate and method of manufacturing the same | |
| US20110303923A1 (en) | Tft, array substrate for display apparatus including tft, and methods of manufacturing tft and array substrate | |
| US9502570B2 (en) | Thin film transistor and manufacturing method thereof, an array substrate and a display device | |
| KR101974059B1 (ko) | 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
| KR20160032339A (ko) | 박막 트랜지스터 어레이 기판, 그 제조방법 및 표시 장치 | |
| JP2011135086A (ja) | 薄膜トランジスタ、その製造方法、およびそれを利用した表示基板 | |
| KR20120039947A (ko) | 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| KR102278604B1 (ko) | 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조방법 | |
| WO2013172185A1 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| KR102651358B1 (ko) | 미러 기판의 제조 방법 및 이를 갖는 표시 장치 | |
| KR20080077846A (ko) | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 | |
| KR20150142139A (ko) | 박막트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조방법 | |
| KR20140058101A (ko) | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 | |
| US20140206139A1 (en) | Methods for fabricating a thin film transistor and an array substrate | |
| US20180166562A1 (en) | Thin Film Transistor, Manufacturing Method for Array Substrate, Array Substrate and Display Device | |
| US10636857B2 (en) | Array substrate, method for fabricating the same and display device | |
| WO2015192549A1 (zh) | 阵列基板、其制作方法以及显示装置 | |
| KR20150072117A (ko) | 유기발광다이오드 표시장치 및 이의 제조방법 | |
| US20110001135A1 (en) | Method for manufacturing self-aligned thin-film transistor and structure thereof | |
| US11469328B2 (en) | TFT array substrate and preparation method thereof |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |