KR101938079B1 - Apparatus and Method for Photo-resist Ashing process - Google Patents

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Abstract

The present invention provides a photoresist stripping device and a photoresist stripping method, capable of maximizing photoresist stripping efficiency. According to the embodiment of the present invention, the photoresist stripping device includes: a chamber including a reaction space; multiple substrate supports including a heater to heat a substrate installed in the reaction space since the multiple substrates are vertically piled; a plasma guide installed in a first wall and leading and spraying plasma activated toward the upper surface of the substrate in the reaction space; a gas injection plate installed in the lower part of the plasma guide and evenly injecting gas to each substrate support; a plasma generation unit installed in the first wall and activating reaction gas by the plasma; a plasma collecting unit transferring the plasma generated in the plasma generation unit by collecting the plasma in the reaction space; a plasma distribution plate designed to evenly transfer the plasma through each plasma guide in the plasma collection unit; an exhaust unit discharging the reaction gas generating during a process and installed in a lower wall connected to the first wall; a gate door installed in a second wall of the chamber and opening and closing a path in which the substrate is loaded or is unloaded; and a control unit activating the reaction gas in the reaction space by the plasma after the gate door is closed when the substrate is loaded on the substrate support, and stripping the multiple substrates installed in the reaction space.

Description

포토 레지스트 박리 장치 및 박리 처리방법{Apparatus and Method for Photo-resist Ashing process}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a photoresist stripping apparatus,

본 발명은 포토 레지스트 박리 장치 및 박리 처리방법으로서, 기판의 포토 레지스트 박리를 효율적으로 수행할 수 있는 포토 레지스트 박리 장치 및 박리 처리방법에 관한 것이다.The present invention relates to a photoresist stripping apparatus and stripping process method, and more particularly, to a photoresist stripping apparatus and a stripping process method which can efficiently perform photoresist stripping of a substrate.

반도체 메모리 등 각종 전자소자가 기판상에서 제조될 때, 다양한 박막 및 공정이 필요하다. 즉, 반도체 소자를 제조하는 경우 기판상에 각종 박막을 형성하며, 이처럼 형성된 박막에 사진-식각 및 식각 후 포토레지스트의 박리공정을 반복사용 패터닝하여 소자 구조를 형성하게 된다. 특히 포토레지스트를 박리하는 방법으로는 크게 물리적 방법 및 화학적 방법 또는 플라즈마를 이용하는 방법 등이 있다.When various electronic devices such as semiconductor memories are manufactured on a substrate, various thin films and processes are required. That is, when a semiconductor device is manufactured, various thin films are formed on a substrate, and the device structure is formed by patterning the thin film thus formed by repeatedly using the photolithography process and the photolithography process. Particularly, as a method of peeling the photoresist, a physical method, a chemical method, a method using plasma, or the like can be used.

도 1 내지 도 4는 종래의 플라즈마를 활용한 포토레지스트 박리 장치의 구성도이다.1 to 4 are block diagrams of a conventional photoresist stripping apparatus using plasma.

플라즈마를 활용한 포토레지스트 박리(PR Ashing 또는 PR Stripping)장치는, 챔버 내부로 유입된 가스를 플라즈마(Plasma)로 활성화시켜, 기판(W)상의 포토레지스트등과 반응하여 포토레지스트를 제거시킨다. 또는 플라즈마를 챔버외부에서 발생시켜 챔부내부로 활성종을 유입하여 기판(W)상의 포토레지스트등과 반응하여 포토레지스트를 제거시킨다.The plasma-assisted photoresist stripping (PR ashing or PR stripping) apparatus activates the gas introduced into the chamber by a plasma, and reacts with a photoresist or the like on the substrate W to remove the photoresist. Or a plasma is generated from the outside of the chamber to introduce the active species into the chamber and react with the photoresist on the substrate W to remove the photoresist.

도 1에서는 챔버내부에 진공용 절연체가 있으며 절연체에 가스 도입부와 배기구를 가지고 있으며 절연체 외부에 플라즈마를 인가하는 방식의 플라즈마 발생 장치를 표시하고 있다. 그러나 도 1에서는 플라즈마의 불균일한 발생에 의하여 각 기판간 및 기판내의 불균일성의 문제가 발생하며 메뉴얼 로딩에 의해 처리능력의 한계가 있다.FIG. 1 shows a plasma generating apparatus in which a vacuum insulator is provided in a chamber, a gas introducing portion and an exhaust port are formed in an insulator, and plasma is applied to the outside of the insulator. However, in FIG. 1, non-uniformity of plasma occurs between the substrates and in the substrate, and there is a limitation in the processing capability due to manual loading.

또한 도 2에 도시된 챔버는 상부가 개방된 본체와, 본체의 상부에 개폐 가능하게 설치되는 탑리드(10b)를 구비한다. 탑리드는 절연체로 구성되어 있다.In addition, the chamber shown in Fig. 2 has a main body having an open top and a top lead 10b provided on the top of the main body so as to be openable and closable. Topred is composed of an insulator.

기판지지부는 기판을 지지하기 위한 구성으로서, 지지플레이트를 구비한다. 지지플레이트는 원판 형상으로 챔버 내부에 수평방향으로 구비되고, 지지플레트 내부에는 히터를 구성하며, 온도를 제어하는 장치를 가지며 웨이퍼의 온도를 상승시켜 포토레지스 박리를 용이하게 한다. 가스 분사체는 지지플레이트 상부에 이격되어구비되며, 기판지지부 측으로 기상화된 원료물질, 캐리어가스, 반응가스, 보조가스등공정가스를 분사한다. 가스분사체는 샤워헤드 등의 분산판으로 구현될 수 있다.The substrate support has a support plate for supporting the substrate. The support plate has a disk shape in a horizontal direction inside the chamber, a heater is formed inside the support plate, a device for controlling the temperature is provided, and the temperature of the wafer is raised to facilitate peeling of the photoresist. The gas jetting body is spaced apart from the upper portion of the support plate and injects the process gas such as the raw material, the carrier gas, the reaction gas, and the auxiliary gas, The gas jetting body may be embodied as a dispersion plate such as a shower head.

플라즈마생성부는, 챔버 내부에서 플라즈마를 생성하여 각종 공정가스를 여기시켜 활성종 상태로 만든다. 이를 위해 플라즈마 생성부에는 전력공급수단을 연결하며, 챔버내의 반응공간에 플라즈마를 여기시킬 수 있다.The plasma generating unit generates a plasma in the chamber to excite various process gases into an active species state. To this end, a plasma generating portion is connected to a power supply means, and a plasma can be excited into a reaction space in the chamber.

도 3 및 도 4는 종래의 이밖에 챔버 외부에서 혹은 별도의 절연 챔버를 이용하여 챔버와 결합된 가스분사체 내에서 가스를 플라즈마 여기에 의한 활성종 상태로 만들어 기판으로 공급하는 리모트 플라즈마 방식으로 구현될 수도 있다. 결국, 가스분사체를 통해 각종가스(또는활성종)가 기판 상부로 공급되고 챔버내에의 기판(W)상에 활성종이 공급되어 박리가 이루어지며, 잔류가스 및 부산물 등은 배기관을 통해 외부로 배출된다.FIGS. 3 and 4 illustrate a remote plasma method in which a gas is injected into a plasma excited state in a gas injecting body coupled with a chamber outside the chamber or using a separate insulating chamber. . As a result, various gases (or active species) are supplied to the upper portion of the substrate through the gas jetting body and the active paper is supplied onto the substrate W in the chamber to peel off. Residual gases and byproducts are discharged to the outside through the exhaust pipe do.

이러한 장치 또한 기판을 지지하기 위한 구성으로서, 기판지지부를 가지며 지지플레이트를 구비한다. 지지플레이트는 원판 형상으로 챔버 내부에 수평방향으로 구비되고, 지지플레트 내부에는 히터를 구성하며, 온도를 제어하는 장치를 가지며 웨이퍼의 온도를 상승시켜 포토레지스 박리를 용이하게 한다.Such a device also has a support plate having a substrate support as a structure for supporting the substrate. The support plate has a disk shape in a horizontal direction inside the chamber, a heater is formed inside the support plate, a device for controlling the temperature is provided, and the temperature of the wafer is raised to facilitate peeling of the photoresist.

그런데 종래의 기술에서는 기판의 대규경화에 따라 하나의 챔버 마다 한 장의 기판을 처리하는 방식이 채택되고 있으나, 이럴 경우 공간과 챔버수의 한정에 따라 처리 능력에 한계가 있어 생산성이 저하되는 문제가있다.However, in the conventional technology, a method of processing one substrate for each chamber in accordance with the large-scale curing of the substrate is adopted. However, in this case, there is a problem that the productivity is lowered due to limitation of the processing capacity due to limitation of the number of chambers and the number of chambers .

본 발명의 기술적 과제는 기판에 대한 포토레지스트 박리 공정 시에 수직 적층된 기판스테지에서 기판을 동시에 처리함으로 포토레지스트 박리 효율을 극대화할 수 있는 포토 레지스트 박리장치및 박리처리방법을 제공하는데 있다.The present invention provides a photoresist stripping apparatus and a stripping process method which can maximize photoresist stripping efficiency by simultaneously treating a substrate in a vertically stacked substrate stage during a photoresist stripping process on a substrate.

본 발명의 실시 형태는 반응 공간을 내부에 가지는 챔버; 반응 공간 내에 기판을 가열하며, 기판을 안착시키는 수직으로 적층된 복수의 기판 스테지: 상기 챔버 제1측벽에 마련되어, 반응 공간내의 각 기판 상면을 향해 반응 플라즈마를 유도하여 분사하는 복수개의 플라즈마 가이드; 상기 플라즈마 가이드의 하부에 설치 되며 각각의 기판스테지 상부에 균일한 가스를 분사하는 가스분사판: 상기 제1측벽에 외부에 마련되어, 플라즈마를 발생하는 플라즈마발생부: 상기 플라즈마발생부에는 인가전원장치 및 가스를 유입하는 가스도입부를 포함한다. 상기 플라즈마발생부에서 생성된 플라즈마를 집진하여 반응공간내로 플라즈마를 공급하기 위한 플라즈마집진부: 상기 플라즈마 집진부에서 집진된 플라즈마를 플라즈마 가이드를 통하여 각각의 기판에 균일하게 플라즈마를 분배하는 플라즈마 분배판: 상기 제1측벽과 연결된 하부면에 반응가스를 배기하는 배기부; 상기 챔버의 제2측벽에 마련되어, 상기 기판이 로딩 또는 언로딩되는 통로를 개폐하는 게이트 도어; 및 상기 기판 가열부에 기판이 로딩되면, 상기 게이트 도어를 폐쇄한 후 기판 가열부에서 기판을 가열한후 플라즈마 집진부에서 플라즈마 가이드부를 통하여 기판에 활성 플라즈마를 유도하는 구조를 가진 기구를 제어하는 제어부;를 포함할 수 있다.An embodiment of the present invention includes a chamber having a reaction space therein; A plurality of vertically stacked substrate stages for heating the substrate within the reaction space and seating the substrate; a plurality of plasma guides provided on the first side wall of the chamber for inducing and injecting reaction plasma toward the upper surface of each substrate in the reaction space; A gas injection plate installed at a lower portion of the plasma guide and spraying a uniform gas onto the upper portion of each substrate stage; a plasma generation portion provided outside the first side wall to generate a plasma; And a gas introducing portion for introducing the gas. A plasma dust collecting part for collecting the plasma generated in the plasma generating part and supplying the plasma into the reaction space; a plasma distribution plate for uniformly distributing the plasma collected in the plasma dust collecting part to the respective substrates through a plasma guide; An exhaust unit for exhausting the reaction gas to a lower surface connected to the first sidewall; A gate door provided on a second side wall of the chamber for opening / closing a passage through which the substrate is loaded or unloaded; And a control unit controlling a mechanism having a structure for heating the substrate in the substrate heating unit after closing the gate door when the substrate is loaded in the substrate heating unit, and then inducing the active plasma to the substrate through the plasma guide unit in the plasma dust collecting unit. . ≪ / RTI >

상기 배기부는, 상기 반응 공간을 향하는 상기 제1측벽과 연결되는 하부면에 형성되어 각 기판에서 생성된 반응가스를 외부로 배출하는 배기부: 및 외부면에 마련되어 상기 배기 통로와 연결되는 배기관;을 포함할 수 있다.The exhaust part includes an exhaust part formed on a lower surface connected to the first sidewall facing the reaction space and discharging the reaction gas generated in each substrate to the outside, and an exhaust pipe provided on the outer surface and connected to the exhaust passage. .

상기 플라즈마 발생부는, 고주파 유도결합 플라즈마(ICP), 마이크로웨이브 플라즈마, 리모트플라즈마 중 어느 하나의 방식으로 플라즈마를 발생시킬 수 있다.The plasma generating unit may generate plasma by any one of high-frequency inductively coupled plasma (ICP), microwave plasma, and remote plasma.

또한 포토 레지스트 박리 장치를 이용하여 포토레지스트를 박리 처리하는 방법에 있어서, 고주파유도결합플라즈마(ICP), 마이크로웨이브플라즈마, 리모트플라즈마 중 어느 하나의 방식으로 플라즈마를 발생시켜 기판에서 포토 레지스트를 박리 처리할 수 있다.In addition, in the method of removing the photoresist using the photoresist stripping apparatus, plasma is generated by any one of high-frequency inductively coupled plasma (ICP), microwave plasma, and remote plasma, and the photoresist is stripped from the substrate .

본 발명에서는 챔버 내에서 수직으로 복수의 기판스테지를 설치하여 복수개의 기판을 기판스테지에 안착시킨 후 복수개의 플라즈마가이드를 통하여 분사된 플라즈마를 이용하여 각각의 기판을 동시에 처리함으로 효율적으로 박리 처리할수 있는 포토레지트 박리장치 및 처리방법이다.In the present invention, a plurality of substrate stems are installed vertically in a chamber, a plurality of substrates are placed on a substrate stasis, and the substrates are processed simultaneously using plasma sprayed through a plurality of plasma guides, A photoresist peeling apparatus and a processing method.

최근의 기술은 기판(W)의 대규경화에 따라 하나의 챔버에 한장의 기판을 처리하는 방식을 채택하고 있으나 공간과 챔버수의 한정에 따라 처리능력의 한계가 있으나, 본 발명은 하나의 챔버에 복수개의 기판을 동시에 박리 처리 할 수 있어 대량의 처리 능력 및 비용절감효과를 실현할 수 있다.Although the recent technology employs a method of processing a single substrate in one chamber in accordance with the large-scale curing of the substrate W, there is a limitation in the processing capability due to the limitation of the number of chambers and the number of chambers. However, A plurality of substrates can be peeled at the same time, so that a large amount of processing ability and cost reduction effect can be realized.

또한 종래에는 한 챔버에서의 처리능력이 약10um/min의 처리 능력을 가지나, 본 발명에서는 복수개의 기판을 일괄 처리하는 관계로 한 챔버당 약30um/min의 처리 능력을 가질 수 있다.Also, conventionally, the processing capability in one chamber has a processing capability of about 10 [mu] m / min, but in the present invention, it is possible to have a processing capability of about 30 [mu] m / min per chamber in a batch processing of a plurality of substrates.

또한 종래에는 복수의 챔버(최대 6개 챔버)를 가지고 시간당 최고 약 300장/시간에 대하여 본 발명은 세 개의 챔버만을 사용하는 구조에서도 약 300장/시간 능력으로 공간 및 처리능력에서의 비용절감효과를 가질 수 있다.In addition, conventionally, with a plurality of chambers (up to six chambers), the present invention can reduce the cost in terms of space and processing capacity by about 300 sheets / hour capacity even in a structure using only three chambers, Lt; / RTI >

도 1 내지 도 4는 종래의 포토 레지스트 박리 장치의 단면도.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 포토 레지스트 박리 장치의 단면도.
도 6은 본발명의 실시예에 따른 모습을 도시한 사시도
도 7은 본 발명의 실시예에 따라 챔버내의 기판스테지및 플라즈마 가이드및 가스 분사판 모습을 도시한 상세 단면도.
도 8은 본 발명의 실시예에 따라 챔버내의 기판지스테지및 플라즈마 가이드및 가스 분사판 모습을 도시한 사시도.
도 9는 본 발명의 실시예에 따라 기판의 일측면으로 플라즈마 분사되어 하측면으로 배기되는 모습을 도시한 개략도.1 to 4 are sectional views of a conventional photoresist stripping apparatus.
5 is a cross-sectional view of a photoresist stripping apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a perspective view showing a state according to an embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a detailed cross-sectional view illustrating a substrate stage and a plasma guide and a gas injection plate in a chamber according to an embodiment of the present invention. FIG.
8 is a perspective view illustrating a substrate support staple, a plasma guide, and a gas injection plate in a chamber according to an embodiment of the present invention.
9 is a schematic view showing a state in which plasma is sprayed to one side of a substrate and exhausted to a lower side according to an embodiment of the present invention;

본 발명의 포토레지스트 박리장치 및 박리처리방법으로서, 챔버(1), 게이트도어(110), 기판스테지(120), 플라즈마가이드(130), 기판구동용 리프트기구(140), 플라즈마집진부(150), 플라즈마발생부(160), 배기부(170), 및 제어부(미도시)를 포함할 수 있다.A gate guide 110, a substrate stage 120, a plasma guide 130, a substrate lift mechanism 140, a plasma dust collecting unit 150, A plasma generator 160, an exhaust unit 170, and a controller (not shown).

챔버(1)는, 기판(W)에 대한 포토레지스트 박리 등의 공정을 처리하기 위한 공간을 제공하는 수단으로서, 내부에 소정의 내부 공간(이하, '반응 공간'이라 함)을 마련하고 이를 기밀하게 유지시킨다. 챔버(1)는 대략 원형의 평면부 및 평면부로부터 상향 연장된 측벽과 상부벽을 포함하여 소정의 공간을 가지는 반응 공간을 가질 수 있다. 챔버(1)의 형상은 일반적으로 사각통 형상을 가지나, 이러한 형상이 아니더라도 다른 다양한 형상을 가질 수 있다. 또한 반응 공간은 박리 처리중에는 진공 분위기로 형성되어야 한다.The chamber 1 is a means for providing a space for processing a process such as photoresist peeling or the like for the substrate W. The chamber 1 is provided with a predetermined internal space (hereinafter referred to as a reaction space) . The chamber 1 may have a reaction space having a predetermined space including a substantially circular planar portion and side walls upwardly extending from the planar portion and a top wall. The shape of the chamber 1 generally has a rectangular tube shape, but may have various other shapes, if not such a shape. Further, the reaction space must be formed in a vacuum atmosphere during the peeling treatment.

또한 챔버(1)의 제1측벽(100a)에는 후술할 플라즈마 집진부(150)가 마련되며, 챔버(1)의 일측벽의 하측면에 위치한 하측벽(100c)에는 반응가스의 배출을 위한 배기부(170)가 형성된다. 또한 챔버(1)의 제2측벽(100b)에는 기판을 챔버(1) 내부로 로딩하거나, 외부로 언로딩하기 위한 게이트 도어(110)가 구비된다. 게이트 도어(110)는, 챔버(1)의 제2측벽(100b)에 마련되어, 기판이 로딩 또는 언로딩되는 통로를 수직 방향으로 개방 또는 폐쇄한다. 따라서 기판이 챔버(1)내의 반응 공간으로 로딩될 때 게이트 도어(110)가 개방되며, 포토레지스트 박리공정이 이루어지는 동안에는 게이트 도어(110)가 폐쇄된다. 그리고 포토레지스트 박리 공정이 완료된 기판이 외부로 배출될 때 게이트 도어(110)가 개방된다.The first side wall 100a of the chamber 1 is provided with a plasma dust collecting part 150 to be described later and a lower wall 100c located on a lower side of a side wall of the chamber 1 is provided with a discharge part (170) is formed. The second side wall 100b of the chamber 1 is provided with a gate door 110 for loading or unloading the substrate into or from the chamber 1. The gate door 110 is provided on the second sidewall 100b of the chamber 1 and opens or closes the passage through which the substrate is loaded or unloaded in the vertical direction. Thus, the gate door 110 is opened when the substrate is loaded into the reaction space in the chamber 1, and the gate door 110 is closed during the photoresist stripping process. The gate door 110 is opened when the substrate on which the photoresist stripping process is completed is discharged to the outside.

기판스테지(120)는, 기판을 안착시키기 위한 복수의 기수직으로 적층된 구조이며, 기판 스테지(120) 내부에는 포토레지스트 박리시 기판의 온도를 가열하는 기능을 가진 히터(121)가 마련된다. 여기서 기판 스테지(120)는, 기판의 형상과 대응되는 형상으로 마련될 수 있으며, 기판보다 크게 제작될 수 있다. The substrate stage 120 has a plurality of vertically stacked structures for seating the substrate. A heater 121 having a function of heating the temperature of the substrate when peeling the photoresist is provided in the substrate stage 120. Here, the substrate stage 120 may be provided in a shape corresponding to the shape of the substrate, and may be made larger than the substrate.

플라즈마 가이드(130)는, 제1측벽(100a)에 마련되어 반응 공간내에 위치한 기판의 상면을 향해 플라즈마를 유도하여 분사하는 수단이다. 플라즈마 가이드(130)는 복수개의 적층된 기판의 상면을 향해 각각의 플라즈마를 유도 분사함으로써, 플라즈마가 수직으로 적층된 복수개의 기판(W) 상면에 고르게 전달될 수 있도록 한다. 플라즈마 가이드는 플라즈마를 플라즈마집진부(150)에서 플라즈마분배판(151)을 통하여 적층된 기판에 플라즈마를 유도하는 기구로 플라즈마 가이드하우징(132)을 가지며, 상기 하우징의 상부에는 하우징커버(131)를 가지며 하우징 외부로의 플라즈마 손실을 방지하는 역할을 하고 있다. 또한 플라즈마가이드의 플라즈마 하우징 하단에는 가스분산판(133)을 설치하여 각 기판에 플라즈마를 균일 하게 공급한다. 이때 사용되는 가스분산판(133)의 형상은 원형의 방사선 구조를 가지나, 여기에 한정하지 아니하고 다른 형상을 할수있다.The plasma guide 130 is a means provided in the first sidewall 100a for inducing and injecting plasma toward the upper surface of the substrate placed in the reaction space. The plasma guide 130 induces the respective plasma to be directed toward the upper surface of the plurality of stacked substrates so that the plasma can be uniformly transmitted to the upper surface of the plurality of vertically stacked substrates W. The plasma guide has a plasma guide housing 132 as a mechanism for guiding a plasma to a substrate stacked on the plasma deposition unit 150 through a plasma distribution plate 151. The housing has a housing cover 131 at an upper portion of the housing Thereby preventing plasma loss to the outside of the housing. Further, a gas dispersion plate 133 is provided at the lower end of the plasma housing of the plasma guide to uniformly supply the plasma to each substrate. The shape of the gas dispersion plate 133 used herein may have a circular radiation structure, but it is not limited thereto and may have a different shape.

기판 리프트 구동부(140)는 상기 제2측벽의 게이트도어(110)를 통하여 기판의 로딩 또는 언로딩시 기판을 스테지(120)에 안착시키는 기구로, 로딩시는 상기제2측벽에 마련된 게이트도어(110)가 열리고 반송기구(미도시)에 의해 로딩된 복수의 기판을 각각의 리프트후푸(142)에 연결된 리프트핀(141)에 안착시킨 후 반송기구가 게이트도어(110)를 통하여 나간 후 게이트도어를 닫고 리프트핀에 올려진 기판을 상기 기판스테지에 안착 시킨다. 공정이 완료되고 언로딩시에는 기판스테지에 있는 기판을 리프트핀에 올려준 후 게이트 도어(110)가 열리고 반송기구가 유입되면 리프트핀에 있던 기판이 반송기구에 각각 올려지면 반송기구는 게이트 도어를 통하여 언로딩 한다.The substrate lift driving unit 140 is a mechanism for placing the substrate on the staged 120 when the substrate is loaded or unloaded through the gate door 110 of the second side wall, 110 are opened and a plurality of substrates loaded by a transporting mechanism (not shown) are placed on the lift pins 141 connected to the respective lift hoppers 142. After the transport mechanism exits through the gate doors 110, And places the substrate mounted on the lift pin on the substrate staple. When the process is completed and the unloading is performed, the substrate in the substrate staged is lifted onto the lift pin, and then the gate door 110 is opened. When the transport mechanism is introduced, the substrate on the lift pin is raised to the transport mechanism. .

플라즈마 집진부(150)는, 제1측벽(100a)에 마련되어, 후술할 플라즈마 발생부(160)에서 생성된 플라즈마를 플라즈마집진부(150)에 집진 하는 동시에 집진된 플라즈마를 플라즈마분배판(151)과 플라즈마가이 드(130)를 통해 플라즈마를 기판 상면에 공급하여 포토레지스트를 박리하는 수단이다. 플라즈마 분배판은 적층된 기판스테지(120)와 플라즈마가이드 (130)와 같은 수의 개구부를 가지며, 분배판의 형상은 사각 구조를 하고 있으나, 사각 구조에 한정 하는 것은 아니다.The plasma dust collector 150 is disposed on the first sidewall 100a and collects the plasma generated in the plasma generator 160 to be described later into the plasma dust collector 150. The plasma dust collector 150 includes a plasma distribution plate 151, And supplies the plasma to the upper surface of the substrate through the guide 130 to separate the photoresist. The plasma distribution plate has the same number of openings as the laminated substrate stage 120 and the plasma guide 130, and the shape of the distribution plate is a rectangular structure, but is not limited to a square structure.

플라즈마 발생부(160)는, 챔버(1)의 제1측벽(100a) 외부에 마련되며 소정의 전원공급부(162)와 가스도입구(161)를 포함한다.The plasma generating unit 160 is provided outside the first sidewall 100a of the chamber 1 and includes a predetermined power supply unit 162 and a gas inlet 161. [

플라즈마 발생부(160)는, 플라즈마 발생부의 외부에 설치된 공정에 사용되는 가스를 유입시키고 전원이 인가되면 공정가스를 플라즈마 상태로 활성화시켜 플라즈마를 발생하는 기구이다. 플라즈마 발생부에서 발생된 플라즈마는 각각의 플라즈마분배판을 통하여 반응공간내로 유입하기 위하여 플라즈마집진부(150)에서 집진하는 구조이다. 플라즈마 발생부(160)는, 고주파유도결합 플라즈마(ICP), 마이크로웨이브 플라즈마, 리모트 플라즈마 중 어느 하나의 방식으로 플라즈마를 발생시킬 수 있게 된다. 이러한 고주파유도결합 플라즈마(ICP), 마이크로웨이브 플라즈마, 리모트 플라즈마 타입을 이용함으로써, 플라즈마 활성화가 활발하게 이루어져 플라즈마 밀도가 높아질 수 있다.The plasma generating unit 160 is a mechanism for generating a plasma by introducing a gas used in a process installed outside the plasma generating unit and activating the process gas into a plasma state when power is applied. The plasma generated in the plasma generating part is collected in the plasma dust collecting part 150 to flow into the reaction space through the respective plasma distribution plates. The plasma generating unit 160 can generate plasma by any one of high-frequency inductively coupled plasma (ICP), microwave plasma, and remote plasma. By using such a high-frequency inductively coupled plasma (ICP), microwave plasma, or remote plasma type, plasma activation can be actively performed and the plasma density can be increased.

한편, 배기부(170)는, 챔버(1) 내의 반응가스를 배출하기 위한 수단 으로서, 챔버(1) 하측에 마련되며. 플라즈마 발생부(160)에서 생성한 플라즈마를 플라즈마집진부(150)의 플라즈마분배판(151)과 플라즈마 가이드(130)를 통하여 유입된 반응가스를 상기 가이드하우징(131) 하부에 설치된 가스분사판을 통하여 각 기판에 균일하게 공급된 반응 가스가 각 기판과 반응하며, 이때 반응 공간내에서 발생한 반응가스를 외부로 배출한다.On the other hand, the exhaust unit 170 is provided below the chamber 1 as a means for exhausting the reaction gas in the chamber 1. The plasma generated by the plasma generator 160 is supplied to the plasma distribution plate 151 of the plasma collection unit 150 and the plasma guide 130 through the gas injection plate installed below the guide housing 131 The reaction gas uniformly supplied to each substrate reacts with each substrate, and the reaction gas generated in the reaction space is discharged to the outside.

제어부(미도시)는, 복수의 가열된 기판 스테지(120)에 복수의 기판이 로딩(loading)되면, 게이트도어(110)를 폐쇄한 후 가열된 기판 스테지(120) 에 플라즈마가이드(130)를 통하여 유입된 플라즈마가 가스분산판(133)을 통하여 기판에 플라즈마가 균일하게 공급할 수 있도록 제어를 수행한다. 따라서 도 9에 도시한 바와 같이 챔버(1)의 제1측벽(100a)의 플라즈마 발생부에서 활성화된 플라즈마가 집진부에서 집진한 후 플라즈마 분배판과 플라즈마가이드를 경유하여 플라즈마가 유입되면 가스분사판을 통하여 균일한 플라즈마가 각각의 가열된 복수개의 기판스테지에 적층된 복수개의 기판(W) 상면으로 활성화된 반응가스가 흘러들어 포토레지스트가 박리되고, 박리 처리중에 발생한 반응가스를 챔버(1)의 제1측벽(100a)의 하측면 (100c)에 형성된 배기부(170)를 거쳐 반응가스를 외부로 배출될 수 있다. When a plurality of substrates are loaded on a plurality of heated substrate stages 120, a control unit (not shown) closes the gate doors 110 and then applies a plasma guide 130 to the heated substrate stage 120 So that plasma can flow uniformly through the gas distribution plate 133 to the substrate. Therefore, as shown in FIG. 9, when the plasma activated in the plasma generating portion of the first sidewall 100a of the chamber 1 is collected by the dust collecting portion, and then the plasma flows through the plasma distribution plate and the plasma guide, The reactive gas flows into the upper surface of a plurality of substrates W on which a uniform plasma is stacked on each of the plurality of heated substrate stitches so that the photoresist is peeled off and the reaction gas generated during the peeling process is introduced into the chamber 1 The reaction gas can be discharged to the outside through the exhaust part 170 formed on the lower side 100c of the first side wall 100a.

또한, 포토레지스트 박리처리방법에 있어서는 반응 공간을 내부에 가지는 챔버(1)내에 수직으로 적층된 복수의 기판스테지(120)에 기판을 안착시키는 단계와,Further, in the photoresist stripping method, the substrate is placed in a plurality of vertically stacked substrate stems 120 in a chamber 1 having a reaction space therein,

기판에 안착되면 게이트도어를 닫고 챔버를 기밀상태로 유지하는 단계와,Closing the gate door and keeping the chamber in a sealed state when the substrate is seated,

플라즈마발생부에서 발생한 활성화된 플라즈마를 플라즈마 집진부에 집진하는 단계와,Collecting an activated plasma generated in the plasma generating part in a plasma dust collecting part,

플라즈마집진부에 집진된 활성화된 플라즈마를 플라즈마분배판을 통하여 각각 플라즈마가이드로 분배하는 단계와, Distributing the activated plasma collected in the plasma dust collecting part to the plasma guide through the plasma distribution plate,

플라즈마가이드로 유입된 플라즈마가 복수의 원형홀을 가지는 가스분산판을 통하여 각 기판에 분사하는 단계와,The plasma introduced into the plasma guide is sprayed onto each substrate through a gas distribution plate having a plurality of circular holes,

가스분사판을 통하여 균일하게 분사된 활성가스가 포토레지스트를 박리처리하는 단계와,Removing the photoresist from the active gas uniformly sprayed through the gas injection plate;

박리처리 중 발생한 반응생성물을 배기구를 통해 기판스테이지 외부로 배출하는 단계로 이루어 지며, 상기 플라즈마발생부에서 발생하는 플라즈마 발생단계에서 고주파유도결합 플라즈마(ICP), 마이크로웨이브 플라즈마, 리모트플라즈마 중 어느 하나의 방식으로 플라즈마를 발생시킬 수 있다.And discharging a reaction product generated during the peeling process to the outside of the substrate stage through an exhaust port. In the plasma generating step of the plasma generating unit, any one of high frequency inductively coupled plasma (ICP), microwave plasma, and remote plasma The plasma can be generated.

상술한 본 발명의 설명에서의 실시예는 여러가지 실시가능한 예중에서 당업자의 이해를 돕기 위하여 가장 바람직한 예를 선정하여 제시한 것으로, 이 발명의 기술적 사상이 반드시 이 실시예만 의해서 한정되거나 제한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위내에서 다양한 변화와 변경 및 균등한 타의 실시예가 가능한 것이다.The embodiments of the present invention described above are selected and presented in order to assist those of ordinary skill in the art from among various possible examples. The technical idea of the present invention is not necessarily limited to or limited to these embodiments Various changes, modifications, and other equivalent embodiments are possible without departing from the spirit of the present invention.

110:게이트 도어 120:기판 스테지
130:플라즈마 가이드 140: 기판 구동 리프트기구
150:플라즈마 집진부 160: 플라즈마 발생부
170:배기부110: gate door 120: substrate staged
130: plasma guide 140: substrate driving lift mechanism
150: plasma dust collector 160: plasma generator
170:

Claims (7)

포토레지스트 박리 처리장치에 있어서,
반응 공간을 내부에 가지는 챔버(1);
반응 공간 내에 기판을 가열하는 히터(121)가 마련되어 수직으로 적층된 복수의 기판스테지(120);
제1측벽 외부에 마련되어 유입된 가스를 활성화시키는 플라즈마 발생부(160);
상기 제1측벽에 마련되어, 상기 플라즈마발생부(160)에서 발생한 활성화된 플라즈마를 플라즈마분배판(151)을 통하여 각각 분배되게하는 플라즈마 집진부(150);
상기 제1측벽에 마련되어, 플라즈마분배판(151)을 통하여 공급되는 활성화된 플라즈마를 유도하여 반응 공간내의 각 기판에 분산되도록 플라즈마를 유도하고 균일한 가스를 기판에 분사 하기 위하여 하우징 커버(131)와, 플라즈마하우징(132) 하측에 가스분사판(133)이 설치되게 하는 복수개의 플라즈마 가이드(130);
상기 반응공간의 하측면에 마련된 배기부(170);를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토 레지스트 박리장치.



In the photoresist stripping apparatus,
A chamber (1) having a reaction space therein;
A plurality of vertically stacked substrate stages 120 provided with heaters 121 for heating the substrates in the reaction space;
A plasma generator 160 provided outside the first sidewall to activate the introduced gas;
A plasma dust collecting unit 150 provided on the first sidewall to distribute the activated plasma generated in the plasma generating unit 160 through the plasma distribution plate 151;
In order to induce an activated plasma supplied through the plasma distribution plate 151 to induce plasma to be dispersed on each substrate in the reaction space and to spray a uniform gas onto the substrate, A plurality of plasma guides 130 for installing a gas injection plate 133 below the plasma housing 132;
And an exhaust part (170) provided on a lower side of the reaction space.



삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 포토레지스트 박리 처리방법에 있어서,
반응 공간을 내부에 가지는 챔버(1)내에 수직으로 적층된 복수의 기판스테지(120)에 기판을 안착시키는 단계와,
기판에 안착되면 게이트도어를 닫고 챔버를 기밀상태로 유지하고 플라즈마를 발생하는 단계와,
플라즈마발생부에서 발생한 활성화된 플라즈마를 플라즈마 집진부에 집진하는 단계와,
상기 플라즈마집진부에 집진된 활성화된 플라즈마를 플라즈마분배판(151)을 통하여 균일한 가스를 기판에 분사하기 위하여 하우징커버(131)와 플라즈마 하우징(132) 하측에 가스분사판(133)이 설치된 각각의 플라즈마 가이드(130)로 분배하는 단계와,
상기 플라즈마가이드로 유입된 플라즈마가 복수의 원형홀을 가지는 가스분산판(133)을 통하여 각 기판에 분사하는 단계와,
가스분사판을 통하여 균일하게 분사된 활성가스가 포토레지스트를 박리처리하는 단계와,
박리처리 중 발생한 반응생성물을 배기구를 통해 기판스테이지 외부로 배출하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 박리처리 방법



In the photoresist stripping treatment method,
Placing a substrate in a plurality of vertically stacked substrate stages (120) in a chamber (1) having a reaction space therein,
Closing the gate door to maintain the chamber in an airtight state and generating plasma when the substrate is seated on the substrate,
Collecting an activated plasma generated in the plasma generating part in a plasma dust collecting part,
And a gas injection plate 133 is provided below the plasma chamber housing 132 for spraying the activated plasma collected in the plasma dust collection unit to the substrate through the plasma distribution plate 151. [ Dispensing with a plasma guide 130,
The plasma introduced into the plasma guide is sprayed onto each substrate through a gas dispersion plate 133 having a plurality of circular holes,
Removing the photoresist from the active gas uniformly sprayed through the gas injection plate;
And discharging the reaction product generated during the peeling process to the outside of the substrate stage through an exhaust port



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